CN112489569B - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。显示装置在发生了不良的情况下也能适当地使用。显示装置具备排列为矩阵状的多个无机发光体(100)和与多个无机发光体连接的对置电极，多个无机发光体包含：单色无机发光体(100A)，其能够发出规定波段的光；和辅助无机发光体(100B)，其具备在被供给电流的情况下能够发出第1波段的光的第1辅助无机发光元件(102RB)、在被供给电流的情况下能够发出第2波段的光的第2辅助无机发光元件(102GB)及与第1辅助无机发光元件及第2辅助无机发光元件连接的电极。对置电极与单色无机发光体及第1辅助无机发光元件连接、且不与第2辅助无机发光元件连接。

Description

显示装置及显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件，使用微小尺寸的发光二极管(微LED(micro LED))的显示装置受到关注(例如，参见专利文献1)。多个发光二极管与阵列基板(在专利文献1中为驱动背板)连接，阵列基板具备用于驱动发光二极管的像素电路(在专利文献1中为电子控制电路)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2017-529557号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，使用发光二极管的显示装置，因为发光二极管的尺寸小等原因，发光二极管向基板的搭载等制造困难，容易导致发光二极管的不良。在将发生不良的显示装置弃之不用等情况下，成品率降低。因此，对于使用发光二极管的显示装置而言，要求即使在制造时发生了不良的情况下，也能够适当地使用。

本发明是鉴于上述课题做出的，目的在于提供一种即使在制造时发生了不良的情况下，也能够适当使用的显示装置及显示装置的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明一个方案的显示装置具备排列为矩阵状的多个无机发光体和与多个所述无机发光体连接的对置电极，多个所述无机发光体包含：单色无机发光体，其能够发出规定波段的光；和辅助无机发光体，其具备在被供给电流的情况下能够发出第1波段的光的第1辅助无机发光元件、在被供给电流的情况下能够发出第2波段的光的第2辅助无机发光元件及与第1辅助无机发光元件及第2辅助无机发光元件连接的电极，所述对置电极与所述单色无机发光体及所述第1辅助无机发光元件连接且不与所述第2辅助无机发光元件连接。

本发明一个方案的显示装置的制造方法包括下述步骤：单色无机发光体形成步骤，其中，形成能够发出规定波段的光的单色无机发光体；辅助无机发光体形成步骤，其中，形成辅助无机发光体，所述辅助无机发光体具备在被供给电流的情况下能够发出第1波段的光的第1辅助无机发光元件、在被供给电流的情况下能够发出第2波段的光的第2辅助无机发光元件及与所述第1辅助无机发光元件及所述第2辅助无机发光元件连接的电极；和对置电极形成步骤，其中，形成对置电极，所述对置电极与所述单色无机发光体及所述第1辅助无机发光元件连接且不与所述第2辅助无机发光元件连接。

附图说明

图1是示出第1实施方式的显示装置的构成例的俯视图。

图2是示出第1实施方式中的多个像素的俯视图。

图3是示出显示装置的像素电路的构成例的电路图。

图4是示出显示装置的像素电路的构成例的电路图。

图5是图1的V-V’剖视图。

图6是示出本实施方式的单色无机发光体的构成例的剖视图。

图7是示出本实施方式的辅助无机发光体的构成例的剖视图。

图8是示出本实施方式的辅助无机发光体的构成例的俯视图。

图9是说明第1实施方式的显示装置的制造方法的示意图。

图10是示意性示出信号处理电路的构成的框图。

图11是用于说明第1实施方式中输出灰度值的设定方法的流程图。

图12是示出第2实施方式中的多个像素的俯视图。

图13是说明第2实施方式的显示装置的制造方法的示意图。

图14是用于说明第2实施方式中输出灰度值的设定方法的流程图。

附图标记说明

1 显示装置

50e 对置阳极电极

50f 连接层

52 连接导电部

90e 对置阴极电极

100 无机发光体

100A 单色无机发光体

100B 辅助无机发光体

102B 辅助无机发光元件

102RB 第1辅助无机发光元件

102GB 第2辅助无机发光元件

102BB 第3辅助无机发光元件

112 阳极电极

114 阴极电极

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。需要说明的是，本公开只不过是一例，本领域技术人员保持发明主旨的适当变更及容易想到的技术方案当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加明确，附图中各部分的宽度、厚度、形状等存在与实际的方式相比示意性表示的情况，但只不过是一例，并非对本发明的解释加以限定。另外，在本说明书和各附图中，存在对与关于已有附图在前说明的要素相同的要素标注同一附图标记并适当省略详细的情况。

(第1实施方式)

(显示装置的构成)

图1是示出第1实施方式的显示装置的构成例的俯视图。如图1所示，第1实施方式的显示装置1包含阵列基板2、像素Pix、驱动电路12、驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)210和阴极布线60。阵列基板2为用于驱动各像素Pix的驱动电路基板，也称为背板或有源矩阵基板。阵列基板2具有基板10、多个晶体管、多个电容及各种布线等。

如图1所示，显示装置1具有显示区域AA和周边区域GA。显示区域AA为配置有多个像素Pix的区域，是显示图像的区域。周边区域GA为不与多个像素Pix重叠的区域，且配置在显示区域AA的外侧。

多个像素Pix在基板10的显示区域AA中在第1方向Dx及第2方向Dy上排列。需要说明的是，第1方向Dx及第2方向Dy为相对阵列基板2的基板10的第1面10a(参见图5)平行的方向。第1方向Dx与第2方向Dy正交。但是，第1方向Dx也可以与第2方向Dy交叉而不正交。第3方向Dz为与第1方向Dx及第2方向Dy正交的方向。第3方向Dz例如与基板10的法线方向对应。以下，所谓俯视观察，表示在从第3方向Dz观察的情况下的位置关系。

驱动电路12设置在基板10的周边区域GA。驱动电路12为基于来自驱动IC210的各种控制信号对多条栅极线(例如发光控制扫描线BG、复位控制扫描线RG、初始化控制扫描线IG及写入控制扫描线SG(参见图3))进行驱动的电路。驱动电路12依次或同时选择多条栅极线，向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素Pix。

驱动IC210为对显示装置1的显示进行控制的电路。驱动IC210也可以在基板10的周边区域GA中以COG(Chip On Glass：覆晶玻璃)的形式安装。不限于此，驱动IC210也可以在与基板10的周边区域GA连接的布线基板之上以COF(Chip On Film：覆晶薄膜)的形式安装。需要说明的是，与基板10连接的布线基板例如为柔性印刷基板、刚性基板。

阴极布线60设置在基板10的周边区域GA。阴极布线60以包围显示区域AA的多个像素Pix及周边区域GA的驱动电路12的方式设置。多个无机发光体100(参见图4)的阴极(阴极电极114(参见图4))与公共的阴极布线60连接，并被供给固定电位(例如接地电位)。更具体来说，无机发光体100的阴极电极114经由阵列基板2上的对置阴极电极90e与阴极布线60连接。需要说明的是，阴极布线14在一部分具有狭缝，在基板10上也可以由两个不同的布线形成。

图2是示出第1实施方式中的多个像素的俯视图。如图2所示，一个像素Pix包含多个像素49。像素49各自具有具备无机发光元件102的无机发光体100。无机发光体100为在俯视观察时具有数μm以上且300μm以下左右大小的无机发光二极管(LED：Light EmittingDiode)芯片，通常，将一个芯片尺寸为100μm以上的LED称为迷你LED(miniLED)，将小于100μm且为数μm的尺寸的LED称为微LED(micro LED)。在本发明中，能够使用任意尺寸的LED，根据显示装置的画面尺寸(一个像素的大小)灵活使用即可。各像素具备微LED(micro LED)的显示装置也被称为微LED显示装置。需要说明的是，微LED的微并不构成对无机发光体100大小的限定。关于无机发光体100及无机发光元件102的构造见后述。

本实施方式的显示装置1作为像素Pix具有像素PixA和像素PixB。像素PixA具有第1像素49R、第2像素49G和第3像素49B。第1像素49R是发出第1波段的光的像素。在本实施方式中，第1波段的光为作为第1色的原色的红色的光，因此第1像素49R显示作为第1色的原色的红色。第2像素49G是发出与第1波段不同的第2波段的光的像素。在本实施方式中，第2波段的光是作为第2色的原色的绿色的光，因此第2像素49G显示作为第2色的原色的绿色。第3像素49B是发出与第1波段及第2波段不同的第3波段的光的像素。在本实施方式中，第3波段的光是作为第3色的原色的蓝色的光，因此第3像素49B显示作为第3色的原色的蓝色。需要说明的是，第1色、第2色、第3色各自不限于红色、绿色、蓝色，能够选择补色等任意颜色。即，第1波段、第2波段、第3波段不限于分别与红色、绿色、蓝色对应。另外，如图2所示，在一个像素PixA中，第1像素49R与第3像素49B在第1方向Dx上排列。另外，第2像素49G与第3像素49B在第2方向Dy上排列。以下，在不需要分别区分第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B及后述的辅助像素49BB的情况下，称为像素49。需要说明的是，一个像素Pix中包含的像素49不限于3个，也可以与4个以上的像素49建立对应。例如，也可以包含与作为第4色的白色建立了对应的第4像素49W。另外，多个像素49的配置不限于图2所示的构成。例如，第1像素49R也可以在第1方向Dx上与第2像素49G相邻。另外，第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B也可以依次在第1方向Dx上重复排列。

第1像素49R作为无机发光体100具有发出第1波段的光的第1单色无机发光体100RA，第2像素49G作为无机发光体100具有发出第2波段的光的第2单色无机发光体100GA，第3像素49B作为无机发光体100具有发出第3波段的光的第3单色无机发光体100BA。第1单色无机发光体100RA作为无机发光元件102包含第1单色无机发光元件102RA，第2单色无机发光体100GA作为无机发光元件102包含第2单色无机发光元件102GA，第3单色无机发光体100BA作为无机发光元件102包含第3单色无机发光元件102BA。第1单色无机发光体100RA(第1单色无机发光元件102RA)、第2单色无机发光体100GA(第2单色无机发光元件102GA)及第3单色无机发光体100BA(第3单色无机发光元件102BA)可以说为发出单色且颜色相互不同的光的无机发光体100(无机发光元件102)。以下，在不区分第1单色无机发光体100RA、第2单色无机发光体100GA及第3单色无机发光体100BA情况下，记为单色无机发光体100A。同样地，在不区分第1单色无机发光元件102RA、第2单色无机发光元件102GA及第3单色无机发光元件102BA的情况下，记为单色无机发光元件102A。可以说单色无机发光体100A具备发出规定波段的光的一种单色无机发光元件102A。

像这样，像素PixA具有分别显示单种颜色的第1像素49R、第2像素49G和第3像素49B。在不区分第1像素49R、第2像素49G和第3像素49B的情况下，记为单色像素49A。可以说单色像素49A具备发出规定波段的光的一种无机发光体100(无机发光元件102)。像素PixA具有3个单色像素49A，另一方面，像素PixB具有单色像素49A和辅助像素49BB。更具体来说，像素PixB具有2个单色像素49A和1个辅助像素49BB。在图2的例子中，像素PixB具备作为2个单色像素49A的第2像素49G及第3像素49B、及1个辅助像素49BB。

辅助像素49BB具备辅助无机发光体100B。辅助无机发光体100B作为无机发光元件102具备多种辅助无机发光元件102B。辅助无机发光元件102B为在被供给了用于发光的电流(与后述的阳极电源电位PVDD对应的电流)的情况下发光的无机发光元件102。各辅助无机发光元件102B在被供给了用于发光的电流的情况下发出的光的波段互不相同。具体来说，辅助无机发光体100B作为辅助无机发光元件102B具备第1辅助无机发光元件102RB、第2辅助无机发光元件102GB和第3辅助无机发光元件102BB。第1辅助无机发光元件102RB在被供给了用于发光的电流的情况下发出第1波段的光。第2辅助无机发光元件102GB在被供给了用于发光的电流的情况下发出第2波段的光。第3辅助无机发光元件102BB在被供给了用于发光的电流的情况下发出第3波段的光。

辅助无机发光体100B(辅助像素49BB)在第1辅助无机发光元件102RB、第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB全部发光的情况下，发出由第1波段、第2波段及第3波段的光叠加而得的白色的光。但是，对于辅助无机发光体100B而言，多种辅助无机发光元件102B中的仅一部分元件处于能够供给用于发光的电流的状态，换言之成为能够发光的状态。因此，辅助无机发光体100B实际不发出白色的光，而仅发出处于能够发光的状态的一部分辅助无机发光元件102B的波段的光。具体来说，对于辅助无机发光体100B而言，由于多种辅助无机发光元件102B中的仅一种辅助无机发光元件102B处于能够发光的状态，因此发出第1波段、第2波段、第3波段中的一个波段的光。在图2的例子中，辅助无机发光体100B(辅助像素49BB)由于第1辅助无机发光元件102RB、第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB中的仅第1辅助无机发光元件102RB处于能够发光的状态，因此发出由第1辅助无机发光元件102RB产生的第1波段的光(第1色的光)。

像这样，在图2的例子中，像素PixB具备发出第2波段的光的第2像素49G(第2单色无机发光体100GA)、发出第3波段的光的第3像素49B(第3单色无机发光体100BA)和发出第1波段的光的辅助像素49BB(辅助无机发光体100B)。对于辅助无机发光体100B(辅助像素49BB)而言，发出与相同像素PixB中包含的单色无机发光体100A(单色像素49A)不同波段的光的辅助无机发光元件102B(此处为第1辅助无机发光元件102RB)可以说是处于能够发光的状态。并且，对于辅助无机发光体100B(辅助像素49BB)而言，发出与相同像素PixB中包含的单色无机发光体100A(单色像素49A)相同波段的光的辅助无机发光元件102B(此处为第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB)可以说是处于不能发光状态、即不能供给用于发光的电流的状态。

如上所述，显示装置1作为像素Pix包含像素PixA和像素PixB。像素PixA为下述这样的像素，其自身包含的单色无机发光体100A未发生不良，全部单色无机发光体100A被保留而未更换。另一方面，像素PixB为下述这样的像素，由于检测到其自身包含的单色无机发光体100A发生不良，因此将发生不良的单色无机发光体100A更换为辅助无机发光体100B。需要说明的是，在图2的例子中，为了便于说明，像素PixA为3个而像素PixB为1个，但像素PixA及像素PixB的排列顺序及数量取决于在哪个像素Pix中发生不良，因此是任意的。

图3及图4是示出显示装置的像素电路的构成例的电路图。图3示出与作为无机发光体100的单色无机发光体100A连接的电路构成，图4示出与作为无机发光体100的辅助无机发光体100B连接的电路构成。

如图3所示，像素电路PICA分别设置在第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B的各自中。像素电路PICA为设置在基板10上并向无机发光体100供给驱动信号(电流)的电路。需要说明的是，在图3中，关于像素电路PICA的说明也能够应用于第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各自具有的像素电路PICA。

如图3所示，像素电路PICA包含无机发光体100、5个晶体管和两个电容。具体来说，像素电路PICA包含发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST、复位晶体管RST及驱动晶体管DRT。一部分晶体管也可以由相邻的多个像素49共用。例如，发光控制晶体管BCT也可以经由公共布线由3个像素49共用。另外，复位晶体管RST设置在周边区域GA中，也可以在例如像素49的各行设置1个。在该情况下，复位晶体管RST经由公共布线与多个驱动晶体管DRT的源极连接。但是，复位晶体管RST也可以与驱动晶体管DRT的源极连接。

像素电路PICA具有的多个晶体管分别由n型TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)构成。但不限于此，各晶体管也可以分别由p型TFT构成。在使用p型TFT的情况下，也可以适当地匹配电源电位、保持电容Cs1及电容Cs2的连接。

发光控制扫描线BG与发光控制晶体管BCT的栅极连接。初始化控制扫描线IG与初始化晶体管IST的栅极连接。写入控制扫描线SG与写入晶体管SST的栅极连接。复位控制扫描线RG与复位晶体管RST的栅极连接。

发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG及复位控制扫描线RG分别与驱动电路12(参见图1)连接。驱动电路12分别向发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG及复位控制扫描线RG供给发光控制信号Vbg、初始化控制信号Vig、写入控制信号Vsg及复位控制信号Vrg。

驱动IC210(参见图1)分时地向第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各自的像素电路PICA供给影像信号Vsig。在第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B的各列与驱动IC210之间设置多路复用器等开关电路。影像信号Vsig经由影像信号线L2被向写入晶体管SST供给。另外，驱动IC210经由复位信号线L3向复位晶体管RST供给复位电源电位Vrst。驱动IC210经由初始化信号线L4向初始化晶体管IST供给初始化电位Vini。

发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST及复位晶体管RST作为选择2个节点间的导通与非导通的开关元件发挥功能。驱动晶体管DRT作为对应于栅极与漏极之间的电压而对流过无机发光体100的电流进行控制的电流控制元件发挥功能。

无机发光体100的阴极(阴极电极114)与阴极电源线L10连接。另外，无机发光体100的阳极(阳极电极112)经由驱动晶体管DRT及发光控制晶体管BCT与阳极电源线L1(第1电源线)连接。向阳极电源线L1供给阳极电源电位PVDD(第1电位)。向阴极电源线L10供给阴极电源电位PVSS(第2电位)。阳极电源电位PVDD为高于阴极电源电位PVSS的电位。阴极电源线L10包含阴极布线60。

另外，像素电路PICA包含电容Cs1及电容Cs2。电容Cs1为在驱动晶体管DRT的栅极与源极之间形成的保持电容。电容Cs2为在驱动晶体管DRT的源极及无机发光体100的阳极与阴极电源线L10之间形成的附加电容。

需要说明的是，对于像素电路PICA而言，也可以在发光控制晶体管BCT和驱动晶体管DRT之间设置晶体管CCT。在该情况下，晶体管CCT的源极与发光控制晶体管BCT的漏极连接，晶体管CCT的漏极与驱动晶体管DRT的源极连接。并且，在晶体管CCT的栅极上，连接向晶体管CCT的栅极供给电位的布线CG。通过经由布线CG向晶体管CCT的栅极供给电位，从而将发光控制晶体管BCT的漏极和驱动晶体管DRT的源极设为导通状态，在未经由布线CG向晶体管CCT的栅极供给电位的情况下，将发光控制晶体管BCT的漏极和驱动晶体管DRT的源极设为非导通状态。

显示装置1从第1行的像素49到最末行的像素49进行驱动，在1帧期间显示1帧的图像。

在复位期间，根据从驱动电路12供给的各控制信号，发光控制扫描线BG的电位成为L(低)电平，复位控制扫描线RG的电位成为H(高)电平。由此，发光控制晶体管BCT成为截止(非导通状态)，复位晶体管RST成为导通(导通状态)。

由此，像素49内残留的电荷经由复位晶体管RST流向外部，驱动晶体管DRT的源极被固定为复位电源电位Vrst。复位电源电位Vrst以相对于阴极电源电位PVSS具有规定的电位差的方式设定。在该情况下，复位电源电位Vrst与阴极电源电位PVSS的电位差小于无机发光体100开始发光的电位差。

接下来，根据从驱动电路12供给的各控制信号，初始化控制扫描线IG的电位变为H电平。初始化晶体管IST变为导通。经由初始化晶体管IST，驱动晶体管DRT的栅极被固定为初始化电位Vini。

接下来，根据从驱动电路12供给的各控制信号，初始化控制扫描线IG的电位变为H电平。初始化晶体管IST变为导通。经由初始化晶体管IST，驱动晶体管DRT的栅极被固定为初始化电位Vini。

另外，驱动电路12使发光控制晶体管BCT导通，使复位晶体管RST截止。驱动晶体管DRT在源极电位变为(Vini-Vth)时截止。由此，能够针对每个像素49获取驱动晶体管DRT的阈值电压Vth，每个像素49的阈值电压Vth的偏差被抵消。

接下来，在影像信号写入动作期间，根据从驱动电路12供给的各控制信号，发光控制晶体管BCT变为截止，初始化晶体管IST变为截止，写入晶体管SST变为导通。在属于1行的像素49中，影像信号Vsig被输入驱动晶体管DRT的栅极。影像信号线L2沿第2方向Dy延伸，与属于同列的多行像素49连接。因此，在影像信号写入动作期间针对每1行来实施。

接下来，在发光动作期间，根据从驱动电路12供给的各控制信号，发光控制晶体管BCT变为导通，写入晶体管SST变为截止。从阳极电源线L1经由发光控制晶体管BCT向驱动晶体管DRT供给阳极电源电位PVDD。驱动晶体管DRT将与栅极源极间的电压对应的电流向无机发光体100供给。无机发光体100以与该电流对应的亮度发光。

需要说明的是，驱动电路12可以逐行驱动像素49，也可以同时驱动2行像素49、还可以同时驱动3行以上的像素49。

需要说明的是，上述图3所示的像素电路PICA的构成只不过是一例，能够适当变更。例如一个像素49中的布线的数量及晶体管的数量也可以不同。另外，像素电路PICA也可以采用电流镜电路等构成。

如图3所示，单色无机发光体100A包含一种单色无机发光元件102A，另一方面，如图4所示，辅助无机发光体100B包含多种辅助无机发光元件102B。如图4所示，辅助无机发光体100B中的辅助无机发光元件102B并列排列。并且，多个辅助无机发光元件102B中的1个辅助无机发光元件102B(此处为第1辅助无机发光元件102RB)与阴极电源线L10连接，从而被供给用于发光的电流、即与阳极电源电位PVDD对应的电流而发光。另一方面，多个辅助无机发光元件102B中的其他辅助无机发光元件102B(此处为第2无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB)处于不与阴极电源线L10连接的状态，从而未被供给用于发光的电流、即与阳极电源电位PVDD对应的电流而不发光。需要说明的是，第1辅助无机发光元件102RB与对置阴极电极90e连接，从而与阴极电源线L10连接而处于能够发光的状态，第2无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB处于不与对置阴极电极90e连接的状态，从而变得不与阴极电源线L10连接而处于不能发光状态，详细见后述。

图5是图1的IV-IV’剖视图。如图5所示，显示装置1的阵列基板2具备基板10和多个晶体管。基板10具有第1面10a和第1面10a的相反侧的第2面10b。基板10为绝缘基板，例如为玻璃基板、石英基板或丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂制的柔性基板。

需要说明的是，在本说明书中，在与基板10的表面垂直的方向上，将从基板10朝向无机发光体100的方向记为“上侧”或简记为“上”。另外，将从无机发光体100朝向基板10的方向记为“下侧”或简记为“下”。另外，当表述在某个构造体之上配置其他构造体的形态时，在简记为“在……上”的情况下，只要没有特别说明，包含以与某个构造体接触的方式在正上方配置其他构造体的情况和在某个构造体的上方还隔着其他构造体配置另外的构造体的情况这两者。

底涂层20设置在基板10的第1面10a上。需要说明的是，也可以在基板10的第1面10a上设置遮光层。在该情况下，底涂层20覆盖遮光层。遮光层只要为遮断光的材料则可以是任意的，例如也可以是钼钨合金膜。

多个晶体管设置在底涂层20上。例如，在基板10的显示区域AA中，作为多个晶体管分别设有像素49中包含的驱动晶体管DRT及写入晶体管SST。在基板10的周边区域GA中，作为多个晶体管设有驱动电路12中包含的晶体管TrC。需要说明的是，虽然示出多个晶体管中的驱动晶体管DRT、写入晶体管SST及晶体管TrC，但像素电路PICA中包含的发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST及复位晶体管RST也具有与驱动晶体管DRT相同的层叠构造。需要说明的是，在以下的说明中，在无需区分说明多个晶体管的情况下，简记为晶体管Tr。

晶体管Tr为例如双面栅极构造的TFT。晶体管Tr分别具有第1栅电极21、第2栅电极31、半导体层25、源电极41s和漏电极41d。第1栅电极21设置在底涂层20上。绝缘膜24设置在底涂层20上并覆盖第1栅电极21。半导体层25设置在绝缘膜24上。半导体层25例如使用多晶硅。但是，半导体层25不限于此，也可以是微晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、低温多晶硅等。绝缘膜29设置在半导体层25上。第2栅电极31设置在绝缘膜29上。

底涂层20、绝缘膜24、29、45为无机绝缘膜，例如由氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)等形成。在第3方向Dz上，第1栅电极21与第2栅电极31隔着绝缘膜24、半导体层25及绝缘膜29对置。在绝缘膜24、29中，由第1栅电极21与第2栅电极31夹入的部分作为栅极绝缘膜发挥功能。另外，在半导体层25中，由第1栅电极21与第2栅电极31夹入的部分成为晶体管Tr的沟道区域27。在半导体层25中，与源电极41s连接的部分为晶体管Tr的源极区域，与漏电极41d连接的部分为晶体管Tr的漏极区域。在沟道区域27与源极区域之间及沟道区域27与漏极区域之间分别设有低浓度杂质区域。需要说明的是，作为晶体管Tr仅示出n型TFT，但也可以同时形成p型TFT。

栅极线31a与驱动晶体管DRT的第2栅电极31连接。在基板10与栅极线31a之间设有绝缘膜29，在栅极线31a与基板10之间形成电容CS。第1栅电极21、第2栅电极31及栅极线31a例如由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)或这些金属的合金膜构成。

在本实施方式中，晶体管Tr并非限定于双面栅极构造。晶体管Tr也可以是栅电极仅由第1栅电极21构成的底栅型。另外，晶体管Tr也可以是栅电极仅由第2栅电极31构成的顶栅型。另外，也可以没有底涂层20。

显示装置1具有设置在基板10的第1面10a上并覆盖多个晶体管Tr的绝缘膜35。源电极41s设置在绝缘膜35上，经由在绝缘膜35中设置的贯通孔与多个晶体管Tr的各源极连接。漏电极41d设置在绝缘膜35上，经由在绝缘膜35中设置的贯通孔与多个晶体管Tr的各漏极连接。在周边区域GA中，阴极布线60设置在绝缘膜35上。绝缘膜42覆盖源电极41s、漏电极41d及阴极布线60。绝缘膜35为无机绝缘膜，绝缘膜42为有机绝缘膜。源电极41s及漏电极41d由作为钛和铝的层叠构造的TiAlTi或TiAl的层叠膜构成。另外，绝缘膜42使用感光性丙烯酸等有机材料。

源电极41s的一部分形成在与栅极线31a重叠的区域中。由隔着绝缘膜35对置的栅极线31a和源电极41s形成电容Cs1。另外，栅极线31a形成在与半导体层25的一部分重叠的区域中。电容Cs1也包含由隔着绝缘膜24对置的半导体层25和栅极线31a形成的电容。

显示装置1具有源极连接布线43s、漏极连接布线43d、绝缘膜45、对置阳极电极50e、绝缘膜66、连接层50f、连接导电部52、无机发光体100、绝缘膜70、平坦化膜80、对置阴极电极90e和罩部92。源极连接布线43s设置在绝缘膜42上，经由在绝缘膜42中设置的贯通孔与源电极41s连接。漏极连接布线43d设置在绝缘膜42上，经由在绝缘膜42中设置的贯通孔与漏电极41d连接。绝缘膜45设置在绝缘膜42上并覆盖源极连接布线43s和漏极连接布线43d。对置阳极电极50e设置在绝缘膜45上，经由在绝缘膜45中设置的贯通孔与驱动晶体管DRT的漏极连接布线43d连接。源极连接布线43s及漏极连接布线43d由例如铟锡氧化物(ITO、Indium Tin Oxide)等透明性导电体形成。

绝缘膜66设置在绝缘膜45上并覆盖对置阳极电极50e。连接层50f设置在绝缘膜66上，经由在绝缘膜66中设置的贯通孔与对置阳极电极50e连接。连接导电部52设置在连接层50f上。无机发光体100设置在连接导电部52之上。对置阳极电极50e经由连接层50f及连接导电部52与无机发光体100的阳极电极112连接。在隔着绝缘膜45对置的对置阳极电极50e与源极连接布线43s之间形成电容Cs2。

绝缘膜70设置在绝缘膜45上，并覆盖连接层50f、连接导电部52和无机发光体100的阳极电极112的侧面。绝缘膜70在与阳极电极112重叠的位置具有用于安装无机发光体100的开口。绝缘膜70的开口的面积在俯视观察时大于无机发光体100的与对置阳极电极50e的接地面。另外，对置阳极电极50e在俯视观察时大于无机发光体100的与对置阳极电极50e的接地面。平坦化膜80设置在绝缘膜70上并覆盖无机发光体100的侧面。对置阴极电极90e设置在平坦化膜80上。绝缘膜70为无机绝缘膜，由例如氮化硅膜(SiN)形成。平坦化膜80为有机绝缘膜或无机有机混合绝缘膜(在Si-O主链上键合有例如有机基团(甲基或苯基)的材料)。无机发光体100的上表面(阴极电极114)从平坦化膜80露出。对置阴极电极90e与无机发光体100的阴极电极114连接。

对置阴极电极90e经由在显示区域AA的外侧设置的接触孔CH1与在阵列基板2侧设置的阴极布线60连接。具体来说，接触孔CH1设置在平坦化膜80及绝缘膜42中，在接触孔CH1的底面设有阴极布线14。阴极布线60设置在绝缘膜35之上。也就是说，阴极布线60与源电极41s、漏电极41d同层设置并由相同材料形成。对置阴极电极90e从显示区域AA到周边区域GA连续设置，在接触孔CH1的底部与阴极布线60连接。罩部92是由例如玻璃等使光透过的构件构成的罩。但是，罩部92并非必需构成。

接下来，说明无机发光体100中的单色无机发光体100A的构成。图6是示出本实施方式的单色无机发光体的构成例的剖视图。如图6所示，单色无机发光体100A具有单色无机发光元件102A、阳极电极112和阴极电极114。

单色无机发光元件102A为进行发光的发光层。单色无机发光元件102A具有n型包覆层104、p型包覆层106、和在p型包覆层106与n型包覆层104之间设置的发光层108。在本实施方式中，单色无机发光元件102A朝向上侧按照p型包覆层106、发光层108、n型包覆层104的顺序层叠而构成。作为单色无机发光元件102A，使用氮化镓(GaN)、磷化铝铟镓(AlInGaP)或砷化铝镓(AlGaAs)或磷砷化镓(GaAsP)等化合物半导体。进一步来说，在本实施方式中，p型包覆层106及n型包覆层104使用氮化镓(GaN)等。另外，作为发光层108，使用氮化铟镓(InGaN)等。发光层108也可以是InGaN、GaN层叠而成的多量子阱构造(MQW)。

单色无机发光体100A朝向上侧按照阳极电极112、p型包覆层106、发光层108、n型包覆层104、阴极电极114的顺序层叠。在无机发光体100下设有连接导电部52，在连接导电部52下设有与对置阳极电极50e连接的连接层50f。在单色无机发光体100A上设有对置阴极电极90e。

对置阳极电极50e(参见图5)为导电性的构件、在此包含金属材料。在本实施方式中，对置阳极电极50e含有钛(Ti)和铝(Al)，例如，钛层与铝层沿着第3方向Dz层叠。对置阳极电极50e作为像素电极设置在每个单色无机发光体100A(像素49)中。

连接层50f为导电性的构件，在此包含金属材料。在本实施方式中，连接层50f由与对置阳极电极50e相同的材料构成。即，例如，连接层50f含有钛(Ti)和铝(Al)，例如，钛层与铝层沿着第3方向Dz层叠。

连接导电部52为导电性的构件，在此包含金属材料。在本实施方式中，连接导电部52由融点低于连接层50f、对置阳极电极50e的材料构成。具体来说，连接导电部52例如为焊料，使连接层50f与阳极电极112接合。

阳极电极112设置在连接导电部52之上。阳极电极112固定于连接导电部52。阳极电极112经由连接导电部52及连接层50f与对置阳极电极50e连接。阳极电极112为具有透光性的导电性的构件，例如为氧化铟锡(ITO、Indium Tin Oxide)。在阳极电极112之上设有p型包覆层106。阳极电极112与p型包覆层106连接。

阴极电极114设置在n型包覆层104之上。阴极电极114为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。阴极电极114与对置阴极电极90e连接。

作为对置电极的对置阴极电极90e为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。对置阴极电极90e为针对多个(在此为全部的)无机发光体100(像素49)公共设置的公共电极，与多个(在此为全部的)无机发光体100的阴极电极114连接。对置阴极电极90e与全部的单色无机发光体100A和全部的辅助无机发光体100B连接。

接下来，说明无机发光体100中的辅助无机发光体100B的构成。图7是示出本实施方式的辅助无机发光体的构成例的剖视图。图8是示出本实施方式的辅助无机发光体的构成例的俯视图。如图7所示，辅助无机发光体100B具有多个辅助无机发光元件102B、保护层109、阳极电极112和阴极电极114。辅助无机发光元件102B在第3方向Dz上的阳极电极112与阴极电极114之间形成为柱状。即，辅助无机发光元件102B为在阳极电极112与阴极电极114之间以第3方向Dz为轴向而延伸的柱状的构件。如图8所示，辅助无机发光元件102B为例如圆柱形状，但不限于圆柱形状，也可以是例如六棱柱等多棱柱形状。保护层109在第3方向Dz上设置在阳极电极112与阴极电极114之间，覆盖辅助无机发光元件102B的周围。保护层109为绝缘体，例如为SOG(Spin on Glass：旋涂玻璃)。

辅助无机发光元件102B为进行发光的发光层，具有n型包覆层104B、p型包覆层106B和在p型包覆层106B与n型包覆层104B之间设置的发光层108B。在本实施方式中，辅助无机发光元件102B朝向上侧而以p型包覆层106B、发光层108B、n型包覆层104B的顺序依次层叠构成。作为辅助无机发光元件102B，能够使用氮化镓(GaN)、磷化铝铟镓(AlInGaP)或砷化铝镓(AlGaAs)或磷砷化镓(GaAsP)等化合物半导体。进一步来说，在本实施方式中，p型包覆层106B及n型包覆层104B使用氮化镓(GaN)等。另外，作为发光层108B，使用氮化铟镓(InGaN)等。发光层108B也可以为由InGaN、GaN层叠而成的多量子井构造(MQW)。

辅助无机发光体100B朝向上侧依次层叠有阳极电极112、多个辅助无机发光元件102B、阴极电极114。在辅助无机发光体100B下设有连接导电部52和连接层50f，该连接层50f设置在连接导电部52下并与对置阳极电极50e连接。在辅助无机发光体100B之上设有对置阴极电极90e。对置阳极电极50e(参见图5)作为像素电极而针对每个辅助无机发光体100B设置。

阳极电极112设置在连接导电部52之上并固定于连接导电部52。阳极电极112经由连接导电部52及连接层50f与对置阳极电极50e连接。在阳极电极112之上设有各辅助无机发光元件102B。阳极电极112与各辅助无机发光元件102B的p型包覆层106B连接。在此，也可以在连接层50f与连接导电部52、连接层52f与阳极电极112之间设置阻挡金属(例如铂(Pt)、镍(Ni)、钨化钛(TiW)等。

阴极电极114设置在各辅助无机发光元件102B之上，并与各辅助无机发光元件102B的n型包覆层104B连接。在阴极电极114之上设有对置阴极电极90e。对置阴极电极90e与阴极电极114连接。

像这样，在1个辅助无机发光体100B中，对置阳极电极50e、连接层50f、连接导电部52及作为电极的阳极电极112针对多个辅助无机发光元件102B公共地设置。同样地，在1个辅助无机发光体100B中，阴极电极114及对置阴极电极90e针对多个辅助无机发光元件102B公共地设置。换言之，对置阳极电极50e、连接层50f、连接导电部52、阳极电极112、阴极电极114及对置阴极电极90e针对1个辅助无机发光体100B中包含的多个辅助无机发光元件102B设置1个。

需要说明的是，辅助无机发光体100B也可以在阴极电极114与对置阴极电极90e之间具有针对多个辅助无机发光元件102B公共地设置的包覆层。该包覆层也可以是氮化镓等化合物半导体。

辅助无机发光体100B作为辅助无机发光元件102B具有第1辅助无机发光元件102RB、第2辅助无机发光元件102GB和第3辅助无机发光元件102BB。第1辅助无机发光元件102RB、第2辅助无机发光元件102GB和第3辅助无机发光元件102BB在具有n型包覆层104B、发光层108B及p型包覆层106B这一点上共通，但从第3方向Dz观察的情况下的宽度互不相同。从第3方向Dz观察的情况下的宽度是指辅助无机发光元件102B的在与第3方向Dz正交的方向上的长度。在本例中，辅助无机发光元件102B为圆柱状，因此从第3方向Dz观察的情况下的宽度是指辅助无机发光元件102B的直径。即，如图8所示，将第1辅助无机发光元件102RB的直径设为直径DR，将第2辅助无机发光元件102GB的直径设为直径DG，将第3辅助无机发光元件102BB的直径设为直径DB，则直径DR、直径DG、直径DB成为互不相同的长度。在本实施方式中，直径DR大于直径DG，直径DG大于直径DB。辅助无机发光元件102B作为具有n型包覆层104B、发光层108B及p型包覆层106B的构造是共通的，但通过使直径像这样不同，从而能够发出不同波段的光。

另外，如上所述，辅助无机发光体100B处于多个辅助无机发光元件102B中的仅一部分元件能够发光的状态。具体来说，对于辅助无机发光体100B而言，多个辅助无机发光元件102B中的仅一部分元件与阴极电极114及对置阴极电极90e连接，从而处于能够发光的状态，对于其他辅助无机发光元件102B而言，因未与阴极电极114及对置阴极电极90e连接而成为不能发光状态。在图7及图8的例子中，第1辅助无机发光元件102RB与阴极电极114及对置阴极电极90e连接，第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB不与阴极电极114及对置阴极电极90e连接。换言之，在第1辅助无机发光元件102RB之上设有阴极电极114及对置阴极电极90e，但在第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB之上未设置阴极电极114及对置阴极电极90e。辅助无机发光体100B由于仅第1辅助无机发光元件102RB与对置阴极电极90e连接，因此仅向第1辅助无机发光元件102RB供给电流，从而仅第1辅助无机发光元件102RB发光。需要说明的是，在本实施方式中，在第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB上未连接阴极电极114及对置阴极电极90e二者，但至少不连接对置阴极电极90e即可。即，第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB只要不与对置阴极电极90e连接，即使与阴极电极114连接也不被供给电流而不发光。

另外，第1辅助无机发光元件102RB设有多个，在与第3方向Dz正交的平面中排列为矩阵状。同样地，第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB也各自设有多个，在与第3方向Dz正交的平面中排列为矩阵状。在此，如图8所示，在1个辅助无机发光体100B中，从第3方向Dz观察，将设有第1辅助无机发光元件102RB的区域设为第1区域103RB，将设有第2辅助无机发光元件102GB的区域设为第2区域103GB，将设有第3辅助无机发光元件102BB的区域设为第3区域103BB。在该情况下，第1区域103RB、第2区域103GB及第3区域103BB面积互不相同。在本实施方式的例子中，优选第1区域103RB的面积大于第2区域103GB的面积，第2区域103GB的面积大于第3区域103BB的面积。需要说明的是，在本实施方式中，成为第2区域103GB与第3区域103BB在第2方向Dy上相邻，第1区域103RB与第2区域103GB及第3区域103BB在第1方向Dx上相邻的排列。但是，第1区域103RB、第2区域103GB及第3区域103BB的排列方式可以是任意的。

需要说明的是，以下，在1个辅助无机发光体100B中，将包含全部辅助无机发光元件102B的构造体记为辅助无机发光元件集合体101B。即，辅助无机发光元件集合体101B包含1个辅助无机发光体100B的全部辅助无机发光元件102B，进一步来说，可以还包含保护层109。

单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B成为上述构成。在从无机发光体100与对置阴极电极90e排列的方向观察的情况下，即从第3方向Dz观察的情况下，优选设有1个辅助无机发光体100B的区域比设有一个单色无机发光体100A的区域宽。设有辅助无机发光体100B的区域是指例如辅助无机发光体100B的下侧的电极即阳极电极112，设有单色无机发光体100A的区域是指例如单色无机发光体100A的下侧的电极即阳极电极112。

另外，如上所述，辅助无机发光体100B的辅助无机发光元件102B成为柱状的所谓的纳米线形状，而单色无机发光体100A的单色无机发光元件102A非纳米线形状。但是，单色无机发光体100A的单色无机发光元件102A也可以是纳米线形状。在该情况下，单色无机发光体100A为使得构造与辅助无机发光元件102B相同的柱状的单色无机发光元件102A排列多个而构成，而单色无机发光元件102A用于发出相同波段的光，因此各单色无机发光元件102A的直径相同(更详细来说是规定的数值范围内)。

(显示装置的制造方法)

接下来，说明显示装置1的制造方法，更具体来说是辅助无机发光体100B的搭载方法。具备无机发光体100的显示装置1因例如无机发光体100的尺寸小导致的搭载困难性等原因，存在难以制造、导致不良的情况。若不使用成为不良的显示装置1而将其废弃处置，则成品率降低。与此相对，在本实施方式中，通过对被成为不良的显示装置1进行修复而使成为不良的显示装置1成为能够使用的状态，抑制成品率的低下。此处的不良是指搭载于显示装置1的至少一部分的单色无机发光体100A未恰当地发光的情况。作为单色无机发光体100A未恰当地发光的状态，能够举出例如暗点状态或亮点状态。暗点状态是指即使在流通用于使单色无机发光体100A发光的电流的情况下，该单色无机发光体100A也不发光的状态。另一方面，亮点状态是指即使在无用于使无机发光体100的电流流通的情况下，该无机发光体100也发光的状态。即，即使在无用于使无机发光体100发光的电流流通的情况下，也由于例如与其他布线短路等原因而导致该无机发光体100发光的状态即为亮点状态。

在本实施方式中，通过将像这样成为不良的单色无机发光体100A更换为辅助无机发光体100B，而使显示装置1成为能够使用的状态。以下，说明包含更换在内的显示装置1的制造方法。图9是说明第1实施方式的显示装置的制造方法的示意图。

如图9的步骤S10所示，在本实施方式的显示装置1的制造方法中，形成显示装置1的阵列基板2，并在阵列基板2上形成单色无机发光元件102A。具体来说，通过形成显示装置1中的比阳极电极112靠下侧的各部分和阳极电极112来形成阵列基板2。另外，在与阵列基板2不同的形成基板200上形成单色无机发光元件102A。然后，将在形成基板200上形成的单色无机发光元件102A搭载到阵列基板2上。在本实施方式中，通过激光剥离而将单色无机发光元件102A搭载到阵列基板2上。具体来说，使形成基板200的形成有单色无机发光元件102A的面与阵列基板2的形成有阳极电极112的面相对。然后，从形成基板200的与形成有单色无机发光元件102A的面相反侧的面向形成基板200上的单色无机发光元件102A照射激光LI。由此，单色无机发光元件102A从形成基板200上剥离并转印到阵列基板2的阳极电极112上。需要说明的是，在图9的例子中，在形成基板200上形成有第1单色无机发光元件102RA、第2单色无机发光元件102GA及第3单色无机发光元件102BA，但也可以将第1单色无机发光元件102RA、第2单色无机发光元件102GA及第3单色无机发光元件102BA形成在彼此不同的形成基板上。在该情况下，将第1单色无机发光元件102RA、第2单色无机发光元件102GA和第3单色无机发光元件102BA依次转印到阵列基板2上。另外，向阵列基板2上搭载单色无机发光元件102A的方法不限于激光剥离，可以是任意的。

在阵列基板2上形成单色无机发光元件102A后，如步骤S12所示，在阵列基板2上的单色无机发光元件102A上连接检查用基板202以执行点亮检查，检测单色无机发光元件102A的不良。检查用基板202具备导电部202A和基部202B。导电部202A为例如ITO等透光性的导电构件。基部202B为在导电部202A的背面设置的基板，是例如玻璃等透光性的绝缘构件。在步骤S12中，通过使导电部202A的表面与阵列基板2上的各单色无机发光元件102A的上侧的面、即n型包覆104层接触，从而将各单色无机发光元件102A和导电部202A电连接。然后，向各阵列基板2的阳极电极112与导电部202A之间赋予电位差(施加电压)，从而在单色无机发光元件102A中流通用于发光的电流。然后，检测单色无机发光元件102A是否恰当地发光，将恰当地发光的单色无机发光元件102A判断为非不良的正常单色无机发光元件102A，将未恰当地发光的单色无机发光元件102A判断为成为不良的单色无机发光元件102A。检查用基板202为透光性，因此能够从检查用基板202的上方确认单色无机发光元件102A是否发光。以下，将判断为不良的单色无机发光元件102A记为不良无机发光元件102N。像这样，在本实施方式中，通过使用检查用基板202的点亮检查来检测不良无机发光元件102N，但不良无机发光元件102N的检测方法不限于使用检查用基板202的点亮检查。

在检测到不良无机发光元件102N后，如步骤S14所示，将不良无机发光元件102N从阵列基板2上除去。在图9中，示出1个第1单色无机发光元件102RA被检测为不良无机发光元件102N的例子。在步骤S14中，保留阳极电极112，而将成为不良无机发光元件102N的第1单色无机发光元件102RA从阵列基板2上除去。由此，阵列基板2成为在搭载有不良无机发光元件102N的阳极电极112上未搭载单色无机发光元件102A的状态。

像这样，在图9的例子中，将全部单色无机发光元件102A搭载在阵列基板2上，从搭载在阵列基板2上的单色无机发光元件102A中检测不良无机发光元件102N。但是，检测不良无机发光元件102N的时机不限于此。例如，可以在形成基板200上形成有单色无机发光元件102A的状态下，即在将单色无机发光元件102A转印到阵列基板2上之前的状态下，从形成基板200上的单色无机发光元件102A中检测不良无机发光元件102N。在该情况下，例如，可以使用光致发光法从形成基板200上的单色无机发光元件102A中检测不良无机发光元件102N。在光致发光法中，向单色无机发光元件102A照射光，检测所激发的单色无机发光元件102A的电子恢复为基态时发出的光，基于该光，检测缺陷等单色无机发光元件102A的状态。然后，基于使用例如光致发光法检测到的单色无机发光元件102A的状态，判断是否为不良无机发光元件102N。可以将使用例如光致发光法检测到缺陷的单色无机发光元件102A判断为不良无机发光元件102N。在像这样在向阵列基板2上转印前检测到不良无机发光元件102N的情况下，将形成基板200上的不良无机发光元件102N之外的单色无机发光元件102A转印到阵列基板2，而不将不良无机发光元件102N向阵列基板2上转印。在该情况下，阵列基板2成为在原本应搭载不良无机发光元件102N的阳极电极112之上未搭载单色无机发光元件102A的状态、即与步骤S14的执行后相同的状态。

接下来，如步骤S16所示，在搭载有不良无机发光元件102N的阳极电极112上(或原本应搭载不良无机发光元件102N的阳极电极112上)搭载辅助无机发光元件集合体101B(包含1个辅助无机发光体100B的全部辅助无机发光元件102B的构造体)。由此，在阵列基板2上形成单色无机发光元件102A和辅助无机发光元件102B。

接下来，如步骤S18所示，在阵列基板2上形成单色无机发光体100A、辅助无机发光体100B、绝缘膜70、平坦化膜80及对置阴极电极90e。具体来说，在单色无机发光元件102A和辅助无机发光元件102B各自上形成阴极电极114。由此，在阵列基板2上形成单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B。然后，在阵列基板2上的未形成单色无机发光体100A及辅助无机发光体100B的空间中填充绝缘膜70和平坦化膜80。然后，在单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B之上形成对置阴极电极90e。在此，以与全部单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B连接的方式，形成对置阴极电极90e。

接下来，如步骤S20所示，将与辅助无机发光体100B连接的对置阴极电极90e的一部分和辅助无机发光体100B的阴极电极114的一部分除去。例如，向对置阴极电极90e及阴极电极114的待除去部分照射激光LIa，以将对置阴极电极90e及阴极电极114除去。具体来说，将对置阴极电极90e及阴极电极114的、与辅助无机发光体100B的第2辅助无机发光元件102GB连接的部分和与辅助无机发光体100B的第3辅助无机发光元件102BB连接的部分除去。由此，如图7及图8所示，辅助无机发光体100B使得第1辅助无机发光元件102RB与对置阴极电极90e连接而处于能够发光的状态，使得第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB处于不与对置阴极电极90e连接而处于不能发光状态。即，在步骤S20中，针对发出与不良无机发光元件102N若为正常状态而发出的波段的光相同波段的光的辅助无机发光元件102B，形成其与对置阴极电极90e及阴极电极114成为连接的状态。并且，针对发出与不良无机发光元件102N若为正常状态而发出的波段的光不同波段的光的辅助无机发光元件102B，形成其与对置阴极电极90e及阴极电极114成为不连接的状态。

在步骤S20之后，如步骤S22所示，在将对置阴极电极90e的一部分和阴极电极114的一部分除去而形成的空间AR中填充绝缘体80B。绝缘体80B为例如绝缘性的树脂。但是，绝缘体80B的充填并非必要工序。另外，也可以在此后在对置阴极电极90e上形成罩部92。

如上所述，在本实施方式中，形成在显示装置1上不搭载不良无机发光体(不良无机发光元件102N)的状态，取而代之搭载辅助无机发光体100B。因此，本实施方式的显示装置1能够抑制因不良无机发光体的发光不良而使得图像显示变得不适当的情况。此外，显示装置1通过搭载辅助无机发光体100B，从而能够发出不良无机发光体若为正常而本应发出的波段的光，能够更恰当地抑制图像显示变得不适当的情况。另外，还考虑替代不良无机发光体而更换为发出单种颜色的光的单色无机发光体100A。但是，由于难以预先预测发出哪个波段(颜色)的光的无机发光体100成为不良，因此为了进行更换而需要准备多种单色无机发光体100A。并且，更换时需要针对每一种依次搭载单色无机发光体100A等，还存在更换工序的作业负荷升高的情况。与此相对，在本实施方式中，更换用的辅助无机发光体100B具备发出不同波段的光的多种辅助无机发光元件102B。因此，能够利用一种辅助无机发光体100B替代全部种类的无机发光体100，无需为了进行更换而准备多种无机发光体100。另外，由于能够以一种辅助无机发光体100B进行更换，因此能够抑制更换工序的作业负荷。

(辅助无机发光体的驱动控制)

接下来，说明辅助无机发光体100B、即辅助像素49BB的驱动控制的方法。图10是示意性示出信号处理电路的构成的框图。以下，以辅助无机发光体100B、即辅助像素49BB发出第1波段的光、在此为红色的光的情况为例进行说明。但是，辅助像素49BB不限于发出第1波段的光，也可以发出第2波段、第3波段的光。

如图10所示，显示装置1具备的信号处理电路160具有第1处理电路162、存储器164和缓存166。信号处理电路160基于影像信号Vsig运算出3个像素49各自的输出灰度值SoR、SoG、SoB。影像信号Vsig包含针对每个像素Pix的输入灰度值SiR、SiG、SiB。输入灰度值SiR、SiG、SiB分别为红色、绿色、蓝色的灰度值。输出灰度值SoR为与作为第1像素49R的替代的辅助像素49BB对应的灰度值。另外，输出灰度值SoG为与第2像素49G对应的灰度值，输出灰度值SoB为与第3像素49B对应的灰度值。信号处理电路160既可以包含在例如图1所示的驱动IC210中，也可以作为与驱动IC210不同的电路芯片设置在基板10上。以下，在不需要分别区分输出灰度值SoR、SoG、SoB的情况下，称为输出灰度值So。另外，在不需要分别区分输入灰度值SiR、SiG、SiB的情况下，称为输入灰度值Si。

缓存166为存储输入灰度值Si的电路。需要说明的是，缓存166既可以存储1帧的影像信号Vsig中包含的输入灰度值Si，也可以读取1帧的影像信号Vsig中的一部分影像信号Vsig中包含的输入灰度值Si。

存储器164包含表示示出输入灰度值SiR、SiG、SiB与输出灰度值SoR、SoG、SoB间的关系的信息的数据LUT。数据LUT例如为查找表(Look Up Table)这样的表数据。

第1处理电路162参照从存储器164读出的数据LUT，确定与输入灰度值SiR、SiG、SiB对应的输出灰度值SoR、SoG、SoB。第1处理电路162将输出灰度值SoR、SoG、SoB向像素Pix输出。各像素49基于输出灰度值SoR、SoG、SoB而点亮。

图11是用于说明第1实施方式中输出灰度值的设定方法的流程图。如图11所示，首先，信号处理电路160读取1帧图像(步骤S30)。具体来说，缓存166读取1帧的影像信号Vsig，存储与红色、绿色、蓝色各自对应的输入灰度值SiR、SiG、SiB。

第1处理电路162针对每个像素Pix判断输入灰度值SiR是否大于0(步骤S32)。换言之，针对每个像素Pix判断是否存在红色的显示。在输入灰度值SiR大于0的情况下(步骤S32；是)，第1处理电路162比较输入灰度值SiR与阈值Lth(步骤S34)。阈值Lth的值预先设定，但可以任意设定。在输入灰度值SiR为阈值Lth以下的情况下(步骤S34；是)，第1处理电路162设定将辅助无机发光体100B(辅助像素49BB)点亮的输出灰度值SoR，并以所设定的输出灰度值SoR将辅助无机发光体100B点亮(步骤S36)。

在输入灰度值SiR大于阈值Lth的情况下(步骤S34；否)，第1处理电路162判断驱动电流值是否为电流阈值Ith以下(步骤S38)。驱动电流值是在假定以输出灰度值SoR将辅助无机发光体100B点亮的情况下，在辅助无机发光体100B中流通的电流值。第1处理电路162基于输出灰度值SoR计算驱动电流值。另外，电流阈值Ith预先设定，但可以任意设定。在驱动电流值为电流阈值Ith以下的情况下(步骤S38；是)，进入步骤S36，以所设定的输出灰度值SoR将辅助无机发光体100B点亮。

在驱动电流值大于电流阈值Ith的情况下(步骤S38；否)，第1处理电路162将辅助无机发光体100B和相邻无机发光体点亮(步骤S40)。相邻无机发光体是与包含辅助无机发光体100B的像素Pix相邻的像素Pix的无机发光体100中的发出与辅助无机发光体100B发出的光相同波段的光的无机发光体100。即，在此，相邻无机发光体为包含在与包含辅助无机发光体100B的像素Pix相邻的像素Pix中的第1单色无机发光体100RA、或包含在与包含辅助无机发光体100B的像素Pix相邻的像素Pix中并发出第1波段的光的辅助无机发光体100B。在步骤S40中，第1处理电路162设定用于驱动辅助无机发光体100B的输出灰度值SoR1和用于驱动相邻无机发光体的输出灰度值SoR2，并以所设定的输出灰度值SoR1将辅助无机发光体100B点亮，以所设定的输出灰度值SoR2将相邻无机发光体点亮。输出灰度值SoR1设定为小于输出灰度值SoR的值。

另外，在输入灰度值SiR为0的情况下(步骤S32；否)，第1处理电路162作为输出灰度值SoR设定灰度值0，不将辅助无机发光体100B(辅助像素49BB)点亮(步骤S42)。

在本实施方式中，按照上述方式对辅助无机发光体100B的驱动(点亮)进行控制。

如上所述，本实施方式的显示装置1具备排列为矩阵状的多个无机发光体100、和与多个无机发光体100连接的对置电极(对置阴极电极90e)。多个无机发光体100包含单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B。单色无机发光体100A能够发出规定波段的光。另外，辅助无机发光体100B具备多种辅助无机发光元件102B和与这些辅助无机发光元件102B连接的电极(阳极电极112)。辅助无机发光体100B作为多种辅助无机发光元件102B而具备在被供给电流的情况下能够发出第1波段的光的第1辅助无机发光元件102RB，和在被供给电流的情况下能够发出第2波段的光的第2辅助无机发光元件102GB。(阳极电极112)与第1辅助无机发光元件102RB及第2辅助无机发光元件102GB连接。并且，对置电极(对置阴极电极90e)与单色无机发光体100A及第1辅助无机发光元件102RB连接，而不与第2辅助无机发光元件102GB连接。

本实施方式的显示装置1具备辅助无机发光元件102B。即，显示装置1为即使在制造出不良无机发光体(不良无机发光元件102N)的情况下，也能够替代不良无机发光体而搭载辅助无机发光元件102B，因此能够抑制图像显示变得不适当的情况，能够实现在制造时发生不良的情况下也能够适当使用的状态。另外，辅助无机发光体100B具备能够发出互不相同的波段的光的多种辅助无机发光元件102B，因此能够由一种辅助无机发光体100B替代全部种类的无机发光体100，能够抑制更换的负担。

另外，第1辅助无机发光元件102RB发出的光的波段即第1波段不同于与该第1辅助无机发光元件102RB相同的像素PixB中包含的单色无机发光体100A发出的光的波段。即，在一个像素Pix中，与对置阴极电极90e连接而成为能够发光的状态的第1辅助无机发光元件102RB发出的光的波段与单色无机发光体100A发出的光的波段不同。因此，显示装置1能够通过辅助无机发光体100B的第1辅助无机发光元件102RB来照射本应由不良无机发光体发出的光，能够通过辅助无机发光体100B和单色无机发光体100A来恰当地呈现颜色，能够恰当地显示图像。

另外，第2辅助无机发光元件102GB发出的光的波段即第2波段与同该第2辅助无机发光元件102GB相同的像素PixB中包含的单色无机发光体100A发出的光的波段重叠。即，在一个像素PixB中，处于不与对置阴极电极90e连接而处于不能发光状态的第2辅助无机发光元件102GB发出的光的波段与单色无机发光体100A发出的光的波段重叠。即，对于辅助无机发光体100B而言，将发出与相同的像素Pix中包含的单色无机发光体100A相同波段的光的第2辅助无机发光元件102GB设为不能发光状态。因此，显示装置1能够抑制颜色失去平衡，以恰当地显示图像。

另外，第1辅助无机发光元件102RB及第2辅助无机发光元件102GB为柱状，从作为轴向的第3方向Dz观察的情况下的第1辅助无机发光元件102RB的宽度(直径DR)与第2辅助无机发光元件102GB的宽度(直径DG)不同。辅助无机发光体100B通过使第1辅助无机发光元件102RB及第2辅助无机发光元件102GB成为柱状且使彼此的宽度不同，从而即使例如构造相同，也能够使发光的波段不同。因此，能够容易地进行辅助无机发光体100B的制造。

另外，在从无机发光体100与对置电极(对置阴极电极90e)排列的方向、即第3方向Dz观察的情况下，设有1个辅助无机发光体100B的区域比设有1个单色无机发光体100A的区域宽。通过预先使辅助无机发光体100B较宽地形成，从而能够抑制发光的辅助无机发光元件102B的面积过小而来自辅助无机发光元件102B的光的强度过弱的情况。因此，根据该显示装置1，能够抑制颜色失去平衡，以恰当地显示图像。

另外，在从第3方向Dz观察的情况下，设有第1辅助无机发光元件102RB的区域103RB的面积与设有第2辅助无机发光元件102GB的区域103GB的面积不同。通过像这样针对每一种辅助无机发光元件102B使面积不同，从而能够恰当地呈现颜色，以能够恰当地显示图像。

另外，辅助无机发光体100B还具备第3辅助无机发光元件102BB，所述第3辅助无机发光元件102BB在被供给电流的情况下能够发出第3波段的光。对置电极(对置阴极电极90e)不与第3辅助无机发光元件102BB连接。辅助无机发光体100B具备第1辅助无机发光元件102RB、第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB，从而无论哪种颜色的无机发光体100不良，均能够以辅助无机发光体100B替代。

另外，无机发光体100包含能够发出第2波段的光的单色无机发光体100A(第2单色无机发光体100GA)和能够发出第3波段的光的单色无机发光体100A(第3单色无机发光体100BA)。显示装置1具备发出第1波段的光的辅助无机发光体100B和能够发出第2波段及第3波段的光的单色无机发光体100A，因此能够恰当地呈现颜色，能够恰当地显示图像。

另外，本实施方式的显示装置1的制造方法包含单色无机发光体形成步骤、辅助无机发光体形成步骤和对置电极形成步骤。在单色无机发光体形成步骤中，形成能够发出规定波段的光的单色无机发光体100A。在辅助无机发光体形成步骤中，形成辅助无机发光体100B，该辅助无机发光体100B具备在被施加了电压的情况下能够发出第1波段的光的第1辅助无机发光元件102RB、在被施加了电压的情况下能够发出第2波段的光的第2辅助无机发光元件102GB和与第1辅助无机发光元件102RB及第2辅助无机发光元件102GB连接的电极(阳极电极112)。在对置电极形成步骤中，形成与单色无机发光体100A及第1辅助无机发光元件102RB连接而不与第2辅助无机发光元件102GB连接的对置电极(对置阴极电极90e)。根据该制造方法，在制造出不良无机发光体的情况下，也能替代不良无机发光体而搭载辅助无机发光元件102B，因此能够实现即使在制造时发生不良的情况下也能够适当使用的状态。另外，辅助无机发光体100B具备能够发出互不相同的波段的光的多种辅助无机发光元件102B，因此能够以一种辅助无机发光体100B替代全部种类的无机发光体100，能够抑制更换的负担。

(第2实施方式)

接下来，说明第2实施方式。在第1实施方式中，预先在像素Pix中首先搭载单色无机发光体100A，再将成为不良的单色无机发光体100A更换为辅助无机发光体100B。另一方面，在第2实施方式中，预先在全部像素Pixa中搭载辅助无机发光体100B。省略对第2实施方式中构成与第1实施方式共通的部分的说明。

图12是示出第2实施方式中的多个像素的俯视图。如图12所示，第2实施方式的显示装置1a中，多个像素Pixa排列为矩阵状。像素Pixa包含单色像素49A和辅助像素49BB。更具体来说，像素Pixa包含3个作为单色像素49A即第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B和1个辅助像素49BB。换言之，像素Pixa包含3个作为单色无机发光体100A的第1单色无机发光体100RA、第2单色无机发光体100GA及第3单色无机发光体100BA和1个辅助无机发光体100B。

在此，在像素Pixa中，将单色无机发光体100A未发生不良的像素设为像素PixAa，将单色无机发光体100A发生不良的像素设为像素PixBa。像素PixAa由于单色无机发光体100A未发生不良，因此第1单色无机发光体100RA、第2单色无机发光体100GA及第3单色无机发光体100BA能够发出各自波段的光。因此，像素PixAa中，辅助无机发光体100B中包含的全部辅助无机发光元件102B(第1辅助无机发光元件102RB、第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB)不与对置阴极电极90e连接而处于不能发光状态。

另一方面，像素PixBa中单色无机发光体100A的一部分发生不良，换言之，第1单色无机发光体100RA、第2单色无机发光体100GA及第3单色无机发光体100BA中的至少一个处于不能发光状态。因此，像素PixBa中，辅助无机发光体100B中包含的辅助无机发光元件102B中的一部分、更详细来说是发出与处于不能发光状态的单色无机发光体100A相同波段的光的辅助无机发光元件102B与对置阴极电极90e连接，而成为能够发光的状态。另一方面，像素PixBa中发出与处于不能发光状态的单色无机发光体100A不同波段的光的辅助无机发光元件102B处于不与对置阴极电极90e连接而处于不能发光状态。在以下的说明中，以像素PixBa的第1单色无机发光体100RA变为不良而处于不能发光状态的情况为例。在该情况下，在像素PixBa的辅助无机发光体100B中，第1辅助无机发光元件102RB处于能够发光的状态，第2辅助无机发光元件102GB及第3辅助无机发光元件102BB处于不能发光状态。需要说明的是，以下，将变为不良的单色无机发光体100A适当地记为不良无机发光体100N。

像这样，在第2实施方式中，一个像素Pixa设有3个单色无机发光体100A和1个辅助无机发光体100B。因此，在第2实施方式中，第1辅助无机发光元件102RB发出的光的波段即第1波段与同该第1辅助无机发光元件102RB相同的像素Pixa中包含的单色无机发光体100A(第1单色无机发光体100RA)发出的光的波段重叠。即，在第2实施方式中，在一个像素Pixa中，与对置阴极电极90e连接而处于能够发光的状态的辅助无机发光元件102B发出的光的波段与假定为相同的像素Pixa中包含的单色无机发光体100A发光的情况下的光的波段重叠。

图13是说明第2实施方式的显示装置的制造方法的示意图。如图13所示，在第2实施方式的显示装置1a的制造方法中，如步骤S50所示，形成阵列基板2，并在阵列基板2上形成单色无机发光元件102A。具体来说，将在形成基板200上形成的单色无机发光元件102A搭载到阵列基板2上。单色无机发光元件102A向阵列基板2上搭载的搭载方法与第1实施方式相同。但是，在第2实施方式中，即使在将全部单色无机发光元件102A搭载到阵列基板2上之后，也为了搭载辅助无机发光元件102B(辅助无机发光元件集合体101B)，而保留未搭载单色无机发光元件102A的阳极电极112。

接下来，如步骤S52所示，在未搭载单色无机发光元件102A的阳极电极112上，搭载辅助无机发光元件集合体101B(包含1个辅助无机发光体100B的全部辅助无机发光元件102B的集合体)。由此，在阵列基板2上形成单色无机发光元件102A和辅助无机发光元件102B。

接下来，如步骤S54所示，通过在阵列基板2上的单色无机发光元件102A连接检查用基板202以执行点亮检查，从而对单色无机发光元件102A的不良即不良无机发光元件102N进行检测。不良无机发光元件102N的检测方法与第1实施方式相同。需要说明的是，步骤S54也可以在步骤S52之前、即辅助无机发光元件集合体101B的搭载前实施。

接下来，如步骤S56所示，在阵列基板2上形成单色无机发光体100A、辅助无机发光体100B、绝缘膜70、平坦化膜80及对置阴极电极90e。具体来说，在单色无机发光元件102A和辅助无机发光元件102B上分别形成阴极电极114。由此，在阵列基板2上形成单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B。并且，在未形成单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B的空间中填充绝缘膜70和平坦化膜80。然后，在单色无机发光体100A和辅助无机发光体100B之上形成对置阴极电极90e。在此，以与全部单色无机发光体100A及辅助无机发光体100B连接的方式，形成对置阴极电极90e。第2实施方式在不将不良无机发光元件102N从显示装置1a上除去而使其预先保留这一点上与第1实施方式不同，但在第2实施方式中，也可以将不良无机发光元件102N从显示装置1a除去。

在形成单色无机发光体100A及辅助无机发光体100B后，将与辅助无机发光体100B连接的对置阴极电极90e除去。在除去对置阴极电极90e的工序中，针对检测到不良无机发光元件102N的像素PixBa执行步骤S58A，针对未检测到不良无机发光元件102N的像素PixAa执行步骤S58B。

首先，说明步骤S58A。在步骤S58A中，将与像素PixBa中包含的辅助无机发光体100B连接的对置阴极电极90e的一部分和该辅助无机发光体100B中的阴极电极114的一部分除去。具体来说，将对置阴极电极90e及阴极电极114的、与辅助无机发光体100B的第2辅助无机发光元件102GB连接的部分和与辅助无机发光体100B的第3辅助无机发光元件102BB连接的部分除去。即，对于发出与不良无机发光元件102N若为正常状态而发出的波段的光相同波段的光的辅助无机发光元件102B，设为使之与对置阴极电极90e及阴极电极114连接的状态。并且，对于发出与不良无机发光元件102N若为正常的状态而发出的波段的光不同波段的光的辅助无机发光元件102B，设为不与对置阴极电极90e及阴极电极114连接的状态。步骤S58A中的除去对置阴极电极90e和阴极电极114的除去方法与第1实施方式相同。

在执行步骤S58A后，如步骤S60A所示，在将对置阴极电极90e的一部分和阴极电极114的一部分除去而形成的空间AR中填充绝缘体80B。

另一方面，在步骤S58B中，将与像素PixAa中包含的辅助无机发光体100B连接的对置阴极电极90e和该辅助无机发光体100B中的阴极电极114除去。具体来说，将对置阴极电极90e及阴极电极114的、与辅助无机发光体100B的全部辅助无机发光元件102B连接的对置阴极电极90e和阴极电极114除去。即，针对辅助无机发光体100B的全部辅助无机发光元件102B，设为不连接对置阴极电极90e及阴极电极114的状态。在执行步骤S58B后，如步骤S60B所示，在将对置阴极电极90e和阴极电极114除去而形成的空间AR中填充绝缘体80B。

如上所述，在第2实施方式中，预先在像素Pixa中搭载3个单色无机发光体100A和1个辅助无机发光体100B。因此，在1个单色无机发光体100A成为不良的情况下，也能够以辅助无机发光体100B替代。此外，通过预先搭载辅助无机发光体100B，从而无需将不良无机发光体100N除去以更换为辅助无机发光体100B的工序，能够减轻作业负荷。

另外，如第2实施方式所示，在像素Pixa中搭载3个单色无机发光体100A和1个辅助无机发光体100B的情况下，在单色无机发光体100A无不良而能够发光的情况下、在单色无机发光体100A能够发光但因连接不良等而光的强度低的情况等下，也可以使辅助无机发光体100B发光。在该情况下，能够通过辅助无机发光体100B来增强1个单色无机发光体100A发出的光的强度。即，在一个像素Pixa中，通过使3个单色无机发光体100A和1个辅助无机发光体100B发光，从而能够提高1个单色无机发光体100A发出的波段的光的强度。以下，说明该情况的驱动方法。以下，以辅助无机发光体100B、即辅助像素49BB发出第1波段的光、在此为红色的光的情况为例进行说明。

图14是用于说明第2实施方式中输出灰度值的设定方法的流程图。如图14所示，首先，信号处理电路160读取1帧图像(步骤S70)。具体来说，缓存166读取1帧的影像信号Vsig，并存储与红色、绿色、蓝色各自对应的输入灰度值SiR、SiG、SiB。

第1处理电路162针对每个像素Pix判断输入灰度值SiR是否大于0(步骤S72)。换言之，针对每个像素Pixa判断是否存在红色的显示。在输入灰度值SiR大于0的情况下(步骤S72；是)，第1处理电路162将输入灰度值SiR与阈值Lth进行比较(步骤S74)。阈值Lth的值预先设定，但可以任意设定。在输入灰度值SiR为阈值Lth以下的情况下(步骤S74；是)，第1处理电路162不将第1单色无机发光体100RA(第1像素49R)点亮，而将辅助无机发光体100B(辅助像素49BB)点亮(步骤S76)。具体来说，第1处理电路162设定输出灰度值SoR，以所设定的输出灰度值SoR将辅助无机发光体100B点亮。

在输入灰度值SiR大于阈值Lth的情况下(步骤S74；否)，第1处理电路162判断驱动电流值是否为电流阈值Ith以下(步骤S78)。驱动电流值是指在假定以输出灰度值SoR将辅助无机发光体100B点亮的情况下，在辅助无机发光体100B中流通的电流值。第1处理电路162基于输出灰度值SoR计算驱动电流值。另外，电流阈值Ith预先设定，但可以任意设定。在驱动电流值为电流阈值Ith以下的情况下(步骤S78；是)，第1处理电路162将第1单色无机发光体100RA和辅助无机发光体100B二者点亮(步骤S79)。具体来说，第1处理电路162设定输出灰度值SoR1a、SoR2a，以所设定的输出灰度值SoR1a将辅助无机发光体100B点亮，并以所设定的输出灰度值SoR2a将第1单色无机发光体100RA点亮。第1处理电路162例如以输出灰度值SoR1a、SoR2a的合计值成为输出灰度值SoR的方式设定输出灰度值SoR1amSoR2a。

在驱动电流值大于电流阈值Ith的情况下(步骤S78；否)，第1处理电路162将第1单色无机发光体100RA、辅助无机发光体100B和相邻无机发光体点亮(步骤S80)。相邻无机发光体是在与包含辅助无机发光体100B的像素Pixa相邻的像素Pixa的无机发光体100中，发出与辅助无机发光体100B发出的光相同波段的光的无机发光体100。在步骤S78中，第1处理电路162设定输出灰度值SoR1b、SoR2b、SoR3b，并以所设定的输出灰度值SoR1b将辅助无机发光体100B点亮，以所设定的输出灰度值SoR2b将第1单色无机发光体100RA点亮，以所设定的输出灰度值SoR3b将相邻无机发光体点亮。第1处理电路162例如以输出灰度值SoR1b、SoR2b、SoR3b的合计值成为输出灰度值SoR的方式，设定输出灰度值SoR1b、SoR2b、SoR3b。

另外，在输入灰度值SiR为0的情况下(步骤S72；否)，第1处理电路162作为输出灰度值SoR设定灰度值0，不将第1单色无机发光体100RA和辅助无机发光体100B点亮(步骤S82)。

另外，关于本实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果，从本说明书的记载可知或本领域技术人员能够适当想到的效果当然应认为是本发明所带来的。

Claims (7)

1.显示装置，其具备排列为矩阵状的多个无机发光体和与多个所述无机发光体连接的对置电极，

多个所述无机发光体包含：

单色无机发光体，其能够发出规定波段的光；和

辅助无机发光体，其具备在被供给电流的情况下能够发出第1波段的光的第1辅助无机发光元件、在被供给电流的情况下能够发出第2波段的光的第2辅助无机发光元件及与第1辅助无机发光元件及第2辅助无机发光元件连接的电极，

所述对置电极与所述单色无机发光体及所述第1辅助无机发光元件连接且不与所述第2辅助无机发光元件连接，

所述第1波段与相同像素中包含的所述单色无机发光体发出的光的波段不同，所述第2波段与相同像素中包含的所述单色无机发光体发出的光的波段重叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1辅助无机发光元件及所述第2辅助无机发光元件为柱状，从轴向观察的情况下的所述第1辅助无机发光元件的宽度与所述第2辅助无机发光元件的宽度不同。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在从所述无机发光体和所述对置电极排列的方向观察的情况下，设有一个所述辅助无机发光体的区域比设有一个所述单色无机发光体的区域宽。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在从所述无机发光体和所述对置电极排列的方向观察的情况下，设有所述第1辅助无机发光元件的区域的面积与设有所述第2辅助无机发光元件的区域的面积不同。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助无机发光体还具备第3辅助无机发光元件，所述第3辅助无机发光元件在被供给电流的情况下能够发出第3波段的光，

所述对置电极不与所述第3辅助无机发光元件连接。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述无机发光体包含能够发出所述第2波段的光的所述单色无机发光体和能够发出所述第3波段的光的所述单色无机发光体。

7.显示装置的制造方法，其包括下述步骤：

单色无机发光体形成步骤，其中，形成能够发出规定波段的光的单色无机发光体；

辅助无机发光体形成步骤，其中，形成辅助无机发光体，所述辅助无机发光体具备在被供给电流的情况下能够发出第1波段的光的第1辅助无机发光元件、在被供给电流的情况下能够发出第2波段的光的第2辅助无机发光元件及与所述第1辅助无机发光元件及所述第2辅助无机发光元件连接的电极；和

对置电极形成步骤，其中，形成对置电极，所述对置电极与所述单色无机发光体及所述第1辅助无机发光元件连接且不与所述第2辅助无机发光元件连接，

其中，所述第1波段与相同像素中包含的所述单色无机发光体发出的光的波段不同，所述第2波段与相同像素中包含的所述单色无机发光体发出的光的波段重叠。

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