CN112447120B - 显示装置的制造方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置的制造方法及显示装置。在发生不良的情况下也能抑制制造作业负荷增大并适当显示图像。制造方法包括：检测步骤，从在形成基板(200)上形成的多个无机发光元件(102)中检测不良无机发光元件(102a)；第1搭载步骤，将在形成基板上形成的无机发光元件中的不良无机发光元件之外的无机发光元件搭载在阵列基板(2)上；第2搭载步骤，将发出与不良无机发光元件不同颜色的光的替代无机发光元件(102W)搭载在阵列基板上；滤色器部形成步骤，在阵列基板上的从来自无机发光元件的光的行进方向观察与替代无机发光元件重叠的位置形成滤色器部(96)，其使来自替代无机发光元件的光成为颜色与来自不良无机发光元件的光相同的光并出射。

Description

显示装置的制造方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置的制造方法及显示装置。
背景技术
近年来，作为显示元件，使用微小尺寸的发光二极管(微LED(micro LED))的显示装置受到关注。例如，在专利文献1中记载了一种显示装置，其通过在发出白色的光的发光二极管中重叠红色的彩色滤色器而呈现出红色。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2018/0206299号公报
发明内容
发明要解决的课题
在此，对于发光二极管而言，例如在衬底上制得后搭载到显示装置1的阵列基板(背板)上。发光二极管存在制造出无法适当发光的不合格品的情况，若是这种不合格品搭载在显示装置中，则存在显示装置变得无法适当显示图像的可能。虽然也能取代不合格品而将其他发光二极管搭载到显示装置上，但还存在搭载工序的作业负荷增大的情况。因此，要求提供在制造出不合格品的发光二极管的情况下，也能够在抑制制造的作业负荷增大的同时适当地显示图像的显示装置。
本发明是鉴于上述课题做出的，目的在于提供一种在发生了不良的情况下也能够在抑制制造的作业负荷增大的同时适当地显示图像的显示装置及显示装置的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明一方案的显示装置的制造方法为具备阵列基板及排列成矩阵状的多个无机发光元件的显示装置的制造方法，其包括下述步骤：检测步骤，从在形成基板上形成的多个所述无机发光元件中，检测出变为不良的所述无机发光元件即不良无机发光元件；第1搭载步骤，将在所述形成基板上形成的所述无机发光元件中的、所述不良无机发光元件之外的其他所述无机发光元件搭载在所述阵列基板上；第2搭载步骤，将发出与所述不良无机发光元件不同颜色的光的替代无机发光元件搭载在所述阵列基板上；和滤色器部形成步骤，在与所述替代无机发光元件重叠的位置形成滤色器部，所述滤色器部使来自所述替代无机发光元件的光成为颜色与来自所述不良无机发光元件的光相同的光并出射。
本发明一方案的显示装置为具备排列成矩阵状的多个无机发光元件的显示装置，多个所述无机发光元件包含发出规定颜色的光的无机发光元件和发出颜色与所述规定颜色的光不同的光的替代无机发光元件，在与所述替代无机发光元件重叠的位置设置有滤色器部，所述滤色器部使来自所述替代无机发光元件的光成为颜色与所述规定颜色的光相同的光并出射。
附图说明
图1是示出本实施方式的显示装置的构成例的俯视图。
图2是示出多个像素的俯视图。
图3是示出显示装置的像素电路的构成例的电路图。
图4是图1的IV-IV’剖视图。
图5是示出本实施方式的无机发光体的构成例的剖视图。
图6是示出搭载有替代无机发光体的情况的例子的示意图。
图7是示出搭载有替代无机发光体的情况的例子的示意图。
图8是说明本实施方式的显示装置的制造方法的图。
图9是示出搭载有替代无机发光体的情况的其他例的示意图。
图10是示出搭载有替代无机发光体的情况的其他例的示意图。
图11是示出搭载有替代无机发光体的情况的其他例的示意图。
附图标记说明
1 显示装置
2 阵列基板
90e 对置阴极电极(对置电极)
96 滤色器部
100 无机发光体
100a 不良无机发光体
100W 替代无机发光体
102 无机发光元件
102a 不良无机发光元件
102W 替代无机发光元件
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。需要说明的是，本公开只不过是一例，本领域技术人员保持发明主旨的适当变更及容易想到的技术方案当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加明确，附图中各部分的宽度、厚度、形状等存在与实际的方式相比示意性表示的情况，但只不过是一例，并非对本发明的解释加以限定。另外，在本说明书和各附图中，存在对与关于已有附图在前说明的要素相同的要素标注同一附图标记并适当省略详细的情况。
(显示装置的构成)
图1是示出本实施方式的显示装置的构成例的俯视图。如图1所示，显示装置1包含阵列基板2、像素Pix、驱动电路12、驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)210和阴极布线60。阵列基板2为用于驱动各像素Pix的驱动电路基板，也称为背板或有源矩阵基板。阵列基板2具有衬底10、多个晶体管、多个电容及各种布线等。
如图1所示，显示装置1具有显示区域AA和周边区域GA。显示区域AA为配置有多个像素Pix的区域，是显示图像的区域。周边区域GA为不与多个像素Pix重叠的区域，配置在显示区域AA的外侧。
多个像素Pix在衬底10的显示区域AA中在第1方向Dx及第2方向Dy上排列。需要说明的是，第1方向Dx及第2方向Dy为相对阵列基板2的衬底10的第1面10a(参见图4)平行的方向。第1方向Dx与第2方向Dy正交。但是，第1方向Dx也可以与第2方向Dy交叉而不正交。第3方向Dz为与第1方向Dx及第2方向Dy正交的方向。第3方向Dz例如与衬底10的法线方向对应。以下，所谓俯视观察，表示从第3方向Dz观察的情况的位置关系。
驱动电路12设置在衬底10的周边区域GA。驱动电路12为基于来自驱动IC210的各种控制信号对多条栅极线(例如发光控制扫描线BG、复位控制扫描线RG、初始化控制扫描线IG及写入控制扫描线SG(参见图3))进行驱动的电路。驱动电路12依次或同时选择多条栅极线，向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素Pix。
驱动IC210为对显示装置1的显示进行控制的电路。驱动IC210也可以在衬底10的周边区域GA中以COG(Chip On Glass：覆晶玻璃)的形式安装。不限于此，驱动IC210也可以在与衬底10的周边区域GA连接的布线基板之上以COF(Chip On Film：覆晶薄膜)的形式安装。需要说明的是，与衬底10连接的布线基板例如为柔性印刷基板(FPC基板)、刚性基板(PCB基板)。
阴极布线60设置在衬底10的周边区域GA。阴极布线60以包围显示区域AA的多个像素Pix及周边区域GA的驱动电路12的方式设置。多个无机发光体100(参见图4)的阴极(阴极电极114(参见图4))与公共的阴极布线60连接，并被供给固定电位(例如接地电位)。更具体来说，无机发光体100的阴极电极114经由阵列基板2上的对置阴极电极90e与阴极布线60连接。需要说明的是，阴极布线60在一部分具有狭缝，在衬底10上也可以由两个不同的布线形成。
图2是示出多个像素的俯视图。如图2所示，一个像素Pix包含多个像素49。例如，像素Pix具有第1像素49R、第2像素49G和第3像素49B。第1像素49R显示作为第1色的原色的红色。第2像素49G显示作为第2色的原色的绿色。第3像素49B显示作为第3色的原色的蓝色。如图2所示，在一个像素Pix中，第1像素49R与第3像素49B在第1方向Dx上排列。另外，第2像素49G与第3像素49B在第2方向Dy上排列。需要说明的是，第1色、第2色、第3色各自不限于红色、绿色、蓝色，能够选择补色等任意颜色。以下，在不需要分别区分第1像素49R、第2像素49G、第3像素49B的情况下，称为像素49。需要说明的是，一个像素Pix中包含的像素49不限于3个，也可以与4个以上的像素49建立对应。另外，多个像素49的配置不限于图2所示的构成。例如，第1像素49R也可以在第1方向Dx上与第2像素49G相邻。另外，第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B也可以依次在第1方向Dx上重复排列。
像素49分别具备具有无机发光元件102的无机发光体100。显示装置1在第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B中通过针对每个无机发光体100出射不同的光来显示图像。无机发光体100为在俯视观察时具有数μm以上、300μm以下左右大小的无机发光二极管(LED：Light Emitting Diode)芯片，通常，将一个芯片尺寸为100μm以上的LED称为迷你LED(miniLED)，将小于100μm～数μm的尺寸的LED称为微LED(micro LED)。在本发明中，能够使用任意尺寸的LED，根据显示装置的画面尺寸(一个像素的大小)灵活使用即可。各像素具备微LED(micro LED)的显示装置也被称为微LED显示装置。需要说明的是，微LED的微并不构成对无机发光体100大小的限定。
图3是示出显示装置的像素电路的构成例的电路图。图3所示的像素电路PICA分别设置在第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B的各自中。像素电路PICA为设置在衬底10上并向无机发光体100供给驱动信号(电流)的电路。需要说明的是，在图3中，关于像素电路PICA的说明也能够应用于第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各自具有的像素电路PICA。
如图3所示，像素电路PICA包含无机发光体100、5个晶体管和两个电容。具体来说，像素电路PICA包含发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST、复位晶体管RST及驱动晶体管DRT。一部分晶体管也可以由邻接的多个像素49共用。例如，发光控制晶体管BCT也可以借助公共布线由3个像素49共用。另外，复位晶体管RST设置在周边区域GA中，也可以在例如像素49的各行设置1个。在该情况下，复位晶体管RST经由公共布线与多个驱动晶体管DRT的源极连接。
像素电路PICA具有的多个晶体管分别由n型TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)构成。但不限于此，各晶体管也可以分别由p型TFT构成。在使用p型TFT的情况下，也可以适当地匹配电源电位、保持电容Cs1及电容Cs2的连接。
发光控制扫描线BG与发光控制晶体管BCT的栅极连接。初始化控制扫描线IG与初始化晶体管IST的栅极连接。写入控制扫描线SG与写入晶体管SST的栅极连接。复位控制扫描线RG与复位晶体管RST的栅极连接。
发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG及复位控制扫描线RG分别与驱动电路12(参见图1)连接。驱动电路12分别向发光控制扫描线BG、初始化控制扫描线IG、写入控制扫描线SG及复位控制扫描线RG供给发光控制信号Vbg、初始化控制信号Vig、写入控制信号Vsg及复位控制信号Vrg。
驱动IC210(参见图1)分时地向第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各自的像素电路PICA供给影像信号Vsig。在第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B的各列与驱动IC210之间设置多路复用器等开关电路。影像信号Vsig经由影像信号线L2被向写入晶体管SST供给。另外，驱动IC210经由复位信号线L3向复位晶体管RST供给复位电源电位Vrst。驱动IC210经由初始化信号线L4向初始化晶体管IST供给初始化电位Vini。
发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST、写入晶体管SST及复位晶体管RST作为选择2个节点间的导通与非导通的开关元件发挥功能。驱动晶体管DRT作为对应于栅极与漏极之间的电压而对流过无机发光体100的电流进行控制的电流控制元件发挥功能。
无机发光体100的阴极(阴极电极114)与阴极电源线L10连接。另外，无机发光体100的阳极(阳极电极112)经由驱动晶体管DRT及发光控制晶体管BCT与阳极电源线L1(第1电源线)连接。向阳极电源线L1供给阳极电源电位PVDD(第1电位)。向阴极电源线L10供给阴极电源电位PVSS(第2电位)。阳极电源电位PVDD为高于阴极电源电位PVSS的电位。阴极电源线L10包含阴极布线60。
另外，像素电路PICA包含电容Cs1及电容Cs2。电容Cs1为在驱动晶体管DRT的栅极与源极之间形成的保持电容。电容Cs2为在驱动晶体管DRT的源极及无机发光体100的阳极与阴极电源线L10之间形成的附加电容。
显示装置1从第1行的像素49到最末行的像素49进行驱动，在1帧期间显示1帧的图像。
在复位期间，根据从驱动电路12供给的各控制信号，发光控制扫描线BG的电位成为L(低)电平，复位控制扫描线RG的电位成为H(高)电平。由此，发光控制晶体管BCT成为截止(非导通状态)，复位晶体管RST变为导通(导通状态)。
在复位期间，根据从驱动电路12供给的各控制信号，发光控制扫描线BG的电位成为L(低)电平，复位控制扫描线RG的电位成为H(高)电平。由此，发光控制晶体管BCT成为截止(OFF)(非导通状态)，复位晶体管RST变为导通(ON)(导通状态)。
由此，像素49内残留的电荷经由复位晶体管RST流向外部，驱动晶体管DRT的源极被固定为复位电源电位Vrst。复位电源电位Vrst以相对于阴极电源电位PVSS具有规定的电位差的方式设定。在该情况下，复位电源电位Vrst与阴极电源电位PVSS的电位差小于无机发光体100开始发光的电位差。
接下来，根据从驱动电路12供给的各控制信号，初始化控制扫描线IG的电位变为H电平。初始化晶体管IST变为导通。经由初始化晶体管IST，驱动晶体管DRT的栅极被固定为初始化电位Vini。
另外，驱动电路12使发光控制晶体管BCT导通，使复位晶体管RST截止。驱动晶体管DRT在源极电位变为(Vini-Vth)时截止。由此，能够针对每个像素49获取驱动晶体管DRT的阈值电压Vth，每个像素49的阈值电压Vth的偏差被抵消。
接下来，在影像信号写入动作期间，根据从驱动电路12供给的各控制信号，发光控制晶体管BCT变为截止，初始化晶体管IST变为截止，写入晶体管SST变为导通。在属于1行的像素49中，影像信号Vsig被输入驱动晶体管DRT的栅极。影像信号线L2沿第2方向Dy延伸，与属于同列的多行像素49连接。因此，在影像信号写入动作期间针对每1行来实施。
接下来，在发光动作期间，根据从驱动电路12供给的各控制信号，发光控制晶体管BCT变为导通，写入晶体管SST变为截止。从阳极电源线L1经由发光控制晶体管BCT向驱动晶体管DRT供给阳极电源电位PVDD。驱动晶体管DRT将与栅极源极间的电压对应的电流向无机发光体100供给。无机发光体100以与该电流对应的亮度发光。
需要说明的是，驱动电路12可以逐行驱动像素49，也可以同时驱动2行的像素49或同时驱动3行以上的像素49。
需要说明的是，上述图3所示的像素电路PICA的构成只不过是一例，能够适当变更。例如一个像素49中的布线的数量及晶体管的数量也可以不同。另外，像素电路PICA也可以采用电流镜电路等构成。
图4是图1的IV-IV’剖视图。如图4所示，显示装置1的阵列基板2具备衬底10和多个晶体管。衬底10具有第1面10a和第1面10a的相反侧的第2面10b。衬底10为绝缘衬底，例如为玻璃衬底、石英衬底或丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂制的柔性衬底。
需要说明的是，在本说明书中，在与衬底10的表面垂直的方向上，将从衬底10朝向无机发光体100的方向记为“上侧”或简记为“上”。另外，将从无机发光体100朝向衬底10的方向记为“下侧”或简记为“下”。另外，当表述在某个构造体之上配置其他构造体的形态时，在简记为“在……上”的情况下，只要没有特别说明，包含以与某个构造体接触的方式在正上方配置其他构造体的情况和在某个构造体的上方还隔着其他构造体配置另外的构造体的情况这两者。
底涂层20设置在衬底10的第1面10a上。多个晶体管设置在底涂层20上。例如，在衬底10的显示区域AA中，作为多个晶体管分别设有像素49中包含的驱动晶体管DRT及写入晶体管SST。在衬底10的周边区域GA中，作为多个晶体管设有驱动电路12中包含的晶体管TrC。需要说明的是，虽然示出多个晶体管中的驱动晶体管DRT、写入晶体管SST及晶体管TrC，但像素电路PICA中包含的发光控制晶体管BCT、初始化晶体管IST及复位晶体管RST也具有与驱动晶体管DRT相同的层叠构造。需要说明的是，在以下的说明中，在无需区分说明多个晶体管的情况下，简记为晶体管Tr。
晶体管Tr为例如双面栅极构造的TFT。晶体管Tr分别具有第1栅电极21、第2栅电极31、半导体层25、源电极41s和漏电极41d。第1栅电极21设置在底涂层20上。绝缘膜24设置在底涂层20上并覆盖第1栅电极21。半导体层25设置在绝缘膜24上。半导体层25例如使用多晶硅。但是，半导体层25不限于此，也可以是微晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、低温多晶硅等。绝缘膜29设置在半导体层25上。第2栅电极31设置在绝缘膜29上。
底涂层20、绝缘膜24、29、45为无机绝缘膜，例如由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)等形成。在第3方向Dz上，第1栅电极21与第2栅电极31隔着绝缘膜24、半导体层25及绝缘膜29对置。在绝缘膜24、29中，由第1栅电极21与第2栅电极31夹入的部分作为栅极绝缘膜发挥功能。另外，在半导体层25中，由第1栅电极21与第2栅电极31夹入的部分成为晶体管Tr的沟道区域27。在半导体层25中，与源电极41s连接的部分为晶体管Tr的源极区域，与漏电极41d连接的部分为晶体管Tr的漏极区域。在沟道区域27与源极区域之间及沟道区域27与漏极区域之间分别设有低浓度杂质区域。需要说明的是，作为晶体管Tr仅示出n型TFT，但也可以同时形成p型TFT。
栅极线31a与驱动晶体管DRT的第2栅电极31连接。在衬底10与栅极线31a之间设有绝缘膜29，在栅极线31a与衬底10之间形成电容CS。第1栅电极21、第2栅电极31及栅极线31a例如由铝(Al)、铜(Cu)、銀(Ag)、钼(Mo)或这些金属的合金膜构成。
在本实施方式中，晶体管Tr并非限定于双面栅极构造。晶体管Tr也可以是栅电极仅由第1栅电极21构成的底栅型。另外，晶体管Tr也可以是栅电极仅由第2栅电极31构成的顶栅型。另外，也可以没有底涂层20。
显示装置1具有设置在衬底10的第1面10a上并覆盖多个晶体管Tr的绝缘膜35。源电极41s设置在绝缘膜35上，经由在绝缘膜35中设置的贯通孔与多个晶体管Tr的各源极连接。漏电极41d设置在绝缘膜35上，经由在绝缘膜35中设置的贯通孔与多个晶体管Tr的各漏极连接。在周边区域GA中，阴极布线60设置在绝缘膜35上。绝缘膜42覆盖源电极41s、漏电极41d及阴极布线60。绝缘膜35为无机绝缘膜，绝缘膜42为有机绝缘膜。源电极41s及漏电极41d由作为钛和铝的层叠构造的TiAlTi或TiAl的层叠膜构成。另外，绝缘膜42使用感光性丙烯酸等有机材料。
源电极41s的一部分形成在与栅极线31a重叠的区域中。由隔着绝缘膜35对置的栅极线31a和源电极41s形成电容Cs1。另外，栅极线31a形成在与半导体层25的一部分重叠的区域中。电容Cs1也包含由隔着绝缘膜24对置的半导体层25和栅极线31a形成的电容。
显示装置1具有源极连接布线43s、漏极连接布线43d、绝缘膜45、对置阳极电极50e、绝缘膜66、连接层50f、无机发光体100、绝缘膜70、平坦化膜80、对置阴极电极90e、平坦化膜92和罩部94。源极连接布线43s设置在绝缘膜42上，经由在绝缘膜42中设置的贯通孔与源电极41s连接。漏极连接布线43d设置在绝缘膜42上，经由在绝缘膜42中设置的贯通孔与漏电极41d连接。绝缘膜45设置在绝缘膜42上并覆盖源极连接布线43s和漏极连接布线43d。对置阳极电极50e设置在绝缘膜45上，经由在绝缘膜45中设置的贯通孔与驱动晶体管DRT的漏极连接布线43d连接。源极连接布线43s及漏极连接布线43d由例如铟锡氧化物(ITO、Indium Tin Oxide)等透明性导电体形成。
绝缘膜66设置在绝缘膜45上并覆盖对置阳极电极50e。连接层50f设置在绝缘膜66上，经由在绝缘膜66中设置的贯通孔与对置阳极电极50e连接。无机发光体100设置在连接层50f之上。对置阳极电极50e经由连接层50f与无机发光体100的阳极电极112连接。在隔着绝缘膜45对置的对置阳极电极50e与源极连接布线43s之间形成电容Cs2。
绝缘膜70设置在绝缘膜66上，并覆盖连接层50f和无机发光体100的阳极电极112的侧面。绝缘膜70在与阳极电极112重叠的位置具有用于安装无机发光体100的开口。平坦化膜80设置在绝缘膜70上并覆盖无机发光体100的侧面。对置阴极电极90e设置在平坦化膜80上。绝缘膜70为无机绝缘膜，由例如氮化硅膜(SiN)形成。平坦化膜80为有机绝缘膜或无机有机混合绝缘膜(在Si-O主链上键合有例如有机基团(甲基或苯基)的材料)。无机发光体100的上表面(阴极电极114)从平坦化膜80露出。对置阴极电极90e与无机发光体100的阴极电极114连接。需要说明的是，图4的层叠构造为一例。例如，也可以不设置绝缘膜70。另外，例如也可以不设置绝缘膜66及连接层50f，在该情况下，例如对置阳极电极50e与阳极电极112直接连接。
对置阴极电极90e经由在显示区域AA的外侧设置的接触孔CH1与在阵列基板2侧设置的阴极布线60连接。具体来说，接触孔CH1设置在平坦化膜80及绝缘膜42中，在接触孔CH1的底面设有阴极布线14。阴极布线60设置在绝缘膜35之上。也就是说，阴极布线60与源电极41s、漏电极41d同层设置并由相同材料形成。对置阴极电极90e从显示区域AA到周边区域GA连续设置，在接触孔CH1的底部与阴极布线60连接。
平坦化膜92设置在对置阴极电极90e上。平坦化膜92为透光性的绝缘膜，也可以是有机绝缘膜、无机绝缘膜或无机绝缘膜与有机绝缘膜的层叠体等。罩部94设置在平坦化膜92上。罩部94是在显示装置1的最上侧设置的罩。罩部94是透光性的构件，例如为玻璃罩。但是，平坦化膜92及罩部94并非必需构成。
接下来，说明无机发光体100的构成。图5是示出本实施方式的无机发光体的构成例的剖视图。如图5所示，无机发光体100具有无机发光元件102、阳极电极112和阴极电极114。需要说明的是，在此将无机发光元件102与阳极电极112与阴极电极114进行了区分，但也可以包含阳极电极112和阴极电极114而作为无机发光元件102。
无机发光元件102为进行发光的发光层。无机发光元件102具有n型包覆层104、p型包覆层106、和在p型包覆层106与n型包覆层104之间设置的发光层108。在本实施方式中，无机发光元件102朝向上侧按照p型包覆层106、发光层108、n型包覆层104的顺序层叠而构成。作为无机发光元件102，使用氮化镓(GaN)、磷化铝铟镓(AlInGaP)或砷化铝镓(AlGaAs)或磷砷化镓(GaAsP)等化合物半导体。进一步来说，在本实施方式中，p型包覆层106及n型包覆层104使用氮化镓(GaN)等。另外，作为发光层108，使用氮化铟镓(InGaN)等。发光层108也可以是InGaN、GaN层叠而成的多量子阱构造(MQW)。
无机发光体100朝向上侧按照阳极电极112、p型包覆层106、发光层108、n型包覆层104、阴极电极114的顺序层叠。在无机发光体100下设有对置阳极电极50e，在无机发光体100上设有对置阴极电极90e。
对置阳极电极50e为导电性的构件、在此包含金属材料。在本实施方式中，对置阳极电极50e含有钛(Ti)和铝(Al)，例如，钛层与铝层沿着第3方向Dz层叠。对置阳极电极50e作为像素电极设置在每个无机发光体100(像素49)中。
阳极电极110设置在对置阳极电极50e之上。阳极电极110为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。阳极电极110与对置阳极电极50e电连接。在阳极电极110之上设有p型包覆层106。阳极电极110与p型包覆层106连接。
阴极电极114设置在n型包覆层104之上。阴极电极114为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。阴极电极114与对置阴极电极90e连接。
作为对置电极的对置阴极电极90e为具有透光性的导电性的构件，例如为ITO。对置阴极电极90e为针对多个(在此为全部的)无机发光体100(像素49)公共设置的公共电极，与多个(在此为全部的)无机发光体100的阴极电极114连接。
在本实施方式中，显示装置1作为无机发光体100(无机发光元件102)具备发出第1色的光LR的第1无机发光体100R(第1无机发光元件102R)、发出第2色的光LG的第2无机发光体100G(第2无机发光元件102G)和发出第3色的光LB的第3无机发光体100B(第3无机发光元件102B)。第1无机发光体100R、第2无机发光体100G及第3无机发光体100B例如因无机发光元件102中的材料的组成比不同而分别发出第1色的光LR、第2色的光LG、第3色的光LB这样的不同颜色的光。第1无机发光体100R发出的第1色的光LR为第1波段的光，第1波段例如为620nm以上且小于750nm。需要说明的是，所谓为第1波段的光，是指第1波段的波长范围内的至少一个波长的光，对于其他波段的光也相同。第2无机发光体100G发出的第2色的光LG为第2波段的光，第2波段例如为495nm以上且小于570nm。第3无机发光体100B发出的第3色的光LB为第3波段的光，第3波段例如为450nm以上且小于495nm。
在此，无机发光元件102形成在作为与阵列基板2不同的基板的形成基板上，再从形成基板转移到阵列基板2上。无机发光元件102在形成在形成基板上时，存在因例如制造不良等而变得不良的情况。此处的不良是指无机发光元件102不适当地发光的情况、即使在适当发光的情况下也形成有缺陷等而短时间内变得发光不良的情况等。以下，将变为不良的无机发光元件102(无机发光体100)记为不良无机发光元件102a(不良无机发光体100a)。若不良无机发光元件102a被转移到阵列基板2，则由于不良无机发光元件102a的发光不良而存在显示装置1变得无法适当显示图像等品质上出现问题的可能性。因此，在本实施方式中，不将不良无机发光元件102a搭载在阵列基板2，作为替代的无机发光元件102将替代无机发光元件102W搭载在阵列基板2上，形成替代的无机发光体100即替代无机发光体100W。
替代无机发光体100W(替代无机发光元件102W)为发出替代色的光LW的无机发光体100(无机发光元件102)。替代色是与第1色、第2色及第3色不同颜色的光，在本实施方式中也可以说是第1色的光、第2色的光及第3色的光合成而得的光。替代色在本实施方式中为白色的光。替代无机发光体100W发出的替代色的光LB包含第1波段、第2波段及第3波段的波长范围的光。替代无机发光体100W并非包含多个无机发光体，而是由一个无机发光体发出替代色(在此为白色)的光。替代无机发光体100W作为发光层108具有由多量子阱构造(MQW)构成的发光层。替代无机发光体100W的发光层108例如由多个障壁层和阱层层叠而构成。阱层例如由含有镓的III族氮化物半导体材料构成，可以由氮化镓或氮化镓与氮化铟的混晶等构成。障壁层例如由与阱层相比带隙能大的材料构成，例如可以由氮化镓等III族氮化物半导体材料构成。需要说明的是，替代无机发光体100W只要能够发出替代色的光，则材料及构成不限于此。
另外，显示装置1在替代无机发光体100W之上设有作为彩色滤色器的滤色器部96。滤色器部96只要使来自替代无机发光体100W的替代色的光LW中的、与不良无机发光元件102a在正常时发出的光的颜色相同颜色的光、换言之与在显示装置1上搭载的正常的无机发光元件102中的1个的光相同颜色的光透过。此处的相同颜色的光是指相同波段的范围内的光，可以说滤色器部96使得与不良无机发光元件102a正常时发出的光相同波段的范围内的光、换言之与在显示装置1上搭载的其他无机发光元件102中的1个的光相同波段的光透过。以下具体地进行说明。
图6及图7是示出搭载有替代无机发光体的情况的例子的示意图。图6是俯视观察显示装置1的替代无机发光体100W的情况的示意图，图7是显示装置1的替代无机发光体100W附近的示意性剖视图。如图6所示，替代无机发光体100W与不良无机发光体100a之外的其他无机发光体100一起以矩阵状排列设置，如图7所示，与不良无机发光体100a之外的其他无机发光体100设置在相同层。替代无机发光体100W搭载在本来预定搭载不良无机发光体100a的位置。需要说明的是，图7示出一个第1无机发光体100R被检测出为不良无机发光体100a的情况的例子。因此，在图7的例子中，在预定搭载被检测为不良无机发光体100a的第1无机发光体100R的位置搭载有替代无机发光体100W。
如图7所示，在替代无机发光体100W之上设有滤色器部96。滤色器部96以在俯视观察时与替代无机发光体100W重叠的方式设置，与替代无机发光体100W之外的其他无机发光体100不重叠。滤色器部96吸收来自替代无机发光体100W的替代色的光LW中的、与来自不良无机发光体100a(其被替换为替代无机发光体100W)的光不同的波段(颜色)的光，使与来自被置换为替代无机发光体100W的不良无机发光元件102a的光相同波段(颜色)的光透过。如图7所示，在不良无机发光元件102a为第1无机发光元件102R的情况下，作为与该不良无机发光元件102a的替代无机发光体100W重叠的滤色器部96设置滤色器部96R。滤色器部96R对来自替代无机发光体100W的替代色的光LW中的、第1色之外的其他颜色(第1波段的范围外)的光进行遮挡，使第1色(第1波段的范围内)的光透过。另外，在不良无机发光元件102a为第2无机发光元件102G的情况下，作为与该不良无机发光元件102a的替代无机发光体100W重叠的滤色器部96设置滤色器部96G。滤色器部96G对来自替代无机发光体100W的替代色的光LW中的、第2色之外的其他颜色(第2波段的范围外)的光进行遮挡，使第2色(第2波段的范围内)的光透过。另外，在不良无机发光元件102a为第3无机发光元件102B的情况下，作为与该不良无机发光元件102a的替代无机发光体100W重叠的滤色器部96设置滤色器部96B。滤色器部96B对来自替代无机发光体100W的替代色的光LW中的、第3色之外的其他颜色(第3波段的范围外)的光进行遮挡，使第3色(第3波段的范围内)的光透过。需要说明的是，作为滤色器部96的材料，能够举出与例如红色、绿色、蓝色相当的彩色滤色器。
如图7所示，替代无机发光体100W发出的光LW入射至替代无机发光体100W的上侧的滤色器部96(在图7的例子中为滤色器部96R)，在滤色器部96中，使与不良无机发光元件102a相同颜色的光、换言之与在显示装置1上搭载的另一个无机发光元件102相同颜色的光(在图7的例子中为与第1无机发光元件102R相同的第1色的光LR)透过，并向显示装置1的外部出射。像这样，本实施方式的显示装置1在不搭载不良无机发光元件102a的情况下，也能够通过替代无机发光体100W及滤色器部96照射与不良无机发光元件102a正常搭载时发出的颜色相同颜色的光。换言之，显示装置1能够通过替代无机发光体100W及滤色器部96代替地构成预定由不良无机发光元件102a构成的像素49(在图7的例子中为第1像素49R)。像这样，根据本实施方式，通过不搭载不良无机发光元件102a，从而能够在抑制显示装置1的图像显示变得不当的同时，以由替代无机发光体100W及滤色器部96来代替发挥应由不良无机发光元件102a承担的像素49的功能，因此即使在不搭载不良无机发光元件102a的情况下，也能够适当地显示图像。
本实施方式的显示装置1可以说包括发出规定颜色的光的无机发光体100、发出与规定颜色不同的替代色的光LW的替代无机发光体100W和滤色器部96。滤色器部96设置在俯视观察时与替代无机发光体100W重叠的位置，使来自替代无机发光体100W的光LW中的规定颜色的光透过。即，本实施方式的显示装置1使从替代无机发光元件102W发光并从滤色器部96中透过的光的颜色与从另一个无机发光元件102发出的光的颜色相同。进而可以说，在未设置替代无机发光体100W及滤色器部96的一个像素Pix中设有第1无机发光体100R、第2无机发光体100G和第3无机发光体100B。另一方面，在设有替代无机发光体100W及滤色器部96的一个像素Pix中，未设置发出与从滤色器部96中透过的光的颜色相同颜色的光的无机发光体100。例如在设有滤色器部96R的像素Pix中未设置第1无机发光体100R，而设有替代无机发光体100W及滤色器部96R、第2无机发光体100G和第3无机发光体100B。另外，若着眼于显示装置1整体，则作为显示规定颜色(例如第1色)的像素49(例如第1像素49R)，包括：包含发出该规定颜色的光的无机发光体100(例如第1无机发光体100R)的像素49；和包含发出替代色的光LW的替代无机发光体100W及使该规定颜色的光透过的滤色器部96(例如滤色器部96R)的像素49。
需要说明的是，在本实施方式中，来自替代无机发光体100W的替代色的光LW包含与不良无机发光元件102a的光相同波段的光，滤色器部96使来自替代无机发光体100W的替代色的光LW中的、与来自不良无机发光元件102a的光的波段(颜色)相同波段(颜色)的光透过。但是，替代色的光LW可以不包含与不良无机发光元件102a的光相同波段的光。在该情况下，滤色器部96例如也可以是将来自替代无机发光体100W的替代色的光LW的波长(颜色)转换为与来自不良无机发光元件102a的光相同波段(颜色)的波长转换过滤器。即，滤色器部96使来自替代无机发光体100W的光LW成为与来自不良无机发光元件102a的光相同颜色的光并出射即可。
(显示装置的制造方法)
接下来，说明显示装置1的制造方法，更具体来说，说明替代无机发光体100W及滤色器部96的搭载方法。图8是说明本实施方式的显示装置的制造方法的图。如图8的步骤S10所示，在本实施方式的显示装置1的制造方法中形成显示装置1的阵列基板2。即，形成显示装置1中的与阳极电极112相比位于下侧的各部分和阳极电极112。另外，在本制造方法中，在与阵列基板2不同的形成基板200上形成无机发光元件102。在本实施方式中，按无机发光元件102的种类使用不同的形成基板200来形成。即，在一个形成基板200上形成发出相同颜色的光的无机发光元件102，在图8的例子中，在形成基板200R上形成多个第1无机发光元件102R，在形成基板200G上形成多个第2无机发光元件102G，在形成基板200B上形成多个第3无机发光元件102B。
在本实施方式中，针对在形成基板200上形成的无机发光元件102执行检测步骤，从在形成基板200上形成的无机发光元件102中检测不良无机发光元件102a。作为不良无机发光元件102a的检测方法，例如能够使用光致发光法。在光致发光法中，向无机发光元件102照射光，检测被激发的无机发光元件102的电子恢复为基态时发出的光，基于该光检测缺陷等无机发光元件102的状态。并且，基于使用例如光致发光法检测到的无机发光元件102的状态，判断是否为不良无机发光元件102a。可以将例如使用光致发光法检测到缺陷的无机发光元件102判断为不良无机发光元件102a。但不良无机发光元件102a的检测方法不限于此而是任意的。
在本制造方法中，将在形成基板200上形成的无机发光元件102中的、不良无机发光元件102a之外的其他无机发光元件102搭载在阵列基板2上。在图8中，以从形成基板200R上的多个第1无机发光元件102R中检测到不良无机发光元件102a的情况为例进行说明。在步骤S10中，将形成基板200R上的多个第1无机发光元件102R中的、不良无机发光元件102a之外的其他第1无机发光元件102R搭载在阵列基板2的阳极电极112上。在阵列基板2的预定搭载不良无机发光元件102a的阳极电极112上不搭载第1无机发光元件102R，保留能够搭载无机发光元件102的空间。在本实施方式中，通过激光剥离将无机发光元件102搭载在阵列基板2上。具体来说，使形成基板200R的形成有第1无机发光元件102R的面与阵列基板2的形成有阳极电极112的面相对。然后，从形成基板200R的与形成有第1无机发光元件102R的面相反侧的面，向形成基板200R上的不良无机发光元件102a之外的其他第1无机发光元件102R照射激光LI。由此，不良无机发光元件102a之外的其他第1无机发光元件102R从形成基板200R上剥离并转印到阵列基板2的阳极电极112上。在本制造方法中，一边向形成基板200R的面整体照射激光LI，一边施以掩膜等以免激光LI照射到不良无机发光元件102a上，从而可以仅向不良无机发光元件102a之外的其他第1无机发光元件102R照射激光LI。由此，能够通过例如1次的激光LI的照射来选择性地将不良无机发光元件102a之外的其他多个第1无机发光元件102R剥离。但是，也可以向各不良无机发光元件102a之外的其他第1无机发光元件102R单独地照射激光LI。另外，在阵列基板2上搭载无机发光元件102的方法可以是任意的，不限于激光剥离。
需要说明的是，在图8的例子中，在形成基板200上形成的无机发光元件102的位置与在阵列基板2上形成的阳极电极112的位置对应，换言之，在形成基板200上形成的无机发光元件102的数量及间距(相邻的无机发光元件102的中心间距离)与在阵列基板2上形成的阳极电极112的数量及间距(相邻的无机发光元件102的中心间距离)相同。也可以说是形成基板200上的无机发光元件102的坐标与阵列基板2上的阳极电极112的坐标对应。在图8的例子中，形成基板200R上的第1无机发光元件102R的数量及间距与阵列基板2上的预定搭载无机发光元件102(第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G、第3无机发光元件102B)的阳极电极112的数量及间距对应。但是，在形成基板200上形成的第1无机发光元件102R的数量及间距也可以不限于此而是任意的。例如，形成基板200R上的第1无机发光元件102R的数量及间距也可以与阵列基板2上的预定搭载第1无机发光元件102R的阳极电极112的数量及间距对应。另外，例如，也可以使得在形成基板200R上形成的第1无机发光元件102R的数量为阵列基板2上的预定搭载无机发光元件102的阳极电极112的数量的任意的整数n倍，使得在形成基板200R上形成的第1无机发光元件102R的间距相对于阵列基板2上的预定搭载第1无机发光元件102R的阳极电极112的间距为整数的n分之1倍。在该情况下，仅对形成基板200上的向阵列基板2转印的无机发光元件102照射激光LI。形成基板200G、200B上的第2无机发光元件102G、第3无机发光元件102B的数量及间距、后述的形成基板202上的替代无机发光元件102W的数量及间距可以与形成基板200R上的第1无机发光元件102R的数量及间距同样地设定。
接下来，如步骤S12所示，将形成基板200G上的多个第2无机发光元件102G搭载在阵列基板2的阳极电极112上。具体来说，使形成基板200G的形成有第2无机发光元件102G的面与阵列基板2的形成有阳极电极112的面相对，从形成基板200G的与形成有第2无机发光元件102G的面相反侧的面，向形成基板200G上的第2无机发光元件102G照射激光LI。由此，将第2无机发光元件102G从形成基板200G上剥离，并将第2无机发光元件102G转印到阵列基板2的阳极电极112上。需要说明的是，在本实施方式中，针对形成基板200G上的多个第2无机发光元件102G也进行不良无机发光元件102a的检测，在存在不良无机发光元件102a的情况下，将不良无机发光元件102a之外的其他第2无机发光元件102G搭载在阵列基板2的阳极电极112上。
接下来，如步骤S14所示，将形成基板200B上的多个第3无机发光元件102B搭载在搭载在阵列基板2的阳极电极112上。具体来说，使形成基板200B的形成有第3无机发光元件102B的面与阵列基板2的形成有阳极电极112的面相对，从形成基板200B的与形成有第3无机发光元件102B的面相反侧的面向形成基板200B上的第3无机发光元件102B照射激光LI。由此，将第3无机发光元件102B从形成基板200B上剥离，并将第3无机发光元件102B转印到阵列基板2的阳极电极112上。需要说明的是，在本实施方式中，对于形成基板200B上的多个第3无机发光元件102B也进行不良无机发光元件102a的检测，在存在不良无机发光元件102a的的情况下，将不良无机发光元件102a之外的其他第3无机发光元件102B搭载在阵列基板2的阳极电极112上。
像这样，在图8的例子中，按照第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G、第3无机发光元件102B的顺序进行向阵列基板2的阳极电极112上的搭载，但搭载的次序是任意。另外，在本实施方式中，将第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G、第3无机发光元件102B分别形成在不同的形成基板200上，将第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G、第3无机发光元件102B分别在不同的时机向阵列基板2转移。但是，例如也可以在一个形成基板200上形成第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G及第3无机发光元件102B，并将这些元件一次转移到阵列基板2上。
在第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G、第3无机发光元件102B向阵列基板2的搭载结束时，如步骤S16所示，将替代无机发光元件102W搭载在阵列基板2的阳极电极112上。更详细来说，在阵列基板2的预定搭载不良无机发光元件102a的位置搭载替代无机发光元件102W。在本实施方式中，在形成基板202上、即与搭载有第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G及第3无机发光元件102B的形成基板200不同的基板上形成替代无机发光元件102W。然后，将在形成基板202上形成的替代无机发光元件102W搭载在阵列基板2的阳极电极112上。具体来说，使形成基板202的形成有替代无机发光元件102W的面与阵列基板2的形成有阳极电极112的面相对，从形成基板202的与形成有替代无机发光元件102W的面相反侧的面向形成基板202上的替代无机发光元件102W照射激光LI。由此，将替代无机发光元件102W从形成基板202上剥离，并将替代无机发光元件102W转印到阵列基板2的阳极电极112上。需要说明的是，在此，向位于与预定搭载不良无机发光元件102a的阵列基板2的阳极电极112相对的位置的替代无机发光元件102W照射激光LI。由此，能够仅使形成基板202上的替代无机发光元件102W中的、位于与预定搭载不良无机发光元件102a的阳极电极112相对的位置的替代无机发光元件102W剥离，以在预定搭载不良无机发光元件102a的阳极电极112上搭载替代无机发光元件102W。需要说明的是，对于形成基板202上的替代无机发光元件102W也可以进行不良检查，将非不良的替代无机发光元件102W搭载到阵列基板2上。
在步骤S16中将替代无机发光元件102W搭载在阵列基板2上，从而如步骤S18所示，不良无机发光元件102a之外的其他无机发光元件102和替代无机发光元件102W被搭载到阵列基板2上。在本实施方式中，在步骤S10、S12、S14(第1搭载步骤)中搭载不良无机发光元件102a之外的其他无机发光元件102，然后在步骤S16(第2搭载步骤)中搭载替代无机发光元件102W，但次序不限于此，例如可以先搭载替代无机发光元件102W。在该情况下，预先对形成基板200上的不良无机发光元件102a进行检测，检测出阵列基板2上的与不良无机发光元件102a对应的阳极电极112(预定搭载不良无机发光元件102a的阳极电极112)。然后，针对阵列基板2上的与不良无机发光元件102a对应的阳极电极112搭载替代无机发光元件102W，之后搭载不良无机发光元件102a之外的其他无机发光元件102即可。
在搭载了不良无机发光元件102a之外的其他无机发光元件102和替代无机发光元件102W之后，如步骤S20所示，在各无机发光元件102上、即在不良无机发光元件102a之外的其他无机发光元件102及替代无机发光元件102W之上分别形成阴极电极114。由此，形成包含阳极电极112、无机发光元件102及阴极电极114的无机发光体100。然后，在无机发光体100上、即在不良无机发光体100a之外的其他无机发光体100及替代无机发光体100W上形成对置阴极电极90e(对置电极形成步骤)。对置阴极电极90e针对全部的无机发光体100公共设置。需要说明的是，在图8的例子中，将未包含阳极电极112及阴极电极114的无机发光元件102形成在形成基板上再转印到阵列基板2上，例如也可以将阳极电极112、无机发光元件102及阴极电极114形成在形成基板上再转印到阵列基板2上。
在形成对置阴极电极90e后，如步骤S22(滤色器部形成步骤)所示，在对置阴极电极90e上的俯视观察与替代无机发光体100W重叠的位置形成滤色器部96。在本制造方法中，例如将液状的滤色器部96涂布到对置阴极电极90e上的俯视观察与替代无机发光体100W重叠的位置，并使液状的滤色器部96固化，从而形成滤色器部96。但是，也可以将例如固体状的滤色器部96贴附在对置阴极电极90e上的、俯视观察与替代无机发光体100W重叠的位置。在步骤S22中，对应于未搭载的不良无机发光体100a的种类、即不良无机发光体100a发出的光的颜色选择滤色器部96，并将所选择的滤色器部96形成在对置阴极电极90e上。即，在预定搭载在供替代无机发光体100W被搭载的位置的不良无机发光体100a为第1无机发光体100R的情况下，在与该替代无机发光体100W重叠的位置形成滤色器部96R，在预定搭载在供替代无机发光体100W被搭载的位置的不良无机发光体100a为第2无机发光体100G的情况下，在与该替代无机发光体100W重叠的位置形成滤色器部96G，在预定搭载在供替代无机发光体100W被搭载的位置的不良无机发光体100a为第3无机发光体100B的情况下，在与该替代无机发光体100W重叠的位置形成滤色器部96B。
在形成滤色器部96后，如步骤S24所示，在对置阴极电极90e上形成平坦化膜92及罩部94，以完成显示装置1的制造。但是，步骤S24的工序并非必需，也可以在步骤S22中形成滤色器部96来完成显示装置1的制造。
如上所述，本实施方式的具备阵列基板2及排列成矩阵状的多个无机发光元件102的显示装置1的制造方法包括检测步骤、第1搭载步骤、第2搭载步骤和滤色器部形成步骤。在检测步骤中，从在形成基板200上形成的无机发光元件102中检测出变为不良的无机发光元件102即不良无机发光元件102a。在第1搭载步骤中，将在形成基板200上形成的无机发光元件102中的、不良无机发光元件102a之外的其他无机发光元件102搭载在阵列基板2上。在第2搭载步骤中，将发出与不良无机发光元件102a不同颜色的光的替代无机发光元件102W搭载在阵列基板2上。在滤色器部形成步骤中，在从来自阵列基板2上的无机发光元件102的光的行进方向观察(俯视观察时)与替代无机发光元件102W重叠的位置，形成使来自替代无机发光元件102W的光LW成为颜色与来自不良无机发光元件102a的光相同的光并出射的滤色器部96。
根据本实施方式，通过不将不良无机发光元件102a搭载在显示装置1上，从而能够抑制因不良无机发光元件102a的发光不良而导致显示装置1的图像显示不当。此外，通过取代不良无机发光元件102a而搭载替代无机发光体100W及滤色器部96，能够由替代无机发光体100W及滤色器部96代替发挥应由不良无机发光元件102a承担的像素49的功能，因此即使在制造出不良无机发光元件102a的情况下，也能够适当地显示图像。另外，第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G及第3无机发光元件102B全部存在变为不良的可能性。在该情况下，若将发出与不良无机发光元件102a相同颜色的光的无机发光元件102设为替代无机发光体，则需要将第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G及第3无机发光元件102B各自作为替代无机发光体搭载在显示装置1上。在该情况下，例如，需要第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G及第3无机发光元件102B的3次的替代无机发光体的搭载工序。另一方面，在本实施方式中，通过滤色器部96来呈现应由不良无机发光元件102a发出的颜色，因此对于第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G及第3无机发光元件102B中的任一者，均只要准备一种替代无机发光元件102W即可。因此，能够使替代无机发光元件102W的搭载工序成为1次，能够减小替代无机发光元件102W的搭载工序的负荷、即能够减小制造中的作业负荷。
另外，在第2搭载步骤中，在阵列基板2上的预定搭载不良无机发光元件102a的位置搭载替代无机发光元件102W。由此，能够由替代无机发光元件102W承担本预定由不良无机发光元件102a承担的像素49的功能，即使在制造出不良无机发光元件102a的情况下，也能够适当地显示图像。
另外，在第2搭载步骤中，将在与形成基板200不同的基板(形成基板202)上形成的替代无机发光元件102W搭载在阵列基板2上。根据本制造方法，将在形成基板202上形成的替代无机发光元件102W搭载在阵列基板2上，因此能够将替代无机发光元件102W适当地搭载在阵列基板2上。
另外，本制造方法还包括在搭载在阵列基板2上的无机发光元件102及替代无机发光元件102W之上形成对置电极(对置阴极电极90e)的对置电极形成步骤。在滤色器部形成步骤中，在对置阴极电极90e上形成滤色器部96。根据本制造方法，由于在对置阴极电极90e上形成滤色器部96，因此即使在制造出不良无机发光元件102a的情况下，也能够适当地显示图像。
另外，滤色器部96由使得来自替代无机发光元件102W的光LW中的、波段与来自不良无机发光元件102a的光相同的光透过的构件构成。通过使用这样的滤色器部96，从而即使在制造了不良无机发光元件102a的情况下，也能够适当地显示图像。
在形成基板200上形成的无机发光元件102发出红色、绿色或蓝色中的任一种光，替代无机发光元件102W发出白色的光。通过使用发出白色的光的替代无机发光元件102W，从而能够利用滤色器部96形成红色、绿色及蓝色的光，即使在制造出不良无机发光元件102a的情况下，也能够适当地显示图像。
本实施方式的显示装置1具备排列成矩阵状的多个无机发光元件102和滤色器部96。多个无机发光元件102具备发出规定颜色的光的无机发光元件102和发出颜色与规定颜色的光不同(替代色)的光LW的替代无机发光元件102W。滤色器部96设置在从来自无机发光元件102的光的行进方向观察(俯视观察时)与替代无机发光元件102W重叠的位置，使来自替代无机发光元件102W的光LW成为颜色与规定颜色的光相同的光并出射。即，本实施方式的显示装置1使得从替代无机发光元件102W发光并从滤色器部96中透过的光的颜色得以与从其他无机发光元件102发出的光的颜色相同。因此，根据显示装置1，能够由替代无机发光元件102W及滤色器部96发出本应由未搭载的不良无机发光元件102a发出的颜色的光，因此，即使在制造出不良无机发光元件102a的情况下，也能够适当地显示图像。
以下，说明本实施方式的其他例。图9是示出搭载有替代无机发光体的情况的其他例的示意图。例如，如图9所示，本制造方法也可以在显示装置1的对置阴极电极90e的上侧的面90ea1形成凹部90eb。凹部90eb为在对置阴极电极90e的上侧的面90ea1上形成的开口，未贯通至对置阴极电极90e的下侧的面90ea2。凹部90eb设置在俯视观察时与替代无机发光元件102W重叠的位置。通过像这样设置凹部90eb，从而能够在凹部90eb设置滤色器部96，使得滤色器部96的定位容易，在涂布液状的滤色器部96的情况下，能够抑制滤色器部96扩展至与其他无机发光体100重叠的位置。需要说明的是，凹部90eb可以仅形成在与替代无机发光元件102W重叠的位置，也可以设置在与全部的无机发光体100重叠的位置。在凹部90eb设置在与全部无机发光体100重叠的位置的情况下，仅在与替代无机发光元件102W重叠的凹部90eb形成滤色器部96。
图10是示出搭载有替代无机发光体的情况的其他例的示意图。如图5所示，本实施方式的无机发光体100为在下部设置的阳极电极112与对置阳极电极50e连接，在上部设置的阴极电极114与对置阴极电极90e连接的类型(以下称为面朝上型)。但是，无机发光体100不限定于面朝上型。例如，如图10所示，无机发光体100也可以是下部与对置阳极电极50e和对置阴极电极90e双方连接的面朝下型。
在面朝下型中，无机发光元件102的n型包覆层104构成为俯视观察时的面积比p型包覆层106及发光层108大。无机发光体100包含n型包覆层104与p型包覆层106及发光层108重叠的区域AR1和n型包覆层104与p型包覆层106及发光层108不重叠的区域AR2。在区域AR1中，无机发光体100朝向上侧依次层叠有对置阳极电极50e、连接层50f、阳极电极112、p型包覆层106、发光层108和n型包覆层104。另一方面，在区域AR2中，无机发光体100朝向上侧依次层叠有对置阴极电极90e、连接层90f、阴极电极114a和n型包覆层104。与图5不同，图10的对置阴极电极90e与无机发光元件102相比设置在下侧。连接层90f可以由与例如连接层50f相同构件构成。另外，阴极电极114a与图5中示出的阴极电极114不同，也可以不具有透光性，只要为具有导电性的材料即可。例如，阴极电极114a含有钛(Ti)和铝(Al)，例如钛层、铝层及钛层沿着第3方向Dz层叠。
在面朝下型中，对置阴极电极90e设置在无机发光元件102的下侧，因此在替代无机发光体100W中，在替代无机发光体100W的n型包覆层104的上侧设置滤色器部96。
图11是示出搭载有替代无机发光体的情况的其他例的示意图。在图7中示出第1无机发光元件102R为不良无机发光元件102a的情况的例子，而图11示出其他第1无机发光元件102R为不良无机发光元件102a的情况的例子。
图11的(A)示出一个第2无机发光元件102G被检测为不良无机发光元件102a的情况的例子。在该情况下，在预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第2无机发光元件102G的位置搭载有替代无机发光元件102W。并且，在俯视观察时与替代无机发光体100W重叠的位置设有滤色器部96G。图11的(B)示出一个第3无机发光元件102B被检测为不良无机发光元件102a的情况的例子。在该情况下，在预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第3无机发光元件102B的位置搭载有替代无机发光元件102W。并且，在俯视观察时与替代无机发光体100W重叠的位置设有滤色器部96B。
图11的(C)示出第1无机发光元件102R和第2无机发光元件102G被检测为不良无机发光元件102a的情况的例子。在该情况下，在预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第1无机发光元件102R的位置和预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第2无机发光元件102G的位置搭载有替代无机发光元件102W。并且，在与搭载在预定搭载第1无机发光元件102R的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设有滤色器部96R。并且，在与搭载在预定搭载第2无机发光元件102G的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96G。
图11的(D)示出第1无机发光元件102R和第3无机发光元件102B被检测为不良无机发光元件102a的情况的例子。在该情况下，在预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第1无机发光元件102R的位置和预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第3无机发光元件102B的位置搭载有替代无机发光元件102W。并且，在与搭载在预定搭载第1无机发光元件102R位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96R。并且，在与搭载在预定搭载第3无机发光元件102B的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96B。
图11的(E)示出第2无机发光元件102G与第3无机发光元件102B被检测为不良无机发光元件102a的情况的例子。在该情况下，在预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第2无机发光元件102G的位置和预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第3无机发光元件102B的位置搭载有替代无机发光元件102W。并且，在与搭载在预定搭载第2无机发光元件102G的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96G。并且，在与搭载在预定搭载第3无机发光元件102B的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96B。
图11的(F)示出第1无机发光元件102R、第2无机发光元件102G及第3无机发光元件102B被检测为不良无机发光元件102a的情况的例子。在该情况下，在预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第1无机发光元件102R的位置、预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第2无机发光元件102G的位置、和预定搭载被检测为不良无机发光元件102a的第3无机发光元件102B的位置搭载有替代无机发光元件102W。并且，在与搭载在预定搭载第1无机发光元件102R的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96R。并且，在与搭载在预定搭载第2无机发光元件102G的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96G。并且，在与搭载在预定搭载第3无机发光元件102B的位置的替代无机发光元件102W重叠的位置设置滤色器部96B。
另外，关于本实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果，从本说明书的记载可知或本领域技术人员能够适当想到的效果当然应理解为由本发明所带来。

Claims (6)

1.显示装置的制造方法，所述显示装置具备阵列基板及排列成矩阵状的多个无机发光元件，所述制造方法包括下述步骤：
检测步骤，从在形成基板上形成的多个所述无机发光元件中，检测出变为不良的所述无机发光元件即不良无机发光元件；
第1搭载步骤，将在所述形成基板上形成的所述无机发光元件中的、所述不良无机发光元件之外的其他所述无机发光元件搭载在所述阵列基板上；
第2搭载步骤，将发出与所述不良无机发光元件不同颜色的光的替代无机发光元件搭载在所述阵列基板上；和
滤色器部形成步骤，在与所述替代无机发光元件重叠的位置形成滤色器部，所述滤色器部使来自所述替代无机发光元件的光成为颜色与来自所述不良无机发光元件的光相同的光并出射，
在所述第1搭载步骤中，一边向所述形成基板的面整体照射激光，一边施以掩膜以免激光照射到所述不良无机发光元件上，从而仅将所述不良无机发光元件之外的其他所述无机发光元件搭载在所述阵列基板上。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在所述第2搭载步骤中，在所述阵列基板上的预定搭载所述不良无机发光元件的位置搭载所述替代无机发光元件。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法，其中，在所述第2搭载步骤中，将在与所述形成基板不同的基板上形成的所述替代无机发光元件搭载在所述阵列基板上。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法，其中，
还包括对置电极形成步骤，在搭载在所述阵列基板上的所述无机发光元件及所述替代无机发光元件之上形成对置电极，
在所述滤色器部形成步骤中，在所述对置电极上形成所述滤色器部。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法，其中，所述滤色器部由使得来自所述替代无机发光元件的光中的、波段与来自所述不良无机发光元件的光相同的光透过的构件构成。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法，其中，在所述形成基板上形成的无机发光元件发出红色、绿色或蓝色中的任一种光，所述替代无机发光元件发出白色的光。
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