JP2001343670A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2001343670A JP2000166201A JP2000166201A JP2001343670A JP 2001343670 A JP2001343670 A JP 2001343670A JP 2000166201 A JP2000166201 A JP 2000166201A JP 2000166201 A JP2000166201 A JP 2000166201A JP 2001343670 A JP2001343670 A JP 2001343670A
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真一 小村
裕 斉藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工数を低減する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の各画素領域に、ゲート信号線か
らの走査信号によって駆動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映
像信号が供給される画素電極と、この画素電極と保持容
量電極との間に形成される容量素子とを備え、該容量素
子は、該基板側から前記薄膜トランジスタの半導体層と
同層の半導体層、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜
と同層の第1絶縁膜、前記保持容量電極、第2絶縁膜、
金属層が順次積層され、前記半導体層および金属層は互
いに接続されて構成され、前記金属層は画素領域の一部
を占有する反射板として構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、いわゆる部分透過型と称される液晶表示装置に関す
る。

【0002】

【従来の技術】いわゆる部分透過型と称される液晶表示
装置は、たとえば携帯電話用の小型液晶表示装置として
用いられており、必要に応じて太陽の反射光あるいは内
蔵するバックライトの光によって表示面の映像を認識で
きるようになっている。

【0003】すなわち、液晶を介して対向配置される各
透明基板のうち、その一方の透明基板の液晶側の面に
は、y方向に延在されx方向に並設されるゲート信号線
とx方向に延在されy方向に並設されるドレイン信号線
とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各画素領域に
は一方のゲート信号線からの走査信号の供給により駆動
される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
して一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極とが形成されている。

【0004】この画素電極はたとえばITO(Indium-T
in-Oxide)のような透明電極からなり、他方の透明基板
の液晶側の面にて、各画素領域に共通に形成された透明
電極からなる対向電極との間に電界を発生せしめ、その
電界によって画素領域内の液晶の光透過率を制御するよ
うになっている。

【0005】そして、この各画素領域のそれぞれにおい
て、その約半分の領域にたとえば金属層からなる反射板
を形成することにより、その反射板が形成された部分に
おいて反射型の表示を行い得る機能を、該反射板が形成
されていない部分において透過型の表示を行い得る機能
を持たせるようにしている。

【0006】この種の液晶表示装置の構成は、たとえば
特開平11−101992号公報、あるいは特開平11
−242226号公報に詳述されている。

【0007】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成の液晶表示装置は構造が複雑となり、製造工数が多く
なることから、コストが高くなってしまうことが指摘さ
れていた。本発明は、このような事情に基づいてなされ
たもので、その目的は製造工程の低減を図ることのでき
る液晶表示装置、およびその製造方法を提供することに
ある。

【0008】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。すなわち、本発明による液晶表示
装置は、基本的には、液晶を介して対向配置される各基
板のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に、ゲート信
号線からの走査信号によって駆動される薄膜トランジス
タと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極と
保持容量電極との間に形成される容量素子とを備え、該
容量素子は、該基板側から前記薄膜トランジスタの半導
体層と同層の半導体層、前記薄膜トランジスタのゲート
絶縁膜と同層の第1絶縁膜、前記保持容量電極、第2絶
縁膜、金属層が順次積層され、前記半導体層および金属
層は互いに接続されて構成され、前記金属層は画素領域
の一部を占有する反射板として構成されているととも
に、この金属層をも覆って画素領域に形成された第3絶
縁膜の上方に形成された画素電極と接続されていること
を特徴とするものである。

【0009】このように構成された液晶表示装置は、反
射板は容量素子の一つの電極を兼ねた構成となってい
る。このことは、容量素子の一つの電極を形成した際に
反射板が形成されることになり、製造工数の増加の低減
を図ることができることを意味する。

【0010】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明する。 《全体構成》図3は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路図である。同図は回路図ではある
が、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。

【0011】同図において、透明基板SUB1がある。
この透明基板SUB1は液晶を介して他の透明基板(図
示せず)と対向配置されるようになっている。

【0012】この透明基板SUB1の液晶側の面の周辺
を除く中央部には、図中x方向に延在しy方向に並設さ
れるゲート信号線GL、およびy方向に延在しx方向に
並設されるドレイン信号線DLが形成され、これら各信
号線で囲まれた領域によって画素領域が形成されてい
る。

【0013】この画素領域はマトリクス状に複数配置さ
れて表示領域13を構成するようになっている。

【0014】そして、ゲート信号線GLとこれに隣接す
る他のゲート信号線GLとの間にはx方向に延在する保
持容量電極配線CLが延在して形成され、この保持容量
電極配線CLは各画素領域において後述する容量素子C
addの一方の容量保持電極CTを構成するようになっ
ている。

【0015】各画素領域には、一方のゲート信号線GL
からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジ
スタTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して一
方のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される透
明の画素電極PIXとを備え、また、この画素電極PI
Xと前記保持容量電極配線CLとの間には保持容量素子
Caddが形成されている。

【0016】前記各ゲート信号線GLは、その両端(図
中左および右側)において、透明基板SUB1に搭載さ
れた半導体集積回路からなるゲート信号線駆動回路15
に接続され、このゲート信号線駆動回路15から出力さ
れる走査信号が順次供給されるようになっている。

【0017】また、前記各ドレイン信号線DLは、その
一端(図中下側)において、透明基板SUB1に搭載さ
れた半導体集積回路からなるドレイン信号線駆動回路1
4に接続され、前記走査信号の供給のタイミングに合わ
せて映像信号が供給されるようになっている。

【0018】さらに、前記保持容量電極配線CLは、そ
の一端(図中左側)において、端子Vcomに接続され
るようになっている。

【0019】この端子Vcomは、透明基板SUB1の
周辺に形成された入力端子18、19、100と並設さ
れて形成され、透明基板SUB1と対向配置される他の
透明基板の液晶側の面にて各画素領域に共通な透明の対
向電極(図示せず)と同じ電位に保持されるようになっ
ている。

【0020】なお、図中において、符号16はドレイン
信号線DLを充電するプリチャージ回路、符号17は入
力端子19、100に入力されるデジタル信号(コント
ロール信号)をゲート信号線駆動回路15およびドレイ
ン信号線駆動回路14を動かすのに充分な電圧にするレ
ベルシフト回路である。

【0021】《画素構成》図2は本発明による液晶表示
装置の画素領域の一実施例を示す平面図であり、そのI
−I線における断面を図1に示している。図2は、図3
に示した表示領域13を構成する各画素領域のうち一の
画素領域の構成を示したもので、このため、この一の画
素領域の左右上下方向の各画素領域においても同様の構
成となっている。

【0022】図1および図2において、まず、透明基板
SUB1の液晶側の面にはSiO2又はSiNの単層あ
るいは積層膜からなる下地層SIOが形成されている。
この下地層SIOは透明基板SUB1に含まれるイオン
性不純物が後述の薄膜トランジスタTFTに影響を及ぼ
すのを回避するために形成されている。

【0023】そして、この下地層SIOの表面には、た
とえばポリシリコン層からなる半導体層ASが形成され
ている。この半導体層ASはたとえばプラズマCVD装
置によって成膜したアモルファスSi膜をエキシマレー
ザによって多結晶化したものである。

【0024】この半導体層ASは、後述するゲート信号
線GLに隣接して形成される帯状の部分とこの部分に一
体となって画素領域のほぼ半分(図中上側)を占める矩
形状の部分とに形成されている。

【0025】帯状の部分の半導体層ASは後述する薄膜
トランジスタTFTの半導体層として形成され、矩形状
の部分の半導体層ASは後述する容量素子Caddの一
対の電極のうち一方の電極として形成されるようになっ
ている。

【0026】そして、このように半導体層ASが形成さ
れた透明基板SUB1の表面には、該半導体層ASをも
覆ってたとえばSiO2あるいはSiNからなる第1絶
縁膜GIが形成されている。

【0027】この第1絶縁膜GIは前記薄膜トランジス
タTFTのゲート絶縁膜として機能するとともに、後述
するゲート信号線GLとドレイン信号線DLの層間絶縁
膜の一つ、および後述する容量素子Caddの誘電体膜
の一つとして機能するようになっている。

【0028】そして、第1絶縁膜GIの上面には、図中
x方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GLが
形成され、このゲート信号線GLは後述するドレイン信
号線DLとともに矩形状の画素領域を画するようになっ
ている。

【0029】なお、このゲート信号線GLは耐熱性を有
する導電膜であればよく、たとえばAl、Cr、Ta、
TiW等が選択される。この実施例ではゲート信号線G
LとしてTiWが用いられている。

【0030】このゲート信号線GLはその一部が画素領
域内に延在され、前記帯状の半導体層ASに交差するよ
うにして重畳されている。このゲート信号線GLの延在
部GLは薄膜トランジスタTFTのゲート電極GTとし
て形成されている。

【0031】なお、このゲート信号線GLの形成後は、
第1絶縁膜GIを介して不純物のイオン打ち込みをし、
前記半導体層ASにおいて前記ゲート電極GTの直下を
除く領域を導電化させることによって、薄膜トランジス
タTFTのソース領域およびドレイン領域が形成される
とともに、前記容量素子Caddの一対の電極のうち一
方の電極が形成されるようになっている。

【0032】また、画素領域の中央における第1絶縁膜
GIの上面には図中x方向に延在する保持容量電極配線
CLが形成され、この保持容量電極配線CLは画素領域
の図中上側の領域に延在する保持容量電極CTと一体に
形成されるようになっている。この保持容量電極配線C
L(保持容量電極CT)はゲート信号線GLと同層でか
つ同一の材料で形成されている。

【0033】前記ゲート信号線GLおよび保持容量電極
配線CL(保持容量電極CT)をも覆って前記第1絶縁
膜GIの上面には第2絶縁膜INがたとえばSiO2
るいはSiNによって形成されている。

【0034】さらに、この第2絶縁膜INの上面には、
画素領域のほぼ半分の領域(図中上側の領域)を占める
ようにしてたとえばアルミニュウム(Al)からなる金
属膜10が形成されている。

【0035】この金属膜10は前記薄膜トランジスタT
FTに近接する部分において、前記第2絶縁膜INおよ
び第1絶縁膜GIに形成されたコンタクトホールCH1
を通して前記半導体層ASと接続されている。

【0036】金属膜10と接続される半導体層ASは薄
膜トランジスタTFTのソース領域に相当する部分とな
っており、これに対して該薄膜トランジスタTFTのド
レイン領域は前記ゲート電極GTと重畳される部分を間
にして反対側の半導体層ASの領域でコンタクトホール
CH2を通して後述するドレイン信号線DLに接続され
るようになっている。

【0037】また、この金属膜10は前記保持容量電極
CTに重畳するようにして画素のほぼ中央部にまで延在
されている。

【0038】すなわち、この金属膜10は反射型の画素
領域を形成するための反射板を構成するとともに、前記
容量素子Caddの他方の電極をも構成するようになっ
ている。

【0039】容量素子Caddは、薄膜トランジスタT
FTのソース領域と保持容量電極CTとの間に、該保持
容量電極CTを一方の電極、矩形状の半導体層ASを他
方の電極、第1絶縁膜GIを誘電体膜とする第1の容量
素子と、該保持容量電極CTを一方の電極、金属膜10
を他方の電極、第2絶縁膜INを誘電体膜とする第2の
容量素子とが並列に接続された2段構成の容量素子を構
成している(図1参照)。

【0040】また、第2絶縁層INの上面には、図中y
方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLが
形成されている。このドレイン信号線DLは前述したゲ
ート信号線GLとで画素領域を画するようになってい
る。

【0041】ドレイン信号線DLは、たとえばアルミニ
ュウム、TiWを下地層としたアルミニュウム、MoS
iを下地層としたアルミニュウムが用いられている。ア
ルミニュウムがポリシリコン層と直接に接触するとたと
えば400℃以上のプロセス温度では導通不良を生ずる
場合があることから、上述のような下地層を形成するこ
とが有効となる。

【0042】このドレイン信号線DLはその一部が第2
絶縁膜INおよび第1絶縁膜GIに形成されたコンタク
トホールCH2を通して前記薄膜トランジスタTFTの
ドレイン領域(ドレイン信号線DLと接続される側をド
レイン領域とこの明細書では定義する)に接続されてい
る。

【0043】そして、このドイレン信号線DLおよび前
記金属膜10をも覆って第2絶縁膜INの上面には第3
絶縁膜PSVが形成されている。この第3絶縁膜PSV
はたとえばSiO2あるいはSiNにより形成されてい
る。しかし、有機膜を塗布等によって形成するようにし
てもよい。塗布等により形成する有機膜の場合、その表
面を平坦化でき、液晶の配向を良好な状態とすることが
できる。

【0044】この第3絶縁膜PSVの上面にはたとえば
ITO(Indium-Tin-Oxide)膜からなる画素電極PIX
が形成されている。

【0045】この場合、前記第3絶縁膜PSVが有機膜
で形成されている場合、その膜に発生するピンホールの
発生を大幅に抑制できるので、ITO膜の画素電極PI
Xの形成のためのパターニングの際の前記金属膜10へ
のダメージを防止することができる効果を奏する。

【0046】この画素電極PIXは薄膜トランジスタT
FTに隣接する部分において前記第3絶縁膜PSVに形
成されたコンタクトホールCH3を通して前記金属膜1
0と接続されている。

【0047】これにより、画素電極PIXは前記金属膜
10を介して薄膜トランジスタTFTのソース領域と接
続されるようになり、該薄膜トランジスタTFTがオン
した際にはドレイン信号線からの映像信号が該薄膜トラ
ンジスタTFTを介して画素電極PIXに供給されるこ
とになる。

【0048】ここで、画素電極PIXとの接続部におけ
る金属膜10の表面には、選択的に形成された介在層1
1が形成されている。

【0049】この介在層11は、前記金属膜10として
たとえばアルミニュウム(Al)等を用いた場合、画素
電極PIXであるITO膜との接触が良好とならないこ
とから、たとえばモリブデンシリコン(MoSi)、あ
るいはチタンタングステン(TiW)等の金属を介在さ
せるものである。

【0050】この場合、この介在層11は金属膜10の
全域に形成することが製造工程の上で好ましいが、この
実施例では、画素電極PIXとの接続部を中心として一
定の範囲で選択的に設けている。

【0051】この理由は、該金属膜10を反射板として
機能させることから、仮に、該金属膜10の全域に介在
層11を形成した場合、その介在層11によって光反射
率が低下する場合が通常であるからである。

【0052】このことから、前記金属膜10として反射
率の大きな材料を選択できるとともに、画素電極PIX
との信頼性ある接続を図ることができるようになる。

【0053】また、本実施例では、前記介在層11と同
一の材料からなる導電材をドレイン信号線DLにも重畳
させて形成している。しかし、必ずしも形成しなくても
よいことはいうまでもない。

【0054】なお、前記画素電極PIXは、この画素電
極PIXが形成された透明基板SUB1と液晶を介して
対向配置される他の透明基板(図示せず)の液晶側の面
に各画素領域に共通に形成された透明の対向電極との間
に電界を生じせしめ、この電界によって該液晶の光透過
率を制御せしめるようになっている。

【0055】このように構成された液晶表示装置は、反
射板として機能する金属膜10は液晶と直接接触しない
構成となっており、該液晶との間には第3絶縁膜PSV
と酸化され難い材料からなる画素電極PIXとを介在さ
せた構成となっている。

【0056】このため、前記金属膜10が他の金属との
間で液晶を介在させた電池作用が発生しにくい構成とな
っているから、該電池作用に原因する液晶の劣化等を防
止できる効果を奏する。

【0057】《製造方法》以下、図4ないし図6を用い
て上述した液晶表示装置の製造方法の一実施例を説明す
る。 工程1.(図4(a)) 主表面に下地層SIOが形成された透明基板SUB1を
用意し、その下地層SIOの面の全域にわたってポリシ
リコン層を形成し、フォトリソグラフィ技術による選択
エッチング方法を用いて所定のパターンに半導体層AS
を形成する。なお、この場合のポリシリコン層はいわゆ
る真性の半導体層で不純物がドーピングされていないも
のとなっている。

【0058】工程2.(図4(b)) 透明基板SUB1の上面の全域に前記半導体層ASをも
覆ってたとえばSiO 2からなる第1絶縁膜GIを形成
する。

【0059】工程3.(図4(c)) 透明基板SUB1の上面の全域にわたってたとえばTi
W層を形成し、フォトリソグラフィ技術による選択エッ
チング方法を用いて所定パターンにし、ゲート信号線G
Lおよび保持容量電極配線GL(保持容量電極CT)を
形成する。

【0060】そして、このようなゲート信号線GL等が
形成された側の表面にたとえばイオン打ち込みによって
不純物を第1絶縁膜GIの下層の前記半導体層ASにド
ーピングを行う。

【0061】前記半導体層ASは、前記ゲート電極GT
が形成されている部分においてこのゲート電極GTがマ
スクとなって不純物がドーピングされない領域となり、
それ以外の領域にて不純物がドーピングされることにな
る。

【0062】すなわち、前記半導体層ASは、ゲート電
極GTが形成されている部分にて薄膜トランジスタTF
Tのチャネル領域が形成され、その両脇にてソース領域
およびドレイン領域が形成されるとともに、それ以外の
領域にて該薄膜トランジスタTFTのソース領域と接続
された保持容量素子Caddの一方の電極が形成される
ことになる。

【0063】工程4.(図5(d)) 透明基板SUB1の上面の全域に前記保持容量電極CT
等をも覆ってたとえばSiO2からなる第2絶縁膜IN
を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術による選
択エッチング方法を用いて前記第2絶縁膜INおよびそ
の下層の第1絶縁膜GIを貫通するコンタクトホールC
1を形成する。

【0064】工程5.(図5(e)) 透明基板SUB1の上面の全域にわたって、たとえばT
iWを下地層とするアルミニゥム(Al)を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術による選択エッチング方法を用い
て所定のパターンにし、ドレイン信号線DLおよび金属
膜10を形成する。

【0065】工程6.(図5(f)) 透明基板SUB1の上面の全域にわたってたとえばモリ
ブデンシリコン(MoSi)からなる金属層を形成し、
フォトリソグラフィ技術による選択エッチング方法を用
いて介在層11を選択的に形成する。

【0066】工程7.(図6(g)) 透明基板SUB1の上面の全域にたとえば樹脂材からな
る第3絶縁膜PSVを形成する。その後、フォトリソグ
ラフィ技術による選択エッチング方法を用いて前記第3
絶縁膜PSVを貫通するコンタクトホールCH3を形成
し、このコンタクトホールCH3から前記介在層11の
一部を露出させる。

【0067】工程8.(図6(h)) 透明基板SUB1の上面の全域にITO膜を形成する。
その後、フォトリソグラフィ技術による選択エッチング
方法を用いて該ITO膜を所定のパターンにし、画素電
極PIXを形成する。

【0068】この画素電極PIXは前記コンタクトホー
ルCH3を通して前記介在層11と接続されることにな
る。

【0069】このように構成された液晶表示装置の製造
方法によれば、金属膜10は反射板として用いられると
ともに、保持容量素子Caddの一方の電極として用い
られるようになっている。

【0070】このため、従来のように反射板として用い
られる金属膜と保持容量素子Caddの一方の電極とし
て用いられる金属膜をそれぞれ別の工程として形成する
必要がなく、製造工数の低減を図ることができるという
効果を奏するようになる。

【0071】実施例2.図7は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、同図(a)は図2と対
応した平面図で、同図(b)は同図(a)のb−b線に
よる断面図である。

【0072】図7において、図2と異なる構成は、反射
板の機能を兼ねる金属膜10が、透過型の画素領域にま
で若干延在され、この結果、保持容量素子Caddを構
成する電極(AS、CT)による第2絶縁膜INの表面
に顕在する段差部を股ぐようにして形成されている。

【0073】このようにして形成された液晶表示装置
は、反射表示の画像を優先する場合において有益とな
る。そして、前記段差部での液晶の配向不良による表示
劣化は光透過領域における場合よりも光反射領域の場合
の方が目視し難いという効果も奏する。

【0074】実施例3.図8は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、同図(a)は図2と
対応した平面図で、同図(b)は同図(a)のb−b線
による断面図である。

【0075】図2の断面図である図1と比較して、異な
る構成はゲート信号線GLおよび保持容量電極CTをた
とえば反射率の高い材料、たとえばアルミニュウム、銀
等で形成し、該保持容量電極CTを反射板として機能さ
せていることにある。

【0076】この場合、図1において反射板として機能
させた金属膜10は、半導体層ASと画素電極PIXと
の接続を図るの中継層としての機能しか持たなくなるこ
とから、画素領域の中央部にまで延在されておらず、コ
ンタクトホールCH1の周囲に形成されているに留まっ
ている。

【0077】保持容量素子Caddは、上述した各実施
例の場合と異なり、多段構成となっておらず、第1絶縁
膜GIを誘電体膜とし、一方の電極を半導体層AS、他
方の電極を保持容量電極CTとする1段構成となってい
る。

【0078】また、この実施例の場合、金属膜10は画
素領域内に大きく侵入しない程度に小さな面積となって
いることから、画素電極PIXとの接続を良好にする介
在層11は該金属膜10の全域に形成され、また、ドレ
イン信号線DL上にもそれと同一パターンで重畳されて
いる。

【0079】このため、2層に形成した各材料層を一回
のフォトリソグラフィ技術による選択エッチグ方法を採
用でき、製造工数の増大を回避できる効果を奏する。

【0080】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、その反射板を容量
素子の一方の電極と同時に形成できる構成となっている
ことから製造工程の低減を図ることができる。

【0081】また、反射板と画素電極との接続部には選
択的に設けた介在層を介してなされる構成となっている
ことから、反射板として反射率の大きな材料を選択でき
るとともに、画素電極との接続を信頼性よくできる。

【0082】さらに、反射板は画素電極に被覆された絶
縁膜の下層に形成する構成となっていることから、この
反射板の他の金属との電池作用を発生させ難い構成とな
り、該電池作用に基づく液晶の劣化を抑制することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す断面図である。

【図2】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図で、そのI−I線における断面図は図1に相当
する。

【図3】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。

【図4】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例を示す工程図で、図5および図6ともに一つの製造過
程を示している。

【図5】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例を示す工程図で、図4および図6ともに一つの製造過
程を示している。

【図6】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例を示す工程図で、図4および図5ともに一つの製造過
程を示している。

【図7】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図8】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【符号の説明】

SUB1……透明基板、AS……半導体層、GL……ゲ
ート信号線、DL……ドレイン信号線、CL……保持容
量電極配線、TFT……薄膜トランジスタTFT、Ca
dd……保持容量素子、PIX……画素電極、10……
金属層(反射板、容量素子の一方の電極)。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 裕 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 小村 真一 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Fターム(参考) 2H091 FA14Y FB08 FC02 FC10 FC26 FC29 FD04 FD12 GA13 LA11 LA12 LA13 2H092 GA59 HA04 HA05 JA25 JA29 JA38 JA42 JA43 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB52 JB57 JB63 JB69 KA04 KA07 KA12 KA16 KA18 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA30 MA35 MA37 NA25 NA27 NA28 5C094 AA10 AA31 AA37 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB02 ED11 FB12 FB14 FB15 5F110 AA16 BB01 CC02 DD13 DD14 EE02 EE03 EE04 EE06 FF02 FF03 GG02 GG13 GG35 GG45 HJ13 HL03 HL05 HL06 HL11 NN03 NN23 NN24 NN27 NN36 NN43 NN44 NN46 NN47 NN73 PP03 QQ11

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の各画素領域に、 ゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜ト
    ランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン
    信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画
    素電極と保持容量電極との間に形成される容量素子とを
    備え、 該容量素子は、該基板側から前記薄膜トランジスタの半
    導体層と同層の半導体層、前記薄膜トランジスタのゲー
    ト絶縁膜と同層の第1絶縁膜、前記保持容量電極、第2
    絶縁膜、金属層が順次積層され、前記半導体層および金
    属層は互いに接続されて構成され、 前記金属層は画素領域の一部を占有する反射板として構
    成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の各画素領域に、 ゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜ト
    ランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン
    信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画
    素電極と保持容量電極との間に形成される容量素子とを
    備え、 該容量素子は、該基板側から前記薄膜トランジスタの半
    導体層と同層の半導体層、前記薄膜トランジスタのゲー
    ト絶縁膜と同層の第1絶縁膜、前記保持容量電極、第2
    絶縁膜、金属層が順次積層され、前記半導体層および金
    属層は互いに接続されて構成され、 前記金属層は画素領域の一部を占有する反射板として構
    成されているとともに、この金属層をも覆って画素領域
    に形成された第3絶縁膜の上方に形成された画素電極と
    接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記金属層は第3絶縁膜に形成されたコ
    ンタクトホールを通して画素電極と接続され、この画素
    電極との接続は該金属層上に選択的に形成された導電層
    が介在されてなされていることを特徴とする請求項2に
    記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 画素領域は一方向に延在され該方向に交
    差する方向に並設される複数のゲート信号線およびこれ
    らゲート信号線と交差して並設される複数のドレイン信
    号線とで囲まれる領域となっているとともに、前記保持
    容量電極は前記ゲート信号線と同層に形成されているこ
    とを特徴とする請求項1および2のうちいずれかに記載
    の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の該液晶側の画素領域内の一部に容量素子
    と反射板とが形成されている液晶表示装置において、 前記一方の基板上に、半導体層を形成する工程と、この
    半導体層をも覆って第1絶縁膜を形成する工程と、この
    第1絶縁膜上に前記半導体層の少なくとも一部に重畳し
    て保持容量電極を形成する工程と、この保持容量電極を
    も覆って第2絶縁膜を形成する工程と、この第2絶縁膜
    上に少なくとも前記保持容量電極と重畳して前記半導体
    層と接続された金属層を形成する工程とからなり、 前記金属層は前記反射板として形成することを特徴とす
    る液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 一方の基板の液晶側の画素領域内に薄膜
    トランジスタが形成され、前記半導体層はこの薄膜トラ
    ンジスタを構成する半導体層と同層であることを特徴と
    する請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の各画素領域に、 ゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜ト
    ランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン
    信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画
    素電極と保持容量電極との間に形成される容量素子とを
    備え、 該容量素子は、該基板側から前記薄膜トランジスタの半
    導体層と同層の半導体層、前記薄膜トランジスタのゲー
    ト絶縁膜と同層の第1絶縁膜、前記保持容量電極が順次
    積層されて形成され、 前記保持容量電極は画素領域の一部を占有する反射板と
    して構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の各画素領域にて光反射型領域と
    光透過型領域を有し、 これら各画素領域には、ゲート信号線からの走査信号に
    よって駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給さ
    れる画素電極と、を備え、 該画素電極と薄膜トランジスタとの接続は光反射型領域
    内にてなされていることを特徴とする液晶表示装置。
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