TWI757822B - 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於即便在發生不良之情形下，亦可適切地使用。 本發明之顯示裝置具備矩陣狀排列之複數個無機發光體100、及連接於複數個無機發光體100之對向電極，且複數個無機發光體100包含：單色無機發光體100A，其可發出特定波長頻帶之光；及輔助無機發光體100B，其具備：在被供給電流之情形下可發出第1波長頻帶之光之第1輔助無機發光元件102RB、在被供給電流之情形下可發出第2波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件102GB、及連接於第1輔助無機發光元件102RB與第2輔助無機發光元件102GB之電極。對向電極連接於單色無機發光體100A及第1輔助無機發光元件102RB，未連接於第2輔助無機發光元件102GB。

Description

顯示裝置及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種顯示裝置及顯示裝置之製造方法。
近年來，作為顯示元件，利用微小尺寸之發光二極體(微型LED(micro LED))之顯示裝置備受矚目(例如，參照專利文獻1)。複數個發光二極體連接於陣列基板(於專利文獻1中為驅動器底板)，陣列基板具備用於驅動發光二極體之像素電路(於專利文獻1中為電子控制電路)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2017-529557號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，使用發光二極體之顯示裝置因發光二極體之尺寸較小等之理由，難以進行發光二極體向基板之搭載等之製造，容易招致發光二極體之不良。於將發生不良之顯示裝置作廢等而不使用之情形下，成品率降低。因此，於使用發光二極體之顯示裝置中，謀求即便於在製造時發生不良之情形下，亦可適切地使用。
本發明係鑒於上述之問題而完成者，目的在於提供一種即便於在製造時發生不良之情形下，亦可適切地使用之顯示裝置及顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之顯示裝置具備矩陣狀排列之複數個無機發光體、及連接於複數個前述無機發光體之對向電極，且複數個前述無機發光體包含：單色無機發光體，其可發出特定波長頻帶之光；及輔助無機發光體，其具備：在被供給電流之情形下可發出第1波長頻帶之光之第1輔助無機發光元件、在被供給電流之情形下可發出第2波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件、及連接於第1輔助無機發光元件與第2輔助無機發光元件之電極；且前述對向電極連接於前述單色無機發光體及前述第1輔助無機發光元件，未連接於前述第2輔助無機發光元件。
本發明之一態樣之顯示裝置之製造方法包含：單色無機發光體形成步驟，其形成可發出特定波長頻帶之光之單色無機發光體；輔助無機發光體形成步驟，其形成輔助無機發光體，該輔助無機發光體具備：在被供給電流之情形下可發出第1波長頻帶之光之第1輔助無機發光元件、在被供給電流之情形下可發出第2波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件、及連接於前述第1輔助無機發光元件與前述第2輔助無機發光元件之電極；及對向電極形成步驟，其形成對向電極，該對向電極連接於前述單色無機發光體及前述第1輔助無機發光元件，未連接於前述第2輔助無機發光元件。
以下，針對本發明之各實施形態，一面參照附圖一面進行說明。此外，揭示終極而言僅為一例，對於本領域技術人員針對保持發明之主旨之適宜變更可容易地想到者，當然包含於本發明之範圍內。又，為使說明更加明確，圖式與實際態樣相較存在將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性地顯示之情形，但其終極而言僅為一例，並非係限定本發明之解釋者。又，於本說明書及各圖中，存在針對與已出現之圖中所描述之要素同樣的要素，賦予同一符號，且適宜省略詳細說明之情形。
(第1實施形態) (顯示裝置之構成) 圖1係顯示第1實施形態之顯示裝置之構成例之平面圖。如圖1所示，第1實施形態之顯示裝置1包含：陣列基板2、像素Pix、驅動電路12、驅動IC(Integrated Circuit，積體電路)210、及陰極配線60。陣列基板2係用於驅動各像素Pix之驅動電路基板，亦被稱為底板或主動矩陣基板。陣列基板2具有：基板10、複數個電晶體、複數個電容、及各種配線等。
如圖1所示，顯示裝置1具有：顯示區域AA、及周邊區域GA。顯示區域AA係供複數個像素Pix配置之區域，且係顯示圖像之區域。周邊區域GA係不與複數個像素Pix重疊之區域，配置於顯示區域AA之外側。
複數個像素Pix在基板10之顯示區域AA中，於第1方向Dx及第2方向Dy排列。此外，第1方向Dx及第2方向Dy係相對於陣列基板2之基板10之第1面10a(參照圖5)平行之方向。第1方向Dx與第2方向Dy正交。惟，第1方向Dx可與第2方向Dy交叉而非正交。第3方向Dz係與第1方向Dx及第2方向Dy正交之方向。第3方向Dz例如對應於基板10之法線方向。再者，以下，俯視表示自第3方向Dz觀察之情形之位置關係。
驅動電路12設置於基板10之周邊區域GA。驅動電路12係基於來自驅動IC 210之各種控制信號驅動複數條閘極線(例如，發光控制掃描線BG、重置控制掃描線RG、初始化控制掃描線IG及寫入控制掃描線SG(參照圖3))之電路。驅動電路12依次或同時選擇複數條閘極線，且對所選擇之閘極線供給閘極驅動信號。藉此，驅動電路12選擇連接於閘極線之複數個像素Pix。
驅動IC 210係控制顯示裝置1之顯示之電路。驅動IC 210可以COG(Chip On Glass，覆晶玻璃)安裝於基板10之周邊區域GA。並不限定於此，驅動IC 210可以COF(Chip On Film，覆晶薄膜)安裝於連接於基板10之周邊區域GA之配線基板上。此外，連接於基板10之配線基板例如為撓性印刷基板或硬性基板。
陰極配線60設置於基板10之周邊區域GA。陰極配線60包圍顯示區域AA之複數個像素Pix及周邊區域GA之驅動電路12而設置。複數個無機發光體100(參照圖4)之陰極(陰極電極114(參照圖4))連接於共通之陰極配線60，被供給固定電位(例如，接地電位)。更具體而言，無機發光體100之陰極電極114經由陣列基板2上之對向陰極電極90e連接於陰極配線60。此外，可行的是，陰極配線14於一部分具有狹槽，於基板10上，由2條不同之配線形成。
圖2係顯示第1實施形態之複數個像素之平面圖。如圖2所示，1個像素Pix包含複數個像素49。像素49分別具有具備無機發光元件102之無機發光體100。無機發光體100係俯視下具有數μm以上、300 μm以下之程度之大小之無機發光二極體(LED：Light Emitting Diodee)晶片，一般而言，將一個晶片尺寸為100 μm以上稱為迷你LED(mini LED)，將未達100 μm～數μm之尺寸稱為微型LED(micro LED)。於本發明中，任一尺寸之LED均可使用，只要與顯示裝置之畫面尺寸(一像素之大小)相應地分別使用即可。於各像素具備微型LED(micro LED)之顯示裝置亦被稱為微型LED顯示裝置。此外，微型LED之微型並不限定無機發光體100之大小。針對無機發光體100及無機發光元件102之構造，於後文敘述。
本實施形態之顯示裝置1具有像素PixA與像素PixB，作為像素Pix。例如，像素PixA具有：第1像素49R、第2像素49G、及第3像素49B。第1像素49R係發出第1波長頻帶之光之像素。於本實施形態中，由於第1波長頻帶之光係作為第1色之原色之紅色之光，故第1像素49R顯示作為第1色之原色之紅色。第2像素49G係發出與第1波長頻帶不同之第2波長頻帶之光之像素。於本實施形態中，由於第2波長頻帶之光係作為第2色之原色之綠色之光，故第2像素49G顯示作為第2色之原色之綠色。第3像素49B係發出與第1波長頻帶及第2波長頻帶不同之第3波長頻帶之光之像素。於本實施形態中，由於第3波長頻帶之光係作為第3色之原色之藍色之光，故第3像素49B顯示作為第3色之原色之藍色。此外，第1色、第2色、第3色各者並不限定於紅色、綠色、藍色，可選擇補色等任意色。亦即，第1波長頻帶、第2波長頻帶、第3波長頻帶並不限定於分別對應於紅色、綠色、藍色。又，如圖2所示，於1個像素PixA中，第1像素49R與第3像素49B於第1方向Dx排列。又，第2像素49G與第3像素49B於第2方向Dy排列。以下，將第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B、後述之輔助像素49BB，於無須分別區別情形下，稱為像素49。此外，1個像素PixA中所含之像素49並不限定於3個，可與4個以上之像素49建立對應關係。例如，可包含將白色作為第4色而建立對應關係之第4像素49W。又，複數個像素49之配置並不限定於圖2所示之構成。例如，第1像素49R可與第2像素49G於第1方向Dx相鄰。又，第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B可依序於第1方向Dx重複排列。
第1像素49R具有發出第1波長頻帶之光之第1單色無機發光體100RA，作為無機發光體100，第2像素49G具有發出第2波長頻帶之光之第2單色無機發光體100GA，作為無機發光體100，第3像素49B具有發出第3波長頻帶之光之第3單色無機發光體100BA，作為無機發光體100。第1單色無機發光體100RA包含第1單色無機發光元件102RA，作為無機發光元件102，第2單色無機發光體100GA包含第2單色無機發光元件102GA，作為無機發光元件102，第3單色無機發光體100BA包含第3單色無機發光元件102BA，作為無機發光元件102。第1單色無機發光體100RA(第1單色無機發光元件102RA)、第2單色無機發光體100GA(第2單色無機發光元件102GA)、及第3單色無機發光體100BA(第3單色無機發光元件102BA)可謂係發出單色且為互不相同之色之光之無機發光體100(無機發光元件102)。以下，將第1單色無機發光體100RA、第2單色無機發光體100GA、及第3單色無機發光體100BA，於不進行區別之情形下，記載為單色無機發光體100A。同樣地，將第1單色無機發光元件102RA、第2單色無機發光元件102GA、及第3單色無機發光元件102BA，於不進行區別之情形下，記載為單色無機發光元件102A。單色無機發光體100A可謂具備發出特定之波長頻帶之光之1種單色無機發光元件102A。
如此，像素PixA具有分別顯示單色之色之第1像素49R、第2像素49G、及第3像素49B。將第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B，於不進行區別之情形下，記載為單色像素49A。單色像素49A可為具備發出特定之波長頻帶之光之1種無機發光體100(無機發光元件102)。像素PixA具有3個單色像素49A，另一方面，像素PixB具有單色像素49A與輔助像素49BB。更具體而言，像素PixB具有2個單色像素49A、及1個輔助像素49BB。於圖2之例中，像素PixB具備：作為2個單色像素49A之第2像素49G及第3像素49B、及1個輔助像素49BB。
輔助像素49BB具備輔助無機發光體100B。輔助無機發光體100B具備複數種輔助無機發光元件102B，作為無機發光元件102。輔助無機發光元件102B係於被供給用於發光之電流(與後述之陽極電源電位PVDD相應之電流)之情形下發光之無機發光元件102。各個輔助無機發光元件102B於被供給用於發光之電流之情形下，發出之光之波長頻帶互不相同。具體而言，輔助無機發光體100B具備第1輔助無機發光元件102RB、第2輔助無機發光元件102GB、及第3輔助無機發光元件102BB，作為輔助無機發光元件102B。第1輔助無機發光元件102RB於被供給用於發光之電流之情形下，發出第1波長頻帶之光。第2輔助無機發光元件102GB於被供給用於發光之電流之情形下，發出第2波長頻帶之光。第3輔助無機發光元件102BB於被供給用於發光之電流之情形下，發出第3波長頻帶之光。
輔助無機發光體100B(輔助像素49BB)於第1輔助無機發光元件102RB、第2輔助無機發光元件102GB、及第3輔助無機發光元件102BB全部發光之情形下，發出第1波長頻帶、第2波長頻帶及第3波長頻帶之光重疊而成之白色之光。惟，輔助無機發光體100B僅複數種輔助無機發光元件102B中之一部分成為可供給用於發光之電流之狀態、換言之成為可發光之狀態。因此，輔助無機發光體100B實際上不發出白色之光，僅發出成為可發光之狀態之一部分之輔助無機發光元件102B之波長頻帶之光。具體而言，輔助無機發光體100B由於在複數種輔助無機發光元件102B中僅1種輔助無機發光元件102B成為可發光之狀態，故發出第1波長頻帶、第2波長頻帶、第3波長頻帶中之1個波長頻帶之光。於圖2之例中，輔助無機發光體100B(輔助像素49BB)由於在第1輔助無機發光元件102RB、第2輔助無機發光元件102GB、及第3輔助無機發光元件102BB中僅第1輔助無機發光元件102RB成為可發光之狀態，故發出由第1輔助無機發光元件102RB發出之第1波長頻帶之光(第1色之光)。
如此，於圖2之例中，像素PixB具備：發出第2波長頻帶之光之第2像素49G(第2單色無機發光體100GA)、發出第3波長頻帶之光之第3像素49B(第3單色無機發光體100BA)、及發出第1波長頻帶之光之輔助像素49BB(輔助無機發光體100B)。輔助無機發光體100B(輔助像素49BB)可謂發出與包含於相同之像素PixB之單色無機發光體100A(單色像素49A)不同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B(此處為第1輔助無機發光元件102RB)，成為可發光之狀態。而且，輔助無機發光體100B(輔助像素49BB)可謂發出與包含於相同之像素PixB之單色無機發光體100A(單色像素49A)相同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B(此處為第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB)，成為無法發光之狀態、亦即無法供給用於發光之電流之狀態。
如以上所示般，顯示裝置1包含像素PixA與像素PixB，作為像素Pix。像素PixA係於本身所含之單色無機發光體100A未產生不良，所有單色無機發光體100A均未被換裝而保留之像素。另一方面，像素PixB係因檢測到於本身所含之單色無機發光體100A產生不良，而將產生不良之單色無機發光體100A換裝為輔助無機發光體100B之像素。此外，於圖2之例中，為便於說明，像素PixA為3個，像素PixB成為1個，但像素PixA及像素PixB之排列順序及數目，由於依存於在哪一像素Pix產生不良，故為任意。
圖3及圖4係對顯示裝置之像素電路之構成例予以顯示之電路圖。圖3係顯示連接於作為無機發光體100之單色無機發光體100A之電路構成，圖4係顯示連接於作為無機發光體100之輔助無機發光體100B之電路構成。
如圖3所示，像素電路PICA設置於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各者。像素電路PICA係設置於基板10，將驅動信號(電流)供給至無機發光體100之電路。此外，於圖3中，針對像素電路PICA之說明可應用於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各者所具有之像素電路PICA。
如圖3所示，像素電路PICA包含：無機發光體100、5個電晶體、及2個電容。具體而言，像素電路PICA包含：發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST、寫入電晶體SST、重置電晶體RST及驅動電晶體DRT。一部分之電晶體可由相鄰之複數個像素49共有。例如，發光控制電晶體BCT可經由共通配線由3個像素49共有。又，重置電晶體RST設置於周邊區域GA，例如可就像素49之各列設置1個。此情形下，重置電晶體RST經由共通配線連接於複數個驅動電晶體DRT之汲極。惟，重置電晶體RST可連接於驅動電晶體DRT之源極。
像素電路PICA所具有之複數個電晶體分別由n型TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)構成。惟，並不限定於此，各電晶體可分別由p型TFT構成。於使用p型TFT之情形下，可適宜地使電源電位或保持電容Cs1及電容Cs2之連接適配。
發光控制掃描線BG連接於發光控制電晶體BCT之閘極。初始化控制掃描線IG連接於初始化電晶體IST之閘極。寫入控制掃描線SG連接於寫入電晶體SST之閘極。重置控制掃描線RG連接於重置電晶體RST之閘極。
發光控制掃描線BG、初始化控制掃描線IG、寫入控制掃描線SG及重置控制掃描線RG分別連接於驅動電路12(參照圖1)。驅動電路12對發光控制掃描線BG、初始化控制掃描線IG、寫入控制掃描線SG及重置控制掃描線RG分別供給發光控制信號Vbg、初始化控制信號Vig、寫入控制信號Vsg及重置控制信號Vrg。
驅動IC 210(參照圖1)對第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各者之像素電路PICA分時供給影像信號Vsig。於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各行與驅動IC 210之間設置多工器等開關電路。影像信號Vsig經由影像信號線L2被供給至寫入電晶體SST。又，驅動IC 210經由重置信號線L3將重置電源電位Vrst供給至重置電晶體RST。驅動IC 210經由初始化信號線L4將初始化電位Vini供給至初始化電晶體IST。
發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST、寫入電晶體SST、及重置電晶體RST作為選擇2節點間之導通與非導通之開關元件發揮功能。驅動電晶體DRT作為相應於閘極與汲極之間之電壓，控制於無機發光體100中流通之電流之電流控制元件發揮功能。
無機發光體100之陰極(陰極電極114)連接於陰極電源線L10。又，無機發光體100之陽極(陽極端子112)經由驅動電晶體DRT及發光控制電晶體BCT連接於陽極電源線L1(第1電源線)。於陽極電源線L1被供給陽極電源電位PVDD(第1電位)。於陰極電源線L10被供陰極電源電位PVSS(第2電位)。陽極電源電位PVDD係高於陰極電源電位PVSS之電位。陰極電源線L10包含陰極配線60。
又，像素電路PICA包含電容Cs1及電容Cs2。電容Cs1為形成於驅動電晶體DRT之閘極與源極之間之保持電容。電容Cs2為形成於驅動電晶體DRT之源極及無機發光體100之陽極與陰極電源線L10之間之附加電容。
此外，像素電路PICA可於發光控制電晶體BCT與驅動電晶體DRT之間，設置電晶體CCT。此情形下，電晶體CCT之源極連接於發光控制電晶體BCT之汲極，電晶體CCT之汲極連接於驅動電晶體DRT之源極。而且，於電晶體CCT之閘極，連接對電晶體CCT之閘極供給電位之配線CG。藉由經由配線CG對電晶體CCT之閘極供給電位，而將發光控制電晶體BCT之汲極與驅動電晶體DRT之源極設為導通狀態，於未經由配線CG對電晶體CCT之閘極供給電位之情形下，將發光控制電晶體BCT之汲極與驅動電晶體DRT之源極設為非導通狀態。
顯示裝置1自第1列之像素49至最終列之像素49進行驅動，於1圖框期間顯示1圖框份之圖像。
於重置期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，而發光控制掃描線BG之電位成為L(低)位準，重置控制掃描線RG之電位成為H(高)位準。藉此，發光控制電晶體BCT變為關斷(非導通狀態)，重置電晶體RST變為導通(導通狀態)。
藉此，殘留於像素49內之電荷經由重置電晶體RST朝外部流通，驅動電晶體DRT之源極固定在重置電源電位Vrst。重置電源電位Vrst對於陰極電源電位PVSS具有特定之電位差而設定。此情形下，重置電源電位Vrst與陰極電源電位PVSS之電位差小於無機發光體100開始發光之電位差。
其次，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，而初始化控制掃描線IG之電位成為H位準。初始化電晶體IST變為導通。經由初始化電晶體IST，驅動電晶體DRT之閘極被固定在初始化電位Vini。
其次，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，而初始化控制掃描線IG之電位成為H位準。初始化電晶體IST變為導通。經由初始化電晶體IST，驅動電晶體DRT之閘極被固定在初始化電位Vini。
又，驅動電路12將發光控制電晶體BCT設為導通，將重置電晶體RST設為關斷。驅動電晶體DRT當源極電位成為(Vini-Vth)時，變為關斷。藉此，可就每一像素49取得驅動電晶體DRT之臨限值電壓Vth，每一像素49之臨限值電壓Vth之不均一被抵消
其次，於影像信號寫入動作期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，而發光控制電晶體BCT變為關斷，初始化電晶體IST變為關斷，寫入電晶體SST變為導通。於屬1列之像素49中，影像信號Vsig朝驅動電晶體DRT之閘極輸入。影像信號線L2於第2方向Dy延伸，連接於屬同行之複數列像素49。因而，影像信號寫入動作期間就每一1列實施。
其次，於發光動作期間。藉由自驅動電路12供給之各控制信號，而發光控制電晶體BCT變為導通，寫入電晶體SST變為關斷。自陽極電源線L1經由發光控制電晶體BCT對驅動電晶體DRT供給陽極電源電位PVDD。驅動電晶體DRT將與閘極源極間之電壓相應之電流供給至無機發光體100。無機發光體100以與該電流相應之亮度發光。
此外，驅動電路12可就每1列驅動像素49，亦可同時驅動2列像素49，還可同時驅動3列份以上之像素49。
此外，上述之圖3所示之像素電路PICA之構成終極而言僅為一個例子，可適宜地變更。例如於1個像素49中之配線之數目及電晶體之數目可不同。又，像素電路PICA亦可採用電流鏡電路等之構成。
如圖3所示，單色無機發光體100A包含1種單色無機發光元件102A，另一方面，如圖4所示，輔助無機發光體100B包含複數種輔助無機發光元件102B。如圖4所示，輔助無機發光體100B之輔助無機發光元件102B並排排列。而且，複數個輔助無機發光元件102B中之1個輔助無機發光元件102B(此處為第1輔助無機發光元件102RB)，藉由連接於陰極電源線L10，而被供給用於發光之電流、亦即與陽極電源電位PVDD相應之電流，而發光。另一方面，複數個輔助無機發光元件102B中其他之輔助無機發光元件102B(此處為第2無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB)，藉由與陰極電源線L10成為非連接，而未被供給用於發光之電流、亦即與陽極電源電位PVDD相應之電流，而不發光。此外，雖然於後文詳細敘述，但第1輔助無機發光元件102RB藉由連接於對向陰極電極90e，而連接於陰極電源線L10，成為可發光之狀態，第2無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB藉由與對向陰極電極90e成為非連接，而與陰極電源線L10成為非連接，成為無法發光之狀態。
圖5係圖1之V-V’剖視圖。如圖5所示，顯示裝置1之陣列基板2具備基板10、及複數個電晶體。基板10具有：第1面10a、及第1面10a之相反側之第2面10b。基板10係絕緣基板，例如係玻璃基板、石英基板、或丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、抑或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂製之撓性基板。
此外，在本說明書中，於垂直於基板10之表面之方向上，將自基板10朝向無機發光體100之方向設為「上側」或簡單設為「上」。又，將自無機發光體100朝向基板10之方向設為「下側」或簡單設為「下」。又，在表現於某一構造體之上配置另一構造體之態樣時，在簡單記述為「於…上」之情形下，只要無特別之說明，則包含以下兩種情形，即：以與某一構造體相接之方式在正上方配置另一構造體之情形、及在某一構造體之上方進一步介隔其他之構造體而配置另一構造體之情形。
底塗層20設置於基板10之第1面10a上。此外，可於基板10之第1面10a上，設置遮光層。此情形下，底塗層20覆蓋遮光層。遮光層雖然若為遮斷光者，則可為任意之材料，但可為例如鉬鎢合金膜。
複數個電晶體設置於底塗層20上。例如，於基板10之顯示區域AA，分別設置像素49中所含之驅動電晶體DRT及寫入電晶體SST，作為複數個電晶體。於基板10之周邊區域GA，設置驅動電路12中所含之電晶體TrC，作為複數個電晶體。此外，雖然顯示複數個電晶體中之驅動電晶體DRT、寫入電晶體SST、及電晶體TrC，但像素電路PICA中所含之發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST及重置電晶體RST亦具有與驅動電晶體DRT同樣之積層構造。此外，在以下之說明中，將複數個電晶體於無須區別說明之情形下，簡單表示為電晶體Tr。
電晶體Tr為例如雙面閘極構造之TFT。電晶體Tr分別具有：第1閘極電極21、第2閘極電極31、半導體層25、源極電極41s、及汲極電極41d。第1閘極電極21設置於底塗層20上。絕緣膜24設置於底塗層20上，且覆蓋第1閘極電極21。半導體層25設置於絕緣膜24上。半導體層25使用例如多晶矽。惟，半導體層25並不限定於此，可為微晶氧化物半導體、非晶氧化物半導體、低溫多晶矽等。絕緣膜29設置於半導體層25上。第2閘極電極31設置於絕緣膜29上。
底塗層20、絕緣膜24、29、45係無機絕緣膜，例如包含氧化矽(SiO2 )或氮化矽(SiN)等。於第3方向Dz上，第1閘極電極21與第2閘極電極31介隔絕緣膜24、半導體層25及絕緣膜29而對向。於絕緣膜24、29中，夾在第1閘極電極21與第2閘極電極31之間之部分作為閘極絕緣膜發揮功能。又，於半導體層25中，夾在第1閘極電極21與第2閘極電極31之間之部分成為電晶體Tr之通道區域27。於半導體層25中，與源極電極41s連接之部分為電晶體Tr之源極區域，與汲極電極41d連接之部分為電晶體Tr之汲極區域。於通道區域27與源極區域之間、及通道區域27與汲極區域之間，分別設置低濃度雜質區域。此外，作為電晶體Tr，雖然僅顯示n型TFT，但亦可同時形成p型TFT。
閘極線31a連接於驅動電晶體DRT之第2閘極電極31。於基板10與閘極線31a之間設置絕緣膜29，於閘極線31a與基板10之間形成電容CS。第1閘極電極21、第2閘極電極31及閘極線31a係由例如鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)或其等之合金膜構成。
於本實施形態中，電晶體Tr並不限定於雙面閘極構造。電晶體Tr可為閘極電極僅由第1閘極電極21構成之底部閘極型。又，電晶體Tr可為閘極電極僅由第2閘極電極31構成之頂部閘極型。又，亦可省去底塗層20。
顯示裝置1具有絕緣膜35，該絕緣膜35設置於基板10之第1面10a上，且覆蓋複數個電晶體Tr。源極電極41s設置於絕緣膜35上，經由設置於絕緣膜35之貫通孔而連接於複數個電晶體Tr之各源極。汲極電極41d設置於絕緣膜35上，經由設置於絕緣膜35之貫通孔而連接於複數個電晶體Tr之各汲極。於周邊區域GA中，陰極配線60設置於絕緣膜35上。絕緣膜42覆蓋源極電極41s、汲極電極41d及陰極配線60。絕緣膜35為無機絕緣膜，絕緣膜42為有機絕緣膜。源極電極41s及汲極電極41d係由鈦與鋁之積層構造、即TiAlTi或TiAl之積層膜構成。又，絕緣膜42使用感光性丙烯酸等有機材料。
源極電極41s之一部分形成於與閘極線31a重疊之區域。由介隔絕緣膜35而對向之閘極線31a與源極電極41s形成電容Cs1。又，閘極線31a形成於與半導體層25之一部分重疊之區域。電容Cs1亦包含由介隔絕緣膜24而對向之半導體層25與閘極線31a形成之電容。
顯示裝置1具有：源極連接配線43s、汲極連接配線43d、絕緣膜45、對向陽極電極50e、絕緣膜66、連接層50f、連接導電部52、無機發光體100、絕緣膜70、平坦化膜80、對向陰極電極90e、及罩部92。源極連接配線43s設置於絕緣膜42上，經由設置於絕緣膜42之貫通孔連接於源極電極41s。汲極連接配線43d設置於絕緣膜42上，經由設置於絕緣膜42之貫通孔連接於汲極電極41d。絕緣膜45設置於絕緣膜42上，且覆蓋源極連接配線43s與汲極連接配線43d。對向陽極電極50e設置於絕緣膜45上，經由設置於絕緣膜45之貫通孔連接於驅動電晶體DRT之汲極連接配線43d。源極連接配線43s及汲極連接配線43d例如由銦錫氧化物(ITO、Indium Tin Oxide)等透明性導電體形成。
絕緣膜66設置於絕緣膜45上，且覆蓋對向陽極電極50e。連接層50f設置於絕緣膜66上，經由設置於絕緣膜66之貫通孔連接於對向陽極電極50e。連接導電部52設置於連接層50f。無機發光體100設置於連接導電部52上，對向陽極電極50e經由連接層50f及連接導電部52，與無機發光體100之陽極電極112連接。於介隔絕緣膜45對向之對向陽極電極50e與源極連接配線43s之間，形成電容Cs2。
絕緣膜70設置於絕緣膜45上，且覆蓋連接層50f、連接導電部52、及無機發光體100之陽極電極112之側面。絕緣膜70於與陽極電極112重合之位置具有用於安裝無機發光體100之開口。絕緣膜70之開口之面積於俯視下，大於無機發光體100與對向陽極電極50e之接地面。又，對向陽極電極50e於俯視下，大於無機發光體100之與對向陽極電極50e之接地面。平坦化膜80設置於絕緣膜70上，且覆蓋無機發光體100之側面。對向陰極電極90e設置於平坦化膜80上。絕緣膜70為無機絕緣膜，例如包含矽氮化膜(SiN)。平坦化膜80係有機絕緣膜或無機有機混合絕緣膜(於Si-O主鏈，鍵結有例如有機基團(甲基或苯基)之材料)。無機發光體100之上表面(陰極電極114)自平坦化膜80露出。對向陰極電極90e連接於無機發光體100之陰極電極114。
對向陰極電極90經由設置於顯示區域AA之外側之接觸孔H11與設置於陣列基板2側之陰極配線60連接。具體而言，接觸孔CH1設置於平坦化膜80及絕緣膜42，於接觸孔CH1之底面設置陰極配線14。陰極配線60設置於絕緣膜35上。即，陰極配線60與源極電極41s及汲極電極41d設置於同層，且由相同之材料形成。對向陰極電極90e自顯示區域AA連續設置至周邊區域GA，於接觸孔CH1之底部與陰極配線60連接。罩部92設置於對向陰極電極90e上。罩部92係例如由玻璃等供光透過之構件構成之罩。惟，罩部92並非係必需之構成。
其次，針對無機發光體100中之單色無機發光體100A之構成，進行說明。圖6係顯示本實施形態之單色無機發光體之構成例之剖視圖。如圖6所示，單色無機發光體100A具有：單色無機發光元件102A、陽極電極112、及陰極電極114。
單色無機發光元件102A係進行發光之發光層。單色無機發光元件102A具有：n型包層104、p型包層106、及設置於p型包層106與n型包層104之間之發光層108。於本實施形態中，單色無機發光元件102A朝向上側依序積層p型包層106、發光層108、n型包層104而構成。作為單色無機發光元件102A，使用氮化鎵(GaN)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)或砷化鋁鎵(AlGaAs)或是砷化鎵磷(GaAsP)等之化合物半導體。進一步而言，於本實施形態中，p型包層106及n型包層104使用氮化鎵(GaN)等。又，作為發光層108，使用氮化銦鎵(InGaN)等。發光層108可為積層有InGaN、GaN之多重量子井構造(MQW)。
單色無機發光體100A朝向上側依序積層有陽極電極112、p型包層106、發光層108、n型包層104、陰極電極114。於單色無機發光體100A下設置：連接導電部52；及連接層50f，其設置於連接導電部52下且連接於對向陽極電極50e。於單色無機發光體100A上，設置對向陰極電極90e。
對向陽極電極50e(參照圖5)包含導電性之構件，此處包含金屬材料。於本實施形態中，對向陽極電極50e包含鈦(Ti)與鋁(Al)，例如，鈦之層與鋁之層沿第3方向Dz積層。對向陽極電極50e作為像素電極，而就每一單色無機發光體100A(像素49)設置。
連接層50f包含導電性之構件，此處包含金屬材料。於本實施形態中，連接層50f係由與對向陽極電極50e相同之材料構成。亦即，例如，連接層50f包含鈦(Ti)與鋁(Al)，例如，鈦之層與鋁之層沿第3方向Dz積層。
連接導電部52包含導電性之構件，此處包含金屬材料。於本實施形態中，連接導電部52係由熔點較連接層50f及對向陽極電極50e更低之材料構成。具體而言，連接導電部52為例如焊料，將連接層50f與陽極電極112接合。
陽極電極112設置於連接導電部52上。陽極電極112固定於連接導電部52。陽極電極112經由連接導電部52及連接層50f連接於對向陽極電極50e。陽極電極112為具有透光性之導電性之構件，為例如銦錫氧化物(ITO、Indium Tin Oxide)。於陽極電極112上，設置p型包層106。陽極電極112與p型包層106連接。
陰極電極114設置於n型包層104上。陰極電極114為具有透光性之導電性之構件，為例如ITO。陰極電極114連接於對向陰極電極90e。
作為對向電極之對向陰極電極90e為具有透光性之導電性之構件，為例如ITO。對向陰極電極90e係於複數個(此處為所有)無機發光體100(像素49)共通設置之共通電極，且連接於複數個(此處為所有)無機發光體100之陰極電極114。對向陰極電極90e連接於所有單色無機發光體100A、及所有輔助無機發光體100B。
其次，針對無機發光體100中之輔助無機發光體100B之構成，進行說明。圖7係顯示本實施形態之輔助無機發光體之構成例之剖視圖。圖8係顯示本實施形態之輔助無機發光體之構成例之俯視圖。如圖7所示，輔助無機發光體100B具有：複數個輔助無機發光元件102B、保護層109、陽極電極112、及陰極電極114。輔助無機發光元件102B於第3方向Dz之陽極電極112與陰極電極114之間形成為柱狀。亦即，輔助無機發光元件102B為於陽極電極112與陰極電極114之間，以第3方向Dz為軸向延伸之柱狀之構件。如圖8所示，輔助無機發光元件102B為例如圓柱形狀，但不限定於圓柱形狀，可為例如六角等多角柱形狀。保護層109於第3方向Dz上設置於陽極電極112與陰極電極114之間，且包圍輔助無機發光元件102B之周圍。保護層109為絕緣體，為例如SOG(Spin on Glass，旋塗式玻璃)。
輔助無機發光元件102B為進行發光之發光層，具有：n型包層104B、p型包層106B、及設置於p型包層106B與n型包層104B之間之發光層108B。於本實施形態中，輔助無機發光元件102B朝向上側依序積層p型包層106B、發光層108B、n型包層104B而構成。作為輔助無機發光元件102B，使用氮化鎵(GaN)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)或砷化鋁鎵(AlGaAs)抑或砷化鎵磷(GaAsP)等之化合物半導體。進一步而言，於本實施形態中，p型包層106B及n型包層104B使用氮化鎵(GaN)等。又，作為發光層108B，使用氮化銦鎵(InGaN)等。發光層108B可為積層有InGaN、GaN之多重量子井構造(MQW)。
輔助無機發光體100B朝向上側，依序積層有陽極電極112、複數個輔助無機發光元件102B、陰極電極114。於輔助無機發光體100B下設置：連接導電部52；及連接層50f，其設置於連接導電部52下且連接於對向陽極電極50e。於輔助無機發光體100B上，設置對向陰極電極90e。對向陽極電極50e(參照圖5)作為像素電極，就每一輔助無機發光體100B設置。
陽極電極112設置於連接導電部52上，固定於連接導電部52。陽極電極112經由連接導電部52及連接層50f連接於對向陽極電極50e。於陽極電極112上，設置各個輔助無機發光元件102B。陽極電極112連接於各個輔助無機發光元件102B之p型包層106B。此處，可於連接層50f與連接導電部52、連接層52f與陽極電極112之間，設置障壁金屬(例如鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦鎢(TiW)等。
陰極電極114設置於各個輔助無機發光元件102B上，且連接於各個輔助無機發光元件102B之n型包層104B。於陰極電極114上，設置對向陰極電極90e。對向陰極電極90e連接於陰極電極114。
如此，於1個輔助無機發光體100B中，對向陽極電極50e、連接層50f、連接導電部52、及作為電極之陽極電極112，對於複數個輔助無機發光元件102B共通設置。同樣地，於1個輔助無機發光體100B中，陰極電極114及對向陰極電極90e對於複數個輔助無機發光元件102B共通設置。換言之，對向陽極電極50e、連接層50f、連接導電部52、陽極電極112、陰極電極114及對向陰極電極90e，對於1個輔助無機發光體100B中所含之複數個輔助無機發光元件102B設置一個。
此外，輔助無機發光體100B可於陰極電極114與對向陰極電極90e之間，具有對於複數個輔助無機發光元件102B共通設置之包層。該包層可為氮化鎵等之化合物半導體。
輔助無機發光體100B具有第1輔助無機發光元件102RB、第2輔助無機發光元件102GB、及第3輔助無機發光元件102BB，作為輔助無機發光元件102B。第1輔助無機發光元件102RB、第2輔助無機發光元件102GB、及第3輔助無機發光元件102BB，於具有n型包層104B、發光層108B、及p型包層106B之點上共通，但自第3方向Dz觀察之情形之寬度互不相同。自第3方向Dz觀察之情形之寬度意指輔助無機發光元件102B之與第3方向Dz正交之方向之長度。於本例中，由於輔助無機發光元件102B為圓柱狀，故於自第3方向Dz觀察之情形之寬度意指輔助無機發光元件102B之直徑。亦即，如圖8所示，若將第1輔助無機發光元件102RB之直徑設為直徑DR，將第2輔助無機發光元件102GB之直徑設為直徑DG，將第3輔助無機發光元件102BB之直徑設為直徑DB，則直徑DR、直徑DG、直徑DB成為互不相同之長度。於本實施形態中，直徑DR大於直徑DG，直徑DG大於直徑DB。輔助無機發光元件102B雖然於具有n型包層104B、發光層108B、及p型包層106B之構造上共通，但藉由直徑如上述般不同，而可發出不同之波長頻帶之光。
又，如上述般，輔助無機發光體100B，僅複數個輔助無機發光元件102B中之一部分成為可發光之狀態。具體而言，輔助無機發光體100B，僅複數個輔助無機發光元件102B中之一部分藉由連接於陰極電極114及對向陰極電極90e，而成為可發光之狀態，其他之輔助無機發光元件102B藉由未連接於陰極電極114及對向陰極電極90e，而成為無法發光之狀態。於圖7及圖8之例中，第1輔助無機發光元件102RB連接於陰極電極114及對向陰極電極90e，第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB未連接於陰極電極114及對向陰極電極90e。換言之，於第1輔助無機發光元件102RB上，設置陰極電極114及對向陰極電極90e，但於第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB上，未設置陰極電極114及對向陰極電極90e。輔助無機發光體100B由於僅第1輔助無機發光元件102RB連接於對向陰極電極90e，故僅對第1輔助無機發光元件102RB供給電流，僅第1輔助無機發光元件102RB發光。此外，雖然在本實施形態中，於第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB中，陰極電極114及對向陰極電極90e之兩者為非連接，但只要至少對向陰極電極90e為非連接即可。亦即，第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB即便連接於陰極電極114，但只要與對向陰極電極90e為非連接，則不被供給電流，而不發光。
又，第1輔助無機發光元件102RB設置有複數個，於與第3方向Dz正交之平面中，矩陣狀排列。同樣地，第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB亦分別設置有複數個，於與第3方向Dz正交之平面中，矩陣狀排列。此處，如圖8所示，於1個輔助無機發光體100B中，自第3方向Dz觀察，將供第1輔助無機發光元件102RB設置之區域設為第1區域103RB，將供第2輔助無機發光元件102GB設置之區域設為第2區域103GB，將供第3輔助無機發光元件102BB設置之區域設為第3區域103BB。此情形下，第1區域103RB、第2區域103GB、及第3區域103BB之面積互不相同。於本實施形態之例中，較佳為，第1區域103RB之面積大於第2區域103GB之面積，第2區域103GB之面積大於第3區域103BB之面積。此外，於本實施形態中，成為第2區域103GB與第3區域103BB於第2方向Dy鄰接，第1區域103RB於第1方向Dx鄰接於第2區域103GB與第3區域103BB之排列。惟，第1區域103RB、第2區域103GB、與第3區域103BB之排列方式為任意。
此外，以後，於1個輔助無機發光體100B中，將包含所有輔助無機發光元件102B之構造體記載為輔助無機發光元件集合體101B。亦即，輔助無機發光元件集合體101B係包含1個輔助無機發光體100B之所有輔助無機發光元件102B者，進一步而言，亦可包含保護層109。
單色無機發光體100A與輔助無機發光體100B成為如以上之構成。於自無機發光體100與對向陰極電極90e排列之方向觀察之情形下，亦即於自第3方向Dz觀察之情形下，設置1個輔助無機發光體100B之區域較佳為較設置1個單色無機發光體100A之區域更寬廣。設置輔助無機發光體100B之區域，例如意指輔助無機發光體100B之下側之電極即陽極電極112，設置單色無機發光體100A之區域，例如意指單色無機發光體100A之下側之電極即陽極電極112。
又，雖然如以上所說明般，輔助無機發光體100B之輔助無機發光元件102B成為柱狀之所謂之納米線形狀，但單色無機發光體100A之單色無機發光元件102A並非係納米線形狀。惟，單色無機發光體100A之單色無機發光元件102A亦可為納米線形狀。此情形下，單色無機發光體100A係由與輔助無機發光元件102B同樣之構造之柱狀之單色無機發光元件102A排列複數個而構成，但由於單色無機發光元件102A發出相同之波長頻帶之光，故各個單色無機發光元件102A之直徑成為相同(更詳細而言成為特定之數值範圍內)。
(顯示裝置之製造方法) 其次，針對顯示裝置1之製造方法，更具體而言針對輔助無機發光體100B之搭載方法，進行說明。具備無機發光體100之顯示裝置1，有因例如由無機發光體100之尺寸較小所致之搭載之困難性等，難以進行製造，而招致不良之情形。若不使用視為不良之顯示裝置1，並進行作廢處理，則成品率降低。相對於此，於本實施形態中，藉由修復視為不良之顯示裝置1，而將成為不良之顯示裝置1設為可使用之狀態，抑制成品率之降低。此處之不良意指搭載於顯示裝置1之至少一部分之單色無機發光體100A未適切地發光。作為單色無機發光體100A未適切地發光之狀態，例如可舉出暗點狀態或亮點狀態。暗點狀態意指即便於流通用於使單色無機發光體100A發光之電流之情形下，該單色無機發光體100A亦不發光之狀態。另一方面，亮點狀態意指即便於未流通用於使無機發光體100發光之電流之情形下，該無機發光體100亦發光之狀態。亦即，即便於未流通用於使無機發光體100發光之電流之情形下，因例如於其他之配線短路等，而該無機發光體100亦發光之狀態為亮點狀態。
於本實施形態中，藉由將如上述般成為不良之單色無機發光體100A換裝為輔助無機發光體100B，而可將顯示裝置1設為可使用之狀態。以下，針對亦包含換裝之顯示裝置1之製造方法，進行說明。圖9係說明第1實施形態之顯示裝置之製造方法之示意圖。
如圖9之步驟S10所示，於本實施形態之顯示裝置1之製造方法中，形成顯示裝置1之陣列基板2，於陣列基板2上形成單色無機發光元件102A。具體而言，藉由形成顯示裝置1之較陽極電極112更下側之各部、及陽極電極112，而形成陣列基板2。又，於與陣列基板2不同之形成基板200上，形成單色無機發光元件102A。而後，將形成於形成基板200上之單色無機發光元件102A搭載於陣列基板2上。於本實施形態中，藉由雷射剝離，而將單色無機發光元件102A搭載於陣列基板2上。具體而言，使形成基板200之形成有單色無機發光元件102A之面與陣列基板2之形成有陽極電極112之面對向。而後，自與形成基板200之形成有單色無機發光元件102A之面為相反側之面，朝形成基板200上之單色無機發光元件102A，照射雷射光LI。藉此，單色無機發光元件102A自形成基板200上剝離，並被轉印至陣列基板2之陽極電極112上。此外，雖然在圖9之例中，於形成基板200上，形成第1單色無機發光元件102RA、第2單色無機發光元件102GA、及第3單色無機發光元件102BA，但可將第1單色無機發光元件102RA、第2單色無機發光元件102GA、及第3單色無機發光元件102BA形成於互不相同之形成基板。此情形下，將第1單色無機發光元件102RA、第2單色無機發光元件102GA、與第3單色無機發光元件102BA依序轉印至陣列基板2上。又，將單色無機發光元件102A搭載於陣列基板2之方法行不限定於雷射剝離，可為任意。
當於陣列基板2上形成單色無機發光元件102A後，如步驟S12所示般，藉由將檢查用基板202連接於陣列基板2上之單色無機發光元件102A，並執行點亮檢查，而檢測單色無機發光元件102A之不良。檢查用基板202具備導電部202A、及基部202B。導電部202A為例如ITO等透光性之導電構件。基部202B為設置於導電部202A之背面之基板，為例如玻璃等透光性之絕緣構件。於步驟S12中，藉由使導電部202A之表面與陣列基板2上之各個單色無機發光元件102A之上側之面、亦即n型包層104接觸，而將各個單色無機發光元件102A與導電部202A電性連接。而後，藉由於各個陣列基板2之陽極電極112與導電部202A之間賦予電位差(施加電壓)，而於單色無機發光元件102A流通用於發光之電流。而後，檢測單色無機發光元件102A是否適切地發光，將適切地發光之單色無機發光元件102A判斷為並非不良之正常的單色無機發光元件102A，將未適切地發光之單色無機發光元件102A判斷為成為不良之單色無機發光元件102A。由於檢查用基板202具有透光性，故可自檢查用基板202之上方，確認單色無機發光元件102A是否發光。以下，將判斷為不良之單色無機發光元件102A，記載為不良無機發光元件102N。如此，雖然於本實施形態中，藉由使用檢查用基板202之點亮檢查，檢測不良無機發光元件102N，但不良無機發光元件102N之檢測方法並不限定於使用檢查用基板202之點亮檢查。
當檢測到不良無機發光元件102N後，如步驟S14所示般，自陣列基板2去除不良無機發光元件102N。於圖9中，顯示1個第1單色無機發光元件102RA被檢測為不良無機發光元件102N之例。於步驟S14中，於原狀殘留陽極電極112下，自陣列基板2去除不良無機發光元件102N即第1單色無機發光元件102RA。藉此，陣列基板2成為於搭載有不良無機發光元件102N之陽極電極112上，未搭載單色無機發光元件102A之狀態。
如此，於圖9之例中，將所有單色無機發光元件102A搭載於陣列基板2上，自搭載於陣列基板2上之單色無機發光元件102A中，檢測不良無機發光元件102N。惟，檢測不良無機發光元件102N之時序並不限定於此。例如，可於在形成基板200上形成有單色無機發光元件102A之狀態下，亦即於在將單色無機發光元件102A轉印至陣列基板2上前之狀態下，自形成基板200上之單色無機發光元件102A中，檢測不良無機發光元件102N。此情形下，例如，可使用光致發光法，自形成基板200上之單色無機發光元件102A中，檢測不良無機發光元件102N。於光致發光法中，朝單色無機發光元件102A照射光，檢測當經激發之單色無機發光元件102A之電子恢復基態時發出之光，基於該光，檢測缺陷等單色無機發光元件102A之狀態。而後，基於以例如光致發光法檢測到之單色無機發光元件102A之狀態，判斷是否為不良無機發光元件102N。可將以例如光致發光法檢測到缺陷之單色無機發光元件102A，判斷為不良無機發光元件102N。如此，於在轉移至陣列基板2上前檢測到不良無機發光元件102N之情形下，將形成基板200上之不良無機發光元件102N以外之單色無機發光元件102A轉印至陣列基板2，不將不良無機發光元件102N轉印至陣列基板2。此情形下，陣列基板2成為於應搭載不良無機發光元件102N之陽極電極112上未搭載單色無機發光元件102A之狀態、亦即與步驟S14之執行後相同之狀態。
其次，如步驟S16所示般，於搭載有不良無機發光元件102N之陽極電極112上(或於應搭載不良無機發光元件102N之陽極電極112上)，搭載輔助無機發光元件集合體101B(包含1個輔助無機發光體100B之所有輔助無機發光元件102B之構造體)。藉此，於陣列基板2上，形成單色無機發光元件102A與輔助無機發光元件102B。
其次，如步驟S18所示般，於陣列基板2上，形成單色無機發光體100A、輔助無機發光體100B、絕緣膜70、平坦化膜80、及對向陰極電極90e。具體而言，於單色無機發光元件102A與輔助無機發光元件102B各者上，形成陰極電極114。藉此，於陣列基板2上，形成單色無機發光體100A、與輔助無機發光體100B。而後，於陣列基板2上之未形成單色無機發光體100A及輔助無機發光體100B之空間，填充絕緣膜70與平坦化膜80。而後，於單色無機發光體100A與輔助無機發光體100B上，形成對向陰極電極90e。此處，以連接於所有單色無機發光體100A與輔助無機發光體100B之方式，形成對向陰極電極90e。
其次，如步驟S20所示般，去除連接於輔助無機發光體100B之對向陰極電極90e之一部分、與輔助無機發光體100B之陰極電極114之一部分。例如，藉由朝對向陰極電極90e及陰極電極114之去除之部分，照射雷射光LIa，而去除對向陰極電極90e及陰極電極114。具體而言，去除對向陰極電極90e及陰極電極114之連接於輔助無機發光體100B之第2輔助無機發光元件102GB之部分、及連接於輔助無機發光體100B之第3輔助無機發光元件102BB之部分。藉此，如圖7及圖8所示，輔助無機發光體100B之第1輔助無機發光元件102RB連接於對向陰極電極90e而成為可發光之狀態，第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB與對向陰極電極90e成為非連接而成為無法發光之狀態。亦即，於步驟S20中，設為使對向陰極電極90e及陰極電極114，對於發出與當不良無機發光元件102N為正常之狀態時發出之波長頻帶之光相同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B連接之狀態。而且，對於發出與當不良無機發光元件102N為正常之狀態時發出之波長頻帶之光不同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B，將對向陰極電極90e及陰極電極114設為非連接之狀態。
於步驟S20後，如步驟S22所示般，於去除對向陰極電極90e之一部分與陰極電極114之一部分而形成之空間AR，填充絕緣體80B。絕緣體80B為例如絕緣性之樹脂。惟，絕緣體80B之填充並非係必需之工序。又，之後，可於對向陰極電極90e上，形成罩部92。
如以上所示般，於本實施形態中，設為於顯示裝置1未搭載不良無機發光體(不良無機發光元件102N)之狀態，取而代之，搭載輔助無機發光體100B。因此，本實施形態之顯示裝置1可抑制因不良無機發光體之發光不良而圖像顯示變得不適切。進而，顯示裝置1藉由搭載輔助無機發光體100B，而可發出當不良無機發光體正常時應發光之波長頻帶之光，可更佳地抑制圖像顯示變得不適切。又，亦考量換裝發出單色之色之光之單色無機發光體100A，而取代不良無機發光體。然而，由於難以預測發出哪一波長頻帶(色)之光之無機發光體100成為不良，故產生為了換裝，而準備複數種單色無機發光體100A之需要。而且，亦有於換裝時，產生就每一種類依序搭載單色無機發光體100A之需要等，而換裝工序之作業負載變高之情形。相對於此，於本實施形態中，換裝用之輔助無機發光體100B具備發出不同之波長頻帶之光之複數種輔助無機發光元件102B。因而，可藉由1種輔助無機發光體100B，替代所有種類之無機發光體100，無須為了換裝，準備複數種無機發光體100。又，由於可以1種輔助無機發光體100B進行換裝，故可抑制換裝工序之作業負載。
(輔助無機發光體之驅動控制) 其次，針對輔助無機發光體100B、亦即輔助像素49BB之驅動控制之方法，進行說明。圖10係示意性顯示信號處理電路之構成之方塊圖。以後，以輔助無機發光體100B、亦即輔助像素49BB發出第1波長頻帶之光、此處為紅色之光之情形為例進行說明。惟，輔助像素49BB並不限定於發出第1波長頻帶之光，可發出第2波長頻帶或第3波長頻帶之光。
如圖10所示，顯示裝置1所具備之信號處理電路160具有：第1處理電路162、記憶體164、及緩衝器166。信號處理電路160基於影像信號Vsig對3個像素49各者之輸出灰階值SoR、SoG、SoB進行運算。影像信號Vsig包含每一像素Pix之輸入灰階值SiR、SiG、SiB。輸入灰階值SiR、SiG、SiB分別係紅色、綠色、藍色之灰階值。輸出灰階值SoR係與取代第1像素49R之輔助像素49BB對應之灰階值。又，輸出灰階值SoG係與第2像素49G對應之灰階值，輸出灰階值SoB係與第3像素49B對應之灰階值。信號處理電路160可包含於例如圖1所示之驅動IC 210，亦可作為與驅動IC 210不同之電路晶片設置於基板10。以下，在無需分別區別輸出灰階值SoR、SoG、SoB之情形下，稱為輸出灰階值So。又，在無需分別區別輸入灰階值SiR、SiG、SiB之情形下，稱為輸入灰階值Si。
緩衝器166係記憶輸入灰階值Si之電路。此外，緩衝器166可記憶1圖框份之影像信號Vsig中所含之輸入灰階值Si，亦可擷取入1圖框份之影像信號Vsig中一部分之影像信號Vsig中所含之輸入灰階值Si。
記憶體164包含表示輸入灰階值SiR、SiG、SiB、與輸出灰階值SoR、SoG、SoB之關係之資訊的資料LUT。資料LUT例如為諸如查找表(Look Up Table)之表資料。
第1處理電路162參照自記憶體164讀出之資料LUT，而特定出與輸入灰階值SiR、SiG、SiB對應之輸出灰階值SoR、SoGb、SoB。第1處理電路162將輸出灰階值SoR、SoG、SoB輸出至像素Pix。各像素49基於輸出灰階值SoR、SoG、SoB而點亮。
圖11係第1實施形態中用於說明輸出灰階值之設定方法之流程圖。如圖11所示，首先，信號處理電路160擷取入1圖框圖像(步驟S30)。具體而言，緩衝器166擷取入1圖框份之影像信號Vsig，且記憶與紅色、綠色、藍色各者對應之輸入灰階值SiR、SiG、SiB。
第1處理電路162就每一像素Pix判斷輸入灰階值SiR是否大於0(步驟S32)。換言之，就每一像素Pix判斷是否存在紅色之顯示。於輸入灰階值SiR大於0之情形下(步驟S32；是)，第1處理電路162將輸入灰階值SiR與臨限值Lth進行比較(步驟S34)。臨限值Lth之值雖為預設，但可任意地設定。於輸入灰階值SiR為臨限值Lth以下之情形下(步驟S34；是)，第1處理電路162設定使輔助無機發光體100B(輔助像素49BB)點亮之輸出灰階值SoR，以設定之輸出灰階值SoR，使輔助無機發光體100B點亮(步驟S36)。
於輸入灰階值SiR大於臨限值Lth之情形下(步驟S34；否)，第1處理電路162判斷驅動電流值是否為電流臨限值Ith以下(步驟S38)。驅動電流值係於假定以輸出灰階值SoR使輔助無機發光體100B點亮之情形下，於輔助無機發光體100B中流通之電流值。第1處理電路162基於輸出灰階值SoR，算出驅動電流值。又，電流臨限值Ith值雖為預設，但可任意地設定。於驅動電流值為電流臨限值Ith以下之情形下(步驟S38；是)，前進至步驟S36，以設定之輸出灰階值SoR，使輔助無機發光體100B點亮。
於驅動電流值大於電流臨限值Ith之情形下(步驟S38；否)，第1處理電路162使輔助無機發光體100B、與相鄰無機發光體點亮(步驟S40)。相鄰無機發光體係與包含輔助無機發光體100B之像素Pix相鄰之像素Pix之無機發光體100中之發出與輔助無機發光體100B發出之光相同之波長頻帶之光之無機發光體100。亦即，此處，相鄰無機發光體係與包含輔助無機發光體100B之像素Pix相鄰之像素Pix中所含之第1單色無機發光體100RA、或包含於與包含輔助無機發光體100B之像素Pix相鄰之像素Pix且發出第1波長頻帶之光之輔助無機發光體100B。於步驟S40中，第1處理電路162設定：用於驅動輔助無機發光體100B之輸出灰階值SoR1、用於驅動相鄰無機發光體之輸出灰階值SoR2，以設定之輸出灰階值SoR1，使輔助無機發光體100B點亮，以設定之輸出灰階值SoR2，使相鄰無機發光體點亮。輸出灰階值SoR1設定為小於輸出灰階值SoR之值。
又，於輸入灰階值SiR為0之情形下(步驟S32；否)，第1處理電路162設定灰階值0來作為輸出灰階值SoR，不點亮輔助無機發光體100B(輔助像素49BB) (步驟S42)。
於本實施形態中，如上述般，控制輔助無機發光體100B之驅動(點亮)。
如以上所說明般，本實施形態之顯示裝置1具備：矩陣狀排列之複數個無機發光體100、及連接於複數個無機發光體100之對向電極(對向陰極電極90e)。複數個無機發光體100包含單色無機發光體100A、及輔助無機發光體100B。單色無機發光體100A可發出特定之波長頻帶之光。又，輔助無機發光體100B具備複數種輔助無機發光元件102B、及連接於該等輔助無機發光元件102B之電極(陽極電極112)。輔助無機發光體100B具備：在被供給電流之情形下可發出第1波長頻帶之光之第1輔助無機發光元件102RB、及在被供給電流之情形下可發出第2波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件102GB，作為複數種輔助無機發光元件102B。(陽極電極112)連接於第1輔助無機發光元件102RB、及第2輔助無機發光元件102GB。而且，對向電極(對向陰極電極90e)連接於單色無機發光體100A、及第1輔助無機發光元件102RB，且未連接於第2輔助無機發光元件102GB。
本實施形態之顯示裝置1具備輔助無機發光元件102B。亦即，顯示裝置1由於即便於製造出不良無機發光體(不良無機發光元件102N)之情形下，亦可搭載輔助無機發光元件102B，而取代不良無機發光體，故抑制圖像顯示變得不適切，即便於在製造時發生不良之情形下，亦能夠設為可適切地使用之狀態。又，輔助無機發光體100B由於具備可發出互不相同波長頻帶之光之複數種輔助無機發光元件102B，故可藉由1種輔助無機發光體100B，替代所有種類之無機發光體100，可抑制換裝之負擔。
又，第1輔助無機發光元件102RB發出之光之波長頻帶即第1波長頻帶跟與該第1輔助無機發光元件102RB包含於相同之像素PixB之單色無機發光體100A發出之光之波長頻帶不同。亦即，於1個像素Pix中，連接於對向陰極電極90e且成為可發光之狀態之第1輔助無機發光元件102RB發出之光之波長頻帶與單色無機發光體100A發出之光之波長頻帶不同。因而，顯示裝置1可藉由輔助無機發光體100B之第1輔助無機發光元件102RB，照射不良無機發光體應發光之光，藉由輔助無機發光體100B與單色無機發光體100A，可適切地表現顏色，可適切地顯示圖像。
又，第2輔助無機發光元件102GB發出之光之波長頻帶即第2波長頻帶，跟與該第2輔助無機發光元件102GB包含於相同之像素PixB之單色無機發光體100A發出之光之波長頻帶重疊。亦即，於1個像素PixB中，與對向陰極電極90e成為非連接且成為無法發光之狀態之第2輔助無機發光元件102GB發出之光之波長頻帶，與單色無機發光體100A發出之光之波長頻帶重疊。亦即，輔助無機發光體100B將發出與包含於相同之像素Pix之單色無機發光體100A相同之波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件102GB設為無法發光之狀態。因而，顯示裝置1抑制色平衡崩壞崩，可適切地顯示圖像。
又，第1輔助無機發光元件102RB及第2輔助無機發光元件102GB為柱狀，自作為軸向之第3方向Dz觀察之情形之第1輔助無機發光元件102RB之寬度(直徑DR)、與第2輔助無機發光元件102GB之寬度(直徑DG)不同。輔助無機發光體100B藉由將第1輔助無機發光元件102RB及第2輔助無機發光元件102GB設為柱狀，且使彼此之寬度不同，而即便例如構造相同，亦可使發出之波長頻帶不同。因此，可容易進行輔助無機發光體100B之製造。
又，於自無機發光體100與對向電極(對向陰極電極90e)排列之方向、亦即第3方向Dz觀察之情形下，設置1個輔助無機發光體100B之區域較設置1個單色無機發光體100A之區域更廣。藉由將輔助無機發光體100B形成地更廣，而可抑制發光之輔助無機發光元件102B之面積變得過小，且抑制來自輔助無機發光元件102B之光之強度變得過弱。因此，根據該顯示裝置1，抑制色平衡崩壞崩，可適切地顯示圖像。
又，於自第3方向Dz觀察之情形下，設置第1輔助無機發光元件102RB之區域103RB之面積、與設置第2輔助無機發光元件102GB之區域103GB之面積不同。藉由如上述般就輔助無機發光元件102B之每一種類使面積不同，而可適切地表現顏色，可適切地顯示圖像。
又，輔助無機發光體100B更具備在被供給電流之情形下可發出第3波長頻帶之光之第3輔助無機發光元件102BB。對向電極(對向陰極電極90e)未連接於第3輔助無機發光元件102BB。輔助無機發光體100B藉由具備第1輔助無機發光元件102RB、第2輔助無機發光元件102GB、及第3輔助無機發光元件102BB，而無論哪一色之無機發光體100為不良，均可以輔助無機發光體100B予以替代。
又，無機發光體100包含：可發出第2波長頻帶之光之單色無機發光體100A(第2單色無機發光體100GA)、及可發出第3波長頻帶之光之單色無機發光體100A(第3單色無機發光體100BA)。顯示裝置1由於具備發出第1波長頻帶之光之輔助無機發光體100B、及可發出第2波長頻帶及第3波長頻帶之光之單色無機發光體100A，故可適切地表現色，可適切地顯示圖像。
又，本實施形態之顯示裝置1之製造方法包含：單色無機發光體形成步驟、輔助無機發光體形成步驟、及對向電極形成步驟。於單色無機發光體形成步驟中，形成可發出特定之波長頻帶之光之單色無機發光體100A。在輔助無機發光體形成步驟中，形成輔助無機發光體100B，該輔助無機發光體100B具備：於被施加電壓之情形下可發出第1波長頻帶之光之第1輔助無機發光元件102RB、於被施加電壓之情形下可發出第2波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件102GB、及連接於第1輔助無機發光元件102RB與第2輔助無機發光元件102GB之電極(陽極電極112)。於對向電極形成步驟中，形成對向電極(對向陰極電極90e)，該對向電極(對向陰極電極90e)連接於單色無機發光體100A及第1輔助無機發光元件102RB，且未連接於第2輔助無機發光元件102GB。根據該製造方法，由於即便於製造出不良無機發光體之情形下，亦可搭載輔助無機發光元件102B，而取代不良無機發光體，故即便於在製造時發生不良之情形下，亦能夠設為可適切地使用之狀態。又，輔助無機發光體100B由於具備可發出互不相同波長頻帶之光之複數種輔助無機發光元件102B，故可藉由1種輔助無機發光體100B，替代所有種類之無機發光體100，可抑制換裝之負擔。
(第2實施形態) 其次，針對第2實施形態進行說明。在第1實施形態中，於像素Pix首先預先搭載單色無機發光體100A，將成為不良之單色無機發光體100A換裝為輔助無機發光體100B。另一方面，在第2實施形態中，於所有像素Pixa預先搭載輔助無機發光體100B。於第2實施形態中，構成與第1實施形態共通之部位省略說明。
圖12係顯示第2實施形態之複數個像素之平面圖。如圖12所示，第2實施形態之顯示裝置1a矩陣狀排列有複數個像素Pixa。像素Pixa包含單色像素49A、及輔助像素49BB。更具體而言，像素Pixa包含：3個單色像素49A即第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B、及1個輔助像素49BB。換言之，像素Pixa包含：3個單色無機發光體100A即第1單色無機發光體100RA、第2單色無機發光體100GA、及第3單色無機發光體100BA、以及1個輔助無機發光體100B。
此處，將像素Pixa中之於單色無機發光體100A未產生不良之像素設為像素PixAa，將於單色無機發光體100A產生不良之像素設為像素PixBa。像素PixAa由於在單色無機發光體100A未產生不良，故第1單色無機發光體100RA、第2單色無機發光體100GA、及第3單色無機發光體100BA可發出各個波長頻帶之光。因而，像素PixAa之輔助無機發光體100B中所含之所有輔助無機發光元件102B(第1輔助無機發光元件102RB、第2輔助無機發光元件102GB、及第3輔助無機發光元件102BB)與對向陰極電極90e成為非連接，而成為無法發光之狀態。
另一方面，像素PixBa於單色無機發光體100A之一部分產生不良，換言之，第1單色無機發光體100RA、第2單色無機發光體100GA、及第3單色無機發光體100BA之至少一者成為無法發光之狀態。因此，像素PixBa之輔助無機發光體100B中所含之輔助無機發光元件102B中之一部分、更詳細而言發出與成為無法發光之狀態之單色無機發光體100A相同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B，與對向陰極電極90e連接，而成為可發光之狀態。另一方面，像素PixBa之發出與成為無法發光之狀態之單色無機發光體100A不同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B，與對向陰極電極90e成為非連接，而成為無法發光之狀態。於以後之說明中，以像素PixBa之第1單色無機發光體100RA成為不良而成為無法發光之狀態之情形為例。此情形下，像素PixBa之輔助無機發光體100B之第1輔助無機發光元件102RB成為可發光之狀態，第2輔助無機發光元件102GB及第3輔助無機發光元件102BB成為無法發光之狀態。此外，以下，將成為不良之單色無機發光體100A適宜地記載為不良無機發光體100N。
如此，在第2實施形態中，於1個像素Pixa，設置3個單色無機發光體100A與1個輔助無機發光體100B。因而，於第2實施形態中，第1輔助無機發光元件102RB發出之光之波長頻帶即第1波長頻帶，跟與該第1輔助無機發光元件102RB包含於相同之像素Pixa之單色無機發光體100A(第1單色無機發光體100RA)發出之光之波長頻帶重疊。亦即，在第2實施形態中，於1個像素Pixa中，連接於對向陰極電極90e且成為可發光之狀態之輔助無機發光元件102B發出之光之波長頻帶，與假定包含於相同之像素Pixa之單色無機發光體100A發光之情形之光之波長頻帶重疊。
圖13係說明第2實施形態之顯示裝置之製造方法之示意圖。如圖13所示，於第2實施形態之顯示裝置1a之製造方法中，如步驟S50所示般，形成陣列基板2，於陣列基板2上形成單色無機發光元件102A。具體而言，將形成於形成基板200上之單色無機發光元件102A搭載於陣列基板2上。單色無機發光元件102A向陣列基板2上之搭載方法與第1實施形態同樣。惟，於第2實施形態中，由於在將所有單色無機發光元件102A搭載於陣列基板2上後，亦搭載輔助無機發光元件102B(輔助無機發光元件集合體101B)，故未搭載單色無機發光元件102A之陽極電極112殘留。
其次，如步驟S52所示般，於未搭載單色無機發光元件102A之陽極電極112上，搭載輔助無機發光元件集合體101B(包含1個輔助無機發光體100B之所有輔助無機發光元件102B之集合體)。藉此，於陣列基板2上，形成單色無機發光元件102A與輔助無機發光元件102B。
其次，如步驟S54所示般，藉由將檢查用基板202連接於陣列基板2上之單色無機發光元件102A，並執行點亮檢查，而檢測單色無機發光元件102A之不良、亦即不良無機發光元件102N。不良無機發光元件102N之檢測方法與第1實施形態同樣。此外，步驟S54可較步驟S52靠前地、亦即於輔助無機發光元件集合體101B之搭載前實施。
其次，如步驟S56所示般，於陣列基板2上，形成單色無機發光體100A、輔助無機發光體100B、絕緣膜70、平坦化膜80、及對向陰極電極90e。具體而言，於單色無機發光元件102A與輔助無機發光元件102B各者上，形成陰極電極114。藉此，於陣列基板2上，形成單色無機發光體100A、與輔助無機發光體100B。而後，於未形成單色無機發光體100A、及輔助無機發光體100B之空間，填充絕緣膜70與平坦化膜80。而後，於單色無機發光體100A與輔助無機發光體100B上，形成對向陰極電極90e。此處，以連接於所有單色無機發光體100A與輔助無機發光體100B之方式，形成對向陰極電極90e。第2實施形態雖然於將不良無機發光元件102N殘留而未自顯示裝置1a去除之點上與第1實施形態不同，但於第2實施形態中，亦可自顯示裝置1a去除不良無機發光元件102N。
當形成單色無機發光體100A及輔助無機發光體100B後，去除連接於輔助無機發光體100B之對向陰極電極90e。於去除對向陰極電極90e之工序中，對於檢測到不良無機發光元件102N之像素PixBa，執行步驟S58A，對於未檢測到不良無機發光元件102N之像素PixAa，執行步驟S58B。
首先，針對步驟S58A進行說明。於步驟S58A中，去除連接於像素PixBa中所含之輔助無機發光體100B之對向陰極電極90e之一部分、及該輔助無機發光體100B之陰極電極114之一部分。具體而言，去除對向陰極電極90e及陰極電極114之連接於輔助無機發光體100B之第2輔助無機發光元件102GB之部分、及連接於輔助無機發光體100B之第3輔助無機發光元件102BB之部分。亦即，設為使對向陰極電極90e及陰極電極114，針對發出與當不良無機發光元件102N為正常之狀態時發出之波長頻帶之光相同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B連接之狀態。而且，針對發出與當不良無機發光元件102N為正常之狀態時發出之波長頻帶之光不同之波長頻帶之光之輔助無機發光元件102B，將對向陰極電極90e及陰極電極114設為非連接之狀態。步驟S58A之對向陰極電極90e與陰極電極114之去除方法與第1實施形態同樣。
當執行步驟S58A後，如步驟S60A所示般，於去除對向陰極電極90e之一部分與陰極電極114之一部分而形成之空間AR填充絕緣體80B。
另一方面，在步驟S58B中，去除連接於像素PixAa中所含之輔助無機發光體100B之對向陰極電極90e、及該輔助無機發光體100B之陰極電極114。具體而言，去除對向陰極電極90e及陰極電極114之連接於輔助無機發光體100B之所有輔助無機發光元件102B之對向陰極電極90e與陰極電極114。亦即，對於輔助無機發光體100B之所有輔助無機發光元件102B，將對向陰極電極90e及陰極電極114，設為非連接之狀態。當執行步驟S58B後，如步驟S60B所示般，於去除對向陰極電極90e與陰極電極114而形成之空間AR填充絕緣體80B。
如以上所說明般，在第2實施形態中，於像素Pixa預先搭載3個單色無機發光體100A、及1個輔助無機發光體100B。因而，即便於1個單色無機發光體100A成為不良之情形下，亦可以輔助無機發光體100B予以替代。進而，藉由預先搭載輔助無機發光體100B，而無需去除不良無機發光體100N並換裝為輔助無機發光體100B之工序，可降低作業負載。
又，如第2實施形態般，於在像素Pixa搭載3個單色無機發光體100A與1個輔助無機發光體100B之情形下，於在單色無機發光體100A無不良其可發光之情形下、或於單色無機發光體100A雖然可發光但因連接不良等，光之強度較低之情形下等，亦可使輔助無機發光體100B發光。此情形下，可藉由輔助無機發光體100B，補強1個單色無機發光體100A發出之光之強度。亦即，藉由於1個像素Pixa中，使3個單色無機發光體100A與1個輔助無機發光體100B發光，而可提高1個單色無機發光體100A發出之波長頻帶之光之強度。以下，針對該情形之驅動方法進行說明。以下，以輔助無機發光體100B、亦即輔助像素49BB發出第1波長頻帶之光、此處為紅色之光之情形為例進行說明。
圖14係用於在第2實施形態中，說明輸出灰階值之設定方法之流程圖。如圖14所示，首先，信號處理電路160擷取入1圖框圖像(步驟S70)。具體而言，緩衝器166擷取入1圖框份之影像信號Vsig，且記憶與紅色、綠色、藍色各者對應之輸入灰階值SiR、SiG、SiB。
第1處理電路162就每一像素Pix判斷輸入灰階值SiR是否大於0(步驟S72)。換言之，就每一像素Pixa判斷是否存在紅色之顯示。於輸入灰階值SiR大於0之情形(步驟S72；是)下，第1處理電路162將輸入灰階值SiR與臨限值Lth進行比較(步驟S74)。臨限值Lth之值雖然被預設，但可任意地設定。於輸入灰階值SiR為臨限值Lth以下之情形下(步驟S74；是)，第1處理電路162不點亮第1單色無機發光體100RA(第1像素49R)，使輔助無機發光體100B(輔助像素49BB)點亮(步驟S76)。具體而言，第1處理電路162設定輸出灰階值SoR，以設定之輸出灰階值SoR使輔助無機發光體100B點亮。
於輸入灰階值SiR大於臨限值Lth之情形下(步驟S74；否)，第1處理電路162判斷驅動電流值是否為電流臨限值Ith以下(步驟S78)。驅動電流值係於假定以輸出灰階值SoR使輔助無機發光體100B點亮之情形下，於輔助無機發光體100B流通之電流值。第1處理電路162基於輸出灰階值SoR算出驅動電流值。又，電流臨限值Ith值雖然被預設，但可任意地設定。於驅動電流值為電流臨限值Ith以下之情形下(步驟S78；是)，第1處理電路162使第1單色無機發光體100RA與輔助無機發光體100B之兩者點亮(步驟S79)。具體而言，第1處理電路162設定輸出灰階值SoR1a、SoR2a，以設定之輸出灰階值SoR1a使輔助無機發光體100B點亮，以設定之輸出灰階值SoR2a使第1單色無機發光體100RA點亮。第1處理電路162例如以輸出灰階值SoR1a、SoR2a之合計值成為輸出灰階值SoR之方式，設定輸出灰階值SoR1amSoR2a。
於驅動電流值大於電流臨限值Ith之情形下(步驟S78；否)，第1處理電路162使第1單色無機發光體100RA、輔助無機發光體100B、及相鄰無機發光體點亮(步驟S80)。相鄰無機發光體係與包含輔助無機發光體100B之像素Pixa相鄰之像素Pixa之無機發光體100中之發出與輔助無機發光體100B發出之光相同之波長頻帶之光之無機發光體100。於步驟S78中，第1處理電路162設定輸出灰階值SoR1b、SoR2b、SoR3b，以設定之輸出灰階值SoR1b使輔助無機發光體100B點亮，以設定之輸出灰階值SoR2b使第1單色無機發光體100RA點亮，以設定之輸出灰階值SoR3b使相鄰無機發光體點亮。第1處理電路162例如以輸出灰階值SoR1b、SoR2b、SoR3b之合計值成為輸出灰階值SoR之方式，設定輸出灰階值SoR1b、SoR2b、SoR3b。
又，於輸入灰階值SiR為0之情形下(步驟S72；否)，第1處理電路162設定灰階值0作為輸出灰階值SoR，不點亮第1單色無機發光體100RA、與輔助無機發光體100B(步驟S82)。
又，針對由在本實施形態中所述之態樣所帶來之其他之作用效果，若係根據本說明書記載而明確者，或由熟悉此項技術者可適宜地想到者，應當理解為係由本發明所帶來之作用效果。
1,1a:顯示裝置 2:陣列基板 10:基板 10a:第1面 10b:第2面 12:驅動電路 20:底塗層 21:第1閘極電極 24,29,35,42,45:絕緣膜 25:半導體層 27:通道區域 31:第2閘極電極 31a:閘極線 41d:汲極電極 41s:源極電極 43d:汲極連接配線 43s:源極連接配線 49:像素 49A:單色像素 49B:第3像素 49BB:輔助像素 49G:第2像素 49R:第1像素 50e:對向陽極電極 50f:連接層 52:連接導電部 60:陰極配線 66:絕緣膜 70:絕緣膜 80:平坦化膜 80B:絕緣體 90e:對向陰極電極 92:罩部 100:無機發光體 100A:單色無機發光體 100B:輔助無機發光體 100BA:第3單色無機發光體 100GA:第2單色無機發光體 100N:不良無機發光體 100RA:第1單色無機發光體 101B:輔助無機發光元件集合體 102:無機發光元件 102A:單色無機發光元件 102B:輔助無機發光元件 102BA:第3單色無機發光元件 102BB:第3輔助無機發光元件 102GA:第2單色無機發光元件 102GB:第2輔助無機發光元件/第2無機發光元件 102N:不良無機發光元件 102RA:第1單色無機發光元件 102RB:第1輔助無機發光元件 103BB:第3區域 103GB:第2區域/區域 103RB:第1區域/區域 104,104B:n型包層 106,106B:p型包層 108,108B:發光層 109:保護層 112:陽極電極 114:陰極電極 160:信號處理電路 162:第1處理電路 164:記憶體 166:緩衝器 200:形成基板 202:檢查用基板 202A:導電部 202B:基部 210:驅動IC AA:顯示區域 AR:空間 BCT:發光控制電晶體 BG:發光控制掃描線 CH1:接觸孔 Cs1:保持電容/電容 Cs2:電容 DB,DG,DR:直徑 DRT:驅動電晶體 Dx:第1方向 Dy:第2方向 Dz:第3方向 GA:周邊區域 IG:初始化控制掃描線 IST:初始化電晶體 L1:陽極電源線 L2:影像信號線 L3:重置信號線 L4:初始化信號線 L10:陰極電源線 LI,LIa:雷射光 PICA:像素電路 Pix,Pixa,PixA,PixAa,PixB,PixBa:像素 PVDD:陽極電源電位 PVSS:陰極電源電位 RG:重置控制掃描線 RST:重置電晶體 SG:寫入控制掃描線 SiB,SiG,SiR:輸入灰階值 SoB,SoGb,SoR:輸出灰階值 SST:寫入電晶體 Tr,TrC:電晶體 Vbg:發光控制信號 Vig:初始化控制信號 Vini:初始化電位 Vrg:重置控制信號 Vrst:重置電源電位 Vsg:寫入控制信號 Vsig:影像信號
圖1係顯示第1實施形態之顯示裝置之構成例之平面圖。 圖2係顯示第1實施形態之複數個像素之平面圖。 圖3係對顯示裝置之像素電路之構成例予以顯示之電路圖。 圖4係對顯示裝置之像素電路之構成例予以顯示之電路圖。 圖5係圖1之V-V’剖視圖。 圖6係顯示本實施形態之單色無機發光體之構成例之剖視圖。 圖7係顯示本實施形態之輔助無機發光體之構成例之剖視圖。 圖8係顯示本實施形態之輔助無機發光體之構成例之俯視圖。 圖9係說明第1實施形態之顯示裝置之製造方法之示意圖。 圖10係示意性顯示信號處理電路之構成之方塊圖。 圖11係用於在第1實施形態中，說明輸出灰階值之設定方法之流程圖。 圖12係顯示第2實施形態之複數個像素之平面圖。 圖13係說明第2實施形態之顯示裝置之製造方法之示意圖。 圖14係用於在第2實施形態中，說明輸出灰階值之設定方法之流程圖。
1:顯示裝置
49A:單色像素
49B:第3像素
49BB:輔助像素
49G:第2像素
49R:第1像素
100:無機發光體
100A:單色無機發光體
100B:輔助無機發光體
100BA:第3單色無機發光體
100GA:第2單色無機發光體
100RA:第1單色無機發光體
102:無機發光元件
102A:單色無機發光元件
102B:輔助無機發光元件
102BA:第3單色無機發光元件
102BB:第3輔助無機發光元件
102GA:第2單色無機發光元件
102GB:第2輔助無機發光元件/第2無機發光元件
102RA:第1單色無機發光元件
102RB:第1輔助無機發光元件
Dx:第1方向
Dy:第2方向
Dz:第3方向
Pix,PixA,PixB:像素

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置，其具備：矩陣狀排列之複數個無機發光體、及連接於複數個前述無機發光體之對向電極；且複數個前述無機發光體包含：單色無機發光體，其可發出特定波長頻帶之光；及輔助無機發光體，其具備：在被供給電流之情形下可發出第1波長頻帶之光之第1輔助無機發光元件、在被供給電流之情形下可發出第2波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件、及連接於第1輔助無機發光元件與第2輔助無機發光元件之電極；前述對向電極連接於前述單色無機發光體及前述第1輔助無機發光元件，未連接於前述第2輔助無機發光元件；且於自前述無機發光體與前述對向電極排列之方向觀察之情形下，設置1個前述輔助無機發光體之區域較設置1個前述單色無機發光體之區域廣。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1波長頻帶與包含於相同像素之前述單色無機發光體發出之光之波長頻帶不同。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1波長頻帶與包含於相同像素之前述單色無機發光體發出之光之波長頻帶重疊。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第2波長頻帶與包含於相同像素之前述單色無機發光體發出之光之波長頻帶重疊。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1輔助無機發光元件及前述第2輔助無機發光元件為柱狀，自軸向觀察之情形之前述第1輔助無機發光元件之寬度與前述第2輔助無機發光元件之寬度不同。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中於自前述無機發光體與前述對向電極排列之方向觀察之情形下，設置前述第1輔助無機發光元件之區域之面積，與設置前述第2輔助無機發光元件之區域之面積不同。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中前述輔助無機發光體更具備第3輔助無機發光元件，該第3輔助無機發光元件在被供給電流之情形下可發出第3波長頻帶之光；且前述對向電極未連接於前述第3輔助無機發光元件。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中前述無機發光體包含：可發出前述第2波長頻帶之光之前述單色無機發光體、及可發出前述第3波長頻帶之光之前述單色無機發光體。
  9. 一種顯示裝置之製造方法，其包含：單色無機發光體形成步驟，其形成可發出特定波長頻帶之光之單色無機發光體；輔助無機發光體形成步驟，其形成輔助無機發光體，該輔助無機發光體具備：在被供給電流之情形下可發出第1波長頻帶之光之第1輔助無機 發光元件、在被供給電流之情形下可發出第2波長頻帶之光之第2輔助無機發光元件、及連接於前述第1輔助無機發光元件與前述第2輔助無機發光元件之電極；及對向電極形成步驟，其形成對向電極，該對向電極連接於前述單色無機發光體及前述第1輔助無機發光元件，未連接於前述第2輔助無機發光元件；且於自前述無機發光體與前述對向電極排列之方向觀察之情形下，設置1個前述輔助無機發光體之區域較設置1個前述單色無機發光體之區域廣。
TW109126824A 2019-09-12 2020-08-07 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 TWI757822B (zh)

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