JP4473238B2 - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
液晶表示パネルの製造では、薄膜トランジスター基板とカラーフィルター基板とを相互接合する工程を経る。この時、両基板は微細な整列誤差が発生することがある。微細な整列誤差によって、液晶表示パネルでは接合不良率が増加し開口率が減少するという問題点が発生している。このような問題点を解決するために、薄膜トランジスター基板素材上に薄膜トランジスターを形成した後、その上にカラーフィルター層を形成して第1基板を製作し、対向基板である第2基板は第2基板素材上に単純に共通電極のみを形成させたCOA(Color filter On Array)構造が開発された。COA構造は、一方の基板に薄膜トランジスタとカラーフィルタ層とを整列させて形成するため、第1基板と第2基板とを接合する際に、両基板間において整列が要求される領域がない。よって、接合時に整列誤差が発生する問題点を減少させることができる長所がある。
液晶表示装置は、バックライトユニットから発生した光のみを使用する透過型液晶表示装置と、バックライトユニットから発生した光だけでなく外部光も使用する半透過型液晶表示装置とがある。
hole)を形成する。これにより、反射領域のカラーフィルター層とライトホールを通過して出る光とを相互混合して反射色を形成する。よって、透過色と反射色との色相の均等性を合わせて色再現性を増加させている。
本発明の他の目的は、色再現性が優れており、液晶の配向不良および駆動不良を減少させることができる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
発明7は、発明1において、前記カラーフィルター層は、インクジェット方式で形成されるのが好ましい。インクジェット方式でカラーフィルタを滴下することで、透過領域及び反射領域の液面が揃うようにカラーフィルタが充填される。よって、カラーフィルタ層上部に形成される液晶層の厚みを、透過領域及び反射領域とで同程度にすることができる。
発明9は、発明1において、前記薄膜トランジスターと前記有機膜との間に形成されている無機膜をさらに含むのが好ましい。
発明10は、発明1において、前記有機膜および前記反射膜はそれぞれ上部にレンズ部が形成されているのが、反射効率を高めるために好ましい。
発明12は、発明1において、前記第2基板素材と前記共通電極は直接的に接触しているのが好ましい。
本発明13の目的は、基板素材上に透過領域及び反射領域を有する画素領域を定義するゲート線およびデータ線、ドレイン電極を有する薄膜トランジスターを形成する段階と、前記薄膜トランジスター上に、前記ドレイン電極の一部を露出させるドレイン接触孔及び前記透過領域に陥没部を有する有機膜を形成する段階と、前記反射領域の前記有機膜上に、前記有機膜の前記ドレイン接触孔において前記ドレイン電極と連結される反射膜を形成する段階と、前記画素領域の周緑に沿って前記有機膜及び前記反射膜上にブラックマトリックスを形成する段階と、インクジェット方法によって、前記ブラックマトリックスを境界に前記画素領域内において前記陥没部及び前記反射膜を覆うように位置し、前記陥没部で厚さが増加されたカラーフィルター層を形成する段階と、前記ブラックマトリックス及び前記透過領域の前記カラーフィルター層の上部に、前記ドレイン接触孔において前記反射膜及び前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階と、を含み、前記反射領域での前記反射膜及び前記共通電極間の距離と、前記透過領域での前記画素電極及び共通電極間の距離と、が異なるように形成し、前記距離の違いにより、前記反射膜及び前記共通電極間の電場と、前記画素電極及び共通電極間の電場と、を異ならせることを特徴とする液晶表示装置の製造方法によって達成される。
発明16は、発明13において、前記薄膜トランジスターを形成する段階は、ゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜、半導体層、抵抗接触層を連続に蒸着する段階とを含むのが好ましい。
いろいろな実施形態において同一な構成要素に対しては同一な参照番号を付与し、同一な構成要素については第1実施形態で代表的に説明し他の実施形態では省略できる。
本発明の第1実施形態による液晶表示装置を図1および図2を参照して説明する。本発明の第1実施形態で説明する液晶表示装置の液晶表示パネルは半透過型COA構造である。図1は本発明の第1実施形態による液晶表示装置の第1基板の配置図であり、図2は図1のII−II線による液晶表示パネルの断面図である。
液晶表示パネル10は、第1基板100、第1基板100に対向配置されている第2基板200、および両基板100、200の間に位置する液晶層300を含んでいる。
ゲート電極122のゲート絶縁膜131上部には非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層132が形成されている。半導体層132の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた抵抗接触層133が形成されている。半導体層132はゲート電極122上部に島状に形成されており、抵抗接触層133はゲート電極122を中心に2つの部分に分けられている。
無機膜151の上部には有機膜161が形成されている。信号線であるゲート線121及びデータ線141と電極の役割を果たす反射膜171との間や、画素電極191が近くなれば信号線121、141と反射膜171との間、または信号線121、141と画素電極191との間に、無機膜151及び有機膜161等を介することで誘電体として作用し容量(capacitance)になる。これによって、クロストーク(cross talk)が発生する可能性がある。そのため、クロストーク(cross talk)を減少させるために、信号線121、141の直上部から平面方向に一定の距離をおいて反射膜171および画素電極191を形成させなければならない。そのため、反射膜及び画素電極の面積が小さくなり、開口率が低下する。有機膜161は、信号線121、141と反射膜171との間または信号線121、141と画素電極191との間の垂直方向の距離を増加させて容量を減少させることによって、クロストークが発生する可能性を減らす。このような有機膜161を設けることによって、信号線121、141の直上部にまで反射膜171および画素電極191を近く配置させることができる。よって、反射膜171および画素電極191の面積を大きくして開口率を向上させる役割を果たす。
第2基板素材210も、第1基板素材110と同様に、ガラスやプラスチック素材で設けられることができる。
第2基板素材210上に形成されている共通電極220は第2基板素材200の 全面にわたって形成されており、ITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明な導電物質をスパッタリング法によって蒸着させて設けることができる。共通電極220は第1基板100の反射膜171または画素電極191と共に液晶層300の液晶分子に直接的に信号電圧を印加する。
以下、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の製造方法を図3a乃至図3eを参照して詳しく説明する。図3a乃至図3eは本発明の第1実施形態による液晶表示装置の第1基板100の製造方法を説明するための断面図である。
その後、ゲート電極122の上部にゲート絶縁膜131、半導体層132、抵抗接触層133を順次に形成する。この過程を詳しく見てみると、まず、窒化ケイ素などの無機物からなるゲート絶縁膜131が蒸着される。ゲート絶縁膜131の蒸着後、通常非晶質シリコンからなる半導体層132と通常n+ケイ素である抵抗接触層133が蒸着される。つまり、ゲート絶縁膜131、半導体層132、抵抗接触層133からなる3重層が連続的に蒸着される。半導体層132と抵抗接触層133はパターニングされてゲート電極122の上部にのみ存在するようになる。場合によって、半導体層132と抵抗接触層133はゲート線121とデータ線141が重なる部分にも形成されることができる。
その次、図3bのように、薄膜トランジスター(‘T’)の上部に保護膜である無機膜151と有機膜161を連続的に形成する段階を経る。
有機膜161の形成過程では、ドレイン電極143が露出されるドレイン接触孔163、透過窓である陥没部164およびレンズ部162が形成される。
その次、図3cのように、有機膜161の上部に反射膜171を形成する段階を経る。反射膜171は、図2及び図3cに示すように、画素領域のうち、透過領域の陥没部164を除いた有機膜161の上部に形成される。反射膜171は有機膜161のレンズ部162の上部に形成されるため、同様に波状のレンズ部172を有するようになって、外部から入射される光の反射効率を高めるようになる。反射膜171はドレイン接触孔163を通じてドレイン電極143と電気的に接続されてドレイン電極143から電気的信号を受け、これを反射膜171の上部に位置する液晶分子に印加する。
カラーフィルター層185は赤色、緑色および青色または青緑色、紅色および黄色の三原色のうちのいずれか一つの色相を有する着色感光性有機組成物からなるカラーフィルター液を利用して形成される。つまり、カラーフィルター層185は、カラーフィルター液をインクジェット法によって画素領域内の陥没部164および反射膜171の上部に塗布した後、ベーク過程を経て形成されるので、上部表面の高さが同一に形成される。従って、陥没部164のカラーフィルター層185の厚さd2が反射領域のカラーフィルター層185の厚さd1に比べて厚く形成させられて、前記で説明した色再現性を増加させることができる。このような方法で各画素領域にはそれぞれの色を有するカラーフィルター層185が交互に形成される。
その後、完成された第1基板100の周りに沿ってシーラント(図示せず)を形成した後、第1基板100と第2基板200を接着させ、内部に液晶分子を注入すると、図2の液晶表示パネル10が完成される。ここで、シーラント(図示せず)を第2基板200の周りに沿って形成した後、第1基板200と接着しても関係ない。
上記本発明の実施形態によれば、透過領域のカラーフィルタ層の厚みと反射領域のカラーフィルター層の厚みとが異なるように形成される。このとき、透過領域と反射領域とで、カラーフィルター層の表面の高さを同程度に形成される。透過領域のカラーフィルタ層の厚みと反射領域のカラーフィルター層の厚みとが異なることにより、透過領域と反射領域との光の通過距離の違いを補償し、透過領域と反射領域との色再現性を向上させることができる。また、透過領域と反射領域とで、カラーフィルター層の表面の高さを同程度にすることができることで、液晶層に存在する液晶分子の配向の均一性を増加させて液晶分子の配向不良を減少させることができる。さらに、画素電極もカラーフィルター層の上部に平坦に形成されるため、液晶分子の配向不良を減少させる。
本発明の第2実施形態による液晶表示装置は本発明の第1実施形態による液晶表示装置とは異なり、第1基板100の陥没部164に有機膜161の一部が形成されている。無機膜151のエッチング過程で無機膜151のみを除去することは容易でない。従って、エッチング時間および強度を誤って選択すると、無機膜151と同様な材質であるゲート絶縁膜131も一緒に除去されることがある。これによってプラスチック基板素材110と液晶層300とが直接的に接するようになる場合がある。こうなると、プラスチック基板素材110の不純物が液晶分子に影響を与えて液晶分子の駆動不良を引き起こすことがある。従って、有機膜161のパターニング過程で露光強度を第1実施形態より弱くすることによって陥没部161に有機膜161の一部が残っているようにすれば前記の問題点を減少させることができる。また、第1実施例と同様の作用効果を得ることもできる。
たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から外れずに、本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められる。
100 第1基板
110 第1基板素材
121 ゲート線
122 ゲート電極
131 ゲート絶縁膜
132 半導体層
133 抵抗接触層
141 データ線
142 ソース電極
143 ドレイン電極
151 無機膜
161 有機膜
162、172 レンズ部
163 ドレイン接触孔
164 陥没部
171 反射膜
191 画素電極
181 ブラックマトリックス
185 カラーフィルター層
200 第2基板
210 第2基板素材
220 共通電極
300 液晶層
Claims (16)
- 第1基板素材と、
前記第1基板素材上に互いに交差して、透過領域及び反射領域を有する画素領域を定義するゲート線およびデータ線と、
前記ゲート線およびデータ線の交差領域に設けられておりドレイン電極を有する薄膜トランジスターと、
前記薄膜トランジスター上に形成されており、前記ドレイン電極の一部を露出させるドレイン接触孔及び前記透過領域に陥没部を有する有機膜と、
前記反射領域の前記有機膜上に形成されるとともに、前記有機膜の前記ドレイン接触孔上に形成され前記ドレイン電極と連結されている反射膜と、
前記画素領域を囲み、前記有機膜及び前記反射膜上に形成されているブラックマトリックスと、
前記ブラックマトリックスを境界にして前記画素領域内において前記陥没部及び前記反射膜を覆うように形成されており、前記陥没部領域で増加された厚さを有するカラーフィルター層と、
前記ブラックマトリックス及び前記透過領域の前記カラーフィルター層上に形成されており、前記ドレイン接触孔において前記反射膜及び前記ドレイン電極と電気的に連結されている画素電極とを含む第1基板と;
前記第1基板に対向配置されている第2基板素材と、
前記第2基板素材上に形成されている共通電極とを含む第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板との間に位置する液晶層を含み、
前記反射領域での前記反射膜及び前記共通電極間の距離と、前記透過領域での前記画素電極及び共通電極間の距離と、の違いにより、前記反射膜及び前記共通電極間の電場と、前記画素電極及び共通電極間の電場と、を異ならせることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記反射領域では、前記反射膜が、前記第2基板素材の外部から入射される光を反射させ、前記透過領域では、前記第1基板素材の背面から入射される光を透過させることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記反射領域の反射膜と前記液晶層との間には前記カラーフィルター層が位置していることを特徴とする、請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記陥没部のカラーフィルター層の厚さは、前記反射領域のカラーフィルター層の厚さの1.5倍〜2.5倍の範囲内であることを特徴とする、請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記反射領域は、前記透過領域を囲んでいることを特徴とする、請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記カラーフィルター層の表面は実質的に平坦なことを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記カラーフィルター層は、インクジェット方式で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記有機膜は、前記陥没部で除去されていることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスターと前記有機膜との間に形成されている無機膜をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記有機膜および前記反射膜は、それぞれ上部にレンズ部が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層は、垂直配向(vertically aligned、VA)モードであることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2基板素材と前記共通電極は直接的に接触していることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 基板素材上に透過領域及び反射領域を有する画素領域を定義するゲート線およびデータ線、ドレイン電極を有する薄膜トランジスターを形成する段階と、
前記薄膜トランジスター上に、前記ドレイン電極の一部を露出させるドレイン接触孔及び前記透過領域に陥没部を有する有機膜を形成する段階と、
前記反射領域の前記有機膜上に、前記有機膜の前記ドレイン接触孔において前記ドレイン電極と連結される反射膜を形成する段階と、
前記画素領域の周緑に沿って前記有機膜及び前記反射膜上にブラックマトリックスを形成する段階と、
インクジェット方法によって、前記ブラックマトリックスを境界に前記画素領域内において前記陥没部及び前記反射膜を覆うように位置し、前記陥没部で厚さが増加されたカラーフィルター層を形成する段階と、
前記ブラックマトリックス及び前記透過領域の前記カラーフィルター層の上部に、前記ドレイン接触孔において前記反射膜及び前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階と、を含み、
前記反射領域での前記反射膜及び前記共通電極間の距離と、前記透過領域での前記画素電極及び共通電極間の距離と、が異なるように形成し、前記距離の違いにより、前記反射膜及び前記共通電極間の電場と、前記画素電極及び共通電極間の電場と、を異ならせることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記有機膜を形成する段階では、前記有機膜の上部にレンズ部が形成されることを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスターを形成する段階と前記有機膜を形成する段階との間には前記薄膜トランジスターの上部に無機膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスターを形成する段階は、
ゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜、半導体層、抵抗接触層を連続に蒸着する段階とを含むことを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法。
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