TWI677089B - 有機發光顯示裝置及其製備方法、製備支撐柱的掩膜板 - Google Patents

有機發光顯示裝置及其製備方法、製備支撐柱的掩膜板 Download PDF

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Abstract

本申請提供一種有機發光顯示裝置，包括：基板，具有界定了複數圖元區的圖元限定層，複數圖元區至少包括複數第一圖元區、複數第二圖元區、複數第三圖元區；位於圖元限定層上的複數支撐柱，支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處；且1平方毫米基板上具有25~350個前述支撐柱；位於基板上的有機發光二極體。本申請通過將支撐柱設置於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處，使得支撐柱具有相對較大的直徑和支撐力，能對後續的掩膜板進行有效支撐；可以避免支撐柱被後續掩膜板刮傷，有效避免由支撐柱刮傷而引起的黑點現象。

Description

有機發光顯示裝置及其製備方法、製備支撐柱的掩膜板
本申請涉及有機發光顯示裝置的技術領域，尤其涉及一種有機發光顯示裝置、製備方法及製備過程中用於製備支撐柱的掩膜板。
有機發光二極體(OLED，Organic Light Emitting Diode)是一種有機薄膜電致發光器件，其具有製備工藝簡單、成本低、發光效率高、易形成柔性結構等優點；已成為一種重要的顯示技術。
OLED包括被動矩陣OLED、主動矩陣OLED、透明OLED、頂部發光OLED、可折疊OLED、白光OLED等。其中，主動矩陣OLED(AMOLED)的製作工藝主要分為背板段，前板段以及模組段三道工藝。
背板段工藝用以形成TFT背板，其為發光器件提供點亮信號以及穩定的電源輸入。前板段工藝通過高精度金屬掩膜板(FMM)將有機發光材料以及陰極等材料蒸鍍於背板上，與驅動電路結合形成發光器件，再於無氧環境中進行封裝以產生保護作 用。蒸鍍的對位精度與封裝的氣密性都是前板段工藝的挑戰所在。模組段工藝將封裝完畢的面板切割成實際產品大小，之後再進行偏光片貼附、控制線路與晶片貼合等各項工藝，並進行老化測試以及產品包裝，最終呈現為客戶手中的產品。
本申請的目的主要是針對減少支撐柱損傷而採取的一些措施，制定了能夠減小支撐柱損傷、封裝效果好的有機發光顯示裝置、有機發光顯示裝置製備方法及用於製備支撐柱的掩膜板。
為實現前述申請目的，本申請提供了一種有機發光顯示裝置，包括：基板，前述基板上具有圖元限定層，前述圖元限定層界定了複數圖元區，前述複數圖元區至少包括複數第一圖元區、複數第二圖元區、複數第三圖元區；位於前述圖元限定層上的複數支撐柱，前述支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處；且1平方毫米前述基板上具有25~350個前述支撐柱；位於前述基板上的有機發光二極體，前述有機發光二極體包括陽極、有機發光層和陰極。
進一步地，前述支撐柱具有朝向前述基板的下底、與前述下底相對設置的上頂、連接前述上頂與前述下底的側面；前述下底的面積不大於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處的面積，前述上頂的面積不大於前述下底的面積。
進一步地，前述支撐柱的側面與下底的傾斜角介於 20°~80°之間。
進一步地，前述第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的寬度一致；前述第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度，前述第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度；或者前述第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度且不大於第一圖元區的長度的兩倍，前述第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度且不大於第二圖元區的長度的兩倍。
進一步地，前述第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區呈寬度方向對齊式且沿前述基板的一個方向交替排布，且一列的第一圖元區和第二圖元區的交界處與相鄰一列的前述第三圖元區相平齊，前述支撐柱位於第三圖元區的角部處的交叉處。
進一步地，複數支撐柱均勻地分佈於前述第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處上。
為實現前述申請目的，本申請還提供一種有機發光顯示裝置的製備方法，包括如下步驟：於基板上製備圖元限定層，前述圖元限定層界定了複數圖元區，複數圖元區包括複數第一圖元區、複數第二圖元區、複數第三圖元區；於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處形成支撐柱；且于1平方毫米的前述基板上形成25~350個前述支撐柱；於前述基板上製備有機發光二極體，前述有機發光二極體包括陽極、有機發光層和陰極。
為實現前述申請目的，本申請還提供一種用於製備支撐柱的掩膜板，其包括：遮蔽板，前述遮蔽板上界定有複數圖 元定義區，複數圖元定義區至少包括第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區；貫穿前述掩膜板的通孔，複數通孔位於第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的交叉處，且1平方毫米的掩膜板上具有25~350個前述通孔。
進一步地，第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的寬度一致，第三圖元定義區的長度大於第一圖元定義區的長度，第三圖元定義區的長度大於第二圖元定義區的長度；第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區呈寬度方向對齊式且沿前述基板的一個方向交替排布，且一列的第一圖元定義區和前述第二圖元定義區的交界處與相鄰一列的第三圖元定義區相平齊，前述通孔位於第三圖元定義區的角部處的交叉處。
進一步地，複數通孔均勻地分佈於前述第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的交叉處。
本申請的有機發光顯示裝置，通過將前述支撐柱設置於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處，使得前述支撐柱具有相對較大的直徑和支撐力，能對後續的掩膜板進行有效地支撐；同時，前述支撐柱的上表面不會與形成有機發光層的高精度金屬掩膜板的開孔邊緣接觸，從而可以避免支撐柱被後續掩膜板刮傷，有效避免由支撐柱刮傷而引起的黑點現象。
100‧‧‧掩膜板
1‧‧‧圖元定義區
2‧‧‧交叉處
3‧‧‧通孔
圖1係本發明一較佳實施方式中部分掩膜板的結構示意圖。
以下將結合圖式所示的具體實施方式對本申請進行詳細描述。但該等實施方式並不限制本申請，本領域的普通技術人員根據該等實施方式所做出的結構、方法、或功能上的變換均包含於本申請的保護範圍內。
於本申請的各個圖示中，為了便於圖示，結構或部分的某些尺寸會相對於其它結構或部分誇大，是故，僅用以圖示本申請的主題的基本結構。
通常，需要於TFT背板上設置支撐柱(Spacer柱，或簡稱SPC柱)，用以支撐前板段工藝中使用的各種掩膜板；該支撐柱位於OLED的G圖元區與B圖元區的交界處。惟，從5.99寸柔性顯示幕從首次流片開始，可靠性出現了黑點不良的問題，解析確認後認為：支撐柱異常引起的黑點不良占比為80%，第一層SiNx破裂，水和氧氣進入後導致封裝失效。
有鑑於此，有必要提供一種改進的有機發光顯示裝置、製備方法及製備過程中用以製備支撐柱的掩膜板，以解決前述技術問題。
本申請的有機發光顯示裝置，包括具有圖元限定層的基板、位於前述圖元限定層上的支撐柱及位於前述基板上的有機發光二極體(OLED)。
前述基板優選為TFT基板，其包括襯底、設於前述襯底上的複數薄膜電晶體(TFT陣列)。其中，薄膜電晶體與有機發光顯示裝置的圖元區的對應關係為先前技術，於此不再贅述。
前述圖元限定層界定了複數圖元區，前述圖元區至少包括複數第一圖元區、複數第二圖元區、複數第三圖元區；用以示範的，第一圖元區為R(紅色)圖元區，第二圖元區為G(綠色)圖元區，第三圖元區為B(藍色)圖元區。
複數前述圖元區的排列方式不限，可以採用先前技術中任意一種。例如，本申請中，第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的寬度基本一致，第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度，第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度，第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區沿其寬度方向相對齊，且沿前述基板的一個方向交替排布，且相鄰的兩列圖元區的排布相錯位；具體地，一列的前述第一圖元區和第二圖元區的交界處與相鄰一列的第三圖元區相平齊，本領域技術人員對此可以理解為“一列的前述第一圖元區和第二圖元區的交界處與相鄰一列的第三圖元區於長度方向的中分線大致相平齊”，是故第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處位於任意相鄰兩列圖元區之間。
優選地，前述第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度且不大於第一圖元區的長度的兩倍，前述第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度且不大於第二圖元區的長度的兩倍。
於一具體實施方式中，前述第三圖元區的長度大體上是第一圖元區的長度的兩倍，前述第三圖元區的長度大體上是第二圖元區的長度的兩倍。
位於第三圖元區的邊部處的交叉處的面積小於位於 第三圖元區的角部處的交叉處的面積；前述支撐柱優選設置於位於第三圖元區的角部處的交叉處，支撐力度大，且與後續工藝中掩膜板的磨損幾率較少。
前述支撐柱用以於製備有機發光二極體過程中支撐各膜層製備工藝中用到的掩膜板，還可以于具有封裝結構的實施例中產生支撐前述封裝結構的作用。本申請中，前述支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處。本領域技術人員可以理解的是：“第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處”指的是三種圖元區之間的空白位置處，即與第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區均相鄰的空白位置處，其形狀和大小由周圍的三種圖元區決定。
三種圖元區的交叉處的面積大於任意兩個相鄰的圖元區之間的面積，是故前述支撐柱具有相對較大的直徑和支撐力，能對後續的掩膜板進行有效地支撐；另，前述支撐柱的上頂面不會與形成有機發光層的高精度金屬掩膜板的開孔邊緣接觸，從而可以避免支撐柱的上頂面被後續用到的掩膜板刮傷，有效避免由前述支撐柱刮傷而引起的黑點現象。
前述支撐柱的密度被設計為：1平方毫米的前述基板上有25~350個支撐柱。支撐柱的密度過大，增大了支撐柱磨損引起黑點不良的幾率；而支撐柱的密度過小，對後續有機發光二極體工藝段FMM掩膜板的支撐力度不夠或支撐點不均勻，導致FMM掩膜板偏斜，會影響有機發光二極體器件工藝段的精度。
優選地，複數支撐柱均勻地分佈於前述三種圖元區的交叉處上，支撐效果好，使得各個區域的器件精度一致。
進一步地，前述支撐柱具有朝向前述基板的下底、與前述下底相對設置以支撐有機發光二極體工藝中所用的掩膜板的上頂、連接前述上頂與前述下底的側面；前述下底的面積不大於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處的面積，前述上頂的面積不大於前述下底的面積，使得前述支撐柱僅形成於交叉處，不會影響後續有機發光二極體工藝中其他膜層的精度，也會減少支撐柱於後續工藝中的磨損。
優選地，前述下底的面積小於交叉處的面積，即使於前述支撐柱的製造工藝中，由於不可避免的工藝偏差而引起支撐柱位置錯位時，也能保證支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處而不會與周圍的圖元區交叉，從而可避免支撐柱於後續工藝中被磨損。另，也可以避免於後續有機發光二極體製備工藝中，因為掩膜板的安裝誤差所帶來的磨損。
前述支撐柱的側面與下底的傾斜角(taper角)介於20°~80°之間，可實現較好的支撐性能，保證後續工藝精度。本領域技術人員可以理解的是，前述支撐柱的高度被設計為高於有機發光二極體的結構膜層，其上頂的面積由下底面積、傾斜角和支撐柱的高度決定。
本申請一較佳實施例中，前述支撐柱呈四棱錐形，其下底為邊長介於5μm~15μm之間的正方形，側面與下底的 夾角(taper角)介於20°~80°之間，高度被設計為高於有機發光二極體的結構膜層，其上頂的邊長由下底的邊長、taper角及其高度決定，例如，前述上底邊長介於0μm~10μm之間。一具體參考實施例中，其下底為10μm*10μm，taper角為33°，上頂為5μm*5μm。
前述有機發光二極體包括陽極、有機發光層和陰極，前述陽極的一部分被前述圖元限定層覆蓋，另一部分由前述圖元限定層上的第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區向上暴露；前述有機發光層位於前述陽極的暴露部分上並被構造成能夠發射紅光、綠光、藍光等不同顏色光的發射層；前述陰極位於前述有機發光層上。
進一步地，前述有機發光顯示裝置還包括密封結構，前述密封結構與前述TFT背板相對設置。前述TFT背板、前述圖元限定層、前述有機發光二極體、前述密封結構的其他結構及其作用、以及各個結構的位置關係和製備方法可參考採用先前技術，於此不再贅述。
本申請還提供一種有機發光顯示裝置的製備方法，包括如下步驟：於基板上製備圖元限定層，前述圖元限定層界定了複數圖元區，複數圖元區至少包括複數第一圖元區、複數第二圖元區、複數第三圖元區，用以示範的，第一圖元區為R圖元區，第二圖元區為G圖元區，第三圖元區為B圖元區；於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處形成支撐柱；於前述基板上製 備有機發光二極體，前述有機發光二極體包括陽極、有機發光層和陰極。
本領域技術人員可以理解的是：“第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處”指的是三種圖元區之間的空白位置處，即與第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區均相鄰的空白位置處，其形狀和大小由周圍的三種圖元區決定。是故，於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處形成前述支撐柱位於三種圖元區之間的空白位置處，前述支撐柱具有相對較大的直徑和支撐力，能對後續的掩膜板進行有效地支撐；另，前述支撐柱的上頂面不會與形成有機發光層的掩膜板的開孔邊緣接觸，從而得避免前述支撐柱的上頂面被後續掩膜板刮傷，有效避免由前述支撐柱刮傷而引起的黑點現象。
複數前述圖元區的排列方式不限，可以採用先前技術中任意一種。例如本申請中，第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的寬度基本一致，第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度，第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度，第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區沿其寬度方向對齊，且沿前述基板的一個方向交替排布，且相鄰的兩列圖元區的排布相錯位；具體地，一列的前述第一圖元區和第二圖元區的交界處與相鄰一列的第三圖元區相平齊，本領域技術人員對此可以理解為“一列的前述第一圖元區和第二圖元區的交界處與相鄰一列的第三圖元區於長度方向的中分線大致相平齊”，是故第一圖元區、第二圖元區、第三 圖元區的交叉處位於任意相鄰兩列圖元區之間。
優選地，前述第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度且不大於第一圖元區的長度的兩倍，前述第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度且不大於第二圖元區的長度的兩倍。
於一具體實施方式中，前述第三圖元區的長度大體上是第一圖元區的長度的兩倍，前述第三圖元區的長度大體上是第二圖元區的長度的兩倍。
位於第三圖元區的邊部處的交叉處的面積小於位於第三圖元區的角部處的交叉處的面積；優選地於第三圖元區的角部處的交叉處形成前述支撐柱，支撐力度大，且與後續工藝中掩膜板的磨損幾率較少。
具體地，前述基板為TFT背板，前述TFT背板的製備方法為：於玻璃、塑膠等基底上製備複數薄膜電晶體陣列(TFT陣列)構成TFT背板。其中，前述薄膜電晶體陣列與前述圖元區的對應關係為先前技術，於此不再贅述。
於TFT背板上製備前述圖元限定層採用先前工藝，於此不再贅述。
前述支撐柱的製備方法具體為：採用光敏樹脂膠於前述基板上製作光敏樹脂膠層，將掩膜板固定於前述光敏樹脂膠層上方，對前述光敏樹脂膠層進行曝光、顯影和刻蝕處理，於與前述掩膜板上的曝光孔對應的位置處獲得前述支撐柱。
具體地，採用前述方法于1平方毫米的前述基板上製 備25~350個前述支撐柱。支撐柱的密度過大，增大了支撐柱磨損引起黑點不良的幾率；而支撐柱的密度過小，對後續有機發光二極體工藝段FMM掩膜板的支撐力度不夠或支撐點不均勻，導致FMM掩膜板偏斜，會影響有機發光二極體器件工藝段的精度。
優選地，於前述基板上均勻分佈的複數交叉處上製備前述支撐柱，從而形成的複數前述支撐柱均勻地分佈於前述三種圖元區的交叉處上，支撐效果好，使得各個區域的器件精度一致。
進一步地，藉曝光強度、曝光量、光線的入射方向等曝光工藝參數，控制前述支撐柱的形狀結構，使得形成的前述支撐柱具有朝向前述基板的下底、與前述下底相對設置以支撐有機發光二極體工藝中所用的掩膜板的上頂、連接前述上頂與前述下底的側面；前述下底的面積不大於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處的面積，前述上頂的面積不大於前述下底的面積，使得前述支撐柱整體僅形成於交叉處，不會影響後續有機發光二極體工藝中其他膜層的精度，也會減少支撐柱於後續工藝中的磨損。
優選地前述下底的面積小於交叉處的面積，即使於前述支撐柱的製造工藝中，由於不可避免的工藝偏差而引起支撐柱位置錯位時，也能保證支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處而不會與圖元區交叉，從而可避免支撐柱於後續工藝中被磨損。另，也可以避免於後續有機發光二極體製備 工藝中，因為掩膜板的安裝誤差所帶來的磨損。
並且，前述支撐柱的側面與下底的傾斜角(taper角)介於20°~80°之間，可實現較好的支撐性能，保證後續工藝精度。
本申請一較佳實施例中，採用前述方法製備呈四棱錐形的前述支撐柱，其下底為邊長介於5μm~15μm之間的正方形，側面與下底的夾角(taper角)介於20°~80°之間，高度被設計為高於有機發光二極體的結構膜層，其上頂的邊長由下底的邊長、taper角及其高度決定，例如，前述上底邊長介於0μm~10μm之間。一具體參考實施例中，其下底為10μm*10μm，taper角為33°，上頂為5μm*5μm。
本申請中，前述有機發光二極體的陽極先於前述圖元限定層形成於前述TFT背板上。具體地，前述有機發光二極體的製備方法包括：於前述TFT背板上製備與TFT陣列相對應的陽極陣列，前述陽極的一部分被後續製備的前述圖元限定層覆蓋，另一部分由前述圖元限定層上的第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區向上暴露；於前述陽極的暴露部分上製備能夠發射紅光、綠光、藍光等不同顏的光的發射層，構成有機發光層；於前述有機發光層上製備前述陰極，構成有機發光二極體陣列。
如圖1所示，本申請還提供一種用以製備支撐柱的掩膜板，前述掩膜板100具有遮蔽板和貫穿前述掩膜板的複數通孔3。本領域技術人員可以理解的是，前述遮蔽板用以遮蔽光，前述通孔3供光穿過。
其中，前述遮蔽板上具有複數圖元定義區1，複數前述圖元定義區1至少包括第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區，且與有機發光顯示裝置的第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區一一對應；前述通孔3位於第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的交叉處2。
本領域技術人員可以理解的是，該圖1也可以看作是前述基板的俯視圖，圖元定義區1即為圖元區，交叉處2即為第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處，通孔3處即為設置支撐柱的位置。
另，“第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的交叉處2”指的是三種圖元定義區1之間的空白位置處，即與第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區均相鄰的空白位置處，其形狀和大小由周圍的三種圖元定義區決定。是故，藉該掩膜板100形成的支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交界處，三種圖元區的交叉處的面積大於任意兩個相鄰的圖元區之間的面積，是故前述支撐柱具有相對較大的直徑和支撐力，能對後續的掩膜板進行有效地支撐；另，前述支撐柱的上表面不會與形成有機發光層的掩膜板的開孔邊緣接觸，從而可以避免支撐柱被後續掩膜板刮傷，有效避免由支撐柱刮傷而引起的黑點現象。
本申請中，第一圖元定義區與R圖元區相對應，第二圖元定義區與G圖元區相對應，第三圖元定義區與B圖元區相對 應。掩膜板100上的複數前述圖元定義區的排列方式不限，可以採用先前技術中任意一種。例如本申請中，第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的寬度基本一致，第三圖元定義區的長度大於第一圖元區的長度，第三圖元定義區的長度大於第二圖元定義區的長度，第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區沿其寬度方向對齊，且沿前述基板的一個方向交替排布，且相鄰的兩列圖元定義區的排布相錯位；具體地，一列的前述第一圖元定義區和第二圖元定義區的交界處與相鄰一列的第三圖元定義區相平齊，本領域技術人員對此可以理解為“一列的前述第一圖元定義區和第二圖元定義區的交界處與相鄰一列的第三圖元定義區於長度方向的中分線大致相平齊”，是故第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的交叉處位於任意相鄰兩列圖元定義區之間。
優選地，前述第三圖元定義區的長度大於第一圖元定義區的長度且不大於第一圖元定義區的長度的兩倍，前述第三圖元定義區的長度大於第二圖元定義區的長度且不大於第二圖元定義區的長度的兩倍。
於一具體實施方式中，前述第三圖元定義區的長度大體上是第一圖元定義區的長度的兩倍，前述第三圖元定義區的長度大體上是第二圖元定義區的長度的兩倍。
第三圖元定義區的邊部處的交叉處的面積小於第三圖元定義區的角部處的交叉處的面積；前述通孔3優選設置於第三 圖元定義區的角部處的交叉處，支撐力度大，且與後續工藝中掩膜板的磨損幾率較少。
前述通孔3的面積不大於第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的交叉處2的面積，使得前述支撐柱僅形成於前述交叉處，不會影響後續工藝中其他膜層的精度，也會減少支撐柱於後續工藝中的磨損。
優選地，前述通孔3的面積小於交叉處的面積，即使於前述支撐柱的製造工藝中，由於不可避免的工藝偏差而引起支撐柱位置錯位時，也能保證支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處而不會與圖元區交叉，從而可避免支撐柱於後續工藝中被磨損。
前述通孔3的密度被設計為：1平方毫米面積的掩膜板100上大約有25~350個通孔3。通孔3的密度過大，形成的支撐柱的數量會增加，增大了支撐柱磨損引起黑點不良的幾率；通孔3的密度過小，則形成的支撐柱的數量過少，對後續工藝段FMM掩膜板100的支撐力度不夠或支撐點不均勻，導致FMM掩膜板100偏斜，會影響有機發光二極體工藝段的精度。
優選地，複數通孔3均勻地分佈於前述交叉處2上，形成的前述支撐柱的支撐效果好，能夠保證各個區域工藝精度。
綜上前述，本申請的有機發光顯示裝置，藉前述支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處，使得前述支撐柱具有相對較大的直徑和支撐力，能對後續的掩膜板進 行有效地支撐；另，前述支撐柱的上表面不會與形成有機發光層的高精度金屬掩膜板的開孔邊緣接觸，從而可以避免支撐柱被後續掩膜板刮傷，有效避免由支撐柱刮傷而引起的黑點現象。
應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但並非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施方式中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
上文所列出的一系列的詳細說明僅僅是針對本申請的可行性實施方式的具體說明，它們並非用以限制本申請的保護範圍，凡未脫離本申請技藝精神所作的等效實施方式或變更均應包含於本申請的保護範圍之內。

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其中，包括：基板，前述基板上具有圖元限定層，前述圖元限定層界定了複數圖元區，前述複數圖元區至少包括複數第一圖元區、複數第二圖元區、複數第三圖元區，前述第一圖元區、前述第二圖元區以及前述第三圖元區沿其寬度方向相對齊，且沿前述基板的一個方向交替排布形成複數列，且相鄰的兩列圖元區的排布相錯位，以相應地在前述第一圖元區、前述第二圖元區以及前述第三圖元區間形成交叉處；位於前述圖元限定層上的複數支撐柱，前述支撐柱位於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的前述交叉處；且1平方毫米前述基板上具有25~350個前述支撐柱；位於前述基板上的有機發光二極體，前述有機發光二極體包括陽極、有機發光層和陰極。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中：前述支撐柱具有朝向前述基板的下底、與前述下底相對設置的上頂、連接前述上頂與前述下底的側面；前述下底的面積不大於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處的面積，前述上頂的面積不大於前述下底的面積。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的有機發光顯示裝置，其中：前述支撐柱的側面與下底的傾斜角介於20°~80°之間。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中：前述第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的寬度一致；前述第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度，前述第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度；或者前述第三圖元區的長度大於第一圖元區的長度且不大於第一圖元區的長度的兩倍，前述第三圖元區的長度大於第二圖元區的長度且不大於第二圖元區的長度的兩倍。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的有機發光顯示裝置，其中：前述第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區呈寬度方向對齊式且沿前述基板的一個方向交替排布，且一列的第一圖元區和第二圖元區的交界處與相鄰一列的前述第三圖元區相平齊，前述支撐柱位於第三圖元區的角部處的交叉處。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中：複數支撐柱均勻地分佈於前述第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處。
  7. 一種有機發光顯示裝置的製備方法，其中：前述有機發光顯示裝置為申請專利範圍第1-6項當中任意一項所示的有機發光顯示裝置；前述有機發光顯示裝置的製備方法包括如下步驟：於基板上製備圖元限定層，前述圖元限定層界定了複數圖元區，複數圖元區包括複數第一圖元區、複數第二圖元區、複數第三圖元區；於第一圖元區、第二圖元區、第三圖元區的交叉處形成支撐柱；且於1平方毫米的前述基板上形成25~350個前述支撐柱；於前述基板上製備有機發光二極體，前述有機發光二極體包括陽極、有機發光層和陰極。
  8. 一種用以製備支撐柱的掩膜板，其中：包括：遮蔽板，前述遮蔽板上界定有複數圖元定義區，複數圖元定義區至少包括第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區，前述第一圖元定義區、前述第二圖元定義區以及前述第三圖元定義區沿其寬度方向相對齊，且沿前述遮蔽板的一個方向交替排布形成複數列，且相鄰的兩列圖元定義區的排布相錯位，以相應地在前述第一圖元定義區、前述第二圖元定義區以及前述第三圖元定義區間形成交叉處；貫穿前述掩膜板的通孔，複數通孔位於第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的前述交叉處，且1平方毫米的掩膜板上具有25~350個前述通孔。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述的用以製備支撐柱的掩膜板，其中：第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的寬度一致，第三圖元定義區的長度大於第一圖元定義區的長度，第三圖元定義區的長度大於第二圖元定義區的長度的兩倍；第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區呈寬度方向對齊式且沿前述基板的一個方向交替排布，且一列的第一圖元定義區和前述第二圖元定義區的交界處與相鄰一列的第三圖元定義區相平齊，前述通孔位於第三圖元定義區的角部處的交叉處。
  10. 根據申請專利範圍第8項或第9項所述的用以製備支撐柱的掩膜板，其中：複數通孔均勻地分佈於前述第一圖元定義區、第二圖元定義區、第三圖元定義區的交叉處。
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