JP2018011086A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、水素が酸化物半導体膜に拡散することを抑制できる絶縁膜を提供する。また、シリコン半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタとを用い、良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン半導体を用いたトランジスタ及び酸化物半導体を用いたトランジスタの間に異なる機能を有する２つの窒化絶縁膜を設ける。具体的には、シリコン半導体を用いたトランジスタ上に水素を含む第１の窒化絶縁膜を設けて、第１の窒化絶縁膜と酸化物半導体を用いたトランジスタとの間に、第１の窒化絶縁膜よりも水素含有量が低く、水素に対するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜を設けることである。【選択図】図１

Description

本明細書などで開示する発明は、トランジスタを有する半導体装置に関する。また、当
該半導体装置に含まれる窒化絶縁膜に関する。
近年、中央演算処理装置（ＣＰＵともいう。）などの半導体装置において、動作の高速
化に関する技術開発が活発に行われている。ＣＰＵは、論理回路を有する半導体集積回路
を含み、半導体集積回路は半導体ウェハに形成されたトランジスタ、メモリ及び接続端子
である電極などで構成されている。
動作の高速化に関する技術開発として、ＣＰＵの動作速度及び集積度を向上させるため
にトランジスタなどの半導体素子の微細化が行われている。
トランジスタなどの半導体素子の微細化によって、ＣＰＵの集積度は向上し、動作速度
も向上するが、その反面、トランジスタのリーク電流が増加してしまう。この結果、ＣＰ
Ｕの消費電力が増加している。
また、トランジスタに適用できる半導体膜は、広く知られているシリコン半導体だけで
はなく、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体と記す。）を用いて作製する
ことができる。
例えば、チャネル形成領域に酸化物半導体として、酸化亜鉛又はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸
化物半導体を用いて、トランジスタを作製する技術が開示されている（特許文献１及び特
許文献２参照）。
また、単結晶シリコン半導体を用いたトランジスタの上部に、酸化物半導体を用いたト
ランジスタを設けることで、消費電力を低減し、高度に集積化した半導体装置を作製する
技術が開示されている（特許文献３参照）。
特開２００７−１２３８６１号公報 特開２００７−９６０５５号公報 特開２０１１−１０９０７９号公報
酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トランジスタを構成する絶縁膜などから
放出された元素が、チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜に不純物として拡散する
ことで、トランジスタの電気特性（代表的にはしきい値電圧）変動が生じてしまい、半導
体装置の信頼性が低下する場合がある。
例えば、トランジスタを構成する絶縁膜に水素（水などの水素化合物を含む。）が含ま
れている場合、これらが酸化物半導体膜に拡散することで、トランジスタの電気特性変動
が生じ、半導体装置の信頼性が低下してしまう。
酸化物半導体膜に侵入した水素が、金属原子と結合する酸素と反応して水となると共に
、酸素が脱離した格子（あるいは酸素が脱離した部分）に欠損が形成される。また、水素
の一部が酸素と反応することで、キャリアである電子が生成される。従って、水素が侵入
した酸化物半導体膜を有するトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。
なお、酸化物半導体を用いたトランジスタはｎチャネル型トランジスタであるため、本
明細書において、ゲート電圧が０Ｖの場合、ドレイン電流が流れていないとみなすことが
できるトランジスタを、ノーマリーオフ特性を有するトランジスタと定義する。
そこで、本発明の一態様は、水素が酸化物半導体膜に拡散することを抑制できる窒化絶
縁膜を提供することを課題の１つとする。
ところで、シリコン半導体領域を用いたトランジスタは、良好な電気特性を実現するた
めにチャネル形成領域を含むシリコン半導体領域を水素化処理することが知られている。
なお、本明細書などにおいて、シリコン半導体はシリコン、炭化シリコン、シリコンゲル
マニウムなど、シリコンを含む半導体材料全般をいう。
水素化処理は、水素雰囲気下での熱処理や、イオン注入法又はイオンドーピング法など
で行われるが、処理時間、安全性及びコストの面などに課題がある。このため、水素化処
理を容易に行うことができれば、安全性及びコストの面などにおいて非常に有意なことで
ある。
例えば、論理回路や半導体集積回路などを有する半導体装置が、単結晶シリコンを用い
たトランジスタの上に、酸化物半導体を用いたトランジスタを設けた半導体装置であって
も、単結晶シリコンを用いたトランジスタの電気特性を良好にするために、水素化処理は
必要である。
そこで、本発明の一態様は、シリコン半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体を
用いたトランジスタとを用い、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することを課題
の１つとする。
また、本発明の一態様は、シリコン半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体を用
いたトランジスタとを用い、良好な信頼性を有する半導体装置を提供することを課題の１
つとする。
また、本発明の一態様は、上記課題の少なくとも一を解決することを課題とする。
上記課題に鑑みて、本発明の一態様は、シリコン半導体を用いたトランジスタと、酸化
物半導体を用いたトランジスタと、を含む複数のトランジスタを有する半導体装置であっ
て、半導体装置における集積度を高めるために、シリコン半導体を用いたトランジスタ上
に酸化物半導体を用いたトランジスタを積層して設けて、シリコン半導体を用いたトラン
ジスタ及び酸化物半導体を用いたトランジスタの間に異なる機能を有する２つの窒化絶縁
膜を設ける。具体的には、シリコン半導体を用いたトランジスタ上に水素を含む第１の窒
化絶縁膜を設けて、当該第１の窒化絶縁膜と酸化物半導体を用いたトランジスタとの間に
、当該第１の窒化絶縁膜よりも水素含有量が低く、水素に対するバリア膜として機能する
第２の窒化絶縁膜を設けることである。なお、第１の窒化絶縁膜よりも水素含有量が低く
、水素に対するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜を、第１の窒化絶縁膜に積層し
て設けてもよい。
本発明の一態様は、複数のトランジスタが積層された半導体装置であって、シリコン半
導体領域にチャネル形成領域が設けられた第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上
に設けられ、酸化物半導体膜にチャネル形成領域が設けられた第２のトランジスタと、第
１のトランジスタ及び第２のトランジスタの間に設けられた第１の窒化絶縁膜と、第１の
窒化絶縁膜及び第２のトランジスタの間に設けられた第２の窒化絶縁膜と、を有し、第１
の窒化絶縁膜は、水素を含んでおり、第２の窒化絶縁膜は、第１の窒化絶縁膜よりも水素
含有量が低く、水素に対するバリア膜であることを特徴とする半導体装置である。なお、
第２の窒化絶縁膜は、第１の窒化絶縁膜に積層して設けられてもよい。
本発明の一態様は、上記において、第１の窒化絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法によって
測定される水素分子の放出量が５．０×１０２３分子／ｃｍ３以上であり、第２の窒化絶
縁膜は、分光エリプソメトリーで測定され、波長６３３ｎｍの光に対する屈折率が１．９
５以上であり、且つ２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチ
ング速度が２．０ｎｍ／分以下である。さらに、第２の窒化絶縁膜は、Ｘ線反射率法によ
って測定される膜密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上である。
一般に、形成した膜が緻密であるほど屈折率は高くなり、形成した膜が緻密であるほど
エッチング速度は遅くなる。このことから、第２の窒化絶縁膜を上記範囲の屈折率、及び
上記範囲のエッチング速度を有する窒化絶縁膜で形成することで、第２の窒化絶縁膜を緻
密なものにすることができ、水素に対するバリア性を発揮することができる。また、形成
した膜が緻密であるほど膜密度が高くなることから、第２の窒化絶縁膜が水素に対するバ
リア性を十分に発揮するためには、上記範囲の膜密度を有する窒化絶縁膜で第２の窒化絶
縁膜を形成することが好ましい。
また、昇温脱離ガス分光法によって測定される水素分子の放出量が５．０×１０２３分
子／ｃｍ３以上である第１の窒化絶縁膜は、加熱されることで水素が脱離する。
また、加熱されることによって水素が脱離する第１の窒化絶縁膜は、ラザフォード後方
散乱分析によって測定される水素濃度が２０原子％以上２５原子％以下である。水素に対
するバリア性を有する第２の窒化絶縁膜は、ラザフォード後方散乱分析によって測定され
る水素濃度が１０原子％以上１５原子％以下である。このように、窒化絶縁膜に含まれる
水素濃度が低いほど、水素を放出しにくく水素に対するバリア性を発揮できる。例えば、
第１の窒化絶縁膜及び第２の窒化絶縁膜は窒化シリコン膜で形成することができる。
上記において、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、トップゲート構造であ
る。
また、本発明の一態様は、第２のトランジスタ上に第２の窒化絶縁膜と同じ構成の第３
の窒化絶縁膜を設けた半導体装置である。
第１の窒化絶縁膜は加熱されることで水素が放出されるため、第１の窒化絶縁膜を設け
ることで、半導体装置の作製工程における加熱処理などにより放出された水素を第１のト
ランジスタのシリコン半導体領域に移動させ、第１のトランジスタのシリコン半導体領域
を水素化処理することができる。
第２の窒化絶縁膜は、酸化物半導体膜に拡散する水素を透過させにくい絶縁膜で形成さ
れており、水素に対してバリア性を有するといえる。また、第２の窒化絶縁膜は、水素が
酸化物半導体膜に拡散することを抑制する絶縁膜、又は酸化物半導体膜に拡散する水素か
ら酸化物半導体膜を保護する絶縁膜ともいえる。
また、本発明の一態様は、上記において、第１の窒化絶縁膜と第２の窒化絶縁膜との間
に設けられ、且つ第１の窒化絶縁膜及び第２の窒化絶縁膜に接して設けられた酸化絶縁膜
を有する、半導体装置である。当該酸化絶縁膜は、酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン
膜とすることができる。
第２の窒化絶縁膜は、第１の窒化絶縁膜より水素濃度が低く、緻密な窒化絶縁膜によっ
て形成されている。それゆえ、第２の窒化絶縁膜は水素に対するバリア膜として機能する
。水素を含む窒化絶縁膜によって形成されている第１の窒化絶縁膜を第２の窒化絶縁膜に
接して設ける場合、第２の窒化絶縁膜の形成方法によっては、第１の窒化絶縁膜に含まれ
ている水素が第２の窒化絶縁膜に混入し、第２の窒化絶縁膜の水素濃度が増大してしまう
可能性がある。そこで、上記のように、第１の窒化絶縁膜と第２の窒化絶縁膜との間に酸
化絶縁膜を設けることで、第２の窒化絶縁膜を形成する際に、第１の窒化絶縁膜に含まれ
ている水素が第２の窒化絶縁膜に混入することを抑制することができ、第２の窒化絶縁膜
を水素に対するバリア膜として十分に機能させることができる。
また、本発明の一態様は、第２の窒化絶縁膜に適用できる窒化絶縁膜であり、特に第２
の窒化絶縁膜に適用できる窒化シリコン膜である。
本発明の一態様により、水素が酸化物半導体膜に拡散することを抑制できる絶縁膜を提
供できる。
本発明の一態様により、シリコン半導体を用いたトランジスタにおいて、安全かつ容易
に水素化処理を行うことができる。
本発明の一態様により、シリコン半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体を用い
たトランジスタとを用い、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。
本発明の一態様により、シリコン半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体を用い
たトランジスタとを用い、良好な信頼性を有する半導体装置を提供することができる。
本発明の一態様である半導体装置を示す断面図、及びその回路図。 本発明の一態様である半導体装置を示す上面図。 本発明の一態様である半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置の作製方法を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置を示す断面図、及びその回路図。 本発明の一態様である半導体装置を示す上面図。 本発明の一態様である半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置を示す断面図、及びその回路図。 本発明の一態様である半導体装置を示す断面図。 本発明の一態様である半導体装置を示す回路図。 本発明の一態様である半導体装置を示す斜視図。 本発明の一態様である半導体装置に適用できるトランジスタの断面図。 本発明の一態様である半導体装置を示すブロック図。 電子機器を説明する図。 試料の構造を示す図。 昇温脱離ガス分析の結果を示す図。 屈折率及び膜密度の測定結果を示す図。 エッチング速度の測定結果を示す図。 屈折率及び膜密度の測定結果を示す図。 エッチング速度の測定結果を示す図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であ
れば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈
されるものではない。
以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様の機能を有する部分には同一
の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機
能を有する部分を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合が
ある。
本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、又は領域は、明瞭化の
ために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり
、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書等において発明を特定するため
の事項として固有の名称を示すものではない。
また、本発明における「ソース」及び「ドレイン」の機能は、回路動作において電流の
方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「
ソース」及び「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
また、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場
の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。た
だし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差
のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多
い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし
、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
本明細書において、フォトリソグラフィ処理を行った後にエッチング処理を行う場合は
、フォトリソグラフィ処理で形成したマスクは除去するものとする。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について、図面を用いて説明する
。
＜半導体装置の構成＞
図１（Ａ）に、本発明の一態様である半導体装置の断面図を示す。図１（Ａ）に示す半
導体装置は、複数のトランジスタを有する半導体装置であって、集積化度を高めるために
複数のトランジスタの一部が縦方向に積層されている。
具体的には、下部に、第１の半導体材料を用いたｎチャネル型トランジスタであるトラ
ンジスタ１０１と、ｐチャネル型トランジスタであるトランジスタ１０３とが電気的に接
続されたＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体：Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ
Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）回路１０５を有し、ＣＭＯＳ回路１０５上
に容量素子１０７と、第２の半導体材料を用いたｎチャネル型トランジスタであるトラン
ジスタ１０９とを有し、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３上に、水素を含み、
加熱によって水素を放出する第１の窒化絶縁膜１１１を有し、第１の窒化絶縁膜１１１と
トランジスタ１０９の間に、第１の窒化絶縁膜１１１よりも低い水素含有量を有し、水素
に対するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜１１３を有する。
図１（Ｂ）に図１（Ａ）に示した半導体装置に相当する回路図を示す。図１（Ｂ）に示
した回路図の接続関係は以下の通りである。トランジスタ１０１と、トランジスタ１０３
とが電気的に接続されたＣＭＯＳ回路１０５に容量素子１０７が電気的に接続されており
、ＣＭＯＳ回路１０５と容量素子１０７とに酸化物半導体を用いたトランジスタ１０９が
電気的に接続されている。なお、トランジスタ１０９に他のトランジスタが電気的に接続
されていてもよい。
第１の半導体材料として、シリコン半導体などの酸化物半導体以外の半導体材料を用い
、第２の半導体材料として酸化物半導体を用いる。つまり、トランジスタ１０１及びトラ
ンジスタ１０３はシリコン半導体を用いたトランジスタであり、トランジスタ１０９は酸
化物半導体を用いたトランジスタである。
トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３は、シリコン半導体を用いており、単結晶
基板や多結晶基板などを用いることで高速に動作するトランジスタを容易に作製すること
ができる。
一方で、酸化物半導体を用いたトランジスタは、チャネル形成領域が形成される酸化物
半導体膜から、水素などの不純物を十分に除去し、高純度化することによってリーク電流
（オフリーク電流又はオフ電流ともいう。）が低減したトランジスタを容易に作製するこ
とができる。これにより、半導体装置の消費電力を低減することができる。
第１の窒化絶縁膜１１１は、水素を含み、加熱により水素を放出する窒化絶縁膜で形成
されている。具体的には、昇温脱離ガス分光法（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、以下、ＴＤＳ法と記す。）で測定される水素分子の放出量
が５．０×１０２３分子／ｃｍ３以上である窒化絶縁膜で形成されている。また、ラザフ
ォード後方散乱分析によって測定される水素濃度が２０原子％以上２５原子％以下である
窒化絶縁膜で形成されている。当該窒化絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜又は窒
化酸化シリコン膜などが挙げられる。
シリコン半導体を用いるトランジスタ１０１及びトランジスタ１０３は、良好な電気特
性を実現するために、トランジスタの作製工程において水素化処理を行い、少なくとも、
チャネル形成領域が形成されるシリコン半導体領域に含まれる欠陥（ダングリングボンド
）を修復させる（水素終端させる）ことが好ましい。そこで、トランジスタ１０１及びト
ランジスタ１０３上に第１の窒化絶縁膜１１１を設けて、第１の窒化絶縁膜１１１より放
出される水素により、水素化処理を行うことができる。このようにすることで、従来の方
法とは異なり、安全かつ容易に水素化処理を行うことができる。例えば、第１の窒化絶縁
膜１１１を設けた後の半導体装置の作製工程で行う加熱処理によって水素化処理を行うこ
とができ、半導体装置の作製にかかる時間を短縮することができ、半導体装置の生産性を
向上させることができる。
第２の窒化絶縁膜１１３は、第１の窒化絶縁膜１１１よりも水素含有量が低く、水素に
対するバリア膜として機能する絶縁膜である。また、第２の窒化絶縁膜１１３は、少なく
とも第１の窒化絶縁膜１１１から放出される水素がトランジスタ１０９の酸化物半導体膜
（詳細にはチャネル形成領域）に拡散することを抑制する絶縁膜、又はトランジスタ１０
９の酸化物半導体膜に拡散する水素からチャネル形成領域を保護する絶縁膜である。
上記より、第２の窒化絶縁膜１１３は、水素含有量が低く、緻密な窒化絶縁膜を適用で
きる。具体的には、分光エリプソメトリーで測定され、波長６３３ｎｍの光に対する屈折
率が１．９５以上であり、且つ２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対
するエッチング速度が２．０ｎｍ／分以下である窒化絶縁膜を適用できる。又は、分光エ
リプソメトリーで測定され、波長６３３ｎｍの光に対する屈折率が１．９５以上であり、
且つＸ線反射率法によって測定される膜密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上である窒化絶縁膜
が適用できる。そして、第２の窒化絶縁膜１１３は、ラザフォード後方散乱分析によって
測定される水素濃度が１０原子％以上１５原子％以下であることが好ましい。
一般に、形成した膜が緻密であるほど屈折率は高くなり、形成した膜が緻密であるほど
エッチング速度は遅くなる。このことから、第２の窒化絶縁膜１１３を上記範囲の屈折率
、及び上記範囲のエッチング速度を有する窒化絶縁膜で形成することで、第２の窒化絶縁
膜１１３を緻密なものにすることができ、水素に対するバリア性を発揮することができる
。また、形成した膜が緻密であるほど膜密度が高くなることから、第２の窒化絶縁膜１１
３が水素に対するバリア性を十分に発揮するためには、上記範囲の膜密度を有する窒化絶
縁膜で第２の窒化絶縁膜１１３を形成することが好ましい。このように、窒化絶縁膜に含
まれる水素濃度が低いほど、水素を放出しにくく水素に対するバリア性を発揮される。ま
た、当該窒化絶縁膜として、例えば窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜などが挙げら
れる。
第２の窒化絶縁膜１１３が設けられていることで、第１の窒化絶縁膜１１１を含め、ト
ランジスタ１０９よりも下部に存在する水素がトランジスタ１０９の酸化物半導体膜（少
なくともチャネル形成領域）に不純物として拡散することを抑制できるため、トランジス
タ１０９の電気特性の変動を抑制することができる。従って、トランジスタ１０９の電気
特性を良好にすることができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
次に、本発明の一態様である半導体装置の詳細についてさらに記載する。
図１（Ａ）に示す半導体装置において、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３の
チャネル形成領域は、半導体材料を含む基板１１５中（バルク中）、又は半導体材料を含
む基板１１５上に形成することができる。なお、本実施の形態では、基板１１５として、
ｐ型の導電型を有する単結晶シリコン基板を用い、トランジスタ１０１及びトランジスタ
１０３のチャネル形成領域が基板１１５中に形成される形態について説明する。
トランジスタ１０１は、基板１１５に設けられたチャネル形成領域１１７と、チャネル
形成領域１１７を挟むように設けられた不純物領域１１９及び不純物領域１１９と電気的
に接続された高濃度不純物領域１２１（これらをあわせて単に不純物領域とも呼ぶ。）と
、チャネル形成領域１１７上に設けられたゲート絶縁膜１２３と、ゲート絶縁膜１２３上
に設けられたゲート電極１２５と、ゲート電極１２５の側面に設けられたサイドウォール
１２９と、チャネル形成領域１１７の一方に形成された高濃度不純物領域１２１に接して
設けられたソース電極又はドレイン電極（以下、電極１３１と記す。）と、を有する。
不純物領域１１９は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域やエク
ステンション領域として機能する。高濃度不純物領域１２１は、トランジスタ１０１のソ
ース領域又はドレイン領域として機能する。
トランジスタ１０３は、基板１１５にｎ型の導電型を付与する不純物元素を添加して形
成されたｎウェル１３３に設けられる。トランジスタ１０３は、ｎウェル１３３に設けら
れたチャネル形成領域１３５と、チャネル形成領域１３５を挟むように設けられた不純物
領域１３７及び不純物領域１３７と電気的に接続された高濃度不純物領域１３９（これら
をあわせて単に不純物領域とも呼ぶ。）と、チャネル形成領域１３５上に設けられたゲー
ト絶縁膜１４１と、ゲート絶縁膜１４１上に設けられたゲート電極１４３と、ゲート電極
１４３の側面に設けられたサイドウォール１４５と、チャネル形成領域１３５の一方に形
成された不純物領域１３７と電気的に接続され、高濃度不純物領域１３９に接して設けら
れたソース電極又はドレイン電極（以下、電極１４７と記す。）と、を有する。
不純物領域１３７は、ＬＤＤ領域やエクステンション領域として機能する。高濃度不純
物領域１３９は、トランジスタ１０３のソース領域又はドレイン領域として機能する。
また、図１（Ａ）に示す半導体装置には、トランジスタ１０１のチャネル形成領域１１
７の他方に形成された高濃度不純物領域１２１と、トランジスタ１０３のチャネル形成領
域１３５の他方に形成された高濃度不純物領域１３９と、に接して電極１４９が設けられ
ている。電極１４９は、トランジスタ１０１のソース電極又はドレイン電極として機能し
、トランジスタ１０３のソース電極又はドレイン電極として機能する。また、電極１４９
によって、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３は電気的に接続され、ＣＭＯＳ回
路１０５が形成される。
基板１１５上にはトランジスタ１０１及びトランジスタ１０３をそれぞれ囲むように素
子分離絶縁膜１５１が設けられている。そして、トランジスタ１０１及びトランジスタ１
０３並びに素子分離絶縁膜１５１を覆うように絶縁膜１５３が設けられており、絶縁膜１
５３上に第１の窒化絶縁膜１１１が設けられている。
第１の窒化絶縁膜１１１上には層間絶縁膜１５５が設けられている。なお、電極１３１
、電極１４７、及び電極１４９は、絶縁膜１５３、第１の窒化絶縁膜１１１、及び層間絶
縁膜１５５を貫通して設けられており、それぞれ配線として機能する。
層間絶縁膜１５５上に層間絶縁膜１５７が設けられており、層間絶縁膜１５７上に電極
１５９が設けられている。電極１５９は、配線としても機能する。電極１５９は、絶縁膜
１５３、第１の窒化絶縁膜１１１、層間絶縁膜１５５、及び層間絶縁膜１５７に形成され
た開口を通じてトランジスタ１０１及びトランジスタ１０３（ＣＭＯＳ回路１０５）のゲ
ート配線（図示せず）と電気的に接続されている。ゲート配線は、ゲート絶縁膜１２３、
及びゲート絶縁膜１４１上に設けられており、トランジスタ１０１のゲート電極１２５及
びトランジスタ１０３のゲート電極１４３は当該ゲート配線が分岐して構成されている。
従って、ＣＭＯＳ回路１０５及び容量素子１０７は電気的に接続され、容量素子１０７及
びトランジスタ１０９は電気的に接続されている。
電極１５９及び層間絶縁膜１５７上に層間絶縁膜１６１が設けられている。電極１６３
は、層間絶縁膜１６１に形成された開口を通じて電極１５９と接して設けられている。ま
た、層間絶縁膜１６１上には、電極１６５及び電極１６７が設けられている。電極１６５
は、層間絶縁膜１６１のトランジスタ１０９の酸化物半導体膜１７３と重畳する領域に設
けられている。電極１６７は、トランジスタ１０９のドレイン電極１７７と重畳する領域
に設けられている。なお、電極１６３、電極１６５及び電極１６７は、配線としても機能
する。
電極１６３、電極１６５及び電極１６７の間には絶縁膜１６９が設けられており、電極
１６３、電極１６５及び電極１６７並びに絶縁膜１６９は平坦化されている。
電極１６３、電極１６５及び電極１６７並びに絶縁膜１６９上には第２の窒化絶縁膜１
１３が設けられており、第２の窒化絶縁膜１１３上には絶縁膜１７１が設けられている。
絶縁膜１７１上には、容量素子１０７及びトランジスタ１０９が設けられている。
トランジスタ１０９は、少なくとも、絶縁膜１７１上に設けられた酸化物半導体膜１７
３と、酸化物半導体膜１７３に接して設けられたソース電極１７５及びドレイン電極１７
７と、酸化物半導体膜１７３、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７上に設けられた
ゲート絶縁膜１７９と、酸化物半導体膜１７３と重畳してゲート絶縁膜１７９上に設けら
れたゲート電極１８１とを有する。
ソース電極１７５は、第２の窒化絶縁膜１１３及び絶縁膜１７１に形成された開口に設
けられた接続電極１７２を通じて電極１６３と接している。従って、ソース電極１７５は
、トランジスタ１０１のゲート電極１２５及びトランジスタ１０３のゲート電極１４３と
電気的に接続されている。
ドレイン電極１７７は、第２の窒化絶縁膜１１３及び絶縁膜１７１に形成された開口に
設けられた接続電極１７２を通じて電極１６７と接している。
電極１８３は、ゲート絶縁膜１７９のソース電極１７５と重畳する領域に設けられてい
る。容量素子１０７は、ソース電極１７５を一方の電極とし、ゲート絶縁膜１７９を誘電
体とし、電極１８３を他方の電極とすることで構成されている。なお、電極１８３は配線
としても機能する。
容量素子１０７の一方の電極としてトランジスタ１０９のソース電極１７５を用いるこ
とで、半導体装置の集積度を高めることができる。
ゲート絶縁膜１７９、ゲート電極１８１、及び電極１８３上に絶縁膜１８５が設けられ
ている。
トランジスタ１０９において、酸化物半導体膜１７３は、非晶質酸化物半導体、単結晶
酸化物半導体、又は多結晶酸化物半導体で構成されている。
また、酸化物半導体膜１７３は、水素などの不純物が十分に除去され、高純度化されて
いることが望ましい。具体的には、酸化物半導体膜１７３において、二次イオン質量分析
法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）に
より得られる水素濃度を、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、望ましくは１×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より望ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さら
に望ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。酸化物半導体膜１７３に水素
が含まれていると、当該水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水となると共に、酸
素が脱離した格子（あるいは酸素が脱理した部分）には欠損が形成されてしまう。また、
水素の一部が酸素と結合することで、キャリアを生成する場合があり、トランジスタ１０
９のオフ電流が増大することがある。
そして、酸化物半導体膜１７３において、二次イオン質量分析法により得られるアルカ
リ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、望ましく
は２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、
酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタ１０９のオフ電
流を増大させることがある。また、酸化物半導体膜１７３の窒素濃度は、５×１０１８ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが望ましい。
このように、酸化物半導体膜１７３における不純物をできる限り低減させ、酸化物半導
体膜１７３を高純度化させることで、トランジスタ１０９のリーク電流を極めて低減する
ことができる。また、トランジスタ１０９のしきい値電圧の変動（マイナスシフト）を低
減することができる。従って、良好な電気特性に有する半導体装置を作製できる。また、
信頼性を向上させた半導体装置を作製することができる。
なお、チャネル形成領域が高純度化された酸化物半導体膜に形成されるトランジスタの
オフ電流が低いことは、いろいろな実験により証明できる。例えば、チャネル幅が１×１
０６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電
圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータア
ナライザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を得ることができる
。この場合、トランジスタのチャネル幅で除した数値に相当するオフ電流は、１００ｚＡ
／μｍ以下であることが分かる。また、容量素子とトランジスタとを接続して、容量素子
に流入又は容量素子から流出する電荷を当該トランジスタで制御する回路を用いて、オフ
電流の測定を行った。当該測定では、上記トランジスタを用い、容量素子の単位時間あた
りの電荷量の推移から当該トランジスタのオフ電流を測定した。その結果、トランジスタ
のソース電極とドレイン電極間の電圧が３Ｖの場合に、数十ｙＡ／μｍという、さらに低
いオフ電流が得られることが分かった。従って、チャネル形成領域が高純度化された酸化
物半導体膜に形成されるトランジスタは、オフ電流が著しく小さい。
酸化物半導体に含まれる酸素欠損はキャリアを生成することがあり、トランジスタの電
気特性及び信頼性を低下させる恐れがある。そこで、酸化物半導体膜１７３において、酸
素欠損はできる限り低減されていることが好ましい。例えば、酸化物半導体膜１７３にお
いて、磁場の向きを膜面に対して平行に印加した電子スピン共鳴法によるｇ値＝１．９３
のスピン密度（酸化物半導体膜１７３に含まれる酸素欠損密度に相当する。）は、測定器
の検出下限以下まで低減されていることが好ましい。酸素欠損をできる限り低減すること
で、トランジスタ１０９のしきい値電圧の変動（マイナスシフト）を低減することができ
、半導体装置の電気特性及び信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様である半導体装置の一部の上面図を図２に示す。図１（Ａ）に示
した断面図は、図２に示した上面図の１点鎖線ＸＹ間の断面図である。図２に示した上面
図において、図面の明瞭化のため構成要素の一部（ＣＭＯＳ回路１０５、第１の窒化絶縁
膜１１１、第２の窒化絶縁膜１１３、その他ゲート絶縁膜や層間絶縁膜など）を図示して
いない。
＜半導体装置の作製方法＞
次に、本発明の一態様である半導体装置及び作製方法について図面を用いて説明する。
以下では、はじめに下部のＣＭＯＳ回路を構成するトランジスタの作製方法について説明
し、その後、上部の酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方法について説明する。
半導体装置に用いる基板１１５は、シリコン半導体を含む基板である。
まず、半導体材料を含む基板１１５を用意する。基板１１５は、シリコンや炭化シリコ
ンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導
体基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを用いることが
でき、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３のチャネル形成領域は、半導体基板中
（バルク中）、又は半導体基板上に形成することができる。
本実施の形態に示す半導体装置は、基板１１５に単結晶シリコン基板を用いて、該単結
晶シリコン基板にトランジスタ１０１及びトランジスタ１０３を設けた構成である。つま
り、本実施の形態において、第１の半導体材料として用いるシリコン半導体は、単結晶シ
リコンであり、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３のチャネル形成領域は、単結
晶シリコンで構成されている。なお、本実施の形態では、基板１１５としてｐ型の導電型
を有する単結晶シリコン基板を用いる例を示す。
基板１１５のトランジスタ１０３を形成する領域に、ｎ型の導電型を付与する不純物元
素を添加し、ｎウェル１３３を形成する。トランジスタ１０３のチャネル形成領域１３５
はｎウェル１３３に形成される。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素
（Ａｓ）などを用いることができる。
なお、ｎチャネル型トランジスタであるトランジスタ１０１の形成領域に、ｐ型の導電
型を付与する不純物元素の添加を行っていないが、ｐ型の導電型を付与する不純物元素を
添加することによりｐウェルを形成してもよい。ｐ型の導電型を付与する不純物元素とし
ては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）などを用いることができ
る。
一方、ｎ型の導電型を有する単結晶シリコン基板を用いる場合には、ｐ型の導電型を付
与する不純物元素を添加してｐウェルを形成してもよく、トランジスタ１０１のチャネル
形成領域１３５をｐウェルに形成することができる。
ｎウェル１３３又はｐウェルは、上記した不純物元素をイオンドーピング法、又はイオ
ン注入法などで添加して形成することができる。
基板１１５上に素子分離絶縁膜１５１を形成する。素子分離絶縁膜１５１は公知の方法
で形成することができる。例えば、基板１１５上に保護膜を形成し、当該保護膜をマスク
としてエッチング処理を行い、当該保護膜に覆われていない領域（露出している領域）の
基板１１５の一部を除去して、凹部を形成する。当該エッチング処理には、ドライエッチ
ングを用いることが好適であるが、ウェットエッチングを用いてもよい。エッチングガス
やエッチング液については被エッチング材料に応じて適宜選択することができる。そして
、基板１１５を覆うように絶縁膜を形成し、凹部以外の領域に形成された絶縁膜を選択的
に除去することで、素子分離絶縁膜１５１を形成することができる。当該絶縁膜は酸化シ
リコン膜や窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などを用いて形成される。当該絶縁膜の
除去方法としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉ
ｎｇ）などの研磨処理やエッチング処理などがあるがいずれの方法を用いてもよい。なお
、当該保護膜は、凹部を形成した後、又は素子分離絶縁膜１５１を形成した後に除去する
。また、ＣＭＰなどの研磨処理やエッチング処理を行った後は洗浄処理を行い、被処理表
面に付着している水分を除去する加熱処理を行う。
なお、半導体装置の作製工程において、素子分離絶縁膜１５１を形成した後の作製工程
においてもＣＭＰなどの研磨処理やエッチング処理を行った後は、当該洗浄処理及び当該
加熱処理を行う。
なお、素子分離絶縁膜１５１は、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｓｉｌｉｃｏｎ）などの素子分離手段を用いて形成することもできる。
次に、素子分離絶縁膜１５１を形成した基板１１５上に、後にゲート絶縁膜１２３及び
ゲート絶縁膜１４１に加工される絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に導電材料を含む膜（導
電膜）を形成し、当該導電膜を加工して、ゲート電極１２５及びゲート電極１４３を形成
する。ゲート絶縁膜１２３及びゲート絶縁膜１４１に加工される絶縁膜は、ＣＶＤ法又は
スパッタリング法などを用いて得られる酸化シリコン膜、酸化ハフニウム膜、酸化アルミ
ニウム膜、酸化タンタル膜、窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜などを含む膜の単
層構造又は積層構造として形成する。他に、高密度プラズマ処理や熱酸化処理によって、
基板１１５の表面を酸化、窒化させることにより、ゲート絶縁膜１２３及びゲート絶縁膜
１４１に加工される絶縁膜を形成してもよい。高密度プラズマ処理は、例えば、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素などの混合ガ
スを用いて行うことができる。また、当該絶縁膜の厚さは特に限定されないが、例えば、
１ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。
ゲート電極１２５及びゲート電極１４３に加工される導電膜は、特に限定はなく、各種
導電材料を用いることができ、例えば、アルミニウムや銅、チタン、タンタル、タングス
テンなどの金属材料を用いることができる。また、導電材料を含む多結晶シリコンなどの
半導体材料を用いて、導電材料を含む膜を形成しても良い。形成方法も特に限定されず、
蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種成膜方法を用いること
ができる。なお、本実施の形態では、金属材料を用いて導電膜を形成する。絶縁膜及び導
電膜はドライエッチング又はウェットエッチングにより加工することができる。なお、当
該導電膜の厚さは特に限定されず、形成する時間や所望の抵抗率などを考慮して決めるこ
とができる。
次に、トランジスタ１０１を形成する領域に保護膜を形成し、トランジスタ１０３を形
成する領域に、ゲート電極１４３をマスクとして用いて、ｐ型を付与する不純物元素を添
加して、不純物領域を形成する。また、トランジスタ１０３を形成する領域に保護膜を形
成し、トランジスタ１０１を形成する領域に、ゲート電極１２５をマスクとして用いて、
ｎ型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成する。なお、当該不純物領域の形
成により、基板１１５において、ゲート電極１２５の下部の領域はトランジスタ１０１の
チャネル形成領域１１７となる（図３（Ａ）参照）。添加する不純物の濃度は適宜設定す
ることができるが、半導体素子の微細化の程度に合わせてその濃度を高くすることが望ま
しい。また、ゲート電極１２５及びゲート電極１４３を覆う絶縁膜を形成し、当該絶縁膜
を通過させて不純物元素を添加してもよい。
次に、サイドウォール１２９及びサイドウォール１４５を形成する。サイドウォール１
２９及びサイドウォール１４５は、ゲート電極１２５及びゲート電極１４３を覆う絶縁膜
を形成した後に、当該絶縁膜に異方性の高いエッチング処理を適用することで、自己整合
的に形成することができる。なお、サイドウォール１２９及びサイドウォール１４５を形
成すると同時にゲート絶縁膜１２３及びゲート絶縁膜１４１が形成される。
次に、ゲート電極１２５及びゲート電極１４３、不純物領域、並びにサイドウォール１
２９及びサイドウォール１４５などを覆うように、絶縁膜１５３を形成する。そして、絶
縁膜１５３のトランジスタ１０３が形成される領域上に保護膜を形成し、ゲート電極１２
５及びサイドウォール１２９をマスクとして用いて、ｎ型を付与する不純物元素を不純物
領域に添加して、不純物領域１１９及び高濃度不純物領域１２１を形成する。また、絶縁
膜１５３のトランジスタ１０１が形成される領域上に保護膜を形成し、ゲート電極１４３
及びサイドウォール１４５をマスクとして用いて、ｐ型を付与する不純物元素を添加して
、不純物領域１３７及び高濃度不純物領域１３９を形成する。なお、絶縁膜１５３を形成
する前に不純物元素を添加し、その後、絶縁膜１５３を形成してもよい。
なお、本発明の一態様である半導体装置は、図１に示した半導体装置に限定されない。
例えば、トランジスタ１０１、トランジスタ１０３としてシリサイドを有するトランジス
タや、サイドウォールを有さないトランジスタを用いてもよい。シリサイドを有する構造
であると、ソース領域及びドレイン領域がより低抵抗化でき、半導体装置の高速化が可能
である。また、低電圧で動作できるため、半導体装置の消費電力を低減することが可能で
ある。シリサイドを形成できる金属材料としては、例えば、チタン、タンタル、タングス
テン、ニッケル、コバルト、白金などがある。
次に、上記絶縁膜１５３上に第１の窒化絶縁膜１１１を形成する。第１の窒化絶縁膜１
１１の厚さは、少なくともトランジスタ１０１のチャネル形成領域１１７及びトランジス
タ１０３のチャネル形成領域１３５を十分に水素化処理できるだけの水素を含むことがで
きる厚さとすることが好ましい。例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１
００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。なお、ここまでの工程で得られた構成を図３（Ａ）
に示す。
ここで、第１の窒化絶縁膜１１１の形成方法について説明する。第１の窒化絶縁膜１１
１は、水素を含み、加熱により水素を放出する窒化絶縁膜で形成されている。第１の窒化
絶縁膜１１１として適用できる窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜は、以下の条件を
用いて形成することができる。プラズマＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置され
た基板を３００℃以上４００℃以下、好ましくは３２０℃以上３７０℃以下に保持し、処
理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を４０Ｐａ以上６００Ｐａ以下とし、好
ましくは１００Ｐａ以上５００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられた電極に高周波電力を
供給する。また、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体、及び窒素を用いる。ま
た、原料ガスとしてアンモニアを用いてもよい。シリコンを含む堆積性気体の代表例とし
ては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シランなどがある。第１の窒化絶縁膜１１
１は、形成する窒化絶縁膜に水素が含まれるように構成元素に水素を有するアンモニアを
原料ガスとして用いることが好ましい。例えば、プラズマＣＶＤ装置を用いて第１の窒化
絶縁膜１１１を形成する際、真空排気された処理室内に供給する窒素のシリコンを含む堆
積性気体に対する流量は、２０倍以上１０００倍以下とし、好ましくは１５０倍以上７５
０倍以下とする。そして、アンモニアを原料ガスとして用いる際は、シリコンを含む堆積
性気体に対して１倍以上１００倍以下とし、好ましくは１倍以上５０倍以下とする。
第１の窒化絶縁膜１１１を形成した後に、加熱処理を行い、少なくとも、トランジスタ
１０１のチャネル形成領域１１７及びトランジスタ１０３のチャネル形成領域１３５に含
まれる欠陥を修復（水素終端）させる。当該加熱処理によって、ゲート絶縁膜１２３及び
ゲート絶縁膜１４１に含まれる欠陥や、ゲート絶縁膜１２３とシリコンとの界面に含まれ
る欠陥なども修復することができる。つまり、本発明の一態様である半導体装置は、第１
の窒化絶縁膜１１１及び加熱処理によって水素化処理することができる。
当該加熱処理において、加熱処理装置は電気炉に限られず、加熱されたガスなどの媒体
からの熱伝導、または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置であっても良い。例えば
、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌ
ａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔ
ｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンラ
ンプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナト
リウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処
理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置で
ある。また、当該加熱処理において、処理時間や処理雰囲気は適宜、選択することができ
る。なお、当該加熱処理を行うタイミングは、第１の窒化絶縁膜１１１を形成した後であ
れば、どのタイミングでもよく、適宜選択することができる。また、例えば、当該加熱処
理は、層間絶縁膜やトランジスタ１０９を形成する際に行う加熱処理のように他の加熱処
理と兼ねさせることもできる。
次に、第１の窒化絶縁膜１１１上に層間絶縁膜１５５を形成し、電極１３１、電極１４
７及び電極１４９を形成する（図３（Ｂ）参照）。電極１３１、電極１４７及び電極１４
９は、絶縁膜１５３、第１の窒化絶縁膜１１１、及び層間絶縁膜１５５を加工して、高濃
度不純物領域１２１及び高濃度不純物領域１３９に達する開口を形成し、当該開口に導電
膜を形成し、当該導電膜をエッチング処理などで加工することによって、形成できる。な
お、当該開口を形成する前にその表面を、ＣＭＰなどの研磨処理やエッチング処理などに
よって平坦化しておくことが望ましい。
層間絶縁膜１５５は、無機絶縁膜又は有機絶縁膜を形成し、これを加工することで形成
できる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム
膜などを用いることができ、有機絶縁膜は、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブ
テン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、又はシロキサン系樹脂などを用いることができ
る。なお、層間絶縁膜１５５は、これらの絶縁膜を複数積層させた構造であってもよい。
無機絶縁膜又は有機絶縁膜の形成方法は特に限定されず、用いる材料に応じて適宜選択す
る。例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液
滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、オフセット印刷などを適用することが
できる。
半導体装置に含まれるトランジスタなどの半導体素子の微細化を進める場合、配線間の
寄生容量が顕著になり信号遅延が増大するため、酸化シリコンの比誘電率（ｋ＝４．０〜
４．５）では高く、ｋが３．０以下の材料を用いて層間絶縁膜１５５を形成することが好
ましい。また、層間絶縁膜１５５は、平坦化などを行うため機械的強度が要求される。こ
の機械的強度が確保できる限りにおいて、層間絶縁膜１５５を多孔質（ポーラス）化させ
て低誘電率化させることができる。
電極１３１、電極１４７及び電極１４９は、ダマシン構造のように電極の一部が層間絶
縁膜１５５、第１の窒化絶縁膜１１１及び絶縁膜１５３に埋め込まれた構造とすることが
好ましい。電極１３１、電極１４７及び電極１４９は、特に限定はなく、各種導電材料を
用いることができる。例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、
アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウムなどの金属材料を用いることができる。
なお、電極１３１、電極１４７及び電極１４９を形成する際には、その表面が平坦にな
るように加工することが望ましい。例えば、開口を含む領域にチタン膜や窒化チタン膜を
薄く形成した後に、開口に埋め込むようにタングステン膜を形成する場合には、その後の
ＣＭＰによって、不要なタングステン膜、チタン膜、窒化チタン膜などを除去すると共に
、その表面の平坦性を向上させることができる。
次に、層間絶縁膜１５５、電極１３１、電極１４７及び電極１４９上に層間絶縁膜１５
７を形成し、ゲート電極１２５及びゲート電極１４３に達する開口を層間絶縁膜１５７に
形成し（図示せず）、当該開口に電極１５９を形成する。そして、層間絶縁膜１５７及び
電極１５９上に層間絶縁膜１６１を形成する（図３（Ｃ）参照）。
層間絶縁膜１５７及び層間絶縁膜１６１は、層間絶縁膜１５５に適用できる材料を用い
て、層間絶縁膜１５５と同じようにして形成できる。電極１５９は、電極１３１などに適
用できる材料を用いて、電極１３１などと同じようにして形成できる。
次に、電極１５９に達する開口を層間絶縁膜１６１に形成し、当該開口に電極１６３を
形成する。電極１６３を形成すると同時に電極１６５及び電極１６７を形成することがで
きる。そして、電極１６３、電極１６５及び電極１６７の間を埋めるように絶縁膜１６９
を形成する。そして、電極１６３、電極１６５及び電極１６７、並びに絶縁膜１６９上に
第２の窒化絶縁膜１１３を形成する（図４（Ａ）参照）。
電極１６３、電極１６５及び電極１６７は、電極１３１などに適用できる材料を用いて
、電極１３１などと同じようにして形成できる。絶縁膜１６９は、層間絶縁膜１５５に適
用できる材料を用いて、層間絶縁膜１５５と同じようにして形成し、ＣＭＰなどの研磨処
理やエッチング処理を電極１６３、電極１６５及び電極１６７の表面が露出するまで行う
ことで形成できる。
ここで、本発明の一態様である第２の窒化絶縁膜の形成方法について説明する。第２の
窒化絶縁膜１１３は、水素含有量が低く、緻密な窒化絶縁膜で形成されている。第２の窒
化絶縁膜１１３として適用できる窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜は、以下の条件
を用いて形成することができる。プラズマＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置さ
れた基板を３００℃以上４００℃以下、好ましくは３２０℃以上３７０℃以下に保持し、
処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を２０Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、
好ましくは３０Ｐａ以上１００Ｐａ以下とし、処理室内に設けられた電極に高周波電力を
供給する。また、第２の窒化絶縁膜１１３の原料ガスとしては、少なくとも、シリコンを
含む堆積性気体及び窒素を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例と
しては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シランなどがある。第２の窒化絶縁膜１
１３は、形成する窒化絶縁膜に水素ができる限り含まれないように構成元素に水素を有す
るアンモニアを原料ガスとして用いない、又は少量用いる。例えば、プラズマＣＶＤ装置
を用いて第２の窒化絶縁膜１１３を形成する際、真空排気された処理室内に供給する窒素
のシリコンを含む堆積性気体に対する流量比は１０倍以上１００倍以下、好ましくは１５
倍以上４０倍以下とする。そして、アンモニアのシリコンを含む堆積性気体に対する流量
比は、０．１倍以上１倍未満、好ましくは０．２倍以上０．７５倍以下とする。
原料ガスとしてアンモニアを用いることで、シリコンを含む堆積性気体及び窒素の分解
を促すことができる。これは、アンモニアがプラズマエネルギーや熱エネルギーによって
解離し、解離することで生じるエネルギーが、シリコンを含む堆積性気体分子の結合及び
窒素分子の結合の分解に寄与するためである。このようにすることで、水素を透過させに
くく、水素に対するバリア膜として機能する窒化シリコン膜を形成することができる。
第２の窒化絶縁膜１１３の厚さは、トランジスタ１０９よりも下方からトランジスタ１
０９の酸化物半導体膜１７３に拡散してくる水素に対して十分なバリア性を発揮できる厚
さとすることが好ましい。例えば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以上
５０ｎｍ以下である。
また、シラン、窒素及びアンモニアを原料ガスとした窒化シリコン膜を第２の窒化絶縁
膜１１３とする場合、第２の窒化絶縁膜１１３の厚さを厚くすることでＥＳＤ耐性を向上
させることができる。例えば、第２の窒化絶縁膜１１３の厚さを３００ｎｍ以上４００ｎ
ｍ以下として設けることで絶縁耐圧を３００Ｖ以上とさせることができる。ＥＳＤ耐性を
向上させることで、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
半導体装置において、電極１６３、電極１６５及び電極１６７にタングステンを用いた
場合、後に形成する絶縁膜１７１に含まれている酸素が電極１６３、電極１６５及び電極
１６７に拡散してしまい、後に形成する酸化物半導体膜１７３の酸素欠損を十分に低減す
ることができない可能性がある。第２の窒化絶縁膜１１３は、水素に対するバリア膜とし
て機能することから水素を透過させにくい。また、第２の窒化絶縁膜１１３は、水素より
も原子半径の大きな元素である酸素についても透過させにくい。それゆえ、第２の窒化絶
縁膜１１３は、絶縁膜１７１に含まれている酸素が電極１６３、電極１６５及び電極１６
７に拡散することを抑制でき、酸化物半導体膜１７３の酸素欠損を十分に低減することが
できる。
電極１６５は、電圧を印加できる構成とすることで、バックゲート電極としても機能さ
せることができる。例えば、電位をＧＮＤ（または固定電位）とすることで、後に形成す
るトランジスタ１０９の電気的特性を制御することができる。なお、電極１６５は静電気
に対する静電遮蔽機能も有する。ただし、電極１６５を用いてトランジスタ１０９のしき
い値を制御し、ノーマリーオフ特性のトランジスタとする必要がない場合には、電極１６
５を設けなくともよい。また、ある特定の回路の一部にトランジスタ１０９を用いる場合
に電極１６５を設けると支障がでる恐れがある場合には、その回路には設けなくともよい
。
次に、第２の窒化絶縁膜１１３上に絶縁膜１７１及び接続電極１７２を形成する。そし
て、絶縁膜１７１及び接続電極１７２上に酸化物半導体膜１７４を形成する（図４（Ｂ）
参照）。
また、絶縁膜１７１は、トランジスタ１０９の下地絶縁膜としても機能すると共に、後
に形成する酸化物半導体膜１７３に含まれる酸素欠損を低減させるために、酸素を含む絶
縁膜を形成することが好ましい。例えば、絶縁膜１７１として、酸化シリコン膜、酸化ガ
リウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、若しくは酸化アルミニウム膜などの
酸化絶縁膜、酸化窒化シリコン膜、若しくは酸化窒化アルミニウム膜などの酸化窒化絶縁
膜、又は、窒化酸化シリコン膜などの窒化酸化絶縁膜から選ばれた一の絶縁膜、又は、複
数が積層された絶縁膜を用いて、ＣＶＤ法又はスパッタリング法などによって形成する。
接続電極１７２は、電極１３１に適用できる材料を用いて、電極１３１と同様に形成す
ることができる。なお、形成した層間絶縁膜にＣＭＰなどの研磨処理やエッチング処理を
行って絶縁膜１７１を形成する際、接続電極１７２の表面が露出するまで研磨処理やエッ
チング処理を行う。
特に、絶縁膜１７１は、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）
を有することがより好ましい。絶縁膜１７１において、少なくとも、後に形成される酸化
物半導体膜１７３と接する領域に酸素過剰領域を含むことで、酸化物半導体膜１７４（又
は酸化物半導体膜１７３）へ酸素を供給することが可能となり、絶縁膜１７１に含まれる
酸素を酸化物半導体膜１７４に移動させ、酸素欠損を補填することが可能となるためであ
る。絶縁膜１７１に酸素過剰領域を設けるには、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタリング法
を用いて、酸素雰囲気下にて酸化絶縁膜を形成することで絶縁膜１７１を形成すればよい
。又は、絶縁膜１７１を形成した後に酸素を導入して、酸素過剰領域を形成してもよい。
なお、絶縁膜１７１は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁
膜であってもよい。例えば、ＴＤＳ法により測定される酸素分子の放出量が、１．０×１
０１８分子／ｃｍ３以上ある酸化絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜１７４に含まれ
る酸素欠損の少なくとも一部を補充することができる。
酸化物半導体膜１７４は、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含む
ことが好ましい。特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いた
トランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加え
てガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタ
ン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタノイド（例えば、セリ
ウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、ガドリニウム（Ｇｄ））から選ばれた一種、または複
数種が含まれていることが好ましい。
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二種類の金属を
含む酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ
−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三種
類の金属を含む酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ
−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−
Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚ
ｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｃ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙ−
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四種類の金属を含む酸化
物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａ
ｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化
物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外
の金属元素が入っていてもよい。
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整数でない
）で表記される材料を用いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれ
た一の金属元素または複数の金属元素、若しくは上記のスタビライザーとしての元素を示
す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０、且つ、ｎは整数
）で表記される材料を用いてもよい。
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２、あるいはＩ
ｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：１：３の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその原子数比の近
傍の酸化物をターゲットとして用いるとよい。
酸化物半導体膜１７４は、スパッタリング法、塗布法、パルスレーザー蒸着法、レーザ
ーアブレーション法などを用いて形成することができる。また、酸化物半導体膜１７４と
して印刷法を用いることで、素子分離された酸化物半導体膜を直接形成することができる
。スパッタリング法で酸化物半導体膜を形成する場合、プラズマを発生させるための電源
装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置又はＤＣ電源装置などを適宜用いることができる。
スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、希ガス及び酸素の混
合ガスを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素のガ
ス比を高めることが好ましい。
次に、酸化物半導体膜１７４上にマスクを形成し、当該マスクを用いてエッチング処理
することで酸化物半導体膜１７３を形成する（図５（Ａ）参照）。当該エッチング処理は
、ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれを用いてもよい。または、ドライエッ
チング及びウェットエッチングの両方を組み合わせて用いることもできる。所望の形状に
エッチングできるよう、材料に合わせてエッチング条件（エッチングガスやエッチング液
、エッチング時間、温度など）を適宜設定する。
酸化物半導体膜１７３の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以
上３０ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、更に好ましくは３ｎｍ以上２
０ｎｍ以下とすることが好ましい。
酸化物半導体膜１７３を形成する前（即ち、酸化物半導体膜１７４を形成した後）、又
は、酸化物半導体膜１７３を形成した後の少なくとも一方で加熱処理し、酸化物半導体膜
１７３（又は酸化物半導体膜１７４）の脱水素化又は脱水化することが好ましい。当該加
熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以上基板歪み点未満、好ましくは２００℃以上４
５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上４５０℃以下とする。
当該加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは
１ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、又は希ガス（アルゴン、ヘリウム等
）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、又は希ガスに水素、水
などが含まれないことが好ましい。不活性ガス雰囲気で加熱した後、酸素雰囲気で加熱し
てもよい。なお、処理時間は３分〜２４時間とする。
当該加熱処理に用いる加熱装置は、第１の窒化絶縁膜１１１を形成した後の加熱処理に
適用できる加熱装置を用いることができる。ＲＴＡ装置を用いることで、短時間に限り、
基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱処理時間を短縮する
ことができる。
当該加熱処理は、酸化物半導体膜１７３（又は酸化物半導体膜１７４）の脱水素化又は
脱水化だけではなく、絶縁膜１７１に含まれている酸素を酸化物半導体膜１７３（又は酸
化物半導体膜１７４）に移動させて、酸化物半導体膜１７３（又は酸化物半導体膜１７４
）の酸素欠損を低減することができる。
酸化物半導体膜１７３の酸素欠損を低減させる方法として、酸化物半導体膜１７３を形
成する前（即ち、酸化物半導体膜１７４を形成した後）、又は、酸化物半導体膜１７３を
形成した後の少なくとも一方において、酸化雰囲気で発生させたプラズマに曝してもよい
。酸化雰囲気としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素などの雰囲気がある。
さらに、プラズマ処理において、基板１１５側にバイアスを印加しない状態で発生したプ
ラズマに酸化物半導体膜１７３を曝すことが好ましい。この結果、酸化物半導体膜１７３
にダメージを与えず、且つ酸素を供給することが可能であり、酸化物半導体膜１７３に含
まれる酸素欠損を低減することができる。また、エッチング処理により酸化物半導体膜１
７３の表面に残存する不純物、例えば、フッ素、塩素等のハロゲンなどを除去することが
できる。また、後に形成するゲート絶縁膜１７９が酸化物半導体膜１７３上に設けられて
いる状態で当該プラズマに曝してもよい。
例えば、プラズマＣＶＤ装置の反応室に一酸化二窒素を導入し、反応室に設けられる上
部電極に２７．１２ＭＨｚの高周波電源を用いて２．５×１０−２Ｗ／ｃｍ２の高周波電
力を供給して発生させた酸素プラズマに酸化物半導体膜１７３を曝す。
次に、少なくとも、酸化物半導体膜１７３及び接続電極１７２に接して導電膜を形成し
、当該導電膜上にマスクを形成し、当該マスクを用いてエッチング処理をすることで、ソ
ース電極１７５及びドレイン電極１７７を形成する。そして、少なくとも、酸化物半導体
膜１７３、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７に接してゲート絶縁膜１７９を形成
する（図５（Ｂ）参照）。
ソース電極１７５及びドレイン電極１７７として、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、若しくはタング
ステンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金を、単層構造又は積層構造とし
て用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタ
ン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネ
シウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と
、そのチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにそ
の上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン
膜と、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層
し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造などがある。
なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、
リンなどの不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケ
ルシリサイドなどのシリサイド膜を用いてもよい。当該導電膜はスパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、蒸着法、電解メッキ法、印刷法又はインクジェット法などを用いて形成することが
できる。なお、当該導電膜の厚さは特に限定されず、形成する時間や所望の抵抗率などを
考慮して決めることができる。
ソース電極１７５及びドレイン電極１７７の間隔は、トランジスタ１０９のチャネル長
Ｌとなる。トランジスタ１０９のチャネル長Ｌを５０ｎｍ未満、例えば３０ｎｍ程度とす
る場合には、電子ビームを用いてレジストを露光し、現像したマスクを導電膜のエッチン
グマスクとして用いることが好ましい。電子ビームは、加速電圧が高いほど微細パターン
を得ることができる。また、電子ビームは、マルチビームとして基板１枚あたりの処理時
間を短縮することもできる。電子ビームの照射が可能な電子ビーム描画装置において、例
えば、加速電圧は５ｋＶ〜５０ｋＶであることが好ましい。また、電流強度は、５×１０
−１２〜１×１０−１１Ａであることが好ましい。また、最小ビーム径は、２ｎｍ以下で
あることが好ましい。また、作製可能なパターンの最小線幅が８ｎｍ以下であることが好
ましい。上記条件により、例えばパターンの幅を３０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下
さらに好ましくは８ｎｍ以下にすることができる。
ゲート絶縁膜１７９は、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ガリウム亜鉛膜、Ｇａ
２Ｏ３（Ｇｄ２Ｏ３）膜、酸化亜鉛膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸化窒化
シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化シリコン膜を用いて、単層構造又は
積層構造として形成することができる。また、他の材料として絶縁性を有するＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ系酸化物膜を用いても形成することができる。例えば、絶縁性を有するＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ系酸化物膜は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２［原子数比］の酸化物ターゲットを
用い、基板温度を室温とし、スパッタリングガスにアルゴン、またはアルゴンと酸素の混
合ガスを用いて形成すればよい。また、ゲート絶縁膜１７９は、絶縁膜１７１と同様に化
学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）を含むことがより好ましい。
さらに、ゲート絶縁膜１７９は、絶縁膜１７１と同様に化学量論的組成を満たす酸素より
も多くの酸素を含む酸化絶縁膜を用いて形成してもよい。また、ゲート絶縁膜１７９は、
第２の窒化絶縁膜１１３に適用できる窒化絶縁膜を用いて形成してもよい。また、ゲート
絶縁膜１７９を酸化ガリウム膜で形成する場合、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉ
ｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが
できる。
また、ゲート絶縁膜１７９として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）膜、窒素が
添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）膜、窒素が添加されたハフニウ
ムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜など
のｈｉｇｈ−ｋ材料の絶縁膜を用いることでトランジスタ１０９のゲートリークを低減で
きる。
ゲート絶縁膜１７９は、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は蒸着法などで形成することが
できる。ゲート絶縁膜１７９の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好ましくは１０
ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とするとよい。
ゲート絶縁膜１７９を形成した後、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理は酸化物半
導体膜１７３を脱水素化又は脱水化するために行う加熱処理と同様にして行うことができ
る。当該加熱処理によって、ゲート絶縁膜１７９に含まれている酸素を酸化物半導体膜１
７３に移動させ、酸化物半導体膜１７３に含まれている酸素欠損を低減させることができ
る。
なお、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７を形成した後、エッチング残渣を除去
するため、洗浄処理をすることが好ましい。この洗浄処理を行うことで、ソース電極１７
５とドレイン電極１７７との短絡を抑制することができる。当該洗浄処理は、ＴＭＡＨ（
Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）溶液などのアルカリ性
の溶液、フッ酸、シュウ酸などの酸性の溶液、又は水を用いて行うことができる。
次に、ゲート絶縁膜１７９の酸化物半導体膜１７３と重畳する領域にゲート電極１８１
を形成し、ゲート絶縁膜１７９のソース電極１７５と重畳する領域に電極１８３を形成す
る。ゲート電極１８１及び電極１８３は、ゲート絶縁膜１７９上に導電膜を形成し、当該
導電膜上にマスクを形成し、当該マスクを用いてエッチング処理することでゲート電極１
８１及び電極１８３を形成できる（図１（Ａ）参照）。
ゲート電極１８１及び電極１８３は、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７に適用
できる導電材料を用い、同様にして形成することができる。
また、ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するために、５ｅＶ（電子ボルト）以
上、好ましくは５．５ｅＶ（電子ボルト）以上の仕事関数を有する材料で形成される膜を
ゲート電極１８１とゲート絶縁膜１７９との間に設けて、トランジスタのしきい値電圧を
プラスにすることが好ましい。具体的には、Ｉｎ−Ｎ結合を有し、且つ、固有抵抗が１×
１０−１〜１×１０−４Ω・ｃｍ、好ましくは固有抵抗が５×１０−２〜１×１０−４Ω
・ｃｍを有する材料で形成される膜をゲート電極１８１とゲート絶縁膜１７９との間に設
ける。その材料の一例としては、窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜や、窒素を含む
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜や、
窒素を含むＩｎ−Ｏ膜や、金属窒化膜（ＩｎＮなど）などが挙げられる。
本発明の一態様である半導体装置において、ゲート絶縁膜１７９、ゲート電極１８１及
び電極１８３上に絶縁膜１８５を形成してもよい。トランジスタ１０９が半導体装置の最
上部に設けられる場合は、絶縁膜１８５を第２の窒化絶縁膜１１３に適用できる窒化絶縁
膜を用いて形成することが好ましい。このようにすることで、大気に含まれる水素（水な
どの水素化合物を含む。）が半導体装置の内部に侵入することを抑制でき、半導体装置の
電気特性を良好にすることができる。また、半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
絶縁膜１８５を形成した後、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理は酸化物半導体膜
１７３を脱水素化又は脱水化するために行う加熱処理と同様にして行うことができる。当
該加熱処理によって、酸化物半導体膜１７３に含まれている酸素欠損を低減させることが
できる。
以上の工程で、本発明の一態様である半導体装置を作製することができる。半導体装置
のトランジスタ１０９は、電極１６５をバックゲート電極として機能させることができる
ことから、トランジスタ１０９は、デュアルゲート構造のトランジスタといえる。なお、
第２の窒化絶縁膜１１３及び絶縁膜１７１がバックゲート電極に対するゲート絶縁膜にな
る。
また、電極１６５を設けなければ、トランジスタ１０９をトップゲート構造のトランジ
スタとすることができる。それゆえ、工程数を変更することなく、レイアウトを変更する
ことで同一基板上にデュアルゲート構造のトランジスタとトップゲート構造のトランジス
タとの両方を作製することができる。
また、本発明の一態様である半導体装置に含まれるトランジスタ１０９は、トランジス
タ１０１及びトランジスタ１０３のようにサイドウォールを設ける構成であってもよい。
さらに、酸化物半導体膜１７３において、チャネル形成領域よりも導電率の高い領域が設
けられている構成であってもよい。例えば、酸化物半導体膜１７３と、ソース電極１７５
及びドレイン電極１７７とが接する領域に、不純物を添加して導電率の高い領域を形成し
てもよい。当該不純物としては、ホウ素、窒素、フッ素、アルミニウム、リン、ヒ素、イ
ンジウム、スズ、アンチモン、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンな
どがある。なお、当該導電率の高い領域はＬＤＤとして機能する領域を形成してもよい。
また、本実施の形態で説明した半導体装置に含まれるトランジスタ１０９は、ソース電
極１７５及びドレイン電極１７７が酸化物半導体膜１７３の上面と接する構成であるが、
ソース電極１７５及びドレイン電極１７７が酸化物半導体膜１７３の下面と接する構成で
あってもよい。
また、本発明の一態様である半導体装置に含まれるトランジスタの位置関係（平面レイ
アウト）は、適宜決定することができる。例えば、トランジスタ１０１とトランジスタ１
０３のチャネル形成領域が、トランジスタ１０９のチャネル形成領域と直交するように各
トランジスタを配置することができる。
本発明の一態様である半導体装置を構成する層間絶縁膜はすべて平坦化する構成でなく
てもよい。つまり、層間絶縁膜にＣＭＰなどの研磨処理やエッチング処理を行うか否かは
適宜選択することができる。
なお、本発明の一態様である半導体装置に含まれるトランジスタは、フィン型構造のト
ランジスタとしてもよい。フィン型構造とは、半導体基板の一部を板状の突起形状に加工
し、突起形状の長尺方向を交差するようにゲート電極を設けた構造である。当該ゲート電
極は、ゲート絶縁膜を介して突起構造の上面及び側面を覆う。本発明の一態様である半導
体装置に含まれるトランジスタをフィン型構造のトランジスタとすることで、チャネル幅
Ｗを縮小してトランジスタの集積化を図ることができる。また、オン電流を大きくするこ
とができる。さらに、制御効率を向上させることができるため、トランジスタのオフ電流
及びしきい値電圧の変動を低減することができる。
本発明の一態様である半導体装置は、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３が、
電極１５９及び電極１６３を通じて、トランジスタ１０９と電気的に接続される構成であ
るが、トランジスタ１０１のゲート電極１２５及びトランジスタ１０３のゲート電極１４
３と、トランジスタ１０９のソース電極１７５とが、直接接する構成であってもよい。そ
の際、層間絶縁膜を適宜、削除することができる。
本発明の一態様である半導体装置は、トランジスタ１０９の上にさらにトランジスタな
どの半導体素子を設けてもよい。その場合は、適宜、層間絶縁膜を設け、回路の接続関係
に対応させて当該層間絶縁膜に開口を形成し、当該開口に電極を形成し、当該半導体素子
と、トランジスタ１０１、トランジスタ１０３、又はトランジスタ１０９と電気的に接続
させればよい。
また、本発明の一態様である半導体装置は、図１（Ｂ）に示した回路図に相当する半導
体装置に限定されず、少なくともシリコン半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体
を用いたトランジスタとを有する回路に相当し、半導体装置の積層構造として、シリコン
半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタとの間に第１の窒化
絶縁膜及び第２の窒化絶縁膜を有する、半導体装置であればよい。
以上より、本発明の一態様である半導体装置は、シリコン半導体を用いたトランジスタ
上に水素を含み、加熱によって水素を放出する第１の窒化絶縁膜と、第１の窒化絶縁膜と
酸化物半導体を用いたトランジスタとの間に、第１の窒化絶縁膜よりも水素含有量が低く
、水素に対するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜とが設けられた半導体装置であ
る。そして、第１の窒化絶縁膜を設けることで、半導体装置の作製工程における加熱処理
によって、安全且つ簡易にシリコン半導体を水素化処理することができる。また、第２の
窒化絶縁膜を設けることで、半導体装置の作製工程における加熱処理によって放出がされ
る水素が、酸化物半導体に拡散することを抑制できる。従って、本発明の一態様によって
、良好な電気特性を有する半導体装置を作製できる、そして、良好な信頼性を有する半導
体装置を作製できる。
＜半導体装置の変形例１＞
実施の形態１に示す半導体装置の変形例について、図６を用いて説明する。酸素が拡散
しにくい導電膜を用いて電極１６３、電極１６５、及び電極１６７を形成する、又は酸素
に対してバリア性を有する酸化物膜（ルテニウム酸化物など）を積層して電極１６３、電
極１６５、及び電極１６７を構成することで、第２の窒化絶縁膜１１３を、層間絶縁膜１
６１と、電極１６３、電極１６５、及び電極１６７との間に設けることができる（図６参
照）。
＜半導体装置の変形例２＞
実施の形態１に示す半導体装置の変形例について、図７を用いて説明する。図７に示す
半導体装置は、第１の窒化絶縁膜１１１が第２の窒化絶縁膜１１３と接する点が図１に示
す半導体装置と異なる。
具体的には、下部に、第１の半導体材料を用いたｎチャネル型トランジスタであるトラ
ンジスタ１０１と、ｐチャネル型トランジスタであるトランジスタ１０３とが電気的に接
続されたＣＭＯＳ回路１０５を有し、ＣＭＯＳ回路１０５上に容量素子１０７と、第２の
半導体材料を用いたｎチャネル型トランジスタであるトランジスタ１０９とを有し、トラ
ンジスタ１０１及びトランジスタ１０３と、トランジスタ１０９との間に水素を含み、加
熱によって水素を放出する第１の窒化絶縁膜１１１を有し、第１の窒化絶縁膜１１１に積
層され、第１の窒化絶縁膜１１１よりも低い水素含有量を有し、水素に対するバリア膜と
して機能する第２の窒化絶縁膜１１３を有する。
基板１１５上にはトランジスタ１０１及びトランジスタ１０３をそれぞれ囲むように素
子分離絶縁膜１５１が設けられている。そして、トランジスタ１０１及びトランジスタ１
０３並びに素子分離絶縁膜１５１を覆うように絶縁膜１５３が設けられている。
絶縁膜１５３上には層間絶縁膜１５５が設けられている。
電極１６３、電極１６５及び電極１６７並びに絶縁膜１６９上には、第１の窒化絶縁膜
１１１が設けられている。第１の窒化絶縁膜１１１に接して第２の窒化絶縁膜１１３が設
けられており、第２の窒化絶縁膜１１３上には絶縁膜１７１が設けられている。
ソース電極１７５は、第１の窒化絶縁膜１１１、第２の窒化絶縁膜１１３及び絶縁膜１
７１に形成された開口に設けられた接続電極１７２を通じて電極１６３と接している。ソ
ース電極１７５は、トランジスタ１０１のゲート電極１２５及びトランジスタ１０３のゲ
ート電極１４３と電気的に接続されている。
ドレイン電極１７７は、第１の窒化絶縁膜１１１、第２の窒化絶縁膜１１３及び絶縁膜
１７１に形成された開口に設けられた接続電極１７２を通じて電極１６７と接している。
他の構成は、実施の形態１と同様である。
＜半導体装置の変形例２の作製方法＞
次に、上記半導体装置の変形例の作製方法について、図４乃至図６、図８、及び図９を
用いて説明する。
実施の形態１と同様の工程を用いて、図８（Ａ）に示すように、トランジスタ１０１及
びトランジスタ１０３を作製する。次に、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３上
に絶縁膜１５３を形成する。
次に、絶縁膜１５３上に層間絶縁膜１５５を形成する。次に、電極１３１、電極１４７
及び電極１４９を形成する（図８（Ｂ）参照）
次に、層間絶縁膜１５５、電極１３１、電極１４７及び電極１４９上に層間絶縁膜１５
７を形成し、ゲート電極１２５及びゲート電極１４３に達する開口を層間絶縁膜１５７に
形成し（図示せず）、当該開口に電極１５９を形成する。そして、層間絶縁膜１５７及び
電極１５９上に層間絶縁膜１６１を形成する（図８（Ｃ）参照）。
次に、電極１５９に達する開口を層間絶縁膜１６１に形成し、当該開口に電極１６３を
形成する。電極１６３を形成すると同時に電極１６５及び電極１６７を形成することがで
きる。そして、電極１６３、電極１６５及び電極１６７の間を埋めるように絶縁膜１６９
を形成する。そして、電極１６３、電極１６５及び電極１６７、並びに絶縁膜１６９上に
第１の窒化絶縁膜１１１を形成し、第１の窒化絶縁膜１１１上に第２の窒化絶縁膜１１３
を形成する（図９参照）。
第１の窒化絶縁膜１１１の厚さは、少なくともトランジスタ１０１のチャネル形成領域
１１７及びトランジスタ１０３のチャネル形成領域１３５を十分に水素化処理できるだけ
の水素を含むことができる厚さとすることが好ましい。例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎ
ｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
第１の窒化絶縁膜１１１は、実施の形態１に示す窒化絶縁膜１１１と同様の形成方法を
適宜用いることができる。
第２の窒化絶縁膜１１３の厚さは、トランジスタ１０９よりも下方からトランジスタ１
０９の酸化物半導体膜１７３に拡散してくる水素に対して十分なバリア性を発揮できる厚
さとすることが好ましい。例えば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以上
５０ｎｍ以下である。
また、第２の窒化絶縁膜１１３は、実施の形態１に示す窒化絶縁膜１１３の作製方法を
適宜用いることができる。
この後、実施の形態１と同様に、図４（Ｂ）乃至図６の工程を経て、絶縁膜１７１、接
続電極１７２、トランジスタ１０９、容量素子１０７、絶縁膜１８５を作製することがで
きる。
＜半導体装置の変形例３＞
また、本発明の一態様である半導体装置は、半導体装置の変形例２の構成において、第
１の窒化絶縁膜１１１と第２の窒化絶縁膜１１３との間に、第１の窒化絶縁膜１１１及び
第２の窒化絶縁膜１１３に接して酸化絶縁膜が設けられた構成であってもよい。当該酸化
絶縁膜は、酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜とすることができる。
本発明の一態様である半導体装置において、第２の窒化絶縁膜１１３は、第１の窒化絶
縁膜１１１より水素濃度が低く、緻密な窒化絶縁膜によって形成されている。それゆえ、
第２の窒化絶縁膜１１３は水素に対するバリア膜として機能する。水素を含む窒化絶縁膜
によって形成されている第１の窒化絶縁膜１１１を第２の窒化絶縁膜１１３に接して設け
る場合、第２の窒化絶縁膜１１３の形成方法によっては、第１の窒化絶縁膜１１１に含ま
れている水素が第２の窒化絶縁膜１１３に混入し、第２の窒化絶縁膜１１３の水素濃度が
増大してしまう可能性がある。そこで、上記のように、第１の窒化絶縁膜１１１と第２の
窒化絶縁膜１１３との間に酸化絶縁膜を設けることで、第２の窒化絶縁膜１１３を形成す
る際に、第１の窒化絶縁膜１１１に含まれている水素が第２の窒化絶縁膜１１３に混入す
ることを抑制することができ、第２の窒化絶縁膜１１３を水素に対するバリア膜として十
分に機能させることができる。
＜半導体装置の変形例４＞
半導体装置の変形例２、変形例３の構造は、図７に示した構成に限定されない。例えば
、酸素が拡散しにくい導電膜を用いて電極１６３、電極１６５、及び電極１６７を形成す
る、又は酸素に対してバリア性を有する酸化物膜（ルテニウム酸化物など）を積層して電
極１６３、電極１６５、及び電極１６７を構成することで、第１の窒化絶縁膜１１１及び
第２の窒化絶縁膜１１３を、層間絶縁膜１６１と、電極１６３、電極１６５、及び電極１
６７との間に設けることができる（図１０（Ａ）参照）。または、第１の窒化絶縁膜１１
１と第２の窒化絶縁膜１１３との間に電極１６３、電極１６５、及び電極１６７が設けら
れた構成であってもよい（図１０（Ｂ）参照）。このような構造とすることで、電極１６
３、１６５、１６７の酸化を防ぐことが可能であるため、電極１６３、１６５、１６７の
抵抗値の上昇を防ぐことができる。
なお、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成、
方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本発明の一態様である半導体装置の他の例として、論理回路であるＮＯＲ型回路の断面
図の一例を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）に対応するＮＯＲ型回路の
回路図であり、図１１（Ｃ）はＮＡＮＤ型回路の回路図である。
図１１（Ａ）は、ＮＯＲ型回路の一部の断面図であり、具体的にはｐチャネル型トラン
ジスタであるトランジスタ２０２と、ｎチャネル型トランジスタであるトランジスタ２０
３との断面図である。また、図１２に当該ＮＯＲ型回路の一部の上面図を示す。図１１（
Ａ）に示した断面図は、図１２に示した上面図の１点鎖線ＸＹ間の断面に相当する。図１
２に示した上面図において、図面の明瞭化のため構成要素の一部（トランジスタ２０２、
第１の窒化絶縁膜２１１、第２の窒化絶縁膜２１３、その他ゲート絶縁膜や層間絶縁膜な
ど）を図示していない。
本実施の形態の半導体装置は、実施の形態１で説明した半導体装置と一部構成が異なる
半導体装置であり、実施の形態１で説明した半導体装置の作製方法を適宜用いることで作
製できる。
つまり、本実施の形態の半導体装置は、複数のトランジスタを有する半導体装置であっ
て、集積化度を高めるために複数のトランジスタの一部が縦方向に積層されている。そし
て、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すＮＯＲ型回路図に相当する半導体装置は、ｐチ
ャネル型トランジスタであるトランジスタ２０１及びｐチャネル型トランジスタであるト
ランジスタ２０２の上に、水素を含み、加熱によって水素を放出する第１の窒化絶縁膜２
１１を有し、第１の窒化絶縁膜２１１と、トランジスタ２０３及びトランジスタ２０４の
間に、第１の窒化絶縁膜２１１よりも低い水素含有量を有し、水素に対するバリア膜とし
て機能する第２の窒化絶縁膜２１３を有する。
図１１（Ａ）に示す半導体装置は、基板２００に単結晶シリコン基板を用いて、該単結
晶シリコン基板にトランジスタ２０２を設けて、トランジスタ２０２の上に酸化物半導体
を用いたトランジスタ２０３を積層した構成である。図示していないが、トランジスタ２
０２が設けられる基板２００にトランジスタ２０１を設けることができる。また、図示し
ていないが、酸化物半導体を用いたトランジスタ２０４もトランジスタ２０２上に設ける
ことができる。
トランジスタ２０２上に設けられている第１の窒化絶縁膜２１１は、実施の形態１で説
明した半導体装置の第１の窒化絶縁膜１１１と同じ構成である。それゆえ、本実施の形態
で説明する半導体装置においても、少なくとも、トランジスタ２０１及びトランジスタ２
０２のチャネル形成領域が形成される単結晶シリコン基板に含まれる欠陥（ダングリング
ボンド）を加熱処理によって修復させることができる。
第１の窒化絶縁膜２１１とトランジスタ２０３との間に設けられている第２の窒化絶縁
膜２１３は、実施の形態１で説明した半導体装置の第２の窒化絶縁膜１１３と同じ構成で
ある。それゆえ、本実施の形態で説明する半導体装置においても、第１の窒化絶縁膜２１
１を含め、トランジスタ２０３よりも下部に存在する水素がトランジスタ２０３の酸化物
半導体膜（少なくともチャネル形成領域）に不純物として拡散することを抑制できる。
図１１（Ａ）において、トランジスタ２０２は、実施の形態１で説明した半導体装置の
トランジスタ１０３と同じ構造である。また、トランジスタ２０３は、実施の形態１で説
明した半導体装置のトランジスタ１０９と同じ構造である。そこで、トランジスタ２０２
及びトランジスタ２０３の詳細は実施の形態１を参酌できる。また、ここでは、実施の形
態１で説明した半導体装置と構造が異なる部分について説明する。なお、トランジスタ２
０１、トランジスタ２０４も実施の形態１で説明した半導体装置のトランジスタ１０３及
びトランジスタ１０９と同じ構造である。
トランジスタ２０２の電極２２５は、電極２３１、電極２３４及び接続電極２３９を通
じてトランジスタ２０３のソース電極２４５ａと電気的に接続する。電極２３１は層間絶
縁膜２３０に形成された開口に設けられ、電極２３４は層間絶縁膜２３３に形成された開
口に設けられている。なお、トランジスタ２０３のドレイン電極２４５ｂは、接続電極２
３９を通じて電極２３６と電気的に接続している。
電極２３２は、層間絶縁膜２３０に形成された開口（図示せず）に設けられ、電極２３
５は、層間絶縁膜２３３に形成された開口に設けられる。
トランジスタ２０３のゲート電極２０５は、電極２３５を通じて電極２３２と電気的に
接続しており、これらを通じてトランジスタ２０２のゲート電極と電気的に接続している
。また、トランジスタ２０３のゲート電極２０５は、電極２８０と電気的に接続し、電極
２８０は、電極２４２と電気的に接続している。なお、電極２８０は、第１のバリア金属
膜２８６と、第２のバリア金属膜２８７と、第１のバリア金属膜２８６と第２のバリア金
属膜２８７で囲まれた低抵抗導電膜２８８とで構成される。
電極２８０は下記の方法で形成できる。まず、層間絶縁膜２８５を形成し、電極２４２
に達する開口を層間絶縁膜２８５に形成し、第１のバリア金属膜２８６を形成し、その上
に低抵抗導電膜２８８を形成する。そして、平坦化するために研磨処理を行い、少なくと
も、低抵抗導電膜２８８の表面を露出させる。露出した低抵抗導電膜２８８を保護するた
め、第２のバリア金属膜２８７を形成する。
低抵抗導電膜２８８としては銅又は銅合金膜を用いることができる。第１のバリア金属
膜２８６、及び第２のバリア金属膜２８７は、低抵抗導電膜２８８に含まれる銅の拡散を
抑える導電材料を用いればよく、例えば窒化タンタル膜、窒化モリブデン膜、窒化タング
ステン膜などを用いて形成する。
また、層間絶縁膜２３３上に設けられ、電極２３４、電極２３５及び電極２３６と同一
工程で形成できる電極２３７は、電圧を印加できる構成とすることで、トランジスタ２０
３のバックゲート電極としても機能させることができる。
トランジスタ２０３の酸化物半導体膜２７３の酸素欠損を低減するために、層間絶縁膜
２３８として酸素を含む絶縁膜を用いる場合、第２の窒化絶縁膜２１３は、水素に加えて
酸素についても透過させにくいことから、層間絶縁膜２３８に含まれている酸素が層間絶
縁膜２３８よりも下方（例えば電極２３４、電極２３５、電極２３６及び電極２３７）に
拡散することを抑制でき、酸化物半導体膜２７３の酸素欠損を十分に低減することができ
る。従って、良好な電気特性、及び良好な信頼性を有するトランジスタ２０３を得ること
ができる。さらには、良好な電気特性、及び良好な信頼性を有する半導体装置を得ること
ができる。
図１１（Ａ）に示す半導体装置は、シリコン半導体領域にチャネル形成領域が形成され
た、高速に動作するトランジスタと、酸化物半導体膜にチャネル形成領域が形成された、
オフ電流の極めて小さいトランジスタとを用いていることから、高速に動作させることが
でき、消費電力を十分に低減することができる。
また、図１１及び図１２に示す半導体装置は、実施の形態１で説明した半導体装置と同
様に、図１１及び図１２に示した構成に限定されない。例えば、酸素が拡散しにくい導電
膜を用いて電極２３４、電極２３５、電極２３６及び電極２３７を形成する、又は酸素に
対してバリア性を有する酸化物膜（ルテニウム酸化物など）を積層して電極２３４、電極
２３５、電極２３６及び電極２３７を構成することで、第２の窒化絶縁膜２１３を、層間
絶縁膜２３３と、電極２３４、電極２３５、電極２３６及び電極２３７との間に設けるこ
とができる（図１３参照）。
図１１（Ｃ）に示すＮＡＮＤ型回路では、ｐチャネル型トランジスタであるトランジス
タ２５１及びｐチャネル型トランジスタであるトランジスタ２５４は、図１（Ａ）に示す
トランジスタ１０３と同様な構造を有し、シリコン半導体領域にチャネル形成領域が形成
されたトランジスタである。そして、ｎチャネル型トランジスタであるトランジスタ２５
２及びｎチャネル型トランジスタであるトランジスタ２５３は、図１（Ａ）に示すトラン
ジスタ１０９と同様な構造を有し、酸化物半導体膜にチャネル形成領域が形成されたトラ
ンジスタを用いる。また、トランジスタ１０３及びトランジスタ１０９の詳細は実施の形
態１を参酌できる。なお、図１１（Ｃ）に示すＮＡＮＤ型回路は、図１１（Ｂ）に示すＮ
ＯＲ型回路と接続関係が異なるだけであることから、当該ＮＡＮＤ型回路の断面構造、又
は当該ＮＡＮＤ型回路におけるトランジスタの積層構造は上記を参酌できる。
＜半導体装置の変形例１＞
本実施の形態に示す半導体装置の変形例を図１４に示す。図１４（Ａ）に示すＮＯＲ型
回路図に相当する半導体装置は、ｐチャネル型トランジスタであるトランジスタ２０１及
びｐチャネル型トランジスタであるトランジスタ２０２と、トランジスタ２０３及びトラ
ンジスタ２０４との間に、水素を含み、加熱によって水素を放出する第１の窒化絶縁膜２
１１を有し、第１の窒化絶縁膜２１１に積層され、第１の窒化絶縁膜２１１よりも低い水
素含有量を有し、水素に対するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜２１３を有する
。
また、図１４に示す半導体装置において、酸素が拡散しにくい導電膜を用いて電極２３
４、電極２３５、電極２３６及び電極２３７を形成する、又は酸素に対してバリア性を有
する導電膜を積層して電極２３４、電極２３５、電極２３６及び電極２３７を構成するこ
とで、第２の窒化絶縁膜２１３を、層間絶縁膜２３３と、電極２３４、電極２３５、電極
２３６及び電極２３７との間に設けることができる（図１５（Ａ）参照）。また、第１の
窒化絶縁膜２１１と第２の窒化絶縁膜２１３との間に、電極２３４、電極２３５、及び電
極２３６が設けられた構成であってもよい（図１５（Ｂ）参照）。
＜半導体装置の変形例２＞
また、本実施の形態では、ＮＯＲ型回路とＮＡＮＤ型回路の例を示したが、特に限定さ
れず、シリコン半導体を用いたトランジスタ及び酸化物半導体を用いたトランジスタを使
用してＡＮＤ型回路やＯＲ型回路などを形成することができる。例えば、シリコン半導体
を用いたトランジスタ及び酸化物半導体を用いたトランジスタを使用して、電力が供給さ
れない状況でもデータの保持が可能で、且つ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置（
記憶装置）を作製することもできる。
図１６に当該半導体装置（メモリ素子又はメモリセルともいう。）の回路図を示す。
図１６において、第１の配線（１ｓｔ Ｌｉｎｅ）とｎチャネル型トランジスタである
トランジスタ３０１のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線（２ｎｄ Ｌｉｎ
ｅ）とトランジスタ３０１のドレイン電極とは、電気的に接続されている。トランジスタ
３０１は、実施の形態１で説明したトランジスタ１０１又はトランジスタ１０３を適用す
ることができる。
また、第３の配線（３ｒｄ Ｌｉｎｅ）とトランジスタ３０３のソース電極又はドレイ
ン電極の一方とは、電気的に接続され、第４の配線（４ｔｈ Ｌｉｎｅ）と、トランジス
タ３０３のゲート電極とは、電気的に接続されている。そして、トランジスタ３０１のゲ
ート電極と、トランジスタ３０３のソース電極又はドレイン電極の一方は、容量素子３０
５の電極の一方と電気的に接続され、第５の配線（５ｔｈ Ｌｉｎｅ）と、容量素子３０
５の電極の他方は電気的に接続されている。
トランジスタ３０３は、実施の形態１で説明したトランジスタ１０９を適用することが
できる。なお、容量素子３０５は、実施の形態１で説明した容量素子１０７を適用するこ
とができる。
図１６に示す回路構成を有する半導体装置では、トランジスタ３０１のゲート電極の電
位が保持可能という特徴を生かすことで、次のように、情報の書き込み、保持、読み出し
が可能である。
情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、第４の配線の電位を、トランジス
タ３０３がオン状態となる電位にして、トランジスタ３０３をオン状態とする。これによ
り、第３の配線の電位が、トランジスタ３０１のゲート電極、および容量素子３０５に与
えられる。すなわち、トランジスタ３０１のゲート電極には、所定の電荷が与えられる（
書き込み）。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷（以下Ｌｏｗレベル電荷、
Ｈｉｇｈレベル電荷という）のいずれかが与えられるものとする。その後、第４の配線の
電位を、トランジスタ３０３がオフ状態となる電位にして、トランジスタ３０３をオフ状
態とすることにより、トランジスタ３０１のゲート電極に与えられた電荷が保持される（
保持）。
トランジスタ３０３のオフ電流は極めて小さいため、トランジスタ３０１のゲート電極
の電荷は長時間にわたって保持される。
次に情報の読み出しについて説明する。第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状
態で、第５の配線に適切な電位（読み出し電位）を与えると、トランジスタ３０１のゲー
ト電極に保持された電荷量に応じて、第２の配線は異なる電位をとる。一般に、トランジ
スタ３０１をｎチャネル型とすると、トランジスタ３０１のゲート電極にＨｉｇｈレベル
電荷が与えられている場合の見かけのしきい値Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ３０１のゲー
ト電極にＬｏｗレベル電荷が与えられている場合の見かけのしきい値Ｖｔｈ＿Ｌより低く
なるためである。ここで、見かけのしきい値電圧とは、トランジスタ３０１を「オン状態
」とするために必要な第５の配線の電位をいうものとする。したがって、第５の配線の電
位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌの間の電位Ｖ０とすることにより、トランジスタ３０１のゲ
ート電極に与えられた電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、Ｈｉｇｈレベル電
荷が与えられていた場合には、第５の配線の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トラ
ンジスタ３０１は「オン状態」となる。Ｌｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第
５の配線の電位がＶ０（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ３０１は「オフ状態」
のままである。このため、第２の配線の電位を見ることで、保持されている情報を読み出
すことができる。
なお、メモリセルをアレイ状に配置して用いる場合、所望のメモリセルの情報のみを読
み出せることが必要になる。このように情報を読み出さない場合には、ゲート電極の状態
にかかわらずトランジスタ３０１が「オフ状態」となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈ
より小さい電位を第５の配線に与えればよい。又は、ゲート電極の状態にかかわらずトラ
ンジスタ３０１が「オン状態」となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｌより大きい電位を
第５の配線に与えればよい。
図１７に図１６に示した半導体装置とは異なる半導体装置の一形態の例を示す。
図１７は、当該半導体装置の斜視図である。図１７に示す半導体装置は上部に記憶回路
としてメモリセルを複数含む、メモリセルアレイ（メモリセルアレイ４０１（１）乃至メ
モリセルアレイ４０１（ｎ）ｎは２以上の整数）を複数層有し、下部にメモリセルアレイ
４０１（１）乃至メモリセルアレイ４０１（ｎ）を動作させるために必要な論理回路４０
３を有する。
図１７では、論理回路４０３、メモリセルアレイ４０１（１）及びメモリセルアレイ４
０１（２）を図示しており、メモリセルアレイ４０１（１）又はメモリセルアレイ４０１
（２）に含まれる複数のメモリセルのうち、メモリセル４０５ａと、メモリセル４０５ｂ
を代表で示す。メモリセル４０５ａ及びメモリセル４０５ｂとしては、例えば、本実施の
形態において説明した図１６の回路構成と同様の構成とすることもできる。
なお、メモリセル４０５ａ及びメモリセル４０５ｂに含まれるトランジスタは、酸化物
半導体膜にチャネル形成領域が形成されたトランジスタを用いる。酸化物半導体膜にチャ
ネル形成領域が形成されたトランジスタの構成については、実施の形態１における説明と
同様である。
また、論理回路４０３は、酸化物半導体以外の半導体材料にチャネル形成領域が形成さ
れたトランジスタを有する。例えば、実施の形態１で説明したシリコン半導体を用いたト
ランジスタ（トランジスタ１０１又はトランジスタ１０３）を用いることができる。
メモリセルアレイ４０１（１）乃至メモリセルアレイ４０１（ｎ）及び論理回路４０３
は、層間絶縁膜を間に介して積層され、層間絶縁膜を貫通する電極（配線を含む）によっ
て適宜、電気的に接続されている。
本実施の形態に示す半導体装置では、酸化物半導体膜にチャネル形成領域が形成された
オフ電流の極めて小さいトランジスタを適用することで、極めて長期にわたり記憶内容を
保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作が不要となるか、又は、リフレッ
シュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となるため、消費電力を十分に低減すること
ができる。また、電力の供給がない場合（ただし、電位は固定されていることが望ましい
）であっても、長期にわたって記憶内容を保持することが可能である。
また、本実施の形態に示す半導体装置では、情報の書き込みに高い電圧を必要とせず、
素子の劣化の問題もない。例えば、従来の不揮発性メモリのように、フローティングゲー
トへの電子の注入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行う必要がないため
、ゲート絶縁膜の劣化といった問題が全く生じない。すなわち、開示する発明に係る半導
体装置では、従来の不揮発性メモリで問題となっている書き換え可能回数に制限はなく、
信頼性が飛躍的に向上する。さらに、トランジスタのオン状態、オフ状態によって、情報
の書き込みが行われるため、高速な動作も容易に実現しうる。
以上より、本実施の形態に示す半導体装置は、シリコン半導体膜にチャネル形成領域を
有し、高速に動作するトランジスタと、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するオフ
電流の極めて小さいトランジスタとを用いていることから、高速に動作させることができ
、消費電力を十分に低減することができる。また、水素を含み、加熱によって水素を放出
する第１の窒化絶縁膜を有し、第１の窒化絶縁膜よりも低い水素含有量を有し、水素に対
するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜を有することから、良好な電気特性、及び
良好な信頼性を有する半導体装置を得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成、
方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した半導体装置に適用でき、酸化物半導体を
用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に適用可能な一態様について説明する。
酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体
、単結晶酸化物半導体、及び多結晶酸化物半導体の他に、結晶部分を有する酸化物半導体
（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ：ＣＡＡＣ−ＯＳ）で構成されていることが好ましい。
ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つであり、ほとんどの結
晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎｍ未満、５ｎｍ未満または３ｎｍ未満の立方体内
に収まる大きさの場合も含まれる。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠
陥準位密度が低いという特徴がある。以下、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について詳細な説明を行う
。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち
結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観
察）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹
凸を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。本
明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置され
ている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは
、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、８
５°以上９５°以下の場合も含まれる。
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面Ｔ
ＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列している
ことを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られ
ない。
断面ＴＥＭ観察および平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部は配向性を有し
ていることがわかる。
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）
装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ
膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピーク
が現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属され
ることから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に
概略垂直な方向を向いていることが確認できる。
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐ
ｌａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸
化物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）
として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面
に帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の場合は、２θを
５６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
以上のことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸およびｂ軸の配向は
不規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平
行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に
配列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。
なお、結晶部は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を
行った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面ま
たは上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の
形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成
面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ
膜の結晶部が、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上
面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部
分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ
法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現
れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向
性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍
にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
ＣＡＡＣ−ＯＳの形成方法としては、三つ挙げられる。
第１の方法は、成膜温度を１００℃以上４５０℃以下として酸化物半導体膜を成膜する
ことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトルまたは表面
の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
第２の方法は、酸化物半導体膜を薄い厚さで成膜した後、２００℃以上７００℃以下の
熱処理を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
第３の方法は、一層目の酸化物半導体膜を薄い厚さで成膜した後、２００℃以上７００
℃以下の熱処理を行い、さらに二層目の酸化物半導体膜の成膜を行うことで、酸化物半導
体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平
行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜にＣＡＡＣ−ＯＳを適用
したトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。よって、酸
化物半導体膜にＣＡＡＣ−ＯＳを適用したトランジスタは、良好な信頼性を有する。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ターゲットを
用い、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。当該スパッタリング用ターゲ
ットにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がａ−ｂ面
から劈開し、ａ−ｂ面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子
として剥離することがある。この場合、当該平板状またはペレット状のスパッタリング粒
子が、結晶状態を維持したまま被成膜面に到達することで、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜する
ことができる。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制で
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素および窒素など）
を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点
が−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下である成膜ガスを用いる。
また、成膜時の被成膜面の加熱温度（例えば基板加熱温度）を高めることで、被成膜面
に到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、被成膜面の温
度を１００℃以上７４０℃以下、好ましくは２００℃以上５００℃以下として成膜する。
成膜時の被成膜面の温度を高めることで、平板状またはペレット状のスパッタリング粒子
が被成膜面に到達した場合、当該被成膜面上でマイグレーションが起こり、スパッタリン
グ粒子の平らな面が被成膜面に付着する。
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメー
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００
体積％とする。
スパッタリング用ターゲットの一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ化合物ターゲットに
ついて以下に示す。
ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末及びＺｎＯＺ粉末を所定のｍｏｌ比で混合し、加圧処理後
、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ系金属酸化物ターゲットとする。なお、当該加圧処理は、冷却しながら行ってもよ
いし、加熱しながら行ってもよい。なお、Ｘ、Ｙ及びＺは任意の正数である。ここで、所
定のｍｏｌ比は、例えば、ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末及びＺｎＯＺ粉末が、２：２：１
、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３又は３：１：２である。なお、粉末
の種類、及びその混合するｍｏｌ比は、作製するスパッタリング用ターゲットによって適
宜変更すればよい。
また、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に単結晶酸化物半
導体を適用する場合、ＣＡＡＣ−ＯＳを形成し、当該ＣＡＡＣ−ＯＳにレーザ照射処理す
ることによって加熱し、単結晶酸化物半導体を形成してもよい。なお、レーザ照射処理と
しては、連続発振若しくはパルス発振の気体レーザ又は固体レーザを用いることができる
。気体レーザとしては、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ
、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどを用い
ることができる。固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又は
ＴｍがドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶を使ったレー
ザを用いることができる。
また、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜は、複数の酸化物
半導体膜が積層された構造でもよい。一例としては、酸化物半導体膜を、第１の酸化物半
導体膜及び第２の酸化物半導体膜の積層構造とし、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化
物半導体膜に、異なる組成の金属酸化物を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜を、第
１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜に含まれる金属元素の原子数比が異なる積
層構造とすることができる。または、酸化物半導体膜を、第１の酸化物半導体膜及び第２
の酸化物半導体膜に含まれる金属元素が異なる積層構造とすることができる。なお、第１
の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜としては、二種類の金属を含む酸化物、三種
類の金属を含む酸化物、または四種類の金属を含む酸化物を適宜用いることができる。
また、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜の構成元素を同一とし、両者の組
成を異ならせてもよい。例えば、第１の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝
１：１：１とし、第２の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２とし
てもよい。また、第１の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２とし
、第２の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：１：３としてもよい。なお
、各酸化物半導体膜の原子数比は、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス２０％の
変動を含む。
この時、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜のうち、ゲート電極に近い側（
チャネル側）の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの含有率をＩｎ＞Ｇａとするとよい。またゲ
ート電極から遠い側（バックチャネル側）の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの含有率をＩｎ
≦Ｇａとするとよい。
また、酸化物半導体を用いたトランジスタにおける酸化物半導体膜を３層構造とし、第
１の酸化物半導体膜乃至第３の酸化物半導体膜の構成元素を同一とし、且つそれぞれの組
成を異ならせてもよい。例えば、第１の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝
１：３：２とし、第２の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２とし
、第３の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１としてもよい。
Ｇａ及びＺｎよりＩｎの原子数比が小さい酸化物半導体膜、代表的には原子数比がＩｎ
：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２である第１の酸化物半導体膜は、Ｇａ及びＺｎよりＩｎの原子
数比が大きい酸化物半導体膜、代表的には第２の酸化物半導体膜、並びにＧａ、Ｚｎ、及
びＩｎの原子数比が同じ酸化物半導体膜、代表的には第３の酸化物半導体膜と比較して、
酸素欠損が生じにくいため、キャリア密度が増加することを抑制することができる。また
、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２である第１の酸化物半導体膜が非晶質構造で
あると、第２の酸化物半導体膜がＣＡＡＣ−ＯＳ膜となりやすい。
また、第１の酸化物半導体膜乃至第３の酸化物半導体膜の構成元素は同一であるため、
第１の酸化物半導体膜は、第２の酸化物半導体膜との界面における欠陥準位（トラップ準
位）が少ない。このため、酸化物半導体膜を上記構造とすることで、トランジスタの経時
変化や光ＢＴストレス試験によるしきい値電圧の変動量を低減することができる。
酸化物半導体では主として重金属のｓ軌道がキャリア伝導に寄与しており、Ｉｎの含有
率を多くすることにより、より多くのｓ軌道が重なるため、Ｉｎ＞Ｇａの組成となる酸化
物はＩｎ≦Ｇａの組成となる酸化物と比較して高いキャリア移動度を備える。また、Ｇａ
はＩｎと比較して酸素欠損の形成エネルギーが大きく酸素欠損が生じにくいため、Ｉｎ≦
Ｇａの組成となる酸化物はＩｎ＞Ｇａの組成となる酸化物と比較して安定した特性を備え
る。
複数の酸化物半導体膜を積層したトランジスタの場合、チャネル側にＩｎ＞Ｇａの組成
となる酸化物半導体膜を適用し、バックチャネル側にＩｎ≦Ｇａの組成となる酸化物半導
体膜を適用することで、トランジスタの電界効果移動度及び信頼性をさらに高めることが
可能となる。
また、第１の酸化物半導体膜乃至第３の酸化物半導体膜に、結晶性の異なる酸化物半導
体を適用してもよい。すなわち、単結晶酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、非晶質酸化
物半導体、及びＣＡＡＣ−ＯＳを適宜組み合わせた構成としてもよい。また、第１の酸化
物半導体膜乃至第３の酸化物半導体膜のいずれか一に非晶質酸化物半導体を適用すると、
酸化物半導体膜の内部応力や外部からの応力を緩和し、トランジスタの特性ばらつきが低
減され、また、トランジスタの信頼性をさらに高めることが可能となる。
なお、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成、
方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置に含まれる酸化物半導体を用いた
トランジスタに適用可能な一態様について説明する。
図１８に、先の実施の形態で説明した酸化物半導体を用いたトランジスタとは構造が一
部異なるトランジスタ１１０を示す。なお、図１８は、酸化物半導体を用いたトランジス
タ１１０のみを示し、シリコン半導体を用いたトランジスタ、及び容量素子などは省略し
ており、本実施の形態で説明するトランジスタ１１０には、図１（Ａ）に示した半導体装
置を説明する際に用いた符号を付する。
トランジスタ１１０は、下地絶縁膜としても機能する絶縁膜１７１と、酸化物半導体膜
１７３と、酸化物半導体膜１７３に接するソース電極１７５及びドレイン電極１７７と、
酸化絶縁膜１７８及び窒化絶縁膜１８０が積層されたゲート絶縁膜１７９と、ゲート絶縁
膜１７９上に設けられたゲート電極１８１と、絶縁膜１７１、ソース電極１７５、ドレイ
ン電極１７７、ゲート絶縁膜１７９及びゲート電極１８１を覆う絶縁膜１８４及び絶縁膜
１８５と、を有する。
トランジスタ１１０は、トランジスタ１０９と比較して以下の構造が異なる。ソース電
極１７５及びドレイン電極１７７の端部に段差を有している。ゲート絶縁膜１７９は、酸
化物半導体膜１７３と接する側に、酸化絶縁膜１７８が設けられ、酸化絶縁膜１７８上に
窒化絶縁膜１８０が積層されている。また、ゲート絶縁膜１７９は、エッチング処理によ
ってソース電極１７５及びドレイン電極１７７の一部が露出するように加工されている。
また、絶縁膜１８４及び絶縁膜１８５が積層して設けられている。
トランジスタ１１０は、トランジスタ１０９と比べて構造が一部異なるだけであるため
、トランジスタ１１０は、トランジスタ１０９の作製方法を適宜用いて作製することがで
きる。例えば、加熱処理のタイミングなどはトランジスタ１０９の作製方法と同じとする
ことができる。
トランジスタ１１０において、絶縁膜１７１及び酸化物半導体膜１７３は、トランジス
タ１０９と同様にして形成できる。
トランジスタ１１０において、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７は、トランジ
スタ１０９のソース電極１７５及びドレイン電極１７７に適用できる導電膜を用いて形成
でき、当該導電膜上に形成したマスクを用いて、所望のチャネル長Ｌが得られるように当
該導電膜を加工して導電膜を形成し、その後、アッシングなどによって当該マスクを縮小
し、縮小したマスクを用いて加工することにより、当該導電膜の端部に段差を有する形状
となる。このようにすることで、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７の端部におけ
る絶縁膜の被覆性を高めることができる。
トランジスタ１１０において、ゲート絶縁膜１７９は酸化絶縁膜１７８と窒化絶縁膜１
８０とが積層されており、酸化物半導体膜１７３に接する酸化絶縁膜１７８は、化学量論
的組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）を含むことが好ましく、例えば、化
学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）を含む酸化シリコン膜又は酸
化窒化シリコン膜とすることができる。また、窒化絶縁膜１８０は、第２の窒化絶縁膜１
１３に適用可能な窒化絶縁膜を用いて形成することが好ましい。
酸化絶縁膜１７８として適用できる酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜は、以下の
形成条件を用いて形成することができる。当該形成条件は、プラズマＣＶＤ装置の真空排
気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２５０℃以下、さらに好ましくは１８
０℃以上２３０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１
００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処
理室内に設けられた電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好まし
くは０．２５Ｗ／ｃｍ２以上０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供給する、ことであ
る。なお、原料ガスには、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用いる。
窒化絶縁膜１８０は、第２の窒化絶縁膜１１３と同様にして形成できるため、先の実施
の形態を参照することができる。
上記の形成方法を用いて形成した酸化絶縁膜及び窒化絶縁膜上にゲート電極１８１に加
工される導電膜を形成し、当該導電膜上にマスクを形成し、当該マスクを用いて当該酸化
絶縁膜、窒化絶縁膜及び当該導電膜をドライエッチングなどで一緒に加工することによっ
て、トランジスタ１１０のゲート絶縁膜１７９及びゲート電極１８１を形成することがで
きる。
また、ゲート絶縁膜１７９の窒化絶縁膜１８０を、窒化シリコン膜を用いて形成するこ
とで、以下の効果を得ることができる。窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜と比較して比
誘電率が高く、同等の静電容量を得るのに必要な膜厚が大きいため、ゲート絶縁膜を物理
的に厚膜化することができる。よって、トランジスタ１１０の絶縁耐圧の低下を抑制、さ
らには絶縁耐圧を向上させて、半導体装置のＥＳＤ耐性を向上させることができる。これ
により、トランジスタ１１０の歩留まりを向上させることができることから、半導体装置
の歩留まりを向上させることができる。
絶縁膜１８４は、酸化絶縁膜１７８と同様にして形成することができ、特に化学量論的
組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）を含む酸化絶縁膜が好ましく、例えば
、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）を含む酸化シリコン膜又
は酸化窒化シリコン膜とすることができる。
トランジスタ１１０において、酸化絶縁膜１７８及び絶縁膜１８４が、化学量論的組成
よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）を含むことで、トランジスタ１１０の作製
工程中の加熱処理によって、酸化物半導体膜１７３中の酸素欠損を低減することができる
。例えば、本実施の形態で説明するトランジスタ１１０を作製する場合は、絶縁膜１８５
を形成した後に加熱処理を行うことが好ましい。酸素欠損を低減することにより、トラン
ジスタ１１０の電気特性及び信頼性を向上することができる。このことから、半導体装置
の電気特性及び信頼性を向上させることができる。
絶縁膜１８５は、第２の窒化絶縁膜１１３と同様にして形成することができるため、先
の実施の形態を参照することができる。絶縁膜１８５に適用できる窒化シリコン膜は水素
を透過させにくいことから、外部から水素が侵入してくることを抑制することができ、ト
ランジスタ１１０の電気特性及び信頼性を向上することができる。このことから、半導体
装置の電気特性及び信頼性を向上させることができる。
なお、本実施の形態で説明したトランジスタ１１０は、実施の形態１及びその変形例で
説明した半導体装置に含まれているトランジスタだけではなく、実施の形態２及びその変
形例で説明した半導体装置に含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタと置き換え
ることができる。また、トランジスタ１１０は、シリコン半導体を用いたトランジスタの
上に設けられ、配線としても機能する電極と電気的に接続させる場合には、トランジスタ
１１０のソース電極１７５及びドレイン電極１７７の形状を適宜変更することができる。
なお、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成、
方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の一例として、先の実施の形態で
説明した半導体装置を少なくとも一部に用いたＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ Ｕｎｉｔ）について説明する。
図１９（Ａ）は、ＣＰＵの具体的な構成を示すブロック図である。図１９（Ａ）に示す
ＣＰＵは、基板１１９０上に、ＡＬＵ１１９１（ＡＬＵ：Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ ｌｏｇ
ｉｃ ｕｎｉｔ：演算回路）、ＡＬＵコントローラ１１９２、インストラクションデコー
ダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、タイミングコントローラ１１９５、レ
ジスタ１１９６、レジスタコントローラ１１９７、バスインターフェース１１９８（Ｂｕ
ｓ Ｉ／Ｆ）、書き換え可能なＲＯＭ１１９９、及びＲＯＭインターフェース１１８９（
ＲＯＭ Ｉ／Ｆ）を有している。基板１１９０は、半導体基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板
などを用いる。ＲＯＭ１１９９及びＲＯＭインターフェース１１８９は、別チップに設け
てもよい。もちろん、図１９（Ａ）に示すＣＰＵは、その構成を簡略化して示した一例に
すぎず、実際のＣＰＵはその用途によって多種多様な構成を有している。
バスインターフェース１１９８を介してＣＰＵに入力された命令は、インストラクショ
ンデコーダ１１９３に入力され、デコードされた後、ＡＬＵコントローラ１１９２、イン
タラプトコントローラ１１９４、レジスタコントローラ１１９７、タイミングコントロー
ラ１１９５に入力される。
ＡＬＵコントローラ１１９２、インタラプトコントローラ１１９４、レジスタコントロ
ーラ１１９７、タイミングコントローラ１１９５は、デコードされた命令に基づき、各種
制御を行なう。具体的にＡＬＵコントローラ１１９２は、ＡＬＵ１１９１の動作を制御す
るための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ１１９４は、ＣＰＵのプログ
ラム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマス
ク状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ１１９７は、レジスタ１１９６のア
ドレスを生成し、ＣＰＵの状態に応じてレジスタ１１９６の読み出しや書き込みを行なう
。
また、タイミングコントローラ１１９５は、ＡＬＵ１１９１、ＡＬＵコントローラ１１
９２、インストラクションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、及び
レジスタコントローラ１１９７の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタ
イミングコントローラ１１９５は、基準クロック信号ＣＬＫ１を元に、内部クロック信号
ＣＬＫ２を生成する内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号ＣＬＫ２を上記
各種回路に供給する。
図１９（Ａ）に示すＣＰＵでは、レジスタ１１９６に、メモリセルが設けられている。
レジスタ１１９６のメモリセルには、先の実施の形態で説明したメモリセルを用いること
ができる。
図１９（Ａ）に示すＣＰＵにおいて、レジスタコントローラ１１９７は、ＡＬＵ１１９
１からの指示に従い、レジスタ１１９６における保持動作の選択を行う。すなわち、レジ
スタ１１９６が有するメモリセルにおいて、フリップフロップによるデータの保持を行う
か、容量素子によるデータの保持を行うかを、選択する。フリップフロップによるデータ
の保持が選択されている場合、レジスタ１１９６内のメモリセルへの、電源電圧の供給が
行われる。容量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの
書き換えが行われ、レジスタ１１９６内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止すること
ができる。
電源停止に関しては、図１９（Ｂ）または図１９（Ｃ）に示すように、メモリセル群と
、電源電位ＶＤＤまたは電源電位ＶＳＳの与えられているノード間に、スイッチング素子
を設けることにより行うことができる。以下に図１９（Ｂ）及び図１９（Ｃ）の回路の説
明を行う。
図１９（Ｂ）及び図１９（Ｃ）では、メモリセルへの電源電位の供給を制御するスイッ
チング素子に、先の実施の形態で説明した半導体装置に含まれる酸化物半導体を用いたト
ランジスタを適用した構成の一例を示す。
図１９（Ｂ）に示す記憶装置は、スイッチング素子１１４１と、メモリセル１１４２を
複数有するメモリセル群１１４３とを有している。具体的に、各メモリセル１１４２には
、先の実施の形態で説明したメモリセルを用いることができる。メモリセル群１１４３が
有する各メモリセル１１４２には、スイッチング素子１１４１を介して、ハイレベルの電
源電位ＶＤＤが供給されている。さらに、メモリセル群１１４３が有する各メモリセル１
１４２には、信号ＩＮの電位と、ローレベルの電源電位ＶＳＳの電位が与えられている。
図１９（Ｂ）では、スイッチング素子１１４１として、先の実施の形態で説明した半導
体装置に含まれる酸化物半導体を用いたトランジスタを適用でき、当該トランジスタは、
そのゲート電極に与えられる信号ＳｉｇＡによりスイッチングが制御される。
なお、図１９（Ｂ）では、スイッチング素子１１４１がトランジスタを一つだけ有する
構成を示しているが、特に限定されず、トランジスタを複数有していてもよい。スイッチ
ング素子１１４１が、スイッチング素子として機能するトランジスタを複数有している場
合、上記複数のトランジスタは並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていても
よいし、直列と並列が組み合わされて接続されていてもよい。
また、図１９（Ｂ）では、スイッチング素子１１４１により、メモリセル群１１４３が
有する各メモリセル１１４２への、ハイレベルの電源電位ＶＤＤの供給が制御されている
が、スイッチング素子１１４１により、ローレベルの電源電位ＶＳＳの供給が制御されて
いてもよい。
また、図１９（Ｃ）には、メモリセル群１１４３が有する各メモリセル１１４２に、ス
イッチング素子１１４１を介して、ローレベルの電源電位ＶＳＳが供給されている、記憶
装置の一例を示す。スイッチング素子１１４１により、メモリセル群１１４３が有する各
メモリセル１１４２への、ローレベルの電源電位ＶＳＳの供給を制御することができる。
メモリセル群と、電源電位ＶＤＤまたは電源電位ＶＳＳの与えられているノード間に、
スイッチング素子を設け、一時的にＣＰＵの動作を停止し、電源電圧の供給を停止した場
合においてもデータを保持することが可能であり、消費電力の低減を行うことができる。
具体的には、例えば、パーソナルコンピュータのユーザーが、キーボードなどの入力装置
への情報の入力を停止している間でも、ＣＰＵの動作を停止することができ、それにより
消費電力を低減することができる。
ここでは、ＣＰＵを例に挙げて説明したが、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ
Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、カスタムＬＳＩ、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂ
ｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）等のＬＳＩにも応用可能である。
なお、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成、
方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した半導体装置を搭載した電子機器の例につ
いて図２０を用いて説明する。先の実施の形態で説明した半導体装置は、スイッチング特
性の良い酸化物半導体を用いたトランジスタを有するので、各電子機器の消費電力を低減
することができる。また、酸化物半導体の特性を利用した新たな半導体装置（例えば、メ
モリ素子又はメモリセルなどの記憶装置など）が提供されるため、新たな構成の電子機器
を提供することが可能である。なお、先の実施の形態で説明した半導体装置は、単体、ま
たは集積化されて回路基板などに実装され、各電子機器の内部に搭載される。
先の実施の形態で説明した半導体装置が組み込まれ集積化された集積回路は、先の実施
の形態で説明した半導体装置の構成以外に、抵抗、コンデンサ、コイルなどの各種回路素
子を組み込んで構成されることが多い。集積回路の例としては、演算回路、変換回路、増
幅回路、メモリ回路、これらの組み合わせに係る回路などを高度に集積化したものがある
。
また、上記半導体装置を、テレビ又はモニタなどの表示装置のスイッチング素子などに
用いることも可能である。この場合、同一の基板上に、駆動回路を併せて設けるのが好適
である。もちろん、表示装置の駆動回路のみに対して上記半導体装置を用いることもでき
る。
具体的には、電子機器としては、テレビ又はモニタなどの表示装置、照明装置、デスク
トップ型又はノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、ブルーレイディス
ク及びＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などの記録媒体に記憶
された静止画又は動画を再生する画像再生装置、ポータブルＣＤプレーヤ、ラジオ、テー
プレコーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、コードレス電話子機、トランシーバ、携帯
無線機、携帯電話、自動車電話、携帯型ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、電子
書籍、電子翻訳機、音声入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェーバ
、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、エアコンディ
ショナーなどの空調設備、食器洗い器、食器乾燥器、衣類乾燥器、布団乾燥器、電気冷蔵
庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、ＤＮＡ保存用冷凍庫、煙感知器、放射線測定器、透析
装置等の医療機器、などが挙げられる。さらに、誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレ
ベータ、エスカレータ、産業用ロボット、電力貯蔵システム等の産業機器も挙げられる。
また、石油を用いたエンジンや、非水系二次電池からの電力を用いて電動機により推進す
る移動体なども、電子機器の範疇に含まれるものとする。上記移動体として、例えば、電
気自動車（ＥＶ）、内燃機関と電動機を併せ持ったハイブリッド車（ＨＥＶ）、プラグイ
ンハイブリッド車（ＰＨＥＶ）、これらのタイヤ車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動
アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型
又は大型船舶、潜水艦、ヘリコプター、航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星
探査機、宇宙船が挙げられる。これらの電子機器の具体例を図２０に示す。
図２０（Ａ）において、テレビジョン装置８０００は、筐体８００１に表示部８００２
が組み込まれており、表示部８００２により映像を表示し、スピーカ部８００３から音声
を出力することが可能である。
表示部８００２は、液晶表示装置、有機ＥＬ素子などの発光素子を各画素に備えた発光
装置、電気泳動表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉ
ｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの半導体表示装置を
用いることができる。
テレビジョン装置８０００は、受信機やモデムなどを備えていてもよい。テレビジョン
装置８０００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデム
を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者か
ら受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行
うことも可能である。
また、テレビジョン装置８０００は、情報通信を行うためのＣＰＵや、メモリを備えて
いてもよい。テレビジョン装置８０００は、先の実施の形態で説明したメモリやＣＰＵを
用いることが可能である。
図２０（Ａ）において、室内機８２００及び室外機８２０４を有するエアコンディショ
ナーは、先の実施の形態のＣＰＵを用いた電子機器の一例である。具体的に、室内機８２
００は、筐体８２０１、送風口８２０２、ＣＰＵ８２０３などを有する。図２０（Ａ）に
おいて、ＣＰＵ８２０３が、室内機８２００に設けられている場合を例示しているが、Ｃ
ＰＵ８２０３は室外機８２０４に設けられていてもよい。或いは、室内機８２００と室外
機８２０４の両方に、ＣＰＵ８２０３が設けられていてもよい。先の実施の形態で説明し
たＣＰＵをエアコンディショナーのＣＰＵに用いることによって省電力化が図れる。
図２０（Ａ）において、電気冷凍冷蔵庫８３００は、先の実施の形態で説明したＣＰＵ
を備える電子機器の一例である。具体的に、電気冷凍冷蔵庫８３００は、筐体８３０１、
冷蔵室用扉８３０２、冷凍室用扉８３０３、ＣＰＵ８３０４等を有する。図２０（Ａ）で
は、ＣＰＵ８３０４が、筐体８３０１の内部に設けられている。先の実施の形態で説明し
たＣＰＵを電気冷凍冷蔵庫８３００のＣＰＵ８３０４に用いることによって省電力化が図
れる。
図２０（Ｂ）において、電子機器の一例である電気自動車の例を示す。電気自動車９７
００には、二次電池９７０１が搭載されている。二次電池９７０１の電力は、制御回路９
７０２により出力が調整されて、駆動装置９７０３に供給される。制御回路９７０２は、
ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＰＵ（図示せず）などを有する処理装置９７０４によって制御される
。先の実施の形態で説明したＣＰＵを電気自動車９７００のＣＰＵに用いることによって
省電力化が図れる。
駆動装置９７０３は、直流電動機若しくは交流電動機単体、又は電動機と内燃機関と、
を組み合わせて構成される。処理装置９７０４は、電気自動車９７００の運転者の操作情
報（加速、減速、停止など）や走行時の情報（上り坂や下り坂等の情報、駆動輪にかかる
負荷情報など）の入力情報に基づき、制御回路９７０２に制御信号を出力する。制御回路
９７０２は、処理装置９７０４の制御信号により、二次電池９７０１から供給される電気
エネルギーを調整して駆動装置９７０３の出力を制御する。交流電動機を搭載している場
合は、図示していないが、直流を交流に変換するインバータも内蔵される。
なお、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態及び実施例に示す構成、
方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施例では、本発明の一態様である半導体装置に含まれ、水素を含む第１の窒化絶縁
膜に適用できる窒化絶縁膜を評価した結果について説明する。ここでは、第１の窒化絶縁
膜に適用できる窒化絶縁膜として、水素を含み、水素を放出する窒化絶縁膜であることを
説明する。
始めに、評価した試料の作製方法を説明する。本実施例で作製した試料の構造を構造１
とする。構造１は、シリコンウエハ９９１上に窒化シリコン膜９９３が設けられている（
図２１（Ａ）参照）。
窒化シリコン膜９９３は、条件１〜条件４の４条件を用いてプラズマＣＶＤ法によって
形成した。それぞれの条件で形成した試料を試料Ａ１〜試料Ａ４とした。なお、試料Ａ１
〜試料Ａ４ともに窒化シリコン膜９９３の厚さを５０ｎｍとした。
条件１は、シリコンウエハ９９１を保持する温度を３５０℃とし、流量１０ｓｃｃｍの
シランと、流量５０００ｓｃｃｍの窒素とを原料ガスとし、処理室内の圧力を２６０Ｐａ
とし、平行平板電極に供給する高周波電力を２７．１２ＭＨｚ、１００Ｗ（電力密度とし
ては１．８Ｗ／ｃｍ２）とした。なお、シランの流量に対する窒素の流量比は５００倍で
ある。
条件２は、シリコンウエハ９９１を保持する温度を３５０℃とし、流量２０ｓｃｃｍの
シランと、流量５００ｓｃｃｍの窒素とを原料ガスとし、処理室内の圧力を４０Ｐａとし
、平行平板電極に供給する高周波電力を２７．１２ＭＨｚ、９００Ｗ（電力密度としては
１．８Ｗ／ｃｍ２）とした。なお、シランの流量に対する窒素の流量比は２５倍である。
条件３は、条件２において、原料ガスとしてアンモニアを用いた条件である。シリコン
ウエハ９９１を保持する温度を３５０℃とし、流量２０ｓｃｃｍのシランと、流量５００
ｓｃｃｍの窒素と、流量１０ｓｃｃｍのアンモニアとを原料ガスとし、処理室内の圧力を
４０Ｐａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を２７．１２ＭＨｚ、９００Ｗ（電力
密度としては１．９３Ｗ／ｃｍ２）とした。なお、シランの流量に対する窒素の流量比は
２５倍であり、シランの流量に対するアンモニアの流量比は０．５倍である。
条件４は、条件３において、アンモニアの流量を変更した条件である。条件４のアンモ
ニアの流量は１５ｓｃｃｍとし、他の条件は条件３と同じとした。なお、シランの流量に
対する窒素の流量比は２５倍であり、シランの流量に対するアンモニアの流量比は０．７
５倍である。
試料Ａ１〜試料Ａ４についてＴＤＳ分析を行った。
ここで、ＴＤＳ分析による水素分子の放出量の測定方法について、以下に説明する。
ＴＤＳ分析による気体の放出量は、スペクトルの積分値に比例する。このため、絶縁膜
のスペクトルの積分値と、標準試料の基準値に対する比とにより、気体の放出量を計算す
ることができる。標準試料の基準値とは、所定の原子を含む試料の、スペクトルの積分値
に対する原子の密度の割合である。
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウエハのＴＤＳ分析結果、及
び絶縁膜のＴＤＳ分析結果から、絶縁膜の水素分子の放出量（ＮＨ２）は、数式１で求め
ることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量数２で検出されるスペクトルの全て
が水素分子由来と仮定する。また、質量数が１以外の水素原子の同位体は、自然界におけ
る存在比率が極微量であるため考慮しない。
Figure 2018011086
ＮＨ２は水素分子の放出量である。ＮＨ２（ｓ）は、標準試料から放出された水素分子
を密度で換算した値である。ＳＨ２（ｓ）は、標準試料をＴＤＳ分析したときのスペクト
ルの積分値である。ここで、標準試料の基準値を、ＮＨ２（ｓ）／ＳＨ２（ｓ）とする。
ＳＨ２は、絶縁膜をＴＤＳ分析したときのスペクトルの積分値である。αは、ＴＤＳ分析
におけるスペクトル強度に影響する係数である。数式１の詳細に関しては、特開平６−２
７５６９７公報を参照できる。
なお、本実施例では、試料Ａ１〜試料Ａ４における水素の放出量を、電子科学株式会社
製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として１×１０１６
ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の水素原子を含むシリコンウエハを用いて測定した。
構造１の試料Ａ１〜試料Ａ４についてのＴＤＳ分析結果を図２２（Ａ）に示す。図２２
（Ａ）は、横軸が基板温度を示し、縦軸が水素分子の放出量に対応するＴＤＳ強度を示し
たグラフである。なお、本ＴＤＳ分析における水素分子の検出下限は１．０×１０２１分
子／ｃｍ３である。
試料Ａ１〜試料Ａ４のすべてにおいて、基板温度３００℃以上６００℃以下の範囲で水
素分子の放出を示すピークが確認されたが、試料によってＴＤＳ強度に差があった。つま
り、試料によって水素の放出量に差があった。
試料Ａ１の水素分子の放出量は６．６×１０２３分子／ｃｍ３であり、試料Ａ２の水素
分子の放出量は１．１×１０２３分子／ｃｍ３であり、試料Ａ３の水素分子の放出量は７
．４×１０２２分子／ｃｍ３であり、試料Ａ４の水素分子の放出量は８．４×１０２２分
子／ｃｍ３であった。
図２２（Ａ）より、水素分子のＴＤＳ強度は、試料Ａ１のほうが、試料Ａ２〜試料Ａ４
より高いと確認できた。つまり、試料Ａ１は、試料Ａ２〜試料Ａ４よりも窒化シリコン膜
９９３に含まれる水素の量が多いと確認できた。これより、試料Ａ１の条件である条件１
のように、シランに対して窒素の流量を大きくすることで、膜中に水素を含み、加熱によ
って水素を放出できる窒化絶縁膜を形成できることが確認された。
以上より、条件１によって形成される窒化シリコン膜は、本発明の一態様である半導体
装置に含まれる第１の窒化絶縁膜に好適であると確認できた。
本実施例では、本発明の一態様である半導体装置に含まれ、水素に対するバリア膜とし
て機能する第２の窒化絶縁膜に適用できる窒化絶縁膜を評価した結果について説明する。
ここでは、第２の窒化絶縁膜に適用できる窒化絶縁膜として、水素を透過させにくく、水
素に対するバリア性を有する膜であることを説明する。
作製した試料について説明する。本実施例で作製した試料の構造は、実施例１で説明し
た構造１とは一部異なり、当該構造を構造２とする。構造２は、シリコンウエハ９９１上
に窒化シリコン膜９９５が設けられており、窒化シリコン膜９９５上に窒化シリコン膜９
９３が設けられている（図２１（Ｂ）参照）。
窒化シリコン膜９９５は、第１の窒化絶縁膜に適用できる形成条件を用いてプラズマＣ
ＶＤ法によって形成した。具体的には、実施例１で説明した条件１を用いて窒化シリコン
膜９９５を形成した。窒化シリコン膜９９３は、第２の窒化絶縁膜に適用できる形成条件
を用いてプラズマＣＶＤ法によって形成した。
窒化シリコン膜９９３は、条件５〜条件８の４条件を用いて形成した。それぞれの条件
で形成した試料を試料Ｂ１〜試料Ｂ４とした。なお、試料Ｂ１〜試料Ｂ４ともに、窒化シ
リコン膜９９３及び窒化シリコン膜９９５それぞれの厚さを５０ｎｍとした。
条件５は、実施例１で説明した条件２と同じ条件とした。シランの流量に対する窒素の
流量比は２５倍である。
条件６は、実施例１で説明した条件３と同じ条件とした。なお、シランの流量に対する
窒素の流量比は２５倍であり、シランの流量に対するアンモニアの流量比は０．５０倍で
ある。
条件７は、実施例１で説明した条件４と同じ条件とした。即ち、条件３において、アン
モニアの流量を変化させた条件とした。なお、シランの流量に対する窒素の流量比は２５
倍であり、シランの流量に対するアンモニアの流量比は０．７５倍である。
条件８は、実施例１で説明した条件４において、アンモニアの流量を変化させた条件と
した。具体的には、条件４において、アンモニアの流量を２０ｓｃｃｍとした。なお、シ
ランの流量に対する窒素の流量比は２５倍であり、シランの流量に対するアンモニアの流
量比は１．０倍である。
試料Ｂ１〜試料Ｂ４について、実施例１と同様にしてＴＤＳ分析を行った。
構造２について、窒化シリコン膜９９５は条件１で形成した水素を放出する窒化シリコ
ン膜であることから、試料Ｂ１〜試料Ｂ４における水素の放出に対応するＴＤＳ強度を比
較することで、窒化シリコン膜９９３が水素に対するバリア膜として機能するか否か評価
できる。
試料Ｂ１〜試料Ｂ４についてのＴＤＳ分析結果を図２２（Ｂ）に示す。
図２２（Ｂ）より、試料Ｂ４のＴＤＳ強度は、試料Ｂ１〜試料Ｂ３のＴＤＳ強度に比べ
て高いことが確認された。また、ＴＤＳ強度は、窒化シリコン膜９９３の原料ガスとして
用いたアンモニア流量が多くなるにつれて、高くなることが確認された。
また、試料Ｂ１〜試料Ｂ３において、水素を放出する窒化シリコン膜９９５が設けられ
ているにもかかわらず、図２２（Ｂ）に示したＴＤＳ強度は、実施例１で説明した試料Ａ
２〜試料Ａ４のＴＤＳ強度と比較して概ね同じであることが確認できた。つまり、試料Ｂ
１〜試料Ｂ３の窒化シリコン膜９９３は、水素を透過させにくい窒化シリコン膜であるこ
とが確認できた。従って、実施の形態１で説明したように、原料ガスとして窒素の流量を
シランの流量に対して１０倍以上１００倍以下（好ましくは１５倍以上４０倍以下）とし
、アンモニアの流量をシランの流量に対して０．１倍以上１倍未満（好ましくは０．２倍
以上０．７５倍以下）として窒化シリコン膜を形成することで、水素を透過させにくく、
水素に対するバリア性を有する窒化シリコン膜を形成できることが確認された。
以上より、本発明の一態様の形成方法を用いて形成した窒化シリコン膜は、本発明の一
態様である半導体装置に含まれ、水素に対するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜
に適用できる。
実施例２より、条件５、条件６及び条件７で形成した窒化シリコン膜９９３は、水素を
透過させにくく、水素に対するバリア性を有する窒化シリコン膜であることが確認できた
。これを踏まえて、本実施例では、このような窒化シリコン膜について、屈折率、膜密度
、エッチング速度、及び膜中の水素濃度を評価した結果を説明する。
まず、作製した試料の構造は、実施例１で説明した構造１とした（図２１（Ａ）参照）
。窒化シリコン膜９９３は、実施例２で説明した条件５〜条件８の条件を用いて、プラズ
マＣＶＤ法により形成した。本実施例で作製した試料は、条件５〜条件８に対応して試料
Ｃ１〜試料Ｃ４とする。なお、試料Ｃ１〜試料Ｃ４の全てにおいて窒化シリコン膜９９３
の厚さは５０ｎｍとした。
試料Ｃ１〜試料Ｃ４の窒化シリコン膜９９３において、屈折率は分光エリプソメトリー
を用いて、波長６３３ｎｍの光に対する屈折率を求めた。膜密度はＸ線反射率法によって
求めた。エッチング速度は、２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対す
るエッチング速度を求めた。
試料Ｃ１〜試料Ｃ４について上記各種測定を行った。試料Ｃ１〜試料Ｃ４において、測
定した窒化シリコン膜９９３の屈折率を図２３（Ａ）に示す。測定した窒化シリコン膜９
９３の膜密度を図２３（Ｂ）に示す。測定した窒化シリコン膜９９３のエッチング速度を
図２４に示す。
図２３（Ａ）は、窒化シリコン膜９９３を形成した際に供給したシランとアンモニアの
流量比に対する、各試料の屈折率を示したグラフである。図２３（Ｂ）は、窒化シリコン
膜９９３を形成した際に供給したシランとアンモニアの流量比に対する、各試料の膜密度
を示したグラフである。図２４は窒化シリコン膜９９３を形成した際に供給したシランと
アンモニアの流量比に対する、エッチング速度を示したグラフである。なお、図２３及び
図２４ともに、試料Ｃ１はアンモニアを供給していない。
水素を透過させにくい窒化シリコン膜（試料Ｃ１〜試料Ｃ３）において、屈折率は１．
９５以上であることが確認できた（図２３（Ａ）参照）。また、膜密度は２．７５ｇ／ｃ
ｍ３以上であることが確認できた（図２３（Ｂ）参照）。また、エッチング速度は概ね２
．０ｎｍ／分未満であることが確認できた（図２４参照）。
次に、構造１の試料において、窒化シリコン膜９９３の形成条件を変えて作製した試料
について評価した結果を説明する。評価した項目は、屈折率、膜密度、エッチング速度、
及び窒化シリコン膜９９３に含まれている水素濃度を評価した結果を説明する。
ここでの窒化シリコン膜９９３の形成条件は、条件９〜条件１２の４条件である。条件
９〜条件１２に対応して作製した試料を試料Ｄ１〜試料Ｄ４とする。
条件９は、シリコンウエハ９９１を保持する温度を３５０℃とし、流量２００ｓｃｃｍ
のシランと、流量５０００ｓｃｃｍの窒素とを原料ガスとし、処理室内の圧力を１００Ｐ
ａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を２７．１２ＭＨｚ、２０００Ｗ（電力密度
としては３．０×１０−１Ｗ／ｃｍ２）とした。なお、シランの流量に対する窒素の流量
比は２５倍である。
条件１０は、シリコンウエハ９９１を保持する温度を３５０℃とし、流量２００ｃｃｍ
のシランと、流量２０００ｓｃｃｍの窒素、流量１００ｓｃｃｍのアンモニアとを原料ガ
スとし、処理室内の圧力を１００Ｐａとし、平行平板電極に供給する高周波電力を２７．
１２ＭＨｚ、２０００Ｗ（電力密度としては３．０×１０−１Ｗ／ｃｍ２）とした。なお
、シランの流量に対する窒素の流量比は１０倍であり、シランの流量に対するアンモニア
の流量比は０．５倍である。
条件１１は、条件１０においてアンモニアの流量を５００ｓｃｃｍにした条件である。
なお、シランの流量に対する窒素の流量比は１０倍であり、シランの流量に対するアンモ
ニアの流量比は２．５倍である。
条件１２は、条件１０においてアンモニアの流量を２０００ｓｃｃｍにした条件である
。なお、シランの流量に対する窒素の流量比は１０倍であり、シランの流量に対するアン
モニアの流量比は１０倍である。
試料Ｄ１〜試料Ｄ４について各種測定を行った。なお、試料Ｄ１〜試料Ｄ４の窒化シリ
コン膜９９３において、分光エリプソメトリー測定を用いて波長６３３ｎｍの光に対する
屈折率を求めた。膜密度はＸ線反射率法によって求めた。エッチング速度は２０℃以上２
５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチング速度を求めた。
試料Ｄ１〜試料Ｄ４において、屈折率の結果を図２５（Ａ）に示す。膜密度の結果を図
２５（Ｂ）に示す。エッチング速度の結果を図２６に示す。
試料Ｄ１及び試料Ｄ２において、屈折率は１．９５以上であることが確認できた（図２
５（Ａ）参照）。また、膜密度は２．７５ｇ／ｃｍ３以上であることが確認できた（図２
５（Ｂ）参照）。また、エッチング速度は２．０ｎｍ／分未満であることが確認できた（
図２６参照）。
次に、条件９、条件１０及び条件１２を用いて、窒化シリコン膜９９３が３００ｎｍ形
成された構造１の試料を作製した。作製した試料は、条件９の試料は試料Ｅ１、条件１０
の試料は試料Ｅ２、条件１２の試料は試料Ｅ３とした。
試料Ｅ１〜試料Ｅ３について、ラザフォード後方散乱分析を行い、それぞれの試料の窒
化シリコン膜９９３に含まれている水素濃度を測定した。その結果を表１に示す。
Figure 2018011086
表１より、水素を透過させにくい窒化シリコン膜が形成された試料Ｅ１、試料Ｅ２は、
共に窒化シリコン膜に含まれている水素濃度が１５原子％以下であることが確認された。
また、原料ガスとして、シランに対するアンモニアの流量が多い（具体的にはシランの流
量に対するアンモニアの流量比は１０倍）ため、水素を放出する窒化シリコン膜が形成さ
れた試料Ｅ３は、窒化シリコン膜に含まれている水素濃度が２０原子％以上であることが
確認された。
以上より、本発明の一態様である半導体装置に含まれる第１の窒化絶縁膜に好適である
窒化シリコン膜は、ラザフォード後方散乱分析で測定される水素濃度が１０原子％以上１
５原子％以下であることが確認できた。また、本発明の一態様である半導体装置に含まれ
、水素に対するバリア膜として機能する第２の窒化絶縁膜に好適である窒化シリコン膜は
、ラザフォード後方散乱分析で測定される水素濃度が２０原子％以上２５原子％以下であ
ることが確認できた。

Claims (3)

  1. シリコン半導体に第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタ上の第１の窒化絶縁膜と、
    前記第１の窒化絶縁膜上の第２の窒化絶縁膜と、
    前記第２の窒化絶縁膜上に位置し、酸化物半導体に第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、
    前記第２のトランジスタ上の第３の窒化絶縁膜と、を有し、
    前記第２の窒化絶縁膜の密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上であり、
    前記第３の窒化絶縁膜の密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
  2. シリコン半導体に第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタ上の第１の窒化絶縁膜と、
    前記第１の窒化絶縁膜上の第２の窒化絶縁膜と、
    前記第２の窒化絶縁膜上に位置し、酸化物半導体に第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、
    前記第２のトランジスタ上の第３の窒化絶縁膜と、を有し、
    前記第２の窒化絶縁膜は、Ｘ線反射率法によって測定される密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上であり、
    前記第３の窒化絶縁膜は、Ｘ線反射率法によって測定される密度が２．７５ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第２の窒化絶縁膜は、２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチング速度が２．０ｎｍ／分以下であり、
    前記第３の窒化絶縁膜は、２０℃以上２５℃以下において０．５重量％のフッ酸に対するエッチング速度が２．０ｎｍ／分以下であることを特徴とする半導体装置。
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