JP2020095077A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】ゲート電極と遮光層とに接続するコンタクト部の間からトランジスターの画素電極側ソース・ドレイン領域に光が入射することを抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置の第１基板には、第１基板とトランジスター３０との間に第１遮光層としての走査線３ａが設けられている。トランジスター３０の画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄへの入射は、トランジスター３０のゲート電極３３ａと走査線３ａとを電気的に接続するコンタクト部１１によって抑制される。コンタクト部１１は、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄを囲むように延在している。コンタクト部１１は、チャネル領域３１ｇが位置する部分には形成できないが、コンタクト部１１は、チャネル領域３１ｇに向けて突出した突出部１１２、１１３を有している。【選択図】図８

Description

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関するものである。

液晶装置等の電気光学装置において、トランジスターの画素電極側ソース・ドレイン領域に光が入射すると、光電流が原因でトランジスター特性が低下するという問題がある。そこで、基板とトランジスターとの間に走査線を設け、画素電極側ソース・ドレイン領域の両側で延在するコンタクト部によって、トランジスターのゲート電極と走査線とを電気的に接続した構成が提案されている（特許文献１、２参照）

特開２００９−６３９５７号公報 特開２００９−６３９５８号公報

しかしながら、特許文献１、２に記載の構成では、画素電極側ソース・ドレイン領域の両側２箇所のみでコンタクト部が延在している。このため、コンタクト部を利用して画素電極側ソース・ドレイン領域への光の入射を抑制しようとしても、２箇所のコンタクト部の間から画素電極側ソース・ドレイン領域に光が入射するという課題がある。

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、基板と、ゲート電極および半導体層を有するトランジスターと、前記基板と前記トランジスターとの間に設けられた第１遮光層と、を備え、前記ゲート電極と前記第１遮光層とを電気的に接続するコンタクト部は、前記半導体層の画素電極側ソース・ドレイン領域に沿って延在するとともに、前記半導体層に向けて突出した突出部を有することを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。本発明では、電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。

本発明の実施形態１に係る電気光学装置の一態様を示す平面図。 図１に示す電気光学装置の断面図。 図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。 図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。 図４に示すトランジスター周辺を拡大して示す平面図。 図５に示すトランジスター周辺のＥ−Ｅ′断面図。 図５に示すトランジスター周辺のＦ−Ｆ′断面図。 図５に示す走査線、半導体層、ゲート電極、およびコンタクト部等の平面図。 図８に示すゲート電極とコンタクト部との平面的な位置関係を示す説明図。 図５に示す第１容量電極、および第２容量電極等の平面図。 図５に示すデータ線等の平面図。 図５に示す容量線等の平面図。 図５に示すトランジスター周辺のＧ−Ｇ′断面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の説明図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１９の面内方向で、互いに交差する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向として説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは基板が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは基板が位置する側を意味する。

［実施形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の一態様を示す平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１９を備えた素子基板１０と、第２基板を備えた対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、素子基板１０と対向基板２０とが対向している。シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。

第１基板１９は、素子基板１０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。第１基板１９の第２基板２９側の一方面１９ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１９の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成され、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１９には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

第１基板１９の一方面１９ｓにおいて、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続するトランジスター（図１および図２には図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２９側には第１配向膜１８が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１８によって覆われている。

第２基板２９は、対向基板２０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。第２基板２９において第１基板１９と対向する一方面２９ｓ側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１９側には第２配向膜２８が形成されている。共通電極２１は、第２基板２９の略全面に形成されており、第２配向膜２８によって覆われている。第２基板２９の一方面２９ｓ側には、共通電極２１に対して第１基板１９とは反対側に、樹脂、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層２７が形成され、遮光層２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２６が形成されている。遮光層２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光層２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光層２７ｂ（ブラックマトリクス）として形成される場合もある。第１基板１９の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なるダミー画素領域１０ｃには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｄが形成されている。

第１配向膜１８および第２配向膜２８は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１９および第２基板２９に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第１基板１９には、シール材１０７より外側において第２基板２９の角部分と重なる領域に、第１基板１９と第２基板２９との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２９の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１９側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１９の側から共通電位が印加されている。

本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１９および第２基板２９のうち、一方の基板から電気光学層８０に入射した光が他方の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２９から入射した光が第１基板１９を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。

（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図１および図２等を参照して説明した第１基板１９では、表示領域１０ａの内側に、Ｘ軸方向に延在する複数の走査線３ａと、Ｙ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとが形成されており、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して複数の画素１００ａが構成されている。複数の走査線３ａは、走査線駆動回路１０４に電気的に接続され、複数のデータ線６ａは、データ線駆動回路１０１に接続されている。また、複数のデータ線６ａには、Ｙ軸方向においてデータ線駆動回路１０１とは反対側で検査回路１０５が電気的に接続している。

複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素スイッチング用のトランジスター３０、およびトランジスター３０に電気的に接続された画素電極９ａが形成されている。トランジスター３０の一方のソース・ドレイン領域（データ線側ソース・ドレイン領域）にはデータ線６ａが電気的に接続され、トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、トランジスター３０の他方のソース・ドレイン領域（画素電極側ソース・ドレイン領域）には、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。本形態では、走査線駆動回路１０４は、表示領域１０ａに対してＸ軸方向の一方側Ｘ１および他方側Ｘ２に走査線駆動回路１０４ｓ、１０４ｔとして構成されており、Ｘ軸方向の一方側Ｘ１の走査線駆動回路１０４ｓは、奇数番目の走査線３ａを駆動し、Ｘ軸方向の他方側Ｘ２の走査線駆動回路１０４ｔは、偶数番目の走査線３ａを駆動する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１および図２を参照して説明した第２基板２９の共通電極２１と電気光学層８０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１９には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線７ａが形成されており、容量線７ａには共通電位が供給されている。図３では、１本の容量線７ａがＸ軸方向に延在するように示されているが、容量線７ａは、Ｙ軸方向に延在する構成が採用される他、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の双方に延在する構成が採用される場合もある。

（画素１００ａの概略構成）
図４は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素１００ａの平面図である。図５は、図４に示すトランジスター３０周辺を拡大して示す平面図である。図６は、図５に示すトランジスター３０周辺のＥ−Ｅ′断面図であり、半導体層３１ａの延在方向に沿ってトランジスター３０等を切断した様子を模式的に示す断面図である。図７は、図５に示すトランジスター３０周辺のＦ−Ｆ′断面図であり、半導体層３１ａの延在方向と交差する方向に沿ってトランジスター３０等を切断した様子を模式的に示す断面図である。なお、図４、図５および後述する図９〜図１２では、各層を以下の線で表してある。また、図４、図５および後述する図９〜図１２では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
第１遮光層（走査線３ａ）＝太い実線
半導体層３１ａ＝細くて短い破線
ゲート電極３３ａ＝細い二点鎖線
第１容量電極４ａ＝細い実線
第２容量電極５ａ＝細い一点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｃ、６ｄ＝太くて長い破線
容量線７ａおよび中継電極７ｄ＝太い二点鎖線
画素電極９ａ＝極太の実線

図４および図５に示すように、第１基板１９には、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿って走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａが延在している。より具体的には、走査線３ａは、Ｘ軸方向に延在する第１画素間領域９ｂと重なってＸ軸方向に延在し、データ線６ａおよび容量線７ａは、Ｙ軸方向に延在する第２画素間領域９ｃと重なってＹ軸方向に延在している。データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されている。走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａは遮光性を有している。従って、走査線３ａ、データ線６ａ、容量線７ａ、およびこれらの配線と同層の導電膜が形成された領域は、光が通過しない遮光領域であり、遮光領域で囲まれた領域は、光が透過する開口領域である。

図６および図７に示すように、第１基板１９において、第１基板１９の一方面１９ｓ側には、層間絶縁層４１〜４６が順に形成されており、層間絶縁層４１、４３〜４６表面は、化学的機械研磨（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）等によって平面になっている。第１基板１９と層間絶縁層４１との間には第１遮光層としての走査線３ａが形成され、層間絶縁層４１と層間絶縁層４２との層間には半導体層３１ａおよびゲート電極３３ａが形成されている。層間絶縁層４２と層間絶縁層４４との層間には、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａを備えた蓄積容量素子５５が形成されている。層間絶縁層４４と層間絶縁層４５との層間にはデータ線６ａが形成され、層間絶縁層４５と層間絶縁層４６との層間には容量線７ａが形成されている。層間絶縁層４６の第１基板１９とは反対側の面には画素電極９ａおよび第１配向膜１８が順に形成されている。

従って、電気光学装置１００は、第１基板１９と、トランジスター３０と、第１基板１９とトランジスター３０との間に設けられた第１遮光層としての走査線３ａとを備えている。また、電気光学装置１００は、トランジスター３０に対して第１基板１９と反対側に、トランジスター３０の半導体層３１ａと重なる蓄積容量素子５５を備えている。

（各層の詳細説明）
図５、図６および図７を参照するとともに、以下の図８〜図１２を適宜、参照して、第１基板１９の詳細構成を説明する。図８は、図５に示す走査線３ａ、半導体層３１ａ、ゲート電極３３ａ、およびコンタクト部１１等の平面図である。図９は、図８に示すゲート電極３３ａとコンタクト部１１との平面的な位置関係を示す説明図である。図１０は、図５に示す第１容量電極４ａ、および第２容量電極５ａ等の平面図である。図１１は、図５に示すデータ線６ａ等の平面図である。図１２は、図５に示す容量線７ａ等の平面図である。なお、図８、１０、１１、１２には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体層３１ａ、および画素電極９ａを示してある。

まず、図８および図９に示すように、第１基板１９において、第１基板１９と層間絶縁層４１との間には、第１画素間領域９ｂと重なるようにＸ軸方向に延在する走査線３ａが形成されている。走査線３ａは、Ｘ軸方向に一定の幅で延在する延在部分３ａ１と、第１画素間領域９ｂと第２画素間領域９ｃとの交差と重なる領域で延在部分３ａ１からＹ軸方向に張り出した幅広部分３ａ２とを有している。走査線３ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。

層間絶縁層４１と層間絶縁層４２との間には、画素スイッチング用のトランジスター３０が構成されている。トランジスター３０は、層間絶縁層４１の第１基板１９とは反対側の面に形成された半導体層３１ａと、半導体層３１ａの第１基板１９とは反対側に積層されたゲート絶縁層３２と、ゲート絶縁層３２の第１基板１９とは反対側で半導体層３１ａに平面視で重なるゲート電極３３ａとを備えている。

半導体層３１ａは、第２画素間領域９ｃと重なるようにＹ軸方向に延在しており、ゲート電極３３ａと平面視で重なるチャネル領域３１ｇと、チャネル領域３１ｇに対してＹ軸方向の一方側Ｙ１で隣接する画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄと、チャネル領域３１ｇに対してＹ軸方向の他方側Ｙ２で隣接するデータ線側ソース・ドレイン領域３１ｓとを備えている。トランジスター３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ−Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有している。従って、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄは、チャネル領域３１ｇから離間する位置に高濃度の不純物が導入された高濃度不純物領域３１ｄ１と、チャネル領域３１ｇと高濃度不純物領域３１ｄ１との間で高濃度不純物領域３１ｄ１より不純物濃度が低い低濃度不純物領域３１ｄ２とを含んでいる。データ線側ソース・ドレイン領域３１ｓは、チャネル領域３１ｇから離間する位置に高濃度の不純物が導入された高濃度不純物領域３１ｓ１と、チャネル領域３１ｇと高濃度不純物領域３１ｓ１との間で高濃度不純物領域３１ｓ１より不純物濃度が低い低濃度不純物領域３１ｓ２とを含んでいる。

半導体層３１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されており、ゲート絶縁層３２は、半導体層３１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３３ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。

走査線３ａの幅広部分３ａ２は、ゲート電極３３ａ、チャネル領域３１ｇ、および画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄと平面視で重なっている。また、走査線３ａの幅広部分３ａ２とゲート電極３３ａとは、コンタクト部１１を介して接続されている。コンタクト部１１の詳細な構成は後述する。

図１０に示すように、層間絶縁層４２と層間絶縁層４４との間には、半導体層３１ａおよびゲート電極３３ａと平面視で重なる領域に、蓄積容量素子５５を構成する第１容量電極４ａ、および第２容量電極５ａが形成されており、第１容量電極４ａと第２容量電極５ａとの間には、誘電体層５５０が形成されている。蓄積容量素子５５は、遮光層の電極を備えている。本形態において、第１容量電極４ａ、および第２容量電極５ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。

本形態において、第１容量電極４ａは、層間絶縁層４２と層間絶縁層４３との間に設けられ、第２容量電極５ａは、層間絶縁層４３と層間絶縁層４４との間に設けられている。また、層間絶縁層４２と層間絶縁層４３との間には、中継電極４ｓが第１容量電極４ａと同一の導電膜によって形成されている。

第１容量電極４ａは、走査線３ａの幅広部分３ａ２と平面視で重なる本体部分４ａ１と、本体部分４ａ１から走査線３ａの延在部分３ａ１と重なるようにＸ軸方向の他方側Ｘ２に突出した凸部４ａ２とを有しており、本体部分４ａ１は、半導体層３１ａのチャネル領域３１ｇ、および画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄと平面視で重なっている。本体部分４ａ１と画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄの高濃度不純物領域３１ｄ１と平面視で重なる位置には、層間絶縁層４２を貫通するコンタクトホール４２ｄが形成されており、第１容量電極４ａは、コンタクトホール４２ｄを介して、高濃度不純物領域３１ｄ１と電気的に接続している。

第２容量電極５ａは、走査線３ａの幅広部分３ａ２と平面視で重なる本体部分５ａ１と、本体部分５ａ１から走査線３ａの延在部分３ａ１と重なるようにＸ軸方向の一方側Ｘ１に突出した凸部５ａ２とを有しており、本体部分５ａ１は、半導体層３１ａのチャネル領域３１ｇ、および画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄと平面視で重なっている。

層間絶縁層４２と層間絶縁層４３との間には、第１容量電極４ａと同一の導電膜によって、半導体層３１ａのデータ線側ソース・ドレイン領域３１ｓの高濃度不純物領域３１ｓ１と平面視で重なる中継電極４ｓが形成されている。中継電極４ｓと高濃度不純物領域３１ｓ１と平面視で重なる位置には、層間絶縁層４２を貫通するコンタクトホール４２ｓが形成されており、中継電極４ｓは、コンタクトホール４２ｓを介して、高濃度不純物領域３１ｓ１と電気的に接続している。

本形態において、層間絶縁層４３には凹部４０が形成されており、凹部４０の底部に第１容量電極４ａが位置する。また、誘電体層５５０および第２容量電極５ａは、凹部４０の内壁に沿って形成されており、凹部４０の底部において、第１容量電極４ａと第２容量電極５ａとは誘電体層５５０を介して積層されている。なお、凹部４０が複数の段状に形成れて、段部で第１容量電極４ａと第２容量電極５ａとが誘電体層５５０を介して積層されている構造であってもよい。また、凹部４０が形成されず、同一の層間絶縁膜上に第１容量電極４ａ、誘電体層５５０、および第２容量電極５ａが積層されている構造であってもよい。

図１１に示すように、層間絶縁層４４と層間絶縁層４５との間には、第２画素間領域９ｃに沿ってＹ軸方向に延在するデータ線６ａと、データ線６ａからＸ軸方向の一方側Ｘ１で離間する中継電極６ｃと、データ線６ａからＸ軸方向の他方側Ｘ２で離間する中継電極６ｄとが同一の導電膜によって形成されている。中継電極６ｃ、６ｄは各々、第１画素間領域９ｂと平面視で重なる位置に設けられている。データ線６ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。

データ線６ａと中継電極４ｓとが平面視で重なる位置には、層間絶縁層４３、４４を貫通するコンタクトホール４４ｓが形成されており、データ線６ａは、コンタクトホール４４ｓを介して、中継電極４ｓに電気的に接続されている。従って、データ線６ａは、中継電極４ｓを介して高濃度不純物領域３１ｓ１と電気的に接続している。

中継電極６ｄと第１容量電極４ａの凸部４ａ２とが平面視で重なる位置には、層間絶縁層４３、４４を貫通するコンタクトホール４４ｄが形成されており、中継電極６ｄは、コンタクトホール４４ｄを介して、第１容量電極４ａに電気的に接続されている。中継電極６ｃと第２容量電極５ａの凸部５ａ２とが平面視で重なる位置には、層間絶縁層４４を貫通するコンタクトホール４４ｃが形成されており、中継電極６ｃは、コンタクトホール４４ｃを介して、第２容量電極５ａに電気的に接続されている。

図１２に示すように、層間絶縁層４５と層間絶縁層４６との間には、第２画素間領域９ｃに沿ってＹ軸方向に延在する容量線７ａと、容量線７ａからＸ軸方向の他方側Ｘ２で離間する中継電極７ｄとが同一の導電膜によって形成されている。中継電極７ｄは、第１画素間領域９ｂと平面視で重なる位置に設けられている。容量線７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。

容量線７ａは、第２画素間領域９ｃに沿ってＹ軸方向に延在する本体部分７ａ１と、本体部分７ａからＸ軸方向の一方側Ｘ１に突出して、図１１に示す中継電極６ｃと平面視で重なる凸部７ａ２とを有している。

中継電極７ｄと中継電極６ｄとが平面視で重なる位置には、層間絶縁層４５を貫通するコンタクトホール４５ｄが形成されており、中継電極７ｄは、コンタクトホール４５ｄを介して、中継電極６ｄに電気的に接続されている。容量線７ａの凸部７ａ２と中継電極６ｃとが平面視で重なる位置には、層間絶縁層４５を貫通するコンタクトホール４５ｃが形成されており、容量線７ａは、コンタクトホール４５ｃを介して、中継電極６ｃに電気的に接続されている。従って、容量線７ａは、中継電極６ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。

層間絶縁層４６の表面には画素電極９ａおよび第１配向膜１８が順に積層されている。画素電極９ａは、図１２に示す中継電極７ｄと平面視で重なっている。画素電極９ａと中継電極７ｄとが平面視で重なる位置にはコンタクトホール４６ｄが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ｄを介して、中継電極７ｄに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａは、中継電極６ｄ、７ｄ、および第１容量電極４ａを介して画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄの高濃度不純物領域３１ｄ１に電気的に接続されている。従って、トランジスター３０がオン状態になったとき、画素電極９ａには、データ線６ａから画像信号が供給される。

（コンタクト部１１等の構成）
図１３は、図５に示すトランジスター３０周辺のＧ−Ｇ′断面図であり、半導体層３１ａの延在方向に対して斜めの方向でトランジスター３０等を切断した様子を模式的に示す断面図である。

図６、図７、図８および図９に示すように、ゲート電極３３ａは、平面視で半導体層３１ａの画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに沿って延在し、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄの周りを囲む四角形の枠状に形成されている。ゲート電極３３ａは、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄと平面視で重なる部分が開口部３３ａ０になっている。また、ゲート電極３３ａは、四角形の枠部分３３ａ１から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の他方側Ｙ２に突出した凸部３３ａ２を有している。本形態では、開口部３３ａ０において、第１容量電極４ａがコンタクトホール４２ｄを介して高濃度不純物領域３１ｄ１と電気的に接続している（図１０等を参照）。

図８および図９に示すように、枠部分３３ａ１は、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに対してＸ軸方向の一方側Ｘ１で画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに沿ってＹ軸方向に延在する第１部分３３ａ６と、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに対してＸ軸方向の他方側Ｘ２で画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに沿ってＹ軸方向に延在する第２部分３３ａ７とを有している。また、枠部分３３ａ１は、第１部分３３ａ６および第２部分３３ａ７のＹ軸方向の一方側Ｙ１の端部同士を結ぶようにＸ軸方向に延在した第３部分３３ａ８と、第１部分３３ａ６および第２部分３３ａ７のＹ軸方向の他方側Ｙ２の端部同士を結ぶようにＸ軸方向に延在した第４部分３３ａ９とを有しており、凸部３３ａ２は、第４部分３３ａ９からＹ軸方向の他方側Ｙ２に突出している。

本形態では、ゲート電極３３ａの枠部分３３ａ１と走査線３ａの幅広部分３ａ２とが重なる領域のうち、チャネル領域３１ｇを避けた位置で枠部分３３ａ１に沿うように、ゲート電極３３ａと走査線３ａとを電気的に接続するコンタクト部１１が形成されている。従って、コンタクト部１１は、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに沿って延在し、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄを囲んでいる。より具体的には、コンタクト部１１は、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに対してＸ軸方向の一方側Ｘ１でゲート電極３３ａの第１部分３３ａ６に沿ってＹ軸方向に延在する第１部分１１６と、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに対してＸ軸方向の他方側Ｘ２でゲート電極３３ａの第２部分３３ａ７に沿ってＹ軸方向に延在する第２部分１１７とを有している。また、コンタクト部１１は、第１部分１１６および第２部分１１７のＹ軸方向の一方側Ｙ１の端部を繋ぐようにゲート電極３３ａの第３部分３３ａ８に沿ってＸ軸方向に延在する第３部分１１８を有している。但し、コンタクト部１１には、チャネル領域３１ｇが位置する側（Ｙ軸方向の他方側Ｙ２）では、ゲート電極３３ａの第４部分３３ａ９と重なる途切れ部分１１９が設けられている。

ここで、コンタクト部１１は、半導体層３１ａに向けて突出した突出部１１２、１１３を有している。より具体的には、コンタクト部１１は、第１部分１１６のＹ軸方向の他方側Ｙ２の端部でＸ軸方向の他方側Ｘ２に屈曲して半導体層３１ａに向けて突出した突出部１１２と、第１部分１１６のＹ軸方向の他方側Ｙ２の端部でＸ軸方向の一方側Ｘ１に屈曲してから半導体層３１ａに向けて突出した突出部１１３とを有している。従って、途切れ部分１１９が短い。本形態において、突出部１１２、１１３は、チャネル領域３１ｇに向けて突出している。

本形態において、コンタクト部１１は、ゲート電極３３ａから走査線３ａに到るコンタクトホール４１ａと、コンタクトホール４１ａ内に設けられた遮光性の導電材料とからなる。このため、コンタクトホール４１ａ内に設けられた遮光性の導電材料は遮光壁１２を構成する。従って、遮光壁１２は、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに沿って延在し、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄを囲んでいる。本形態では、ゲート電極３３ａが遮光性の導電膜によって構成されており、ゲート電極３３ａのうち、コンタクトホール４１ａ内に位置する部分によって遮光壁１２が構成されている。なお、コンタクトホール４１ａの内部が、ゲート電極３３ａおよび走査線３ａと別の遮光性の導電材料からなるプラグによって埋められた構造の場合、プラグによって遮光壁１２が構成される。

このように構成した電気光学装置１００では、図１３に示すように、半導体層３１ａの延在方向に対して斜めの方向でトランジスター３０等を切断したときでも、半導体層３１ａの両側には、遮光壁１２を備えたコンタクト部１１が設けられている。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００において、トランジスター３０のゲート電極３３ａと第１遮光層としての走査線３ａとを接続するコンタクト部１１は、トランジスター３０の半導体層３１ａの画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに沿って延在し、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄを囲んでいる。また、本形態では、コンタクト部１１の内部が遮光壁１２になっている。このため、Ｙ軸方向の一方側Ｙ１や、Ｙ軸方向の一方側Ｙ１から傾いた方向から画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに向かって、図６に矢印Ｌａ１、Ｌａ２で示す変調光や戻り光等の光が進行しようとした場合で、光がコンタクト部１１によって遮られる。従って、トランジスター３０では、光電流に起因する特性低下が発生しにくい。

また、半導体層３１ａのチャネル領域３１ｇにはコンタクト部１１を形成できないが、コンタクト部１１は、半導体層３１ａのチャネル領域３１ｇに向けて突出した突出部１１２、１１３を有している。このため、図１３に示すように、半導体層３１ａの延在方向に対して斜めの方向でトランジスター３０等を切断したときでも、半導体層３１ａの両側には、遮光壁１２を備えたコンタクト部１１が設けられている。従って、チャネル領域３１ｇの側から画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに向かって、図１３に矢印Ｌｂ１、Ｌｂ２で示す変調光や戻り光等の光が斜めに進行しようとした場合でも、光がコンタクト部１１の突出部１１２、１１３によって遮られる。従って、トランジスター３０では、光電流に起因する特性低下が発生しにくい。

また、ゲート電極３３ａおよび走査線３ａが各々、遮光性を有するため、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに向かって光が進行しようとした場合でも、光がゲート電極３３ａおよび走査線３ａによって遮られる。従って、トランジスター３０では、光電流に起因する特性低下が発生しにくい。

また、トランジスター３０に対して第１基板１９と反対側には、半導体層３１ａと平面視で重なる遮光性の第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａを備えた蓄積容量素子５５が設けられている。このため、画素電極側ソース・ドレイン領域３１ｄに向かって光が進行しようとした場合でも、光が蓄積容量素子５５によって遮られる。従って、トランジスター３０では、光電流に起因する特性低下が発生しにくい。

［実施形態２］
図１４は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の説明図であり、図５に示すトランジスター３０等のＥ−Ｅ′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分に同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図１４に示すように、本形態では、半導体層３１ａと走査線３ａ（第１遮光層）との間には、半導体層３１ａと重なる第２遮光層２ａが設けられている。具体的には、層間絶縁層４１は、第１層４１１と第２層４１２とからなり、第１層４１１と第２層４１２との間に第２遮光層２ａが設けられている。このため、図１４に矢印Ｌｃで示すように、戻り光が斜め方向に入射した場合でも、戻り光が第２遮光層２ａによって遮られる。従って、トランジスター３０では、光電流に起因する特性低下が発生しにくい。その他の構成は、実施形態１と同様である。

（他の実施形態）
上記実施形態においては、トランジスター３０と第１基板１９の間に設けた第１遮光層が走査線３ａである場合を説明したが、ゲート電極３３ａが走査線３ａの一部である場合、第１遮光層は、走査線３ａとは別の遮光層であってもよい。

上記実施形態では、トランジスター３０がＬＤＤ構造を有している場合を説明したが、高濃度不純物領域３１ｄ１、３１ｓ１がゲート電極３３ａの端部から離間したオフセットゲート構造の場合に本発明を適用してもよい。この場合、高濃度不純物領域３１ｄ１、３１ｓ１とゲート電極３３ａの端部との間で不純物が導入されていない領域が低濃度不純物領域３１ｄ２、３１ｓ２となる。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図１５は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図１５には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図１５に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。

図１５に示す投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。図１５に示すように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい 。

２ａ…第２遮光層、３ａ…走査線（第１遮光層）、４ａ…第１容量電極、５ａ…第２容量電極、６ａ…データ線、７ａ…容量線、９ａ…画素電極、９ｂ…第１画素間領域、９ｃ…第２画素間領域、１０…素子基板、１１…コンタクト部、１２…遮光壁、１９…第１基板、２０…対向基板、２１…共通電極、２９…第２基板、３０…トランジスター、３１ａ…半導体層、３１ｄ…画素電極側ソース・ドレイン領域、３１ｄ１、３１ｓ１…高濃度不純物領域、３１ｄ２、３１ｓ２…低濃度不純物領域、３１ｇ…チャネル領域、３１ｓ…データ線側ソース・ドレイン領域、３２…ゲート絶縁層、３３ａ…ゲート電極、３３ａ０…開口部、３３ａ１…枠部分、５５…蓄積容量素子、８０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１００ａ…画素、１００ｐ…液晶パネル、１１２、１１３…突出部、１１９…途切れ部分、５５０…誘電体層、２１００…投射型表示装置（電子機器）、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射レンズ系）。

Claims (8)

1. 基板と、
   ゲート電極および半導体層を有するトランジスターと、
   前記基板と前記トランジスターとの間に設けられた第１遮光層と、
   を備え、
   前記ゲート電極と前記第１遮光層とを電気的に接続するコンタクト部は、前記半導体層の画素電極側ソース・ドレイン領域に沿って延在するとともに、前記半導体層に向けて突出した突出部を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記突出部は、前記半導体層のチャネル領域に向けて突出していることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
   前記第１遮光層は、走査線であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   前記コンタクト部は、前記ゲート電極から前記走査線に到るコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に設けられた遮光性の導電材料と、を有することを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項３または４に記載の電気光学装置において、
   前記ゲート電極および前記走査線は各々、遮光性を有することを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項３から５までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記半導体層と前記走査線との間には、前記半導体層と重なる第２遮光層が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記トランジスターに対して前記基板と反対側には、前記半導体層と重なる遮光性の電極を備えた蓄積容量素子が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から７までのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。