JP2009282067A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な表示品位を維持することが可能な信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アレイ基板２００は、アクティブエリア１２０に配置された第１信号配線ＳＧ１及び第１信号配線とは異なる電位の第２信号配線ＳＧ２を含む信号配線と、シール材１１０で囲まれた内側のアクティブエリア外の変換部ＴＬにおいて第１信号配線及び第２信号配線とそれぞれ電気的に接続された第１接続配線ＣＮ１及び第２接続配線ＣＮ２を含む接続配線と、を備えている。対向基板３００は、アクティブエリア外に延在し第１接続配線と第２接続配線とで挟まれる領域に対向する切欠部ＣＴが形成された対向電極３３０と、アクティブエリア外に配置され樹脂によって形成された遮光層ＢＭＸと、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図６

Description

この発明は、液晶表示装置に係り、特に、アレイ基板上の配線間での電位差による腐食対策に関する。

液晶表示装置などの表示装置は、マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリアを備えている。例えば、液晶表示装置においては、アレイ基板は、アクティブエリアにおいて、画素の行方向に沿って配置された複数のゲート線及び補助容量線、画素の列方向に沿って配置された複数のソース線、各画素のゲート線とソース線との交差部に配置されたスイッチング素子、各画素のスイッチング素子に接続された画素電極などを備えている。

例えば、特許文献１によれば、液晶表示装置用アレイ基板として、別途のアレイ基板保護膜を形成することなくチャネル保護膜形成時に酸化膜を形成して保護膜とする技術が開示されている。

また、この特許文献１には、ゲート配線が形成された層に画素電極を形成する構造が開示されている。このようなゲート配線から延長したゲートパッドは、ゲート絶縁膜を介在させて半導体層とデータ金属層とが積層され、アイルランド状に形成されている。そして、半導体層とデータ金属層には、ゲート金属層を露出させるゲートパッドコンタクトホールが形成されていて、半導体層及びデータ金属層は、ゲートパッドコンタクトホールを通じてゲートパッドに接触しているゲートパッド上部電極とサイドコンタクトしている。
特開２００７−１８３６２０号公報

この発明の目的は、良好な表示品位を維持することが可能な信頼性の高い液晶表示装置を提供することにある。

この発明の態様による液晶表示装置は、
シール材によって貼り合わせられた第１基板と第２基板との間に液晶層を保持して構成され、画像を表示するアクティブエリアを備えた液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
前記アクティブエリアに配置された第１信号配線及び第１信号配線とは異なる電位の第２信号配線を含む信号配線と、
前記信号配線の上に配置された絶縁層と、
前記シール材で囲まれた内側のアクティブエリア外の変換部において前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記第１信号配線及び前記第２信号配線とそれぞれ電気的に接続された第１接続配線及び第２接続配線を含む接続配線と、を備え、
前記第２基板は、
前記アクティブエリアに配置されるとともに前記アクティブエリア外に延在し、前記第１接続配線と前記第２接続配線とで挟まれる領域に対向する切欠部が形成された対向電極と、
前記アクティブエリア外に配置され、樹脂によって形成された遮光層と、を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、良好な表示品位を維持することが可能な信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。

すなわち、第１基板において下層の信号配線と上層の接続配線とを電気的に接続する変換部が液晶層を介して第２基板に対向する構成においては、第２基板に配置される対向電極には、互いに異なる電位の第１接続配線と第２接続配線とで挟まれる領域に切欠部が形成されている。また、変換部が配置されるアクティブエリア外には、クロム（Ｃｒ）などの遮光性金属材料を用いることなく、遮光性樹脂材料によって形成された遮光層が配置されている。

これにより、第１接続配線と第２接続配線との間に形成された電位差により、電気力線が第２基板まで及んだとしても、対向電極及び遮光層の腐食を防止することが可能となる。このため、遮光層の腐食による遮光不良（光抜け）を防止することが可能となり、良好な表示品位を維持することが可能となる。また、遮光層及び対向電極がシール材と重なる構成では、遮光層及び対向電極の腐食によるシール不良（あるいは外気が浸入することによる気泡の発生）を防止することが可能となる。したがって、信頼性の高い液晶表示装置を提供できる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。ここでは、特に、表示装置の一例として液晶表示装置について説明する。

図１に示すように、液晶表示装置は、略矩形平板状の液晶表示パネル１００を備えている。すなわち、液晶表示パネル１００は、一対の基板すなわちアレイ基板（第１基板）２００及び対向基板（第２基板）３００と、アレイ基板２００と対向基板３００との間に保持された液晶層４００と、によって構成されている。

これらのアレイ基板２００と対向基板３００とは、シール材１１０によって貼り合わせられ、これらの間に配置されたスペーサ（例えば、球状のビーズや一方の基板に一体的に形成された柱状体など）により液晶層４００を保持するための所定のギャップを形成している。

液晶層４００は、一方の基板上にループ状に塗布されたシール材１１０の内側に液晶材料を滴下した後に他方の基板を貼り合せる（滴下注入）ことによって形成しても良いし、注入口を確保するようなパターンで塗布されたシール材１１０により一対の基板を貼り合せた後に真空環境下で液晶材料を注入口からセル内に注入する（真空注入）ことによって形成しても良い。

液晶表示パネル１００は、シール材１１０によって囲まれた内側に画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１２０を備えている。このアクティブエリア１２０は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。

アレイ基板２００は、アクティブエリア１２０において、信号配線として、ゲート線Ｇ（１、２、３、…、ｍ）、補助容量線Ｃ（１、２、３、…、ｍ）及びソース線Ｓ（１、２、３、…、ｎ）と、各画素ＰＸにおけるソース線Ｓとゲート線Ｇとの交差部近傍に配置されたスイッチング素子２２０と、各画素ＰＸのスイッチング素子２２０に接続された画素電極２３０と、を備えている。

対向基板３００は、アクティブエリア１２０において、複数の画素ＰＸに共通の対向電極３３０を備えている。この対向電極３３０は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。

これらのアレイ基板２００及び対向基板３００の液晶層４００に対向する面は、液晶層４００に含まれる液晶分子の配向を制御するための配向膜によって覆われている。また、アレイ基板２００及び対向基板３００の外面には、それぞれ液晶層４００の特性に合わせて偏光方向を設定した偏光板を含む光学素子が設けられている。

また、液晶表示パネル１００は、アクティブエリア１２０の外側に位置する外周部１３０に配置された接続部１３１を備えている。この接続部１３１は、信号供給源として機能する駆動ＩＣチップやフレキシブル配線基板と接続可能である。図１に示した例では、接続部１３１は、対向基板３００の端部３００Ａより外方に延在したアレイ基板２００の延在部２００Ａ上に配置されている。

アクティブエリア１２０に配置されたゲート線（第１信号配線）Ｇ（１、２、３、…、ｍ）のそれぞれは、画素ＰＸの行方向に沿って延在している。また、補助容量線（第２信号配線）Ｃ（１、２、３、…、ｍ）のそれぞれも同様に、画素ＰＸの行方向に沿って延在している。

これらのゲート線Ｇ及び補助容量線Ｃは、アクティブエリア外に引き出され、シール材１１０で囲まれた内側における変換部ＴＬにおいて、アレイ基板２００の最上層の導電層に層変換された後、シール材１１０の外側に引き出され、接続部１３１に接続されている。

ソース線Ｓ（１、２、３、…、ｎ）のそれぞれは、絶縁層を介してゲート線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差するように配置され、画素ＰＸの列方向に沿って延在している。これらのソース線Ｓは、アクティブエリア外に引き出され、外周部１３０を経由して接続部１３１に接続されている。

次に、アレイ基板２００及び対向基板３００の構造をより詳細に説明する。

図２及び図３に示すように、アレイ基板２００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板２１０を用いて形成される。スイッチング素子２２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。

すなわち、スイッチング素子２２０のゲート電極２２２は、絶縁基板２１０の一方の主面（すなわち液晶層４００に対向する面）上に配置され、ゲート絶縁膜２２３によって覆われている。このゲート電極２２２は、ゲート線Ｇに電気的に接続されている（あるいは、ゲート線Ｇと一体的に形成されている）。これらのゲート電極２２２及びゲート線Ｇは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料によって形成されている。ゲート絶縁膜２２３は、例えば酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）や、窒化シリコン膜（ＳｉＮ_Ｘ）によって形成されている。

半導体層２２１は、ゲート絶縁膜２２３を介してゲート電極２２２と対向するように配置されている。この半導体層２２１は、ゲート絶縁膜２２３の上に配置されソース領域２２１Ｓ及びドレイン領域２２１Ｄの間にチャネル部２２１Ｃを有している。このような半導体層２２１は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）によって形成され、その表面に、ｎ＋アモルファスシリコンによって形成された低抵抗層を有している。

スイッチング素子２２０のソース電極２２５は、ソース線Ｓに電気的に接続されている（あるいは、ソース線Ｓと一体的に形成されている）。このソース電極２２５は、半導体層２２１のソース領域２２１Ｓにコンタクトしている。スイッチング素子２２０のドレイン電極２２７は、半導体層２２１のドレイン領域２２１Ｄにコンタクトしている。これらのソース電極２２５、ドレイン電極２２７、及び、ソース線Ｓは、例えば、アルミニウム、モリブデン、タングステン、チタンなどの導電材料によって形成されている。

画素電極２３０は、ゲート絶縁膜２２３の上に配置され、ドレイン電極２２７と電気的に接続されている。バックライト光を選択的に透過して画像を表示する透過型液晶表示パネルにおいては、画素電極２３０は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。また、外光を選択的に反射して画像を表示する反射型液晶表示パネルにおいては、画素電極２３０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やモリブデン（Ｍｏ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。

補助容量線Ｃは、ゲート線Ｇと略平行に配置され、ゲート電極２２２と同一材料を用いて同一工程にて形成可能である。この補助容量線Ｃは、ゲート絶縁膜２２３によって覆われている。

すなわち、この補助容量線Ｃは、ゲート絶縁膜２２３のみを介して画素電極２３０と対向するとともに複数の画素電極２３０を横切るように配置されている。これにより、画素電極２３０と対向電極３３０との間の液晶容量ＣＬＣと電気的に並列な蓄積容量部Ｃｓが構成される。

ところで、上述したような構成の逆スタガ型の薄膜トランジスタからなるスイッチング素子２２０においては、アモルファスシリコン膜を保護することが重要である。この実施の形態においては、スイッチング素子２２０を構成する半導体層２２１において、ソース電極２２５及びドレイン電極２２７から露出した表面は、アモルファスシリコンを改質することによって形成された酸化シリコン及び窒化シリコンからなる。

このようなバックチャネル構造は、例えば、ソース電極２２５及びドレイン電極２２７から露出した半導体層２２１の表面の酸化処理を行って酸化シリコン膜を形成した後に、酸化シリコン膜の表面の窒化処理を行うことによって形成可能である。これにより、半導体層２２１の表面に、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層体、あるいは参加シリコンと窒化シリコンとの混合膜が形成される。

このため、アモルファスシリコンの保護膜として別途に窒化シリコン膜を成膜する構成と比較して、材料の消費が抑制され、また、製造工程の簡素化も可能となり、製造コストの低減が可能となる。

また、図３に示すように、アレイ基板２００は、アクティブエリア１２０の外において、導電層の変換部ＴＬを備えている。この変換部ＴＬは、例えばアレイ基板２００において、下層（あるいは絶縁基板２１０側）の導電層に対して信号を供給するために、上層（あるいは液晶層４００側）の導電層と電気的に接続するものである。

このような変換部ＴＬは、ゲート線Ｇやゲート電極２２２、補助容量線Ｃなどと同一層の第１導電層Ｔ１と、ソース線Ｓやソース電極２２５及びドレイン電極２２７などと同一層であってゲート絶縁膜２２３に形成したコンタクトホールＣＨを介して第１導電層Ｔ１と電気的に接続される第２導電層Ｔ２と、画素電極２３０などと同一層であって第２導電層Ｔ２を覆う第３導電層Ｔ３と、によって構成されている。

このような構成の変換部ＴＬによれば、導電層間に介在する絶縁層は、ゲート絶縁膜２２３のみであり、ゲート絶縁膜２２３以外に窒化膜からなるパッシベーション膜が介在する場合と比較して変換部ＴＬの面積を縮小することが可能となるとともに抵抗を低減することが可能となる。

一方、対向基板３００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板３１０を用いて形成される。この対向基板３００は、アクティブエリア１２０において、絶縁基板３１０の一方の主面（すなわち液晶層４００に対向する面）上に遮光層（ブラックマトリクス）ＢＭを備えている。この遮光層ＢＭは、画素ＰＸの間を遮光するように格子状に配置されている。

また、対向基板３００は、アクティブエリア１２０を囲むようにアクティブエリア外に枠状に配置された周辺遮光層ＢＭＸを備えている。この周辺遮光層ＢＭＸは、遮光層ＢＭと同一材料により一体的に形成されている。このような遮光層ＢＭ及び周辺遮光層ＢＭＸは、絶縁性の有色樹脂、例えば黒色の顔料や染料を含有した感光性樹脂材料をパターニングすることによって形成されている。

カラー表示タイプの液晶表示装置では、液晶表示パネル１００は、アクティブエリア１２０において、複数種類の画素、例えば赤（Ｒ）を表示する赤色画素、緑（Ｇ）を表示する緑色画素、青（Ｂ）を表示する青色画素を有している。

図３に示した例においては、対向基板３００は、アクティブエリア１２０において、絶縁基板３１０の一方の主面に、画素ＰＸ毎に配置されたカラーフィルタ層ＣＦを備えている。このカラーフィルタ層ＣＦは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）にそれぞれ着色された複数の着色樹脂によって形成されている。遮光層ＢＭは、これらの着色樹脂の境界に重なるように配置されている。

すなわち、対向基板３００は、絶縁基板３１０上において、カラーフィルタ層ＣＦとして、赤色画素ＰＸＲに対応して赤色の主波長の光を透過するように着色された着色樹脂を備え、緑色画素ＰＸＧに対応して緑色の主波長の光を透過するように着色された着色樹脂を備え、さらに、青色画素ＰＸＢに対応して青色の主波長の光を透過するように着色された着色樹脂を備えている。なお、このようなカラーフィルタ層ＣＦは、アレイ基板側に備えられていても良い。

対向電極３３０は、アクティブエリア１２０においてカラーフィルタ層ＣＦの上に配置されるとともに、アクティブエリア外に延在し、周辺遮光層ＢＭＸの上にも配置されている。この対向電極３３０は、さらにシール材１１０よりも外側に延在し、導電部材を介してアレイ基板上の給電配線（例えば、コモン配線）と電気的に接続されている。

なお、図３においては、アレイ基板２００及び対向基板３００の液晶層４００との境界面に配置される配向膜は省略している。

ところで、シール材１１０で囲まれた内側のアクティブエリア外に変換部ＴＬが配置される構成において、変換部ＴＬが周辺遮光層ＢＭＸや対向電極３３０と対向する構成においては、アレイ基板側に形成された電界が対向基板側まで及び、不具合を生ずるおそれがある。

すなわち、ゲート線Ｇ及び補助容量線Ｃは、アレイ基板２００において下層の導電層として構成され、絶縁基板２１０の上に配置されている。図４に示すように、アクティブエリア１２０に配置された第１信号配線ＳＧ１であるゲート線Ｇは、第１変換部ＴＬ１を介して、アレイ基板最上層の導電層（すなわち画素電極と同一層の導電層を含む）である第１接続配線ＣＮ１と電気的に接続されている。また、アクティブエリア１２０に配置された第２信号配線ＳＧ２である補助容量線Ｃは、第２変換部ＴＬ２を介して、アレイ基板最上層の導電層である第２接続配線ＣＮ２と電気的に接続されている。

第１接続配線ＣＮ１及び第２接続配線ＣＮ２は、シール材１１０の外側に引き出され、接続部１３１に接続されている。このような配線構造により、接続部１３１から供給された信号電圧がアクティブエリア１２０の各種信号配線に対して供給される。

このように、変換部ＴＬを介してアレイ基板２００の最上面に引き出されたゲート線Ｇ及び補助容量線Ｃに関して、周辺遮光層ＢＭＸもしくは対向電極３３０よりも標準電極電位が小さく、ゲート線Ｇと補助容量線Ｃとの間の間隔がアレイ基板２００と対向基板３００とのギャップの少なくとも２倍以下の場合には、ゲート線Ｇと補助容量線Ｃとの間の電位差によって生じた電界が対向基板３００に及ぶ。

例えば、図５に示すように、ゲート線Ｇの電圧（Ｇａｔｅ電圧）＞補助容量線Ｃの電圧（Ｖｃｏｍ電圧）の場合には、第１接続配線ＣＮ１から第２接続配線ＣＮ２に伸びる電気力線が対向基板３００に及ぶ。なお、Ｖｃｏｍ電圧＞Ｇａｔｅ電圧の場合には、電気力線の向きは逆となる。

このとき、変換部ＴＬに対向して、対向電極３３０や、クロム（Ｃｒ）などの金属材料によって形成された周辺遮光層ＢＭＸを配置した場合には、対向電極３３０及び周辺遮光層ＢＭＸが腐食する。周辺遮光層ＢＭＸの腐食は、遮光不良の発生を招くおそれがある。また、対向電極３３０及び周辺遮光層ＢＭＸがシール材１１０と重なる構成では、シール不良の発生を招くおそれがある。

そこで、本実施形態においては、上述したように樹脂によって形成された周辺遮光層ＢＭＸを適用するのに加えて、図６に示すように、第１接続配線ＣＮ１と第２接続配線ＣＮ２とで挟まれる領域に対向する切欠部ＣＴが形成された対向電極３３０を適用している。より具体的には、対向電極３３０は、アクティブエリア外に延在しているものの、接続配線ＣＮには重ならず、しかも、異なる電位の接続配線ＣＮで挟まれる領域にも重ならないように配置されている。

このような構成により、第１接続配線と第２接続配線との間に形成された電位差による周辺遮光層ＢＭＸ及び対向電極３３０の腐食を防止することが可能となる。このため、周辺遮光層ＢＭＸにおける遮光不良を防止することが可能となり、良好な表示品位を維持することが可能となる。また、周辺遮光層ＢＭＸ及び対向電極３３０がシール材１１０と重なる構成であっても、シール不良を防止することが可能となる。したがって、信頼性の高い液晶表示装置を提供できる。

特に、近年、応答速度の高速化などの要求に応じてアレイ基板２００と対向基板３００とのギャップＧＰが小さく設定された液晶表示パネルの需要が高まっており、アレイ基板側からの電界が対向基板に及びやすく、ゲート線Ｇと補助容量線Ｃとの間の間隔ＤがギャップＧＰの２倍以下の箇所には、対向基板３００上に対向電極３３０を形成しないことが望ましい。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。

上述した実施の形態において、表示装置として液晶表示装置を例に説明したが、この液晶表示装置については液晶モードについて特に制限はなく、アレイ基板２００と対向基板３００との間での縦電界を主に利用して液晶分子の配向を制御する液晶モード、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどが適用可能である。

図１は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した液晶表示パネルにおける画素の構成を概略的に示す平面図である。 図３は、図２に示した液晶表示パネルをＡ−Ａ線で切断した構造を概略的に示す断面図である。 図４は、変換部を介して信号配線と接続配線とを電気的に接続する配線構造を概略的に示す図である。 図５は、アレイ基板側の電界が対向電極に及ぶ様子を示す図である。 図６は、本実施形態における変換部と周辺遮光層及び対向電極との位置関係を説明するための平面図である。

符号の説明

ＰＸ…画素 Ｇ…ゲート線 Ｃ…補助容量線 Ｓ…ソース線
ＴＬ…変換部 ＴＬ１…第１変換部 ＴＬ２…第２変換部
ＣＬＣ…液晶容量 Ｃｓ…蓄積容量部
ＢＭ…遮光層 ＢＭＸ…周辺遮光層
ＳＧ…信号配線 ＳＧ１…第１信号配線 ＳＧ２…第２信号配線
ＣＮ…接続配線 ＣＮ１…第１接続配線 ＣＮ２…第２接続配線
１００…液晶表示パネル １１０…シール材 １２０…アクティブエリア
２００…アレイ基板 ２２０…スイッチング素子 ２３０…画素電極
３００…対向基板 ３３０…対向電極 ＣＴ…切欠部
４００…液晶層

Claims (6)

1. シール材によって貼り合わせられた第１基板と第２基板との間に液晶層を保持して構成され、画像を表示するアクティブエリアを備えた液晶表示装置であって、
   前記第１基板は、
   前記アクティブエリアに配置された第１信号配線及び第１信号配線とは異なる電位の第２信号配線を含む信号配線と、
   前記信号配線の上に配置された絶縁層と、
   前記シール材で囲まれた内側のアクティブエリア外の変換部において前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記第１信号配線及び前記第２信号配線とそれぞれ電気的に接続された第１接続配線及び第２接続配線を含む接続配線と、を備え、
   前記第２基板は、
   前記アクティブエリアに配置されるとともに前記アクティブエリア外に延在し、前記第１接続配線と前記第２接続配線とで挟まれる領域に対向する切欠部が形成された対向電極と、
   前記アクティブエリア外に配置され、樹脂によって形成された遮光層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
2. さらに、
   前記絶縁層を介して前記信号配線と交差するように配置されたソース線と、
   前記アクティブエリアを構成する各画素に配置されるとともに前記接続配線と同一層の画素電極と、
   前記第１信号配線に電気的に接続されたゲート電極と、前記絶縁層を介して前記ゲート電極と対向するように配置された半導体層と、前記ソース線と電気的に接続されたソース電極と、前記画素電極と電気的に接続されたドレイン電極と、を有するスイッチング素子と、
   を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画素電極は、前記絶縁層を介して前記第２信号配線と対向して補助容量を形成することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記変換部において、前記信号配線と前記接続配線との間に前記ソース線と同一層の導電層が介在することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
5. 前記接続配線は、前記第２基板より外方に延在した延在部に引き出され、信号供給源と電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記対向電極の切欠部は、前記第１接続配線と前記第２接続配線との間隔が前記第１基板と前記第２基板との間隔の２倍以下の領域に対向するように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

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