JP2021043378A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】不良が起きた場合にも、適切に使用可能とする。【解決手段】表示装置は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体１００と、複数の無機発光体１００に接続される対向電極とを備えるものであって、複数の無機発光体１００は、所定の波長帯の光を発光可能な単色無機発光体１００Ａと、電流が供給された場合に第１波長帯の光を発光可能な第１補助無機発光素子１０２ＲＢ、電流が供給された場合に第２波長帯の光を発光可能な第２補助無機発光素子１０２ＧＢ、及び第１補助無機発光素子１０２ＲＢと第２補助無機発光素子１０２ＧＢとに接続される電極を備える補助無機発光体１００Ｂと、を含む。対向電極は、単色無機発光体１００Ａ及び第１補助無機発光素子１０２ＲＢに接続され、第２補助無機発光素子１０２ＧＢには接続されない。【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として微小サイズの発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ））を用いた表示装置が注目されている（例えば、特許文献１参照）。複数の発光ダイオードは、アレイ基板（特許文献１ではドライババックプレーン）に接続され、アレイ基板は、発光ダイオードを駆動するための画素回路（特許文献１では電子制御回路）を備える。

特表２０１７−５２９５５７号公報

しかし、発光ダイオードを用いた表示装置は、発光ダイオードのサイズが小さいなどの理由により、発光ダイオードの基板への搭載など、製造が難しく、発光ダイオードの不良を招き易い。不良が起きた表示装置を破棄するなどして使用しない場合、歩留りが低下する。そのため、発光ダイオードを用いた表示装置において、製造時に不良が起きた場合にも、適切に使用可能とすることが求められている。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、製造時に不良が起きた場合にも、適切に使用可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様による表示装置は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体と、複数の前記無機発光体に接続される対向電極とを備える表示装置であって、複数の前記無機発光体は、所定の波長帯の光を発光可能な単色無機発光体と、電流が供給された場合に第１波長帯の光を発光可能な第１補助無機発光素子、電流が供給された場合に第２波長帯の光を発光可能な第２補助無機発光素子、及び第１補助無機発光素子と第２補助無機発光素子とに接続される電極を備える補助無機発光体と、を含み、前記対向電極は、前記単色無機発光体及び前記第１補助無機発光素子に接続され、前記第２補助無機発光素子には接続されない。

本発明の一態様による表示装置の製造方法は、所定の波長帯の光を発光可能な単色無機発光体を形成する単色無機発光体形成ステップと、電流が供給された場合に第１波長帯の光を発光可能な第１補助無機発光素子、電流が供給された場合に第２波長帯の光を発光可能な第２補助無機発光素子、及び前記第１補助無機発光素子と前記第２補助無機発光素子とに接続される電極を備える補助無機発光体を形成する補助無機発光体形成ステップと、前記単色無機発光体及び前記第１補助無機発光素子に接続されて、前記第２補助無機発光素子に接続されない対向電極を形成する対向電極形成ステップと、を含む。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す平面図である。 図２は、第１実施形態における複数の画素を示す平面図である。 図３は、表示装置の画素回路の構成例を示す回路図である。 図４は、表示装置の画素回路の構成例を示す回路図である。 図５は、図１のＶ−Ｖ’断面図である。 図６は、本実施形態に係る単色無機発光体の構成例を示す断面図である。 図７は、本実施形態に係る補助無機発光体の構成例を示す断面図である。 図８は、本実施形態に係る補助無機発光体の構成例を示す上面図である。 図９は、第１実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する模式図である。 図１０は、信号処理回路の構成を模式的に示すブロック図である。 図１１は、第１実施形態において出力階調値の設定方法を説明するためのフローチャートである。 図１２は、第２実施形態における複数の画素を示す平面図である。 図１３は、第２実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する模式図である。 図１４は、第２実施形態において出力階調値の設定方法を説明するためのフローチャートである。

以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１実施形態）
(表示装置の構成)
図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す平面図である。図１に示すように、第１実施形態に係る表示装置１は、アレイ基板２と、画素Ｐｉｘと、駆動回路１２と、駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２１０と、カソード配線６０と、を含む。アレイ基板２は、各画素Ｐｉｘを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。アレイ基板２は、基板１０、複数のトランジスタ、複数の容量及び各種配線等を有する。

図１に示すように、表示装置１は、表示領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。表示領域ＡＡは、複数の画素Ｐｉｘが配置される領域であり、画像を表示する領域である。周辺領域ＧＡは、複数の画素Ｐｉｘと重ならない領域であり、表示領域ＡＡの外側に配置される。

複数の画素Ｐｉｘは、基板１０の表示領域ＡＡにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列される。なお、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、アレイ基板２の基板１０の第１面１０ａ（図５参照）に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、例えば、基板１０の法線方向に対応する。以下、平面視とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係を示す。

駆動回路１２は、基板１０の周辺領域ＧＡに設けられる。駆動回路１２は、駆動ＩＣ２１０からの各種制御信号に基づいて複数のゲート線（例えば、発光制御走査線ＢＧ、リセット制御走査線ＲＧ、初期化制御走査線ＩＧ及び書込制御走査線ＳＧ（図３参照））を駆動する回路である。駆動回路１２は、複数のゲート線を順次又は同時に選択し、選択されたゲート線にゲート駆動信号を供給する。これにより、駆動回路１２は、ゲート線に接続された複数の画素Ｐｉｘを選択する。

駆動ＩＣ２１０は、表示装置１の表示を制御する回路である。駆動ＩＣ２１０は、基板１０の周辺領域ＧＡにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）として実装されてもよい。これに限定されず、駆動ＩＣ２１０は、基板１０の周辺領域ＧＡに接続された配線基板の上にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）として実装されてもよい。なお、基板１０に接続される配線基板は、例えば、フレキシブルプリント基板やリジット基板である。

カソード配線６０は、基板１０の周辺領域ＧＡに設けられる。カソード配線６０は、表示領域ＡＡの複数の画素Ｐｉｘ及び周辺領域ＧＡの駆動回路１２を囲んで設けられる。複数の無機発光体１００（図４参照）のカソード（カソード電極１１４（図４参照））は、共通のカソード配線６０に接続され、固定電位（例えば、グランド電位）が供給される。より具体的には、無機発光体１００のカソード電極１１４は、アレイ基板２上の対向カソード電極９０ｅを介して、カソード配線６０に接続される。なお、カソード配線１４は、一部にスリットを有し、基板１０上において、２つの異なる配線で形成されてもよい。

図２は、第１実施形態における複数の画素を示す平面図である。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘは、複数の画素４９を含む。画素４９は、それぞれ、無機発光素子１０２を備えた無機発光体１００を有する。無機発光体１００は、平面視で、数μｍ以上、３００μｍ以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、一般的には、一つのチップサイズが１００μｍ以上をミニＬＥＤ（ｍｉｎｉＬＥＤ）、１００μｍ未満〜数μｍのサイズをマイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）と呼ばれる。本発明ではいずれのサイズのＬＥＤも用いることができ、表示装置の画面サイズ（一画素の大きさ）に応じて使い分ければよい。各画素にマイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）を備える表示装置は、マイクロＬＥＤ表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロＬＥＤのマイクロは、無機発光体１００の大きさを限定するものではない。無機発光体１００及び無機発光素子１０２の構造については後述する。

本実施形態に係る表示装置１は、画素Ｐｉｘとして、画素ＰｉｘＡと画素ＰｉｘＢとを有している。画素ＰｉｘＡは、第１画素４９Ｒと、第２画素４９Ｇと、第３画素４９Ｂとを有する。第１画素４９Ｒは、第１波長帯の光を発光する画素である。本実施形態では、第１波長帯の光は、第１色としての原色の赤色の光であるため、第１画素４９Ｒは、第１色としての原色の赤色を表示する。第２画素４９Ｇは、第１波長帯とは異なる第２波長帯の光を発光する画素である。本実施形態では、第２波長帯の光は、第２色としての原色の緑色の光であるため、第２画素４９Ｇは、第２色としての原色の緑色を表示する。第３画素４９Ｂは、第１波長帯及び第２波長帯とは異なる第３波長帯の光を発光する画素である。本実施形態では、第３波長帯の光は、第３色としての原色の青色の光であるため、第３画素４９Ｂは、第３色としての原色の青色を表示する。なお、第１色、第２色、第３色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。すなわち、第１波長帯、第２波長帯、第３波長帯は、それぞれ赤色、緑色、青色に対応することに限られない。また、図２に示すように、１つの画素ＰｉｘＡにおいて、第１画素４９Ｒと第３画素４９Ｂは第１方向Ｄｘで並ぶ。また、第２画素４９Ｇと第３画素４９Ｂは第２方向Ｄｙで並ぶ。以下において、第１画素４９Ｒと、第２画素４９Ｇと、第３画素４９Ｂと、後述の補助画素４９ＢＢとをそれぞれ区別する必要がない場合、画素４９という。なお、１つの画素ＰｉｘＡに含まれる画素４９は３つに限らず、４以上の画素４９が対応づけられていてもよい。例えば、第４色として白色が対応付けられた第４画素４９Ｗが含まれてもよい。また、複数の画素４９の配置は、図２に示す構成に限定されない。例えば、第１画素４９Ｒは第２画素４９Ｇと第１方向Ｄｘに隣り合っていてもよい。また、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ、及び、第３画素４９Ｂが、この順で第１方向Ｄｘに繰り返し配列されてもよい。

第１画素４９Ｒは、無機発光体１００として、第１波長帯の光を発光する第１単色無機発光体１００ＲＡを有し、第２画素４９Ｇは、無機発光体１００として、第２波長帯の光を発光する第２単色無機発光体１００ＧＡを有し、第３画素４９Ｂは、無機発光体１００として、第３波長帯の光を発光する第３単色無機発光体１００ＢＡを有する。第１単色無機発光体１００ＲＡは、無機発光素子１０２として第１単色無機発光素子１０２ＲＡを含み、第２単色無機発光体１００ＧＡは、無機発光素子１０２として第２単色無機発光素子１０２ＧＡを含み、第３単色無機発光体１００ＢＡは、無機発光素子１０２として第３単色無機発光素子１０２ＢＡを含む。第１単色無機発光体１００ＲＡ（第１単色無機発光素子１０２ＲＡ）、第２単色無機発光体１００ＧＡ（第２単色無機発光素子１０２ＧＡ）、及び第３単色無機発光体１００ＢＡ（第３単色無機発光素子１０２ＢＡ）は、単色であって互いに異なる色の光を発光する無機発光体１００（無機発光素子１０２）であるといえる。以下、第１単色無機発光体１００ＲＡ、第２単色無機発光体１００ＧＡ、及び第３単色無機発光体１００ＢＡを区別しない場合は、単色無機発光体１００Ａと記載する。同様に、第１単色無機発光素子１０２ＲＡ、第２単色無機発光素子１０２ＧＡ、及び第３単色無機発光素子１０２ＢＡを区別しない場合は、単色無機発光素子１０２Ａと記載する。単色無機発光体１００Ａは、所定の波長帯の光を発光する１種類の単色無機発光素子１０２Ａを備えているといえる。

このように、画素ＰｉｘＡは、それぞれ単色の色を表示する第１画素４９Ｒと、第２画素４９Ｇと、第３画素４９Ｂとを有する。第１画素４９Ｒと、第２画素４９Ｇと、第３画素４９Ｂとを区別しない場合は、単色画素４９Ａと記載する。単色画素４９Ａは、所定の波長帯の光を発光する１種類の無機発光体１００（無機発光素子１０２）を備えているといえる。画素ＰｉｘＡが３つの単色画素４９Ａを有している一方、画素ＰｉｘＢは、単色画素４９Ａと補助画素４９ＢＢとを有する。より具体的には、画素ＰｉｘＢは、２つの単色画素４９Ａと、１つの補助画素４９ＢＢとを有する。図２の例では、画素ＰｉｘＢは、２つの単色画素４９Ａとしての第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂと、１つの補助画素４９ＢＢとを備える。

補助画素４９ＢＢは、補助無機発光体１００Ｂを備えている。補助無機発光体１００Ｂは、無機発光素子１０２として、複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂを備えている。補助無機発光素子１０２Ｂは、発光するための電流（後述のアノード電源電位ＰＶＤＤに応じた電流）が供給された場合に発光する無機発光素子１０２である。それぞれの補助無機発光素子１０２Ｂは、発光するための電流が供給された場合に発する光の波長帯が、互いに異なる。具体的には、補助無機発光体１００Ｂは、補助無機発光素子１０２Ｂとして、第１補助無機発光素子１０２ＲＢと、第２補助無機発光素子１０２ＧＢと、第３補助無機発光素子１０２ＢＢと、を備える。第１補助無機発光素子１０２ＲＢは、発光するための電流が供給された場合に、第１波長帯の光を発光する。第２補助無機発光素子１０２ＧＢは、発光するための電流が供給された場合に、第２波長帯の光を発光する。第３補助無機発光素子１０２ＢＢは、発光するための電流が供給された場合に、第３波長帯の光を発光する。

補助無機発光体１００Ｂ（補助画素４９ＢＢ）は、第１補助無機発光素子１０２ＲＢ、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ、及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢの全てが発光した場合には、第１波長帯、第２波長帯及び第３波長帯の光が重ね合わされた白色の光を発光することとなる。ただし、補助無機発光体１００Ｂは、複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂのうちの一部のみが、発光するための電流が供給可能な状態、言い換えれば発光可能な状態になっている。そのため、補助無機発光体１００Ｂは、実際には白色の光を発光せずに、発光可能な状態になっている一部の補助無機発光素子１０２Ｂの波長帯の光のみを、発光する。具体的には、補助無機発光体１００Ｂは、複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂのうち、１種類の補助無機発光素子１０２Ｂのみが、発光可能な状態になっているため、第１波長帯、第２波長帯、第３波長帯のうち、１つの波長帯の光を発光する。図２の例では、補助無機発光体１００Ｂ（補助画素４９ＢＢ）は、第１補助無機発光素子１０２ＲＢ、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ、及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢのうち、第１補助無機発光素子１０２ＲＢのみが、発光可能な状態になっているため、第１補助無機発光素子１０２ＲＢによる第１波長帯の光（第１色の光）を発光する。

このように、図２の例では、画素ＰｉｘＢは、第２波長帯の光を発光する第２画素４９Ｇ（第２単色無機発光体１００ＧＡ）と、第３波長帯の光を発光する第３画素４９Ｂ（第３単色無機発光体１００ＢＡ）と、第１波長帯の光を発光する補助画素４９ＢＢ（補助無機発光体１００Ｂ）と、を備えている。補助無機発光体１００Ｂ（補助画素４９ＢＢ）は、同じ画素ＰｉｘＢに含まれる単色無機発光体１００Ａ（単色画素４９Ａ）とは異なる波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂ（ここでは第１補助無機発光素子１０２ＲＢ）が、発光可能な状態になっているといえる。そして、補助無機発光体１００Ｂ（補助画素４９ＢＢ）は、同じ画素ＰｉｘＢに含まれる単色無機発光体１００Ａ（単色画素４９Ａ）と同じ波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂ（ここでは第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢ）が、発光不可能な状態、すなわち発光するための電流が供給不可能な状態になっているといえる。

以上のように、表示装置１は、画素Ｐｉｘとして、画素ＰｉｘＡと画素ＰｉｘＢとを含む。画素ＰｉｘＡは、自身に含まれる単色無機発光体１００Ａに不良が生じておらず、全ての単色無機発光体１００Ａが換装されずに残されている画素である。一方、画素ＰｉｘＢは、自身に含まれる単色無機発光体１００Ａに不良が生じることが検出されたために、不良が生じた単色無機発光体１００Ａが、補助無機発光体１００Ｂに換装された画素である。なお、図２の例では、説明の便宜上、画素ＰｉｘＡが３つであり画素ＰｉｘＢが１つとなっているが、画素ＰｉｘＡ及び画素ＰｉｘＢの並び順及び数は、どの画素Ｐｉｘに不良が生じたかに依存するため、任意である。

図３及び図４は、表示装置の画素回路の構成例を示す回路図である。図３は、無機発光体１００として単色無機発光体１００Ａに接続される回路構成を示しており、図４は、無機発光体１００として補助無機発光体１００Ｂに接続される回路構成を示している。

図３に示すように、画素回路ＰＩＣＡは、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂのそれぞれに設けられる。画素回路ＰＩＣＡは、基板１０に設けられ、駆動信号（電流）を無機発光体１００に供給する回路である。なお、図３において、画素回路ＰＩＣＡについての説明は、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂのそれぞれが有する画素回路ＰＩＣＡに適用できる。

図３に示すように、画素回路ＰＩＣＡは、無機発光体１００と、５つのトランジスタと、２つの容量と、を含む。具体的には、画素回路ＰＩＣＡは、発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、書込トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ及び駆動トランジスタＤＲＴを含む。一部のトランジスタは、隣接する複数の画素４９で共有されていてもよい。例えば、発光制御トランジスタＢＣＴは、共通配線を介して、３つの画素４９で共有されていてもよい。また、リセットトランジスタＲＳＴは、周辺領域ＧＡに設けられ、例えば画素４９の各行に１つ設けられていてもよい。この場合、リセットトランジスタＲＳＴは、共通配線を介して複数の駆動トランジスタＤＲＴのドレインに接続される。ただし、リセットトランジスタＲＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴのソースに接続されていてもよい。

画素回路ＰＩＣＡが有する複数のトランジスタは、それぞれｎ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成される。ただし、これに限定されず、各トランジスタは、それぞれｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。ｐ型ＴＦＴを用いる場合は、適宜電源電位や保持容量Ｃｓ１及び容量Ｃｓ２の接続を適合させてもよい。

発光制御走査線ＢＧは、発光制御トランジスタＢＣＴのゲートに接続される。初期化制御走査線ＩＧは、初期化トランジスタＩＳＴのゲートに接続される。書込制御走査線ＳＧは、書込トランジスタＳＳＴのゲートに接続される。リセット制御走査線ＲＧは、リセットトランジスタＲＳＴのゲートに接続される。

発光制御走査線ＢＧ、初期化制御走査線ＩＧ、書込制御走査線ＳＧ及びリセット制御走査線ＲＧは、それぞれ、駆動回路１２（図１参照）に接続される。駆動回路１２は、発光制御走査線ＢＧ、初期化制御走査線ＩＧ、書込制御走査線ＳＧ及びリセット制御走査線ＲＧに、それぞれ、発光制御信号Ｖｂｇ、初期化制御信号Ｖｉｇ、書込制御信号Ｖｓｇ及びリセット制御信号Ｖｒｇを供給する。

駆動ＩＣ２１０（図１参照）は、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂのそれぞれの画素回路ＰＩＣＡに、時分割で映像信号Ｖｓｉｇを供給する。第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂの各列と、駆動ＩＣ２１０との間には、マルチプレクサ等のスイッチ回路が設けられる。映像信号Ｖｓｉｇは、映像信号線Ｌ２を介して書込トランジスタＳＳＴに供給される。また、駆動ＩＣ２１０は、リセット信号線Ｌ３を介して、リセット電源電位ＶｒｓｔをリセットトランジスタＲＳＴに供給する。駆動ＩＣ２１０は、初期化信号線Ｌ４を介して、初期化電位Ｖｉｎｉを初期化トランジスタＩＳＴに供給する。

発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、書込トランジスタＳＳＴ、及びリセットトランジスタＲＳＴは、２ノード間の導通と非導通とを選択するスイッチング素子として機能する。駆動トランジスタＤＲＴは、ゲートとドレインとの間の電圧に応じて、無機発光体１００に流れる電流を制御する電流制御素子として機能する。

無機発光体１００のカソード（カソード電極１１４）は、カソード電源線Ｌ１０に接続される。また、無機発光体１００のアノード（アノード電極１１２）は、駆動トランジスタＤＲＴ及び発光制御トランジスタＢＣＴを介してアノード電源線Ｌ１（第１電源線）に接続される。アノード電源線Ｌ１には、アノード電源電位ＰＶＤＤ（第１電位）が供給される。カソード電源線Ｌ１０には、カソード電源電位ＰＶＳＳ（第２電位）が供給される。アノード電源電位ＰＶＤＤは、カソード電源電位ＰＶＳＳよりも高い電位である。カソード電源線Ｌ１０は、カソード配線６０を含む。

また、画素回路ＰＩＣＡは、容量Ｃｓ１及び容量Ｃｓ２を含む。容量Ｃｓ１は、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとソースとの間に形成される保持容量である。容量Ｃｓ２は、駆動トランジスタＤＲＴのソース及び無機発光体１００のアノードと、カソード電源線Ｌ１０との間に形成される付加容量である。

なお、画素回路ＰＩＣＡは、発光制御トランジスタＢＣＴと駆動トランジスタＤＲＴとの間に、トランジスタＣＣＴを設けてもよい。この場合、トランジスタＣＣＴのソースが発光制御トランジスタＢＣＴのドレインに接続され、トランジスタＣＣＴのドレインが駆動トランジスタＤＲＴのソースに接続される。そして、トランジスタＣＣＴのゲートには、トランジスタＣＣＴのゲートに電位を供給する配線ＣＧが接続される。配線ＣＧを介してトランジスタＣＣＴのゲートに電位が供給されることで、発光制御トランジスタＢＣＴのドレインと駆動トランジスタＤＲＴのソースとを導通状態にし、配線ＣＧを介してトランジスタＣＣＴのゲートに電位が供給されない場合に、発光制御トランジスタＢＣＴのドレインと駆動トランジスタＤＲＴのソースとを非導通状態にする。

表示装置１は、１行目の画素４９から最終行の画素４９まで駆動を行い１フレーム分の画像を１フレーム期間に表示する。

リセット期間では、駆動回路１２から供給される各制御信号により、発光制御走査線ＢＧの電位がＬ（ロウ）レベルとなり、リセット制御走査線ＲＧの電位がＨ（ハイ）レベルとなる。これにより、発光制御トランジスタＢＣＴがオフ（非導通状態）となり、リセットトランジスタＲＳＴがオン（導通状態）となる。

これにより、画素４９内に残留していた電荷が、リセットトランジスタＲＳＴを通じて外部に流れ、駆動トランジスタＤＲＴのソースがリセット電源電位Ｖｒｓｔに固定される。リセット電源電位Ｖｒｓｔは、カソード電源電位ＰＶＳＳに対して所定の電位差を有して設定される。この場合、リセット電源電位Ｖｒｓｔとカソード電源電位ＰＶＳＳとの電位差は、無機発光体１００が発光を開始する電位差よりも小さい。

次に、駆動回路１２から供給される各制御信号により、初期化制御走査線ＩＧの電位がＨレベルとなる。初期化トランジスタＩＳＴは、オンとなる。初期化トランジスタＩＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲートが初期化電位Ｖｉｎｉに固定される。

次に、駆動回路１２から供給される各制御信号により、初期化制御走査線ＩＧの電位がＨレベルとなる。初期化トランジスタＩＳＴは、オンとなる。初期化トランジスタＩＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲートが初期化電位Ｖｉｎｉに固定される。

また、駆動回路１２は、発光制御トランジスタＢＣＴをオンとし、リセットトランジスタＲＳＴをオフとする。駆動トランジスタＤＲＴは、ソース電位が（Ｖｉｎｉ−Ｖｔｈ）になるとオフになる。これにより、画素４９ごとに駆動トランジスタＤＲＴのしきい値電圧Ｖｔｈを取得することができ、画素４９ごとのしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきがオフセットされる。

次に、映像信号書込動作期間では、駆動回路１２から供給される各制御信号により、発光制御トランジスタＢＣＴがオフになり、初期化トランジスタＩＳＴがオフになり、書込トランジスタＳＳＴがオンになる。１行に属する画素４９において、映像信号Ｖｓｉｇが駆動トランジスタＤＲＴのゲートに入力される。映像信号線Ｌ２は、第２方向Ｄｙに延在し、同列に属する複数行の画素４９に接続される。このため、映像信号書込動作期間は、１行ごとに実施される。

次に、発光動作期間では、駆動回路１２から供給される各制御信号により、発光制御トランジスタＢＣＴがオンになり、書込トランジスタＳＳＴがオフになる。アノード電源線Ｌ１から、発光制御トランジスタＢＣＴを介して駆動トランジスタＤＲＴにアノード電源電位ＰＶＤＤが供給される。駆動トランジスタＤＲＴは、ゲートソース間の電圧に応じた電流を、無機発光体１００に供給する。無機発光体１００は、この電流に応じた輝度で発光する。

なお、駆動回路１２は、１行ごとに画素４９を駆動してもよいし、２行の画素４９を同時に駆動してもよいし、３行分以上の画素４９を同時に駆動してもよい。

なお、上述した図３に示す画素回路ＰＩＣＡの構成はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば１つの画素４９での配線の数及びトランジスタの数は異なっていてもよい。また、画素回路ＰＩＣＡはカレントミラー回路等の構成を採用することもできる。

図３に示したように単色無機発光体１００Ａが１種類の単色無機発光素子１０２Ａを含む一方、図４に示すように、補助無機発光体１００Ｂは、複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂを含む。図４に示すように、補助無機発光体１００Ｂは、補助無機発光素子１０２Ｂが並列に並んでいる。そして、複数の補助無機発光素子１０２Ｂのうちの１つの補助無機発光素子１０２Ｂ（ここでは第１補助無機発光素子１０２ＲＢ）が、カソード電源線Ｌ１０に接続されることで、発光するための電流、すなわちアノード電源電位ＰＶＤＤに応じた電流が供給されて、発光する。一方、複数の補助無機発光素子１０２Ｂのうちの他の補助無機発光素子１０２Ｂ（ここでは第２無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢ）は、カソード電源線Ｌ１０に非接続となっていることで、発光するための電流、すなわちアノード電源電位ＰＶＤＤに応じた電流が供給されずに、発光しない。なお、詳しくは後述するが、第１補助無機発光素子１０２ＲＢは、対向カソード電極９０ｅに接続されることで、カソード電源線Ｌ１０に接続されて発光可能な状態になっており、第２無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢは、対向カソード電極９０ｅに非接続となっていることで、カソード電源線Ｌ１０に非接続となり発光不可能な状態になっている。

図５は、図１のＶ−Ｖ’断面図である。図５に示すように、表示装置１のアレイ基板２は、基板１０と、複数のトランジスタと、を備える。基板１０は、第１面１０ａと、第１面１０ａの反対側の第２面１０ｂとを有する。基板１０は、絶縁基板であり、例えば、ガラス基板、石英基板、又は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、若しくは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂製のフレキシブル基板である。

なお、本明細書において、基板１０の表面に垂直な方向において、基板１０から無機発光体１００に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、無機発光体１００から基板１０に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。また、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

アンダーコート層２０は、基板１０の第１面１０ａ上に設けられる。なお、基板１０の第１面１０ａ上には、遮光層が設けられてもよい。この場合、アンダーコート層２０が、遮光層を覆う。遮光層は、光を遮断するものであれば任意の材料であってよいが、例えば、モリブデンタングステン合金膜であってよい。

複数のトランジスタは、アンダーコート層２０上に設けられる。例えば、基板１０の表示領域ＡＡには、複数のトランジスタとして、画素４９に含まれる駆動トランジスタＤＲＴ及び書込トランジスタＳＳＴがそれぞれ設けられている。基板１０の周辺領域ＧＡには、複数のトランジスタとして、駆動回路１２に含まれるトランジスタＴｒＣが設けられている。なお、複数のトランジスタのうち、駆動トランジスタＤＲＴ、書込トランジスタＳＳＴ、及び、トランジスタＴｒＣを示しているが、画素回路ＰＩＣＡに含まれる発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴも、駆動トランジスタＤＲＴと同様の積層構造を有する。なお、以下の説明において、複数のトランジスタを区別して説明する必要が無い場合は、単にトランジスタＴｒと表す。

トランジスタＴｒは、例えば両面ゲート構造のＴＦＴである。トランジスタＴｒは、それぞれ、第１ゲート電極２１と、第２ゲート電極３１と、半導体層２５と、ソース電極４１ｓと、ドレイン電極４１ｄと、を有する。第１ゲート電極２１は、アンダーコート層２０上に設けられる。絶縁膜２４は、アンダーコート層２０上に設けられて第１ゲート電極２１を覆う。半導体層２５は、絶縁膜２４上に設けられる。半導体層２５は、例えば、ポリシリコンが用いられる。ただし、半導体層２５は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、低温ポリシリコン等であってもよい。絶縁膜２９は、半導体層２５上に設けられる。第２ゲート電極３１は、絶縁膜２９上に設けられる。

アンダーコート層２０、絶縁膜２４、２９、４５は、無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる。第３方向Ｄｚにおいて、第１ゲート電極２１と第２ゲート電極３１は、絶縁膜２４、半導体層２５及び絶縁膜２９を介して、対向している。絶縁膜２４、２９において、第１ゲート電極２１と第２ゲート電極３１とに挟まれた部分がゲート絶縁膜として機能する。また、半導体層２５において、第１ゲート電極２１と第２ゲート電極３１とに挟まれた部分がトランジスタＴｒのチャネル領域２７となる。半導体層２５において、ソース電極４１ｓと接続する部分がトランジスタＴｒのソース領域であり、ドレイン電極４１ｄと接続する部分がトランジスタＴｒのドレイン領域である。チャネル領域２７とソース領域との間及びチャネル領域２７とドレイン領域との間には、それぞれ低濃度不純物領域が設けられる。なお、トランジスタＴｒとして、ｎ型ＴＦＴのみ示しているが、ｐ型ＴＦＴを同時に形成しても良い。

ゲート線３１ａは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ゲート電極３１に接続される。基板１０とゲート線３１ａとの間に絶縁膜２９が設けられ、ゲート線３１ａと基板１０との間に容量ＣＳが形成される。第１ゲート電極２１、第２ゲート電極３１及びゲート線３１ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金膜で構成されている。

本実施形態において、トランジスタＴｒは両面ゲート構造に限定されるものではない。トランジスタＴｒは、ゲート電極が第１ゲート電極２１のみで構成されるボトムゲート型であってもよい。また、トランジスタＴｒは、ゲート電極が第２ゲート電極３１のみで構成されるトップゲート型であってもよい。また、アンダーコート層２０は無くてもよい。

表示装置１は、基板１０の第１面１０ａ上に設けられて複数のトランジスタＴｒを覆う絶縁膜３５を有する。ソース電極４１ｓは、絶縁膜３５上に設けられ、絶縁膜３５に設けられた貫通孔を介して複数のトランジスタＴｒの各ソースに接続される。ドレイン電極４１ｄは、絶縁膜３５上に設けられ、絶縁膜３５に設けられた貫通孔を介して複数のトランジスタＴｒの各ドレインに接続される。周辺領域ＧＡにおいてカソード配線６０は、絶縁膜３５上に設けられる。絶縁膜４２は、ソース電極４１ｓ、ドレイン電極４１ｄ及びカソード配線６０を覆う。絶縁膜３５は無機絶縁膜、絶縁膜４２は、有機絶縁膜である。ソース電極４１ｓ及びドレイン電極４１ｄは、チタンとアルミニウムとの積層構造であるＴｉＡｌＴｉ又はＴｉＡｌの積層膜で構成されている。また、絶縁膜４２は、感光性アクリル等の有機材料が用いられる。

ソース電極４１ｓの一部は、ゲート線３１ａと重なる領域に形成される。絶縁膜３５を介して対向するゲート線３１ａとソース電極４１ｓとで、容量Ｃｓ１が形成される。また、ゲート線３１ａは、半導体層２５の一部と重なる領域に形成される。容量Ｃｓ１は、絶縁膜２４を介して対向する半導体層２５とゲート線３１ａとで形成される容量も含む。

表示装置１は、ソース接続配線４３ｓと、ドレイン接続配線４３ｄと、絶縁膜４５と、対向アノード電極５０ｅと、絶縁膜６６と、接続層５０ｆと、接続導電部５２と、無機発光体１００と、絶縁膜７０と、平坦化膜８０と、対向カソード電極９０ｅと、カバー部９２と、を有する。ソース接続配線４３ｓは、絶縁膜４２上に設けられ、絶縁膜４２に設けられた貫通孔を介してソース電極４１ｓに接続される。ドレイン接続配線４３ｄは、絶縁膜４２上に設けられ、絶縁膜４２に設けられた貫通孔を介してドレイン電極４１ｄに接続される。絶縁膜４５は、絶縁膜４２上に設けられてソース接続配線４３ｓとドレイン接続配線４３ｄとを覆う。対向アノード電極５０ｅは、絶縁膜４５上に設けられ、絶縁膜４５に設けられた貫通孔を介して駆動トランジスタＤＲＴのドレイン接続配線４３ｄに接続される。ソース接続配線４３ｓおよびドレイン接続配線４３ｄは、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）等の透明性導電体で形成される。

絶縁膜６６は、絶縁膜４５上に設けられて、対向アノード電極５０ｅを覆う。接続層５０ｆは、絶縁膜６６上に設けられ、絶縁膜６６に設けられた貫通孔を介して対向アノード電極５０ｅに接続される。接続導電部５２は、接続層５０ｆに設けられる。無機発光体１００は、接続導電部５２の上に設けられる、対向アノード電極５０ｅは、接続層５０ｆ及び接続導電部５２を介して、無機発光体１００のアノード電極１１２と接続されている。絶縁膜４５を介して対向する対向アノード電極５０ｅとソース接続配線４３ｓとの間に、容量Ｃｓ２が形成される。

絶縁膜７０は、絶縁膜４５上に設けられて、接続層５０ｆと、接続導電部５２と、無機発光体１００のアノード電極１１２の側面とを覆う。絶縁膜７０は、アノード電極１１２と重なる位置に、無機発光体１００を実装するための開口を有する。絶縁膜７０の開口の面積は、平面視において、無機発光体１００の対向アノード電極５０ｅとの接地面より大きい。また、対向アノード電極５０ｅは、平面視において、無機発光体１００の対向アノード電極５０ｅとの接地面より大きい。平坦化膜８０は、絶縁膜７０上に設けられて無機発光体１００の側面を覆う。対向カソード電極９０ｅは、平坦化膜８０上に設けられる。絶縁膜７０は、無機絶縁膜であり、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなる。平坦化膜８０は、有機絶縁膜あるいは無機有機ハイブリッド絶縁膜（Ｓｉ−Ｏ主鎖に、たとえば有機基（メチル基あるいはフェニル基）が結合した材料）である。無機発光体１００の上面（カソード電極１１４）は、平坦化膜８０から露出している。対向カソード電極９０ｅは、無機発光体１００のカソード電極１１４に接続される。

対向カソード電極９０ｅは、表示領域ＡＡの外側に設けられたコンタクトホールＣＨ１を介して、アレイ基板２側に設けられたカソード配線６０と接続される。具体的には、コンタクトホールＣＨ１は、平坦化膜８０及び絶縁膜４２に設けられ、コンタクトホールＣＨ１の底面にカソード配線１４が設けられる。カソード配線６０は、絶縁膜３５の上に設けられる。つまり、カソード配線６０は、ソース電極４１ｓ、ドレイン電極４１ｄと同層に設けられ、同じ材料で形成される。対向カソード電極９０ｅは、表示領域ＡＡから周辺領域ＧＡまで連続して設けられ、コンタクトホールＣＨ１の底部でカソード配線６０と接続される。カバー部９２は、対向カソード電極９０ｅ上に設けられる。カバー部９２は、例えばガラスなど、光を透過する部材で構成されるカバーである。ただし、カバー部９２は必須の構成ではない。

次に、無機発光体１００のうちの単色無機発光体１００Ａの構成について説明する。図６は、本実施形態に係る単色無機発光体の構成例を示す断面図である。図６に示すように、単色無機発光体１００Ａは、単色無機発光素子１０２Ａと、アノード電極１１２と、カソード電極１１４とを有している。

単色無機発光素子１０２Ａは、発光を行う発光層である。単色無機発光素子１０２Ａは、ｎ型クラッド層１０４と、ｐ型クラッド層１０６と、ｐ型クラッド層１０６とｎ型クラッド層１０４との間に設けられる発光層１０８と、を有する。本実施形態において、単色無機発光素子１０２Ａは、上側に向かって、ｐ型クラッド層１０６、発光層１０８、ｎ型クラッド層１０４の順で積層されて構成される。単色無機発光素子１０２Ａとしては、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＩｎＧａＰ）あるいはアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）あるいはガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）等の化合物半導体が用いられる。さらに言えば、本実施形態において、ｐ型クラッド層１０６及びｎ型クラッド層１０４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）などが用いられる。また、発光層１０８としては、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）などが用いられる。発光層１０８は、ＩｎＧａＮ、ＧａＮが積層された多量子井戸構造(ＭＱＷ)でもよい。

単色無機発光体１００Ａは、上側に向かって、アノード電極１１２、ｐ型クラッド層１０６、発光層１０８、ｎ型クラッド層１０４、カソード電極１１４の順で積層されている。単色無機発光体１００Ａの下には、接続導電部５２と、接続導電部５２の下に設けられて対向アノード電極５０ｅに接続される接続層５０ｆと、が設けられる。単色無機発光体１００Ａの上には、対向カソード電極９０ｅが設けられる。

対向アノード電極５０ｅ（図５参照）は、導電性の部材、ここでは金属材料を含む。本実施形態では、対向アノード電極５０ｅは、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）とを含み、例えば、チタンの層とアルミニウムの層とが第３方向Ｄｚに沿って積層されている。対向アノード電極５０ｅは、画素電極として、単色無機発光体１００Ａ（画素４９）毎に設けられている。

接続層５０ｆは、導電性の部材、ここでは金属材料を含む。本実施形態では、接続層５０ｆは、対向アノード電極５０ｅと同じ材料で構成されている。すなわち例えば、接続層５０ｆは、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）とを含み、例えば、チタンの層とアルミニウムの層とが第３方向Ｄｚに沿って積層されている。

接続導電部５２は、導電性の部材、ここでは金属材料を含む。本実施形態では、接続導電部５２は、接続層５０ｆや対向アノード電極５０ｅよりも融点が低い材料で構成されている。具体的には、接続導電部５２は、例えばはんだであり、接続層５０ｆとアノード電極１１２とを接合する。

アノード電極１１２は、接続導電部５２の上に設けられる。アノード電極１１２は、接続導電部５２に固定されている。アノード電極１１２は、接続導電部５２及び接続層５０ｆを介して、対向アノード電極５０ｅに接続される。アノード電極１１２は、透光性を有する導電性の部材であり、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）である。アノード電極１１２の上には、ｐ型クラッド層１０６が設けられている。アノード電極１１２は、ｐ型クラッド層１０６と接続されている。

カソード電極１１４は、ｎ型クラッド層１０４の上に設けられる。カソード電極１１４は、透光性を有する導電性の部材であり、例えばＩＴＯである。カソード電極１１４は、対向カソード電極９０ｅに接続されている。

対向電極としての対向カソード電極９０ｅは、透光性を有する導電性の部材であり、例えばＩＴＯである。対向カソード電極９０ｅは、複数（ここでは全ての）の無機発光体１００（画素４９）に共通して設けられる共通電極であり、複数の（ここでは全ての）無機発光体１００のカソード電極１１４に接続されている。対向カソード電極９０ｅは、全ての単色無機発光体１００Ａと、全ての補助無機発光体１００Ｂとに接続されている。

次に、無機発光体１００のうちの補助無機発光体１００Ｂの構成について説明する。図７は、本実施形態に係る補助無機発光体の構成例を示す断面図である。図８は、本実施形態に係る補助無機発光体の構成例を示す上面図である。図７に示すように、補助無機発光体１００Ｂは、複数の補助無機発光素子１０２Ｂと、保護層１０９と、アノード電極１１２と、カソード電極１１４とを有している。補助無機発光素子１０２Ｂは、第３方向Ｄｚにおけるアノード電極１１２とカソード電極１１４との間に、柱状に形成される。すなわち、補助無機発光素子１０２Ｂは、アノード電極１１２とカソード電極１１４との間で、第３方向Ｄｚを軸方向として延在する柱状の部材である。図８に示すように、補助無機発光素子１０２Ｂは、例えば円柱形状であるが、円柱形状に限られず、例えば六角柱などの多角柱形状であってもよい。保護層１０９は、第３方向Ｄｚにおいてアノード電極１１２とカソード電極１１４との間に設けられて、補助無機発光素子１０２Ｂの周囲を覆う。保護層１０９は、絶縁体であり、例えばＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）である。

補助無機発光素子１０２Ｂは、発光を行う発光層であり、ｎ型クラッド層１０４Ｂと、ｐ型クラッド層１０６Ｂと、ｐ型クラッド層１０６Ｂとｎ型クラッド層１０４Ｂとの間に設けられる発光層１０８Ｂと、を有する。本実施形態において、補助無機発光素子１０２Ｂは、上側に向かって、ｐ型クラッド層１０６Ｂ、発光層１０８Ｂ、ｎ型クラッド層１０４Ｂの順で積層されて構成される。補助無機発光素子１０２Ｂとしては、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＩｎＧａＰ）あるいはアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）あるいはガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）等の化合物半導体が用いられる。さらに言えば、本実施形態において、ｐ型クラッド層１０６Ｂ及びｎ型クラッド層１０４Ｂは、窒化ガリウム（ＧａＮ）などが用いられる。また、発光層１０８Ｂとしては、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）などが用いられる。発光層１０８Ｂは、ＩｎＧａＮ、ＧａＮが積層された多量子井戸構造(ＭＱＷ)でもよい。

補助無機発光体１００Ｂは、上側に向かって、アノード電極１１２、複数の補助無機発光素子１０２Ｂ、カソード電極１１４の順で積層されている。補助無機発光体１００Ｂの下には、接続導電部５２と、接続導電部５２の下に設けられて対向アノード電極５０ｅに接続される接続層５０ｆと、が設けられる。補助無機発光体１００Ｂの上には、対向カソード電極９０ｅが設けられる。対向アノード電極５０ｅ（図５参照）は、画素電極として、補助無機発光体１００Ｂ毎に設けられている。

アノード電極１１２は、接続導電部５２の上に設けられて、接続導電部５２に固定されている。アノード電極１１２は、接続導電部５２及び接続層５０ｆを介して、対向アノード電極５０ｅに接続される。アノード電極１１２の上には、それぞれの補助無機発光素子１０２Ｂが設けられている。アノード電極１１２は、それぞれの補助無機発光素子１０２Ｂのｐ型クラッド層１０６Ｂに接続されている。ここで、接続層５０ｆと接続導電部５２、接続層５２ｆとアノード電極１１２との間には、バリアメタル（例えばプラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）などを設けてもよい。

カソード電極１１４は、それぞれの補助無機発光素子１０２Ｂの上に設けられて、それぞれの補助無機発光素子１０２Ｂのｎ型クラッド層１０４Ｂに接続されている。カソード電極１１４の上には、対向カソード電極９０ｅが設けられている。対向カソード電極９０ｅは、カソード電極１１４に接続されている。

このように、１つの補助無機発光体１００Ｂにおいて、対向アノード電極５０ｅ、接続層５０ｆ、接続導電部５２、及び電極としてのアノード電極１１２は、複数の補助無機発光素子１０２Ｂに対して共通して設けられる。同様に、１つの補助無機発光体１００Ｂにおいて、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅは、複数の補助無機発光素子１０２Ｂに対して共通して設けられる。言い換えれば、対向アノード電極５０ｅ、接続層５０ｆ、接続導電部５２、アノード電極１１２、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅは、１つの補助無機発光体１００Ｂに含まれる複数の補助無機発光素子１０２Ｂに対して、１つ設けられる。

なお、補助無機発光体１００Ｂは、カソード電極１１４と対向カソード電極９０ｅとの間に、複数の補助無機発光素子１０２Ｂに対して共通して設けられるクラッド層を有していてもよい。このクラッド層は、窒化ガリウムなどの化合物半導体であってよい。

補助無機発光体１００Ｂは、補助無機発光素子１０２Ｂとして、第１補助無機発光素子１０２ＲＢと、第２補助無機発光素子１０２ＧＢと、第３補助無機発光素子１０２ＢＢと、を有している。第１補助無機発光素子１０２ＲＢと、第２補助無機発光素子１０２ＧＢと、第３補助無機発光素子１０２ＢＢとは、ｎ型クラッド層１０４Ｂ、発光層１０８Ｂ、及びｐ型クラッド層１０６Ｂを有している点では共通するが、第３方向Ｄｚから見た場合の幅が、互いに異なる。第３方向Ｄｚから見た場合の幅とは、補助無機発光素子１０２Ｂの第３方向Ｄｚに直交する方向における長さを指す。本例では、補助無機発光素子１０２Ｂは円柱状であるため、第３方向Ｄｚから見た場合の幅は、補助無機発光素子１０２Ｂの径を指す。すなわち、図８に示すように、第１補助無機発光素子１０２ＲＢの径を径ＤＲとし、第２補助無機発光素子１０２ＧＢの径を径ＤＧとし、第３補助無機発光素子１０２ＢＢの径を径ＤＢとすると、径ＤＲ、径ＤＧ、径ＤＢは、互いに異なる長さとなる。本実施形態では、径ＤＲが径ＤＧより大きく、径ＤＧが径ＤＢより大きくなる。補助無機発光素子１０２Ｂは、ｎ型クラッド層１０４Ｂ、発光層１０８Ｂ、及びｐ型クラッド層１０６Ｂを有する構造としては共通するが、径がこのように異なることで、異なる波長帯の光を発光することができる。

また、上述のように、補助無機発光体１００Ｂは、複数の補助無機発光素子１０２Ｂのうちの一部のみが発光可能な状態となっている。具体的には、補助無機発光体１００Ｂは、複数の補助無機発光素子１０２Ｂのうちの一部のみが、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅに接続されることで、発光可能な状態となっており、他の補助無機発光素子１０２Ｂは、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅに接続されていないことで、発光不可能な状態となっている。図７及び図８の例では、第１補助無機発光素子１０２ＲＢは、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅに接続されており、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢは、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅに接続されていない。言い換えれば、第１補助無機発光素子１０２ＲＢの上には、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅが設けられているが、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢの上には、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅが設けられていない。補助無機発光体１００Ｂは、第１補助無機発光素子１０２ＲＢのみが対向カソード電極９０ｅに接続されているため、第１補助無機発光素子１０２ＲＢのみに電流が供給されて、第１補助無機発光素子１０２ＲＢのみが発光する。なお、本実施形態では、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢには、カソード電極１１４及び対向カソード電極９０ｅの両方が非接続であったが、少なくとも対向カソード電極９０ｅが非接続であればよい。すなわち、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢは、カソード電極１１４に接続されていても、対向カソード電極９０ｅと非接続であれば、電流が供給されずに発光しない。

また、第１補助無機発光素子１０２ＲＢは、複数設けられて、第３方向Ｄｚに直交する平面において、マトリクス状に並んでいる。同様に、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢも、それぞれ複数設けられて、第３方向Ｄｚに直交する平面において、マトリクス状に並んでいる。ここで、図８に示すように、１つの補助無機発光体１００Ｂにおいて、第３方向Ｄｚから見て、第１補助無機発光素子１０２ＲＢが設けられる領域を、第１領域１０３ＲＢとし、第２補助無機発光素子１０２ＧＢが設けられる領域を、第２領域１０３ＧＢとし、第３補助無機発光素子１０２ＢＢが設けられる領域を、第３領域１０３ＢＢとする。この場合、第１領域１０３ＲＢと第２領域１０３ＧＢと第３領域１０３ＢＢとは、面積が互いに異なる。本実施形態の例では、第１領域１０３ＲＢの面積が第２領域１０３ＧＢの面積より大きく、第２領域１０３ＧＢの面積が第３領域１０３ＢＢの面積より大きいことが好ましい。なお、本実施形態では、第２領域１０３ＧＢと第３領域１０３ＢＢとが第２方向Ｄｙで隣接し、第１領域１０３ＲＢが、第２領域１０３ＧＢと第３領域１０３ＢＢとに第１方向Ｄｘで隣接する並びとなっている。ただし、第１領域１０３ＲＢと、第２領域１０３ＧＢと、第３領域１０３ＢＢとの並び方は任意であってよい。

なお、以降において、１つの補助無機発光体１００Ｂにおいて、全ての補助無機発光素子１０２Ｂを含む構造体を、補助無機発光素子集合体１０１Ｂと記載する。すなわち、補助無機発光素子集合体１０１Ｂは、１つの補助無機発光体１００Ｂの全ての補助無機発光素子１０２Ｂを含むものであり、さらに言えば、保護層１０９も含んでよい。

単色無機発光体１００Ａと補助無機発光体１００Ｂとは、以上のような構成となっている。無機発光体１００と対向カソード電極９０ｅとが並ぶ方向から見た場合、すなわち第３方向Ｄｚから見た場合、１つの補助無機発光体１００Ｂが設けられる領域は、１つの単色無機発光体１００Ａが設けられる領域よりも、広いことが好ましい。補助無機発光体１００Ｂが設けられる領域とは、例えば、補助無機発光体１００Ｂの下側の電極であるアノード電極１１２を指し、単色無機発光体１００Ａが設けられる領域とは、例えば、単色無機発光体１００Ａの下側の電極であるアノード電極１１２を指す。

また、以上説明したように、補助無機発光体１００Ｂの補助無機発光素子１０２Ｂは、柱状のいわゆるナノワイヤ形状となっているが、単色無機発光体１００Ａの単色無機発光素子１０２Ａは、ナノワイヤ形状でない。ただし、単色無機発光体１００Ａの単色無機発光素子１０２Ａも、ナノワイヤ形状であってよい。この場合、単色無機発光体１００Ａは、補助無機発光素子１０２Ｂと同様の構造の柱状の単色無機発光素子１０２Ａが、複数並んで構成されるが、単色無機発光素子１０２Ａは同じ波長帯の光を発光するため、それぞれの単色無機発光素子１０２Ａの径は、同じ（より詳しくは所定の数値範囲内）となる。

（表示装置の製造方法）
次に、表示装置１の製造方法、より具体的には補助無機発光体１００Ｂの搭載方法について説明する。無機発光体１００を備える表示装置１は、例えば無機発光体１００のサイズが小さいことによる搭載の困難性などが原因で、製造が難しく、不良を招く場合がある。不良とされた表示装置１を使用せず破棄処分にしたりすると、歩留りが低下してしまう。それに対し、本実施形態においては、不良とされた表示装置１を補修することで、不良となった表示装置１を使用可能な状態として、歩留りの低下を抑える。ここでの不良とは、表示装置１に搭載された少なくとも一部の単色無機発光体１００Ａが適切に発光しないことを指す。単色無機発光体１００Ａが適切に発光しない状態としては、例えば、滅点状態又は輝点状態が挙げられる。滅点状態とは、単色無機発光体１００Ａを発光させるための電流を流した場合にも、その単色無機発光体１００Ａが発光しない状態を指す。一方、輝点状態とは、無機発光体１００を発光させるための電流を流していない場合にも、その無機発光体１００が発光する状態を指す。すなわち、無機発光体１００を発光させるための電流を流していない場合にも、例えば他の配線に短絡していることなどが原因で、その無機発光体１００が発光する状態が、輝点状態である。

本実施形態においては、このように不良となっている単色無機発光体１００Ａを、補助無機発光体１００Ｂに換装することで、表示装置１を使用可能な状態とする。以下、換装も含めた表示装置１の製造方法について説明する。図９は、第１実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する模式図である。

図９のステップＳ１０に示すように、本実施形態に係る表示装置１の製造方法においては、表示装置１のアレイ基板２を形成して、アレイ基板２上に単色無機発光素子１０２Ａを形成する。具体的には、表示装置１における、アノード電極１１２より下側の各部と、アノード電極１１２とを形成することで、アレイ基板２を形成する。また、アレイ基板２とは別の形成基板２００上に、単色無機発光素子１０２Ａを形成する。そして、形成基板２００上に形成された単色無機発光素子１０２Ａを、アレイ基板２上に搭載する。本実施形態では、レーザリフトオフによって、単色無機発光素子１０２Ａをアレイ基板２上に搭載する。具体的には、形成基板２００の単色無機発光素子１０２Ａが形成された面をアレイ基板２のアノード電極１１２が形成された面に対向させる。そして、形成基板２００の単色無機発光素子１０２Ａが形成された面と反対側の面から、形成基板２００上の単色無機発光素子１０２Ａに、レーザ光ＬＩを照射する。これにより、単色無機発光素子１０２Ａは、形成基板２００上から剥離して、アレイ基板２のアノード電極１１２上に転写される。なお、図９の例では、形成基板２００上に、第１単色無機発光素子１０２ＲＡ、第２単色無機発光素子１０２ＧＡ、及び第３単色無機発光素子１０２ＢＡを形成しているが、第１単色無機発光素子１０２ＲＡ、第２単色無機発光素子１０２ＧＡ、及び第３単色無機発光素子１０２ＢＡを、それぞれ異なる形成基板に形成してもよい。この場合、第１単色無機発光素子１０２ＲＡと、第２単色無機発光素子１０２ＧＡと、第３単色無機発光素子１０２ＢＡとを、順番にアレイ基板２上に転写する。また、アレイ基板２に単色無機発光素子１０２Ａを搭載する方法は、レーザリフトオフに限られず任意であってよい。

アレイ基板２上に単色無機発光素子１０２Ａを形成したら、ステップＳ１２に示すように、アレイ基板２上の単色無機発光素子１０２Ａに検査用基板２０２を接続して点灯検査を実行することで、単色無機発光素子１０２Ａの不良を検出する。検査用基板２０２は、導電部２０２Ａと、基部２０２Ｂとを備える。導電部２０２Ａは、例えばＩＴＯなどの透光性の導電部材である。基部２０２Ｂは、導電部２０２Ａの背面に設けられる基板であり、例えばガラスなどの透光性の絶縁部材である。ステップＳ１２においては、アレイ基板２上のそれぞれの単色無機発光素子１０２Ａの上側の面、すなわちｎ型クラッド１０４層に、導電部２０２Ａの表面を接触させることで、それぞれの単色無機発光素子１０２Ａと、導電部２０２Ａとを、電気的に接続する。そして、それぞれのアレイ基板２のアノード電極１１２と導電部２０２Ａとの間に電位差を与える（電圧を印加する）ことで、単色無機発光素子１０２Ａに、発光するための電流を流す。そして、単色無機発光素子１０２Ａが適切に発光しているかを検出して、適切に発光している単色無機発光素子１０２Ａを、不良でない正常な単色無機発光素子１０２Ａと判断し、適切に発光していない単色無機発光素子１０２Ａを、不良となっている単色無機発光素子１０２Ａと判断する。検査用基板２０２は透光性であるため、単色無機発光素子１０２Ａが発光しているかを、検査用基板２０２の上方から確認することができる。以下、不良であると判断された単色無機発光素子１０２Ａを、不良無機発光素子１０２Ｎと記載する。このように、本実施形態では、検査用基板２０２を用いた点灯検査により不良無機発光素子１０２Ｎを検出するが、不良無機発光素子１０２Ｎの検出方法は、検査用基板２０２を用いた点灯検査に限られない。

不良無機発光素子１０２Ｎを検出したら、ステップＳ１４に示すように、不良無機発光素子１０２Ｎを、アレイ基板２から除去する。図９では、１つの第１単色無機発光素子１０２ＲＡが不良無機発光素子１０２Ｎとして検出された例を示している。ステップＳ１４においては、アノード電極１１２を残したまま、不良無機発光素子１０２Ｎである第１単色無機発光素子１０２ＲＡをアレイ基板２から除去する。これにより、アレイ基板２は、不良無機発光素子１０２Ｎが搭載されていたアノード電極１１２上に、単色無機発光素子１０２Ａが搭載されない状態となる。

このように、図９の例においては、全ての単色無機発光素子１０２Ａをアレイ基板２上に搭載して、アレイ基板２上に搭載された単色無機発光素子１０２Ａのうちから不良無機発光素子１０２Ｎを検出している。ただし、不良無機発光素子１０２Ｎを検出するタイミングはこれに限られない。例えば、形成基板２００上に単色無機発光素子１０２Ａが形成されている状態で、すなわち単色無機発光素子１０２Ａをアレイ基板２上に転写する前の状態で、形成基板２００上の単色無機発光素子１０２Ａのうちから、不良無機発光素子１０２Ｎを検出してよい。この場合、例えば、フォトルミネッセンス法を用いて、形成基板２００上の単色無機発光素子１０２Ａのうちから、不良無機発光素子１０２Ｎを検出してよい。フォトルミネッセンス法においては、単色無機発光素子１０２Ａに光を照射して、励起された単色無機発光素子１０２Ａの電子が基底状態に戻る際に発光される光を検出して、その光に基づき、欠陥など、単色無機発光素子１０２Ａの状態を検出する。そして、例えばフォトルミネッセンス法で検出した単色無機発光素子１０２Ａの状態に基づき、不良無機発光素子１０２Ｎであるかを判断する。例えばフォトルミネッセンス法で欠陥が検出された単色無機発光素子１０２Ａを、不良無機発光素子１０２Ｎとして判断してよい。このようにアレイ基板２上に転写する前に不良無機発光素子１０２Ｎを検出した場合には、形成基板２００上の不良無機発光素子１０２Ｎ以外の単色無機発光素子１０２Ａを、アレイ基板２に転写して、不良無機発光素子１０２Ｎを、アレイ基板２に転写しない。この場合、アレイ基板２は、不良無機発光素子１０２Ｎが搭載されるはずだったアノード電極１１２の上に単色無機発光素子１０２Ａが搭載されない状態、すなわちステップＳ１４の実行後と同じ状態となる。

次に、ステップＳ１６に示すように、不良無機発光素子１０２Ｎが搭載されていたアノード電極１１２上（又は不良無機発光素子１０２Ｎが搭載されるはずだったアノード電極１１２上）に、補助無機発光素子集合体１０１Ｂ（１つの補助無機発光体１００Ｂの全ての補助無機発光素子１０２Ｂを含む構造体）を、搭載する。これにより、アレイ基板２上に、単色無機発光素子１０２Ａと補助無機発光素子１０２Ｂとが形成される。

次に、ステップＳ１８に示すように、アレイ基板２上に、単色無機発光体１００Ａ、補助無機発光体１００Ｂ、絶縁膜７０、平坦化膜８０、及び対向カソード電極９０ｅを、形成する。具体的には、単色無機発光素子１０２Ａと補助無機発光素子１０２Ｂとのそれぞれの上に、カソード電極１１４を形成する。これにより、アレイ基板２上に、単色無機発光体１００Ａと、補助無機発光体１００Ｂとが形成される。そして、アレイ基板２上の単色無機発光体１００Ａ及び補助無機発光体１００Ｂが形成されていない空間に、絶縁膜７０と平坦化膜８０とを充填する。そして、単色無機発光体１００Ａと補助無機発光体１００Ｂとの上に、対向カソード電極９０ｅを形成する。ここでは、全ての単色無機発光体１００Ａと補助無機発光体１００Ｂとに接続されるように、対向カソード電極９０ｅを形成する。

次に、ステップＳ２０に示すように、補助無機発光体１００Ｂに接続されている対向カソード電極９０ｅの一部と、補助無機発光体１００Ｂのカソード電極１１４の一部とを、除去する。例えば、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４の除去する部分にレーザ光ＬＩａを照射することで、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４を除去する。具体的には、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４の、補助無機発光体１００Ｂの第２補助無機発光素子１０２ＧＢに接続されている部分と、補助無機発光体１００Ｂの第３補助無機発光素子１０２ＢＢに接続されている部分とを、除去する。これにより、図７及び図８に示したように、補助無機発光体１００Ｂは、第１補助無機発光素子１０２ＲＢが対向カソード電極９０ｅに接続されて発光可能な状態となり、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢが対向カソード電極９０ｅに非接続となって発光不可能な状態となる。すなわち、ステップＳ２０においては、不良無機発光素子１０２Ｎが正常な状態であれば発光していた波長帯の光と同じ波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂに対して、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４を接続させた状態とする。そして、不良無機発光素子１０２Ｎが正常な状態であれば発光していた波長帯の光と異なる波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂに対しては、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４を非接続の状態とする。

ステップＳ２０の後には、ステップＳ２２に示すように、対向カソード電極９０ｅの一部とカソード電極１１４の一部とを除去して形成された空間ＡＲに、絶縁体８０Ｂを充填する。絶縁体８０Ｂは、例えば絶縁性の樹脂である。ただし、絶縁体８０Ｂの充填は、必須の工程ではない。また、その後、対向カソード電極９０ｅ上に、カバー部９２を形成してもよい。

以上のように、本実施形態においては、表示装置１に不良無機発光体（不良無機発光素子１０２Ｎ）を搭載しない状態として、代わりに補助無機発光体１００Ｂを搭載する。そのため、本実施形態に係る表示装置１は、不良無機発光体の発光不良に起因して画像表示が不適切となることを、抑えることができる。さらに、表示装置１は、補助無機発光体１００Ｂを搭載することで、不良無機発光体が正常であれば発光するはずだった波長帯の光を発光することが可能となり、画像表示が不適切となることをより好適に抑えることができる。また、不良無機発光体の代わりに、単色の色の光を発光する単色無機発光体１００Ａを換装することも考えられる。しかし、どの波長帯（色）の光を発光する無機発光体１００が不良となるかを予め予測することが難しいため、換装用に、複数種類の単色無機発光体１００Ａを準備する必要が生じる。そして、換装の際に、種類毎に単色無機発光体１００Ａを順番に搭載する必要が生じるなど、換装工程の作業負荷が高くなる場合もある。それに対し、本実施形態においては、換装用の補助無機発光体１００Ｂは、異なる波長帯の光を発光する複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂを備えている。従って、１種類の補助無機発光体１００Ｂによって、全ての種類の無機発光体１００を代替することが可能となり、換装用に複数種類の無機発光体１００を準備する必要がなくなる。また、１種類の補助無機発光体１００Ｂで換装できるため、換装工程の作業負荷を抑制できる。

（補助無機発光体の駆動制御）
次に、補助無機発光体１００Ｂ、すなわち補助画素４９ＢＢの駆動制御の方法について説明する。図１０は、信号処理回路の構成を模式的に示すブロック図である。以降においては、補助無機発光体１００Ｂ、すなわち補助画素４９ＢＢが、第１波長帯の光、ここでは赤色の光を発光する場合を例に説明する。ただし、補助画素４９ＢＢは、第１波長帯の光を発光することに限られず、第２波長帯や第３波長帯の光を発光してもよい。

図１０に示すように、表示装置１が備える信号処理回路１６０は、第１処理回路１６２と、メモリ１６４と、バッファ１６６とを有する。信号処理回路１６０は、映像信号Ｖｓｉｇに基づいて３つの画素４９の各々の出力階調値ＳｏＲ、ＳｏＧ、ＳｏＢを演算する。映像信号Ｖｓｉｇは画素Ｐｉｘごとの入力階調値ＳｉＲ、ＳｉＧ、ＳｉＢを含む。入力階調値ＳｉＲ、ＳｉＧ、ＳｉＢは、それぞれ赤色、緑色、青色の階調値である。出力階調値ＳｏＲは、第１画素４９Ｒの代わりとなる補助画素４９ＢＢに対応する階調値である。また、出力階調値ＳｏＧは、第２画素４９Ｇに対応する階調値であり、出力階調値ＳｏＢは、第３画素４９Ｂに対応する階調値である。信号処理回路１６０は、例えば図１に示す駆動ＩＣ２１０に含まれていてもよいし、駆動ＩＣ２１０と別の回路チップとして基板１０に設けられていてもよい。以下において、出力階調値ＳｏＲ、ＳｏＧ、ＳｏＢをそれぞれ区別する必要がない場合、出力階調値Ｓｏという。また、入力階調値ＳｉＲ、ＳｉＧ、ＳｉＢをそれぞれ区別する必要がない場合、入力階調値Ｓｉという。

バッファ１６６は、入力階調値Ｓｉを記憶する回路である。なお、バッファ１６６は、１フレーム分の映像信号Ｖｓｉｇに含まれる入力階調値Ｓｉを記憶してもよいし、１フレーム分の映像信号Ｖｓｉｇのうち、一部の映像信号Ｖｓｉｇに含まれる入力階調値Ｓｉを取り込んでもよい。

メモリ１６４は、入力階調値ＳｉＲ、ＳｉＧ、ＳｉＢと、出力階調値ＳｏＲ、ＳｏＧ、ＳｏＢとの関係を示す情報を示すデータＬＵＴを含む。データＬＵＴは、例えば、ルックアップテーブル（Look Up Table）のようなテーブルデータである。

第１処理回路１６２は、メモリ１６４から読み出したデータＬＵＴを参照して、入力階調値ＳｉＲ、ＳｉＧ、ＳｉＢに対応する出力階調値ＳｏＲ、ＳｏＧ、ＳｏＢを特定する。第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲ、ＳｏＧ、ＳｏＢを画素Ｐｉｘに出力する。各画素４９は、出力階調値ＳｏＲ、ＳｏＧ、ＳｏＢに基づいて点灯する。

図１１は、第１実施形態において出力階調値の設定方法を説明するためのフローチャートである。図１１に示すように、まず、信号処理回路１６０は、１フレーム画像を取り込む（ステップＳ３０）。具体的には、バッファ１６６は、１フレーム分の映像信号Ｖｓｉｇを取り込んで、赤色、緑色、青色のそれぞれに対応する入力階調値ＳｉＲ、ＳｉＧ、ＳｉＢを記憶する。

第１処理回路１６２は、画素Ｐｉｘごとに、入力階調値ＳｉＲが０より大きいか判断する（ステップＳ３２）。言い換えると、画素Ｐｉｘごとに、赤色の表示があるかどうかを判断する。入力階調値ＳｉＲが０より大きい場合（ステップＳ３２；Ｙｅｓ）、第１処理回路１６２は、入力階調値ＳｉＲと、閾値Ｌｔｈとを比較する（ステップＳ３４）。閾値Ｌｔｈの値は、予め設定されるが、任意に設定してよい。入力階調値ＳｉＲが閾値Ｌｔｈ以下の場合（ステップＳ３４；Ｙｅｓ）、第１処理回路１６２は、補助無機発光体１００Ｂ（補助画素４９ＢＢ）を点灯させる出力階調値ＳｏＲを設定して、設定した出力階調値ＳｏＲで、補助無機発光体１００Ｂを点灯させる（ステップＳ３６）。

入力階調値ＳｉＲが閾値Ｌｔｈより大きい場合（ステップＳ３４；Ｎｏ）、第１処理回路１６２は、駆動電流値が電流閾値Ｉｔｈ以下であるかを判断する（ステップＳ３８）。駆動電流値とは、出力階調値ＳｏＲで補助無機発光体１００Ｂを点灯させたと仮定した場合に、補助無機発光体１００Ｂに流れる電流値である。第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲに基づいて、駆動電流値を算出する。また、電流閾値Ｉｔｈは、予め設定されるが、任意に設定してよい。駆動電流値が電流閾値Ｉｔｈ以下である場合（ステップＳ３８；Ｙｅｓ）、ステップＳ３６に進み、設定した出力階調値ＳｏＲで、補助無機発光体１００Ｂを点灯させる。

駆動電流値が電流閾値Ｉｔｈより大きい場合（ステップＳ３８；Ｎｏ）、第１処理回路１６２は、補助無機発光体１００Ｂと、隣接無機発光体とを、点灯させる（ステップＳ４０）。隣接無機発光体とは、補助無機発光体１００Ｂを含む画素Ｐｉｘと隣接する画素Ｐｉｘの無機発光体１００のうち、補助無機発光体１００Ｂが発光する光と同じ波長帯の光を発光する無機発光体１００である。すなわちここでは、隣接無機発光体は、補助無機発光体１００Ｂを含む画素Ｐｉｘと隣接する画素Ｐｉｘに含まれる第１単色無機発光体１００ＲＡ、又は、補助無機発光体１００Ｂを含む画素Ｐｉｘと隣接する画素Ｐｉｘに含まれて、第１波長帯の光を発光する補助無機発光体１００Ｂである。ステップＳ４０においては、第１処理回路１６２は、補助無機発光体１００Ｂを駆動するための出力階調値ＳｏＲ１と、隣接無機発光体を駆動するための出力階調値ＳｏＲ２を設定して、設定した出力階調値ＳｏＲ１で、補助無機発光体１００Ｂを点灯させて、設定した出力階調値ＳｏＲ２で、隣接無機発光体を点灯させる。出力階調値ＳｏＲ１は、出力階調値ＳｏＲより小さい値として設定される。

また、入力階調値ＳｉＲが０である場合（ステップＳ３２；Ｎｏ）、第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲとして階調値０を設定して、補助無機発光体１００Ｂ（補助画素４９ＢＢ）を、非点灯とする（ステップＳ４２）。

本実施形態においては、このようにして、補助無機発光体１００Ｂの駆動（点灯）を制御する。

以上説明したように、本実施形態に係る表示装置１は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体１００と、複数の無機発光体１００に接続される対向電極（対向カソード電極９０ｅ）とを備える。複数の無機発光体１００は、単色無機発光体１００Ａと、補助無機発光体１００Ｂとを含む。単色無機発光体１００Ａは、所定の波長帯の光を発光可能である。また、補助無機発光体１００Ｂは、複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂと、それらの補助無機発光素子１０２Ｂに接続される電極（アノード電極１１２）とを備える。補助無機発光体１００Ｂは、複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂとして、電流が供給された場合に第１波長帯の光を発光可能な第１補助無機発光素子１０２ＲＢと、電流が供給された場合に第２波長帯の光を発光可能な第２補助無機発光素子１０２ＧＢと、を備える。（アノード電極１１２）は、第１補助無機発光素子１０２ＲＢと、第２補助無機発光素子１０２ＧＢに接続される。そして、対向電極（対向カソード電極９０ｅ）は、単色無機発光体１００Ａと、第１補助無機発光素子１０２ＲＢに接続され、第２補助無機発光素子１０２ＧＢには接続されない。

本実施形態に係る表示装置１は、補助無機発光素子１０２Ｂを備える。すなわち、表示装置１は、不良無機発光体（不良無機発光素子１０２Ｎ）が製造されていた場合にも、不良無機発光体の代わりに、補助無機発光素子１０２Ｂが搭載されるため、画像表示が不適切となることを抑えて、製造時に不良が起きた場合にも適切に使用可能な状態とすることができる。また、補助無機発光体１００Ｂは、互いに異なる波長帯の光を発光可能な複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂを備えているため、１種類の補助無機発光体１００Ｂによって、全ての種類の無機発光体１００を代替することが可能となり、換装の負担を抑制できる。

また、第１補助無機発光素子１０２ＲＢが発光する光の波長帯である第１波長帯は、その第１補助無機発光素子１０２ＲＢと同じ画素ＰｉｘＢに含まれる単色無機発光体１００Ａが発光する光の波長帯と、異なる。すなわち、１つの画素Ｐｉｘにおいて、対向カソード電極９０ｅに接続されて発光可能な状態となっている第１補助無機発光素子１０２ＲＢが発光する光の波長帯は、単色無機発光体１００Ａが発光する光の波長帯と異なる。従って、表示装置１は、補助無機発光体１００Ｂの第１補助無機発光素子１０２ＲＢによって、不良無機発光体が発光するはずだった光を照射することが可能となり、補助無機発光体１００Ｂと単色無機発光体１００Ａとにより、色を適切に表現可能となり、画像を適切に表示できる。

また、第２補助無機発光素子１０２ＧＢが発光する光の波長帯である第２波長帯は、その第２補助無機発光素子１０２ＧＢと同じ画素ＰｉｘＢに含まれる単色無機発光体１００Ａが発光する光の波長帯と、重なる。すなわち、１つの画素ＰｉｘＢにおいて、対向カソード電極９０ｅに非接続となって発光不可能な状態となっている第２補助無機発光素子１０２ＧＢが発光する光の波長帯は、単色無機発光体１００Ａが発光する光の波長帯と重なる。すなわち、補助無機発光体１００Ｂは、同じ画素Ｐｉｘに含まれる単色無機発光体１００Ａと同じ波長帯の光を発光する第２補助無機発光素子１０２ＧＢを、発光不可能な状態とする。そのため、表示装置１は、色のバランスが崩れることを抑えて、画像を適切に表示できる。

また、第１補助無機発光素子１０２ＲＢ及び第２補助無機発光素子１０２ＧＢは、柱状であり、軸方向である第３方向Ｄｚから見た場合の第１補助無機発光素子１０２ＲＢの幅（径ＤＲ）と、第２補助無機発光素子１０２ＧＢの幅（径ＤＧ）とが、異なる。補助無機発光体１００Ｂは、第１補助無機発光素子１０２ＲＢ及び第２補助無機発光素子１０２ＧＢを柱状として互いの幅を異ならせることで、例えば構造は同じでも、発光する波長帯を異ならせることができる。そのため、補助無機発光体１００Ｂの製造を容易にすることができる。

また、無機発光体１００と対向電極（対向カソード電極９０ｅ）とが並ぶ方向、すなわち第３方向Ｄｚから見た場合に、１つの補助無機発光体１００Ｂが設けられる領域は、１つの単色無機発光体１００Ａが設けられる領域よりも、広い。補助無機発光体１００Ｂを広く形成しておくことで、発光する補助無機発光素子１０２Ｂの面積が小さくなり過ぎて、補助無機発光素子１０２Ｂからの光の強度が弱くなり過ぎることを抑制できる。そのため、この表示装置１によると、色のバランスが崩れることを抑えて、画像を適切に表示できる。

また、第３方向Ｄｚから見た場合に、第１補助無機発光素子１０２ＲＢが設けられる領域１０３ＲＢの面積と、第２補助無機発光素子１０２ＧＢが設けられる領域１０３ＧＢの面積とは、異なる。このように補助無機発光素子１０２Ｂの種類毎に面積を異ならせることで、色を適切に表現可能となり、画像を適切に表示できる。

また、補助無機発光体１００Ｂは、電流が供給された場合に第３波長帯の光を発光可能な第３補助無機発光素子１０２ＢＢを更に備える。対向電極（対向カソード電極９０ｅ）は、第３補助無機発光素子１０２ＢＢに接続されない。補助無機発光体１００Ｂは、第１補助無機発光素子１０２ＲＢ、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ、及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢを備えることで、どの色の無機発光体１００が不良であっても、補助無機発光体１００Ｂで代替することが可能となる。

また、無機発光体１００は、第２波長帯の光を発光可能な単色無機発光体１００Ａ（第２単色無機発光体１００ＧＡ）と、第３波長帯の光を発光可能な単色無機発光体１００Ａ（第３単色無機発光体１００ＢＡ）とを含む。表示装置１は、第１波長帯の光を発光する補助無機発光体１００Ｂと、第２波長帯及び第３波長帯の光を発光可能な単色無機発光体１００Ａとを備えるため、色を適切に表現可能となり、画像を適切に表示できる。

また、本実施形態に係る表示装置１の製造方法は、単色無機発光体形成ステップと、補助無機発光体形成ステップと、対向電極形成ステップと、を含む。単色無機発光体形成ステップにおいては、所定の波長帯の光を発光可能な単色無機発光体１００Ａを形成する。補助無機発光体形成ステップにおいては、電圧が印加された場合に第１波長帯の光を発光可能な第１補助無機発光素子１０２ＲＢ、電圧が印加された場合に第２波長帯の光を発光可能な第２補助無機発光素子１０２ＧＢ、及び第１補助無機発光素子１０２ＲＢと第２補助無機発光素子１０２ＧＢとに接続される電極（アノード電極１１２）を備える補助無機発光体１００Ｂを形成する。対向電極形成ステップにおいては、単色無機発光体１００Ａ及び第１補助無機発光素子１０２ＲＢに接続されて、第２補助無機発光素子１０２ＧＢに接続されない対向電極（対向カソード電極９０ｅ）を形成する。この製造方法によると、不良無機発光体が製造されていた場合にも、不良無機発光体の代わりに、補助無機発光素子１０２Ｂを搭載するため、製造時に不良が起きた場合にも適切に使用可能な状態とすることができる。また、補助無機発光体１００Ｂは、互いに異なる波長帯の光を発光可能な複数種類の補助無機発光素子１０２Ｂを備えているため、１種類の補助無機発光体１００Ｂによって、全ての種類の無機発光体１００を代替することが可能となり、換装の負担を抑制できる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第１実施形態においては、画素Ｐｉｘには最初に単色無機発光体１００Ａを搭載しておき、不良となった単色無機発光体１００Ａを補助無機発光体１００Ｂに換装していた。一方、第２実施形態においては、全ての画素Ｐｉｘａに、予め補助無機発光体１００Ｂを搭載しておく。第２実施形態において第１実施形態と構成が共通する箇所は、説明を省略する。

図１２は、第２実施形態における複数の画素を示す平面図である。図１２に示すように、第２実施形態に係る表示装置１ａは、複数の画素Ｐｉｘａが、マトリクス状に並んでいる。画素Ｐｉｘａは、単色画素４９Ａと、補助画素４９ＢＢとを含む。より具体的には、画素Ｐｉｘａは、３つの単色画素４９Ａである第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ、第３画素４９Ｂと、１つの補助画素４９ＢＢと、を含む。言い換えれば、画素Ｐｉｘａは、３つの単色無機発光体１００Ａである第１単色無機発光体１００ＲＡ、第２単色無機発光体１００ＧＡ、及び第３単色無機発光体１００ＢＡと、１つの補助無機発光体１００Ｂと、を含む。

ここで、画素Ｐｉｘａのうち、単色無機発光体１００Ａに不良が生じていない画素を、画素ＰｉｘＡａとし、単色無機発光体１００Ａに不良が生じている画素を、画素ＰｉｘＢａとする。画素ＰｉｘＡａは、単色無機発光体１００Ａに不良が生じていないため、第１単色無機発光体１００ＲＡ、第２単色無機発光体１００ＧＡ、及び第３単色無機発光体１００ＢＡが、それぞれの波長帯の光を発光可能である。そのため、画素ＰｉｘＡａは、補助無機発光体１００Ｂに含まれる全ての補助無機発光素子１０２Ｂ（第１補助無機発光素子１０２ＲＢ、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ、及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢ）が、対向カソード電極９０ｅと非接続となって、発光不可能な状態となっている。

一方、画素ＰｉｘＢａは、単色無機発光体１００Ａの一部に不良が生じており、言い換えれば、第１単色無機発光体１００ＲＡ、第２単色無機発光体１００ＧＡ、及び第３単色無機発光体１００ＢＡの少なくとも１つが、発光不可能な状態となっている。そのため、画素ＰｉｘＢａは、補助無機発光体１００Ｂに含まれる補助無機発光素子１０２Ｂのうちの一部、より詳しくは発光不可能な状態となっている単色無機発光体１００Ａと同じ波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂが、対向カソード電極９０ｅと接続され、発光可能な状態となっている。一方、画素ＰｉｘＢａは、発光不可能な状態となっている単色無機発光体１００Ａと異なる波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂが、対向カソード電極９０ｅと非接続となって、発光不可能な状態となっている。以降の説明では、画素ＰｉｘＢａの第１単色無機発光体１００ＲＡが、不良となって発光不可能な状態となっていることを例にする。この場合、画素ＰｉｘＢａの補助無機発光体１００Ｂは、第１補助無機発光素子１０２ＲＢが発光可能な状態となり、第２補助無機発光素子１０２ＧＢ及び第３補助無機発光素子１０２ＢＢが、発光不可能な状態となる。なお、以下、不良となっている単色無機発光体１００Ａを、適宜、不良無機発光体１００Ｎと記載する。

このように、第２実施形態においては、１つの画素Ｐｉｘａに、３つの単色無機発光体１００Ａと１つの補助無機発光体１００Ｂとが設けられる。従って、第２実施形態においては、第１補助無機発光素子１０２ＲＢが発光する光の波長帯である第１波長帯は、その第１補助無機発光素子１０２ＲＢと同じ画素Ｐｉｘａに含まれる単色無機発光体１００Ａ（第１単色無機発光体１００ＲＡ）が発光する光の波長帯と、重なる。すなわち、第２実施形態では、１つの画素Ｐｉｘａにおいて、対向カソード電極９０ｅに接続されて発光可能な状態となっている補助無機発光素子１０２Ｂが発光する光の波長帯は、同じ画素Ｐｉｘａに含まれる単色無機発光体１００Ａが発光したと仮定した場合の光の波長帯と、重なる。

図１３は、第２実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する模式図である。図１３に示すように、第２実施形態に係る表示装置１ａの製造方法においては、ステップＳ５０に示すように、アレイ基板２を形成して、アレイ基板２上に単色無機発光素子１０２Ａを形成する。具体的には、形成基板２００上に形成された単色無機発光素子１０２Ａを、アレイ基板２上に搭載する。単色無機発光素子１０２Ａのアレイ基板２上への搭載方法は、第１実施形態と同様である。ただし、第２実施形態においては、全ての単色無機発光素子１０２Ａをアレイ基板２上に搭載した後でも、補助無機発光素子１０２Ｂ（補助無機発光素子集合体１０１Ｂ）を搭載するために、単色無機発光素子１０２Ａが搭載されていないアノード電極１１２が残っている。

次に、ステップＳ５２に示すように、単色無機発光素子１０２Ａが搭載されていないアノード電極１１２上に、補助無機発光素子集合体１０１Ｂ（１つの補助無機発光体１００Ｂの全ての補助無機発光素子１０２Ｂを含む集合体）を、搭載する。これにより、アレイ基板２上に、単色無機発光素子１０２Ａと補助無機発光素子１０２Ｂとが形成される。

次に、ステップＳ５４に示すように、アレイ基板２上の単色無機発光素子１０２Ａに検査用基板２０２を接続して点灯検査を実行することで、単色無機発光素子１０２Ａの不良を、すなわち不良無機発光素子１０２Ｎを、検出する。不良無機発光素子１０２Ｎの検出方法は、第１実施形態と同様である。なお、ステップＳ５４は、ステップＳ５２よりも前、すなわち補助無機発光素子集合体１０１Ｂの搭載前に実施してもよい。

次に、ステップＳ５６に示すように、アレイ基板２上に、単色無機発光体１００Ａ、補助無機発光体１００Ｂ、絶縁膜７０、平坦化膜８０、及び対向カソード電極９０ｅを、形成する。具体的には、単色無機発光素子１０２Ａと補助無機発光素子１０２Ｂとのそれぞれの上に、カソード電極１１４を形成する。これにより、アレイ基板２上に、単色無機発光体１００Ａと、補助無機発光体１００Ｂとが形成される。そして、単色無機発光体１００Ａと、補助無機発光体１００Ｂとが形成されていない空間に、絶縁膜７０と平坦化膜８０とを充填する。そして、単色無機発光体１００Ａと補助無機発光体１００Ｂとの上に、対向カソード電極９０ｅを形成する。ここでは、全ての単色無機発光体１００Ａと補助無機発光体１００Ｂとに接続されるように、対向カソード電極９０ｅを形成する。第２実施形態は、表示装置１ａから不良無機発光素子１０２Ｎを除去しなで残しておく点で、第１実施形態と異なるが、第２実施形態においても、表示装置１ａから不良無機発光素子１０２Ｎを除去してもよい。

単色無機発光体１００Ａ及び補助無機発光体１００Ｂを形成したら、補助無機発光体１００Ｂに接続されている対向カソード電極９０ｅを除去する。対向カソード電極９０ｅを除去する工程においては、不良無機発光素子１０２Ｎが検出された画素ＰｉｘＢａに対しては、ステップＳ５８Ａを実行し、不良無機発光素子１０２Ｎが検出されなかった画素ＰｉｘＡａに対しては、ステップＳ５８Ｂを実行する。

まず、ステップＳ５８Ａについて説明する。ステップＳ５８Ａにおいては、画素ＰｉｘＢａに含まれる補助無機発光体１００Ｂに接続されている対向カソード電極９０ｅの一部と、その補助無機発光体１００Ｂにおけるカソード電極１１４の一部とを、除去する。具体的には、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４の、補助無機発光体１００Ｂの第２補助無機発光素子１０２ＧＢに接続されている部分と、補助無機発光体１００Ｂの第３補助無機発光素子１０２ＢＢに接続されている部分とを、除去する。すなわち、不良無機発光素子１０２Ｎが正常な状態であれば発光していた波長帯の光と同じ波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂについては、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４を接続させた状態とする。そして、不良無機発光素子１０２Ｎが正常な状態であれば発光していた波長帯の光と異なる波長帯の光を発光する補助無機発光素子１０２Ｂについては、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４を非接続の状態とする。ステップＳ５８Ａにおける対向カソード電極９０ｅとカソード電極１１４との除去方法は、第１実施形態と同様である。

ステップＳ５８Ａを実行したら、ステップＳ６０Ａに示すように、対向カソード電極９０ｅの一部とカソード電極１１４の一部とを除去して形成された空間ＡＲに、絶縁体８０Ｂを充填する。

一方、ステップＳ５８Ｂにおいては、画素ＰｉｘＡａに含まれる補助無機発光体１００Ｂに接続されている対向カソード電極９０ｅと、その補助無機発光体１００Ｂにおけるカソード電極１１４とを、除去する。具体的には、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４の、補助無機発光体１００Ｂの全ての補助無機発光素子１０２Ｂに接続されている対向カソード電極９０ｅとカソード電極１１４とを除去する。すなわち、補助無機発光体１００Ｂの全ての補助無機発光素子１０２Ｂに対し、対向カソード電極９０ｅ及びカソード電極１１４を非接続の状態とする。ステップＳ５８Ｂを実行したら、ステップＳ６０Ｂに示すように、対向カソード電極９０ｅとカソード電極１１４とを除去して形成された空間ＡＲに、絶縁体８０Ｂを充填する。

以上説明したように、第２実施形態においては、画素Ｐｉｘａに、３つの単色無機発光体１００Ａと、１つの補助無機発光体１００Ｂとを、予め搭載しておく。従って、１つの単色無機発光体１００Ａが不良となった場合にも、補助無機発光体１００Ｂで代替可能となる。さらに、補助無機発光体１００Ｂを予め搭載しておくことで、不良無機発光体１００Ｎを除去して補助無機発光体１００Ｂに換装する工程が不要となり、作業負荷を低減できる。

また、第２実施形態のように、画素Ｐｉｘａに、３つの単色無機発光体１００Ａと１つの補助無機発光体１００Ｂを搭載する場合には、単色無機発光体１００Ａに不良が無く発光可能である場合や、単色無機発光体１００Ａが発光可能であるが接続不良などで光の強度が低い場合などにおいても、補助無機発光体１００Ｂを発光させてもよい。この場合、補助無機発光体１００Ｂによって、１つの単色無機発光体１００Ａが発光する光の強度を補強することができる。すなわち、１つの画素Ｐｉｘａで、３つの単色無機発光体１００Ａと１つの補助無機発光体１００Ｂとを発光させることで、１つの単色無機発光体１００Ａが発光する波長帯の光の強度を向上させることができる。以下、その場合の駆動方法について説明する。以下においては、補助無機発光体１００Ｂ、すなわち補助画素４９ＢＢが、第１波長帯の光、ここでは赤色の光を発光する場合を例に説明する。

図１４は、第２実施形態において出力階調値の設定方法を説明するためのフローチャートである。図１４に示すように、まず、信号処理回路１６０は、１フレーム画像を取り込む（ステップＳ７０）。具体的には、バッファ１６６は、１フレーム分の映像信号Ｖｓｉｇを取り込んで、赤色、緑色、青色のそれぞれに対応する入力階調値ＳｉＲ、ＳｉＧ、ＳｉＢを記憶する。

第１処理回路１６２は、画素Ｐｉｘごとに、入力階調値ＳｉＲが０より大きいか判断する（ステップＳ７２）。言い換えると、画素Ｐｉｘａごとに、赤色の表示があるかどうかを判断する。入力階調値ＳｉＲが０より大きい場合（ステップＳ７２；Ｙｅｓ）、第１処理回路１６２は、入力階調値ＳｉＲと、閾値Ｌｔｈとを比較する（ステップＳ７４）。閾値Ｌｔｈの値は、予め設定されるが、任意に設定してよい。入力階調値ＳｉＲが閾値Ｌｔｈ以下の場合（ステップＳ７４；Ｙｅｓ）、第１処理回路１６２は、第１単色無機発光体１００ＲＡ（第１画素４９Ｒ）を非点灯として、補助無機発光体１００Ｂ（補助画素４９ＢＢ）を点灯させる（ステップＳ７６）。具体的には、第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲを設定して、設定した出力階調値ＳｏＲで、補助無機発光体１００Ｂを点灯させる。

入力階調値ＳｉＲが閾値Ｌｔｈより大きい場合（ステップＳ７４；Ｎｏ）、第１処理回路１６２は、駆動電流値が電流閾値Ｉｔｈ以下であるかを判断する（ステップＳ７８）。駆動電流値とは、出力階調値ＳｏＲで補助無機発光体１００Ｂを点灯させたと仮定した場合に、補助無機発光体１００Ｂに流れる電流値である。第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲに基づいて、駆動電流値を算出する。また、電流閾値Ｉｔｈは、予め設定されるが、任意に設定してよい。駆動電流値が電流閾値Ｉｔｈ以下である場合（ステップＳ７８；Ｙｅｓ）、第１処理回路１６２は、第１単色無機発光体１００ＲＡと補助無機発光体１００Ｂとの両方を点灯させる（ステップＳ７９）。具体的には、第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲ１ａ、ＳｏＲ２ａを設定して、設定した出力階調値ＳｏＲ１ａで、補助無機発光体１００Ｂを点灯させて、設定した出力階調値ＳｏＲ２ａで、第１単色無機発光体１００ＲＡを点灯させる。第１処理回路１６２は、例えば、出力階調値ＳｏＲ１ａ、ＳｏＲ２ａの合計値が、出力階調値ＳｏＲとなるように、出力階調値ＳｏＲ１ａｍＳｏＲ２ａを設定する。

駆動電流値が電流閾値Ｉｔｈより大きい場合（ステップＳ７８；Ｎｏ）、第１処理回路１６２は、第１単色無機発光体１００ＲＡと、補助無機発光体１００Ｂと、隣接無機発光体とを点灯させる（ステップＳ８０）。隣接無機発光体とは、補助無機発光体１００Ｂを含む画素Ｐｉｘａと隣接する画素Ｐｉｘａの無機発光体１００のうち、補助無機発光体１００Ｂが発光する光と同じ波長帯の光を発光する無機発光体１００である。ステップＳ７８においては、第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲ１ｂ、ＳｏＲ２ｂ、ＳｏＲ３ｂを設定して、設定した出力階調値ＳｏＲ１ｂで、補助無機発光体１００Ｂを点灯させて、設定した出力階調値ＳｏＲ２ｂで、第１単色無機発光体１００ＲＡを点灯させて、設定した出力階調値ＳｏＲ３ｂで、隣接無機発光体を点灯させる。第１処理回路１６２は、例えば、出力階調値ＳｏＲ１ｂ、ＳｏＲ２ｂ、ＳｏＲ３ｂの合計値が、出力階調値ＳｏＲとなるように、出力階調値ＳｏＲ１ｂ、ＳｏＲ２ｂ、ＳｏＲ３ｂを設定する。

また、入力階調値ＳｉＲが０である場合（ステップＳ７２；Ｎｏ）、第１処理回路１６２は、出力階調値ＳｏＲとして階調値０を設定して、第１単色無機発光体１００ＲＡと、補助無機発光体１００Ｂとを非点灯とする（ステップＳ８２）。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１ 表示装置
５０ｅ 対向アノード電極
５０ｆ 接続層
５２ 接続導電部
９０ｅ 対向カソード電極
１００ 無機発光体
１００Ａ 単色無機発光体
１００Ｂ 補助無機発光体
１０２Ｂ 補助無機発光素子
１０２ＲＢ 第１補助無機発光素子
１０２ＧＢ 第２補助無機発光素子
１０２ＢＢ 第３補助無機発光素子
１１２ アノード電極
１１４ カソード電極

Claims (10)

1. マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体と、複数の前記無機発光体に接続される対向電極とを備える表示装置であって、
   複数の前記無機発光体は、
   所定の波長帯の光を発光可能な単色無機発光体と、
   電流が供給された場合に第１波長帯の光を発光可能な第１補助無機発光素子、電流が供給された場合に第２波長帯の光を発光可能な第２補助無機発光素子、及び第１補助無機発光素子と第２補助無機発光素子とに接続される電極を備える補助無機発光体と、
   を含み、
   前記対向電極は、前記単色無機発光体及び前記第１補助無機発光素子に接続され、前記第２補助無機発光素子には接続されない、
   表示装置。
2. 前記第１波長帯は、同じ画素に含まれる前記単色無機発光体が発光する光の波長帯と、異なる、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１波長帯は、同じ画素に含まれる前記単色無機発光体が発光する光の波長帯と、重なる、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第２波長帯は、同じ画素に含まれる前記単色無機発光体が発光する光の波長帯と、重なる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１補助無機発光素子及び前記第２補助無機発光素子は、柱状であり、軸方向から見た場合の前記第１補助無機発光素子の幅と前記第２補助無機発光素子の幅とが異なる、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記無機発光体と前記対向電極とが並ぶ方向から見た場合に、１つの前記補助無機発光体が設けられる領域は、１つの前記単色無機発光体が設けられる領域よりも、広い、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記無機発光体と前記対向電極とが並ぶ方向から見た場合に、前記第１補助無機発光素子が設けられる領域の面積と、前記第２補助無機発光素子が設けられる領域の面積とは、異なる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記補助無機発光体は、電流が供給された場合に第３波長帯の光を発光可能な第３補助無機発光素子を更に備え、
   前記対向電極は、前記第３補助無機発光素子に接続されない、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記無機発光体は、前記第２波長帯の光を発光可能な前記単色無機発光体と、前記第３波長帯の光を発光可能な前記単色無機発光体と、を含む、請求項８に記載の表示装置。
10. 所定の波長帯の光を発光可能な単色無機発光体を形成する単色無機発光体形成ステップと、
    電流が供給された場合に第１波長帯の光を発光可能な第１補助無機発光素子、電流が供給された場合に第２波長帯の光を発光可能な第２補助無機発光素子、及び前記第１補助無機発光素子と前記第２補助無機発光素子とに接続される電極を備える補助無機発光体を形成する補助無機発光体形成ステップと、
    前記単色無機発光体及び前記第１補助無機発光素子に接続されて、前記第２補助無機発光素子に接続されない対向電極を形成する対向電極形成ステップと、を含む、
    表示装置の製造方法。

Images