KR20200119581A - 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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박상무
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Abstract

본 개시에서는 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 개시의 디스플레이 패널의 제조 방법은 구동 회로를 기판 상에 형성하는 단계, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 전극을 구동 회로 상에 형성하는 단계, 서브 픽셀을 구성하는 제1 마이크로 LED를 제1 영역에 실장하는 단계, 제2 영역 상에 외광을 흡수하기 위한 흡수층을 형성하는 단계 및 서브 픽셀이 불량이면 흡수층을 제거하고, 제2 마이크로 LED를 제2 영역에 실장하는 단계를 포함한다.

Description

디스플레이 패널 및 그의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}
본 개시는 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불량 픽셀을 보상하기 위한 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode)는 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자로서, 일반 조명 장치뿐만 아니라 영상을 표시하기 위한 디스플레이 패널의 광원으로 널리 이용되고 있다. 최근에는, 마이크로 LED(Micro LED; μ-LED)를 광원으로 이용하는 디스플레이 패널이 개발되고 있다.
마이크로 LED는 가로, 세로 및 높이가 각각 1~100 마이크로미터(㎛) 크기의 반도체 발광 소자를 지칭할 수 있다. 여기서, 마이크로 LED는 무기물을 이용하여 발광한다는 점에서 화면 번짐(burn-in) 현상이 적고 수명이 길며, 모듈 단위의 타일링 배열을 통한 대형화 또는 사용자 맞춤형 크기의 디스플레이 패널로 제작하기에 용이하고, 짧은 전류 통로로 인해 발열이 적고 저전력으로 구동될 수 있다는 등의 장점이 있다.
또한, 마이크로 LED는 초소형의 자발광 소자라는 점에서 영상을 구성하는 픽셀(Pixel) 단위(또는 픽셀을 구성하는 서브 픽셀(Sub Pixel) 단위)로서 개별적으로 구동될 수 있다. 이를 위해, 고해상도의 디스플레이 패널에서는 마이크로 LED의 크기가 소형화되고 마이크로 LED 사이의 거리 (즉, 피치(pitch))가 감소될 것이 요구된다. 예를 들어, UHD 규격(3840x2160의 픽셀 수)의 디스플레이 패널의 경우 약 2500만개의 마이크로 LED가 요구될 수 있다.
이를 위해, 디스플레이 패널의 기판에는 전사 및 본딩 과정을 통해 마이크로 LED가 실장될 수 있는데, 이때 소자 자체의 결함이나 전사 및 본딩시 발생되는 공정상 결함 등이 존재할 수 있다. 이와 같은 결함을 갖는 디스플레이 패널은 RGB 서브 픽셀 모두가 형성되지 않아 픽셀이 검은색으로 표시되는 데드 픽셀(Dead Pixel), RGB 서브 픽셀 모두가 형성되어 픽셀이 흰색으로 표시되는 핫 픽셀(Hot Pixel), RGB 서브 픽셀 중 하나 또는 두 개가 구동되지 않아 픽셀이 특정한 색상으로 표시되는 스턱 픽셀(Stuck Pixel) 등과 같은 불량 픽셀(Defective Pixel/Missing Pixel)이 형성될 수 있다는 문제가 있다.
이를 해결하기 위한 방법으로 불량 픽셀이 존재하는 경우, 불량 픽셀을 형성하는 마이크로 LED를 제거하고, 마이크로 LED가 제거된 위치에 다시 새로운 마이크로 LED를 실장 할 수 있다.
다만, 마이크로 LED를 제거하는 과정에서 기판의 손상이 발생하거나, 전극 패드에 이물이 잔존하여 접촉 불량이 발생하거나 Turn-on 수율이 낮아질 수 있다는 문제가 있으며, 새로운 마이크로 LED를 실장하더라도 전극 패드의 일부분이 노출되어 외광 반사로 인한 명암비 저하가 발생하거나 ESD 문제가 발생할 수 있다는 문제가 있다.
본 개시는 상술한 필요성에 의해 안출된 것으로, 본 개시의 목적은 불량 픽셀을 보상하기 위한 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널의 제조 방법은, 구동 회로를 기판 상에 형성하는 단계, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 전극을 구동 회로 상에 형성하는 단계, 서브 픽셀을 구성하는 제1 마이크로 LED를 제1 영역에 실장하는 단계, 제2 영역 상에 외광을 흡수하기 위한 흡수층을 형성하는 단계 및 서브 픽셀이 불량이면 흡수층을 제거하고, 제2 마이크로 LED를 제2 영역에 실장하는 단계를 포함한다.
여기서, 본 개시의 제조 방법은 제1 마이크로 LED를 제거하는 단계 및 제1 마이크로 LED의 제거에 따라 노출된 제1 영역 상에 흡수층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 제2 마이크로 LED는 제1 마이크로 LED와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED일 수 있다.
한편, 전극의 사이즈는 제1 마이크로 LED의 사이즈보다 크며, 제1 영역 및 제2 영역은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 전극은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극은 제1 영역 및 제2 영역에 걸쳐 배치될 수 있다.
여기에서, 제1 전극은 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고, 제2 전극은 제1 전극과 인접하여 배치될 수 있다.
한편, 제1 전극 및 제2 전극은 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 연결되는 복수의 전극과 서로 나란하게 배치될 수 있다.
한편, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널의 제조 방법은, 구동 회로를 기판 상에 형성하는 단계, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 전극을 구동 회로 상에 형성하는 단계, 서브 픽셀을 구성하는 제1 마이크로 LED를 제1 영역에 실장하는 단계, 서브 픽셀이 불량이면 제2 마이크로 LED를 제2 영역에 실장하는 단계 및 전극에서 제1 마이크로 LED 및 제2 마이크로 LED가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 외광을 흡수하기 위한 흡수층을 형성하는 단계를 포함한다.
여기에서, 제2 마이크로 LED는, 제1 마이크로 LED와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED일 수 있다.
한편, 전극의 사이즈는 제1 마이크로 LED의 사이즈보다 크며, 제1 영역 및 제2 영역은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 전극은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극은 제1 영역 및 제2 영역에 걸쳐 배치될 수 있다.
여기에서, 제1 전극은 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고, 제2 전극은 제1 전극과 인접하여 배치될 수 있다.
한편, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널은, 구동 회로, 구동 회로 상에 형성되며 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 전극, 제1 영역에 실장된 제1 마이크로 LED, 제2 영역에 실장된 제2 마이크로 LED 및 전극에서 제1 마이크로 LED 및 제2 마이크로 LED가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 형성되며, 외광을 흡수하기 위한 흡수층을 포함하며, 복수의 픽셀 중 픽셀은 복수의 서브 픽셀을 포함하고, 제2 마이크로 LED는 복수의 서브 픽셀 중에서 제1 마이크로 LED에 의해 구성된 서브 픽셀이 불량인 경우 제2 영역에 실장되며, 나머지 서브 픽셀과 함께 픽셀을 구성한다.
여기에서, 제2 마이크로 LED는 제1 마이크로 LED에 의해 구성된 서브 픽셀을 대체하여 나머지 서브 픽셀과 함께 픽셀을 구성할 수 있다.
한편, 구동 회로는 나머지 서브 픽셀에 대응되는 복수의 마이크로 LED 및 제2 마이크로 LED를 각각 제어하는 복수의 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
한편, 제2 마이크로 LED는 제1 마이크로 LED와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED일 수 있다.
한편, 전극의 사이즈는 제1 마이크로 LED의 사이즈보다 크며, 제1 영역 및 제2 영역은, 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 전극은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극은, 제1 영역 및 제2 영역에 걸쳐 배치될 수 있다.
여기에서, 제1 전극은 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고, 제2 전극은 제1 전극과 인접하여 배치될 수 있다.
한편, 제1 전극 및 제2 전극은 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 연결되는 복수의 전극과 서로 나란하게 배치될 수 있다.
이상과 같은 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 불량 픽셀을 보상하기 위한 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 불량 픽셀을 보상하면서도 전극의 노출을 최소화하여 명암비가 향상된 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 불량 픽셀을 보상하면서도 전극의 노출을 최소화하여 ESD(Electro-Static Discharge) 발생을 저감할 수 있는 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 1b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 보다 상세하게 설명하기 위한 평면도이다.
도 1c는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 보다 상세하게 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 서브 픽셀을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 서브 픽셀을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3c는 본 개시의 일 실시 예에 따른 픽셀을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 6b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 개시의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 8b는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9a는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9b는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 불량인 픽셀을 보상하여 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10a는 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전극 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10b는 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전극 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 덧붙여, 하기 실시 예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 개시의 기술적 사상의 범위가 하기 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시 예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 개시의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 개시에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 개시의 실시 예의 다양한 변경(modifications), 균등물(equivalents), 및/또는 대체물(alternatives)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
본 개시에서 사용된 "제1," "제2," "첫째," 또는 "둘째,"등의 표현들은 다양한 구성요소들을, 순서 및/또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 상기 구성요소들을 한정하지 않는다.
본 개시에서, "A 또는 B," "A 또는/및 B 중 적어도 하나," 또는 "A 또는/및 B 중 하나 또는 그 이상"등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. 예를 들면, "A 또는 B," "A 및 B 중 적어도 하나," 또는 "A 또는 B 중 적어도 하나"는, (1) 적어도 하나의 A를 포함, (2) 적어도 하나의 B를 포함, 또는 (3) 적어도 하나의 A 및 적어도 하나의 B 모두를 포함하는 경우를 모두 지칭할 수 있다.
본 개시에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구성되다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
어떤 구성요소(예: 제1 구성요소)가 다른 구성요소(예: 제2 구성요소)에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어((operatively or communicatively) coupled with/to)" 있다거나 "접속되어(connected to)" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소(예: 제1 구성요소)가 다른 구성요소(예: 제2 구성요소)에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소와 상기 다른 구성요소 사이에 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다.
본 개시에서 사용된 표현 "~하도록 구성된(또는 설정된)(configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, "~에 적합한(suitable for)," "~하는 능력을 가지는(having the capacity to)," "~하도록 설계된(designed to)," "~하도록 변경된(adapted to)," "~하도록 만들어진(made to)," 또는 "~를 할 수 있는(capable of)"과 바꾸어 사용될 수 있다. 용어 "~하도록 구성된(또는 설정된)"은 하드웨어적으로 "특별히 설계된(specifically designed to)" 것만을 반드시 의미하지 않을 수 있다. 대신, 어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다. 예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 구성된(또는 설정된) 프로세서"는 상기 동작을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램들을 실행함으로써, 상기 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(generic-purpose processor)(예: CPU 또는 application processor)를 의미할 수 있다.
이하에서는, 첨부된 도면을 이용하여 본 개시의 다양한 실시 예들에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 1a 및 도 1b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 1a를 참조하면, 디스플레이 패널(1)은 회로 기판(10) 및 복수의 픽셀(30)을 포함할 수 있다. 여기서 픽셀(30)은 디스플레이 패널(1)의 광원(가령, 마이크로 LED)이 발광하여 광원에서 방출된 빛을 통해 이미지를 시각적으로 표시하는 경우에 이미지를 구성하는 최소 단위를 지칭할 수 있다. 또한, 픽셀(30)은 복수의 픽셀 중 이와 다른 픽셀과 동일한 구조와 기능을 갖는다는 점에서, 픽셀(30)에 대한 설명이 다른 픽셀에도 동일하게 적용될 수 있다.
디스플레이 패널(1)은 하나의 디스플레이 장치로서 하나의 이미지를 표시하도록 동작할 수 있다. 다만 이는 일 실시 예일 뿐이며, 디스플레이 패널(1)은 복수의 디스플레이 패널 중 하나로서 다른 디스플레이 패널과 서로 연결되어 하나의 이미지를 표시하도록 동작할 수도 있다.
회로 기판(10)은 기판(110, 도 1c 참조) 및 구동 회로(120, 도 1c 참조)를 포함할 수 있으며, 마이크로 LED가 실장되는 공간을 제공할 수 있다. 회로 기판(10)은 구동 회로(120)의 구동 신호에 따라 마이크로 LED를 전기적으로 동작시키기 위해, 구동 회로(120)와 마이크로 LED를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
회로 기판(10)은 가로 및 세로에 비해 높이가 작은 판의 형태로 구현될 수 있으며, 투명한 성질이나 휠 수 있는 성질 등의 다양한 성질을 갖는 재질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(10)은 PI(Polyimide), PET, metal foil, PVC, PMMA 등으로 이루어진 1mm 이하 두께를 가지는 물질로 구성될 수 있다.
픽셀(30)은 회로 기판(10) 상부에 제1 방향(예: 가로) 및 제1 방향과 수직인 제2 방향(예: 세로)의 매트릭스 형태로 복수 개로 배열될 수 있다. 이 경우, 매트릭스는 행과 열의 개수가 동일하거나(예를 들어, M = N 인 경우 1 x 1, 2 x 2 배열 등, 여기서 M, N은 자연수), 행과 열의 개수가 다를 수도 있다(예를 들어, M ≠ N인 경우 2 x 3, 3 x 4 배열 등, 여기서 M, N은 자연수).
픽셀(30)은 복수의 서브 픽셀(40)을 포함할 수 있다. 이때, 복수의 서브 픽셀(40) 각각은 픽셀(30)을 구성하는 하위 단위로서, 마이크로 LED(미도시)로 구성될 수 있다. 예를 들어, 서브 픽셀(40)은 마이크로 LED에서 발광된 빛에 의해 형성될 수 있으며, 빛의 3원색(가령, 적색, 녹색, 청색) 중 하나로서 특정한 색상 및 밝기를 나타낼 수 있다.
여기에서, 마이크로 LED는 가로, 세로 및 높이가 각각 1 마이크로미터(㎛) 이상 100 마이크로미터 이하의 크기를 갖는 반도체 발광 소자를 지칭할 수 있다. 또한, 마이크로 LED는 하부 면에 전극(미도시)이 형성되는 플립칩(Flip-Chip) 구조로 구성될 수 있다.
마이크로 LED는 적색(R)의 빛을 발광하는 LED(이하 적색 LED), 녹색(G)의 빛의 발광하는 LED(이하 녹색 LED) 및 청색(B)의 빛을 발광하는 LED(이하 청색 LED) 중 하나일 수 있다. 이 경우, 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED 각각에서 발광된 빛의 조합에 의해 특정한 색상 및 밝기를 나타내는 하나의 픽셀(30)을 구성할 수 있다.
한편, 도 1 및 상술한 실시 예에서는 하나의 픽셀(30)이 3개의 서브 픽셀(40)로 구성되는 것으로 설명하였으나 이는 일 실시 예일 뿐이며, 다이아몬드 형태, 델타 형태, Stripe 형태, RGBW 형태, RGBY 형태, 펜타일 형태, Quad 형태, Mosaic 형태 등 다양한 형태의 레이아웃에 따라 서브 픽셀의 개수, 배치, 구조 및 색상 등은 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다. 이에 따라 서브 픽셀을 구성하는 마이크로 LED의 개수, 배치, 구조 및 색상 등 또한 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 본 개시의 마이크로 LED는 서브 픽셀(40)을 구성할 수 있으며, 예를 들어, 구동 회로(120)의 구동 신호에 따라 특정한 색상 및 밝기를 갖는 빛을 발광할 수 있다.
이를 위해, 마이크로 LED는 구동 회로(120)와 전기적으로 연결되도록 기판(110)에 형성된 구동 회로(120)의 전극(20, 도 1c 참조)에 실장될 수 있다.
이 경우, 마이크로 LED에는 에피 결함, 칩 제조시 발생하는 결함 등과 같이 소자 자체의 결함이 존재할 수 있으며, 또는 마이크로 LED를 구동 회로(120)의 전극(20) 상에 전사하고 본딩하는 등의 과정에서 발생되는 공정 오차에 따른 공정상 결함이 발생할 수 있다. 이와 같은 결함(예: 미실장(missing), 개방(open) 또는 단락(short) 등)으로 인해 마이크로 LED가 구성하는 서브 픽셀은 불량이 될 수 있다. 예를 들어, 서브 픽셀이 불량인 경우에 서브 픽셀은 항상 검은색으로만 표시될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널(1)은 마이크로 LED가 구성하는 서브 픽셀이 불량인 경우에 추가적인(또는 예비적인) 마이크로 LED를 구동 회로(120)의 전극(20)에 실장하여 정상적인 서브 픽셀을 구성할 수 있다.
이를 위해, 구동 회로(120)의 전극(20)은 동일한 색상의 빛을 발광하는 복수의 마이크로 LED가 실장될 수 있도록, 하나의 마이크로 LED 실장되는 경우보다 전극(20)의 크기가 확장될 수 있다. 이하에서는 우선적으로 실장되는 마이크로 LED를 제1 마이크로 LED(41, 도 1c 참조), 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀이 불량인 경우에 실장되는 마이크로 LED를 제2 마이크로 LED(42, 도 1c 참조)라 지칭하도록 한다. 여기서, 제2 마이크로 LED(42)는 제1 마이크로 LED(41)와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED일 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널(1)은 외광을 흡수하기 위한 흡수층(50)을 포함할 수 있다. 흡수층(50)은 외광을 흡수하기 위해 전극(20)에서 마이크로 LED가 실장된 영역을 제외한 특정 영역에 형성될 수 있다. 여기서, 특정 영역은 전극(20)에서 마이크로 LED가 실장되지 않은 영역을 지칭할 수 있다. 예를 들어, 특정 영역은 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및/또는 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 영역일 수 있다.
이상과 같은 본 개시의 다양한 실시 예에 따른, 디스플레이 패널(1)은 불량 픽셀을 보상하면서도 전극의 노출을 최소화하여 명암비를 향상시킬 수 있으며, ESD 발생을 저감할 수 있다.
이하에서는 도 1b 및 도 1c를 참조하여, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
도 1b 및 도 1c를 참조하여, 디스플레이 패널(1)은 구동 회로(120), 전극(20), 제1 마이크로 LED(41), 제2 마이크로 LED(42) 및 흡수층(50)을 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 패널(1)은 복수의 픽셀을 포함할 수 있으며, 복수의 픽셀 중 픽셀(30)은 복수의 서브 픽셀(40)을 포함할 수 있다. 즉, 복수의 픽셀 각각은 복수의 서브 픽셀(40)을 포함할 수 있다.
구동 회로(120)는 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 기판(110)은 회로 기판(10)의 기본 층을 구성하며, 가로 및 세로에 비해 높이가 작은 판의 형태로 구현될 수 있으며, 투명한 성질이나 휠 수 있는 성질 등의 다양한 성질을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 PI(Poly Imide), Glass, Film, PET, metal foil, PVC, PMMA 등으로 이루어진 1mm 이하 두께를 가지는 물질로 구성될 수 있다.
여기에서, 구동 회로(120)는 나머지 서브 픽셀에 대응되는 복수의 마이크로 LED 및 제2 마이크로 LED(42)를 각각 제어하는 복수의 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
구체적으로, 구동 회로(120)는 픽셀(30)을 구성하는 복수의 서브 픽셀(40) 중에서 서브 픽셀(예: R 서브 픽셀)에 대응되는 마이크로 LED(예: 적색 LED), 나머지 서브 픽셀(예: G 서브 픽셀, B 서브 픽셀)에 대응되는 복수의 마이크로 LED(녹색 LED, 청색 LED)를 각각 제어하는 구동 신호를 선택적으로 전달하기 위한 복수의 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 이때, 스위칭 소자는 예를 들어, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT, 미도시)로 구현될 수 있다.
이 경우, 구동 회로(120)는 복수의 마이크로 LED 각각에 대해 스위칭 소자를 통해 구동 신호를 선택적으로 전달할 수 있으며, 이에 따라 R 서브 픽셀, G 서브 픽셀, B 서브 픽셀은 개별적인 밝기로 표시될 수 있으며, 이들의 조합으로 인해 특정한 색상 및 밝기를 갖는 픽셀이 구성될 수 있다. 한편, 구동 회로(120)는 복수의 마이크로 LED를 각각 제어하는 서로 구분된 복수의 회로로 구현되는 것 또한 가능하다.
한편, 도 1c 등에서 도시된 구동 회로(120)는 내부에 형성된 회로 층이 다양한 형태로 변형될 수 있다는 점에서 개략적인 형태로 도시한 것일 뿐이며, 이와 같은 형태로 한정되어서는 안될 것이다.전극(20)은 구동 회로(120) 상에 형성되며, 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 영역(21)은 서브 픽셀(40)을 구성하는 제1 마이크로 LED(41)가 실장되는 영역이며, 제2 영역(22)은 서브 픽셀(40)이 불량인 경우 제2 마이크로 LED(42)가 실장될 영역일 수 있다.
구체적으로, 전극(20)은 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)를 구동 회로(120)와 전기적으로 연결시켜주기 위한 도전체로서, 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)에 전압을 인가하는 픽셀 전극(또는 구동 전극)을 지칭할 수 있다. 예를 들어, 전극(20)은 Cu, Au, Ag, ITO 등의 다양한 물질로 구현될 수 있다.
일 실시 예로서, 전극(20)은 제1 전극(210, 도 3a 참조) 및 제2 전극(220, 도 3a 참조)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 서로 전기적으로 분리되어 개별적인 전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(210)은 cathode 이고, 제2 전극(220)은 anode로 구성될 수 있다. 다만, 이는 일 실시 예일 뿐이며, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 이와 반대로 구성되는 것 또한 가능하다.
구체적으로, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)에 걸쳐 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 포함하는 영역에 일부분이 겹치도록 형성될 수 있다.
일 실시 예로서 도 3c를 참조하면, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 제1 마이크로 LED(41)와 픽셀(30)을 구성하는 다른 마이크로 LED와 연결되는 복수의 전극과 서로 나란하게 배치될 수 있다.
또한, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 기 설정된 간격을 갖도록 배치될 수 있으며, 예를 들어 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 상부에 장착되는 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)에 형성된 양 전극(또는 양 단자)의 길이보다 짧은 간격을 갖도록 배치되어 형성될 수 있다.
다른 실시 예로서 도 10a를 참조하면, 제1 전극(210)은 제1 마이크로 LED(41)와 픽셀(30)을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고, 제2 전극(220)은 제1 전극(210)과 인접하여 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(210)은 픽셀(30)을 구성하는 복수의 제1 마이크로 LED(41)의 일단을 공통으로 연결하도록 마련될 수 있으며, 제2 전극(220)은 각각의 서브 픽셀(40)에 대해서 개별적으로 마련될 수 있다. 이 경우, 복수의 제1 마이크로 LED(41) 일단에는 제1 전극(210)을 통해 전압이 동일하게 인가될 수 있다.
한편, 본 개시의 일 실시 예로서, 전극(20)의 사이즈는 제1 마이크로 LED(41)의 사이즈보다 크며, 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 사이즈는 동일한 방향(또는 동일한 축)에 따른 일 변의 길이를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 사이즈는 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 배치되는 방향에 따른 일 변의 길이를 지칭할 수 있다.
구체적으로, 도 1c를 참조하면, 전극(20)의 일 변의 길이(20W)는 제1 마이크로 LED(41)의 일 변의 길이(21W) 보다 클 수 있다. 예를 들어, 전극(20)의 일 변의 길이(20W)는 제1 마이크로 LED(41)의 일 변의 길이(21W) 및 제2 마이크로 LED(42)의 일 변의 길이(22W)에 대한 합 보다 클 수 있다. 여기서, 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 서로 동일한 사이즈를 갖는 경우를 가정하면, 전극(20)의 일 변의 길이(20W)는 제1 마이크로 LED(41)의 일 변의 길이(21W)에 대한 N 배수 보다 클 수 있다. (여기서, N은 자연수)
여기서, 본 개시의 일 실시 예로서, N 이 3인 경우를 가정하면, 도 10b에 도시된 바와 같이 디스플레이 패널(1)의 전극(20) 및 서브 픽셀(40)을 구현하는 것 또한 가능하다.
도 10b를 참조하여, 제1 및 제2 마이크로 LED(41, 42)가 모두 불량인 경우를 가정하면, 제3 마이크로 LED(43)를 전극(20)에 실장하여 정상적인 서브 픽셀을 구성할 수 있다. 이를 위해, 전극(20)은 제1 영역(21), 제2 영역(22) 및 제3 영역(23)을 포함할 수 있으며, 제1 내지 제3 영역(21, 22, 23)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 전극(20)의 사이즈는 제1 내지 제3 마이크로 LED(41, 42, 43)의 사이즈보다 크도록 형성될 수 있다.
이 경우, 제1 내지 제3 마이크로 LED(41, 42, 43) 각각은 제1 내지 제3 영역(21, 22, 23)에 실장될 수 있다. 예를 들어, 전극(20)의 제1 영역(21)에 실장된 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀이 불량인 경우에 제2 마이크로 LED(42)가 제2 영역(22)에 실장되고, 제2 마이크로 LED(42)가 구성하는 서브 픽셀이 불량인 경우에 제3 마이크로 LED(43)가 정상적인 서브 픽셀을 구성하도록 제3 영역(23)에 실장될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 마이크로 LED(41, 42, 43)는 모두 동일한 색상의 광을 방출하도록 설계된 발광 소자일 수 있다.
이와 같이, 픽셀(30)을 구성하는 마이크로 LED의 개수, 배치, 구조 등에 따라, 전극(20)의 크기, 배치 및 구조 등은 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
한편, 본 개시의 도 1c 등에서는 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)이 서로 동일한 형상 및 크기를 갖는 것으로 도시하였으나, 전극(20)의 제1 영역(21) 및 제2 영역(22) 서로가 다른 형상 및 크기를 갖도록 다양하게 변형되어 실시되는 것 또한 가능하다. 나아가, 전극(20)에서 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 제외한 나머지 부분 또한 다른 형상 및 크기를 갖도록 다양하게 변형되어 실시되는 것이 가능하다.
제1 마이크로 LED(41)는 제1 영역(21)에 실장될 수 있다. 제1 마이크로 LED(41)는 가로, 세로 및 높이가 각각 1 마이크로미터(㎛) 이상 100 마이크로미터 이하의 크기를 갖는 반도체 발광 소자로서, 하부 면에 전극(미도시)이 형성되는 플립칩(Flip-Chip) 구조로 구성될 수 있다.
제1 마이크로 LED(41)는 예를 들어, 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED 중 하나일 수 있다. 가령, 제1 마이크로 LED(41)가 적색 LED인 경우 녹색 LED 및 청색 LED와 함께 하나의 픽셀(30)을 구성할 수 있다. 제1 마이크로 LED(41)는 결함 없이 전극(20)에 실장된 경우에 구동 회로(120)의 구동 신호에 따라 특정한 색상 및 밝기를 갖는 빛을 발광할 수 있다.
한편, 제1 마이크로 LED(41)는 소자 자체의 결함이 존재하거나 제1 마이크로 LED(41)가 실장되는 과정에서 공정상 결함이 존재하는 경우에, 미실장(missing), 개방(open) 또는 단락(short) 등과 같은 결함으로 인해 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀(40)은 불량이 될 수 있다. 예를 들어, 이 경우, 서브 픽셀(40)은 항상 검은색으로만 표시될 수 있다.
제2 마이크로 LED(42)는 제2 영역(22)에 실장될 수 있다. 이때, 제2 마이크로 LED(42)는 제1 마이크로 LED(41)에 의해 구성된 서브 픽셀(40)이 불량인 경우 제2 영역(22)에 실장되며, 나머지 서브 픽셀과 함께 픽셀(30)을 구성할 수 있다.
여기에서, 제2 마이크로 LED(42)는 제1 마이크로 LED(41)에 의해 구성된 서브 픽셀(40)을 대체하여 나머지 서브 픽셀과 함께 픽셀을 구성할 수 있다.
이 경우, 제2 마이크로 LED(42)는 제1 마이크로 LED(41)와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED일 수 있다. 예를 들어, 제1 마이크로 LED(41)가 적색 LED인 경우, 제2 마이크로 LED(42)는 적색 LED일 수 있다.
흡수층(50)은 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 형성되며, 외광을 흡수하기 위한 구성이다.
구체적으로, 흡수층(50)은 빛을 흡수할 수 있으며, 예를 들어 검은색으로 시인될 수 있다. 예를 들어, 흡수층(50)은 블랙 매트릭스(Black Matrix; BM), 감광성 수지 조성물 또는 차폐용 블랙 안료를 포함하는 수지 조성물로 구성될 수 있다. 이때, 흡수층(50)은 정전기 방전(Electro-Static Discharge; ESD)이 발생되는 것을 방지하기 위해, 대전 방지제를 더 포함할 수 있다.
한편 일 실시 예로서, 도 1c에서 도시된 바와 달리, 흡수층(50)의 높이는 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)의 높이에 기초할 수 있다. 예를 들어, 흡수층(50)의 높이가 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)의 높이와 동일하거나, 0.5배 이상 및 1.5배 이하인 값이 되는 등과 같이, 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
나아가, 흡수층(50)은 회로 기판(10)에서 픽셀(30)이 형성된 영역(또는 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역)을 제외한 영역까지 형성되는 것 또한 가능하다. 즉, 흡수층(50)은 전극(20)의 특정 영역뿐만 아니라, 회로 기판(10)에서 전극(20) 외의 부분까지 형성될 수 있다.
이하에서는, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널(1)의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하여, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널(1)의 제조 방법은, 구동 회로(120)를 기판(110) 상에 형성하는 단계(S210), 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 포함하는 전극(20)을 구동 회로(120) 상에 형성하는 단계(S220), 서브 픽셀(40)을 구성하는 제1 마이크로 LED(41)를 제1 영역(21)에 실장하는 단계(S230), 제2 영역(22) 상에 외광을 흡수하기 위한 흡수층(50)을 형성하는 단계(S240) 및 서브 픽셀(40)이 불량이면 흡수층(50)을 제거하고, 제2 마이크로 LED(42)를 제2 영역(22)에 실장하는 단계(S250)를 포함할 수 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하여, 본 개시의 디스플레이 패널(1)의 제조 방법은 먼저 구동 회로(120)를 기판(110) 상에 형성할 수 있다(S210).
구체적으로, 구동 회로(120)는 예를 들어 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 공정과 같은 다양한 방식의 공정을 통해, 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 여기서, 기판(110)은 회로 기판(10)의 기본 층을 구성하며, 가로 및 세로에 비해 높이가 작은 판의 형태로 구현될 수 있으며, 투명한 성질이나 휠 수 있는 성질 등의 다양한 성질을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 PI(Poly Imide), Glass, Film, PET, metal foil, PVC, PMMA 등으로 이루어진 1mm 이하 두께를 가지는 물질로 구성될 수 있다.
예를 들어, 기판(110) 상에 화학적 증착을 이용해 a-Si을 증착한 후, 레이저를 이용한 결정화 과정(ELA)을 통해 a-Si을 Poly-Si로 변화시키며, 변화된 Poly-Si에 대해 포토 리소그래피를 통한 패턴을 형성하며, 패턴 상에 절연층 및 게이트를 형성한 후 게이트에 이온을 도핑하는 등의 과정을 통해 구동 회로(120)를 형성할 수 있다.
S210 단계 이후, 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 포함하는 전극(20)을 구동 회로(120) 상에 형성할 수 있다(S220). 이때, 제1 영역(21)은 서브 픽셀(40)을 구성하는 제1 마이크로 LED(41)가 실장되는 영역이며, 제2 영역(22)은 서브 픽셀(40)이 불량인 경우 제2 마이크로 LED(42)가 실장될 영역일 수 있다. 여기서, 전극(20)은 전극(20)과 연결되는 마이크로 LED에 의해 서브 픽셀이 구성된다는 점에서, 서브 픽셀(40)과 대응될 수 있다. 예를 들어, 전극(20)의 수는 서브 픽셀(40)의 수와 1:1 대응 관계를 가질 수 있다. 이 경우, 복수의 전극(20) 각각은 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 포함할 수 있다.
여기서, 전극(20)은 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 서로 전기적으로 분리되어 개별적인 전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(210)은 cathode 이고, 제2 전극(220)은 anode로 구성될 수 있다. 다만, 이는 일 실시 예일 뿐이며, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 이와 반대로 구성되는 것 또한 가능하다.
이를 위해, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 구동 회로(120) 상에 적층, 증착 등과 같은 다양한 방식에 따라 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)에 걸쳐 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 포함하는 영역에 일부분이 겹치도록 형성될 수 있다.
일 실시 예로서 도 3c를 참조하여, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 제1 마이크로 LED(41)와 픽셀(30)을 구성하는 다른 마이크로 LED와 연결되는 복수의 전극과 서로 나란하게 배치될 수 있다.
또한, 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 기 설정된 간격을 갖도록 배치될 수 있으며, 예를 들어 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)은 상부에 장착되는 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)에 형성된 양 전극(또는 양 단자)의 길이보다 짧은 간격을 갖도록 배치되어 형성될 수 있다.
다른 실시 예로서 도 10a를 참조하여, 제1 전극(210)은 제1 마이크로 LED(41)와 픽셀(30)을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고, 제2 전극(220)은 제1 전극(210)과 인접하여 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(210)은 픽셀(30)을 구성하는 복수의 제1 마이크로 LED(41)의 일단을 공통으로 연결하도록 마련될 수 있으며, 제2 전극(220)은 각각의 서브 픽셀(40)에 대해서 개별적으로 마련될 수 있다. 이 경우, 복수의 제1 마이크로 LED(41) 일단에는 제1 전극(210)을 통해 전압이 동일하게 인가될 수 있다.
한편, 본 개시의 일 실시 예로서 전극(20)의 사이즈는 제1 마이크로 LED(41)의 사이즈보다 크며, 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 동일한 전극(20) 내에 포함된 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)은 하나의 서브 픽셀을 구성하기 위한 것이라는 점에서, 서로 대응될 수 있다.
이와 같이, 전극(20)이 형성되는 방법은 서브 픽셀(40)의 수, 위치, 배열 및 색상 중 적어도 하나에 따라, 다양하게 변형되어 실시 될 수 있다.
S220 단계 이후, 서브 픽셀(40)을 구성하는 제1 마이크로 LED(41)를 제1 영역(21)에 실장할 수 있다(S230). 일 실시 예로서, 제1 마이크로 LED(41)는 하부에 모든 전극이 형성되는 플립칩 구조로 구성될 수 있다. 한편, 제1 마이크로 LED(41)는 복수의 마이크로 LED 중 하나일 수 있으며, 복수의 마이크로 LED는 복수의 마이크로 LED에 대응되는 각각의 제1 영역에 실장될 수 있다.
구체적으로, 전극(20)의 제1 영역(21)에 제1 본딩부(410)를 도포하고, 이후 제1 마이크로 LED(41)를 도포된 제1 본딩부(410) 상에 배치(또는 전사)할 수 있다. 예를 들어, 정전헤드(Electrostatic Head), X-Celeprint, Pick up Heads, Elastomer Transfer printing 방법 등을 이용하여, 제1 마이크로 LED(41)를 도포된 제1 본딩부(410) 상에 배치(또는 전사)할 수 있다.
여기서, 제1 본딩부(410)는 배치된 제1 마이크로 LED(41)를 고정하고, 구동 회로(120) 및 제1 마이크로 LED(41)을 전기적으로 연결시키기 위한 구성이다. 예를 들어, 제1 본딩부(410)는 구동 회로(120) 및 제1 마이크로 LED(41) 각각의 전극을 서로 연결시켜줄 수 있다. 이를 위해, 제1 본딩부(410)는 전도성 수지로 구현될 수 있으며, 고온 또는 저온의 열에 의해 경화되거나 소성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 본딩부(410)는 Al, Cu, Sn, Au, Zn, Pb 등의 금속 중 하나이거나 적어도 둘 이상의 혼합물 또는 합금이 0.1마이크로미터∼10마이크로미터 평균 입경을 갖는 분말과, 점착성을 갖는 페이스트(paste) 또는 바인더 수지가 혼합된 재질로 구현될 수 있다.
이 경우, 리플로우(reflow) 공정, 열 압착(thermocompression) 공정 등의 다양한 방법을 통해 제1 본딩부(410)를 경화시켜, 제1 마이크로 LED(41)를 제1 영역(21)에 실장할 수 있다.
이상과 같은 단계에 따라 복수의 서브 픽셀(40)을 구성하는 복수의 제1 마이크로 LED(41)가 전극(20)의 제1 영역(21)에 실장된 구조는 도 3c에 도시된 바와 같다.
S230 단계 이후에, 제2 영역(22) 상에 외광을 흡수하기 위한 흡수층(50)을 형성할 수 있다(S240).
구체적인 일 실시 예를 들어, 액상의 조성물을 전극(20)에 도포하거나 필름 형태의 조성물을 부착한 후, 부착된 조성물의 일정한 영역을 노광 및 현상하는 과정을 통해, 전극(20)의 제2 영역(22)에 흡수층(50)을 형성할 수 있다. 이와 다른 예를 들면, 잉크젯 공정 등을 통해 전극(20)의 제2 영역(22)에 액상의 조성물을 도포하고 도포된 조성물을 경화시킴으로써 흡수층(50)을 형성할 수도 있다.
다만 이는 일 실시 예일 뿐, 도 4a 및 도 4b 에 도시된 바와 같이 흡수층(50)이 형성되는 영역은 제2 영역(22)뿐만 아니라 다른 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 흡수층(50)이 형성되는 영역은 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역 이거나, 나아가 전극(20) 외의 영역까지 포함할 수 있다. 이와 같이, 흡수층(50)이 형성되는 영역은 전극(20)의 구조, 사이즈 및 노출되는 영역에 따라 다르게 변형되어 실시될 수 있다.
또한, 도 4a 및 도 4b 를 참조하면, 흡수층(50)은 제1 마이크로 LED(41)의 높이에 기초하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 흡수층(50)의 높이가 제1 마이크로 LED(41)의 높이와 동일하거나, 0.5배 이상 및 1.5배 이하인 값이 되는 등과 같이, 다양하게 변형되어 실시될 수 있다. 또는 흡수층(50)은 기설정된 값(예를 들어, 1마이크로미터 등)의 높이로 형성되는 것 또한 가능하다.
한편, 도 4b에서는 마이크로 LED(41)가 실장된 높이만큼 흡수층(50)을 형성하는 것으로 도시하였으나, 이는 일 실시 예일뿐이며, 마이크로 LED(41)가 실장된 높이에 기초하여 변형된 높이를 갖도록 흡수층(50)을 형성하는 것 또한 가능하다.
한편, 흡수층(50)는 복수의 서브 픽셀에 대응되는 복수의 전극마다 포함된 제2 영역마다 형성될 수 있다.
S240 단계 이후에, 서브 픽셀(40)이 불량이면 흡수층(50)을 제거하고, 제2 마이크로 LED(42)를 제2 영역(22)에 실장할 수 있다(S250).
구체적으로 도 5a 및 도 5b 를 참조하면, 서브 픽셀(40)이 불량이면 제2 영역(22)에 형성된 흡수층(50)을 제거할 수 있다.
이를 위해, S240 단계 이후에, 일 실시 예에 따른 본 개시의 제조 방법은, 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀(40)이 불량인지 여부를 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 전계발광(Electroluminescence; EL)을 이용하여 제1 마이크로 LED(41)에서 발광되는 빛의 파장을 감지하거나 전기적인 신호를 인가하는 등의 다양한 방식을 통해 서브 픽셀(40)이 불량인지 여부를 판별할 수 있다. 이때, 판별되는 서브 픽셀은 하나이거나, 특정한 단위의 복수 개의 서브 픽셀이거나 또는 전체 서브 픽셀일 수 있다.
여기서, 복수의 서브 픽셀 중에서 특정한 서브 픽셀(40)이 불량인 경우에, 불량인 서브 픽셀(40)에 대한 식별 정보(예를 들어, 불량인 서브 픽셀(40)에 대응되는 마이크로 LED 또는 전극에 대한 위치 정보 등)를 획득할 수 있다.
이하에서는, 적색 LED인 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀(40)이 불량인 경우를 가정하여 설명하도록 한다.
이 경우, 즉 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀이 불량인 경우, 제2 영역(22) 상에 형성된 흡수층(50)을 제거할 수 있다.
구체적으로, 획득된 식별 정보에 기초해, 복수의 전극 중에서 불량인 서브 픽셀(40)에 대응되는 전극(20)의 제2 영역(22) 상에 형성된 흡수층(50)을 제거할 수 있다. 예를 들어, (10, 20)의 좌표에 해당하는 서브 픽셀(40) 불량인 경우, 해당 서브 픽셀(40)에 대응되는 전극(20)의 제2 영역(22) 상에 형성된 흡수층(50)을 제거할 수 있다.
이 경우, 흡수층(50)은 UV 등을 이용하는 포토 리소그래피, 식각 등과 같이 다양한 방식에 의해 제거될 수 있다. 또한, 흡수층(50)이 제거되는 영역(60)은 제2 마이크로 LED(42)의 사이즈에 기초할 수 있으며, 예를 들어, 흡수층(50)이 제거된 영역(60)의 사이즈는 제2 마이크로 LED(42)의 사이즈보다 크거나 같을 수 있다.
이에 따라, 흡수층(50)이 제거된 영역(60)에서는 전극(20)의 제2 영역(22)이 노출될 수 있다. 여기서, 흡수층(50)이 제거된 영역(60)은 제2 영역(22)을 포함할 수 있다. 즉, 흡수층(50)이 제거된 영역(60)은 전극(20)의 제2 영역(22)보다 크거나 같은 영역일 수 있다.
이후, 도 6a 및 도 6b 를 참조하면, 흡수층(50)이 제거된 제2 영역(22) 상에 제2 마이크로 LED(42)를 실장할 수 있다. 여기서, 제2 마이크로 LED(42)는 제1 마이크로 LED(41)와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED일 수 있다. 또한, 제2 마이크로 LED(42)가 실장되는 방식은 상술한 제1 마이크로 LED(41)가 실장되는 방식에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다는 점에서, 중복되는 내용은 생략하도록 한다. 한편, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 제조 방법은, 제1 마이크로 LED(41)를 제거하는 단계 및 제1 마이크로 LED(41)의 제거에 따라 노출된 제1 영역(21) 상에 흡수층(50)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 복수의 제1 마이크로 LED(41) 중에서 불량인 서브 픽셀을 구성하는 제1 마이크로 LED(41)만을 레이저 방식을 통해 제거하여 전극(20)으로부터 분리할 수 있다. 이 경우, 제1 마이크로 LED(41)의 제거에 따라 노출된 제1 영역(21)에 흡수층(50)을 형성함으로써 전극(20)이 시인되는 것을 방지하고 ESD 발생을 저감할 수 있다.
한편, 상술한 실시 예에서는 흡수층(50)을 먼저 형성한 후 제1 마이크로 LED(41)에 의해 구성된 서브 픽셀(40)이 불량인 경우, 제2 영역(22) 상에 형성된 흡수층(50)을 제거하여 제2 마이크로 LED(42)를 실장하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 제2 마이크로 LED(42)를 실장한 후에, 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역 상에 흡수층(50)을 형성할 수도 있다. 이와 같은 실시 예에 대한 구체적인 내용은 도 7을 참조하여 함께 설명하기로 한다.
도 7을 참조하여, 다양한 실시 예에 따른 디스플레이 패널(1)의 제조 방법은, 구동 회로(120)를 기판(110) 상에 형성하는 단계(S710), 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)을 포함하는 전극(20)을 구동 회로(120) 상에 형성하는 단계(S720), 서브 픽셀(40)을 구성하는 제1 마이크로 LED(41)를 제1 영역(21)에 실장하는 단계(S730), 서브 픽셀(40)이 불량이면 제2 마이크로 LED(42)를 제2 영역(22)에 실장하는 단계(S740) 및 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 외광을 흡수하기 위한 흡수층(50)을 형성하는 단계(S750)를 포함한다.
여기서, 전극(20)의 사이즈는 제1 마이크로 LED(41)의 사이즈보다 클 수 있으며, 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 전극(20)은 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)을 포함할 수 있으며, 제1 전극(210) 및 제2 전극(210)은 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)에 걸쳐 배치될 수 있다. 또한, 제1 전극(210)은 제1 마이크로 LED(41)와 함께 픽셀(30)을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극일 수 있으며, 이때 제2 전극(220)은 제1 전극(210)과 인접하여 배치될 수 있다.
이때, S710 내지 S730 단계의 경우, S210 내지 S230 단계에서 상술하여 설명한 내용이 동일하게 적용될 수 있다는 점에서, 중복되는 내용을 생략하기로 한다. S740 내지 S750 단계에 대한 구체적인 내용은 도 8a 내지 도 9b 와 함께 설명하기로 한다.
S730 단계 이후, 서브 픽셀(40)이 불량이면 제2 마이크로 LED(42)를 제2 영역(22)에 실장할 수 있다(S740).
이를 위해, S730 단계 이후에, 일 실시 예에 따른 본 개시의 제조 방법은, 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀(40)이 불량인지 여부를 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 전계발광(Electroluminescence; EL)을 이용하여 제1 마이크로 LED(41)에서 발광되는 빛의 파장을 감지하거나 전기적인 신호를 인가하는 등의 다양한 방식을 통해 서브 픽셀(40)이 불량인지 여부를 판별할 수 있다. 이때, 판별되는 서브 픽셀은 하나이거나, 특정한 단위의 복수 개의 서브 픽셀이거나 또는 전체 서브 픽셀일 수 있다.
여기서, 복수의 서브 픽셀 중에서 특정한 서브 픽셀(40)이 불량인 경우에, 불량인 서브 픽셀(40)에 대한 식별 정보(예를 들어, 불량인 서브 픽셀(40)에 대응되는 마이크로 LED 또는 전극에 대한 위치 정보 등)를 획득할 수 있다.
이하에서는, 적색 LED인 제1 마이크로 LED(41)가 구성하는 서브 픽셀(40)이 불량인 경우를 가정하여 설명하도록 한다.
구체적으로 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 획득된 식별 정보에 기초해, 복수의 전극 중에서 불량인 서브 픽셀(40)에 대응되는 전극(20)의 제2 영역(22) 상에 제2 마이크로 LED(42)를 실장할 수 있다. 예를 들어, (10, 20)의 좌표에 해당하는 서브 픽셀(40) 불량인 경우, 해당 서브 픽셀(40)에 대응되는 전극(20)의 제2 영역(22) 상에 제2 마이크로 LED(42)을 실장할 수 있다.
여기서, 제2 마이크로 LED(42)는 제1 마이크로 LED(41)와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED일 수 있다. 또한, 제2 마이크로 LED(42)가 실장되는 단계는 상술한 제1 마이크로 LED(41)가 실장되는 단계에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다는 점에서, 중복되는 내용은 생략하도록 한다.
S740 단계 이후, 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 외광을 흡수하기 위한 흡수층(50)을 형성할 수 있다(S750).
도 9a 및 도 9b를 참조하여, 이후, 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 흡수층(50)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 액상의 조성물을 전극(20)에 도포하거나 필름 형태의 조성물을 부착한 후, 부착된 조성물의 일정한 영역을 노광 및 현상하는 과정을 통해, 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 흡수층(50)을 형성할 수 있다. 이와 다른 예를 들면, 잉크젯 공정 등을 통해 전극(20)에서 제1 마이크로 LED(41) 및 제2 마이크로 LED(42)가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에만 액상의 조성물을 도포하고 도포된 조성물을 경화시킴으로써 흡수층(50)을 형성할 수도 있다. 다만 이는 일 실시 예일 뿐, 다양한 변형 실시를 통해 흡수층(50)을 형성할 수 있다.
여기에서, 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)의 높이에 기초하여 흡수층(50)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 흡수층(50)의 높이가 제1 마이크로 LED(41) 또는 제2 마이크로 LED(42)의 높이와 동일하거나, 0.5배 이상 및 1.5배 이하인 값이 되는 등과 같이, 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
한편, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 제조 방법은, 제1 마이크로 LED(41)를 제거하는 단계 및 제1 마이크로 LED(41)의 제거에 따라 노출된 제1 영역(21) 상에 흡수층(50)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 복수의 제1 마이크로 LED(41) 중에서 불량인 서브 픽셀을 구성하는 제1 마이크로 LED(41)만을 레이저 방식을 통해 제거하여 전극(20)으로부터 분리할 수 있다. 이 경우, 제1 마이크로 LED(41)의 제거에 따라 노출된 제1 영역(21)에 흡수층(50)을 형성함으로써 전극(20)이 시인되는 것을 방지하고 ESD 발생을 저감할 수 있다.
이상과 같은 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 불량 픽셀을 보상하기 위한 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 불량 픽셀을 보상하면서도 전극의 노출을 최소화하여 명암비가 향상된 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 불량 픽셀을 보상하면서도 전극의 노출을 최소화하여 ESD(Electro-Static Discharge) 발생을 저감할 수 있는 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 구성 요소(예: 모듈 또는 프로그램) 각각은 단수 또는 복수의 개체로 구성될 수 있으며, 전술한 상기 서브 구성 요소들 중 일부 서브 구성 요소가 생략되거나, 또는 다른 서브 구성 요소가 다양한 실시 예에 더 포함될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 일부 구성 요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 개체로 통합되어, 통합되기 이전의 각각의 상기 구성 요소에 의해 수행되는 기능을 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성 요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적, 병렬적, 반복적 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 적어도 일부 동작이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 다른 동작이 추가될 수 있다.
1: 디스플레이 패널
10: 회로 기판
110: 기판 120: 구동 회로
20: 전극
210: 제1 전극 220: 제2 전극
21: 제1 영역 22: 제2 영역
30: 픽셀
40: 서브 픽셀
41: 제1 마이크로 LED 42: 제2 마이크로 LED
50: 흡수층

Claims (20)

  1. 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,
    구동 회로를 기판 상에 형성하는 단계;
    제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 전극을 상기 구동 회로 상에 형성하는 단계;
    서브 픽셀을 구성하는 제1 마이크로 LED를 상기 제1 영역에 실장하는 단계;
    상기 제2 영역 상에 외광을 흡수하기 위한 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 서브 픽셀이 불량이면 상기 흡수층을 제거하고, 제2 마이크로 LED를 상기 제2 영역에 실장하는 단계;를 포함하는 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마이크로 LED를 제거하는 단계; 및
    상기 제1 마이크로 LED의 제거에 따라 노출된 상기 제1 영역 상에 상기 흡수층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 마이크로 LED는,
    상기 제1 마이크로 LED와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED인, 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극의 사이즈는, 상기 제1 마이크로 LED의 사이즈보다 크며,
    상기 제1 영역 및 제2 영역은, 서로 전기적으로 연결된 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전극은, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 배치되는, 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 상기 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고,
    상기 제2 전극은, 상기 제1 전극과 인접하여 배치되는, 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은, 상기 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 연결되는 복수의 전극과 서로 나란하게 배치되는, 제조 방법.
  8. 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,
    구동 회로를 기판 상에 형성하는 단계;
    제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 전극을 상기 구동 회로 상에 형성하는 단계;
    서브 픽셀을 구성하는 제1 마이크로 LED를 상기 제1 영역에 실장하는 단계;
    상기 서브 픽셀이 불량이면 제2 마이크로 LED를 상기 제2 영역에 실장하는 단계; 및
    상기 전극에서 상기 제1 마이크로 LED 및 제2 마이크로 LED가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 외광을 흡수하기 위한 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 마이크로 LED는,
    상기 제1 마이크로 LED와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED인, 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 전극의 사이즈는, 상기 제1 마이크로 LED의 사이즈보다 크며,
    상기 제1 영역 및 제2 영역은, 서로 전기적으로 연결된 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 전극은, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 배치되는, 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 상기 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고,
    상기 제2 전극은, 상기 제1 전극과 인접하여 배치되는, 제조 방법.
  13. 복수의 픽셀을 포함하는 디스플레이 패널에 있어서,
    구동 회로;
    상기 구동 회로 상에 형성되며 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 전극;
    상기 제1 영역에 실장된 제1 마이크로 LED;
    상기 제2 영역에 실장된 제2 마이크로 LED; 및
    상기 전극에서 상기 제1 마이크로 LED 및 제2 마이크로 LED가 실장된 영역을 제외한 나머지 영역에 형성되며, 외광을 흡수하기 위한 흡수층;을 포함하며,
    상기 복수의 픽셀 중 픽셀은 복수의 서브 픽셀을 포함하고,
    상기 제2 마이크로 LED는,
    상기 복수의 서브 픽셀 중에서 상기 제1 마이크로 LED에 의해 구성된 서브 픽셀이 불량인 경우 상기 제2 영역에 실장되며, 나머지 서브 픽셀과 함께 상기 픽셀을 구성하는, 디스플레이 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 마이크로 LED는,
    상기 제1 마이크로 LED에 의해 구성된 상기 서브 픽셀을 대체하여 상기 나머지 서브 픽셀과 함께 상기 픽셀을 구성하는, 디스플레이 패널.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 구동 회로는,
    상기 나머지 서브 픽셀에 대응되는 복수의 마이크로 LED 및 상기 제2 마이크로 LED를 각각 제어하는 복수의 스위칭 소자를 포함하는, 디스플레이 패널.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제2 마이크로 LED는,
    상기 제1 마이크로 LED와 동일한 색상의 광을 방출하는 LED인, 디스플레이 패널.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 전극의 사이즈는, 상기 제1 마이크로 LED의 사이즈보다 크며,
    상기 제1 영역 및 제2 영역은, 서로 전기적으로 연결된, 디스플레이 패널.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 전극은, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 배치되는, 디스플레이 패널.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 전극은, 상기 제1 마이크로 LED와 함께 픽셀을 구성하는 다른 마이크로 LED와 공통적으로 연결되는 공통 전극이고,
    상기 제2 전극은, 상기 제1 전극과 인접하여 배치되는, 디스플레이 패널.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은,
    상기 제1 마이크로 LED와 픽셀을 함께 구성하는 다른 마이크로 LED와 연결되는 복수의 전극과 서로 나란하게 배치되는, 디스플레이 패널.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102276372B1 (ko) * 2020-11-30 2021-07-12 한국광기술원 초박막 플렉시블 투명 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
WO2022114734A1 (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈
WO2022114395A1 (ko) * 2020-11-30 2022-06-02 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834513B (zh) * 2020-06-30 2021-12-28 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 基板、显示面板及其组装检测方法
TWI807544B (zh) * 2021-12-17 2023-07-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
WO2023155090A1 (en) * 2022-02-17 2023-08-24 Jade Bird Display (shanghai) Limited Electrostatic discharge protection system of a micro device
CN115911238A (zh) 2022-11-29 2023-04-04 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7943491B2 (en) 2004-06-04 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp
JP2010072216A (ja) 2008-09-17 2010-04-02 Toshiba Mobile Display Co Ltd 基板修理方法および基板
KR101996656B1 (ko) 2012-06-21 2019-07-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 리페어 방법
KR102163034B1 (ko) * 2013-12-03 2020-10-07 삼성전자주식회사 디스플레이의 불량 화소를 보상하기 위한 방법, 전자 장치 및 저장 매체
US9818725B2 (en) * 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US20160351548A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light emitting diode display device and manufacturing method thereof
TWI557702B (zh) 2015-06-01 2016-11-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其修補方法
US9786646B2 (en) * 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
KR102618811B1 (ko) * 2017-01-23 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI641125B (zh) * 2017-05-03 2018-11-11 啟端光電股份有限公司 底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法
US11302244B2 (en) * 2017-09-11 2022-04-12 Vuereal Inc. Repair techniques for micro-LED devices and arrays
KR101890934B1 (ko) * 2017-12-01 2018-08-22 한국광기술원 픽셀형 led 공정
WO2020040483A1 (en) * 2018-08-20 2020-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022114734A1 (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈
KR102276372B1 (ko) * 2020-11-30 2021-07-12 한국광기술원 초박막 플렉시블 투명 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
WO2022114395A1 (ko) * 2020-11-30 2022-06-02 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법

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