TWI741805B - 顯示裝置之修補方法 - Google Patents

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Abstract

本發明於發生不良之情形，亦可適當使用。本發明之修補方法係具備矩陣狀排列之複數個無機發光體、及設置於無機發光體周圍之絕緣體的顯示裝置之修補方法，且包含：檢測步驟S14，其檢測成為不良之無機發光體即不良無機發光體；絕緣體去除步驟S18，其使照射光對不良無機發光體周圍之絕緣體照射，不去除不良無機發光體而殘留，且將不良無機發光體周圍之絕緣體去除；及無機發光體去除步驟S20，其將已去除周圍之絕緣體之不良無機發光體去除。

Description

顯示裝置之修補方法
本發明係關於一種顯示裝置之修補方法。
近年，使用微小尺寸之發光二極體(微LED(micro LED))作為顯示元件之顯示裝置備受矚目(例如參照專利文獻1(日本專利特表2017-529557號公報)。複數個發光二極體連接於陣列基板(專利文獻1中為驅動器背板)，陣列基板具備用以驅動發光二極體之像素電路(專利文獻1中為電子控制電路)。
然而，使用發光二極體之顯示裝置因發光二極體之尺寸較小等原因，而使發光二極體對基板之搭載等製造較困難，易導致發光二極體之不良。將發生不良之顯示裝置廢棄等不予使用之情形時，良率降低。因此，謀求使用發光二極體之顯示裝置，於發生不良之情形亦可適當使用。
本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種發生不良之情形時亦可適當使用之顯示裝置之修補方法。
本發明之一態樣之顯示裝置之修補方法係具備矩陣狀排列之複數個無機發光體、及設置於上述無機發光體周圍之絕緣體之顯示裝置之修補方法，其包含：檢測步驟，其檢測成為不良之上述無機發光體即不良無機發光體；絕緣體去除步驟，其將照射光對上述不良無機發光體周圍之上述絕緣體照射，不去除上述不良無機發光體而殘留，且將上述不良無機發光體周圍之上述絕緣體去除；及無機發光體去除步驟，其將已去除周圍之上述絕緣體之上述不良無機發光體去除。
以下，對本發明之各實施形態，一面參照圖式一面說明。另，揭示僅為一例，對於本領域技術人員容易想到之確保發明主旨之適當變更，當然包含於本發明之範圍內。又，圖式為使說明更明確，而有與實際態樣相比，模式性顯示各部之寬度、厚度、形狀等之情形，但僅為一例，並非限定本發明之解釋者。又，於本說明書與各圖中，對與現有之圖相關之上述者同樣之要件，標註相同符號，且有時適當省略詳細說明。
(顯示裝置之構成) 圖1係顯示本實施形態之顯示裝置之構成例之俯視圖。如圖1所示，顯示裝置1包含陣列基板2、像素Pix、驅動電路12、驅動IC(Integrated Circuit：積體電路)210、及陰極配線60。陣列基板2為用以驅動各像素Pix之驅動電路基板，亦稱為背板或主動矩陣基板。陣列基板2具有基板10、複數個電晶體、複數個電容及各種配線等。
如圖1所示，顯示裝置1具有顯示區域AA及周邊區域GA。顯示區域AA為配置複數個像素Pix之區域，即顯示圖像之區域。周邊區域GA為不與複數個像素Pix重疊之區域，即配置於顯示區域AA之外側。
複數個像素Pix於基板10之顯示區域AA，排列於第1方向Dx及第2方向Dy。另，第1方向Dx及第2方向Dy為相對於陣列基板2之基板10之第1面10a(參照圖4)平行之方向。第1方向Dx與第2方向Dy正交。但，第1方向Dx亦可不與第2方向Dy正交而交叉。第3方向Dz為與第1方向Dx及第2方向Dy正交之方向。第3方向Dz與例如基板10之法線方向對應。以下，俯視表示自第3方向Dz觀察時之位置關係。
驅動電路12設置於基板10之周邊區域GA。驅動電路12為基於來自驅動IC210之各種控制信號，驅動複數條閘極線(例如發光控制掃描線BG、重設控制掃描線RG、初始化控制掃描線IG及寫入控制掃描線SG(參照圖3))之電路。驅動電路12依序或同時選擇複數條閘極線，對所選擇之閘極線供給閘極驅動信號。藉此，驅動電路12選擇連接於閘極線之複數個像素Pix。
驅動IC210為控制顯示裝置1之顯示之電路。驅動IC210亦可作為COG(Chip On Glass：玻璃覆晶)安裝於基板10之周邊區域GA。不限於此，驅動IC210亦可作為COF(Chip On Film：薄膜覆晶)安裝於與基板10之周邊區域GA連接之配線基板上。另，連接於基板10之配線基板為例如可撓性印刷基板或剛性基板。
陰極配線60設置於基板10之周邊區域GA。陰極配線60包圍顯示區域AA之複數個像素Pix及周邊區域GA之驅動電路12而設置。複數個無機發光體100(參照圖4)之陰極(陰極電極114(參照圖4))連接於共通之陰極配線60，供給固定電位(例如接地電位)。更具體而言，無機發光體100之陰極電極114經由陣列基板2上之對向陰極電極90e，連接於陰極配線60。另，陰極配線14亦可一部分具有狹縫，且於基板10上以2條不同配線形成。
圖2係顯示複數個像素之俯視圖。如圖2所示，1個像素Pix包含複數個像素49。例如，像素Pix具有第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B。第1像素49R顯示作為第1色之原色之紅色。第2像素49G顯示作為第2色之原色之綠色。第3像素49B顯示作為第3色之原色之藍色。如圖2所示，1個像素Pix中，第1像素49R與第3像素49B於第1方向Dx並列。又，第2像素49G與第3像素49B於第2方向Dy並列。另，第1色、第2色、第3色分別不限於紅色、綠色、藍色，可選擇補色等任意色。以下，無須分別區分第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B之情形時，稱為像素49。另，1個像素Pix所含之像素49不限於3個，亦可將4個以上像素49建立對應。例如，亦可包含與白色建立對應之第4像素49W作為第4色。又，複數個像素49之配置不限於圖2所示之構成。例如，第1像素49R亦可與第2像素49G於第1方向Dx相鄰。又，第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B亦可依序於第1方向Dx重複排列。
像素49分別具有無機發光體100。顯示裝置1於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B中，藉由按各無機發光體100出射不同之光而顯示圖像。無機發光體100為於俯視時具有數μm以上300 μm以下程度之大小之無機發光二極體(LED：Light Emitting Diode)晶片，一般而言，將1個晶片尺寸為100 μm以上稱為迷你LED(mini LED)，將未達100 μm～數μm之尺寸稱為微LED(micro LED)。本發明中亦可使用任一尺寸之LED，只要根據顯示裝置之畫面尺寸(一個像素之大小)分開使用即可。各像素具備微LED(micro LED)之顯示裝置亦稱為微LED顯示裝置。另，微LED之微並非限定無機發光體100之大小者。
圖3係顯示顯示裝置之像素電路之構成例之電路圖。圖3所示之像素電路PICA設置於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各者。像素電路PICA為設置於基板10，將驅動信號(電流)供給至無機發光體100之電路。另，圖3中，對像素電路PICA之說明可適用於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各者具有之像素電路PICA。
如圖3所示，像素電路PICA包含無機發光體100、5個電晶體、2個電容。具體而言，像素電路PICA包含發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST、寫入電晶體SST、重設電晶體RST及驅動電晶體DRT。一部分電晶體亦可由鄰接之複數個像素49共用。例如，發光控制電晶體BCT亦可經由共通配線由3個像素49共用。又，重設電晶體RST亦可設置於周邊區域GA，例如於像素49之各列設置1個。該情形時，重設電晶體RST經由共通配線連接於複數個驅動電晶體DRT之汲極。但，重設電晶體RST亦可連接於驅動電晶體DRT之源極。
像素電路PICA具有之複數個電晶體分別以n型TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)構成。但不限於此，各電晶體亦可分別以p型TFT構成。使用p型TFT之情形時，亦可適當使電源電位或保持電容Cs1及電容Cs2之連接適合。
發光控制掃描線BG連接於發光控制電晶體BCT之閘極。初始化控制掃描線IG連接於初始化電晶體IST之閘極。寫入控制掃描線SG連接於寫入電晶體SST之閘極。重設控制掃描線RG連接於重設電晶體RST之閘極。
發光控制掃描線BG、初始化控制掃描線IG、寫入控制掃描線SG及重設控制掃描線RG分別連接於驅動電路12(參照圖1)。驅動電路12對發光控制掃描線BG、初始化控制掃描線IG、寫入控制掃描線SG及重設控制掃描線RG分別供給發光控制信號Vbg、初始化控制信號Vig、寫入控制信號Vsg及重設控制信號Vrg。
驅動IC210(參照圖1)對第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各者之像素電路PICA分時供給影像信號Vsig。於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各行與驅動IC210間，設置多工器等開關電路。影像信號Vsig經由影像信號線L2供給至寫入電晶體SST。又，驅動IC210經由重設信號線L3，將重設電源電位Vrst供給至重設電晶體RST。驅動IC210經由初始化信號線L4，將初始化電位Vini供給至初始化電晶體IST。
發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST、寫入電晶體SST、及重設電晶體RST作為選擇2個節點間之導通與非導通之開關元件發揮功能。驅動電晶體DRT作為根據閘極與汲極間之電壓，控制流動於無機發光體100之電流之電流控制元件發揮功能。
無機發光體100之陰極(陰極電極114)連接於陰極電源線L10。又，無機發光體100之陽極(陽極電極112)經由驅動電晶體DRT及發光控制電晶體BCT，連接於陽極電源線L1(第1電源線)。對陽極電源線L1供給陽極電源電位PVDD(第1電位)。對陰極電源線L10供給陰極電源電位PVSS(第2電位)。陽極電源電位PVDD為高於陰極電源電位PVSS之電位。陰極電源線L10包含陰極配線60。
又，像素電路PICA包含電容Cs1及電容Cs2。電容Cs1為形成於驅動電晶體DRT之閘極與源極間之保持電容。電容Cs2為形成於驅動電晶體DRT之源極及無機發光體100之陽極、與陰極電源線L10間之附加電容。
另，像素電路PICA亦可於發光控制電晶體BCT與驅動電晶體DRT間，設置電晶體CCT。該情形時，電晶體CCT之源極連接於發光控制電晶體BCT之汲極，電晶體CCT之汲極連接於驅動電晶體DRT之源極。且，於電晶體CCT之閘極，連接對電晶體CCT之閘極供給電位之配線CG。藉由經由配線CG對電晶體CCT之閘極供給電位，而將發光控制電晶體BCT之汲極與驅動電晶體DRT之源極設為導通狀態，未經由配線CG對電晶體CCT之閘極供給電位之情形時，將發光控制電晶體BCT之汲極與驅動電晶體DRT之源極設為非導通狀態。
顯示裝置1於1訊框期間顯示自第1列像素49至最終列像素49進行驅動之1訊框量之圖像。
於重設期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，發光控制掃描線BG之電位成為L(低)位準，重設控制掃描線RG之電位成為H(高)位準。藉此，發光控制電晶體BCT斷開(非導通狀態)，重設電晶體RST接通(導通狀態)。
藉此，殘留於像素49內之電荷通過重設電晶體RST流動於外部，驅動電晶體DRT之源極固定於重設電源電位Vrst。重設電源電位Vrst設定為相對於陰極電源電位PVSS具有特定之電位差。該情形時，重設電源電位Vrst與陰極電源電位PVSS之電位差小於無機發光體100開始發光之電位差。
接著，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，初始化控制掃描線IG之電位成為H位準。初始化電晶體IST接通。經由初始化電晶體IST將驅動電晶體DRT之閘極固定於初始化電位Vini。
接著，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，初始化控制掃描線IG之電位成為H位準。初始化電晶體IST接通。經由初始化電晶體IST將驅動電晶體DRT之閘極固定於初始化電位Vini。
又，驅動電路12將發光控制電晶體BCT設為接通，將重設電晶體RST設為斷開。驅動電晶體DRT於源極電位成為(Vini-Vth)時斷開。藉此，可按各像素49取得驅動電晶體DRT之臨限值電壓Vth，且抵消每個像素49之臨限值電壓Vth之不均。
接著，於影像信號寫入動作期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，發光控制電晶體BCT斷開，初始化電晶體IST斷開，寫入電晶體SST接通。屬於1列之像素49中，將影像信號Vsig輸入至驅動電晶體DRT之閘極。影像信號線L2於第2方向Dy延伸，連接於屬於同行之複數列像素49。因此，影像信號寫入動作期間按各1列實施。
接著，於發光動作期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，發光控制電晶體BCT接通，寫入電晶體SST斷開。自陽極電源線L1經由發光控制電晶體BCT對驅動電晶體DRT供給陽極電源電位PVDD。驅動電晶體DRT將與閘極源極間電壓相應之電流供給至無機發光體100。無機發光體100以與該電流相應之亮度發光。
另，驅動電路12可按各1列驅動像素49，亦可同時驅動2列像素49，又可同時驅動3列量以上之像素49。
另，上述圖3所示之像素電路PICA之構成僅為一例，可適當變更。例如，1個像素49之配線數及電晶體之個數亦可不同。又，像素電路PICA亦可採用電流鏡電路等之構成。
圖4係圖1之IV-IV’剖視圖。如圖4所示，顯示裝置1之陣列基板2具備基板10與複數個電晶體。基板10具有第1面10a、及第1面10a之相反側之第2面10b。基板10為絕緣基板，即例如玻璃基板、石英基板或丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂製之可撓性基板。
另，本說明書中，將與基板10之表面垂直之方向上，自基板10朝向無機發光體100之方向設為「上側」或僅設為「上」。又，將自無機發光體100朝向基板10之方向設為「下側」或僅設為「下」。又，表現於某構造體之上配置其他構造體之態樣時，僅記作「上」之情形時，只要無特別說明，則包含以與某構造體相接之方式，於正上配置其他構造體之情形、及於某構造體之上方進而介隔另一構造體配置其他構造體之情形之兩者。
底塗層20設置於基板10之第1面10a上。另，亦可於基板10之第1面10a上設置遮光層。該情形時，底塗層20覆蓋遮光層。若遮光層為可阻斷光者則亦可為任意材料，例如亦可為鎢鉬合金膜。
複數個電晶體設置於底塗層20上。例如，於基板10之顯示區域AA，分別設置有像素49所含之驅動電晶體DRT及寫入電晶體SST，作為複數個電晶體。於基板10之周邊區域GA，設置有驅動電路12所含之電晶體TrC，作為複數個電晶體。另，雖顯示複數個電晶體中之驅動電晶體DRT、寫入電晶體SST及電晶體TrC，但像素電路PICA所含之發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST及重設電晶體RST亦具有與驅動電晶體DRT同樣之積層構造。另，以下之說明中，無須區分複數個電晶體而說明之情形時，僅表示為電晶體Tr。
電晶體Tr為例如兩面閘極構造之TFT。電晶體Tr分別具有第1閘極電極21、第2閘極電極31、半導體層25、源極電極41s及汲極電極41d。第1閘極電極21設置於底塗層20上。絕緣膜24設置於底塗層20上，覆蓋第1閘極電極21。半導體層25設置於絕緣膜24上。半導體層25使用例如多晶矽。但，半導體層25不限於此，亦可為微結晶氧化物半導體、非晶氧化物半導體、低溫多晶矽等。絕緣膜29設置於半導體層25上。第2閘極電極31設置於絕緣膜29上。
底塗層20、絕緣膜24、29、45為無機絕緣膜，包含例如氧化矽(SiO 2)或氮化矽(SiN)等。於第3方向Dz上，第1閘極電極21與第2閘極電極31經由絕緣膜24、半導體層25及絕緣膜29對向。絕緣膜24、29中，夾於第1閘極電極21與第2閘極電極31間之部分作為閘極絕緣膜發揮功能。又，半導體層25中，夾於第1閘極電極21與第2閘極電極31間之部分成為電晶體Tr之通道區域27。半導體層25中，與源極電極41s連接之部分為電晶體Tr之源極區域，與汲極電極41d連接之部分為電晶體Tr之汲極區域。於通道區域27與源極區域間及通道區域27與汲極區域間，分別設置低濃度雜質區域。另，作為電晶體Tr，僅顯示n型TFT，亦可同時形成p型TFT。
閘極線31a連接於驅動電晶體DRT之第2閘極電極31。於基板10與閘極線31a間設置絕緣膜29，於閘極線31a與基板10間形成電容CS。第1閘極電極21、第2閘極電極31及閘極線31a以例如鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)或該等之合金膜構成。
本實施形態中，電晶體Tr並非限定於兩面閘極構造者。電晶體Tr亦可為閘極電極僅以第1閘極電極21構成之底部閘極型。又，電晶體Tr亦可為閘極電極僅以第2閘極電極31構成之頂部閘極型。又，可無底塗層20。
顯示裝置1具有設置於基板10之第1面10a上，覆蓋複數個電晶體Tr之絕緣膜35。源極電極41s設置於絕緣膜35上，經由設置於絕緣膜35之貫通孔連接於複數個電晶體Tr之各源極。汲極電極41d設置於絕緣膜35上，經由設置於絕緣膜35之貫通孔連接於複數個電晶體Tr之各汲極。周邊區域GA中，陰極配線60設置於絕緣膜35上。絕緣膜42覆蓋陰極電極41s、汲極電極41d及汲極配線60。絕緣膜35為無機絕緣膜，絕緣膜42為有機絕緣膜。源極電極41s及汲極電極41d以鈦與鋁之積層構造即TiAlTi或TiAl之積層膜構成。又，絕緣膜42使用感光性丙烯酸系材料等有機材料。
源極電極41s之一部分形成於與閘極線31a重疊之區域。以介隔絕緣膜35對向之閘極線31a與源極電極41s形成電容Cs1。又，閘極線31a形成於與半導體層25之一部分重疊之區域。電容Cs1亦包含以介隔絕緣膜24對向之半導體層25與閘極線31a形成之電容。
顯示裝置1具有源極連接配線43s、汲極連接配線43d、絕緣膜45、對向陽極電極50e、絕緣膜66、連接層50f、連接導電部52、無機發光體100、絕緣膜70、平坦化膜80、對向陰極電極90e、及罩蓋部92。源極連接配線43s設置於絕緣膜42上，經由設置於絕緣膜42之貫通孔連接於源極電極41s。汲極連接配線43d設置於絕緣膜42上，經由設置於絕緣膜42之貫通孔連接於汲極電極41d。絕緣膜45設置於絕緣膜42上，覆蓋源極連接配線43s與汲極連接配線43d。對向陽極電極50e設置於絕緣膜45上，經由設置於絕緣膜45之貫通孔連接於驅動電晶體DRT之汲極連接配線43d。源極連接配線43s及汲極連接配線43d以例如銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)等透明性導電體形成。
絕緣膜66設置於絕緣膜45上，覆蓋對向陽極電極50e。連接層50f設置於絕緣膜66上，經由設置於絕緣膜66之貫通孔連接於對向陽極電極50e。連接導電部52設置於連接層50f。無機發光體100設置於連接導電部52之上，對向陽極電極50e經由連接層50f及連接導電部52，與無機發光體100之陽極電極112連接。於介隔絕緣膜45對向之對向陽極50e與源極連接配線43s間，形成電容Cs2。
絕緣膜70設置於絕緣膜45上，覆蓋連接層50f、連接導電部52、及無機發光體100之陽極電極112之側面。絕緣膜70於與陽極電極112重疊之位置，具有用以安裝無機發光體100之開口。絕緣膜70之開口之面積於俯視時，大於無機發光體100與對向陽極電極50e之接地面。又，對向陽極電極50e於俯視時，大於無機發光體100與對向陽極電極50e之接地面。平坦化膜80設置於絕緣膜70上，覆蓋無機發光體100之側面。對向陰極電極90e設置於平坦化膜80上。絕緣膜70為無機絕緣膜，包含例如矽氮化膜(SiN)。平坦化膜80為有機絕緣膜或無機有機混合絕緣膜(於Si-O主鏈鍵合有例如有機基(甲基或苯基)之材料)。無機發光體100之上表面(陰極電極114)自平坦化膜80露出。對向陰極電極90e連接於無機發光體100之陰極電極114。以下，不區分絕緣膜70與平坦化膜80之情形時，記載為絕緣體72。可以說絕緣體72設置於無機發光體100之周圍。本實施形態中，絕緣體72以絕緣膜70與平坦化膜80之2個絕緣體之層構成，亦可以1個絕緣體之層構成。
作為電極之對向陽極電極50e包含導電性構件，此處為金屬材料。本實施形態中，對向陽極電極50e包含鈦(Ti)與鋁(Al)，例如鈦層與鋁層沿第3方向Dz積層。對向陽極電極50e作為像素電極，設置於每個無機發光體100(像素49)。
對向陰極電極90e經由設置於顯示區域AA外側之接觸孔CH1，與設置於陣列基板2側之陰極配線60連接。具體而言，接觸孔CH1設置於平坦化膜80及絕緣膜42，且於接觸孔CH1之底面設置陰極配線14。陰極配線60設置於絕緣膜35之上。即，陰極配線60設置於與源極電極41s、汲極電極41d同一層，且以相同材料形成。對向陰極電極90e自顯示區域AA至周邊區域GA連續設置，且以接觸孔CH1之底部與陰極配線60連接。罩蓋部92設置於對向陰極電極90e上。罩蓋部92為以例如玻璃等透過光之構件構成之罩蓋。但，罩蓋部92並非必須之構成。
接著，對無機發光體100之構成進行說明。圖5係顯示本實施形態之無機發光體之構成例之剖視圖。如圖5所示，無機發光體100具有無機發光元件102、陽極電極112及陰極電極114。
無機發光元件102為進行發光之發光層。無機發光元件102具有n型包覆層104、p型包覆層106、及設置於p型包覆層106與n型包覆層104間之發光層108。本實施形態中，無機發光元件102向上側依序積層p型包覆層106、發光層108、n型包覆層104而構成。作為無機發光元件102，使用氮化鎵(GaN)、鋁銦鎵磷(AlInGaP)或鋁鎵砷(AlGaAs)或鎵砷磷(GaAsP)等化合物半導體。進而言之，本實施形態中，p型包覆層106及n型包覆層104使用氮化鎵(GaN)等。又，作為發光層108，使用氮化銦鎵(InGaN)等。發光層108亦可為積層有InGaN、GaN之多量子井構造(MQW)。
無機發光體100向上側依序積層陽極電極112、p型包覆層106、發光層108、n型包覆層104、及陰極電極114。於無機發光體100之下，設置連接導電部52、及設置於連接導電部52之下，連接於對向陽極電極50e之連接層50f。於無機發光體100之上，設置對向陰極電極90e。
連接層50f包含導電性構件，此處為金屬材料。本實施形態中，連接層50f以與對向陽極電極50e相同之材料構成。即，例如連接層50f包含鈦(Ti)與鋁(Al)，例如鈦層與鋁層沿第3方向Dz積層。
連接導電部52包含導電性構件，此處為金屬材料。本實施形態中，連接導電部52以熔點低於連接層50f或對向陽極電極50e之材料構成。具體而言，連接導電部52為焊錫或導電膏等，將連接層50f與陽極電極112接合。
陽極電極112設置於連接導電部52之上。陽極電極112固定於連接導電部52。陽極電極112經由連接導電部52及連接層50f，連接於對向陽極電極50e。陽極電極112為具有透光性之導電性構件，即例如銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)。陽極電極112電性連接於對向陽極電極50e。於陽極電極112之上，設置有p型包覆層106。陽極電極112與p型包覆層106連接。
陰極電極114設置於n型包覆層104之上。陰極電極114為具有透光性之導電性構件，即例如ITO。陰極電極114連接於對向陰極電極90e。
作為對向電極之對向陰極電極90e為具有透光性之導電性構件，即例如ITO。對向陰極電極90e為與複數個(此處為所有)無機發光體100(像素49)共通設置之共通電極，連接於複數個(此處為所有)無機發光體100之陰極電極114。
(顯示裝置之修補) 如上構成之顯示裝置1藉由複數個無機發光體100之發光而顯示圖像。具備無機發光體100之顯示裝置1由於例如因無機發光體100之尺寸較小所致之難以搭載等原因，而製造困難，有導致不良之情形。若不使用視為不良之顯示裝置1而將其廢棄處理，則導致良率降低。相對於此，本實施形態中，藉由對視為不良之顯示裝置1進行修補，而將成為不良之顯示裝置1設為可使用狀態，抑制良率之降低。此處之不良是指搭載於顯示裝置1之至少一部分無機發光體100未適當發光。作為無機發光體100未適當發光之狀態，列舉例如滅點狀態或亮點狀態。滅點狀態是指流動用以使無機發光體100發光之電流之情形時，該無機發光體100亦不發光之狀態。本實施形態中，所謂流動用以使無機發光體100發光之電流之情形，是指於發光動作期間，自陽極電源線L1經由驅動電晶體DRT，對無機發光體100供給與顯示灰階相應之電流之情形。該情形時，通常自驅動電晶體DRT經由汲極連接配線43d及對向陽極電極50e，對無機發光體100之陽極電極112供給與顯示灰階相應之電流，無機發光體100藉由該電流而發光。但，於滅點狀態下，自陽極電源線L1經由驅動電晶體DRT對無機發光體100供給電流之狀態之情形時，無機發光體100亦不發光。另一方面，所謂亮點狀態，是指未流動用以使無機發光體100發光之電流之情形時，該無機發光體100亦發光之狀態。即，未流動用以使無機發光體100發光之電流之情形時，即，連接於該無機發光體100之驅動電晶體DRT原本必須斷開之情形時，該無機發光體100發光之狀態亦為亮點狀態。
作為考慮滅點狀態之不良模式，而考慮自陽極電源線L1至無機發光體100間之斷線、電晶體之導通特性不良、因連接導電部52或對向陰極電極90e之形成不良所致之安裝不良、或無機發光體100本身之特性不良等。其中，由於前2者為基板側之問題，故無法藉由修補恢復正常狀態，但對於剩餘模式，可通過修補恢復正常狀態。
作為考慮亮點狀態之不良模式，而考慮自陽極電源線L1至無機發光體100間之因異物等所致之電源短路、電晶體之開關特性不良。即，由於亮點狀態之情形為基板側之問題，故無法藉由修補恢復正常狀態，但可藉由將不良部分之無機發光體100去除而滅點化。雖滅點為不良，但以裝置之品質而視時，較亮點不良更有容許度，故亮點不良之滅點化有效。
圖6係說明本實施形態之顯示裝置之修補方法之流程圖。如圖6所示，本實施形態之顯示裝置1之修補方法中，於陣列基板2上形成對向陽極電極90e後(步驟S10)，執行點亮檢查(步驟S12)，藉此自搭載於顯示裝置1之無機發光體100中，檢測成為不良之無機發光體100即不良無機發光體100A(步驟S14；檢測步驟)。具體而言，例如於陣列基板2上，積層對向陽極電極50e、無機發光體100及對向陰極電極90e，形成顯示裝置1。換言之，形成顯示裝置1之對向陰極電極90e更下側之各部、及對向陰極電極90e。且，對該顯示裝置1進行點亮檢查，檢測不良無機發光體100A。本實施形態中，不良無機發光體100A為成為亮點狀態或滅點狀態之無機發光體100。於點亮檢查中，例如對所有無機發光體100流動用以使無機發光體100發光之電流，檢測未發光之無機發光體100作為滅點狀態之不良無機發光體100A。又，檢測無機發光體100中，未流動用以使該無機發光體100發光之電流但發光之無機發光體100，作為亮點狀態之不良無機發光體100A。但，不良無機發光體100A之檢測方法不限於點亮檢查。
檢測出不良無機發光體100A之情形時(步驟S14；是(YES))，決定對象部分AR1(步驟S16)，對對象部分AR1照射照射光L1，將對象部分AR1所含之對向陰極電極90e與絕緣體72(本實施形態中為絕緣膜70及平坦化膜80)去除(步驟S18；絕緣體去除步驟)。以下，進行具體說明。
圖7及圖8係顯示將照射光照射至對象部分時之例之模式圖。圖7(A)係模式性顯示將照射光LI照射至對象部分AR1時之顯示裝置1之剖面之圖，圖7(B)係模式性顯示將照射光照射至對象部分AR1時之顯示裝置1之上表面之圖。以下之圖8至圖14中，(A)亦為剖視圖，(B)亦為上視圖。圖8係模式性顯示去除對象部分AR1後之顯示裝置1之圖。
本實施形態之修補方法中，若檢測出不良無機發光體100A，則基於檢測出之不良無機發光體100A之位置，決定對象部分AR1。對象部分AR1為絕緣體72及對向陰極電極90e之後續欲去除之部分。即，本實施形態之修補方法中，基於不良無機發光體100A之位置，決定絕緣體72及對向陰極電極90e之去除部分。如圖7(B)所示，對象部分AR1自無機發光體100發出之光的行進方向側觀察，即自第3方向Dz側觀察(於俯視時)，包含不良無機發光體100A周圍之部分。換言之，對象部分AR1為自第3方向Dz側觀察，包圍不良無機發光體100A之部分。更詳細而言，對象部分AR1較佳為自第3方向Dz觀察，位於不良無機發光體100A之中央部100A1之放射方向外側，包圍中央部100A1之部分。此處，所謂放射方向外側，是指將自第3方向Dz觀察之不良無機發光體100A之中心設為中心Ce，自第3方向Dz觀察遠離中心Ce之方向。又，中央部100A1為自第3方向Dz觀察之不良無機發光體100A之中央部分。中央部100A1為自第3方向Dz觀察，以中心Ce為中心之中央側之部分。自第3方向Dz觀察之情形時，中央部100A1亦可為相對於不良無機發光體100A全體，例如50%以上90%以下之面積。又，將較不良無機發光體100A之中央部100A1更靠放射方向外側之部分設為外緣部100A2。外緣部100A2為自第3方向Dz觀察，位於中央部100A1之放射方向外側，包圍中央部100A1之部分。該情形時，可以說對象部分AR1較佳為自第3方向Dz觀察，包含與不良無機發光體100A之外緣部100A2重疊之部分、及較外緣部100A2更靠放射方向外側之部分。另，檢測出複數個不良無機發光體100A之情形時，按各不良無機發光體100A決定對象部分AR1。
另，圖7之例中，中央部100A1與面積向上側變小之不良無機發光體100A之上側之面(陰極電極114)一致，但不限於此，亦可為例如較上側之面更窄之部分。換言之，圖7之例中，對象部分AR1之內周沿不良無機發光體100A上側之面之外周，亦可位於較不良無機發光體100A上側之面之外周更靠放射方向內側。又，對象部分AR1自第3方向Dz觀察，不限於與不良無機發光體100A之外緣部100A2重疊，亦可位於外緣部100A2之放射方向外側，且包圍外緣部100A2。
若決定對象部分AR1之位置，則本實施形態中，如圖7(A)所示，藉由光照射裝置150使照射光LI對對象部分AR1照射。照射光LI於本實施形態中為雷射光。照射光LI係照射到絕緣體72及對向陰極電極90e之情形時，可將絕緣體72及對向陰極電極90e去除，但照射到無機發光體100之情形時，未將無機發光體100去除之波長的光。具體而言，照射光LI之波長較佳為216 nm以上316 nm以下，更佳為240 nm以上282 nm以下。
此處，於照射光LI照射至顯示裝置1上之位置即照射位置固定之狀態下，將照射光LI照射至顯示裝置1上之區域設為照射區域AR0。該情形時，如圖7(B)所示，自第3方向Dz觀察，照射區域AR0之面積設定得較對象部分AR1之面積窄。因此，本修補方法中，光照射裝置150於固定照射位置之狀態下(一次)，不將照射光L1照射至對象部分AR1全體，而使照射區域AR0(照射位置)移動(掃描)，將照射光LI照射至對象部分AR1全體。即，光照射裝置150以自第3方向Dz觀察，照射區域AR0位於對象部分AR1之範圍內之方式設定照射位置，於使照射光LI照射之狀態下，使照射區域AR0(照射位置)沿軌跡TR移動，藉此將照射光LI照射至對象部分AR1全體。圖7(B)之例中，軌跡TR係沿不良無機發光體100A之中央部100A1周圍之路徑。即，光照射裝置150使照射區域AR0(照射位置)沿中央部100A1之外周移動。進而言之，光照射裝置150使照射區域AR0(照射位置)移動沿中央部100A1之外周之一周量，將照射光LI照射至對象部分AR1全體。但，照射區域AR0(照射位置)之軌跡TR不限於此，亦可為例如沿中央部100A1之外周之複數周量等任意路徑。
對象部分AR1，即對象部分AR1所含之絕緣體72及對向陰極電極90e由照射光LI照射而去除。換言之，本修補方法中，藉由將照射光LI照射至不良無機發光體100A周圍之絕緣體72或對向陰極電極90e，而將不良無機發光體100A周圍之絕緣體72或對向陰極電極90e去除。藉此，如圖8(A)及(B)所示，於已去除對象部分AR1之部位形成空間AR。即，空間AR為去除對象部分AR1所含之絕緣體72及對向陰極電極90e而形成之空間。如圖8(A)所示，藉由將對象部分AR1去除，不良無機發光體100A之側面於空間AR露出。另，本實施形態中，由於自第3方向Dz觀察，對象部分AR1與不良無機發光體100A之外緣部100A2重疊，故照射光LI亦照射到不良無機發光體100A，但不良無機發光體100A未藉由照射光LI去除，而殘留於顯示裝置1內，即陣列基板2上。進而言之，由於未將照射光LI照射至不良無機發光體100A之中央部100A1，故至少與中央部100A1接合之連接導電部52不熔融，仍與不良無機發光體100A接合。因此，即便使照射光LI照射，亦可保持使不良無機發光體100A仍固定於連接導電部52，且於陣列基板2上殘留不良無機發光體100A。另，於圖8之例中，於不良無機發光體100A之上側殘留陰極電極90e，亦可去除不良無機發光體100A上側之對向陰極電極90e。又，圖8之例中，藉由將對象部分AR1去除，而露出不良無機發光體100A之側面，亦可於不良無機發光體100A之側面殘留絕緣體72。該情形時，殘留於不良無機發光體100A之側面之絕緣體72較佳不與其周圍之絕緣體72連接。
如此，若藉由照射光LI之照射，去除對象部分AR1所含之絕緣體72及對向陰極電極90e，則如圖6所示，將殘留於陣列基板2上之不良無機發光體100A自陣列基板2上即顯示裝置1去除(步驟S20；無機發光體去除步驟)。圖9係說明去除不良無機發光體之步驟之模式圖，圖10係模式性顯示去除不良無機發光體後之顯示裝置之圖。如圖9所示，本修補方法中，使用例如工具(拾取工具)152，將不良無機發光體100A自顯示裝置1去除。工具152為例如把持不良無機發光體100A之工具。此處，將工具152放入空間AR內，以工具152把持不良無機發光體100A之側面，並提起工具152，藉此將不良無機發光體100A自顯示裝置1卸下。不良無機發光體100A雖固定於連接導電部52，但藉由以工具152牽引，而自連接導電部52卸下(固定被解除)。即，與不良無機發光體100A與連接導電部52之接合力相比，增大工具152之牽引力，以工具152牽引不良無機發光體100A，藉此可抑制對連接導電部52或連接層50f等之損壞，且卸下不良無機發光體100A。藉由如此將不良無機發光體100A自顯示裝置1去除，而如圖10(A)所示，於顯示裝置1，即陣列基板2上，殘留連接於不良無機發光體100A之連接導電部52、連接層50f及對向陰極電極90e(省略圖示)。又，顯示裝置1之空間AR包含藉由照射光LI去除絕緣體72及對向陰極電極90e後之空間、及藉由工具152去除不良無機發光體100A後之空間。另，圖9所示之工具152之構造為一例，亦可為任意者。工具152亦可為能夠保持已去除周圍之絕緣體72之不良無機發光體100A，並可自顯示裝置1卸下者。
去除不良無機發光體100A後，如圖6所示，判斷是否可於已去除不良無機發光體100A之部位再搭載無機發光體100(步驟S22)。例如，不良無機發光體100A本身有異常，於不良無機發光體100A更下側之連接導電部52、連接層50f及對向陰極電極90e等無異常之情形時，判斷可再搭載無機發光體100。又，例如不良無機發光體100A本身無異常，但不良無機發光體100A與對向陰極電極90e之連接有異常之情形時，亦判斷可再搭載無機發光體100。另一方面，例如不良無機發光體100A更下側之連接導電部52、連接層50f及對向陰極電極90e等有異常之情形時，即便更換無機發光體100問題亦未消除，判斷無法再搭載無機發光體100。
判斷可再搭載無機發光體100之情形時(步驟S22；是(Yes))，於去除空間AR之不良無機發光體100A後之空間，即搭載有不良無機發光體100A之空間，搭載代替無機發光體100B(步驟S24)。代替無機發光體100B為於例如不良無機發光體100A正常之情形時，發出與發出之光相同色之光之無機發光體100。代替無機發光體100B為與不良無機發光體100A不同之無機發光體100，但例如不良無機發光體100A本身無異常之情形時(不良之原因為連接導電部或對向陰極電極之形成不良之情形等)，亦可將不良無機發光體100A作為代替無機發光體100B再次搭載。
對代替無機發光體100B之搭載方法具體說明。圖11及圖12係模式性說明搭載代替無機發光體之步驟之圖。如圖11所示，本修補方法中，於去除空間AR之不良無機發光體100A後之空間，更詳細而言，於接合有不良無機發光體100A之連接導電部52之上，配置代替無機發光體100B。且，如圖12(A)所示，藉由光照射裝置154，向上表面設置有代替無機發光體100B之連接導電部52照射照射光LJ。照射光LJ於本實施形態中為雷射光。照射光LJ為照射到無機發光體100之情形時，亦未去除無機發光體100之波長之光。具體而言，照射光LJ之波長較佳為長於照射光LI之波長，例如較佳為800 nm以上之紅外光，更佳為1014 nm以上1114 nm以下。圖12之例中，自配置於連接導電部52上之代替無機發光體100B之上，將照射光LJ照射至代替無機發光體100B。該情形時，由於連接導電部52亦位於代替無機發光體100B之下，故可以說照射光LJ向連接導電部52照射。代替無機發光體100B藉由照射光LJ之照射而被加熱，且代替無機發光體100B之熱傳遞至連接導電部52。連接導電部52藉由自代替無機發光體100B傳遞之熱而被加熱並熔融。其後，藉由停止照射光LJ之照射，而停止連接導電部52之加熱，連接導電部52藉由例如自然冷卻或強制冷卻而冷卻並硬化。藉由連接導電部52熔融後硬化，代替無機發光體100B固定(接合)於連接導電部52。藉此，代替無機發光體100B經由連接導電部52固定於連接層50f，換言之，經由連接導電部52及連接層50f而固定於對向陽極電極50e。又，可以說代替無機發光體100B經由連接導電部52及連接層50f，電性連接於對向陽極電極50e。另，本實施形態之例中，藉由將被照射光LJ照射之代替無機發光體100B之熱傳遞至連接導電部52，而將連接導電部52加熱，但連接導電部52之加熱方法不限於此。例如，亦可直接將照射光LJ照射至連接導電部52，加熱連接導電部52，又可藉由將透過代替無機發光體100B之照射光LJ照射至代替無機發光體100B，使透過代替無機發光體100B之照射光LJ到達連接導電部52，而加熱連接導電部52。
若搭載代替無機發光體100B，則如圖6所示，於代替無機發光體100B之周圍，形成代替絕緣體72A及代替導電體90eA(步驟S26)。圖13係模式性說明形成代替絕緣體之步驟之圖，圖14係模式性說明形成代替導電體之步驟之圖。如圖13(A)所示，若於連接導電部52上搭載代替無機發光體100B，則於代替無機發光體100B之周圍，換言之，於空間AR之設置有絕緣體72之空間(去除絕緣體72而形成之空間)，形成代替絕緣體72A。代替絕緣體72A以代替無機發光體100B之陰極電極114仍露出而殘留之方式，填充代替絕緣體72A。代替絕緣體72A係以絕緣性材料構成，例如絕緣性樹脂。圖13之例中，自絕緣體供給裝置156噴射例如膏狀之代替絕緣體72A，以代替無機發光體100B之陰極電極114仍露出而殘留之方式，於代替無機發光體100B之周圍填充代替絕緣體72A，使填充之代替絕緣體72A硬化。
若形成代替絕緣體72A，則如圖14(A)所示，於代替無機發光體100B之陰極電極114上，形成代替導電體90eA。更詳細而言，以將代替無機發光體100B之陰極電極114與未被去除而殘留之對向陰極電極90e經由代替導電體90eA連接之方式，換言之，以與代替無機發光體100B之陰極電極114與未被去除而殘留之對向陰極電極90e之兩者接觸之方式，形成代替導電體90eA。代替導電體90eA為導電性構件，即例如導電性樹脂(聚合物)或導電性金屬膏。圖14之例中，以與代替無機發光體100B之陰極電極114及對向陰極電極90e之兩者接觸之方式，自導電體供給裝置158噴射例如膏狀代替導電體90eA，使噴射之代替導電體90eA硬化。藉由如此形成代替導電體90eA，而將代替無機發光體100B與對向陰極電極90e經由代替導電體90eA電性連接。
若如此形成代替絕緣體72A及代替導電體90eA，則顯示裝置1之修補結束。於圖6中，判斷無不良無機發光體100A之情形時(步驟S14；否(No))，不進行修補而結束處理。又，判斷無法再搭載無機發光體100之情形時(步驟S22；否(No))，不搭載代替無機發光體100B而結束修補處理。該情形時，亦可於去除代替無機發光體100B後之全體空間AR，填充代替絕緣體72A。另，不良無機發光體100A有複數個之情形時，就每個不良無機發光體100A，執行圖6所示之步驟S16至步驟S26。又，亦可於結束以上說明之修補處理後，於對向陰極電極90e上形成罩蓋部92。
如以上說明，本實施形態之顯示裝置1之修補方法係修補具備矩陣狀排列之複數個無機發光體100、及設置於無機發光體100周圍之絕緣體72的顯示裝置1者，且包含檢測步驟S14、絕緣體去除步驟S18、及無機發光體去除步驟S20。檢測步驟S14中，檢測成為不良之無機發光體100即不良無機發光體100A。絕緣體去除步驟S18中，使照射光LI對不良無機發光體100A周圍之絕緣體72照射，不去除不良無機發光體100A而予殘留，且去除不良無機發光體100A周圍之絕緣體72。於絕緣體去除步驟S18中，將已去除周圍之絕緣體72之不良無機發光體100A去除。具備無機發光體100之顯示裝置中，有於無機發光體100產生不良之情形。相對於此，本實施形態之修補方法中，將覆蓋不良無機發光體100A周圍之絕緣體72以照射光LI去除後，將不良無機發光體100A自顯示裝置1去除，藉此可將例如成為亮點狀態之不良無機發光體100A自顯示裝置1去除，因而可將顯示裝置1形成為可使用狀態，抑制良率之降低。又，由於亦可將去除之不良無機發光體100A換成其他無機發光體100，故亦可消除無機發光體100之不良，且將顯示裝置1設為可適當使用之狀態。
進而言之，亦考慮於修補顯示裝置1時，藉由照射光之照射，而使不良無機發光體100A亦與絕緣體72一起去除。即，例如亦可將高能量之照射光照射至絕緣體72，而與絕緣體72一起除去不良無機發光體100A。但，該情形時，有無法掌握除去之不良無機發光體100A之位置，例如仍殘留於顯示裝置1上之不適當部位、或發現不良無機發光體100A需要時間等之製造上之虞。相對於此，本實施形態中，由於藉由照射光LI之照射，而使不良無機發光體100A仍殘留，且將絕緣體72去除，故可抑制不良無機發光體100A成為被除去而位置不明之情況。又，藉由利用照射光LI之照射，將不良無機發光體100A周圍之絕緣體72去除，而例如容易以工具152取出不良無機發光體100A。如此，根據本實施形態，可適當實施顯示裝置1之修補。
又，絕緣體去除步驟S18中，藉由使照射光LI對對象部分AR1照射，而將對象部分AR1所含之絕緣體72去除。對象部分AR1為自無機發光體100發出之光的行進方向側即第3方向Dz側觀察，位於不良無機發光體100A之中央部100A1之放射方向外側，包圍中央部100A1之部分。根據本實施形態，藉由將照射光LI照射至不良無機發光體100A之中央部100A1外側之絕緣體72，而例如保持中央部100A1與陣列基板2(更詳細而言，為連接導電部52)仍接合，可抑制因照射光LI之照射而除去不良無機發光體100A。又，藉由將照射光LI照射至中央部100A1之周圍，可將不良無機發光體100A周圍之絕緣體72去除，且容易藉由工具152等卸下不良無機發光體100A。
又，絕緣體去除步驟S18中，藉由使顯示裝置1之照射照射光LI之照射位置沿不良無機發光體100A之中央部100A1周圍移動，而將照射光LI照射至全體對象部分AR1。本實施形態中，由於如此掃描照射光LI，且將照射光LI照射至全體對象部分AR1，故可將不良無機發光體100A周圍之絕緣體72適當去除。
又，照射光LI較佳為波長216 nm以上316 nm以下之雷射光。藉由將照射光LI之波長設為該範圍，而可抑制光之強度變得過高，且除去不良無機發光體100A。
又，本實施形態中，較佳為進而包含：搭載步驟S24，其於顯示裝置1之已去除不良無機發光體100A之空間，搭載無機發光體100(代替無機發光體100B)。藉由搭載代替無機發光體100B取代不良無機發光體體100A，而可消除例如亮點狀態或滅點狀態等之顯示裝置1之不良。
又，不良無機發光體100A固定於第3方向Dz(發出之光的行進方向)之相反側之端部，此處，陽極電極112固定於與電極(對向陽極電極50e)連接之連接導電部52。且，於無機發光體去除步驟S18中，藉由將不良無機發光體100A自連接導電部52卸下，而使連接導電部52仍殘留，且去除不良無機發光體100A。且，於搭載步驟S24中，於連接導電部52上搭載代替無機發光體100B，使照射光LJ向連接導電部52照射，並使連接導電部52熔融後，令連接導電部52硬化，藉此將代替無機發光體100B固定於連接導電部52。於本實施形態中，由於如此將代替無機發光體100B固定於連接導電部52，故可適當搭載代替無機發光體100B，消除顯示裝置1之不良。
又，應理解關於自本說明書記載而明瞭藉由本實施形態敘述之態樣所獲得之其他作用效果者、或本領域技術人員可適當想到者，當然可藉由本發明獲得。
[相關案之相互參照] 本申請案享受2019年9月24日申請之日本專利申請第2019-173422號之優先權之利益。該日本專利申請之全部內容於本申請中加以援用。
1:顯示裝置 2:陣列基板 10:基板 10a:第1面 10b:第2面 12:驅動電路 20:底塗層 21:第1閘極電極 24:絕緣膜 25:半導體層 27:通道區域 29:絕緣膜 31:第2閘極電極 31a:閘極線 35:絕緣膜 41d:汲極電極 41s:源極電極 42:絕緣膜 43d:汲極連接配線 43s:源極連接配線 45:絕緣膜 49:像素 49B:第3像素 49G:第2像素 49R:第1像素 50e:對向陽極電極 50f:連接層 52:連接導電部 60:陰極配線 66:絕緣膜 70:絕緣膜 72:絕緣體 72A:代替絕緣體 80:平坦化膜 90e:對向陰極電極 90eA:代替導電體 92:罩蓋部 100:無機發光體 100A:不良無機發光體 100A1:中央部 100A2:外緣部 100B:代替無機發光體 102:無機發光元件 104:n型包覆層 106:p型包覆層 108:發光層 112:陽極電極 114:陰極電極 150:光照射裝置 152:工具 154:光照射裝置 156:絕緣體供給裝置 158:導電體供給裝置 210:驅動IC AA:顯示區域 AR:空間 AR0:照射區域 AR1:對象部分 BCT:發光控制電晶體 BG:發光控制掃描線 Ce:中心 CH1:接觸孔 Cs1:電容 Cs2:電容 DRT:驅動電晶體 Dx:第1方向 Dy:第2方向 Dz:第3方向 GA:周邊區域 IG:初始化控制掃描線 IST:初始化電晶體 IV-IV':線 L1:陽極電源線 L2:影像信號線 L3:重設信號線 L4:初始化信號線 L10:陰極電源線 LI:照射光 LJ:照射光 PICA:像素電路 Pix:像素 PVDD:陽極電源電位 PVSS:陰極電源電位 RG:重設控制掃描線 RST:重設電晶體 S10:步驟 S12:步驟 S14:步驟 S16:步驟 S18:步驟 S20:步驟 S22:步驟 S24:步驟 S26:步驟 SG:寫入控制掃描線 SST:寫入電晶體 Tr:電晶體 TR:軌跡 TrC:電晶體 Vbg:發光控制信號 Vig:初始化控制信號 Vini:初始化電位 Vrg:重設控制信號 Vrst:重設電源電位 Vsg:寫入控制信號 Vsig:影像信號
圖1係顯示本實施形態之顯示裝置之構成例之俯視圖。 圖2係顯示複數個像素之俯視圖。 圖3係顯示顯示裝置之像素電路之構成例之電路圖。 圖4係圖1之IV-IV’剖視圖。 圖5係顯示本實施形態之無機發光體之構成例之剖視圖。 圖6係說明本實施形態之顯示裝置之修補方法之流程圖。 圖7之圖7(A)、(B)係顯示將照射光照射至對象部分時之例之模式圖。 圖8之圖8(A)、(B)係顯示將照射光照射至對象部分時之例之模式圖。 圖9之圖9(A)、(B)係說明去除不良無機發光體之步驟之模式圖。 圖10之圖10(A)、(B)係模式性顯示去除不良無機發光體後之顯示裝置之圖。 圖11之圖11(A)、(B)係模式性說明搭載代替無機發光體之步驟之圖。 圖12之圖12(A)、(B)係模式性說明搭載代替無機發光體之步驟之圖。 圖13之圖13(A)、(B)係模式性說明形成代替絕緣體之步驟之圖。 圖14之圖14(A)、(B)係模式性說明形成代替導電體之步驟之圖。
S10:步驟 S12:步驟 S14:步驟 S16:步驟 S18:步驟 S20:步驟 S22:步驟 S24:步驟 S26:步驟

Claims (6)

  1. 一種顯示裝置之修補方法，其係具備矩陣狀排列之複數個無機發光體、及設置於上述無機發光體周圍之絕緣體之顯示裝置之修補方法，且包含： 檢測步驟，其檢測成為不良之上述無機發光體即不良無機發光體； 絕緣體去除步驟，其使照射光對上述不良無機發光體周圍之上述絕緣體照射，不去除上述不良無機發光體而殘留，且將上述不良無機發光體周圍之上述絕緣體去除；及 無機發光體去除步驟，其將已去除周圍之上述絕緣體之上述不良無機發光體去除。
  2. 如請求項1之顯示裝置之修補方法，其中上述絕緣體去除步驟中，對自上述無機發光體發出之光的行進方向側觀察，位於上述不良無機發光體之中央部之放射方向外側且包圍上述中央部之對象部分照射上述照射光，藉此將上述對象部分所含之上述絕緣體去除。
  3. 如請求項2之顯示裝置之修補方法，其中於上述絕緣體去除步驟中，藉由使上述顯示裝置之照射上述照射光之照射位置沿上述不良無機發光體之中央部之周圍移動，而對上述對象部分全體照射上述照射光。
  4. 如請求項1至3中任一項之顯示裝置之修補方法，其中上述照射光為波長216 nm以上316 nm以下之雷射光。
  5. 如請求項1至3中任一項之顯示裝置之修補方法，其中進而包含：搭載步驟，其於上述顯示裝置之已去除上述不良無機發光體之空間，搭載上述無機發光體。
  6. 如請求項5之顯示裝置之修補方法，其中上述不良無機發光體之上述無機發光體發出之光的行進方向之相反側之端部，固定於與電極連接之連接導電部； 上述無機發光體去除步驟中，藉由將上述不良無機發光體自上述連接導電部卸下，而使上述連接導電部仍殘留，且去除上述不良無機發光體； 於上述搭載步驟中，於上述連接導電部上搭載上述無機發光體，且向上述連接導電部照射光，使上述連接導電部熔融後，使上述連接導電部硬化，藉此將上述無機發光體固定於上述連接導電部。
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