CN114583086B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括阵列分布的像素区和位于相邻两个所述像素区之间的非像素区，还包括金属单元，对应设于所述像素区；阳极，设于所述金属单元的一侧表面；像素定义层，覆盖所述阳极且延伸至所述非像素区，其中，所述像素定义层对应所述阳极开设有像素开孔，所述阳极部分裸露于所述像素开孔内；发光层，设于所述像素定义层远离所述阳极的一侧表面，且覆盖所述像素开孔的内表面并于所述阳极连接，所述非像素区对应的所述发光层的迁移率小于所述像素区对应的所述发光层的迁移率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)是一种利用有机半导体材料在电流驱动下产生可逆变色来实现多彩显示的光电技术。OLED具有轻薄，高亮度，主动发光，能耗低，大视角，快速响应，可柔性，工作温度范围宽等优点，被认为是最有发展前途的新一代显示技术。OLED显示器件包括基板、阳极、有机发光层(包括空穴传输层、复合发光层、电子传输层等)、阴极、封装层等。OLED器件的制备通常采用真空蒸镀逐层镀膜来实现的。
目前的OELD显示器的R G B三个子像素的共通层空穴注入层HIL采用的是通用掩膜版(common Open mask)进行蒸镀，避免使用高精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)的使用，以降低成本。如果使用的是载流子迁移率比较慢的公共层材料，会增大电压，导致器件功耗提高，如果使用载流子迁移率比较快的公共层材料，又会造成横向漏流，导致其它像素偷亮，从而影响画面显示效果，比如在低亮模式下，R像素点亮，旁边的G像素也被微弱点亮。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决显示技术中显示面板在低亮度模式中易出现透亮、混色的技术问题。
本申请提供一种显示面板，包括阵列分布的像素区和位于相邻两个所述像素区之间的非像素区，还包括金属单元，对应设于所述像素区；阳极，设于所述金属单元的一侧表面；像素定义层，覆盖所述阳极且延伸至所述非像素区，其中，所述像素定义层对应所述阳极开设有像素开孔，所述阳极部分裸露于所述像素开孔内；发光层，设于所述像素定义层远离所述阳极的一侧表面，且覆盖所述像素开孔的内表面并于所述阳极连接，所述非像素区对应的所述发光层的迁移率小于所述像素区对应的所述发光层的迁移率。
可选的，在本申请一些实施例中，所述发光层包括叠层设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光单元、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
可选的，在本申请一些实施例中，所述发光单元对应设于所述像素开孔内，所述发光单元的两端延伸至所述非像素区中。
可选的，在本申请一些实施例中，所述金属单元在所述像素开孔内的图案为方形、圆形和菱形中的至少一种
可选的，在本申请一些实施例中，所述金属单元的材料为铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中的至少一种。
相应的，本申请还提供了一种显示面板的制备方法，包括以下制备步骤：
提供一基板，在所述基板上制备一层金属层，图案化所述金属层形成阵列分布的金属单元；
在所述基板上制备薄膜晶体管结构，在所述薄膜晶体管结构上制备阳极，其中，所述阳极对应所述金属单元；
在所述薄膜晶体管结构上制备像素定义层，在所述像素定义层对应所述阳极处刻蚀像素开孔，其中，所述像素开孔对应区域为像素区，相邻两个像素开孔的区域为非像素区；
在所述像素定义层上制备发光层，所述发光层覆盖所述像素开孔的内表面；
采用激光从所述基板远离所述金属单元的一侧照射所述发光层，使得所述非像素区对应的所述发光层的迁移率小于所述像素区对应的所述发光层的迁移率。
可选的，在本申请一些实施例中，所述发光层的具体制备步骤如下：
在所述像素定义层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光单元、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
可选的，在本申请一些实施例中，所述激光的波长为1000nm～15000nm，功率为3％～20％,光斑尺寸为5μm～15μm，频率为100KHZ～150KHZ。
可选的，在本申请一些实施例中，在采用所述基板照射所述发光层的步骤之后，所述非像素区中的所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子阻挡层、所述发光单元、所述空穴阻挡层、所述电子传输层和所述电子注入层中的至少一层的迁移率小于1E-6cm2/V.S。
相应的，本申请还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本申请实施例的有益效果在于，本申请实施例中显示面板及其制备方法、显示装置采用激光照射的方式将发光层中位于非像素区的膜层钝化，从而避免显示面板在低亮度显示时，由于侧向载流子横移，导致显示面板出现透光、混色的技术问题，采用遮光的金属单元设于像素区中，避免激光直射像素区中的发光单元而导致的发光单元钝化、发光功耗增加的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的显示面板的结构示意图；
图2是本申请提供的显示面板激光照射前的结构示意图。
图中标识如下：
基板10； 金属单元20；
薄膜晶体管结构30； 阳极40；
像素定义层50； 像素开孔51；
发光层60； 阴极70；
封装层80； 像素区101；
非像素区102； 空穴注入层61；
空穴传输层62； 电子阻挡层63；
发光单元64； 空穴阻挡层65；
电子传输层66； 电子注入层67。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”、“下”、“左”、“右”通常是指装置实际使用或工作状态下的上、下、左和右，具体为附图中的图面方向。
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以下进行详细说明。
请参阅图1，图1是本申请提供的显示面板的结构示意图。在本申请中，显示装置包括显示面板，其中所述显示装置的主要技术特征和全部技术效果集中于显示面板上，显示面板包括基板10、金属单元20、薄膜晶体管结构30、阳极40、像素定义层50、发光层60、阴极70以及封装层80。
基板10为硬质基板，其中，本实施例采用玻璃基板，基板10的一侧表面用以承接各膜层，基板10的另一侧表面用以隔绝外界水汽和杂质，避免影响金属走线的使用寿命。
金属单元20为遮光屏蔽金属材料，本实施例中，金属单元20采用铝材料，在本发明的其他优选实施例中，金属单元20采用铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中的至少一种材料。当然，金属单元20也可为多层金属材料，其主要用于遮蔽激光光线，避免金属单元20上方的膜层被激光照射钝化。
本实施例中，显示面板包括阵列分布的像素区101和位于相邻两个像素区101的非像素区102，其中，金属单元20位于像素区101中。
薄膜晶体管结构30设于基板10上，且覆盖金属单元20，阳极40设于薄膜晶体管结构30远离基板10的一侧表面，且于金属单元20一一对应，阳极40于薄膜晶体管结构30中的源漏电极连接，从而使得薄膜晶体管结构30中的薄膜晶体管单元能够将电信号独立传输至每一阳极40上。
像素定义层50设于薄膜晶体管结构30远离基板10的一侧表面，且覆盖阳极40，像素定义层50对应阳极40处开设有像素开孔51，阳极40部分裸露于像素开孔51内，便于后续于发光层60连接。
如图2所示，发光层60包括叠层设置的空穴注入层61、空穴传输层62、电子阻挡层63、发光单元64、空穴阻挡层65、电子传输层66和电子注入层67。其中，空穴注入层61、空穴传输层62、电子阻挡层63、空穴阻挡层65、电子传输层66和电子注入层67为共通层，即空穴注入层61、空穴传输层62、电子阻挡层63、空穴阻挡层65、电子传输层66和电子注入层67从像素定义层50的一端延伸至相对的另一端，发光单元64包括红色发光单元、蓝色发光单元和绿色发光单元，每一发光单元64单独位于一像素开孔51内，且相邻两个像素开孔51内的发光单元64颜色并不相同，由于相邻两个发光单元64共用同一空穴注入层61、空穴传输层62、电子阻挡层63、空穴阻挡层65、电子传输层66和电子注入层67，当显示面板需要使其中一种颜色的发光单元64发光时，需要在该颜色对应的发光单元64上下施加电压，若共通层采用为载流子迁移率较慢的材料，则需要较大电压才能“点亮”，从而导致显示面板的功耗提升，而若共通层采用载流子迁移率较高的材料，则在需要“点亮”单一颜色的发光单元64时，由于共通层载流子迁移率较高，会导致其载流子侧向流入相邻的发光单元64，从而导致其他颜色的发光单元64被点亮，造成混色现象，特别在低亮模式下，这种混色现象更为严重。
本实施例中，将非像素区102中的发光层60采用激光照射的方式使其“钝化”，从而降低非像素区102的共通层的载流子迁移率，根据阻抗测试，本实施例中，钝化后的发光层60的迁移率小于1E-6cm2/V.S，能够在不增家显示面板功耗的同时，隔断相邻发光单元64的侧向载流子，解决低亮度模式下大的透亮、混色问题。
特别的，由于激光设备的精度有限，故本实施例中的金属单元20主要用以遮蔽激光照射的光线，避免激光直射导致像素区101的发光层60钝化，从而增加显示面板的功效。
为了更好的解释本发明，本实施例中还提供了上述显示面板的制备方法，制备步骤如下：
S1)提供一基板10，在基板10上通过磁控溅射一层金属层，图案化所述金属层形成阵列分布的金属单元20，金属单元20为圆形、方形或菱形，在本发明的其他优选实施例中，金属单元20还可为带有网孔的网状结构。
S2)在基板上制备薄膜晶体管结构30，在薄膜晶体管结构30上制备阳极40，其中，阳极40对应金属单元20。
S3)在所述薄膜晶体管结构上制备像素定义层50，在像素定义层50对应阳极40处刻蚀像素开孔51，其中，像素开孔51对应区域为像素区101，相邻两个像素开孔51的区域为非像素区102，当金属单元20采用网状结构时，其网孔对应非像素区102。
S4)在所述像素定义层50上制备发光层60，发光层60覆盖像素开孔51的内表面并于阳极40连接。
S5)采用激光从基板10远离所述金属单元20的一侧照射所述发光层60，使得非像素区102对应的发光层60的迁移率小于像素区101对应的发光层60的迁移率。本实施例中，采用Femto激光，其波长为1000nm～15000nm，频率为100KHZ～150KHZ，功率为3％～20％，光斑尺寸为5μm～15μm，加工方式采用整块辐射(Block Shot)，脉冲次数为1～5次。
特别的，采用激光照射时只需使得位于非像素区102的空穴注入层61、空穴传输层62、电子阻挡层63、空穴阻挡层65、电子传输层66和电子注入层67中的至少一层钝化即可。
本实施例的有益效果在于，本实施例中显示面板及其制备方法、显示装置采用激光照射的方式将发光层中位于非像素区的膜层钝化，从而避免显示面板在低亮度显示时，由于侧向载流子横移，导致显示面板出现透光、混色的技术问题，采用遮光的金属单元设于像素区中，避免激光直射像素区中的发光单元而导致的发光单元钝化、发光功耗增加的技术问题。
以上对本申请提供显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列分布的像素区和位于相邻两个所述像素区之间的非像素区，还包括
金属单元，对应设于所述像素区，所述金属单元为带有网孔的网状结构，所述金属单元朝向所述非像素区一侧的边缘，与阳极朝向所述非像素区一侧的边缘平齐；
阳极，设于所述金属单元的一侧表面；
像素定义层，覆盖所述阳极且延伸至所述非像素区，其中，所述像素定义层对应所述阳极开设有像素开孔，所述阳极部分裸露于所述像素开孔内；
发光层，设于所述像素定义层远离所述阳极的一侧表面，且覆盖所述像素开孔的内表面并于所述阳极连接，将所述非像素区中的所述发光层采用激光照射，所述激光为Femto激光，所述激光的波长范围为1000nm～15000nm，所述激光的频率范围为100KHz～150KHz，所述激光的光斑尺寸的范围为5μm～15μm，所述激光的加工方式采用整块辐射，脉冲次数为1～5次，所述非像素区的所述发光层的迁移率小于1E-6cm2/V.S，所述非像素区对应的所述发光层的迁移率小于所述像素区对应的所述发光层的迁移率。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光层包括叠层设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光单元、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述发光单元对应设于所述像素开孔内，所述发光单元的两端延伸至所述非像素区中。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述金属单元在所述像素开孔内的图案为方形、圆形和菱形中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述金属单元的材料为铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中的至少一种。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
提供一基板，在所述基板上制备一层金属层，图案化所述金属层形成阵列分布的金属单元；
在所述基板上制备薄膜晶体管结构，在所述薄膜晶体管结构上制备阳极，其中，所述阳极对应所述金属单元，所述金属单元为带有网孔的网状结构，所述金属单元朝向非像素区一侧的边缘，与所述阳极朝向所述非像素区一侧的边缘平齐；
在所述薄膜晶体管结构上制备像素定义层，在所述像素定义层对应所述阳极处刻蚀像素开孔，其中，所述像素开孔对应区域为像素区，相邻两个像素开孔的区域为非像素区；
在所述像素定义层上制备发光层，所述发光层覆盖所述像素开孔的内表面；
采用激光从所述基板远离所述金属单元的一侧照射所述非像素区中的所述发光层，所述激光为Femto激光，所述激光的波长范围为1000nm～15000nm，所述激光的频率范围为100KHz～150KHz，所述激光的光斑尺寸的范围为5μm～15μm，所述激光的加工方式采用整块辐射，脉冲次数为1～5次，所述非像素区的所述发光层的迁移率小于1E-6cm2/V.S，使得所述非像素区对应的所述发光层的迁移率小于所述像素区对应的所述发光层的迁移率。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述发光层的具体制备步骤如下：
在所述像素定义层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光单元、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在采用所述基板照射所述发光层的步骤之后，所述非像素区中的所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子阻挡层、所述发光单元、所述空穴阻挡层、所述电子传输层和所述电子注入层中的至少一层的迁移率小于1E-6cm2/V.S。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～5中任一项所述的显示面板。
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