JP2007187961A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶表示装置のセルギャップが均一に維持されるようにした平坦化膜を備えた液
晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】大型の第１の母基板１３の一方の面に、全面に設けられた平坦化膜を備える
とともに、マトリクス状に設けられた複数の画素電極及び前記画素電極駆動用のスイッチ
ング素子を備えるアレイ基板領域１１を複数個形成した後、前記アレイ基板領域１１の液
晶封入部分に所定のパターンに沿ってシール材２７を塗布し、次いで、前記複数個のアレ
イ基板領域１１の周縁部３１に位置する前記平坦化膜の表面に所定の大きさの穴又は溝を
均一に分布するように複数個設けた後、前記大型の第１の母基板１３の一方の面の全面に
わたって粒状スペーサ粒子を散布し、その後前記大型の第１の母基板１３と対になる大型
の第２の母基板をシール材側から貼り合わせて所定の形状に切断する。
【選択図】図１

Description

本発明は大型の母基板からの平坦化膜を備えた液晶表示装置の製造方法に関し、特に大
型の母基板に複数のアレイ基板領域を形成した後、球状のスペーサ粒子が全面に均一に分
布するようにして、液晶表示装置のセルギャップが均一に維持されるようにした平坦化膜
を備えた液晶表示装置の製造方法に関する。

最も一般的な液晶表示装置の製造方法は、所定の大きさのアレイ基板領域を複数形成し
た後に、各アレイ基板領域の液晶封入部分に所定のパターンに沿ってシール材を塗布し、
球状のスペーサ粒子を全面に散布した後に対となる別の大型の母基板をシール材で貼り合
せ、その後、所定の大きさに切断して製造する方法であって、この製造方法は特許文献で
も多く紹介されている（例えば特許文献１参照）。

そこで以下において、従来例の液晶表示装置の製造方法を大型の母基板の模式的な平面
図である図７を用いて説明する。まず大型のガラス基板等からなる第１の母基板５０を用
意し、この第１の母基板５０の一方の表面上にそれぞれマトリクス状に設けられた走査線
、信号線、スイッチング素子としての薄膜トランジスタＴＦＴ（Thin Film Transistor）
、画素電極等（いずれも図示せず）を備えるアレイ基板領域５１を複数個形成する。この
アレイ基板領域５１の画素電極が設けられている領域が表示領域５２となり、その周囲部
分が各種配線が設けられるいわゆる額縁部分５３となる。なお、この額縁部分５３にはス
イッチング素子を駆動するためのドライバ回路５４が形成される場合もある。

このようにして表示領域５２が形成された後に、表示領域５２の周囲にシール材５５が
所定のパターンに塗布され、その後、表示領域５２内に均等に分布するようにスペーサ粒
子が散布される。このスペーサ粒子は、球状であっても方形状であっても良い。このスペ
ーサ粒子は液晶表示装置を形成する２枚の基板間距離、すなわちセルギャップが均一にな
るようにするために配置されるものである。

その後、シール材５５の上面から対となる第２の母基板５６（図８参照）、例えばカラ
ーフィルタ基板を載置し、シール材５５が硬化した後に両基板ともにアレイ基板領域５１
の境界部分で切断した後、表示領域５２内に液晶を注入し、液晶注入孔を封止することに
より液晶表示装置が作製されている。

ところで、各画素の開口率をあげるために、画素電極と信号線とを重ねて配置すること
がある。このとき、画素電極と信号線とが重なった部分容量を減らすために、その間に厚
い層間絶縁膜を設けることがあり、この層間絶縁膜が平坦化膜の役割も果たすことがある
。また、近年に至り電場が印加されていないときに液晶分子が基板に対して垂直に配向す
る垂直配向型の液晶表示装置が多く使用されるようになってきたが、この垂直配向型の液
晶表示装置は、基板表面が平らでないと液晶分子の配向に乱れが生じ、表示画質の低下に
つながるため、一般的にアレイ基板全体にわたり平坦化膜が設けられる。

このような構成の液晶表示装置の製造に際しては、例えば図８の球状のスペーサ粒子部
分の拡大模式断面図に示したように、スペーサ粒子５７は第１の母基板５０の表面に設け
られた平坦化膜５８上に第２の母基板５６と挟まれた形で配置されることとなるが、平坦
化膜５８及び第２の母基板５６ともに表面が実質的に平らであるため、球状のスペーサ粒
子５７は図７中矢印で示したように動くことができる。そのため、球状のスペーサ粒子５
７を散布した後にシール材５５の上側から第２の母基板５６を載置して均一な厚さとなる
ように押圧すると、第１ないし第２の母基板の長手方向側、例えば図９のドットで示した
領域５９、あるいはこの領域５９とはアレイ基板領域５１を挟んだ反対側の領域に球状の
スペーサ粒子が密集してしまい、この密集部分の高さが高くなってしまうことがあり、更
には、密集領域５９が形成されることから逆に第１の母基板５０上にスペーサ粒子５７が
存在しない領域が形成されることもあるため、得られた液晶表示装置のセルギャップのバ
ラツキが大きくなるという問題点が生じていた。

一方、下記特許文献２には、近年の液晶表示装置の小型高精度化の進展に伴って個々の
画素領域も小さくなってきたため、従来例のような表示領域にスペーサ粒子を配置すると
このスペーサ粒子が画素領域に占める割合が大きくなるので表示画質の低下が目立ってし
まうとして、平坦化膜を有する液晶表示領域内にはスペーサ粒子を配置せず、表示領域外
において平坦化膜とスペーサ粒子入りのシール材により液晶表示装置のセルギャップを規
定する液晶表示装置の発明が開示されている。
特開２００２−３６５６４８号公報 特開２００１−２７２６６３号公報

しかしながら、上記特許文献２に開示された液晶表示装置においては、球状のスペーサ
粒子の配置のバラツキという問題点を解決することができるが、液晶表示装置の表示領域
内には基板間のセルギャップを規定する物が存在していないため、より正確にセルギャッ
プを規定することは困難である。

本願の発明者は上述のような従来技術の問題点を解決すべく種々実験を重ねた結果、第
１の母基板５０上のアレイ基板領域５１以外の部分は切断されて破棄されてしまう部分で
あることから、この部分に球状のスペーサ粒子が移動しないようにするための手段を設け
ることにより、平坦化膜を有する液晶表示装置の表示画質に影響を与えることなく球状の
スペーサ粒子の分布状態を均一化することができることを見出し本発明を完成するに至っ
たのである。

すなわち、本発明は、大型の母基板に複数のアレイ基板領域を形成した後、球状のスペ
ーサ粒子が全面に均一に分布するようにして、液晶表示装置のセルギャップが均一に維持
されるようにした平坦化膜を備えた液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする
。

本発明の上記目的は以下の方法により達成し得る。すなわち、本願の請求項１に記載の
液晶表示装置の製造方法の発明は、以下の（１）〜（６）の工程を有することを特徴とす
る。
（１）大型の第１の母基板の一方の面に、全面に設けられた平坦化膜を備えるとともに、
マトリクス状に設けられた複数の画素電極及び前記画素電極駆動用のスイッチング素子を
備えるアレイ基板領域を複数個形成する工程、
（２）前記アレイ基板領域の液晶封入部分に所定のパターンに沿ってシール材を塗布する
工程、
（３）前記複数個のアレイ基板領域の周縁部に位置する前記平坦化膜の表面に所定の大き
さの穴又は溝を均一に分布するように複数個設ける工程、
（４）前記大型の第１の母基板の一方の面の全面にわたって粒状スペーサ粒子を散布する
工程、
（５）前記大型の第１の母基板と対になる大型の第２の母基板をシール材側から貼り合わ
せる工程、
（６）前記各大型の母基板を各アレイ基板領域の境界部で切断する工程。

また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の液晶表示装置において、前記穴又は溝
の最大開口寸法を前記球状のスペーサ粒子が１個のみ入る大きさとしたことを特徴とする
。

また、請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法におい
て、前記平坦化膜を前記スイッチング素子の表面を被覆するように設けるとともに、前記
画素電極を前記平坦化膜の表面に設けたことを特徴とする。

また、請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方
法において、前記穴又は溝を円形状又は方形状としたことを特徴とする。

更に、本願の請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法の発明は、以下の（１）〜（６
）の工程を有することを特徴とする。
（１）大型の第１の母基板の一方の面に、全面に設けられた平坦化膜を備えるとともに、
マトリクス状に設けられた複数の画素電極、前記画素電極駆動用のスイッチング素子及び
前記スイッチング素子を駆動するためのドライバ回路を備えるアレイ基板領域を複数個形
成する工程、
（２）前記アレイ基板領域の液晶封入部分に所定のパターンに沿ってシール材を塗布する
工程、
（３）前記複数個のアレイ基板領域の周縁部に位置する前記平坦化膜の表面に所定の大き
さの穴又は溝を均一に分布するように複数個設ける工程、
（４）前記大型の第１の母基板の一方の面の全面にわたって粒状スペーサ粒子を散布する
工程、
（５）前記大型の第１の母基板と対になる大型の第２の母基板をシール材側から貼り合わ
せる工程、
（６）前記各大型の母基板を各アレイ基板領域の境界部で切断する工程。

また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法において、前
記穴又は溝の最大開口寸法を前記球状のスペーサ粒子が１個のみ入る大きさとしたことを
特徴とする。

また、請求項７に係る発明は、請求項５又は６に記載の液晶表示装置の製造方法におい
て、前記平坦化膜を前記スイッチング素子及び前記スイッチング素子を駆動するためのド
ライバ回路の表面を被覆するように設けるとともに、前記画素電極を前記平坦化膜の表面
に設けたことを特徴とする。

また、請求項８に係る発明は、請求項５〜７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方
法において、前記穴又は溝を円形状又は方形状としたことを特徴とする。

本発明は、上述の方法を備えることにより以下のような優れた効果を奏する。すなわち
、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法によれば、複数個のアレイ基板領域の周縁部
に位置する前記平坦化膜の表面に所定の大きさの穴又は溝を均一に分布するように複数個
設ける工程を有しているため、その後の工程で散布された球状のスペーサ粒子のうちこの
穴又は溝内に入り込んだものは動き難くなるので、従来例のような球状のスペーサ粒子が
移動して密集状態を形成したり、あるいはスペーサ粒子が存在しない領域を生じることが
なくなる。そのため、請求項１に係る発明によれば、セルギャップのバラツキが少なく、
表示画質の良好な液晶表示装置が得られる。

また、請求項２に係る発明によれば、平坦化膜の表面に設ける穴又は溝の最大開口寸法
が球状のスペーサ粒子が１個のみ入る範囲で選択されていれば、穴ないし溝内に複数個の
球状スペーサ粒子が入り込むことがなくなるため、より請求項１に係る発明の効果を奏す
ることができる液晶表示装置の製造方法が得られる。

また、請求項３に係る発明によれば、スイッチング素子の表面の凹凸も平坦化膜により
平坦化され、しかもこの平坦化膜の表面に画素電極が形成されているから、特に電界を印
加しないときに垂直に配向する液晶を使用した際には表示画質が極めて良好で、視野角が
広い液晶表示装置を製造することができるようになる。

また、請求項４に係る発明によれば、穴又は溝が円形状又は方形状であれば、正確に、
均質に、かつ、容易に形成することができるため、簡単にセルギャップのバラツキが少な
く表示画質が良好な液晶表示装置を製造することができるようになる。

更に、請求項５に係る発明によれば、ドライバ回路は液晶表示装置の額縁部分に低温ポ
リシリコン法（ＬＴＰＳ法：Low Temperature Poly Silicon法）により容易に製造でき、
また、液晶表示装置のスイッチング素子であるＴＦＴ製造時に同時に製造することができ
るため、容易にドライバ回路と一体化され、更に請求項１に係る発明の効果を奏すること
ができる液晶表示装置の製造方法が得られる。

また、請求項６に係る発明によれば、請求項５に係る発明の効果に加えて請求項２に係
る発明の効果を奏することができる液晶表示装置が得られる。

また、請求項７に係る発明によれば、ドライバ回路も平坦化膜で被覆されているため、
特にドライバ回路の表面を保護するための部材を設ける必要がなくなるとともに、この部
分に球状スペーサ粒子が入り込んでも得られる液晶表示装置のセルギャップに与える影響
は少なくなる。

また、請求項８に係る発明によれば、請求項５〜７に係る発明の効果を奏することがで
きるとともに請求項４に係る発明の効果も奏することができる液晶表示装置の製造方法が
得られる。

以下、本発明における好適な実施例として透過型液晶表示装置を例にとり、図面を参照
して本発明の最良の実施形態を説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術
思想を具体化するための透過型液晶表示装置の製造方法を例示するものであって、本発明
をこの透過型液晶表示装置の製造方法に特定することを意図するものではなく、特許請求
の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。なお、図１は
実施例による透過型液晶表示装置の製造途中の大型の第１の母基板の平面図であり、図２
は図１の１個のアレイ基板領域の拡大図であり、図３は実施例で製造された透過型液晶表
示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図４はカラーフ
ィルタ基板を含む図３のＡ−Ａ断面図である。

この実施例で製造される透過型液晶表示装置は、その具体的完成図を図示はしないが、
液晶層を挟んで互いに対向するアレイ基板及びカラーフィルタ基板を備えている。これら
の基板のうち例えばアレイ基板は図１に示したような透明な絶縁性を有する大型のガラス
基板からなる第１の母基板１３上に複数個まとめて同時に作製され、この第１の母基板１
３とカラーフィルタ基板に対応する第２の母基板が張り合わされた後に個別に切り出され
て製造されるものであるため、ここではその内の一つに代表させてその製造方法を説明す
る。

この１つのアレイ基板に対応するアレイ基板領域１１は以下の製造方法によって第１の
母基板１３上に作製される。すなわち、第１の母基板１３上に、複数のアレイ基板領域１
１の表示領域１４上にアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の走査線１７を等
間隔に平行になるように形成するとともに、表示領域１４の周囲の額縁部１５に設けられ
るドライバ回路配置部１６との接続配線（図示せず）も同時に形成し、また、隣り合う走
査線１７間の略中央に走査線１７と同時に補助容量線１８を平行になるように形成し、更
に走査線１７からＴＦＴのゲート電極Ｇを延設する。

更に、第１の母基板１３の全面に走査線１７、補助容量線１８、ゲート電極Ｇを覆うよ
うにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１９を積層する。その後
、ゲート電極Ｇの上にゲート絶縁膜１９を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどか
らなる半導体層２０を形成し、更に、またゲート絶縁膜１９上にアルミニウムやモリブデ
ン等の金属からなる複数の信号線２１を走査線１７と直交するようにして形成するととも
に、表示領域１４の周囲の額縁部１５に設けられるドライバ回路配置部１６への接続配線
も同時に形成し、この信号線２１からＴＦＴのソース電極Ｓを延設し、このソース電極Ｓ
を半導体層２０と接触させる。更に、信号線２１及びソース電極Ｓと同一の材料でかつ同
時形成されたドレイン電極Ｄをゲート絶縁膜１９上に設け、このドレイン電極Ｄも半導体
層２０と接触させる。

ここで、走査線１７と信号線２１とに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート
電極Ｇ、ゲート絶縁膜１９、半導体層２０、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイ
ッチング素子となるＴＦＴが構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴが形成される。この
場合、ドレイン電極Ｄと補助容量線１８によって各画素の補助容量を形成することになる
。

これらの信号線２１、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１９を覆うようにして第１の母基板１３の
全面にわたり例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜２２を積層し、この保護絶縁膜２２
上に有機絶縁膜からなる平坦化膜２３（層間膜ともいわれる）を第１の母基板１３の全体
にわたり積層する。そして保護絶縁膜２２と平坦化膜２３には、ＴＦＴのドレイン電極Ｄ
に対応する位置にコンタクトホール２４を形成するとともに、別途後述するように平坦化
膜２３のアレイ基板領域１１に対応する位置の周囲に穴又は溝２５を均一に分布するよう
に多数個形成する。次いで、それぞれの画素において、コンタクトホール２４及び平坦化
膜２３の表面に例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）
からなる画素電極２６を形成し、画素電極２６の表面に全ての画素を覆うように垂直配向
膜（図示せず）を積層する。

なお、ＬＴＰＳ法を採用することによりアレイ基板領域１１のＴＦＴ製造時に同時にド
ライバ回路配置部１６にドライバ回路を直接形成することも可能である。この場合には、
ドライバ回路の表面も平坦化膜で被覆され、平坦化膜は一種の保護膜としての作用も奏す
ることができる。

その後、図１に示したように、第１の母基板１３の表示領域の境界部に沿って、例えば
一液性の熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂からな
るシール材２７を塗布する。このシール材２７の塗布は、常法に従い、シルクスクリーン
印刷法やディスペンサによる塗布法を採用できる。次いで、第１の母基板１３の表面に均
一に球状のスペーサ粒子を散布した後、別途カラーフィルタ層が形成された大型のガラス
基板からなる第２の母基板２８をシール材２７の表面に載置し、押圧して加熱した後、両
基板とも同時にアレイ基板領域１１の境界部１１'に沿って例えばスクライブ&ブレイク法
等により切断することにより、液晶が注入されていない液晶表示装置を得る。

なお、カラーフィルタ基板１２は、別途透明な絶縁性を有する大型のガラス基板からな
る第２の母基板２８の表示領域上に、前記アレイ基板領域１１用の第１の母基板１３に設
けられた複数個の表示領域１４に対応する位置にそれぞれの画素に対応して例えば赤色（
Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）からなるカラーフィルタ層２９がストライプ状に形成され
るように設けるとともに、このカラーフィルタ層２９及の表面に共通電極及び配向膜（い
ずれも図示せず）を積層することにより製造される。

ここで、平坦化膜２３のアレイ基板領域１１に対応する位置の周囲に設けられる穴又は
溝２５について図５及び図６を用いて説明する。なお、図５は穴の形状と穴の配置の一例
を示す模式的拡大平面図であり、図６は穴又は溝に球状のスペーサ粒子が入った状態の概
略拡大断面図である。

一般に球状のスペーサ粒子３０としてはシリカ系セラミックスボールないしはプラスチ
ック系ボール等からなる直径Ｒ１が４〜５μｍのものが使用され、また平坦化膜２３の厚
さｈは一般的に１〜２μｍである。この実施例においては、一つの穴又は溝２５内に一つ
のスペーサ粒子３０しか入らないようにするため、穴又は溝２５の最大開口寸法Ｒ２は、
一般に前記球状のスペーサ粒子３０の直径Ｒ１と同じ程度が採用されるが、第２の母基板
２８をシール材２７の上から載置して押圧した際に球状のスペーサ粒子３０が移動しなけ
ればよいので、スペーサ粒子３０の直径Ｒ１よりもわずかに大きくても小さくてもよい。

この穴又は溝２５の形状は、例えば図５に示したような方形状のものであっても、ある
いは円形状であってもよく、更には長方形状であっても良い。また、この穴又は溝２５は
、平坦化膜２３を貫通していても貫通していなくても良い。何れにしても、穴又は溝２５
の形状及び大きさは、球状のスペーサ粒子３０が１個のみ入る形状及び大きさを備えてい
ればよく、ここでは、球状スペーサ粒子３０の直径Ｒ１が５μｍのものを使用し、穴の形
状としては一辺が５μｍの正方形状（最大開口径＝約７μｍ）とした。また、穴又は溝２
５間距離は球状のスペーサ粒子３０の直径Ｒ１の２倍程度の１０μｍ程度とし、穴又は溝
２５を高密度に設けると良い。

この第１の母基板１３において、穴又は溝２５が設けられている領域、すなわちアレイ
基板領域１１に対応する部分の周縁部は、図１の符号３１に対応するハッチングが付与さ
れた部分に相当する。この符号３１の部分は、最終的には切り落とされて廃棄される。な
お、アレイ基板領域以外の全ての領域の穴又は溝を設けることでスペーサ粒子が一箇所に
集まることを確実に防止できるが、アレイ基板領域の周縁に沿って部分的に穴又は溝を設
ける場合でも、スペーサ粒子の移動を規制でき、不都合を解消することができる。このと
き、穴又は溝は配置された領域内において均等に配置される。

このような構成を採用することにより、球状のスペーサ粒子３０を均一に散布した後に
は、表示領域１４以外の部分に散布された球状のスペーサ粒子は穴又は溝２５内に入って
固定されるため、複数のアレイ基板領域１１が形成された第１の母基板１３のシール材２
７上にカラーフィルタ層２９が設けられた第２の母基板２８を載置して押圧及び加熱して
も、その間に球状スペーサ粒子３０は移動せず、両母基板１３、２８間の距離を実質的に
一定に保つことができ、得られた液晶表示装置のセルギャップをバラツキなく一定に維持
することができる。

このようにして、得られた液晶が注入されていない液晶表示装置の内部に液晶注入孔（
図示せず）から液晶を注入した後、この液晶注入孔を封止することにより、所定の透過型
液晶表示装置が得られる。

なお、上記実施例では透過型液晶表示装置を例にとり説明したが、これに限らず半透過
型液晶表示装置や反射型液晶表示装置に対しても適用可能である。すなわち、半透過型液
晶表示装置の場合であれば平坦化膜２３と画素電極２６の間のコンタクトホール２４側に
部分的に反射板を設ければ良く、また、反射型液晶表示装置の場合であれば平坦化膜２３
と画素電極２６の間に全面的に反射板を設ければよい。

実施例による透過型液晶表示装置の製造途中の大型の母基板の平面図である。 図１の１個の液晶表示領域部分の拡大図である。 実施例で製造された透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図である。 カラーフィルタ基板を含む図３のＡ−Ａ断面図である。 穴の形状と穴の配置の一例を示す模式的拡大平面図である。 穴又は溝に球状のスペーサ粒子が入った状態の概略拡大断面図である。 従来例の液晶表示装置の製造方法で使用される大型の母基板の模式的な平面図である。 従来例の球状のスペーサ粒子部分の模式的拡大断面図である。 図７に示した大型の母基板でスペーサ粒子が密集する領域を説明するための平面図である。

符号の説明

１１ アレイ基板領域
１１' アレイ基板領域の境界部
１２ カラーフィルタ基板
１３ 第１の母基板
１４ 表示領域
１５ 額縁部
１６ ドライバ回路配置部
１７ 走査線
１８ 補助容量線
１９ ゲート絶縁膜
２０ 半導体層
２１ 信号線
２２ 保護絶縁膜
２３ 平坦化膜（層間膜）
２４ コンタクトホール
２５ 穴又は溝
２６ 画素電極
２７ シール材
２８ 第２の母基板
２９ カラーフィルタ層
３０ スペーサ粒子
３１ 周縁部

Claims (8)

1. 以下の（１）〜（６）の工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
   （１）大型の第１の母基板の一方の面に、全面に設けられた平坦化膜を備えるとともに、
   マトリクス状に設けられた複数の画素電極及び前記画素電極駆動用のスイッチング素子を
   備えるアレイ基板領域を複数個形成する工程、
   （２）前記アレイ基板領域の液晶封入部分に所定のパターンに沿ってシール材を塗布する
   工程、
   （３）前記複数個のアレイ基板領域の周縁部に位置する前記平坦化膜の表面に所定の大き
   さの穴又は溝を均一に分布するように複数個設ける工程、
   （４）前記大型の第１の母基板の一方の面の全面にわたって粒状スペーサ粒子を散布する
   工程、
   （５）前記大型の第１の母基板と対になる大型の第２の母基板をシール材側から貼り合わ
   せる工程、
   （６）前記各大型の母基板を各アレイ基板領域の境界部で切断する工程。
2. 前記穴又は溝の最大開口寸法を前記球状のスペーサ粒子が１個のみ入る大きさとしたこ
   とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記平坦化膜を前記スイッチング素子の表面を被覆するように設けるとともに、前記画
   素電極を前記平坦化膜の表面に設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示
   装置の製造方法。
4. 前記穴又は溝を円形状又は方形状としたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
   載の液晶表示装置の製造方法。
5. 以下の（１）〜（６）の工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
   （１）大型の第１の母基板の一方の面に、全面に設けられた平坦化膜を備えるとともに、
   マトリクス状に設けられた複数の画素電極、前記画素電極駆動用のスイッチング素子及び
   前記スイッチング素子を駆動するためのドライバ回路を備えるアレイ基板領域を複数個形
   成する工程、
   （２）前記アレイ基板領域の液晶封入部分に所定のパターンに沿ってシール材を塗布する
   工程、
   （３）前記複数個のアレイ基板領域の周縁部に位置する前記平坦化膜の表面に所定の大き
   さの穴又は溝を均一に分布するように複数個設ける工程、
   （４）前記大型の第１の母基板の一方の面の全面にわたって粒状スペーサ粒子を散布する
   工程、
   （５）前記大型の第１の母基板と対になる大型の第２の母基板をシール材側から貼り合わ
   せる工程、
   （６）前記各大型の母基板を各アレイ基板領域の境界部で切断する工程。
6. 前記穴又は溝の最大開口寸法を前記球状のスペーサ粒子が１個のみ入る大きさとしたこ
   とを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 前記平坦化膜を前記スイッチング素子及び前記スイッチング素子を駆動するためのドラ
   イバ回路の表面を被覆するように設けるとともに、前記画素電極を前記平坦化膜の表面に
   設けたことを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 前記穴又は溝を円形状又は方形状としたことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記
   載の液晶表示装置の製造方法。

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