JP2022062752A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】ＩＴＯ電極の界面での光の反射を抑制することができる液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００において、酸化シリコンの斜方蒸着膜からなる配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間に、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜からなる中間屈折率膜１１が設けられている。このため、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間には、屈折率差が大きい界面が存在しないので、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間での反射を抑制することができる。また、中間屈折率膜１１と配向膜１６との間には、高密度酸化シリコン膜１２が形成されている。高密度酸化シリコン膜１２は、原子堆積法によって成膜されるため、コンタクトホール４５ａの内部にも適正に形成される。【選択図】図６

Description

本発明は、ＩＴＯ電極が斜方蒸着膜からなる配向膜によって覆われた液晶装置、および電子機器に関するものである。
投射型表示装置のライトバルブとして用いられる液晶装置は、第１基板と、第１基板と対向する第２基板との間に液晶層が設けられている。第１基板の第２基板と対向する面、および第２基板の第１基板と対向する面には、ＩＴＯ電極と、ＩＴＯ電極に対して液晶層側に積層された酸化シリコンの斜方蒸着膜からなる配向膜とが設けられている。また、ＩＴＯ電極と配向膜との間に原子堆積法によって成膜した酸化シリコン膜を設けることによって、不純物の拡散等を抑制した構成が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００７－２１９３６５号公報
特許文献１に記載の技術では、ＩＴＯ電極が酸化シリコン膜と接している。ここで、ＩＴＯ電極と酸化シリコン膜との界面では屈折率の差が大きいため、ＩＴＯ電極の界面での光の反射が大きいという課題がある。かかる反射は、光の利用効率を低下させるため、好ましくない。
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１基板の前記第２基板と対向する面、および前記第２基板の前記第１基板と対向する面に、ＩＴＯ電極と、前記ＩＴＯ電極に対して前記液晶層側に設けられた酸化シリコンの斜方蒸着膜からなる配向膜と、前記ＩＴＯ電極と前記配向膜との間に設けられ、前記ＩＴＯ電極の屈折率と前記配向膜の屈折率との間の屈折率の中間屈折率膜と、を備えることを特徴とする。
本発明を適用した液晶装置は各種電子機器に用いられる。本発明において、電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置には、液晶装置に供給される光を出射する光源部と、液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
本発明の実施形態１に係る液晶装置の平面図。 図１に示す液晶装置の断面図。 図１に示す液晶装置の画素の１つを拡大して示す平面図。 図３のＡ１－Ａ１′断面図。 図３のＢ１－Ｂ１′断面図。 図４に示すＩＴＯ電極の近傍を拡大して模式的に示す説明図。 各種の酸化シリコンの膜のエッチング速度を示すグラフ。 発明の実施形態１の改良例に係る液晶装置の説明図。 発明の実施形態２に係る液晶装置の説明図。 発明の実施形態２の改良例に係る液晶装置の説明図。 発明の実施形態３に係る液晶装置の説明図。 発明の実施形態３の改良例に係る液晶装置の説明図。 本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１０に形成した各層を説明する際、上層側あるいは表面側とは基板本体１９が位置する側とは反対側（第２基板２０が位置する側）を意味し、下層側とは基板本体１９が位置する側を意味する。また、第１基板１０の面内方向で交差する２方向のうち、走査線３ａが延在する方向を第１方向Ｘとし、データ線６ａが延在する方向を第２方向Ｙとする。また、第１方向Ｘに沿う方向の一方側を第１方向Ｘの一方側Ｘ１とし、第１方向Ｘに沿う方向の他方側を第１方向Ｘの他方側Ｘ２とし、第２方向Ｙに沿う方向の一方側を第２方向Ｙの一方側Ｙ１とし、第２方向Ｙに沿う方向の他方側を第２方向Ｙの他方側Ｙ２とする。本発明において、「幅方向」とは、延在方向に対して直交する方向である。例えば、以下に説明する走査線３ａおよび半導体膜３１ａは、第１方向Ｘに延在していることから、走査線３ａの幅方向、および半導体膜３１ａの幅方向はいずれも、第２方向Ｙである。
［実施形態１］
１．液晶装置１００の構成
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶装置１００の平面図である。図２は、図１に示す液晶装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、液晶装置１００では、第１基板１０と、第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層８０が配置されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。
第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１９を含んでいる。基板本体１９の第２基板２０側の一方面１９ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が設けられ、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が設けられている。図示を省略するが、端子１０２にはフレキシブル配線基板が接続され、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
基板本体１９の一方面１９ｓの側において、表示領域１０ａには、透光性の複数の画素電極を構成するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極９ａがマトリクス状に形成され、複数のＩＴＯ電極９ａの各々が画素を構成する。ＩＴＯ電極９ａに対して第２基板２０側には配向膜１６が形成されており、ＩＴＯ電極９ａは、配向膜１６によって覆われている。従って、基板本体１９から配向膜１６までが第１基板１０に相当する。
第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２９を備えている。基板本体２９において第１基板１０と対向する一方面２９ｓの側には、透光性の共通電極を構成するＩＴＯ電極２５が形成されており、ＩＴＯ電極２５に対して第１基板１０側には配
向膜２６が形成されている。従って、基板本体２９から配向膜２６までが第２基板２０に相当する。ＩＴＯ電極２５は、第２基板２０の略全面に形成されており、配向膜２６によって覆われている。第２基板２０には、基板本体２９とＩＴＯ電極２５との間に樹脂、金属または金属化合物からなる遮光部材２７が形成され、遮光部材２７とＩＴＯ電極２５との間に透光性の保護膜２８が形成されている。遮光部材２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光部材２７は、隣り合うＩＴＯ電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域にブラックマトリクス２７ｂとしても形成されている。第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なる領域には、ＩＴＯ電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。なお、第２基板２０においてＩＴＯ電極９ａと対向する位置にレンズが設けられることがあり、この場合、ブラックマトリクス２７ｂが形成されないことが多い。
配向膜１６、２６はいずれも、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、液晶層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。本形態において、配向膜１６、２６は、酸化シリコンからなる。このようにして、液晶装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。
第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０のＩＴＯ電極２５は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、ＩＴＯ電極２５は、第１基板１０の側から共通電位が印加される。
本形態において、液晶装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる液晶装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から液晶層８０に入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本実施形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に液晶層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。
２．画素の概略構成
図３は、図１に示す液晶装置１００の画素の１つを拡大して示す平面図であり、図３には、トランジスター３０付近を拡大して示してある。図４は、図３のＡ１－Ａ１′断面図である。図５は、図３のＢ１－Ｂ１′断面図である。なお、図３では、各層を以下の線で表してある。また、図３では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
走査線３ａ＝太い一点鎖線
半導体膜３１ａ＝細くて短い破線
ゲート電極８ａ＝細い実線
第１容量電極４ａ＝細くて長い破線
第２容量電極５ａ＝細い一点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃ＝太くて長い破線
容量線７ａおよび中継電極７ｂ＝太い二点鎖線
ＩＴＯ電極９ａ＝太くて短い破線
図３に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する面には、複数の画素の各々にＩＴＯ電極９ａが形成されており、隣り合うＩＴＯ電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿って走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａが延在している。データ線
６ａは、画素間領域において第２方向Ｙに延在し、走査線３ａは、画素間領域において第１方向Ｘに延在している。容量線７ａは、画素間領域において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されている。走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線７ａは、遮光性を有している。従って、走査線３ａ、データ線６ａ、容量線７ａ、およびこれらの配線と同層の電極が形成された領域は、光が通過しない遮光領域１８であり、遮光領域１８で囲まれた領域は、光が透過する開口領域１７である。また、１つの画素において開口領域１７が占める割合が画素開口率に相当する。
図４および図５に示すように、第１基板１０では、基板本体１９とトランジスター３０の半導体膜３１ａとの間の層に層間絶縁膜４１が第１基板１０には、トランジスター３０を基板本体１９とは反対側から覆う層間絶縁膜４２が設けられている。また、層間絶縁膜４２とＩＴＯ電極９ａとの間の層には層間絶縁膜４３、４４、４５が順に積層されている。層間絶縁膜４１、４２、４３、４４、４５は各々、酸化シリコン等の透光性の絶縁膜からなる。本形態において、層間絶縁膜４１、４２、４５は、ＩＴＯ電極９ａ側の面が化学的機械研磨等の平坦化処理によって連続した平面になっている。層間絶縁膜４５は、酸化シリコン膜４５１と、酸化シリコン膜４５１の上層に積層されたホウケイ酸ガラス膜４５２（ＢＳＧ：ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）とを備える。ホウケイ酸ガラス膜４５２は、液晶層８０に含まれる水分を吸着する等の機能を有する。
３．各層の詳細説明
図４および図５に示すように、第１基板１０において、基板本体１９と層間絶縁膜４１との間の層には遮光膜３ｂが設けられている。本形態において、遮光膜３ｂは、第１方向Ｘに沿って延在する走査線３ａを構成している。遮光膜３ｂは、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、遮光膜３ｂは、タングステンシリサイド、タングステン、窒化チタン等からなる。
層間絶縁膜４１と層間絶縁膜４２との間の層には、画素スイッチング用のトランジスター３０が構成されている。トランジスター３０は、層間絶縁膜４１の基板本体１９とは反対側の面に形成された半導体膜３１ａと、半導体膜３１ａのＩＴＯ電極９ａ側に積層されたゲート絶縁膜３２と、ゲート絶縁膜３２のＩＴＯ電極９ａ側で半導体膜３１ａと平面視で重なるゲート電極８ａとを備えている。半導体膜３１ａは、ポリシリコン膜によって構成されている。ゲート絶縁膜３２は、半導体膜３１ａを熱酸化した酸化シリコンからなる第１ゲート絶縁膜３２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコンからなる第２ゲート絶縁膜３２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極８ａは、導電性のポリシリコン膜、金属膜、あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
走査線３ａは、第１方向Ｘに延在している。半導体膜３１ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部分から第１方向Ｘの他方側Ｘ２に延在しており、走査線３ａと平面視で重なっている。半導体膜３１ａは、ゲート電極８ａと平面視で重なる部分がチャネル領域３１ｃになっている。本形態において、トランジスター３０はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有している。従って、半導体膜３１ａにおいて、チャネル領域３１ｃに対して第１方向Ｘの他方側Ｘ２の画素電極側ソースドレイン領域３１ｄは、チャネル領域３１ｃから第１方向Ｘに離間する第１コンタクト領域３１ｅと、第１コンタクト領域３１ｅとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第１低濃度領域３１ｆとを有しており、第１低濃度領域３１ｆは、第１コンタクト領域３１ｅより不純物濃度が低い。また、半導体膜３１ａにおいて、チャネル領域３１ｃに対して第１方向Ｘの一方側Ｘ１のデータ線側ソースドレイン領域３１ｓは、チャネル領域３１ｃから第１コンタクト領域３１ｅとは反対側に離間する第２コンタクト領域３１ｔと、第２コンタクト領域３１ｔとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第２低濃度領域３１ｕとを有しており、第２低濃度領域３１ｕは、
第２コンタクト領域３１ｔより不純物濃度が低い。第１コンタクト領域３１ｅおよび第２コンタクト領域３１ｔは、それらの一部が上層側の電極や配線との電気的な接続に用いられる。
層間絶縁膜４１には、走査線３ａとトランジスター３０のゲート電極８ａとを電気的に接続するための溝４１ｇが設けられている。溝４１ｇは、半導体膜３１ａの側方を通って走査線３ａに到達するように層間絶縁膜４１を貫通する第１溝４１ｇ１と、半導体膜３１ａの第１溝４１ｇ１とは反対側の側方で走査線３ａに到達するように層間絶縁膜４１を貫通する第２溝４１ｇ２として設けられている。第１溝４１ｇ１および第２溝４１ｇ２は各々、半導体膜３１ａの両側を通って半導体膜３１ａに沿うように第１方向Ｘに延在し、ゲート電極８ａおよび走査線３ａの双方と平面視で重なっている。
ゲート電極８ａは、半導体膜３１ａと交差するように第２方向Ｙに延在した導電性のポリシリコン膜８１ａと、ポリシリコン膜８１ａを覆う遮光性の導電膜８２ａとを積層することによって構成されている。導電膜８２ａに用いた導電性の遮光性材料は、ポリシリコン膜８１ａより遮光性が高く、抵抗が小さい。例えば、導電膜８２ａは、タングステンシリサイド膜等のシリサイド膜からなる。
導電膜８２ａは、ポリシリコン膜８１ａより広い範囲にわたって形成されており、ポリシリコン膜８１ａの全体を覆っている。従って、ゲート電極８ａにおいてポリシリコン膜８１ａが形成されている電極部８ａ０では、ポリシリコン膜８１ａと遮光性の導電膜８２ａの２層構造になっており、ゲート電極８ａにおいてポリシリコン膜８１ａが形成されていない領域では、導電膜８２ａの単層構造になっている。従って、第１溝４１ｇ１および第２溝４１ｇ２の内部にはポリシリコン膜８１ａが形成されておらず、導電膜８２ａの単層構造になっている。これに対して、電極部８ａ０のうち、溝４１ｇの外側の部分では、ポリシリコン膜８１ａと導電膜８２ａとの２層構造になっている。
導電膜８２ａは、第１溝４１ｇ１および第２溝４１ｇ２の内壁全体に沿って設けられており、ゲート電極８ａと走査線３ａとを電気的に接続している。それ故、ゲート電極８ａは、走査線３ａから走査信号が印加される。また、導電膜８２ａは、半導体膜３１ａの側方を通って走査線３ａに到達するように層間絶縁膜４１を貫通する第１遮光壁８ａ１と、半導体膜３１ａの第１遮光壁８ａ１とは反対側の側方で走査線３ａに到達するように層間絶縁膜４１を貫通する第２遮光壁８ａ２とを構成している。
トランジスター３０の上層側において、層間絶縁膜４２と層間絶縁膜４３との間の層には、第１容量電極４ａ、誘電体膜４０および第２容量電極５ａが順に積層された積層膜によって、容量素子５５が構成されている。容量素子５５は、ＩＴＯ電極９ａとＩＴＯ電極２５との間に構成された液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐ保持容量である。第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属膜、あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性のポリシリコン膜からなる。
層間絶縁膜４３の上層側には層間絶縁膜４４、４５が形成されている。層間絶縁膜４３と層間絶縁膜４４との間の層にはデータ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃが設けられている。データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは同一の導電膜からなる。データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃはいずれも、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。例えば、データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは、チタン層／窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造や、窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造からなる。
層間絶縁膜４２および層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ａが設けられており、データ線６ａは、コンタクトホール４３ａを介して、半導体膜３１ａの第２コンタクト領域３１ｔに電気的に接続されている。層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ｂが設けられており、中継電極６ｂは、コンタクトホール４３ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。層間絶縁膜４３にはコンタクトホール４３ｃが設けられており、中継電極６ｃは、コンタクトホール４３ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。中継電極６ｃは、半導体膜３１ａの少なくとも第２低濃度領域３１ｕから第１低濃度領域３１ｆまでをＩＴＯ電極９ａの側から覆い、少なくとも第２低濃度領域３１ｕと平面視で重なっている。
層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との間の層には、容量線７ａおよび中継電極７ｂが設けられている。容量線７ａおよび中継電極７ｂは同一の導電膜からなる。容量線７ａおよび中継電極７ｂはいずれも、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。例えば、容量線７ａおよび中継電極７ｂは、チタン層／窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造や、窒化チタン層／アルミニウム層／窒化チタン層の多層構造からなる。
層間絶縁膜４４にはコンタクトホール４４ｃが設けられており、容量線７ａは、コンタクトホール４４ｃを介して中継電極６ｃに電気的に接続されている。従って、容量線７ａは、中継電極６ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されており、第２容量電極５ａには、容量線７ａから共通電位が印加される。層間絶縁膜４４にはコンタクトホール４４ｂが設けられており、中継電極７ｂは、コンタクトホール４４ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。
層間絶縁膜４５には、コンタクトホール４５ａが設けられており、ＩＴＯ電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。従って、ＩＴＯ電極９ａは、中継電極７ｂ、６ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。ここで、第１容量電極４ａは、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ａを介して半導体膜３１ａの第１コンタクト領域３１ｅに電気的に接続している。従って、ＩＴＯ電極９ａは、第１容量電極４ａを介して半導体膜３１ａの第１コンタクト領域３１ｅに電気的に接続されている。
このように構成した液晶装置１００において、第２基板２０の側から入射した光は、半導体膜３１ａに対して第２基板２０の側に設けられたデータ線６ａ、中継電極６ｃ、容量線７ａ等によって遮られるため、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。また、第１基板１０の側から出射した光が再び、第１基板１０の側から入射した場合でも、半導体膜３１ａに対して基板本体１９の側に設けられた走査線３ａによって遮られるため、半導体膜３１ａへの入射が抑制される。また、第１基板１０において、半導体膜３１ａの側方には、層間絶縁膜４１を貫通して走査線３ａに到達した第１遮光壁８ａ１および第２遮光壁８ａ２が設けられているため、第２基板２０の側から入射した後、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光、および第１基板１０の側から入射した後、半導体膜３１ａに交差する第２方向Ｙに進行する光の双方を第１遮光壁８ａ１および第２遮光壁８ａ２によって遮ることができる。
４．ＩＴＯ電極９ａ、２５近傍の構成
図６は、図４に示すＩＴＯ電極９ａの近傍を拡大して模式的に示す説明図である。図６には、隣り合う２つのＩＴＯ電極９ａの近傍を模式的に示してある。図７は、各種の酸化シリコンの膜のエッチング速度を示すグラフである。図７には、各種の酸化シリコンの膜のエッチング速度を原子堆積法で成膜した高密度酸化シリコンのエッチング速度との比で示してある。
図４および図５に示すように、第１基板１０の第２基板２０と対向する面側では、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａの底部でＩＴＯ電極９ａが中継電極７ｂに接することによって、ＩＴＯ電極９ａと中継電極７ｂとが電気的に接続されている。また、第１基板１０は、第２基板２０と対向する面側に、ＩＴＯ電極９ａと、ＩＴＯ電極９ａに対して液晶層８０側に設けられた斜方蒸着膜からなる配向膜１６と、ＩＴＯ電極９ａと配向膜１６との間に設けられた中間屈折率膜１１とを備えている。中間屈折率膜１１は、ＩＴＯ電極９ａの屈折率と配向膜１６の屈折率との間の屈折率を備える。本形態において、配向膜１６は、酸化シリコンの斜方蒸着膜である。ＩＴＯ電極９ａは厚さが薄く、ＩＴＯ電極９ａの厚さは２０ｎｍ以下である。例えば、ＩＴＯ電極９ａの厚さは、１５ｎｍ以上、かつ、２０ｎｍ以下である。
第２基板２０は、第１基板１０と対向する面側に、ＩＴＯ電極２５と、ＩＴＯ電極２５に対して液晶層８０側に設けられた斜方蒸着膜からなる配向膜２６と、ＩＴＯ電極２５と配向膜２６との間に設けられた中間屈折率膜２１とを備えている。中間屈折率膜２１は、ＩＴＯ電極２５の屈折率と配向膜２６の屈折率との間の屈折率を備える。本形態において、配向膜２６は、酸化シリコンの斜方蒸着膜である。ＩＴＯ電極２５は厚さが薄く、ＩＴＯ電極２５の厚さは２０ｎｍ以下である。例えば、ＩＴＯ電極２５の厚さは、１５ｎｍ以上、かつ、２０ｎｍ以下である。
本形態では、中間屈折率膜１１と配向膜１６との間には、配向膜１６より膜密度が高い高密度酸化シリコン膜１２が積層され、中間屈折率膜２１と配向膜２６との間には、配向膜２６より膜密度が高い高密度酸化シリコン膜２２が積層されている。膜密度の高低は、図７を参照して後述するように、酸化シリコン膜に対するエッチング液へのエッチング速度の高低で判定でき、エッチング速度が遅い場合、膜密度が高いと判定できる。本形態において、高密度酸化シリコン膜１２、２２はいずれも原子堆積法により形成された膜である。
ここで、配向膜１６、２６は材料および成膜方法が同一であるとともに、配向膜１６、２６の膜厚の設計値が等しい。このため、配向膜１６、２６の膜厚は、等しいか、略等しい。中間屈折率膜１１、２１はいずれも、材料および成膜方法が同一であるとともに、中間屈折率膜１１、２１の膜厚の設計値が等しい。このため、中間屈折率膜１１、２１の膜厚は等しいか、略等しい。高密度酸化シリコン膜１２、２２は材料および成膜方法が同一であり、高密度酸化シリコン膜１２、２２の膜厚の設計値が等しい。このため、高密度酸化シリコン膜１２、２２の膜厚は等しいか、略等しい。従って、以下の説明では、第１基板１０側の配向膜１６、中間屈折率膜１１、および高密度酸化シリコン膜１２を中心に説明し、第２基板２０側の配向膜２６、中間屈折率膜２１、および高密度酸化シリコン膜２２については説明を省略する。
図６に示す第１基板１０において、ＩＴＯ電極９ａの屈折率は２．１であるのに対して、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる配向膜１６の屈折率は１．４６である。従って、中間屈折率膜１１は、ＳｉＮｘで表される窒化シリコン膜（屈折率＝２．０）、ＳｉＯＮで表される酸窒化シリコン膜（屈折率＝１．５８～１．６８）、またはＡｌ２Ｏ３で表される酸化アルミニウム膜（屈折率＝１．７７）である。
中間屈折率膜１１は、垂直蒸着法やＣＶＤ法等により形成される。このため、中間屈折率膜１１は、ＩＴＯ電極９ａの表面や、隣り合うＩＴＯ電極９ａの間には形成されるが、コンタクトホール４５ａの内部にはほとんど形成されない。また、ＩＴＯ電極９ａの側面のうち、上端部分は中間屈折率膜１１から露出した状態にある。
高密度酸化シリコン膜１２は、原子堆積法により形成される。従って、高密度酸化シリコン膜１２は、ＩＴＯ電極９ａの上層側や、隣り合うＩＴＯ電極９ａの間に形成されているとともに、コンタクトホール４５ａの内部にも適正に形成される。また、高密度酸化シリコン膜１２は、ＩＴＯ電極９ａの側面も覆う。また、高密度酸化シリコン膜１２は、原子堆積法により形成された膜であるため、斜方蒸着により形成した配向膜１６より膜密度が高く、垂直蒸着法により形成された酸化シリコン膜よりも膜密度が高い。このため、図７に示すように、フッ化水素水と接触したときのエッチング速度が遅い。
図７には、以下の試料を温度が２３℃の１質量％のフッ化水素水と接触させたときの減量を比較してある。図７では、試料（６）の減量を１とした場合の比を示してあり、試料（６）は、原子堆積法により形成した酸化シリコン膜である。なお、試料（４）の成膜には原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）を用い、試料（５）の成膜には原料ガスとしてオルトケイ酸テトラエチル（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を用いた。
試料
試料（１）：４６°の仰角で斜方蒸着した酸化シリコン膜
試料（２）：５１°の仰角で斜方蒸着した酸化シリコン膜
試料（３）：垂直蒸着した酸化シリコン膜
試料（４）：高密度プラズマＣＶＤ法により成膜した酸化シリコン膜
試料（５）：プラズマＣＶＤ法により成膜した酸化シリコン膜
試料（６）：原子堆積法により形成した酸化シリコン膜
図７から分かるように、原子堆積法により形成した高密度酸化シリコン膜１２は、斜方蒸着した酸化シリコン膜や、垂直蒸着した酸化シリコン膜によりエンチング速度が著しく遅い。例えば、高密度酸化シリコン膜１２は、温度が２３℃の１質量％のフッ化水素水と接触したときのエッチング速度が４０ｎｍ／ｍｉｎ以下である。特に、高密度酸化シリコン膜１２は、温度が２３℃の１質量％のフッ化水素水と接触したときのエッチング速度が２０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
ここで、高密度プラズマＣＶＤ法により成膜した酸化シリコン膜、およびプラズマＣＶＤ法により成膜した酸化シリコン膜も、原子堆積法により形成した酸化シリコン膜と同様、膜密度が高く、エッチング速度が遅い。但し、原子堆積法により形成した酸化シリコン膜は、高密度プラズマＣＶＤ法により成膜した酸化シリコン膜、およびプラズマＣＶＤ法により成膜した酸化シリコン膜よりの段差被覆性に優れており、コンタクトホール４５ａの内部でもＩＴＯ電極９ａを覆う。それ故、本形態では、原子堆積法により高密度酸化シリコン膜１２を形成した。
再び図６において、配向膜１６は、矢印Ｄで示す斜め方向から蒸着した斜方蒸着膜であるため、ＩＴＯ電極９ａの側面やコンタクトホール４５ａの内部で影になる部分に配向膜１６が形成されないことが多いが、本形態では、原子堆積法で形成した高密度酸化シリコン膜１２を設けたため、ＩＴＯ電極９ａの側面等が露出しておらず、ＩＴＯ電極９ａと液晶層８０とが接する等の事態が発生しにくい。
５．液晶装置１００の製造方法
本形態の液晶装置１００の製造方法では、第１基板１０の第２基板２０と対向する面側、および第２基板２０の第１基板１０と対向する面側に対して、ＩＴＯ電極９ａ、２５を形成する第１工程と、第１工程の後、斜方蒸着によって配向膜１６、２６を形成する第２工程とを行う。
本形態では、第１工程の後、かつ、第２工程の前に、ＩＴＯ電極９ａ、２５の屈折率と
配向膜１６、２６の屈折率との間の屈折率の中間屈折率膜１１、２１を形成する第３工程を行う。また、本形態では、第３工程の後、かつ、第２工程の前に、高密度酸化シリコン膜１２、２２を原子堆積法によって形成する第４工程を行う。
６．本形態の主な効果
このように本形態の液晶装置１００では、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間、および配向膜２６とＩＴＯ電極２５との間の各々に中間屈折率膜１１、２１が設けられているため、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間、および配向膜２６とＩＴＯ電極２５との間には、屈折率差が大きい界面が存在しない。従って、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間での反射、および配向膜２６とＩＴＯ電極２５との間での反射を抑制することができるので、表示を行う際の光の利用効率を高めることができる。
また、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間、および配向膜２６とＩＴＯ電極２５との間の各々に中間屈折率膜１１、２１が設けられているため、ＩＴＯ電極９ａ、２５の側面の一部を中間屈折率膜１１、２１によって覆うことができる。また、ＩＴＯ電極９ａの膜厚が２０ｎｍ以下であり、薄いので、中間屈折率膜１１を形成した際、ＩＴＯ電極９ａの側面は中間屈折率膜１１から露出しにくい。さらに、中間屈折率膜１１と配向膜１６との間には、高密度酸化シリコン膜１２が形成されているため、ＩＴＯ電極９ａの側面をさらに高密度酸化シリコン膜１２によって覆うことができる。また、高密度酸化シリコン膜１２は、原子堆積法によって成膜されるため、高密度酸化シリコン膜１２は、隣り合うＩＴＯ電極９ａの間においてＩＴＯ電極９ａの側面を覆うとともに、コンタクトホール４５ａの内部にも適正に形成される。従って、ＩＴＯ電極９ａと液晶層８０とが直接、接触することに起因する液晶層８０の劣化を抑制することができる。
また、ＩＴＯ電極９ａの膜厚が薄いので、ＩＴＯ電極９ａにおけるＩＴＯのグレインサイズが小さい。このため、ＩＴＯ電極９ａの上層に成膜した際、膜の密度を高めることができる。それ故、第１基板１０と液晶層８０との界面が安定するため、液晶層８０の劣化を抑制することができる。
また、第２基板２０の側では元々、段差やコンタクトホール４５ａが存在しないが、本形態では、ＩＴＯ電極２５の表面の構造をＩＴＯ電極９ａの表面の構造と同一としている。このため、ＩＴＯ電極９ａの表面とＩＴＯ電極２５の表面とを対称とすることができるので、表示の際に極性反転駆動を行った場合でも、電荷の偏り等が発生しにくい。
［実施形態１の改良例］
図８は、本発明の実施形態１の改良例に係る液晶装置１００の説明図である。図８には、第１基板１０のＩＴＯ電極９ａの近傍を拡大して示してある。なお、本形態および後述する実施形態２、３の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
実施形態１では、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａの底部でＩＴＯ電極９ａが中継電極７ｂに接していたが、本形態では、図８に示すように、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａの内部がタングステン等の金属材料からなるプラグ２ａによって埋められ、ＩＴＯ電極９ａはプラグ２ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。プラグ２ａを形成するには、コンタクトホール４５ａを形成した後、コンタクトホール４５ａを埋めるまでタングステン等の金属材料を成膜し、その後、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって平坦化処理を行うことによって、プラグ２ａを形成する。その他の構成は、実施形態１と同様である。
かかる態様によれば、図６に示すコンタクトホール４５ａの内部でＩＴＯ電極９ａが露出した状態となることがないので、コンタクトホール４５ａの内部でＩＴＯ電極９ａと液晶層８０とが直接、接触することを防止することができる。
［実施形態２］
図９は、本発明の実施形態２に係る液晶装置１００の説明図である。図９には、第１基板１０のＩＴＯ電極９ａの近傍を拡大して示してある。
図９に示すように、本形態の液晶装置１００の第１基板１０の第２基板２０と対向する面側では、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａの底部でＩＴＯ電極９ａが中継電極７ｂに接することによって、ＩＴＯ電極９ａと中継電極７ｂとが電気的に接続されている。また、第１基板１０は、ＩＴＯ電極９ａと、ＩＴＯ電極９ａに対して液晶層８０側に設けられた斜方蒸着膜からなる配向膜１６と、ＩＴＯ電極９ａと配向膜１６との間に設けられた中間屈折率膜１３を備えている。中間屈折率膜１３は、ＩＴＯ電極９ａの屈折率と配向膜１６の屈折率との間の屈折率を備える。配向膜１６は、酸化シリコンからなる。
本形態において、中間屈折率膜１３は、窒化シリコン膜（屈折率＝２．０）、または酸化アルミニウム（屈折率＝１．７７）からなる。また、中間屈折率膜１３は、窒化シリコンの蒸着膜より膜密度が高い高密度窒化シリコン膜、または酸化アルミニウムの蒸着膜より膜密度が高い高密度酸化アルミニウム膜からなる
また、中間屈折率膜１３は、原子堆積法によって成膜された膜である。従って、中間屈折率膜１３は、ＩＴＯ電極９ａの上層側や、隣り合うＩＴＯ電極９ａの間に形成されているとともに、コンタクトホール４５ａの内部にも適正に形成される。また、中間屈折率膜１３は、隣り合うＩＴＯ電極９ａの間においてＩＴＯ電極９ａの側面も覆う。
本形態の液晶装置１００の製造方法では、第１基板１０の第２基板２０と対向する面側、および第２基板２０の第１基板１０と対向する面側に対して、ＩＴＯ電極９ａ、２５を形成する第１工程と、第１工程の後、斜方蒸着によって配向膜２６、２６を形成する第２工程とを行う。また、第１工程の後、かつ、第２工程の前に、ＩＴＯ電極９ａ、２５の屈折率と配向膜１６、２６の屈折率との間の屈折率の中間屈折率膜１３を形成する第３工程を行う。本形態では、第３工程において中間屈折率膜１３を形成する際、窒化シリコン膜または酸化アルミニウム膜を原子堆積法によって形成する。
このように本形態の液晶装置１００では、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間に中間屈折率膜１３が設けられているため、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間には、屈折率差が大きい界面が存在しない。従って、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間での反射を抑制することができるので、表示を行う際の光の利用効率を高めることができる。また、中間屈折率膜１３は、原子堆積法によって成膜されるため、中間屈折率膜１３は、隣り合うＩＴＯ電極９ａの間においてＩＴＯ電極９ａの側面を覆うとともに、コンタクトホール４５ａの内部にも適正に形成される。また、ＩＴＯ電極９ａの膜厚が２０ｎｍ以下であり、薄いので、中間屈折率膜１３を形成した際、ＩＴＯ電極９ａの側面は中間屈折率膜１１から露出しにくい。従って、ＩＴＯ電極９ａと液晶層８０とが直接、接触することに起因する液晶層８０の劣化を抑制することができる。
［実施形態２の改良例］
図１０は、本発明の実施形態２の改良例に係る液晶装置１００の説明図である。図１０には、第１基板１０のＩＴＯ電極９ａの近傍を拡大して示してある。本形態では、図１０に示すように、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａの内部がタングステン
等の金属材料からなるプラグ２ａによって埋められ、ＩＴＯ電極９ａはプラグ２ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。その他の構成は、実施形態１と同様である。
かかる態様によれば、図９に示すコンタクトホール４５ａの内部でＩＴＯ電極９ａが露出した状態となることがないので、コンタクトホール４５ａの内部でＩＴＯ電極９ａと液晶層８０とが直接、接触することを防止することができる。
［実施形態３］
図１１は、本発明の実施形態３に係る液晶装置１００の説明図である。図１１には、第１基板１０のＩＴＯ電極９ａの近傍を拡大して示してある。図１１に示すように、本形態の液晶装置１００の第１基板１０の第２基板２０と対向する面側では、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａの底部でＩＴＯ電極９ａが中継電極７ｂに接することによって、ＩＴＯ電極９ａと中継電極７ｂとが電気的に接続されている。また、第１基板１０は、ＩＴＯ電極９ａと、ＩＴＯ電極９ａに対して液晶層８０側に設けられた斜方蒸着膜からなる配向膜１６と、ＩＴＯ電極９ａと配向膜１６との間に設けられた中間屈折率膜１１とを備えている。配向膜１６は、酸化シリコンからなる。
中間屈折率膜１１は、ＩＴＯ電極９ａの屈折率（＝２．１）と配向膜１６の屈折率（＝１．４６）との間の屈折率を備える。例えば、中間屈折率膜１１は、窒化シリコン膜（屈折率＝２．０）、酸窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜（屈折率＝１．７７）である。従って、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間には、屈折率差が大きい界面が存在しない。それ故、配向膜１６とＩＴＯ電極９ａとの間での反射を抑制することができるので、表示を行う際の光の利用効率を高めることができる。
［実施形態３の改良例］
図１２は、本発明の実施形態３の改良例に係る液晶装置１００の説明図である。図１２には、第１基板１０のＩＴＯ電極９ａの近傍を拡大して示してある。本形態では、図１２に示すように、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａの内部がタングステン等の金属材料からなるプラグ２ａによって埋められ、ＩＴＯ電極９ａはプラグ２ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。その他の構成は、実施形態１と同様である。
かかる態様によれば、図１１に示すコンタクトホール４５ａの内部でＩＴＯ電極９ａが露出した状態となることがないので、コンタクトホール４５ａの内部でＩＴＯ電極９ａと液晶層８０とが直接、接触することを防止することができる。
［他の実施形態］
上記実施形態では、第２基板２０の側から光源光が入射する液晶装置１００を例に説明したが、第１基板１０の側から光源光が入射する液晶装置１００に本発明を適用してもよい。
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を用いた電子機器について説明する。図１３は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図１３には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図１３に示す投射型表示装置２１００は、液晶装置１００を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、液晶装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット等からなる光源部２１０２が設けられている。光源部２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青
）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、光路合成素子としてのダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。従って、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから出射された光は、光路合成素子であるダイクロイックプリズム２１１２に合成され、スクリーン２１２０には、投射光学系２１１４によってカラー画像が投射される。
［電子機器への改良例］
図１３に示す投射型表示装置２１００において、第１波長域の光としての青（Ｂ）色の光が入射するライトバルブ１００Ｂに用いた液晶装置１００を第１液晶装置とし、第１波長域より長波長の第２波長域の光としての緑（Ｇ）色の光が入射するライトバルブ１００Ｇに用いた液晶装置１００を第２液晶装置としたとき、第１液晶装置では、第２液晶装置より、ＩＴＯ電極９ａ、２５の厚さを薄くすることが好ましい。
また、第１波長域の光としての緑（Ｇ）色の光が入射するライトバルブ１００Ｇに用いた液晶装置１００を第１液晶装置とし、第１波長域より長波長の第２波長域の光としての赤（Ｒ）色の光が入射するライトバルブ１００Ｒに用いた液晶装置１００を第２液晶装置としたとき、第１液晶装置では、第２液晶装置より、ＩＴＯ電極９ａ、２５の厚さを薄くしてもよい。
［他の投射型表示装置］
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
［他の電子機器］
本発明を適用した液晶装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のヘッドアップディスプレイ、直視型のヘッドマウントディスプレイ、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
２ａ…プラグ、３ａ…走査線、３ｂ…遮光膜、４ａ…第１容量電極、５ａ…第２容量電極、６ａ…データ線、６ｂ、６ｃ、７ｂ…中継電極、７ａ…容量線、８ａ…ゲート電極、８ａ１…第１遮光壁、８ａ２…第２遮光壁、９ａ、２５…ＩＴＯ電極、９１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１１、１３、２１…中間屈折率膜、１２、２２…高密度酸化シリコン膜、１３…中間屈折率膜、１６、２６…配向膜、２０…第２基板、３０…トランジスター、３１ａ…半導体膜、４１、４２、４３、４４、４５…層間絶縁膜、４２ａ、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４４ｂ、４４ｃ、４５ａ…コンタクトホール、５５…容量素子、８０…液晶層、１００…液晶装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、２１００…投射型表示装置、２１０２…光源部、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射光学系。

Claims (15)

  1. 第１基板と、
    前記第１基板と対向する第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    を有し、
    前記第１基板の前記第２基板と対向する面、および前記第２基板の前記第１基板と対向する面に、ＩＴＯ電極と、前記ＩＴＯ電極に対して前記液晶層側に設けられた酸化シリコンの斜方蒸着膜からなる配向膜と、前記ＩＴＯ電極と前記配向膜との間に設けられ、前記ＩＴＯ電極の屈折率と前記配向膜の屈折率との間の屈折率の中間屈折率膜と、を備えることを特徴とする液晶装置。
  2. 請求項１に記載の液晶装置において、
    前記中間屈折率膜と前記配向膜との間には、酸化シリコンの蒸着膜より膜密度が高い高密度酸化シリコン膜が積層されていることを特徴とする液晶装置。
  3. 請求項１に記載の液晶装置において、
    前記中間屈折率膜と前記配向膜との間には、温度が２３℃の１質量％のフッ化水素水と接触したときのエッチング速度が、酸化シリコンの蒸着膜より遅い高密度酸化シリコン膜が積層されていることを特徴とする液晶装置。
  4. 請求項３に記載の液晶装置において、
    前記高密度酸化シリコン膜は、前記エッチング速度が４０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする液晶装置。
  5. 請求項４に記載の液晶装置において、
    前記高密度酸化シリコン膜は、前記エッチング速度が２０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする液晶装置。
  6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の液晶装置において、
    前記中間屈折率膜は、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜であることを特徴とする液晶装置。
  7. 請求項１に記載の液晶装置において、
    前記中間屈折率膜は、窒化シリコンの蒸着膜より膜密度が高い高密度窒化シリコン膜、または酸化アルミニウムの蒸着膜より膜密度が高い高密度酸化アルミニウム膜からなることを特徴とする液晶装置。
  8. 請求項１から７までの何れか一項に記載の液晶装置において、
    前記ＩＴＯ電極の厚さ、前記中間屈折率膜の厚さ、および前記配向膜の厚さはいずれも、前記第１基板と前記第２基板とにおいて等しいことを特徴とする液晶装置。
  9. 請求項１から８までの何れか一項に記載の液晶装置において、
    前記ＩＴＯ電極は、膜厚が１５ｎｍ以上、かつ、２０ｎｍ以下であることを特徴とする液晶装置。
  10. 請求項１から９までの何れか一項に記載の液晶装置において、
    前記第１基板では、前記ＩＴＯ電極が基板本体の前記液晶層側に設けられた画素電極であり、
    前記第１基板は、前記基板本体と前記画素電極との間の層に設けられた中継電極と、前
    記中継電極と前記画素電極との間の層に設けられた層間絶縁膜と、を備え、
    前記画素電極は、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールの内部に充填されたプラグを介して前記中継電極と電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
  11. 第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、を有する液晶装置の製造方法において、
    前記第１基板の前記第２基板と対向する面側、および前記第２基板の前記第１基板と対向する面側に対して、
    ＩＴＯ電極を形成する第１工程と、
    前記第１工程の後、斜方蒸着によって酸化シリコンからなる配向膜を形成する第２工程と、
    前記第１工程の後、かつ、前記第２工程の前に、前記ＩＴＯ電極の屈折率と前記配向膜の屈折率との間の屈折率の中間屈折率膜を形成する第３工程と、
    を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  12. 請求項１１に記載の液晶装置の製造方法において、
    前記第３工程の後、かつ、前記第２工程の前に、酸化シリコン膜を原子堆積法によって形成する第４工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  13. 請求項１１に記載の液晶装置の製造方法において、
    前記第３工程では、前記中間屈折率膜として、窒化シリコン膜または酸化アルミニウム膜を原子堆積法によって形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  14. 請求項１から１０までの何れか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
  15. 請求項１４に記載の電子機器において、
    前記液晶装置として、第１波長域の光が入射する第１液晶装置と、前記第１波長域より長波長の第２波長域の光が入射する第２液晶装置と、が設けられ、
    前記第１液晶装置から出射された光、および前記第２液晶装置から出射された光を合成して出射する光路合成素子が設けられ、
    前記第１液晶装置は、前記第２液晶装置より、前記ＩＴＯ電極の厚さが薄いことを特徴とする電子機器。
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JPH08106095A (ja) 1994-10-06 1996-04-23 Seiko Instr Inc 電気書込型及び光書込型液晶空間光変調器
JP2000056297A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Victor Co Of Japan Ltd 液晶表示デバイス
US7898632B2 (en) * 2005-12-28 2011-03-01 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2007219365A (ja) 2006-02-20 2007-08-30 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器
JP2010078998A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
JP2011081187A (ja) 2009-10-07 2011-04-21 Lg Display Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
EP2983040B1 (en) * 2014-07-25 2019-05-22 LG Display Co., Ltd. Transparent display based on a guest-host cholesteric liquid crystal device

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