CN114114828A

CN114114828A - 掩模检查设备和方法

Info

Publication number: CN114114828A
Application number: CN202110702905.3A
Authority: CN
Inventors: 白大源
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-06-29
Filing date: 2021-06-24
Publication date: 2022-03-01
Also published as: JP2022013772A; KR20220001534A; US20210407067A1

Abstract

本发明提供一种掩模检查设备和方法。具体地，提供一种用于检查沉积掩模的掩模检查方法和掩模检查设备。掩模检查方法包括：提供包括多个第一开口和多个第二开口的沉积掩模，第一开口中的每一个具有在平面图中不同于第二开口中的每一个的形状的形状；指定第一组和第二组，每一组包括第一开口中的至少一个和第二开口中的至少一个；比较第一组的图像与第二组的图像；以及确定第一组和第二组是否有缺陷，第一组中的第一开口和第二开口的布置与第二组中的第一开口和第二开口的布置相同。

Description

掩模检查设备和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0079076号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例的各方面涉及一种掩模检查设备和一种掩模检查方法。

背景技术

通常，有机发光二极管(OLED)显示器由于其优异的亮度和视角特性，并且与液晶显示装置不同，其不需要任何单独的光源，而作为下一代平板显示装置受到关注。在消除了任何单独光源的必要性的情况下，可以制造出具有重量轻且薄的设计的OLED显示器。OLED显示器的特征还在于低功耗、高亮度和高反应速率等。

OLED显示器包括多个有机发光二极管，每个有机发光二极管由阳极、有机发光层和阴极组成。在制造有机发光二极管的工艺中，将沉积掩模设置在基板上，并通过形成在沉积掩模中的开口将有机材料提供到基板上，以形成有机发光层。随着技术的进步，显示装置具有越来越多的有机发光二极管，以满足高分辨率要求。

有机发光二极管的数量增加意味着用于制造有机发光层的沉积掩模的开口的数量增加。这种沉积掩模由包括金属的材料形成，并且由于制造问题，可能并非多个开口中的所有开口都具有图案中所期望的精确形状。这可能导致沉积图案中的缺陷。为了避免这种缺陷，预先检查掩模。

发明内容

根据本公开的实施例的各方面，提供了能够一次检查具有不同形状的开口的掩模的任何缺陷的掩模检查设备和方法。

然而，本公开的各方面不限于本文阐述的那些方面。通过参考下面提供的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。

根据一个或多个实施例，一种掩模检查方法包括：提供包括多个第一开口和多个第二开口的沉积掩模，第一开口中的每一个具有在平面图中不同于第二开口中的每一个的形状的形状；指定第一组和第二组，每一组包括第一开口中的至少一个和第二开口中的至少一个；比较第一组的图像与第二组的图像；以及基于比较第一组的图像与第二组的图像的结果，确定第一组和第二组是否有缺陷，其中，第一组中的第一开口和第二开口的布置与第二组中的第一开口和第二开口的布置相同。

根据一个或多个实施例，一种掩模检查方法包括：提供包括多个第一开口和多个第二开口的沉积掩模，第一开口中的每一个具有在平面图中不同于第二开口中的每一个的形状的形状；准备包括多个第一开口中的第一开口和多个第二开口中的第二开口的参考图像；指定多个组，每一组包括多个第一开口中的第一开口和多个第二开口中的第二开口；比较多个组中的组的图像与参考图像；以及基于比较该组的图像与参考图像的结果确定该组是否有缺陷，其中，该组中的第一开口和第二开口的布置与参考图像中的第一开口和第二开口的布置相同。

根据一个或多个实施例，一种用于检查沉积掩模的掩模检查设备，沉积掩模包括多个第一开口和多个第二开口，第二开口中的每一个具有在平面图中不同于第一开口中的每一个的形状的形状，该掩模检查设备包括：被配置为支撑沉积掩模的支撑台；视觉单元，与支撑台间隔开并且被配置为捕获沉积掩模的图像；以及控制器，被配置为基于由视觉单元捕获的图像来确定第一开口和第二开口是否有缺陷，其中，控制器指定第一组和第二组，每一组包括第一开口中的至少一个和第二开口中的至少一个，并且控制器比较通过对第一组进行成像而获得的第一图像与通过对第二组进行成像而获得的第二图像。

根据实施例的掩模检查设备和方法能够一次检查具有不同形状的开口的掩模的任何缺陷。

然而，本公开的方面和效果不限于上述方面和效果，并且各种其他方面和效果包括在本说明书中。

附图说明

通过参考附图更详细地描述本公开的一些示例实施例，本公开的以上和其他方面及特征将变得更加显而易见，附图中：

图1是示意地示出根据实施例的掩模检查设备的侧视图；

图2是掩模的局部区域的放大平面图；

图3是沿图2的线III-III′截取的截面图；

图4是示意性地示出使用图2和图3的沉积掩模的沉积工艺的图；

图5是示意性地示出利用沉积掩模制造的有机发光显示装置的截面图；

图6是示出根据实施例的掩模检查方法的流程图；

图7是示意性地示出根据实施例的掩模检查方法的平面图；

图8是示意性地示出根据另一实施例的掩模检查方法的平面图；

图9是示出根据另一实施例的显示装置的像素布置的示意性布局图；

图10是示意性地示出根据另一实施例的掩模检查方法的平面图；

图11是示出根据另一实施例的显示装置的像素布置的示意性布局图；

图12是示意性地示出根据另一实施例的掩模检查设备的侧视图；并且

图13是示出根据另一实施例的掩模检查方法的流程图。

具体实施方式

现在将在本文中参考其中示出本发明的一些示例实施例的附图来更充分地描述本发明。然而，本发明可以以不同的形式来体现，而不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例是使得本公开是全面和完整的，并且这些实施例将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。

应理解，当层被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在一个或多个中间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区域的厚度。

尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不背离一个或多个实施例的教导。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示第二元件或其他元件的存在。本文中还可以使用术语“第一”、“第二”等来区分不同类别或不同组的元件。为简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。

应理解，当元件或层被称为位于另一元件或层“上”、“连接到”、“耦接到”或“邻近于”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上、直接连接到、耦接到或邻近于另一元件或层，或者可存在一个或多个中间元件或层。相反，当元件或层被称为“直接位于”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接耦接到”或“紧邻于”另一元件或层时，不存在中间元件或层。如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。

如本文所使用的，诸如“平面图”的短语可以指从顶部或从垂直于显示装置的显示区域的方向的视图。

为了易于描述，在本文中可使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“底部”和“顶部”等的空间相对术语，来描述如附图中所示出的一个元件或特征与另一(些)元件或特征之间的关系。应理解，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两个方位。装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他方位)，并且应当对本文使用的空间相对描述词语进行相应的解释。

除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。应进一步理解，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与其在相关领域和/或本公开的情境中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确如此定义。

在这里，将参考附图更详细地描述一些示例实施例。

图1是示意地示出根据实施例的掩模检查设备的侧视图。

参考图1，根据实施例的掩模检查设备10可以包括支撑台110、视觉单元120、数据处理单元130、控制器140和输出单元150。

支撑台110可以提供能够放置作为检查目标对象的沉积掩模20的空间。即，可以将沉积掩模20放置在支撑台110上。支撑台110可以包括透明玻璃等，以允许从光照射构件121发射的光从其穿过。

支撑台110可以将沉积掩模20固定在拉伸状态，但是本公开不限于此。在这种情况下，在实施例中，支撑台110可以包括用于固定沉积掩模20的两端的夹具(未示出)以及用于线性移动夹具(未示出)以拉伸沉积掩模20的圆柱体或齿轮及马达。支撑台110可以进一步包括掩模框架(未示出)，并且在这种情况下，沉积掩模20可以被附接到掩模框架(未示出)，但是本公开不限于此。

在实施例中，尽管未在附图中示出，但是掩模检查设备10可以进一步包括传送构件(未示出)，并且支撑台110可以连接到传送构件(未示出)并且由传送构件(未示出)传送。

视觉单元120可以布置在沉积掩模20上方和/或下方，以捕获沉积掩模20的表面形状的图像。视觉单元120可以与支撑台110和沉积掩模20间隔开。视觉单元120可以通过对沉积掩模20成像来生成图像，并且将图像发送给控制器140。在实施例中，视觉单元120可以包括光照射构件121和光接收构件122。

光照射构件121可以布置在支撑台110下方，以朝支撑台110发射光。光照射构件121可以朝放置在支撑台110上的沉积掩模20发射光。

光接收构件122可以布置在支撑台110上方。光接收构件122可以面对光照射构件121，其中沉积掩模20在其之间。光接收构件122可以接收从光照射构件121发射的光，以捕获沉积掩模20的图像。即，从光照射构件121发射的光的至少一部分可以穿过沉积掩模20的开口OP1和OP2(参见图2和图3)并到达光接收构件122，使得光接收构件122可以拍摄沉积掩模20的图像。

光接收构件122可以包括电荷耦合器件(CCD)传感器，但是不限于此。在光接收构件122包括CCD传感器的情况下，CCD传感器可以是包括图像捕获区域的二维传感器，在图像捕获区域中布置有多个(例如，预定数量的)像素。例如，CCD传感器可以具有2048×512像素(在一个像素为70nm×70nm的情况下，为144μm×36μm)的图像捕获区域，但是不限于此。即，CCD传感器可以由在一方向上排列的多条行线(例如，512条线)组成，每条线由多个像素(例如2048个像素)组成。

数据处理单元130可以处理由视觉单元120捕获的图像的信息。数据处理单元130可以将从视觉单元120接收的图像信息转换成适合于发送的格式，并且将转换后的图像信息发送给控制器140。在实施例中，数据处理单元130可以以有线或无线通信方案向控制器140提供必要的信息。

控制器140可以基于从数据处理单元130接收的数据(图像信息)来指定包括不同形状的开口OP1和开口OP2的开口组GR1至GR6(参见图2和图7)，并且确定沉积掩模20是否有缺陷。控制器140可以包括用于比较数据(图像信息)的比较单元141和用于基于比较结果来确定存在/不存在任何缺陷的确定单元142。

尽管不限于以下，但是控制器140确定沉积掩模20是否有缺陷的方法可以例如包括：比较通过在不同位置对相同图案进行成像而获得的图像(芯片对芯片(die-to-die)比较检查方法)，或者比较通过对实际掩模的图案进行成像而获得的图像与基于在形成沉积掩模20中使用的计划数据而生成的参考图像(芯片对数据库(die-to-database)比较检查方法)。稍后描述用于检查沉积掩模20的方法。

控制器140可以采用各种形式中的任何一种。尽管不限于以下，但是控制器140可以例如以单独安装的终端、个人计算机、膝上型计算机或PDA的形式或者以与其他部件一起内部安装的电路板而不是单独的装置的形式提供。

输出单元150可以输出由控制器140确定的指示沉积掩模20是否有缺陷的信息。输出单元150可以输出沉积掩模20的开口OP1和开口OP2(参见图2和图3)中被确定为正常的开口和被确定为有缺陷的开口的信息。输出单元150的信息可以包括指示沉积掩模20的开口OP1和开口OP2(参见图2和图3)中被确定为有缺陷的开口的位置的坐标信息。因此，用户可以选择性地将有缺陷的开口校正为正常开口，或者在有缺陷的开口的数量等于或大于特定数量(例如，预定数量)的情况下，用新的沉积掩模替换沉积掩模20并继续执行沉积工艺。

沉积掩模20可以包括在平面图中形状不同的两个或更多个开口OP1和OP2。参考图2和图3更详细地描述沉积掩模20。

图2是掩模的局部区域的放大平面图；并且图3是沿图2的线III-III′截取的截面图。

参考图2和图3，在附图中，第一方向DR1在平面图中指示沉积掩模20的水平方向，并且第二方向DR2在平面图中指示沉积掩模20的垂直方向。此外，第三方向DR3指示沉积掩模20的厚度方向。第一方向DR1和第二方向DR2彼此垂直交叉。第三方向DR3是与第一方向DR1和第二方向DR2所在的平面交叉的方向，并且与第一方向DR1和第二方向DR2均垂直地交叉。然而，应当理解，实施例中提及的方向是指相对方向，并且实施例不限于所提及的方向。

沉积掩模20包括阻挡部分BL和形成在阻挡部分BL内部的多个开口OP1和OP2。阻挡部分BL可以阻挡沉积材料的渗透。阻挡部分BL可以包括阻挡构件。例如，阻挡构件可以包括诸如镍(Ni)、镍合金和镍-钴合金中的任何一种的金属。阻挡构件可以以金属薄膜的形式提供，但是不限于此。

开口OP1和OP2以在厚度方向(第三方向DR3)上穿透构成阻挡部分BL的材料层的形状形成在阻挡部分BL内部。开口OP1和OP2允许沉积材料穿过其中，使得可以在目标基板330(参见图4)上形成具有与开口OP1和OP2相对应的形状的图案。

沉积掩模20可以具有第一表面20a和第二表面20b。沉积掩模20的第一表面20a和第二表面20b可以是相对的表面。尽管不限于以下，但是例如，沉积掩模20的第一表面20a可以是面对目标基板330(参见图4)的表面，并且与第一表面20a相对的第二表面20b可以是面对坩埚的表面。

沉积掩模20可以进一步包括第一内表面S1和第二内表面S2。第一内表面S1可以面对阻挡部分BL中的第一开口OP1，并且第二内表面S2可以面对阻挡部分BL中的第二开口OP2。即，第一开口OP1的内壁可以包括第一内表面S1，并且第二开口OP2的内壁可以包括第二内表面S2。

沉积掩模20可以进一步包括第一第一侧端BE1、第一第二侧端UE1、第二第一侧端BE2和第二第二侧端UE2。第一第一侧端BE1可以表示沉积掩模20的第一表面20a与第一内表面S1相交的部分，并且第一第二侧端UE1可以表示沉积掩模20的第二表面20b与第一内表面S1相交的部分。第二第一侧端BE2可以表示沉积掩模20的第一表面20a与第二内表面S2相交的部分，并且第二第二侧端UE2可以表示沉积掩模20的第二表面20b与第二内表面S2相交的部分。

在平面图中，沉积掩模20的开口OP1和OP2的形状可以不同。在平面图中，沉积掩模20的开口OP1和OP2可以具有两种或更多种不同的形状。沉积掩模20可以包括在平面图中形状不同的两个或更多个开口OP1和OP2。沉积掩模20可以包括在平面图中形状不同的第一开口OP1和第二开口OP2。

在平面图中，第一第一侧端BE1可以被第一第二侧端UE1围绕，并且在平面图中，第一第一侧端BE1的形状和第一第二侧端UE1的形状可以彼此对应。在平面图中，第二第一侧端BE2可以被第二第二侧端UE2围绕，并且在平面图中，第二第一侧端BE2的形状和第二第二侧端UE2的形状可以彼此对应。即，在平面图中，第一第一侧端BE1和第二第一侧端BE2可以具有不同的形状，并且在平面图中，第一第二侧端UE1和第二第二侧端UE2可以具有不同的形状。

在实施例中，第一开口OP1和第二开口OP2可以彼此间隔开，并且沿第一方向DR1和第二方向DR2交替地布置。即，在实施例中，第一开口OP1和第二开口OP2可以在第一方向DR1上以重复的方式交替地布置，并且第一开口OP1和第二开口OP2可以在第二方向DR2上以重复的方式交替地布置。

在实施例中，多个第一开口OP1的至少一部分在平面图中可以布置为处于在顺时针方向上在大于0度且小于360度的范围内旋转的状态。在另一实施例中，多个第一开口OP1的至少一部分可以被布置为(在附图中)在第一方向DR1上左右翻转或在第二方向DR2上上下翻转。同样地，在实施例中，多个第二开口OP2的至少一部分在平面图中可以布置为处于在顺时针方向上在大于0度且小于360度的范围内旋转的状态。在另一实施例中，多个第二开口OP2的至少一部分可以被布置为(在附图中)在第一方向DR1上左右翻转或在第二方向DR2上上下翻转。

沉积掩模20可以进一步包括开口组GR。在实施例中，开口组GR可以包括一个第一开口OP1和一个第二开口OP2，但是本公开不限于此。即，沉积掩模20可以包括重复布置的第一开口OP1和第二开口OP2，并且可以包括开口组GR，每个开口组GR包括一个第一开口OP1和一个第二开口OP2。

开口组GR可以沿第一方向DR1和第二方向DR2重复地布置。在实施例中，开口组GR的一部分在平面图中可以布置为处于在顺时针方向上在大于0度且小于360度的范围内旋转的状态。在另一实施例中，开口组GR的一部分可以布置为(在附图中)在第一方向DR1上左右翻转或在第二方向DR2上上下翻转。

尽管在图2和图3中示出了开口OP1和OP2在平面图和截面图中具有示例形状，但是其形状不限于此。

图4是示意性地示出使用图2和图3的沉积掩模的沉积工艺的图。

参考图4，根据实施例，可以在真空室300中执行沉积有机发光显示装置的电极或有机发光层的工艺。

沉积源310可以设置在真空室300内部的下部。沉积源310可以是例如作为其中容纳沉积材料的容器的坩埚。根据实施例的沉积掩模20可以放置在真空室300内部的面向沉积源310的上部处的支撑结构320上。在实施例中，目标基板330(例如，用于制造有机发光显示装置的目标基板330)可以布置在沉积掩模20上。在实施例中，沉积掩模20和目标基板330可以彼此直接接触。

当沉积源310将沉积材料蒸发到上述真空室300内部的沉积掩模20上时，可以根据图案的形状将沉积材料沉积在目标基板330的通过形成在沉积掩模20中的开口OP1和OP2(参见图2和图3)暴露的部分上。

图5是示意性地示出利用沉积掩模制造的有机发光显示装置的截面图。

参考图5，显示装置400可以包括基底基板401。基底基板401可以支撑堆叠在基底基板401上的部件。基底基板401可以是绝缘基板。在实施例中，基底基板401可以包括透明材料。

缓冲层405可以设置在基底基板401上。缓冲层405可以设置在基底基板401的表面上，以保护薄膜晶体管TFT和发光元件EMD免受穿过易受湿气渗透的基底基板401的湿气的影响。

薄膜晶体管TFT可以作为驱动元件设置在缓冲层405上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层410、源电极451、漏电极452和栅电极430。

薄膜晶体管TFT的半导体层410可以设置在缓冲层405上。在实施例中，半导体层410可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。

第一绝缘层421可以设置在半导体层410上。第一绝缘层421可以由无机层形成。

栅电极430可以设置在第一绝缘层421上。栅电极430可以与半导体层410重叠。在实施例中，栅电极430可以被形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层。

第二绝缘层422可以设置在栅电极430上。第二绝缘层422可以由无机层形成。

薄膜晶体管TFT的源电极451(或漏电极)和漏电极452(或源电极)可以设置在第二绝缘层422上。源电极451和漏电极452可以通过穿透第二绝缘层422和第一绝缘层421的接触孔连接到半导体层410。

第三绝缘层423可以设置在源电极451和漏电极452上。第三绝缘层423可以是保护其下方的薄膜晶体管TFT的钝化层。第三绝缘层423可以由无机层形成。

通孔层VIA可以设置在第三绝缘层423上。通孔层VIA可以是用于平坦化由于薄膜晶体管TFT引起的台阶的平坦化层。通孔层VIA可以包括有机绝缘材料。

发光元件EMD可以设置在通孔层VIA上。发光元件EMD可以包括像素电极PXE、发光层EML和公共电极CME。

像素电极PXE可以设置在通孔层VIA上。像素电极PXE可以是发光元件EMD的第一电极(例如，阳极电极)。像素电极PXE可以通过穿透通孔层VIA的接触孔连接到薄膜晶体管TFT的漏电极452(或源电极)。

像素限定层PDL可以设置在像素电极PXE上。像素限定层PDL可以设置在像素电极PXE上，并且可以包括用于暴露像素电极PXE的开口。像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。

发光层EML可以设置在被像素限定层PDL暴露的像素电极PXE上。发光层EML可以包括有机材料层。发光层EML的有机材料层可以包括有机发光层，并且可以进一步包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。

公共电极CME可以设置在发光层EML上。公共电极CME可以是发光元件EMD的第二电极(例如，阴极电极)。在实施例中，公共电极CME可以针对各像素公共地形成。

尽管每像素或每子像素的发光元件EMD在平面图中可被布置为不同的形状，但是如果沉积掩模20具有对应的形状，则每像素或每子像素的发光元件EMD可以作为公共层的各部分被一次沉积。

另外，即使当沉积掩模20包括在平面图中彼此形状不同的两个或更多个开口OP1和OP2时，根据实施例的掩模检查设备10(参见图1)也可以检查沉积掩模20的任何缺陷。本文中，进一步描述根据实施例的掩模检查方法。

图6是示出根据实施例的掩模检查方法的流程图；并且图7是示意性地示出根据实施例的掩模检查方法的平面图。

参考图1、图6和图7，首先，准备或提供具有形状不同的开口OP1和OP2的沉积掩模20(S10)。

沉积掩模20可以与参考图2和图3描述的沉积掩模20基本相同，并且放置在与图1的掩模检查设备10的支撑台110上的区域(例如，预定区域)相对应的位置。沉积掩模20可以在掩模检查设备10检查沉积掩模20的过程期间移动。沉积掩模20可以通过一部件在支撑台110上独立于支撑台110移动，或者固定在支撑台110上，以与支撑台110一起移动。

接下来，指定沉积掩模20的检查区域IA(S20)。

检查区域IA可以包括多个开口OP1和OP2。在实施例中，检查区域IA内的开口OP1和OP2可以以图案(例如，预定图案)重复地布置。在实施例中，第一开口OP1和第二开口OP2可以沿第一方向DR1以交替的方式重复地布置，并且第一开口OP1和第二开口OP2可以沿第二方向DR2以交替的方式重复地布置。尽管不限于以下，但是布置在检查区域IA内的开口OP1和OP2当中的邻近开口的形状可以不同。即，形状不同的第一开口OP1和第二开口OP2可以以交替的方式重复地布置，并且可以彼此邻近地布置。

检查区域IA可以包括能够由上述视觉单元120一次成像的区域的至少一部分。即，在视觉单元120包括CCD传感器的情况下，检查区域IA可以包括能够由CCD传感器成像的图像捕获区域的至少一部分。

尽管示出了十二个开口OP1和OP2布置在检查区域IA内，但是布置在检查区域IA内的开口OP1和OP2的数量可以大于或小于十二。在实施例中，指定检查区域IA的任务S20可以省略。

接下来，将重复的开口OP1和OP2的一些分组为开口组GR1至GR6(S30)。

布置在检查区域IA内的开口OP1和OP2可以由至少两个邻近的开口OP1和OP2分组，以形成每个开口组GR。邻近的第一开口OP1和第二开口OP2可以例如被分组为相应组GR1至GR6，但是不限于此。在实施例中，开口组GR1至GR6可以包括相同数量的开口OP1和OP2，并且可以包括相同数量的第一开口OP1和相同数量的第二开口OP2。另外，属于相应开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2在布置(或部署)上可以基本相同。

在实施例中，各个开口组GR1至GR6可以重复地布置在检查区域IA内。即，开口组GR1至GR6可以在检查区域IA内沿第一方向DR1和第二方向DR2重复地布置。

在实施例中，开口组GR1至GR6可以均是检查区域IA内的最小重复单元。检查区域IA可以具有设置在其中的第一开口OP1和第二开口OP2，并且第一开口OP1和第二开口OP2可以以重复的方式布置。在这种情况下，开口组GR1至GR6可以各自包括一个第一开口OP1和一个第二开口OP2，并且开口组GR1至GR6可以在检查区域IA内以重复的方式布置。属于开口组GR1至GR6中的每一个的开口OP1和OP2的总数可以等于包括在开口组GR1至GR6中的每一个中的第一开口OP1的数量和第二开口OP2的数量之和。

布置在检查区域IA内的开口OP1和OP2的形状可以不同，并且布置在检查区域IA内的开口组GR1至GR6的形状可以相同。即，开口组GR1至GR6可以均以相同的方式包括第一开口OP1和第二开口OP2，并且开口组GR1至GR6中的一些开口组GR2和GR5可以布置为处于在水平方向上(或绕在厚度方向(第三方向DR3)上延伸的轴)旋转一角度(例如，预定角度)的状态。尽管在附图中示出了一些开口组GR2和GR5被旋转180度，但是旋转角度不限于此。

在实施例中，开口组GR1至GR6中的每一个是检查区域IA内的最小重复单元，并且也可以是用于检查沉积掩模20的开口OP1和OP2的任何缺陷的最小单元。即，形状不同的第一开口OP1和第二开口OP2被分组到开口组GR1至GR6中的每一个中，以按照开口组GR1至GR6中的每一个的一个单元来检查开口的任何缺陷，即使沉积掩模20的开口OP1和OP2的形状不同，这也可以有助于检查沉积掩模20的开口的任何缺陷。

接下来，对布置在检查区域IA内的开口组GR1至GR6进行成像并比较(S40)，并且确定成像结果是否落在阈值范围内(S50)。结果，确定布置在沉积掩模20中的开口OP1和OP2是正常的还是有缺陷的。

布置在检查区域IA内的开口组GR1至GR6由视觉单元120成像，以彼此比较。可以通过将通过对开口组GR1至GR6成像而获得的图像彼此比较，来执行开口组GR1至GR6的比较。通过比较开口组GR1至GR6的面积，可以识别出开口组GR1至GR6中包括有缺陷的开口的开口组。

在视觉单元120利用CCD传感器捕获开口组GR1至GR6的图像的情况下，CCD传感器的像素可以布置在捕获的图像上的开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2内。视觉单元120的CCD传感器的像素可以以规则的间隔布置，使得可以使用布置在开口OP1和OP2中的CCD传感器的像素的数量来比较开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的面积。

CCD传感器的像素可以定位在各个开口OP1和OP2的第一侧端BE1和BE2和/或各个开口OP1和OP2的第二侧端UE1和UE2。即，当确定开口OP1和OP2是否有缺陷时，CCD传感器的定位在各个开口OP1和OP2的第一侧端BE1和BE2的像素和CCD传感器的定位在各个开口OP1和OP2的第二侧端UE1和UE2的像素中的至少一个可以用作缺陷确定标准。

在布置在检查区域IA内的各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2中，合格开口OP1和OP2可以包括CCD传感器的其数量落入特定范围(例如，预定范围)内的像素，而有缺陷的开口OP1和OP2可以包括CCD传感器的其数量落在该特定范围(例如，该预定范围)之外的像素。即，可以按开口组来比较布置在检查区域IA内的各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2，以将包括CCD传感器的其数量落入该特定范围(例如，该预定范围)内的像素的开口OP1和OP2确定为合格(正常)，并且将包括CCD传感器的其数量落在该特定范围(例如，该预定范围)之外的像素的开口OP1和OP2确定为是有缺陷的。

也可以通过比较各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的形状，识别出开口组GR1至GR6中包括有缺陷的开口的开口组。

可以根据布置在检查区域IA内的各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2中的开口OP1和OP2的边缘形状来布置CCD传感器的像素。基于CCD传感器的布置在每个边缘上的像素的数量，可以将各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的边缘的长度彼此比较，并且将各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的形状彼此比较。开口OP1和OP2的边缘可以与开口OP1和OP2的第一侧端BE1和BE2和/或第二侧端UE1和UE2中的至少一个相对应。

例如，可以将各个开口组GR1至GR6的第一开口OP1和第二开口OP2在第一方向DR1上延伸的边缘的长度、其在第二方向DR2上延伸的边缘的长度和/或其在相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的方向上延伸的边缘的长度彼此比较。可以基于长度等将各个开口组GR1至GR6的第一开口OP1和第二开口OP2的形状彼此比较。

即，可以通过在开口组GR1至GR6之间，将检查区域IA中的各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的形状彼此比较，来确定开口OP1和OP2是否有缺陷。在这种情况下，可以将具有落入阈值范围内的形状的开口OP1和OP2确定为是合格的(正常的)，并且将具有落在阈值范围之外的形状的开口OP1和OP2确定为是有缺陷的。

在实施例中，可以考虑开口组GR1至GR6中的一些开口组在水平方向上被旋转，将各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2彼此比较。例如，开口组GR1至GR6中的一些开口组GR2和GR5与其余的开口组GR1、GR3、GR4和GR6相比，可能布置为处于在水平方向上旋转180度的状态，并且，在比较各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的情况下，可以考虑开口组GR2和GR5在水平方向上的180度旋转来执行开口OP1和OP2的比较。即，可以在开口组GR2和GR5在旋转方向的反方向上旋转180度的状态下，将各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2彼此比较。以这种方式，即使开口组GR1至GR6中的一些开口组在水平方向上被旋转了特定角度(例如，预定角度)，也可以更准确地确定各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2是否有缺陷。

在实施例中，在比较各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的面积和/或形状的情况下，首先，检查员可以利用裸眼、基于由视觉单元120捕获的图像，来将各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的面积和/或形状彼此比较。可以基于比较的结果来进行缺陷确定。即，检查员可以首先利用裸眼检查相邻的开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2中具有与其他开口不同的面积和/或形状的有缺陷的开口。然而，本公开不限于此，并且在实施例中，可以省略利用检查员的裸眼进行的缺陷产品检测过程。

尽管上面描述针对首先在任务S30处对形状不同的开口OP1和OP2进行分组并且在任务S40处对各组进行成像和比较的情况，但是顺序不限于此，并且可以首先在任务S40处捕获检查区域IA的图像、在任务S30处将捕获的图像上的形状不同的开口OP1和OP2分组、在任务S50处比较它们并且进行缺陷确定。

尽管已经描述了将检查区域IA内的各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2彼此比较以进行有缺陷开口确定，但是本公开不限于此。可以以这样的方式来进行有缺陷开口确定：将各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2与基于在形成沉积掩模20中使用的计划数据而生成的参考图像进行比较。在这种情况下，掩模检查方法可以进一步包括获取参考图像的步骤，并且各个开口组GR1至GR6的开口OP1和OP2的布置(或部署)可以与参考图像中包括的开口的布置(或部署)基本相同。

本文中，将描述一些其他示例实施例。在以下实施例中，与上述实施例的部件相同的部件的描述可能被省略或简化，并且将主要描述不同之处。

图8是示意性地示出根据另一实施例的掩模检查方法的平面图。

参考图8，根据另一实施例的掩模检查方法与图7的实施例的掩模检查方法不同之处在于，开口组GR1_1、GR2_1、GR3_1、GR4_1、GR5_1和GR6_1中的每一个均包括形状不同的三个开口OP1_1、OP2_1和OP3_1。

更详细地，根据实施例的沉积掩模20_1可以包括检查区域，并且多个开口组GR1_1、GR2_1、GR3_1、GR4_1、GR5_1和GR6_1可以布置在检查区域中。开口组GR1_1、GR2_1、GR3_1、GR4_1、GR5_1和GR6_1可以均包括形状不同的三个开口OP1_1、OP2_1和OP3_1。

在实施例中，开口组GR1_1、GR2_1、GR3_1、GR4_1、GR5_1和GR6_1可以重复地布置在检查区域的外部以及内部，并且各个开口组GR1_1、GR2_1、GR3_1、GR4_1、GR5_1和GR6_1的开口OP1_1、OP2_1和OP3_1可以重复地布置。开口OP1_1、OP2_1和OP3_1可以彼此邻近设置。

即使在这种情况下，尽管布置在沉积掩模20_1中的开口OP1_1、OP2_1和OP3_1在平面图中形状不同，也可以检查沉积掩模20_1的任何缺陷。

图9是示出根据另一实施例的显示装置的像素布置的示意性布局图。图9示出了可以利用图8的沉积掩模20_1制造的显示装置400_1的示例。

参考图9，显示装置400_1可以包括多个像素PX(例如像素PX1_1、PX2_1、PX3_1、PX4_1、PX5_1和PX6_1)。像素PX代表用于显示的最小重复单位。为了实现全色显示，每个像素PX可以包括发射不同颜色的多个子像素PXS1、PXS2和PXS3。在实施例中，例如，每个像素PX可以包括负责红光发射的第一子像素PXS1、负责绿光发射的第二子像素PXS2和负责蓝光发射的第三子像素PXS3。在实施例中，每个像素PX可以被提供有一个第一子像素PXS1、一个第二子像素PXS2和一个第三子像素PXS3。在平面图中，第一子像素PXS1、第二子像素PXS2和第三子像素PXS3的形状可以不同。即使在这种情况下，也可以一次沉积公共地布置在子像素PXS1、PXS2和PXS3的发光元件EMD(参见图5)上的公共层。

图10是示意性地示出根据另一实施例的掩模检查方法的平面图。

参考图10，根据另一实施例的掩模检查方法与根据图7的实施例的掩模检查方法的不同之处在于，开口组GR1_2、GR2_2和GR3_2中的每一个包括属于不同区域的开口OP1_2、OP2_2、OP4_2和OP5_2。

更详细地，根据本实施例的沉积掩模20_2可以包括开口布置图案不同的两个区域AR1_2和AR2_2。第一区域AR1_2可以包括第一至第三开口OP1_2、OP2_2和OP3_2，并且在平面图中，第一至第三开口OP1_2、OP2_2和OP3_2的形状可以不同。第二区域AR2_2可以包括第四至第六开口OP4_2、OP5_2和OP6_2，并且在平面图中，第四至第六开口OP4_2、OP5_2和OP6_2的形状和/或尺寸可以不同。另外，第一至第三开口OP1_2、OP2_2和OP3_2以及第四至第六开口OP4_2、OP5_2和OP6_2的形状和/或尺寸可以不同。

第一区域AR1_2中的第一至第三开口OP1_2、OP2_2和OP3_2的布置图案与第二区域AR2_2中的第四至第六开口OP4_2、OP5_2和OP6_2的布置图案可以彼此不同。另外，尽管将在稍后描述，但是第一区域AR1_2中的第一至第三开口OP1_2、OP2_2和OP3_2的功能可以与第二区域AR2_2中的相应的第四至第六开口OP4_2、OP5_2和OP6_2的功能基本相同。即，形状和/或大小不同的第一区域AR1_2的第一开口OP1_2和第二区域AR2_2的第四开口OP4_2可以用于形成发射相同颜色(例如，红色)光的像素。形状和/或尺寸不同的第一区域AR1_2的第二开口OP2_2和第二区域AR2_2的第五开口OP5_2可以用于形成发射相同颜色(例如，蓝色)光的像素。形状和/或尺寸不同的第一区域AR1_2的第三开口OP3_2和第二区域AR2_2的第六开口OP6_2可以用于形成发射相同颜色(例如，绿色)光的像素。

在第一区域AR1_2与第二区域AR2_2之间的边界周围，开口组GR1_2、GR2_2和GR3_2可以各自包括第一至第三开口OP1_2、OP2_2和OP3_2中的至少一个以及第四至第六开口OP4_2、OP5_2和OP6_2中的至少一个。例如，在该边界周围，开口组GR1_2、GR2_2和GR3_2可以各自包括第一区域AR1_2的第一开口OP1_2和第二开口OP2_2以及第二区域AR2_2的第四开口OP4_2和第五开口OP5_2。

在这种情况下，可以通过将开口组GR1_2、GR2_2和GR3_2彼此比较，来检查开口组GR1_2、GR2_2和GR3_2中的每一个中包括的开口OP1_2、OP2_2、OP4_2和OP5_2的任何缺陷。另外，可以在上述检查之前或之后，分别执行对第一区域AR1_2的第一至第三开口OP1_2、OP2_2和OP3_2的检查以及对第二区域AR2_2的第四至第六开口OP4_2、OP5_2和OP6_2的检查。在实施例中，可以通过应用相同的上述检查方法来执行第一区域AR1_2中的检查和第二区域AR2_2中的检查。

因为作为最小掩模检查单元的开口组GR1_2、GR2_2、GR3_2中的每一个在区域AR1_2与AR2_2之间的边界周围包括各个区域AR1_2和AR2_2中包括的开口OP1_2、OP2_2、OP3_2、OP4_2、OP5_2和OP6_2的至少一部分，所以即使沉积掩模20_2包括具有不同开口布置图案的多个区域AR1_2和AR2_2，也可以更精确地检查沉积掩模20_2的任何缺陷。即，在检查第一区域AR1_2和检查第二区域AR2_2期间，即使与第一区域AR1_2和第二区域AR2_2之间的边界邻近的一些开口OP1_2、OP2_2、OP4_2和OP5_2不属于任一组，也可以使用上述方法检查它们的任何缺陷。

在这种情况下，即使布置在沉积掩模20_2中的开口OP1_2、OP2_2、OP3_2、OP4_2、OP5_2和OP6_2在平面图中的形状不同并且属于两个不同的区域AR1_2和AR2_2，也可以检查沉积掩模20_2的任何缺陷。

图11是示出根据另一实施例的显示装置的像素布置的示意性布局图。图11示出了可以利用图10的沉积掩模20_2制造的显示装置400_2的示例。

参考图11，显示装置400_2可以取决于是否包括透光部分TA而被划分为第一显示区域和第二显示区域。例如，显示装置400_2可以包括作为第一显示区域的专用显示区域DPA_D和作为第二显示区域的透光显示区域DPA_T。专用显示区域DPA_D可以与图10的第一区域AR1_2相对应，并且透光显示区域DPA_T可以与图10的第二区域AR2_2相对应。

专用显示区域DPA_D和透光显示区域DPA_T包括包含相应发射区域的多个像素PX_R、PX_B和PX_G，并且通过像素PX_R、PX_B和PX_G的发射区域的发光来显示图像。除了包括发射区域的像素PX_R、PX_B和PX_G之外，透光显示区域DPA_T还包括多个透光部分TA。专用显示区域DPA_D不包括透光部分TA。透光显示区域DPA_T的透光部分TA是自身不发光并且允许光在厚度方向上从其穿过的区域。

透光显示区域DPA_T的透光部分TA可以用于各种目的中的任何一种。在实施例中，透光显示区域DPA_T的透光部分TA可以用作用于光感测的通道，但是不限于此。在实施例中，尽管未示出，但是光感测构件(未示出)可以布置在透光部分TA的下方。光感测构件(未示出)可以是接收光以获取信息或执行特定功能的器件。光感测构件的示例可以包括包含光电转换元件的照相机、红外接近传感器、虹膜识别传感器和指纹传感器。在实施例中，在显示视频或图像的状态下，透光显示区域DPA_T可以用作来自外部的光到达光感测构件(未示出)的通道。

图12是示意性地示出根据另一实施例的掩模检查设备的侧视图；并且，图13是示出根据另一实施例的掩模检查方法的流程图。

参考图12和图13，根据另一实施例的掩模检查设备10_3与根据图1的实施例的掩模检查设备10的不同之处在于，进一步包括异物检测单元143_3，并且根据该实施例的掩模检查方法与根据图6和图7的实施例的掩模检查方法的不同之处在于，进一步包括确定是否存在异物的任务S60_3。

更详细地，根据实施例的掩模检查设备10_3可以进一步包括用于确定在沉积掩模20上是否有异物的异物检测单元143_3。可以由控制器140_3确定是否有异物，并且控制器140_3可以进一步包括异物检测单元143_3。

确定是否有异物的任务S60_3可以在对开口组GR1至GR6(参见图7)进行成像并比较的任务S40后面。也可以基于由视觉单元120成像的开口组GR1至GR6(参见图7)的图像信息来确定是否有异物。尽管不限于以下，但是可以考虑各个开口组GR1至GR6中的光反射率、表面粗糙度或形状来确定是否有异物。

在确定是否有异物的任务S60_3处，如果确定有异物，则可以去除异物(S61_3)。作为去除异物的方法，可以例如通过清洗来去除异物，不过不限于此。在任务S61_3处去除异物之后，可以再次执行对开口组GR1至GR6(参见图7)的成像和比较(S40)。

在确定是否有异物的任务S60_3处，如果确定没有异物，则确定开口组GR1至GR6(参见图7)中的每一个的成像结果是否在阈值范围内(S50)。

即使在这种情况下，即使布置在沉积掩模20中的开口OP1和OP2(参见图7)在平面图中的形状不同，也可以检查沉积掩模20的任何缺陷。另外，对任何异物的进一步检查可以减少沉积掩模20上的缺陷。

尽管本文已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将理解，在不实质上脱离本公开的原理的情况下，可以对示例实施例进行许多变化和修改。因此，以一般性和描述性的意义而不是出于限制的目的，提供了所公开的本发明的实施例。

Claims

1.一种掩模检查方法，包括：

提供包括多个第一开口和多个第二开口的沉积掩模，所述多个第一开口中的每一个具有在平面图中不同于所述多个第二开口中的每一个的形状的形状；

指定第一组和第二组，每一组包括所述多个第一开口中的至少一个和所述多个第二开口中的至少一个；

比较所述第一组的图像与所述第二组的图像；以及

基于比较所述第一组的所述图像与所述第二组的所述图像的结果，确定所述第一组和所述第二组是否有缺陷，

其中，所述第一组中的所述第一开口和所述第二开口的布置与所述第二组中的所述第一开口和所述第二开口的布置相同。

2.根据权利要求1所述的掩模检查方法，其中，所述第一组的所述图像与所述第二组的所述图像的所述比较包括：比较所述第一组的面积与所述第二组的面积。

3.根据权利要求2所述的掩模检查方法，进一步包括：在所述第一组的所述图像与所述第二组的所述图像的所述比较之前，通过使用视觉单元对所述第一组和所述第二组进行成像，以获取所述第一组的所述图像和所述第二组的所述图像，所述视觉单元包括电荷耦合器件传感器，所述电荷耦合器件传感器包括多个像素。

4.根据权利要求3所述的掩模检查方法，其中，所述第一组的所述面积与所述第二组的所述面积的所述比较包括：将所述电荷耦合器件传感器的所述多个像素中的布置在所述第一组内的一部分像素的数量与所述电荷耦合器件传感器的所述多个像素中的布置在所述第二组内的另一部分像素的数量进行比较。

5.根据权利要求1所述的掩模检查方法，其中，所述第一组的所述图像与所述第二组的所述图像的所述比较包括：比较所述第一组的形状与所述第二组的形状。

6.根据权利要求5所述的掩模检查方法，进一步包括：通过使用视觉单元对所述第一组和所述第二组进行成像，所述视觉单元包括电荷耦合器件传感器，所述电荷耦合器件传感器包括多个像素，

其中，所述第一组的所述形状与所述第二组的所述形状的所述比较包括：将所述电荷耦合器件传感器的所述多个像素中的布置在所述第一组内的一部分像素的形状与所述电荷耦合器件传感器的所述多个像素中的布置在所述第二组内的另一部分像素的形状进行比较。

7.根据权利要求6所述的掩模检查方法，其中，所述第一组的所述图像与所述第二组的所述图像的所述比较进一步包括：在水平方向上旋转所述第一组的所述图像和所述第二组的所述图像中的任何一个。

8.根据权利要求5所述的掩模检查方法，其中，所述第一组的所述图像与所述第二组的所述图像的所述比较进一步包括：利用检查员的裸眼进行比较。

9.一种掩模检查方法，包括：

准备包括所述多个第一开口中的第一开口和所述多个第二开口中的第二开口的参考图像；

指定多个组，每一组包括所述多个第一开口中的第一开口和所述多个第二开口中的第二开口；

比较所述多个组中的组的图像与所述参考图像；以及

基于比较所述组的所述图像与所述参考图像的结果确定所述组是否有缺陷，

其中，所述组中的所述第一开口和所述第二开口的布置与所述参考图像中的所述第一开口和所述第二开口的布置相同。

10.根据权利要求9所述的掩模检查方法，其中，所述组的所述图像与所述参考图像的所述比较包括：将所述组中的所述第一开口和所述第二开口的面积与所述参考图像中的所述第一开口和所述第二开口的面积进行比较。

11.根据权利要求9所述的掩模检查方法，其中，所述组的所述图像与所述参考图像的所述比较包括：将所述组中的所述第一开口和所述第二开口的形状与所述参考图像中的所述第一开口和所述第二开口的形状进行比较。

12.根据权利要求11所述的掩模检查方法，其中，所述组的所述图像与所述参考图像的所述比较进一步包括：利用检查员的裸眼进行比较。

13.一种用于检查沉积掩模的掩模检查设备，所述沉积掩模包括多个第一开口和多个第二开口，所述多个第二开口中的每一个具有在平面图中不同于所述多个第一开口中的每一个的形状的形状，所述掩模检查设备包括：

被配置为支撑所述沉积掩模的支撑台；

视觉单元，与所述支撑台间隔开并且被配置为捕获所述沉积掩模的图像；以及

控制器，被配置为基于由所述视觉单元捕获的所述图像来确定所述多个第一开口和所述多个第二开口是否有缺陷，

其中，所述控制器指定第一组和第二组，每一组包括所述多个第一开口中的至少一个和所述多个第二开口中的至少一个，并且所述控制器比较通过对所述第一组进行成像而获得的第一图像与通过对所述第二组进行成像而获得的第二图像。

14.根据权利要求13所述的掩模检查设备，其中，所述控制器包括被配置为比较所述第一组的面积与所述第二组的面积的比较单元。

15.根据权利要求14所述的掩模检查设备，其中，所述视觉单元包括：

光照射构件，被配置为朝所述沉积掩模发射光；以及

光接收构件，被配置为接收从所述光照射构件发射的所述光的至少一部分并且包括电荷耦合器件传感器，所述电荷耦合器件传感器包括多个像素。

16.根据权利要求15所述的掩模检查设备，其中，所述比较单元将所述电荷耦合器件传感器的所述多个像素中的布置在所述第一组内的一部分像素的数量与所述电荷耦合器件传感器的所述多个像素中的布置在所述第二组内的另一部分像素的数量进行比较。

17.根据权利要求14所述的掩模检查设备，其中，所述比较单元将所述第一组在所述平面图中的形状与所述第二组在所述平面图中的形状进行比较。

18.根据权利要求13所述的掩模检查设备，其中，所述控制器进一步包括被配置为确定所述沉积掩模上是否有异物的异物检测单元。

19.根据权利要求13所述的掩模检查设备，进一步包括：

输出单元，被配置为输出由所述控制器进行的缺陷确定的信息。

20.根据权利要求19所述的掩模检查设备，进一步包括：

数据处理单元，被配置为处理由所述视觉单元捕获的所述图像的信息并且将处理后的所述信息提供给所述控制器。