JP4927430B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4927430B2
JP4927430B2 JP2006109659A JP2006109659A JP4927430B2 JP 4927430 B2 JP4927430 B2 JP 4927430B2 JP 2006109659 A JP2006109659 A JP 2006109659A JP 2006109659 A JP2006109659 A JP 2006109659A JP 4927430 B2 JP4927430 B2 JP 4927430B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
crystal display
pixel electrode
part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006109659A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007286086A (ja
Inventor
貴之 仲尾
亨 佐々木
敏夫 宮沢
正博 槙
孝洋 落合
Original Assignee
パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
株式会社 日立ディスプレイズ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック液晶ディスプレイ株式会社, 株式会社 日立ディスプレイズ filed Critical パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
Priority to JP2006109659A priority Critical patent/JP4927430B2/ja
Publication of JP2007286086A publication Critical patent/JP2007286086A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4927430B2 publication Critical patent/JP4927430B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40Arrangements for improving the aperture ratio
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に、IPS方式の半透過型の液晶表示装置に関する。

1サブピクセル内に、透過部と反射部を有する半透過型の液晶表示装置が携帯機器用のディスプレイとして使用されている。
これらの半透過型の液晶表示装置においては、一対の基板間に挟持される液晶に対して、一対の基板の基板平面に垂直な方向に電界を印加して、液晶を駆動する縦電界方式が用いられている。また、透過部と反射部との特性を合せるために、透過部と反射部とで段差を設け、さらに偏光板と液晶層の間に位相差板を設置している。
液晶表示装置として、IPS方式の液晶表示装置が知られており、このIPS方式の液晶表示装置では、画素電極(PIX)と対向電極(CT)とを同じ基板上に形成し、その間に電界を印加させ液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際に表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。この特徴を活かすために、IPS方式の液晶表示装置を用いて、半透過型の液晶表示装置を構成することが、例えば、下記特許文献1などで提案されている。

しかしながら、前述の特許文献1にも記載されているように、IPS方式の液晶表示装置を用いて、半透過型の液晶表示装置を構成した場合に、例えば、透過部がノーマリブラック場合、反射部がノーマリホワイトとなり、透過部と反射部で明暗が逆転するという問題点があった。
前述の問題点を解決するために、本出願人は、新規な画素構造を有する半透過型の液晶表示装置を、既に出願済みである。(下記特許文献2参照)
この既に出願済みの半透過型の液晶表示装置では、各サブピクセルの画素構造として、透過部と反射部とで共通する画素電極に対して、対向電極を透過部と反射部とでそれぞれ独立させ、それぞれ異なる基準電圧(対向電圧またはコモン電圧)を印加することにより、透過部と反射部で明暗が逆転するのを防止している。
また、この既に出願済みの半透過型の液晶表示装置では、透過部が、ノーマリブラック特性(電圧を印加しない状態で黒表示)となり、反射部が、ノーマリホワイト特性(電圧を印加しない状態で白表示)となっている。
一方、IPS方式の液晶表示装置において、画素電極(PIX)は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられる。この場合、対向電極(CT)に穴を開けて、その中にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介して画素電極(PIX)に駆動電圧が印加するようにしている。(下記特許文献3参照)

なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
特開2003−344837号公報 特願2005−322049 特開2002−328385号公報

しかしながら、前述の特許文献2に記載の液晶表示装置において、一方の基板の液晶側に配置される画素電極(PIX)に駆動電圧を印加するために、前述の特許文献3のように、対向電極(CT)に穴を開けて、その中にコンタクトホールを形成する場合には、非表示部が増えてしまい、透過率が低下する。
即ち、既に出願済みの半透過型の液晶表示装置において、従来のレイアウトにより画素電極(PIX)に駆動電圧を印加するためのコンタクトホールを形成すると、非表示部が増えてしまい、透過率が低下する原因となる。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、開口率を向上させることが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
(1)第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記第1の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜よりも上層に設けられた複数の第1の電極と、前記第1の電極よりも上層に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜よりも上層に設けられた画素電極とを有する液晶表示装置であって、前記画素電極は、前記複数の第1の電極間の隙間に形成されるコンタクトホールを介して、前記アクティブ素子に電気的に接続されている。
(2)(1)において、前記第1の絶縁膜は、前記複数の第1の電極間の隙間に形成される第1のコンタクトホールを有し、前記第2の絶縁膜は、前記第1の電極と前記画素電極との間と、前記第1のコンタクトホール内とに形成されており、前記第1のコンタクトホール内の前記第2の絶縁膜には、第2のコンタクトホールが形成されており、前記画素電極は、前記第2のコンタクトホールを介して、前記アクティブ素子に電気的に接続されている。

(3)第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記第1の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜よりも上層に設けられた第1の電極と、前記第1の電極よりも上層に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜よりも上層に設けられた画素電極とを有する液晶表示装置であって、前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルのうちの1つのサブピクセルは、透過部と反射部とを有し、前記1つのサブピクセル内では、前記画素電極は、前記透過部と前記反射部とで共通し、前記1つのサブピクセル内では、前記第1の電極は、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立した前記透過部の前記第1の電極と、前記反射部の前記第1の電極とに分かれており、前記透過部の前記第1の電極には、前記反射部の前記第1の電極とは異なる電圧が印加され、前記1つのサブピクセル内では、前記画素電極は、前記透過部の前記第1の電極と前記反射部の前記第1の電極との隙間に形成されるコンタクトホールを介して、前記アクティブ素子に電気的に接続されている。

(4)(3)において、前記第1の絶縁膜は、前記透過部の前記第1の電極と前記反射部の前記第1の電極との隙間に形成される第1のコンタクトホールを有し、前記第2の絶縁膜は、前記第1の電極と前記画素電極との間と、前記第1のコンタクトホール内とに形成されており、前記第1のコンタクトホール内の前記第2の絶縁膜には、第2のコンタクトホールが形成されており、前記画素電極は、前記第2のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に電気的に接続されている。
(5)(3)または(4)において、前記画素電極は、連結部と、連結部の両側に形成される前記透過部用の櫛歯電極と、前記反射部用の櫛歯電極とを有し、前記連結部の領域に前記コンタクトホールが形成され、前記連結部が前記コンタクトホールを介して前記アクティブ素子に電気的に接続されている。
(6)(5)において、前記第1の絶縁膜の下層に設けられ、前記アクティブ素子と電気的に接続される映像線を有し、前記映像線は、前記画素電極の前記連結部が形成される部分が幅広に形成され、前記液晶表示パネルに直交する方向から、前記映像線と前記画素電極とを前記第1の基板上に射影したとき、前記映像線の前記幅広の部分と、前記画素電極の前記連結部の端部とが重なっている。

(7)(1)ないし(6)の何れかにおいて、前記第1の電極の前記隙間を形成する辺における、前記コンタクトホールが形成される部分に凹部を有する。
(8)(1)ないし(7)の何れかにおいて、前記画素電極と、前記第1の電極と、前記第2の絶縁膜とによって、保持容量が形成されている。
(9)(1)ないし(8)の何れかにおいて、前記画素電極は、透明電極である。
(10)(1)ないし(9)の何れかにおいて、前記第1の電極は、透明電極である。
(11)(1)ないし(9)の何れかにおいて、前記第1の電極は、反射電極である。
(12)(1)ないし(9)の何れかにおいて、前記第1の電極は、透明電極と反射電極である。
(13)(1)1ないし(12)の何れかにおいて、前記第1の電極は対向電極であり、前記第1の電極と前記画素電極とによって発生される電界により前記液晶が駆動される。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の液晶表示装置によれば、開口率を向上させることが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[本発明の前提となる半透過型の液晶表示装置]
図9は、本発明の前提となる半透過型の液晶表示装置(以下、先行発明という)のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
図9において、30は、透過型の液晶表示パネルを構成する透過部、31は、反射型の液晶表示パネルを構成する反射部である。
先行発明では、1サブピクセル内で、画素電極(PIX)は共通であるが、対向電極(CT)が、透過部30と、反射部31とでそれぞれ独立している。即ち、対向電極(CT)が、透過部用と、反射部用に2分割される。そして、反射部31の対向電極(CT)上には反射電極(RAL)が形成される。
なお、図9では、隣接する2つの表示ラインの、一方の表示ライン(図9のAで示すサブピクセルを有する表示ライン)における反射部31の対向電極(CT)と、他方の表示ライン(図9のBで示すサブピクセルを有する表示ライン)における透過部30の対向電極(CT)とを共通の電極で構成した場合を図示している。また、図9の矢印Cが走査方向を示す。

そして、図10に示すように、先行発明では、1サブピクセル内で、透過部30の対向電極(CT)と、反射部31の対向電極(CT)には異なる基準電圧が印加される。
例えば、図9のAで示すサブピクセルでは、透過部30の対向電極(CT)には、Highレベル(以下、Hレベル)の基準電圧(V−CT−H)が印加され、反射部31の対向電極(CT)には、Lowレベル(以下、Lレベル)の基準電圧(V−CT−L)が印加される。
また、この図9のAで示すサブピクセルでは、画素電極(PIX)に、透過部30で見た場合には負極性で、反射部31で見た場合には正極性の映像電圧(V−PX)が印加されている。尚、ここでいう負極性とは、画素電極(PIX)の電位が対向電極(CT)の電位よりも低いことを意味しており、画素電極(PIX)の電位が0Vよりも大きいか小さいかは問わない。同様に、ここでいう正極性とは、画素電極(PIX)の電位が対向電極(CT)の電位よりも高いことを意味しており、画素電極(PIX)の電位が0Vよりも大きいか小さいかは問わない。

同様に、図9のBで示すサブピクセルでは、透過部30の対向電極(CT)には、Lレベルの基準電圧(V−CT−L)が印加され、反射部31の対向電極(CT)には、Hレベルの基準電圧(V−CT−H)が印加される。また、この図9のBで示すサブピクセルでは、画素電極(PIX)に、透過部30で見た場合には正極性で、反射部31で見た場合には負極性の映像電圧(V−PX)が印加されている。
ここで、画素電極(PIX)に印加される映像電圧(V−PX)は、Hレベルの基準電圧(V−CT−H)と、Lレベルの基準電圧(V−CT−L)との間の電位である。
したがって、図9のA、Bで示すサブピクセルにおいては、透過部30では、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差(図10のVa)が大きくなり、反射部31では、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差(図10のVb)が小さくなる。
そのため、図10に示した電位が印加されている場合は、透過部30では、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差Vaが大きいので明るくなる。このとき、反射部31では、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差Vbが小さいので、同様に明るくなる。
そして、透過部30において、画素電極(PIX)の電位(映像信号の電位)を図10とは異なる電位に変化させ、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差Vaをさらに大きくすると、反射部31において、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差Vbがさらに小さくなるので、透過部30および反射部31は、ともに、より明るくなる。

逆に、透過部30において、画素電極(PIX)の電位(映像信号の電位)を図10とは異なる電位に変化させ、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差Vaを小さくすると、反射部31において、画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差Vbが大きくなるので、透過部30および反射部31は、ともに暗くなる。
このように、先行発明では、1サブピクセル内で、対向電極(CT)を、透過部用と、反射部用に2分割し、透過部30の対向電極(CT)と、反射部31の対向電極(CT)とに、それぞれ逆極性の基準電圧(尚、ここでいう逆極性とは、一方がHレベルの時に他方がLレベルとなることを意味している。)を印加するようにしたので、透過部30と反射部31で明暗が逆転するのを防止することができる。すなわち、先行発明では、透過部30がノーマリブラックで、反射部31がノーマリホワイトであるにもかかわらず、反射部31の対向電極(CT)に印加される電圧を工夫することにより、明暗逆転の問題を解決している。

[実施例1]
図1−1は、本発明の実施例1の半透過型の液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
図1−2は、図1−1に示す画素電極、対向電極、反射電極のみを取り出して示す図である。また、図1−2において、A,Bの点線枠で示す部分がそれぞれ1サブピクセルを示す。
図1−2に示すように、本実施例でも、1サブピクセル内で、画素電極(PIX)は共通であるが、対向電極(CT)が、透過部30と、反射部31とでそれぞれ独立している。即ち、対向電極(CT)が、透過部用と、反射部用に2分割される。そして、反射部31の対向電極(CT)上には反射電極(RAL)が形成される。
なお、図1−2では、隣接する2つの表示ラインの、一方の表示ライン(図1−2のAで示すサブピクセルを有する表示ライン)における反射部31の対向電極(CT)と、他方の表示ライン(図1−2のBで示すサブピクセルを有する表示ライン)における透過部30の対向電極(CT)とを共通の電極で構成した場合を図示している。また、図1−2の矢印Cが走査方向を示す。
画素電極(PIX)は、連結部53と、連結部53の両側に形成される透過部用の櫛歯電極51と、反射部用の櫛歯電極52とで構成される。そして、連結部53の領域に後述するコンタクトホールが形成される。
また、対向電極(CT)の相対向する辺には、コンタクトホールを形成するための凹部54が設けられる。

図2は、図1−1のA−A’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図、図3は、図1−1のB−B’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図、図4は、図1−1のC−C’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図、図5は、図1−1のE−E’接続線、および図1−1のF−F’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
図5において、(a)は、図1−1のE−E’接続線に沿った断面構造、即ち、透過部30の断面構造を示し、(b)は、図1−1のF−F’接続線に沿った断面構造、即ち、反射部31の断面構造を示す。
以下、図5を用いて、本実施例の半透過型の液晶表示装置の全体構造について説明する。
本実施例では、液晶分子(LC)を含む液晶層を挟んで、一対のガラス基板(SUB1,SUB2)が設けられる。ここで、ガラス基板(SUB2)の主表面側が観察側となっている。
透過部30のガラス基板(SUB2)側には、ガラス基板(SUB2)から液晶層に向かって順に、ブラックマトリクス(図示せず)およびカラーフィルタ(FIR)、絶縁膜18、配向膜(OR2)が形成される。
なお、反射部31のガラス基板(SUB2)側の構成は、絶縁膜18と配向膜(OR2)との間に、段差形成層(MR)が形成される以外は、透過部30と同じである。ここで、ガラス基板(SUB2)の外側には偏光板(POL2)が形成される。

また、透過部30のガラス基板(SUB1)側には、ガラス基板(SUB1)から液晶層に向かって順に、層間絶縁膜(11〜16)、対向電極(CT)、層間絶縁膜17、画素電極(PIX)、配向膜(OR1)が形成される。
なお、反射部31のガラス基板(SUB1)側の構成は、対向電極(CT)と層間絶縁膜17の間に反射電極(RAL)が形成される以外は、透過部30と同じである。ここで、ガラス基板(SUB1)の外側にも偏光板(POL1)が形成される。
なお、図2〜図5において、Dは映像線(ソース線またはドレイン線ともいう)、Gは走査線(ゲート線ともいう)、Poly−Siは半導体層、DDは薄膜トランジスタのソース電極、CH1〜CH3はコンタクトホール、EFSは電気力線である。
画素電極(PIX)および対向電極(CT)は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜で構成される。
また、対向電極(CT)は面状に形成され、さらに、画素電極(PIX)と対向電極(CT)とが、層間絶縁膜17を介して重畳しており、これによって保持容量を形成している。
段差形成層(MR)は、反射部31における光の光路長が、λ/4波長板相当の光路長となるように、反射部の液晶層(LC)のセルギャップ長(d)を調整するためのものである。また、反射電極(RAL)は、例えば、アルミニウム(Al)の金属膜で構成されるが、これに限らず、例えば、下層のモリブデン(Mo)と、上層のアルミニウム(Al)の2層構造であってもよい。

本実施例のように、1サブピクセル内で、透過部30と反射部31とで対向電極(CT)を分割すると、互いに印加される電圧が異なるため、相対向する対向電極(CT)の隙間(あるいは、切れ目)10には、画素電極(PIX)では制御できない電界が発生する。
これは、例えば、黒表示時において、相対向する対向電極(CT)の隙間10の近傍の透過部30に光漏れ箇所を作り、結果として、透過部30のコントラストを低下させる。
そこで、相対向する対向電極(CT)の隙間10の上に、画素電極(PIX)をオーバーラップさせることで、相対向する対向電極(CT)の隙間10においても、液晶の駆動は画素電極(PIX)と、相対向する対向電極(CT)との間の電界で制御でき、光漏れを抑制することができる。
また、対向電極(CT)より下側に位置する薄膜トランジスタのソース電極(DD)と、対向電極(CT)より上側に位置する画素電極(PIX)とを電気的に接続するには、対向電極(CT)に開口を作り、その中に、薄膜トランジスタのソース電極(DD)と画素電極(PIX)とを接続するコンタクトホール(CH3)を形成する必要がある。

コンタクトホール(CH3)では、表面が傾斜しているため液晶配向が乱れ、その結果として、電界による液晶駆動効率が低く、極力その占有面積(非効率表示エリアB(AREA(B))を減らす必要がある。また、相対向する対向電極(CT)の隙間10の上においても、電界が弱く液晶駆動効率が低いため、その占有面積(非効率表示エリアA(AREA(A))を減らす必要がある。
そこで、相対向する対向電極(CT)の隙間10を、コンタクトホール(CH3)の形成に必要な対向電極(CT)の開口として使用することにより、液晶駆動効率が低い箇所の占有面積を減らすことができ、実質的に開口率を向上させることができる。
図11に、従来技術の延長線上でレイアウトした場合の、半透過型の液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す。
図1−1と、図11とを比較することにより、本実施例では、非効率表示エリアB(AREA(B))と、非効率表示エリアA(AREA(A))とを合わせた非効率表示エリアが、従来技術の延長線上でレイアウトした場合よりも小さくなっていることが分かる。

図2〜図5における各部の製造方法について説明する。なお、(1)より前の工程は通常と同じなので省略する。
(1)層間絶縁膜15;映像線(D)を形成するために、(AL)材料を形成、パターン加工後に、CVDによりSiN膜を200nmの厚さに形成する。
(2)層間絶縁膜16;層間絶縁膜15を成膜した後に、感光性樹脂を塗布し、所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する。このとき、コンタクトホール(CH2)に相当する箇所のレジストを除去する。
樹脂の焼成条件により、基板表面の凹凸を制御でき、本実施例ではコンタクトホール部を除く基板表面が概略平坦になるように230℃、60分とした。
さらに、層間絶縁膜16の膜厚は、焼成後で約1.8μm(画素電極表面平坦部(コンタクトホール部以外))としている。

(3)対向電極(CT);アモルファスITO(77nm)をスパッタ形成した後、感光性レジストを塗布する。所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する(ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される)。レジストのパタンをマスクに、ITOエッチング液(例えば、蓚酸)で除去する。本実施例においては、相対向する対向電極の間に、コンタクトホール(CH3)が位置するようにパタンは工夫されている。
その後、レジスト剥離液(例えば、MEA(モノエタノールアミン))でレジストを除去する。最後に、次の工程で形成する反射電極(RAL;AlSi/MoW)の加工時に使用する酸液により、アモルファスITOが溶解されないように、230℃、60分の熱処理を実施し、結晶化させた。

(4)反射電極(RAL);MoW(50nm)、AlSi(150nm)の順に、スパッタ形成したのち、感光性レジストを塗布する。所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する(ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される)。レジストのパタンをマスクに、ITOエッチング液(例えば、蓚酸)で除去する。
その後、レジスト剥離液(例えば、MEA(モノエタノールアミン))でレジストを除去する。本実施例では、コンタクトホール(CH3)の近傍において、一方の対向電極(CT)のみ反射電極(RAL)が形成されるようにレジストパタンを工夫している。
(5)層間絶縁膜17;層間絶縁膜16と同じ方法で形成される。但し、本実施例においては、コンタクトホール(CH2)の内側にも層間絶縁膜17を形成し、この層間絶縁膜17に孔を開け、そのパタンを利用して下層の層間絶縁膜15を加工してコンタクトホール(CH3)を形成する。層間絶縁膜15の加工は、(SF+O)またはCFのガスでドライエッチングした。
(6)画素電極(PIX);ITO(77nm)をスパッタ形成したのち、感光性レジストを塗布し、所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する(ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される)。レジストのパタンをマスクに、ITOエッチング液(例えば、蓚酸)で除去する。その後、レジスト剥離液(例えば、MEA(モノエタノールアミン))でレジストを除去する。画素電極は、対向電極(CT)の上に櫛歯状のパタンで形成した。

図6は、本実施例の半透過型の液晶表示装置の液晶表示パネルの等価回路を示す。
図6において、Dn、Dn+1、Dn+2は、それぞれn番目、(n+1)番目、(n+2)番目の映像線、Gm、Gm+1は、それぞれm番目、(m+1)番目の走査線、CTk、CTk+1、CTk+2は、それぞれk番目、(k+1)番目、(k+2)番目の対向電極、Aは1サブピクセル、CLCTは、透過部30の液晶容量、CLCRは、反射部31の液晶容量である。
映像線(D)が延在する方向と、走査線(G)、対向電極(CT)が延在する方向は交差または直交する。また、対向電極(CT)は、ストライプ状に配置される。
薄膜トランジスタ(TFT)のソース電極は映像線(D)に接続され、画素電極(PIX)には、映像線(D)の電圧が、薄膜トランジスタ(TFT)を介して供給される。
薄膜トランジスタ(TFT)のゲート電極は、走査線(G)に接続され、走査線(G)は、薄膜トランジスタをオン、オフする。
本実施例では、1サブピクセル内において、透過部30と反射部31とで画素電極(PIX)は共通ではあるが、対向電極(CT)は異なり、また、その電位も異なる。

走査線(Gm)の電圧が、Highレベルとなることにより、薄膜トランジスタ(TFT)がオンし、画素電極(PIX(n,k))に映像電位が書き込まれる。
走査線(Gm)の電圧が、Lowレベルとなった後も、Highレベルの間に書き込まれた電圧は、サブピクセル(PXL)内に設けられた保持容量によって、次のフレームに、走査線(Gm)が、Highレベルとなるまで保持される。前述したように、保持容量は、面状に形成された対向電極(CT)と、画素電極(PIX)と、対向電極(CT)と画素電極(PIX)との間に形成される層間絶縁膜17で構成される。
対向電極(CTk)と、対向電極(CTk+1)の電圧レベルは、それぞれ異なっており、例えば、対向電極(CTk)がHレベルのとき、対向電極(CTk+1)はLowレベルとなる(但し、走査線(Gm)がHレベルになる直前を除く)。
透過部30の液晶分子(LC)は、対向電極(CTk)と、画素電極(PIX(n,k))の電位差により駆動され、反射部31の液晶分子(LC)は、対向電極(CTk+1)と画素電極(PIX(n,k))により駆動される。
本実施例では、このようにして、透過部30と反射部31それぞれの液晶分子に印加する電圧を制御する。
図6に示すサブピクセル((PXL)(n,k))の電圧波形を図7に示す。なお、図7において、Vaは、透過部30の画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差であり、Vbは、反射部31の画素電極(PIX)と対向電極(CT)との間の電位差である。また、Hは1水平走査期間、Vは1垂直走査期間(フレーム期間)である。

本実施例では、透過部30のセルギャップ長を4μmとして、透過部30のリターデーション(Δn・d)を320nm、反射部31のセルギャップ長を2.4μmとして、反射部31のリターデーション(Δn・d)を192nmにした。ここで、Δnは液晶の異方性屈折率(本実施例では、Δn=0.08)、dは液晶セルギャップ長である。また、液晶はポジ型を使用している。
また、上側の偏光板(POL2)の偏光軸は、液晶の初期配向軸(ラビング軸)と一致させ75度とし、下側の偏光板(POL1)偏光軸は、上側の偏光板(POL2)の偏光軸に直交させ165度として、透過部30をノーマリーブラックの表示とする。なお、75°、165°は、水平走査(走査線(G)の延在方向)を0°として反時計回りに測った角度で表している。
透過部30及び反射部31ともに、前述の軸設定であるため、ガラス基板(SUB2)側から入射し、反射電極(RAL)で反射した光は、液晶に電界を印加していないときは、その光路において液晶により偏光状態が変えられないため、上側の偏光板(POL2)に通過する。つまり、反射部31をノーマリーホワイトの表示とする。
画質の点では、透過部30と反射部31の表示状態は一致させておくことが望ましい。つまり、透過部30が黒表示する場合には、反射部31も黒表示、透過部30が白表示の場合には反射部31も白表示が好ましい。
そこで、透過部30と反射部31で画素電極(PIX)は共通とし、対向電極(CT)を、透過部30の対向電極(CT)と、反射部31の対向電極(CT)の2つに分割することで、透過部30と反射部31の液晶駆動を別々に制御している。
図5は、透過部30の画素電極(PIX)(51)と対向電極(CT)には電界を発生させず、反射部31の画素電極(PIX)(52)と対向電極(CT)のみに電界を発生させることで、透過部30と反射部31ともに黒表示を実現させている状況を示す図である。

[実施例2]
図8は、本発明の実施例2の半透過型の液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
本実施例では、図8のDWに示すように、映像線(D)における隙間10、画素電極(PIX)の連結部53の領域を部分的に太くしている点で、図1−1に示す前述の実施例1の半透過型の液晶表示装置と相異している。
以下、本実施例の半透過型の液晶表示装置について、前述の実施例1の半透過型の液晶表示装置との相異点を中心に説明する。
前述の実施例1のように、相対向する対向電極(CT)の隙間10を、画素電極(PIX)で覆う構造にした場合、相対向する対向電極(CT)の隙間10では、画素電極(PIX)の連結部53が、横方向(走査線(G)の延在方向)に延在しているため、隣りのサブピクセルの連結部53と近接することとなる。
そのため、隣りのサブピクセルの画素電極(PIX)、または、隣りのサブピクセル対向電極(CT)との間に電界が発生し、透過部30で、光漏れが生じる可能性がある。
そこで、本実施例では、図8のDWに示すように、映像線(D)における、画素電極(PIX)の連結部53の領域を部分的に太くし、前述の光漏れを防止する。つまり、対向電極(CT)よりも下側に配置される映像線(D)の幅広の部分(DW)により、透過光を遮断して光漏れを防止する。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。

本発明の実施例1の半透過型の液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。 図1−1に示す画素電極、対向電極、反射電極のみを取り出して示す図である。 図1−1のA−A’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図1−1のB−B’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図1−1のC−C’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図1−1のE−E’接続線、および図1−1のF−F’接続線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 本発明の実施例1の半透過型の液晶表示装置の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。 図6に示すサブピクセル((PXL)(n,k))の電圧波形を示す図である。 本発明の実施例2の半透過型の液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。 本発明の前提となる半透過型の液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。 本発明の前提となる半透過型の液晶表示装置において、透過部の対向電極と反射部の対向電極に印加する基準電圧を示す図である。 従来技術の延長線上でレイアウトした場合の、半透過型の液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。

符号の説明

10 隙間
11〜17 層間絶縁膜
18 絶縁膜
30 透過部
31 反射部
51、52 櫛歯電極
53 連結部
D 映像線(ドレイン線またはソース線)
DD 薄膜トランジスタ(TFT)のソース電極
DW 幅広の部分
G 走査線(またはゲート線)
PIX 画素電極
LC 液晶層
SUB1、SUB2 ガラス基板
FIR カラーフィルタ
Poly−Si 半導体層
MR 段差形成層
OR1、OR2 配向膜
POL1、POL2 偏光板
CT 対向電極
RAL 反射電極
CH1〜CH3 コンタクトホール
EFS 電気力線

Claims (8)

  1. 第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
    前記第1の基板は、アクティブ素子と、
    前記アクティブ素子よりも上層に形成された第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜よりも上層に設けられた第1の電極と、
    前記第1の電極よりも上層に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜よりも上層に設けられた画素電極とを有する液晶表示装置であって、
    前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、
    前記複数のサブピクセルのうちの1つのサブピクセルは、透過部と反射部とを有し、
    前記1つのサブピクセル内では、前記画素電極は、前記透過部と前記反射部とで共通し、
    前記1つのサブピクセル内では、前記第1の電極は、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立した前記透過部の前記第1の電極と、前記反射部の前記第1の電極とに分かれており、前記透過部の前記第1の電極には、前記反射部の前記第1の電極とは異なる電圧が印加され、
    前記1つのサブピクセル内では、前記画素電極は、前記透過部の前記第1の電極と前記反射部の前記第1の電極との隙間に形成されるコンタクトホールを介して、前記アクティブ素子に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記第1の絶縁膜は、前記透過部の前記第1の電極と前記反射部の前記第1の電極との隙間に形成される第1のコンタクトホールを有し、
    前記第2の絶縁膜は、前記第1の電極と前記画素電極との間と、前記第1のコンタクトホール内とに形成されており、
    前記第1のコンタクトホール内の前記第2の絶縁膜には、第2のコンタクトホールが形成されており、
    前記画素電極は、前記第2のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項に記載の液晶表示装置。
  3. 前記画素電極は、連結部と、
    連結部の両側に形成される前記透過部用の櫛歯電極と、前記反射部用の櫛歯電極とを有し、
    前記連結部の領域に前記コンタクトホールが形成され、
    前記連結部が前記コンタクトホールを介して前記アクティブ素子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項または請求項に記載の液晶表示装置。
  4. 前記第1の絶縁膜の下層に設けられ、前記アクティブ素子と電気的に接続される映像線を有し、
    前記映像線は、前記画素電極の前記連結部が形成される部分が幅広に形成され、
    前記液晶表示パネルに直交する方向から、前記映像線と前記画素電極とを前記第1の基板上に射影したとき、前記映像線の前記幅広の部分と、前記画素電極の前記連結部の端部とが重なっていることを特徴とする請求項に記載の液晶表示装置。
  5. 前記第1の電極の前記隙間を形成する辺における、前記コンタクトホールが形成される部分に凹部を有することを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  6. 前記画素電極と、前記第1の電極と、前記第2の絶縁膜とによって、保持容量が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  7. 前記画素電極は、透明電極であることを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  8. 前記第1の電極は対向電極であり、前記第1の電極と前記画素電極とによって発生される電界により前記液晶が駆動されることを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
JP2006109659A 2006-04-12 2006-04-12 液晶表示装置 Active JP4927430B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006109659A JP4927430B2 (ja) 2006-04-12 2006-04-12 液晶表示装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006109659A JP4927430B2 (ja) 2006-04-12 2006-04-12 液晶表示装置
US11/783,071 US7826015B2 (en) 2006-04-12 2007-04-05 In-plane switching transflective liquid crystal display device with the pixel electrode elecrically coupled to the active element in a portion defining a clearance between the first electrodes for the transmission and reflective sections
CNB2007100904608A CN100495183C (zh) 2006-04-12 2007-04-11 液晶显示装置
US12/801,621 US8064026B2 (en) 2006-04-12 2010-06-17 Liquid crystal display device with the pixel electrode being electrically coupled to the active element via a portion defining a clearance between the counter electrodes
US13/067,599 US20110242471A1 (en) 2006-04-12 2011-06-13 Liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007286086A JP2007286086A (ja) 2007-11-01
JP4927430B2 true JP4927430B2 (ja) 2012-05-09

Family

ID=38603995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006109659A Active JP4927430B2 (ja) 2006-04-12 2006-04-12 液晶表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (3) US7826015B2 (ja)
JP (1) JP4927430B2 (ja)
CN (1) CN100495183C (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4501899B2 (ja) * 2005-07-06 2010-07-14 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP4907245B2 (ja) 2006-07-07 2012-03-28 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 半透過型液晶表示装置
TWI397757B (zh) * 2009-12-22 2013-06-01 Au Optronics Corp 聚合物穩定配向液晶顯示面板及液晶顯示面板
JP2014109589A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 表示装置の製造方法
JP6428079B2 (ja) * 2013-11-08 2018-11-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、及び電子機器
CN103715095B (zh) * 2013-12-27 2016-01-20 北京京东方光电科技有限公司 掩膜版组、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
CN109273497A (zh) * 2018-09-21 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847687A (en) 1996-03-26 1998-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of active matrix display device
JPH1031464A (ja) 1996-03-26 1998-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置の駆動方法
JP4454713B2 (ja) 1999-03-17 2010-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP2001194685A (ja) 2000-01-06 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2001201766A (ja) 2000-01-18 2001-07-27 Hitachi Ltd 液晶表示装置の製造方法
JP4278834B2 (ja) * 2000-06-02 2009-06-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置とその製造方法
TW513600B (en) 2000-06-07 2002-12-11 Ind Tech Res Inst In-plane switching liquid crystal displaying device and method of fabricating the same
JP4689851B2 (ja) 2001-02-23 2011-05-25 Nec液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4722319B2 (ja) 2001-04-26 2011-07-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2003140188A (ja) * 2001-11-07 2003-05-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
CN1599879A (zh) * 2001-12-06 2005-03-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 透射反射式液晶显示设备
JP3953320B2 (ja) * 2001-12-28 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
JP4002105B2 (ja) * 2002-01-15 2007-10-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2003273123A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Sharp Corp 半導体装置
JP4117148B2 (ja) 2002-05-24 2008-07-16 Nec液晶テクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置
CN1244012C (zh) 2002-08-02 2006-03-01 Nec液晶技术株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN100543522C (zh) * 2003-12-12 2009-09-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 边缘电场开关型液晶显示装置
JP4550551B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-22 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TWI261719B (en) * 2005-01-21 2006-09-11 Au Optronics Corp Transflective liquid crystal display device and pixel electrode thereof
JP4111203B2 (ja) * 2005-03-28 2008-07-02 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
US7423713B2 (en) * 2005-03-28 2008-09-09 Epson Imaging Devices Corporation Liquid crystal device and electronic equipment
JP5077734B2 (ja) 2005-06-30 2012-11-21 Nltテクノロジー株式会社 液晶表示装置、及び、その駆動方法
JP4762682B2 (ja) 2005-11-07 2011-08-31 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 半透過型液晶表示装置
EP1793266B1 (en) * 2005-12-05 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
JP4883521B2 (ja) * 2006-03-07 2012-02-22 Nltテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101055387A (zh) 2007-10-17
US20100253895A1 (en) 2010-10-07
US7826015B2 (en) 2010-11-02
US8064026B2 (en) 2011-11-22
US20110242471A1 (en) 2011-10-06
JP2007286086A (ja) 2007-11-01
US20070241332A1 (en) 2007-10-18
CN100495183C (zh) 2009-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9025103B2 (en) Manufacturing method for liquid crystal display device
US8125609B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device with multi-layer electrode and fabrication method thereof
KR100594678B1 (ko) 액정 표시 장치 및 전자 기기
JP5246782B2 (ja) 液晶装置および電子機器
JP3599663B2 (ja) 広視野角液晶ディスプレイとその製造方法
KR100510566B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치
US6862067B2 (en) Active-matrix addressing liquid-crystal display device using lateral electric field and having two storage capacitors
JP4623464B2 (ja) 液晶表示装置
JP4238877B2 (ja) Ffsモードの液晶表示パネル
US7800725B2 (en) Liquid crystal display and substrate thereof
US6911668B2 (en) Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device
KR100360355B1 (ko) 액티브매트릭스형액정표시장치
JP5344253B2 (ja) 横電界方式の液晶表示装置
JP4002105B2 (ja) 液晶表示装置
JP4039232B2 (ja) 液晶表示装置および電子機器
JP5313373B2 (ja) 液晶表示装置
KR100683371B1 (ko) 액정 표시 장치 및 전자 기기
US7460199B2 (en) Liquid crystal display device, method of manufacturing liquid crystal display device, and electronic apparatus
US6888596B2 (en) Liquid crystal display device
US7525614B2 (en) Fringe field switching mode transflective LCD having slits in the reflective area of a pixel electrode that have an inclination angle greater than slits in the transmissive area by about 10 to 40 degrees
KR100643995B1 (ko) 액정 표시 장치 및 전자기기
KR100560256B1 (ko) 액정 표시 장치 및 전자기기
JP4169035B2 (ja) 液晶装置及び電子機器
KR100470759B1 (ko) 인-플레인 스위칭 모드 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치및 그 제조 방법
JP2812851B2 (ja) 反射型液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081014

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110218

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20110218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110628

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110815

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120207

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4927430

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250