JPWO2011129065A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

第１基板の第１配線（２１，２３ａ）上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に第１配線（２１，２３ａ）を横切るように溝（２７）が形成され、溝（２７）の少なくとも第１配線（２１，２３ａ）と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタル（２７ａ）が第２配線（２３）と同一層に設けられている。

Description

本発明は、液晶表示装置等の表示装置に関し、特に、配向膜の塗布領域の制御のために額縁領域に設けられた溝の周辺の構造に関する。

液晶表示装置は、薄型化が可能で低消費電力であるため、テレビ、パーソナルコンピュータ等のＯＡ機器や携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯情報機器のディスプレイとして広く用いられている。

液晶表示装置は、液晶表示パネルと、液晶表示パネルの背面側に取り付けられたバックライトユニットとを備えている。液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を備えたアレイ基板と、アレイ基板に対向して配された対向基板と、がシール材により貼り合わされた構成を有し、両基板間に構成される空間には液晶材料が封入されている。対向基板はアレイ基板よりも一回り小さい基板が採用されており、これによって露出したアレイ基板の端子領域上に、駆動回路が実装されている。

液晶表示パネルは、画像表示を行う表示領域と、表示領域を囲う非表示領域とで構成されている。

アレイ基板の液晶層に接する表面には、少なくとも表示領域を覆うように配向膜が形成されている。同様に、対向基板の液晶に接する表面には、少なくとも表示領域を覆うように配向膜が形成されている。

配向膜は、例えば、フレキソ印刷法やインクジェット法等により成膜したポリイミド等の樹脂膜の表面にラビング処理を行って形成することができる。樹脂膜の成膜には、基板上に直接描画ができる点、非接触プロセスのため低汚染である点、溶液の消費量が少ない点、作業時間が短縮できる点等で優れていることから、インクジェット法が好ましく用いられている。

ところで、インクジェット法で配向膜を形成すると、フレキソ法の場合よりも、配向膜の原料として粘度の低い材料の樹脂を用いるので、印刷しようとする領域（表示領域）の周辺の領域に配向膜の原料が漏れ広がりやすい。そのため、表示領域の周囲の非表示領域が小さくて、表示領域とシール材の領域との間隔が大きく確保できない場合には、シール材の領域にまで配向膜が流出してしまう。そして、この場合には、シール材と配向膜との接着性が不十分であることから、完全にシールすることができずに液晶層の液晶材料が漏れる原因となる。

上記の問題を解決するため、特許文献１には、表示領域の外側、且つ、シール材が配置される領域の内側となる概略環状の領域に、表示領域の外周に沿った方向に長く延びる溝部を有する構成の液晶表示装置が開示されている。そして、この構成によれば、インクジェット法により塗布した液状の樹脂材料が表示領域の外側に広がっても、溝部において樹脂材料の広がりを止めることができ、配向膜の表示領域の外側での濡れ広がりを抑制することができると記載されている。特許文献１には、さらに、溝部表面にＩＴＯ膜等の導電膜を形成する構成が開示されている。配向膜材料である液状の樹脂材料はＩＴＯ膜に対する濡れ性が低いので、この構成により、溝部において液状の樹脂材料の濡れ広がりを止めることができると記載されている。

特開２００７−３２２６２７号公報

ところで、特許文献１に記載された構成の液晶表示装置では、溝部が構成される領域が表示領域の外周に沿った方向に長く延びるように設けられているものの、各溝部は、配線と重ならないように形成されている。従って、溝部においては、配線が設けられたラインに沿って、有機膜が溝部を横断する畝のように溝部の底に対して隆起することとなる。ところが、本発明の発明者等は、上記の構成の液晶表示装置に関して、以下の問題点を見いだした。すなわち、表示領域の外周に溝部を設けても、溝部を横断する畝状の隆起構造が存在するので、配向膜の原料が表面張力等によって畝状の隆起構造をつたって溝部の外方に流出してしまい、配向膜のシール領域への流出を十分に制御することができないのである。

しかしながら、溝部を横断する畝状の隆起構造が存在しないようにするために、図３２の平面図に示すように配線１０１を横切るように溝１０２を形成すると、図３３（ａ）に示すように、溝表面に導電膜１０３が設けられているので、隣り合う配線１０１同士が導電膜１０３を介して導通することとなり、両配線の電位が異なる場合にはショートしてしまう。

一方、配線１０１同士のショートを防ぐために導電膜１０３を設けないで溝１０２を構成すると、配線１０１が表面に露出するので、腐蝕や酸化により配線１０１が劣化しやすくなる。また、図３３（ｂ）に示すように、隣り合う配線１０１にまたがって導電性の異物１０４が接触すると、その配線１０１間でショートしてしまう。さらに、溝１０２の領域に導電性ビーズ１０５が存在する場合には、露出した配線１０１と反対側の基板の電極１０６とがリークしてしまう。

本発明は、配向膜形成時に、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを抑制して、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることにより狭額縁の表示装置を得ることを目的とする。

本発明の表示装置は、第１基板及び第２基板が対向配置され、第１基板が、基板本体と、基板本体上に設けられた第１配線と、第１配線と絶縁膜を介して設けられた第２配線と、を備え、表示領域においては、第１配線は互いに平行に延びるように多数設けられ、第２配線は上記各第１配線と交差する方向に互いに平行に延びるように多数設けられ、両配線の平面視における交差部毎に形成されたスイッチング素子に対応して画素が構成されて所定の表示を行うものであって、第１基板の第１配線上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に第１配線を横切るように溝が形成され、溝の少なくとも第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが第２配線と同一層に設けられている。

上記の構成によれば、溝が第１配線の上方に基板外周縁部に沿って連続して延びるように形成されているので、第１配線が設けられた領域においても、配向膜形成時、基板外側方に向かって流動する配向膜原料を溝内部に収容することができ、配向膜原料がシール領域に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを得ることができる。

また、上記の構成によれば、溝の少なくとも第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが設けられているので、第１配線を横切るように溝が形成されていても、第１配線が溝の表面に露出したり、溝の表面に設けられた導電膜と第１配線とが導通したりすることがない。そのため、溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物を介して第１配線間でショートする虞がなく、また、第１配線が溝表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタルが溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物と接触しても、或いは、溝下地メタルが溝表面に露出しても、溝下地メタルは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示装置の表示性能に影響は及ばない。従って、優れた耐久性能を得ることができる。

さらに、上記の構成によれば、溝下地メタルが第２配線と同一層に設けられているので、溝下地メタルと第２配線とを同時に形成することができる。従って、製造工程の増加を伴うことなく溝下地メタルを設けることができる。

本発明の表示装置は、第１基板が矩形形状を有し、溝は、基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されていてもよい。

上記の構成によれば、溝が連続して延びるように形成された上記対向する２辺においては、非表示領域を狭額縁化することができる。

本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されている場合、第１配線のうち表示領域において互いに平行に延びる多数の第１配線はゲート線であって、第１基板の表示領域を囲う領域のうち対向する２辺に沿った領域は、ゲート線を外部回路と接続するための外部接続端子が設けられるゲート端子領域であることが好ましい。

上記の構成によれば、ゲート端子領域に沿った非表示領域を狭額縁化できる一方、溝が設けらず幅広の額縁領域となった残りの２辺に沿った領域には、ソース線を修正するための修正用予備配線を非表示領域に迂回させて配置するためのスペースとして有効に使用することができる。

本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されている場合、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する第１基板を構成する対向する２辺に沿った領域のそれぞれに、第１基板側に向かって突出するようにリブが形成されていることが好ましく、この場合、リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さく設定されている。

上記の構成によれば、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する第１基板を構成する対向する２辺に沿った領域のそれぞれに、第１基板側に向かって突出するようにリブが形成されているので、上記対向する２辺に沿った領域では、第２基板においても、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、第１基板側の溝による流出防止と相俟って配向膜とシール材との間の距離をさらに小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを確実に得ることができる。また、リブは、基板表面からの突出高さが溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅がリブに対応する溝の幅よりも小さくなるように設定されているので、リブが設けられた領域においても溝底部とリブの突端との間の距離が第１基板と第２基板との間の距離と同じまたはそれよりも大きくなる。従って、シール材にスペーサとして混入されたガラス繊維粉砕物が溝及びリブが設けられた領域に存在しても、リブによりスペーサの機能が阻害されてセル厚の制御が困難になることがない。

本発明の表示装置は、溝は、基板外周縁部に表示領域を囲むように環状に連続して形成されていてもよい。

上記の構成によれば、基板外周縁部の全周において、非表示領域を狭額縁化することができる。

本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部に表示領域を囲むように環状に連続して形成されている場合、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を環状に囲むと共に第１基板側に向かって突出するようにリブが形成されていることが好ましく、この場合、リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さく設定されている。

上記の構成によれば、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を囲むように環状に延びるリブが第１基板側に向かって突設されているので、第２基板においても、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、第１基板側の溝による流出防止と相俟って配向膜とシール材との間の距離をさらに小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを確実に得ることができる。また、リブは、基板表面からの突出高さが溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅がリブに対応する溝の幅よりも小さくなるように設定されているので、リブが設けられた領域においても溝底部とリブの突端との間の距離が第１基板と第２基板との間の距離と同じまたはそれよりも大きくなる。従って、シール材にスペーサとして混入されたガラス繊維粉砕物が溝及びリブが設けられた領域に存在しても、リブによりスペーサの機能が阻害されてセル厚の制御が困難になることがない。

本発明の表示装置は、溝下地メタルが、溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられていてもよい。

上記の構成によれば、溝下地メタルが溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられているので、溝下地メタルと第１配線とのレイアウトの位置ズレの虞がなく、確実に第１配線と溝との間に溝下地メタルを設けることができる。

本発明の表示装置は、第１基板上の表示領域以外の領域に、第２基板表面に設けられた共通電極に共通電位を与えるためのトランスファパッドが形成され、溝下地メタルは、トランスファパッドと電気的に接続されていてもよい。

上記の構成によれば、溝下地メタルが溝形状に対応するように環状に連続して設けられ、さらに、トランスファパッドと電気的に接続されているので、溝下地メタルの電位をトランスファパッドと同じ共通電位に保持することができる。そのため、例えばシール材中に混入された導電性ビーズ等のトランスファ材を介して第２基板表面の共通電極と溝下地メタルとが導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。

本発明の表示装置は、トランスファパッドが複数形成され、溝下地メタルが、複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されていてもよい。

上記の構成によれば、溝下地メタルが複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されているので、外部接続端子から溝下地メタルに与えられた共通電位をそのまま各トランスファパッドに伝達することができる。つまり、各トランスファパッドに共通電位を与えるためのトランスファバスラインの機能を溝下地メタルに持たせることができ、トランスファバスラインをトランスファパッドの外周等に設ける場合よりも狭額縁化することができる。

本発明の表示装置は、溝下地メタルが、第１配線と溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられていてもよい。

上記の構成によれば、ある場所で溝下地メタルと第１配線とが導通してしまって不良となっても、溝下地メタルが第１配線と溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられているので、不良が溝下地メタル全体に伝わることがない。

本発明の表示装置は、溝下地メタルが、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であってもよい。

上記の構成によれば、溝下地メタルが他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であるので、例えばシール材中に混入された導電性ビーズ等のトランスファ材を介して第２基板表面の共通電極と溝下地メタルとが導通しても、溝下地メタルがフローティング状態であるので、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。

本発明の表示装置は、溝下地メタルの下層であって絶縁膜の上層にはシリコン膜が設けられていてもよい。

上記の構成によれば、第１配線の上層に設けられた絶縁膜や溝下地メタルの厚さが第１配線の側面において薄くなっても、溝下地メタルの下層であって絶縁膜の上層にシリコン膜が設けられているので、絶縁膜や溝下地メタルの厚さが薄くなった部分が破れて第１配線が表面に露出することがない。また、溝表面に透明導電膜が設けられている場合には、絶縁膜や溝下地メタルの厚さが薄くなって破れた部分から透明導電膜が浸入して透明導電膜と第１配線とが導通しないので、第１配線同士が短絡する虞がない。

また、上記の構成によれば、シリコン膜の形成を表示領域内のスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）を構成するシリコン膜の形成と同時に行うことができる。従って、製造工程の増加を伴うことなくシリコン膜を設けることができる。

本発明の表示装置は、溝表面が、透明導電膜で被覆されていてもよい。

上記の構成によれば、溝表面が透明導電膜で被覆されているので、溝下地メタルが溝表面に露出することがなく、溝下地メタルが腐蝕して劣化するのを防止できる。

また、溝表面は、溝下地メタルが露出していてもよい。

上記の構成によれば、溝表面において溝下地メタルが露出しているので、透明導電膜で溝表面を被覆する場合よりも透明導電膜を設ける領域に相当する分だけ狭額縁化することができる。

本発明の表示装置は、第２配線が、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＣｕ膜とで形成されていてもよい。

また、第２配線が、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＡｌ膜とで形成されていてもよい。

本発明の表示装置は、第１基板と第２基板との間には液晶層が設けられていてもよい。

本発明によれば、第１基板には溝が基板外周縁部に沿って連続して延びるように形成されているので、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることができ、狭額縁の表示装置を得ることができる。

また、本発明によれば、溝の少なくとも第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが設けられているので、第１配線を横切るように溝が形成されていても、第１配線が溝の表面に露出したり、溝の表面に設けられた導電膜と第１配線とが導通したりすることがない。そのため、溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物を介して隣り合う第１配線間でショートする虞がなく、また、第１配線が溝表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタルが溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物と接触しても、或いは、溝下地メタルが溝表面に露出しても、溝下地メタルは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示装置の表示性能に影響は及ばない。従って、優れた耐久性能を得ることができる。

実施形態１にかかる液晶表示装置の平面図である。 図１のII-II線における断面図である。 図１のIII-III線における断面図である。 アレイ基板の平面図である。 対向基板の平面図である。 図４の領域ＡＲ１における拡大平面図である。 図６のVII-VII線における断面図である。 図６のVIII-VIII線における断面図である。 図６のIX-IX線における断面図である。 図６のX-X線における断面図である。 液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施形態１の変形例１にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図１２のXIII-XIII線における断面図である。 実施形態１の変形例２にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図１４のXV-XV線における断面図である。 実施形態１の変形例３にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図１６のXVII-XVII線における断面図である。 実施形態１の変形例４にかかるアレイ基板の平面図である。 （ａ）は実施形態１の変形例５にかかるアレイ基板の断面図、及び（ｂ）は当該変形例の比較のための実施形態１のアレイ基板の断面図である。 実施形態１の変形例６にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ２に対応する。 （ａ）は図２０のXXIａ-XXIａ線における断面図、（ｂ）は図２０のXXIｂ-XXIｂ線における断面図である。 実施形態１の変形例７にかかるアレイ基板の要部拡大図であり、図６のIX-IX線における断面図に対応する。 実施形態１の変形例８にかかるアレイ基板の要部拡大図であり、図６のIX-IX線における断面図に対応する。 実施形態２のアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図２４のXXV-XXV線における断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は図２４の要部拡大図である。 実施形態３にかかる液晶表示装置の平面図である。 アレイ基板の平面図である。 対向基板の平面図である。 図２８の領域ＡＲ３における拡大平面図である。 実施形態３の変形例９にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図２８の領域ＡＲ３に対応する。 本発明の課題の問題点を説明するための液晶表示装置の平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、図３２中のXXXIII-XXXIII線における断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態１〜３では、表示装置として、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えたアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置を例に説明する。但し、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。

《実施形態１》
図１及び２は、実施形態１にかかる液晶表示装置１０の全体概略図を示す。また、図３は、液晶表示装置１０のシール領域ＳＬ付近の拡大断面図を示す。さらに、図４及び５は、それぞれアレイ基板２０及び対向基板３０の平面図を示す。

液晶表示装置１０は、互いに対向して配置されたアレイ基板２０（第１基板）及び対向基板３０（第２基板）を備えている。アレイ基板２０は、基板本体２０Ｓ上に、ゲート線２１を含む第１メタル（第１配線）、ゲート絶縁膜２２、ソース線２３（図６参照）を含む第２メタル（第２配線）、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、画素電極（図示せず）を含む第３メタル、及び配向膜２６が積層形成されている。アレイ基板２０の詳細な構成については後述する。また、対向基板３０は、基板本体３０Ｓ上に、共通電極３１、カラーフィルタ及びブラックマトリクス（不図示）、並びに配向膜３２が積層形成されており、基板外周縁部の非表示領域Ｎにおいては、ブラックマトリクスによる遮光領域（不図示）が構成されている。そして、アレイ基板２０及び対向基板３０は、それらの外周縁部をシール領域ＳＬとして枠状に配置されたシール材４０により接着されている。そして、両基板２０及び３０の間のシール材４０に包囲された空間には、表示層として液晶層５０が設けられており、表示領域Ｄを構成している。また、表示領域Ｄの周囲の非表示領域Ｎの一部は、実装部品などの外部接続端子を取り付けるための端子領域Ｔとなっている。

なお、アレイ基板２０には、図４に示すように、表示領域Ｄを囲うように環状に、パッシベーション膜２４及び平坦化膜２５と同一層に、溝２７が設けられており、配向膜２６形成時に表示領域Ｄから非表示領域Ｎ側に配向膜２６の原料である液状の樹脂材料が流出するのが抑制される。溝２７は、１列だけ設けられていても、複数列設けられていてもよい（図４では２列）。一方、対向基板３０には、図５に示すように、表示領域Ｄを囲うように環状にリブ３３が設けられており、配向膜３２形成時に表示領域Ｄから非表示領域Ｎ側に配向膜３２の原料である液状の樹脂材料が流出するのが抑制される。リブ３３は、１列だけ設けられていても、複数列設けられていてもよい（図５では２列）。リブ３３は、アレイ基板２０上に設けられた溝２７の領域に対応して、溝２７とリブ３３とが互いに嵌って重ね合わせられるように位置付けられている。各基板において溝２７やリブ３３を設けて配向膜２６，３２の原料である液状の樹脂材料が流出するのを抑制することにより、配向膜２６，３２とシール材４０との間の距離を小さくすることができ、狭額縁化できる。

溝２７は、例えば溝２７の幅（図３のＷ１）が５０μｍ程度及び溝２７の深さ（図３のＨ１）が２．５μｍ程度である。また、リブ３３は、例えばリブ３３の幅（図３のＷ２）が３０μｍ程度及び基板表面からの突出高さ（図３のＨ２）が２．０μｍ程度である。シール材４０には、アレイ基板２０と対向基板３０の間の距離を一定に保持するためのスペーサとして、繊維径が両基板間の距離に設定されたガラス繊維粉砕物４１（例えば、繊維径が４．０μｍ程度）が混入されている。対向基板３０の非表示領域Ｎにリブ３３が設けられている場合、リブ３３が設けられた領域にガラス繊維粉砕物４１が存在すると、両基板間の距離がガラス繊維粉砕物４１の繊維径とリブ３３の高さの和となり、セル厚の制御が困難になる虞がある。しかしながら、溝２７とリブ３３とが互いに嵌り合うように対応する位置に設けられ、リブ３３は、基板表面からの突出高さ（Ｈ２）が溝２７の深さ（Ｈ１）以下となるように、また、リブ３３の幅（Ｗ２）がリブ３３に対応する溝２７の幅（Ｗ１）よりも小さく設定されている。そのため、対向基板３０にリブ３３が設けられていても、溝２７の底部とリブ３３の突端との間の距離が、アレイ基板２０と対向基板３０との間の距離（つまり、ガラス繊維粉砕物４１の繊維径）以上となりガラス繊維粉砕物４１が存在するための十分な空間が確保されるので、リブ３３でガラス繊維粉砕物４１が詰まってしまってスペーサの機能が阻害されセル厚の制御が困難になることがない。

液晶表示装置１０は、各画素において、ＴＦＴがオン状態になったときに、画素電極と共通電極３１との間で電位差が生じ、液晶層５０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置１０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。

以下、図６〜１０を用いて、アレイ基板２０の詳細な構成について説明する。なお、図６では、各配線の状態を簡潔に示すために、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、第３メタル等の図示を省略し、便宜上、第１メタルや第２メタルを実線で示している（以下、図１１，１３，１５及び１９についても同様である）。

アレイ基板２０上には、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる多数のゲート線２１（走査信号配線）、及び、互いに平行に延びる多数のソース線２３（映像信号配線）が配設されている。ソース線２３とゲート線２１とは、基板厚さ方向にはゲート絶縁膜２２で絶縁されていると共に、互いに交差する方向（例えば、直交方向）に延びるように設けられている。それらの平面視における各交点に近傍には、それぞれスイッチング素子としてＴＦＴ（不図示）が形成されている。そして、液晶表示装置１０は、各ＴＦＴに対応するように画素が構成されて所定の表示を行う。

多数のゲート線２１は、第１メタルで形成されている。また、多数のソース線２３は、第２メタルで形成されている。第１メタル及び第２メタルは、例えば、Ｔｉ膜（厚さ３０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＣｕ膜（厚さ１００ｎｍ程度）とで形成されている。

多数のゲート線２１のそれぞれの端部は、図７に示すように、非表示領域Ｎにまで延びるように設けられ、端子領域Ｔに実装されたゲートドライバ（不図示）に接続されている。一方、多数のソース線２３のそれぞれは、非表示領域Ｎにおいて、多数のソース引き出し線２３ａに接続されている。ソース引き出し線２３ａは、第１メタルでゲート線２１と同一層に設けられ、端子領域Ｔにおいてソースドライバ（不図示）に接続されている。ソース線２３とソース引き出し線２３ａとは、図１０に示すように、ソース線コンタクト部２３ｂにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第３メタルからなる導電膜２３ｃを介して電気的に接続されている。

アレイ基板２０には、上述したように、第１メタルの上方であってパッシベーション膜２４や平坦化膜２５と同一層に基板外周縁部に表示領域Ｄを囲むように環状に連続した溝２７が設けられている。溝２７は、感光性アクリル平坦化膜２５を現像し、現像した平坦化膜２５をマスクとしてエッチングして凹部を設けることにより形成されたものである。溝２７は、ゲート線２１やその同一層のソース引き出し線２３ａのそれぞれの上層を横切るように設けられている。溝２７が、ゲート線２１やソース引き出し線２３ａ等の第１メタルの上層においてもそれらを横切るように環状に連続して設けられているので、配向膜２６の形成時に配向膜２６の原料が基板外側方に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜２６とシール材４０との間の距離を小さくすることにより狭額縁化できる。

溝２７には、図７〜１０に示すように、その下層に溝下地メタル２７ａが設けられている。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形成時にエッチングストッパとして機能する。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形状に対応するように環状に連続して設けられている。溝下地メタル２７ａの幅は溝２７の幅よりも大きく、例えば６０μｍ程度である。溝下地メタル２７ａは、第２メタルで構成されている。溝２７の下層に溝下地メタル２７ａが設けられているので、溝２７形成時にエッチングによってゲート線２１やソース引き出し線２３ａ等の第１メタルが表面に露出することがない。そのため、溝２７表面に存在する導電性の物体を介して第１メタル間でショートする虞がなく、また、第１メタルが溝２７表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に存在する導電性の物体を介して導通しても、溝下地メタル２７ａは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示上、不良が生じる虞がない。なお、溝下地メタル２７ａは第２メタルでソース線２３と同一層に形成されているので、ソース線２３と同時に形成することができる。

また、溝２７の表面は透明導電膜２７ｂで被覆されている。透明導電膜２７ｂは、ＩＴＯ膜等の第３メタルで形成されている。透明導電膜２７ｂで溝２７表面が被覆されているので、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に露出することがなく、溝下地メタル２７ａの腐蝕等が起こる虞がない。

アレイ基板２０には、非表示領域Ｎに、さらに、トランスファパッド２８が設けられている。トランスファパッド２８は、表示領域Ｄを囲むように複数個設けられている。トランスファパッド２８は、アレイ基板２０と対向基板３０間に介在するトランスファ材を介して対向基板３０の全面に設けられた共通電極３１と電気的に接続されており、トランスファパッド２８を共通電位に保持することにより共通電極３１に共通電位を与える機能を有する。

トランスファ材としては、例えば、シール材４０中に混入された導電性ビーズ（不図示）等が挙げられる。導電性ビーズは、例えばプラスチックの表面に金メッキを行ったものである。

トランスファパッド２８のそれぞれは、トランスファパッド２８の外周に設けられたトランスファバスライン（不図示）と接続されている。トランスファバスラインは外部接続端子に接続されている。外部接続端子に共通電位が与えられると、共通電位がそのまま各トランスファパッド２８に伝達され、さらにトランスファ材を介して対向基板３０の共通電極３１に共通電位が伝達される。

トランスファパッド２８は、トランスファパッド引き出し線２８ａで、溝下地メタル２７ａと電気的に接続されている。ここでは、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうちの外周側がトランスファパッド２８と接続されている。トランスファパッド引き出し線２８ａと溝下地メタル２７ａとは、図９に示すように、トランスファパッドコンタクト部２８ｂにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第３メタルからなる導電膜２８ｃを介して電気的に接続されている。トランスファパッド２８と溝下地メタル２７ａとが電気的に接続されていることにより、溝下地メタル２７ａの電位をトランスファパッド２８と同じ共通電位に保持することができる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。なお、複数のトランスファパッド２８のうち１つのトランスファパッド２８だけがトランスファパッド引き出し線２８ａを介して溝下地メタル２７ａと接続されていても、複数、或いは全部のトランスファパッド２８が溝下地メタル２７ａと接続されていても、いずれでもよい。

なお、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうち内周側のものは、トランスファパッド２８と非接続なので、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。

＜液晶表示装置１０の製造方法＞
次に、図１１のフローチャートを参照し、本実施形態の液晶表示装置１０を製造する方法について説明する。本実施形態の製造方法は、図１１のステップＳ１１〜Ｓ１９に対応するアレイ基板作製工程と、図１１のステップＳ２１〜Ｓ２４に対応する対向基板作製工程と、図１１のステップＳ３〜Ｓ７に対応する液晶表示パネル作製工程とを備えている。

（アレイ基板作製工程）
まず、ステップＳ１１おいて、公知の方法で基板本体２０Ｓ上に第１メタルを設けることにより、ゲート線２１、ソース引き出し線２３ａ、トランスファパッド引き出し線２８ａ等を同時に形成する。そして、ステップＳ１２及びＳ１３において、公知の方法により、ゲート絶縁膜２２及び半導体層を形成する。

次に、ステップＳ１４おいて、公知の方法でゲート絶縁膜２２及び半導体層の上層に第２メタルを設けることにより、ソース線２３や溝下地メタル２７ａ等を同時に形成する。そして、ステップＳ１５において、半導体層にチャネル部をパターニングすることにより、ＴＦＴを形成する。

続いて、ステップＳ１６において、公知の方法により、パッシベーション膜２４及び平坦化膜２５を順に形成した後にステップＳ１７において感光性アクリル平坦化膜２５現像し、現像した平坦化膜２５をマスクとしてをエッチングし、溝２７を形成する。このとき、溝下地メタル２７ａがエッチングストッパとして機能し、溝２７の表面に溝下地メタル２７ａが露出した状態となる。そして、ステップＳ１８において、平坦化膜２５の上層に公知の方法で第３メタルを設けることにより、画素電極や溝２７表面を覆う透明導電膜２７ｂ等を形成する。

最後に、ステップＳ１９において、公知の方法により配向膜２６を形成して、アレイ基板２０が完成する。

（対向基板作製工程）
まず、ステップＳ２１において、公知の方法により、基板全体を覆うように透明導電膜２７ｂを成膜して共通電極３１を形成する。そして、ステップＳ２２において、公知の方法により、基板本体３０Ｓ上にブラックマトリクス及びカラーフィルタを形成する。このとき同時に、リブ３３を設ける領域、つまり対向基板３０の外周縁部に沿った領域にもブラックマトリクスまたはカラーフィルタでリブ３３の下層部分３３ａを形成する。

次に、ステップＳ２３において、公知の方法により、リブ３３を設ける対向基板３０の外周縁部に沿った領域に有機樹脂膜３３ｂを成膜し、リブ３３を形成する。このとき同時に、表示領域Ｄにおいて所定のレイアウトとなるようにリブ３３を形成して液晶配向規制用リブとしてもよい。

最後に、ステップＳ２４において、公知の方法により配向膜３２を形成して、対向基板３０が完成する。

（液晶表示パネル作製工程）
まず、公知の方法によって、ステップＳ３において、対向基板３０上の表示領域Ｄの周りにシール材原料を塗布し、続いてステップＳ４において、シール材原料で囲まれた領域に液晶材料を滴下して液晶層５０を形成する。

次に、ステップＳ５において、シール材原料を挟むように対向基板３０上にアレイ基板２０を重ねる。このとき、非表示領域Ｎにおいてアレイ基板２０の溝２７と対向基板３０のリブ３３とが嵌り合うように重ねる。

最後に、ステップＳ６において、シール材原料にＵＶ照射及び／又は加熱を行うことにより、シール材原料を硬化する。このときアレイ基板２０と対向基板３０とが接着されて液晶表示パネルが完成する（ステップＳ７）。液晶表示パネルに偏光板貼り付け、実装部材を実装し、バックライト装着等のモジュール化処理を行うことにより液晶表示装置１０が完成する。

＜実施形態１の変形例＞
以下、実施形態１の変形例について説明する。

（変形例１〜３）
実施形態１では、溝２７が２重に設けられ、最外周の溝２７に対応する溝下地メタル２７ａだけがトランスファパッド２８と接続されて、内周側の溝２７の下層の溝下地メタル２７ａは他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であるとして説明したが、溝２７が複数列設けられている場合に全ての溝２７に対応するそれぞれの溝下地メタル２７ａがトランスファパッド２８と接続されていてもよく、その反対に、全ての溝下地メタル２７ａがフローティング状態であってもよい。

例えば、図１２及び１３に変形例１として示すように、トランスファパッド引き出し線２８ａを内側の溝２７の下層近傍まで延びるように形成し、外側の溝２７の下層の溝下地メタル２７ａと同様に内側の溝２７の下層の溝下地メタル２７ａともトランスファパッドコンタクト部２８ｂを介して電気的に接続してもよい。また、実施形態１のように１つの溝２７に対して１つの溝下地メタル２７ａが設けられている構成の他、例えば図１４及び１５に変形例２として示すように、複数の溝２７の溝下地メタル２７ａが一体に設けられていてもよい。この場合でも、全ての溝２７の下層の溝下地メタル２７ａに共通電位が与えられることとなる。

また、例えば図１６及び１７に変形例３として示すように、トランスファパッド２８にはトランスファパッド引き出し線２８ａが設けられず、溝下地メタル２７ａがトランスファパッド２８と非接続であってもよい。この場合、全ての溝下地メタル２７ａが、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。

（変形例４）
実施形態１では、トランスファパッド２８はその外周に設けられたトランスファバスライン（不図示）から共通電位が与えられるとしたが、トランスファパッド２８の外周にトランスファバスラインを設けないで、図１８に変形例４として示すように、溝下地メタル２７ａにトランスファバスラインの機能を持たせてもよい。この場合、溝下地メタル２７ａは共通電位入力線２８ｄによって外部接続端子（不図示）に接続されると共に、トランスファパッド２８のそれぞれとトランスファパッド引き出し線２８ａを介して電気的に接続されている。そして、外部接続端子から与えられた共通電位は溝下地メタル２７ａを介してトランスファパッド２８に伝達される。溝下地メタル２７ａにトランスファバスラインの機能を与えることにより、トランスファバスラインをトランスファパッド２８の外周に独立に設けるのを省略することができ、狭額縁化できる。

（変形例５）
実施形態１の構成に加えて、ゲート絶縁膜２２と溝下地メタル２７ａとの間には、図１９（ａ）に変形例５として示すように、シリコン膜２７ｃが形成されていてもよい。シリコン膜２７ｃは、表示領域Ｄに設けられるＴＦＴの半導体層と同一の材料で形成する。

ゲート絶縁膜２２や溝下地メタル２７ａは、第１メタルが設けられた領域で隆起するように設けられているので、成膜条件によっては、図１９（ｂ）に示すように、隆起部の壁の領域における溝下地メタル２７ａが薄くなる。そのため、例えばゲート絶縁膜２２やパッシベーション膜２４にドライエッチングによりコンタクトホールを設ける工程において、ゲート絶縁膜２２や溝下地メタル２７ａが薄くなった部分に穴が開き、溝下地メタル２７ａの上層に設けられた透明導電膜２７ｂがゲート線２１と導通し、ゲート線２１同士が透明導電膜２７ｂを介して短絡してしまう虞がある。

しかしながら、溝下地メタル２７ａの下層にシリコン膜２７ｃが設けられていることにより、隆起部の壁の領域の溝下地メタル２７ａが薄くなっても、シリコン膜２７ｃがドライエッチング時のエッチングストッパとして機能するので、導電膜を介して第１メタル同士が短絡するのを抑制することができる。

また、シリコン膜２７ｃは、ＴＦＴの半導体層の形成におけるシリコン膜のレイアウトを変更することのみによって形成することができるので、溝下地メタル２７ａの下層にもシリコン膜２７ｃを設けるための特別な工程を追加する必要がない。

（変形例６）
実施形態１では、対向基板３０の額縁領域にはブラックマトリクスにより遮光領域が形成されているとして説明したが、対向基板３０ではなくアレイ基板２０側の額縁領域に遮光層が設けられて遮光領域Ｓが形成されていてもよい。この場合、図２０及び２１に変形例６として示すように、溝下地メタル２７ａに遮光層としての機能を兼ねさせることができる。

（変形例７）
実施形態１では溝２７表面が透明導電膜２７ｂで被覆されているとして説明したが、例えば、図２２に変形例７として示すように、溝２７表面が透明導電膜２７ｂで被覆されていないで溝下地メタル２７ａが露出していてもよい。

溝２７表面に透明導電膜２７ｂを設けないことにより、透明導電膜２７ｂを設けるための領域幅の分（図２２の距離Ｕ参照）、表示装置を狭額縁化することができる。また、溝下地メタル２７ａが露出していることにより溝２７表面が透明導電膜２７ｂで被覆されている場合よりも溝下地メタル２７ａが腐蝕されやすくなるが、溝下地メタル２７ａは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示性能の低下の虞がない。なお、この場合、第２メタル形成時の温度制御やプロセス条件を調整することにより、第２メタル（溝下地メタル２７ａ）の耐腐蝕性を高めることができる。

（変形例８）
実施形態１では、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＣｕ膜とで第１メタル及び第２メタルを形成するとして説明したが、特にこれに限られない。例えば、Ｔｉ膜（厚さ５０ｎｍ程度）、Ａｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びＴｉ膜（厚さ１００ｎｍ程度）を下層から順に積層して第１メタルを形成し、Ｔｉ膜（厚さ５０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＡｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）とで第２メタルを形成してもよい。また、Ｍｏ（厚さ５０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＡｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）とで第１メタルを形成し、Ｍｏ（厚さ５０ｎｍ程度）、Ａｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びＭｏ（厚さ５０ｎｍ程度）を下層から順に積層して第２メタルを形成してもよい。

第２メタルをＴｉ膜とＡｌ膜との積層体で構成し、透明導電膜２７ｂとして溝２７表面にＩＴＯ膜を設ける場合、図２３に変形例８として示すように、溝下地メタル２７ａとＩＴＯ膜２７ｂが接触する領域は溝下地メタル２７ａをＴｉ膜２７ｄの単層膜として形成し、透明導電膜２７ｂがＡｌ膜２７ｅと接触しないようにすることが好ましい。Ａｌ膜とＩＴＯ膜とはイオン化傾向の差が大きいため、Ａｌ膜２７ｅがＩＴＯ膜２７ｂに接触した状態ではＡｌ膜２３ｅが電蝕しやすくなってしまうからである。

なお、実施形態１では対向基板３０に、表示領域Ｄを囲むように環状にリブ３３が設けられているとして説明したが、リブ３３が設けられていない対向基板３０で液晶表示装置１０が構成されていてもよい。但し、対向基板３０の配向膜３２の原料のシール領域ＳＬへの流出防止による狭額縁化の観点からは、対向基板３０にはリブ３３が設けられていることが好ましい。

《実施形態２》
次に、実施形態２の液晶表示装置１０について説明する。なお、実施形態１と同一または対応する構成については実施形態１と同一の参照符号を用いて説明する。

液晶表示装置１０は、アレイ基板２０と対向基板３０とが対向して配置され、それらの外周縁部に配置されたシール材４０により接着され、シール材４０に包囲された空間には、表示層として液晶層５０が設けられている。この液晶表示装置１０は、アレイ基板２０を除いて実施形態１と同一の構成を有する。

アレイ基板２０は、実施形態１と同様に、基板本体２０Ｓ上に、ゲート線２１を含む第１メタル、ゲート絶縁膜２２、ソース線２３を含む第２メタル、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、画素電極を含む第３メタル、及び配向膜２６が積層形成され、表示領域Ｄを囲うように環状に連続して溝２７が設けられている。

溝２７の下層には溝下地メタル２７ａが設けられているが、実施形態２では、図２４及び２５に示すように、ソース引き出し線２３ａと溝２７とが平面視で重なる領域に対応するように、島状に離間した複数の溝下地メタル２７ａが設けられている。

溝下地メタル２７ａを島状に離間して設けることにより、溝下地メタル２７ａの一点において溝下地メタル２７ａがその下層のソース引き出し線２３ａやゲート線２１と導通して不良となった場合でも、その不良が溝下地メタル２７ａ全体に伝わることがなく、歩留まりが向上する。

また、溝下地メタル２７ａを島状に離間して設けることにより、溝２７の下層のうち溝下地メタル２７ａが設けられていない領域では溝下地メタル２７ａの分だけ溝２７の深さが深くなる。そのため、配向膜２６の原料が基板外側方に流出するのをより有効に抑制することができる。

溝下地メタル２７ａが島状に離間して設けられている場合には、各溝下地メタル２７ａは他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となっているので、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとが例えばシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。

なお、溝２７表面は、ＩＴＯ膜等の第３メタルである透明導電膜２７ｂで被覆されていてもよい。その場合、図２６（ａ）に示すように溝２７表面の全面を覆うように透明導電膜２７ｂを設けてもよく、図２６（ｂ）に示すように溝２７表面のうち溝下地メタル２７ａが形成された領域を覆うように透明導電膜２７ｂを設けてもよい。また、図２６（ｃ）に示すように、溝２７表面を透明導電膜２７ｂで被覆しなくてもよい。

その他の構成や効果については実施形態１に記載の通りである。また、実施形態１の変形例としてあげた例を実施形態２に適用することも可能である。

《実施形態３》
次に、実施形態３の液晶表示装置１０について説明する。

図２７は、実施形態３にかかる液晶表示装置１０の全体概略図を示す。液晶表示装置１０のシール領域ＳＬ付近の拡大断面図は、実施形態１について示した図３と同様である。また、図２８及び２９は、それぞれアレイ基板２０及び対向基板３０の平面図を示す。なお、実施形態１と同一または対応する構成については実施形態１と同一の参照符号を用いて説明する。

液晶表示装置１０は、アレイ基板２０と対向基板３０とが対向して配置され、それらの外周縁部のシール領域ＳＬに配置されたシール材４０により接着され、シール材４０に包囲された空間には、表示層として液晶層５０が設けられている。液晶層５０が設けられた領域は表示領域Ｄを構成し、その周囲が枠状の非表示領域Ｎとなっている。非表示領域Ｎは、液晶表示装置１０の長辺方向の１辺の一部がソース端子領域Ｔｓ、及び短辺方向の２辺の一部がゲート端子領域Ｔｇとなっている。シール領域ＳＬは、液晶表示装置１０の長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも長くなるように配置されている。

アレイ基板２０は、実施形態１と同様に、基板本体２０Ｓ上に、ゲート線２１を含む第１メタル、ゲート絶縁膜２２、ソース線２３を含む第２メタル、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、画素電極を含む第３メタル、及び配向膜２６が積層形成されている。そして、アレイ基板２０には、パッシベーション膜２４及び平坦化膜２５と同一層に溝２７が設けられている。溝２７は、非表示領域Ｎのうち狭額縁のゲート端子領域Ｔｇのそれぞれに沿って延びるように設けられている。溝２７により、配向膜２６形成時に表示領域Ｄからゲート端子領域Ｔｇ側に配向膜２６の原料である液晶の樹脂材料が流出するのが抑制される。溝２７は、１列だけ設けられていても複数列設けられていてもよい（図２８では２列）。

対向基板３０は、基板本体３０Ｓ上に、共通電極３１，カラーフィルタ及びブラックマトリクス、並びに配向膜３２が積層形成されており、非表示領域Ｎにおいては、ブラックマトリクスにより遮光領域が構成されている。そして、対向基板３０には、○○と同一層にリブ３３が設けられている。リブ３３は、非表示領域Ｎのうち狭額縁のゲート端子領域Ｔｇのそれぞれに沿って延びるように設けられている。リブ３３により、配向膜３２形成時に表示領域Ｄからゲート端子領域Ｔｇ側に向かって配向膜３２の樹脂材料が流出するのが抑制される。リブ３３は、１列だけ設けられていても複数列設けられていてもよい（図２９では２列）。

リブ３３は、アレイ基板２０上に設けられた溝２７の領域に対応して、溝２７とリブ３３とが互いに嵌って重ね合わせられるように位置付けられている。各基板において溝２７やリブ３３を設けて配向膜２６，３２の原料である液状の樹脂材料が表示領域Ｄからゲート端子領域Ｔｇ側に向かって流出するのを抑制することにより、ゲート端子領域Ｔｇに沿った部分における配向膜２６，３２とシール材４０との間の距離（図２７中の「ｂ」）を小さくすることができ、狭額縁化できる。溝２７とリブ３３が設けられた部分におけるアレイ基板２０と対向基板３０との重ね合わせ状態の断面図は、実施形態１の図３と同一である。

実施形態１と同様、溝２７は、例えば溝２７の幅（図３のＷ１）が５０μｍ程度及び溝２７の深さ（図３のＨ１）が２．５μｍ程度である。また、リブ３３は、例えばリブ３３の幅（図３のＷ２）が３０μｍ程度及び基板表面からの突出高さ（図３のＨ２）が２．０μｍ程度である。シール材４０には、アレイ基板２０と対向基板３０の間の距離を一定に保持するためのスペーサとして、繊維径が両基板間の距離に設定されたガラス繊維粉砕物４１（例えば、繊維径が４．０μｍ程度）が混入されている。対向基板３０の非表示領域Ｎにリブ３３が設けられている場合、リブ３３が設けられた領域にガラス繊維粉砕物４１が存在すると、両基板間の距離がガラス繊維粉砕物４１の繊維径とリブ３３の高さの和となり、セル厚の制御が困難になる虞がある。しかしながら、溝２７とリブ３３とが互いに嵌り合うように対応する位置に設けられ、リブ３３は、基板表面からの突出高さ（Ｈ２）が溝２７の深さ（Ｈ１）以下となるように、また、リブ３３の幅（Ｗ２）がリブ３３に対応する溝２７の幅（Ｗ１）よりも小さく設定されている。そのため、対向基板３０にリブ３３が設けられていても、溝２７の底部とリブ３３の突端との間の距離が、アレイ基板２０と対向基板３０との間の距離（つまり、ガラス繊維粉砕物４１の繊維径）以上となりガラス繊維粉砕物４１が存在するための十分な空間が確保されるので、リブ３３でガラス繊維粉砕物４１が詰まってしまってスペーサの機能が阻害されセル厚の制御が困難になることがない。

液晶表示装置１０は、各画素において、ＴＦＴがオン状態になったときに、画素電極と共通電極３１との間で電位差が生じ、液晶層５０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置１０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。

以下、図３０等を用いて、アレイ基板２０の詳細な構成について説明する。なお、図３０では、各配線の状態を簡潔に示すために、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、第３メタル等の図示を省略し、便宜上、第１メタルや第２メタルを実線で示している。

アレイ基板２０上には、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる多数のゲート線２１（走査信号配線）、及び、互いに平行に延びる多数のソース線２３（映像信号配線）が配設されている。ソース線２３とゲート線２１とは、基板厚さ方向にはゲート絶縁膜２２で絶縁されていると共に、互いに交差する方向（例えば、直交方向）に延びるように設けられている。それらの平面視における各交点に近傍には、それぞれスイッチング素子としてＴＦＴ（不図示）が形成されている。そして、液晶表示装置１０は、各ＴＦＴに対応するように画素が構成されて所定の表示を行う。

多数のゲート線２１は、第１メタルで形成されている。また、多数のソース線２３は、第２メタルで形成されている。第１メタル及び第２メタルは、例えば、Ｔｉ膜（厚さ３０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＣｕ膜（厚さ１００ｎｍ程度）とで形成されている。

多数のゲート線２１のそれぞれの端部は、非表示領域Ｎにまで延びるように設けられ、端子領域Ｔに実装されたゲートドライバ（不図示）に接続されている。一方、多数のソース線２３のそれぞれは、非表示領域Ｎにおいて、多数のソース引き出し線２３ａに接続されている。ソース引き出し線２３ａは、第１メタルでゲート線２１と同一層に設けられ、端子領域Ｔにおいてソースドライバ（不図示）に接続されている。ソース線２３とソース引き出し線２３ａとは、ソース線コンタクト部２３ｂにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第３メタルからなる導電膜２３ｃを介して電気的に接続されている。

アレイ基板２０には、上述したように、第１メタルの上方であってパッシベーション膜２４や平坦化膜２５と同一層に、非表示領域Ｎにおいてゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように連続した溝２７が設けられている。溝２７は、感光性アクリル平坦化膜２５を現像し、現像した平坦化膜２５をマスクとしてエッチングして凹部を設けることにより形成されたものである。溝２７は、ゲート線２１のそれぞれの上層を横切るように設けられている。溝２７が、ゲート線２１等の第１メタルの上層においてもそれらを横切るように連続して設けられているので、配向膜２６の形成時に配向膜２６の原料が基板外側方に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、ゲート端子領域Ｔｇに沿った額縁領域において、配向膜２６とシール材４０との間の距離を小さくすることにより狭額縁化できる。

溝２７には、図３０に示すように、その下層に溝下地メタル２７ａが設けられている。アレイ基板２０の溝２７及び溝下地メタル２７ａを含む断面図は、実施形態１の図７と同様である。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形成時にエッチングストッパとして機能する。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形状に対応して、ゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように連続して設けられている。溝下地メタル２７ａの幅は溝２７の幅よりも大きく、例えば６０μｍ程度である。溝下地メタル２７ａは、第２メタルで構成されている。溝２７の下層に溝下地メタル２７ａが設けられているので、溝２７形成時にエッチングによってゲート線２１等の第１メタルが表面に露出することがない。そのため、溝２７表面に存在する導電性の物体を介して第１メタル間でショートする虞がなく、また、第１メタルが溝２７表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に存在する導電性の物体を介して導通しても、溝下地メタル２７ａは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示上、不良が生じる虞がない。なお、溝下地メタル２７ａは第２メタルでソース線２３と同一層に形成されているので、ソース線２３と同時に形成することができる。

また、溝２７の表面は透明導電膜２７ｂで被覆されている。透明導電膜２７ｂは、ＩＴＯ膜等の第３メタルで形成されている。透明導電膜２７ｂで溝２７表面が被覆されているので、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に露出することがなく、溝下地メタル２７ａの腐蝕等が起こる虞がない。

アレイ基板２０には、非表示領域Ｎに、さらに、トランスファパッド２８が設けられている。トランスファパッド２８は、表示領域Ｄを囲むように複数個設けられている。トランスファパッド２８は、アレイ基板２０と対向基板３０間に介在するトランスファ材を介して対向基板３０の全面に設けられた共通電極３１と電気的に接続されており、トランスファパッド２８を共通電位に保持することにより共通電極３１に共通電位を与える機能を有する。トランスファパッド２８を含むアレイ基板２０の断面図は実施形態１の図９と同様である。

トランスファ材としては、例えば、シール材４０中に混入された導電性ビーズ（不図示）等が挙げられる。導電性ビーズは、例えばプラスチックの表面に金メッキを行ったものである。

トランスファパッド２８のそれぞれは、トランスファパッド２８の外周に設けられたトランスファバスライン（不図示）と接続されている。トランスファバスラインは外部接続端子に接続されている。外部接続端子に共通電位が与えられると、共通電位がそのまま各トランスファパッド２８に伝達され、さらにトランスファ材を介して対向基板３０の共通電極３１に共通電位が伝達される。

ゲート端子領域Ｔｇのトランスファパッド２８は、実施形態１と同様、図３０に示すように、トランスファパッド引き出し線２８ａで溝下地メタル２７ａと電気的に接続されている。ここでは、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうちの外周側がトランスファパッド２８と接続されている。トランスファパッド２８と溝下地メタル２７ａとが電気的に接続されていることにより、溝下地メタル２７ａの電位をトランスファパッド２８と同じ共通電位に保持することができる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。なお、複数のトランスファパッド２８のうち１つのトランスファパッド２８だけがトランスファパッド引き出し線２８ａを介して溝下地メタル２７ａと接続されていても、複数、或いは全部のトランスファパッド２８が溝下地メタル２７ａと接続されていても、いずれでもよい。

なお、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうち内周側のものは、トランスファパッド２８と非接続なので、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。

実施形態３の液晶表示装置１０によれば、非表示領域Ｎのうちゲート端子領域Ｔｇに沿った部分について溝２７及びリブ３３を形成するのでゲート端子領域Ｔｇに沿った部分について狭額縁化する効果が得られる。一方で、非表示領域Ｎのうちソース端子領域Ｔｓに沿った部分については狭額縁されないこととなるが、その額縁領域については、例えば、ソース線２３の修正用予備配線を非表示領域Ｎに迂回させて配置するためのスペースとして有効に使用することができる。

その他の構成や効果については実施形態１に記載の通りである。また、実施形態１の変形例としてあげた例を実施形態３に適用することも可能である。さらに、実施形態２のように溝下地メタル２７ａを島状に離間して設けることも可能である。

実施形態３の液晶表示装置１０は、非表示領域Ｎの額縁幅や溝２７及びリブ３３のレイアウトが異なることを除いて、実施形態１と同様の工程で作製可能である。

＜実施形態３の変形例＞
以下、実施形態３の変形例について説明する。

（変形例９）
実施形態３では、各溝２７やリブ３３がそれぞれ２列並行して設けられているとして説明したが、２列に設けられた溝２７の端部やリブ３３の端部が、図３１に変形例９として示すように閉じた状態になっていてもよい。

（その他の変形例）
実施形態３では、非表示領域Ｎの液晶表示装置１０の長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも長く設定されているとして説明したが、長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも短く設定されていてもよい。その場合、より狭額縁となった長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の領域（ソース端子領域Ｔｓに沿った領域）に溝２７やリブ３３を形成することにより、配向膜２６、３２がソース端子領域Ｔｓ側に流出するのを抑制することができる。

但し、ソース端子領域Ｔｓに沿った領域を幅広に形成した場合には、その領域に予備配線をレイアウトして幅広領域を有効活用できることから、非表示領域Ｎの液晶表示装置１０の長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも長く設定されていることが好ましい。

また、実施形態３では、溝２７とリブ３３とが対応する領域に形成されているとして説明したが、溝２７が実施形態１のように環状に設けられている一方でリブ３３がゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように設けられていてもよく、リブ３３が実施形態１のように環状に設けられている一方で溝２７がゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように設けられていてもよい。

《その他の実施形態》
実施形態１〜３では、表示装置として、液晶表示パネルを備えた液晶表示装置１０にかかるものを例示したが、本発明は、プラズマディスプレイ（ＰＤ）、プラズマアドレス液晶ディスプレイ（ＰＡＬＣ）、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイ、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、表面電界ディスプレイ（ＳＥＤ）などの表示装置にも適用することができる。

本発明は、液晶表示装置等の表示装置について有用であり、特に、配向膜の塗布領域の制御について有用である。

Ｄ 表示領域
Ｔｇ ゲート端子領域
１０ 表示装置（液晶表示装置）
２０ 第１基板（アレイ基板）
２０Ｓ 基板本体
２１ 第１配線（ゲート線）
２２ 絶縁膜（ゲート絶縁膜）
２３ 第２配線（ソース線）
２３ａ 第１配線（ソース引き出し配線）
２７ 溝
２７ａ 溝下地メタル
２７ｂ 透明導電膜（ＩＴＯ膜）
２７ｃ シリコン膜
２７ｄ Ｔｉ膜
２７ｅ Ａｌ膜
２８ トランスファパッド
３０ 第２基板（対向基板）
３４ リブ
５０ 液晶層

Claims (17)

1. 第１基板及び第２基板が対向配置され、
   上記第１基板が、基板本体と、該基板本体上に設けられた第１配線と、該第１配線と絶縁膜を介して設けられた第２配線と、を備え、
   表示領域においては、上記第１配線は互いに平行に延びるように多数設けられ、上記第２配線は該各第１配線と交差する方向に互いに平行に延びるように多数設けられ、両配線の平面視における各交点近傍に形成されたスイッチング素子に対応して画素が構成されて所定の表示を行う表示装置であって、
   上記第１基板の上記第１配線上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に上記第１配線を横切るように溝が形成され、
   上記溝の少なくとも上記第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが上記第２配線と同一層に設けられていることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載された表示装置において、
   上記第１基板が矩形形状を有し、
   上記溝は、上記基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項２に記載された表示装置において、
   上記第１配線のうち上記表示領域において互いに平行に延びる多数の第１配線はゲート線であって、
   上記第１基板の表示領域を囲う領域のうち上記対向する２辺に沿った領域は、上記ゲート線を外部回路と接続するための外部接続端子が設けられるゲート端子領域であることを特徴とする表示装置。
4. 請求項２または３に記載された表示装置において、
   上記第２基板において、上記第１基板の溝と平面視で対応する第１基板を構成する対向する２辺に沿った領域のそれぞれに、第１基板側に向かって突出するようにリブが形成され、
   上記リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さいことを特徴とする表示装置。
5. 請求項１に記載された表示装置において、
   上記溝は、上記基板外周縁部に上記表示領域を囲むように環状に連続して形成されていることを特徴とする表示装置。
6. 請求項５に記載された表示装置において、
   上記第２基板において、上記第１基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を環状に囲むと共に第１基板側に向かって突出するようにリブが形成され、
   上記リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さいことを特徴とする表示装置。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載された表示装置において、
   上記溝下地メタルは、上記溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられていることを特徴とする表示装置。
8. 請求項７に記載された表示装置において、
   上記第１基板上の上記表示領域以外の領域には、該第２基板表面に設けられた共通電極に共通電位を与えるためのトランスファパッドが形成され、
   上記溝下地メタルは、上記トランスファパッドと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
9. 請求項８に記載された表示装置において、
   上記トランスファパッドは、複数形成され、
   上記溝下地メタルは、上記複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されていることを特徴とする表示装置。
10. 請求項１〜６のいずれかに記載された表示装置において、
    上記溝下地メタルは、上記第１配線と上記溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられていることを特徴とする表示装置。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載された表示装置において、
    上記溝下地メタルは、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であることを特徴とする表示装置。
12. 請求項１〜１１のいずれかに記載された表示装置において、
    上記溝下地メタルの下層であって上記絶縁膜の上層にはシリコン膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
13. 請求項１〜１２のいずれかに記載された表示装置において、
    上記溝表面は、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする表示装置。
14. 請求項１〜１２のいずれかに記載された表示装置において、
    上記溝表面は、上記溝下地メタルが露出していることを特徴とする表示装置。
15. 請求項１〜１４のいずれかに記載された表示装置において、
    上記第２配線は、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＣｕ膜とで形成されていることを特徴とする表示装置。
16. 請求項１〜１４のいずれかに記載された表示装置において、
    上記第２配線は、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＡｌ膜とで形成されていることを特徴とする表示装置。
17. 請求項１〜１６のいずれかに記載された表示装置において、
    上記第１基板と上記第２基板との間には、液晶層が設けられていることを特徴とする表示装置。

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