JP2002372920A - 光学用樹脂基板の製造方法及びその製造装置、それを用いた液晶表示素子の製造方法及びその製造装置、並びにそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂基板の寸法変化が少ない画像表示素子の
製造方法を提供する。 【解決手段】 画像を表示するための表示機能部を保持
する樹脂基板を備えた画像表示素子の製造方法におい
て、樹脂基板の両面に無機膜を形成する無機膜形成工程
（Ｓ２、Ｓ６）と、無機膜形成工程の前又は後に樹脂基
板を脱水する脱水工程（Ｓ２、Ｓ６）とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＶやコンピュー
タ画像を表示するフラットパネルディスプレイに用いら
れる画像表示素子の製造方法に関し、特に樹脂基板を用
いた画像表示素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、樹脂基板を用いた液晶パネル（液
晶表示素子）においては、樹脂基板の雰囲気温度や吸湿
による寸法変化が大きく、そのため、例えばＩＴＯ(ind
ium tin oxide)電極などのエッチングパターンやＣＦ
（カラーフィルタ）パターンの寸法が実際の寸法とは大
きく異なる場合があった。また、アレイ基板と対向基板
とを貼り合わせた場合、その貼り合わせた基板の間で電
極やカラーフィルタのパターンが一致しない場合が発生
していた。その結果、画素の大きさ（開口率）が変動す
ることで、表示特性、例えばコントラストに影響を及ぼ
していた。

【０００３】このような問題を解決する技術として、樹
脂基板上に液晶へのガスの侵入を防止するためのガスバ
リア膜が設けられ、そのガスバリア膜の副次的効果とし
て吸湿による寸法変化が抑制される技術が特開平９−１
４６０８０号公報に開示されている。代表的なガスバリ
ア膜としては、ＳｉＯ_x膜やＳｉＮ_x膜が挙げられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガスバ
リア膜を設けた樹脂基板でさえも完全に吸湿を防ぐごと
ができず、室温において放置した状態では急激な寸法変
化が起こらないものの、その基板の加熱前後では大きな
寸法変化が生じることが判った。つまり、液晶パネルの
製造プロセスにおいては、加熱工程が繰り返されるの
で、ガスバリア膜が設けられた樹脂基板であっても依然
としてその寸法変化が大きく、その解消が大きな課題と
なっていた。

【０００５】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、樹脂基板の寸法変化が少ない画像表示
素子の製造方法を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本件発明者は、鋭意、樹脂基板の寸法挙動を観測し
た。その結果、加熱の繰り返しによる樹脂基板の寸法変
化は、その間の樹脂基板の吸水量の変化に起因すること
が判明した。

【０００７】そこで、本発明に係る画像表示素子の製造
方法は、画像を表示するための表示機能部を保持する樹
脂基板を備えた画像表示素子の製造方法において、前記
樹脂基板の両面に無機膜を形成する無機膜形成工程と、
前記無機膜形成工程の前又は後に前記樹脂基板を脱水す
る脱水工程とを有し、前記無機膜形成工程及び前記脱水
工程が遂行された前記樹脂基板と他の基板とをシール材
を介して貼り合わせ、次いで、少なくとも前記樹脂基板
を加熱することにより前記シール材を硬化させる（請求
項１）。かかる構成とすると、樹脂基板の吸水量が低減
され、かつ樹脂基板の両面が無機膜で覆われているの
で、比較的長時間経過後でもその吸水量が低減された状
態が維持される。その結果、樹脂基板が貼り合わせ工程
においてシール材硬化のために加熱されても、その吸水
量の変化が小さくなり、それに応じて樹脂基板の寸法変
化が小さくなる。

【０００８】また、前記表示機能部が前記樹脂基板と前
記他の基板との間に挟まれるとしてもよい（請求項
２）。

【０００９】また、前記他の基板がカラーフィルタを有
してもよい（請求項３）。かかる構成とすると、貼り合
せた基板間のシール材の加熱によるパターンのずれが小
さくなる。

【００１０】また、前記カラーフィルタが赤、緑、及び
青のサブフィルタからなるとしてもよい（請求項４）。

【００１１】ここで、前記カラーフィルタは白色透過光
から所定波長の光を選択的に通過させるものである（請
求項５）。

【００１２】また、前記脱水工程において、前記樹脂基
板を吸水量が０．５重量％以下となるよう脱水してもよ
い（請求項６）。かかる構成とすると、吸水量が０．５
重量％以下の樹脂基板は、物理的吸水ではなく、化学的
な吸湿状態となっているので、比較的高い温度において
も吸脱水が起きにくく、そのため、寸法変化がより小さ
くなる。

【００１３】また、前記脱水工程の後に前記無機膜形成
工程を遂行してもよい（請求項７）。

【００１４】また、前記無機膜形成工程の後に前記脱水
工程を遂行してもよい（請求項８）。 また、前記樹脂
基板が、少なくともエポキシ、アクリル、ポリイミド、
ポリカーボネート、ポリビニールアルコール、ポリエチ
レンのうちのいずれか、これらの複合、又はこれらが積
層された樹脂材料からなるとしてもよい（請求項９）。
かかる構成とすると、樹脂が透明であるため優れた光学
特性を発揮するだけでなく、加熱の繰り返しによる吸水
量や寸法の再現性に優れる。

【００１５】また、前記無機膜が、ＳｉＯ_x、ＳｉＮ_x、
ＧｅＯ_x、ＴｉＯ_x、ＺｒＯ_xのうちのいずれかの膜、こ
れらの複合膜、又はこれらの積層膜からなるとしてもよ
い（請求項１０）。

【００１６】また、前記無機膜の膜厚が１５ｎｍ以上、
４０ｎｍ以下であるとしてもよい（請求項１１）。かか
る構成とすると、無機膜にクラックが入ることなく、吸
水量が低減された状態を長期に渡り維持することができ
る。

【００１７】また、前記樹脂基板を加熱することにより
脱水してもよい（請求項１２）。かかる構成とすると、
樹脂基板の吸水量を容易かつ再現性よく低減することが
できる。

【００１８】また、前記加熱の温度が２００℃以下であ
るとしてもよい（請求項１３）。かかる構成とすると、
樹脂の熱変化が少ないので、加熱の繰り返しによる吸水
量や寸法の再現性（樹脂特性）が維持される。

【００１９】また、前記樹脂基板を減圧することにより
脱水してもよい（請求項１４）。かかる構成とすると、
樹脂基板の吸水量を容易かつ再現性よく低減することが
できる。しかも、樹脂の熱変化が少ないので、加熱の繰
り返しによる吸水量や寸法の再現性が維持される。

【００２０】また、前記樹脂基板の減圧後に、前記樹脂
基板を加熱してもよい（請求項１５）。かかる構成とす
ると、樹脂基板内に水分等の不純物に代わり、ガスが置
換充填されるので、その吸脱着が起こりにくくなり、加
熱の繰り返しによる樹脂基板の寸法変化が極めて小さく
なる。

【００２１】また、前記加熱の温度が２００℃以下であ
るとしてもよい（請求項１６）。かかる構成とすると、
樹脂の熱変化が少ないので、加熱の繰り返しによる吸水
量や寸法の再現性が維持される。

【００２２】また、前記加熱の雰囲気が不活性ガスであ
るとしてもよい（請求項１７）。かかる構成とすると、
かかる構成とすると、樹脂が酸化劣化することが防止さ
れる。

【００２３】また、前記加熱の雰囲気が空気であるとし
てもよい（請求項１８）。かかる構成とすると、樹脂基
板内には水分等の不純物に代わり、空気が置換充填され
るので、その吸脱着が起こったとしてもその組成が変化
しない。そのため、加熱の繰り返しによる樹脂基板の寸
法変化が極めて小さくなる。

【００２４】また、前記加熱の雰囲気の湿度が３５％以
下であるとしてもよい（請求項１９）。かかる構成とす
ると、加熱の繰り返しによる樹脂基板の寸法変化が極め
て小さくなる。

【００２５】また、前記無機膜形成工程及び前記脱水工
程が遂行された前記樹脂基板の一方の無機膜上に所定の
膜を形成し、前記所定の膜をパターニングしてもよい
（請求項２０）。かかる構成とすると、加熱の繰り返し
による寸法変化の少ない樹脂基板上に所定の膜を形成し
てパターニングするので、その後、画像表示素子の製造
工程における加熱が繰り返されたとしても、その所定の
膜のパターンの寸法変化が極めて小さくなる。

【００２６】また、前記所定の膜が透明電極膜であると
してもよい（請求項２１）。かかる構成とすると、透明
電極の加熱の繰り返しによる寸法変化が小さくなる。

【００２７】また、前記所定の膜がカラーフィルタ膜で
あるとしてもよい（請求項２２）。かかる構成とする
と、カラーフィルタの加熱の繰り返しによる寸法変化が
小さくなる。

【００２８】また、前記画像表示素子が液晶表示素子で
あり、前記液晶表示素子は前記他の基板として前記所定
の膜のパターンが形成された樹脂基板を有するとしても
よい（請求項２３）。かかる構成とすると、加熱の繰り
返しによる寸法変化の少ない樹脂基板同士を貼り合わせ
るので、貼り合わせた樹脂基板の間のパターンずれが小
さくなる。

【００２９】また、前記透明電極膜をパターニングして
形成された透明電極にフレキシブル端子を接着させても
よい（請求項２４）。かかる構成とすると、加熱の繰り
返しによる樹脂基板の寸法変化が小さいので、透明電極
とフレキシブル端子とのパターンずれが小さくなる。

【００３０】また、本発明に係る画像表示素子の製造方
法は、画像を表示するための表示機能部を保持する樹脂
基板を備えた画像表示素子の製造方法において、前記樹
脂基板を、吸水量が０．５重量％以下となるよう脱水す
るリセット工程を有する（請求項２５）。かかる構成と
すると、リセット工程において樹脂基板が最も収縮した
状態となる。そして、その後、所定の条件に維持された
雰囲気中で画像表示素子を製造することにより、その最
も収縮した樹脂基板を基準とした、リセット工程から所
定の加工工程までの間の樹脂基板の寸法変化を予測する
ことができる。従って、その所定の加工工程においてそ
の寸法変化を見込んでパターニング等の加工を行うこと
により、その加工を高い寸法精度で行うことができる。

【００３１】また、前記リセット工程の前に、前記樹脂
基板の両面に無機膜を形成する無機膜形成工程を有する
としてもよい（請求項２６）。かかる構成とすると、リ
セット工程から所定の加工工程までの間の後の樹脂基板
の寸法変化が小さくなるので、その予測の精度が向上
し、そのため、その加工をより高い寸法精度で行うこと
ができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。 実施の形態１ 本発明の実施の形態１は、脱水処理として樹脂基板を加
熱する場合を主に例示している。

【００３３】図１は本実施の形態に係る画像表示素子の
製造方法によって製造される画像表示素子の構成を模式
的に示す断面図である。

【００３４】図１において、画像表示装置１００は、本
実施の形態ではパッシブマトリクス型の液晶表示素子
（液晶パネル）である。この液晶表示素子１００は、信
号電極基板（以下、対向基板という）１０１及び走査電
極基板（以下、カラーフィルタ基板という）１０２を備
えている。対向基板１０１とカラーフィルタ基板１０２
とは、図示されないスペーサを介して互いに対向するよ
うに配置され、各々の周縁部をシール材７によって互い
に接着されている。対向基板１０１とカラーフィルタ基
板１０２との隙間には液晶８が注入されシールされてい
る。そして、対向基板１０１及びカラーフィルタ基板１
０２の外側には、図示されない偏光板がそれぞれ配置さ
れている。

【００３５】対向基板１０１は透明な樹脂基板１Ａを有
している。樹脂基板１Ａの外側及び内側の双方の主面に
は透明な無機膜２が形成されている。そして、内側の無
機膜２上にＩＴＯからなる透明なストライプ状の複数の
信号電極５Ａとその信号電極５Ａを覆う透明な配向膜６
Ａとが形成されている。一方、カラーフィルタ基板１０
２は、透明な樹脂基板１Ｂを有している。樹脂基板１Ｂ
の外側及び内側の双方の主面には透明な無機膜２が形成
されている。そして、内側の無機膜２上にカラーフィル
タ３が形成されている。カラーフィルタ３は、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に対応する３つのス
トライプ状のカラーフィルタ（以下、サブフィルタとい
う）３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが１組となり、その３つの色フィ
ルタの組が複数形成されている。このカラーフィルタ３
を覆うように前記無機膜２上に平坦化層４が形成され、
この平坦化層４上にＩＴＯからなる透明なストライプ状
の複数の走査電極５Ｂとその信号電極５Ｂを覆う透明な
配向膜６Ｂとが形成されている。従って、液晶８は概ね
配向膜６Ａ及び６Ｂによって対向基板１０１及びカラー
フィルタ基板１０２と接している。対向基板１０１の信
号電極５Ａとカラーフィルタ基板１０２の走査電極５Ｂ
とは平面視において互いに直交している。また、各サブ
フィルタ３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、それぞれ、平面視におい
て、対応する信号電極５Ｂに平行でそれを覆うように形
成されている。このような構成により、信号電極５Ａと
走査電極５Ｂとの交差部が各色に対応する画素を形成し
ている。

【００３６】そして、各々の信号電極５Ａ及び走査電極
５Ｂにはフレキシブル端子９が接続されている。図１に
は、走査電極５Ｂに接続されたフレキシブル端子９のみ
が示されている。

【００３７】樹脂基板１Ａ、１ｂの材料は、エポキシ、
アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニー
ルアルコール、ポリエチレンのうちのいずれかか、それ
らの複合もしくは積層樹脂であれば有効である。ここ
で、複合樹脂とは、単に樹脂が混合したものの他、共重
合したものを指す。

【００３８】無機膜２は、ＳｉＯ_x、ＳｉＮ_x、Ｇｅ
Ｏ_x、ＡｌＯ_x、ＴｉＯ_x、ＺｒＯ_xのうちのいずれかの膜
かそれらの複合膜もしくは積層膜が有効である。本実施
の形態のように液晶表示素子として用いる場合の光電気
特性を考慮すると、特に、ＳｉＯ _x、ＳｉＮ_xおよびそれ
らの複合膜が有効である。また、無機膜２は、後述する
湿気バリア膜としての役割を果たすため、１５ｎｍ以上
かつ４０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。１５
ｎｍ以上であれば、より長期に渡り吸水量０．５重量％
以下の状態を維持できる。膜厚は厚いほど湿気バリア性
が高まるので好ましい。但し、４０ｎｍを超えると、加
熱によっても無機膜２にクラックが入り、吸水量０．５
重量％以下の状態を維持できない。以上のことを考慮す
ると、膜厚は３０以上４０ｎｍ以下であることがより望
ましい。

【００３９】図２は、本実施の形態に係る画像表示素子
の製造方法、具体的には図１の液晶表示素子の製造方法
の概要を示す工程図、図３(a)及び図３(b)は図２の脱水
処理工程の構成を示す工程図である。

【００４０】図１〜図３を参照すると、本実施の形態の
画像表示素子の製造方法では、対向基板１０１について
は、樹脂基板１Ａが用意される（ステップＳ１）。この
樹脂基板１Ａは、その複数枚に分断される大判シートの
形態で工程に投入される。また、この工程への投入前に
おける樹脂基板１Ａの吸水量は２重量％以下であること
が好ましい。次に述べる脱水がしやすいからである。

【００４１】次いで、樹脂基板１Ａに、本発明の特徴で
ある脱水処理が施される（ステップＳ２）。この脱水処
理工程は、図３に示すように、脱水工程と無機膜形成工
程とで構成され、いずれを先に遂行してもよい。図３
(a)に示す場合には、樹脂基板１Ａを、吸水量が０．５
重量％以下になるように脱水し（ステップＳ２１）、そ
の直後に樹脂基板１Ａの両面に無機膜２を形成する（ス
テップＳ２２）。一方、図３(b)に示す場合には、樹脂
基板１Ａの両面に無機膜２を形成し（ステップＳ２
３）、その後（直後でも長時間経過後でもよい）、樹脂
基板１Ａを、吸水量が０．５重量％以下になるように脱
水する（ステップＳ２４）。

【００４２】無機膜２がＳｉＯ_xなどである場合には、
無機膜２の形成温度は８０℃〜２００℃、好ましくは１
２０℃とされる。このような温度にすることにより、無
機膜２と樹脂基板１Ａの密着性が向上する。また、無機
膜２の形成の前又は同時に、樹脂基板１ＡにＵＶ（紫外
線）光を照射して、樹脂基板１Ａの表面を親水化すると
さらに優れた効果が得られる。すなわち、この処理によ
っても、無機膜２と樹脂基板１Ａとの密着性が向上す
る。また、無機膜２の形成前に、樹脂基板１ＡにＳｉＣ
ｌ4をコーティングしておいてもよい。好ましくは、Ｓ
ｉＣｌ4の膜を単分子膜で構成するとよい。この処理に
よっても、無機膜２と樹脂基板１Ａの密着性が向上す
る。

【００４３】次に、脱水について説明する。本明細書に
おいて、「脱水する」とは、脱水対象物から水分を除去
することをいう。好ましい脱水方法の１つとして、加熱
が挙げられる。この場合、より早く樹脂基板１Ａの吸水
量を０．５重量％以下にするには加熱温度を高くすれば
よいが、２００℃を超えると樹脂が変形し、樹脂の吸脱
水特性が変化することを考えると、加熱温度は１２０℃
以上２００℃以下が望ましい。さらに、樹脂基板１Ａの
基板面（樹脂基板１Ａの延在面）内における寸法の均一
性を考えると、基板面内で均一に加熱することが望まし
い。これに適した方法として、熱風循環炉内に放置する
方法や、遠赤外線を照射する方法がある。特に後者は均
一性に優れている。一方、ホットプレートによる加熱は
樹脂基板１Ａが反るので好ましくない。好ましいもう一
つの脱水方法として、減圧下に放置する方法がある。こ
の方法は、加熱よる脱水方法よりも、基板面内における
寸法の均一性を確保できるので、より優れた方法であ
る。この減圧による脱水方法は、実施の形態２において
詳しく説明する。

【００４４】次に、図２に示すように、無機膜２が形成
された樹脂基板１Ａ上に信号電極５Ａを形成する（ステ
ップＳ３）。そして、信号電極５Ａを形成するためエッ
チング液洗浄後の乾燥プロセスにおいてここまでの加工
を終えた樹脂基板１Ａが加熱される。

【００４５】次いで、この信号電極５Ａが形成された樹
脂基板１Ａの表面の所定領域上に配向膜６Ａが形成され
る。この配向膜６Ａの形成に際しても印刷された配向膜
材料を焼成するために、樹脂基板１Ａが加熱される。な
お、この他に、実際には図２に示されない種々の膜が樹
脂基板１Ａ上に形成され、そのための加熱が樹脂基板１
Ａに加えられる。このようにして、対向基板１０１が完
成する。

【００４６】一方、カラーフィルタ基板１０２について
は、樹脂基板１Ｂが用意される（ステップＳ５）。この
樹脂基板１Ｂの形態、それに対する要求、及びその脱水
処理（ステップＳ６）は、樹脂基板１Ａの場合と全く同
じであるので、その説明を省略する。

【００４７】次いで、脱水処理された樹脂基板１Ｂの無
機膜２上にカラーフィルタ３が形成される（ステップＳ
７）。

【００４８】次いで、樹脂基板１Ｂの無機膜２上にカラ
ーフィルタ３を覆うように平坦化層４が形成される（ス
テップＳ８）。

【００４９】次いで、その平坦化層４上に走査電極５Ｂ
及び配向膜６Ｂが形成される（ステップＳ９、１０）。
この走査電極５Ｂ及び配向膜６Ｂの形成は、樹脂基板１
Ａの場合と同様であるので、その説明を省略する。な
お、樹脂基板１Ｂについても、この他に、樹脂基板１Ａ
の場合と同様に種々の膜を形成するための加熱が加えら
れる。このようにして、カラーフィルタ基板１０２が完
成する。

【００５０】次いで、対向基板１０１とカラーフィルタ
基板１０２とがスペーサを介して貼り合わせられる（ス
テップＳ１１）。この際、対向基板１０１の周縁部とカ
ラーフィルタ基板１０２の周縁部とがシール材７によっ
て互いに接着される。また、この際、シール材７を硬化
させるために対向基板１０１及びカラーフィルタ基板１
０２が加熱される。

【００５１】次いで、この貼り合わされた対向基板１０
１及びカラーフィルタ基板１０２がセル単位に分断され
（ステップＳ１２）、その後、対向基板１０１とカラー
フィルタ基板１０２との間に液晶が注入されシールされ
る（ステップＳ１３）。次いで、信号電極５Ａ及び走査
電極５Ｂにそれぞれフレキシブル端子９が接続される。
その後、対向基板１０１及びカラーフィルタ基板１０２
の外側に偏光板がそれぞれ貼り付けられる。かくして、
図１の液晶表示素子１００が完成する。

【００５２】以上に述べた液晶表素子１００の製造方法
においては、両面に無機膜２が形成された樹脂基板１Ａ
及び１Ｂは、吸水量が０．５重量％以下に脱水処理され
ており、かつ、両面に形成された無機膜２が湿気に対す
るバリアとして機能するために比較的長期間に渡って脱
水処理後の吸水量が維持される。そのため、脱水処理後
に加熱されたとしても、水分が抜けることによる収縮が
従来の樹脂基板に比べて格段に小さく、従って、加熱前
後における寸法変化が極めて小さい。その結果、脱水処
理後の全工程において加熱が繰り返されたとしてもカラ
ーフィルタ３や電極５Ａ、５ｂの寸法変化が極めて小さ
くなり、その結果、その後の貼り合わせ工程においても
パターンのずれを起こすことなく液晶セルを製造するこ
とができる。

【００５３】次に、以上の効果を確認するために、実施
例として、信号電極１０１、走査電極１０２、及び液晶
セル（偏光板を貼り付ける前の状態の液晶表示素子）を
作成し、その寸法変化を評価した。以下に、この実施例
を説明する。以下の実施例における寸法は、特に言及し
ない限り基板温度もしくは雰囲気温度が２２℃、湿度が
５０％ＲＨの条件下における寸法である。 （実施例１）実施例１では、脱水処理工程において、脱
水工程後に無機膜形成工程を遂行した。具体的には、最
終的に複数の樹脂基板に分割される大判シートとして、
吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シート（板厚０．４ｍ
ｍ：以下、樹脂基板という）を用意し、これを１２０℃
×７時間加熱して、吸水量をおよそ０．１重量％とし
た。そして、その直後に、この樹脂基板の両面にスパッ
タ法で無機膜としてのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚みに形
成し、さらにその片面にＩＴＯからなる透明電極膜を１
５０ｎｍの厚みに形成した。次に、この樹脂基板にネガ
型フォトレジストを塗布し、その樹脂基板を１２０℃×
５分乾燥した。次に、この樹脂基板を、雰囲気温度にお
いて、ネガ型フォトレジストにアンマスク／マスクのス
ペース比＝９０／１０、８３．３μｍピッチの短冊状
（ストライプ状）のマスクを通して露光した。その後、
この樹脂基板について、室温において、フォトレジスト
の現像、透明電極膜のエッチング、及びフォトレジスト
の剥離を行い、その後、樹脂基板を１２０℃×１５分乾
燥して、信号電極を形成した。このようにして基板（対
向基板）Ａ７を作製し、１２００ラインの信号電極の寸
法の初期値を測定した。その後、１２０℃×１５分の乾
燥処理（１２０℃への加熱と室温への冷却とを含む加熱
サイクル）を所定回数繰り返し、１回の乾燥処理毎に基
板の信号電極の寸法を測定した。この乾燥処理は、図２
の液晶表示素子の製造工程における加熱処理を模した処
理である。

【００５４】また、吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シ
ート（板厚０．４ｍｍ）を１２０℃×５時間、１２０℃
×２．５時間、１２０℃×１．５時間加熱して、その吸
水量を、それぞれ、およそ０．２、０．４、０．５重量
％としたこと以外は、基板Ａ７と同様にして、基板Ａ
５、Ａ２．５、Ａ１．５を作製し、基板Ａ７と同様に、
乾燥による１２００ラインの信号電極の寸法変化を測定
した。 ［比較例１］実施例１の比較例として、基板Ｂ１、Ｂ０
を作製し、実施例１と同様に、乾燥による１２００ライ
ンの信号電極の寸法変化を測定した。この基板Ｂ１、Ｂ
０は、吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シート（板厚
０．４ｍｍ）を１２０℃×１時間、１２０℃×０時間
（無加熱）加熱して、吸水量をそれぞれ０．６、１重量
％としたこと以外は、実施例１と同様にして作製した。 ［信号電極の寸法（パターン寸法）変化］図４は、基板
の吸水量をパラメータとした場合の加熱サイクル数に対
する基板Ａ及びＢ群の信号電極の寸法変化量を示すグラ
フである。図４において、加熱サイクル数０はマスク寸
法を示す。吸水量が０．５％を超える基板Ｂ群は、マス
クパターンよりも寸法の収縮が大きく、また加熱サイク
ルごとに収縮することが判る。このことから、基板Ｂ群
は液晶表示素子のように加熱が繰り返される製造工程で
は使用することが困難である。これに対し、吸水量が
０．５重量％の基板はおよそ１０ｐｐｍ縮んでいるが、
液晶表示素子の基板として使用出来る範囲内である。

【００５５】この現象は、吸水量の多い基板ほど加熱工
程で多く脱水し、基板の収縮が大きくなるためと考えら
れる。特に０．５重量％を超える吸水は、物理的な吸湿
もしくは過剰吸水状態となっており、わずかな温度変化
（低い加熱温度）で吸脱水が起こりやすく寸法変化が大
きい。これに対し０．５重量％以下の吸水は、化学的な
吸湿状態となっており、比較的高い温度においても吸脱
水が起こりにくく、そのため寸法変化が小さい。 （実施例２）実施例２では、脱水処理工程において、無
機膜形成工程後に脱水工程を遂行した。具体的には、樹
脂基板として、吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シート
（板厚０．４ｍｍ）を用意し、この樹脂基板の両面に、
スパッタ法で無機膜としてのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚
みに形成した。その後、この樹脂基板を１２０℃×７２
時間加熱して、吸水量を０．１重量％とした。次に、こ
の樹脂基板の片面にスパッタ法でＩＴＯからなる透明電
極膜を１５０ｎｍの厚みに形成した。次に、この樹脂基
板にネガ型フォトレジストを塗布し１２０℃×５分乾燥
した。次に、この樹脂基板上のネガ型フォトレジスト
を、雰囲気温度において、アンマスク／マスクのスペー
ス比＝９０／１０、８３．３μｍピッチの短冊状マスク
を通して露光した。その後、この樹脂基板について、室
温において、フォトレジストの現像、透明電極膜のエッ
チング、及びフォトレジストの剥離を行って信号電極を
形成し、かくして基板Ｃ７２を作製した。そして、基板
Ｃ７２について、実施例１と同様に、乾燥による１２０
０ラインの信号電極の寸法変化を測定した。乾燥条件は
実施例１と同じである。

【００５６】また、基板Ｃ４８、Ｃ２４、Ｃ１２を作製
し、基板Ｃ７２と同様に、乾燥による１２００ラインの
信号電極の寸法変化を測定した。基板Ｃ４８、Ｃ２４、
Ｃ１２は、樹脂基板吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シ
ート（板厚０．４ｍｍ）の両面にスパッタ法で無機膜と
してのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚みに形成した後、１２
０℃×４８時間、１２０℃×２４時間、１２０℃×１２
時間加熱して、吸水量を、それぞれ、およそ０．２、
０．４、０．５重量％としたこと以外は、基板Ｃ７２と
同様にして作製した。 ［比較例２］実施例２の比較例として、基板Ｄ１０、Ｄ
０を作製し、実施例２と同様に、乾燥による１２００ラ
インの信号電極の寸法変化を測定した。基板Ｄ１０、Ｄ
０は、吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シート（板厚
０．４ｍｍ）の両面にスパッタ法で無機膜としてのＳｉ
Ｏ₂層を２０ｎｍの厚みに形成した後、１２０℃×１０
時間、１２０℃×０時間（無加熱）加熱して、吸水量
を、それぞれ、０．６、１重量％としたこと以外は、実
施例２と同様にして作製した。 ［信号電極の寸法（パターン寸法）変化］図５は、基板
の吸水量をパラメータとした場合の加熱サイクル数に対
する基板Ｃ及びＤ群の信号電極の寸法変化量を示すグラ
フである。図５において、加熱サイクル数０はマスク寸
法を示す。図５の寸法変化から、この製造方法において
も実施例１及び比較例１と同じ現象がみられることが確
認された。

【００５７】さて、実施例１と実施例２とを比較する
と、実施例１では脱水工程での時間が短いという長所が
あるが、逆にその後の工程で吸水する可能性がある。一
方、実施例２では、樹脂基板に無機膜が形成されている
ため、脱水工程における時間が長く掛かるという短所が
あるが、逆にその後の工程で吸水する可能性は低い。し
たがって、他の工程も含めて最適な方を選択するのがよ
い。 （実施例３）実施例３では、樹脂基板上に形成される無
機膜の厚みを変化させた。具体的には、無機膜としての
ＳｉＯ₂層の厚みを１５、２５、４０ｎｍとしたこと以
外は実施例１の基板Ａ７と同様にして、基板Ａ７−１
５、Ａ７−２５、Ａ７−４０を作製し、実施例１と同様
に１２００ラインの信号電極の寸法変化を測定した。ま
た、その寸法変化と同時に基板の吸水量も測定した。 ［比較例３］実施例３の比較例として、無機膜としての
ＳｉＯ₂層の厚みを０、１０、４５ｎｍとしたこと以外
は実施例３と同様にして、基板Ｂ７−０、Ｂ７−１０、
Ｂ７−４５を作製し、実施例３と同様に１２００ライン
の信号電極の寸法変化を測定した。また、その寸法変化
と同時に基板の吸水量も測定した。 ［無機膜の膜厚と寸法変化との関係］図６は無機膜の膜
厚をパラメータとした場合の放置時間に対する基板Ａ７
及びＢ７群の信号電極の寸法変化を示すグラフである。
図６に示すように、無機膜の膜厚が１０ｎｍ未満の基板
では、１時間程度で吸湿による寸法の膨張がみられ、液
晶表示素子の寸法が関与する工程には使用することが困
難である。一方、無機膜の膜厚が１０ｎｍ以上の基板で
は４時間に渡り、大きな寸法変化がみられない。ここ
で、液晶表示素子の基板として使用出来る寸法変化の許
容範囲１０ｐｐｍ以下である。一方、無機膜の膜厚が４
０ｎｍを超える基板では、２時間程度で吸湿による寸法
の膨張が見られるが、これは無機膜（ＳｉＯ₂膜）にク
ラックが認められることから、ＳｉＯ₂膜が湿気バリア
膜として機能していないためと考えられる。この基板
も、液晶表示素子の寸法が関与する工程には使用するこ
とが困難である。 （実施例４）実施例４では無機膜の種類を変えた。つま
り、無機膜として、ＳｉＯ₂層の代わりにＳｉＮ_x層を２
０ｎｍの厚みに形成すること以外は、実施例１の基板Ａ
７と同様にして、基板ＡＳ７を作製し、実施例１と同様
に１２００ラインの信号電極の寸法変化を測定した。 ［無機膜の違いと信号電極の寸法変化との関係］図７
は、無機膜の種類をパラメータとした場合の放置時間に
対する基板Ａ７及びＡＳ７の信号電極の寸法変化を示す
グラフである。図７から明らかなように、ＳｉＮ_x膜も
ＳｉＯ₂膜と同じ寸法挙動を示し、湿気バリア膜として
機能する。その結果、ＳｉＮ_x膜が形成された基板ＡＳ
７も、長期に渡り吸水量が０．５重量％以下の状態を保
持する。この他に、ＡｌＯ_x、ＴｉＯ_x、ＺｒＯ_xからな
る無機膜もＳｉＮ_x膜と同じ挙動を示すが、誘電率等が
ＳｉＯ₂膜より大きく異なるため、液晶表示素子の基板
には適さない。 （実施例５）実施例５では半完成状態のカラーフィルタ
基板を作製した。また、脱水処理工程において、脱水工
程後に無機膜形成工程を遂行した。具体的には、樹脂基
板として、吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シート（板
厚０．４ｍｍ）を用意し、これを１２０℃×７時間加熱
して、吸水量をおよそ０．１重量％とした。そして、そ
の直後に、この樹脂基板の両面にスパッタ法で無機膜と
してのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚みに形成し、次いで、
雰囲気温度において、この樹脂基板の片面にＲ、Ｇ、Ｂ
のサブフィルタからなるカラーフィルタを２５０μｍピ
ッチ（Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブフィルタは８３．３μｍピッ
チ）で４００組印刷し、１２０℃×１５分の条件で乾燥
を行って基板（半完成カラーフィルタ基板）Ｅを作製し
た。そして、４００組のカラーフィルタの寸法の初期値
を測定した。その後、１２０℃×１５分の乾燥処理（１
２０℃への加熱と室温への冷却とを含む加熱サイクル）
を所定回数繰り返し、１回の乾燥処理毎に基板Ｅのカラ
ーフィルタの寸法を測定した。 （実施例６）実施例６では半完成状態のカラーフィルタ
基板を作製し、その脱水処理工程において、無機膜形成
工程に脱水工程を遂行した。具体的には、樹脂基板とし
て、吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シート（板厚０．
４ｍｍ）を用意し、この樹脂基板の両面にスパッタ法で
無機膜としてのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚みに形成し
た。次いで、この樹脂基板を１２０℃×７２時間加熱し
て、吸水量をおよそ０．１重量％とした。その後、雰囲
気温度において、この樹脂基板の片面にＲ、Ｇ、Ｂのサ
ブフィルタからなるカラーフィルタを２５０μｍピッチ
（Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブフィルタは８３．３μｍピッチ）
で４００組印刷し、１２０℃×１５分の条件で乾燥を行
って基板（半完成カラーフィルタ基板）Ｆを作製した。
そして、実施例５と同様に、乾燥による４００組のカラ
ーフィルタの寸法変化を測定した。 ［比較例４］実施例５及び６の比較例として、基板Ｇを
作製し、実施例５と同様に、乾燥による４００組のカラ
ーフィルタの寸法変化を測定した。この基板Ｇは、樹脂
基板としての、吸水量が１重量％のエポキシ樹脂シート
（板厚０．４ｍｍ）の両面に、スパッタ法で無機膜とし
てのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚みに形成し、その後、雰
囲気温度において、この樹脂基板の片面にＲ、Ｇ、Ｂの
サブフィルタからなるカラーフィルタを２５０μｍピッ
チ（Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブフィルタは８３．３μｍピッ
チ）で４００組印刷し、１２０℃×１５分の条件で乾燥
を行って作製した。 ［カラーフィルタの寸法変化］図８は、加熱サイクル数
に対する基板Ｅ、Ｆ、Ｇのカラーフィルタの寸法変化を
示すグラフである。図８において、加熱サイクル数０は
マスク寸法を示す。図８に示すように、吸水量が０．５
重量％を超える基板Ｇはマスクパターンよりも寸法の収
縮が大きく、また加熱サイクル毎に収縮することが判
る。このことから、基板Ｇは液晶表示素子の加熱が繰り
返される製造工程では使用することが困難である。一
方、基板Ｅ及びＦの収縮量は、１０ｐｐｍ未満であり、
液晶表示素子の基板として使用出来る範囲内である。 （実施例７）実施例７では、液晶表示素子を作製した。
具体的には、実施例５の基板Ｅ上に平坦化膜層を形成
し、さらにその上にＩＴＯからなる透明電極膜を１５０
ｎｍの厚みに形成した。次に、この透明電極膜上にネガ
型フォトレジストを塗布し、１２０℃×５分の条件で乾
燥した。次に、雰囲気温度において、このネガ型フォト
レジストを、アンマスク／マスクのスペース比＝８０／
２０、設計値２５０μｍピッチの短冊状マスクをストラ
イプ状のカラーフィルタと直交するようにセットして、
露光した。その後、この樹脂基板について、室温におい
て、フォトレジストの現像、透明電極膜のエッチング、
及びフォトレジストの剥離を行い、その後、１２０℃×
１５分乾燥して走査電極を形成し、かくしてカラーフィ
ルタ基板Ｈを作製した。このとき、カラーフィルタの１
２００ラインの寸法は１００．０００２ｍｍ、走査電極
の４００ラインの寸法は１００．０００５ｍｍであっ
た。

【００５８】そして、実施例１の基板Ａ７を対向基板と
して用いた。このとき、信号電極の１２００ラインの寸
法は１００．０００７ｍｍであった。

【００５９】次に、対向基板Ａ７にスペーサを塗布し、
カラーフィルタ基板Ｈにはシール材を印刷し、両基板を
１２０℃×５分の条件下で加熱した。次いで、両基板を
雰囲気温度に戻し、その後、対向基板Ａ７の信号電極の
パターンとカラーフィルタ基板Ｈのカラーフィルタのパ
ターンとを合わせるようにして、両基板を貼り合わせ
た。次いで、この貼り合わせた両基板を１２０℃×３時
間の条件下で加熱して、シール材を硬化させた。このよ
うにして、本実施の形態の製造方法により液晶表示素子
Ｉを製造した（正確には、液晶の注入及び個々の液晶セ
ルへの分断、及び偏光板の貼り付けを省略している）。 ［比較例５］実施例７の比較例として液晶表示素子Ｋを
製造した。具体的には、比較例４の基板Ｇ上に平坦化膜
層を形成し、さらにその上にＩＴＯからなる透明電極膜
を１５０ｎｍの厚みに形成した。次に、この透明電極膜
上にネガ型フォトレジストを塗布し、１２０℃×５分の
条件で乾燥した。次に、雰囲気温度において、このネガ
型フォトレジストを、アンマスク／マスクのスペース比
＝８０／２０、設計値２５０μｍピッチの短冊状マスク
をストライプ状のカラーフィルタと直交するようにセッ
トして、露光した。その後、この樹脂基板について、室
温において、フォトレジストの現像、透明電極膜のエッ
チング、及びフォトレジストの剥離を行い、その後、１
２０℃×１５分乾燥して走査電極を形成し、かくしてカ
ラーフィルタ基板Ｊを作製した。このとき、カラーフィ
ルタの１２００ラインの寸法は９９．９９２２ｍｍ、走
査電極の４００ラインの寸法は９９．９９６１ｍｍであ
った。

【００６０】そして、比較例１の基板Ｂ０を対向基板と
して用いた。このとき、信号電極の１２００ラインの寸
法は９９．９９６４ｍｍであった。

【００６１】次に、対向基板Ｂ０にスペーサを塗布し、
カラーフィルタ基板Ｊにはシール材を印刷し、両基板を
１２０℃×５分の条件下で加熱した。次いで、両基板を
雰囲気温度に戻し、その後、対向基板Ｂ０の信号電極の
パターンとカラーフィルタ基板Ｊのカラーフィルタのパ
ターンとを合わせるようにして、両基板を貼り合わせ
た。次いで、この貼り合わせた両基板を１２０℃×３時
間の条件下で加熱して、シール材を硬化させた。このよ
うにして、比較例５の液晶表示素子Ｋを製造した。 ［貼り合わせパターン精度］対向基板の信号電極の１２
００ラインの寸法と、カラーフィルタ基板のカラーフィ
ルタの１２００ラインの寸法とを比較し、パターンずれ
から、全画素内での最低の開口率を求めた。これを図９
に示す。図９から明らかにように、パターンずれ及び開
口率から、比較例５に比べて、本発明の製造方法が貼り
合わせパターン精度に優れていることが判る。 （実施例８）実施例８では、実施例７の液晶表示素子Ｉ
の対向基板Ａ７の信号電極及びカラーフィルタ基板Ｈの
走査電極の各々の１２００ラインに、１２００ライン／
１００ｍｍでライン／スペース比が９０／１０のフレキ
シブル端子を、パターンを合わせるようにして接着させ
た。 ［比較例６］実施例８の比較例として、比較例５の液晶
表示素子Ｋの対向基板Ｂ０の信号電極及びカラーフィル
タ基板Ｊの走査電極の各々の１２００ラインに、１２０
０ライン／１００ｍｍでライン／スペース比が９０／１
０のフレキシブル端子を、パターンを合わせるようにし
て接着させた。 ［フレキシブル端子のパターン精度］フレキシブル端子
の１２００ラインの寸法と液晶表示素子側の信号電極及
び走査電極の１２００ラインの寸法とから両者間のパタ
ーンずれを求めるとともに、信号電極及び走査電極とフ
レキシブル端子との接触率を比較した。これを図１０及
び図１１に示す。図１０及び図１１から明らかなよう
に、パターンずれと接触率とから、比較例６に比べて本
発明の製造方法が、貼り合わせパターン精度に優れてい
ることが判る。またスペース寸法が８μｍであるので、
隣接ライン同士の接触はないものの、高精細になりスペ
ース寸法が小さくなると比較例の方法では隣接ライン同
士が接触する可能性がある。 実施の形態２ 本発明の実施の形態２に係る液晶表示素子の製造方法
は、実施の形態１の液晶表示素子の製造方法における脱
水処理工程が、少なくとも樹脂基板を減圧下に放置する
減圧脱水工程と、減圧脱水された樹脂基板の両面に無機
膜を設ける無機膜形成工程とを有することを特徴として
いる。その他の点は、実施の形態１と同様である。

【００６２】このように脱水処理された樹脂基板は、無
機膜によってガスがブロックされるので、ガスの吸着が
起こりにくくなり、加熱前後における寸法変化が極めて
小さい。その結果、この状態の樹脂基板を用いて、例え
ばカラーフィルタ形成や、信号電極及び走査電極のパタ
ーニングを行えば、その後、液晶表示素子の製造工程に
おける加熱工程が繰り返されたとしてもカラーフィルタ
や電極の寸法変化が極めて小さくなり、その結果、その
後の基板同士の貼り合わせにおいてもパターンがずれを
起こすことなく液晶セルを製造することができる。

【００６３】なお、上記減圧脱水工程では、樹脂基板に
含まれる不純物の含有量が低減される。このような不純
物としては、樹脂基板中に残留した未反応の重合開始剤
やモノマー、あるいは反応生成物の水などが該当する。

【００６４】また、本実施の形態における「減圧下」と
は、大気圧以下を指し、水分除去速度から考えると好ま
しくは０．５気圧以下、また、スパッタ等の無機膜の成
膜前にスパッタ等とまとめて行う場合は１．３３×１０
^-2Ｐａが好ましい。

【００６５】また、本実施の形態では、無機膜形成工程
後に、加熱工程を遂行してもよい。この加熱工程は、前
記減圧下で樹脂基板若しくは両面に少なくとも無機膜を
設けた樹脂基板から脱離したガスを再吸着させることを
目的としている。従って、より早く樹脂基板にガスを吸
着させるには、雰囲気圧を高くするか加熱温度を高くす
ればよいが、作業性の立場から常圧が好ましい。また加
熱温度は２００℃を超えると樹脂が変形し、樹脂の吸脱
着特性が変化することを考えると、１２０〜２００℃が
望ましい。さらに、基板内の面内寸法均一性を考える
と、面内で均一に加熱することが望ましい。これに適し
た方法として、熱風循環炉に放置する方法や、遠赤外線
を照射する方法がある。特に後者は均一性に優れてい
る。一方、ホットプレートでの加熱は樹脂基板が反るの
で好ましくない。また、この加熱工程の雰囲気として、
不活性ガスが望ましい。ここで、不活性ガスとは、樹脂
に対して影響を与えないもので、窒素等も有効である。
また、空気の場合、樹脂の酸化劣化のおそれがあるもの
の、通常雰囲気放置下でガスの吸脱着による変化が無い
ので、寸法安定の点から望ましい。さらに湿度を３５％
以下にすることにより、樹脂内への吸湿量が少なく、室
温での寸法変化はもちろんのこと、加熱を繰り返しても
寸法変化が極めて小さい基板を製造できる。

【００６６】次に、以上の効果を確認するために、実施
の形態１と同様に、実施例として、信号電極、走査電
極、及び液晶セルを作成し、その寸法変化を評価した。
以下に、この実施例を説明する。 （実施例９）実施例９では、エポキシ樹脂シート（板厚
０．４ｍｍ）を室温で１．３３×１ ^-3Ｐａ下に１時間放
置した。そして、その直後に、この樹脂基板の両面にス
パッタ法で無機膜としてのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚み
に形成し、さらにその片面にＩＴＯからなる透明電極膜
を１５０ｎｍの厚みに形成した。次に、この樹脂基板に
ネガ型フォトレジストを塗布し、その樹脂基板を１２０
℃×５分乾燥した。次に、この樹脂基板を、雰囲気温度
において、ネガ型フォトレジストにアンマスク／マスク
のスペース比＝９０／１０、８３．３μｍピッチの短冊
状のマスクを通して露光した。その後、この樹脂基板に
ついて、室温において、フォトレジストの現像、透明電
極膜のエッチング、及びフォトレジストの剥離を行って
信号電極を形成した。このようにして基板（対向基板）
Ｈを作製し、１２００ラインの信号電極の寸法の初期値
を測定した。その後、通常雰囲気下で１２０℃×１時間
加熱し、その後２３時間放置するという２４時間サイク
ル（以下、加熱／放置サイクルという）を繰り返し、基
板Ｈの寸法変化を測定した。 （実施例１０）実施例１０では、樹脂基板としてのエポ
キシ樹脂シート（板厚０．４ｍｍ）を室温で１．３３×
１０^-3Ｐａ下に１時間放置後、常圧無水空気下で１２０
℃×１５分加熱した。そして、その直後に、この樹脂基
板の両面にスパッタ法で無機膜としてのＳｉＯ₂層を２
０ｎｍの厚みに形成し、さらにその片面にＩＴＯからな
る透明電極膜を１５０ｎｍの厚みに形成した。以降、実
施例９と同様にして基板Ｉを作製し、１２００ラインの
信号電極の寸法の初期値を測定した。その後、実施例９
と同様に、加熱／放置サイクルによる信号電極の寸法変
化を測定した。 （実施例１１）実施例１１では、樹脂基板としてのエポ
キシ樹脂シート（板厚０．４ｍｍ）を室温で１．３３×
１０^-3Ｐａ下に１時間放置後、スパッタ法で両面に無機
膜としてのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚みに形成し、さら
にその片面にＩＴＯからなる透明電極膜を１５０ｎｍの
厚みに形成した。その後、常圧無水空気下で１２０℃×
１時間加熱した。以下実施例９と同様にして、基板Ｊを
作製し、１２００ラインの信号電極の寸法の初期値を測
定した。その後、実施例９と同様に、加熱／放置サイク
ルによる信号電極の寸法変化を測定した。 ［比較例７］実施例９〜１１の比較例として基板Ｋを作
製した。この基板Ｋは、樹脂基板としてのエポキシ樹脂
シート（板厚０．４ｍｍ）の両面に、スパッタ法で両面
に無機膜としてのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚みに形成
し、さらにその片面にＩＴＯからなる透明電極膜を１５
０ｎｍの厚みに形成し、以降、実施例９と同様にして作
製した。そして、１２００ラインの信号電極の寸法の初
期値を測定し、その後、実施例９と同様に、加熱／放置
サイクルによる信号電極の寸法変化を測定した。 ［信号電極（パターン）の寸法変化］図１２は、時間に
対する基板Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋの信号電極の寸法変化を示す
グラフである。図１２において、時間０はマスク寸法を
示す。加熱により、全ての基板が膨張することが判る。
特に、比較例７の基板Ｋは加熱による膨張が大きく、ま
た、加熱／放置サイクルことに寸法挙動が変化（収縮）
していることが判る。一方、基板Ｈは加熱／放置サイク
ルごとに寸法の変動が起こらないことが判る。さらに基
板Ｉ及び基板Ｊ加熱による膨張が小さく、加熱／放置サ
イクルごとの寸法挙動にも変化が起こらないことが判
る。

【００６７】この現象は、基板Ｋに対し基板Ｈ、Ｉ、Ｊ
は、減圧下に放置することにより、樹脂基板中の不純
物、特に水（この他には例えば残留モノマー等が挙げら
れる）が除去されるので、その後の加熱／放置サイクル
の繰り返しによりその脱離などが起こらず寸法挙動が変
化しないためと考えられる。ただし減圧下で放置したと
き樹脂中のガス、例えば空気も除去されるので、基板Ｈ
は、その後の最初の加熱処理でガスを吸収し寸法が膨張
する。したがって基板Ｉ、Ｊのように減圧下に放置後に
あらかじめ加熱しておけば、樹脂中にガスが吸収するの
で、その後の加熱処理の繰り返しによっても寸法変動が
見られない。

【００６８】このことより、比較例７の基板Ｋは液晶表
示素子の加熱が繰り返される製造工程では使用すること
は困難である。

【００６９】さらに、加熱処理の繰り返しでも寸法挙動
が変化しない基板Ｉ、Ｊが優れているが、基板Ｉでは、
無機膜を常圧下で成膜する必要があり、成膜法、不純物
の問題が存在するのに対し、基板Ｊでは、減圧下に放置
する工程と不純物除去工程を、無機膜や透明電極膜など
の膜を減圧下でスパッタする工程に統合することが可能
であり、基板Ｊの製造方法のほうがより製造工程を簡略
化できる。 （実施例１２）実施例１２では、無機膜として、ＳｉＯ
₂層の代わりに、ＳｉＮ_x層を形成すること以外は、実施
例１１と同様にして、基板Ｌを作製した。そして、１２
００ラインの信号電極の寸法の初期値を測定し、その
後、実施例１１と同様に、加熱／放置サイクルによる信
号電極の寸法変化を測定した。 ［無機膜の違いとパターン寸法の変化との関係］図１３
は、時間に対する基板Ｊ、Ｌの信号電極の寸法変化を示
すグラフであり、無機膜の違いとパターン寸法の変化と
の関係を示している。図１３から明らかなように、Ｓｉ
Ｎ_x膜（基板Ｌ）もＳｉＯ₂膜（基板Ｊ）と同じ寸法挙動
を示して湿気バリア膜として作用し、長期に渡り吸水量
が０．５％以下を保持する。このほかに、ＡｌＯ_x、Ｔ
ｉＯ_x、ＺｒＯ_xからなる膜もＳｉＮ_x膜と同じ挙動を示
すが、誘電率等が大きく異なるため、液晶表示素子の基
板には適さない。 （実施例１３）実施例１３では、加熱工程における雰囲
気が無水空気に代わって無水アルゴンであること以外
は、実施例１１と同様にして基板Ｍを作製した。そし
て、１２００ラインの信号電極の寸法の初期値を測定
し、その後、実施例１１と同様に、加熱／放置サイクル
による信号電極の寸法変化を測定した。 ［比較例８］実施例１３の比較例として、加熱工程にお
ける雰囲気が無水空気に代わって無水酸素であること以
外は、実施例１１と同様にして、基板Ｎを作製した。そ
して、１２００ラインの信号電極の寸法の初期値を測定
し、その後、実施例１１と同様に、加熱／放置サイクル
による信号電極の寸法変化を測定した。 ［加熱雰囲気ガスの違いと基板への影響及びパターンの
寸法変化］図１４は、時間に対する基板Ｊ、Ｍ、Ｎの信
号電極の寸法変化を示すグラフであり、加熱雰囲気ガス
の違いとパターン寸法の変化との関係を示している。図
１４から明らかなように、パターンの寸法挙動は空気
（基板Ｊ）が優れていることが判る。これは加熱／放置
サイクルによって、通常雰囲気下の空気との脱着が見か
け上起こらないためと考えられる。また、加熱雰囲気ガ
スが酸素（基板Ｎ）及び空気である場合には、加熱によ
る基板の樹脂の着色（黄変）が見られたもののアルゴン
（基板Ｍ）では全く認められなかった。このことより、
基板Ｎは液晶表示素子の製造工程では使用することは困
難である。 （実施例１４）実施例１４では、加熱工程における雰囲
気が無水空気に代わって湿度３５％の空気であること以
外は、実施例１１と同様にして、基板Ｏを作製した。そ
して、１２００ラインの信号電極の寸法の初期値を測定
し、その後、実施例１１と同様に、加熱／放置サイクル
による信号電極の寸法変化を測定した。 ［比較例９］実施例１４の比較例として、加熱工程にお
ける雰囲気が無水空気に代わって湿度４０％の空気であ
ること以外は、実施例１１と同様にして、基板Ｐを作製
した。そして、１２００ラインの信号電極の寸法の初期
値を測定し、その後、実施例１１と同様に、加熱／放置
サイクルによる信号電極の寸法変化を測定した。 ［加熱雰囲気湿度の違いとパターン寸法の変化との関
係］図１５は、時間に対する基板Ｊ、Ｏ、Ｐの信号電極
の寸法変化を示すグラフであり、加熱雰囲気湿度の違い
とパターン寸法の変化との関係を示している。図１５か
ら明らかなように、湿度が３５％を超える（基板Ｐ）
と、加熱工程で吸湿するため、その後の加熱／放置サイ
クルで寸法挙動に変化（収縮）がみられることが判る。
このことより、基板Ｐはパターン寸法の変動量を２０ｐ
ｐｍ以下に抑える必要のある液晶表示素子の加熱が繰り
返される製造工程では使用することは困難である。 （実施例１５）実施例１５では半完成のカラーフィルタ
基板を作製した。具体的には、樹脂基板としてのエポキ
シ樹脂シート（板厚０．４ｍｍ）を室温で１．３３×１
０^-3Ｐａ下に１時間放置後、この樹脂基板の両面にスパ
ッタ法で無機膜としてのＳｉＯ ₂層を２０ｎｍの厚みに
形成した。その後、この樹脂基板を常圧無水空気下で１
２０℃×１時間加熱した。その後、雰囲気温度で、この
樹脂基板上に、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブフィルタからなるカラ
ーフィルタを２５０μｍピッチ（Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブフ
ィルタは８３．３μｍピッチ）で４００組印刷して基板
（半完成カラーフィルタ基板）Ｑを作製した。そして、
カラーフィルタの１２００ラインの寸法を測定した。そ
して、実施例９と同様に、加熱／放置サイクル乾燥によ
るカラーフィルタの１２００ラインの寸法変化を測定し
た。 ［比較例１０］実施例１５の比較例として、樹脂基板と
してのエポキシ樹脂シート（板厚０．４ｍｍ）の両面に
スパッタ法で無機膜としてのＳｉＯ₂層を２０ｎｍの厚
みに形成した。以降、実施例１５と同様にして基板（半
完成カラーフィルタ基板）Ｒを作製し、カラーフィルタ
の１２００ラインの寸法を測定した。そして、実施例１
５と同様に、加熱／放置サイクル乾燥によるカラーフィ
ルタの１２００ラインの寸法変化を測定した。 ［カラーフィルタのパターン寸法の変化］図１６は、時
間に対する基板Ｑ、Ｒのカラーフィルタの寸法変化を示
すグラフである。図１６において、時間０はマスク寸法
を示す。図１６に示すように、加熱により、双方の基板
が膨張する（寸法が増大する）ことが判る。特に基板Ｒ
は加熱による膨張が大きく、また加熱／放置サイクルご
とに寸法挙動が変化（収縮）していることが判る。一
方、基板Ｑは加熱／放置サイクルごとに寸法の変動が起
こらず、さらに加熱による膨張が小さく、加熱／放置サ
イクルごとの寸法挙動に変化も起こらないことが判る。
このことから、基板Ｒは液晶表示素子の加熱が繰り返さ
れる製造工程では使用することが困難である。 （実施例１６）実施例１５の基板Ｑ上に平坦化膜層を形
成した後、１２０℃×１時間焼成し、この基板Ｑを無水
空気中で２４時間放置した。さらに、この基板Ｑ上にＩ
ＴＯからなる透明電極膜を１５０ｎｍの厚みに形成し
た。次に、この透明電極膜上にネガ型フォトレジストを
塗布し、１２０℃×５分の条件で乾燥した。次に、雰囲
気温度において、このネガ型フォトレジストを、アンマ
スク／マスクのスペース比＝８０／２０、設計値２５０
μｍピッチの短冊状マスクをストライプ状のカラーフィ
ルタと直交するようにセットして、露光した。その後、
この樹脂基板について、室温において、フォトレジスト
の現像、透明電極膜のエッチング、及びフォトレジスト
の剥離を行って走査電極を形成し、かくしてカラーフィ
ルタ基板Ｓを作製した。このとき、カラーフィルタの１
２００ラインの寸法は１００．０００２ｍｍ、走査電極
の４００ラインの寸法は１００．０００５ｍｍであっ
た。

【００７０】そして、実施例１１の基板Ｊを対向基板と
して用いた。このとき、信号電極の１２００ラインの寸
法は１００．０００７ｍｍであった。

【００７１】次に対向基板Ｊにスペーサを塗布し、カラ
ーフィルタ基板Ｓにはシール材を印刷し、対向基板Ｊの
信号電極のパターンとカラーフィルタ基板Ｓのカラーフ
ィルタのパターンとを合わせるようにして、両基板Ｊ、
Ｓを貼り合わせた。この後、この貼り合わせた基板Ｊ、
Ｓを１２０℃×３時間の条件下で加熱してシール材を硬
化させた。かくして、本発明の液晶表示素子の製造方法
によって液晶表示素子αを製造した。 ［比較例１２］比較例１２では、比較例１０の基板Ｒを
用いたこと以外は実施例１６のカラーフィルタ基板Ｓと
同様にしてカラーフィルタ基板Ｔを作製した。このと
き、カラーフィルタの１２００ラインの寸法は１００．
０１５２ｍｍ、走査電極の４００ラインの寸法は１０
０．０００７ｍであった。

【００７２】そして、比較例７の基板Ｋを対向基板とし
て用いた。このとき、信号電極の１２００ラインの寸法
は１００．０００８ｍｍであった。

【００７３】次に、対向基板Ｋにスペーサを塗布し、カ
ラーフィルタ基板Ｔにはシール材を印刷し、対向基板Ｋ
の信号電極のパターンとカラーフィルタ基板Ｔのカラー
フィルタのパターンとを合わせるようにして、両基板
Ｋ、Ｔを貼り合わせた。かくして、比較例１２の液晶表
示素子βを製造した。 ［貼り合わせパターン精度］対向基板の信号電極の１２
００ラインの寸法と、カラーフィルタ基板のカラーフィ
ルタの１２００ラインの寸法とを比較し、パターンずれ
から、全画素内での最低の開口率を求めた。これを図１
７に示す。図１７から明らかにように、パターンずれ及
び開口率から、比較例１２に比べて、本発明の製造方法
が貼り合わせパターン精度に優れていることが判る。 （実施例１７）実施例１７では、実施例１６の液晶表示
素子αの対向基板Ｊの信号電極及びカラーフィルタ基板
Ｓの走査電極の各々の１２００ラインに、１２００ライ
ン／１００ｍｍでライン／スペース比が８０／１０のフ
レキシブル端子を、パターンを合わせるようにして接着
させた。 ［比較例１３］比較例１３では、比較例１２の液晶表示
素子βの対向基板Ｋの信号電極及びカラーフィルタ基板
Ｔの走査電極の各々の１２００ラインに、１２００ライ
ン／１００ｍｍでライン／スペース比が８０／１０のフ
レキシブル端子を、パターンを合わせるようにして接着
させた。 ［フレキシブル端子のパターン精度］フレキシブル端子
の１２００ラインの寸法と液晶表示素子（対向基板）側
の信号電極の１２００ラインの寸法とから両者間のパタ
ーンずれを求めるとともに、信号電極とフレキシブル端
子との接触率を比較した。これを図１８に示す。図１０
及び図１１から明らかなように、パターンずれと接触率
とから、比較例１３に比べて本発明の製造方法が、貼り
合わせパターン精度に優れていることが判る。また、ス
ペース寸法が最大１６μｍであるので、隣接ライン同士
の接触はないものの、高精細になりスペース寸法が小さ
くなると比較例１３の方法では隣接ライン同士が接触す
る可能性がある。 実施の形態３ 本発明の実施の形態３は、製造工程にリセットを含む場
合を例示している。

【００７４】図１９は本実施の形態に係る液晶表示素子
の製造方法を示す工程図である。

【００７５】図１９に示すように、本実施の形態の液晶
表示素子の製造方法は、信号電極形成工程（ステップＳ
３４）、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ３９）、
及び貼り合わせ工程（ステップＳ４４）の前に、それぞ
れ、本発明の特徴的構成であるリセット工程（ステップ
Ｓ３３、３８、４３）を含む点が実施の形態１と異な
り、その他の点は実施の形態１と同様である。

【００７６】図１及び図１９を参照すると、本実施の形
態では、対向基板１０１及びカラーフィルタ基板１０２
の製造工程において、樹脂基板１Ａ、１Ｂを脱水した
後、その両面に無機膜２が形成される。また、リセット
工程は、途中まで加工された樹脂基板１Ａ、１Ｂを脱水
する工程である。この脱水は、実施の形態１で述べた乾
燥（加熱）によって遂行してもよく、また、実施の形態
２で述べた減圧によって遂行してもよい。また、脱水の
程度は、樹脂基板１Ａ、１Ｂが０．５重量％以下となる
よう脱水するのが望ましい。このようにすると、樹脂基
板１Ａ、１Ｂがその後加熱処理されてもその収縮の程度
が十分小さくなるからである。

【００７７】次に、リセット工程の効果を説明する。図
２０はリセット後の基板の成膜工程における寸法変化を
模式的に示すグラフである。図１及び図２０を参照する
と、液晶表示素子の製造は、所定の雰囲気に維持された
クリーンルーム内で行われる。そして、例えば、信号電
極形成工程を遂行する場合、まずリセットが行われる。
このリセットは、例えば、樹脂基板１Ａを１２０℃×７
２時間加熱することにより遂行される。これにより、樹
脂基板１Ａの吸水量が実施の形態１で述べたように、
０．１重量％以下になり、樹脂基板１Ａは最も収縮した
状態になる。次いで、樹脂基板１Ａには、順次、乾燥、
パターニング、エッチング、水洗、及び乾燥の処理が施
される。このとき、樹脂基板１Ａは、リセットから乾燥
まで吸湿により徐々に膨張し、乾燥によってほぼ元の寸
法に収縮する。その後、樹脂基板１Ａは、乾燥からパタ
ーニングまで吸湿により徐々に膨張し、パターニングよ
ってほぼ元の寸法に収縮する。その後、樹脂基板１Ａは
パターニングからエッチング及び水洗を経て乾燥に至る
まで、吸湿により膨張するが乾燥によってほぼ元の寸法
に収縮する。ここで、信号電極の寸法は、エッチングに
よって決まるが、クリーンルームの雰囲気は所定の条件
に維持されているので、リセットからエッチングが成さ
れるまでの間の樹脂基板１Ａの膨張量を予測することが
できる。従って、信号電極を高精度の寸法に形成するこ
とができる。このことは、カラーフィルタ基板における
成膜工程についても同様である。また、貼り合わせ工程
の場合、貼り合わそうとする対向基板及びカラーフィル
タ基板が、互いに加工履歴が異なるので、そのまま貼り
合わせると、シール材を硬化させるための加熱によっ
て、基板の寸法が比較的大きく変化し、比較的大きなパ
ターンずれを生じ得る。しかし、本実施の形態のよう
に、貼り合わせ工程の前にリセットすると、基板が加工
履歴に拘わらず、リセット条件に応じた寸法になるの
で、シール材硬化のための加熱による基板の寸法変化を
見込むことが可能となり、その結果、貼り合わせ後のパ
ターンずれを低減することができる。

【００７８】なお、実施の形態３の説明では、樹脂基板
１Ａ、１Ｂの両面に無機膜２を設けているが、無機膜２
は、樹脂基板１Ａ、１Ｂの片面にだけ設けてもよく、ま
た、全く設けなくてもよい。但し、これらの場合には、
樹脂基板１Ａ、１Ｂの吸湿速度が速くなるので、リセッ
ト後、速やかに次の工程を遂行することが必要である。

【００７９】なお、本発明は、アクティブマトリクス型
の液晶表示素子の製造方法にも上記と同様に適用でき
る。

【００８０】また、有機エレクトロルミネッセンス表示
素子等の他の画像表示素子の製造方法にも上記と同様に
適用できる。

【００８１】

【発明の効果】本発明は以上に説明したような形態で実
施され、樹脂基板の寸法変化が少ない画像表示素子の製
造方法が得られるという効果を奏する。また、画像表示
素子の製造を高い寸法精度で行うことができるという効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る画像表示素子の製
造方法によって製造される画像表示素子の構成を模式的
に示す断面図である。

【図２】図１の液晶表示素子の製造方法の概要を示す工
程図である。

【図３】図２の脱水処理工程の構成を示す図であって、
(a)は無機膜形成工程より脱水工程が先の場合を示す
図、(b)は図２の脱水工程より無機膜形成工程が先の場
合を示す図である。

【図４】基板の吸水量をパラメータとした場合の加熱サ
イクル数に対する基板Ａ及びＢ群の信号電極の寸法変化
量を示すグラフである。

【図５】基板の吸水量をパラメータとした場合の加熱サ
イクル数に対する基板Ｃ及びＤ群の信号電極の寸法変化
量を示すグラフである。

【図６】無機膜の膜厚をパラメータとした場合の放置時
間に対する基板Ａ７及びＢ７群の信号電極の寸法変化を
示すグラフである。

【図７】無機膜の種類をパラメータとした場合の放置時
間に対する基板Ａ７及びＡＳ７の信号電極の寸法変化を
示すグラフである。

【図８】加熱サイクル数に対する基板Ｅ、Ｆ、Ｇのカラ
ーフィルタの寸法変化を示すグラフである。

【図９】液晶表示素子Ｉ、Ｋの対向基板とカラーフィル
タ基板との間におけるパターンずれ及び開口率を示す表
である。

【図１０】液晶表示素子Ｉ、Ｋの対向基板の信号電極と
フレキシブル端子との間におけるパターンずれ及び接触
率を示す表である。

【図１１】液晶表示素子Ｉ、Ｋのカラーフィルタ基板の
走査電極とフレキシブル端子との間におけるパターンず
れ及び接触率を示す表である。

【図１２】時間に対する基板Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋの信号電極
の寸法変化を示すグラフである。

【図１３】時間に対する基板Ｊ、Ｌの信号電極の寸法変
化を示すグラフである。

【図１４】時間に対する基板Ｊ、Ｍ、Ｎの信号電極の寸
法変化を示すグラフである。

【図１５】時間に対する基板Ｊ、Ｏ、Ｐの信号電極の寸
法変化を示すグラフである。

【図１６】時間に対する基板Ｑ、Ｒのカラーフィルタの
寸法変化を示すグラフである。

【図１７】液晶表示素子α、βの対向基板とカラーフィ
ルタ基板との間におけるパターンずれ及び開口率を示す
表である。

【図１８】液晶表示素子α、βの対向基板の信号電極と
フレキシブル端子との間におけるパターンずれ及び接触
率を示す表である。

【図１９】本発明の実施の形態２に係る液晶表示素子の
製造方法の概要を示す工程図である。

【図２０】リセット後の基板の成膜工程における寸法変
化を模式的に示すグラフである。

【符号の説明】

１Ａ，１Ｂ 樹脂基板 ２ ＳｉＯ₂膜 ３ カラーフィルタ ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ サブフィルタ ４ 平坦化膜層 ５Ａ 信号電極膜 ５Ｂ 走査電極膜 ６Ａ，６Ｂ 配向膜 ７ シール材 ８ 液晶 ９ フレキシブル端子 １００ 液晶表示素子 １０１ 対向基板 １０２ カラーフィルタ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 (72)発明者 金子 尚美 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA02 FA03 FA04 FA10 FA18 FA21 HA01 HA12 MA20 2H090 JB03 JC07 JD12 JD15 2H091 FA02Y GA01 LA06 LA12 LA30 5C094 AA43 BA43 CA19 DB02 EB02 EB10 EC01 ED03 FB02 GB10 HA08 5G435 AA13 AA17 BB12 CC09 EE47 KK05 LL07 LL08

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画像を表示するための表示機能部を保持
   する樹脂基板を備えた画像表示素子の製造方法におい
   て、 前記樹脂基板の両面に無機膜を形成する無機膜形成工程
   と、前記無機膜形成工程の前又は後に前記樹脂基板を脱
   水する脱水工程とを有し、 前記無機膜形成工程及び前記脱水工程が遂行された前記
   樹脂基板と他の基板とをシール材を介して貼り合わせ、
   次いで、少なくとも前記樹脂基板を加熱することにより
   前記シール材を硬化させる、画像表示素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記表示機能部が前記樹脂基板と前記他
   の基板との間に挟まれる、請求項１に記載の画像表示素
   子の製造方法。
3. 【請求項３】 前記他の基板がカラーフィルタを有す
   る、請求項２に記載の画像表示素子の製造方法。
4. 【請求項４】 前記カラーフィルタが赤、緑、及び青の
   サブフィルタからなる、請求項３に記載の画像表示素子
   の製造方法。
5. 【請求項５】 前記カラーフィルタが白色透過光から所
   定波長の光を選択的に通過させる、請求項４に記載の画
   像表示素子の製造方法。
6. 【請求項６】 前記脱水工程において、前記樹脂基板を
   吸水量が０．５重量％以下となるよう脱水する、請求項
   １に記載の画像表示素子の製造方法。
7. 【請求項７】 前記脱水工程の後に前記無機膜形成工程
   を遂行する、請求項１に記載の画像表示素子の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記無機膜形成工程の後に前記脱水工程
   を遂行する、請求項１に記載の画像表示素子の製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記樹脂基板が、少なくともエポキシ、
   アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニー
   ルアルコール、ポリエチレンのうちのいずれか、これら
   の複合、又はこれらが積層された樹脂材料からなる、請
   求項１に記載の画像表示素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記無機膜が、ＳｉＯ_x、ＳｉＮ_x、Ｇ
    ｅＯ_x、ＴｉＯ_x、ＺｒＯ_xのうちのいずれかの膜、これ
    らの複合膜、又はこれらの積層膜からなる、請求項１に
    記載の画像表示素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記無機膜の膜厚が１５ｎｍ以上、４
    ０ｎｍ以下である、請求項１０に記載の画像表示素子の
    製造方法。
12. 【請求項１２】 前記樹脂基板を加熱することにより脱
    水する、請求項１に記載の画像表示素子の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記加熱の温度が２００℃以下であ
    る、請求項１２に記載の画像表示素子の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記樹脂基板を減圧することにより脱
    水する、請求項１に記載の画像表示素子の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記樹脂基板の減圧後に、前記樹脂基
    板を加熱する、請求項１４に記載の画像表示素子の製造
    方法。
16. 【請求項１６】 前記加熱の温度が２００℃以下であ
    る、請求項１５に記載の画像表示素子の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記加熱の雰囲気が不活性ガスであ
    る、請求項１５に記載の画像表示素子の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記加熱の雰囲気が空気である、請求
    項１５に記載の画像表示素子の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記加熱の雰囲気の湿度が３５％以下
    である、請求項１５に記載の画像表示素子の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記無機膜形成工程及び前記脱水工程
    が遂行された前記樹脂基板の一方の無機膜上に所定の膜
    を形成し、前記所定の膜をパターニングする、請求項１
    に記載の画像表示素子の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記所定の膜が透明電極膜である、請
    求項２０に記載の画像表示素子の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記所定の膜がカラーフィルタ膜であ
    る、請求項２０に記載の画像表示素子の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記画像表示素子が液晶表示素子であ
    り、前記液晶表示素子は前記他の基板として前記所定の
    膜のパターンが形成された樹脂基板を有する、請求項２
    ０に記載の画像表示素子の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記透明電極膜をパターニングして形
    成された透明電極にフレキシブル端子を接着させる、請
    求項２１に記載の画像表示素子の製造方法。
25. 【請求項２５】 画像を表示するための表示機能部を保
    持する樹脂基板を備えた画像表示素子の製造方法におい
    て、前記樹脂基板を、吸水量が０．５重量％以下となる
    よう脱水するリセット工程を有することを特徴とする画
    像表示素子の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記リセット工程の前に、前記樹脂基
    板の両面に無機膜を形成する無機膜形成工程を有する、
    請求項２５に記載の画像表示素子の製造方法。