CN102792219B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在第1基板的第1配线(21、23a)上方，以沿着基板外周缘部连续地延伸并且横穿第1配线(21、23a)的方式形成有槽(27)，在槽(27)的至少与第1配线(21、23a)在俯视时重叠的区域的下层，槽基底金属(27a)与第2配线(23)设置于同一层。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置等显示装置，特别是，涉及为了控制取向膜的涂敷区域而在边框区域设置的槽的周边的结构。 
背景技术
液晶显示装置能薄型化并且是低功耗的，因此被广泛用作电视、个人计算机等OA(办公自动化)设备、便携电话、PDA(Personal Digital Assistant：个人数字助理)等便携式信息设备的显示器。 
液晶显示装置具备：液晶显示面板；和装配在液晶显示面板的背面侧的背光源单元。液晶显示面板具有利用密封材料将如下基板贴合的构成：具备薄膜晶体管等开关元件的阵列基板；和与阵列基板相对配置的相对基板，在两个基板间构成的空间封入有液晶材料。相对基板采用比阵列基板小一圈的基板，由此在露出的阵列基板的端子区域上安装有驱动电路。 
液晶显示面板包括：进行图像显示的显示区域；和包围显示区域的非显示区域。 
在阵列基板的与液晶层相接的表面，以至少覆盖显示区域的方式形成有取向膜。同样地，在相对基板的与液晶相接的表面，以至少覆盖显示区域的方式形成有取向膜。 
例如，能够对通过柔版印刷法、喷墨法等形成的聚酰亚胺等树脂膜的表面进行摩擦处理来形成取向膜。在树脂膜的成膜中，由于喷墨法在如下方面等优异而优选使用：能够在基板上直接描画；是非接触工艺，因而污染低；溶液的消耗量少，能够缩短作业时间。 
此外，当通过喷墨法形成取向膜时，与柔版法的情况相比，会使用粘度较低的材料的树脂作为树脂膜的原料，因此取向膜的原料容易泄漏扩展到想要印刷的区域(显示区域)的周边的区域。在显示区域周围的非显示区域较小而不能够确保显示区域和密封材料的区域的间隔较大的情况下，取向膜会流出到密封材料的区域。并 且，在该情况下，密封材料和取向膜的粘合性是不充分的，因此不能够完全地密封，而成为液晶层的液晶材料泄漏的原因。 
为了解决上述的问题，在专利文献1中，公开了如下构成的液晶显示装置：在显示区域的外侧且成为配置密封材料的区域的内侧的大致环状区域，具有在沿着显示区域的外周的方向上较长延伸的槽部。并且记载了：根据该构成，即使通过喷墨法涂敷的液状树脂材料扩展到显示区域的外侧，也能够在槽部阻止树脂材料的扩展，能够抑制取向膜在显示区域的外侧的濡湿扩展。在专利文献1中，还公开了在槽部表面形成ITO膜等导电膜的构成。记载了：作为取向膜材料的液状树脂材料对ITO膜的湿润性较低，因此，根据该构成，能够在槽部阻止液状树脂材料的湿润扩展。 
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2007-322627号公报 
发明内容
发明要解决的问题
此外，在专利文献1所记载的构成的液晶显示装置中，构成槽部的区域以在沿着显示区域的外周的方向上较长延伸的方式设置，但各槽部以不与配线重叠的方式形成。因此，在槽部，沿着设置有配线的线，有机膜以横穿槽部的垄那样相对于槽部的底部而隆起。然而，关于上述构成的液晶显示装置，本发明的发明人等发现了以下的问题点。即，即使在显示区域的外周设置槽部，也会由于存在横穿槽部的垄状隆起结构，取向膜的原料因表面张力等而顺着垄状的隆起结构流出到槽部的外侧，从而不能够充分地控制取向膜向密封区域的流出。 
然而，当为了使得横穿槽部的垄状隆起结构不存在，而如图32的俯视图所示以横穿配线101的方式形成槽102时，如图33(a)所示，由于在槽表面设置有导电膜103，相邻的配线101彼此会通过导电膜103导通，在两个配线的电位不同的情况下短路。 
另一方面，当为了防止配线101彼此的短路而不设置导电膜103地构成槽102时，由于配线101从表面露出，腐蚀、氧化会导致配线101容易老化。另外，如图33(b)所示，当导电性异物104横跨相邻的配线101而接触时，会在该配线101间短路。而且，在槽102的区域中存在导电性颗粒105的情况下，露出的配线101和相反的一侧的基板的电极106会漏电。 
本发明的目的在于，在取向膜形成时抑制取向膜原料朝向基板外侧方流出，从而使取向膜和密封材料之间的距离变小，由此得到窄边框的显示装置。 
用于解决问题的方案
在本发明的显示装置中，第1基板和第2基板相对配置，第1基板具备：基板主体；设置于基板主体上的第1配线；以及与第1配线隔着绝缘膜设置的第2配线，在显示区域中，以相互平行地延伸的方式设置有多个第1配线，以在与上述各第1配线交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置有多个第2配线，与在两个配线的在俯视时的每个交叉部形成的开关元件对应地构成像素来进行规定的显示，在第1基板的第1配线上方，以沿着基板外周缘部连续地延伸并且横穿第1配线的方式形成有槽，在槽的至少与第1配线在俯视时重叠的区域的下层，槽基底金属与第2配线设置于同一层。 
根据上述构成，在第1配线的上方以沿着基板外周缘部连续地延伸的方式形成有槽，因此，即使在设置有第1配线的区域中，在取向膜形成时，也能够将朝向基板外侧方流动的取向膜原料收纳于槽内部，能够有效地抑制取向膜原料流出到密封区域。因此，能够使取向膜和密封材料之间的距离变小，能够得到窄边框的显示面板。 
另外，根据上述构成，在槽的至少与第1配线在俯视时重叠的区域的下层设置有槽基底金属，因此即使以横穿第1配线的方式形成有槽，也不会有以下情况：第1配线从槽表面露出，或设置于槽表面的导电膜和第1配线导通。因此，不用担心通过设置于槽表面的导电膜、存在于槽表面附近的导电性异物在第1配线间短路，另 外，不用担心第1配线从槽表面露出而腐蚀。另外，即使槽基底金属与设置于槽表面的导电膜、存在于槽表面附近的导电性异物接触，或者即使槽基底金属从槽表面露出，也会由于槽基底金属不是直接参与显示装置的驱动的配线，而不影响显示装置的显示性能。因此，能够得到优异的耐久性能。 
而且，根据上述构成，槽基底金属与第2配线设置于同一层，因此能够同时形成槽基底金属和第2配线。因此，能够不伴随制造工序的增加地设置槽基底金属。 
在本发明的显示装置中，也可以是第1基板具有矩形形状，槽以沿着基板外周缘部中的构成第1基板的相对的2边连续地延伸的方式形成。 
根据上述构成，在以连续地延伸的方式形成有槽的上述相对的2边，能够将非显示区域窄边框化。 
在本发明的显示装置中，在以沿着基板外周缘部中的构成第1基板的相对的2边连续地延伸的方式形成有槽的情况下，优选：第1配线中的在显示区域中相互平行地延伸的多个第1配线是栅极线，第1基板的包围显示区域的区域中的沿着相对的2边的区域是设置用于将栅极线与外部电路连接的外部连接端子的栅极端子区域。 
根据上述构成，能够将沿着栅极端子区域的非显示区域窄边框化，另一方面，能够将沿着未设置槽而成了较宽的边框区域的剩余的2边的区域有效地用作将用于修正源极线的修正用预备配线在非显示区域中迂回地配置的空间。 
在本发明的显示装置中，在以沿着基板外周缘部中的构成第1基板的相对的2边连续地延伸的方式形成有槽的情况下，优选在第2基板中，在沿着与第1基板的槽在俯视时对应的构成第1基板的相对的2边的各个区域，以朝向第1基板侧突出的方式形成有肋，在该情况下，肋从基板表面突出的高度设定为与上述槽的深度相同或者小于上述槽的深度，且肋的宽度设定为比与该肋对应的该槽的宽度小。 
根据上述构成，在第2基板中，在沿着与第1基板的槽在俯视时 对应的构成第1基板的相对的2边的各个区域，以朝向第1基板侧突出的方式形成有肋，因此在沿着上述相对的2边的区域，在第2基板中也能够在取向膜形成时有效地抑制取向膜原料朝向基板外侧方流出。因此，与第1基板侧的槽进行的流出的防止相结合能够使取向膜和密封材料之间的距离进一步变小，能够可靠地得到窄边框的显示面板。另外，肋从基板表面突出的高度设定为与槽的深度相同或者小于槽的深度，且肋的宽度设定为比与该肋对应的该槽的宽度小，因此，即使在设置有肋的区域中，槽底部和肋的突出端之间的距离也与第1基板和第2基板之间的距离相同或者大于它。因此，即使在设置有槽和肋的区域中存在作为间隔物混入于密封材料的玻璃纤维粉碎物，也不会有以下情况：肋导致间隔物的功能被阻碍而难以控制单元厚度。 
在本发明的显示装置中，槽也可以在基板外周缘部以包围显示区域的方式连续地形成为环状。 
根据上述构成，能够在基板外周缘部的全周将非显示区域窄边框化。 
在本发明的显示装置中，在槽在基板外周缘部以包围显示区域的方式连续地形成为环状的情况下，优选：在第2基板中，在俯视时与第1基板的槽对应的区域中，以将显示区域包围为环状并且朝向第1基板侧突出的方式形成有肋，在该情况下，肋从基板表面突出的高度设定为与上述槽的深度相同或者小于上述槽的深度，且肋的宽度设定为比与该肋对应的该槽的宽度小。 
根据上述构成，在第2基板中，在俯视时与第1基板的槽对应的区域中，朝向第1基板侧突出地设置有以包围显示区域的方式延伸为环状的肋，因此，在第2基板中也能够在取向膜形成时有效地抑制取向膜原料朝向基板外侧方流出。因此，与第1基板侧的槽进行的流出的防止相结合能够使取向膜和密封材料之间的距离进一步变小，能够可靠地得到窄边框的显示面板。另外，肋从基板表面突出的高度设定为与槽的深度相同或者小于槽的深度，且肋的宽度设定为比与该肋对应的该槽的宽度小，因此，即使在设置有肋的区域 中，槽底部和肋的突出端之间的距离也与第1基板和第2基板之间的距离相同或者大于它。因此，即使在设置有槽和肋的区域中存在作为间隔物混入于密封材料的玻璃纤维粉碎物，也不会有以下情况：肋导致间隔物的功能被阻碍而难以控制单元厚度。 
在本发明的显示装置中，也可以与槽形状对应，以沿着基板外周缘部连续地延伸的方式设置有槽基底金属。 
根据上述构成，与槽形状对应，以沿着基板外周缘部连续地延伸的方式设置有槽基底金属，因此，不用担心有槽基底金属和第1配线的布局的位置偏差，从而能够在第1配线和槽之间可靠地设置槽基底金属。 
在本发明的显示装置中，也可以在第1基板上的显示区域以外的区域形成有用于向设置于第2基板表面的共用电极提供共用电位的传输焊盘，槽基底金属与传输焊盘电连接。 
根据上述构成，槽基底金属以与槽形状对应的方式按环状连续地设置，而且，与传输焊盘电连接，因此能够将槽基底金属的电位保持为与传输焊盘相同的共用电位。因此，例如即使第2基板表面的共用电极和槽基底金属通过混入于密封材料中的导电性颗粒等传输材料导通了，也不用担心因此产生显示上的不良。 
在本发明的显示装置中，也可以形成有多个传输焊盘，槽基底金属与多个传输焊盘分别电连接，并且也与提供共用电位的外部连接端子连接。 
根据上述构成，槽基底金属与多个传输焊盘分别电连接，并且也与提供共用电位的外部连接端子连接，因此能够将从外部连接端子提供给槽基底金属的共用电位直接传递到各传输焊盘。即，能够使槽基底金属具有用于向各传输焊盘提供共用电位的传输总线的功能，与将传输总线设置于传输焊盘的外周等的情况相比，能够进一步窄边框化。 
在本发明的显示装置中，槽基底金属也可以对应于第1配线和槽在俯视时重叠的每个区域而分离地设置为岛状。 
根据上述构成，槽基底金属对应于第1配线和槽在俯视时重叠 的每个区域而分离地设置为岛状，因此，即使槽基底金属和第1配线在某处导通而成为了不良，不良也不会传到槽基底金属整体。 
在本发明的显示装置中，槽基底金属也可以是不与其它配线电连接的悬浮状态。 
根据上述构成，槽基底金属是不与其它配线电连接的悬浮状态，因此，例如即使第2基板表面的共用电极和槽基底金属通过混入于密封材料中的导电性颗粒等传输材料导通了，也会由于槽基底金属是悬浮状态，而不用担心因此产生显示上的不良。 
在本发明的显示装置中，也可以在槽基底金属的下层且绝缘膜的上层设置有硅膜。 
根据上述构成，在槽基底金属的下层且绝缘膜的上层设置有硅膜，因此，即使设置于第1配线的上层的绝缘膜、槽基底金属的厚度在第1配线的侧面变薄了，也不会有以下情况：绝缘膜、槽基底金属的厚度变薄的部分破裂而使得第1配线从表面露出。另外，在槽表面设置有透明导电膜的情况下，透明导电膜不会从绝缘膜、槽基底金属的厚度变薄后破裂的部分渗入而使得透明导电膜和第1配线导通，因此不用担心第1配线彼此短路。 
另外，根据上述构成，能够将硅膜的形成与构成显示区域内的开关元件(例如，TFT)的硅膜的形成同时进行。因此，能够不伴随制造工序的增加地设置硅膜。 
在本发明的显示装置中，槽表面也可以被透明导电膜覆盖。 
根据上述构成，槽表面被透明导电膜覆盖，因此槽基底金属不会从槽表面露出，从而能够防止槽基底金属腐蚀、老化。 
另外，槽基底金属也可以从槽表面露出。 
根据上述构成，槽基底金属从槽表面露出，因此，与由透明导电膜覆盖槽表面的情况相比，能够窄边框化相当于设置透明导电膜的区域的量。 
在本发明的显示装置中，第2配线也可以由Ti膜和层叠于其上层的Cu膜形成。 
另外，第2配线也可以由Ti膜和层叠于其上层的Al膜形成。 
在本发明的显示装置中，也可以在第1基板和第2基板之间设置有液晶层。 
发明效果
根据本发明，在第1基板上，以沿着基板外周缘部连续地延伸的方式形成有槽，从而能够在取向膜形成时有效地抑制取向膜原料朝向基板外侧方流出。因此，能够使取向膜和密封材料之间的距离变小，能够得到窄边框的显示装置。 
另外，根据本发明，在槽的至少与第1配线在俯视时重叠的区域的下层设置有槽基底金属，因此，即使以横穿第1配线的方式形成有槽，也不会有以下情况：第1配线从槽表面露出，或设置于槽表面的导电膜和第1配线导通。因此，不用担心通过设置于槽表面的导电膜、存在于槽表面附近的导电性异物在相邻的第1配线间短路，另外，不用担心第1配线从槽表面露出而腐蚀。另外，即使槽基底金属与设置于槽表面的导电膜、存在于槽表面附近的导电性异物接触，或者，即使槽基底金属从槽表面露出，也会由于槽基底金属不是直接参与显示装置的驱动的配线，而不影响显示装置的显示性能。因此，能够得到优异的耐久性能。 
附图说明
图1是实施方式1的液晶显示装置的俯视图。 
图2是图1的II-II线的截面图。 
图3是图1的III-III线的截面图。 
图4是阵列基板的俯视图。 
图5是相对基板的俯视图。 
图6是图4的区域AR1的放大俯视图。 
图7是图6的VII-VII线的截面图。 
图8是图6的VIII-VIII线的截面图。 
图9是图6的IX-IX线的截面图。 
图10是图6的X-X线的截面图。 
图11是示出液晶显示装置的制造方法的流程图。 
图12是实施方式1的变形例1的阵列基板的主要部分放大俯视图，与图4的区域AR1对应。 
图13是图12的XIII-XIII线的截面图。 
图14是实施方式1的变形例2的阵列基板的主要部分放大俯视图，与图4的区域AR1对应。 
图15是图14的XV-XV线的截面图。 
图16是实施方式1的变形例3的阵列基板的主要部分放大俯视图，与图4的区域AR1对应。 
图17是图16的XVII-XVII线的截面图。 
图18是实施方式1的变形例4的阵列基板的俯视图。 
图19(a)是实施方式1的变形例5的阵列基板的截面图，而(b)是用于与该变形例比较的实施方式1的阵列基板的截面图。 
图20是实施方式1的变形例6的阵列基板的主要部分放大俯视图，与图4的区域AR2对应。 
图21(a)是图20的XXIa-XXIa线的截面图，(b)是图20的XXIb-XXIb线的截面图。 
图22是实施方式1的变形例7的阵列基板的主要部分放大图，与图6的IX-IX线的截面图对应。 
图23是实施方式1的变形例8的阵列基板的主要部分放大图，与图6的IX-IX线的截面图对应。 
图24是实施方式2的阵列基板的主要部分放大俯视图，与图4的区域AR1对应。 
图25是图24的XXV-XXV线的截面图。 
图26(a)～(c)是图24的主要部分放大图。 
图27是实施方式3的液晶显示装置的俯视图。 
图28是阵列基板的俯视图。 
图29是相对基板的俯视图。 
图30是图28的区域AR3的放大俯视图。 
图31是实施方式3的变形例9的阵列基板的主要部分放大俯视图，与图28的区域AR3对应。 
图32是用于说明本发明的课题的问题点的液晶显示装置的俯视图。 
图33(a)和(b)是图32中的XXXIII-XXXIII线的截面图。 
具体实施方式
以下，基于附图详细地说明本发明的实施方式。在以下的实施方式1～3中，作为显示装置，以按每个像素具备薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵驱动型液晶显示装置为例来说明。但是，本发明不限于这些实施方式，也可以是其它构成。 
《实施方式1》 
图1和2示出实施方式1的液晶显示装置10的整体概要图。另外，图3示出液晶显示装置10的密封区域SL附近的放大截面图。而且，图4和5分别示出阵列基板20和相对基板30的俯视图。 
液晶显示装置10具备相互相对配置的阵列基板20(第1基板)和相对基板30(第2基板)。在阵列基板20的基板主体20S上层叠形成有：包含栅极线21的第1金属(第1配线)；栅极绝缘膜22；包含源极线23(参照图6)的第2金属(第2配线)；钝化膜24；平坦化膜25；包含像素电极(未图示)的第3金属；以及取向膜26。阵列基板20的详细构成后述。另外，在相对基板30的基板主体30S上层叠形成有：共用电极31；彩色滤光片和黑矩阵(未图示)；以及取向膜32，在基板外周缘部的非显示区域N中，构成由黑矩阵形成的遮光区域(未图示)。并且，阵列基板20和相对基板30由将它们的外周缘部作为密封区域SL而配置为框状的密封材料40来粘合。并且，在被两个基板20和30之间的密封材料40包围的空间设置有作为显示层的液晶层50，构成显示区域D。另外，显示区域D的周围的非显示区域N的一部分成为用于装配安装部件等的外部连接端子的端子区域T。 
此外，如图4所示，在阵列基板20上，槽27以包围显示区域D的方式在与钝化膜24和平坦化膜25同一层设置为环状，在取向膜26形成时抑制作为取向膜26的原料的液状树脂材料从显示区域D流出 到非显示区域N侧。槽27可以仅设置有1列，也可以设置有多列(在图4中为2列)。另一方面，如图5所示，在相对基板30上，肋33以包围显示区域D的方式设置为环状，在取向膜32形成时抑制作为取向膜32的原料的液状树脂材料从显示区域D流出到非显示区域N侧。肋33可以仅设置有1列，也可以设置有多列(在图5中为2列)。肋33与设置于阵列基板20上的槽27的区域对应，槽27和肋33位于可以相互嵌入而重叠的位置。在各基板中设置槽27、肋33来抑制作为取向膜26、32的原料的液状树脂材料流出，由此能够使取向膜26、32和密封材料40之间的距离变小，能够窄边框化。 
例如槽27的宽度(图3的W1)为50μm程度，而槽27的深度(图3的H1)为2.5μm程度。另外，例如肋33的宽度(图3的W2)为30μm程度，而肋33从基板表面突出的高度(图3的H2)为2.0μm程度。在密封材料40中混入有作为用于固定地保持阵列基板20和相对基板30之间的距离的间隔物的纤维直径被设定为两个基板间的距离的玻璃纤维粉碎物41(例如，纤维直径为4.0μm程度)。在相对基板30的非显示区域N中设置有肋33的情况下，当在设置有肋33的区域中存在玻璃纤维粉碎物41时，两个基板间的距离会成为玻璃纤维粉碎物41的纤维直径和肋33的高度的和，而有可能难以控制单元厚度。然而，槽27和肋33设置于以相互嵌合的方式对应的位置，肋33从基板表面突出的高度(H2)设定为槽27的深度(H1)以下，另外，肋33的宽度(W2)设定为比与肋33对应的槽27的宽度(W1)小。因此，即使在相对基板30中设置有肋33，槽27的底部和肋33的突出端之间的距离也为阵列基板20和相对基板30之间的距离(即，玻璃纤维粉碎物41的纤维直径)以上，确保玻璃纤维粉碎物41可以存在的充分的空间，因此不会出现如下情况：玻璃纤维粉碎物41由于肋33而堵塞，从而间隔物的功能被阻碍而难以控制单元厚度。 
液晶显示装置10以如下方式构成：在各像素中，在TFT成为导通状态时，在像素电极和共用电极31之间产生电位差，向包括液晶层50的液晶电容施加规定的电压。并且，在液晶显示装置10中，利 用液晶分子的取向状态根据该施加电压的大小而改变这一点，调整从外部入射的光的透射率，由此显示图像。 
以下，使用图6～10来说明阵列基板20的详细构成。此外，在图6中，为了简洁地示出各配线的状态，省略钝化膜24、平坦化膜25、第3金属等的图示，方便起见，用实线示出第1金属、第2金属(以下，对于图11、13、15和19也是同样的)。 
在阵列基板20上，在显示区域D中配设有：相互平行地延伸的多个栅极线21(扫描信号配线)；和相互平行地延伸的多个源极线23(视频信号配线)。源极线23和栅极线21在基板厚度方向上由于栅极绝缘膜22而绝缘，并且以在相互交叉的方向(例如，正交方向)上延伸的方式设置。在它们的俯视时的各交点附近分别形成有作为开关元件的TFT(未图示)。并且，液晶显示装置10以与各TFT对应的方式构成像素来进行规定的显示。 
多个栅极线21由第1金属形成。另外，多个源极线23由第2金属形成。第1金属和第2金属例如由Ti膜(厚度为30nm程度)和层叠于其上层的Cu膜(厚度为100nm程度)形成。 
如图7所示，多个栅极线21各自的端部以延伸到非显示区域N为止的方式设置，与安装于端子区域T的栅极驱动器(未图示)连接。另一方面，多个源极线23分别在非显示区域N中与多个源极引出线23a连接。源极引出线23a由第1金属设置于与栅极线21同一层，在端子区域T中与源极驱动器(未图示)连接。如图10所示，源极线23和源极引出线23a在源极线接触部23b中通过设置于接触孔表面的包括第3金属的导电膜23c电连接。 
在阵列基板20上，如上所述，在第1金属的上方且与钝化膜24、平坦化膜25同一层，在基板外周缘部以包围显示区域D的方式设置有按环状连续的槽27。槽27是通过对感光性丙烯酸平坦化膜25进行显影，将显影后的平坦化膜25作为掩模进行蚀刻来设置凹部而形成的。槽27以横穿栅极线21、其同一层的源极引出线23a各自的上层的方式设置。槽27在栅极线21、源极引出线23a等第1金属的上层中也以横穿它们的方式按环状连续地设置，因此能够在取向膜26形成 时有效地抑制取向膜26的原料流出到基板外侧方。因此，能够通过使取向膜26和密封材料40之间的距离变小来窄边框化。 
如图7～10所示，在槽27的下层设置有槽基底金属27a。槽基底金属27a在槽27形成时作为蚀刻阻挡物来发挥功能。槽基底金属27a以与槽27的形状对应的方式按环状连续地设置。槽基底金属27a的宽度比槽27的宽度大，例如是60μm程度。槽基底金属27a包括第2金属。由于在槽27的下层设置有槽基底金属27a，因此在槽27形成时不会由于蚀刻导致栅极线21、源极引出线23a等第1金属从表面露出。因此，不用担心通过存在于槽27表面的导电性物体在第1金属间短路以及第1金属从槽27表面露出而腐蚀。另外，即使槽基底金属27a通过存在于槽27表面的导电性物体导通了，也会由于槽基底金属27a不是直接参与显示装置的驱动的配线，而不用担心在显示上产生不良。此外，槽基底金属27a由第2金属形成于与源极线23同一层，因此能够与源极线23同时形成。 
另外，槽27的表面被透明导电膜27b覆盖。透明导电膜27b由ITO膜等第3金属形成。由于槽27的表面被透明导电膜27b覆盖，因此槽基底金属27a不会从槽27表面露出，从而不用担心发生槽基底金属27a的腐蚀等。 
在阵列基板20上，在非显示区域N中还设置有传输焊盘28。传输焊盘28以包围显示区域D的方式设置有多个。传输焊盘28通过介于阵列基板20和相对基板30之间的传输材料与设置于相对基板30的整个面的共用电极31电连接，具有通过将传输焊盘28保持为共用电位来向共用电极31提供共用电位的功能。 
作为传输材料，例如，可以举出混入于密封材料40中的导电性颗粒(未图示)等。导电性颗粒是对例如塑料的表面进行镀金而成的。 
传输焊盘28分别与设置于传输焊盘28的外周的传输总线(未图示)连接。传输总线与外部连接端子连接。当向外部连接端子提供共用电位时，共用电位会直接传递到各传输焊盘28，进而通过传输材料向相对基板30的共用电极31传递共用电位。 
传输焊盘28通过传输焊盘引出线28a与槽基底金属27a电连接。在此，形成为2重的槽基底金属27a中的外周侧与传输焊盘28连接。如图9所示，传输焊盘引出线28a和槽基底金属27a在传输焊盘接触部28b中通过设置于接触孔表面的包括第3金属的导电膜28c电连接。由于传输焊盘28和槽基底金属27a电连接，从而能够将槽基底金属27a的电位保持为与传输焊盘28相同的共用电位。因此，即使共用电极31和槽基底金属27a通过密封材料40中的传输材料导通了，也不用担心因此产生显示上的不良。此外，也可以是仅多个传输焊盘28中的1个传输焊盘28通过传输焊盘引出线28a与槽基底金属27a连接，也可以是多个或者全部传输焊盘28与槽基底金属27a连接。 
此外，形成为2重的槽基底金属27a中的内周侧不与传输焊盘28连接，从而成为不与其它配线电连接的悬浮状态。因此，即使共用电极31和槽基底金属27a通过密封材料40中的传输材料导通了，也不用担心因此产生显示上的不良。 
<液晶显示装置10的制造方法> 
接着，参照图11的流程图来说明制造本实施方式的液晶显示装置10的方法。实施方式1的制造方法具备：与图11的步骤S11～S19对应的阵列基板制作工序；与图11的步骤S21～S24对应的相对基板制作工序；以及与图11的步骤S3～S7对应的液晶显示面板制作工序。 
(阵列基板制作工序) 
首先，在步骤S11中，利用公知的方法在基板主体20S上设置第1金属，由此同时形成栅极线21、源极引出线23a、传输焊盘引出线28a等。并且，在步骤S12和S13中，利用公知的方法形成栅极绝缘膜22和半导体层。 
接着，在步骤S14中，利用公知的方法在栅极绝缘膜22和半导体层的上层设置第2金属，由此同时形成源极线23、槽基底金属27a等。并且，在步骤S15中，在半导体层中通过图案化形成沟道部，由此形成TFT。 
然后，在步骤S16中，利用公知的方法，按顺序形成钝化膜24和平坦化膜25，然后在步骤S17中对感光性丙烯酸平坦化膜25进行显影，将显影后的平坦化膜25作为掩模来进行蚀刻，形成槽27。这时，槽基底金属27a作为蚀刻阻挡物来发挥功能，成为从槽27的表面露出槽基底金属27a的状态。并且，在步骤S18中，利用公知的方法在平坦化膜25的上层设置第3金属，由此形成像素电极、覆盖槽27表面的透明导电膜27b等。 
最后，在步骤S19中，利用公知的方法形成取向膜26，完成阵列基板20。 
(相对基板制作工序) 
首先，在步骤S21中，利用公知的方法，以覆盖基板整体的方式形成透明导电膜27b，从而形成共用电极31。并且，在步骤S22中，利用公知的方法，在基板主体30S上形成黑矩阵和彩色滤光片。这时，同时也在设置肋33的区域，即在相对基板30的沿着外周缘部的区域由黑矩阵或者彩色滤光片形成肋33的下层部分33a。 
接着，在步骤S23中，利用公知的方法，在沿着设置肋33的相对基板30的外周缘部的区域设置有机树脂膜33b，形成肋33。这时，也可以同时以在显示区域D中成为规定布局的方式形成肋33来作为液晶取向限制用肋。 
最后，在步骤S24中，利用公知的方法形成取向膜32，完成相对基板30。 
(液晶显示面板制作工序) 
首先，利用公知的方法，在步骤S3中，在相对基板30上的显示区域D的周围涂敷密封材料原料，然后，在步骤S4中，在被密封材料原料包围的区域中滴注液晶材料来形成液晶层50。 
接着，在步骤S5中，以夹着密封材料原料的方式在相对基板30上重叠阵列基板20。这时，在非显示区域N中，阵列基板20的槽27和相对基板30的肋33以嵌合的方式重叠。 
最后，在步骤S6中，对密封材料原料进行UV照射和/或者加热，由此将密封材料原料固化。这时，阵列基板20和相对基板30被粘合， 完成液晶显示面板(步骤S7)。在液晶显示面板上粘贴偏光板，安装安装部件，进行背光源装载等组件化处理，由此完成液晶显示装置10。 
<实施方式1的变形例> 
以下，说明实施方式1的变形例。 
(变形例1～3) 
在实施方式1中，说明了槽27设置为2重，仅与最外周的槽27对应的槽基底金属27a与传输焊盘28连接，内周侧的槽27的下层的槽基底金属27a成为不与其它配线电连接的悬浮状态，但在槽27设置有多列的情况下，可以是与全部槽27对应的各个槽基底金属27与传输焊盘28连接，相反地，也可以是全部槽基底金属27a为悬浮状态。 
例如，如作为变形例1的图12和13所示，也可以以延伸到内侧的槽27的下层附近为止的方式形成传输焊盘引出线28a，将传输焊盘引出线28a与外侧的槽27的下层的槽基底金属27a通过传输焊盘接触部28b电连接，同样地也将传输焊盘引出线28a与内侧的槽27的下层的槽基底金属27a通过传输焊盘接触部28b电连接。另外，除了如实施方式1那样对1个槽27设置有1个槽基底金属27a的构成以外，例如，如作为变形例2的图14和15所示，也可以将多个槽27的槽基底金属27a设置为一体。在该情况下，也会向全部槽27的下层的槽基底金属27a提供共用电位。 
另外，例如，如作为变形例3的图16和17所示，也可以不在传输焊盘28中设置传输焊盘引出线28a，槽基底金属27a不与传输焊盘28连接。在该情况下，全部槽基底金属27a成为不与其它配线电连接的悬浮状态。因此，即使共用电极31和槽基底金属27a通过密封材料40中的传输材料导通了，也不用担心因此产生显示上的不良。 
(变形例4) 
在实施方式1中，传输焊盘28由设置于其外周的传输总线(未图示)提供共用电位，但也可以不在传输焊盘28的外周设置传输总线，而如作为变形例4的图18所示，使槽基底金属27a具有传输总线 的功能。在该情况下，槽基底金属27a利用共用电位输入线28d与外部连接端子(未图示)连接，并且通过传输焊盘引出线28a与传输焊盘28分别电连接。并且，从外部连接端子提供的共用电位通过槽基底金属27a传递到传输焊盘28。由于对槽基底金属27a赋予传输总线的功能，从而能够省略在传输焊盘28的外周独立地设置传输总线，能够窄边框化。 
(变形例5) 
除了实施方式1的构成以外，如作为变形例5的图19(a)所示，在栅极绝缘膜22和槽基底金属27a之间也可以形成有硅膜27c。硅膜27c是由与设置于显示区域D的TFT的半导体层相同的材料形成的。 
栅极绝缘膜22、槽基底金属27a以从设置有第1金属的区域隆起的方式设置，因此，如图19(b)所示，根据成膜条件，有时隆起部的壁的区域中的槽基底金属27a会变薄。因此，例如在通过干式蚀刻在栅极绝缘膜22、钝化膜24中设置接触孔的工序中，有如下可能：在栅极绝缘膜22、槽基底金属27a变薄了的部分开孔，设置于槽基底金属27a的上层的透明导电膜27b与栅极线21导通，栅极线21彼此通过透明导电膜27b短路。 
然而，由于在槽基底金属27a的下层设置有硅膜27c，即使隆起部的壁的区域的槽基底金属27a变薄了，硅膜27c也会作为干式蚀刻时的蚀刻阻挡物来发挥功能，因此能够抑制第1金属彼此通过导电膜短路。 
另外，硅膜27c能够仅通过变更TFT的半导体层的形成中的硅膜的布局来形成，因此不需要追加用于在槽基底金属27a的下层也设置硅膜27c的特别工序。 
(变形例6) 
在实施方式1中，说明了在相对基板30的边框区域由黑矩阵形成有遮光区域，但也可以取代相对基板30，在阵列基板20侧的边框区域设置遮光层而形成遮光区域S。在该情况下，如作为变形例6的图20和21所示，能够使槽基底金属27a兼有作为遮光层的功能。 
(变形例7) 
在实施方式1中，说明了槽27的表面被透明导电膜27b覆盖，但是，例如，如作为变形例7的图22所示，槽27的表面也可以不被透明导电膜27b覆盖而露出槽基底金属27a。 
由于不在槽27的表面设置透明导电膜27b，从而能够按用于设置透明导电膜27b的区域宽度的量(参照图22的距离U)将显示装置窄边框化。另外，由于露出槽基底金属27a，从而与槽27的表面被透明导电膜27b覆盖的情况相比，槽基底金属27a容易腐蚀，但槽基底金属27a不是直接参与显示装置的驱动的配线，因此不用担心显示性能降低。此外，在该情况下，能够通过调整第2金属形成时的温度控制、工艺条件来提高第2金属(槽基底金属27a)的耐腐蚀性。 
(变形例8) 
在实施方式1中，说明了由Ti膜和层叠于其上层的Cu膜形成第1金属和第2金属，但不特别限定于此。例如，也可以从下层按顺序层叠Ti膜(厚度为50nm程度)、Al膜(厚度为300nm程度)以及Ti膜(厚度为100nm程度)而形成第1金属，由Ti膜(厚度为50nm程度)和层叠于其上层的Al膜(厚度为300nm程度)形成第2金属。另外，也可以由Mo(厚度为50nm程度)和层叠于其上层的Al膜(厚度为300nm程度)形成第1金属，从下层按顺序层叠Mo(厚度为50nm程度)、Al膜(厚度为300nm程度)以及Mo(厚度为50nm程度)来形成第2金属。 
在第2金属包括Ti膜和Al膜的层叠体，在槽27表面设置ITO膜作为透明导电膜27b的情况下，如作为变形例8的图23所示，优选：在槽基底金属27a和ITO膜27b接触的区域中，以Ti膜27d的单层膜来形成槽基底金属27a，透明导电膜27b不与Al膜27e接触。这是由于：Al膜和ITO膜的离子化倾向的差别较大，因此在Al膜27e与ITO膜27b接触的状态下，Al膜23e容易发生电蚀。 
此外，在实施方式1中，说明了在相对基板30上，肋33以包围显示区域D的方式设置为环状，但液晶显示装置10也可以包括未设置肋33的相对基板30。但是，从通过防止相对基板30的取向膜32的原料向密封区域SL流出来进行的窄边框化的观点出发，优选在相 对基板30上设置有肋33。 
《实施方式2》 
接着，说明实施方式2的液晶显示装置10。此外，对于与实施方式1为同一或者对应的构成，与实施方式1使用同一附图标记来说明。 
在液晶显示装置10中，阵列基板20和相对基板30相对配置，由配置于它们的外周缘部的密封材料40来粘合，在被密封材料40包围的空间设置有作为显示层的液晶层50。该液晶显示装置10除了阵列基板20以外与实施方式1具有相同的构成。 
与实施方式1同样，在阵列基板20的基板主体20S上层叠形成有：包含栅极线21的第1金属；栅极绝缘膜22；包含源极线23的第2金属；钝化膜24；平坦化膜25；包含像素电极的第3金属；以及取向膜26。槽27以包围显示区域D的方式按环状连续地设置。 
在槽27的下层设置有槽基底金属27a，在实施方式2中，如图24和25所示，以与源极引出线23a和槽27在俯视时重叠的区域对应的方式设置有分离为岛状的多个槽基底金属27a。 
由于将槽基底金属27a分离地设置为岛状，即使在槽基底金属27a的一点，槽基底金属27a与其下层的源极引出线23a、栅极线21导通而成为了不良的情况下，该不良也不会传到槽基底金属27a整体，从而会提高合格率。 
另外，由于将槽基底金属27a分离地设置为岛状，在槽27的下层中的未设置槽基底金属27a的区域，槽27的深度会变深槽基底金属27a的量。因此，能够有效地抑制取向膜26的原料流出到基板外侧方。 
在槽基底金属27a分离地设置为岛状的情况下，各槽基底金属27a成为不与其它配线电连接的悬浮状态，因此即使共用电极31和槽基底金属27a例如通过密封材料40中的传输材料导通了，也不用担心因此产生显示上的不良。 
此外，槽27表面也可以被作为ITO膜等第3金属的透明导电膜27b覆盖。在该情况下，可以如图26(a)所示以覆盖槽27表面的整 个面的方式设置透明导电膜27b，也可以如图26(b)所示以覆盖槽27的表面中的形成有槽基底金属27a的区域的方式设置透明导电膜27b。另外，如图26(c)所示，槽27的表面也可以不被透明导电膜27b覆盖。 
其它构成、效果如实施方式1所述。另外，也能将作为实施方式1的变形例而揭示的例子应用于实施方式2。 
《实施方式3》 
接着，说明实施方式3的液晶显示装置10。 
图27示出实施方式3的液晶显示装置10的整体概要图。液晶显示装置10的密封区域SL附近的放大截面图与在实施方式1中所示的图3是同样的。另外，图28和29分别示出阵列基板20和相对基板30的俯视图。此外，对于与实施方式1为同一或者对应的构成，与实施方式1使用同一附图标记来说明。 
在液晶显示装置10中，阵列基板20和相对基板30相对配置，由配置于它们的外周缘部的密封区域SL中的密封材料40来粘合，在被密封材料40包围的空间设置有作为显示层的液晶层50。设置有液晶层50的区域构成显示区域D，其周围成为框状的非显示区域N。在非显示区域N中，液晶显示装置10的长边方向上的1边的一部分成为源极端子区域Ts，而短边方向上的2边的一部分成为栅极端子区域Tg。密封区域SL以如下方式配置：液晶显示装置10的长边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中“a”的长度)比短边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中“b”的长度)长。 
与实施方式1同样，在阵列基板20的基板主体20S上层叠形成有：包含栅极线21的第1金属；栅极绝缘膜22；包含源极线23的第2金属；钝化膜24；平坦化膜25；包含像素电极的第3金属；以及取向膜26。并且，在阵列基板20上，槽27与钝化膜24和平坦化膜25设置于同一层。槽27以沿着非显示区域N中的各个窄边框的栅极端子区域Tg延伸的方式设置。利用槽27来抑制在取向膜26形成时作为取向膜26的原料的液状树脂材料从显示区域D流出到栅极端子区域 Tg侧。槽27可以仅设置有1列，也可以设置有多列(在图28中为2列)。 
在相对基板30的基板主体30S上层叠形成有：共用电极31；彩色滤光片和黑矩阵；以及取向膜32，在非显示区域N中，遮光区域包括黑矩阵。并且，在相对基板30上设置有肋33。肋33以沿着非显示区域N中的各个窄边框的栅极端子区域Tg延伸的方式设置。利用肋33在取向膜32形成时抑制取向膜32的树脂材料从显示区域D流出到栅极端子区域Tg侧。肋33可以仅设置有1列，也可以设置有多列(在图29中为2列)。 
肋33与设置于阵列基板20上的槽27的区域对应，槽27和肋33位于能相互嵌入而重叠的位置。在各基板中设置槽27、肋33来抑制作为取向膜26、32的原料的液状树脂材料从显示区域D朝向栅极端子区域Tg侧流出，由此能够使沿着栅极端子区域Tg的部分中的取向膜26、32和密封材料40之间的距离(图27中的“b”)变小，能够窄边框化。设置有槽27和肋33的部分中的阵列基板20和相对基板30的重叠状态的截面图与实施方式1的图3是相同的。 
与实施方式1同样，例如槽27的宽度(图3的W1)为50μm程度，而槽27的深度(图3的H1)为2.5μm程度。另外，例如肋33的宽度(图3的W2)为30μm程度，而肋33从基板表面突出的高度(图3的H2)为2.0μm程度。在密封材料40中混入有作为用于固定地保持阵列基板20和相对基板30之间的距离的间隔物而纤维直径被设定为两个基板间的距离的玻璃纤维粉碎物41(例如，纤维直径为4.0μm程度)。在相对基板30的非显示区域N中设置有肋33的情况下，当在设置有肋33的区域中存在玻璃纤维粉碎物41时，两个基板间的距离会成为玻璃纤维粉碎物41的纤维直径和肋33的高度的和，而有可能难以控制单元厚度。然而，槽27和肋33设置于以相互嵌合的方式对应的位置，肋33从基板表面突出的高度(H2)设定为槽27的深度(H1)以下，另外，肋33的宽度(W2)设定为比与肋33对应的槽27的宽度(W1)小。因此，即使在相对基板30中设置有肋33，槽27的底部和肋33的突出端之间的距离也为阵列基板20和相对基板 30之间的距离(即，玻璃纤维粉碎物41的纤维直径)以上，确保玻璃纤维粉碎物41可以存在的充分的空间，因此不会出现如下情况：玻璃纤维粉碎物41由于肋33而堵塞，从而间隔物的功能被阻碍而难以控制单元厚度。 
液晶显示装置10以如下方式构成：在各像素中，在TFT成为导通状态时，在像素电极和共用电极31之间产生电位差，向包括液晶层50的液晶电容施加规定的电压。并且，在液晶显示装置10中，利用液晶分子的取向状态根据该施加电压的大小而改变这一点，调整从外部入射的光的透射率，由此显示图像。 
以下，使用图30等来说明阵列基板20的详细构成。此外，在图30中，为了简洁地示出各配线的状态，省略钝化膜24、平坦化膜25、第3金属等的图示，方便起见，用实线示出第1金属、第2金属。 
在阵列基板20上，在显示区域D中配设有：相互平行地延伸的多个栅极线21(扫描信号配线)；和相互平行地延伸的多个源极线23(视频信号配线)。源极线23和栅极线21在基板厚度方向上由于栅极绝缘膜22而绝缘，并且以在相互交叉的方向(例如，正交方向)上延伸的方式设置。在它们的俯视时的各交点附近分别形成有作为开关元件的TFT(未图示)。并且，液晶显示装置10以与各TFT对应的方式构成像素来进行规定的显示。 
多个栅极线21由第1金属形成。另外，多个源极线23由第2金属形成。第1金属和第2金属例如由Ti膜(厚度为30nm程度)和层叠于其上层的Cu膜(厚度为100nm程度)形成。 
多个栅极线21各自的端部以延伸到非显示区域N为止的方式设置，与安装于端子区域T的栅极驱动器(未图示)连接。另一方面，多个源极线23分别在非显示区域N中与多个源极引出线23a连接。源极引出线23a由第1金属设置于与栅极线21同一层，在端子区域T中与源极驱动器(未图示)连接。源极线23和源极引出线23a在源极线接触部23b中通过设置于接触孔表面的包括第3金属的导电膜23c电连接。 
在阵列基板20上，如上所述，在第1金属的上方且与钝化膜24、 平坦化膜25同一层，在非显示区域N中以沿着栅极端子区域Tg延伸的方式设置有连续的槽27。槽27是通过对感光性丙烯酸平坦化膜25进行显影，将显影后的平坦化膜25作为掩模进行蚀刻来设置凹部而形成的。槽27以横穿栅极线21各自的上层的方式设置。槽27也在栅极线21等第1金属的上层中以横穿它们的方式连续地设置，从而能够在取向膜26形成时有效地抑制取向膜26的原料流出到基板外侧方。因此，在沿着栅极端子区域Tg的边框区域，能够通过使取向膜26和密封材料40之间的距离变小来窄边框化。 
如图30所示，在槽27的下层设置有槽基底金属27a。阵列基板20的包含槽27和槽基底金属27a的截面图与实施方式1的图7是同样的。槽基底金属27a在槽27形成时作为蚀刻阻挡物来发挥功能。槽基底金属27a与槽27的形状对应，以沿着栅极端子区域Tg延伸的方式连续地设置。槽基底金属27a的宽度比槽27的宽度大，例如是60μm程度。槽基底金属27a包括第2金属。由于在槽27的下层设置有槽基底金属27a，因此在槽27形成时不会由于蚀刻导致栅极线21等第1金属从表面露出。因此，不用担心通过存在于槽27表面的导电性物体在第1金属间短路以及第1金属从槽27表面露出而腐蚀。另外，即使槽基底金属27a通过存在于槽27表面的导电性物体导通了，也会由于槽基底金属27a不是直接参与显示装置的驱动的配线，而不用担心在显示上产生不良。此外，槽基底金属27a由第2金属形成于与源极线23同一层，因此能够与源极线23同时形成。 
另外，槽27的表面被透明导电膜27b覆盖。透明导电膜27b由ITO膜等第3金属形成。由于透明导电膜27b被槽27表面覆盖，因此槽基底金属27a不会从槽27表面露出，从而不用担心发生槽基底金属27a的腐蚀等。 
在阵列基板20上，在非显示区域N中还设置有传输焊盘28。传输焊盘28以包围显示区域D的方式设置有多个。传输焊盘28通过介于阵列基板20和相对基板30之间的传输材料与设置于相对基板30的整个面的共用电极31电连接，具有通过将传输焊盘28保持为共用电位来向共用电极31提供共用电位的功能。包含传输焊盘28的阵列 基板20的截面图与实施方式1的图9是同样的。 
作为传输材料，例如，可以举出混入于密封材料40中的导电性颗粒(未图示)等。导电性颗粒是对例如塑料的表面进行镀金而成的。 
传输焊盘28分别与设置于传输焊盘28的外周的传输总线(未图示)连接。传输总线与外部连接端子连接。当向外部连接端子提供共用电位时，共用电位会直接传递到各传输焊盘28，进而通过传输材料向相对基板30的共用电极31传递共用电位。 
与实施方式1同样，如图30所示，栅极端子区域Tg的传输焊盘28通过传输焊盘引出线28a与槽基底金属27a电连接。在此，形成为2重的槽基底金属27a中的外周侧与传输焊盘28连接。由于传输焊盘28和槽基底金属27a电连接，从而能够将槽基底金属27a的电位保持为与传输焊盘28相同的共用电位。因此，即使共用电极31和槽基底金属27a通过密封材料40中的传输材料导通了，也不用担心因此产生显示上的不良。此外，可以是仅多个传输焊盘28中的1个传输焊盘28通过传输焊盘引出线28a与槽基底金属27a连接，也可以是多个或者全部传输焊盘28与槽基底金属27a连接。 
此外，形成为2重的槽基底金属27a中的内周侧不与传输焊盘28连接，因此成为不与其它配线电连接的悬浮状态。因此，即使共用电极31和槽基底金属27a通过密封材料40中的传输材料导通了，也不用担心因此产生显示上的不良。 
根据实施方式3的液晶显示装置10，在沿着非显示区域N中的栅极端子区域Tg的部分形成槽27和肋33，因此在沿着栅极端子区域Tg的部分会得到窄边框化的效果。另一方面，沿着非显示区域N中的源极端子区域Ts的部分不被窄边框化，但该边框区域例如能够有效地用作将源极线23的修正用预备配线在非显示区域中迂回地配置的空间。 
其它构成、效果如实施方式1所述。另外，也能将作为实施方式1的变形例而揭示的例子应用于实施方式3。而且，也能如实施方式2那样将槽基底金属27a分离地设置为岛状。 
实施方式3的液晶显示装置10除了非显示区域N的边框宽度、槽27和肋33的布局是不同的以外，能与实施方式1利用同样的工序来制作。 
<实施方式3的变形例> 
以下，说明实施方式3的变形例。 
(变形例9) 
在实施方式3中，说明了各槽27、肋33分别并行地设有2列，但设有2列的槽27的端部、肋33的端部也可以如作为变形例9的图31所示成为封闭的状态。 
(其它变形例) 
在实施方式3中，说明了非显示区域N的液晶显示装置10的长边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中“a”的长度)设定为比短边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中“b”的长度)长，但长边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中“a”的长度)也可以设定为比短边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中的“b”的长度)短。在该情况下，在进一步窄边框化后的长边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的区域(沿着源极端子区域Ts的区域)形成槽27、肋33，由此能够抑制取向膜26、32流出到源极端子区域Ts侧。 
但是，在较宽地形成有沿着源极端子区域Ts的区域的情况下，能够在该区域中对预备配线进行布局来有效利用较宽区域，因此优选：非显示区域N的液晶显示装置10的长边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中的“a”的长度)设定为比短边方向上的显示区域D和密封区域SL之间的距离(图27中的“b”的长度)长。 
另外，在实施方式3中，说明了槽27和肋33形成于对应的区域，但也可以是槽27如实施方式1那样设置为环状，而肋33以沿着栅极端子区域Tg延伸的方式设置，也可以是肋33如实施方式1那样设置为环状，而槽27以沿着栅极端子区域Tg延伸的方式设置。 
《其它实施方式》 
在实施方式1～3中，作为显示装置，举例示出了具备液晶显示面板的液晶显示装置10，但本发明也能够应用于等离子体显示器(PD)、等离子体选址液晶显示器(PALC)、有机电致发光(有机EL)显示器、无机电致发光(无机EL)显示器、场发射显示器(FED)，表面电场显示器(SED)等显示装置。 
工业上的可利用性
本发明对于液晶显示装置等显示装置是有用的，特别是，对于取向膜的涂敷区域的控制是有用的。 
附图标记说明

Claims (17)

1.一种显示装置，其特征在于，
第1基板和第2基板相对配置，
上述第1基板具备：基板主体；设置于该基板主体上的第1配线；以及与该第1配线隔着绝缘膜设置的第2配线，
在显示区域中，以相互平行地延伸的方式设置有多个上述第1配线，在与该各第1配线交叉的方向上以相互平行地延伸的方式设置有多个上述第2配线，与在两个配线的在俯视时的各交点附近形成的开关元件对应地构成像素来进行规定的显示，
在上述第1基板的上述第1配线上方，以沿着基板外周缘部连续地延伸并且横穿上述第1配线的方式形成有槽，
在上述槽的至少与上述第1配线在俯视时重叠的区域的下层，槽基底金属与上述第2配线设置于同一层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1基板具有矩形形状，
上述槽以沿着上述基板外周缘部中的构成第1基板的相对的2边连续地延伸的方式形成。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
上述第1配线中的在上述显示区域中相互平行地延伸的多个第1配线是栅极线，
上述第1基板的包围显示区域的区域中的沿着上述相对的2边的区域是设置用于将上述栅极线与外部电路连接的外部连接端子的栅极端子区域。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，
在上述第2基板中，在沿着与上述第1基板的槽在俯视时对应的构成第1基板的相对的2边的各个区域，以朝向第1基板侧突出的方式形成有肋，
上述肋从基板表面突出的高度与上述槽的深度相同或者小于上述槽的深度，且肋的宽度比与该肋对应的该槽的宽度小。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述槽在上述基板外周缘部以包围上述显示区域的方式连续地形成为环状。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在上述第2基板中，在俯视时与上述第1基板的槽对应的区域中，以将显示区域包围为环状并且朝向第1基板侧突出的方式形成有肋，
上述肋从基板表面突出的高度与上述槽的深度相同或者小于上述槽的深度，且肋的宽度比与该肋对应的该槽的宽度小。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
与上述槽形状对应，以沿着基板外周缘部连续地延伸的方式设置有上述槽基底金属。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
在上述第1基板上的上述显示区域以外的区域形成有用于向设置于该第2基板表面的共用电极提供共用电位的传输焊盘，
上述槽基底金属与上述传输焊盘电连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
形成有多个上述传输焊盘，
上述槽基底金属与上述多个传输焊盘分别电连接，并且也与提供共用电位的外部连接端子连接。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述槽基底金属对应于上述第1配线和上述槽在俯视时重叠的每个区域而分离地设置为岛状。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述槽基底金属是不与其它配线电连接的悬浮状态。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在上述槽基底金属的下层且上述绝缘膜的上层设置有硅膜。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述槽表面被透明导电膜覆盖。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述槽基底金属从上述槽表面露出。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述第2配线由Ti膜和层叠于其上层的Cu膜形成。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述第2配线由Ti膜和层叠于其上层的Al膜形成。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在上述第1基板和上述第2基板之间设置有液晶层。
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