JP7447724B2 - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、半導体膜への光の入射を抑制する遮光膜をトランジスターと画素電極との間に備える電気光学装置、および電子機器に関するものである。

投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置は、基板本体と画素電極との間に半導体膜が設けられており、半導体膜を利用してトランジスターが構成される。かかる電気光学装置において、トランジスターと画素電極との間に設けた容量素子において、上層側の容量電極の端部を半導体膜の側に突出させることによって、半導体膜への光の入射を抑制する構造が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００１－６６６３３号公報

容量素子では、下層側の容量電極、薄い誘電体膜、および上層側の容量電極が積層された構造であるため、特許文献１に記載の構造のように、下層側の容量電極の側方に誘電体膜が存在しない場合に上層側の容量電極の端部を下層側の容量電極の側方に向けて延在させると、上層側の容量電極と下層側の容量電極とが短絡するおそれがある。また、下層側の容量電極の端部、誘電体膜、および上層側の容量電極の端部の全てを半導体膜の側に向けて延在させても、半導体膜に向かう部分には誘電体膜が適正に成膜されないため、上層側の容量電極と下層側の容量電極とが短絡するおそれがある。それ故、短絡等の問題を回避しつつ、トランジスターと画素電極との間に設けた遮光膜によって半導体膜への光の入射を抑制することは困難であるという課題がある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、基板本体と、画素
電極と、前記基板本体と前記画素電極との間の層に半導体膜を備えたトランジスターと、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層で前記半導体膜と重なる第１容量電極、お
よび前記第１容量電極と前記画素電極との間の層で前記第１容量電極と誘電体膜を介して
重なる第２容量電極を備えた容量素子と、前記第１容量電極の側面および前記誘電体膜の
側面を覆う側壁状の絶縁膜と、前記トランジスターと前記容量素子との間の層に設けられ
、前記容量素子および前記絶縁膜と重ならない領域に凹部を有する第１層間絶縁膜と、前
記第２容量電極と前記画素電極との間の層で前記第２容量電極と重なる第１部分と、前記
第１部分の端部から前記第２容量電極の側面および前記絶縁膜の側面に沿って前記半導体
膜の側に向けて前記凹部の底部と接する位置まで突出した第２部分と、を備え、前記第１
部分が前記第２容量電極と電気的に接続された遮光膜と、を有することを特徴とする。

本発明を適用した電気光学装置は各種電子機器に用いられる。本発明において、電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。

本発明の実施形態１に係る電気光学装置の平面図。 図１に示す電気光学装置の断面図。 図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。 図３に示す画素の１つを拡大して示す平面図。 図４のＡ１－Ａ１′断面図。 図４のＢ１－Ｂ１′断面図。 図４のＣ１－Ｃ１′断面図。 図４に示す走査線、半導体膜、ゲート電極等の平面図。 図４に示す第１容量電極および第２容量電極等の平面図。 図４に示すデータ線および容量線等の平面図。 図８に示すコンタクトホール周辺を拡大して示す平面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の説明図。 図１２のＡ２－Ａ２′断面図。 図１２のＢ２－Ｂ２′断面図。 図１２のＣ２－Ｃ２′断面図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１０に形成した各層を説明する際、上層側あるいは表面側とは基板本体１９が位置する側とは反対側（第２基板２０が位置する側）を意味し、下層側とは基板本体１９が位置する側を意味する。また、第１基板１０の面内方向で交差する２方向のうち、走査線３ａが延在する方向を第１方向Ｘとし、データ線６ａが延在する方向を第２方向Ｙとする。また、第２方向Ｙに沿う方向の一方側を第２方向Ｙの一方側Ｙ１とし、第２方向Ｙに沿う方向の他方側を第２方向Ｙの他方側Ｙ２とし、第１方向Ｘに沿う方向の一方側を第１方向Ｘの一方側Ｘ１とし、第１方向Ｘに沿う方向の他方側を第１方向Ｘの他方側Ｘ２とする。

［実施形態１］
１．電気光学装置１００の構成
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と、第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。

第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる基板本体１９を備えている。基板本体１９の第２基板２０側の一方面１９ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が設けられ、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が設けられている。図示を省略するが、端子１０２には、フレキシブル配線基板が接続され、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

基板本体１９の一方面１９ｓの側において、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。

第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる基板本体２９を備えている。基板本体２９において第１基板１０と対向する一方面２９ｓの側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。第２基板２０には、基板本体２９と共通電極２１との間に樹脂、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層２７が形成され、遮光層２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２８が形成されている。遮光層２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光層２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域にブラックマトリクスを構成する遮光層２７ｂとしても形成されている。第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なる領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。なお、第２基板２０において画素電極９ａと対向する位置にレンズが設けられることがあり、この場合、遮光層２７ｂが形成されないことが多い。

第１配向膜１６および第２配向膜２６は、例えば、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加される。

電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から電気光学層８０に入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本実施形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。

２．画素の概略構成
図３は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、図３に示す画素の１つを拡大して示す平面図であり、図４には、トランジスター３０付近を拡大して示してある。図５は、図４のＡ１－Ａ１′断面図である。図６は、図４のＢ１－Ｂ１′断面図である。図７は、図４のＣ１－Ｃ１′断面図である。なお、図３、図４、および後述する図８～図１０では、各層を以下の線で表してある。また、図３、図４、および後述する図８～図１０では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、コンタクトホール４１ｇを右上がりの斜線を付した領域で示してある。
走査線３ａ＝太い一点鎖線
半導体膜３１ａ＝細くて短い破線
ゲート電極８ａ＝細い実線
第１容量電極４ａ＝細くて長い破線
第２容量電極５ａ＝細い一点鎖線
遮光膜２ａ＝太い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃ＝太くて長い破線
容量線７ａおよび中継電極７ｂ＝太い二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて短い破線

図３および図４に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する面には、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿って走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａが延在している。データ線６ａは、画素間領域において第２方向Ｙに延在し、走査線３ａは、画素間領域において第１方向Ｘに延在している。容量線７ａは、画素間領域において第２方向Ｙおよび第１方向Ｘに沿って延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されている。ここで、走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａは、遮光性を有している。従って、走査線３ａ、データ線６ａ、容量線７ａ、およびこれらの配線と同層の電極が形成された領域は、光が通過しない遮光領域１８であり、遮光領域１８で囲まれた領域は、光が透過する開口領域１７である。

図５、図６および図７に示すように、第１基板１０は、基板本体１９と画素電極９ａとの間の層に半導体膜３１ａを備えたトランジスター３０と、トランジスターと画素電極９ａとの間の層に設けられた第１層間絶縁膜４２と、容量素子５５とを備えており、容量素子５５は、第１層間絶縁膜４２と画素電極９ａとの間の層で半導体膜３１ａと重なる第１容量電極４ａと、第１容量電極４ａと画素電極９ａとの間の層で第１容量電極４ａと誘電体膜４０を介して重なる第２容量電極５ａとを備えている。第１基板１０において、走査線３ａは、基板本体１９と半導体膜３１ａとの間の層で第１方向Ｘに延在しており、データ線６ａは、第２容量電極５ａと画素電極９ａとの間の層で第２方向Ｙに延在している。また、基板本体１９と画素電極９ａとの間には、層間絶縁膜４１、第１層間絶縁膜４２、第２層間絶縁膜４３、および層間絶縁膜４４、４５が順に積層されている。第１層間絶縁膜４２、第２層間絶縁膜４３、および層間絶縁膜４１、４４、４５は各々、酸化シリコン等の透光性の絶縁膜からなる。本形態において、第２層間絶縁膜４３、および層間絶縁膜４４、４５は、画素電極９ａ側の面が化学的機械研磨等によって連続した平面になっている。

３．各層の詳細説明
図５、図６および図７を参照するとともに、以下の図８～図１０を適宜、参照して、第１基板１０の詳細構成を説明する。図８は、図４に示す走査線３ａ、半導体膜３１ａ、ゲート電極８ａ等の平面図である。図９は、図４に示す第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａ等の平面図である。図１０は、図４に示すデータ線６ａおよび容量線７ａ等の平面図である。なお、図８～図１０には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体膜３１ａおよび画素電極９ａを示してある。

まず、図５、図６および図７に示すように、第１基板１０において、基板本体１９と層間絶縁膜４１との間には、第１方向Ｘに沿って延在する走査線３ａが形成されている。走査線３ａは、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、タングステン、窒化チタン等からなる。

層間絶縁膜４１と第１層間絶縁膜４２との間には、画素スイッチング用のトランジスター３０が構成されている。トランジスター３０は、層間絶縁膜４１の基板本体１９とは反対側の面に形成された半導体膜３１ａと、半導体膜３１ａの画素電極９ａ側に積層されたゲート絶縁膜３２と、ゲート絶縁膜３２の画素電極９ａ側で半導体膜３１ａと平面視で重なるゲート電極８ａとを備えている。半導体膜３１ａは、ポリシリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁膜３２は、半導体膜３１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁膜３２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁膜３２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極８ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜、あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。

層間絶縁膜４１には、走査線３ａとトランジスター３０のゲート電極８ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール４１ｇが設けられている。かかるコンタクトホール４１ｇの詳細な構成は、図１１を参照して後述する。

図８に示すように、走査線３ａは、同一の幅寸法をもって第１方向Ｘに沿って直線的に延在している。半導体膜３１ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部分から第１方向Ｘの他方側Ｘ２に延在しており、走査線３ａと平面視で重なっている。半導体膜３１ａは、ゲート電極８ａと平面視で重なる部分がチャネル領域３１ｃになっている。本形態において、トランジスター３０はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有している。従って、半導体膜３１ａにおいて、チャネル領域３１ｃに対してデータ線６ａが位置する第１方向Ｘの一方側Ｘ１のデータ線側ソースドレイン領域３１ｓは、チャネル領域３１ｃから離間する第１領域３１ｔと、第１領域３１ｔとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第１低濃度領域３１ｕとを有しており、第１低濃度領域３１ｕは、第１領域３１ｔより不純物濃度が低い。また、半導体膜３１ａにおいて、チャネル領域３１ｃに対してデータ線６ａと反対側の第１方向Ｘの他方側Ｘ２の画素電極側ソースドレイン領域３１ｄは、チャネル領域３１ｃから離間する第２領域３１ｅと、第２領域３１ｅとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第２低濃度領域３１ｆとを有しており、第２低濃度領域３１ｆは、第２領域３１ｅより不純物濃度が低い。

ゲート電極８ａは、ゲート絶縁膜３２を介して半導体膜３１ａと平面視で重なるように第２方向Ｙに延在する第１電極部８ａ０と、半導体膜３１ａの第２方向Ｙの両側で第１電極部８ａ０の第２方向Ｙの両側の端部から半導体膜３１ａに沿って第１方向Ｘに延在する第２電極部８ａ１、８ａ２とを有しており、第２電極部８ａ１、８ａ２は、半導体膜３１ａと平面視で重なっていない。

再び図５、図６および図７において、トランジスター３０の上層側において、第１層間絶縁膜４２と第２層間絶縁膜４３との間には、第１容量電極４ａ、誘電体膜４０および第２容量電極５ａが順に積層された容量素子５５が設けられている。容量素子５５は、第１基板１０の画素電極９ａと第２基板２０の共通電極２１との間に構成された液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐ保持容量である。第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜、あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜である。

図９に示すように、第１容量電極４ａは、走査線３ａおよび半導体膜３１ａと平面視で重なるように第１方向Ｘに延在する本体部分４ａ１と、本体部分４ａ１からデータ線６ａと平面視で重なるように突出した突出部４ａ２とを有しており、本体部分４ａ１の端部は、第１層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ａを介して半導体膜３１ａの第２領域３１ｅに電気的に接続されている。第１容量電極４ａは、半導体膜３１ａのうち、データ線６ａと重なる端部と平面視で重ならないように切り欠き４ａ３が形成されている。

第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａの本体部分５ａ１と平面視で重なる本体部分５ａ１と、第１容量電極４ａの突出部４ａ２と平面視で重なる突出部５ａ２とを有している。従って、容量素子５５は、半導体膜３１ａと重なるように第１方向Ｘに延在する第１素子部５５１と、第１素子部５５１とデータ線６ａとの交差部分からデータ線６ａと重なるように第２方向Ｙに延在する第２素子部５５２とを有する。また、第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａと同様、半導体膜３１ａのうち、データ線６ａと重なる端部と平面視で重ならないように切り欠き４ａ３が形成されている。また、第２容量電極５ａの本体部分５ａ１の第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部には、第１容量電極４ａの本体部分４ａ１の端部と重ならないように切り欠き５ａ４が形成されている。

再び図５、図６および図７において、第２層間絶縁膜４３の上層側には層間絶縁膜４４、４５が形成されている。第２層間絶縁膜４３と層間絶縁膜４４の層間にはデータ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃが設けられている。データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは同一の導電膜からなる。データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃはいずれも、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。例えば、データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは、チタン層／窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造や、窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造からなる。

第１層間絶縁膜４２および第２層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ａが設けられており、コンタクトホール４３ａは、ゲート絶縁膜３２、第１層間絶縁膜４２および第２層間絶縁膜４３を貫通している。データ線６ａは、コンタクトホール４３ａを介して第１領域３１ｔに電気的に接続されている。コンタクトホール４３ａは、図９を参照して説明した第１容量電極４ａの切り欠き４ａ３、および第２容量電極５ａの切り欠き５ａ３に相当する部分に形成される。従って、コンタクトホール４３ａと容量素子５５とを離間させることができる。第２層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ｂが設けられており、コンタクトホール４３ｂは、第２層間絶縁膜４３を貫通している。中継電極６ｂは、コンタクトホール４３ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。コンタクトホール４３ｂは、図９を参照して説明した第２容量電極５ａの切り欠き５ａ４に相当する部分に形成される。第２層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ｃが設けられており、中継電極６ｃは、コンタクトホール４３ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。中継電極６ｃは、半導体膜３１ａの少なくとも第１低濃度領域３１ｕから第２低濃度領域３１ｆまでを画素電極９ａの側から覆っている。

本形態では、後述するように、第１基板１０は、第２容量電極５ａの画素電極９ａの側の面に重なる第１部分２ａ１を備えた導電性の遮光膜２ａを有している。また、中継電極６ｃは、コンタクトホール４３ｃを介して遮光膜２ａに電気的に接続されており、遮光膜２ａを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。遮光膜２ａは、さらに遮光性を高めるための第２部分２ａ２を備える。

層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５の層間には容量線７ａ、および中継電極７ｂが設けられている。容量線７ａ、および中継電極７ｂは同一の導電膜からなる。容量線７ａ、および中継電極７ｂはいずれも、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。例えば、容量線７ａ、および中継電極７ｂは、チタン層／窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造や、窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造からなる。

層間絶縁膜４４にはコンタクトホール４４ｃが設けられており、容量線７ａは、コンタクトホール４４ｃを介して中継電極６ｃに電気的に接続されている。従って、容量線７ａは、中継電極６ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されており、第２容量電極５ａには、容量線７ａから共通電位等の定電位が印加される。層間絶縁膜４４にはコンタクトホール４４ｂが設けられており、中継電極７ｂは、コンタクトホール４４ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。

層間絶縁膜４５には、コンタクトホール４５ａが設けられており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、６ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。ここで、第１容量電極４ａは、コンタクトホール４２ａを介して第２領域３１ｅに電気的に接続していることから、画素電極９ａは、第１容量電極４ａを介して第２領域３１ｅに電気的に接続されている。

４．コンタクトホール４１ｇ周辺の構成
図１１は、図８に示すコンタクトホール４１ｇ周辺を拡大して示す平面図である。ゲート電極８ａは、ポリシリコン膜８１ａと遮光層８２ａとを積層して構成されている。図１１では、ポリシリコン膜８１ａに右下がりの斜線を付し、遮光層８２ａに右上がりの斜線を付してある。従って、右下がりの斜線、および右上がりの斜線が付された領域は、ポリシリコン膜８１ａと遮光層８２ａとが積層されていることを示す。

図１１に示すように、コンタクトホール４１ｇは、半導体膜３１ａの両側で第１方向Ｘに沿って延在しており、ゲート電極８ａおよび走査線３ａの双方と平面視で重なっている。従って、ゲート電極８ａは、コンタクトホール４１ｇを介して走査線３ａに電気的に接続されているので、走査線３ａから走査信号が印加される。

コンタクトホール４１ｇは、少なくとも、第２低濃度領域３１ｆに沿って設けられている。本形態において、コンタクトホール４１ｇは、少なくとも、第１低濃度領域３１ｕの両側からチャネル領域３１ｃの両側を通って、第２低濃度領域３１ｆの両側まで延在している。

本形態において、ゲート電極８ａは、半導体膜３１ａと交差するように第２方向Ｙに延在した導電性のポリシリコン膜８１ａと、ポリシリコン膜８１ａを覆う遮光層８２ａとを積層することによって構成されている。遮光層８２ａは、ポリシリコン膜８１ａより遮光性が高い材料からなる。例えば、遮光層８２ａは、タングステンシリサイド等の遮光性の導電膜からなる。

遮光層８２ａは、ポリシリコン膜８１ａより広い範囲にわたって形成されており、ポリシリコン膜８１ａの全体を覆っている。従って、ゲート電極８ａにおいてポリシリコン膜８１ａが形成されている領域では、ポリシリコン膜８１ａと遮光層８２ａの２層構造になっており、ゲート電極８ａにおいてポリシリコン膜８１ａが形成されていない領域では、遮光層８２ａの単層構造になっている。例えば、ゲート電極８ａにおいて、コンタクトホール４１ｇの内部にはポリシリコン膜８１ａが形成されておらず、遮光層８２ａの単層構造になっている。従って、遮光層８２ａは、コンタクトホール４１ｇの側面全体に沿って設けられている。これに対して、ゲート電極８ａにおいて第２方向Ｙに延在する第１電極部８ａ０のうち、コンタクトホール４１ｇの外側の部分では、ポリシリコン膜８１ａと遮光層８２ａとの２層構造になっている。

かかる構成は、以下の工程によって実現される。まず、走査線３ａ、層間絶縁膜４１、半導体膜３１ａ、およびゲート絶縁膜３２を形成する。次に、導電性のポリシリコン膜を形成した後、ポリシリコン膜をパターニングし、半導体膜３１ａに対して交差する第２方向Ｙに延在するポリシリコン膜８１ａを形成する。

次に、エッチングマスクを形成した状態で、ポリシリコン膜８１ａおよび層間絶縁膜４１をエッチングし、コンタクトホール４１ｇを形成する。従って、コンタクトホール４１ｇの内部には、ポリシリコン膜８１ａが存在しない。次に、遮光膜を形成した後、図１０に示すように、遮光膜をパターニングし、遮光層８２ａを形成する。

５．遮光膜２ａによる遮光
図５、図６、図７および図９に示すように、第１基板１０には、第２容量電極５ａの第１素子部５５１と画素電極９ａとの間の層において、第２容量電極５ａと第２層間絶縁膜４３との間には、第２容量電極５ａと重なる第１部分２ａ１を備えた導電性の遮光膜２ａが設けられている。遮光膜２ａは、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。

本形態において、遮光膜２ａは、第２容量電極５ａと重なる第１部分２ａ１の端部から、少なくとも第１容量電極４ａと離間し、第２容量電極５ａおよび第１容量電極４ａの側面に沿って、半導体膜３１ａの側へ突出した第２部分２ａ２を備えている。図７に示すように、少なくとも、遮光膜２ａは、第１部分２ａ１の第２方向Ｙの端部から、第２容量電極５ａおよび第１容量電極４ａの側方を通って半導体膜３１ａの幅方向の両側に向けて突出した第２部分２ａ２を備えている。

第１部分２ａ１は、第２容量電極５ａの画素電極９ａ側の面に積層されており、第２容量電極５ａと電気的に接続されている。ここで、第１基板１０には、第１容量電極４ａの側面を覆う絶縁膜４７が設けられており、第２部分２ａ２は、絶縁膜４７に第１容量電極４ａとは反対側から重なっている。本形態において、絶縁膜４７は、第２容量電極５ａと平面視で重ならずに、第１層間絶縁膜４２と第２層間絶縁膜４３との間で第１容量電極４ａの側面および誘電体膜４０の側面を覆う側壁であり、第２部分２ａ２は、絶縁膜４７に第１容量電極４ａとは反対側から重なっている。また、第２部分２ａ２の端部は、第１容量電極４ａの半導体膜３１ａ側の面４ａ０より半導体膜３１ａの側に向けて突出している。

かかる構造の電気光学装置１００の製造工程では、第１層間絶縁膜４２の画素電極９ａ側の面に第１容量電極４ａ、誘電体膜４０および第２容量電極５ａを成膜した後、一括してパターニングし、容量素子５５を形成する。次に、絶縁膜４７を形成した後、絶縁膜４７に対して異方性エッチングを行い、第１層間絶縁膜４２および第２容量電極５ａと重なる絶縁膜４７を除去する。さらに、絶縁膜４７に異方性エッチングを行い、第２容量電極５ａの側面を露出させる。かかるエッチングの際、第１層間絶縁膜４２はエッチングストッパとして作用する。その結果、図７に示すように、絶縁膜４７は、第２容量電極５ａの側面を露出させる一方、第１容量電極４ａの側面および誘電体膜４０の側面を覆う側壁として残る。

また、第１層間絶縁膜４２の画素電極９ａ側の面において、絶縁膜４７および容量素子５５から露出する領域は、絶縁膜４７および容量素子５５と重なる領域より半導体膜３１ａの側に凹んだ凹部４２ｃとなる。それ故、遮光膜を成膜した後、遮光膜をパターニングして、遮光膜２ａを形成すると、遮光膜２ａには、凹部４２ｃの底部と接する位置まで第１容量電極４ａの半導体膜３１ａ側の面４ａ０より半導体膜３１ａの側に向けて突出した第２部分２ａ２が形成される。また、第２部分２ａ２が第１容量電極４ａの半導体膜３１ａ側の面４ａ０より半導体膜３１ａの側に向けて突出した寸法ｄ１は、凹部４２ｃの深さと等しい。従って、寸法ｄ１は、第２容量電極５ａが絶縁膜４７から画素電極９ａの側に突出した部分の厚さｄ２と等しい寸法、あるいは第２容量電極５ａが絶縁膜４７から画素電極９ａの側に突出した部分の厚さｄ２より大きい寸法となる。

また、図４から分かるように、遮光膜２ａの第２方向Ｙにおける幅は、第１素子部５５１の第２方向Ｙにおける幅より広く、走査線３ａの第２方向Ｙにおける幅より狭い。

なお、上記の工程の途中あるいは上記の工程の後、第１容量電極４ａのうち、コンタクトホール４３ｂを形成すべき位置から誘電体膜４０および第２容量電極５ａをエッチングにより除去する。

６．本形態の主な効果
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置１００において、第１基板１０には、第２容量電極５ａと画素電極９ａとの間の層において、第２容量電極５ａと第２層間絶縁膜４３との間には導電性の遮光膜２ａが設けられている。遮光膜２ａは、第１部分２ａ１の第２方向Ｙの端部から第１容量電極４ａの側方を通って半導体膜３１ａの幅方向の両側に向けて突出した第２部分２ａ２を備えている。このため、第２基板２０の側から第１基板１０に入射した光のうち、ゲート電極８ａと容量素子５５との間を通って半導体膜３１ａに向かおうとする光を遮光膜２ａの第２部分２ａ２で遮ることができる。従って、半導体膜３１ａへの光の入射が抑制される。特に第２部分２ａ２は、第１容量電極４ａの半導体膜３１ａ側の面４ａ０より半導体膜３１ａの側に向けて突出しているため、半導体膜３１ａへの光の入射をより抑制することができる。

また、遮光膜２ａは、第２容量電極５ａと異なる膜であるため、第１容量電極４ａと第２容量電極５ａとの短絡を発生させない構造を採用することができる。より具体的には、遮光膜２ａは第２容量電極５ａと電気的に接続されているが、遮光膜２ａと第１容量電極４ａとの間に側壁状の絶縁膜４７が介在している。従って、遮光膜２ａを設けても、第１容量電極４ａと第２容量電極５ａとの短絡を発生させない。

また、遮光膜２ａの第２方向Ｙにおける幅は、第１素子部５５１の第２方向Ｙにおける幅より広く、走査線３ａの第２方向Ｙにおける幅より狭いため、遮光膜２ａを形成しても、画素開口率を低下させることがない。

さらに、第２基板２０の側から入射した光は、半導体膜３１ａに対して第２基板２０の側に設けられたデータ線６ａ、中継電極６ｃ、容量線７ａ等によって遮られるため、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。また、第１基板１０の側から出射した光が再び、第１基板１０の側から入射した場合でも、半導体膜３１ａに対して基板本体１９の側に設けられた走査線３ａによって遮られるため、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。また、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光は、ゲート電極８ａと走査線３ａとを電気的に接続するコンタクトホール４１ｇの内部の遮光層８２ａからなる遮光性の導電膜によって遮られるため、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。特に本形態では、チャネル領域３１ｃと第２領域３１ｅとの間に第２低濃度領域３１ｆを設けることによって、トランジスター３０のオフリーク電流を低減しており、コンタクトホール４１ｇは、少なくとも第２低濃度領域３１ｆに沿って設けられている。このため、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙから第２低濃度領域３１ｆに向けて進行する光をコンタクトホール４１ｇの内部のゲート電極８ａによって遮ることができる。従って、第２低濃度領域３１ｆへの光の入射を効率よく抑制している。それ故、トランジスター３０は、ＬＤＤ構造による特性を十分に発揮することができる。

また、ゲート電極８ａは、導電性のポリシリコン膜８１ａと遮光層８２ａとを含み、遮光層８２ａがコンタクトホール４１ｇの側面に沿って設けられている。このため、ゲート電極８ａの遮光性が高い。

［実施形態２］
図１２は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の説明図である。図１２には、トランジスター３０付近を拡大して示す平面図を示してある。図１３は、図１２のＡ２－Ａ２′断面図である。図１４は、図１２のＢ２－Ｂ２′断面図である。図１５は、図１２のＣ２－Ｃ２′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図１２～図１５に示すように、本形態でも、実施形態１と同様、トランジスター３０の上層側において、第１層間絶縁膜４２と第２層間絶縁膜４３との間には、第１容量電極４ａ、誘電体膜４０および第２容量電極５ａを有する容量素子５５が設けられており、容量素子５５の第１素子部５５１は、半導体膜３１ａに平面視で重なっている。第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜である。

第１基板１０には、第２容量電極５ａの第１素子部５５１と画素電極９ａとの間の層に、第２容量電極５ａと平面視で重なる第１部分６ｃ１を備えた導電性の遮光膜が設けられている。本形態において、遮光膜は、データ線６ａと同一の層によって構成された遮光性の中継電極６ｃであり、中継電極６ｃは、容量線７ａに電気的に接続されている。第２容量電極５ａと中継電極６ｃとの間には、第２層間絶縁膜４３が形成されており、中継電極６ｃは、第２層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。

図１５に示すように、中継電極６ｃは、第１部分６ｃ１の第２方向Ｙの端部から、第２容量電極５ａの側方を通って半導体膜３１ａの側に向けて突出した第２部分６ｃ２を備えている。本形態において、第２部分６ｃ２は、第２容量電極５ａの側方を通って半導体膜３１ａの幅方向の両側に向けて突出している。ここで、第２部分６ｃ２の端部は、第２容量電極５ａの半導体膜３１ａ側の面５ａ０より半導体膜３１ａの側に向けて突出している。また、第１基板１０には、第１容量電極４ａの側面を覆う絶縁膜が設けられており、第２部分６ｃ２は、絶縁膜に第１容量電極４ａとは反対側から重なっている。本形態において、絶縁膜は第２層間絶縁膜４３である。第２層間絶縁膜４３は、第２容量電極５ａと中継電極６ｃとの間から第１容量電極４ａの側面を覆うように略一定の厚さで延在しており、第２部分６ｃ２は、第２層間絶縁膜４３に第１容量電極４ａとは反対側から重なっている。

かかる構造の電気光学装置１００の製造工程では、第１層間絶縁膜４２の画素電極９ａ側の面に第１容量電極４ａ、誘電体膜４０および第２容量電極５ａを成膜した後、一括してパターニングし、容量素子５５を形成する。また、第１容量電極４ａのうち、コンタクトホール４３ｂを形成すべき位置から誘電体膜４０および第２容量電極５ａをエッチングにより除去する。

次に、第２層間絶縁膜４３を形成した後、第２層間絶縁膜４３にコンタクトホール４３ｃ等を形成する。次に、遮光性の導電膜を成膜した後、遮光性の導電膜をパターニングして、中継電極６ｃを形成する。その際、データ線６ａおよび中継電極６ｂを同時に形成する。本形態において、中継電極６ｃの第２方向Ｙにおける幅は、第１素子部５５１の第２方向Ｙにおける幅より広く、走査線３ａの第２方向Ｙにおける幅より狭い。

このように構成した電気光学装置１００においても、第１基板１０には、第２容量電極５ａと画素電極９ａとの間の層において、遮光膜としての中継電極６ｃは、第１部分６ｃ１の第２方向Ｙの端部から第２容量電極５ａの側方を通って半導体膜３１ａの幅方向の両側に向けて突出した第２部分６ｃ２を備えている。このため、第２基板２０の側から第１基板１０に入射した光のうち、ゲート電極８ａと容量素子５５との間を通って半導体膜３１ａに向かおうとする光を中継電極６ｃの第２部分６ｃ２で遮ることができる。従って、半導体膜３１ａへの光の入射が抑制される。

［他の実施形態］
上記実施形態では、半導体膜３１ａが走査線３ａと平面視で重なるよう延在していたが、半導体膜３１ａがデータ線６ａと平面視で重なるよう延在している場合に本発明を適用してもよい。

上記実施形態では、データ線６ａ、中継電極６ｃおよび容量線７ａによって、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成したが、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａのうちの少なくとも一方を遮光性電極とし、かかる遮光性電極によって、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成してもよい。

上記実施形態では、第２基板２０の側から光源光が入射する電気光学装置１００を例に説明したが、第１基板１０の側から光源光が入射する電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、電気光学装置１００が透過型液晶装置の場合を例示したが、電気光学装置１００が反射型液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。また、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセッス表示装置である場合に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図１６は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図１６には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図１６に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット等からなる光源部２１０２が設けられている。光源部２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射光学系２１１４によってカラー画像が投射される。

［他の投射型表示装置］
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

［他の電子機器］
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のヘッドアップディスプレイ、直視型のヘッドマウントディスプレイ、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

２ａ…遮光膜、３ａ…走査線、４ａ…第１容量電極、５ａ…第２容量電極、６ａ…データ線、７ａ…容量線、８ａ…ゲート電極、８ａ０…第１電極部、８ａ１、８ａ２…第２電極部、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１６…第１配向膜、１７…開口領域、１８…遮光領域、１９…基板本体、２０…第２基板、２１…共通電極、２６…第２配向膜、３０…トランジスター、３１ａ…半導体膜、３１ｃ…チャネル領域、３１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、３１ｅ…第２領域、３１ｆ…第２低濃度領域、３１ｓ…画素電極側ソースドレイン領域、３１ｔ…第１領域、３１ｕ…第１低濃度領域、３２…ゲート絶縁膜、４０…誘電体膜、４１…層間絶縁膜、４１ｇ…コンタクトホール、４２…第１層間絶縁膜、４２ｃ…凹部、４３…第２層間絶縁膜、４７…絶縁膜、５５…容量素子、８０…電気光学層、８１ａ…ポリシリコン膜、８２ａ…遮光層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、５５１…第１素子部、５５２…第２素子部、２１００…投射型表示装置、２１０２…光源部、２１１４…投射光学系、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向

Claims (10)

1. 基板本体と、
   画素電極と、
   前記基板本体と前記画素電極との間の層に半導体膜を備えたトランジスターと、
   前記トランジスターと前記画素電極との間の層で前記半導体膜と重なる第１容量電極、
   および前記第１容量電極と前記画素電極との間の層で前記第１容量電極と誘電体膜を介し
   て重なる第２容量電極を備えた容量素子と、
   前記第１容量電極の側面および前記誘電体膜の側面を覆う側壁状の絶縁膜と、
   前記トランジスターと前記容量素子との間の層に設けられ、前記容量素子および前記絶
   縁膜と重ならない領域に凹部を有する第１層間絶縁膜と、
   前記第２容量電極と前記画素電極との間の層で前記第２容量電極と重なる第１部分と、
   前記第１部分の端部から前記第２容量電極の側面および前記絶縁膜の側面に沿って前記半
   導体膜の側に向けて前記凹部の底部と接する位置まで突出した第２部分と、を備え、前記
   第１部分が前記第２容量電極と電気的に接続された遮光膜と、
   を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記第２部分は、前記半導体膜の幅方向の両側に向けて突出することを特徴とする電気
   光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
   前記第２部分は、前記絶縁膜に前記第１容量電極とは反対側から重なっていることを特
   徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   前記絶縁膜は、前記第２容量電極と平面視で重ならないように設けられており、
   前記第１部分は、前記第２容量電極に積層されていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記第２部分が前記第１容量電極の前記半導体膜側の面より前記半導体膜の側に向けて
   突出した寸法は、前記第２容量電極が前記絶縁膜から前記画素電極の側に突出した部分の
   厚さと等しい寸法、あるいは前記第２容量電極が前記絶縁膜から前記画素電極の側に突出
   した部分より大きい寸法であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記基板本体と前記半導体膜との間の層で第１方向に延在する走査線と、
   前記第２容量電極と前記画素電極との間の層で前記第１方向と交差する第２方向に延在
   するデータ線と、
   を備え、
   前記半導体膜は、前記走査線と重なるように前記第１方向に延在し、
   前記容量素子は、前記半導体膜の前記第２方向の両側に向けて前記第２部分が突出した
   第１素子部を有することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置において、
   前記遮光膜の前記第２方向における幅は、前記第１素子部の前記第２方向における幅よ
   り広く、前記走査線の前記第２方向における幅より狭いことを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項７に記載の電気光学装置において、
   前記容量素子は、前記第１素子部と前記データ線とが重なる部分から前記第２方向に延
   在する第２素子部を有することを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項６から８までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記半導体膜の前記第２方向の側方には、前記トランジスターのゲート電極と前記走査
   線とを電気的に接続する遮光性の導電膜を内部に備えたコンタクトホールが設けられてい
   ることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項１から９までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子
    機器。