JP2001202032A - アクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型表示装置Info
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- JP2001202032A JP2001202032A JP2000007292A JP2000007292A JP2001202032A JP 2001202032 A JP2001202032 A JP 2001202032A JP 2000007292 A JP2000007292 A JP 2000007292A JP 2000007292 A JP2000007292 A JP 2000007292A JP 2001202032 A JP2001202032 A JP 2001202032A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 蛍光表示装置に有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基
板を流用し、アクティブマトリクス型蛍光表示装置の開
発コストを低減する。 【解決手段】 蛍光表示装置と有機ＥＬ表示装置とで
は、画素ピッチが異なるので、ＴＦＴ基板をそのまま流
用することはできない。そこで、本発明では、画素電極
７を複数のＴＦＴ６に跨って配置し、それらのＴＦＴ６
に接続することによって、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基
板を蛍光表示装置に流用した。これによって、全ての画
素において選択信号線２、データ信号線３、電流供給線
４、第１、電流供給ＴＦＴ５、６など、全ての回路が冗
長となるので、歩留まりが向上するという副次的効果も
奏する。
板を流用し、アクティブマトリクス型蛍光表示装置の開
発コストを低減する。 【解決手段】 蛍光表示装置と有機ＥＬ表示装置とで
は、画素ピッチが異なるので、ＴＦＴ基板をそのまま流
用することはできない。そこで、本発明では、画素電極
７を複数のＴＦＴ６に跨って配置し、それらのＴＦＴ６
に接続することによって、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基
板を蛍光表示装置に流用した。これによって、全ての画
素において選択信号線２、データ信号線３、電流供給線
４、第１、電流供給ＴＦＴ５、６など、全ての回路が冗
長となるので、歩留まりが向上するという副次的効果も
奏する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は蛍光表示装置に関
し、更に詳しくは、画素毎に独立した画素電極を有し、
スイッチング素子である薄膜トランジスタ（Thin Film
Transistor、以下ＴＦＴと表記する。）を用いて表示を
制御するアクティブマトリクス型の表示装置に関する。
し、更に詳しくは、画素毎に独立した画素電極を有し、
スイッチング素子である薄膜トランジスタ（Thin Film
Transistor、以下ＴＦＴと表記する。）を用いて表示を
制御するアクティブマトリクス型の表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】蛍光表示装置は、全面に形成された陰極
（カソード）から熱電子を陽極（アノード）に放出さ
せ、画素電極に塗布した蛍光体を発光させることによっ
て表示を行う表示装置の一種である。アクティブマトリ
クス型の蛍光表示装置は例えば特開昭５２−１０５７６
８号公報などに記載されている。以下に従来のアクティ
ブマトリクス型蛍光表示装置について説明する。
（カソード）から熱電子を陽極（アノード）に放出さ
せ、画素電極に塗布した蛍光体を発光させることによっ
て表示を行う表示装置の一種である。アクティブマトリ
クス型の蛍光表示装置は例えば特開昭５２−１０５７６
８号公報などに記載されている。以下に従来のアクティ
ブマトリクス型蛍光表示装置について説明する。
【０００３】図５は従来のアクティブマトリクス型蛍光
表示装置の平面図である。第１の基板１０１上に行方向
に複数の選択信号線１０２が配置され、これに直交する
ようにデータ信号線１０３、電流供給線１０４が配置さ
れている。選択信号線１０２とデータ信号線１０３の交
点近傍には、選択信号線１０２にゲートが接続され、デ
ータ信号線１０３にドレインが接続された選択ＴＦＴ１
０５が配置されている。そして、選択ＴＦＴ１０５のソ
ースにゲート電極が接続され、電流供給線１０４にドレ
インが接続された電流供給ＴＦＴ１０６が配置されてい
る。電流供給ＴＦＴのソースには陽極である画素電極１
０７が接続されている。
表示装置の平面図である。第１の基板１０１上に行方向
に複数の選択信号線１０２が配置され、これに直交する
ようにデータ信号線１０３、電流供給線１０４が配置さ
れている。選択信号線１０２とデータ信号線１０３の交
点近傍には、選択信号線１０２にゲートが接続され、デ
ータ信号線１０３にドレインが接続された選択ＴＦＴ１
０５が配置されている。そして、選択ＴＦＴ１０５のソ
ースにゲート電極が接続され、電流供給線１０４にドレ
インが接続された電流供給ＴＦＴ１０６が配置されてい
る。電流供給ＴＦＴのソースには陽極である画素電極１
０７が接続されている。
【０００４】選択信号線１０２がハイになると選択ＴＦ
Ｔ１０５が導通となる。すると、データ信号線１０３の
電圧に応じて電流供給ＴＦＴ１０６が導通となるので、
画素電極１０７に電流供給線１０４からデータ信号線１
０３の電圧に応じた電流が供給される。それぞれの電流
供給ＴＦＴ１０６のゲートには、データ信号を所定期間
保持するためのコンデンサが接続されている。
Ｔ１０５が導通となる。すると、データ信号線１０３の
電圧に応じて電流供給ＴＦＴ１０６が導通となるので、
画素電極１０７に電流供給線１０４からデータ信号線１
０３の電圧に応じた電流が供給される。それぞれの電流
供給ＴＦＴ１０６のゲートには、データ信号を所定期間
保持するためのコンデンサが接続されている。
【０００５】図６は従来のアクティブマトリクス型蛍光
表示装置の断面図である。第１の基板１０１上に、デー
タ信号線１０３と電流供給線１０４が配置され、それら
を覆って絶縁膜１１０が形成されている。絶縁膜１１０
にはコンタクトホールが設けられており、半導体膜１０
６ａが電流供給線１０４に接続されて配置されている。
半導体膜１０６ａ上にはゲート絶縁膜１０６ｂを介して
ゲート電極１０６ｃが配置され、電流供給ＴＦＴ１０６
を構成している。電流供給ＴＦＴ１０６を覆って平坦化
絶縁膜１１１が形成されている。以上でＴＦＴ基板１０
０が構成される。ＴＦＴ基板１００の平坦化絶縁膜１１
１にはコンタクトホールが設けられ、半導体膜１０６ａ
に接続されて画素電極１０７が配置されている。
表示装置の断面図である。第１の基板１０１上に、デー
タ信号線１０３と電流供給線１０４が配置され、それら
を覆って絶縁膜１１０が形成されている。絶縁膜１１０
にはコンタクトホールが設けられており、半導体膜１０
６ａが電流供給線１０４に接続されて配置されている。
半導体膜１０６ａ上にはゲート絶縁膜１０６ｂを介して
ゲート電極１０６ｃが配置され、電流供給ＴＦＴ１０６
を構成している。電流供給ＴＦＴ１０６を覆って平坦化
絶縁膜１１１が形成されている。以上でＴＦＴ基板１０
０が構成される。ＴＦＴ基板１００の平坦化絶縁膜１１
１にはコンタクトホールが設けられ、半導体膜１０６ａ
に接続されて画素電極１０７が配置されている。
【０００６】第１の基板１０１に対向して第２の基板１
１２が配置され、第１の基板１０１と第２の基板１１２
との間は真空となっている。第２の基板１１２の第１の
基板１０１に対抗する面は、第２の基板１１２と絶縁さ
れて陰極１１４が配置されている。更に、陰極１１４と
絶縁されてグリッド１１５が配置されている。画素電極
１０７上には蛍光体１１６が塗布されている。
１２が配置され、第１の基板１０１と第２の基板１１２
との間は真空となっている。第２の基板１１２の第１の
基板１０１に対抗する面は、第２の基板１１２と絶縁さ
れて陰極１１４が配置されている。更に、陰極１１４と
絶縁されてグリッド１１５が配置されている。画素電極
１０７上には蛍光体１１６が塗布されている。
【０００７】次に蛍光表示装置の動作について説明す
る。陰極１１４には所定の電圧が印加され、陰極１１４
からは、熱電子が放出される。放出された熱電子は、陰
極１１４と画素電極１０７の電位差によって画素電極の
方に向かって飛び、グリッド１１５によって経路を制御
されて、蛍光体１１６に衝突する。蛍光体１１６は熱電
子によって励起発光し、画面表示が行われる。
る。陰極１１４には所定の電圧が印加され、陰極１１４
からは、熱電子が放出される。放出された熱電子は、陰
極１１４と画素電極１０７の電位差によって画素電極の
方に向かって飛び、グリッド１１５によって経路を制御
されて、蛍光体１１６に衝突する。蛍光体１１６は熱電
子によって励起発光し、画面表示が行われる。
【０００８】ところで、近年、有機エレクトロルミネッ
センス（Electro Luminescence、以下ＥＬと表記。）表
示装置のアクティブマトリクス型の研究が進展してい
る。有機ＥＬ表示装置は、発光層に輝度に応じた電流を
供給して発光する表示装置であり、その点で蛍光表示装
置と類似する表示装置である。そして、有機ＥＬ表示装
置は、蛍光表示装置とほぼ同様のＴＦＴ基板を有する。
アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置に関しては、例え
ば特開平８−２４１０４８等に記載されているので詳述
は省略する。
センス（Electro Luminescence、以下ＥＬと表記。）表
示装置のアクティブマトリクス型の研究が進展してい
る。有機ＥＬ表示装置は、発光層に輝度に応じた電流を
供給して発光する表示装置であり、その点で蛍光表示装
置と類似する表示装置である。そして、有機ＥＬ表示装
置は、蛍光表示装置とほぼ同様のＴＦＴ基板を有する。
アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置に関しては、例え
ば特開平８−２４１０４８等に記載されているので詳述
は省略する。
【０００９】蛍光表示装置は、有機ＥＬ表示装置に比較
して長寿命、高輝度、高い信頼性等のメリットがある反
面、蛍光体１１６を焼成して形成するため、画素を微細
化することが困難である。
して長寿命、高輝度、高い信頼性等のメリットがある反
面、蛍光体１１６を焼成して形成するため、画素を微細
化することが困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】現在の蛍光表示装置の
蛍光体は、粒径が約７μｍあり、画素間隔を１５μｍ以
上、好ましくは２０μｍ程度確保する必要がある。画素
間隔よりは大きな画素を配置しなければならないので、
蛍光表示装置では、画素ピッチを数十μｍ以下にするこ
とには困難がある。蛍光表示装置は、通常２００μｍ程
度の画素ピッチである。これに対し、有機ＥＬ表示装置
の画素ピッチは１０μｍ程度でも形成可能ある。ＥＬ表
示装置は、通常６０μｍ程度のピッチである。従って、
蛍光表示装置と有機ＥＬ表示装置とでは、画素ピッチが
大きく異なるので、例え周辺回路の等価回路が同様であ
っても有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板をそのまま蛍光表
示装置のＴＦＴ基板として流用することはできない。
蛍光体は、粒径が約７μｍあり、画素間隔を１５μｍ以
上、好ましくは２０μｍ程度確保する必要がある。画素
間隔よりは大きな画素を配置しなければならないので、
蛍光表示装置では、画素ピッチを数十μｍ以下にするこ
とには困難がある。蛍光表示装置は、通常２００μｍ程
度の画素ピッチである。これに対し、有機ＥＬ表示装置
の画素ピッチは１０μｍ程度でも形成可能ある。ＥＬ表
示装置は、通常６０μｍ程度のピッチである。従って、
蛍光表示装置と有機ＥＬ表示装置とでは、画素ピッチが
大きく異なるので、例え周辺回路の等価回路が同様であ
っても有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板をそのまま蛍光表
示装置のＴＦＴ基板として流用することはできない。
【００１１】このため、アクティブマトリクス型の蛍光
表示装置を開発するためには、蛍光表示装置のためのＴ
ＦＴ基板を別途設計する必要が生じ、開発コストの増大
を招いていた。
表示装置を開発するためには、蛍光表示装置のためのＴ
ＦＴ基板を別途設計する必要が生じ、開発コストの増大
を招いていた。
【００１２】また、蛍光表示装置に限らず、従来のアク
ティブマトリクス表示装置は、画面サイズが異なる機
種、即ち画素ピッチが異なる機種毎にそれぞれＴＦＴ基
板を開発する必要があり、開発コストの増大、開発期間
の長期化を招いていた。
ティブマトリクス表示装置は、画面サイズが異なる機
種、即ち画素ピッチが異なる機種毎にそれぞれＴＦＴ基
板を開発する必要があり、開発コストの増大、開発期間
の長期化を招いていた。
【００１３】また、アクティブマトリクス型の表示装置
は、一般的に一つの画素電極に対して一つの選択回路を
有するのみであるので、選択回路の中に不良素子が含ま
れていると、その画素は点灯しない（もしくは常時点灯
してしまう）不良画素となってしまい、歩留まりの低下
を招いていた。
は、一般的に一つの画素電極に対して一つの選択回路を
有するのみであるので、選択回路の中に不良素子が含ま
れていると、その画素は点灯しない（もしくは常時点灯
してしまう）不良画素となってしまい、歩留まりの低下
を招いていた。
【００１４】そこで、本発明は、アクティブマトリクス
型の表示装置において、歩留まりを向上させうる表示装
置を提供すると共に、画素ピッチの異なる表示装置でＴ
ＦＴ基板を共有することのできる表示装置を提供するこ
とを目的とする。
型の表示装置において、歩留まりを向上させうる表示装
置を提供すると共に、画素ピッチの異なる表示装置でＴ
ＦＴ基板を共有することのできる表示装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するためになされたものであり、基板と、それぞれ選
択薄膜トランジスタを有し、基板上に第１のピッチでマ
トリクス状に配列された複数の選択回路と、選択薄膜ト
ランジスタ上に第２のピッチで配列された複数の画素電
極とを有し、第２のピッチは、行方向もしくは／及び列
方向に第１のピッチに比較して２倍以上大きく、画素電
極のそれぞれに、複数の選択回路が対応して配置されて
いるアクティブマトリクス型表示装置である。
決するためになされたものであり、基板と、それぞれ選
択薄膜トランジスタを有し、基板上に第１のピッチでマ
トリクス状に配列された複数の選択回路と、選択薄膜ト
ランジスタ上に第２のピッチで配列された複数の画素電
極とを有し、第２のピッチは、行方向もしくは／及び列
方向に第１のピッチに比較して２倍以上大きく、画素電
極のそれぞれに、複数の選択回路が対応して配置されて
いるアクティブマトリクス型表示装置である。
【００１６】また、ｎを２以上の自然数とし、第２のピ
ッチは、行方向もしくは／及び列方向に第１のピッチの
ｎ倍である。
ッチは、行方向もしくは／及び列方向に第１のピッチの
ｎ倍である。
【００１７】また、行方向に延在する複数の選択信号線
と、列方向に延在する複数のデータ信号線とを更に有
し、複数の選択薄膜トランジスタそれぞれは、ゲートが
選択信号線のうちの一つに接続され、ドレインがデータ
信号線のうちの一つに接続されている。
と、列方向に延在する複数のデータ信号線とを更に有
し、複数の選択薄膜トランジスタそれぞれは、ゲートが
選択信号線のうちの一つに接続され、ドレインがデータ
信号線のうちの一つに接続されている。
【００１８】また、第１のピッチと第２のピッチは列方
向で互いに等しい。
向で互いに等しい。
【００１９】また、列方向に延在する複数の電流供給線
と、選択薄膜トランジスタに対応して配置された電流供
給薄膜トランジスタとを更に有し、電流供給薄膜トラン
ジスタは、選択薄膜トランジスタのソースがゲートに接
続され、電流供給線がドレインに接続され、画素電極が
ソースに接続されている。
と、選択薄膜トランジスタに対応して配置された電流供
給薄膜トランジスタとを更に有し、電流供給薄膜トラン
ジスタは、選択薄膜トランジスタのソースがゲートに接
続され、電流供給線がドレインに接続され、画素電極が
ソースに接続されている。
【００２０】また、画素電極に対向して配置された陰極
と、画素電極上に形成された蛍光体とを更に有し、陰極
から放出した電子が蛍光体にあたることによって発光し
て表示を行う。
と、画素電極上に形成された蛍光体とを更に有し、陰極
から放出した電子が蛍光体にあたることによって発光し
て表示を行う。
【００２１】また、画素電極は少なくとも１本のデータ
信号線もしくは／及び電流供給線に跨って配置されてい
る。
信号線もしくは／及び電流供給線に跨って配置されてい
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態である蛍
光表示装置の平面図である。第１の基板１上に行方向に
複数の選択信号線２、列方向に複数のデータ信号線３、
電流供給線４がそれぞれ配置されている。選択信号線２
にゲートが接続され、データ信号線３にドレインが接続
された選択ＴＦＴ５が配置され、選択ＴＦＴ５のソース
にゲート電極が接続され、電流供給線４にドレインが接
続された電流供給ＴＦＴ６が配置されている。以上の点
は従来の蛍光表示装置と同様である。選択ＴＦＴ５、電
流供給ＴＦＴ６及びそれらの間の配線を総称して選択回
路と称する。
光表示装置の平面図である。第１の基板１上に行方向に
複数の選択信号線２、列方向に複数のデータ信号線３、
電流供給線４がそれぞれ配置されている。選択信号線２
にゲートが接続され、データ信号線３にドレインが接続
された選択ＴＦＴ５が配置され、選択ＴＦＴ５のソース
にゲート電極が接続され、電流供給線４にドレインが接
続された電流供給ＴＦＴ６が配置されている。以上の点
は従来の蛍光表示装置と同様である。選択ＴＦＴ５、電
流供給ＴＦＴ６及びそれらの間の配線を総称して選択回
路と称する。
【００２３】本実施形態は、画素電極７の接続に特徴を
有する。即ち、画素電極７は、データ信号線３と、電流
供給線４に跨って配置され、それぞれの画素電極７に、
行方向に並んだ二つの選択回路に対応しており電流供給
ＴＦＴ６に接続されている点が従来と大きく異なってい
る。即ち選択ＴＦＴ５、電流供給ＴＦＴ６、データ信号
線３、電流供給線４は一つの画素電極に対して全て二つ
ずつ配置されている。換言すれば、画素電極７の行方向
のピッチは、選択回路のピッチの２倍である。
有する。即ち、画素電極７は、データ信号線３と、電流
供給線４に跨って配置され、それぞれの画素電極７に、
行方向に並んだ二つの選択回路に対応しており電流供給
ＴＦＴ６に接続されている点が従来と大きく異なってい
る。即ち選択ＴＦＴ５、電流供給ＴＦＴ６、データ信号
線３、電流供給線４は一つの画素電極に対して全て二つ
ずつ配置されている。換言すれば、画素電極７の行方向
のピッチは、選択回路のピッチの２倍である。
【００２４】図２は本実施形態である蛍光表示装置の断
面図である。第１の基板１上に、データ信号線３、電流
供給線４が配置され、それらを覆って絶縁膜１０が形成
されている。絶縁膜１０にはコンタクトホールが設けら
れており、半導体膜６ａが電流供給線４に接続されて配
置されている。半導体膜６ａ上にはゲート絶縁膜６ｂを
介してゲート電極６ｃが配置され、電流供給ＴＦＴ６を
構成している。電流供給ＴＦＴ６を覆って平坦化絶縁膜
１１が形成されている。平坦化絶縁膜１１にはコンタク
トホールが設けられ、半導体膜６ａに接続されて画素電
極７が配置されている。画素電極７はデータ信号線３
と、電流供給線４に跨って配置され、それぞれの画素電
極７は、行方向に並んだ二つの電流供給ＴＦＴ６に接続
されている。
面図である。第１の基板１上に、データ信号線３、電流
供給線４が配置され、それらを覆って絶縁膜１０が形成
されている。絶縁膜１０にはコンタクトホールが設けら
れており、半導体膜６ａが電流供給線４に接続されて配
置されている。半導体膜６ａ上にはゲート絶縁膜６ｂを
介してゲート電極６ｃが配置され、電流供給ＴＦＴ６を
構成している。電流供給ＴＦＴ６を覆って平坦化絶縁膜
１１が形成されている。平坦化絶縁膜１１にはコンタク
トホールが設けられ、半導体膜６ａに接続されて画素電
極７が配置されている。画素電極７はデータ信号線３
と、電流供給線４に跨って配置され、それぞれの画素電
極７は、行方向に並んだ二つの電流供給ＴＦＴ６に接続
されている。
【００２５】第１の基板１に対向して第２の基板１２が
配置され、その間は真空となっている。第２の基板１２
の内面は、第２の基板１２とは絶縁されて陰極１４が配
置されている。更に、陰極１４と絶縁されてグリッド１
５が配置されている。画素電極７上には蛍光体１６が塗
布されている。
配置され、その間は真空となっている。第２の基板１２
の内面は、第２の基板１２とは絶縁されて陰極１４が配
置されている。更に、陰極１４と絶縁されてグリッド１
５が配置されている。画素電極７上には蛍光体１６が塗
布されている。
【００２６】本実施形態において、ＴＦＴ基板１００
は、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板を用いている。即
ち、有機ＥＬ表示装置の画素ピッチ６０μｍにあわせて
各ＴＦＴ及び各配線が配置されている。そして、画素電
極７は、有機ＥＬ表示装置の２画素分の領域にわたって
配置されている。従って、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基
板をそのまま流用し、蛍光表示装置としているのであ
る。
は、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板を用いている。即
ち、有機ＥＬ表示装置の画素ピッチ６０μｍにあわせて
各ＴＦＴ及び各配線が配置されている。そして、画素電
極７は、有機ＥＬ表示装置の２画素分の領域にわたって
配置されている。従って、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基
板をそのまま流用し、蛍光表示装置としているのであ
る。
【００２７】従って、アクティブマトリクス型蛍光表示
装置を開発するに際して、画素電極７以外の全てのレイ
ヤを有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板と共通とすることが
でき、開発コストを大幅に削減することができる。ま
た、製品化にあたっても、有機ＥＬ表示装置と蛍光表示
装置とで同一のＴＦＴ基板を共有することができるの
で、量産効果によって、製造コストも削減することがで
きる。
装置を開発するに際して、画素電極７以外の全てのレイ
ヤを有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板と共通とすることが
でき、開発コストを大幅に削減することができる。ま
た、製品化にあたっても、有機ＥＬ表示装置と蛍光表示
装置とで同一のＴＦＴ基板を共有することができるの
で、量産効果によって、製造コストも削減することがで
きる。
【００２８】次に本実施形態の動作について説明する。
一つの画素電極７に対応する二つのデータ信号線３、選
択ＴＦＴ５をそれぞれデータ信号線３ａ、３ｂ、選択Ｔ
ＦＴ５ａ、５ｂと区別する。二つの選択ＴＦＴ５ａ、ｂ
は同一の選択信号線２に接続されているので、オン、オ
フは同じタイミングで行われる。そして、データ信号線
３ａ、３ｂは、図示しない画面外の領域で接続されてお
り、同じ信号が入力される。従って、二つの電流供給Ｔ
ＦＴ６ａ、６ｂは同様に動作し、同じ大きさの電流を画
素電極７に供給する。
一つの画素電極７に対応する二つのデータ信号線３、選
択ＴＦＴ５をそれぞれデータ信号線３ａ、３ｂ、選択Ｔ
ＦＴ５ａ、５ｂと区別する。二つの選択ＴＦＴ５ａ、ｂ
は同一の選択信号線２に接続されているので、オン、オ
フは同じタイミングで行われる。そして、データ信号線
３ａ、３ｂは、図示しない画面外の領域で接続されてお
り、同じ信号が入力される。従って、二つの電流供給Ｔ
ＦＴ６ａ、６ｂは同様に動作し、同じ大きさの電流を画
素電極７に供給する。
【００２９】このように、一つの画素に第１、電流供給
ＴＦＴ５、６等の回路が全て２つずつ存在するので、い
ずれか一つに不良が生じ、例えば電流駆動ＴＦＴ６ａが
全く動作しなくなったとしても、もう片方の電流駆動Ｔ
ＦＴ６ｂによって動作するので、従来不良品となってい
たＴＦＴ基板であっても良品として扱うことができる。
従って、ＴＦＴ基板の歩留まりが向上し、製造コストを
抑えることができる。
ＴＦＴ５、６等の回路が全て２つずつ存在するので、い
ずれか一つに不良が生じ、例えば電流駆動ＴＦＴ６ａが
全く動作しなくなったとしても、もう片方の電流駆動Ｔ
ＦＴ６ｂによって動作するので、従来不良品となってい
たＴＦＴ基板であっても良品として扱うことができる。
従って、ＴＦＴ基板の歩留まりが向上し、製造コストを
抑えることができる。
【００３０】また、一つの画素に電流供給線４に接続さ
れた電流供給ＴＦＴ６が２つずつ存在するので、一つの
電流供給ＴＦＴ６の電流容量が小さくても、その２倍の
電流を画素電極７に供給することができる。
れた電流供給ＴＦＴ６が２つずつ存在するので、一つの
電流供給ＴＦＴ６の電流容量が小さくても、その２倍の
電流を画素電極７に供給することができる。
【００３１】図３は本発明の第２の実施形態を示す平面
図である。第１の実施形態との違いは、第１の実施形態
では画素電極７が選択回路に対して行方向に２倍のピッ
チを有していたのに対し、本実施形態では、画素電極１
７が選択回路に対して行方向に３倍のピッチを有する点
である。一般的に、カラー表示装置は、ＲＧＢ３原色で
発色するため、一つの絵素を３分割する。その配置は、
一つの絵素を列方向に分割して配置するため、ＲＧＢそ
れぞれの画素は列方向に長い形状となる。従って、カラ
ー有機ＥＬ表示装置の行方向のピッチは列方向のピッチ
に比較して小さくなる。従って、画素電極１７のピッチ
を選択回路のピッチに対して行方向にのみ３倍のピッチ
とすれば、ちょうどよいサイズの画素電極１７とするこ
とができる。
図である。第１の実施形態との違いは、第１の実施形態
では画素電極７が選択回路に対して行方向に２倍のピッ
チを有していたのに対し、本実施形態では、画素電極１
７が選択回路に対して行方向に３倍のピッチを有する点
である。一般的に、カラー表示装置は、ＲＧＢ３原色で
発色するため、一つの絵素を３分割する。その配置は、
一つの絵素を列方向に分割して配置するため、ＲＧＢそ
れぞれの画素は列方向に長い形状となる。従って、カラ
ー有機ＥＬ表示装置の行方向のピッチは列方向のピッチ
に比較して小さくなる。従って、画素電極１７のピッチ
を選択回路のピッチに対して行方向にのみ３倍のピッチ
とすれば、ちょうどよいサイズの画素電極１７とするこ
とができる。
【００３２】本実施形態において、３つの選択ＴＦＴ５
ａ、５ｂ、５ｃは、同一の選択信号線２に接続されてい
るので、それぞれのオン、オフは同時に行われる。ま
た、３本のデータ信号線３ａ、３ｂ、３ｃは、図示しな
い領域で互いに接続されている。従って、３つの電流供
給ＴＦＴ６ａ、６ｂ、６ｃは同様に動作し、それぞれか
ら、同じ大きさの電流が画素電極１７に供給される。
ａ、５ｂ、５ｃは、同一の選択信号線２に接続されてい
るので、それぞれのオン、オフは同時に行われる。ま
た、３本のデータ信号線３ａ、３ｂ、３ｃは、図示しな
い領域で互いに接続されている。従って、３つの電流供
給ＴＦＴ６ａ、６ｂ、６ｃは同様に動作し、それぞれか
ら、同じ大きさの電流が画素電極１７に供給される。
【００３３】従って、例えば電流供給ＴＦＴ６のうち、
二つまでが不良により動作しなかったとしても、残りの
一つが動作するので、不良品とならない。
二つまでが不良により動作しなかったとしても、残りの
一つが動作するので、不良品とならない。
【００３４】図４は本発明の第３の実施形態を示す平面
図である。第１の実施形態との違いは、第１の実施形態
では画素電極７が選択回路に対して行方向のみに２倍の
ピッチを有していたのに対し、本実施形態においては画
素電極２７が選択回路に対して行方向及び列方向に２倍
のピッチを有する点である。
図である。第１の実施形態との違いは、第１の実施形態
では画素電極７が選択回路に対して行方向のみに２倍の
ピッチを有していたのに対し、本実施形態においては画
素電極２７が選択回路に対して行方向及び列方向に２倍
のピッチを有する点である。
【００３５】本実施形態では、選択ＴＦＴ５ａ、５ｂと
選択ＴＦＴ５ｃ、５ｄがそれぞれ別の選択信号線２ａ、
２ｂに接続されている。選択信号線２ａ、２ｂは図示し
ない領域で互いに接続されており、２本の選択信号線２
ａ、２ｂに接続された選択ＴＦＴそれぞれのオン、オフ
は同時に行われる。そして、第１の実施形態と同様、デ
ータ信号線３ａ、３ｂは図示しない領域で互いに接続さ
れているので、４つの電流供給ＴＦＴ６ａ、６ｂ、６
ｃ、６ｄは、それぞれ同じ大きさの電流を画素電極２７
に供給する。
選択ＴＦＴ５ｃ、５ｄがそれぞれ別の選択信号線２ａ、
２ｂに接続されている。選択信号線２ａ、２ｂは図示し
ない領域で互いに接続されており、２本の選択信号線２
ａ、２ｂに接続された選択ＴＦＴそれぞれのオン、オフ
は同時に行われる。そして、第１の実施形態と同様、デ
ータ信号線３ａ、３ｂは図示しない領域で互いに接続さ
れているので、４つの電流供給ＴＦＴ６ａ、６ｂ、６
ｃ、６ｄは、それぞれ同じ大きさの電流を画素電極２７
に供給する。
【００３６】従って、例えば電流供給ＴＦＴ６のうち、
三つまでが不良により動作しなかったとしても、残りの
一つが動作するので、不良品とならない。
三つまでが不良により動作しなかったとしても、残りの
一つが動作するので、不良品とならない。
【００３７】また、図示しない領域で接続せず、別途選
択するようにすると、各選択ＴＦＴ５ａ、ｂと５ｃ、ｄ
が完全に独立して動作することができるので、以下のよ
うな利点が生じる。即ち、その画素が選択されるとき、
まず選択ＴＦＴ５ａ、５ｂがオンし、画素電極２７に電
流を供給する。次に選択ＴＦＴ５ｃ、ｄがオンすると、
画素電極２７は既に一定電圧に昇圧されているため、上
昇させなければならない電位差が小さい。つまり、いわ
ば前段の選択ＴＦＴ５ａ、ｂによってプリチャージして
おくことができる。従って、表示品位を向上させること
ができる。
択するようにすると、各選択ＴＦＴ５ａ、ｂと５ｃ、ｄ
が完全に独立して動作することができるので、以下のよ
うな利点が生じる。即ち、その画素が選択されるとき、
まず選択ＴＦＴ５ａ、５ｂがオンし、画素電極２７に電
流を供給する。次に選択ＴＦＴ５ｃ、ｄがオンすると、
画素電極２７は既に一定電圧に昇圧されているため、上
昇させなければならない電位差が小さい。つまり、いわ
ば前段の選択ＴＦＴ５ａ、ｂによってプリチャージして
おくことができる。従って、表示品位を向上させること
ができる。
【００３８】第２、第３の実施形態で示したように、よ
り小さいピッチで選択回路が配列されたＴＦＴ基板を用
い、選択回路のピッチの任意倍のピッチで画素電極７、
１７、２７を配置し、駆動させることができる。
り小さいピッチで選択回路が配列されたＴＦＴ基板を用
い、選択回路のピッチの任意倍のピッチで画素電極７、
１７、２７を配置し、駆動させることができる。
【００３９】なお、上記実施形態は、蛍光表示装置に有
機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板を流用したが、本発明の要
は、画素ピッチが小さい表示装置に用いるＴＦＴ基板
を、画素電極を複数接続することによって画素ピッチが
大きい表示装置に流用するところにある。従って、例え
ば画素ピッチの大きい反射型液晶表示装置（Liquid Cry
stal Display、以下ＬＣＤと表記。）のＴＦＴ基板に、
画素ピッチの小さい透過型ＬＣＤのＴＦＴ基板を流用す
るなど、あらゆる種類の表示装置に適用可能である。た
だし、現在の表示装置の研究開発の方向性としては、画
素ピッチの縮小化、微細化にある。これに対し、上述の
ように、蛍光表示装置には、画素ピッチを縮小できない
理由が存在するため、アクティブマトリクス型蛍光表示
装置は異なる種類の表示装置のＴＦＴ基板を流用するの
に適しているといえる。
機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板を流用したが、本発明の要
は、画素ピッチが小さい表示装置に用いるＴＦＴ基板
を、画素電極を複数接続することによって画素ピッチが
大きい表示装置に流用するところにある。従って、例え
ば画素ピッチの大きい反射型液晶表示装置（Liquid Cry
stal Display、以下ＬＣＤと表記。）のＴＦＴ基板に、
画素ピッチの小さい透過型ＬＣＤのＴＦＴ基板を流用す
るなど、あらゆる種類の表示装置に適用可能である。た
だし、現在の表示装置の研究開発の方向性としては、画
素ピッチの縮小化、微細化にある。これに対し、上述の
ように、蛍光表示装置には、画素ピッチを縮小できない
理由が存在するため、アクティブマトリクス型蛍光表示
装置は異なる種類の表示装置のＴＦＴ基板を流用するの
に適しているといえる。
【００４０】また、透過型ＬＣＤは画素電極を光が透過
して表示するので、透過型ＬＣＤに本発明を適用する
と、画素の開口率が低下する問題が生じる。これに対
し、蛍光表示装置では、金属製の画素電極７上に設けら
れた蛍光体１６が第２の基板１２を透過して表示するの
で、画素電極７の下にＴＦＴや配線を配置しても開口率
の低下のような問題は生じない。その観点から、本発明
は、蛍光表示装置、有機ＥＬ表示装置、反射型ＬＣＤ等
のように、画素電極に光を透過させないで表示するタイ
プの表示装置に適用してより有効であると言える。
して表示するので、透過型ＬＣＤに本発明を適用する
と、画素の開口率が低下する問題が生じる。これに対
し、蛍光表示装置では、金属製の画素電極７上に設けら
れた蛍光体１６が第２の基板１２を透過して表示するの
で、画素電極７の下にＴＦＴや配線を配置しても開口率
の低下のような問題は生じない。その観点から、本発明
は、蛍光表示装置、有機ＥＬ表示装置、反射型ＬＣＤ等
のように、画素電極に光を透過させないで表示するタイ
プの表示装置に適用してより有効であると言える。
【００４１】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
それぞれの画素電極は、複数のＴＦＴに接続されている
ので、互いに冗長ＴＦＴとして機能するので、その内の
一つに不良が生じても他のＴＦＴがカバーするため、回
路全体としては不良品とならない。
それぞれの画素電極は、複数のＴＦＴに接続されている
ので、互いに冗長ＴＦＴとして機能するので、その内の
一つに不良が生じても他のＴＦＴがカバーするため、回
路全体としては不良品とならない。
【００４２】また、第２のピッチは、第１のピッチの整
数倍である。即ち、画素電極の配列はＴＦＴの配列より
も粗く、小さいピッチのＴＦＴ基板を用いて大きいピッ
チの表示装置に対応することができる。従って、画素ピ
ッチの異なる表示装置の開発コストが低減できる。
数倍である。即ち、画素電極の配列はＴＦＴの配列より
も粗く、小さいピッチのＴＦＴ基板を用いて大きいピッ
チの表示装置に対応することができる。従って、画素ピ
ッチの異なる表示装置の開発コストが低減できる。
【００４３】また、画素電極に対向して配置された陰極
と、画素電極上に形成された蛍光体とを更に有し、陰極
から放出した電子が蛍光体にあたることによって発光す
ることによって表示を行う蛍光表示装置であれば、特
に、例えば既に開発されているＥＬ表示装置のＴＦＴ基
板を、画素電極のレイヤーを変更するだけで蛍光表示装
置に流用することができるため、アクティブマトリクス
型蛍光表示装置の開発コストを削減することができると
いう特段の効果を奏する。
と、画素電極上に形成された蛍光体とを更に有し、陰極
から放出した電子が蛍光体にあたることによって発光す
ることによって表示を行う蛍光表示装置であれば、特
に、例えば既に開発されているＥＬ表示装置のＴＦＴ基
板を、画素電極のレイヤーを変更するだけで蛍光表示装
置に流用することができるため、アクティブマトリクス
型蛍光表示装置の開発コストを削減することができると
いう特段の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施形態のアクティブマトリク
ス型表示装置を示す平面図である。
ス型表示装置を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のアクティブマトリク
ス型表示装置を示す断面図である。
ス型表示装置を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態のアクティブマトリク
ス型表示装置を示す平面図である。
ス型表示装置を示す平面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態のアクティブマトリク
ス型表示装置を示す平面図である。
ス型表示装置を示す平面図である。
【図５】従来の蛍光表示装置を示す平面図である。
【図６】従来の蛍光表示装置を示す断面図である。
１，１０１ 第１の基板、 ２，１０２
選択信号線、３，１０３ データ信号線、
４，１０４ 電流供給線、５，１０５ 選択ＴＦ
Ｔ、 ６，１０６ 電流供給ＴＦＴ、
７，１７，２７，１０７ 画素電極、 １２，１１２
第２の基板、１４，１１４ 陰極、
１５，１１５ グリッド
選択信号線、３，１０３ データ信号線、
４，１０４ 電流供給線、５，１０５ 選択ＴＦ
Ｔ、 ６，１０６ 電流供給ＴＦＴ、
７，１７，２７，１０７ 画素電極、 １２，１１２
第２の基板、１４，１１４ 陰極、
１５，１１５ グリッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 31/15 Ｈ０１Ｊ 31/15 Ｄ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、それぞれ選択薄膜トランジスタ
を有し、前記基板上に第１のピッチでマトリクス状に配
列された複数の選択回路と、前記選択薄膜トランジスタ
上に第２のピッチで配列された複数の画素電極とを有
し、前記第２のピッチは、行方向もしくは／及び列方向
に前記第１のピッチに比較して２倍以上大きく、前記画
素電極のそれぞれに、複数の前記選択回路が対応して配
置されていることを特徴とするアクティブマトリクス型
表示装置。 - 【請求項２】 ｎを２以上の自然数とし、前記第２のピ
ッチは、行方向もしくは／及び列方向に前記第１のピッ
チのｎ倍であることを特徴とする請求項１に記載のアク
ティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項３】 行方向に延在する複数の選択信号線と、
列方向に延在する複数のデータ信号線とを更に有し、前
記複数の選択薄膜トランジスタそれぞれは、ゲートが前
記選択信号線のうちの一つに接続され、ドレインが前記
データ信号線のうちの一つに接続されていることを特徴
とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装
置。 - 【請求項４】 前記第２のピッチは行方向で前記第１の
ピッチと比較して２倍以上であり、列方向で互いに等し
いことを特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリ
クス型表示装置。 - 【請求項５】 列方向に延在する複数の電流供給線と、
前記選択薄膜トランジスタに対応して配置された電流供
給薄膜トランジスタとを更に有し、前記電流供給薄膜ト
ランジスタは、前記選択薄膜トランジスタのソースがゲ
ートに接続され、前記電流供給線がドレインに接続さ
れ、前記画素電極がソースに接続されていることを特徴
とする請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装
置。 - 【請求項６】 前記画素電極に対向して配置された陰極
と、前記画素電極上に形成された蛍光体とを更に有し、
前記陰極から放出した電子が前記蛍光体にあたることに
よって発光して表示を行うことを特徴とする請求項５に
記載のアクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項７】 前記画素電極は少なくとも１本の前記デ
ータ信号線もしくは／及び前記電流供給線に跨って配置
されていることを特徴とする請求項５に記載のアクティ
ブマトリクス型表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000007292A JP2001202032A (ja) | 2000-01-17 | 2000-01-17 | アクティブマトリクス型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000007292A JP2001202032A (ja) | 2000-01-17 | 2000-01-17 | アクティブマトリクス型表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001202032A true JP2001202032A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18535687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000007292A Pending JP2001202032A (ja) | 2000-01-17 | 2000-01-17 | アクティブマトリクス型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001202032A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006189852A (ja) * | 2004-12-29 | 2006-07-20 | Dupont Displays Inc | ピクセルを含む有機電子デバイス |
| CN100451791C (zh) * | 2003-11-28 | 2009-01-14 | 东芝松下显示技术有限公司 | 有源矩阵型显示器及其制造方法 |
| US7701420B2 (en) | 2004-12-08 | 2010-04-20 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and driving method thereof |
| JP2015014793A (ja) * | 2014-07-14 | 2015-01-22 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
| JP2016006524A (ja) * | 2015-08-03 | 2016-01-14 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
| US10008165B2 (en) | 2006-10-13 | 2018-06-26 | Nlt Technologies, Ltd. | TFT display device including unit circuits, pixel circuits and a display element |
| JP2020027270A (ja) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US10909922B2 (en) | 2018-08-13 | 2021-02-02 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
-
2000
- 2000-01-17 JP JP2000007292A patent/JP2001202032A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100451791C (zh) * | 2003-11-28 | 2009-01-14 | 东芝松下显示技术有限公司 | 有源矩阵型显示器及其制造方法 |
| US7701420B2 (en) | 2004-12-08 | 2010-04-20 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US8547306B2 (en) | 2004-12-08 | 2013-10-01 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and driving method thereof |
| JP2006189852A (ja) * | 2004-12-29 | 2006-07-20 | Dupont Displays Inc | ピクセルを含む有機電子デバイス |
| US10008165B2 (en) | 2006-10-13 | 2018-06-26 | Nlt Technologies, Ltd. | TFT display device including unit circuits, pixel circuits and a display element |
| US10235954B2 (en) | 2006-10-13 | 2019-03-19 | Tianma Japan, Ltd. | Surface display device with a non-rectangular display surface shape and electronic device including same |
| US10453408B2 (en) | 2006-10-13 | 2019-10-22 | Tianma Japan, Ltd. | Surface display device with a non-rectangular display surface shape and electronic device including same |
| JP2015014793A (ja) * | 2014-07-14 | 2015-01-22 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
| JP2016006524A (ja) * | 2015-08-03 | 2016-01-14 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
| JP2020027270A (ja) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| CN110827761A (zh) * | 2018-08-13 | 2020-02-21 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置以及电子设备 |
| TWI713009B (zh) * | 2018-08-13 | 2020-12-11 | 日商精工愛普生股份有限公司 | 電性光學裝置及電子機器 |
| US10909922B2 (en) | 2018-08-13 | 2021-02-02 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |