WO2011129065A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2011129065A1
WO2011129065A1 PCT/JP2011/001952 JP2011001952W WO2011129065A1 WO 2011129065 A1 WO2011129065 A1 WO 2011129065A1 JP 2011001952 W JP2011001952 W JP 2011001952W WO 2011129065 A1 WO2011129065 A1 WO 2011129065A1
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WO
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groove
substrate
display device
base metal
film
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PCT/JP2011/001952
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French (fr)
Inventor
森脇弘幸
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Priority to JP2012510548A priority patent/JP5603931B2/ja
Priority to US13/635,821 priority patent/US8913221B2/en
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    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements

Definitions

  • the present invention relates to a display device such as a liquid crystal display device, and more particularly to a structure around a groove provided in a frame region for controlling a coating region of an alignment film.
  • the liquid crystal display device can be reduced in thickness and has low power consumption, it is widely used as a display for OA devices such as TVs and personal computers, and portable information devices such as mobile phones and PDAs (Personal Digital Assistants).
  • OA devices such as TVs and personal computers
  • portable information devices such as mobile phones and PDAs (Personal Digital Assistants).
  • the liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel and a backlight unit attached to the back side of the liquid crystal display panel.
  • the liquid crystal display panel has a configuration in which an array substrate provided with switching elements such as thin film transistors and a counter substrate arranged to face the array substrate are bonded together by a sealing material, and a space formed between the two substrates Liquid crystal material is enclosed in the.
  • As the counter substrate a substrate that is slightly smaller than the array substrate is employed, and a drive circuit is mounted on the terminal region of the array substrate exposed by this.
  • the liquid crystal display panel is composed of a display area for displaying an image and a non-display area surrounding the display area.
  • An alignment film is formed on the surface of the array substrate in contact with the liquid crystal layer so as to cover at least the display region.
  • an alignment film is formed on the surface of the counter substrate in contact with the liquid crystal so as to cover at least the display region.
  • the alignment film can be formed by, for example, rubbing the surface of a resin film such as polyimide formed by a flexographic printing method or an ink jet method. Because the resin film is excellent in that it can be drawn directly on the substrate, it is low-contamination because of a non-contact process, the amount of solution consumption is small, the work time can be shortened, etc. An ink jet method is preferably used.
  • the alignment film is formed by the ink jet method
  • a resin having a lower viscosity is used as a raw material for the alignment film than in the case of the flexo method.
  • Raw materials are likely to leak. Therefore, when the non-display area around the display area is small and the space between the display area and the seal material area cannot be secured large, the alignment film flows out to the seal material area. In this case, since the adhesiveness between the sealing material and the alignment film is insufficient, the liquid crystal material of the liquid crystal layer leaks without being completely sealed.
  • Patent Document 1 discloses a groove extending long in the direction along the outer periphery of the display area in a substantially annular area outside the display area and inside the area where the sealing material is disposed.
  • Patent Document 1 further discloses a configuration in which a conductive film such as an ITO film is formed on the groove surface. It is described that the liquid resin material, which is an alignment film material, has low wettability with respect to the ITO film, so that this configuration can stop the liquid resin material from spreading in the groove.
  • each groove portion does not overlap the wiring. It is formed as follows. Therefore, in the groove part, the organic film is raised with respect to the bottom of the groove part like a ridge that crosses the groove part along the line in which the wiring is provided.
  • the inventors of the present invention have found the following problems with the liquid crystal display device having the above-described configuration.
  • the groove 102 is formed so as to cross the wiring 101 as shown in the plan view of FIG. 32 in order to prevent the saddle-like protruding structure crossing the groove, as shown in FIG. Since the conductive film 103 is provided on the groove surface, the adjacent wirings 101 are electrically connected to each other through the conductive film 103, and when the potentials of the two wirings are different, a short circuit occurs.
  • the groove 102 is formed without providing the conductive film 103 in order to prevent a short circuit between the wirings 101, the wiring 101 is exposed to the surface, so that the wiring 101 is likely to deteriorate due to corrosion or oxidation.
  • the conductive foreign matter 104 straddles the adjacent wirings 101, a short circuit occurs between the wirings 101.
  • the conductive bead 105 exists in the region of the groove 102, the exposed wiring 101 and the electrode 106 on the opposite side of the substrate leak.
  • the present invention obtains a display device with a narrow frame by reducing the distance between the alignment film and the sealing material by suppressing the alignment film material from flowing out toward the outside of the substrate during the formation of the alignment film. With the goal.
  • the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, and the first substrate is provided via the substrate body, the first wiring provided on the substrate body, the first wiring and the insulating film.
  • a large number of first wirings are provided so as to extend in parallel with each other, and a large number of second wirings are provided so as to extend in parallel with each other in the direction intersecting with each of the first wirings.
  • a pixel is configured corresponding to a switching element formed at each crossing portion in plan view of both wirings and performs a predetermined display.
  • a groove is formed so as to extend continuously along the peripheral edge and cross the first wiring, and a groove base metal is formed in the same layer as the second wiring in a lower layer of the region overlapping at least the first wiring in a plan view. Is provided.
  • the groove is formed so as to continuously extend along the outer peripheral edge of the substrate above the first wiring, even when the alignment film is formed in the region where the first wiring is provided,
  • the alignment film material that flows toward the outside of the substrate can be accommodated in the groove, and the alignment film material can be effectively prevented from flowing out into the seal region. Therefore, the distance between the alignment film and the sealing material can be reduced, and a display panel with a narrow frame can be obtained.
  • the groove base metal is provided in the lower layer of the region overlapping at least the first wiring in a plan view, even if the groove is formed so as to cross the first wiring.
  • the first wiring is not exposed on the surface of the groove, and the conductive film provided on the surface of the groove is not electrically connected to the first wiring. Therefore, there is no possibility of short-circuiting between the first wirings via the conductive film provided on the groove surface or the conductive foreign matter existing in the vicinity of the groove surface, and the first wiring may be exposed and corroded on the groove surface. There is no.
  • the groove base metal is displayed. Since the wiring is not directly related to the driving of the device, the display performance of the display device is not affected. Accordingly, excellent durability performance can be obtained.
  • the groove base metal is provided in the same layer as the second wiring, the groove base metal and the second wiring can be formed simultaneously. Therefore, the groove base metal can be provided without increasing the number of manufacturing steps.
  • the first substrate has a rectangular shape, and the groove is formed so as to continuously extend along two opposing sides constituting the first substrate in the outer peripheral edge of the substrate. Good.
  • the non-display area can be narrowed on the two opposing sides formed so that the grooves continuously extend.
  • the grooves when the grooves are formed so as to extend continuously along two opposing sides constituting the first substrate in the outer peripheral edge of the substrate, they are parallel to each other in the display region of the first wiring.
  • a large number of first wirings extending to the gate line are gate lines, and an area along two opposing sides of the area surrounding the display area of the first substrate is provided with an external connection terminal for connecting the gate line to an external circuit. It is preferable that the gate terminal region be formed.
  • the non-display area along the gate terminal area can be narrowed, while the source line is corrected in the area along the remaining two sides which are not provided with grooves and become a wide frame area. Therefore, it is possible to effectively use the spare wiring for correction for detouring as a space for making a detour in the non-display area.
  • the groove of the first substrate is formed on the second substrate. It is preferable that ribs are formed so as to protrude toward the first substrate in each of the regions along the two opposing sides constituting the first substrate corresponding in plan view.
  • the protrusion height from the substrate surface is the same as or smaller than the depth of the groove, and the rib width is set smaller than the width of the groove corresponding to the rib.
  • substrate protrudes toward the 1st board
  • the rib is set such that the protruding height from the substrate surface is the same as or smaller than the depth of the groove, and the rib width is set smaller than the width of the groove corresponding to the rib. Also in the provided region, the distance between the groove bottom and the protruding end of the rib is equal to or greater than the distance between the first substrate and the second substrate. Therefore, even if the glass fiber pulverized material mixed as a spacer in the sealing material is present in the region where the groove and the rib are provided, the function of the spacer is not hindered by the rib, and the control of the cell thickness is not difficult.
  • the groove may be continuously formed in an annular shape so as to surround the display region at the outer peripheral edge of the substrate.
  • the non-display area can be narrowed around the entire periphery of the outer peripheral edge of the substrate.
  • the second substrate when the groove is continuously formed in an annular shape so as to surround the display region at the outer peripheral edge of the substrate, the second substrate has a region corresponding to the groove of the first substrate in plan view.
  • the rib is preferably formed so as to surround the display region in an annular shape and protrude toward the first substrate side.
  • the protrusion height from the substrate surface is the same as the depth of the groove or It is smaller than that, and the rib width is set smaller than the width of the groove corresponding to the rib.
  • the rib in the second substrate, in the region corresponding to the groove of the first substrate in plan view, the rib extending in an annular shape so as to surround the display region is projected toward the first substrate side. Therefore, also in the second substrate, it is possible to effectively prevent the alignment film material from flowing out toward the outside of the substrate when forming the alignment film. For this reason, the distance between the alignment film and the sealing material can be further reduced in combination with the prevention of the outflow by the groove on the first substrate side, and a display panel with a narrow frame can be obtained reliably.
  • the rib is set such that the protruding height from the substrate surface is the same as or smaller than the depth of the groove, and the rib width is set smaller than the width of the groove corresponding to the rib.
  • the distance between the groove bottom and the protruding end of the rib is equal to or greater than the distance between the first substrate and the second substrate. Therefore, even if the glass fiber pulverized material mixed as a spacer in the sealing material is present in the region where the groove and the rib are provided, the function of the spacer is not hindered by the rib, and the control of the cell thickness is not difficult.
  • the groove base metal may be provided so as to continuously extend along the outer peripheral edge of the substrate corresponding to the groove shape.
  • the groove base metal is provided so as to continuously extend along the outer peripheral edge portion of the substrate corresponding to the groove shape, the layout misalignment between the groove base metal and the first wiring is caused. Therefore, it is possible to reliably provide the groove base metal between the first wiring and the groove.
  • a transfer pad for applying a common potential to the common electrode provided on the surface of the second substrate is formed in a region other than the display region on the first substrate. It may be electrically connected.
  • the groove base metal is continuously provided in an annular shape so as to correspond to the groove shape, and further electrically connected to the transfer pad, the potential of the groove base metal is the same as that of the transfer pad. It can be held at a common potential. Therefore, for example, even if the common electrode on the surface of the second substrate and the groove base metal are conducted through a transfer material such as conductive beads mixed in the sealing material, there is no possibility of causing a display defect due to the conduction. .
  • a plurality of transfer pads may be formed, and the groove base metal may be electrically connected to each of the plurality of transfer pads and also connected to an external connection terminal that applies a common potential.
  • the groove base metal is electrically connected to each of the plurality of transfer pads and also connected to the external connection terminal that applies a common potential, the groove base metal is applied from the external connection terminal to the groove base metal.
  • the generated common potential can be transmitted to each transfer pad as it is. That is, the function of the transfer bus line for applying a common potential to each transfer pad can be provided to the groove base metal, and the frame can be made narrower than when the transfer bus line is provided on the outer periphery of the transfer pad.
  • the groove base metal may be provided so as to be separated in an island shape corresponding to each region where the first wiring and the groove overlap in plan view.
  • the groove base metal corresponds to each region where the first wiring and the groove overlap in plan view. Therefore, the defects are not transmitted to the entire groove base metal.
  • the display device of the present invention may be in a floating state in which the groove base metal is not electrically connected to other wiring.
  • the groove base metal since the groove base metal is in a floating state in which it is not electrically connected to other wiring, the surface of the second substrate is provided via a transfer material such as conductive beads mixed in the seal material. Even if the common electrode is electrically connected to the groove base metal, since the groove base metal is in a floating state, there is no possibility of causing a display defect due to that.
  • a silicon film may be provided below the trench base metal and above the insulating film.
  • the thickness of the insulating film and the groove base metal provided in the upper layer of the first wiring is reduced on the side surface of the first wiring, it is the lower layer of the groove base metal and the upper layer of the insulating film. Since the silicon film is provided, the portion where the thickness of the insulating film or the groove base metal is reduced is not broken and the first wiring is not exposed to the surface.
  • the transparent conductive film and the first wiring are formed by the penetration of the transparent conductive film from the portion where the insulating film or the groove base metal is thinned and broken. Since it does not conduct
  • the silicon film can be formed simultaneously with the formation of the silicon film constituting the switching element (for example, TFT) in the display region. Therefore, a silicon film can be provided without increasing the number of manufacturing steps.
  • the groove surface may be covered with a transparent conductive film.
  • the groove surface is covered with the transparent conductive film, the groove base metal is not exposed to the groove surface, and the groove base metal can be prevented from being corroded and deteriorated.
  • groove base metal may be exposed on the groove surface.
  • the frame can be narrowed by an amount corresponding to the region where the transparent conductive film is provided, compared to the case where the groove surface is covered with the transparent conductive film. .
  • the second wiring may be formed of a Ti film and a Cu film laminated on the Ti film.
  • the second wiring may be formed of a Ti film and an Al film laminated thereon.
  • a liquid crystal layer may be provided between the first substrate and the second substrate.
  • the alignment film material flows out toward the outside of the substrate when forming the alignment film. Can be effectively suppressed. Therefore, the distance between the alignment film and the sealing material can be reduced, and a display device with a narrow frame can be obtained.
  • the groove base metal is provided in the lower layer of the region overlapping at least the first wiring in plan view, even if the groove is formed so as to cross the first wiring, The first wiring is not exposed on the surface of the groove, and the conductive film provided on the surface of the groove is not electrically connected to the first wiring. Therefore, there is no possibility of short-circuiting between the adjacent first wirings via the conductive film provided on the groove surface or the conductive foreign matter existing in the vicinity of the groove surface, and the first wiring is exposed and corroded on the groove surface. There is no fear of doing it.
  • the groove base metal is displayed. Since the wiring is not directly related to the driving of the device, the display performance of the display device is not affected. Accordingly, excellent durability performance can be obtained.
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device according to Embodiment 1.
  • FIG. It is sectional drawing in the II-II line of FIG. It is sectional drawing in the III-III line of FIG. It is a top view of an array substrate. It is a top view of a counter substrate.
  • FIG. 5 is an enlarged plan view in a region AR1 of FIG. It is sectional drawing in the VII-VII line of FIG. It is sectional drawing in the VIII-VIII line of FIG. It is sectional drawing in the IX-IX line of FIG. It is sectional drawing in the XX line of FIG. It is a flowchart which shows the manufacturing method of a liquid crystal display device.
  • FIG. It is sectional drawing in the II-II line of FIG. It is sectional drawing in the III-III line of FIG. It is a top view of an array substrate. It is a top view of a counter substrate.
  • FIG. 5 is an enlarged plan view in a region AR1 of FIG.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view of a main part of an array substrate according to Modification 1 of Embodiment 1, and corresponds to an area AR1 in FIG. It is sectional drawing in the XIII-XIII line
  • FIG. 9 is an enlarged plan view of a main part of an array substrate according to a second modification of the first embodiment, corresponding to an area AR1 in FIG. It is sectional drawing in the XV-XV line
  • FIG. 10 is an enlarged plan view of a main part of an array substrate according to Modification 3 of Embodiment 1, and corresponds to an area AR1 in FIG. It is sectional drawing in the XVII-XVII line of FIG.
  • FIG. 6 is a plan view of an array substrate according to a fourth modification of the first embodiment.
  • FIG. (A) is sectional drawing of the array board
  • (b) is sectional drawing of the array board
  • FIG. 10 is an enlarged plan view of a main part of an array substrate according to Modification 6 of Embodiment 1, and corresponds to an area AR2 in FIG. (A) is sectional drawing in the XXIa-XXIa line of FIG. 20, (b) is sectional drawing in the XXIb-XXIb line of FIG. FIG.
  • FIG. 10 is an enlarged view of main parts of an array substrate according to Modification 7 of Embodiment 1, and corresponds to a cross-sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 6.
  • FIG. 10 is an enlarged view of a main part of an array substrate according to Modification 8 of Embodiment 1, and corresponds to a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view of a main part of an array substrate of Embodiment 2, and corresponds to an area AR1 in FIG. It is sectional drawing in the XXV-XXV line
  • wire of FIG. (A)-(c) is the principal part enlarged view of FIG. 7 is a plan view of a liquid crystal display device according to Embodiment 3.
  • FIG. It is a top view of an array substrate. It is a top view of a counter substrate.
  • FIG. 29 is an enlarged plan view in a region AR3 of FIG. 28.
  • FIG. 29 is an enlarged plan view of a main part of an array substrate according to a ninth modification of the third embodiment, corresponding to a region AR3 in FIG. It is a top view of the liquid crystal display device for demonstrating the problem of the subject of this invention.
  • (A) And (b) is sectional drawing in the XXXIII-XXXIII line
  • an active matrix driving type liquid crystal display device having a thin film transistor (TFT) for each pixel will be described as an example of the display device.
  • TFT thin film transistor
  • the present invention is not limited to these embodiments, and may have other configurations.
  • Embodiment 1 1 and 2 are overall schematic views of a liquid crystal display device 10 according to a first embodiment.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the seal region SL of the liquid crystal display device 10.
  • 4 and 5 show plan views of the array substrate 20 and the counter substrate 30, respectively.
  • the liquid crystal display device 10 includes an array substrate 20 (first substrate) and a counter substrate 30 (second substrate) arranged to face each other.
  • the array substrate 20 includes a first metal (first wiring) including a gate line 21, a gate insulating film 22, a second metal (second wiring) including a source line 23 (see FIG. 6), and passivation on the substrate body 20 ⁇ / b> S.
  • a film 24, a planarizing film 25, a third metal including a pixel electrode (not shown), and an alignment film 26 are stacked.
  • the counter substrate 30 is formed by laminating a common electrode 31, a color filter, a black matrix (not shown), and an alignment film 32 on the substrate body 30S.
  • a light blocking area (not shown) is formed by a black matrix.
  • the array substrate 20 and the counter substrate 30 are bonded to each other by a sealing material 40 arranged in a frame shape with their outer peripheral edge portions as seal regions SL.
  • a liquid crystal layer 50 is provided as a display layer in a space surrounded by the sealing material 40 between both the substrates 20 and 30 and constitutes a display region D. Further, a part of the non-display area N around the display area D is a terminal area T for attaching an external connection terminal such as a mounted component.
  • the array substrate 20 is provided with a groove 27 in the same layer as the passivation film 24 and the planarization film 25 so as to surround the display region D, thereby forming an alignment film 26.
  • the liquid resin material that is the raw material of the alignment film 26 is prevented from flowing from the display area D to the non-display area N side.
  • the grooves 27 may be provided in only one row or in a plurality of rows (two rows in FIG. 4).
  • the counter substrate 30 is provided with an annular rib 33 so as to surround the display region D, and when the alignment film 32 is formed, the alignment film 32 extends from the display region D to the non-display region N side.
  • the liquid resin material which is a raw material, is prevented from flowing out.
  • the ribs 33 may be provided in only one row or in a plurality of rows (two rows in FIG. 5). The ribs 33 are positioned so that the grooves 27 and the ribs 33 are fitted and overlapped with each other, corresponding to the region of the grooves 27 provided on the array substrate 20. By providing the grooves 27 and the ribs 33 on each substrate to prevent the liquid resin material that is the raw material of the alignment films 26 and 32 from flowing out, the distance between the alignment films 26 and 32 and the sealing material 40 is reduced. Can be narrowed.
  • the groove 27 has, for example, a width of the groove 27 (W1 in FIG. 3) of about 50 ⁇ m and a depth of the groove 27 (H1 in FIG. 3) of about 2.5 ⁇ m.
  • the rib 33 has, for example, a width of the rib 33 (W2 in FIG. 3) of about 30 ⁇ m and a protruding height from the substrate surface (H2 of FIG. 3) of about 2.0 ⁇ m.
  • the sealing material 40 has a crushed glass fiber 41 (for example, the fiber diameter is set to the distance between the two substrates). About 4.0 ⁇ m).
  • the rib 33 is provided in the non-display area N of the counter substrate 30, if the glass fiber pulverized product 41 exists in the area where the rib 33 is provided, the distance between both substrates is equal to the fiber diameter of the glass fiber pulverized product 41.
  • the sum of the heights of the ribs 33 is likely to make it difficult to control the cell thickness.
  • the grooves 27 and the ribs 33 are provided at corresponding positions so as to fit each other, and the ribs 33 have a protruding height (H2) from the substrate surface equal to or less than the depth (H1) of the grooves 27.
  • the width (W2) of the rib 33 is set smaller than the width (W1) of the groove 27 corresponding to the rib 33.
  • the distance between the bottom of the groove 27 and the protruding end of the rib 33 is the distance between the array substrate 20 and the counter substrate 30 (that is, the crushed glass fiber). Since the glass fiber pulverized material 41 is clogged by the ribs 33, the function of the spacer is hindered and the cell thickness is controlled. It will not be difficult.
  • liquid crystal display device 10 when a TFT is turned on in each pixel, a potential difference is generated between the pixel electrode and the common electrode 31 so that a predetermined voltage is applied to the liquid crystal capacitor formed of the liquid crystal layer 50. It is configured. In the liquid crystal display device 10, an image is displayed by adjusting the transmittance of light incident from the outside using the fact that the alignment state of the liquid crystal molecules changes according to the magnitude of the applied voltage.
  • the passivation film 24, the planarizing film 25, the third metal, and the like are not shown for the sake of simplicity, and the first metal and the second metal are shown by solid lines for convenience. (The same applies to FIGS. 11, 13, 15 and 19).
  • a large number of gate lines 21 (scanning signal lines) extending in parallel with each other and a large number of source lines 23 (video signal lines) extending in parallel with each other are arranged.
  • the source line 23 and the gate line 21 are insulated by the gate insulating film 22 in the substrate thickness direction, and are provided so as to extend in a direction crossing each other (for example, an orthogonal direction).
  • a TFT (not shown) is formed as a switching element in the vicinity of each intersection in the plan view.
  • pixels are configured to correspond to the respective TFTs, and a predetermined display is performed.
  • gate lines 21 are formed of the first metal.
  • a large number of source lines 23 are formed of the second metal.
  • the first metal and the second metal are formed of, for example, a Ti film (thickness of about 30 nm) and a Cu film (thickness of about 100 nm) stacked thereon.
  • each end of the large number of gate lines 21 is provided so as to extend to the non-display area N and is connected to a gate driver (not shown) mounted in the terminal area T.
  • each of the large number of source lines 23 is connected to the large number of source lead lines 23 a in the non-display region N.
  • the source lead line 23a is a first metal and is provided in the same layer as the gate line 21, and is connected to a source driver (not shown) in the terminal region T.
  • the source line 23 and the source lead line 23a are electrically connected to each other through a conductive film 23c made of a third metal provided on the surface of the contact hole in the source line contact portion 23b. .
  • the array substrate 20 has a groove 27 that is annularly continuous so as to surround the display region D on the outer peripheral edge of the substrate, on the same layer as the passivation film 24 and the planarization film 25, above the first metal. Is provided.
  • the groove 27 is formed by developing the photosensitive acrylic flattening film 25 and etching the developed flattening film 25 as a mask to provide a recess.
  • the groove 27 is provided so as to cross over the upper layer of the gate line 21 and the source lead line 23a of the same layer. Since the groove 27 is continuously provided in an annular shape so as to cross over the first metal such as the gate line 21 and the source lead line 23a, the material of the alignment film 26 is used as the substrate when forming the alignment film 26. It is possible to effectively suppress the outflow to the outside. Therefore, the frame can be narrowed by reducing the distance between the alignment film 26 and the sealing material 40.
  • the groove 27 is provided with a groove base metal 27a in the lower layer.
  • the groove base metal 27 a functions as an etching stopper when the groove 27 is formed.
  • the groove base metal 27 a is continuously provided in an annular shape so as to correspond to the shape of the groove 27.
  • the width of the groove base metal 27a is larger than the width of the groove 27, for example, about 60 ⁇ m.
  • the groove base metal 27a is made of a second metal. Since the groove base metal 27a is provided in the lower layer of the groove 27, the first metal such as the gate line 21 and the source lead line 23a is not exposed to the surface by etching when the groove 27 is formed.
  • the groove base metal 27a is the second metal and is formed in the same layer as the source line 23, it can be formed simultaneously with the source line 23.
  • the surface of the groove 27 is covered with a transparent conductive film 27b.
  • the transparent conductive film 27b is formed of a third metal such as an ITO film. Since the surface of the groove 27 is covered with the transparent conductive film 27b, the groove base metal 27a is not exposed on the surface of the groove 27, and there is no possibility that the groove base metal 27a is corroded.
  • the array substrate 20 is further provided with a transfer pad 28 in the non-display area N.
  • a plurality of transfer pads 28 are provided so as to surround the display area D.
  • the transfer pad 28 is electrically connected to a common electrode 31 provided on the entire surface of the counter substrate 30 via a transfer material interposed between the array substrate 20 and the counter substrate 30, and holds the transfer pad 28 at a common potential.
  • the common electrode 31 has a function of applying a common potential.
  • Examples of the transfer material include conductive beads (not shown) mixed in the seal material 40.
  • the conductive beads are, for example, those obtained by performing gold plating on a plastic surface.
  • Each of the transfer pads 28 is connected to a transfer bus line (not shown) provided on the outer periphery of the transfer pad 28.
  • the transfer bus line is connected to the external connection terminal.
  • the transfer pad 28 is electrically connected to the groove base metal 27a by a transfer pad lead line 28a.
  • the outer peripheral side of the double-formed groove base metal 27 a is connected to the transfer pad 28.
  • the transfer pad lead line 28a and the groove base metal 27a are electrically connected to each other through a conductive film 28c made of a third metal provided on the surface of the contact hole in the transfer pad contact portion 28b. ing. Since the transfer pad 28 and the groove base metal 27 a are electrically connected, the potential of the groove base metal 27 a can be held at the same common potential as that of the transfer pad 28.
  • the manufacturing method of this embodiment corresponds to the array substrate manufacturing process corresponding to steps S11 to S19 in FIG. 11, the counter substrate manufacturing process corresponding to steps S21 to S24 in FIG. 11, and the steps S3 to S7 in FIG. And a liquid crystal display panel manufacturing process.
  • step S11 a first metal is provided on the substrate body 20S by a known method, thereby simultaneously forming the gate line 21, the source lead line 23a, the transfer pad lead line 28a, and the like.
  • steps S12 and S13 the gate insulating film 22 and the semiconductor layer are formed by a known method.
  • step S14 by providing a second metal on the gate insulating film 22 and the semiconductor layer by a known method, the source line 23, the trench base metal 27a, and the like are simultaneously formed.
  • step S15 a TFT is formed by patterning the channel portion in the semiconductor layer.
  • step S16 a passivation film 24 and a planarizing film 25 are sequentially formed by a known method, and then in step S17, the photosensitive acrylic planarizing film 25 is developed, and etching is performed using the developed planarizing film 25 as a mask.
  • the groove 27 is formed.
  • the groove base metal 27 a functions as an etching stopper, and the groove base metal 27 a is exposed on the surface of the groove 27.
  • step S18 a third metal is provided on the planarization film 25 by a known method, thereby forming a transparent conductive film 27b and the like covering the pixel electrode and the surface of the groove 27.
  • step S19 the alignment film 26 is formed by a known method, and the array substrate 20 is completed.
  • step S21 the common electrode 31 is formed by forming a transparent conductive film 27b so as to cover the entire substrate by a known method.
  • step S22 a black matrix and a color filter are formed on the substrate body 30S by a known method.
  • a lower layer portion 33a of the rib 33 is formed by a black matrix or a color filter in a region where the rib 33 is provided, that is, a region along the outer peripheral edge of the counter substrate 30.
  • step S23 an organic resin film 33b is formed in a region along the outer peripheral edge portion of the counter substrate 30 on which the rib 33 is provided by a known method, and the rib 33 is formed.
  • the ribs 33 may be formed so as to have a predetermined layout in the display area D to be liquid crystal alignment regulating ribs.
  • step S24 the alignment film 32 is formed by a known method, and the counter substrate 30 is completed.
  • step S3 a sealing material raw material is applied around the display area D on the counter substrate 30 by a known method, and then in step S4, a liquid crystal material is dropped on the area surrounded by the sealing material raw material. A liquid crystal layer 50 is formed.
  • step S5 the array substrate 20 is stacked on the counter substrate 30 so as to sandwich the sealing material.
  • the grooves 27 of the array substrate 20 and the ribs 33 of the counter substrate 30 are overlapped with each other.
  • step S6 the sealing material material is cured by performing UV irradiation and / or heating on the sealing material material.
  • the array substrate 20 and the counter substrate 30 are bonded to complete a liquid crystal display panel (step S7).
  • the liquid crystal display device 10 is completed by attaching a polarizing plate to the liquid crystal display panel, mounting a mounting member, and performing modularization processing such as mounting a backlight.
  • the grooves 27 are doubled, and only the groove base metal 27a corresponding to the outermost peripheral groove 27 is connected to the transfer pad 28, and the groove base metal 27a below the inner peripheral side groove 27 is Although described as a floating state that is not electrically connected to other wirings, when a plurality of rows of grooves 27 are provided, each groove base metal 27a corresponding to all the grooves 27 is connected to the transfer pad 28. On the contrary, all the groove base metals 27a may be in a floating state.
  • the transfer pad lead line 28a is formed so as to extend to the vicinity of the lower layer of the inner groove 27, and the inner side is the same as the groove base metal 27a of the lower layer of the outer groove 27.
  • the groove base metal 27a below the groove 27 may be electrically connected via the transfer pad contact portion 28b.
  • the base metal 27a may be provided integrally. Even in this case, a common potential is applied to the groove base metal 27a below all the grooves 27.
  • the transfer pad 28 may not be provided with the transfer pad lead line 28a, and the groove base metal 27a may be disconnected from the transfer pad 28.
  • all the groove base metals 27a are in a floating state in which they are not electrically connected to other wirings. Therefore, even if the common electrode 31 and the groove base metal 27a are electrically connected via the transfer material in the sealing material 40, there is no possibility of causing a display defect due to the conduction.
  • the transfer pad 28 is supplied with a common potential from a transfer bus line (not shown) provided on the outer periphery thereof, but the transfer bus line is not provided on the outer periphery of the transfer pad 28, and the transfer pad 28 is modified as shown in FIG.
  • the groove base metal 27a may have the function of a transfer bus line.
  • the groove base metal 27a is connected to an external connection terminal (not shown) by a common potential input line 28d and is electrically connected to each of the transfer pads 28 via the transfer pad lead line 28a.
  • the common potential applied from the external connection terminal is transmitted to the transfer pad 28 through the groove base metal 27a.
  • a silicon film 27c may be formed between the gate insulating film 22 and the trench base metal 27a, as shown as Modification 5 in FIG.
  • the silicon film 27c is formed of the same material as the TFT semiconductor layer provided in the display region D.
  • the gate insulating film 22 and the trench base metal 27a are provided so as to protrude in the region where the first metal is provided, depending on the film forming conditions, as shown in FIG. In this region, the groove base metal 27a becomes thin. Therefore, for example, in the step of providing a contact hole by dry etching in the gate insulating film 22 or the passivation film 24, a hole is opened in a portion where the gate insulating film 22 or the groove base metal 27a is thinned, and is provided in an upper layer of the groove base metal 27a.
  • the transparent conductive film 27b is electrically connected to the gate line 21, and the gate lines 21 may be short-circuited via the transparent conductive film 27b.
  • the silicon film 27c is provided below the groove base metal 27a, the silicon film 27c functions as an etching stopper during dry etching even when the groove base metal 27a in the wall region of the raised portion becomes thin. Therefore, it is possible to suppress the first metals from being short-circuited via the conductive film.
  • the silicon film 27c can be formed only by changing the layout of the silicon film in the formation of the semiconductor layer of the TFT, a special process for providing the silicon film 27c under the groove base metal 27a is performed. There is no need to add.
  • the light shielding region is formed by the black matrix in the frame region of the counter substrate 30, but the light shielding layer is provided in the frame region on the array substrate 20 side instead of the counter substrate 30, thereby shielding the light shielding region S. May be formed.
  • the groove base metal 27a can also function as a light shielding layer.
  • the surface of the groove 27 is described as being covered with the transparent conductive film 27b.
  • the surface of the groove 27 is not covered with the transparent conductive film 27b.
  • the base metal 27a may be exposed.
  • the display device can be narrowed by the area width for providing the transparent conductive film 27b (see the distance U in FIG. 22).
  • the groove base metal 27a is exposed, the groove base metal 27a is more easily corroded than when the surface of the groove 27 is covered with the transparent conductive film 27b, but the groove base metal 27a is used for driving the display device. Since the wiring is not directly related, there is no risk of deterioration in display performance. In this case, the corrosion resistance of the second metal (groove base metal 27a) can be improved by adjusting the temperature control and process conditions when forming the second metal.
  • the first metal and the second metal are formed by the Ti film and the Cu film stacked on the Ti film.
  • the present invention is not limited to this.
  • a Ti film (thickness of about 50 nm), an Al film (thickness of about 300 nm), and a Ti film (thickness of about 100 nm) are stacked in order from the lower layer to form a first metal, and a Ti film (thickness of about 50 nm)
  • the second metal may be formed by an Al film (having a thickness of about 300 nm) stacked thereon.
  • a first metal is formed by Mo (thickness of about 50 nm) and an Al film (thickness of about 300 nm) laminated thereon, and Mo (thickness of about 50 nm), Al film (thickness of about 300 nm), and Mo (thickness of about 50 nm) may be stacked in order from the lower layer to form the second metal.
  • the second metal is composed of a laminate of a Ti film and an Al film and an ITO film is provided on the surface of the groove 27 as the transparent conductive film 27b, as shown in FIG.
  • the groove base metal 27a it is preferable to form the groove base metal 27a as a single layer film of the Ti film 27d so that the transparent conductive film 27b does not contact the Al film 27e. This is because the difference in ionization tendency between the Al film and the ITO film is large, and therefore the Al film 23e is easily eroded when the Al film 27e is in contact with the ITO film 27b.
  • the counter substrate 30 is provided with the ribs 33 in an annular shape so as to surround the display region D.
  • the liquid crystal display device 10 is configured by the counter substrate 30 in which the ribs 33 are not provided. It may be.
  • the counter substrate 30 is provided with ribs 33.
  • Embodiment 2 Next, the liquid crystal display device 10 of Embodiment 2 will be described. Note that the same or corresponding components as those in the first embodiment will be described using the same reference numerals as those in the first embodiment.
  • the array substrate 20 and the counter substrate 30 are arranged to face each other, and are bonded by a sealing material 40 arranged at the outer peripheral edge thereof, and a space surrounded by the sealing material 40 is provided in a display layer.
  • a liquid crystal layer 50 is provided.
  • the liquid crystal display device 10 has the same configuration as that of the first embodiment except for the array substrate 20.
  • the array substrate 20 includes a first metal including a gate line 21, a gate insulating film 22, a second metal including a source line 23, a passivation film 24, a planarizing film 25, and the like on the substrate body 20S.
  • a third metal including a pixel electrode and an alignment film 26 are stacked, and a groove 27 is continuously provided in an annular shape so as to surround the display region D.
  • a groove base metal 27a is provided in the lower layer of the groove 27 in the lower layer of the groove 27 .
  • the source lead line 23a and the groove 27 correspond to a region overlapping in plan view.
  • a plurality of groove base metals 27a spaced apart in an island shape are provided.
  • the groove base metal 27a By providing the groove base metal 27a in an island-like manner, even if the groove base metal 27a is electrically connected to the underlying source lead line 23a and the gate line 21 at one point of the groove base metal 27a, The defect is not transmitted to the entire groove base metal 27a, and the yield is improved.
  • the depth of the groove 27 is deepened by the amount of the groove base metal 27a in the lower layer of the groove 27 where the groove base metal 27a is not provided. Therefore, it is possible to more effectively suppress the raw material of the alignment film 26 from flowing out to the outside of the substrate.
  • each groove base metal 27a is in an island shape, each groove base metal 27a is in a floating state in which it is not electrically connected to other wirings. Even if the metal 27a is electrically connected through, for example, the transfer material in the sealing material 40, there is no possibility of causing display defects due to the metal 27a.
  • the surface of the groove 27 may be covered with a transparent conductive film 27b that is a third metal such as an ITO film.
  • a transparent conductive film 27b may be provided so as to cover the entire surface of the groove 27 as shown in FIG. 26A, and the groove base metal 27a is formed on the surface of the groove 27 as shown in FIG.
  • a transparent conductive film 27b may be provided so as to cover the formed region.
  • the surface of the groove 27 may not be covered with the transparent conductive film 27b.
  • Embodiment 3 Next, the liquid crystal display device 10 of Embodiment 3 will be described.
  • FIG. 27 is an overall schematic diagram of the liquid crystal display device 10 according to the third embodiment.
  • An enlarged cross-sectional view in the vicinity of the seal region SL of the liquid crystal display device 10 is the same as FIG. 3 shown for the first embodiment.
  • 28 and 29 show plan views of the array substrate 20 and the counter substrate 30, respectively. Note that the same or corresponding components as those in the first embodiment will be described using the same reference numerals as those in the first embodiment.
  • the array substrate 20 and the counter substrate 30 are arranged to face each other, and are bonded by a seal material 40 arranged in a seal region SL on the outer peripheral edge portion thereof, and in a space surrounded by the seal material 40.
  • the liquid crystal layer 50 is provided as a display layer.
  • a region where the liquid crystal layer 50 is provided constitutes a display region D, and the periphery thereof is a frame-like non-display region N.
  • a part of one side in the long side direction of the liquid crystal display device 10 is a source terminal region Ts, and a part of two sides in the short side direction is a gate terminal region Tg.
  • the seal region SL has a distance (the length of “a” in FIG. 27) between the display region D and the seal region SL in the long side direction of the liquid crystal display device 10 such that the display region D and the seal region SL in the short side direction. The distance between them (the length of “b” in FIG. 27) is longer.
  • the array substrate 20 includes a first metal including a gate line 21, a gate insulating film 22, a second metal including a source line 23, a passivation film 24, a planarizing film 25, and the like on the substrate body 20S.
  • a third metal including a pixel electrode and an alignment film 26 are stacked.
  • the array substrate 20 is provided with grooves 27 in the same layer as the passivation film 24 and the planarization film 25.
  • the groove 27 is provided so as to extend along each of the narrow frame gate terminal regions Tg in the non-display region N.
  • the groove 27 prevents the liquid crystal resin material, which is a raw material of the alignment film 26, from flowing from the display region D to the gate terminal region Tg side when the alignment film 26 is formed.
  • the grooves 27 may be provided in only one row or in a plurality of rows (two rows in FIG. 28).
  • the counter substrate 30 is formed by laminating a common electrode 31, a color filter, a black matrix, and an alignment film 32 on the substrate body 30S. In the non-display area N, a light shielding area is configured by the black matrix.
  • the counter substrate 30 is provided with ribs 33 in the same layer as OO.
  • the rib 33 is provided so as to extend along each of the narrow frame gate terminal regions Tg in the non-display region N.
  • the rib 33 prevents the resin material of the alignment film 32 from flowing out from the display region D toward the gate terminal region Tg when forming the alignment film 32.
  • the ribs 33 may be provided in only one row or in a plurality of rows (two rows in FIG. 29).
  • the ribs 33 are positioned so that the grooves 27 and the ribs 33 are fitted and overlapped with each other, corresponding to the region of the grooves 27 provided on the array substrate 20.
  • the groove 27 has, for example, a width of the groove 27 (W1 in FIG. 3) of about 50 ⁇ m and a depth of the groove 27 (H1 of FIG. 3) of about 2.5 ⁇ m.
  • the rib 33 has, for example, a width of the rib 33 (W2 in FIG. 3) of about 30 ⁇ m and a protruding height from the substrate surface (H2 of FIG. 3) of about 2.0 ⁇ m.
  • the sealing material 40 has a crushed glass fiber 41 (for example, the fiber diameter is set to the distance between the two substrates). About 4.0 ⁇ m).
  • the rib 33 is provided in the non-display area N of the counter substrate 30, if the glass fiber pulverized product 41 exists in the area where the rib 33 is provided, the distance between both substrates is equal to the fiber diameter of the glass fiber pulverized product 41.
  • the sum of the heights of the ribs 33 is likely to make it difficult to control the cell thickness.
  • the grooves 27 and the ribs 33 are provided at corresponding positions so as to fit each other, and the ribs 33 have a protruding height (H2) from the substrate surface equal to or less than the depth (H1) of the grooves 27.
  • the width (W2) of the rib 33 is set smaller than the width (W1) of the groove 27 corresponding to the rib 33.
  • the distance between the bottom of the groove 27 and the protruding end of the rib 33 is the distance between the array substrate 20 and the counter substrate 30 (that is, the crushed glass fiber). Since the glass fiber pulverized material 41 is clogged by the ribs 33, the function of the spacer is hindered and the cell thickness is controlled. It will not be difficult.
  • liquid crystal display device 10 when a TFT is turned on in each pixel, a potential difference is generated between the pixel electrode and the common electrode 31 so that a predetermined voltage is applied to the liquid crystal capacitor formed of the liquid crystal layer 50. It is configured. In the liquid crystal display device 10, an image is displayed by adjusting the transmittance of light incident from the outside using the fact that the alignment state of the liquid crystal molecules changes according to the magnitude of the applied voltage.
  • the passivation film 24, the planarizing film 25, the third metal, etc. are not shown for the sake of simplicity, and the first metal and the second metal are shown by solid lines for convenience. Yes.
  • a large number of gate lines 21 (scanning signal lines) extending in parallel with each other and a large number of source lines 23 (video signal lines) extending in parallel with each other are arranged.
  • the source line 23 and the gate line 21 are insulated by the gate insulating film 22 in the substrate thickness direction, and are provided so as to extend in a direction crossing each other (for example, an orthogonal direction).
  • a TFT (not shown) is formed as a switching element in the vicinity of each intersection in the plan view.
  • pixels are configured to correspond to the respective TFTs, and a predetermined display is performed.
  • gate lines 21 are formed of the first metal.
  • a large number of source lines 23 are formed of the second metal.
  • the first metal and the second metal are formed of, for example, a Ti film (thickness of about 30 nm) and a Cu film (thickness of about 100 nm) stacked thereon.
  • Each end of the large number of gate lines 21 is provided so as to extend to the non-display area N and is connected to a gate driver (not shown) mounted in the terminal area T.
  • each of the large number of source lines 23 is connected to the large number of source lead lines 23 a in the non-display region N.
  • the source lead line 23a is a first metal and is provided in the same layer as the gate line 21, and is connected to a source driver (not shown) in the terminal region T.
  • the source line 23 and the source lead line 23a are electrically connected to each other through a conductive film 23c made of a third metal provided on the contact hole surface in the source line contact portion 23b.
  • the array substrate 20 has a continuous groove extending above the first metal and in the same layer as the passivation film 24 and the planarization film 25 so as to extend along the gate terminal region Tg in the non-display region N.
  • the groove 27 is formed by developing the photosensitive acrylic flattening film 25 and etching the developed flattening film 25 as a mask to provide a recess.
  • the groove 27 is provided so as to cross over each upper layer of the gate line 21. Since the groove 27 is continuously provided so as to cross over the first metal such as the gate line 21, the raw material of the alignment film 26 flows out to the outside of the substrate when the alignment film 26 is formed. It can be effectively suppressed. Therefore, the frame can be narrowed by reducing the distance between the alignment film 26 and the seal material 40 in the frame region along the gate terminal region Tg.
  • a groove base metal 27a is provided in the lower layer.
  • the cross-sectional view including the grooves 27 and the groove base metal 27a of the array substrate 20 is the same as FIG. 7 of the first embodiment.
  • the groove base metal 27 a functions as an etching stopper when the groove 27 is formed.
  • the groove base metal 27 a is continuously provided corresponding to the shape of the groove 27 so as to extend along the gate terminal region Tg.
  • the width of the groove base metal 27a is larger than the width of the groove 27, for example, about 60 ⁇ m.
  • the groove base metal 27a is made of a second metal.
  • the groove base metal 27a is provided in the lower layer of the groove 27, the first metal such as the gate line 21 is not exposed to the surface by etching when the groove 27 is formed. Therefore, there is no possibility of short-circuiting between the first metals through the conductive object existing on the surface of the groove 27, and there is no possibility of the first metal being exposed to the surface of the groove 27 and being corroded. Further, even if the groove base metal 27a is conducted through a conductive object existing on the surface of the groove 27, the groove base metal 27a is not a wiring directly related to driving of the display device. Absent. Since the groove base metal 27a is the second metal and is formed in the same layer as the source line 23, it can be formed simultaneously with the source line 23.
  • the surface of the groove 27 is covered with a transparent conductive film 27b.
  • the transparent conductive film 27b is formed of a third metal such as an ITO film. Since the surface of the groove 27 is covered with the transparent conductive film 27b, the groove base metal 27a is not exposed on the surface of the groove 27, and there is no possibility that the groove base metal 27a is corroded.
  • the array substrate 20 is further provided with a transfer pad 28 in the non-display area N.
  • a plurality of transfer pads 28 are provided so as to surround the display area D.
  • the transfer pad 28 is electrically connected to a common electrode 31 provided on the entire surface of the counter substrate 30 via a transfer material interposed between the array substrate 20 and the counter substrate 30, and holds the transfer pad 28 at a common potential.
  • the common electrode 31 has a function of applying a common potential.
  • a cross-sectional view of the array substrate 20 including the transfer pad 28 is the same as FIG. 9 of the first embodiment.
  • Examples of the transfer material include conductive beads (not shown) mixed in the seal material 40.
  • the conductive beads are, for example, those obtained by performing gold plating on a plastic surface.
  • Each of the transfer pads 28 is connected to a transfer bus line (not shown) provided on the outer periphery of the transfer pad 28.
  • the transfer bus line is connected to the external connection terminal.
  • the transfer pad 28 in the gate terminal region Tg is electrically connected to the groove base metal 27a through the transfer pad lead line 28a as shown in FIG.
  • the outer peripheral side of the double-formed groove base metal 27 a is connected to the transfer pad 28. Since the transfer pad 28 and the groove base metal 27 a are electrically connected, the potential of the groove base metal 27 a can be held at the same common potential as that of the transfer pad 28. Therefore, even if the common electrode 31 and the groove base metal 27a are electrically connected via the transfer material in the sealing material 40, there is no possibility of causing a display defect due to the conduction. Even if only one transfer pad 28 among the plurality of transfer pads 28 is connected to the groove base metal 27a via the transfer pad lead line 28a, a plurality or all of the transfer pads 28 are connected to the groove base metal 27a. It may be either.
  • the liquid crystal display device 10 of the third embodiment since the groove 27 and the rib 33 are formed in the non-display area N along the gate terminal area Tg, the effect of narrowing the frame along the gate terminal area Tg. Is obtained. On the other hand, a portion of the non-display area N along the source terminal area Ts is not narrowly framed. For the frame area, for example, the correction spare wiring of the source line 23 is bypassed to the non-display area N. It can be used effectively as a space for arranging them.
  • the groove base metal 27a can be provided in an island shape.
  • the liquid crystal display device 10 of the third embodiment can be manufactured by the same process as that of the first embodiment except that the frame width of the non-display area N and the layout of the grooves 27 and the ribs 33 are different.
  • the distance between the display area D and the seal area SL in the long side direction of the liquid crystal display device 10 in the non-display area N is the display area in the short side direction.
  • the distance between D and the seal area SL has been described as being set longer, but the distance between the display area D and the seal area SL in the long side direction ( 27 may be set to be shorter than the distance between the display area D and the seal area SL in the short side direction (the length of “b” in FIG. 27). .
  • the alignment film 26, 32 can be prevented from flowing out to the source terminal region Ts side.
  • the non-display region N in the long side direction of the liquid crystal display device 10 can be used.
  • the distance between the display area D and the seal area SL is the distance between the display area D and the seal area SL in the short side direction (the length of “b” in FIG. 27). Is preferably set longer.
  • the grooves 27 and the ribs 33 are described as being formed in corresponding regions.
  • the grooves 27 are provided in a ring shape as in the first embodiment, while the ribs 33 are formed in the gate terminal region.
  • the ribs 33 may be provided so as to extend along the Tg, and the grooves 27 may be provided so as to extend along the gate terminal region Tg while the ribs 33 are provided in an annular shape as in the first embodiment. .
  • the display device related to the liquid crystal display device 10 including a liquid crystal display panel is exemplified.
  • the present invention is applicable to a plasma display (PD), a plasma addressed liquid crystal display (PALC), and an organic electroluminescence.
  • the present invention can also be applied to display devices such as (organic EL) display, inorganic electroluminescence (inorganic EL) display, field emission display (FED), and surface electric field display (SED).
  • the present invention is useful for a display device such as a liquid crystal display device, and is particularly useful for controlling a coating region of an alignment film.
  • Display area Tg Gate terminal area 10 Display device (liquid crystal display device) 20 First substrate (array substrate) 20S substrate body 21 1st wiring (gate line) 22 Insulating film (gate insulating film) 23 Second wiring (source line) 23a First wiring (source lead wiring) 27 groove 27a groove base metal 27b transparent conductive film (ITO film) 27c Silicon film 27d Ti film 27e Al film 28 Transfer pad 30 Second substrate (counter substrate) 34 Rib 50 Liquid crystal layer

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Abstract

第１基板の第１配線（２１，２３ａ）上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に第１配線（２１，２３ａ）を横切るように溝（２７）が形成され、溝（２７）の少なくとも第１配線（２１，２３ａ）と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタル（２７ａ）が第２配線（２３）と同一層に設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、液晶表示装置等の表示装置に関し、特に、配向膜の塗布領域の制御のために額縁領域に設けられた溝の周辺の構造に関する。
　液晶表示装置は、薄型化が可能で低消費電力であるため、テレビ、パーソナルコンピュータ等のＯＡ機器や携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯情報機器のディスプレイとして広く用いられている。
　液晶表示装置は、液晶表示パネルと、液晶表示パネルの背面側に取り付けられたバックライトユニットとを備えている。液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を備えたアレイ基板と、アレイ基板に対向して配された対向基板と、がシール材により貼り合わされた構成を有し、両基板間に構成される空間には液晶材料が封入されている。対向基板はアレイ基板よりも一回り小さい基板が採用されており、これによって露出したアレイ基板の端子領域上に、駆動回路が実装されている。
　液晶表示パネルは、画像表示を行う表示領域と、表示領域を囲う非表示領域とで構成されている。
　アレイ基板の液晶層に接する表面には、少なくとも表示領域を覆うように配向膜が形成されている。同様に、対向基板の液晶に接する表面には、少なくとも表示領域を覆うように配向膜が形成されている。
　配向膜は、例えば、フレキソ印刷法やインクジェット法等により成膜したポリイミド等の樹脂膜の表面にラビング処理を行って形成することができる。樹脂膜の成膜には、基板上に直接描画ができる点、非接触プロセスのため低汚染である点、溶液の消費量が少ない点、作業時間が短縮できる点等で優れていることから、インクジェット法が好ましく用いられている。
　ところで、インクジェット法で配向膜を形成すると、フレキソ法の場合よりも、配向膜の原料として粘度の低い材料の樹脂を用いるので、印刷しようとする領域（表示領域）の周辺の領域に配向膜の原料が漏れ広がりやすい。そのため、表示領域の周囲の非表示領域が小さくて、表示領域とシール材の領域との間隔が大きく確保できない場合には、シール材の領域にまで配向膜が流出してしまう。そして、この場合には、シール材と配向膜との接着性が不十分であることから、完全にシールすることができずに液晶層の液晶材料が漏れる原因となる。
　上記の問題を解決するため、特許文献１には、表示領域の外側、且つ、シール材が配置される領域の内側となる概略環状の領域に、表示領域の外周に沿った方向に長く延びる溝部を有する構成の液晶表示装置が開示されている。そして、この構成によれば、インクジェット法により塗布した液状の樹脂材料が表示領域の外側に広がっても、溝部において樹脂材料の広がりを止めることができ、配向膜の表示領域の外側での濡れ広がりを抑制することができると記載されている。特許文献１には、さらに、溝部表面にＩＴＯ膜等の導電膜を形成する構成が開示されている。配向膜材料である液状の樹脂材料はＩＴＯ膜に対する濡れ性が低いので、この構成により、溝部において液状の樹脂材料の濡れ広がりを止めることができると記載されている。
特開２００７－３２２６２７号公報
　ところで、特許文献１に記載された構成の液晶表示装置では、溝部が構成される領域が表示領域の外周に沿った方向に長く延びるように設けられているものの、各溝部は、配線と重ならないように形成されている。従って、溝部においては、配線が設けられたラインに沿って、有機膜が溝部を横断する畝のように溝部の底に対して隆起することとなる。ところが、本発明の発明者等は、上記の構成の液晶表示装置に関して、以下の問題点を見いだした。すなわち、表示領域の外周に溝部を設けても、溝部を横断する畝状の隆起構造が存在するので、配向膜の原料が表面張力等によって畝状の隆起構造をつたって溝部の外方に流出してしまい、配向膜のシール領域への流出を十分に制御することができないのである。
　しかしながら、溝部を横断する畝状の隆起構造が存在しないようにするために、図３２の平面図に示すように配線１０１を横切るように溝１０２を形成すると、図３３（ａ）に示すように、溝表面に導電膜１０３が設けられているので、隣り合う配線１０１同士が導電膜１０３を介して導通することとなり、両配線の電位が異なる場合にはショートしてしまう。
　一方、配線１０１同士のショートを防ぐために導電膜１０３を設けないで溝１０２を構成すると、配線１０１が表面に露出するので、腐蝕や酸化により配線１０１が劣化しやすくなる。また、図３３（ｂ）に示すように、隣り合う配線１０１にまたがって導電性の異物１０４が接触すると、その配線１０１間でショートしてしまう。さらに、溝１０２の領域に導電性ビーズ１０５が存在する場合には、露出した配線１０１と反対側の基板の電極１０６とがリークしてしまう。
　本発明は、配向膜形成時に、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを抑制して、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることにより狭額縁の表示装置を得ることを目的とする。
　本発明の表示装置は、第１基板及び第２基板が対向配置され、第１基板が、基板本体と、基板本体上に設けられた第１配線と、第１配線と絶縁膜を介して設けられた第２配線と、を備え、表示領域においては、第１配線は互いに平行に延びるように多数設けられ、第２配線は上記各第１配線と交差する方向に互いに平行に延びるように多数設けられ、両配線の平面視における交差部毎に形成されたスイッチング素子に対応して画素が構成されて所定の表示を行うものであって、第１基板の第１配線上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に第１配線を横切るように溝が形成され、溝の少なくとも第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが第２配線と同一層に設けられている。
　上記の構成によれば、溝が第１配線の上方に基板外周縁部に沿って連続して延びるように形成されているので、第１配線が設けられた領域においても、配向膜形成時、基板外側方に向かって流動する配向膜原料を溝内部に収容することができ、配向膜原料がシール領域に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを得ることができる。
　また、上記の構成によれば、溝の少なくとも第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが設けられているので、第１配線を横切るように溝が形成されていても、第１配線が溝の表面に露出したり、溝の表面に設けられた導電膜と第１配線とが導通したりすることがない。そのため、溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物を介して第１配線間でショートする虞がなく、また、第１配線が溝表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタルが溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物と接触しても、或いは、溝下地メタルが溝表面に露出しても、溝下地メタルは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示装置の表示性能に影響は及ばない。従って、優れた耐久性能を得ることができる。
　さらに、上記の構成によれば、溝下地メタルが第２配線と同一層に設けられているので、溝下地メタルと第２配線とを同時に形成することができる。従って、製造工程の増加を伴うことなく溝下地メタルを設けることができる。
　本発明の表示装置は、第１基板が矩形形状を有し、溝は、基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されていてもよい。
　上記の構成によれば、溝が連続して延びるように形成された上記対向する２辺においては、非表示領域を狭額縁化することができる。
　本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されている場合、第１配線のうち表示領域において互いに平行に延びる多数の第１配線はゲート線であって、第１基板の表示領域を囲う領域のうち対向する２辺に沿った領域は、ゲート線を外部回路と接続するための外部接続端子が設けられるゲート端子領域であることが好ましい。
　上記の構成によれば、ゲート端子領域に沿った非表示領域を狭額縁化できる一方、溝が設けらず幅広の額縁領域となった残りの２辺に沿った領域には、ソース線を修正するための修正用予備配線を非表示領域に迂回させて配置するためのスペースとして有効に使用することができる。
　本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されている場合、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する第１基板を構成する対向する２辺に沿った領域のそれぞれに、第１基板側に向かって突出するようにリブが形成されていることが好ましく、この場合、リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さく設定されている。
　上記の構成によれば、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する第１基板を構成する対向する２辺に沿った領域のそれぞれに、第１基板側に向かって突出するようにリブが形成されているので、上記対向する２辺に沿った領域では、第２基板においても、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、第１基板側の溝による流出防止と相俟って配向膜とシール材との間の距離をさらに小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを確実に得ることができる。また、リブは、基板表面からの突出高さが溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅がリブに対応する溝の幅よりも小さくなるように設定されているので、リブが設けられた領域においても溝底部とリブの突端との間の距離が第１基板と第２基板との間の距離と同じまたはそれよりも大きくなる。従って、シール材にスペーサとして混入されたガラス繊維粉砕物が溝及びリブが設けられた領域に存在しても、リブによりスペーサの機能が阻害されてセル厚の制御が困難になることがない。
　本発明の表示装置は、溝は、基板外周縁部に表示領域を囲むように環状に連続して形成されていてもよい。
　上記の構成によれば、基板外周縁部の全周において、非表示領域を狭額縁化することができる。
　本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部に表示領域を囲むように環状に連続して形成されている場合、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を環状に囲むと共に第１基板側に向かって突出するようにリブが形成されていることが好ましく、この場合、リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さく設定されている。
　上記の構成によれば、第２基板において、第１基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を囲むように環状に延びるリブが第１基板側に向かって突設されているので、第２基板においても、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、第１基板側の溝による流出防止と相俟って配向膜とシール材との間の距離をさらに小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを確実に得ることができる。また、リブは、基板表面からの突出高さが溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅がリブに対応する溝の幅よりも小さくなるように設定されているので、リブが設けられた領域においても溝底部とリブの突端との間の距離が第１基板と第２基板との間の距離と同じまたはそれよりも大きくなる。従って、シール材にスペーサとして混入されたガラス繊維粉砕物が溝及びリブが設けられた領域に存在しても、リブによりスペーサの機能が阻害されてセル厚の制御が困難になることがない。
　本発明の表示装置は、溝下地メタルが、溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、溝下地メタルが溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられているので、溝下地メタルと第１配線とのレイアウトの位置ズレの虞がなく、確実に第１配線と溝との間に溝下地メタルを設けることができる。
　本発明の表示装置は、第１基板上の表示領域以外の領域に、第２基板表面に設けられた共通電極に共通電位を与えるためのトランスファパッドが形成され、溝下地メタルは、トランスファパッドと電気的に接続されていてもよい。
　上記の構成によれば、溝下地メタルが溝形状に対応するように環状に連続して設けられ、さらに、トランスファパッドと電気的に接続されているので、溝下地メタルの電位をトランスファパッドと同じ共通電位に保持することができる。そのため、例えばシール材中に混入された導電性ビーズ等のトランスファ材を介して第２基板表面の共通電極と溝下地メタルとが導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。
　本発明の表示装置は、トランスファパッドが複数形成され、溝下地メタルが、複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されていてもよい。
　上記の構成によれば、溝下地メタルが複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されているので、外部接続端子から溝下地メタルに与えられた共通電位をそのまま各トランスファパッドに伝達することができる。つまり、各トランスファパッドに共通電位を与えるためのトランスファバスラインの機能を溝下地メタルに持たせることができ、トランスファバスラインをトランスファパッドの外周等に設ける場合よりも狭額縁化することができる。
　本発明の表示装置は、溝下地メタルが、第１配線と溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、ある場所で溝下地メタルと第１配線とが導通してしまって不良となっても、溝下地メタルが第１配線と溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられているので、不良が溝下地メタル全体に伝わることがない。
　本発明の表示装置は、溝下地メタルが、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であってもよい。
　上記の構成によれば、溝下地メタルが他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であるので、例えばシール材中に混入された導電性ビーズ等のトランスファ材を介して第２基板表面の共通電極と溝下地メタルとが導通しても、溝下地メタルがフローティング状態であるので、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。
　本発明の表示装置は、溝下地メタルの下層であって絶縁膜の上層にはシリコン膜が設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、第１配線の上層に設けられた絶縁膜や溝下地メタルの厚さが第１配線の側面において薄くなっても、溝下地メタルの下層であって絶縁膜の上層にシリコン膜が設けられているので、絶縁膜や溝下地メタルの厚さが薄くなった部分が破れて第１配線が表面に露出することがない。また、溝表面に透明導電膜が設けられている場合には、絶縁膜や溝下地メタルの厚さが薄くなって破れた部分から透明導電膜が浸入して透明導電膜と第１配線とが導通しないので、第１配線同士が短絡する虞がない。
　また、上記の構成によれば、シリコン膜の形成を表示領域内のスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）を構成するシリコン膜の形成と同時に行うことができる。従って、製造工程の増加を伴うことなくシリコン膜を設けることができる。
　本発明の表示装置は、溝表面が、透明導電膜で被覆されていてもよい。
　上記の構成によれば、溝表面が透明導電膜で被覆されているので、溝下地メタルが溝表面に露出することがなく、溝下地メタルが腐蝕して劣化するのを防止できる。
　また、溝表面は、溝下地メタルが露出していてもよい。
　上記の構成によれば、溝表面において溝下地メタルが露出しているので、透明導電膜で溝表面を被覆する場合よりも透明導電膜を設ける領域に相当する分だけ狭額縁化することができる。
　本発明の表示装置は、第２配線が、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＣｕ膜とで形成されていてもよい。
　また、第２配線が、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＡｌ膜とで形成されていてもよい。
　本発明の表示装置は、第１基板と第２基板との間には液晶層が設けられていてもよい。
　本発明によれば、第１基板には溝が基板外周縁部に沿って連続して延びるように形成されているので、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることができ、狭額縁の表示装置を得ることができる。
　また、本発明によれば、溝の少なくとも第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが設けられているので、第１配線を横切るように溝が形成されていても、第１配線が溝の表面に露出したり、溝の表面に設けられた導電膜と第１配線とが導通したりすることがない。そのため、溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物を介して隣り合う第１配線間でショートする虞がなく、また、第１配線が溝表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタルが溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物と接触しても、或いは、溝下地メタルが溝表面に露出しても、溝下地メタルは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示装置の表示性能に影響は及ばない。従って、優れた耐久性能を得ることができる。
実施形態１にかかる液晶表示装置の平面図である。 図１のII-II線における断面図である。 図１のIII-III線における断面図である。 アレイ基板の平面図である。 対向基板の平面図である。 図４の領域ＡＲ１における拡大平面図である。 図６のVII-VII線における断面図である。 図６のVIII-VIII線における断面図である。 図６のIX-IX線における断面図である。 図６のX-X線における断面図である。 液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施形態１の変形例１にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図１２のXIII-XIII線における断面図である。 実施形態１の変形例２にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図１４のXV-XV線における断面図である。 実施形態１の変形例３にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図１６のXVII-XVII線における断面図である。 実施形態１の変形例４にかかるアレイ基板の平面図である。 （ａ）は実施形態１の変形例５にかかるアレイ基板の断面図、及び（ｂ）は当該変形例の比較のための実施形態１のアレイ基板の断面図である。 実施形態１の変形例６にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ２に対応する。 （ａ）は図２０のXXIａ-XXIａ線における断面図、（ｂ）は図２０のXXIｂ-XXIｂ線における断面図である。 実施形態１の変形例７にかかるアレイ基板の要部拡大図であり、図６のIX-IX線における断面図に対応する。 実施形態１の変形例８にかかるアレイ基板の要部拡大図であり、図６のIX-IX線における断面図に対応する。 実施形態２のアレイ基板の要部拡大平面図であり、図４の領域ＡＲ１に対応する。 図２４のXXV-XXV線における断面図である。 （ａ）～（ｃ）は図２４の要部拡大図である。 実施形態３にかかる液晶表示装置の平面図である。 アレイ基板の平面図である。 対向基板の平面図である。 図２８の領域ＡＲ３における拡大平面図である。 実施形態３の変形例９にかかるアレイ基板の要部拡大平面図であり、図２８の領域ＡＲ３に対応する。 本発明の課題の問題点を説明するための液晶表示装置の平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、図３２中のXXXIII-XXXIII線における断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態１～３では、表示装置として、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えたアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置を例に説明する。但し、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。
　　《実施形態１》
　図１及び２は、実施形態１にかかる液晶表示装置１０の全体概略図を示す。また、図３は、液晶表示装置１０のシール領域ＳＬ付近の拡大断面図を示す。さらに、図４及び５は、それぞれアレイ基板２０及び対向基板３０の平面図を示す。
　液晶表示装置１０は、互いに対向して配置されたアレイ基板２０（第１基板）及び対向基板３０（第２基板）を備えている。アレイ基板２０は、基板本体２０Ｓ上に、ゲート線２１を含む第１メタル（第１配線）、ゲート絶縁膜２２、ソース線２３（図６参照）を含む第２メタル（第２配線）、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、画素電極（図示せず）を含む第３メタル、及び配向膜２６が積層形成されている。アレイ基板２０の詳細な構成については後述する。また、対向基板３０は、基板本体３０Ｓ上に、共通電極３１、カラーフィルタ及びブラックマトリクス（不図示）、並びに配向膜３２が積層形成されており、基板外周縁部の非表示領域Ｎにおいては、ブラックマトリクスによる遮光領域（不図示）が構成されている。そして、アレイ基板２０及び対向基板３０は、それらの外周縁部をシール領域ＳＬとして枠状に配置されたシール材４０により接着されている。そして、両基板２０及び３０の間のシール材４０に包囲された空間には、表示層として液晶層５０が設けられており、表示領域Ｄを構成している。また、表示領域Ｄの周囲の非表示領域Ｎの一部は、実装部品などの外部接続端子を取り付けるための端子領域Ｔとなっている。
　なお、アレイ基板２０には、図４に示すように、表示領域Ｄを囲うように環状に、パッシベーション膜２４及び平坦化膜２５と同一層に、溝２７が設けられており、配向膜２６形成時に表示領域Ｄから非表示領域Ｎ側に配向膜２６の原料である液状の樹脂材料が流出するのが抑制される。溝２７は、１列だけ設けられていても、複数列設けられていてもよい（図４では２列）。一方、対向基板３０には、図５に示すように、表示領域Ｄを囲うように環状にリブ３３が設けられており、配向膜３２形成時に表示領域Ｄから非表示領域Ｎ側に配向膜３２の原料である液状の樹脂材料が流出するのが抑制される。リブ３３は、１列だけ設けられていても、複数列設けられていてもよい（図５では２列）。リブ３３は、アレイ基板２０上に設けられた溝２７の領域に対応して、溝２７とリブ３３とが互いに嵌って重ね合わせられるように位置付けられている。各基板において溝２７やリブ３３を設けて配向膜２６，３２の原料である液状の樹脂材料が流出するのを抑制することにより、配向膜２６，３２とシール材４０との間の距離を小さくすることができ、狭額縁化できる。
　溝２７は、例えば溝２７の幅（図３のＷ１）が５０μｍ程度及び溝２７の深さ（図３のＨ１）が２．５μｍ程度である。また、リブ３３は、例えばリブ３３の幅（図３のＷ２）が３０μｍ程度及び基板表面からの突出高さ（図３のＨ２）が２．０μｍ程度である。シール材４０には、アレイ基板２０と対向基板３０の間の距離を一定に保持するためのスペーサとして、繊維径が両基板間の距離に設定されたガラス繊維粉砕物４１（例えば、繊維径が４．０μｍ程度）が混入されている。対向基板３０の非表示領域Ｎにリブ３３が設けられている場合、リブ３３が設けられた領域にガラス繊維粉砕物４１が存在すると、両基板間の距離がガラス繊維粉砕物４１の繊維径とリブ３３の高さの和となり、セル厚の制御が困難になる虞がある。しかしながら、溝２７とリブ３３とが互いに嵌り合うように対応する位置に設けられ、リブ３３は、基板表面からの突出高さ（Ｈ２）が溝２７の深さ（Ｈ１）以下となるように、また、リブ３３の幅（Ｗ２）がリブ３３に対応する溝２７の幅（Ｗ１）よりも小さく設定されている。そのため、対向基板３０にリブ３３が設けられていても、溝２７の底部とリブ３３の突端との間の距離が、アレイ基板２０と対向基板３０との間の距離（つまり、ガラス繊維粉砕物４１の繊維径）以上となりガラス繊維粉砕物４１が存在するための十分な空間が確保されるので、リブ３３でガラス繊維粉砕物４１が詰まってしまってスペーサの機能が阻害されセル厚の制御が困難になることがない。
　液晶表示装置１０は、各画素において、ＴＦＴがオン状態になったときに、画素電極と共通電極３１との間で電位差が生じ、液晶層５０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置１０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
　以下、図６～１０を用いて、アレイ基板２０の詳細な構成について説明する。なお、図６では、各配線の状態を簡潔に示すために、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、第３メタル等の図示を省略し、便宜上、第１メタルや第２メタルを実線で示している（以下、図１１，１３，１５及び１９についても同様である）。
　アレイ基板２０上には、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる多数のゲート線２１（走査信号配線）、及び、互いに平行に延びる多数のソース線２３（映像信号配線）が配設されている。ソース線２３とゲート線２１とは、基板厚さ方向にはゲート絶縁膜２２で絶縁されていると共に、互いに交差する方向（例えば、直交方向）に延びるように設けられている。それらの平面視における各交点に近傍には、それぞれスイッチング素子としてＴＦＴ（不図示）が形成されている。そして、液晶表示装置１０は、各ＴＦＴに対応するように画素が構成されて所定の表示を行う。
　多数のゲート線２１は、第１メタルで形成されている。また、多数のソース線２３は、第２メタルで形成されている。第１メタル及び第２メタルは、例えば、Ｔｉ膜（厚さ３０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＣｕ膜（厚さ１００ｎｍ程度）とで形成されている。
　多数のゲート線２１のそれぞれの端部は、図７に示すように、非表示領域Ｎにまで延びるように設けられ、端子領域Ｔに実装されたゲートドライバ（不図示）に接続されている。一方、多数のソース線２３のそれぞれは、非表示領域Ｎにおいて、多数のソース引き出し線２３ａに接続されている。ソース引き出し線２３ａは、第１メタルでゲート線２１と同一層に設けられ、端子領域Ｔにおいてソースドライバ（不図示）に接続されている。ソース線２３とソース引き出し線２３ａとは、図１０に示すように、ソース線コンタクト部２３ｂにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第３メタルからなる導電膜２３ｃを介して電気的に接続されている。
　アレイ基板２０には、上述したように、第１メタルの上方であってパッシベーション膜２４や平坦化膜２５と同一層に基板外周縁部に表示領域Ｄを囲むように環状に連続した溝２７が設けられている。溝２７は、感光性アクリル平坦化膜２５を現像し、現像した平坦化膜２５をマスクとしてエッチングして凹部を設けることにより形成されたものである。溝２７は、ゲート線２１やその同一層のソース引き出し線２３ａのそれぞれの上層を横切るように設けられている。溝２７が、ゲート線２１やソース引き出し線２３ａ等の第１メタルの上層においてもそれらを横切るように環状に連続して設けられているので、配向膜２６の形成時に配向膜２６の原料が基板外側方に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜２６とシール材４０との間の距離を小さくすることにより狭額縁化できる。
　溝２７には、図７～１０に示すように、その下層に溝下地メタル２７ａが設けられている。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形成時にエッチングストッパとして機能する。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形状に対応するように環状に連続して設けられている。溝下地メタル２７ａの幅は溝２７の幅よりも大きく、例えば６０μｍ程度である。溝下地メタル２７ａは、第２メタルで構成されている。溝２７の下層に溝下地メタル２７ａが設けられているので、溝２７形成時にエッチングによってゲート線２１やソース引き出し線２３ａ等の第１メタルが表面に露出することがない。そのため、溝２７表面に存在する導電性の物体を介して第１メタル間でショートする虞がなく、また、第１メタルが溝２７表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に存在する導電性の物体を介して導通しても、溝下地メタル２７ａは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示上、不良が生じる虞がない。なお、溝下地メタル２７ａは第２メタルでソース線２３と同一層に形成されているので、ソース線２３と同時に形成することができる。
　また、溝２７の表面は透明導電膜２７ｂで被覆されている。透明導電膜２７ｂは、ＩＴＯ膜等の第３メタルで形成されている。透明導電膜２７ｂで溝２７表面が被覆されているので、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に露出することがなく、溝下地メタル２７ａの腐蝕等が起こる虞がない。
　アレイ基板２０には、非表示領域Ｎに、さらに、トランスファパッド２８が設けられている。トランスファパッド２８は、表示領域Ｄを囲むように複数個設けられている。トランスファパッド２８は、アレイ基板２０と対向基板３０間に介在するトランスファ材を介して対向基板３０の全面に設けられた共通電極３１と電気的に接続されており、トランスファパッド２８を共通電位に保持することにより共通電極３１に共通電位を与える機能を有する。
　トランスファ材としては、例えば、シール材４０中に混入された導電性ビーズ（不図示）等が挙げられる。導電性ビーズは、例えばプラスチックの表面に金メッキを行ったものである。
　トランスファパッド２８のそれぞれは、トランスファパッド２８の外周に設けられたトランスファバスライン（不図示）と接続されている。トランスファバスラインは外部接続端子に接続されている。外部接続端子に共通電位が与えられると、共通電位がそのまま各トランスファパッド２８に伝達され、さらにトランスファ材を介して対向基板３０の共通電極３１に共通電位が伝達される。
　トランスファパッド２８は、トランスファパッド引き出し線２８ａで、溝下地メタル２７ａと電気的に接続されている。ここでは、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうちの外周側がトランスファパッド２８と接続されている。トランスファパッド引き出し線２８ａと溝下地メタル２７ａとは、図９に示すように、トランスファパッドコンタクト部２８ｂにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第３メタルからなる導電膜２８ｃを介して電気的に接続されている。トランスファパッド２８と溝下地メタル２７ａとが電気的に接続されていることにより、溝下地メタル２７ａの電位をトランスファパッド２８と同じ共通電位に保持することができる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。なお、複数のトランスファパッド２８のうち１つのトランスファパッド２８だけがトランスファパッド引き出し線２８ａを介して溝下地メタル２７ａと接続されていても、複数、或いは全部のトランスファパッド２８が溝下地メタル２７ａと接続されていても、いずれでもよい。
　なお、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうち内周側のものは、トランスファパッド２８と非接続なので、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。
　　＜液晶表示装置１０の製造方法＞
　次に、図１１のフローチャートを参照し、本実施形態の液晶表示装置１０を製造する方法について説明する。本実施形態の製造方法は、図１１のステップＳ１１～Ｓ１９に対応するアレイ基板作製工程と、図１１のステップＳ２１～Ｓ２４に対応する対向基板作製工程と、図１１のステップＳ３～Ｓ７に対応する液晶表示パネル作製工程とを備えている。
　　（アレイ基板作製工程）
　まず、ステップＳ１１おいて、公知の方法で基板本体２０Ｓ上に第１メタルを設けることにより、ゲート線２１、ソース引き出し線２３ａ、トランスファパッド引き出し線２８ａ等を同時に形成する。そして、ステップＳ１２及びＳ１３において、公知の方法により、ゲート絶縁膜２２及び半導体層を形成する。
　次に、ステップＳ１４おいて、公知の方法でゲート絶縁膜２２及び半導体層の上層に第２メタルを設けることにより、ソース線２３や溝下地メタル２７ａ等を同時に形成する。そして、ステップＳ１５において、半導体層にチャネル部をパターニングすることにより、ＴＦＴを形成する。
　続いて、ステップＳ１６において、公知の方法により、パッシベーション膜２４及び平坦化膜２５を順に形成した後にステップＳ１７において感光性アクリル平坦化膜２５現像し、現像した平坦化膜２５をマスクとしてをエッチングし、溝２７を形成する。このとき、溝下地メタル２７ａがエッチングストッパとして機能し、溝２７の表面に溝下地メタル２７ａが露出した状態となる。そして、ステップＳ１８において、平坦化膜２５の上層に公知の方法で第３メタルを設けることにより、画素電極や溝２７表面を覆う透明導電膜２７ｂ等を形成する。
　最後に、ステップＳ１９において、公知の方法により配向膜２６を形成して、アレイ基板２０が完成する。
　　（対向基板作製工程）
　まず、ステップＳ２１において、公知の方法により、基板全体を覆うように透明導電膜２７ｂを成膜して共通電極３１を形成する。そして、ステップＳ２２において、公知の方法により、基板本体３０Ｓ上にブラックマトリクス及びカラーフィルタを形成する。このとき同時に、リブ３３を設ける領域、つまり対向基板３０の外周縁部に沿った領域にもブラックマトリクスまたはカラーフィルタでリブ３３の下層部分３３ａを形成する。
　次に、ステップＳ２３において、公知の方法により、リブ３３を設ける対向基板３０の外周縁部に沿った領域に有機樹脂膜３３ｂを成膜し、リブ３３を形成する。このとき同時に、表示領域Ｄにおいて所定のレイアウトとなるようにリブ３３を形成して液晶配向規制用リブとしてもよい。
　最後に、ステップＳ２４において、公知の方法により配向膜３２を形成して、対向基板３０が完成する。
　　（液晶表示パネル作製工程）
　まず、公知の方法によって、ステップＳ３において、対向基板３０上の表示領域Ｄの周りにシール材原料を塗布し、続いてステップＳ４において、シール材原料で囲まれた領域に液晶材料を滴下して液晶層５０を形成する。
　次に、ステップＳ５において、シール材原料を挟むように対向基板３０上にアレイ基板２０を重ねる。このとき、非表示領域Ｎにおいてアレイ基板２０の溝２７と対向基板３０のリブ３３とが嵌り合うように重ねる。
　最後に、ステップＳ６において、シール材原料にＵＶ照射及び／又は加熱を行うことにより、シール材原料を硬化する。このときアレイ基板２０と対向基板３０とが接着されて液晶表示パネルが完成する（ステップＳ７）。液晶表示パネルに偏光板貼り付け、実装部材を実装し、バックライト装着等のモジュール化処理を行うことにより液晶表示装置１０が完成する。
　　＜実施形態１の変形例＞
　以下、実施形態１の変形例について説明する。
　　（変形例１～３）
　実施形態１では、溝２７が２重に設けられ、最外周の溝２７に対応する溝下地メタル２７ａだけがトランスファパッド２８と接続されて、内周側の溝２７の下層の溝下地メタル２７ａは他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であるとして説明したが、溝２７が複数列設けられている場合に全ての溝２７に対応するそれぞれの溝下地メタル２７ａがトランスファパッド２８と接続されていてもよく、その反対に、全ての溝下地メタル２７ａがフローティング状態であってもよい。
　例えば、図１２及び１３に変形例１として示すように、トランスファパッド引き出し線２８ａを内側の溝２７の下層近傍まで延びるように形成し、外側の溝２７の下層の溝下地メタル２７ａと同様に内側の溝２７の下層の溝下地メタル２７ａともトランスファパッドコンタクト部２８ｂを介して電気的に接続してもよい。また、実施形態１のように１つの溝２７に対して１つの溝下地メタル２７ａが設けられている構成の他、例えば図１４及び１５に変形例２として示すように、複数の溝２７の溝下地メタル２７ａが一体に設けられていてもよい。この場合でも、全ての溝２７の下層の溝下地メタル２７ａに共通電位が与えられることとなる。
　また、例えば図１６及び１７に変形例３として示すように、トランスファパッド２８にはトランスファパッド引き出し線２８ａが設けられず、溝下地メタル２７ａがトランスファパッド２８と非接続であってもよい。この場合、全ての溝下地メタル２７ａが、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。
　　（変形例４）
　実施形態１では、トランスファパッド２８はその外周に設けられたトランスファバスライン（不図示）から共通電位が与えられるとしたが、トランスファパッド２８の外周にトランスファバスラインを設けないで、図１８に変形例４として示すように、溝下地メタル２７ａにトランスファバスラインの機能を持たせてもよい。この場合、溝下地メタル２７ａは共通電位入力線２８ｄによって外部接続端子（不図示）に接続されると共に、トランスファパッド２８のそれぞれとトランスファパッド引き出し線２８ａを介して電気的に接続されている。そして、外部接続端子から与えられた共通電位は溝下地メタル２７ａを介してトランスファパッド２８に伝達される。溝下地メタル２７ａにトランスファバスラインの機能を与えることにより、トランスファバスラインをトランスファパッド２８の外周に独立に設けるのを省略することができ、狭額縁化できる。
　　（変形例５）
　実施形態１の構成に加えて、ゲート絶縁膜２２と溝下地メタル２７ａとの間には、図１９（ａ）に変形例５として示すように、シリコン膜２７ｃが形成されていてもよい。シリコン膜２７ｃは、表示領域Ｄに設けられるＴＦＴの半導体層と同一の材料で形成する。
　ゲート絶縁膜２２や溝下地メタル２７ａは、第１メタルが設けられた領域で隆起するように設けられているので、成膜条件によっては、図１９（ｂ）に示すように、隆起部の壁の領域における溝下地メタル２７ａが薄くなる。そのため、例えばゲート絶縁膜２２やパッシベーション膜２４にドライエッチングによりコンタクトホールを設ける工程において、ゲート絶縁膜２２や溝下地メタル２７ａが薄くなった部分に穴が開き、溝下地メタル２７ａの上層に設けられた透明導電膜２７ｂがゲート線２１と導通し、ゲート線２１同士が透明導電膜２７ｂを介して短絡してしまう虞がある。
　しかしながら、溝下地メタル２７ａの下層にシリコン膜２７ｃが設けられていることにより、隆起部の壁の領域の溝下地メタル２７ａが薄くなっても、シリコン膜２７ｃがドライエッチング時のエッチングストッパとして機能するので、導電膜を介して第１メタル同士が短絡するのを抑制することができる。
　また、シリコン膜２７ｃは、ＴＦＴの半導体層の形成におけるシリコン膜のレイアウトを変更することのみによって形成することができるので、溝下地メタル２７ａの下層にもシリコン膜２７ｃを設けるための特別な工程を追加する必要がない。
　　（変形例６）
　実施形態１では、対向基板３０の額縁領域にはブラックマトリクスにより遮光領域が形成されているとして説明したが、対向基板３０ではなくアレイ基板２０側の額縁領域に遮光層が設けられて遮光領域Ｓが形成されていてもよい。この場合、図２０及び２１に変形例６として示すように、溝下地メタル２７ａに遮光層としての機能を兼ねさせることができる。
　　（変形例７）
　実施形態１では溝２７表面が透明導電膜２７ｂで被覆されているとして説明したが、例えば、図２２に変形例７として示すように、溝２７表面が透明導電膜２７ｂで被覆されていないで溝下地メタル２７ａが露出していてもよい。
　溝２７表面に透明導電膜２７ｂを設けないことにより、透明導電膜２７ｂを設けるための領域幅の分（図２２の距離Ｕ参照）、表示装置を狭額縁化することができる。また、溝下地メタル２７ａが露出していることにより溝２７表面が透明導電膜２７ｂで被覆されている場合よりも溝下地メタル２７ａが腐蝕されやすくなるが、溝下地メタル２７ａは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示性能の低下の虞がない。なお、この場合、第２メタル形成時の温度制御やプロセス条件を調整することにより、第２メタル（溝下地メタル２７ａ）の耐腐蝕性を高めることができる。
　　（変形例８）
　実施形態１では、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＣｕ膜とで第１メタル及び第２メタルを形成するとして説明したが、特にこれに限られない。例えば、Ｔｉ膜（厚さ５０ｎｍ程度）、Ａｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びＴｉ膜（厚さ１００ｎｍ程度）を下層から順に積層して第１メタルを形成し、Ｔｉ膜（厚さ５０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＡｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）とで第２メタルを形成してもよい。また、Ｍｏ（厚さ５０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＡｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）とで第１メタルを形成し、Ｍｏ（厚さ５０ｎｍ程度）、Ａｌ膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びＭｏ（厚さ５０ｎｍ程度）を下層から順に積層して第２メタルを形成してもよい。
　第２メタルをＴｉ膜とＡｌ膜との積層体で構成し、透明導電膜２７ｂとして溝２７表面にＩＴＯ膜を設ける場合、図２３に変形例８として示すように、溝下地メタル２７ａとＩＴＯ膜２７ｂが接触する領域は溝下地メタル２７ａをＴｉ膜２７ｄの単層膜として形成し、透明導電膜２７ｂがＡｌ膜２７ｅと接触しないようにすることが好ましい。Ａｌ膜とＩＴＯ膜とはイオン化傾向の差が大きいため、Ａｌ膜２７ｅがＩＴＯ膜２７ｂに接触した状態ではＡｌ膜２３ｅが電蝕しやすくなってしまうからである。
　なお、実施形態１では対向基板３０に、表示領域Ｄを囲むように環状にリブ３３が設けられているとして説明したが、リブ３３が設けられていない対向基板３０で液晶表示装置１０が構成されていてもよい。但し、対向基板３０の配向膜３２の原料のシール領域ＳＬへの流出防止による狭額縁化の観点からは、対向基板３０にはリブ３３が設けられていることが好ましい。
　　《実施形態２》
　次に、実施形態２の液晶表示装置１０について説明する。なお、実施形態１と同一または対応する構成については実施形態１と同一の参照符号を用いて説明する。
　液晶表示装置１０は、アレイ基板２０と対向基板３０とが対向して配置され、それらの外周縁部に配置されたシール材４０により接着され、シール材４０に包囲された空間には、表示層として液晶層５０が設けられている。この液晶表示装置１０は、アレイ基板２０を除いて実施形態１と同一の構成を有する。
　アレイ基板２０は、実施形態１と同様に、基板本体２０Ｓ上に、ゲート線２１を含む第１メタル、ゲート絶縁膜２２、ソース線２３を含む第２メタル、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、画素電極を含む第３メタル、及び配向膜２６が積層形成され、表示領域Ｄを囲うように環状に連続して溝２７が設けられている。
　溝２７の下層には溝下地メタル２７ａが設けられているが、実施形態２では、図２４及び２５に示すように、ソース引き出し線２３ａと溝２７とが平面視で重なる領域に対応するように、島状に離間した複数の溝下地メタル２７ａが設けられている。
　溝下地メタル２７ａを島状に離間して設けることにより、溝下地メタル２７ａの一点において溝下地メタル２７ａがその下層のソース引き出し線２３ａやゲート線２１と導通して不良となった場合でも、その不良が溝下地メタル２７ａ全体に伝わることがなく、歩留まりが向上する。
　また、溝下地メタル２７ａを島状に離間して設けることにより、溝２７の下層のうち溝下地メタル２７ａが設けられていない領域では溝下地メタル２７ａの分だけ溝２７の深さが深くなる。そのため、配向膜２６の原料が基板外側方に流出するのをより有効に抑制することができる。
　溝下地メタル２７ａが島状に離間して設けられている場合には、各溝下地メタル２７ａは他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となっているので、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとが例えばシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。
　なお、溝２７表面は、ＩＴＯ膜等の第３メタルである透明導電膜２７ｂで被覆されていてもよい。その場合、図２６（ａ）に示すように溝２７表面の全面を覆うように透明導電膜２７ｂを設けてもよく、図２６（ｂ）に示すように溝２７表面のうち溝下地メタル２７ａが形成された領域を覆うように透明導電膜２７ｂを設けてもよい。また、図２６（ｃ）に示すように、溝２７表面を透明導電膜２７ｂで被覆しなくてもよい。
　その他の構成や効果については実施形態１に記載の通りである。また、実施形態１の変形例としてあげた例を実施形態２に適用することも可能である。
　　《実施形態３》
　次に、実施形態３の液晶表示装置１０について説明する。
　図２７は、実施形態３にかかる液晶表示装置１０の全体概略図を示す。液晶表示装置１０のシール領域ＳＬ付近の拡大断面図は、実施形態１について示した図３と同様である。また、図２８及び２９は、それぞれアレイ基板２０及び対向基板３０の平面図を示す。なお、実施形態１と同一または対応する構成については実施形態１と同一の参照符号を用いて説明する。
　液晶表示装置１０は、アレイ基板２０と対向基板３０とが対向して配置され、それらの外周縁部のシール領域ＳＬに配置されたシール材４０により接着され、シール材４０に包囲された空間には、表示層として液晶層５０が設けられている。液晶層５０が設けられた領域は表示領域Ｄを構成し、その周囲が枠状の非表示領域Ｎとなっている。非表示領域Ｎは、液晶表示装置１０の長辺方向の１辺の一部がソース端子領域Ｔｓ、及び短辺方向の２辺の一部がゲート端子領域Ｔｇとなっている。シール領域ＳＬは、液晶表示装置１０の長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも長くなるように配置されている。
　アレイ基板２０は、実施形態１と同様に、基板本体２０Ｓ上に、ゲート線２１を含む第１メタル、ゲート絶縁膜２２、ソース線２３を含む第２メタル、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、画素電極を含む第３メタル、及び配向膜２６が積層形成されている。そして、アレイ基板２０には、パッシベーション膜２４及び平坦化膜２５と同一層に溝２７が設けられている。溝２７は、非表示領域Ｎのうち狭額縁のゲート端子領域Ｔｇのそれぞれに沿って延びるように設けられている。溝２７により、配向膜２６形成時に表示領域Ｄからゲート端子領域Ｔｇ側に配向膜２６の原料である液晶の樹脂材料が流出するのが抑制される。溝２７は、１列だけ設けられていても複数列設けられていてもよい（図２８では２列）。
　対向基板３０は、基板本体３０Ｓ上に、共通電極３１，カラーフィルタ及びブラックマトリクス、並びに配向膜３２が積層形成されており、非表示領域Ｎにおいては、ブラックマトリクスにより遮光領域が構成されている。そして、対向基板３０には、○○と同一層にリブ３３が設けられている。リブ３３は、非表示領域Ｎのうち狭額縁のゲート端子領域Ｔｇのそれぞれに沿って延びるように設けられている。リブ３３により、配向膜３２形成時に表示領域Ｄからゲート端子領域Ｔｇ側に向かって配向膜３２の樹脂材料が流出するのが抑制される。リブ３３は、１列だけ設けられていても複数列設けられていてもよい（図２９では２列）。
　リブ３３は、アレイ基板２０上に設けられた溝２７の領域に対応して、溝２７とリブ３３とが互いに嵌って重ね合わせられるように位置付けられている。各基板において溝２７やリブ３３を設けて配向膜２６，３２の原料である液状の樹脂材料が表示領域Ｄからゲート端子領域Ｔｇ側に向かって流出するのを抑制することにより、ゲート端子領域Ｔｇに沿った部分における配向膜２６，３２とシール材４０との間の距離（図２７中の「ｂ」）を小さくすることができ、狭額縁化できる。溝２７とリブ３３が設けられた部分におけるアレイ基板２０と対向基板３０との重ね合わせ状態の断面図は、実施形態１の図３と同一である。
　実施形態１と同様、溝２７は、例えば溝２７の幅（図３のＷ１）が５０μｍ程度及び溝２７の深さ（図３のＨ１）が２．５μｍ程度である。また、リブ３３は、例えばリブ３３の幅（図３のＷ２）が３０μｍ程度及び基板表面からの突出高さ（図３のＨ２）が２．０μｍ程度である。シール材４０には、アレイ基板２０と対向基板３０の間の距離を一定に保持するためのスペーサとして、繊維径が両基板間の距離に設定されたガラス繊維粉砕物４１（例えば、繊維径が４．０μｍ程度）が混入されている。対向基板３０の非表示領域Ｎにリブ３３が設けられている場合、リブ３３が設けられた領域にガラス繊維粉砕物４１が存在すると、両基板間の距離がガラス繊維粉砕物４１の繊維径とリブ３３の高さの和となり、セル厚の制御が困難になる虞がある。しかしながら、溝２７とリブ３３とが互いに嵌り合うように対応する位置に設けられ、リブ３３は、基板表面からの突出高さ（Ｈ２）が溝２７の深さ（Ｈ１）以下となるように、また、リブ３３の幅（Ｗ２）がリブ３３に対応する溝２７の幅（Ｗ１）よりも小さく設定されている。そのため、対向基板３０にリブ３３が設けられていても、溝２７の底部とリブ３３の突端との間の距離が、アレイ基板２０と対向基板３０との間の距離（つまり、ガラス繊維粉砕物４１の繊維径）以上となりガラス繊維粉砕物４１が存在するための十分な空間が確保されるので、リブ３３でガラス繊維粉砕物４１が詰まってしまってスペーサの機能が阻害されセル厚の制御が困難になることがない。
　液晶表示装置１０は、各画素において、ＴＦＴがオン状態になったときに、画素電極と共通電極３１との間で電位差が生じ、液晶層５０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置１０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
　以下、図３０等を用いて、アレイ基板２０の詳細な構成について説明する。なお、図３０では、各配線の状態を簡潔に示すために、パッシベーション膜２４、平坦化膜２５、第３メタル等の図示を省略し、便宜上、第１メタルや第２メタルを実線で示している。
　アレイ基板２０上には、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びる多数のゲート線２１（走査信号配線）、及び、互いに平行に延びる多数のソース線２３（映像信号配線）が配設されている。ソース線２３とゲート線２１とは、基板厚さ方向にはゲート絶縁膜２２で絶縁されていると共に、互いに交差する方向（例えば、直交方向）に延びるように設けられている。それらの平面視における各交点に近傍には、それぞれスイッチング素子としてＴＦＴ（不図示）が形成されている。そして、液晶表示装置１０は、各ＴＦＴに対応するように画素が構成されて所定の表示を行う。
　多数のゲート線２１は、第１メタルで形成されている。また、多数のソース線２３は、第２メタルで形成されている。第１メタル及び第２メタルは、例えば、Ｔｉ膜（厚さ３０ｎｍ程度）とその上層に積層されたＣｕ膜（厚さ１００ｎｍ程度）とで形成されている。
　多数のゲート線２１のそれぞれの端部は、非表示領域Ｎにまで延びるように設けられ、端子領域Ｔに実装されたゲートドライバ（不図示）に接続されている。一方、多数のソース線２３のそれぞれは、非表示領域Ｎにおいて、多数のソース引き出し線２３ａに接続されている。ソース引き出し線２３ａは、第１メタルでゲート線２１と同一層に設けられ、端子領域Ｔにおいてソースドライバ（不図示）に接続されている。ソース線２３とソース引き出し線２３ａとは、ソース線コンタクト部２３ｂにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第３メタルからなる導電膜２３ｃを介して電気的に接続されている。
　アレイ基板２０には、上述したように、第１メタルの上方であってパッシベーション膜２４や平坦化膜２５と同一層に、非表示領域Ｎにおいてゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように連続した溝２７が設けられている。溝２７は、感光性アクリル平坦化膜２５を現像し、現像した平坦化膜２５をマスクとしてエッチングして凹部を設けることにより形成されたものである。溝２７は、ゲート線２１のそれぞれの上層を横切るように設けられている。溝２７が、ゲート線２１等の第１メタルの上層においてもそれらを横切るように連続して設けられているので、配向膜２６の形成時に配向膜２６の原料が基板外側方に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、ゲート端子領域Ｔｇに沿った額縁領域において、配向膜２６とシール材４０との間の距離を小さくすることにより狭額縁化できる。
　溝２７には、図３０に示すように、その下層に溝下地メタル２７ａが設けられている。アレイ基板２０の溝２７及び溝下地メタル２７ａを含む断面図は、実施形態１の図７と同様である。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形成時にエッチングストッパとして機能する。溝下地メタル２７ａは、溝２７の形状に対応して、ゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように連続して設けられている。溝下地メタル２７ａの幅は溝２７の幅よりも大きく、例えば６０μｍ程度である。溝下地メタル２７ａは、第２メタルで構成されている。溝２７の下層に溝下地メタル２７ａが設けられているので、溝２７形成時にエッチングによってゲート線２１等の第１メタルが表面に露出することがない。そのため、溝２７表面に存在する導電性の物体を介して第１メタル間でショートする虞がなく、また、第１メタルが溝２７表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に存在する導電性の物体を介して導通しても、溝下地メタル２７ａは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示上、不良が生じる虞がない。なお、溝下地メタル２７ａは第２メタルでソース線２３と同一層に形成されているので、ソース線２３と同時に形成することができる。
　また、溝２７の表面は透明導電膜２７ｂで被覆されている。透明導電膜２７ｂは、ＩＴＯ膜等の第３メタルで形成されている。透明導電膜２７ｂで溝２７表面が被覆されているので、溝下地メタル２７ａが溝２７表面に露出することがなく、溝下地メタル２７ａの腐蝕等が起こる虞がない。
　アレイ基板２０には、非表示領域Ｎに、さらに、トランスファパッド２８が設けられている。トランスファパッド２８は、表示領域Ｄを囲むように複数個設けられている。トランスファパッド２８は、アレイ基板２０と対向基板３０間に介在するトランスファ材を介して対向基板３０の全面に設けられた共通電極３１と電気的に接続されており、トランスファパッド２８を共通電位に保持することにより共通電極３１に共通電位を与える機能を有する。トランスファパッド２８を含むアレイ基板２０の断面図は実施形態１の図９と同様である。
　トランスファ材としては、例えば、シール材４０中に混入された導電性ビーズ（不図示）等が挙げられる。導電性ビーズは、例えばプラスチックの表面に金メッキを行ったものである。
　トランスファパッド２８のそれぞれは、トランスファパッド２８の外周に設けられたトランスファバスライン（不図示）と接続されている。トランスファバスラインは外部接続端子に接続されている。外部接続端子に共通電位が与えられると、共通電位がそのまま各トランスファパッド２８に伝達され、さらにトランスファ材を介して対向基板３０の共通電極３１に共通電位が伝達される。
　ゲート端子領域Ｔｇのトランスファパッド２８は、実施形態１と同様、図３０に示すように、トランスファパッド引き出し線２８ａで溝下地メタル２７ａと電気的に接続されている。ここでは、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうちの外周側がトランスファパッド２８と接続されている。トランスファパッド２８と溝下地メタル２７ａとが電気的に接続されていることにより、溝下地メタル２７ａの電位をトランスファパッド２８と同じ共通電位に保持することができる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。なお、複数のトランスファパッド２８のうち１つのトランスファパッド２８だけがトランスファパッド引き出し線２８ａを介して溝下地メタル２７ａと接続されていても、複数、或いは全部のトランスファパッド２８が溝下地メタル２７ａと接続されていても、いずれでもよい。
　なお、２重に形成された溝下地メタル２７ａのうち内周側のものは、トランスファパッド２８と非接続なので、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極３１と溝下地メタル２７ａとがシール材４０中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。
　実施形態３の液晶表示装置１０によれば、非表示領域Ｎのうちゲート端子領域Ｔｇに沿った部分について溝２７及びリブ３３を形成するのでゲート端子領域Ｔｇに沿った部分について狭額縁化する効果が得られる。一方で、非表示領域Ｎのうちソース端子領域Ｔｓに沿った部分については狭額縁されないこととなるが、その額縁領域については、例えば、ソース線２３の修正用予備配線を非表示領域Ｎに迂回させて配置するためのスペースとして有効に使用することができる。
　その他の構成や効果については実施形態１に記載の通りである。また、実施形態１の変形例としてあげた例を実施形態３に適用することも可能である。さらに、実施形態２のように溝下地メタル２７ａを島状に離間して設けることも可能である。
　実施形態３の液晶表示装置１０は、非表示領域Ｎの額縁幅や溝２７及びリブ３３のレイアウトが異なることを除いて、実施形態１と同様の工程で作製可能である。
　　＜実施形態３の変形例＞　
　以下、実施形態３の変形例について説明する。
　　（変形例９）
　実施形態３では、各溝２７やリブ３３がそれぞれ２列並行して設けられているとして説明したが、２列に設けられた溝２７の端部やリブ３３の端部が、図３１に変形例９として示すように閉じた状態になっていてもよい。
　　（その他の変形例）
　実施形態３では、非表示領域Ｎの液晶表示装置１０の長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも長く設定されているとして説明したが、長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも短く設定されていてもよい。その場合、より狭額縁となった長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の領域（ソース端子領域Ｔｓに沿った領域）に溝２７やリブ３３を形成することにより、配向膜２６、３２がソース端子領域Ｔｓ側に流出するのを抑制することができる。
　但し、ソース端子領域Ｔｓに沿った領域を幅広に形成した場合には、その領域に予備配線をレイアウトして幅広領域を有効活用できることから、非表示領域Ｎの液晶表示装置１０の長辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ａ」の長さ）が、短辺方向における表示領域Ｄとシール領域ＳＬの間の距離（図２７中の「ｂ」の長さ）がよりも長く設定されていることが好ましい。
　また、実施形態３では、溝２７とリブ３３とが対応する領域に形成されているとして説明したが、溝２７が実施形態１のように環状に設けられている一方でリブ３３がゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように設けられていてもよく、リブ３３が実施形態１のように環状に設けられている一方で溝２７がゲート端子領域Ｔｇに沿って延びるように設けられていてもよい。
　　《その他の実施形態》
　実施形態１～３では、表示装置として、液晶表示パネルを備えた液晶表示装置１０にかかるものを例示したが、本発明は、プラズマディスプレイ（ＰＤ）、プラズマアドレス液晶ディスプレイ（ＰＡＬＣ）、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイ、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、表面電界ディスプレイ（ＳＥＤ）などの表示装置にも適用することができる。
　本発明は、液晶表示装置等の表示装置について有用であり、特に、配向膜の塗布領域の制御について有用である。
　　　　　Ｄ　　　　表示領域
　　　　　Ｔｇ　　　ゲート端子領域
　　　　　１０　　　表示装置（液晶表示装置）
　　　　　２０　　　第１基板（アレイ基板）
　　　　　２０Ｓ　　基板本体
　　　　　２１　　　第１配線（ゲート線）
　　　　　２２　　　絶縁膜（ゲート絶縁膜）
　　　　　２３　　　第２配線（ソース線）
　　　　　２３ａ　　第１配線（ソース引き出し配線）
　　　　　２７　　　溝
　　　　　２７ａ　　溝下地メタル
　　　　　２７ｂ　　透明導電膜（ＩＴＯ膜）
　　　　　２７ｃ　　シリコン膜
　　　　　２７ｄ　　Ｔｉ膜
　　　　　２７ｅ　　Ａｌ膜
　　　　　２８　　　トランスファパッド
　　　　　３０　　　第２基板（対向基板）
　　　　　３４　　　リブ
　　　　　５０　　　液晶層

Claims (17)

  1. 　第１基板及び第２基板が対向配置され、
    　上記第１基板が、基板本体と、該基板本体上に設けられた第１配線と、該第１配線と絶縁膜を介して設けられた第２配線と、を備え、
    　表示領域においては、上記第１配線は互いに平行に延びるように多数設けられ、上記第２配線は該各第１配線と交差する方向に互いに平行に延びるように多数設けられ、両配線の平面視における各交点近傍に形成されたスイッチング素子に対応して画素が構成されて所定の表示を行う表示装置であって、
    　上記第１基板の上記第１配線上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に上記第１配線を横切るように溝が形成され、
    　上記溝の少なくとも上記第１配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが上記第２配線と同一層に設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記第１基板が矩形形状を有し、
    　上記溝は、上記基板外周縁部のうち第１基板を構成する対向する２辺に沿って連続して延びるように形成されていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記第１配線のうち上記表示領域において互いに平行に延びる多数の第１配線はゲート線であって、
    　上記第１基板の表示領域を囲う領域のうち上記対向する２辺に沿った領域は、上記ゲート線を外部回路と接続するための外部接続端子が設けられるゲート端子領域であることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項２または３に記載された表示装置において、
    　上記第２基板において、上記第１基板の溝と平面視で対応する第１基板を構成する対向する２辺に沿った領域のそれぞれに、第１基板側に向かって突出するようにリブが形成され、
    　上記リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さいことを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記溝は、上記基板外周縁部に上記表示領域を囲むように環状に連続して形成されていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項５に記載された表示装置において、
    　上記第２基板において、上記第１基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を環状に囲むと共に第１基板側に向かって突出するようにリブが形成され、
    　上記リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さいことを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１～６のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記溝下地メタルは、上記溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記第１基板上の上記表示領域以外の領域には、該第２基板表面に設けられた共通電極に共通電位を与えるためのトランスファパッドが形成され、
    　上記溝下地メタルは、上記トランスファパッドと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項８に記載された表示装置において、
    　上記トランスファパッドは、複数形成され、
    　上記溝下地メタルは、上記複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～６のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記溝下地メタルは、上記第１配線と上記溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１～１０のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記溝下地メタルは、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１～１１のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記溝下地メタルの下層であって上記絶縁膜の上層にはシリコン膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１～１２のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記溝表面は、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１～１２のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記溝表面は、上記溝下地メタルが露出していることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１～１４のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記第２配線は、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＣｕ膜とで形成されていることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１～１４のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記第２配線は、Ｔｉ膜とその上層に積層されたＡｌ膜とで形成されていることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１～１６のいずれかに記載された表示装置において、
    　上記第１基板と上記第２基板との間には、液晶層が設けられていることを特徴とする表示装置。
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