KR20220047131A - 마이크로 led 디스플레이, 마이크로 led 전사기판 및 이를 이용한 마이크로 led 전사방법 - Google Patents
마이크로 led 디스플레이, 마이크로 led 전사기판 및 이를 이용한 마이크로 led 전사방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220047131A KR20220047131A KR1020210042223A KR20210042223A KR20220047131A KR 20220047131 A KR20220047131 A KR 20220047131A KR 1020210042223 A KR1020210042223 A KR 1020210042223A KR 20210042223 A KR20210042223 A KR 20210042223A KR 20220047131 A KR20220047131 A KR 20220047131A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- micro led
- micro
- sub
- transfer
- led
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 3
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002103 transcriptional effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
마이크로 LED 디스플레이, 마이크로 LED 전사기판 및 이를 이용한 마이크로 LED 전사방법에 관해 개시되어 있다. 마이크로 LED는 백플레인 기판 및 상기 백플레인 기판 상에 구비된 복수의 부화소를 포함하고, 상기 복수의 부화소 중 일부의 부화소들 각각은 제1 마이크로 LED 및 상기 제1 마이크로 LED와 다른 제2 마이크로 LED를 포함한다. 마이크로 LED 전사기판은 복수의 부화소 영역을 포함하고, 각 부화소 영역은 제1 마이크로 LED가 전사되는 제1 전사영역과, 상기 제1 마이크로 LED와 다른 제2 마이크로 LED가 전사되는 제2 전사영역을 포함한다. 마이크로 LED 전사방법은 복수의 부화소에 제1 마이크로 LED를 전사한 다음, 상기 복수의 부화소에 제2 마이크로 LED를 전사하여 상기 복수의 부화소 중 적어도 일부의 각 부화소에 상기 제1 및 제2 마이크로 LED를 전사하고, 상기 제2 마이크로 LED의 크기는 상기 제1 마이크로 LED보다 작다.
Description
본 개시는 디스플레이 장치와 관련된 것으로, 보다 자세하게는 마이크로 LED 디스플레이, 마이크로 LED 전사기판 및 이를 이용한 마이크로 LED 전사방법에 관한 것이다.
마이크로 LED(micro-LED) 디스플레이는, 예컨대 100㎛ 이하 크기의 LED 수십만 개 이상을 기판에 배열하여 만들어질 수 있다. 각 마이크로 LED가 디스플레이의 부화소(sub-pixel)로 기능하여 기존의 LCD나 OLED 디스플레이 대비 고효율, 고화질, 고해상도의 특성을 가질 수 있다.
마이크로 LED 디스플레이 제작과정은 마이크로 LED칩 전사공정을 포함한다. 전사공정에 따라 전사수율이 달라지고 비용증가로 이어질 수 있는 바, 고수율을 확보하면서 저비용으로 전사공정을 수행하기 위해 다양한 방법이 개발되고, 그 중의 하나가 습식전사방법이다.
예시적인 일 실시예는 광 방출효율을 높여 상대적으로 밝고 선명한 이미지를 제공할 수 있는 마이크로 LED를 제공한다.
예시적인 일 실시예는 마이크로 LED의 전사효율을 높일 수 있는 형태로 설계된 마이크로 LED 전사기판을 제공한다.
예시적인 일 실시예는 이러한 전사기판을 이용한 마이크로 LED 전사방법을 제공한다.
예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED는 백플레인 기판과, 상기 백플레인 기판 상에 구비된 복수의 부화소를 포함하고, 상기 복수의 부화소 중 일부의 부화소들 각각은 제1 마이크로 LED 및 상기 제1 마이크로 LED와 다른 제2 마이크로 LED를 포함한다. 일 예에서, 상기 제1 마이크로 LED와 상기 제2 마이크로 LED는 크기가 서로 다를 수 있다. 다른 예에서, 상기 제1 마이크로 LED의 형태와 상기 제2 마이크로 LED의 형태는 서로 다를 수 있다. 일 예에서, 상기 복수의 부화소는 모두 동일한 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함할 수 있다.
일 예에서, 상기 복수의 부화소에서 제1 그룹의 부화소는 제1 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함하고, 제2 그룹의 부화소는 제2 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함하고, 제3 그룹의 부화소는 제3 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광의 파장은 서로 다를 수 있다.
일 예에서, 상기 복수의 부화소의 나머지는 각각 1개의 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 다른 예에서, 상기 복수의 부화소의 나머지는 각각 동일한 복수의 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 또 다른 예에서, 상기 복수의 부화소의 나머지는 상기 제1 및 제2 마이크로 LED 중 하나와 동일하거나 다른 형태의 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 및 제2 마이크로 LED는 다각형 또는 원형일 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 및 제2 마이크로 LED 중 하나는 다각형 또는 원형일 수 있다.
예시적인 일 실시예에 의한 전사기판은 복수의 부화소 영역을 포함하고, 각 부화소 영역은 제1 마이크로 LED가 전사되는 제1 전사영역과, 상기 제1 마이크로 LED와 다른 제2 마이크로 LED가 전사되는 제2 전사영역을 포함한다. 일 예에서, 상기 제2 전사영역은 각각이 상기 제1 전사영역보다 작은 복수의 전사영역을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 상기 제1 및 제2 전사영역 둘레에 틀이 구비될 수 있다.
일 예에서, 상기 제1 마이크로 LED와 상기 제2 마이크로 LED는 서로 동일한 형태이면서 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 마이크로 LED와 상기 제2 마이크로 LED는 서로 다른 형태이면서 서로 다른 크기를 가질 수 있다.
예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED 전사방법은 복수의 부화소에 제1 마이크로 LED를 전사하고, 상기 복수의 부화소에 제2 마이크로 LED를 전사하는 과정을 순차적으로 실시하여 상기 복수의 부화소 중 적어도 일부의 각 부화소에 상기 제1 및 제2 마이크로 LED를 전사하고, 상기 제2 마이크로 LED의 크기는 상기 제1 마이크로 LED보다 작다. 일 예에서, 상기 제1 마이크로 LED를 전사하는 과정과 상기 제2 마이크로 LED를 전사하는 과정 사이에 상기 복수의 부화소에서 상기 제1 마이크로 LED가 전사되지 않은 미전사 부화소의 유무를 확인하는 과정을 실시할 수 있다. 상기 제1 마이크로 LED를 전사하는 과정은 제1 형태의 제1 마이크로 LED를 전사하는 과정과 상기 제1 형태와 다른 제2 형태의 제1 마이크로 LED를 전사하는 과정을 포함할 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 마이크로 LED는 다각형 또는 원형일 수 있다. 일 예에서, 상기 제2 마이크로 LED는 다각형 또는 원형일 수 있다.
개시된 전사방법에서는 크기 및/또는 외형이 다른 마이크로 LED를 조합하여 사용한다. 일 예로, 전사에 사용되는 마이크로 LED 중에서 상대적으로 크기(넓이)가 큰 것을 1차로 전사하고, 2차 전사에서는 상대적으로 크기가 작은 마이크로 LED를 전사하거나 크기는 1차 전사에 사용한 마이크로 LED와 대등하지만, 대칭성은 보다 높은 외형을 갖는 마이크로 LED를 사용한다. 이러한 전사방법을 이용하면, 1차 전사과정에서 마이크로 LED가 전사되지 않은 미전사 영역에 마이크로 LED가 전사될 가능성이 높아져서 전사수율이 높아질 수 있다. 이에 따라 전사후 수선(repair)과정을 생략하거나 최소화할 수 있는 바, 제조비용을 낮출 수도 있다. 또한, 크기가 작은 마이크로 LED 여러 개로 크기가 큰 마이크로 LED 1개를 대신할 수 있는 바, 광 방출효율도 충분히 확보할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 마이크로 LED 디스플레이에 대한 평면도이다.
도 2는 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 대한 일 예를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2를 3-3’방향으로 절개한 단면도이다.
도 4 내지 도 14는 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 대한 다양한 예를 나타낸 평면도들이다.
도 15는 일 실시예에 의한 마이크로 LED 전사기판에 대한 평면도이다.
도 16 내지 도 20은 도 15의 마이크로 LED 전사기판의 부화소 영역에 대한 다양한 예를 나타낸 평면도들이다.
도 21은 도 16을 21-21’방향으로 절개한 단면도이다.
도 22는 도 15의 마이크로 LED 전사기판의 부화소 영역에 대한 또 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 23은 도 22를 23-23’방향으로 절개한 단면도이다.
도 24 내지 43은 일 실시예에 의한 마이크로 LED의 전사방법을 단계별로 나타낸 평면도이다.
도 44는 도 26을 44-44’방향으로 절개한 단면도이다.
도 45는 도 26을 44-44’방향으로 절개한 단면으로써, 전사기판 상에 전사영역을 한정하는 틀(mold)이 구비된 경우에 대한 단면도이다.
도 46은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 오각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 47은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 육각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 48은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 삼각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 49와 도 51은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 사각형의 마이크로 LED와 오각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 50과 도 52는 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 오각형의 마이크로 LED와 원형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 대한 일 예를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2를 3-3’방향으로 절개한 단면도이다.
도 4 내지 도 14는 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 대한 다양한 예를 나타낸 평면도들이다.
도 15는 일 실시예에 의한 마이크로 LED 전사기판에 대한 평면도이다.
도 16 내지 도 20은 도 15의 마이크로 LED 전사기판의 부화소 영역에 대한 다양한 예를 나타낸 평면도들이다.
도 21은 도 16을 21-21’방향으로 절개한 단면도이다.
도 22는 도 15의 마이크로 LED 전사기판의 부화소 영역에 대한 또 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 23은 도 22를 23-23’방향으로 절개한 단면도이다.
도 24 내지 43은 일 실시예에 의한 마이크로 LED의 전사방법을 단계별로 나타낸 평면도이다.
도 44는 도 26을 44-44’방향으로 절개한 단면도이다.
도 45는 도 26을 44-44’방향으로 절개한 단면으로써, 전사기판 상에 전사영역을 한정하는 틀(mold)이 구비된 경우에 대한 단면도이다.
도 46은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 오각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 47은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 육각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 48은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 삼각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 49와 도 51은 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 사각형의 마이크로 LED와 오각형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
도 50과 도 52는 도 1의 마이크로 LED 디스플레이에 포함된 부화소에 오각형의 마이크로 LED와 원형의 마이크로 LED가 전사된 경우를 나타낸 평면도이다.
이하, 예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED 디스플레이, 마이크로 LED 전사기판 및 이를 이용한 마이크로 LED 전사방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시될 수 있다. 그리고 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 또한, 이하에서 설명하는 층 구조에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 표현은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 아래 설명에서 각 도면의 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.
먼저, 예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED 디스플레이에 대해 설명한다.
도 1은 예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED 디스플레이를 보여준다.
도 1을 참조하면, 마이크로 LED 디스플레이(100)는 복수의 부화소(sub-pixel)(P1)를 포함한다. 복수의 부화소(P1)는 화소면(100S) 전체에 균일하게 분포한다. 복수의 부화소(P1)는 각각 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 마이크로 LED는 사이즈가 100㎛ 이하인 LED로 정의될 수 있다. 일 예에서, 상기 마이크로 LED는 사이즈가 95㎛ 이하인 LED일 수 있고, 다른 예에서, 90㎛ 이하의 LED이거나 80㎛ 이하의 LED 또는 70㎛ 이하의 LED일 수도 있다. 상기 "사이즈"는 정상적으로 장착된 마이크로 LED의 평면상에서 주어진 방향으로의 직경일 수 있다. 일 예에서, 상기 주어진 방향은 가로방향이나 세로방향일 수 있고, 다른 예에서, 상기 주어진 방향은 평면상에서 최대 직경을 갖는 방향일 수 있다. 화소면(100S)은 포함된 복수의 부화소(P1)의 구동 제어에 의해 이미지가 생성되는 면일 수 있다. 참조번호 120은 3개의 부화소를 포함하는 화소(pixel)를 나타낸다. 다른 예에서 화소(120)는 3개 이상의 부화소를 포함할 수도 있다. 일 예에서, 복수의 부화소(P1) 전체는 동일한 제1 광(예, 청색광(B))을 방출할 수 있다. 다른 예에서, 복수의 부화소(P1) 중 일부(제1 그룹의 부화소)는 상기 제1 광을 방출하고, 다른 일부(제2 그룹의 부화소)는 제2 광(예, 적색광(R))을 방출하며, 나머지(제3 그룹의 부화소)는 제3 광(예, 녹색광(G))을 방출할 수도 있다.
도 2는 도 1의 마이크로 LED 디스플레이(100)에 포함된 부화소(P1)에 대한 예시적인 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 1개의 부화소(P1)는 서로 이격된 제1 및 제2 영역(A1, A2)을 포함한다. 제1 및 제2 영역(A1, A2)의 면적은 서로 동일할 수 있으나, 이것으로 제한되지 않는다. 제1 영역(A1)에 제1 마이크로 LED(210)가 배치되어 있다. 제1 마이크로 LED(210)는 칩 형태를 가질 수 있다. 따라서 제1 마이크로 LED(210)는 마이크로 LED칩으로 기재할 수도 있다. 제2 영역(A2)에 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230)가 배치되어 있다. 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230)는 크기와 광 방출특성에서 서로 동일할 수 있다. 일 예로, 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230)의 크기는 서로 동일할 수 있고, 동일한 광(예, 청색광)을 방출할 수 있다. 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230)도 각각 칩 형태로 구비될 수 있다. 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230) 각각의 크기는 제1 마이크로 LED(210)보다 작을 수 있다.
제1 마이크로 LED(210)의 광 방출특성은 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230)와 동일할 수 있다. 제1 마이크로 LED(210)로부터 방출되는 광은 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230)로부터 방출되는 광과 동일한 색을 갖는 광일 수 있다. 일 예에서, 제1 내지 제3 마이크로 LED(210, 220, 230)는 모두 청색광, 녹색광 또는 적색광을 방출할 수 있다. 이에 따라 화소(120)로부터 R, G 또는 B와 같은 단색광이 방출될 수도 있고, R, G 및 B가 혼합된 광이 방출될 수도 있다.
제 2 영역(A2)에 2개의 마이크로 LED(220, 230)가 배치된 것으로 도시하였으나, 제2 영역(A2)에는 3개나 4개의 마이크로 LED가 배치될 수도 있고, 1개만 배치될 수도 있으며, 제1 영역(A1)에 제1 마이크로 LED(210)가 배치된 경우에는 제2 영역(A2)에 마이크로 LED가 배치되지 않을 수도 있다.
일 예에서, 제 2 영역(A2)에 제2 및 제3 마이크로 LED(220, 230) 대신에 제1 마이크로 LED(210) 1개만 배치될 수도 있다.
도 3은 도 2를 3-3’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 3을 참조하면, 백플레인 기판(300) 상에 제1 및 제2 전극(310, 320)이 구비되어 있다. 백플레인 기판(300)은 트랜지스터(예, TFT)와 같은 마이크로 LED의 구동 및 제어에 관여하는 구동소자를 포함하는 회로부를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(310, 320)은 서로 이격되게 배치될 수 있다. 일 예에서, 제1 및 제2 전극(310, 320)은 하부전극일 수 있다. 제1 전극(310) 상에 제1 마이크로 LED(210)가 배치되어 있다. 제2 전극(320) 상에 제3 마이크로 LED(230)가 배치되어 있다. 제1 전극(310)은 제1 마이크로 LED(210)의 제1 측에 형성된 전극(P형 또는 N형 전극)(미도시)에 접촉될 수 있다. 제2 전극(320)은 제3 마이크로 LED(230)의 제1 측에 형성된 전극(P형 전극 또는 N형 전극)(미도시)에 접촉될 수 있다. 제1 및 제2 전극(310, 320)과 제1 및 제3 마이크로 LED(210, 230)는 절연층(330)으로 덮여 있다. 절연층(330)은 광에 투명한 절연물질을 포함할 수 있다. 절연층(330)의 상부면은 평평하고, 절연층(330)은 제1 및 제2 비어홀(via hole)(3h1, 3h2)을 포함한다. 제1 비어홀(3h1)을 통해 제1 마이크로 LED(210)의 일부가 노출되고, 제2 비어홀(3h2)을 통해 제3 마이크로 LED(230)가 노출된다. 제1 비어홀(3h1)을 통해 노출되는 것은 제1 마이크로 LED(210)의 상기 제1 측과 다른 제2 측에 구비된 전극의 일부일 수 있다. 제2 비어홀(3h2)을 통해 노출되는 것은 제3 마이크로 LED(230)의 상기 제1 측과 다른 제2 측에 구비된 전극의 일부일 수 있다.
계속해서, 절연층(330) 상에 제1 및 제2 비어홀(3h1, 3h2)을 채우는 제3 전극(350)이 형성되어 있다. 제3 전극(350)은 상부전극으로 사용될 수 있고, 공통전극일 수 있다. 제3 전극(350)은 인접 부화소로 확장될 수 있다. 제1 내지 제3 전극(310, 320, 350)은 광에 투명한 전극일 수 있다. 제3 전극(350) 상에 투명 플레이트(360)가 마련되어 있다. 투명 플레이트(360)는 보호층으로 사용될 수도 있다. 제3 전극(350)과 투명 플레이트(360) 사이에 이미지 구현에 유익할 수 있는 부재들이 구비될 수도 있다.
다음에는, 도 4 내지 도 14를 참조하여 도 1의 마이크로 LED 디스플레이(100)에 포함된 부화소(P1)에 대한 다양한 예를 더 살펴본다.
도 4를 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 제1 마이크로 LED(210)를 포함할 수 있고, 제2 영역(A2)에 4개의 마이크로 LED(220, 230, 240, 250)를 포함할 수 있다. 4개의 마이크로 LED(220, 230, 240, 250) 각각의 크기는 제1 마이크로 LED(210)보다 작다.
도 5를 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 제1 마이크로 LED(210)를 포함하고, 제2 영역(A2)에 2개의 마이크로 LED(220, 250)를 포함한다. 제2 영역(A2)에서 2개의 마이크로 LED(220, 250)는 대각선 방향으로 배치되어 있다.
도 6을 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에만 제1 마이크로 LED(210)를 포함하고, 제2 영역(A2)에는 마이크로 LED를 포함하지 않는다.
도 7을 참조하면, 부화소(P1)는 제2 영역(A2)에만 4개의 마이크로 LED(220, 230, 240, 250)를 포함하고, 제1 영역(A1)에는 마이크로 LED를 포함하지 않는다.
부화소(P1)의 제1 영역(P1)에는 평면에서 본 외형이 사각형인 제1 마이크로 LED(210)가 배치되었으나, 제1 영역(P1)에는 도 8에 도시한 바와 같이, 평면에서 본 외형이 원형인 제6 마이크로 LED(810)가 배치될 수도 있다. 도 8에 도시한 부화소(P1)에서 제2 영역(A2)에는 마이크로 LED를 포함하지 않는다.
도 9를 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 원형의 제6 마이크로 LED(810)를 포함하고, 제2 영역(A2)에는 제6 마이크로 LED(810)보다 크기가 작은 1개의 마이크로 LED(220)를 포함한다. 제6 마이크로 LED(810)로부터 방출되는 광은 제1 마이크로 LED(210)와 제2 마이크로 LED(220)로부터 방출되는 광과 동일한 색의 광일 수 있다.
도 10을 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 원형의 제6 마이크로 LED(810)를 포함하고, 제2 영역(A2)에 2개의 마이크로 LED(220, 230)를 포함한다. 마이크로 LED(220, 230) 각각의 크기는 제6 마이크로 LED(810)보다 작다.
도 11을 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 원형의 제6 마이크로 LED(810)를 포함하고, 제2 영역(A2)에 3개의 마이크로 LED(220, 230, 250)를 포함한다. 제5 마이크로 LED(250)의 크기는 제6 마이크로 LED(810)보다 작다.
도 12를 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 원형의 제6 마이크로 LED(810)를 포함하고, 제2 영역(A2)에 4개의 마이크로 LED(220, 230, 240, 250)를 포함한다. 제4 마이크로 LED(240)의 크기는 제6 마이크로 LED(810)보다 작다.
도 13을 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 원형의 제6 마이크로 LED(810)를 포함하고, 제2 영역(A2)에 원형의 제7 및 제8 마이크로 LED(1320, 1330)를 포함한다. 제7 및 제8 마이크로 LED(1320, 1330) 각각의 크기는 제6 마이크로 LED(810)보다 작다.
도 14를 참조하면, 부화소(P1)는 제1 영역(A1)에 제1 마이크로 LED(210)를 포함하고, 제2 영역(A2)에 제7 및 제8 마이크로 LED(1320, 1330)를 포함한다. 제7 및 제8 마이크로 LED(1320, 1330) 각각의 크기는 제1 마이크로 LED(210)보다 작다.
다음에는 마이크로 LED를 전사하는데 사용되는 전사기판에 대해 설명한다.
도 15는 예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED 전사기판(1500)을 보여준다.
도 15를 참조하면, 전사기판(1500)는 복수의 부화소 영역(SP1)을 포함한다. 전사기판(1500)은, 예를 들면 유리 기판일 수 있다. 전사기판(1500)의 복수의 부화소 영역(SP1)을 포함하는 면은 도 1의 화소면(100S)에 대응될 수 있다. 복수의 부화소 영역(SP1)의 정렬은 도 1의 복수의 부화소(P1)의 정렬과 동일할 수 있다. 따라서 1개의 부화소 영역(SP1)은 도 1의 부화소(P1)에 대응될 수 있다.
도 16 내지 도 20을 참조하여, 도 15의 마이크로 LED 전사기판의 부화소 영역(SP1)에 대한 다양한 예를 살펴본다.
도 16을 참조하면, 부화소 영역(SP1)은 제1 전사영역(1610)과 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)을 포함한다. 제1 전사영역(1610)은 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)과 이격되어 있다. 제1 전사영역(1610)은 제1 마이크로 LED(210)나 제6 마이크로 LED(810)가 전사되는 영역일 수 있으나, 2차 전사에서는 제1 마이크로 LED(210)나 제6 마이크로 LED(810)보다 크기가 작은 마이크로 LED도 전사될 수 있다. 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)은 각각 제1 또는 제6 마이크로 LED(210, 810)보다 크기가 작은 마이크로 LED, 예를 들면 제2 내지 제5 마이크로 LED(220, 230, 240, 250)가 전사되는 영역일 수 있다. 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650) 각각의 크기(넓이)는 제1 전사영역(1610)보다 작다. 제1 전사영역(1610)의 크기(넓이)는 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)의 크기를 합친 것과 동일할 수 있다. 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)은 서로 인접한다. 제1 전사영역(1610)의 평면 형태는 사각형일 수 있는데, 예를 들면 정사각형일 수 있다. 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)은 전체적으로 사각형일 수 있고, 개별적으로도 사각형일 수 있는데, 예를 들면 정사각형일 수 있다.
도 17을 참조하면, 부화소 영역(SP1)은 제1 전사영역(1610)과 제4 및 제5 전사영역(1640, 1650)만 포함한다.
도 18을 참조하면, 부화소 영역(SP1)은 제1 전사영역(1610)과 1개의 제6 전사영역(1810)을 포함한다. 제6 전사영역(1810)의 크기(넓이)는 제1 전사영역(1610)보다 작다. 제6 전사영역(1810)의 크기는 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650) 중 2개를 합한 크기와 같을 수 있다.
도 19를 참조하면, 부화소 영역(SP1)은 제1 전사영역(1610)만 포함하고, 다른 전사영역을 포함하지 않는다.
도 20을 참조하면, 부화소 영역(SP1)은 제1 전사영역(1610)과 제7 전사영역(2010)을 포함한다. 제1 및 제7 전사영역(1610, 2010)은 서로 이격되어 있고, 서로 동일한 크기를 가질 수 있다.
도 21은 도 16을 21-21’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 21을 참조하면, 제1 전사영역(1610)과 제2 및 제4 전사영역(1620, 1640)은 전사기판(1500)에 형성된 리세스 영역임을 알 수 있다. 전사기판(1500)에서 제1, 제2 및 제4 전사영역(1610, 1620, 1640)의 서로 동일한 깊이로 형성되어 있다.
도 22는 도 15의 마이크로 LED 전사기판(1500)의 부화소 영역(SP1)에 대한 또 다른 예를 보여준다.
도 22를 참조하면, 부화소 영역(SP1)은 서로 이격된 제1 틀(mold)(2210)과 제2 틀(2220)을 포함한다. 제2 틀(2220)은 틀에 의해 한정되는 제1 내지 제4 영역(22A, 22B, 22C, 22D)을 포함한다. 제1 내지 제4 영역(22A-22D)은 도 15의 제2 내지 제4 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)에 대응될 수 있다. 제1 틀(2210)의 형태와 제2 틀(2220)의 형태는 사각형으로 한정되지 않으며, 전사되는 마이크로 LED의 형태에 맞게 변형될 수 있다. 예를 들면, 전사되는 마이크로 LED의 형태가 삼각형, 오각형, 육각형 등의 다각형이거나 비원형일 경우, 제1 및 제2 틀(2210, 2220)의 형태는 그에 맞게 변형될 수 있다.
도 23은 도 22를 23-23’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 23을 참조하면, 전사기판(1500)의 상부면 상에 제1 및 제2 틀(2210, 2220)이 구비되어 있다. 제1 및 제2 틀(2210, 2220)은 서로 동일한 높이를 가질 수 있다.
다음에는 도 24 내지 도 43을 참조하여 예시적인 일 실시예에 의한 마이크로 LED의 전사방법을 설명한다.
도 15의 전사기판(1500)에는 복수의 부화소 영역(SP1)을 포함하고, 그 영역의 수는 수백만 이상이 될 수 있지만, 설명의 편의상, 하기 전사방법의 설명에는 5개의 부화소 영역만 이용한다. 복수의 부화소 영역(SP1)는 전체적으로 동등하므로, 하기 전사방법의 설명은 복수의 부화소 영역(SP1) 전체에 적용될 수 있다.
도 24에 도시한 제1 내지 제5 부화소 영역(24P1, 24P2, 24P3, 24P4, 24P5)은 도 16에 도시한 부화소 영역(SP1)을 기반으로 한 것이다. 그러나 제1 내지 제5 부화소 영역(24P1, 24P2, 24P3, 24P4, 24P5) 각각은 도 17 내지 도 20과 도 22에 도시한 부화소 영역으로 대체될 수도 있다.
도 24에 도시한 전사기판(2400)에 대해 마이크로 LED의 1차 전사를 실시하는데, 1차 전사는 다수의 마이크로 LED를 포함하는 액체를 전사기판(2400) 상으로 흐르게 하는 습식전사방법을 이용하여 수행할 수 있다. 상기 1차 전사에서는 상대적으로 크기가 큰 마이크로 LED를 전사한다.
도 25는 상기 1차 전사가 완료된 후의 결과에 대한 일 예를 보여준다.
도 25를 참조하면, 제1 및 제2 부화소 영역(24P1, 24P2)과 제4 및 제5 부화소 영역(24P4, 24P5)의 제1 전사영역(1610)에 제9 마이크로 LED(710)가 전사되어 있다. 일 예에서, 제9 마이크로 LED(710)는 제1 마이크로 LED(210)일 수 있다.
제3 부화소 영역(24P3)의 제1 전사영역(1610)은 미전사영역으로 남아있다. 제1 내지 제5 부화소 영역(24P1-24P5)의 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650) 각각의 크기는 제9 마이크로 LED(710)의 크기보다 작으므로, 제9 마이크로 LED(710)는 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)에 전사되지 않는다. 곧, 1차 전사에서는 선택적으로 제1 전사영역(1610)에만 전사될 수 있다.
다음, 도 25의 전사기판(2400)을 대상으로 2차로 마이크로 LED 전사를 실시한다. 상기 2차 전사는 1차 전사와 마찬가지로 습식전사방법을 이용하여 수행한다. 상기 2차 전사에서는 상기 1차 전사때 사용한 마이크로 LED보다 크기(넓이)가 작은 마이크로 LED를 사용할 수 있다.
도 26은 상기 2차 전사를 실시한 후의 결과를 보여준다.
도 26을 참조하면, 제3 부화소 영역(24P3)의 제1 전사영역(1610)에 제10 내지 제13 마이크로 LED(720, 730, 740, 750)가 전사되어 있고, 제1 내지 제5 부화소 영역(24P1-24P5)의 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)에도 2개 또는 4개의 마이크로 LED(720, 730, 740, 750)가 전사되어 있다. 제10 내지 제13 마이크로 LED(720, 730, 740, 750)는 제2 내지 제5 마이크로 LED(220, 230, 240, 250)에 대응될 수 있다.
이와 같이 상기 2차 전사에 상기 1차 전사때보다 크기가 작은 마이크로 LED를 사용함으로써, 상기 1차 전사 이후 남은 미전사 영역이 완전히 채워질 수 있다.
곧, 상기 1차와 2차 전사때 사용되는 마이크로 LED의 크기를 서로 다른 것을 사용함으로써, 마이크로 LED의 전사효율을 높일 수 있다. 달리 말하면, 상기 1차 및 2차 전사로 인해 추후 수선이 필요치 않은(repair-free) 전사 결과를 얻을 수 있다.
도 27은 상기 2차 전사에서 사각형인 마이크로 LED를 사용하는 대신 상대적으로 회전 대칭성이 높은, 따라서 상대적으로 전사영역에 쉽게 전사될 수 있는 원형의 마이크로 LED(2720, 2730, 2740, 2750)를 사용한 경우를 보여준다.
도 27을 참조하면, 제3 부화소 영역(24P3)의 제1 전사영역(1610)에 제14 내지 제17 마이크로 LED(2720, 2730, 2740, 2750)가 전사되어 있고, 제1 내지 제5 부화소 영역(24P1-24P5)의 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)에도 3개 또는 4개의 마이크로 LED(2720, 2730, 2740, 2750)가 전사되어 있다. 제14 내지 제17 마이크로 LED(2720, 2730, 2740, 2750) 각각은 외형과 크기가 제7 및 제8 마이크로 LED(1320, 1330)와 동일할 수 있다.
도 26과 도 27을 비교하면, 도 27의 결과는 도 26의 결과에 비해 상대적으로 높은 전사수율을 보여준다.
도 28은 상기 1차 전사에서 사각형인 마이크로 LED 대신에 외형이 원형인 마이크로 LED(810)를 사용한 경우를 보여준다.
도 29는 도 28의 전사기판에 대해서 외형이 원형이고 마이크로 LED(810)에 비해 크기 작은 마이크로 LED(2720, 2730, 2740, 2750)를 사용하여 2차 전사를 실시한 결과를 보여준다.
도 29를 참조하면, 각 부화소 영역(24P1-24P5)의 제1 전사영역(1610)과 제2 내지 제5 전사영역(1620, 1630, 1640, 1650)에 마이크로 LED(810, 2720, 2730, 2740, 2750)가 전사된다.
도 30은 도 28 및 도 29의 전사방법의 상기 2차 전사에서 원형인 마이크로 LED 대신 외형이 사각형이고 크기가 작은 마이크로 LED를 사용한 경우를 보여준다.
도 30을 참조하면, 모든 부화소 영역(24P1-24P5)에 마이크로 LED(810, 720, 730, 740, 750)가 전사된다.
도 31은 각 부화소 영역(31P1-31P5)이 도 20에 도시한 부화소 영역인 전사기판(3100)을 보여준다. 각 부화소 영역(31P1-31P5)은 이격된 제1 및 제7 전사영역(1610, 2010)을 포함한다.
도 32 및 도 33은 도 31의 전사기판(3100)을 대상으로 1차 및 2차 전사를 실시한 결과에 대한 일 예를 보여준다. 상기 1차 전사에서는 제9 마이크로 LED(710)를 사용하고, 상기 2차 전사에서는 제6 마이크로 LED(810)를 사용한다.
도 32를 참조하면, 상기 1차 전사에 의해 제1, 제2, 제4 및 제5 부화소 영역(31P1, 31P2, 31P4, 31P5)의 제1 전사영역(1610)과 제2, 제4 및 제5 부화소 영역(31P2, 31P4, 31P5)의 제7 전사영역(2010)에 제9 마이크로 LED(710)가 전사된다.
도 33을 참조하면, 상기 1차 전사에서 전사되지 않은 영역인 제1 부화소 영역(31P1)의 제7 전사영역(2010)과 제3 부화소 영역(31P3)의 제1 및 제7 전사영역(1610, 2010)에는 상기 2차 전사에 의해 제6 마이크로 LED(810)가 전사된다.
도 34는 도 32 및 도 33의 전사방법에서 상기 2차 전사에 제6 마이크로 LED(810) 대신 제6 마이크로 LED(810)에 비해 크기가 작은 사각형의 제18 마이크로 LED(3420)를 사용한 결과를 보여준다. 제18 마이크로 LED(3420)의 크기와 형태는 제2 마이크로 LED(220)와 동일할 수 있다.
도 34를 참조하면, 상기 1차 전사에서 미전사 영역인 제1 부화소 영역(31P1)의 제7 전사영역(2010)과 제3 부화소 영역(31P3)의 제1 및 제7 전사영역(1610, 2010)에 2개 내지 4개의 제18 마이크로 LED(3420)가 전사되어 있다.
도 35는 도 32 및 도 33의 전사방법에서 상기 2차 전사에 제6 마이크로 LED(810) 대신 제6 마이크로 LED(810)에 비해 크기가 작은 원형의 제19 마이크로 LED(3520)를 사용한 결과를 보여준다. 제19 마이크로 LED(3520)의 크기와 형태는 도 13의 제7 또는 제8 마이크로 LED(1320, 1330)와 동일할 수 있다.
도 35를 참조하면, 상기 1차 전사에서 미전사 영역인 제1 부화소 영역(31P1)의 제7 전사영역(2010)과 제3 부화소 영역(31P3)의 제1 및 제7 전사영역(1610, 2010)에 3개 내지 4개의 제19 마이크로 LED(3520)가 전사되어 있다.
도 36은 각 부화소 영역(36P1-36P5)이 도 19에 도시한 부화소 영역인 전사기판(3600)을 보여준다. 제1 내지 제5 부화소 영역(36P1-36P5)은 각각 한 개의 제1 전사영역(1610, 2010)만 포함한다.
도 37 및 도 38은 도 36의 전사기판(3600)을 대상으로 1차 및 2차 전사를 실시한 결과에 대한 일 예를 보여준다. 상기 1차 전사에서는 상대적으로 크기가 큰 제9 마이크로 LED(710)를 사용하고, 상기 2차 전사에서는 제9 마이크로 LED(710)에 비해 크기가 작은 제18 마이크로 LED(3420)를 사용한다.
도 37을 참조하면, 상기 1차 전사 결과, 제1, 제3 및 제4 부화소 영역(36P1, 36P3, 36P4)의 제1 전사영역(1610)에 제9 마이크로 LED(710)가 전사되고, 제2 및 제5 부화소 영역(36P2, 36P5)의 제1 전사영역(1610)은 미전사 영역으로 남는다.
도 38을 참조하면, 상기 1차 전사에서 전사되지 않은 영역인 제2 및 제5 부화소 영역(36P2, 36P5)의 제1 전사영역(1610)에는 각각 상기 2차 전사에 의해 3개나 4개의 제18 마이크로 LED(3420)가 전사된다.
도 39는 도 37 및 도 38에 도시한 전사방법에서 상기 2차 전사에 사각형의 크기가 작은 제18 마이크로 LED(3420) 대신에 원형의 제6 마이크로 LED(810)를 사용한 결과를 보여준다.
도 39를 참조하면, 제1 내지 제5 부화소 영역(36P1-36P5)의 제1 전사영역(1610) 전부에 마이크로 LED(710, 810)가 전사되어 있다.
도 40은 도 37 및 도 38에 도시한 전사방법에서 상기 2차 전사에 크기가 작은 사각형 제18 마이크로 LED(3420) 대신에 크기가 작은 원형의 제19 마이크로 LED(3520)를 사용한 결과를 보여준다.
도 40을 참조하면, 제1 내지 제5 부화소 영역(36P1-36P5)의 제1 전사영역(1610) 전부에 마이크로 LED(710, 3520)가 전사되어 있다.
도 41과 도 42는 도 36의 전사기판(3600)에 대한 상기 1차 및 2차 전사에서 상기 1차 전사에 크기가 크고 원형인 제6 마이크로 LED(810)를 사용하고, 상기 2차 전사에 제19 마이크로 LED(3520)를 사용한 결과를 보여준다.
도 41 및 42를 참조하면, 상기 1차 전사에서 미전사 영역으로 남은 제2 및 제5 부화소 영역(36P2, 36P5)의 제1 전사영역(1610)에는 상기 2차 전사에 의해 제19 마이크로 LED(3520)가 전사된다.
도 43은 도 41 및 도 42의 전사방법에서 상기 2차 전사에 사용한 제19 마이크로 LED(3520) 대신에 사각형인 제18 마이크로 LED(3420)를 사용한 결과를 보여준다.
도 43을 참조하면, 제1 내지 제5 부화소 영역(36P1-36P5)의 제1 전사영역(1610) 전부에 마이크로 LED(810, 3420)가 전사되어 있다.
도 44는 도 26을 44-44' 방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 44를 참조하면, 전사기판(1500)의 제1 리세스 영역인 제1 전사영역(1610)에 제9 마이크로 LED(710)가 존재하고, 제2 및 제3 리세스 영역인 제3 및 제5 전사영역(1630, 1650)에 각각 제11 및 제13 마이크로 LED(730, 750)가 존재한다.
도 45는 도 26을 44-44' 방향으로 절개한 단면에 대한 다른 예를 보여준다.
도 45를 참조하면, 전사기판(1500) 상에 제9 마이크로 LED(710)가 존재하고, 제9 마이크로 LED(710)는 제1 틀(2210)에 의해 둘러싸여 있다. 또한, 전사기판(1500) 상에 서로 이격된 제11 및 제13 마이크로 LED(730, 750)이 존재하고, 제11 및 제13 마이크로 LED(730, 750) 각각은 제2 틀(2220)에 둘러싸여 있다.
한편, 도 2 내지 도 45에서 설명에서 마이크로 LED들의 형태는 사각형 또는 원형인 것으로 설명하였으나, 상기 마이크로 LED들은 다각형(polygon) 또는 비원형일 수도 있다. 예컨대, 도 46에 도시한 바와 같이, 부화소(P1)의 제1 및 제2 영역(A1, A2)에 오각형의 마이크로 LED(4600, 4610)가 전사될 수도 있고, 도 47에 도시한 바와 같이 부화소(P1)의 제1 및 제2 영역(A1, A2)에 육각형의 마이크로 LED(4700, 4710)가 전사될 수도 있고, 도 48에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 영역(A1, A2)에 삼각형의 마이크로 LED(4800, 4810)가 전사될 수도 있다.
또한, 도 49 내지 도 52에 도시한 바와 같이, 부화소(P1)의 제1 및 제2 영역(A1, A2)에 전사될 수 있는 마이크로 LED의 형태는 다양하게 조합할 수 있다. 도 49는 부화소(P1)의 제1 영역(A1)에 오각형의 마이크로 LED(4600)가 전사되고, 제2 영역(A2)에 사각형의 마이크로 LED(220, 230)가 전사된 경우를 보인다. 도 50은 제1 영역(A1)에 오각형의 마이크로 LED(4600)가 전사되고, 제2 영역(A2)에 원형의 마이크로 LED(1320, 1330)가 전사된 경우를 보인다. 도 49 및 도 50에서 제1 영역에 전사된 오각형의 마이크로 LED(4600)는 육각형의 마이크로 LED 또는 삼각형의 마이크로 LED로 대체될 수 있다. 또한, 도 49에서 제2 영역(A2)에 전사된 사각형의 마이크로 LED(220, 230)는 오각형과 다른 다각형, 예컨대 삼각형 또는 육각형의 마이크로 LED로 대체될 수도 있다. 또한, 도 50에서 제2 영역(A2)에 전사된 원형의 마이크로 LED(1320, 1330)는 오각형과 다른 다각형, 예컨대 삼각형 또는 육각형의 마이크로 LED로 대체될 수 있다. 도 51은 제1 영역(A1)에 사각형의 마이크로 LED(210)가 전사되고, 제2 영역(A2)에 오각형의 마이크로 LED(4610)가 전사된 경우를 보인다. 도 52는 제1 영역(A1)에 원형의 마이크로 LED(810)가 전사되고, 제2 영역(A2)에 오각형의 마이크로 LED(4610)가 전사된 경우를 보인다. 도 51 및 도 52에서 제2 영역(A2)에 전사된 오각형의 마이크로 LED(4610)는 다른 형태의 다각형 마이크로 LED, 예컨대 삼각형 또는 육각형 마이크로 LED로 대체될 수도 있다. 또한, 도 51 및 도 52에서 제1 영역(A1)에는 사각형이나 원형의 마이크로 LED(210, 810) 대신, 오각형과 다른 다각형, 예컨대 삼각형 또는 육각형의 마이크로 LED가 전사될 수도 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고, 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
3h1, 3h2:제1 및 제2 비어홀 22A-22D:제1 내지 제4 영역
100:마이크로 LED 디스플레이 100S:화소면(pixel surface)
120:화소(pixel)
210, 220, 230, 240, 250, 810, 1320, 1330, 710:제1 내지 제9 마이크로 LED
310, 320, 350:제1 내지 제3 전극 330:절연층
360:투명 플레이트
720, 730, 740, 750:제10 내지 제13 마이크로 LED
1500, 2400, 3100, 3600:전사기판
1610, 1620, 1630, 1640, 1650, 1810, 2010:제1 내지 제7 전사영역
2210, 2220:제1 및 제2 틀(mold)
2720, 2730, 2740, 2750, 3420, 3520:제14 내지 제17 마이크로 LED
4600, 4610:오각형의 마이크로 LED
4700, 4710:육각형의 마이크로 LED
4800, 4810:삼각형의 마이크로 LED
A1, A2:제1 및 제2 영역 P1:부화소
SP1:부화소 영역
100:마이크로 LED 디스플레이 100S:화소면(pixel surface)
120:화소(pixel)
210, 220, 230, 240, 250, 810, 1320, 1330, 710:제1 내지 제9 마이크로 LED
310, 320, 350:제1 내지 제3 전극 330:절연층
360:투명 플레이트
720, 730, 740, 750:제10 내지 제13 마이크로 LED
1500, 2400, 3100, 3600:전사기판
1610, 1620, 1630, 1640, 1650, 1810, 2010:제1 내지 제7 전사영역
2210, 2220:제1 및 제2 틀(mold)
2720, 2730, 2740, 2750, 3420, 3520:제14 내지 제17 마이크로 LED
4600, 4610:오각형의 마이크로 LED
4700, 4710:육각형의 마이크로 LED
4800, 4810:삼각형의 마이크로 LED
A1, A2:제1 및 제2 영역 P1:부화소
SP1:부화소 영역
Claims (20)
- 백플레인 기판; 및
상기 백플레인 기판 상에 구비된 복수의 부화소;를 포함하고,
상기 복수의 부화소 중 일부의 부화소들 각각은,
제1 마이크로 LED; 및
상기 제1 마이크로 LED와 다른 제2 마이크로 LED;를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 마이크로 LED와 상기 제2 마이크로 LED는 크기가 서로 다른 마이크로 LED 디스플레이. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1 마이크로 LED의 형태와 상기 제2 마이크로 LED의 형태는 서로 다른 마이크로 LED 디스플레이. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소는 모두 동일한 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소에서 제1 그룹의 부화소는 제1 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함하고, 제2 그룹의 부화소는 제2 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함하고, 제3 그룹의 부화소는 제3 광을 방출하는 마이크로 LED를 포함하며,
상기 제1 내지 제3 광의 파장은 서로 다른 마이크로 LED 디스플레이. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소의 나머지는 각각 1개의 마이크로 LED를 포함하는 LED 디스플레이. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소의 나머지는 각각 동일한 복수의 마이크로 LED를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 부화소의 나머지는 상기 제1 및 제2 마이크로 LED 중 하나와 동일하거나 다른 형태의 마이크로 LED를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 마이크로 LED는 다각형 또는 원형인 마이크로 LED 디스플레이. - 제 3 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 마이크로 LED 중 하나는 다각형 또는 원형인 마이크로 LED 디스플레이. - 복수의 부화소 영역을 포함하고,
각 부화소 영역은
제1 마이크로 LED가 전사되는 제1 전사영역; 및
상기 제1 마이크로 LED와 다른 제2 마이크로 LED가 전사되는 제2 전사영역;을 포함하는 마이크로 LED 전사기판. - 제 11 항에 있어서,
상기 제2 전사영역은 각각이 상기 제1 전사영역보다 작은 복수의 전사영역을 포함하는 마이크로 LED 전사기판. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전사영역 둘레에 틀이 구비된 마이크로 LED 전사기판. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1 마이크로 LED와 상기 제2 마이크로 LED는 서로 동일한 형태이면서 서로 다른 크기를 갖는 마이크로 LED 전사기판. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1 마이크로 LED와 상기 제2 마이크로 LED는 서로 다른 형태이면서 서로 다른 크기를 갖는 마이크로 LED 전사기판. - 복수의 부화소에 제1 마이크로 LED를 전사하는 단계; 및
상기 복수의 부화소에 제2 마이크로 LED를 전사하는 단계;를 순차적으로 실시하여 상기 복수의 부화소 중 적어도 일부의 각 부화소에 상기 제1 및 제2 마이크로 LED를 전사하고,
상기 제2 마이크로 LED의 크기는 상기 제1 마이크로 LED보다 작은 마이크로 LED 전사방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 제1 마이크로 LED를 전사하는 단계와 상기 제2 마이크로 LED를 전사하는 단계 사이에 상기 복수의 부화소에서 상기 제1 마이크로 LED가 전사되지 않은 미전사 부화소의 유무를 확인하는 단계를 실시하는 마이크로 LED 전사방법. - 제 16 항에 있어서, 상기 제1 마이크로 LED를 전사하는 단계는,
제1 형태의 제1 마이크로 LED를 전사하는 단계; 및
상기 제1 형태와 다른 제2 형태의 제1 마이크로 LED를 전사하는 단계;를 포함하는 마이크로 LED 전사방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 제1 마이크로 LED는 다각형 또는 원형인 마이크로 LED 전사방법. - 제 16 항 또는 제 19 항에 있어서,
상기 제2 마이크로 LED는 다각형 또는 원형인 마이크로 LED 전사방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/232,964 US11855050B2 (en) | 2020-10-08 | 2021-04-16 | Micro-LED displays, micro-led transferring substrates, and methods of transferring micro-LEDs using the micro-LED transferring substrates |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200130410 | 2020-10-08 | ||
KR20200130410 | 2020-10-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220047131A true KR20220047131A (ko) | 2022-04-15 |
Family
ID=81212256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210042223A KR20220047131A (ko) | 2020-10-08 | 2021-03-31 | 마이크로 led 디스플레이, 마이크로 led 전사기판 및 이를 이용한 마이크로 led 전사방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220047131A (ko) |
-
2021
- 2021-03-31 KR KR1020210042223A patent/KR20220047131A/ko active Search and Examination
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20190288245A1 (en) | Repair method | |
TWI515891B (zh) | 顯示面板 | |
JP6131434B2 (ja) | 色転換層、色転換層を有する有機el発光表示パネル及び液晶表示パネル | |
JP6741659B2 (ja) | ディスプレイ、そのledチップ、そのピクセル、その制御方法、及びそのコンピュータプログラム | |
US7641352B2 (en) | LED backlight device with deviated LED pitch | |
KR102674764B1 (ko) | 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법 | |
TW202347757A (zh) | 用於微發光二極體裝置及陣列之修復技術 | |
TW201338152A (zh) | 有機發光二極體顯示器之像素排列結構 | |
KR20140108027A (ko) | 유기 발광 표시 패널 | |
US8872415B2 (en) | Substrate, display panel, and display apparatus | |
CN111489661B (zh) | 显示装置 | |
TWI677089B (zh) | 有機發光顯示裝置及其製備方法、製備支撐柱的掩膜板 | |
JP6247855B2 (ja) | 発光素子表示装置 | |
US10325888B2 (en) | Manufacturing method of display | |
KR20200134368A (ko) | 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
CN105006479A (zh) | 显示基板及应用其的显示装置 | |
US11600221B2 (en) | Display apparatus | |
KR20220047131A (ko) | 마이크로 led 디스플레이, 마이크로 led 전사기판 및 이를 이용한 마이크로 led 전사방법 | |
US20190140017A1 (en) | Micro led color display device | |
US11855050B2 (en) | Micro-LED displays, micro-led transferring substrates, and methods of transferring micro-LEDs using the micro-LED transferring substrates | |
KR102523881B1 (ko) | 평판 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
KR102428944B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 화소 배열 구조 | |
TWI538194B (zh) | 顯示裝置 | |
KR20190025305A (ko) | Led 발광 유닛 및 led 디스플레이 장치 | |
CN103165824B (zh) | 有机电激发光显示装置及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |