JP2002215066A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性
を高め、明るく高品位の画像表示を行えるようにする。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦ
Ｔ（３０）と、これに接続されたデータ線（６ａ）と、
内蔵遮光膜としても機能する容量線３００とを備える。
更に、ＴＦＴの下側に下側遮光膜（１１ａ）を備える。
データ線及び容量線には、ＴＦＴのチャネル隣接領域に
対向する領域に窓（４０１ａ、４０１ｂ）が開けられて
いる。対向基板（２０）上に、窓を覆う第１遮光膜（２
３）を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画
素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）を、基板上の積層構
造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電
気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング
用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光によ
る励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化す
る。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装
置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャ
ネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うこ
とは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた
各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦ
Ｔアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過すると共にＡ
ｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線によ
り、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように
構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴの
下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮
光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも
遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射
光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合
わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置
からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光
が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防
ぐことができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。

【０００４】即ち、先ず対向基板上やＴＦＴアレイ基板
上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル
領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層
間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜め
に入射する光に対する遮光が十分ではない。特にプロジ
ェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学
装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞っ
た光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に
（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度
傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような
斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問
題となる。

【０００５】加えて、遮光膜のない領域から電気光学装
置内に侵入した光が、基板の上面或いは基板の上面に形
成された遮光膜の上面やデータ線の下面（即ち、チャネ
ル領域に面する側の内面）で反射された後に、係る反射
光或いはこれが更に基板の上面或いは遮光膜やデータ線
の内面で反射された多重反射光が最終的にＴＦＴのチャ
ネル領域に到達してしまう場合もある。

【０００６】特に近年の表示画像の高品位化という一般
的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピ
ッチの微細化を図るに連れて、更に明るい画像を表示す
べく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の
各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難
となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリ
ッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうとい
う問題点がある。

【０００７】尚、このような耐光性を高めるためには、
遮光膜の形成領域を広げればよいようにも考えられる
が、遮光膜の形成領域を広げてしまったのでは、表示画
像の明るさを向上させるべく各画素の開口率を高めるこ
とが根本的に困難になるという問題点が生じる。更に上
述の如く遮光膜（即ち、ＴＦＴの下側の遮光膜やデータ
線等からなるＴＦＴの上側の遮光膜等）の存在により、
斜め光に起因した内面反射や多重反射光が発生すること
に鑑みればむやみに遮光膜の形成領域を広げたのでは、
このような内面反射光や多重反射光の増大を招くという
解決困難な問題点もある。

【０００８】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示
が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１電気光学装
置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基
板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上
に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジ
スタと、該薄膜トランジスタに接続されており前記薄膜
トランジスタの上側に配置されると共に前記薄膜トラン
ジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領
域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開け
られた配線と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャ
ネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、前
記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光膜
を備えており、前記第１遮光膜及び前記配線のうち少な
くとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記
チャネル領域を上側から覆う。

【００１０】本発明の第１電気光学装置によれば、画素
電極をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッ
チング制御することにより、アクティブマトリクス駆動
方式による駆動を行なえる。そして、第２基板を介して
入射される第１基板の上方からの入射光に対し、薄膜ト
ランジスタのチャネル領域については、第１遮光膜や、
例えばＡｌ等の金属からなる配線により遮光を行なう。
同じく第１基板の上方からの入射光に対し、チャネル隣
接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち窓に対向す
るものについては、窓を覆う第１遮光膜により遮光を行
ない、窓に対向しないものについては、配線若しくは配
線及び第１遮光膜により遮光を行なう。これらの結果、
配線に窓が開けられていても、上方から入射光が薄膜ト
ランジスタのチャネル領域に入射し、光電効果により薄
膜トランジスタで光リーク電流が生じて、そのトランジ
スタ特性が変化してしまう事態を基本的に防止できる。
他方、第１基板の裏面反射光等の戻り光に対し、薄膜ト
ランジスタのチャネル領域については、下側遮光膜によ
り遮光を行なう。ここで一般には、基板面に対して斜め
に進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内
面反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、チャ
ネル領域に面する側の配線の表面（即ち、第１基板上に
おける配線の下側表面）で反射して最終的にチャネル領
域に到達しようとする。しかるに本発明では特に、配線
には窓が開口されているので、係る光は、少なくとも部
分的にこの窓を介してチャネル領域側から第２基板側に
抜けて行く分だけ減衰される。通常は遮光膜として利用
される配線の形成面積を広げて遮光性能を向上させるの
ではなく、該配線に窓を開口することで、斜めの戻り
光、内面反射光、多重反射光等に対する遮光性能を高め
る点で本発明は画期的である。このように、遮光膜を広
げることによる有害な内面反射光の増加を回避でき、更
に遮光膜を広げることによる各画素の開口領域の減少を
回避できるので、本発明は大変有利である。

【００１１】以上の結果、本発明の第１電気光学装置に
よれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射
光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光
リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電
極を良好にスイッチング制御でき、最終的には本発明に
より、明るく高コントラストの画像を表示可能となる。

【００１２】尚、本発明の第１電気光学装置において
は、上述の如く窓が開口されているため、配線は、例え
ばＡｌ等の金属膜から形成され高反射率であってもよ
い。

【００１３】本発明の第２電気光学装置は上記課題を解
決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物
質が挟持されてなり、前記第１基板上に、画素電極と、
該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタに接続された配線と、前記薄膜トランジスタ
の上側に配置されており各画素の非開口領域を少なくと
も部分的に規定すると共に前記薄膜トランジスタのチャ
ネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少な
くとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた内蔵遮
光膜と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領
域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、前記第２
基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光膜を備え
ており、前記第１遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少な
くとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記
チャネル領域を上側から覆う。

【００１４】本発明の第２電気光学装置によれば、画素
電極をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッ
チング制御することにより、アクティブマトリクス駆動
方式による駆動を行なえる。そして、第２基板を介して
入射される第１基板の上方からの入射光に対し、薄膜ト
ランジスタのチャネル領域については、第１遮光膜や内
蔵遮光膜により遮光を行なう。同じく第１基板の上方か
らの入射光に対し、チャネル隣接領域、ソース領域及び
ドレイン領域のうち窓に対向するものについては、窓を
覆う第１遮光膜により遮光を行ない、窓に対向しないも
のについては、内蔵遮光膜若しくは内蔵遮光膜及び第１
遮光膜により遮光を行なう。これらの結果、内蔵遮光膜
に窓が開けられていても、上方から入射光が薄膜トラン
ジスタのチャネル領域に入射し、光電効果により薄膜ト
ランジスタで光リーク電流が生じて、そのトランジスタ
特性が変化してしまう事態を基本的に防止できる。他
方、戻り光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域に
ついては、下側遮光膜により遮光を行なう。ここで一般
には、基板面に対して斜めに進行する入射光及び戻り
光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光な
どの斜めの光の一部は、チャネル領域に面する側の内蔵
遮光膜の表面（即ち、第１基板上における内蔵遮光膜の
下側表面）で反射して最終的にチャネル領域に到達しよ
うとする。しかるに本発明では特に、内蔵遮光膜には窓
が開口されているので、係る光は、少なくとも部分的に
この窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて
行く分だけ減衰される。内蔵遮光膜の形成面積を広げて
遮光性能を向上させるのではなく、内蔵遮光膜に窓を開
口することで、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光
等に対する遮光性能を高める点で本発明は画期的であ
る。このように、内蔵遮光膜を広げることによる有害な
内面反射光の増加を回避でき、更に内蔵遮光膜を広げる
ことによる各画素の開口領域の減少を回避できるので、
本発明は大変有利である。

【００１５】以上の結果、本発明の第２電気光学装置に
よれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射
光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光
リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電
極を良好にスイッチング制御でき、最終的には本発明に
より、明るく高コントラストの画像を表示可能となる。

【００１６】本発明の第２電気光学装置の一態様では、
前記配線は、前記薄膜トランジスタの上側に配置されて
おり、前記配線には、平面的に見て前記窓に重なる領域
に他の窓が開けられている。

【００１７】この態様によれば、基板面に対して斜めに
進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内面
反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、内蔵遮
光膜の窓及び配線の窓を介してチャネル領域側から第２
基板側に抜けて行く。従って、その分だけ、最終的にチ
ャネル領域に到達する内面反射光等の光を低減できる。

【００１８】この態様では、前記一及び他の窓のうち上
側に位置する方が下側に位置する方より大きいように構
成してもよい。

【００１９】このように構成すれば、下側の窓を介して
チャネル領域側から第２基板側に抜けた光の殆ど全部
は、更に上側の窓を介してチャネル領域側から第２基板
側に抜けて行く。従って、その分だけ、最終的にチャネ
ル領域に到達する内面反射光等の光を低減できる。

【００２０】本発明の第２電気光学装置の他の態様で
は、前記内蔵遮光膜及び前記第１遮光膜は夫々、複数の
帯状部分を含んでなり、前記第１遮光膜を構成する帯状
部分の幅は、前記内蔵遮光膜を構成する帯状部分の幅よ
りも狭い。

【００２１】この態様によれば、第２基板上に設けられ
た第１遮光膜の帯状部分は、第１基板上に設けられた内
蔵遮光膜の帯状部分より幅狭であるので、各画素の開口
領域は、薄膜トランジスタと同じく第１基板上に設けら
れた内蔵遮光膜により規定される。従って、第１基板と
第２基板との貼り合わせ精度が低くても幅狭の第１遮光
膜により各画素の開口領域を狭めないで済む構成が容易
に得られる。即ち、第１遮光膜は、最低限で窓を覆える
大きさだけ形成すれば足りる。逆に、薄膜トランジスタ
や配線等に対する内蔵遮光膜の配置精度は、同一基板上
なので容易に高めることができる。これらの結果、最終
的には各画素の開口率を高めることが可能となる。

【００２２】尚、内蔵遮光膜及び第１遮光膜は夫々、複
数の帯状部分が交差してなる格子状に形成されてもよい
し、連続して伸びる帯状に形成されてもよい。或いは、
島状に分断されて伸びる帯状に形成されてもよい。

【００２３】本発明の第２電気光学装置の他の態様で
は、前記内蔵遮光膜は、前記画素電極に付加される蓄積
容量を構成する容量電極又は容量線としても機能する。

【００２４】この態様によれば、第１基板上に、内蔵遮
光膜からなる容量電極又は容量線を備えた蓄積容量を構
築できる。従って、このような容量電極又は容量線を、
専用の導電膜から形成する場合と比較して、第１基板上
の積層構造及び製造プロセスの単純化を図れると共に、
限られた基板上領域に、より大きな蓄積容量を構築可能
となる。

【００２５】本発明の第２電気光学装置の他の態様で
は、前記内蔵遮光膜は、前記第１基板上で前記窓から遠
ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。

【００２６】この態様によれば、内蔵遮光膜における窓
から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分によ
って、上方から入射した光は、窓を中央として拡散され
る傾向で反射される。他方、下方から入射した光は、窓
内に導かれる傾向で反射される。従って、斜めの戻り
光、内面反射光、多重反射光等が、内蔵遮光膜の上面や
下面での反射を経て最終的にチャネル領域に到達する割
合を低減できる。即ち、遮光性能を一層高めることが可
能となる。

【００２７】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記第１遮光膜は、前記配線に沿って伸びる
複数の帯状部分を含んでなり、前記帯状部分の幅は、前
記配線の幅よりも狭い。

【００２８】この態様によれば、第２基板上に設けられ
た第１遮光膜の帯状部分は、第１基板上に設けられた配
線より幅狭であるので、各画素の開口領域は、薄膜トラ
ンジスタと同じく第１基板上に設けられており、例えば
Ａｌ等の金属からなる配線により規定可能となる。従っ
て、第１基板と第２基板との貼り合わせ精度が低くても
幅狭の第１遮光膜により各画素の開口領域を狭めないで
済む構成が容易に得られる。即ち、第１遮光膜は、最低
限で窓を覆える大きさだけ形成すれば足りる。逆に、薄
膜トランジスタ等に対する配線の配置精度は、同一基板
上なので容易に高めることができる。これらの結果、最
終的には各画素の開口率を高めることが可能となる。

【００２９】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記配線は、前記第１基板上で前記窓から遠
ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。

【００３０】この態様によれば、例えばＡｌ等の金属か
らなる配線における窓から遠ざかるに連れて低くなるよ
うに傾斜する部分によって、上方から入射した光は、窓
を中央として拡散される傾向で反射される。他方、下方
から入射した光は、窓内に導かれる傾向で反射される。
従って、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等が、
配線の上面や下面での反射を経て最終的にチャネル領域
に到達する割合を低減できる。即ち、遮光性能を一層高
めることが可能となる。

【００３１】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記チャネル隣接領域は、ＬＤＤ領域又はオ
フセット領域である。

【００３２】この態様によれば、ＬＤＤ型やオフセット
型の薄膜トランジスタに対して、そのチャネル隣接領域
等に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開け
ることにより、遮光性能を高めることができる。

【００３３】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記ソース領域の一部及び前記ドレイン領域
の一部は夫々、コンタクトホール開孔領域とされてお
り、前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けら
れている。

【００３４】この態様によれば、一般にコンタクトホー
ルの存在により遮光性能が低下しやすいにも拘わらず、
コンタクトホール開孔領域に対向する領域における配線
や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、即ち、光がコン
タクトホール開孔領域付近で窓を介してチャネル領域側
から第２基板側に抜けて行く構成を採ることにより、薄
膜トランジスタに対する遮光性能を高めることができ
る。

【００３５】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域
にも開けられている。

【００３６】この態様によれば、チャネル領域に対向す
る領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることによ
り、即ち、光がチャネル領域付近で窓を介してチャネル
領域側から第２基板側に抜けて行く構成を採ることによ
り、薄膜トランジスタに対する遮光性能を高めることが
できる。

【００３７】或いは本発明の第１又は第２電気光学装置
の他の態様では、前記窓は、前記チャネル領域に対向す
る領域には開けられておらず、前記チャネル領域の上側
にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されている。

【００３８】この態様によれば、チャネル領域に対向す
る領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることな
く、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域の
うち少なくとも一つに対向する領域における配線や内蔵
遮光膜に窓を開けることにより、薄膜トランジスタに対
する遮光性能を高めることができる。そして、チャネル
領域の上側にはゲート電極が配置されているので、最終
的に上方からチャネル領域に入射しようとする光をゲー
ト電極により低減できるので、或いはチャネル領域の上
方を斜めに通過する光を低減できるので、遮光性能を一
層高めることができる。

【００３９】本発明の第１又は第２電気光学装置の他の
態様では、前記第１遮光膜は、前記第１基板に対面する
側に配置された光吸収層を含む多層膜からなる。

【００４０】この態様によれば、窓を介してチャネル領
域側から第２基板側に抜けて行く光の少なくとも一部
は、第１遮光膜に至るが、係る光は、光吸収層により吸
収される。従って、この光が第１遮光膜で反射して再び
チャネル領域に到達したとしても、その光量を顕著に減
衰できる。この結果、薄膜トランジスタにおける遮光性
能を一層高めることができる。

【００４１】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００４３】（第１実施形態）先ず本発明の第１実施形
態における電気光学装置の画素部における構成につい
て、図１から図３を参照して説明する。図１は、電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素における各種素子、配線等の等価回路で
ある。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成さ
れたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面
図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、
図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程
度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異なら
しめてある。

【００４４】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に
形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶
は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序
が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能に
する。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単
位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減
少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単
位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増
加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じ
たコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持され
た画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａ
と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容
量７０を付加する。

【００４５】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００４６】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
細かい斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向する
ように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲー
ト電極として機能する。本実施形態では、走査線３ａ
は、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成され
ている。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交
差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａ
がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用
のＴＦＴ３０が設けられている。

【００４７】図２及び図３に示すように、蓄積容量７０
は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極
９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７
１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部
とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより
形成されている。

【００４８】本実施形態では特に、中継層７１、誘電体
膜７５及び容量線３００からなる蓄積容量７０には、チ
ャネル領域１ａ’及びその隣接領域に対向する位置に、
図２中粗い右下りの斜線領域で示した窓４０１ａがＴＦ
Ｔ３０毎に開けられている。そして、データ線６ａに
は、この窓４０１ａよりも一回り大きい窓４０１ｂが開
けられている。これらの窓４０１ａ及び４０１ｂによる
遮光機能については、後に詳述する。

【００４９】容量線３００は、例えば金属又は合金を含
む導電性の遮光膜からなり内蔵遮光膜の一例を構成する
と共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３
００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデ
ン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少なくとも一
つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリ
サイド、これらを積層したもの等からなる。但し、容量
線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる
第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる
第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。

【００５０】中継層７１は、例えば導電性のポリシリコ
ン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。中継
層７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、内蔵
遮光膜としての容量線３００とＴＦＴ３０との間に配置
される光吸収層としての機能を持ち、更に、画素電極９
ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続
する機能を持つ。但し、中継層７１も、容量線３００と
同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜か
ら構成してもよい。

【００５１】容量線３００は平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重な
る個所が図２中上下に突出している。そして、図２中縦
方向に夫々伸びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々伸
びる容量線３００とが相交差して形成されることによ
り、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側
に、平面的に見て格子状の内蔵遮光膜が構成されてお
り、各画素の開口領域を規定している。

【００５２】図２及び図３に示すように、ＴＦＴアレイ
基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜
１１ａが格子状に設けられている。

【００５３】下側遮光膜１１ａは、前述の如く内蔵遮光
膜の一例を構成する容量線３００と同様に、例えば、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうち
の少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサ
イド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からな
る。

【００５４】また図３において、容量電極としての中継
層７１と容量線３００との間に配置される誘電体膜７５
は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ
（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperat
ure Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリ
コン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観
点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、
誘電体膜７５は薄い程良い。

【００５５】また容量線３００は、画素電極９ａが配置
された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源
と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位
源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走
査線３ａに供給するための後述の走査線駆動回路や画像
信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御
する後述のデータ線駆動回路に供給される正電源や負電
源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１
に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜１
１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪
影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様
に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接
続するとよい。

【００５６】画素電極９ａは、中継層７１を中継するこ
とにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導
体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続
されている。即ち、本実施形態では、中継層７１は、蓄
積容量７０の画素電位側容量電極としての機能及び光吸
収層としての機能に加えて、画素電極９ａをＴＦＴ３０
へ中継接続する機能を果たす。このように中継層７１を
利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度に長く
ても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術
的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコ
ンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率
を高めること可能となり、コンタクトホール開孔時にお
けるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。

【００５７】図２及び図３において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。

【００５８】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また
配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からな
る。

【００５９】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【００６０】本実施形態では特に、図２では省略してい
るが、対向基板２０上には、第１遮光膜２３がデータ線
６ａ及び走査線３ａに沿って格子状に形成されている。
但し、窓４０１ａ及び４０１ｂを覆う限りにおいて、第
１遮光膜２３は、ストライプ状や島状でもよい。

【００６１】このような構成を採ることで、前述の如く
内蔵遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと
共に当該対向基板２０上の第１遮光膜２３により、対向
基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度
ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入する
のを、阻止できる。

【００６２】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材に
より囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封
入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素
電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１
６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及
び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、
例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイ
バー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されてい
る。

【００６３】更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

【００６４】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。

【００６５】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。

【００６６】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び
容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃
度ソース領域１ｄ及び中継層７１へ夫々通じるコンタク
トホール８１及びコンタクトホール８５が各々開孔され
た第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００６７】尚、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１
に対しては、１０００℃の焼成を行うことにより、半導
体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入
したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶
縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことに
より、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和
を図るようにしてもよい。

【００６８】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３
が形成されている。画素電極９ａは、このように構成さ
れた第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。

【００６９】尚、図３に示したように多数の所定パター
ンの導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地
面、即ち第３層間絶縁膜４３の表面におけるデータ線６
ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、第３
層間絶縁膜４３の表面を平坦化処理することで緩和して
もよい。例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish
ing）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧ
(Spin On Glass)を用いて平らに形成してもよい。この
ように配線、素子等が存在する領域と存在しない領域と
の間における段差を緩和することにより、最終的には段
差に起因した液晶の配向不良等の画像不良を低減でき
る。但し、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理
を施すのに代えて又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、
下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁
膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６
ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化
処理を行ってもよい。

【００７０】次に、図４から図６を参照して、上述した
電気光学装置の実施形態における、蓄積容量７０に開け
られた窓４０１ａ及びデータ線６ａに開けられた窓４０
１ｂの構成及び作用効果について詳述する。ここに図４
は、図２のうち窓４０１ａ及び４０１ｂ付近における走
査線３ａ、データ線６ａ、容量線３００及び中継層７１
を抜粋して示す平面図である。図５は、図４のＣ−Ｃ’
断面図であり、図６は、図４のＤ−Ｄ’断面図である。
尚、図５及び図６においては、各層や各部材を図面上で
認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。

【００７１】図４から図６に示すように、第１実施形態
では、内蔵遮光膜の一例たる容量線３００を含めて蓄積
容量７０には、ＴＦＴ３０のチャネル隣接領域たる低濃
度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソ
ース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅに対向する領
域に窓４０１ａが開けられており、データ線６ａには、
この窓４０１ａより一回り大きい窓４０１ｂが開けられ
ている。更に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を下側
から覆う下側遮光膜１１ａを備えており、対向基板２０
上に、窓４０１ａ及び４０１ｂ並びにＴＦＴ３０を上側
から覆う第１遮光膜２３を備えている。

【００７２】従って、本実施形態によれば、図５及び図
６に示すように、対向基板２０を介して上方から垂直入
射されるの入射光Ｌ０に対しては、第１遮光膜２３によ
りＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその隣接領域の
遮光を行なう。他方、下方から垂直入射されるの戻り光
Ｌｒに対しては、下側遮光膜１１ａによりＴＦＴ３０の
チャネル領域１ａ’及びその隣接領域の遮光を行なう。
そして特に、対向基板２０を介して、斜め上方からの入
射光、若しくは入射光又は戻り光が内面反射してなる内
面反射光或いは多重反射光等の斜めの光Ｌ１及びＬ２に
対しては、第１遮光膜２３、データ線６ａ及び容量線３
００により遮光を行なう。

【００７３】これらの結果、窓４０１ａ及び４０１ｂが
開けられていても、第１遮光膜２３により、上方から入
射光Ｌ０でＴＦＴ３０のトランジスタ特性が変化してし
まう事態を防止できる。そして特に、窓４０１ａ及び４
０１ｂが開けられているので、斜めの光Ｌ１及びＬ２
は、少なくとも部分的に窓４０１ａ及び４０１ｂを介し
て、光Ｌ３として対向基板２０側に抜けて行く分だけ、
容量線３００の下面やデータ線６ａの下面で反射された
後に、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に至る分の
光量を低減できる。

【００７４】実際には、入射光Ｌ０は、基板１０に対し
て斜め方向から入射する斜め光を含んでいる。例えば入
射角が垂直から１０度〜１５度位までずれる成分を１０
％程度含んでいる。更に、戻り光Ｌｒは、一般に、より
角度の付いた斜め光を含んでいる。このため、このよう
な斜め光が、基板１０の上面や下側遮光膜１１ａの上面
等で反射されて、或いは内蔵遮光膜の下面等で反射され
て、更にこれらが当該電気光学装置内の他の界面で反射
されて、内面反射光・多重反射光たる斜めの光Ｌ１及び
Ｌ２が生成される。従って、ＴＦＴ３０の上下に各種遮
光膜を備えていても、両者間の隙間を介して進入する斜
めの光Ｌ１及びＬ２（図５及び図６参照）は存在し得
る。このため、本実施形態の如く、窓４０１ａ及び４０
１ｂにより、半導体層１ａに至る前に、このような斜め
の光Ｌ１及びＬ２を対向基板２０側に開放することによ
る効果は大きいといえる。

【００７５】仮に図５及び図６に示した構成において、
窓４０１ａ及び４０１ｂが存在しなかったとすれば、斜
めの光Ｌ２は、蓄積容量７０の内面やデータ線６ａの内
面で反射されて半導体層１ａに到達するので、光リーク
電流の発生が顕著になってしまうのである。

【００７６】以上図４から図６を参照して説明したよう
に、本実施形態の電気光学装置によれば、耐光性を高め
ることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射する
ような過酷な条件下にあっても光リーク電流の低減され
た薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチン
グ制御でき、最終的には、明るく高コントラストの画像
を表示できる。

【００７７】本実施形態では特に、上側に位置する窓４
０１ｂが下側に位置する窓４０１ａより一回り大きいの
で、下側の窓４０１ａを介してチャネル領域１ａ’側か
ら対向基板２０側に抜けた光の殆ど全部は、更に上側の
窓４０１ｂを介して対向基板２０側に抜けて行く。即
ち、下側の窓４０１ａを通過した光が上側の窓４０１ｂ
の縁で反射してチャネル領域に戻ることは殆ど無いので
有利である。

【００７８】本実施形態では、内蔵遮光膜の一例たる容
量線３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上で窓４０１ａか
ら遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含
む。他方、データ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で
窓４０１ｂから遠ざかるに連れて低くなるように傾斜す
る部分を含む。従って、上方から入射した光は、窓４０
１ｂを中央として拡散される傾向で反射される。他方、
下方から入射した光は、窓４０１ａ内に導かれる傾向で
反射される。従って、斜めの光Ｌ１及びＬ２が、容量線
３００やデータ線６ａの上面や下面での反射を経て最終
的にチャネル領域１ａ’に到達する割合を低減できる。

【００７９】更に以上説明した本実施形態では、窓４０
１ａ及び４０１ｂは、各チャネル領域１ａ’に対しソー
ス側及びドレイン側の両方に形成しているが、片方のみ
に形成しても、ある程度の類似効果が得られる。例え
ば、半導体層１ａの周囲における配線や素子等の配置に
鑑み、ソース側及びドレイン側の両方に窓４０１ａ及び
４０１ｂを開けることが困難である場合などには、レイ
アウトに無理を加えることなく、片方にのみ窓４０１ａ
及び４０１ｂを開ければよい。

【００８０】加えて以上説明した実施形態では、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したよ
うにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低
濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオ
フセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からな
るゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。本実施
形態によれば、ＬＤＤ領域、オフセット領域等に対向す
る領域におけるデータ線６ａや容量線３００に窓を開け
ることにより、遮光性能を高めることができる。

【００８１】また本実施形態では、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高
濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲ
ート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極
を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはト
リプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソ
ース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止で
き、オフ時の電流を低減することができる。

【００８２】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態の電気光学装置について図７を参照して説明する。
ここに、図７は、窓付近における走査線３ａ、データ線
６ａ、容量線３００及び中継層７１を抜粋して示す平面
図である。

【００８３】上述の第１実施形態では、窓４０１ａ及び
４０１ｂは、チャネル領域１ａ’に対向する領域にも開
けられているが、第２実施形態では、図７に示すよう
に、窓４０１ａ’及び４０１ｂ’は、チャネル領域１
ａ’に対向する領域には一部開けられていない。その他
の構成については上述した第１実施形態の場合と同様で
ある。

【００８４】従って第２実施形態によれば、チャネル領
域１ａ’に対向する領域における容量線３００やデータ
線６ａに一部窓を開けることなく、チャネル隣接領域、
ソース領域及びドレイン領域に対向する領域における容
量線３００やデータ線６ａに窓４０１ａ’及び４０１
ｂ’を開けることにより、ＴＦＴ３０に対する遮光性能
を高めることができる。そして、チャネル領域１ａ’の
上側にはゲート電極たる走査線３ａが配置されているの
で、最終的に上方からチャネル領域１ａ’に入射しよう
とする光を走査線３ａにより、ある程度低減できる。或
いは、チャネル領域１ａ’の上方を斜めに通過する光を
走査線３ａにより、ある程度低減できる。 （変形形態）本発明の電気光学装置の一変形形態とし
て、高濃度ソース領域１ｄの一部をなすコンタクトホー
ル８１が開孔されたコンタクトホール開孔領域にまで至
る比較的大きな窓をデータ線及び容量線に開けてもよ
い。これに代えて又は加えて、高濃度ドレイン領域１ｅ
の一部をなすコンタクトホール８３が開孔されたコンタ
クトホール開孔領域にまで至る比較的大きな窓をデータ
線及び容量線に開けてもよい。このように構成すれば、
一般に光が漏れやすいコンタクトホール８１及び８３付
近における遮光性能を向上させ得る。

【００８５】本発明の電気光学装置の他の変形形態とし
て、第１遮光膜２３は、ＴＦＴアレイ基板１０に対面す
る側に配置された光吸収層を含む多層膜からなってもよ
い。このように構成すれば、窓４０１ａ又は４０１ａ’
並びに４０１ｂ又は４０１ｂ’を介して対向基板２０側
に抜けて行く光の一部が、第１遮光膜２３に至っても、
係る光を、第１遮光膜２３の光吸収層により吸収除去で
きる。即ち、このような光が第１遮光膜２３で反射して
再びチャネル領域に向かう斜めの光となることを防止で
きる。

【００８６】更に、このような対向基板２０上の遮光膜
２３は、少なくとも入射光Ｌ０が照射される面を高反射
な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を
防ぐ働きをする。尚、第１遮光膜２３は好ましくは、平
面的に見て容量線３００とデータ線６ａとからなる遮光
層の内側に位置するように形成する。これにより、対向
基板２０上の遮光膜により、各画素の開口率を低めるこ
となく、このような遮光及び温度上昇防止の効果が得ら
れる。

【００８７】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図８及び図９を参照して説明する。尚、図８は、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共
に対向基板２０の側から見た平面図であり、図９は、図
８のＨ−Ｈ’断面図である。

【００８８】図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定
する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール
材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所
定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動
するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられてお
り、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給する
ことにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４
が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならない
のならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いこ
とは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を
画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよ
い。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表
示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４
間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられて
いる。そして、図９に示すように、図８に示したシール
材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール
材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【００８９】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【００９０】以上図１から図９を参照して説明した実施
形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路
１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、
例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装
された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部
に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機
械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０
の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射
光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nema
tic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、Ｐ
ＤＬＣ(PolymerDispersed Liquid Crystal)モード等の
動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリー
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【００９１】以上説明した実施形態における電気光学装
置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学
装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各
ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、各実施形態では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外
の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実
施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向
基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズ
を形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上
のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等
でカラーフィルタ層を形成することも可能である。この
ようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明
るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２
０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積するこ
とで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイク
ロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイッ
クフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電
気光学装置が実現できる。

【００９２】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発
明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における
画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設
けられた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】図２のうち窓付近を抜粋して示す平面図であ
る。

【図５】図４のＣ−Ｃ’断面図である。

【図６】図４のＤ−Ｄ’断面図である。

【図７】本発明の第２実施形態の電気光学装置における
窓付近を抜粋して示す平面図である。

【図８】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ
基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の
側から見た平面図である。

【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…下側遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…第１遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７１…中継層 ７５…誘電体膜 ８１、８３、８５…コンタクトホール ３００…容量線 ４０１ａ、４０１ｂ…窓

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA46 JB51 NA22 PA09 QA07 RA05 5C094 AA10 AA31 BA03 BA43 CA19 DA14 EA04 EA07 ED15 5F110 AA21 BB01 CC02 CC07 DD02 DD03 DD05 GG02 GG13 HJ23 HL07 HL08 HM14 HM15 NN03 NN42 NN44 NN45 NN46 NN48 QQ19

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の第１及び第２基板間に電気光学物
   質が挟持されてなり、 前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極に接続され
   た薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
   ており前記薄膜トランジスタの上側に配置されると共に
   前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域
   及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域
   に一の窓が開けられた配線と、前記薄膜トランジスタの
   少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを
   備えており、 前記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光
   膜を備えており、 前記第１遮光膜及び前記配線のうち少なくとも一方は、
   前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を
   上側から覆うことを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 一対の第１及び第２基板間に電気光学物
   質が挟持されてなり、 前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極に接続され
   た薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
   た配線と、前記薄膜トランジスタの上側に配置されてお
   り各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定すると
   共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース
   領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する
   領域に一の窓が開けられた内蔵遮光膜と、前記薄膜トラ
   ンジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側
   遮光膜とを備えており、 前記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光
   膜を備えており、 前記第１遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少なくとも一
   方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル
   領域を上側から覆うことを特徴とする電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記配線は、前記薄膜トランジスタの上
   側に配置されており、前記配線には、平面的に見て前記
   窓に重なる領域に他の窓が開けられていることを特徴と
   する請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記一及び他の窓のうち上側に位置する
   方が下側に位置する方より大きいことを特徴とする請求
   項３に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記内蔵遮光膜及び前記第１遮光膜は夫
   々、複数の帯状部分を含んでなり、 前記第１遮光膜を構成する帯状部分の幅は、前記内蔵遮
   光膜を構成する帯状部分の幅よりも狭いことを特徴とす
   る請求項２から４のいずれか一項に記載の電気光学装
   置。
6. 【請求項６】 前記内蔵遮光膜は、前記画素電極に付加
   される蓄積容量を構成する容量電極又は容量線としても
   機能することを特徴とする請求項２から５のいずれか一
   項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記内蔵遮光膜は、前記第１基板上で前
   記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分
   を含むことを特徴とする請求項２から６のいずれか一項
   に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記第１遮光膜は、前記配線に沿って伸
   びる複数の帯状部分を含んでなり、 前記帯状部分の幅は、前記配線の幅よりも狭いことを特
   徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光
   学装置。
9. 【請求項９】 前記配線は、前記第１基板上で前記窓か
   ら遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む
   ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載
   の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記チャネル隣接領域は、ＬＤＤ（Li
    ghtly Doped Structure）領域又はオフセット領域であ
    ることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記
    載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記ソース領域の一部及び前記ドレイ
    ン領域の一部は夫々、コンタクトホール開孔領域とされ
    ており、 前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けられて
    いることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項
    に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記窓は、前記チャネル領域に対向す
    る領域にも開けられていることを特徴とする請求項１か
    ら１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記窓は、前記チャネル領域に対向す
    る領域には開けられておらず、 前記チャネル領域の上側にゲート絶縁膜を介してゲート
    電極が配置されていることを特徴とする請求項１から１
    １のいずれか一項に記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記第１遮光膜は、前記第１基板に対
    面する側に配置された光吸収層を含む多層膜からなるこ
    とを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載
    の電気光学装置。