CN113451534B - 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法 - Google Patents
显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113451534B CN113451534B CN202110820741.4A CN202110820741A CN113451534B CN 113451534 B CN113451534 B CN 113451534B CN 202110820741 A CN202110820741 A CN 202110820741A CN 113451534 B CN113451534 B CN 113451534B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display
- different
- display panel
- anode
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical class N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法,显示面板具有多个第一显示区以及至少部分围绕各第一显示区设置的第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,显示面板包括:多个第一膜层结构,各第一膜层结构分别设于各第一显示区,且各第一膜层结构具有不同的结构参数,以使外界光透过各第一显示区产生不同的衍射图样;第二膜层结构,设于第二显示区。通过光学元件对应于不同的透过衍射图样拍摄出不同的图像,便于之后利用算法来减弱或消除衍射干扰项,还原光线零级透过部分所形成的图像信息,从而提升屏下摄像拍照品质。
Description
技术领域
本发明属于电子产品技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法。
背景技术
随着显示技术的发展,人们对使用的电子产品不仅要求流畅的使用体验,而且对视觉体验的要求也越来越高,高屏占比成为目前研究的方向。对于电子产品来说,前置摄像头等光学元件的设置必然会占据一定的空间,从而影响屏占比。而为了提升屏占比,实现全面屏,研究人员考虑屏下光学元件的实现方案。
将光学元件设置在显示面板的发光器件所在膜层的下方,即将光学元件设置在显示区域内。但光线通过光学元件所在的区域容易发生衍射,成像效果差。
因此,亟需一种新的显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法,以使外界光透过各第一显示区产生不同的衍射图样,进而通过光学元件对应于不同的透过衍射图样拍摄出不同的目标图像,便于之后利用算法来减弱或消除衍射干扰项,还原光线零级透过部分所形成的图像信息,从而提升屏下摄像拍照品质。
本发明实施例一方面提供了一种显示面板,具有多个第一显示区以及至少部分围绕各所述第一显示区设置的第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述显示面板包括:多个第一膜层结构,各所述第一膜层结构分别设于各所述第一显示区,且各所述第一膜层结构具有不同的结构参数,以使外界光透过各所述第一显示区产生不同的衍射图样;第二膜层结构,设于所述第二显示区。
根据本发明的一个方面,所述第一膜层结构包括沿所述显示面板的厚度方向层叠设置的阵列基板、阳极层、发光层和阴极层,所述阳极层包括图案化的阳极块,位于不同的所述第一显示区内的所述阳极块在所述阵列基板的正投影形状不同。
根据本发明的一个方面,所述阳极块在所述阵列基板的正投影形状呈多边形或曲边形,且均呈不规则排布。
根据本发明的一个方面,还包括设于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡区,在所述过渡区设置有和所述第一膜层结构的所述阳极块电连接的驱动晶体管。
根据本发明的一个方面,还包括设于所述第一显示区的多个驱动晶体管,各所述驱动晶体管分别和所述第一膜层结构的所述阳极块电连接,所述驱动晶体管分别沿行方向和列方向阵列排布形成阵列组,位于不同的所述第一显示区内的所述阵列组在所述阵列基板的正投影形状不同。
根据本发明的一个方面,在所述第一显示区的所述驱动晶体管和所述阳极块一一对应电连接。
根据本发明的一个方面,在所述第一显示区的一个所述驱动晶体管至少和两个所述阳极块电连接。根据本发明的一个方面,在所述第一显示区的一个所述驱动晶体管至少和两个驱动发光层同种颜色发光的所述阳极块电连接。根据本发明的一个方面,在所述第一显示区的一个所述驱动晶体管至少和三个驱动发光层同种颜色发光的所述阳极块电连接。根据本发明的一个方面,在所述第一显示区的一个所述驱动晶体管至少和四个驱动发光层同种颜色发光的所述阳极块电连接。
本发明实施例另一方面提供了一种显示装置,包括:显示面板,所述显示面板为上述任一实施例所述的显示面板;多个光学元件,分别对应所述显示面板的各个第一显示区设置。
本发明实施例又一方面提供了一种显示装置图像处理方法,包括:在同一拍摄场景下,光学元件基于所述显示装置不同的第一显示区分别获取目标图像,各所述目标图像具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息;通过算法将具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息的目标图像合成处理,以使合成后所呈现的拍摄图像的衍射干扰项减弱或消失。
根据本发明的又一个方面,所述通过算法将具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息的目标图像合成处理包括:将至少两个目标图像中同一位置所对应的不存在或者能量占比相对低的衍射项的图像信息用于合成所呈现的拍摄图像。
与现有技术相比,本发明实施例所提供的显示面板包括第一膜层结构和第二膜层结构,各个第一膜层结构分别设于显示面板的各个第一显示区,且各第一膜层结构具有不同的结构参数,结构参数包括但不限于第一膜层结构中各膜层的厚度、形状以及材料等,本发明中的结构参数具体是指能够影响外界光透过第一膜层结构时所产生的衍射图样的参数,各第一膜层结构具有不同的结构参数即不同的第一显示区的第一膜层结构存在差异,以使外界光透过各第一显示区产生不同的衍射图样,进而通过光学元件对应于不同的透过衍射图样拍摄出不同的目标图像,便于之后利用算法来减弱或消除衍射干扰项,还原光线零级透过部分所形成的图像信息,从而提升屏下摄像拍照品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是图1中B-B处的膜层结构图;
图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种阵列组的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种阵列组的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的又一种阵列组的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种阵列组的结构示意图;
图8是本发明实施例提供的一种光学仿真结果的示意图;
图9是本发明实施例提供的另一种光学仿真结果的示意图;
图10是本发明实施例提供的一种显示装置图像处理方法的流程图。
附图中:
10-第一膜层结构;1-阵列基板;11-信号走线;2-显示器件层;21-阳极层;22-发光层;23-阴极层;24-像素定义层;K1-像素开口;K2-阴极开口;DTFT-驱动晶体管;S-最小重复单元;AA1-第一显示区;AA2-第二显示区;PA-过渡区;X-行方向;Y-列方向。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上,需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器等光学元件。在一些实施例中,可以在上述电子设备上设置透光显示区,将光学元件设置在透光显示区背面,在保证光学元件正常工作的情况下,实现电子设备的全面屏显示。
但是受到通常的显示面板结构限制,透光显示区存在透过衍射问题,严重影响了显示装置的拍照画质。
为解决上述问题,本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,以下将结合附图对显示面板及显示装置的各实施例进行说明。
本发明实施例所提供的显示面板可以为有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,简称为OLED)显示面板、量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,简称为QLED)或微型平面显示面板(Micro-OLED或Micro-LED)等。下面将以显示面板为OLED显示面板为例进行描述。
为了更好地理解本发明,下面结合图1至图10根据本发明实施例的显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法进行详细描述。
请参阅图1至图2,本发明实施例提供了一种显示面板,具有多个第一显示区AA1以及至少部分围绕各第一显示区AA1设置的第二显示区AA2,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,显示面板包括:多个第一膜层结构10,各第一膜层结构10分别设于各第一显示区AA1,且各第一膜层结构10具有不同的结构参数,以使外界光透过各第一显示区AA1产生不同的衍射图样;第二膜层结构,设于第二显示区AA2。
本发明实施例所提供的显示面板包括第一膜层结构10和第二膜层结构(未进行图示),各个第一膜层结构10分别设于显示面板的各个第一显示区AA1,且各第一膜层结构10具有不同的结构参数,结构参数包括但不限于第一膜层结构10中各膜层的厚度、形状以及材料等,本发明中的结构参数具体是指能够影响外界光透过第一膜层结构10时所产生的衍射图样的参数,各第一膜层结构10具有不同的结构参数即不同的第一显示区AA1的第一膜层结构10存在差异,以使外界光透过各第一显示区AA1产生不同的衍射图样,进而通过光学元件对应于不同的透过衍射图样拍摄出不同的目标图像,便于之后利用算法来减弱或消除衍射干扰项,还原光线零级透过部分所形成的图像信息,从而提升屏下摄像拍照品质。
可以理解的是,第一显示区AA1即用于设置摄像头等光学元件的透光区域,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,以使对应光学元件接收到足够的进光量,保证其成像效果。可选的,各第一显示区AA1的轮廓外形可以相同或者不同,并无特殊限定。图1中以各第一显示区AA1的轮廓外形不同为例。
为了使外界光透过各第一显示区AA1产生不同的衍射图样,在一些可选的实施例中,第一膜层结构10包括沿显示面板的厚度方向层叠设置的阵列基板1、阳极层21、发光层22和阴极层23,阳极层21包括图案化的阳极块,位于不同的第一显示区AA1内的阳极块在阵列基板1的正投影形状不同。
阳极层21的材料一般为功函数高的材料,以便提高空穴注入效率,可为金(Au)、铂(Pt)、钛(Ti)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(IZO)或透明导电聚合物(如聚苯胺)等。
可选的,在本实施例中阳极层21采用不透明材料,例如银,位于不同的第一显示区AA1内的阳极块在阵列基板1的正投影形状不同,由于阳极块不透光,光线需要从各阳极块间隙进入,从而容易产生衍射现象,即各阳极块的不透光区域形状对所形成的透过衍射图样具有较大的影响,特别是在驱动晶体管DTFT边置于过渡区PA的实施例中,由于在第一显示区AA1内不设置驱动晶体管DTFT,各阳极块的不透光区域形状对所形成的透过衍射图样起到主要的影响作用,因而可以通过使位于不同第一显示区AA1内的阳极块具有不同的形状来产生多种透过衍射图样,便于之后利用算法来减弱或消除衍射干扰项,还原光线零级透过部分所形成的图像信息,从而提升屏下摄像拍照品质。当然,阳极块在阵列基板1的正投影形状也可以相同,此时通过调整位于不同的第一显示区AA1内的阳极块的排布方式或者对其他的结构参数进行调整,也可让外界光透过各第一显示区AA1产生不同的衍射图样,并无特殊限定。
在一些可选的实施例中,阳极块在阵列基板1的正投影形状呈多边形或曲边形,且呈不规则排布。
阳极块的形状并无特殊限定,可以是曲边形或者多边形,其中,曲边形具体是指至少有一条边为曲边的图形,而多边形具体为矩形、五边形等由直线组成的图形;可设置阳极块为曲边形,且呈不规则排布,以改善第一显示区AA1的透过衍射问题。
阴极层23材料一般采用功函数较低的材料,以便电子注入,另外还可以减少工作中产生的热量,延长OLED器件的使用寿命。阴极层23的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、镁(Mg)、镱(Yb)、钙(Ca)或铟(In)等金属材料的一种,还可以为前述金属材料的合金,如镁银合金(Mg/Ag)、锂铝合金(Li/Al),对此,本实施例不作限制。
可选的,阴极层23在各第一显示区AA1设有阴极开口K2,其在阵列基板1的正投影形状不作限定。通过设置阴极开口K2,能够进一步增加第一显示区AA1的透光率。在像素定义层24内设置有对应于各个阳极块的像素开口K1,阴极开口K2和像素开口K1可以呈圆形、椭圆等非规则形状,且呈非规律方式排布,以改善第一显示区AA1的透过衍射问题。阳极层21、发光层22、阴极层23以及像素定义层24形成显示器件层2以实现显示面板的发光显示。当然,像素开口K1,阴极开口K2以及阳极块的形状和排布方式也可以为规则性的,并无特殊限定。
在第一显示区AA1内,像素定义层24可以为高透光材料,以增加第一显示区AA1的光透过率。
阴极层23上通常覆盖封装层(图中未示出),封装层包括层叠设置的无机薄膜和有机薄膜。其中,无机薄膜一般选取透明的氧化物、氮化硅系列等。
在一些实施例中,阵列基板1包括衬底基板、设置在衬底基板上的驱动晶体管DTFT的阵列层,阵列层还包括平坦化层及信号走线11等,信号走线11用于连接驱动晶体管DTFT和阳极块,可选的,信号走线11采用透明材质,例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)制作,以提高第一显示区AA1的透光率,同时改善第一显示区AA1的透过衍射问题。可选的,信号走线11为不透明导线,采用通常的电阻率低的不透明金属制作,例如铜、铝等。
其中,衬底基板可以为硬质基板,如玻璃基板;也可以为柔性基板,其材质可以为聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对二甲苯、聚醚砜或聚萘二甲酸乙二醇酯。衬底基板主要用于支撑设置在其上的器件。平坦化层和像素定义层24均采用透明的有机材料制作。例如,平坦化层和像素定义层24中的任一者的材质可以为六甲基二甲硅醚、环氧树脂或者聚酰亚胺(Polyimide,PI),还可以为其它透光率在90%以上的硅系胶材料,或者透光率略低(大于80%)、抗弯强度略高的其它有机胶材料,对此,本实施例不作限制。
请参阅图3,为了改善第一显示区AA1的透光率以及透过衍射问题,在一些可选的实施例,显示面板还包括设于第一显示区AA1和第二显示区AA2之间的过渡区PA,在过渡区PA设置有和第一膜层结构10的阳极块电连接的驱动晶体管DTFT。
需要说明的是,在过渡区PA设置的驱动晶体管DTFT可以同时对过渡区PA和第一显示区AA1的阳极块进行驱动,以实现第一显示区AA1和过渡区PA的正常显示。由于在第一显示区AA1无需设置驱动晶体管DTFT,能够有效改善第一显示区AA1的透光率以及透过衍射问题,结合上述实施例,在采用驱动晶体管DTFT边置化方式时,可以通过将位于不同的第一显示区AA1内的阳极块在阵列基板1的正投影形状设置为不同,来使外界光透过各第一显示区AA1产生不同的透过衍射图样,即各阳极块的不透光区域形状对所形成的透过衍射图样起到主要的影响作用。
请参阅图4至图7,由于当第一显示区AA1采用高密度像素排布时,显示面板内可用于信号走线11的布局空间十分有限,很难将驱动晶体管DTFT在各第一显示区AA1周围边置化,需要将驱动晶体管DTFT内置于第一显示区AA1,在一些可选的实施例中,显示面板还包括设于第一显示区AA1的多个驱动晶体管DTFT,各驱动晶体管DTFT分别和第一膜层结构10的阳极块电连接,驱动晶体管DTFT分别沿行方向X和列方向Y阵列排布形成阵列组,位于不同的第一显示区AA1内的阵列组在阵列基板1的正投影形状不同。
需要说明的是,内置于第一显示区AA1的驱动晶体管DTFT,会增加第一显示区AA1的不透光区域,从而加重第一显示区AA1的透光衍射问题,因而在本实施例中,通过使位于不同的第一显示区AA1内的阵列组在阵列基板1的正投影形状不同,进而让外界光透过各第一显示区AA1产生不同的衍射图样,并通过光学元件对应于不同的透过衍射图样拍摄出不同的目标图像,便于之后利用算法来减弱或消除衍射干扰项,还原光线零级透过部分所形成的图像信息,从而提升屏下摄像拍照品质。本发明实施例在通过设置高密度像素排布的第一显示区AA1,保证显示效果的同时,改善了显示装置的成像效果。
为了减小内置式驱动晶体管DTFT对于第一显示区AA1的透光率影响,可使驱动晶体管DTFT对应于阳极块的不透光区域,即驱动晶体管DTFT和阳极块在阵列基板1的正投影存在交叠部分,或者将两个或者更多的驱动晶体管DTFT并在一起形成最小重复单元S,尽量对应于阳极块的不透光区域。
需要说明的是,图中所示的驱动晶体管DTFT仅表示驱动晶体管DTFT的源漏极、栅极等图案化膜层在阵列基板1的正投影总和的外部轮廓,而驱动晶体管DTFT在阵列基板1的正投影总和的实际外部轮廓可至少部分为曲线,也可以为直线,且大小不作限定。
通过将驱动晶体管DTFT相对于行方向X或列方向Y旋转预定角度或者平移一定距离以形成不同的阵列组图案,进而产生不同的透过衍射图样。驱动晶体管DTFT相对于行方向X或列方向Y的旋转角度以及平移距离并无特殊限定,可以根据实际需要进行选择。
在一些可选的实施例中,在第一显示区AA1的驱动晶体管DTFT和阳极块一一对应电连接。可以理解的是,在第一显示区AA1的驱动晶体管DTFT和阳极块一一对应电连接即在第一显示区AA1采用一个驱动晶体管DTFT驱动一个子像素的工作方式,而第二显示区AA2内也是采用一个驱动晶体管DTFT驱动一个子像素的工作方式,从而保证了第一显示区AA1和第二显示区AA2之间显示效果的一致性。
为了进一步改善第一显示区AA1的透光率以及透过衍射问题,可以减少第一显示区AA1所设置的驱动晶体管DTFT数量,采用一个驱动晶体管DTFT至少和两个阳极块电连接,例如具体可以是一个驱动晶体管DTFT驱动两个同色子像素的工作方式,以减少所需的驱动晶体管DTFT数量,以改善第一显示区AA1的透光率以及透过衍射问题。
通过改变驱动晶体管DTFT的排布方式,可产生空间能量分布存在差异的透过衍射图样,即外界光透过各第一显示区AA1产生不同的衍射图样,具体见以下光学仿真结果。
例如,对于两种驱动晶体管DTFT排布方式的第一显示区AA1进行光学仿真,如图8和图9所示,以RGB(红绿蓝)三种波长(450nm、550nm及620nm)组合模拟白光的光学仿真结果显示,两种透过衍射图样(图8为“十”字型及图9为“X”字型)在空间相同位置处,具有不同能量占比的衍射项,或者仅有单个透过衍射图样中存在衍射项,可选的,低于0.1%占比的衍射项因能量占比小,可以忽略不作考虑。基于此,可进一步利用图像算法处理,来减弱或消除对应于不同的透过衍射图样拍摄出不同的目标图像中的衍射干扰项,还原其光线零级透过部分所形成的图像信息,从而提升屏下摄像拍照品质。
本发明还提供了一种显示装置,包括:显示面板,显示面板为上述任一实施例中的显示面板;多个光学元件,分别对应显示面板的各个第一显示区AA1设置。即各个光学元件能够分别基于不同的第一显示区AA1的透过衍射效果进行拍照。
因此,本发明实施例提供的显示装置具有上述任一实施例中显示面板的技术方案所具有的技术效果,与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置可以为手机,也可以为任何具有显示功能的电子产品,包括但不限于以下类别:电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等,本发明实施例对此不作特殊限定。
请参阅图10,本发明实施例还提供了一种显示装置图像处理方法,包括:
S110:在同一拍摄场景下,光学元件基于显示装置不同的第一显示区AA1分别获取目标图像,各目标图像具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息;
S120:通过算法将具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息的目标图像合成处理,以使合成后所呈现的拍摄图像的衍射干扰项减弱或消失。
由于各目标图像具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息,而透过衍射图样之间存在差异,其对应的图像信息也相应具有差异,控制芯片能够通过屏下拍摄算法识别上述差异,将各目标图像的拍摄信息对比合成,处理各目标图像中同一位置所对应的存在衍射差异的图像信息,以使合成后所呈现的拍摄图像的衍射干扰项减弱或消失。
具体地,可利用图像的调制传递函数(Modulation Transfer Function,MTF)或者图像的空间频率响应(Spatial Frequency Response,SFR)来评价图像中衍射干扰的影响,显示区域衍射的影响越小,图像的调制传递函数MTF或者空间频率响应SFR越高,图像的解析力越高,即图像越清晰。
在一些可选的实施例中,通过算法将具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息的目标图像合成处理包括:将至少两个目标图像中同一位置所对应的不存在或者能量占比相对低的衍射项的图像信息,用于合成拍摄图像。拍摄图像即显示装置最终所呈现的图像。能量占比相对低的衍射项具体可以包括能量占比低于0.1%占比的衍射项。
以上,仅为本发明的具体实施方式,所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。应理解,本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到各种等效的修改或替换,这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。
还需要说明的是,本发明中提及的示例性实施例,基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是,本发明不局限于上述步骤的顺序,也就是说,可以按照实施例中提及的顺序执行步骤,也可以不同于实施例中的顺序,或者若干步骤同时执行。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,具有多个第一显示区以及至少部分围绕各所述第一显示区设置的第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述显示面板包括:
多个第一膜层结构,各所述第一膜层结构分别设于各所述第一显示区,且各所述第一膜层结构具有不同的结构参数,以使外界光透过各所述第一显示区产生不同的衍射图样,所述第一膜层结构包括层叠设置的阵列基板和阳极层,所述阳极层包括图案化的阳极块,位于不同的所述第一显示区内的所述阳极块在所述阵列基板的正投影形状不同;
第二膜层结构,设于所述第二显示区;
设于所述第一显示区的多个驱动晶体管,各所述驱动晶体管分别和所述第一膜层结构电连接,最小重复单元包括至少两个并排相邻的所述驱动晶体管,所述最小重复单元分别沿行方向和列方向阵列排布形成阵列组,位于不同的所述第一显示区内的所述阵列组在所述阵列基板的正投影形状不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一膜层结构包括沿所述显示面板的厚度方向层叠设置的所述阵列基板、所述阳极层、发光层和阴极层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述阳极块在所述阵列基板的正投影形状呈多边形或曲边形,且均呈不规则排布。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括设于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡区,在所述过渡区设置有和所述第一膜层结构的所述阳极块电连接的驱动晶体管。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在所述第一显示区的所述驱动晶体管和所述阳极块一一对应电连接。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在所述第一显示区的一个所述驱动晶体管至少和两个所述阳极块电连接。
7.一种显示装置,其特征在于,包括:
显示面板,所述显示面板为权利要求1至6任一项所述的显示面板;
多个光学元件,分别对应所述显示面板的各个第一显示区设置。
8.一种显示装置图像处理方法,其特征在于,应用于权利要求7所述的显示装置,该方法包括:
在同一拍摄场景下,光学元件基于所述显示装置不同的第一显示区分别获取目标图像,各所述目标图像具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息;
通过算法将具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息的所述目标图像合成处理,以使合成后所呈现的拍摄图像的衍射干扰项减弱或消失。
9.根据权利要求8所述的显示装置图像处理方法,其特征在于,所述通过算法将具有对应于不同的透过衍射图样的图像信息的所述目标图像合成处理包括:
将至少两个目标图像中同一位置所对应的不存在或者能量占比相对低的衍射项的图像信息用于合成所述拍摄图像。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110820741.4A CN113451534B (zh) | 2021-07-20 | 2021-07-20 | 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110820741.4A CN113451534B (zh) | 2021-07-20 | 2021-07-20 | 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113451534A CN113451534A (zh) | 2021-09-28 |
CN113451534B true CN113451534B (zh) | 2023-06-09 |
Family
ID=77816956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110820741.4A Active CN113451534B (zh) | 2021-07-20 | 2021-07-20 | 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113451534B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230101923A (ko) * | 2021-11-08 | 2023-07-06 | 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 디스플레이 패널, 언더 디스플레이 카메라 디바이스 및 디스플레이 디바이스 |
CN115548061A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-12-30 | 荣耀终端有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110767729A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置及电子设备 |
CN111009619A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-14 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 |
CN111526278A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像处理方法、存储介质及电子设备 |
CN111627341A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111668240A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
WO2020192338A1 (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 屏下摄像组件及相应的终端设备 |
CN112002749A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-11-27 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-07-20 CN CN202110820741.4A patent/CN113451534B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111526278A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像处理方法、存储介质及电子设备 |
WO2020192338A1 (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 屏下摄像组件及相应的终端设备 |
CN110767729A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置及电子设备 |
CN111009619A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-14 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 |
CN111668240A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
CN111627341A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112002749A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-11-27 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113451534A (zh) | 2021-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220093682A1 (en) | Display substrates, display panels and display devices | |
US11877493B2 (en) | Display panel having display regions and display apparatus | |
JP7280979B2 (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
US11054686B2 (en) | Display panel including OLEDS and micro-LEDS, the manufacturing method of the display panel, and display device utilizing the display panel and achieving a narrow border region | |
CN111223908B (zh) | 屏下摄像显示模组以及电致发光显示屏 | |
US20210376008A1 (en) | Display substrate, display method thereof, display device, and fine metal mask | |
CN111402743A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN113451534B (zh) | 显示面板、显示装置及显示装置图像处理方法 | |
US20230371324A1 (en) | Display panel and display device | |
US11863853B2 (en) | Display panel and display device | |
CN109616508B (zh) | 显示屏、显示屏驱动方法及显示装置 | |
CN112864217B (zh) | 显示面板和电子设备 | |
US12062330B2 (en) | Display panel and electronic device | |
US20230345790A1 (en) | Display panel | |
CN113078201B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20220093702A1 (en) | Display devices and display panels | |
WO2022206833A1 (zh) | 显示面板和电子设备 | |
CN216623636U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20240021148A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
US20230337494A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
CN114930438A (zh) | 显示基板、显示面板及显示装置 | |
CN108550602A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN115132800A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN114497138A (zh) | 发光显示面板及包括该发光显示面板的发光显示设备 | |
CN113517324A (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |