JP7028236B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、表示領域を囲む周辺領域に周辺回路が設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。

投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる透過型の電気光学装置は、透光性の第１基板の一方面側に透光性の画素電極が設けられた第１基板と、第１基板に対向する第２基板の第１基板側の面に透光性の共通電極が設けられた第２基板とを有しており、第１基板と第２基板との間に電気光学層が設けられている。かかる電気光学装置では、第２基板側から入射した光源光が、第１基板側から出射される間に電気光学層によって画素毎に変調され、出射される。その際、第１基板に対して変調光の出射側に配置された光学系やワイヤーグリッド偏光分離素子等によって変調光が反射して戻り光として第１基板に再び入射する場合があり、かかる戻り光が、表示領域を囲む周辺領域に入射すると、周辺回路に設けた配線によって、更に反射（再反射）することで、スクリーン上の画像では、その周囲にぼんやりとした縁があらわれることになる。このような戻り光の再反射による表示品の低下を防止するために、周辺領域に低反射膜を設けることが提案されている（特許文献１参照）。

また、周辺領域の遮光膜として、周辺回路に設けた下層側の遮光層によって挟まれた隙間に対して平面視で重なるように、上層側の遮光層を設けた構成が提案されている（特許文献２参照）。

特開２００３－１４０１２９号公報 特開２０１３－６５０３４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の構成のように、表示領域の周りを囲むように遮光層を広い範囲にわたってベタで形成すると、遮光層を構成する膜にクラックが発生しやすい。このため、光が遮光層のクラックを通過して第１基板から第２基板とは反対側（スクリーンの側）に出射されるという問題点がある。

また、周辺領域に形成した周辺回路では、データ線や走査線に対応するように複数の単位回路が所定のルールに基づいて、周辺回路の占有面積が狭くなるようにレイアウトされているため、特許文献２に記載されているように、下層側の遮光層によって挟まれた各隙間の全てに対して平面視で重なるように、下層側の遮光層と別層の上層側の遮光層を設けることが困難な場合あるという問題点がある。更には、遮光層によって挟まれた各隙間の全てに対して平面視で重なる、別層の遮光層を設けようとすると、プロセスの変更、配線層の増加、周辺領域の増大化等の製造コストの増大と伴う対策が必要になるという問題がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ベタの遮光層を設けた構成や、遮光層によって挟まれた各隙間の全てを別層の遮光層によって覆った構成を用いなくても、周辺領域に斜めに入射した戻り光によって画像の品位が低下することを抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側に設けられた偏光分離素子と、を有する電気光学パネルを備え、前記第２基板は、表示領域の外側に、第１遮光層を有し、前記第１基板は、前記表示領域の外側に、平面視で前記第１遮光層と重なる第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間の層に設けられ、平面視で前記第１遮光層と重なる第３遮光層と、平面視で前記第１遮光層と重なり、平面視で前記第２遮光層および前記第３遮光層と重ならない透光領域と、を有し、前記透光領域の最大幅Ｗを、平面視において、前記第３遮光層の第１縁と、当該第１縁と前記透光領域を介して設けられた前記第２遮光層の第２縁と、の間の幅とし、前記第１基板から前記第２基板とは反対側に出射された光が前記偏光分離素子で反射し、前記第１遮光層で反射するときの光の反射角をθとし、前記第１縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ１とし、前記第２縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ２としたとき、以下の式
Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
を満たすことを特徴とする。
また、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側に設けられた偏光分離素子と、を有する電気光学パネルを備え、前記第２基板は、表示領域の外側に、第１遮光層を有し前記第１基板は、前記表示領域の外側に、平面視で前記第１遮光層と重なる第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間の層に設けられ、平面視で前記第１遮光層と重なる複数の第３遮光層と、平面視で前記第１遮光層と重なり、平面視で前記第２遮光層および前記複数の第３遮光層と重ならない透光領域と、を有し、前記透光領域の最大幅Ｗを、平面視において、前記複数の第３遮光層のうちの一の第３遮光層の第１縁と、当該第１縁と前記透光領域を介して設けられた前記複数の第３遮光層のうちの他の第３遮光層の第２縁と、の間の幅とし、前記第１基板から前記第２基板とは反対側に出射された光が前記偏光分離素子で反射し、前記第１遮光層で反射するときの光の反射角をθとし、前記第１縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ１とし、前記第２縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ２としたとき、以下の式
Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
を満たすことを特徴とする。
また、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側に設けられた偏光分離素子と、を有する電気光学パネルを備え、前記第２基板は、表示領域の外側に、第１遮光層を有し、前記第１基板は、前記表示領域の外側に、平面視で前記第１遮光層と重なる複数の第２遮光層と、前記第１遮光層と前記複数の第２遮光層との間の層に設けられ、平面視で前記第１遮光層と重なる第３遮光層と、平面視で前記第１遮光層と重なり、平面視で前記複数の第２遮光層および前記第３遮光層と重ならない透光領域と、を有し、前記透光領域の最大幅Ｗを、平面視において、前記複数の第２遮光層のうちの一の第２遮光層の第１縁と、当該第１縁と前記透光領域を介して設けられた前記複数の第２遮光層のうちの他の第２遮光層の第２縁と、の間の幅とし、前記第１基板から前記第２基板とは反対側に出射された光が前記偏光分離素子で反射し、前記第１遮光層で反射するときの光の反射角をθとし、前記第１縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ１とし、前記第２縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ２としたとき、以下の式
Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
を満たすことを特徴とする。

本発明において、第１基板の周辺領域には、第２遮光層と、第２遮光層と第１遮光層との間の層に配置された第３遮光層とが設けられているため、戻り光が周辺領域に入射しても、戻り光は、第２遮光層または第３遮光層によって遮られる。また、第１基板の周辺領域には、第２遮光層および第３遮光層のうちの一方の層の端部によって規定された透光領域が設けられ、透光領域は、第２遮光層および第３遮光層のいずれとも重なっていないが、第２基板の周辺領域には第１遮光層が設けられている。また、第２基板から電気光学層に入射する光源光の最大入射角θ、透光領域の最大幅Ｗ、透光領域を規定する第１縁の第１遮光層との反対側の端部と第１遮光層との間の厚さｄ１、および透光領域を規定する第２縁の第１遮光層との反対側の端部と第１遮光層との間の厚さｄ２は、以下の式
Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
を満たしている。従って、透光領域に入射した戻り光は、第１遮光層に到達し、第１遮光層によって吸収されるか、第１遮光層によって第３遮光層または第２遮光層に向けて反射される。それ故、ベタの遮光層を設けた構成や、下層側の遮光層によって挟まれた各隙間の全てを上層側の遮光層によって覆った構成を採用しなくても、戻り光が第１基板から第２基板とは反対側に出射されにくい。よって、周辺領域に斜めに入射した戻り光によって画像の品位が低下することを抑制することができる。

本発明において、前記第３遮光層は、金属層と、前記金属層の前記第１基板側に積層され、前記金属層より反射率が低い第１低反射層と、前記金属層の前記第２基板側に積層され、前記金属層より反射率が低い第２低反射層と、を備えている態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１基板側から第３遮光層に向かう戻り光、および第２基板側から第３遮光層に向かう戻り光を第３遮光層によって吸収することができる。

本発明において、前記第３遮光層は、前記表示領域の外側に形成された半導体素子に電気的に接続する遮光性配線である態様を採用することができる。

本発明において、前記表示領域の外側では、前記半導体素子を備えた単位回路が複数、配列されている態様を採用することができる。かかる態様では、周辺回路が占有する面積が狭くなるように単位画素がレイアウトされるため、第３遮光層のレイウアトに対する制約が大きいが、第２遮光層の隙間の全てに第３遮光層を設ける必要がない。従って、単位回路のレイアウトを変更しなくても、第３遮光層を容易に配置することができる。

本発明において、前記第１縁および前記第２縁はいずれも、前記第３遮光層の縁である態様を採用することができる。

本発明において、前記第１縁および前記第２縁はいずれも、前記第２遮光層の縁である態様を採用することができる。

本発明において、前記第１縁は、前記第３遮光層の縁であり、前記第２縁は、前記第２遮光層の縁である態様を採用することができる。

本発明において、前記電気光学パネルを覆うホルダーを有し、前記ホルダーは、前記第２基板の前記第１基板とは反対側の面を覆う遮光性の第１端板部と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面を覆う遮光性の第２端板部と、を備え、前記第１端板部には、前記表示領域と重なる第１開口部が設けられ、前記第２端板部には、前記表示領域と重なる第２開口部が設けられている態様を採用することができる。かかる態様によれば、戻り光の入射をホルダーによって制限することができる。

本発明に係る電気光学装置は各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、電子機器は、前記電気光学装置に供給される光源光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系とを有している。

本発明を適用した電気光学装置の電気光学パネルの平面図。 図１に示す電気光学パネル等の断面図。 図１に示す電気光学装置の電気的構成を示す説明図。 本発明を適用した電気光学装置の分解斜視図。 本発明を適用した電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。 本発明を適用した電気光学装置のＦ－Ｆ′断面図。 図１に示す電気光学装置の周辺回路に設けられた単位回路の説明図。 図１に示す電気光学装置の遮光構造を示す説明図。 図８に示す最大入射角等の説明図。 図９に示す最大入射角で第２基板から電気光学層に入射した光を遮光する様子を示す説明図。 図１に示す電気光学装置の別の遮光構造を示す説明図。 図１に示す電気光学装置のさらに別の遮光構造を示す説明図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは基板本体が位置する側とは反対側（第２基板が位置する側）を意味し、下層側とは基板本体が位置する側を意味する。また、本発明において「平面視」とは、第１基板１０に対する法線方向からみた様子を意味する。

（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１００の電気光学パネル１００ｐの平面図である。図２は、図１に示す電気光学パネル１００ｐ等の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた電気光学パネル１００ｐを有している。電気光学パネル１００ｐにおいて、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、後述する複数の画素が配列された表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、表示領域１０ａは、周辺領域１０ｃによって囲まれている。本形態では、周辺領域１０ｃのうち、表示領域１０ａと隣り合う領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板からなる。第１基板１０の第２基板２０側の一方面１０ｓ側において、周辺領域１０ｃには、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１（周辺回路１０６）および複数の端子１０２が形成され、この一辺に隣接する他の２つ辺に沿って走査線駆動回路１０４（周辺回路１０６）が形成され、複数の端子１０２が位置する辺と反対側の辺に沿って検査回路１０５（周辺回路１０６）が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続する画素スイッチング素子（図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。

第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板からなる。第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。第２基板２０の一方面２０ｓ側には、共通電極２１に対して第１基板１０とは反対側に、樹脂、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層２７が形成され、遮光層２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２８が形成されている。

遮光層２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の第１遮光層２７ａとして形成されており、第１遮光層２７ａの内縁によって、表示領域１０ａが規定されている。従って、第１遮光層２７ａは表示領域１０ａの周りを囲んでいる。遮光層２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域にブラックマトリックス２７ｂとしても形成されている。

第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯ_x（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第２基板２０は、複数の画素電極９ａの各々に対して平面視で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が形成されたレンズアレイ基板５０として構成されており、レンズ２４は、第１基板１０の開口領域に有効に光を導く役割を果たしている。かかるレンズ２４を構成するにあたって、第２基板２０の基板本体２９の一方面２９ｓには、複数の画素電極９ａの各々と一対一で重なる位置に凹曲面２９０が形成されており、基板本体２９には、凹曲面２９０を覆う透光層２３が形成されている。透光層２３の基板本体２９と反対側の面２３０は平面になっており、面２３０に対して遮光層２７等が形成されている。透光層２３は、基板本体２９より屈折率が大きい。例えば、基板本体２９はガラス基板や石英基板（屈折率＝１．４８）からなり、透光層２３はシリコン酸窒化膜（屈折＝１．５８～１．６８）等からなる。このため、レンズ２４は、正のパワーを有している。

第１基板１０の周辺領域１０ｃには、第２基板２０の角部分と重なる領域に基板間導通用電極１９が形成されている。基板間導通用電極１９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極１９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。

本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜（透光性導電膜）により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００は、図２に矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調されることにより、画像を表示する。

（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示す説明図である。図３において、電気光学装置１００において、電気光学パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。電気光学パネル１００ｐにおいて、図１および図２等を参照して説明した第１基板１０では、表示領域１０ａの内側には、第１方向Ｘに延在する複数の走査線３ａと、第２方向Ｙに延在する複数のデータ線６ａとが形成されており、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して複数の画素１００ａが構成されている。複数の走査線３ａは、走査線駆動回路１０４に電気的に接続され、複数のデータ線６ａは、データ線駆動回路１０１に接続されている。また、複数本のデータ線６ａには、第２方向Ｙにおいてデータ線駆動回路１０１とは反対側で検査回路１０５が電気的に接続している。

複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素スイッチング素子３０、および画素スイッチング素子３０に電気的に接続された画素電極９ａが形成されている。画素スイッチング素子３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。本形態では、走査線駆動回路１０４は、表示領域１０ａに対して第１方向Ｘの一方側Ｘ１および他方側Ｘ２に走査線駆動回路１０４ｓ、１０４ｔとして構成されており、一方側Ｘ１の走査線駆動回路１０４ｓは、奇数番目の走査線３ａを駆動し、Ｘ方向の他方側Ｘ２の走査線駆動回路１０４ｔは、偶数番目の走査線３ａを駆動する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１および図２を参照して説明した第２基板２０の共通電極２１と電気光学層８０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ａが形成されており、容量線５ａには共通電位が供給されている。

このようにして、本形態の電気光学装置１００において、第１基板１０には、表示領域１０ａを囲む周辺領域１０ｃに、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、および検査回路１０５が周辺回路１０６として構成されている。ここで、データ線駆動回路１０１では、データ線６ａ毎に設けられた単位回路１０１ａによってサンプリング回路等が構成され、走査線駆動回路１０４は、走査線３ａ毎に設けられた単位回路１０４ａによって構成され、検査回路１０５は、データ線６ａ毎に設けられた単位回路１０６ａによって構成されている。

（ホルダー９０の構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の分解斜視図である。図２および図４に示すように、図１および図２を参照して説明した電気光学パネル１００ｐを後述する投射型表示装置等に用いる際、電気光学装置１００では、電気光学パネル１００ｐの第１基板１０側の面に第１防塵ガラス９６が接着され、第２基板２０側の面に第２防塵ガラス９７が接着された状態で、ホルダー９０によって保持される。

ホルダー９０は、電気光学パネル１００ｐを収容するフレーム９１と、フレーム９１に被さるカバー部材９２とからなる。電気光学パネル１００ｐは、フレーム９１側に第２基板２０および第２防塵ガラス９７が位置するように収容され、第１基板１０および第１防塵ガラス９６の側にカバー部材９２が配置される。従って、フレーム９１の遮光性の第１端板部９１５が第２防塵ガラス９７に重なり、カバー部材９２の遮光性の第２端板部９２５が第１防塵ガラス９６に重なる。この状態で、フレーム９１とカバー部材９２とは、カバー部材９２から突出した連結板部９２１、９２２がフレーム９１の側面に係合することによって連結される。フレーム９１とカバー部材９２との間からは、第１基板１０に接続されたフレキシブル配線基板９５が引き出される。本形態において、フレーム９１の第１端板部９１５の内面（第２防塵ガラス９７側）の面が低反射層になっており、カバー部材９２の第２端板部９２５の内面（第１防塵ガラス９６側）の面が低反射層になっている。

フレーム９１の第１端板部９１５には、表示領域１０ａと平面視で重なる領域に第１開口部９１０が形成され、カバー部材９２の第２端板部９２５には、表示領域１０ａと平面視で重なる領域に第２開口部９２０が形成されている。

（画素１００ｐの具体的構成）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。図６は、本発明を適用した電気光学装置１００のＦ－Ｆ′断面図である。なお、図５では、各層を以下の線で表してある。また、図５では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線

図５に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する面には、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、第１方向Ｘに延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、第２方向Ｙに延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素スイッチング素子３０が形成されており、本形態において、画素スイッチング素子３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第１基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素スイッチング素子３０の上層側には上層側遮光層７ａが形成されており、かかる上層側遮光層７ａは、データ線６ａおよび走査線３ａに重なるように延在している。従って、光源光が第２基板２０側から入射した際、画素スイッチング素子３０に光源光が入射することを防止することができる。画素スイッチング素子３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａと重なるように延在している。

図６に示すように、第１基板１０において、一方面１０ｓには導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる遮光層８ａが形成されている。遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、タングステン、窒化チタン等の遮光膜からなる。遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光層８ａを導通させた構成とする。

第１基板１０の一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜からなる透光性の絶縁膜１２が形成され、絶縁膜１２の上層側に、半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｓおよびドレイン領域１ｄを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｓおよびドレイン領域１ｄは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。

ゲート電極３ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｄと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｄに導通している。

ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。

容量線５ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｓに導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４の表面は平坦化されている。上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上層側遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、上層側遮光層７ａを容量線５ａと導通させてもよい。

上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｄに電気的に接続している。層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる透光性の第１配向膜１６が形成されている。

（周辺回路１０６の構成）
図７は、図１に示す電気光学装置１００の周辺回路１０６に設けられた単位回路の説明図である。図７において、図３に示す周辺回路１０６（データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４および検査回路１０５）は、複数の半導体素子１０６ｂと、複数の半導体素子１０６ｂを電気的に接続する複数の配線１０６ｃとを備えている。また、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４および検査回路１０５の各単位回路１０１ａ、１０４ａ、１０５ａは、複数の配線１０６ｃによって電気的に接続された１乃至複数の半導体素子１０６ｂによって構成されている。半導体素子１０６ｂは、画素スイッチング素子３０と同様、電界効果型トランジスターからなり、画素スイッチング素子３０の半導体層１ａと同層の半導体層１ｃ、および走査線３ａと同層のゲート線３ｃとを備えている。

ここで、単位回路１０６ａ（単位回路１０１ａ、１０４ａ、１０５ａ）は、複数のデータ線６ａおよび走査線３ａの各々に対応するように設けられていることから、各周辺回路１０６において、半導体素子１０６ｂ、配線１０６ｃ、およびゲート線３ｃは、所定のルールに基づいて、周辺回路１０６の占有面積が狭くなるようにレイアウトされている。

（遮光構造）
図８は、図１に示す電気光学装置１００の遮光構造を示す説明図である。図９は、図８に示す最大入射角θ等の説明図である。図１０は、図９に示す最大入射角θで第２基板２０から電気光学層８０に入射した光を遮光する様子を示す説明図である。本形態では、図２に示すように、第１基板１０から第２基板２０とは反対側に向けて変調光が出射された際、第１基板１０から第２基板２０とは反対側に配置された光学系やワイヤーグリッド偏光分離素子等によって変調光が反射して戻り光Ｌｒ１、Ｌｒ２～４として第１基板１０に入射した際に戻り光Ｌｒ１、Ｌｒ２～４を遮る遮光構造が設けられている。

まず、図８に示すように、第１基板１０には、画素スイッチング素子３０と第１基板１０との間には遮光層８ａが設けられている。このため、戻り光Ｌｒ１が第１基板１０に入射した際、半導体層１ａに戻り光Ｌｒ１が入射することを抑制することができるので、画素スイッチング素子３０に光電流に起因する誤動作が発生することを防止することができる。

また、本形態の電気光学装置１００では、周辺領域１０ｃに周辺回路１０６を構成するにあたって、周辺領域１０ｃには、第１基板１０の一方面１０ｓ側に、半導体素子１０６ｂが設けられているとともに、半導体素子１０６ｂの半導体層１ｃに対して第１基板１０とは反対側にゲート線３ｃが設けられている。また、ゲート線３ｃに対して第１基板１０とは反対側に配線１０６ｃが設けられている。半導体層１ｃは、半導体層１ａと同層のポリシリコン膜（ｐ－Ｓｉ）であり、ゲート線３ｃは、走査線３ａと同層の導電性ポシリコン膜（ｐ－Ｓｉ）である。

ここで、半導体素子１０６ｂと第１基板１０との間には、半導体素子１０６ｂの半導体層１ｃに平面視で重なる第２遮光層８ｃが設けられている。このため、第１基板１０に戻り光Ｌｒ２が入射した際、図８に示す半導体層１ｃに戻り光Ｌｒ２が入射することを抑制することができる。従って、半導体素子１０６ｂに光電流に起因する誤動作が発生することを防止することができる。第２遮光層８ｃは、例えば、遮光層８ａと同層のタングステンシリサイド膜（ＷＳｉ）である。

本形態において、第１基板１０には、半導体素子１０６ｂと電気光学層８０との間（第２遮光層８ｃと第１遮光層２７ａとの間）に第３遮光層７ｃが設けられている。本形態において、配線１０６ｃは、上層側遮光層７ａと同層の遮光配線として構成されており、配線１０６ｃ（遮光性配線）によって、第３遮光層７ｃが構成されている。第３遮光層７ｃは、上層側遮光層７ａと同様、金属層Ｍ０と、金属層Ｍ０に第１基板１０側に積層された第１低反射層Ｍ１と、金属層Ｍ０に第２基板２０側に積層された第２低反射層Ｍ２とを備えており、第１低反射層Ｍ１および第２低反射層Ｍ２はいずれも、金属層Ｍ０より反射率が低い。本形態において、金属層Ｍ０はアルミニウム層（Ａｌ）であり、第１低反射層Ｍ１および第２低反射層Ｍ２はいずれも、窒化チタン層（ＴｉＮ）である。

第１基板１０の周辺領域１０ｃには、第１基板１０側から第２基板２０を見たときに、第２遮光層８ｃおよび第３遮光層７ｃのいずれとも重なっていない透光領域１０ｅが設けられている。透光領域１０ｅは、第２遮光層８ｃおよび第３遮光層７ｃの互い離間する２つの縁である第１縁および第２縁の間で第２遮光層８ｃおよび第３遮光層７ｃのいずれとも重なっていない。本形態において、透光領域１０ｅ付近では、第１基板１０側から第２基板２０を見たときに、第３遮光層７ｃの間隔が第２遮光層８ｃの間隔より狭いため、透光領域１０ｅは、第３遮光層７ｃの縁７ｃ１（第１縁）と、縁７ｃ１から離間する第３遮光層７ｃの縁７ｃ２（第２縁）との間に位置する。

ここで、第２基板２０の周辺領域１０ｃには第１遮光層２７ａが設けられており、第１遮光層２７ａは、透光領域１０ｅ等に平面視で重なっている。従って、第１基板１０の周辺領域１０ｃにおいて、第１基板１０の側から透光領域１０ｅに戻り光Ｌｒ３が入射した場合でも、第１遮光層２７ａによって戻り光Ｌｒ３を吸収することができる。若しくは、第１基板１０の側から透光領域１０ｅに戻り光Ｌｒ３が入射した場合でも、第１遮光層２７ａによって反射されて、第３遮光層７ｃ等によって吸収される。

また、本形態では、第２基板２０から電気光学層８０に出射される光源光の最大入射角をθとし、透光領域１０ｅの最大幅をＷとし、第３遮光層７ｃの縁７ｃ１（第１縁）の第１遮光層２７ａと反対側の端部７ｃ１０と第１遮光層２７ａとの間の厚さをｄ１とし、第３遮光層７ｃの縁７ｃ２（第２縁）の第１遮光層２７ａと反対側の端部７ｃ２０と第１遮光層２７ａとの間の厚さをｄ２としたとき、最大入射角θ、幅Ｗ、厚さｄ１、および厚さｄ２は、以下の式
Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
を満たしている。本形態において、厚さｄ１および厚さｄ２はいずれも厚さｄで等しいため、最大入射角θ、幅Ｗ、および厚さｄは、以下の式
Ｗ ＜ ２×ｄ×ｔａｎθ
を満たしている。

すなわち、図９に示すように、第２基板２０側から電気光学層８０に入射する光源光の最大入射角がθである場合、光源光が変調されて第１基板１０から出射された後、ワイヤーグリッド偏光分離素子１１２ａのワイヤーグリッド１１２ｂ等で反射した際の入射角および反射角がθである。従って、ワイヤーグリッド１１２ｂ等で反射した光が、図８に示す戻り光Ｌｒ３として透光領域１０ｅに斜めに入射した後、第２基板２０の第１遮光層２７ａで反射する際の入射角および反射角がθである。このため、上式の条件を満たせば、第１基板１０の周辺領域１０ｃにおいて、透光領域１０ｅに戻り光Ｌｒ３が斜めに入射した場合でも、戻り光Ｌｒ３は、第２基板２０の第１遮光層２７ａに到達し、第１遮光層２７ａによって吸収されるか、第１遮光層２７ａによって第３遮光層７ｃまたは第２遮光層８ｃに向けて反射される。

より具体的には、図１０に示すように、第３遮光層７ｃによって透光領域１０ｅが規定されている場合において、第２遮光層８ｃが透光領域１０ｅから大きく離間している場合、戻り光Ｌ３は、第１基板１０に第２基板２０と反対側から入射した後、第３遮光層７ｃの縁７ｃ２（第２縁）の端部７ｃ２０付近を通って第１遮光層２７ａに向かうが、上式を満たせば、かかる光であっても、第１遮光層２７ａで反射した後、第３遮光層７ｃの縁７ｃ１（第１縁）の端部７ｃ１０で遮光されることになる。

それ故、ベタの遮光層を設けた構成や、下層側の遮光層によって挟まれた各隙間の全てを上層側の遮光層によって覆った構成を採用しなくても、透過領域１０ｅから第１基板１０の周辺領域１０ｃに入射した戻り光Ｌｒ３が、第１基板１０側や第２基板２０側で反射して第１基板１０の第２基板２０とは反対側に出射されることを抑制することができる。よって、周辺領域１０ｃに入射した戻り光によって画像の品位が低下することを抑制することができる。より具体的には、表示した画像の縁に光が漏れることを抑制することができる。

ここで、最大角θは、例えば、図１３を参照して以下に説明する投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００に対する入射光（光源光）のＦ値と以下の関係
ｔａｎθ＝１／（２×Ｆ）
を有する。

なお、周辺領域１０ｃのうち、透光領域１０ｅ以外の領域で、第２遮光層８ｃの間に戻り光Ｌｒ４が入射した場合には、直接、第３遮光層７ｃによって吸収される。

［本発明の別の遮光構造］
図１１は、図１に示す電気光学装置の別の遮光構造を示す説明図である。なお、図１１に示す遮光構造の基本的な構成は、図８を参照して説明した遮光構造と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。

図１１に示す遮光構造は、図８を参照して説明した遮光構造と同様、第１基板１０の表示領域１０ａには、画素スイッチング素子３０の半導体層１ａと第１基板１０との間に、半導体層１ａに平面視で重なる遮光層８ａが設けられている。また、第１基板１０の周辺領域１０ｃには、半導体素子１０６ｂの半導体層１ｃと第１基板１０との間に、半導体層１ｃに平面視で重なる第２遮光層８ｃが設けられている。また、第１基板１０の周辺領域１０ｃには、半導体素子１０６ｂと電気光学層８０との間（第２遮光層８ｃと第１遮光層２７ａとの間）に第３遮光層７ｃが設けられている。また、第１基板１０の周辺領域１０ｃには、第１基板１０側から第２基板２０を見たときに、第２遮光層８ｃおよび第３遮光層７ｃのいずれとも重なっていない透光領域１０ｅが設けられている。透光領域１０ｅは、第２遮光層８ｃおよび第３遮光層７ｃのうち、一方の層の端部によって規定されている。

本形態において、第１基板１０側から第２基板２０を見たときに、透光領域１０ｅ付近では、第２遮光層８ｃの間隔が第３遮光層７ｃの間隔より狭いため、透光領域１０ｅは、第２遮光層８ｃの縁８ｃ１（第１縁）と、縁８ｃ１から離間する第２遮光層８ｃの縁８ｃ２（第２縁）との間に位置する。

ここで、第２基板２０の周辺領域１０ｃには第１遮光層２７ａが設けられている。また、本形態では、第２基板２０から電気光学層８０に出射される光源光の最大入射角θ、透光領域１０ｅの最大幅Ｗ、第２遮光層８ｃの縁８ｃ１（第１縁）の第１遮光層２７ａと反対側の端部８ｃ１０と第１遮光層２７ａとの間の厚さｄ１、および第２遮光層８ｃの縁８ｃ２（第２縁）の第１遮光層２７ａと反対側の端部８ｃ２０と第１遮光層２７ａとの間の厚さｄ２は、以下の式
Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
を満たしている。本形態において、厚さｄ１および厚さｄ２はいずれも厚さｄであるため、最大入射角θ、幅Ｗ、および厚さｄは、以下の式
Ｗ ＜ ２×ｄ×ｔａｎθ
を満たしている。

従って、第１基板１０の周辺領域１０ｃにおいて、透光領域１０ｅに戻り光Ｌｒ３が斜め方向から入射した場合でも、戻り光Ｌｒ３は、第２基板２０の第１遮光層２７ａに到達し、第１遮光層２７ａによって吸収されるか、第２遮光層８ｃあるいは第３遮光層７ｃに向けて反射される。それ故、ベタの遮光層を設けた構成や、下層側の遮光層によって挟まれた各隙間の全てを上層側の遮光層によって覆った構成を採用しなくても、透過領域１０ｅから第１基板１０の周辺領域１０ｃに入射した戻り光Ｌｒ３が、第１基板１０の第２基板２０とは反対側に出射されにくい。よって、周辺領域１０ｃに入射した戻り光によって画像の品位が低下することを抑制することができる。より具体的には、表示した画像の縁に光が漏れることを抑制することができる。

［本発明のさらに別の遮光構造］
図１２は、図１に示す電気光学装置のさらに別の遮光構造を示す説明図である。なお、図１２に示す遮光構造の基本的な構成は、図８を参照して説明した遮光構造と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。

図１２に示す遮光構造は、図８を参照して説明した遮光構造と同様、第１基板１０の表示領域１０ａには、画素スイッチング素子３０の半導体層１ａと第１基板１０との間に、半導体層１ａに平面視で重なる遮光層８ａが設けられている。また、第１基板１０の周辺領域１０ｃには、半導体素子１０６ｂの半導体層１ｃと第１基板１０との間に、半導体層１ｃに平面視で重なる第２遮光層８ｃが設けられている。また、第１基板１０の周辺領域１０ｃには、半導体素子１０６ｂと電気光学層８０との間（第２遮光層８ｃと第１遮光層２７ａとの間）に第３遮光層７ｃが設けられている。また、第１基板１０の周辺領域１０ｃには、第１基板１０側から第２基板２０を見たときに、第２遮光層８ｃおよび第３遮光層７ｃのいずれとも重なっていない透光領域１０ｅが設けられている。

本形態において、第１基板１０側から第２基板２０を見たときに、透光領域１０ｅは、第３遮光層７ｃの縁７ｃ１（第１縁）と、縁７ｃ１から離間する第２遮光層８ｃの縁８ｃ２（第２縁）との間に位置する。

ここで、第２基板２０の周辺領域１０ｃには第１遮光層２７ａが設けられている。また、本形態では、第２基板２０から電気光学層８０に出射される光源光の最大入射角θ、透光領域１０ｅの最大幅Ｗとし、第３遮光層７ｃの縁７ｃ１（第１縁）の第１遮光層２７ａと反対側の端部７ｃ１０と第１遮光層２７ａとの間の厚さｄ１、および第２遮光層８ｃの縁８ｃ２（第２縁）の第１遮光層２７ａと反対側の端部８ｃ２０と第１遮光層２７ａとの間の厚さｄ２は、以下の式
Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
を満たしている。

従って、第１基板１０の周辺領域１０ｃにおいて、透光領域１０ｅに戻り光Ｌｒ３が斜め方向から入射した場合でも、戻り光Ｌｒ３は、第２基板２０の第１遮光層２７ａに到達し、第１遮光層２７ａによって吸収されるか、第２遮光層８ｃあるいは第３遮光層７ｃに向けて反射される。それ故、ベタの遮光層を設けた構成や、下層側の遮光層によって挟まれた各隙間の全てを上層側の遮光層によって覆った構成を採用しなくても、透過領域１０ｅから第１基板１０の周辺領域１０ｃに入射した戻り光Ｌｒ３が、第１基板１０の第２基板２０とは反対側に出射されにくい。よって、周辺領域１０ｃに入射した戻り光によって画像の品位が低下することを抑制することができる。より具体的には、表示した画像の縁に光が漏れることを抑制することができる。

［他の実施形態］
上記実施形態では、周辺回路１０６が設けている領域として、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、および検査回路１０５が設けられている領域の各々に第２遮光層８ｃ、第３遮光層７ｃ、および透光領域１０ｅを設けた。但し、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、および検査回路１０５のうち、一部の周辺回路１０６が設けられている領域に第２遮光層８ｃ、第３遮光層７ｃ、および透光領域１０ｅを設けてもよい。上記実施形態では、配線１０６ｃによって第３遮光層７ｃが構成されている場合を説明したが、配線１０６ｃとは別の層に第３遮光層７ｃが設けられていてもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図１３は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。図１３に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブに用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは各々、電気光学装置１００に対して入射側で重なる入射側偏光分離素子１１１と、電気光学装置１００に対して出射側で重なる出射側偏光分離素子１１２とを有している。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

このように構成した投射型表示装置２１００（電子機器）において、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを通過した光がダイクロイックプリズム２１１２や投射レンズ群２１１４で反射し、図２、図８および図１１に示す戻り光Ｌｒ１、Ｌｒ２～４として第１基板１０に入射することがある。このような場合でも、本発明を適用した電気光学装置１００によれば、戻り光Ｌｒ、Ｌｒ２～Ｌｒ４が再び、第１基板１０から出射されることを抑制することができる。

また、電気光学装置１００から投射レンズ群２１１４（投射光学系）に到る光路に、出射側偏光分離素子１１２としてワイヤーグリッド偏光分離素子１１２ａを配置した場合、電気光学装置１００を通過した光の一部がワイヤーグリッド偏光分離素子１１２ａで反射するため、図２、図８および図１１に示す戻り光Ｌｒ１、Ｌｒ２～４として第１基板１０に入射しやすい。このような場合でも、本発明を適用した電気光学装置１００によれば、戻り光Ｌｒ１、Ｌｒ２～Ｌｒ４が再び、第１基板１０から出射されることを抑制することができる。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

１ａ、１ｃ…半導体層、３ａ…走査線、３ｃ…ゲート線、６ａ…データ線、７ａ…上層側遮光層、７ｃ…第３遮光層、７ｃ１、７ｃ２、８ｃ１、８ｃ２…縁、７ｃ１０、７ｃ２０、８ｃ１０、８ｃ２０…端部、８ａ…遮光層、８ｃ…第２遮光層、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１０ｃ…周辺領域、１０ｅ…透光領域、２９…第２基板、２１…共通電極、２４…レンズ、２７…遮光層、２７ａ…第１遮光層、２７ｂ…ブラックマトリックス、３０…画素スイッチング素子、８０…電気光学層、９０…ホルダー、９１…フレーム、９２…カバー部材、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１００ａ…画素、１００ｐ…電気光学パネル、１０１…データ線駆動回路、１０１ａ、１０４ａ、１０５ａ、１０６ａ…単位回路、１０４、１０４ｓ、１０４ｔ…走査線駆動回路、１０５…検査回路、１０６…周辺回路、１０６ｂ…半導体素子、１０６ｃ…配線、９１０…第２開口部、９１５…第１端板部、９２０…第１開口部、９２５…第２端板部、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ群。

Claims (9)

1. 第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側に設けられた偏光分離素子と、を有する電気光学パネルを備え、
   前記第２基板は、表示領域の外側に、第１遮光層を有し、
   前記第１基板は、前記表示領域の外側に、平面視で前記第１遮光層と重なる第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間の層に設けられ、平面視で前記第１遮光層と重なる第３遮光層と、平面視で前記第１遮光層と重なり、平面視で前記第２遮光層および前記第３遮光層と重ならない透光領域と、を有し、
   前記透光領域の最大幅Ｗを、平面視において、前記第３遮光層の第１縁と、当該第１縁と前記透光領域を介して設けられた前記第２遮光層の第２縁と、の間の幅とし、
   前記第１基板から前記第２基板とは反対側に出射された光が前記偏光分離素子で反射し、前記第１遮光層で反射するときの光の反射角をθとし、
   前記第１縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ１とし、
   前記第２縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ２としたとき、以下の式
   Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
   を満たすことを特徴とする電気光学装置。
2. 第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側に設けられた偏光分離素子と、を有する電気光学パネルを備え、
   前記第２基板は、表示領域の外側に、第１遮光層を有し、
   前記第１基板は、前記表示領域の外側に、平面視で前記第１遮光層と重なる第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間の層に設けられ、平面視で前記第１遮光層と重なる複数の第３遮光層と、平面視で前記第１遮光層と重なり、平面視で前記第２遮光層および前記複数の第３遮光層と重ならない透光領域と、を有し、
   前記透光領域の最大幅Ｗを、平面視において、前記複数の第３遮光層のうちの一の第３遮光層の第１縁と、当該第１縁と前記透光領域を介して設けられた前記複数の第３遮光層のうちの他の第３遮光層の第２縁と、の間の幅とし、
   前記第１基板から前記第２基板とは反対側に出射された光が前記偏光分離素子で反射し、前記第１遮光層で反射するときの光の反射角をθとし、
   前記第１縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ１とし、
   前記第２縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ２としたとき、以下の式
   Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
   を満たすことを特徴とする電気光学装置。
3. 第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側に設けられた偏光分離素子と、を有する電気光学パネルを備え、
   前記第２基板は、表示領域の外側に、第１遮光層を有し、
   前記第１基板は、前記表示領域の外側に、平面視で前記第１遮光層と重なる複数の第２遮光層と、前記第１遮光層と前記複数の第２遮光層との間の層に設けられ、平面視で前記第１遮光層と重なる第３遮光層と、平面視で前記第１遮光層と重なり、平面視で前記複数の第２遮光層および前記第３遮光層と重ならない透光領域と、を有し、
   前記透光領域の最大幅Ｗを、平面視において、前記複数の第２遮光層のうちの一の第２遮光層の第１縁と、当該第１縁と前記透光領域を介して設けられた前記複数の第２遮光層のうちの他の第２遮光層の第２縁と、の間の幅とし、
   前記第１基板から前記第２基板とは反対側に出射された光が前記偏光分離素子で反射し、前記第１遮光層で反射するときの光の反射角をθとし、
   前記第１縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ１とし、
   前記第２縁の前記第１遮光層との反対側の端部と、前記第１遮光層と、の間の厚さをｄ２としたとき、以下の式
   Ｗ＜（ｄ１×ｔａｎθ＋ｄ２×ｔａｎθ）
   を満たすことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から３までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第３遮光層は、金属層と、前記金属層の前記第１基板側に積層され、前記金属層より反射率が低い第１低反射層と、前記金属層の前記第２基板側に積層され、前記金属層より反射率が低い第２低反射層と、を備えていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第３遮光層は、前記表示領域の外側に形成された半導体素子に電気的に接続する遮光性配線であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項５に記載の電気光学装置において、
   前記表示領域の外側では、前記半導体素子を備えた単位回路が複数、配列されていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記電気光学パネルを覆うホルダーを有し、
   前記ホルダーは、前記第２基板の前記第１基板とは反対側の面を覆う遮光性の第１端板部と、前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面を覆う遮光性の第２端板部と、を備え、
   前記第１端板部には、前記表示領域と重なる第１開口部が設けられ、
   前記第２端板部には、前記表示領域と重なる第２開口部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
9. 請求項８に記載の電子機器において、
   前記電気光学装置に供給される光源光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有することを特徴とする電子機器。

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