CN113345946A - 一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置 - Google Patents

一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置 Download PDF

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CN113345946A CN202110602405.2A CN202110602405A CN113345946A CN 113345946 A CN113345946 A CN 113345946A CN 202110602405 A CN202110602405 A CN 202110602405A CN 113345946 A CN113345946 A CN 113345946A
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闫光
林奕呈
韩影
李正亮
杨栋芳
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Abstract

一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置，其中，显示基板包括：衬底、驱动芯片以及驱动结构层和发光结构层；发光结构层包括：多个发光结构，驱动结构层包括：多个像素电路和多个光电传感电路；发光结构在衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠；像素电路，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；光电传感电路，设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；驱动芯片，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。

Description

一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。
随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光结构、由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面，本公开提供了一种显示基板，包括：衬底、驱动芯片以及依次叠设在所述衬底上的驱动结构层和发光结构层；所述发光结构层包括：多个发光结构，所述驱动结构层包括：多个像素电路和多个光电传感电路；所述发光结构层包括相对设置的背光侧和出光侧，所述出光侧为所述发光结构层远离衬底的一侧；至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应，至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应；
所述发光结构在所述衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠；
所述像素电路，与对应的发光结构电连接，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；
所述光电传感电路，设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；
所述驱动芯片，分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
在一些可能的实现方式中，所述光电传感电路包括：控制晶体管和光电传感器；
所述光电传感器，与电源线电连接，设置为将从对应的发光结构背光侧出射过来的光线的光信号转换为电信号；
所述控制晶体管的控制极与控制信号线电连接，所述控制晶体管的第一极与光电传感器电连接，所述控制晶体管的第二极与所述信号输出线电连接，且所述控制晶体管设置为在控制信号线的控制下，向信号输出线提供光电传感器转换的电信号；
所述信号输出线与驱动芯片电连接。
在一些可能的实现方式中，所述光电传感器为PIN光电二极管。
在一些可能的实现方式中，所述光电传感器包括：依次叠设的第一电极、光电转换层和第二电极；
所述第一电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠，所述第二电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠。
在一些可能的实现方式中，所述第一电极与所述控制晶体管的第一极为同一电极。
在一些可能的实现方式中，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极；
所述光电转换层的制作材料包括：非晶硅。
在一些可能的实现方式中，所述发光结构层包括：像素定义层、第三电极层、发光层和第四电极层；所述第三电极层包括：多个阳极，所述发光层包括：至少一个有机发光层，所述第四电极层包括：至少一个阴极；每个发光结构包括：一个阳极、一个有机发光层和一个阴极；
在每个发光结构中，所述阳极位于所述有机发光层靠近衬底的一侧，所述阴极位于所述有机发光层远离衬底的一侧；
所述有机发光层在衬底上的正投影与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠，所述阴极在衬底上的正投影与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠。
在一些可能的实现方式中，对于每个发光结构，所述阳极包括：依次叠设在衬底上的第一阳极和第二阳极；
所述第一阳极在衬底上的正投影覆盖所述第二阳极在衬底上的正投影，所述第一阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影部分重叠；
第一区域和第二区域部分重叠；所述第一区域为所述第一阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影的重叠区域，所述第二区域为所述第二阳极在衬底上与所述光电传感器在衬底上的正投影不重叠的区域。
在一些可能的实现方式中，所述第二阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影部分重叠，或者，所述第二阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影不存在重叠区域。
在一些可能的实现方式中，所述第一阳极为透明电极，所述第二阳极为反射电极。
在一些可能的实现方式中，当所述第二阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影部分重叠时，所述第二阳极包括：暴露出所述第一阳极的透射过孔；
所述光电传感器在衬底上的正投影覆盖所述透射过孔在衬底上的正投影。
在一些可能的实现方式中，所述第二阳极包括：依次叠设的第一子电极和第二子电极；
所述第一子电极在衬底上的正投影与所述第二子电极在衬底上的正投影重合。
在一些可能的实现方式中，所述第一子电极为反射电极，所述第二子电极为透明电极。
在一些可能的实现方式中，所述电源线与所述第一阳极同层设置。
第二方面，本公开还提供了一种显示装置，包括：上述显示基板。
第三方面，本公开还提供了一种显示基板的制作方法，设置为上述显示基板，所述方法包括：
提供一衬底和驱动芯片；
在所述衬底上形成驱动结构层；所述驱动结构层包括：多个像素电路和多个光电传感电路，至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应；
在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层包括：多个发光结构，至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应，所述发光结构层包括相对设置的背光侧和出光侧，所述出光侧为所述发光结构层远离衬底的一侧，所述发光结构在所述衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠；
其中，所述像素电路，与对应的发光结构电连接，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；所述光电传感电路，设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；所述驱动芯片，分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
在一些可能的实现方式中，所述像素电路中包括驱动晶体管，所述在所述衬底上形成驱动结构层包括：
在衬底上形成有源层；所述有源层包括：控制晶体管的有源层；
在所述有源层上依次形成第一绝缘层和第一金属层；所述第一金属层包括：控制晶体管的控制极和控制信号线；
在所述第一金属层上依次形成第二绝缘层和第二金属层；所述第二金属层包括：控制晶体管的第一极和第二极以及信号输出线；
在所述第二金属层上形成传感层；所述传感层包括：光电转换层；
在所述传感层上形成透明导电层；所述透明导电层包括：第二电极；
在所述透明导电层依次形成第三绝缘层和平坦层；
所述在所述第一金属层上依次形成第二绝缘层和第二金属层包括：
在所述第一金属层形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上采用同一制程形成驱动晶体管的第一极和第二极以及控制晶体管的第一极和第二极，其中，控制晶体管的第一极复用为光电传感器的第一电极。
第四方面，本公开还提供了一种显示基板的控制方法，设置为控制上述显示基板，所述方法包括：
接收光电传感电路传输的电信号；
根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为一种显示基板的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3为本公开实施例提供的显示基板的结构示意图；
图4为一种像素电路的等效电路示意图；
图5为一种示例性实施例提供的光电传感电路的结构示意图；
图6为一种示例性实施例提供的显示基板的俯视图；
图7为图6沿A-A向的截面图；
图8为另一示例性实施例提供的显示基板的俯视图；
图9为图8沿A-A向的截面图；
图10为一种示例性实施例提供的第一电极的结构示意图；
图11为一种示例性实施例提供的有源层的俯视图；
图12为一种示例性实施例提供的第一金属层的俯视图；
图13为一种示例性实施例提供的第二金属层的俯视图；
图14为一种示例性实施例提供的传感层的俯视图；
图15为一种示例性实施例提供的透明导电层的俯视图；
图16A为形成有源层后的示意图；
图16B为图16A沿A-A向的截面图；
图17A为形成第一金属层后的示意图；
图17B为图17A沿A-A向的截面图；
图18A为形成第二绝缘层后的示意图；
图18B为图18A沿A-A向的截面图；
图19A为形成第二金属层后的示意图；
图19B为图19A沿A-A向的截面图；
图20A为形成传感层后的示意图；
图20B为图20A沿A-A向的截面图；
图21A为形成透明导电层后的示意图；
图21B为图21A沿A-A向的截面图；
图22A为形成平坦层后的示意图；
图22B为图22A沿A-A向的截面图；
图23A为形成第一阳极后的示意图；
图23B为图23A沿A-A向的截面图；
图24为形成第二阳极后的示意图一；
图25A为形成第二阳极后的示意图二；
图25B为图25A沿A-A向的截面图。
具体实施方式
本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的技术方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它技术方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的技术方案。因此，应当理解，在本公开中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
除非另外定义，本公开公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
一种显示基板包括阵列分布的多个子像素，至少一个子像素包括耦接的像素电路和发光结构。在显示基板进行显示时，像素电路为对应的发光结构提供驱动电流，以驱动发光结构发出对应颜色的光。由于显示基板在使用过程中，像素电路和发光结构会发生退化，不仅造成显示产品的寿命较短，而且影响显示产品的显示效果。
图1为一种显示基板的结构示意图。如图1所示，显示基板可以包括时序控制器、数据信号驱动器、扫描信号驱动器、发光信号驱动器和像素阵列，像素阵列可以包括多个扫描信号线(S1到Sm)、多个数据信号线(D1到Dn)、多个发光信号线(E1到Eo)和多个子像素Pxij。
在一种示例性实施例中，时序控制器可以将适合于数据信号驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据信号驱动器，可以将适合于扫描信号驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描信号驱动器，可以将适合于发光信号驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光信号驱动器。数据信号驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据信号驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描信号驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光信号驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发光停止信号传输到下一级电路的方式产生发光信号，o可以是自然数。像素阵列可以包括多个子像素Pxij。每个子像素Pxij可以连接到对应的数据信号线、对应的扫描信号线和对应的发光信号线，i和j可以是自然数。子像素Pxij可以指其中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信号线的子像素。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括像素电路和发光结构。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光结构输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光结构分别与所在子像素的像素电路连接，发光结构被配置为响应所在子像素的像素电路输出的电流发出相应亮度的光。
在一种示例性实施例中，像素单元P中可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
在一种示例性实施例中，像素单元可以发射白光，此时，像素单元可以包括：WOLED。当像素单元中包括WOLED时，显示基板通过滤光片实现全彩化。
图3为本公开实施例提供的显示基板的结构示意图。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括：衬底10、驱动芯片(图中未示出)以及依次叠设在衬底10上的驱动结构层20和发光结构层30。其中，发光结构层30包括：多个发光结构300，驱动结构层20包括：多个像素电路210和多个光电传感电路220，发光结构层30包括相对设置的背光侧和出光侧，出光侧为发光结构层10远离衬底10的一侧。
如图3所示，至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应，至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应。发光结构300在衬底上的正投影与对应的像素电路210在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路220在衬底上的正投影至少部分重叠。
像素电路，与对应的发光结构电连接，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；光电传感电路，设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；驱动芯片，分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
在一种示例性实施例中，发光结构层30远离衬底10的一侧为出光侧，即本公开中的显示基板为顶发射显示基板。示例性地，显示基板可以为OLED显示基板、QLED显示基板或者WOLED显示基板。
在一种示例性实施例中，衬底10可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
在一种示例性实施例中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。
在一种示例性实施例中，如图3所示，显示基板可以包括：阵列排布的子像素P。至少一个子像素包括：一个像素电路、与像素电路对应的发光结构和与发光结构对应的光电传感电路。其中，像素电路与发光结构对应指的是像素电路与发光结构位于同一个子像素，且相互电连接，像素电路驱动对应的发光结构发光。光电传感电路与发光结构对应指的是发光结构与光电传感电路位于同一子像素中，且光电传感电路接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线。
在一种示例性实施例中，发光结构300在衬底上的正投影与对应的像素电路210在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路220在衬底上的正投影至少部分重叠，可以减少显示基板的宽度。
在一种示例性实施例中，像素电路可以包括构成像素电路的多个晶体管和存储电容。
在一种示例性实施例中，像素电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图4为一种像素电路的等效电路示意图。如图4所示，像素电路为3T1C结构。像素电路可以包括3个晶体管(第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3)、1个存储电容CST和6个信号线(数据信号线Dn、第一扫描信号线Gn、第二扫描信号线Sn、补偿信号线Se、第一电源线VDD和第二电源线VSS)。
在一种示例性实施例中，第一晶体管T1为开关晶体管，第二晶体管T2为驱动晶体管，第三晶体管T3为补偿晶体管。其中，第一晶体管T1的控制极耦接于第一扫描信号线Gn，第一晶体管T1的第一极耦接于数据信号线Dn，第一晶体管T1的第二极耦接于第二晶体管T2的控制极，第一晶体管T1用于在第一扫描信号线Gn控制下，接收数据信号线Dn传输的数据信号，使第二晶体管T2的控制极接收数据信号。第二晶体管T2的控制极耦接于第一晶体管T1的第二极，第二晶体管T2的第一极耦接于第一电源线VDD，第二晶体管T2的第二极耦接于发光结构L的第一极，第二晶体管T2用于在其控制极所接收的数据信号控制下，在第二极产生相应的电流。第三晶体管T3的控制极耦接于第二扫描信号线Sn，第三晶体管T3的第一极耦接于补偿信号线Se，第三晶体管T3的第二极耦接于第二晶体管T2的第二极，第三晶体管T3用于响应补偿时序提取第二晶体管T2的阈值电压Vth以及迁移率，以对阈值电压Vth进行补偿。发光结构L的第一极耦接于第二晶体管T2的第二极，发光结构L的第二极耦接于第二电源线VSS，发光元件L用于响应第二晶体管T2的第二极的电流而发出相应亮度的光。存储电容CST的第一极板C1与第二晶体管T2的第二极耦接，存储电容CST的第二极板C2与第二晶体管T2的控制极耦接，存储电容CST用于存储第二晶体管T2的控制极的信号的电位。
在一种示例性实施例中，第一电源线VDD持续提供高电平信号，第二电源线VSS持续提供低电平信号。
在一种示例性实施例中，第一晶体管T1到第三晶体管T3可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示基板的工艺难度，提高产品的良率。
在一种示例性实施例中，第一晶体管T1到第三晶体管T3可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物(Oxide)。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点。
在一种示例性实施例中，可以将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，形成低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，简称LTPO)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现高分辨率(Pixel Per Inch，简称PPI)，低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。
在一种示例性实施例中，第一扫描信号线Gn和第二扫描信号线Sn沿水平方向延伸，第一电源线VDD、第二电源线VSS、数据信号线D和补偿信号线Se沿竖直方向延伸。
在示例性实施方式中，发光结构可以是OLED，或者可以是QLED，或者可以是白光有机发光二极管。
本公开实施例提供的显示基板包括：衬底、驱动芯片以及依次叠设在衬底上的驱动结构层和发光结构层；发光结构层包括：多个发光结构，驱动结构层包括：多个像素电路和多个光电传感电路；发光结构层包括相对设置的出光侧和背光侧，出光侧为发光结构层远离衬底的一侧；至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应，至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应；发光结构在衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠；像素电路，与对应的发光结构电连接，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；光电传感电路，设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；驱动芯片，分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。本公开实施例中的驱动芯片通过根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号，可以对发光结构进行实时地光学补偿，可以延长显示基板的寿命，并提升显示基板的显示效果。
图5为一种示例性实施例提供的光电传感电路的结构示意图，图6为一种示例性实施例提供的显示基板的俯视图，图7为图6沿A-A向的截面图，图8为另一示例性实施例提供的显示基板的俯视图，图9为图8沿A-A向的截面图。如图5至图9所示，一种示例性实施例提供的显示基板中的光电传感电路可以包括：控制晶体管M和光电传感器LP。其中，光电传感器LP，与电源线V电连接，设置为将从对应的发光结构背光侧出射过来的光线的光信号转换为电信号。控制晶体管M，分别与控制信号线G、光电传感器LP和信号输出线OUT电连接，设置为在控制信号线G的控制下，向信号输出线OUT提供光电传感器LP转换的电信号。
如图5至9所示，一种示例性实施例中，控制晶体管M可以包括：有源层211、控制极212、第一极213和第二极214。其中，控制晶体管M的控制极212与控制信号线G电连接，控制晶体管M的第一极213与光电传感器LP电连接，控制晶体管M的第二极214与信号输出线OUT电连接。
在一种示例性实施例中，位于同一列的子像素中的光电传感电路中的控制晶体管的第二极可以连接同一信号输出线OUT。
在一种示例性实施例中，控制晶体管M的有源层211的制作材料可以包括：金属氧化物、多晶硅或者非晶硅中的其中一种。控制晶体管的有源层的制作材料为金属氧化物可以减少控制晶体管的漏电流，提升显示基板的显示效果。
在一种示例性实施例中，控制晶体管M的有源层可以与驱动晶体管的有源层同层设置，且采用同一制程形成。
在一种示例性实施例中，控制晶体管可以为底栅结构，或者可以为顶栅结构，本公开对此不作任何限定。图7和图9是以控制晶体管为顶栅结构为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，控制晶体管M可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。
在一种示例性实施例中，信号输出线OUT可以与驱动芯片电连接。
在一种示例性实施例中，电源线V可以持续提供稳压信号。
在一种示例性实施例中，光电传感器LP可以为PIN光电二极管，或者其他可以实现光电转换的器件。
在一种示例性实施例中，如图7和图9所示，一种示例性实施例提供的显示基板中的光电传感器可以包括：依次叠设的第一电极221、光电转换层222和第二电极223。
如图7和9所示，在一种示例性实施例中，第一电极221与控制晶体管的第一极213为同一电极。本公开中第一电极与控制晶体管的第一极为同一电极可以减少显示基板的厚度。
在一种示例性实施例中，控制晶体管的第一极213可以与像素电路中的驱动晶体管的第一极和第二极同层设置，且可以采用同一制程形成。
在一种示例性实施例中，第一电极221在衬底10上的正投影可以和光电转换层222在衬底10上的正投影至少部分重叠，第二电极223在衬底10上的正投影可以和光电转换层222在衬底10上的正投影至少部分重叠。
在一种示例性实施例中，第一电极221在衬底10上的正投影可以与光电转换层222在衬底10上的正投影重合，或者可以覆盖光电转换层222在衬底10上的正投影。图6至图9是以第一电极221在衬底上的正投影可以与光电转换层222在衬底10上的正投影重合为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，光电转换层222在衬底10上的正投影可以与第二电极223在衬底上的正投影重合，或者可以覆盖第二电极223在衬底上的正投影。图6至图9是以光电转换层222在衬底10上的正投影可以与第二电极223在衬底上的正投影重合为例进行说明的。当光电转换层222在衬底10上的正投影可以与第二电极223在衬底上的正投影重合时，光电转换层222和第二电极223可以采用同一掩膜版制成，可以减少显示基板的制作成本。
本公开中，A在衬底上的正投影与B在衬底上的正投影重合可以不完全重合，可以允许由于公差引起的错位的存在。
在一种示例性实施例中，图10为一种示例性实施例提供的第一电极的结构示意图。如图10所示，第一电极221可以包括：第一连接电极221A和第二连接电极221B。第一连接电极221A，分别与控制晶体管的有源层211和第二连接电极221B电连接。
在一种示例性实施例中，第一连接电极和第二连接电极可以对同一材料采用同一工艺制成。第一连接电极和第二连接电极采用同一工艺制成可以简化显示基板的制作工艺。
在一种示例性实施例中，当第一电极221在衬底10上的正投影覆盖光电转换层222在衬底10上的正投影时，第一连接电极221A在衬底10上的正投影与控制晶体管的有源层211在衬底10上的正投影至少部分重叠。第二连接电极221B在衬底10上的正投影与控制晶体管的有源层211在衬底10上的正投影无重叠区域，且覆盖光电转换层222在衬底10上的正投影。
在一种示例性实施例中，控制晶体管的有源层与像素电路中的至少一个晶体管的有源层同层设置。控制晶体管的有源层与像素电路中的至少一个晶体管的有源层同层设置可以简化显示基板的制作工艺。
在一种示例性实施例中，控制晶体管的控制极与像素电路中的至少一个晶体管的控制极同层设置。控制晶体管的控制极与像素电路中的至少一个晶体管的控制极同层设置可以简化显示基板的制作工艺
在一种示例性实施例中，控制晶体管的第一极和第二极与像素电路中的至少一个晶体管的第一极和第二极同层设置。控制晶体管的第一极和第二极与像素电路中的至少一个晶体管的第一极和第二极同层设置可以简化显示基板的制作工艺。
在一种示例性实施例中，第一电极可以为反射电极。第一电极的制作材料可以为金属，例如银或者铝。第一电极为反射电极可以提升光电转换层的转换效率和精度。
在一种示例性实施例中，第二电极为透明电极。第二电极的制作材料可以为氧化铟锡、氧化锌锡等透明导电材料。第二电极为透明电极可以使得从对应的发光结构背光侧出射过来的光线可以进入光电转换层。
在一种示例性实施例中，光电转换层222的制作材料可以包括：非晶硅。
在一种示例性实施例中，光电转换层222可以包括：第一掺杂层、本征层和第二掺杂层。其中，第一掺杂层、本征层和第二掺杂层在第一电极的正投影重合。
在一种示例性实施例中，第一掺杂层可以为P型半导体层，或者可以为N型半导体层。示例性地，第一掺杂层的厚度可以约为200埃至700埃。
在一种示例性实施例中，第二掺杂层可以为P型半导体层，或者可以为N型半导体层。示例性地，第二掺杂层的厚度可以约为200埃至700埃。第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同。
在一种示例性实施例中，本征层可以是本征非晶硅层或本征锗层。示例性地，本征层的厚度可以约为5000埃至15000埃。其中，本征层的掺杂浓度很低，使得本征层的吸收系数很小，入射光可以很容易的进入材料内部，被充分吸收后产生大量的电子-空穴对，因此有较高的光电转换效率。
本实施例中，PIN器件的工作原理为本征层用于在吸收入射光后产生大量的电子-空穴对，本征层内的电子空穴对，在强电场作用下，电子向N型半导体层漂移，空穴向P型半导体层漂移，从而形成光电流，将光信号转变为电信号。
如图6至图9所示，在一种示例性实施例中，发光结构层30可以包括：像素定义层34、第三电极层、发光层和第四电极层。其中，第三电极层包括：多个阳极31，发光层包括：至少一个有机发光层32，第四电极层包括：至少一个阴极33。每个发光结构包括：一个阳极、一个有机发光层和一个阴极。
在一种示例性实施例中，在每个发光结构中，阳极31位于有机发光层32靠近衬底10的一侧，阴极33位于有机发光层32远离衬底10的一侧。阳极通过过孔与驱动晶体管的漏电极连接，有机发光层与阳极连接，阴极与有机发光层连接，有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。
在一种示例性实施例中，有机发光层32在衬底10上的正投影与对应的光电传感电路在衬底10上的正投影至少部分重叠，阴极33在衬底10上的正投影与对应的光电传感电路在衬底10上的正投影至少部分重叠。有机发光层32在衬底10上的正投影与对应的光电传感电路在衬底10上的正投影至少部分重叠，阴极33在衬底10上的正投影与对应的光电传感电路在衬底10上的正投影至少部分重叠可以使得发光结构层发射的光线可以透射至光电传感电路中。
在一种示例性实施例中，有机发光层32可以包括叠设的空穴注入层(HoleInjection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、电子阻挡层(Electron Block Layer，简称EBL)、发光层(Emitting Layer，简称EML)、空穴阻挡层(HoleBlock Layer，简称HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)。在示例性实施方式中，所有子像素的空穴注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的电子注入层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的电子传输层可以是连接在一起的共通层，所有子像素的空穴阻挡层可以是连接在一起的共通层，相邻子像素的发光层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的，相邻子像素的电子阻挡层可以有少量的交叠，或者可以是隔离的。
在一种示例性实施例中，多个发光结构的有机发光层可以为同一膜层。当所有发光结构的有机发光层为同一膜层时，有机发光层32在衬底10上的正投影覆盖对应的光电传感电路在衬底10上的正投影。
在一种示例性实施例中，多个发光结构的阴极可以为同一电极。阴极可以为面状电极。当所有发光结构的阴极为同一电极时，阴极33在衬底10上的正投影覆盖对应的光电传感电路在衬底10上的正投影。
在一种示例性实施例中，像素定义层34可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
如图6至图9所示，在一种示例性实施例中，对于每个发光结构，阳极31可以包括：依次叠设的第一阳极310和第二阳极320。第一阳极310在衬底10上的正投影与光电传感器在衬底10上的正投影部分重叠，第一阳极310在衬底10上的正投影覆盖第二阳极320在衬底10上的正投影。
在一种示例性实施例中，第一区域和第二区域部分重叠。其中，第一区域为第一阳极在衬底上的正投影与光电传感器在衬底上的正投影的重叠区域，第二区域为第二阳极在衬底上与光电传感器在衬底上的正投影不重叠的区域。
在一种示例性实施例中，第一阳极310在衬底10上的正投影可以与对应的光电传感电路中控制晶体管M在衬底10上的正投影至少部分重叠，或者第一阳极310在衬底10上的正投影与对应的光电传感电路中控制晶体管M在衬底10上的正投影不存在重叠区域。当第一阳极310在衬底10上的正投影与对应的光电传感电路中控制晶体管M在衬底10上的正投影至少部分重叠时，可以增大发光结构的发光面积。
在一种示例性实施例中，第二阳极320在衬底10上的正投影可以与对应的光电传感电路中控制晶体管M在衬底10上的正投影至少部分重叠，或者，第二阳极320在衬底10上的正投影与对应的光电传感电路中控制晶体管M在衬底10上的正投影不存在重叠区域。
在一种示例性实施例中，第二阳极320在衬底10上的正投影与光电传感器LP在衬底上的正投影部分重叠，或者，第二阳极320在衬底上的正投影与光电传感器LP在衬底上的正投影不存在重叠区域。图6和图7是以第二阳极320在衬底10上的正投影与光电传感器LP在衬底上的正投影部分重叠为例进行说明的。图8和图9是以第二阳极320在衬底上的正投影与光电传感器LP在衬底上的正投影不存在重叠区域为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第一阳极靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离可以小于或者等于光电传感器靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离。图6和图7是以第一阳极靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离小于光电传感器靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第一阳极310靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离可以大于或者等于第二阳极320靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离。如图6和图7是以第一阳极310靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离大于第二阳极320靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，如图6所示，第一阳极310远离信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离可以大于第二阳极320靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离。
在一种示例性实施例中，第一阳极310远离信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离可以小于或者等于第二阳极320靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离。图8是以第一阳极310远离信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离小于第二阳极320靠近信号输出线OUT的边缘与信号输出线OUT之间的距离为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第一阳极310在衬底上的正投影可以与第一扫描信号线Gn在衬底上的正投影部分重叠。
在一种示例性实施例中，第二阳极320在衬底上的正投影可以与第一扫描信号线Gn在衬底上的正投影部分重叠。
在一种示例性实施例中，第一阳极310在衬底上的正投影可以与数据信号线Dn在衬底上的正投影部分重叠。
在一种示例性实施例中，第二阳极320在衬底上的正投影可以与数据信号线Dn在衬底上的正投影部分重叠。
在一种示例性实施例中，第一阳极310在衬底上的正投影可以与控制信号线G在衬底上的正投影不重叠。
在一种示例性实施例中，第二阳极320在衬底上的正投影可以与控制信号线G在衬底上的正投影不重叠。
在一种示例性实施例中，第一阳极310可以为透明电极。第一阳极为透明电极可以保证从发光结构背光侧出射的光线可以射入光电传感器，以对显示基板进行光学补偿。
在一种示例性实施例中，第二阳极320可以为反射电极，反射电极采用金属材料，如如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。第二阳极为反射电极可以提升显示基板中的光线利用率。
在一种示例性实施例中，如图6和图7所示，当第二阳极320在衬底上的正投影与光电传感器LP在衬底上的正投影部分重叠时，第二阳极还可以包括：暴露出第一阳极310的透射过孔VA。其中，光电传感器LP在衬底10上的正投影覆盖透射过孔VA在衬底上的正投影。此时，从发光结构背光侧出射的光线可以通过透射过孔VA射入光电传感器。
在一种示例性实施例中，第二阳极可以包括过孔使得阳极远离衬底的表面存在凸起和凹槽，即阳极远离衬底的表面不平坦。
在一种示例性实施例中，第二阳极可以为单层结构，或者可以为多层结构。当第二阳极为单层结构时，第二阳极为反射电极，反射电极的制作材料包括：银、铝或者其他金属材料。
在一种示例性实施例中，当第二阳极为多层结构时，如图6所示，第二阳极320包括：依次叠设的第一子电极321和第二子电极322。第一子电极321在衬底上的正投影与第二子电极322在衬底上的正投影重合。
在一种示例性实施例中，第一子电极可以为反射电极，第二子电极可以为透明电极。第一子电极为反射电极可以保证显示基板的出光效率，第二子电极为透明电极可以保证阳极的功函数与有机发光层的功函数适配，可以提升显示基板的显示效果。
在一种示例性实施例中，第一子电极的制作材料可以采用金属材料，如如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。
在一种示例性实施例中，第二子电极的制作材料可以采用透明导电材料，例如氧化铟锡，氧化锌锡。
在一种示例性实施例中，阳极的设置方式可以保证在高分辨率的显示基板中实现光学补偿效果，提升了显示基板的亮度稳定性和均匀性。
图11为一种示例性实施例提供的有源层的俯视图，图12为一种示例性实施例提供的第一金属层的俯视图，图13为一种示例性实施例提供的第二金属层的俯视图，图14为一种示例性实施例提供的传感层的俯视图，图15为一种示例性实施例提供的透明导电层的俯视图，如图6至图9，图11至图15所示，一种示例性实施例中，驱动结构层20包括：沿垂直于衬底10方向上依次设置的有源层、第一绝缘层23、第一金属层、第二绝缘层24、第二金属层、传感层、透明导电层、第三绝缘层25和平坦层26。其中，有源层可以包括：控制晶体管的有源层211，第一金属层可以包括：控制晶体管的控制极212和控制信号线G，第二金属层可以包括：控制晶体管的第一极213和第二极214以及信号输出线OUT，传感层可以包括：光电转换层222，透明导电层可以包括：光电传感电路的第二电极223。
在一种示例性实施例中，如图11所示，有源层还可以包括：第一晶体管的有源层T11、第二晶体管的有源层T21和存储电容的第二极板C2。示例性地，存储电容的第二极板C2和第二晶体管的有源层T21为一体成型结构。A和B为一体成型结构指的是A和B采用相同材料同一工艺制成。
在一种示例性实施例中，如图12所示，第一金属层还可以包括：第一晶体管的控制极T12、第二晶体管的控制极T22和第一扫描信号线Gn。示例性地，控制晶体管的控制极212和控制信号线G为一体成型结构。第一扫描信号线Gn和第一晶体管的控制极T12为一体成型结构。
在一种示例性实施例中，如图13所示，第二金属层还可以包括：第一电源线VDD、第二电源线VSS、数据信号线D、存储电容的第一极板C1、第一晶体管的第一极T13和第二极T14以及第二晶体管的第一极T23和第二极T24。示例性地，信号输出线OUT与控制晶体管的第二极214为一体成型结构。第一晶体管的第二极T14和存储电容的第一极板C1为一体成型结构。数据信号电D和第一晶体管的第一极T13为一体成型结构。第一电源线VDD与第二晶体管的第二极T24为一体成型结构。
在一种示例性实施例中，图6至图9所示，电源线V与第一阳极同层设置。平坦层26和第三绝缘层25上开设有暴露出第二电极223的过孔，电源线V通过平坦层26和第三绝缘层25上的过孔与第二电极223电连接。
在一种示例性实施例中，有源层可以为多晶硅层、非晶硅层或者金属氧化物层。金属氧化物层可以采用包含铟和锡的氧化物、包含钨和铟的氧化物、包含钨和铟和锌的氧化物、包含钛和铟的氧化物、包含钛和铟和锡的氧化物、包含铟和锌的氧化物、包含硅和铟和锡的氧化物或者包含铟或镓和锌的氧化物。金属氧化物层可以单层，或者可以是双层，或者可以是多层。
在一种示例性实施例中，第一金属层和第二金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为栅绝缘层、第二绝缘层成为层间绝缘层、第三绝缘层称为钝化层。
在一种示例性实施例中，显示基板还可以包括：封装层和盖板。其中，封装层设置在发光结构层远离衬底的一侧，盖板设置在封装层远离衬底的一侧。
在一种示例性实施例中，封装层可以为多层结构。多层结构包括：沿垂直于基底方向依次设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层。其中，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光结构层，可以延长显示基板的使用寿命。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶处理。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程中该“薄膜”需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。图16至图25为一个示例性实施例提供的显示基板的制作过程示意图，如图16至25所示，一种示例性实施例提供的显示基板的制作过程可以包括：
(1)在衬底上形成有源层，包括：在衬底上沉积有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成有源层。有源层包括：控制晶体管的有源层211、第一晶体管的有源层T11、第二晶体管的有源层T21和存储电容的第二极板C2，如图16所示，如图16A为形成有源层后的示意图，图16B为图16A沿A-A向的截面图。
(2)形成第一金属层，包括：在形成有有源层的衬底上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，形成位于第一绝缘层23。在第一绝缘层上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成第一金属层。第一金属层包括：控制晶体管的控制极212、控制信号线G、第一晶体管的控制极T12、第二晶体管的控制极T22和第一扫描信号线Gn，如图17所示，图17A为形成第一金属层后的示意图，图17B为图17A沿A-A向的截面图。
在一种示例性实施例中，第一金属层还可以采用栅极自对准工艺形成。
(3)形成第二绝缘层，包括：在形成有第一金属层的衬底上，沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成第二绝缘层24，如图18所示，图18A为形成第二绝缘层后的示意图，图18B为图18A沿A-A向的截面图。
在一种示例性实施例中，第二绝缘层24包括：第一过孔V1至第六过孔V6。其中，第一过孔V1和第二过孔V2暴露出第一晶体管的有源层，第三过孔V3暴露出第二晶体管的控制极，第四过孔V4和第五过孔V5暴露出第二晶体管的有源层，第六过孔V6和第七过孔V7暴露出控制晶体管的有源层。
(4)形成第二金属层，包括：在形成有第二绝缘层的衬底上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成第二金属层。第二金属层包括：控制晶体管的第一极213和第二极214、信号输出线OUT、第一电源线VDD、第二电源线VSS、数据信号线D、存储电容的第一极板C1、第一晶体管的第一极T13和第二极T14以及第二晶体管的第一极T23和第二极T24，如图19所示，图19A为形成第二金属层后的示意图，图19B为图19A沿A-A向的截面图。
在一种示例性实施例中，第一晶体管的第一极T13通过第一过孔V1与第一晶体管的有源层连接，第一晶体管的第二极T14通过第二过孔V2与第一晶体管的有源层连接。存储电容的第一极板C1通过第三过孔V3与第二晶体管的控制极连接。第二晶体管的第一极T23通过第四过孔V4与第二晶体管的有源层连接，第二晶体管的第二极T24通过第五过孔V5与第二晶体管的有源层连接。控制晶体管的第一极213通过第六过孔V6与控制晶体管的有源层连接，控制晶体管的第二极214通过第七过孔V7与控制晶体管的有源层连接。
(5)形成传感层，包括：在形成有第二金属层的衬底上，沉积半导体薄膜，通过构图工艺对半导体薄膜进行构图，形成传感层。传感层包括：光电传感层222，如图20所示，图20A为形成传感层后的示意图，图20B为图20A沿A-A向的截面图。
(6)形成透明导电层，包括：在形成有传感层的衬底上，涂覆透明导电材料，通过光刻工艺形成透明导电层。透明导电层包括：第二电极223，如图21所示，图21A为形成透明导电层后的示意图，图21B为图21A沿A-A向的截面图。
(7)形成第三绝缘层和平坦层，包括：在形成有透明导电层的衬底上，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成第三绝缘层25。在形成有第三绝缘层的衬底上涂覆平坦薄膜，通过平坦薄膜的掩膜、曝光和显影，形成平坦层26，如图22所示，图22A为形成平坦层后的示意图，图22B为图22A沿A-A向的截面图。
在一种示例性实施例中，第三绝缘层和平坦层包括：第八过孔V8和第九过孔V9。第八过孔V8暴露出光电传感器的第二电极223。第九过孔V9暴露出第二晶体管的第二极。
(8)形成第一阳极，包括：在形成有平坦层的衬底上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第一阳极和电源线，如图23所示，图23A为形成第一阳极后的示意图，图23B为图23A沿A-A向的截面图。
在一种示例性实施例中，电源线通过第八过孔与光电传感器的第二电极223连接。第一阳极通过第九过孔与第二晶体管的第二极连接。
(9)形成第二阳极，在形成有第一阳极的衬底上，依次沉积金属薄膜和透明导电薄膜，通过构图工艺对金属薄膜和透明导电薄膜进行构图，形成包括：第一子电极和第二子电极的第二阳极320，如图24和25所示，图24为形成第二阳极后的示意图一，图25A为形成第二阳极后的示意图二，图25B为图25A沿A-A向的截面图。
(10)形成像素定义层、有机发光层和阴极，包括：在形成第二阳极的衬底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影工艺形成像素定义层(Pixel Define Layer)34，在形成的像素定义层的开口区域内和像素定义层上形成有机发光层32，在形成有机发光层的衬底上涂覆导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行构图，形成阴极33，如图7和图9所示。
(11)形成封装层和盖板，在形成阴极的衬底上形成封装层，封装层包括无机材料的第一封装层、有机材料的第二封装层和无机材料的第三封装层，第一封装层设置在第二电极上，第二封装层设置在第一封装层上，第三封装层设置在第二封装层上，形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括：显示基板。
在一种示例性实施例中，显示装置可以为显示器、电视、手机、平板电脑、导航仪、数码相框、可穿戴显示产品具有任何显示功能的产品或者部件。
显示基板为前述任一个实施例提供的显示基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制作方法，设置为制作显示基板，本公开实施例提供显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤S11、提供一衬底和驱动芯片。
步骤S12、在衬底上形成驱动结构层。
在一种示例性实施例中，驱动结构层包括：多个像素电路和多个光电传感电路，至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应。
步骤S13、在驱动结构层上形成发光结构层。
在一种示例性实施例中，发光结构层包括：多个发光结构，至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应，发光结构层远离衬底的一侧为出光侧，发光结构在衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠。
像素电路，与对应的发光结构电连接，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；光电传感电路，设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；驱动芯片，分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
显示基板为前述任一个实施例提供的显示基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，步骤S12可以包括：在衬底上形成有源层；有源层包括：控制晶体管的有源层；在有源层上依次形成第一绝缘层和第一金属层；第一金属层包括：控制晶体管的控制极和控制信号线；在第一金属层上依次形成第二绝缘层和第二金属层；第二金属层包括：控制晶体管的第一极和第二极以及信号输出线；在第二金属层上形成传感层；传感层包括：光电转换层；在传感层上形成透明导电层；透明导电层包括：第二电极；在透明导电层依次形成第三绝缘层和平坦层。
在一种示例性实施例中，在第一金属层上依次形成第二绝缘层和第二金属层包括：在第一金属层形成第二绝缘层；在第二绝缘层上采用同一制程形成驱动晶体管的第一极和第二极以及控制晶体管的第一极和第二极，其中，控制晶体管的第一极复用为光电传感器的第一电极。
在一种示例性实施例中，在第一金属层形成第二绝缘层包括：在第一金属层上沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成第二绝缘层。
在一种示例性实施例中，在第二绝缘层上采用同一制程形成驱动晶体管的第一极和第二极以及控制晶体管的第一极和第二极包括：在第二绝缘层上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成驱动晶体管的第一极和第二极以及控制晶体管的第一极和第二极。
在一种示例性实施例中，步骤S13可以包括：在平坦层上形成阳极；在阳极上形成像素定义层；在像素定义层上形成有机发光层和阴极。
在一种示例性实施例中，步骤S13之后，显示基板的制作方法还可以包括：在阴极上依次形成封装层和盖板。
在一种示例性实施例中，在平坦层上形成阳极可以包括：在平坦层上形成第一阳极；在第一阳极上形成包括第一子电极和第二子电极的第二阳极。
本公开实施例还提供了一种显示基板的控制方法，设置为控制显示基板，本公开实施例提供的显示基板的控制方法可以包括：
步骤S21、接收光电传感电路传输的电信号；
步骤S22、根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
显示基板为前述任一个实施例提供的显示基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
本公开中的附图只涉及本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底、驱动芯片以及依次叠设在所述衬底上的驱动结构层和发光结构层；所述发光结构层包括：多个发光结构，所述驱动结构层包括：多个像素电路和多个光电传感电路；所述发光结构层包括相对设置的背光侧和出光侧，所述出光侧为所述发光结构层远离衬底的一侧；至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应，至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应；
所述发光结构在所述衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠；
所述像素电路，与对应的发光结构电连接，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；
所述光电传感电路，接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；
所述驱动芯片，分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光电传感电路包括：控制晶体管和光电传感器；所述控制晶体管包括：控制极、第一极和第二极；
所述光电传感器，与电源线电连接，设置为将从对应的发光结构背光侧出射过来的光线的光信号转换为电信号；
所述控制晶体管的控制极与控制信号线电连接，所述控制晶体管的第一极与光电传感器电连接，所述控制晶体管的第二极与所述信号输出线电连接，且所述控制晶体管设置为在控制信号线的控制下，向信号输出线提供光电传感器转换的电信号；
所述信号输出线与驱动芯片电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光电传感器包括：PIN光电二极管。
4.根据权利要求2或3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述光电传感器包括：依次叠设的第一电极、光电转换层和第二电极；
所述第一电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠，所述第二电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极与所述控制晶体管的第一极为同一电极。
6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极；
所述光电转换层的制作材料包括：非晶硅。
7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括：像素定义层、第三电极层、发光层和第四电极层；所述第三电极层包括：多个阳极，所述发光层包括：至少一个有机发光层，所述第四电极层包括：至少一个阴极；每个发光结构包括：一个阳极、一个有机发光层和一个阴极；
在每个发光结构中，所述阳极位于所述有机发光层靠近衬底的一侧，所述阴极位于所述有机发光层远离衬底的一侧；
所述有机发光层在衬底上的正投影与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠，所述阴极在衬底上的正投影与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，对于每个发光结构，所述阳极包括：依次叠设的第一阳极和第二阳极；
所述第一阳极在衬底上的正投影覆盖所述第二阳极在衬底上的正投影，所述第一阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影部分重叠；
第一区域和第二区域部分重叠；所述第一区域为所述第一阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影的重叠区域，所述第二区域为所述第二阳极在衬底上与所述光电传感器在衬底上的正投影不重叠的区域。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第二阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影部分重叠，或者，所述第二阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影不存在重叠区域。
10.根据权利要求8或9所述的显示基板，其特征在于，所述第一阳极为透明电极，所述第二阳极为反射电极。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，
当所述第二阳极在衬底上的正投影与所述光电传感器在衬底上的正投影部分重叠时，所述第二阳极包括：暴露出所述第一阳极的透射过孔；
所述光电传感器在衬底上的正投影覆盖所述透射过孔在衬底上的正投影。
12.根据权利要求8或9所述的显示基板，其特征在于，所述第二阳极包括：依次叠设的第一子电极和第二子电极；
所述第一子电极在衬底上的正投影与所述第二子电极在衬底上的正投影重合。
13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一子电极为反射电极，所述第二子电极为透明电极。
14.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述电源线与所述第一阳极同层设置。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至14任一项所述的显示基板。
16.一种显示基板的制作方法，其特征在于，设置为制作如权利要求1至14任一项所述的显示基板，所述方法包括：
提供一衬底和驱动芯片；
在所述衬底上形成驱动结构层；所述驱动结构层包括：多个像素电路和多个光电传感电路，至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应；
在所述驱动结构层上形成发光结构层，所述发光结构层包括：多个发光结构，至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应，所述发光结构层包括相对设置的背光侧和出光侧，所述出光侧为所述发光结构层远离衬底的一侧，所述发光结构在所述衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠，且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠；
其中，所述像素电路，与对应的发光结构电连接，设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光；所述光电传感电路，设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线，将出射过来的光线的光信号转换为电信号，并将电信号传输至驱动芯片；所述驱动芯片，分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接，设置为根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述像素电路中包括驱动晶体管，所述在所述衬底上形成驱动结构层包括：
在衬底上形成有源层；所述有源层包括：控制晶体管的有源层；
在所述有源层上依次形成第一绝缘层和第一金属层；所述第一金属层包括：控制晶体管的控制极和控制信号线；
在所述第一金属层上依次形成第二绝缘层和第二金属层；所述第二金属层包括：控制晶体管的第一极和第二极以及信号输出线；
在所述第二金属层上形成传感层；所述传感层包括：光电转换层；
在所述传感层上形成透明导电层；所述透明导电层包括：第二电极；
在所述透明导电层依次形成第三绝缘层和平坦层；
所述在所述第一金属层上依次形成第二绝缘层和第二金属层包括：
在所述第一金属层形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上采用同一制程形成驱动晶体管的第一极和第二极以及控制晶体管的第一极和第二极，其中，控制晶体管的第一极复用为光电传感器的第一电极。
18.一种显示基板的控制方法，其特征在于，设置为控制如权利要求1至14任一项所述的显示基板，所述方法包括：
接收光电传感电路传输的电信号；
根据光电传感电路传输的电信号，控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
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