TW202115941A - 顯示裝置之製造方法及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於即使當發生不良之情形時，亦抑制製造之作業負荷變高並適當地顯示圖像。 本製造方法包含：檢測步驟，其自形成於形成基板200上之複數個無機發光元件102檢測不良無機發光元件102a；第1搭載步驟，其將形成於形成基板200上之無機發光元件102中之不良無機發光元件102a以外的無機發光元件102，搭載於陣列基板2上；第2搭載步驟，其將發出與不良無機發光元件102a不同顏色之光的替代無機發光元件102W，搭載於陣列基板2上；及濾光器部形成步驟，其於自來自陣列基板2上之無機發光元件102之光之行進方向觀察時，於與替代無機發光元件102W重疊之位置形成濾光器部96，該濾光器部96將來自替代無機發光元件102W之光設為與來自不良無機發光元件102a之光相同顏色之光而出射。

Description

顯示裝置之製造方法及顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置之製造方法及顯示裝置。
近年來，使用微小尺寸之發光二極體(微型LED(micro LED))作為顯示元件之顯示裝置備受矚目。例如於專利文獻1，記載有藉由於發出白色光之發光二極體疊加紅色之彩色濾光器，而表現紅色之顯示裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利申請案公開第2018/0206299號公報
[發明所欲解決之問題]
此處，發光二極體於例如基板上製造後，搭載於顯示裝置1之陣列基板(背板)。發光二極體有時會被製造成無法適當發光之不良品，若將此種不良品搭載於顯示裝置，則有顯示裝置無法適當顯示圖像之虞。亦可取代不良品將其他發光二極體搭載於顯示裝置，但亦有搭載步驟之作業負荷變高之情形。因此，謀求提供一種即使於製造出不良品之發光二極體之情形時，亦可抑制製造之作業負荷變高，且適當顯示圖像之顯示裝置。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種即使當發生不良之情形時，亦可抑制製造之作業負荷變高並適當顯示圖像之顯示裝置、及顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之顯示裝置之製造方法係具備陣列基板及矩陣狀排列之複數個無機發光元件的顯示裝置之製造方法，且具備：檢測步驟，其自形成於形成基板上之複數個上述無機發光元件，檢測不良之上述無機發光元件即不良無機發光元件；第1搭載步驟，其將形成於上述形成基板上之上述無機發光元件中之上述不良無機發光元件以外的上述無機發光元件，搭載於上述陣列基板上；第2搭載步驟，其將發出與上述不良無機發光元件不同顏色之光的替代無機發光元件，搭載於上述陣列基板上；及濾光器部形成步驟，其於與上述替代無機發光元件重疊之位置形成濾光器部，該濾光器部將來自上述替代無機發光元件之光設為與來自上述不良無機發光元件之光相同顏色之光而出射。
本發明之一態樣之顯示裝置係具備矩陣狀排列之複數個無機發光元件之顯示裝置，複數個上述無機發光元件包含：無機發光元件，其發出特定顏色之光；及替代無機發光元件，其發出與上述特定顏色之光不同顏色之光；且上述顯示裝置設置濾光器部，該濾光器部設置於與上述替代無機發光元件重疊之位置，將來自上述替代無機發光元件之光設為與上述特定顏色之光相同顏色之光而出射。
於以下，對本發明之各實施形態，參照圖式予以說明。另，揭示係僅為一例，關於本領域技術人員可容易想到確保發明主旨之適當變更者，當然包含於本發明之範圍內。又，圖式係為了使說明更明確，而與實際態樣相比，存在模式性顯示各部之寬度、厚度、形狀等之情形，但僅為一例，並非限定本發明之解釋。又，於本說明書與各圖中，對與針對已出現之圖上述者相同之要件，標註相同符號，且有時適當省略詳細說明。
(顯示裝置之構成) 圖1係顯示本實施形態之顯示裝置之構成例之俯視圖。如圖1所示，顯示裝置1包含陣列基板2、像素Pix、驅動電路12、驅動IC(Integrated Circuit：積體電路)210、及陰極配線60。陣列基板2係用於驅動各像素Pix之驅動電路基板，亦稱為背板或主動矩陣基板。陣列基板2具有基板10、複數個電晶體、複數個電容及各種配線等。
如圖1所示，顯示裝置1具有顯示區域AA、與周邊區域GA。顯示區域AA係配置有複數個像素Pix之區域，即顯示圖像之區域。周邊區域GA係不與複數個像素Pix重疊之區域，且配置於顯示區域AA之外側。
複數個像素Pix於基板10之顯示區域AA中，排列於第1方向Dx及第2方向Dy。另，第1方向Dx及第2方向Dy係相對於陣列基板2之基板10之第1面10a(參照圖4)平行之方向。第1方向Dx與第2方向Dy正交。但，第1方向Dx亦可不與第2方向Dy正交而交叉。第3方向Dz係與第1方向Dx及第2方向Dy正交之方向。第3方向Dz對應於例如基板10之法線方向。以下，俯視表示自第3方向Dz觀察之情形之位置關係。
驅動電路12設置於基板10之周邊區域GA。驅動電路12係基於來自驅動IC210之各種控制信號驅動複數根閘極線(例如發光控制掃描線BG、重設控制掃描線RG、初始化控制掃描線IG及寫入控制掃描線SG(參照圖3))之電路。驅動電路12依序或同時選擇複數根閘極線，對經選擇之閘極線供給閘極驅動信號。藉此，驅動電路12選擇連接於閘極線之複數個像素Pix。
驅動IC210係控制顯示裝置1之顯示之電路。驅動IC210可作為COG(Chip On Glass：玻璃覆晶)安裝於基板10之周邊區域GA。不限定於此，驅動IC210亦可作為COF(Chip On Film：薄膜覆晶)安裝於基板10之周邊區域GA所連接之配線基板之上。另，連接於基板10之配線基板係例如可撓性印刷基板(FPC(Flexible Printed Circuit)基板)或硬性基板(PCB(Printed Circuit Board：印刷電路板)基板)。
陰極配線60設置於基板10之周邊區域GA。陰極配線60包圍顯示區域AA之複數個像素Pix及周邊區域GA之驅動電路12而設置。複數個無機發光體100(參照圖4)之陰極(陰極電極114(參照圖4))連接於共通之陰極配線60，並被供給固定電位(例如，接地電位)。更具體而言，無機發光體100之陰極電極114經由陣列基板2上之對向陰極電極90e，連接於陰極配線60。另，陰極配線60亦可於一部分具有狹槽，並於基板10上，以2根不同之配線形成。
圖2係顯示複數個像素之俯視圖。如圖2所示，1個像素Pix包含複數個像素49。例如像素Pix具有第1像素49R、第2像素49G、及第3像素49B。第1像素49R顯示作為第1顏色之原色之紅色。第2像素49G顯示作為第2顏色之原色之綠色。第3像素49B顯示作為第3顏色之原色之藍色。如圖2所示，於1個像素Pix中，第1像素49R與第3像素49B排列於第1方向Dx。又，第2像素49G與第3像素49B排列於第2方向Dy。另，第1顏色、第2顏色、第3顏色不分別限定於紅色、綠色、及藍色，亦可選擇補色等任意顏色。以下，於無需分別區分第1像素49R、第2像素49G、及第3像素49B之情形時，稱為像素49。另，1個像素Pix所包含之像素49不限定於3個，亦可將4個以上之像素49建立對應。又，複數個像素49之配置不限定於圖2所示之構成。例如，第1像素49R亦可與第2像素49G在第1方向Dx上相鄰。又，第1像素49R、第2像素49G、及第3像素49B亦可以該順序重複排列於第1方向Dx。
像素49各自具備具有無機發光元件102之無機發光體100。顯示裝置1藉由於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B中，對每個無機發光體100出射不同之光而顯示圖像。無機發光體100係俯視下具有數μm以上、300 μm以下左右之大小之無機發光二極體(LED：Light Emitting Diode)晶片，一般而言，將1個晶片尺寸為100 μm以上者稱為迷你LED(miniLED)、將不足100 μm～數μm之尺寸者稱為微型LED(micro LED)。於本發明中，亦可使用任意尺寸之LED，只要根據顯示裝置之畫面尺寸(一像素之大小)分開使用即可。於各像素具備微型LED(micro LED)之顯示裝置亦稱為微型LED顯示裝置。另，微型LED之微型並非限定無機發光體100之大小者。
圖3係顯示顯示裝置之像素電路之構成例之電路圖。圖3所示之像素電路PICA設置於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各者。像素電路PICA係設置於基板10，並將驅動信號(電流)供給至無機發光體100之電路。另，於圖3中，關於像素電路PICA之說明可應用於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B各自具有之像素電路PICA。
如圖3所示，像素電路PICA包含無機發光體100、5個電晶體、及2個電容。具體而言，像素電路PICA包含發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST、寫入電晶體SST、重設電晶體RST及驅動電晶體DRT。一部分電晶體可由相鄰之複數個像素49共用。例如，發光控制電晶體BCT亦可經由共通配線，由3個像素49共用。又，重設電晶體RST亦可設置於周邊區域GA，例如於像素49之各列設置1個。於此情形時，重設電晶體RST經由共通配線連接於複數個驅動電晶體DRT之源極。
像素電路PICA具有之複數個電晶體分別由n型TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)構成。但，不限定於此，各電晶體亦可分別由p型TFT構成。於使用p型TFT之情形時，亦可適當地使電源電位或保持電容Cs1及電容Cs2之連接適合化。
發光控制掃描線BG連接於發光控制電晶體BCT之閘極。初始化控制掃描線IG連接於初始化電晶體IST之閘極。寫入控制掃描線SG連接於寫入電晶體SST之閘極。重設控制掃描線RG連接於重設電晶體RST之閘極。
發光控制掃描線BG、初始化控制掃描線IG、寫入控制掃描線SG及重設控制掃描線RG分別連接於驅動電路12(參照圖1)。驅動電路12分別對發光控制掃描線BG、初始化控制掃描線IG、寫入控制掃描線SG及重設控制掃描線RG供給發光控制信號Vbg、初始化控制信號Vig、寫入控制信號Vsg及重設控制信號Vrg。
驅動IC210(參照圖1)分時對第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各個像素電路PICA供給影像信號Vsig。於第1像素49R、第2像素49G及第3像素49B之各行、與驅動IC210之間，設置有多工器等開關電路。影像信號Vsig經由影像信號線L2供給至寫入電晶體SST。又，驅動IC210經由重設信號線L3，將重設電源電位Vrst供給至重設電晶體RST。驅動IC210經由初始化信號線L4，將初始化電位Vini供給至初始化電晶體IST。
發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST、寫入電晶體SST、及重設電晶體RST作為選擇2節點間之導通與非導通之開關元件發揮功能。驅動電晶體DRT作為根據閘極與汲極之間之電壓，控制無機發光體100中流通之電流之電流控制元件發揮功能。
無機發光體100之陰極(陰極電極114)連接於陰極電源線L10。又，無機發光體100之陽極(陽極電極112)經由驅動電晶體DRT及發光控制電晶體BCT連接於陽極電源線L1(第1電源線)。對陽極電源線L1，供給陽極電源電位PVDD(第1電位)。對陰極電源線L10，供給陰極電源電位PVSS(第2電位)。陽極電源電位PVDD係高於陰極電源電位PVSS之電位。陰極電源線L10包含陰極配線60。
又，像素電路PICA包含電容Cs1及電容Cs2。電容Cs1係形成於驅動電晶體DRT之閘極與源極之間之保持電容。電容Cs2係形成於驅動電晶體DRT之源極及無機發光體100之陽極、與陰極電源線L10之間之附加電容。
顯示裝置1對第1列像素49至最終列像素49進行驅動而於1訊框期間顯示1訊框量之圖像。
於重設期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，發光控制掃描線BG之電位為L(低)位準，重設控制掃描線RG之電位為H(高)位準。藉此，發光控制電晶體BCT斷開(非導通狀態)，重設電晶體RST接通(導通狀態)。
於重設期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，發光控制掃描線BG之電位為L(低)位準，重設控制掃描線RG之電位為H(高)位準。藉此，發光控制電晶體BCT斷開(非導通狀態)，重設電晶體RST接通(導通狀態)。
藉此，殘留於像素49內之電荷通過重設電晶體RST流至外部，且驅動電晶體DRT之源極固定為重設電源電位Vrst。重設電源電位Vrst設定為相對於陰極電源電位PVSS具有特定之電位差。於此情形時，重設電源電位Vrst與陰極電源電位PVSS之電位差小於無機發光體100開始發光之電位差。
其次，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，初始化控制掃描線IG之電位為H位準。初始化電晶體IST接通。經由初始化電晶體IST，驅動電晶體DRT之閘極被固定為初始化電位Vini。
又，驅動電路12將發光控制電晶體BCT設為接通，並將重設電晶體RST設為斷開。若源極電位變為(Vini－Vth)，則驅動電晶體DRT斷開。藉此，可對每個像素49取得驅動電晶體DRT之閾值電壓Vth，並補償每個像素49之閾值電壓Vth之偏差。
其次，於影像信號寫入動作期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，發光控制電晶體BCT斷開，初始化電晶體IST斷開，寫入電晶體SST接通。於屬於1列之像素49中，將影像信號Vsig輸入至驅動電晶體DRT之閘極。影像信號線L2沿第2方向Dy延伸，並連接於屬於同行之複數列像素49。因此，對每1列實施影像信號寫入動作期間。
其次，於發光動作期間，藉由自驅動電路12供給之各控制信號，發光控制電晶體BCT接通，寫入電晶體SST斷開。自陽極電源線L1經由發光控制電晶體BCT對驅動電晶體DRT供給陽極電源電位PVDD。驅動電晶體DRT將對應於閘極源極間之電壓之電流供給至無機發光體100。無機發光體100以對應於該電流之亮度發光。
另，驅動電路12可對每1列驅動像素49，可同時驅動2列像素49，亦可同時驅動3列量以上之像素49。
另，上述之圖3所示之像素電路PICA之構成僅為一例，可適當變更。例如1個像素49之配線數量及電晶體數量亦可不同。又，像素電路PICA亦可採用電流鏡電路等構成。
圖4係圖1之IV-IV’剖視圖。如圖4所示，顯示裝置1之陣列基板2具備基板10、與複數個電晶體。基板10具有第1面10a、與第1面10a相反側之第2面10b。基板10係絶縁基板，例如玻璃基板、石英基板、或丙烯樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂製之可撓性基板。
另，於本說明書中，於與基板10之表面垂直之方向上，將自基板10朝向無機發光體100之方向設為「上側」或簡設為「上」。又，將自無機發光體100朝向基板10之方向設為「下側」或簡設為「下」。又，表現於某構造體之上配置其他構造體之態樣時，僅表述為「上」之情形時，只要無特別說明，則包含以與某構造體相接之方式，於正上方配置其他構造體之情形、與於某構造體之上方，進而介隔另一構造體配置其他構造體之情形之兩者。
底塗層20設置於基板10之第1面10a上。複數個電晶體設置於底塗層20上。例如，於基板10之顯示區域AA，作為複數個電晶體，分別設置有像素49所包含之驅動電晶體DRT及寫入電晶體SST。於基板10之周邊區域GA，作為複數個電晶體，設置有驅動電路12所包含之電晶體TrC。另，雖顯示複數個電晶體中之驅動電晶體DRT、寫入電晶體SST、及電晶體TrC，但像素電路PICA所包含之發光控制電晶體BCT、初始化電晶體IST及重設電晶體RST亦具有與驅動電晶體DRT同樣之積層構造。另，於以下之說明中，於無需區分說明複數個電晶體之情形時，僅顯示為電晶體Tr。
電晶體Tr係例如兩面閘極構造之TFT。電晶體Tr各自具有第1閘極電極21、第2閘極電極31、半導體層25、源極電極41s、及汲極電極41d。第1閘極電極21設置於底塗層20上。絕緣膜24設置於底塗層20上並覆蓋第1閘極電極21。半導體層25設置於絕緣膜24上。半導體層25使用例如多晶矽。但，半導體層25不限定於此，亦可為微晶氧化物半導體、非晶氧化物半導體、及低溫多晶矽等。絕緣膜29設置於半導體層25上。第2閘極電極31設置於絕緣膜29上。
底塗層20、絕緣膜24、29、45係無機絕緣膜，包含例如氧化矽(SiO2 )或氮化矽(SiN)等。於第3方向Dz上，第1閘極電極21與第2閘極電極31介隔絕緣膜24、半導體層25及絕緣膜29對向。於絕緣膜24、29中，第1閘極電極21與第2閘極電極31所夾之部分作為閘極絕緣膜發揮功能。又，於半導體層25中，第1閘極電極21與第2閘極電極31所夾之部分成為電晶體Tr之通道區域27。於半導體層25中，與源極電極41s連接之部分係電晶體Tr之源極區域，與汲極電極41d連接之部分係電晶體Tr之汲極區域。於通道區域27與源極區域之間及通道區域27與汲極區域之間，分別設置有低濃度雜質區域。另，作為電晶體Tr，雖僅顯示n型TFT，但亦可同時形成p型TFT。
閘極線31a連接於驅動電晶體DRT之第2閘極電極31。於基板10與閘極線31a之間設置有絕緣膜29，於閘極線31a與基板10之間形成有電容CS。第1閘極電極21、第2閘極電極31及閘極線31a由例如鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)或該等合金膜構成。
於本實施形態中，電晶體Tr並非限定於兩面閘極構造者。電晶體Tr可為僅由第1閘極電極21構成閘極電極之底部閘極型。又，電晶體Tr亦可為僅由第2閘極電極31構成閘極電極之頂部閘極型。又，亦可無底塗層20。
顯示裝置1具有設置於基板10之第1面10a上並覆蓋複數個電晶體Tr之絕緣膜35。源極電極41s設置於絕緣膜35上，並經由設置於絕緣膜35之貫通孔連接於複數個電晶體Tr之各源極。汲極電極41d設置於絕緣膜35上，經由設置於絕緣膜35之貫通孔連接於複數個電晶體Tr之各汲極。於周邊區域GA中，陰極配線60設置於絕緣膜35上。絕緣膜42覆蓋源極電極41s、汲極電極41d及陰極配線60。絕緣膜35係無機絕緣膜，絕緣膜42係有機絕緣膜。源極電極41s及汲極電極41d由鈦與鋁之積層構造即TiAlTi或TiAl之積層膜構成。又，絕緣膜42使用感光性丙烯等有機材料。
源極電極41s之一部分形成於與閘極線31a重疊之區域。由介隔絕緣膜35對向之閘極線31a與源極電極41s形成電容Cs1。又，閘極線31a形成於與半導體層25之一部分重疊之區域。電容Cs1亦包含由介隔絕緣膜24對向之半導體層25與閘極線31a形成之電容。
顯示裝置1具有源極連接配線43s、汲極連接配線43d、絕緣膜45、對向陽極電極50e、絕緣膜66、連接層50f、無機發光體100、絕緣膜70、平坦化膜80、對向陰極電極90e、平坦化膜92、及蓋部94。源極連接配線43s設置於絕緣膜42上，並經由設置於絕緣膜42之貫通孔連接於源極電極41s。汲極連接配線43d設置於絕緣膜42上，並經由設置於絕緣膜42之貫通孔連接於汲極電極41d。絕緣膜45設置於絕緣膜42上並覆蓋源極連接配線43s與汲極連接配線43d。對向陽極電極50e設置於絕緣膜45上，經由設置於絕緣膜45之貫通孔連接於驅動電晶體DRT之汲極連接配線43d。源極連接配線43s及汲極連接配線43d由例如銦錫氧化物(ITO、Indium Tin Oxide)等透明性導電體形成。
絕緣膜66設置於絕緣膜45上，覆蓋對向陽極電極50e。連接層50f設置於絕緣膜66上，經由設置於絕緣膜66之貫通孔連接於對向陽極電極50e。無機發光體100設置於連接層50f之上，對向陽極電極50e經由連接層50f，與無機發光體100之陽極電極112連接。於介隔絕緣膜45對向之對向陽極電極50e與源極連接配線43s之間形成有電容Cs2。
絕緣膜70設置於絕緣膜66上，覆蓋連接層50f、與無機發光體100之陽極電極112之側面。絕緣膜70於與陽極電極112重疊之位置，具有用於安裝無機發光體100之開口。平坦化膜80設置於絕緣膜70上且覆蓋無機發光體100之側面。對向陰極電極90e設置於平坦化膜80上。絕緣膜70係無機絕緣膜，包含例如氮化矽膜(SiN)。平坦化膜80係有機絕緣膜或無機有機混合絕緣膜(於Si-O主鏈，鏈結有例如有機基(甲基或苯基)之材料)。無機發光體100之上表面(陰極電極114)自平坦化膜80露出。對向陰極電極90e連接於無機發光體100之陰極電極114。另，圖4之積層構造為一例。例如，可未設置絕緣膜70。又例如，亦可未設置絕緣膜66及連接層50f，於此情形時，例如對向陽極電極50e與陽極電極112直接連接。
對向陰極電極90e經由設置於顯示區域AA外側之接觸孔CH1，與設置於陣列基板2側之陰極配線60連接。具體而言，接觸孔CH1設置於平坦化膜80及絕緣膜42，並於接觸孔CH1之底面設置有陰極配線14。陰極配線60設置於絕緣膜35之上。即，陰極配線60與源極電極41s、汲極電極41d設置於同層，並由相同之材料形成。對向陰極電極90e自顯示區域AA連續設置至周邊區域GA，並於接觸孔CH1之底部與陰極配線60連接。
平坦化膜92設置於對向陰極電極90e上。平坦化膜92係透光性之絕緣膜，亦可為有機絕緣膜、無機絕緣膜、或無機絕緣膜與有機絕緣膜之積層體等。蓋部94設置於平坦化膜92上。蓋部94係設置於顯示裝置1最上側之蓋。蓋部94係透光性之構件，例如蓋玻璃。但，平坦化膜92及蓋部94並非必要之構成。
其次，對無機發光體100之構成進行說明。圖5係顯示本實施形態之無機發光體之構成例之剖視圖。如圖5所示，無機發光體100具有無機發光元件102、陽極電極112、及陰極電極114。另，此處，雖區分無機發光元件102、陽極電極112及陰極電極114，但亦可將陽極電極112與陰極電極114包含在內而作為無機發光元件102。
無機發光元件102係進行發光之發光層。無機發光元件102具有設置於n型被覆層104、p型被覆層106、p型被覆層106與n型被覆層104之間之發光層108。於本實施形態，無機發光元件102朝向上側依序積層p型被覆層106、發光層108、n型被覆層104而構成。作為無機發光元件102，使用氮化鎵(GaN)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)或砷化鋁鎵(AlGaAs)、或磷化砷鎵(GaAsP)等之化合物半導體。進而言之，於本實施形態中，p型被覆層106及n型被覆層104使用氮化鎵(GaN)等。又，作為發光層108，使用氮化銦鎵(InGaN)等。發光層108亦可為積層有InGaN、GaN之多量子井構造(MQW：Multiple Quantum Well)。
無機發光體100朝向上側依序積層有陽極電極112、p型被覆層106、發光層108、n型被覆層104、陰極電極114。於無機發光體100之下，設置對向陽極電極50e，於無機發光體100之上，設置對向陰極電極90e。
對向陽極電極50e包含導電性構件，此處為金屬材料。本實施形態中，對向陽極電極50e包含鈦(Ti)與鋁(Al)，例如將鈦層與鋁層沿第3方向Dz積層。對向陽極電極50e係於每個無機發光體100(像素49)設置，作為像素電極。
陽極電極110設置於對向陽極電極50e之上。陽極電極110係具有透光性之導電性構件，例如ITO。陽極電極110電性連接於對向陽極電極50e。於陽極電極110之上，設置有p型被覆層106。陽極電極110與p型被覆層106連接。
陰極電極114設置於n型被覆層104之上。陰極電極114係具有透光性之導電性構件，例如ITO。陰極電極114連接於對向陰極電極90e。
作為對向電極之對向陰極電極90e係具有透光性之導電性構件，例如ITO。對向陰極電極90e係共通設置於複數個(此處為所有)無機發光體100(像素49)之共通電極，且連接於複數個(此處為所有)無機發光體100之陰極電極114。
於本實施形態，顯示裝置1作為無機發光體100(無機發光元件102)，具備發出第1顏色之光LR 之第1無機發光體100R(第1無機發光元件102R)、發出第2顏色之光LG 之第2無機發光體100G(第2無機發光元件102G)、及發出第3顏色之光LB 之第3無機發光體100B(第3無機發光元件102B)。第1無機發光體100R、第2無機發光體100G及第3無機發光體100B藉由例如無機發光元件102中之材料之組成比不同，而分別發出第1顏色之光LR 、第2顏色之光LG 、及第3顏色之光LB 之不同顏色之光。第1無機發光體100R發出之第1顏色之光LR 係第1波段之光，第1波段為例如620 nm以上且未達750 nm。另，第1波段之光是指第1波段之波長範圍內之至少1個波長之光，對於其他波段之光亦同樣。第2無機發光體100G發出之第2顏色之光LG 係第2波段之光，第2波段為例如495 nm以上且未達570 nm。第3無機發光體100B發出之第3顏色之光LB 係第3波段之光，第3波段為例如450 nm以上且未達495 nm。
此處，無機發光元件102形成於與陣列基板2不同之基板即形成基板上，且自形成基板遷移至陣列基板2上。於形成基板上形成無機發光元件102時，例如因製造不良等原因，有成為不良之情形。此處之不良是指無機發光元件102未適當發光之情形、或即使於適當發光之情形亦形成缺陷等而於短期間內成為發光不良之情形等。以下，將不良之無機發光元件102(無機發光體100)記載為不良無機發光元件102a(不良無機發光體100a)。若將不良無機發光元件102a遷移至陣列基板2上，則可能因不良無機發光元件102a之發光不良導致顯示裝置1無法適當顯示圖像等品質上問題。因此，於本實施形態，不使不良無機發光元件102a搭載於陣列基板2，而作為取代之無機發光元件102，將替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2上，形成取代之無機發光體100即替代無機發光體100W。
替代無機發光體100W(替代無機發光元件102W)係發出替代顏色之光LW 之無機發光體100(無機發光元件102)。替代顏色係與第1顏色、第2顏色、及第3顏色不同顏色之光，於本實施形態，亦稱為由第1顏色之光、第2顏色之光、及第3顏色之光合成之光。替代顏色於本實施形態為白色之光。替代無機發光體100W發出之替代顏色之光LB 包含第1波段、第2波段、及第3波段之波長範圍之光。替代無機發光體100W並非包含複數個無機發光體者，而係以1個無機發光體發出替代顏色(此處為白色)之光。替代無機發光體100W具有由多量子井構造(MQW)構成之發光層作為發光層108。替代無機發光體100W之發光層108係例如積層複數層障壁層與井層而構成。井層可由例如包含鎵之III族氮化物半導體材料構成，由氮化鎵或氮化鎵與氮化銦之混晶等構成即可。障壁層亦可由例如禁帶能量大於井層之材料構成，由例如氮化鎵等III族氮化物半導體材料構成即可。但，替代無機發光體100W係只要可發出替代顏色，則材料及構成不限定於此。
又，顯示裝置1於替代無機發光體100W之上，設置有彩色濾光器即濾光器部96。濾光器部96透過來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 中之與不良無機發光元件102a正常時所發出之光之顏色相同顏色的光，換言之，與搭載於顯示裝置1之正常之無機發光元件102之一相同顏色之光。此處相同顏色之光係指相同波段之範圍內之光，可以說濾光器部96透過與不良無機發光元件102a正常所發出之光相同之波段之範圍內之光，換言之，與搭載於顯示裝置1之其他無機發光元件102之一相同波段之光。以下，進行具體說明。
圖6及圖7係顯示搭載有替代無機發光體之情形之例之模式圖。圖6係俯視顯示裝置1之替代無機發光體100W之情形之模式圖，圖7係顯示裝置1之替代無機發光體100W之附近之模式性剖視圖。如圖6所示，替代無機發光體100W與不良無機發光體100a以外之無機發光體100一起矩陣狀排列設置，如圖7所示，與不良無機發光體100a以外之無機發光體100設置於相同之層。替代無機發光體100W搭載於預定搭載不良無機發光體100a之位置。另，圖7顯示檢測出1個第1無機發光體100R作為不良無機發光體100a之情形之例。因此，於圖7之例中，於預定搭載作為不良無機發光體100a檢測出之第1無機發光體100R之位置，搭載替代無機發光體100W。
如圖7所示，於替代無機發光體100W之上，設置有濾光器部96。濾光器部96於俯視下，以與替代無機發光體100W重疊之方式設置，且不與替代無機發光體100W以外之無機發光體100重疊。濾光器部96吸收來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 中之與來自置換為替代無機發光體100W之不良無機發光體100a之光不同的波段(顏色)之光，透過與來自置換為替代無機發光體100W之不良無機發光元件102a之光相同之波段(顏色)之光。如圖7所示，於不良無機發光元件102a為第1無機發光元件102R之情形時，作為與該不良無機發光元件102a之替代無機發光體100W重疊之濾光器部96，設置有濾光器部96R。濾光器部96R阻擋來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 中之第1顏色以外之顏色(第1波段之範圍外)之光，透過第1顏色(第1波段之範圍內)之光。又，於不良無機發光元件102a為第2無機發光元件102G之情形時，作為與該不良無機發光元件102a之替代無機發光體100W重疊之濾光器部96，設置有濾光器部96G。濾光器部96G阻斷來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 中之第2顏色以外之顏色(第2波段之範圍外)之光，透過第2顏色(第2波段之範圍內)之光。又，於不良無機發光元件102a為第3無機發光元件102B之情形時，作為與該不良無機發光元件102a之替代無機發光體100W重疊之濾光器部96，設置有濾光器部96B。濾光器部96B遮擋來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 中之第3顏色以外之顏色(第3波段之範圍外)之光，透過第3顏色(第3波段之範圍內)之光。另，作為濾光器部96之材料，列舉例如相當於紅色、綠色、及藍色之彩色濾光器。
如圖7所示，替代無機發光體100W發出之光LW 入射至替代無機發光體100W上側之濾光器部96(於圖7之例為濾光器部96R)，於濾光器部96中，透過與不良無機發光元件102a相同顏色之光，換言之，與搭載於顯示裝置1之其他1個無機發光元件102相同顏色之光(於圖7之例為與第1無機發光元件102R相同之第1顏色之光LR )，並出射至顯示裝置1之外部。如此，本實施形態之顯示裝置1於不搭載不良無機發光元件102a之情形時，亦可藉由替代無機發光體100W及彩色濾光器部96，照射與不良無機發光元件102a正常搭載時所發出之顏色相同顏色之光。換言之，顯示裝置1可藉由替代無機發光體100W及濾光器部96，而以代理品構成預定由不良無機發光元件102a構成之像素49(於圖7之例為第1像素49R)。如此，根據本實施形態，因不搭載不良無機發光元件102a，抑制顯示裝置1之圖像顯示變得不適當，且可以替代無機發光體100W及濾光器部96代用應由不良無機發光元件102a負責之像素49之功能，故於不搭載不良無機發光元件102a之情形時，亦可適當顯示圖像。
可以說本實施形態之顯示裝置1具備發出特定顏色之光之無機發光體100、發出與特定顏色不同之替代顏色之光LW 之替代無機發光體100W、及濾光器部96。濾光器部96設置於俯視下與替代無機發光體100W重疊之位置，並透過來自替代無機發光體100W之光LW 中之特定顏色之光。即，本實施形態之顯示裝置1使自替代無機發光元件102W發出並透過濾光器部96之光之顏色與自其他1個無機發光元件102發出之光之顏色相同。進而言之，於未設置替代無機發光體100W及濾光器部96之1個像素Pix中，設置有第1無機發光體100R、第2無機發光體100G及第3無機發光體100B。另一方面，於設置有替代無機發光體100W及濾光器部96之1個像素Pix中，未設置發出與濾光器部96透過之光之顏色相同顏色之光之無機發光體100。例如於設置有濾光器部96R之像素Pix，不設置第1無機發光體100R，而設置有替代無機發光體100W及濾光器部96R、第2無機發光體100G、及第3無機發光體100B。又，若著眼於顯示裝置1全體，則作為顯示特定顏色(例如第1顏色)之像素49(例如第1像素49R)，包含有：包含發出該特定顏色之光之無機發光體100(例如第1無機發光體100R)之像素49、包含發出替代顏色之光LW 之替代無機發光體100W、及透過該特定顏色之光之濾光器部96(例如濾光器部96R)之像素49。
另，於本實施形態，來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 包含與不良無機發光元件102a之光相同波段之光，濾光器部96透過來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 中之與來自不良無機發光元件102a之光之波段(顏色)相同之波段(顏色)之光。但，替代顏色之光LW 亦可不包含與不良無機發光元件102a之光相同波段之光。於此情形時，濾光器部96亦可為例如將來自替代無機發光體100W之替代顏色之光LW 之波長(顏色)轉換為與來自不良無機發光元件102a之光相同波段(顏色)的波長轉換濾光器。即，濾光器部96只要為將來自替代無機發光體100W之光LW 設為與來自不良無機發光元件102a之光相同顏色之光而出射者即可。
(顯示裝置之製造方法) 其次，對顯示裝置1之製造方法、更具體而言係替代無機發光體100W及濾光器部96之搭載方法進行說明。圖8係說明本實施形態之顯示裝置之製造方法之圖。如圖8之步驟S10所示，於本實施形態之顯示裝置1之製造方法中，形成顯示裝置1之陣列基板2。即，形成顯示裝置1中之較陽極電極112更下側之各部、與陽極電極112。又，於本製造方法中，於與陣列基板2不同之形成基板200上，形成無機發光元件102。於本實施形態中，對每種無機發光元件102，使用不同之形成基板200形成。即，於1個形成基板200上形成發出相同顏色之光之無機發光元件102，於圖8之例，於形成基板200R上形成複數個第1無機發光元件102R，於形成基板200G上形成複數個第2無機發光元件102G，於形成基板200B上形成複數個第3無機發光元件102B。
於本實施形態中，對形成於形成基板200上之無機發光元件102執行檢測步驟，自形成於形成基板200上之無機發光元件102中檢測不良無機發光元件102a。作為不良無機發光元件102a之檢測方法，使用例如光致發光法。於光致發光法中，對無機發光元件102照射光，檢測被激發之無機發光元件102之電子復原為基態時發出之光，基於該光，檢測缺陷等無機發光元件102之狀態。接著，基於由例如光致發光法檢測出之無機發光元件102之狀態，判斷是否為不良無機發光元件102a。例如可將由光致發光法檢測出缺陷之無機發光元件102判斷為不良無機發光元件102a。但，不良無機發光元件102a之檢測方法不限定於此，而為任意。
於本製造方法中，將形成於形成基板200上之無機發光元件102中之不良無機發光元件102a以外之無機發光元件102搭載於陣列基板2上。於圖8，以自形成基板200R上之複數個第1無機發光元件102R檢測出不良無機發光元件102a為例進行說明。於步驟S10中，將形成基板200R上之複數個第1無機發光元件102R中之不良無機發光元件102a以外之第1無機發光元件102R搭載於陣列基板2之陽極電極112上。於預定搭載不良無機發光元件102a之陣列基板2之陽極電極112上，不搭載第1無機發光元件102R，而保留可搭載無機發光元件102之空間。於本實施形態，藉由雷射剝離將無機發光元件102搭載於陣列基板2上。具體而言，使形成基板200R之形成有第1無機發光元件102R之面與陣列基板2之形成有陽極電極112之面對向。且，自形成基板200R之與形成有第1無機發光元件102R之面為相反側之面，對形成基板200R上之不良無機發光元件102a以外之第1無機發光元件102R照射雷射光LI。藉此，不良無機發光元件102a以外之第1無機發光元件102R自形成基板200R上剝離，而被轉印至陣列基板2之陽極電極112上。於本製造方法中，可對形成基板200R之整面照射雷射光LI，且於不良無機發光元件102a進行遮蔽等以不被雷射光LI照射，藉此僅對不良無機發光元件102a以外之第1無機發光元件102R照射雷射光LI。藉此，例如可以1次雷射光LI之照射，選擇性剝離不良無機發光元件102a以外之複數個第1無機發光元件102R。但，亦可對不良無機發光元件102a以外之第1無機發光元件102R之各者，個別地照射雷射光LI。又，將無機發光元件102搭載於陣列基板2之方法不限定於雷射剝離，亦可為任意。
另，於圖8之例，形成於形成基板200上之無機發光元件102之位置、與形成於陣列基板2上之陽極電極112之位置對應，換言之，形成於形成基板200上之無機發光元件102之數量及間距(相鄰之無機發光元件102之中心間距離)與形成於陣列基板2上之陽極電極112之數量及間距(相鄰之無機發光元件102之中心間距離)相同。換言之，亦可稱為形成基板200上之無機發光元件102之座標、與陣列基板2上之陽極電極112之座標對應。於圖8之例，形成基板200R上之第1無機發光元件102R之數量及間距對應於陣列基板2上之預定搭載無機發光元件102(第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、第3無機發光元件102B)之陽極電極112之數量及間距。但，形成於形成基板200上之第1無機發光元件102R之數量及間距不限定於此，亦可為任意。例如，形成基板200R上之第1無機發光元件102R之數量及間距亦可對應於陣列基板2上之預定搭載第1無機發光元件102R之陽極電極112之數量及間距。又例如，亦可使形成於形成基板200R上之第1無機發光元件102R之數量為陣列基板2上之預定搭載無機發光元件102之陽極電極112之數量之任意之整數n倍，使形成於形成基板200R上之第1無機發光元件102R之間距相對於陣列基板2上之預定搭載第1無機發光元件102R之陽極電極112之間距為整數n之1倍。於此情形時，僅對轉印於陣列基板2之形成基板200上之無機發光元件102，照射雷射光LI。形成基板200G、200B上之第2無機發光元件102G、第3無機發光元件102B之數量及間距、或稍後敘述之形成基板202上之替代無機發光元件102W之數量及間距，皆可與形成基板200R上之第1無機發光元件102R之數量及間距同樣地設定。
其次，如步驟S12所示，將形成基板200G上之複數個第2無機發光元件102G搭載於陣列基板2之陽極電極112上。具體而言，使形成基板200G之形成有第2無機發光元件102G之面與陣列基板2之形成有陽極電極112之面對向，自形成基板200G之與形成有第2無機發光元件102G之面為相反側之面，對形成基板200G上之第2無機發光元件102G照射雷射光LI。藉此，使第2無機發光元件102G自形成基板200G上剝離，並將第2無機發光元件102G轉印於陣列基板2之陽極電極112上。另，於本實施形態，對於形成基板200G上之複數個第2無機發光元件102G亦進行不良無機發光元件102a之檢測，於有不良無機發光元件102a之情形時，將不良無機發光元件102a以外之第2無機發光元件102G搭載於陣列基板2之陽極電極112上。
其次，如步驟S14所示，將形成基板200B上之複數個第3無機發光元件102B搭載於陣列基板2之陽極電極112上。具體而言，使形成基板200B之形成有第3無機發光元件102B之面與陣列基板2之形成有陽極電極112之面對向，自形成基板200B之與形成有第3無機發光元件102B之面為相反側之面，對形成基板200B上之第3無機發光元件102B照射雷射光LI。藉此，使第3無機發光元件102B自形成基板200B上剝離，而將第3無機發光元件102B轉印於陣列基板2之陽極電極112上。另，於本實施形態，對於形成基板200B上之複數個第3無機發光元件102B亦進行不良無機發光元件102a之檢測，於有不良無機發光元件102a之情形時，將不良無機發光元件102a以外之第3無機發光元件102B搭載於陣列基板2之陽極電極112上。
如此，於圖8之例，以第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、第3無機發光元件102B之順序，進行向陣列基板2之陽極電極112上之搭載，但搭載之順序為任意。又，於本實施形態，將第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、第3無機發光元件102B分別形成於不同之形成基板200，並分別於不同之時序將第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、第3無機發光元件102B遷移至陣列基板2。但，例如亦可於1個形成基板200形成第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、及第3無機發光元件102B，並將該等一次性遷移至陣列基板2。
若第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、第3無機發光元件102B向陣列基板2之搭載結束，則如步驟S16所示，將替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2之陽極電極112上。更詳細而言，於陣列基板2之預定搭載不良無機發光元件102a之位置，搭載替代無機發光元件102W。於本實施形態，於形成基板202上，即與搭載有第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、第3無機發光元件102B之形成基板200不同之基板上，形成替代無機發光元件102W。接著，將形成於形成基板202上之替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2之陽極電極112上。具體而言，使形成基板202之形成有替代無機發光元件102W之面與陣列基板2之形成有陽極電極112之面對向，自形成基板202之與形成有替代無機發光元件102W之面為相反側之面，對形成基板202上之替代無機發光元件102W照射雷射光LI。藉此，使替代無機發光元件102W自形成基板202上剝離，而將替代無機發光元件102W轉印於陣列基板2之陽極電極112上。另，此處，對位於與預定搭載不良無機發光元件102a之陣列基板2之陽極電極112對向之位置之替代無機發光元件102W，照射雷射光LI。藉此，可僅使形成基板202上之替代無機發光元件102W中之位於與預定搭載不良無機發光元件102a之陽極電極112對向之位置的替代無機發光元件102W剝離，而於預定搭載不良無機發光元件102a之陽極電極112上，搭載替代無機發光元件102W。另，亦可對形成基板202上之替代無機發光元件102W進行不良之檢查，可將並非不良之替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2。
於步驟S16將替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2上，藉此如步驟S18所示，將不良無機發光元件102a以外之無機發光元件102、與替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2上。於本實施形態，雖於步驟S10、S12、S14(第1搭載步驟)搭載不良無機發光元件102a以外之無機發光元件102之後，於步驟S16(第2搭載步驟)搭載替代無機發光元件102W，但順序不限定於此，例如亦可先搭載替代無機發光元件102W。於此情形時，預先檢測形成基板200上之不良無機發光元件102a，檢測陣列基板2上之與不良無機發光元件102a對應之陽極電極112(預定搭載不良無機發光元件102a之陽極電極112)。且，只要對陣列基板2上之與不良無機發光元件102a對應之陽極電極112，搭載替代無機發光元件102W，之後，搭載不良無機發光元件102a以外之無機發光元件102即可。
若已搭載不良無機發光元件102a以外之無機發光元件102與替代無機發光元件102W，則如步驟S20所示，於無機發光元件102上之各者，即不良無機發光元件102a以外之無機發光元件102及替代無機發光元件102W上之各者，形成陰極電極114。藉此，形成包含陽極電極112、無機發光元件102及陰極電極114之無機發光體100。接著，於無機發光體100上，即不良無機發光體100a以外之無機發光體100及替代無機發光體100W上，形成對向陰極電極90e(對向電極形成步驟)。對向陰極電極90e相對於所有無機發光體100共通設置。另，於圖8之例，將不包含陽極電極112及陰極電極114之無機發光元件102形成於形成基板上，並轉印於陣列基板2，但例如亦可將陽極電極112、無機發光元件102及陰極電極114形成於形成基板上，並轉印於陣列基板2。
若已形成對向陽極電極90e，則如步驟S22(濾光器部形成步驟)所示，於對向陰極電極90e上之俯視下與替代無機發光體100W重疊之位置，形成濾光器部96。於本製造方法中，例如將液狀之濾光器部96塗佈於對向陰極電極90e上之俯視下與替代無機發光體100W重疊之位置，使液狀之濾光器部96固化，藉此形成濾光器部96。但，亦可將例如固狀之濾光器部96貼附於對向陰極電極90e上之俯視下與替代無機發光體100W重疊之位置。於步驟S22，根據未搭載之不良無機發光體100a之種類，即不良無機發光體100a發出之顏色，選擇濾光器部96，並將選擇之濾光器部96形成於對向陰極電極90e上。即，於搭載有替代無機發光體100W之位置預定搭載之不良無機發光體100a為第1無機發光體100R之情形時，於與其之替代無機發光體100W重疊之位置，形成濾光器部96R，於搭載有替代無機發光體100W之位置預定搭載之不良無機發光體100a為第2無機發光體100G之情形時，於與其之替代無機發光體100W重疊之位置，形成濾光器部96G，於搭載有替代無機發光體100W之位置預定搭載之不良無機發光體100a為第3無機發光體100B之情形時，於與其之替代無機發光體100W之位置，形成濾光器部96B。
若已形成濾光器部96，則如步驟S24所示，於對向陰極電極90e上形成平坦化膜92及蓋部94，完成顯示裝置1之製造。但，步驟S24之步驟並非必須，亦可於步驟S22形成濾光器部96，而完成顯示裝置1之製造。
如以上所說明，本實施形態之具備陣列基板2及矩陣狀排列之複數個無機發光元件102之顯示裝置1之製造方法包含檢測步驟、第1搭載步驟、第2搭載步驟、及濾光器部形成步驟。於檢測步驟中，自形成於形成基板200上之無機發光元件102檢測不良之無機發光元件102即不良無機發光元件102a。於第1搭載步驟中，將形成於形成基板200上之無機發光元件102中之不良無機發光元件102a以外之無機發光元件102搭載於陣列基板2上。於第2搭載步驟中，將發出與不良無機發光元件102a不同之顏色之光的替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2上。於濾光器部形成步驟中，自來自陣列基板2上之無機發光元件102之光之行進方向觀察(俯視)時，於與替代無機發光元件102W重疊之位置，形成將來自替代無機發光元件102W之光LW 設為與來自不良無機發光元件102a之光相同顏色之光而出射之濾光器部96。
根據本實施形態，藉由不將不良無機發光元件102a搭載於顯示裝置1，而可抑制因不良無機發光元件102a之發光不良導致顯示裝置1之圖像顯示變得不適當。再者，藉由取代不良無機發光元件102a搭載替代無機發光體100W及濾光器部96，而可以替代無機發光體100W及濾光器部96代用應由不良無機發光元件102a負責之像素49之功能，因此即使於製造出不良無機發光元件102a之情形時，亦可適當地顯示圖像。又，所有之第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、及第3無機發光元件102B皆可能出現不良。於此情形時，若將發出與不良無機發光元件102a相同顏色之光之無機發光元件102設為替代無機發光體，則必須將第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、及第3無機發光元件102B之各者作為替代無機發光體搭載於顯示裝置1。於此情形時，例如需要第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、及第3無機發光元件102B之3次量之替代無機發光體之搭載步驟。另一方面，於本實施形態，因藉由濾光器部96表現應由不良無機發光元件102a發出之顏色，故只要對第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G、及第3無機發光元件102B之任一者，準備1種替代無機發光元件102W便足夠。因此，可將替代無機發光元件102W之搭載步驟設為1次，可減少搭載替代無機發光元件102W之步驟之負荷，即製造之作業負荷。
又，於第2搭載步驟中，於陣列基板2上之預定搭載不良無機發光元件102a之位置，搭載替代無機發光元件102W。藉此，可由替代無機發光元件102W負責預定由不良無機發光元件102a負責之像素49之功能，於製造出不良無機發光元件102a之情形時，亦可適當地顯示圖像。
又，於第2搭載步驟中，將形成於與形成基板200不同之基板(形成基板202)上之替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2上。根據本製造方法，因將形成於形成基板202上之替代無機發光元件102W搭載於陣列基板2上，故可將替代無機發光元件102W適當地搭載於陣列基板2上。
又，本製造方法進而包含在搭載於陣列基板2上之無機發光元件102及替代無機發光元件102W之上，形成對向電極(對向陰極電極90e)之對向電極形成步驟。於濾光器部形成步驟中，於對向陰極電極90e上，形成濾光器部96。根據本製造方法，因於對向陰極電極90e上形成濾光器部96，故於製造出不良無機發光元件102a之情形時，亦可適當地顯示圖像。
又，濾光器部96係由透過來自替代無機發光元件102W之光LW 中、與來自不良無機發光元件102a之光相同波段之光的構件構成。藉由使用此種濾光器部96，即使當製造出不良無機發光元件102a之情形時，亦可適當地顯示圖像。
形成於形成基板200上之無機發光元件102發出紅色、綠色、或藍色之任一種光，替代無機發光元件102W發出白色之光。藉由使用發出白色之光之替代無機發光元件102W，可藉由濾光器部96設為紅色、綠色及藍色之光，即使當製造出不良無機發光元件102a之情形時，亦可適當地顯示圖像。
本實施形態之顯示裝置1具備矩陣狀排列之複數個無機發光元件102、與濾光器部96。複數個無機發光元件102具備發出特定顏色之光的無機發光元件102、及發出與特定顏色之光不同顏色(替代顏色)之光LW 的替代無機發光元件102W。於自來自無機發光元件102之光之行進方向觀察(俯視)時，濾光器部96設置於與替代無機發光元件102W重疊之位置，將來自替代無機發光元件102W之光LW 設為與特定顏色之光相同顏色之光而出射。即，本實施形態之顯示裝置1中，自替代無機發光元件102W發出並透過濾光器部96之光之顏色，與自其他無機發光元件102發出之光之顏色相同。因此，根據顯示裝置1，因可藉由替代無機發光元件102W及濾光器部96而發出未搭載之不良無機發光元件102a所應發出之顏色之光，故即使當製造出不良無機發光元件102a之情形時，亦可適當地顯示圖像。
以下，對本實施形態之另一例進行說明。圖9係顯示搭載有替代無機發光體之情形之另一例之模式圖。例如如圖9所示，本製造方法亦可於顯示裝置1之對向陰極電極90e之上側之面90ea1，形成凹部90eb。凹部90eb係形成於對向陰極電極90e之上側之面90ea1的開口，未貫通至對向陰極電極90e之下側之面90ea2。凹部90eb於俯視下，設置於與替代無機發光元件102W重疊之位置。藉由如此設置凹部90eb，可於凹部90eb中設置濾光器部96，可容易地將濾光器部96定位，且於塗佈液狀之濾光器部96之情形時，可抑制濾光器部96擴展至與其他無機發光體100重疊之位置。另，凹部90eb可僅形成於與替代無機發光元件102W重疊之位置，亦可設置於與所有無機發光體100重疊之位置。於將凹部90eb設置於與所有無機發光體100重疊之位置之情形時，僅於與替代無機發光元件102W重疊之凹部90eb，形成濾光器部96。
圖10係顯示搭載有替代無機發光體之情形之另一例之模式圖。本實施形態之無機發光體100如圖5所示，係將設置於下部之陽極電極112連接於對向陽極電極50e，將設置於上部之陰極電極114連接於對向陰極電極90e之類型(以下，稱為面朝上型)。然而，無機發光體100不限定於面朝上型。例如，無機發光體100亦可如圖10所示，係下部連接於對向陽極電極50e與對向陰極電極90e之兩者之面朝下型。
於面朝下型中，無機發光元件102之n型被覆層104構成為俯視下，面積大於p型被覆層106及發光層108。無機發光體100包含n型被覆層104與p型被覆層106及發光層108重疊之區域AR1、及n型被覆層104不與p型被覆層106及發光層108重疊之區域AR2。於區域AR1中，無機發光體100朝向上側，依序積層有對向陽極電極50e、連接層50f、陽極電極112、p型被覆層106、發光層108、及n型被覆層104。另一方面，於區域AR2中，無機發光體100朝向上側，依序積層有對向陰極電極90e、連接層90f、陰極電極114a、n型被覆層104。與圖5不同，圖0之對向陰極電極90e設置於無機發光元件102更下側。連接層90f亦可由例如與連接層50f相同之構件構成。又，陰極電極114a亦可與圖5所示之陰極電極114不同而不具有透光性，只要為具有導電性之材料即可。例如，陰極電極114a包含鈦(Ti)與鋁(Al)，將例如鈦層與鋁層沿第3方向Dz積層。
於面朝下型中，因對向陰極電極90e設置於無機發光元件102之下側，故於替代無機發光體100W中，於替代無機發光體100W之n型被覆層104之上側，設置有濾光器部96。
圖11係顯示搭載有替代無機發光體之情形之另一例之模式圖。於圖7中，雖顯示第1無機發光元件102R為不良無機發光元件102a之情形之例，但圖11顯示其他之第1無機發光元件102R為不良無機發光元件102a之情形之例。
圖11(A)顯示檢測出1個第2無機發光元件102G作為不良無機發光元件102a之情形之例。於此情形時，於預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第2無機發光元件102G之位置，搭載替代無機發光元件102W。且，於俯視下，於與替代無機發光體100W重疊之位置，設置濾光器部96G。圖11(B)顯示檢測出1個第3無機發光元件102B作為不良無機發光元件102a之情形之例。於此情形時，於預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第3無機發光元件102B之位置，搭載替代無機發光元件102W。且，於俯視下，於與替代無機發光體100W重疊之位置，設置濾光器部96B。
圖11(C)顯示檢測出第1無機發光元件102R與第2無機發光元件102G作為不良無機發光元件102a之情形之例。於此情形時，於預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第1無機發光元件102R之位置、與預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第2無機發光元件102G之位置，搭載有替代無機發光元件102W。且，於與搭載到預定搭載第1無機發光元件102R之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96R。且，於與搭載到預定搭載第2無機發光元件102G之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96G。
圖11(D)顯示檢測出第1無機發光元件102R與第3無機發光元件102B作為不良無機發光元件102a之情形之例。於此情形時，於預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第1無機發光元件102R之位置、與預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第3無機發光元件102B之位置，搭載有替代無機發光元件102W。且，於與搭載到預定搭載第1無機發光元件102R之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96R。且，於與搭載到預定搭載第3無機發光元件102B之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96B。
圖11(E)顯示檢測出第2無機發光元件102G與第3無機發光元件102B作為不良無機發光元件102a之情形之例。於此情形時，於預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第2無機發光元件102G之位置、與預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第3無機發光元件102B之位置，搭載有替代無機發光元件102W。且，於與搭載到預定搭載第2無機發光元件102G之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96G。且，於與搭載到預定搭載第3無機發光元件102B之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96B。
圖11(F)顯示檢測出第1無機發光元件102R、第2無機發光元件102G及第3無機發光元件102B作為不良無機發光元件102a之情形之例。於此情形時，於預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第1無機發光元件102R之位置、預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第2無機發光元件102G之位置、及預定搭載作為不良無機發光元件102a檢測出之第3無機發光元件102B之位置，搭載有替代無機發光元件102W。且，於與搭載到預定搭載第1無機發光元件102R之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96R。且，於與搭載到預定搭載第2無機發光元件102G之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96G。且，於與搭載到預定搭載第3無機發光元件102B之位置之替代無機發光元件102W重疊之位置，設置有濾光器部96B。
又，應理解關於自本說明書記載而明瞭之藉由本實施形態敘述之態樣獲得之其他作用效果者、或業者可適當想到者，當然為藉由本發明而獲得者。
1:顯示裝置 2:陣列基板 10:基板 10a:第1面 10b:第2面 12:驅動電路 20:底塗層 21:第1閘極電極 24:絕緣膜 25:半導體層 27:通道區域 29:絕緣膜 31:第2閘極電極 31a:閘極線 35:絕緣膜 41d:汲極電極 41s:源極電極 42:絕緣膜 43d:汲極連接配線 43s:源極連接配線 45:絕緣膜 49:像素 49B:第3像素 49G:第2像素 49R:第1像素 50e:對向陽極電極 50f:連接層 60:陰極配線 66:絕緣膜 70:絕緣膜 80:平坦化膜 90e:對向陰極電極(對向電極) 90ea1:面 90ea2:面 90eb:凹部 90f:連接層 92:平坦化膜 94:蓋部 96:濾光器部 96B:濾光器部 96G:濾光器部 96R:濾光器部 100:無機發光體 100a:不良無機發光體 100B:第3無機發光體 100G:第2無機發光體 100R:第1無機發光體 100W:替代無機發光體 102:無機發光元件 102a:不良無機發光元件 102B:第3無機發光元件 102G:第2無機發光元件 102R:第1無機發光元件 102W:替代無機發光元件 104:n型被覆層 106:p型被覆層 108:發光層 110:陽極電極 112:陽極電極 114:陰極電極 114a:陰極電極 200:形成基板 200B:形成基板 200G:形成基板 200R:形成基板 210:驅動IC AA:顯示區域 AR1:區域 AR2:區域 BCT:發光控制電晶體 BG:發光控制掃描線 CH1:接觸孔 Cs1:電容 Cs2:電容 DRT:驅動電晶體 Dx:第1方向 Dy:第2方向 Dz:第3方向 GA:周邊區域 IG:初始化控制掃描線 IST:初始化電晶體 L1:陽極電源線 L2:影像信號線 L3:重設信號線 L4:初始化信號線 L10:陰極電源線 LB :光 LG :光 LI:雷射光 LR :光 LW :光 Pix:像素 RG:重設控制掃描線 RST:重設電晶體 S10:步驟 S12:步驟 S14:步驟 S16:步驟 S18:步驟 S20:步驟 S22:步驟 S24:步驟 SG:寫入控制掃描線 SST:寫入電晶體 Tr:電晶體 TrC:電晶體 PICA:像素電路 PVDD:陽極電源電位 PVSS:陰極電源電位 Vbg:發光控制信號 Vig:初始化控制信號 Vini:初始化電位 Vrg:重設控制信號 Vrst:重設電源電位 Vsg:寫入控制信號 Vsig:影像信號
圖1係顯示本實施形態之顯示裝置之構成例之俯視圖。 圖2係顯示複數個像素之俯視圖。 圖3係顯示顯示裝置之像素電路之構成例之電路圖。 圖4係圖1之IV-IV’剖視圖。 圖5係顯示本實施形態之無機發光體之構成例之剖視圖。 圖6係顯示搭載有替代無機發光體之情形之例之模式圖。 圖7係顯示搭載有替代無機發光體之情形之例之模式圖。 圖8係說明本實施形態之顯示裝置之製造方法之圖。 圖9係顯示搭載有替代無機發光體之情形之另一例之模式圖。 圖10係顯示搭載有替代無機發光體之情形之另一例之模式圖。 圖11(A)～(F)係顯示搭載有替代無機發光體之情形之另一例之模式圖。
1:顯示裝置
2:陣列基板
50f:連接層
70:絕緣膜
80:平坦化膜
90e:對向陰極電極(對向電極)
92:平坦化膜
94:蓋部
96:濾光器部
96R:濾光器部
100:無機發光體
100B:第3無機發光體
100G:第2無機發光體
100R:第1無機發光體
100W:替代無機發光體
102:無機發光元件
102a:不良無機發光元件
102B:第3無機發光元件
102G:第2無機發光元件
102R:第1無機發光元件
102W:替代無機發光元件
112:陽極電極
114:陰極電極
200:形成基板
200B:形成基板
200G:形成基板
200R:形成基板
Dx:第1方向
Dy:第2方向
Dz:第3方向
LI:雷射光
S10:步驟
S12:步驟
S14:步驟
S16:步驟
S18:步驟
S20:步驟
S22:步驟
S24:步驟

Claims (7)

  1. 一種顯示裝置之製造方法，其係具備陣列基板及矩陣狀排列之複數個無機發光元件的顯示裝置之製造方法，且具備： 檢測步驟，其自形成於形成基板上之複數個上述無機發光元件，檢測不良之上述無機發光元件即不良無機發光元件； 第1搭載步驟，其將形成於上述形成基板上之上述無機發光元件中之上述不良無機發光元件以外的上述無機發光元件，搭載於上述陣列基板上； 第2搭載步驟，其將發出與上述不良無機發光元件不同顏色之光的替代無機發光元件，搭載於上述陣列基板上；及 濾光器部形成步驟，其於與上述替代無機發光元件重疊之位置形成濾光器部，該濾光器部將來自上述替代無機發光元件之光設為與來自上述不良無機發光元件之光相同顏色之光而出射。
  2. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其中於上述第2搭載步驟中，於上述陣列基板上之預定搭載上述不良無機發光元件之位置，搭載上述替代無機發光元件。
  3. 如請求項1或2之顯示裝置之製造方法，其中於上述第2搭載步驟中，將形成於與上述形成基板不同之基板上的上述替代無機發光元件，搭載於上述陣列基板上。
  4. 如請求項1或2之顯示裝置之製造方法，其進而包含對向電極形成步驟，該步驟在搭載於上述陣列基板上之上述無機發光元件及上述替代無機發光元件之上，形成對向電極，且 於上述濾光器部形成步驟中，於上述對向電極上，形成上述濾光器部。
  5. 如請求項1或2之顯示裝置之製造方法，其中上述濾光器部係由透過來自上述替代無機發光元件之光中、與來自上述不良無機發光元件之光相同波段之光的構件構成。
  6. 如請求項1或2之顯示裝置之製造方法，其中形成於上述形成基板上之無機發光元件發出紅色、綠色、或藍色之任一種光，上述替代無機發光元件發出白色之光。
  7. 一種顯示裝置，其係具備矩陣狀排列之複數個無機發光元件者，且 複數個上述無機發光元件包含發出特定顏色之光的無機發光元件、及發出與上述特定顏色之光不同顏色之光的替代無機發光元件；且 設置濾光器部，該濾光器部設置於與上述替代無機發光元件重疊之位置，將來自上述替代無機發光元件之光設為與上述特定顏色之光相同顏色之光而出射。
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