CN109494235A - 微型led器件和阵列的维修技术 - Google Patents
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Abstract
公开了用于修复发光显示系统的结构和方法。提供了根据该结构和方法的各种修复技术的实施方式,以克服和减轻缺陷像素并提高产量并降低发光显示系统的成本。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年9月11日提交的美国临时申请No.62/556608的权益,该临时申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开大体涉及微型LED显示器,并且更具体地,涉及提供用于微型LED显示器的修复技术。
背景技术
微型LED显示器可能遭受若干缺陷源,包括:器件(微型LED)开路/短路问题、器件传输/集成/焊接缺陷、以及衬底驱动器像素缺陷。包括转移到系统衬底的有缺陷微型器件的微型LED显示器的修复对于提高产量是非常关键的。虽然使用备用微型器件可以提高产量,但也会增加成本。以下实施方式涉及使修复技术能够增加产量并降低发光显示器的成本。
发明内容
包括转移到系统衬底的微型器件的微型LED显示器的测试和修复对于提高产量来说是非常关键的。虽然使用备用微型器件可以提高产量,但也会增加成本。以下实施方式旨在实现简单和/或实用的修复过程以增加产量并降低成本。
根据一个实施方式,可以提供系统衬底上的显示系统。显示系统可以包括:像素阵列,其中每个像素都包括以矩阵排列的一组子像素,该组子像素包括至少一个缺陷子像素;以及缺陷映射块,用于将来自至少一个缺陷子像素的数据映射到至少一个周围备用子像素。
根据另一实施方式,一种修复包括多个像素的像素电路的方法可以包括:为每个像素提供一组多于两个的子像素和备用子像素,检测该组子像素中的至少一个缺陷子像素,并用颜色转换材料或滤色器转换备用子像素以产生与缺陷子像素相同的颜色。
在另一实施方式中,可提供一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括至少一个具有高波长发射的原始子像素的像素,将颜色转换材料应用于该原始子像素中的至少一个以将高波长发射转换为与该高波长发射不同的波长发射,识别原始子像素中有缺陷的原始子像素,以及通过使用颜色转换材料将备用子像素映射到与有缺陷的原始子像素相同的原色。
根据又一实施方式,可以提供一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括至少一个具有组合波长发射的原始子像素的像素,将滤色器材料应用于该原始子像素中的至少一个以将组合波长发射转换为不同的波长发射,识别原始子像素中有缺陷的原始子像素,以及通过使用滤色器材料将备用子像素映射到与有缺陷的原始子像素相同的原色。
根据一些实施方式,可以提供一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括至少一个高波长原始子像素的像素,提供至少一个具有相同波长的备用子像素,识别原始子像素和备用子像素中的缺陷子像素,以及将颜色转换层映射到没缺陷的子像素,使得对于每个预期的原始子像素来说都至少存在一个子像素。
根据另一实施方式,可以提供一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括至少一个组合颜色子像素的像素,提供具有相同组合颜色的至少一个备用子像素,识别原始子像素和备用子像素中的缺陷子像素,以及将滤色器层映射到没缺陷的子像素,使得对于每个预期的原始子像素来说都存在至少一个子像素。
根据又一实施方式,一种在显示系统中用备用子像素替换缺陷子像素的方法可包括:向显示器中的子像素的位置提供周期性空间变化,计算备用子像素与缺陷子像素之间的最大距离和最小距离,提取子像素的坐标的变化,并根据所计算的变化用备用子像素替换缺陷子像素。
根据又一实施方式,一种校正光电器件阵列的空间非均匀性的方法,其中基于该阵列中的空间不均匀性阻挡由光电器件产生或吸收的信号的一部分。
前述发明内容仅是说明性的,并不旨在以任何方式进行限制。除了以上描述的说明性方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下详细描述,其他方面、实施方式和特征将变得显而易见。
附图说明
根据参考附图作出的各种实施方式和/或方面的详细描述,本公开的前述和另外的方面和实施方式对于本领域普通技术人员将是显而易见的。接下来,提供附图的简要描述。
图1a示出了不包括缺陷子像素的像素阵列的示例。
图1b示出了包括将缺陷子像素贡献转移至备用子像素的像素阵列的示例。
图2a示出了对于每个像素都具有一个备用子像素的像素阵列的示例。
图2b示出了包括将缺陷子像素贡献转移到备用的相邻子像素的像素阵列的示例。
图3a至图3c示出了用于修复有缺陷的微型器件的预定映射技术。
图4a至图4c展示了用于修复有缺陷的微型器件的接近映射技术。
图5a至图5c展示了用于修复有缺陷的微型器件的环绕映射技术。
图6展示了用于修复有缺陷的微型器件的加权映射技术。
图7a示出了分布在像素阵列的行和列上的备用元件的二维分布。
图7b示出了分布在像素阵列的行和列上的备用元件的一维分布。
图7c示出了分布在检测到缺陷的相同或相邻行上的备用元件的一维分布。
图8Aa示出了具有固定RGB和备用蓝色子像素的像素阵列的示例,其中在后期生产检查中检测到有缺陷的绿色子像素。
图8Ab示出了具有固定RGB和备用蓝色子像素的像素阵列的示例,其中备用蓝色子像素被转换为绿色。
图8Ba示出了具有固定RGB和备用组合彩色子像素的像素阵列的示例,其中在后期生产检查中检测到有缺陷的绿色子像素。
图8Bb示出了像素阵列的示例,其中备用组合颜色子像素被转换为绿色。
图9a至图9c示出了由蓝色微型器件填充的像素阵列的架构。
图10a示出了显示系统中微型器件位置的周期性空间变化。
图10b示出了显示系统中微型器件位置的随机空间变化。
图10c示出了将不同的微型器件从源转移到系统衬底的示例。
图10d示出了具有着陆区域的系统衬底,该着陆区域对应于来自源的微型器件的变化。
图11展示了显示系统中微型器件位置的空间变化的步骤的顺序。
图12示出了显示系统中微型器件位置的随机空间变化。
虽然本公开易于进行各种修改和替换形式,但是特定实施方式或实现已经在附图中通过示例的方式示出并且将在本文中详细描述。然而,应该理解的是,本公开不旨在限于所公开的特定形式。相反,本公开将覆盖落入由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
具体实施方式
缺陷修复技术
除非另外定义,否则本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。
如说明书和权利要求书中所用,单数形式“一”,“一个”和“该”包括复数指代,除非上下文另有明确说明。
本文使用的术语“包括”将被理解为表示接下来的列表是非详尽的并且可以酌情包括或不包括任何其他附加的合适项目,例如一个或多个其他特征、组件和/或元件。
在微型器件系统集成中,器件在其原生环境条件下被制造,然后它们被转移到更大的系统衬底。在一种情况下,微型器件在放置在系统衬底上之后起作用,因为它具有到系统衬底的功能连接。在另一种情况下,需要进行后处理以使器件起作用。常见的处理步骤包括在微型器件和微型器件之间建立连接,在这种情况下,可以首先将系统衬底平坦化并且在系统衬底的顶部沉积厚的(1-2微米)介电层。如果需要,通过对平坦化层进行图案化和蚀刻来打开与微型器件的接触区域。此后,如果需要,沉积并图案化电极。
在本说明书中,术语“器件”和“微型器件”可互换使用。然而,本领域的技术人员清楚,这里描述的实施方式与器件尺寸无关。
在本说明书中,术语“备用器件”和“冗余器件”可互换使用。然而,本领域的技术人员清楚的是,“备用器件”和“冗余器件”在某种意义上与器件类似,该器件对于运行来说不是严格必须的,但被包含以防另一器件出现故障。
这种集成的主要挑战是识别有缺陷的被转移器件并修复它们或修复发射显示器(在需要时)。在测试之后,识别出缺陷像素。可以固定或禁用缺陷像素。在识别后修复缺陷的一种方法是从像素中移除有缺陷的器件并用新的器件替换它。这样做的主要缺点是在移除有缺陷的器件期间可能损坏像素的风险。下面将详细描述根据所提供的结构和过程的各种修复技术实施方式,以克服和减轻缺陷像素。
包括冗余方案,其包括多个冗余,分布式冗余和缺陷映射技术。其他实施方式包括通过颜色转换的修复,该颜色转换包括具有冗余蓝色结构和全蓝色结构的固定子像素。
这里,在像素化系统(例如,显示器、传感器和其他阵列结构)的背景下描述了实施方式,然而,类似的方法也可以用于其他系统配置。此外,尽管实施方式说明了应用于微型器件的技术,但应该理解,它们也可以应用于任何其他器件尺寸。
在图1a中所示的一种方法中,像素电路102a可以包括集成在显示系统的系统衬底(图1a中未示出)上的多个像素。诸如104a、106a和108a的每个像素都可以包括一组子像素,该组子像素包括子像素和相同原色的一组备用子像素。每个子像素阵列被配置为发出单独的原色。例如,第一组子像素104a可以发射红色原色,第二组子像素106a可以发射蓝色,而第三组子像素108a可以发射绿色。每个子像素都可以是微型LED。
在这样的系统中,当子像素(例如,子像素)在集成处理之后被检测为具有缺陷,可以如图1b所示将缺陷子像素110b的亮度贡献转移到备用子像素104b。每个像素的每个备用子像素都可以被配置为发射与缺陷子像素相同的原色。
在如图2a和图2b中所示的希望限制集成的微型器件数量的另一实施方式中,可以使用稀疏的冗余,例如图2a所示的模式。在图2a的系统中,像素簇(4个全像素)可以集成在衬底上(图2a中未示出),其中每个簇202a都可以包括一组像素和一组备用子像素并且每个像素都包括一组子像素(R、G、B)和备用子像素,例如204a和206a。在这样的系统中,当在集成处理之后检测到子像素202b有缺陷时,可以如图2b所示将缺陷子像素的亮度贡献转移到备用的相邻子像素204b。
在上述方法和实施方式中,由于该配置具有用于每个子像素的四个微型LED,并且其中一个微型LED不起作用,剩余的微型LED亮度中的每一个将增加1/3以补偿有缺陷的微型LED引起的亮度损失。这些方法的主要问题是每个显示器的微型LED数量急剧增加。结果,材料的成本也增加了。因此,对于显示控制器需要将数据流重新导向至冗余电路的一些缺陷修复机制,缺陷映射技术被使用。这些技术依赖于使用两个或更多个冗余元件来人工地移动所构造图像内的被修复元件的有效坐标。
图3a至图3c示出了用于修复有缺陷的微型器件的预定映射技术。在一个实施方式中,具有像素阵列并且在像素阵列中具有至少一个缺陷像素的显示系统可以利用预定的冗余元件组。在这种情况下,每个缺陷的微型器件被映射到缺陷器件附近的一个或多个备用微型器件。在具有预定值的被映射备用器件之间共享功能(例如,亮度)。因此,基于预定值在周围的备用子像素之间共享缺陷子像素的亮度值。例如,如302b所示,绿色缺陷子像素304b可以映射到两个相邻的备用绿色微型LED 306b和308b。备用绿色微型LED306b和308b中的每一个都可以为缺陷的绿色子像素304b产生50%的亮度。其一个示例在图3b中示出。如302a和302c所示,可以对红色和蓝色缺陷子像素采用类似的方法。
在其他实施方式中,基于缺陷像素与周围备用器件之间的几何距离来计算备用器件的亮度份额。可以使用查找表或公式来提取周围备用器件的亮度份额。在一个示例中,如图4a至图4c所示,与缺陷子像素具有最短几何距离的备用器件产生100%的亮度。如图4a所示,具有像素阵列并且在像素阵列中具有至少一个缺陷像素406a的显示系统402a可以基于缺陷像素与备用器件之间的最短几何距离来利用备用器件404a。对于如图4b和图4c的显示系统402b和402c中示出的绿色和蓝色缺陷子像素,可以分别采用类似的方法。
在另一个示例中,可以如图5a至图5c所示采用环绕映射技术来修复有缺陷的微型器件。在一个实施方式中,包括多个子像素和至少一个缺陷像素的显示系统502a可以均等地利用相邻或周围的备用器件。有缺陷的器件的亮度(或信号)被相邻的器件均等地替换。如果在有缺陷的器件周围有三个备用器件,则每个备用器件都会创建亮度(或信号)的1/3。在一个示例中,如图5b所示,三个备用器件(504b、506b和508b)围绕有缺陷的绿色器件510b的,每个备用器件创建亮度(或信号)的1/3。有缺陷的绿色器件510b的亮度(或信号)由替相邻的备用绿色器件(504b、506b和508b)均等地替换。对于如图5a和图5c的显示系统502a和502c中所示的绿色和蓝色缺陷子像素,可以分别采用类似的方法。
图6展示了用于修复有缺陷的微型器件的加权映射技术。在一个实施方式中,包括多个备用子像素和至少一个缺陷像素602的显示系统600可以利用与缺陷子像素的几何距离的精确比率。基于与缺陷子像素602的几何距离的精确比率来计算每个备用子像素(604、606、608和610)的亮度份额。
在另一个实施方案中,这些上述实施方案的任何组合也是可行的。上述实施方式中的亮度可以是从不同微型器件输出的任何其他信号。
还有许多其他方法可用于修复有缺陷的微型器件。在一种方法中,在具有像素阵列的显示系统702a中,可以如图7a所示利用分布在像素阵列的行和列上的冗余元件的二维分布。在另一种方法中,在具有像素阵列的显示系统702b中,可以如图7b所示利用分布在像素阵列的行和列上的冗余元件的1维分布。在又一种方法中,在具有像素阵列的显示系统702c中,可以如图7c所示利用分布在检测到缺陷的相同或相邻行上的冗余元件的1维分布。
在又一种情况下,具有像素阵列的显示系统可以利用上述情况以及具有大小与由分布式冗余占据的行数相对应的缓冲存储器,以存储和重用视频/图像数据。
在另一种情况下,具有像素阵列的显示系统可以利用上述情况以及具有大小与单行(其中检测到缺陷像素)相对应的缓冲存储器,以存储和重用视频/图像数据。
可以在显示系统的不同级/层中实现缺陷映射。在一个实施方式中,其中包含一个或多个缺陷像素/子像素的显示系统通过缺陷像素/子像素向单个或一组备用/冗余修复元件的物理映射(例如,制造后激光修复)来进行修复。
在一个实施方式中,其中包含一个或多个缺陷像素/子像素的显示系统通过缺陷像素/子像素向单个或一组备用/冗余修复元件的驱动器映射(即,可编程闪存、OTP存储器或驱动器组件中的熔丝)来进行修复。
在又一实施方式中,其中包含一个或缺陷像素/子像素的显示系统通过缺陷像素/子像素向单个或一组备用/冗余修复元件的软映射(即,通过时序控制器(TCON)的映射)来进行修复。在另一实施方式中,其中包含一个或多个缺陷像素/子像素的显示系统通过上述实施方式的任何组合来进行修复。
通过颜色转换进行修复
在大多数情况下,直到沉积显示系统公共电极之后才可以检测到缺陷像素。因此,缺陷元件的物理修复可能变得具有挑战性。这里可以公开示出若干设计方法和制造技术的不同实施方式以便于修复过程。
具有冗余蓝色结构的固定子像素
图8Aa示出了具有固定RGB和冗余蓝色子像素的像素阵列。在该实施方式802a中,每个像素都可以包含子像素元件的固定组合(RBG、RGBW或条纹、菱形或其他图案中的其他组合)。每个像素还可以包括可用于修复目的的额外的蓝色或组合颜色(例如,白色、橙色、黄色、紫色)子像素(804a、806a)。
一旦完成集成、钝化和公共电极沉积步骤,就可以检查显示面板以检测并记录缺陷像素的坐标。然后,生产线中的后处理装备可以用颜色转换材料(Q点或磷光体)覆盖(打印、图案化或印记)冗余蓝色子像素以替换缺陷子像素,或者在组合颜色器件的情况下,滤色器可用于提取缺陷子像素所需的颜色。
在图8Aa和图8Ab中示出了使用RGB子像素分量以及备用蓝色子像素的这种系统的2×2阵列802a。一旦在阵列中检测到子像素有缺陷,则可以通过使用颜色转换材料将备用蓝色转换为与缺陷子像素相同的原色(图8Ab)。例如,可以在像素808a中提供固定RGB和备用蓝色子像素(804a、806a)。在后期生产检查期间,如果检测到有缺陷的绿色子像素810a,则可以使用颜色转换材料将备用蓝色子像素转换为绿色812a。
图8Ba和图8Bb示出了像素阵列802b,其中冗余的白色子像素被转换为绿色。在图8B中所示的组合颜色的情况下,备用器件将被滤色器覆盖,以产生缺陷子像素的原色(图8Ba和8Bb)。例如,可以在像素808b中提供固定RGB和备用白色子像素(804b、806b)。在后期生产检查期间,如果检测到有缺陷的绿色子像素810b,则可以使用颜色转换材料将备用蓝色子像素转换为绿色812b。蓝色或白色被用作示例并且可用其他高能光子或组合颜色代替。
所有蓝色或组合颜色结构
图9a至图9c示出了由蓝色微型器件填充的像素阵列的架构。如图9a所示,整个阵列902可以仅由一种类型的高波长初级微型器件填充(例如,蓝色或组合的颜色)。图9a所示的显示系统具有全蓝色微型LED阵列。随后,填充的阵列可以经历多个后集成过程,例如,钝化、平坦化和公共电极沉积。然后,检查系统可以确定缺陷像素的坐标。如图9b至图9c所示,显示面板然后可以经历生产步骤,其中可以通过颜色转换材料(量子点或磷光体)或滤色器材料覆盖(印刷,图案化或冲压)功能子像素以使用固定或空间优化的映射形成所需的彩色像素图案(RGB、RGBW、RGBY,...)。在同一生产步骤中,将通过对冗余蓝色子像素进行颜色转换来重新映射所有缺陷像素。例如,如图9a所示,阵列902可以由所有蓝色子像素填充。在后期生产检查期间,检测到有缺陷的绿色子像素910,可以使用颜色转换材料将备用蓝色子像素转换为绿色912。在一个实施方式中,在组合彩色器件的情况下,可以使用滤色器来提取缺陷子像素所需的颜色。
空间坐标变化
在通过冗余或备用微型器件的大多数修复过程中,在实际缺陷器件与备用或冗余器件之间存在空间坐标差异。这可以被视为视觉伪像。为了解决该问题,本发明的一个实施方式向器件添加预定(或周期性)空间坐标变化。变化可以是一个方向,也可以是两个方向。这里,提取备用器件和可能表示的缺陷器件之间的最大和最小距离。然后,提取坐标的变化以最小化备用器件位置的影响。
图10a示出了使用RGB对显示系统1000a中的位置微型器件1002a的周期性空间变化。图10b示出了另一示例,其中随机空间变化被添加到显示系统1000b中的微型器件1002b(例如,R、G、B)。图10a和10b中描述的相同方法可用于具有不同器件的显示器或具有不同功能的系统。这里,RGB器件1002a具有水平方向。但是,它们可以有不同的定向。而且,空间变化以相同的顺序应用于RGB样本1002b。但是,每个器件都可以具有不同的空间变化。而且,备用器件1004a被添加到实际功能器件之间的一些空间。备用器件1004b还可以具有空间变化。
图10c示出了将不同的微型器件从源转移到系统衬底的示例。在一种方法中,产生空间变化的方法是制造具有引起的空间变化的微型器件。这里,在微型器件1002c将在微型器件制造之后被转移的系统衬底1000c,在微型器件将被转移的系统衬底中的着陆区域中具有类似的变化。
图10d示出了具有着陆区域阵列1000d的系统衬底,着陆区域阵列1000d对应于来自源的微型器件的变化。在另一种方法中,转移过程适应变化。这里,诸如1002d的微型器件位于二维阵列结构中,该二维阵列结构具有比系统衬底中的二维着陆区阵列1000d的间距更小的间距。这里使用的转移方法是将具有不同间距的微型器件从微型器件源转移到着陆阵列中的过程。这里,着陆阵列可以适应不同的微型器件间距。着陆区域很大以适应这种变化,或者着陆区域具有类似的间距变化。
在另一实施方式中,为了进一步改善均匀性,所引起的变化限于微型器件的信号中的可允许的非均匀性的程度。可允许的空间非均匀性可以是全局非均匀性,其中它基于包括多于一个微型器件的区域中的平均微型器件信号来计算。可允许的空间非均匀性可以是局部非均匀性,其中它基于相邻微型器件的感知信号的变化。
在又一个实施方式中,为了消除由微型器件的坐标变化引起的不希望的非均匀性,它可以包括针对所引发变化的对系统的校准。该校准可以包括基于微型器件的位置修改微型器件的信号。
微型器件在像素中的取向和位置被用作示例性布置,并且不同的布置可用于前述方法。
图11展示了流程图1100,其包括创建空间变化并消除由变化引起的不希望的非均匀性的步骤。可以改变图11中所示步骤的顺序而不影响系统性能。图11显示了这些步骤的一个例子。第一步骤1102包括基于微型器件的信号中的可接受的空间非均匀性来计算最大可允许空间变化。在步骤1104期间,可以基于微型器件中的缺陷率和可允许的空间非均匀性和其他参数(例如,成本)来计算备用微型器件的数量。在步骤1106期间,可以基于计算的空间变化将微型器件转移到系统衬底中,并且在步骤1108期间基于可允许的变化和缺陷率将备用微型器件分布在系统衬底中的微型器件之间。在步骤1110中,通过备用微型器件替换有缺陷的微型器件。在步骤1112期间,可以基于所引发的变化和备用微型器件来校准系统,并且在步骤1114期间使用校准数据来校正微型器件的信号。
图12示出了校正至少一部分不同非均匀性(例如,来自空间变化的非均匀性,来自器件工艺的非均匀性,来自系统衬底的非均匀性或来自微型器件向系统衬底中的集成过程的非均匀性)的方法。在此,阻挡由微型器件产生或吸收的部分信号。阻挡信号的区域(A1)1202与微型器件的信号成比例。
在一个实施方式中,它在转移之前被创建,作为器件工艺或集成工艺的一部分。如果它是器件工艺的一部分,则评估微型器件性能或创建微型器件之前的层。在评估之后,在器件工艺期间,使用不透明材料来阻挡信号,或者将器件的区域A1修改为区域(A2)1204以校正所测量的性能非均匀性。
在另一实施方式中,在将器件转移到系统衬底中之后创建阻挡区域1204。在这种情况下,在转移之后或在不同阶段的转移之前测量器件性能。然后,使用该数据创建阻挡信号的不透明层,或者调谐器件的区域A2以校正所测量的性能非均匀性。
在一个实施方式中,在光电器件的顶部沉积并图案化不透明层,其中不透明层的面积与空间非均匀性成比例。不透明层可以是光电器件的接触层的一部分。在另一种情况下,不透明层是阵列电极的一部分。而且,根据空间非均匀性修改光电器件尺寸。
根据一个实施方式,可以提供系统衬底上的显示系统。显示系统可以包括:像素阵列,其中每个像素包括以矩阵排列的一组子像素,该组子像素组包括至少一个缺陷子像素;缺陷映射块,用于将来自至少一个缺陷子像素的数据映射到至少一个周围备用子像素。
根据一些实施方式,可以基于预定值在周围的备用子像素之间共享缺陷子像素的亮度值。查找表或公式可用于提取周围备用子像素的亮度份额。缺陷子像素的亮度值可以与周围的备用子像素中的具有距缺陷子像素最近的几何距离的一个备用子像素共享。缺陷子像素的亮度值可以在周围的备用子像素之间均等分布。
根据另一实施方式,一种修复包括多个像素的像素电路的方法可包括:为每个像素提供一组多于两个子像素和备用子像素,检测该组子像素中的至少一个缺陷子像素,并且用颜色转换材料或滤色器转换备用子像素以产生与缺陷子像素的颜色相同的颜色。
根据一些实施方式,该组子像素可包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。备用子像素可包括蓝色子像素或组合颜色子像素。
在另一种情况下,该方法可以进一步包括提供颜色转换材料以将备用蓝色子像素转换为与缺陷子像素相同的原色。颜色转换材料是以下之一:量子点或磷光体。颜色转换材料可以通过以下之一覆盖备用蓝色子像素:打印工艺、图案化工艺或冲压工艺。
在又一种情况下,该方法还可以包括提供滤色器以将备用组合颜色子像素转换为与缺陷子像素相同的原色。
进一步的实施方式提供了一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括多于一个具有高波长发射(例如蓝色)的原始子像素的像素,将颜色转换材料应用于该原始子像素中的至少一个以将高波长发射转换为与高波长发射不同的波长发射;识别原始子像素中有缺陷的原始子像素;通过使用颜色转换材料将备用子像素映射到与有缺陷的原始子像素相同的原色。
根据又一实施方式,可以提供一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括一个以上具有组合波长发射(例如白色)的原始子像素的像素,将滤色器材料应用于该原始子像素中的至少一个以将组合波长发射转换为不同波长发射;识别原始子像素中有缺陷的原始子像素;通过使用滤色器材料将备用子像素映射到与有缺陷的原始子像素相同的原色。
根据一些实施方式,可以提供一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括至少一个高波长(例如蓝色)原始子像素的像素,提供具有相同波长的至少一个备用子像素,识别原始子像素和备用子像素中的有缺陷子像素;将颜色转换层映射到没缺陷的子像素,使得对于每个预期的原始子像素来说,都存在至少一个子像素。
根据另一实施方式,可以提供一种修复像素电路的方法。该方法可以包括:提供包括至少一个组合颜色子像素(例如白色)的像素,提供具有相同组合颜色的至少一个备用子像素,识别原始子像素和备用子像素中的有缺陷子像素;将滤色器层映射到没缺陷的子像素,使得对于每个预期的原始子像素来说,都存在至少一个子像素。
根据又一实施方式,一种用显示系统中的备用子像素替换缺陷子像素的方法可包括:向显示器中的子像素的位置提供周期性空间变化,计算和备用子像素与缺陷子像素之间的最大和最小距离,提取子像素坐标的变化;并根据所计算的变化用备用子像素替换有缺陷的微型器件。
根据一些实施方式,提取子像素的坐标的变化可以包括如下步骤:基于子像素的信号中的可接受的空间非均匀性计算最大可允许空间变化,基于子像素中的缺陷率和最大可允许空间非均匀性计算备用子像素的数量,基于计算出的空间变化将子像素转移到系统衬底中;基于最大可允许变化和缺陷率在系统衬底中的子像素之间分布备用子像素。
根据其他实施方式,该方法可以进一步包括:用备用子像素替换缺陷子像素,基于所引发的变化和备用子像素校准系统,并使用校准数据来校正子像素信号。
根据又一实施方式,一种校正光电器件阵列的空间非均匀性的方法,其中基于所述阵列中的空间不均匀性阻挡由光电器件产生或吸收的信号的一部分。
在另一种情况下,在光电器件的顶部沉积并图案化不透明层,其中不透明层的面积与空间非均匀性成比例。不透明层是光电器件的接触层的一部分。不透明层可以是阵列的电极的一部分。而且,根据空间不均匀性修改光电器件的尺寸。
虽然已经说明和描述了本发明的特定实施方式和应用,但应理解,本发明不限于本文公开的精确构造和组合物,并且各种修改、变化和变型根据前面的描述而变得明显,且不脱离如所附权利要求中所限定的本发明的精神和范围。
Claims (27)
1.一种系统衬底上的显示系统,包括:
像素阵列,其中每个像素包括以矩阵排列的一组子像素;所述一组子像素组包括至少一个缺陷子像素;和
缺陷映射块,用于将来自所述至少一个缺陷子像素的数据映射到至少一个周围的备用子像素。
2.如权利要求1所述的显示系统,其中,基于预定值在周围的备用子像素之间共享所述缺陷子像素的亮度值。
3.如权利要求2所述的显示系统,其中,查找表或公式之一用于提取所述周围的备用子像素的亮度份额。
4.如权利要求1所述的显示系统,其中,所述缺陷子像素的亮度值被共享至所述周围的备用子像素中的具有与所述缺陷子像素最接近的几何距离的一个周围的备用子像素。
5.如权利要求1所述的显示系统,其中,在所述周围的备用子像素之间均等地共享所述缺陷子像素的亮度值。
6.一种修复包括多个像素的像素电路的方法,所述方法包括:
为每个像素提供一组两个以上的子像素和备用子像素;
检测所述一组子像素组中的至少一个缺陷子像素;和
用颜色转换材料或滤色器转换所述备用子像素以产生与所述缺陷子像素相同的颜色。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述一组子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
8.如权利要求6所述的方法,其中,所述备用子像素包括蓝色子像素或组合颜色子像素。
9.如权利要求8所述的方法,还包括:
提供所述颜色转换材料以将备用的蓝色子像素转换为与所述缺陷子像素相同的原色。
10.如权利要求6所述的方法,其中,所述颜色转换材料是量子点或磷光体。
11.如权利要求8所述的方法,其中,所述颜色转换材料通过以下之一覆盖备用的蓝色子像素:打印工艺、图案化工艺或冲压工艺。
12.如权利要求8所述的方法,还包括:
提供所述滤色器以将备用的组合颜色子像素转换为与所述缺陷子像素相同的原色。
13.一种修复像素电路的方法,包括:
提供像素,所述像素包括一个以上具有高波长发射的原始子像素;
将颜色转换材料应用于所述原始子像素中的至少一个,以将所述高波长发射转换为与所述高波长发射不同的波长发射;
识别所述原始子像素中的至少一个有缺陷的原始子像素;和
通过使用所述颜色转换材料将备用的原始子像素映射到与所述有缺陷的原始子像素相同的原色。
14.如权利要求13所述的方法,其中,所述高波长发射包括蓝光发射。
15.一种修复像素电路的方法,包括:
提供像素,所述像素包括多于一个具有组合波长发射的原始子像素;
将滤色器材料应用于所述原始子像素中的至少一个,以将所述组合波长发射转换为不同的波长发射;
识别所述原始子像素中的有缺陷的原始子像素;和
通过使用所述滤色器材料将备用的子像素映射到与所述有缺陷的原始子像素相同的原色。
16.如权利要求15所述的方法,其中,所述组合波长发射包括白光发射。
17.一种修复像素电路的方法,包括:
提供像素,所述像素包括至少一个高波长的原始子像素;
提供至少一个具有相同波长的备用子像素;
识别所述原始子像素和所述备用子像素中的缺陷子像素;和
将颜色转换层映射到没缺陷的子像素,使得对于每个预期的原始子像素来说,存在至少一个子像素。
18.如权利要求17所述的方法,其中,所述高波长的原始子像素包括蓝色子像素。
19.一种修复像素电路的方法,包括:
提供像素,所述像素包括至少一个组合颜色的原始子像素;
提供至少一个具有相同组合颜色的备用子像素;
识别所述原始子像素和所述备用子像素中的缺陷子像素;和
将滤色器层映射到没缺陷的子像素,使得对于每个预期的原始子像素来说,存在至少一个子像素。
20.一种在显示系统中用备用子像素替换缺陷子像素的方法,包括:
提供显示器中的子像素的位置的周期性空间变化;
计算所述备用子像素与所述缺陷子像素之间的最大距离和最小距离;
提取子像素的坐标的变化;和
基于所计算的变化用所述备用子像素替换所述缺陷子像素。
21.如权利要求20所述的方法,其中,提取子像素的坐标的变化包括以下步骤:
a)基于所述子像素的信号中的可接受空间非均匀性计算最大可允许空间变化;
b)基于所述子像素中的缺陷率和所述最大可允许空间非均匀性计算备用子像素的数量;
c)基于所计算的最大可允许空间变化将子像素转移到系统衬底中;和
d)基于所述最大可允许空间变化和所述缺陷率,在系统衬底中的子像素之间分布所述备用子像素。
22.如权利要求21所述的方法,还包括:
e)用备用子像素替换所述缺陷子像素;
f)基于所引发的变化和备用子像素校准系统;和
g)使用校准数据来校正子像素信号。
23.一种校正光电器件的阵列的空间非均匀性的方法,其中,基于所述阵列中的空间非均匀性阻挡由所述光电器件产生或吸收的信号的一部分。
24.如权利要求23所述的方法,其中,在所述光电器件的顶部沉积并图案化不透明层,其中,所述不透明层的面积与所述空间非均匀性成比例。
25.如权利要求23所述的方法,其中,所述不透明层是所述光电器件的接触层的一部分。
26.如权利要求23所述的方法,其中,所述不透明层是所述阵列的电极的一部分。
27.如权利要求23所述的方法,其中,根据所述空间非均匀性修改所述光电器件的尺寸。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109887461A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及显示方法 |
CN110137220A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-16 | 佛山市柔浩电子有限公司 | 微发光二极管量子点显示屏修补方法 |
CN111162022A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的修复装置 |
CN111933760A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-11-13 | 苏州科韵激光科技有限公司 | 微型led像素修复设备及微型led像素修复方法 |
CN112214129A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
CN112447120A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社日本显示器 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
CN113748456A (zh) * | 2019-04-09 | 2021-12-03 | 维耶尔公司 | 微型led装置和阵列的修复技术 |
WO2022073397A1 (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备、显示模组及其修复方法 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI616116B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-02-21 | 錼創科技股份有限公司 | 顯示器及其修補方法 |
KR102503770B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2023-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 영상 데이터 처리 장치 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP7138286B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-09-16 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置および画像表示装置の製造方法 |
KR20200119581A (ko) * | 2019-04-10 | 2020-10-20 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법 |
TWI759619B (zh) | 2019-08-06 | 2022-04-01 | 隆達電子股份有限公司 | 畫素電路及驅動方法 |
CN110473493B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-04-06 | 上海中航光电子有限公司 | 显示面板的驱动方法及显示装置 |
CN110738969A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-31 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示装置及设备 |
US11777059B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-10-03 | Lumileds Llc | Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning |
CN110890068A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-17 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 像素驱动电路控制系统及方法 |
US11521543B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-12-06 | Meta Platforms Technologies, Llc | Macro-pixel display backplane |
JP7433060B2 (ja) * | 2020-01-23 | 2024-02-19 | シャープ株式会社 | 表示制御装置、表示装置、制御プログラムおよび制御方法 |
CN111179836B (zh) * | 2020-02-19 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、阵列基板及其驱动方法、显示装置 |
US11699690B2 (en) * | 2020-02-19 | 2023-07-11 | Innolux Corporation | Display device and manufacturing method thereof |
KR20220120659A (ko) * | 2020-03-31 | 2022-08-30 | 애플 인크. | 픽셀 드라이버 리던던시 방식들 |
TWI743750B (zh) | 2020-04-20 | 2021-10-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光元件顯示裝置 |
CN111798764B (zh) * | 2020-06-12 | 2022-07-05 | 福州大学 | 一种μLED像素单元结构及显示器件 |
CN111653584B (zh) * | 2020-06-18 | 2022-08-05 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
KR20220085930A (ko) * | 2020-12-15 | 2022-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법 |
CN112419970A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-02-26 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种Micro-LED像素修复设备及修复方法 |
DE112022003029T5 (de) * | 2021-06-11 | 2024-03-28 | Vuereal Inc. | Optoelektronisches array |
CN114038396B (zh) * | 2021-08-17 | 2022-10-21 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种驱动补偿电路、显示装置以及显示单元的驱动方法 |
CN113948040B (zh) * | 2021-11-22 | 2023-07-07 | 视涯科技股份有限公司 | 显示面板 |
KR20240045645A (ko) * | 2022-09-30 | 2024-04-08 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 구동 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060164407A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for defect correction in a display |
US20060244476A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Xuemei Zhang | Defect mitigation in display panels |
US20070109327A1 (en) * | 2005-11-15 | 2007-05-17 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for defect correction in a display |
JP2009047965A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 画像処理装置、画像処理方法、表示装置およびプログラム |
US20140267683A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
CN104576686A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
US20170180659A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Google Inc. | Calibration of Defective Image Sensor Elements |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10171401A (ja) | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Fujitsu Ltd | 階調表示方法 |
US6421033B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-07-16 | Innovative Technology Licensing, Llc | Current-driven emissive display addressing and fabrication scheme |
US7679626B2 (en) * | 2001-08-01 | 2010-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive control device for a display apparatus, video image display apparatus and method of controlling the driving of the video image display apparatus |
JP2003280586A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Univ Toyama | 有機el素子およびその駆動方法 |
JP2003302936A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ディスプレイ装置、oledパネル、薄膜トランジスタの制御装置、薄膜トランジスタの制御方法およびoledディスプレイの制御方法 |
EP1543488A1 (en) * | 2002-09-16 | 2005-06-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display with variable duty cycle |
JP2005234486A (ja) | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法 |
EP2108994A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-14 | Barco NV | Display apparatus and method for controlling light output of the display apparatus |
JP2009302722A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nec Electronics Corp | 欠陥画素処理装置および欠陥画素処理方法 |
WO2012141260A1 (ja) | 2011-04-14 | 2012-10-18 | 戸田工業株式会社 | 電子写真現像剤用磁性キャリア芯材及びその製造方法、電子写真現像剤用磁性キャリア並びに二成分系現像剤 |
JP2015162333A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | キヤノン株式会社 | 光源装置及び表示装置 |
TWI663893B (zh) * | 2015-03-02 | 2019-06-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體之驅動器與相關之照明系統 |
KR102319315B1 (ko) * | 2015-05-14 | 2021-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
EP3304537A1 (en) * | 2015-06-05 | 2018-04-11 | Apple Inc. | Emission control apparatuses and methods for a display panel |
KR101725193B1 (ko) * | 2015-08-19 | 2017-04-11 | 주식회사 썬다이오드코리아 | 디스플레이 구동 방법 |
CN106486052B (zh) * | 2015-08-26 | 2023-08-04 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 一种显示控制电路以及采用显示控制电路进行显示控制的方法和家用电器 |
WO2019147738A1 (en) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Light Share, LLC | Full-color monolithic micro-led pixels |
-
2018
- 2018-09-10 DE DE102018122049.9A patent/DE102018122049A1/de active Pending
- 2018-09-10 US US16/126,444 patent/US20190080645A1/en not_active Abandoned
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- 2018-09-10 CN CN201811051198.0A patent/CN109493744A/zh active Pending
- 2018-09-10 DE DE102018122048.0A patent/DE102018122048A1/de active Pending
- 2018-09-10 CN CN201811051200.4A patent/CN109494235B/zh active Active
- 2018-09-11 TW TW112127782A patent/TW202347757A/zh unknown
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- 2018-09-11 TW TW107131873A patent/TWI791043B/zh active
-
2020
- 2020-09-08 US US17/015,024 patent/US11164512B2/en active Active
-
2021
- 2021-10-05 US US17/494,399 patent/US11610535B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-28 US US17/683,318 patent/US20220270545A1/en active Pending
-
2023
- 2023-03-03 US US18/178,157 patent/US11948503B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060164407A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for defect correction in a display |
US20060244476A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Xuemei Zhang | Defect mitigation in display panels |
US20070109327A1 (en) * | 2005-11-15 | 2007-05-17 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for defect correction in a display |
JP2009047965A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 画像処理装置、画像処理方法、表示装置およびプログラム |
US20140267683A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
CN104576686A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
US20170180659A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Google Inc. | Calibration of Defective Image Sensor Elements |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109887461A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及显示方法 |
CN113748456A (zh) * | 2019-04-09 | 2021-12-03 | 维耶尔公司 | 微型led装置和阵列的修复技术 |
CN110137220A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-16 | 佛山市柔浩电子有限公司 | 微发光二极管量子点显示屏修补方法 |
CN112447120A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社日本显示器 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
CN112447120B (zh) * | 2019-08-28 | 2023-08-01 | 株式会社日本显示器 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
CN111162022A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的修复装置 |
CN111933760A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-11-13 | 苏州科韵激光科技有限公司 | 微型led像素修复设备及微型led像素修复方法 |
CN111933760B (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-29 | 苏州科韵激光科技有限公司 | 微型led像素修复设备及微型led像素修复方法 |
CN112214129A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备及显示模组 |
WO2022073397A1 (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备、显示模组及其修复方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102018122048A1 (de) | 2019-03-14 |
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TW202347757A (zh) | 2023-12-01 |
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