JP2022044972A - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】遮光性に優れた遮光壁を適正に形成することができる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００において、第１基板１０には、半導体膜３１ａを有するトランジスター３０と、トランジスター３０が位置する側の面に半導体膜３１ａより広い幅で半導体膜と平面視で重なる第１凹部１９ｇが設けられた透光性部材１９と、半導体膜３１ａと透光性部材１９との間の層で第１凹部１９ｇと平面視で重なるように延在する遮光性の走査線３ａとを有している。走査線３ａは、第１凹部１９ｇの側壁１９ｇ２に沿って延在する遮光壁３ａ０を構成している。層間絶縁膜４１には、半導体膜３１ａの側方にはコンタクトホール４１ｇが設けられており、コンタクトホール４１ｇの内部には、トランジスター３０のゲート電極８ａと走査線３ａとを電気的に接続する遮光性の導電膜８２ａが設けられている。【選択図】図７

Description

本発明は、透光性部材とトランジスターとの間の層に走査線が設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。

投射型表示装置のライトバルブとして用いられる液晶装置等の電気光学装置は、透光性の基板と画素電極との間に半導体膜が設けられており、半導体膜を利用してトランジスターが構成される。かかる電気光学装置において、基板の側から入射した光がトランジスターのチャネル領域やその近傍に入射すると、トランジスターに光リーク電流が発生する。そこで、基板と半導体膜との間に層間絶縁膜を設けるとともに、半導体膜に平面視で重なる遮光性の走査線を基板と層間絶縁膜との間に設け、基板の側から入射した光を走査線で遮る構造が提案されている（特許文献１参照）。また、特許文献１では、ゲート電極を覆う層間絶縁膜から走査線に到達するコンタクトホールを設け、コンタクトホールの内部に設けた遮光性の導電膜によってゲート電極と走査線とを電気的に接続するとともに、コンタクトホールの内部の遮光性の導電膜によって、半導体膜に対する遮光壁を構成する技術が提案されている。

国際公開番号ＷＯ２０１８／０７４０６０

特許文献１に記載の技術では、基板と半導体膜との間の下層側の層間絶縁膜、およびゲート電極を覆う上層側の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールの内部に設けた遮光性の導電膜によって半導体膜に対する遮光壁を構成するため、遮光性の導電膜をアスペクト比が大きいコンタクトホール内に成膜する必要がある。従って、従来技術のように、アスペクト比が大きいコンタクトホールに遮光性の導電膜をスパッタ法によって成膜した場合には、ステップカバレッジ性が十分でない。それ故、従来技術では、遮光性に優れた遮光壁を適正に形成することができないという課題がある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、半導体膜を有するトランジスターと、前記トランジスターが位置する側の面に前記半導体膜より広い幅で前記半導体膜と平面視で重なるように延在する第１凹部が設けられた透光性部材と、前記半導体膜と前記透光性部材との間の層で前記第１凹部と平面視で重なるように延在し、前記第１凹部の側壁に沿って延在する遮光壁を構成する遮光性の走査線と、前記半導体膜の側方で前記トランジスターのゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、有することを特徴とする。

本発明を適用した電気光学装置は各種電子機器に用いられる。本発明において、電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。

本発明の実施形態１に係る電気光学装置の平面図。 図１に示す電気光学装置の断面図。 図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。 図３に示す画素の１つを拡大して示す平面図。 図４のＡ１－Ａ１′断面図。 図４のＢ１－Ｂ１′断面図。 図４のＣ１－Ｃ１′断面図。 図５および図６に示す走査線、半導体膜、ゲート電極等の平面図。 図５および図６に示す第１容量電極および第２容量電極等の平面図。 図５および図６に示すデータ線および容量線等の平面図。 図８に示すコンタクトホール周辺を拡大して示す平面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の平面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の断面図。 本発明の実施形態３に係る電気光学装置の平面図。 本発明の実施形態３に係る電気光学装置の断面図。 本発明の実施形態４に係る電気光学装置の平面図。 本発明の実施形態５に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態６に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態７に係る電気光学装置の説明図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１０に形成した各層を説明する際、上層側あるいは表面側とは透光性部材１９が位置する側とは反対側（第２基板２０が位置する側）を意味し、下層側とは透光性部材１９が位置する側を意味する。また、第１基板１０の面内方向で交差する２方向のうち、走査線３ａが延在する方向を第１方向Ｘとし、データ線６ａが延在する方向を第２方向Ｙとする。また、第１方向Ｘに沿う方向の一方側を第１方向Ｘの一方側Ｘ１とし、第１方向Ｘに沿う方向の他方側を第１方向Ｘの他方側Ｘ２とし、第２方向Ｙに沿う方向の一方側を第２方向Ｙの一方側Ｙ１とし、第２方向Ｙに沿う方向の他方側を第２方向Ｙの他方側Ｙ２とする。

また、本発明において、「幅方向」とは、延在方向に対して直交する方向である。例えば、以下に説明する第１凹部１９ｇ、走査線３ａ、および半導体膜３１ａは第１方向Ｘに延在していることから、第１凹部１９ｇの幅方向、走査線３ａの幅方向、および半導体膜３１ａの幅方向はいずれも、第２方向Ｙである。

［実施形態１］
１．電気光学装置１００の構成
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と、第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。

第１基板１０は、本体部分として、透光性部材１９を有している。本形態において、透光性部材１９は、石英基板やガラス基板等の基板本体１９０を含んでいる。本形態において、透光性部材１９は基板本体１９０からなる。透光性部材１９の第２基板２０側の一方面１９ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が設けられ、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が設けられている。図示を省略するが、端子１０２には、フレキシブル配線基板が接続され、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

透光性部材１９の一方面１９ｓの側において、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａがマトリクス状に形成され、複数の画素電極９ａの各々が画素を構成する。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。従って、基板本体１９０から第１配向膜１６までが第１基板１０に相当する。

第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる基板本体２９を備えている。基板本体２９において第１基板１０と対向する一方面２９ｓの側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。従って、基板本体２９から第２配向膜２６までが第２基板２０に相当する。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。第２基板２０には、基板本体２９と共通電極２１との間に樹脂、金属または金属化合物からなる遮光部材２７が形成され、遮光部材２７と共通電極２１との間に透光性の保護膜２８が形成されている。遮光部材２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光部材２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域にブラックマトリクス２７ｂとしても形成されている。第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なる領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。なお、第２基板２０において画素電極９ａと対向する位置にレンズが設けられることがあり、この場合、ブラックマトリクス２７ｂが形成されないことが多い。

第１配向膜１６および第２配向膜２６は、例えば、ＳｉＯ_ｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。本形態において、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、酸化シリコンからなる。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加される。

電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から電気光学層８０に入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本実施形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。

２．画素の概略構成
図３は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、図３に示す画素の１つを拡大して示す平面図であり、図４には、トランジスター３０付近を拡大して示してある。図５は、図４のＡ１－Ａ１′断面図である。図６は、図４のＢ１－Ｂ１′断面図である。図７は、図４のＣ１－Ｃ１′断面図である。なお、図３、図４、および後述する図８～図１０では、各層を以下の線で表してある。また、図３、図４、および後述する図８～図１０では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、図３、図４、および図８においては、コンタクトホール４１ｇを右上がりの斜線を付した領域で示し、第１凹部１９ｇを左上がりの斜線を付した領域で示してある。
走査線３ａ＝太い実線
半導体膜３１ａ＝細くて短い破線
ゲート電極８ａ＝細い実線
第１容量電極４ａ＝細くて長い破線
第２容量電極５ａ＝細い一点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃ＝太くて長い破線
容量線７ａおよび中継電極７ｂ＝太い二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて短い破線

図３および図４に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する面には、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿って走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａが延在している。データ線６ａは、画素間領域において第２方向Ｙに延在し、走査線３ａは、画素間領域において第１方向Ｘに延在している。容量線７ａは、画素間領域において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されている。ここで、走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａは、遮光性を有している。従って、走査線３ａ、データ線６ａ、容量線７ａ、およびこれらの配線と同層の電極が形成された領域は、光が通過しない遮光領域１８であり、遮光領域１８で囲まれた領域は、光が透過する開口領域１７である。

図５、図６および図７に示すように、第１基板１０では、透光性部材１９と画素電極９ａとの間の層に走査線３ａが設けられている。走査線３ａと画素電極９ａとの間の層には層間絶縁膜４１が設けられており、層間絶縁膜４１と画素電極９ａとの間の層に半導体膜３１ａを備えたトランジスター３０が設けられている。従って、透光性部材１９と半導体膜３１ａとの間の層に走査線３ａが設けられ、走査線３ａと半導体膜３１ａとの間の層に層間絶縁膜４１が設けられている。トランジスター３０と画素電極９ａとの間の層には層間絶縁膜４２、４３、４４、４５が順に積層されている。層間絶縁膜４１、４２、４３、４４、４５は各々、酸化シリコン等の透光性の絶縁膜からなる。本形態において、少なくとも層間絶縁膜４２、４５は、画素電極９ａ側の面が化学的機械研磨等の平坦化処理によって連続した平面になっている。これに対して、層間絶縁膜４１の画素電極９ａ側の面は平坦化処理が行われていない。

３．各層の詳細説明
図５および図６を参照するとともに、以下の図８～図１０を適宜、参照して、第１基板１０の詳細構成を説明する。図８は、図５および図６に示す走査線３ａ、半導体膜３１ａ、ゲート電極８ａ等の平面図である。図９は、図５および図６に示す第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａ等の平面図である。図１０は、図５および図６に示すデータ線６ａおよび容量線７ａ等の平面図である。なお、図８～図１０には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体膜３１ａおよび画素電極９ａを示してある。

まず、図５および図６に示すように、第１基板１０において、透光性部材１９と層間絶縁膜４１との間には、第１方向Ｘに沿って延在する走査線３ａが成されている。走査線３ａは、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド、タングステン、窒化チタン等からなる。なお、透光性部材１９には、後述する第１凹部１９ｇが設けられている。

層間絶縁膜４１と層間絶縁膜４２との間には、画素スイッチング用のトランジスター３０が構成されている。トランジスター３０は、層間絶縁膜４１の透光性部材１９とは反対側の面に形成された半導体膜３１ａと、半導体膜３１ａの画素電極９ａ側に積層されたゲート絶縁膜３２と、ゲート絶縁膜３２の画素電極９ａ側で半導体膜３１ａと平面視で重なるゲート電極８ａとを備えている。半導体膜３１ａは、ポリシリコン膜によって構成されている。ゲート絶縁膜３２は、半導体膜３１ａを熱酸化した酸化シリコンからなる第１ゲート絶縁膜３２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコンからなる第２ゲート絶縁膜３２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極８ａは、導電性のポリシリコン膜、金属膜、あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。

層間絶縁膜４１には、走査線３ａとトランジスター３０のゲート電極８ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール４１ｇが設けられている。コンタクトホール４１ｇは、ゲート絶縁膜３２および層間絶縁膜４１を貫通している。かかるコンタクトホール４１ｇの詳細な構成は、図１１を参照して後述する。

図８に示すように、走査線３ａは、同一の幅寸法をもって第１方向Ｘに沿って直線的に延在している。半導体膜３１ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部分から第１方向Ｘの他方側Ｘ２に延在しており、走査線３ａと平面視で重なっている。半導体膜３１ａは、ゲート電極８ａと平面視で重なる部分がチャネル領域３１ｃになっている。本形態において、トランジスター３０はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有している。従って、半導体膜３１ａにおいて、チャネル領域３１ｃに対してデータ線６ａが位置する第１方向Ｘの一方側Ｘ１のデータ線側ソースドレイン領域３１ｓは、チャネル領域３１ｃから離間する第１領域３１ｔと、第１領域３１ｔとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第１低濃度領域３１ｕとを有しており、第１低濃度領域３１ｕは、第１領域３１ｔより不純物濃度が低い。また、半導体膜３１ａにおいて、チャネル領域３１ｃに対してデータ線６ａと反対側の第１方向Ｘの他方側Ｘ２の画素電極側ソースドレイン領域３１ｄは、チャネル領域３１ｃから離間する第２領域３１ｅと、第２領域３１ｅとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第２低濃度領域３１ｆとを有しており、第２低濃度領域３１ｆは、第２領域３１ｅより不純物濃度が低い。

ゲート電極８ａは、第１電極部８ａ０と第２電極部８ａ１、８ａ２とを有する。第１電極部８ａ０は、ゲート絶縁膜３２を介して半導体膜３１ａと平面視で重なるように第２方向Ｙに延在する。第２電極部８ａ１、８ａ２は、半導体膜３１ａの第２方向Ｙの両側で第１電極部８ａ０の第２方向Ｙの両側の端部から半導体膜３１ａに沿って第１方向Ｘに延在している。第２電極部８ａ１、８ａ２は、半導体膜３１ａと平面視で重なっていない。

図５および図６において、トランジスター３０の上層側において、層間絶縁膜４２と層間絶縁膜４３との間には、第１容量電極４ａ、誘電体膜４０および第２容量電極５ａが順に積層された積層膜５５０によって、容量素子５５が構成されている。容量素子５５は、画素電極９ａと共通電極２１との間に構成された液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐ保持容量である。第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属膜、あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜からなる。

図９に示すように、第１容量電極４ａは、走査線３ａおよび半導体膜３１ａと平面視で重なるように第１方向Ｘに延在する本体部分４ａ１と、本体部分４ａ１からデータ線６ａと平面視で重なるように突出した突出部４ａ２とを有しており、本体部分４ａ１の端部は、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ａを介して半導体膜３１ａの第２領域３１ｅに電気的に接続されている。第１容量電極４ａは、データ線６ａと重なる半導体膜３１ａの端部と、平面視で重ならないように切り欠き４ａ３が形成されている。

第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａの本体部分５ａ１と平面視で重なる本体部分５ａ１と、第１容量電極４ａの突出部４ａ２と平面視で重なる突出部５ａ２とを有している。従って、容量素子５５は、半導体膜３１ａと重なるように第１方向Ｘに延在する第１部分５５ａと、データ線６ａと重なるように第２方向Ｙに延在する第２部分５５ｂとを有する。それ故、容量素子５５の静電容量が大きい。

第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａと同様、データ線６ａと重なる半導体膜３１ａの端部と、平面視で重ならないように切り欠き５ａ３が形成されている。また、第２容量電極５ａの本体部分５ａ１の第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部には、第１容量電極４ａの本体部分４ａ１の端部と重ならないように切り欠き５ａ４が形成されている。

図５および図６において、層間絶縁膜４３の上層側には層間絶縁膜４４、４５が形成されている。層間絶縁膜４３と層間絶縁膜４４の層間にはデータ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃが設けられている。データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは同一の導電膜からなる。データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃはいずれも、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。例えば、データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは、チタン層／窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造や、窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造からなる。

層間絶縁膜４２および層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ａが設けられており、コンタクトホール４３ａは、ゲート絶縁膜３２、層間絶縁膜４２および層間絶縁膜４３を貫通している。データ線６ａは、コンタクトホール４３ａを介して、半導体膜３１ａの第１領域３１ｔに電気的に接続されている。コンタクトホール４３ａは、図１０を参照して説明した第１容量電極４ａの切り欠き４ａ３、および第２容量電極５ａの切り欠き５ａ３に相当する部分に形成される。従って、コンタクトホール４３ａと容量素子５５とを離間させることができる。層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ｂが設けられており、コンタクトホール４３ｂは、層間絶縁膜４３を貫通している。中継電極６ｂは、コンタクトホール４３ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。コンタクトホール４３ｂは、図９を参照して説明した第２容量電極５ａの切り欠き５ａ４に相当する部分に形成される。層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ｃが設けられており、中継電極６ｃは、コンタクトホール４３ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。本形態において、中継電極６ｃは、半導体膜３１ａの少なくとも第１低濃度領域３１ｕから第２低濃度領域３１ｆまでを画素電極９ａの側から覆い、少なくとも第１低濃度領域３１ｕと平面視で重なっている。

層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５の層間には、容量線７ａおよび中継電極７ｂが設けられている。容量線７ａおよび中継電極７ｂは同一の導電膜からなる。容量線７ａおよび中継電極７ｂはいずれも、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。例えば、容量線７ａおよび中継電極７ｂは、チタン層／窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造や、窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造からなる。

層間絶縁膜４４にはコンタクトホール４４ｃが設けられており、容量線７ａは、コンタクトホール４４ｃを介して中継電極６ｃに電気的に接続されている。従って、容量線７ａは、中継電極６ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されており、第２容量電極５ａには、容量線７ａから共通電位が印加される。層間絶縁膜４４にはコンタクトホール４４ｂが設けられており、中継電極７ｂは、コンタクトホール４４ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。

層間絶縁膜４５には、コンタクトホール４５ａが設けられており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、６ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。ここで、第１容量電極４ａは、コンタクトホール４２ａを介して半導体膜３１ａの第２領域３１ｅに電気的に接続していることから、画素電極９ａは、第１容量電極４ａを介して半導体膜３１ａの第２領域３１ｅに電気的に接続されている。

４．コンタクトホール４１ｇ周辺の構成
図１１は、図８に示すコンタクトホール４１ｇ周辺を拡大して示す平面図である。ゲート電極８ａは、ポリシリコン膜８１ａと遮光性の導電膜８２ａとを積層して構成されている。図１１では、ポリシリコン膜８１ａに右下がりの斜線を付し、遮光性の導電膜８２ａに右上がりの斜線を付してある。従って、右下がりの斜線、および右上がりの斜線が付された領域は、ポリシリコン膜８１ａと遮光性の導電膜８２ａとが積層されていることを示す。

図１１に示すように、コンタクトホール４１ｇは、半導体膜３１ａの側方の両側で第１方向Ｘに沿って延在しており、ゲート電極８ａおよび走査線３ａの双方と平面視で重なっている。従って、ゲート電極８ａは、コンタクトホール４１ｇを介して走査線３ａに電気的に接続されているので、走査線３ａから走査信号が印加される。

ここで、コンタクトホール４１ｇは、少なくとも、第２低濃度領域３１ｆに沿って設けられている。本形態において、コンタクトホール４１ｇは、少なくとも、第１低濃度領域３１ｕの側方の両側からチャネル領域３１ｃの側方の両側を通って、第２低濃度領域３１ｆの側方の両側まで延在している。

本形態において、ゲート電極８ａは、半導体膜３１ａと交差するように第２方向Ｙに延在した導電性のポリシリコン膜８１ａと、ポリシリコン膜８１ａを覆う遮光性の導電膜８２ａとを積層することによって構成されている。導電膜８２ａは、ポリシリコン膜８１ａより遮光性が高く、抵抗が小さい膜からなる。例えば、導電膜８２ａは、例えば、タングステンシリサイド膜等のシリサイド膜からなる。

導電膜８２ａは、ポリシリコン膜８１ａより広い範囲にわたって形成されており、ポリシリコン膜８１ａの全体を覆っている。従って、ゲート電極８ａにおいてポリシリコン膜８１ａが形成されている領域では、ポリシリコン膜８１ａと遮光性の導電膜８２ａの２層構造になっており、ゲート電極８ａにおいてポリシリコン膜８１ａが形成されていない領域では、導電膜８２ａの単層構造になっている。例えば、図６、７に示すように、ゲート電極８ａにおいて、コンタクトホール４１ｇの内部にはポリシリコン膜８１ａが形成されておらず、導電膜８２ａの単層構造になっている。従って、導電膜８２ａは、コンタクトホール４１ｇの側面全体に沿って設けられており、後述する遮光壁３ａ０とは別の遮光壁を構成している。これに対して、第１電極部８ａ０のうち、コンタクトホール４１ｇの外側の部分では、ポリシリコン膜８１ａと導電膜８２ａとの２層構造になっている。

かかる構成は、以下の工程によって実現される。まず、走査線３ａ、層間絶縁膜４１、半導体膜３１ａ、およびゲート絶縁膜３２を形成する。次に、導電性のポリシリコン膜を形成した後、ポリシリコン膜をパターニングし、半導体膜３１ａに対して交差する第２方向Ｙに延在するポリシリコン膜８１ａを形成する。

次に、エッチングマスクを形成した状態で、ゲート絶縁膜３２、ポリシリコン膜８１ａおよび層間絶縁膜４１をエッチングし、コンタクトホール４１ｇを形成する。従って、コンタクトホール４１ｇの内部には、ポリシリコン膜８１ａが存在しない。次に、遮光性の導電膜を形成した後、図１１に示すように、遮光性の導電膜をパターニングし、遮光性の導電膜８２ａを形成する。

５．遮光壁３ａ０等の構成
図５～図８に示すように、透光性部材１９において、トランジスター３０が位置する側の面には、半導体膜３１ａと平面視で重なるように半導体膜３１ａに沿って第１方向Ｘに延在する第１凹部１９ｇが設けられている。透光性部材１９は透光性の基板本体１９０を含んでおり、第１凹部１９ｇの少なくとも一部は、基板本体１９０に形成されている。本形態において、透光性部材１９は透光性の基板本体１９０からなる。このため、第１凹部１９ｇの全体が基板本体１９０に形成されている。本実施形態では、第１凹部１９ｇは、透光性部材１９の一部を、内部の方向である深さ方向に掘り下げて形成される。第１凹部１９ｇは、凹形状の側面に対応する側壁１９ｇ２、および凹形状の底部に対応する底壁１９ｇ１を含む。従って、底壁１９ｇ１、および側壁１９ｇ２により囲われた領域は、第１凹部１９ｇの内側である内部の領域を構成する。また、第１凹部１９ｇは、開口縁１９ｇ０を含み、開口縁１９ｇ０の位置は底壁１９ｇ１の位置より高い。

ここで、走査線３ａは、層間絶縁膜４１と透光性部材１９との間の層で第１凹部１９ｇと平面視で重なるように延在している。本形態において、第１凹部１９ｇは、半導体膜３１ａの延在方向の全域にわたって延在している。また、第１凹部１９ｇは、表示領域１０ａにおいて走査線３ａの延在方向の全域にわたって連続して延在している。

第１凹部１９ｇは、第２方向Ｙに相当する幅方向において半導体膜３１ａより幅が広い。また、半導体膜３１ａは、第１凹部１９ｇの第２方向Ｙに相当する幅方向の中央位置で第１方向Ｘに延在している。

走査線３ａは、第２方向Ｙに相当する幅方向において、第１凹部１９ｇより幅が広い。また、第１凹部１９ｇは、走査線３ａの第２方向Ｙに相当する幅方向の中央位置で走査線３ａに沿って第１方向Ｘに延在している。このため、第１凹部１９ｇが形成されている領域は、走査線３ａが形成されている領域に含まれている。また、走査線３ａは、第１凹部１９ｇの内部において第１凹部１９ｇの底壁１９ｇ１および側壁１９ｇ２と重なるとともに、第１凹部１９ｇの外側まで設けられている。

それ故、透光性部材１９の側からみたとき、半導体膜３１ａは、第１凹部１９ｇの底壁１９ｇ１に重なる走査線３ａによって覆われている。また、半導体膜３１ａの幅方向の両側では、第１凹部１９ｇの側壁１９ｇ２が半導体膜３１ａに沿って延在している。また、層間絶縁膜４１は、第１凹部１９ｇの深さより薄い膜厚で形成されている。また、層間絶縁膜４１のトランジスター３０側の面は平坦化処理が行われていない。このため、層間絶縁膜４１のトランジスター３０側の面には、下層側の第１凹部１９ｇの形状が反映された第２凹部４１ｈが形成されており、かかる第２凹部４１ｈの内部に半導体膜３１ａが設けられている。より具体的には、半導体膜３１ａは、第２凹部４１ｈの底部に設けられている。また、半導体膜３１ａは、第１凹部１９ｇおよび第２凹部４１ｈの深さより薄い膜厚で形成されている。従って、半導体膜３１ａの全体が、第１凹部１９ｇの内部に位置しており、半導体膜３１ａは、第１凹部１９ｇの開口縁１９ｇ０より第１凹部１９ｇの底壁１９ｇ１側の高さ位置に設けられている。それ故、半導体膜３１ａは、幅方向の両側から第１凹部１９ｇの側壁１９ｇ２によって覆われており、走査線３ａのうち、半導体膜３１ａの幅方向の両側で第１凹部１９ｇの側壁１９ｇ２に重なる部分は、半導体膜３１ａに沿って第１方向Ｘに延在する遮光壁３ａ０を構成している。

本形態において、第１凹部１９ｇの幅は、一対のコンタクトホール４１ｇの間隔より広く、一対のコンタクトホール４１ｇは、第１凹部１９ｇと平面視で重なっている。従って、導電膜８２ａは、第１凹部１９ｇの内側で走査線３ａと電気的に接続されている。また、遮光壁３ａ０を半導体膜３１ａに対する第１遮光壁としたとき、遮光壁３ａ０と半導体膜３１ａとの間には、コンタクトホール４１ｇの内部に位置する遮光性の導電膜８２ａによって、半導体膜３１ａに対する第２遮光壁が構成されている。また、第１凹部１９ｇは、コンタクトホール４１ｇより大きく形成されるので、第１凹部１９ｇのアスペクト比を、比較的小さくすることができる。

６．本形態の主な効果
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置１００において、第２基板２０の側から入射した光は、半導体膜３１ａに対して第２基板２０の側に設けられたデータ線６ａ、中継電極６ｃ、容量線７ａ等によって遮られるため、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。また、第１基板１０の側から出射した光が再び、第１基板１０の側から入射した場合でも、半導体膜３１ａに対して透光性部材１９の側に設けられた走査線３ａによって遮られるため、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。それ故、容易に遮光効果の高い構造を形成することができ、トランジスター３０では光電流に起因する誤動作が発生しにくい。

また、透光性部材１９のトランジスター３０が位置する側の面には、半導体膜３１ａと平面視で重なるように半導体膜３１ａに沿って延在する第１凹部１９ｇが設けられ、走査線３ａのうち、第１凹部１９ｇの側壁１９ｇ２に重なる部分は、半導体膜３１ａを幅方向の両側から覆う遮光壁３ａ０を構成している。従って、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光を遮光壁３ａ０によって遮ることができる。また、半導体膜３１ａは、第２凹部４１ｈの内部に位置しており、第１凹部１９ｇの開口縁１９ｇ０より第１凹部１９ｇの底壁１９ｇ１側の高さ位置に設けられている。それ故、第２基板２０の側から入射した後、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光、および第１基板１０の側から入射した後、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光の双方を遮光壁３ａ０によって遮ることができ、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。それ故、トランジスター３０では光電流に起因する誤動作が発生しにくい。

ここで、遮光壁３ａ０は、走査線３ａを形成する際、アスペクト比が比較的小さい第１凹部１９ｇの内壁に沿うように形成された部分である。従って、スパッタ法のように、ステップカバレッジ性が低い成膜法によっても遮光壁３ａ０を形成でき、高価な材料ガスを用いたＣＶＤ法を行う必要がない。それ故、製造コストを低減することができる。

また、半導体膜３１ａと遮光壁３ａ０との間において、半導体膜３１ａの側方には、走査線３ａとゲート電極８ａを電気的に接続する導電膜８２ａが内側に設けられたコンタクトホール４１ｇが設けられている。従って、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光をコンタクトホール４１ｇ内の導電膜８２ａによって遮ることができ、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。それ故、トランジスター３０では光電流に起因する誤動作が発生しにくい。ここで、コンタクトホール４１ｇは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁膜３２のみを貫通しているので、アスペクト比が比較的小さい。従って、スパッタ法のように、ステップカバレッジ性が低い成膜法によってもコンタクトホール４１ｇの内部に導電膜８２ａを形成でき、高価な材料ガスを用いたＣＶＤ法を行う必要がない。

また、チャネル領域３１ｃと第２領域３１ｅとの間に第２低濃度領域３１ｆを設けることによって、トランジスター３０のオフリーク電流を低減しており、第１凹部１９ｇの側壁１９ｇ２、およびコンタクトホール４１ｇは、少なくとも第２低濃度領域３１ｆに沿って設けられている。このため、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙから第２低濃度領域３１ｆに向けて進行する光を、走査線３ａの側壁１９ｇ２に設けられた遮光壁３ａ０、およびコンタクトホール４１ｇの内部の導電膜８２ａによって遮ることができる。従って、第２低濃度領域３１ｆへの光の入射を効率よく抑制している。それ故、トランジスター３０は、ＬＤＤ構造による特性を十分に発揮することができる。

また、ゲート電極８ａは、導電性のポリシリコン膜８１ａと遮光性の導電膜８２ａとを含み、遮光性の導電膜８２ａがコンタクトホール４１ｇの側面に沿って設けられている。このため、ゲート電極８ａの遮光性が高く、抵抗が低い。また、導電膜８２ａとゲート絶縁膜３２との間に導電性のポリシリコン膜８１ａが介在しているので、トランジスター３０の閾値電圧が安定している。

［実施形態２］
図１２は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の平面図である。図１３は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の断面図である。図１３には、図１２に示すＤ２－Ｄ２′線に沿って電気光学装置１００を切断した様子を模式的に示してある。なお、本形態、および以下に説明する形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図１２および図１３に示すように、本形態でも、実施形態１と同様、透光性部材１９においてトランジスター３０が位置する側の面には、半導体膜３１ａと平面視で重なるように半導体膜３１ａに沿って延在する第１凹部１９ｇが設けられており、走査線３ａは、層間絶縁膜４１と透光性部材１９との間の層で第１凹部１９ｇと平面視で重なるように延在している。また、半導体膜３１ａの側方には、走査線３ａとゲート電極８ａを電気的に接続する導電膜８２ａが内側に設けられたコンタクトホール４１ｇが設けられている。

本形態において、第１凹部１９ｇの幅は、一対のコンタクトホール４１ｇの間隔より狭く、一対のコンタクトホール４１ｇは、第１凹部１９ｇと平面視で重ならない位置に設けられている。それ故、導電膜８２ａは、第１凹部１９ｇの外側で走査線３ａと電気的に接続されている。また、遮光壁３ａ０を半導体膜３１ａに対する第１遮光壁としたとき、遮光壁３ａ０に対して半導体膜３１ａと反対側には、コンタクトホール４１ｇの内部に位置する遮光性の導電膜８２ａによって、半導体膜３１ａに対する第２遮光壁が構成されている。その他の構成は、実施形態１と同様である。

このように構成した場合も、実施形態１と同様、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光を、第１凹部１９ｇの側壁１９ｇ２に重なる遮光壁３ａ０によって遮ることができる。また、半導体膜３１ａは、第１凹部１９ｇの内部に位置しており、第１凹部１９ｇの開口縁より第１凹部１９ｇの底壁１９ｇ１側の高さ位置に設けられている。それ故、第２基板２０の側から入射した後、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光、および第１基板１０の側から入射した後、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光の双方を遮光壁３ａ０によって遮ることができる等、実施形態１と同様な効果を奏する。

また、遮光壁３ａ０は、走査線３ａを形成する際、アスペクト比が比較的小さい第１凹部１９ｇの内壁に沿うように形成された部分である。従って、スパッタ法のように、ステップカバレッジ性が低い成膜法によっても遮光壁３ａ０を形成でき、高価な材料ガスを用いたＣＶＤ法を行う必要がない。それ故、製造コストを低減することができる。また、コンタクトホール４１ｇは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁膜３２のみを貫通しているので、アスペクト比が比較的小さい。従って、スパッタ法のように、ステップカバレッジ性が低い成膜法によってもコンタクトホール４１ｇの内部に導電膜８２ａを形成でき、高価な材料ガスを用いたＣＶＤ法を行う必要がない。

［実施形態３］
図１４は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００の平面図である。図１５は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００の断面図である。図１５には、図１２に示すＡ３－Ａ３′線に沿って電気光学装置１００を切断した様子を模式的に示してある。

図１４および図１５に示すように、本形態でも、実施形態１と同様、透光性部材１９においてトランジスター３０が位置する側の面には、半導体膜３１ａと平面視で重なるように半導体膜３１ａに沿って延在する第１凹部１９ｇが設けられており、走査線３ａは、層間絶縁膜４１と透光性部材１９との間の層で第１凹部１９ｇと平面視で重なるように延在している。従って、走査線３ａは、半導体膜３１ａの幅方向の両側に遮光壁３ａ０を構成しているので、第２方向Ｙに進行する光を遮光壁３ａ０によって遮ることができる等、実施形態１、２と同様な効果を奏する。

本形態において、第１凹部１９ｇは、図１に示す表示領域において、半導体膜３１ａに対応して、走査線３ａに沿って複数設けられている。従って、第１凹部１９ｇの幅方向である第２方向Ｙの端部に位置する側壁１９ｇ２に加えて、第１凹部１９ｇの長手方向である第１方向Ｘの端部に位置する側壁１９ｇ２にも遮光壁３ａ０が設けられている。それ故、第１凹部１９ｇに沿って第１方向Ｘに進行しようとする光を遮光壁３ａ０によって遮ることができる。また、走査線３ａに沿って、分割された第１凹部１９ｇは、複数設けられているので、基板本体１９０等でのクラック等の発生を抑制することができる。その他の構成は、実施形態１、２と同様である。また、本構成は、以下の実施形態にも適用可能である。

［実施形態４］
図１６は、本発明の実施形態４に係る電気光学装置１００の平面図である。図１６に示すように、走査線３ａとゲート電極８ａとを電気的に接続するコンタクトホール４１ｇについては、半導体膜３１ａに沿って延在せず、チャネル領域３１ｃの両側のみに設けられている態様であってもよい。かかる構成でも、図７に示す遮光壁３ａ０が形成されているので、第２方向Ｙに進行する光を遮光壁３ａ０によって遮ることができる。その他の構成は、実施形態１、２と同様である。

［実施形態５］
図１７は、本発明の実施形態５に係る電気光学装置１００の説明図である。図１７には、走査線３ａの周辺を拡大して示してある。図１７において、本形態では、実施形態１、２と同様、透光性部材１９とトランジスター３０との間には走査線３ａが形成されている。走査線３ａは、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。例えば、例えば、走査線３ａは、タングステンやタングステンシリサイド等からなる。

本形態では、透光性部材１９と走査線３ａとの間にはシリコン膜２ａが設けられている。本形態において、シリコン膜２ａはポリシリコン膜である。ここで、シリコン膜２ａの熱膨張係数は、走査線３ａの熱膨張係数と酸化シリコンの熱膨張係数との間にある。例えば、走査線３ａは、タングステンを含んでおり、熱膨張係数は約４．５×１０^－６／Ｋである。透光性部材１９は、酸化シリコンを主成分とする基板本体１９０からなり、熱膨張係数は約０．５×１０^－６／Ｋである。シリコン膜２ａの熱膨張係数は約３．９×１０^－６／Ｋである。このため、酸化シリコンと走査線３ａとの間における熱膨張率の差に起因して発生する応力をシリコン膜２ａにより緩和することができるので、走査線３ａにクラック等が発生することをより確実に抑制することができる。それ故、走査線３ａのクラックから半導体膜３１ａへの光の入射を抑制することができる。その他の構成は、実施形態１、２と同様である。

［実施形態６］
図１８は、本発明の実施形態６に係る電気光学装置１００の説明図である。図１８には、走査線３ａの周辺を拡大して示してある。図１８において、本形態では、実施形態１、２と同様、透光性部材１９とトランジスター３０との間には、金属材料からなる走査線３ａが形成されている。また、透光性部材１９と走査線３ａとの間には、ポリシリコン膜からなるシリコン膜２ａが設けられており、走査線３ａの熱膨張係数と基板本体１９０の熱膨張係数との差を原因とする応力の発生をシリコン膜２ａにより確実に緩和することができる。

本形態において、走査線３ａは、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびパラジウム（Ｐｄ）のうちの少なくとも一つの遷移金属、または遷移金属のシリサイド化合物を含んでおり、熱膨張係数が基板本体１９０よりかなり大きい。

本形態において、シリコン膜２ａと走査線３ａとの間にはバリアー膜１ａが設けられている。本形態において、バリアー膜１ａは、主成分が酸化シリコンである。このため、バリアー膜１ａの熱膨張係数は、シリコン膜２ａの熱膨張係数、および走査線３ａの熱膨張係数より小さいが、バリアー膜１ａを構成する酸化シリコンは、シリコン膜２ａの膜厚、および走査線３ａの膜厚より薄い。例えば、バリアー膜１ａは、シリコン膜２ａの表面の酸化により形成された自然酸化膜または熱酸化膜であり、膜厚は１ｎｍ以下である。それ故、バリアー膜１ａは、走査線３ａの熱膨張係数と基板本体１９０の熱膨張係数との差を原因とする応力の発生をシリコン膜２ａにより緩和することを妨げない。その他の構成は、実施形態１と同様である。

このように本形態では、走査線３ａとシリコン膜２ａとの間には、酸化シリコンを主成分とするバリアー膜１ａが設けられているため、走査線３ａとシリコン膜２ａとの反応を抑制することができる。より具体的には、シリコン膜２ａのシリコンと走査線３ａとが反応することによってシリコン膜２ａが消耗することを抑制することができる。従って、走査線３ａの熱膨張係数と基板本体１９０の熱膨張係数との差を原因とする応力の発生をシリコン膜２ａにより確実に緩和し続けることができる。それ故、走査線３ａでのクラック等の発生を抑制することができるので、走査線３ａのクラックから半導体膜３１ａへの光の入射を安定的に抑制することができる。

［実施形態６の変形例］
本形態においては、実施形態６と同様、走査線３ａは、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびパラジウム（Ｐｄ）のうちの少なくとも一つの遷移金属、または遷移金属のシリサイド化合物を含んでいる。バリアー膜１ａは、走査線３ａを構成する金属のシリサイド膜を主成分とする。本形態において、走査線３ａは、タングステンを含むため、バリアー膜１ａの主成分はタングステンシリサイドである。バリアー膜１ａは、成膜の際に、最も薄く全面に形成可能なレベルの膜厚である。例えば、バリアー膜１ａは、膜厚が約２０ｎｍのタングステンシリサイド膜である。その他の構成は実施形態１と同様である。

かかる形態でも、実施形態６と同様、走査線３ａとシリコン膜２ａとの間には、シリサイドを含むバリアー膜１ａが設けられているため、走査線３ａとシリコン膜２ａとの反応を抑制することができる。より具体的には、シリコン膜２ａのシリコンと走査線３ａとが反応することによってシリコン膜２ａが消耗することを抑制することができる。従って、走査線３ａの熱膨張係数と基板本体１９０の熱膨張係数との差を原因とする応力の発生をシリコン膜２ａにより確実に緩和し続けることができる。それ故、走査線３ａでのクラック等の発生を抑制することができるので、走査線３ａのクラックから半導体膜３１ａへの光の入射を安定的に抑制することができる。

［実施形態７］
図１９は、本発明の実施形態７に係る電気光学装置１００の説明図である。図１８には、走査線３ａの周辺の断面を示してある。実施形態１、２等では、ゲート電極８ａがポリシリコン膜８１ａと遮光性の導電膜８２ａとの積層膜によって構成されていたが、本形態では、図１８に示すように、ゲート電極８ａが遮光性の導電膜のみによって構成されている。その他の構成は実施形態１と同様である。

［他の実施形態］
上記実施形態では、データ線６ａ、中継電極６ｃおよび容量線７ａによって、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成したが、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａのうちの少なくとも一方を遮光性電極とし、かかる遮光性電極によって、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成してもよい。

上記実施形態では、層間絶縁膜４１の表面が平坦化されていないため、層間絶縁膜４１に第２凹部４１ｈが形成されていたが、層間絶縁膜４１の表面が平坦化されている場合に本発明を適用してもよい。この場合、層間絶縁膜４１に第２凹部４１ｈが形成されず、遮光壁３ａ０は、半導体膜３１ａより低い位置に形成されることになる。この場合でも、透光性部材１９の側から入射した光を遮光壁３ａ０によって遮ることができる。

上記実施形態では、透光性部材１９が基板本体１９０のみによって構成されていたが、透光性部材１９では、基板本体１９０に透光性の絶縁膜が形成されていてもよい。この場合でも、第１凹部１９ｇの少なくとも一部が基板本体１９０に形成されていれば、深い第１凹部１９ｇを形成することができる。

上記実施形態では、第２基板２０の側から光源光が入射する電気光学装置１００を例に説明したが、第１基板１０の側から光源光が入射する電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、電気光学装置１００が透過型液晶装置の場合を例示したが、電気光学装置１００が反射型液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。また、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス表示装置である場合に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図２０は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図２０には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図２０に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット等からなる光源部２１０２が設けられている。光源部２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射光学系２１１４によってカラー画像が投射される。

［他の投射型表示装置］
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

［他の電子機器］
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のヘッドアップディスプレイ、直視型のヘッドマウントディスプレイ、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

１ａ…バリアー膜、２ａ…シリコン膜、３ａ…走査線３ａ…走査線、３ａ０…遮光壁、４ａ…第１容量電極、５ａ…第２容量電極、６ａ…データ線、７ａ…容量線、８ａ…ゲート電極、８ａ０…第１電極部、８ａ１、８ａ２…第２電極部、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１６…第１配向膜、１９…透光性部材、１９ｇ…第１凹部、１９ｇ…第１凹部、１９ｇ０…開口縁、１９ｇ１…底壁、１９ｇ２…側壁、２０…第２基板、２１…共通電極、２６…第２配向膜、１９０…基板本体、３０…トランジスター、３１ａ…半導体膜、３２…ゲート絶縁膜、４０…誘電体膜、４１…層間絶縁膜、４１ｇ…コンタクトホール、４１ｈ…第２凹部、５５…容量素子、８０…電気光学層、８１ａ…ポリシリコン膜、８２ａ…導電膜、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、５５０…積層膜、２１００…投射型表示装置、２１０２…光源部、２１１４…投射光学系、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向

Claims (11)

1. 半導体膜を有するトランジスターと、
   前記トランジスターが位置する側の面に前記半導体膜より広い幅で前記半導体膜と平面視で重なる第１凹部が設けられた透光性部材と、
   前記半導体膜と前記透光性部材との間の層で前記第１凹部と平面視で重なるように延在し、前記第１凹部の側壁に沿って延在する遮光壁を構成する遮光性の走査線と、
   前記走査線と前記半導体膜との間の層に設けられ、前記半導体膜の側方で前記トランジスターのゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、
   を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記層間絶縁膜の前記トランジスターが位置する側の面には、前記第１凹部と平面視で重なる領域に前記第１凹部の形状が反映された第２凹部が設けられ、
   前記半導体膜は、前記第２凹部の底部に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２に記載の電気光学装置において、
   前記半導体膜は、前記第１凹部の開口縁より前記第１凹部の底壁側の高さ位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から３までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記透光性部材は、透光性の基板本体を含み、
   前記第１凹部の少なくとも一部は前記基板本体に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記コンタクトホールの内部には、前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続する遮光性の導電膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項５に記載の電気光学装置において、
   前記コンタクトホールは、前記第１凹部と平面視で重なる位置に設けられ、
   前記導電膜は、前記第１凹部の内側で前記走査線と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項５に記載の電気光学装置において、
   前記コンタクトホールは、前記第１凹部と平面視で重ならない位置に設けられ、
   前記導電膜は、前記第１凹部の外側で前記走査線と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第１凹部は、表示領域において前記走査線に沿って連続して延在していることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第１凹部は、表示領域において前記半導体膜に対応して、前記走査線に沿って複数設けられていることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項１から９までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
    前記透光性部材は、酸化シリコンが主成分であり、
    前記走査線と前記透光性部材との間にシリコン膜が設けられていることを備えることを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１から１０までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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