JPH07154031A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高温動作電流を小さくし、高信頼性を有し、
低消費電力が得られる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 活性層３上に配置される上クラッド層を、１
×１０¹⁸〜１×１０²⁰cm^-3の高いキャリア濃度、及び
０．０１〜０．１０μｍの薄い厚さｔA をもつ第１の上
クラッド層４と、１×１０¹⁵〜１×１０¹⁷cm^-3の低いキ
ャリア濃度と、０．３μｍの厚みｔB を持つ第２の上ク
ラッド層２０との２層から構成した。 【効果】 活性層３近傍の第１上クラッド層４のキャリ
ア濃度が高いため、高温時の少数キャリアのオーバーフ
ローが小さく、かつ該層４の層厚が薄いため、リーク電
流も小さい。また、トータルの上クラッド層厚（ｔA ＋
ｔB ）が厚いため、吸収損失が小さく、高温動作電流値
を小さくできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置に
関し、特に動作電流が低く、高温特性の優れた半導体レ
ーザ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図４は、従来のＡｌＧａＡｓ系の半導体
レーザ装置の断面構造を示す断面図であり、図４におい
て、１はＳｉなどのドナーをドーパントとしたｎ型のＧ
ａＡｓ基板、２は該ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ（Me
tal Organic Chemical Vapor Deposition ）法などの方
法によってエピタキシャル成長された，ＧａＡｓと格子
定数が合い、Ａｌ組成比ｘが０．５程度のＡｌｘＧａ1-
ｘＡｓであり、Ｓｅなどのドナーをドーパントとした，
ｎ型のＡｌｘＧａ1-ｘＡｓ下クラッド層であり、その不
純物濃度は１×１０¹⁷〜１×１０¹⁸cm^-3程度、膜厚は
１．５〜１．８μｍ程度である。３は該下クラッド層２
上に連続的に成長され、Ａｌ組成比ｙが０．１５程度
で、Ｚｎなどのアクセプタをドーピングした，ｐ型のＡ
ｌｙＧａ1-ｙＡｓ活性層であり、例えばその不純物濃度
はｐ型で２×１０¹⁸cm^-3程度、膜厚は０．０５〜０．１
μｍ程度である。なお、この活性層は、ｐ型でも、ｎ型
でも、あるいはアンドープでもよいものである。４は該
活性層３上に連続的に成長され、Ａｌ組成比ｚが０．５
程度で、Ｚｎなどのアクセプタをドーピングした，ｐ型
のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ上クラッド層であり、その不純物
濃度は１×１０¹⁷〜１×１０¹⁸cm^-3程度、膜厚は０．２
〜０．３５μｍ程度である。５は上クラッド層４の一部
のストライプ状の領域を除いて、エッチング加工してリ
ッジ状の凸部を形成した後に、上クラッド層４上にエピ
タキシャル成長され、Ｓｅなどのドナーをドーピングし
たｎ型のＧａＡｓ電流ブロック層である。６はリッジ状
の凸部で上クラッド層４と接触する以外は、電流ブロッ
ク層５上に形成された、Ｚｎなどのアクセプタをドーピ
ングしたｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。７はコンタ
クト層６上に形成されたアノード電極、８はＧａＡｓ基
板１上に形成されたカソード電極である。

【０００３】次に動作について説明する。アノード電極
７にプラス，カソード電極８にマイナスのバイアスを印
加すると、活性層３と、下クラッド層２との間のＰＮ接
合には順方向バイアスが印加され、又、電流ブロック層
５と、上クラッド層４との間には逆方向バイアスが印加
されるため、電流は、図中１０で示す矢印の通りとな
り、電流ブロック層５の存在しない、ストライプ状のリ
ッジ部のみに、局所的な順方向電流の注入が活性層３で
生じることとなり、キャリアの発光再結合と、誘導放出
が生じ、レーザ発振が実現する。レーザ動作時の特性の
１つである光出力−電流特性は、外部バイアスによっ
て、レーザ装置内を流れる電流と、レーザ装置から放出
される光出力のエネルギーとによって定義され、特に、
特定の光出力エネルギーを得るために必要な電流値を、
動作電流と言い、５０℃〜６０℃での高温時の動作電流
を高温動作電流と言うが、この動作電流には、レーザ発
振に直接寄与しないリーク電流も含まれる。

【０００４】図４中の１１は、そのリーク電流成分を図
示したものであり、エッチング加工後の上クラッド層４
の厚みをｔA とすると、ｔA が小さいほど、リーク電流
１１が小さくなるが、レーザ発振時には光のしみ出しが
活性層３の外部へ生じ、該ｔA が小さいと、該活性層３
外部へしみ出した光が電流ブロック層５に吸収されるこ
とによる吸収損失が大きくなるため、上記のようにｔA
が小さいと、上記吸収損失により光出力が低下する分を
補うために注入電流が大きくなることとなり、結果的
に、最終的な動作電流は上記エッチング加工後の上クラ
ッド層４の厚みｔA が小さくてもさほど小さくはならな
いこととなる。

【０００５】図４中の１２は、しみ出した光の分布を示
すものであり、一定の光出力下では、該しみ出した光の
分布１２はほぼ同じ大きさを持つと考えられる。また、
１３はしみ出した光によって電流ブロック層５で生じる
光吸収の領域を示している。吸収損失を小さくするため
には、上記上クラッド層４の厚みｔA を大きくして、し
み出した光の分布１２から、電流ブロック層５を遠ざけ
るようにすれば良い。

【０００６】また、高温動作電流を下げるためには、さ
らに活性層３の外部へオーバーフローする少数キャリア
を抑えることが必要であるが、これは、活性層３と上下
クラッド層２，４との間のバンド障壁を高くするため
に、それぞれのＡｌ組成比の差，つまりｘ−ｙ，ｚ−ｙ
を大きくしたり、あるいはそれぞれのキャリア濃度を大
きくしたりすることにより実現することができる。この
ようにして、特に高温動作電流を小さくすることによ
り、劣化の小さい高い信頼性や、低消費電力を得ること
ができるものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように構成されているので、高温動作電流を
小さくするためには、Ａｌ組成比の差ｘ−ｙ，ｚ−ｙを
大きくしたり、キャリア濃度を大きくしなければならな
いが、それぞれ次のような問題点があった。即ち、Ａｌ
組成比の差を大きくすると、活性層３と、上下クラッド
層２，４との屈折率差も同時に大きくなるため、光は活
性層３に閉じ込められることとなり、光のしみ出し分布
１２は小さくなるが、発光点が小さくなることから、活
性層内部の光密度が上昇し、劣化しやすく、信頼性が悪
くなることとなる。又、出射する光のビーム広がり角度
が大きくなり、ビームの楕円性が強くなり、実用上、ビ
ームスポットを絞りきれなくなる。

【０００８】また、キャリア濃度を大きくすると、上ク
ラッド層４の抵抗も小さくなるため、同じ上クラッド層
厚ｔA の値に対し、リーク電流１１の値も大きくなり、
動作電流の増加を招くこととなる。リーク電流自体を小
さくするには、上記上クラッド層厚ｔA を小さくしさえ
すれば良いが、従来の装置の動作でも述べたように、光
のしみ出し分布１２の内、電流ブロック層５で吸収され
る領域１３が大きくなるため、吸収損失が大きくなり、
特に高光出力時の動作電流は逆に上昇することとなる。

【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、動作電流，特に高温動作電流を
小さくし、信頼性が高く、低消費電力の半導体レーザ装
置を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
レーザ装置は、第１の導電型を有するＧａＡｓ基板と、
該ＧａＡｓ基板上に順次エピタキシャル成長された第１
の導電型のＡｌｘＧａ1-ｘＡｓ下クラッド層，ＡｌｙＧ
ａ1-ｙＡｓ活性層，及び第２の導電型のＡｌｚＧａ1-ｚ
Ａｓ上クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造と、該
ダブルヘテロ接合構造に電流を集中的に注入できるよ
う、ストライプ状のリッジ部以外の上記上クラッド層上
に形成された，第１の導電型のＧａＡｓ電流ブロック層
とを備えた半導体レーザ装置において、上記上クラッド
層を、活性層側への少数キャリアのオーバーフローを防
止する，高いキャリア濃度、及び横方向のリーク電流が
小さい，薄い厚さを持つ第１のクラッド層と、該第１の
クラッド層上に形成された，低いキャリア濃度を持つ第
２の上クラッド層との，キャリア濃度の異なる２層から
なるものとしたものである。

【００１１】またこの発明は、上記半導体レーザ装置に
おいて、さらに、上記２層からなる上クラッド層上のリ
ッジ部分に形成され、高いキャリア濃度を持つ第３の上
クラッド層を備え、かつ、該第３の上クラッド層からド
ーパントを上記リッジ部分の上記第２の上クラッド層に
のみ拡散させて、電流が注入されるリッジ部分のみの第
２の上クラッド層のキャリア濃度を高めてなる拡散領域
を有するものとしたものである。

【００１２】この発明にかかる半導体レーザ装置は、上
記電流ブロック層直下の上クラッド層を、上記電流ブロ
ック層をエピタキシャル成長する直前の上クラッド層の
主面に、第１の導電型を形成し得る不純物の拡散、もし
くはイオン注入を行うことによってその一部のキャリア
濃度を変化させて、これを第２の導電型の状態でキャリ
ア濃度を低下させた領域、真性状態とした領域、又は第
１の導電型に導電型を反転してなる導電型反転領域のい
ずれかの濃度変化領域とし、該濃度変化領域下に残る上
記上クラッド層を、活性層側への少数キャリアのオーバ
ーフローを防止する，高いキャリア濃度、及び横方向の
リーク電流が小さい，薄い厚さを持つ層となるようにし
たものである。

【００１３】

【作用】この発明においては、活性層上に順次形成され
た, 高キャリア濃度の膜厚の薄い第１上クラッド層と、
低キャリア濃度の第２上クラッド層とを、電流ブロック
層の直下に導入したから、第１上クラッド層のキャリア
濃度が高いことによって高温時の少数キャリアのオーバ
ーフローが少なく、該第１上クラッド層の層厚が薄いこ
とによって横方向のリーク電流も少なく、かつ第１，第
２のトータルの上クラッド層の層厚が厚いことによっ
て、光のしみ出しに対する電流ブロック層による吸収損
失が少なく、このため高光出力時の余分な動作電流の上
昇もなく、低い高温動作電流を実現できる半導体レーザ
装置が得られる。

【００１４】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による半導体レーザ装置
を示し、図１において、ｎ型のＧａＡｓ基板１、ｎ型の
ＡｌｘＧａ1-ｘＡｓ下クラッド層２、ｐ型のＡｌｙＧａ
1-ｙＡｓ活性層３、ｎ型のＧａＡｓ電流ブロック層５、
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層６、アノード電極７、及びカ
ソード電極８は、図４と同一のものである。

【００１５】４は、図４において上述したように、上記
活性層３上に連続的に成長され、Ａｌ組成比ｚが０．５
程度で、Ｚｎなどのアクセプタをドーピングした，ｐ型
のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ上クラッド層の一部を構成する第
１の上クラッド層であり、この第１上クラッド層４は、
本実施例１では、１×１０¹⁸〜１×１０²⁰cm^-3程度の高
いキャリア濃度と、０．０１〜０．１０μｍ程度の薄い
厚みｔA とを有するものとして形成されている。そし
て、この第１上クラッド層４上には、該第１上クラッド
層４のエピタキシャル成長に続けて、１×１０¹⁵〜１×
１０¹⁷cm^-3程度の低いｐ形のキャリア濃度と、０．３μ
ｍ程度の厚みｔB を持つ第２の上クラッド層２０が形成
されている。また、２１は本レーザのリッジ部分のみに
おいて、上記第２の上クラッド層２０上に設けられた，
１×１０¹⁸〜１×１０²⁰cm^-3程度の高いｐ型のキャリア
濃度を持つ第３の上クラッド層である。また、図中の矢
印２２は、第２の上クラッド層４ａ中を流れるリーク電
流を示すものである。

【００１６】本実施例１の図１の構造のレーザ装置にお
いても、従来のものと同様、アノード電極７と、カソー
ド電極８との間に順方向バイアスを印加すれば、レーザ
発振が行なわれる。この場合、キャリアのオーバーフロ
ーを抑えるために、第１の上クラッド層４はキャリア濃
度は１×１０¹⁸〜１×１０²⁰cm^-3と充分高いが、厚みｔ
A は０．０１〜０．１０μｍ程度と薄くしており、この
層４のリーク電流１１は小さく、無視することができ
る。また、第２の上クラッド層２０のキャリア濃度は１
×１０¹⁵〜１×１０¹⁷cm^-3程度と低いため、例えば、
０．３μｍ程度の厚みでもリーク電流２２は充分小さ
い。また、上記第２の上クラッド層２０の厚みｔB は特
に制限されないので、ｔ＝ｔA ＋ｔB の厚みは、光のし
み出し分布１２程度の厚さである，例えば０．３〜０．
４μｍ程度にすることができ、これにより、光の吸収損
失を小さくすることができる。従ってこれにより、高光
出力時の余分な動作電流の上昇もなく、低い高温動作電
流を実現することができることとなる。

【００１７】このような本実施例１では、上クラッド層
を、高いキャリア濃度と、薄い厚みを持つ第１の上クラ
ッド層４と、低いキャリア濃度を持つ第２の上クラッド
層とからなる２層構造にしたことにより、第１の上クラ
ッド層４のキャリア濃度が高いことによってレーザ発振
時の少数キャリアのオーバーフローを抑えることがで
き、かつ該第１のクラッド層の層厚が薄いことによって
横方向のリーク電流も少なく、かつトータルの上クラッ
ド層の層厚ｔ＝（ｔA ＋ｔB ）が厚いことによって、電
流ブロック層での吸収損失も少なく、このため高光出力
時の余分な動作電流の上昇もなく、低い高温動作電流を
実現できる半導体レーザ装置を得ることができる効果が
ある。

【００１８】実施例２．図２は本発明の第２の実施例に
よる半導体レーザ装置を示し、図２において、図１と同
一符号は同一部分を示し、３０は第３の上クラッド層２
１から不純物拡散をさせて形成された拡散領域である。

【００１９】本実施例２による半導体レーザ装置は、上
記実施例１のレーザ構造において、第３の上クラッド層
２１のキャリア濃度を１×１０²⁰cm^-3程度に非常に高く
形成した後、７００℃〜８００℃の高温に放置するなど
の方法により、第３の上クラッド層２１からｐ型不純物
ドーパントを第２の上クラッド層２０へ拡散させ、これ
により、新たにリッジ部に低抵抗の拡散領域３０を設け
るようにしたものである。

【００２０】図２に示すこのような構造の本実施例２の
レーザでは、特に、リッジ部に形成した拡散領域３０の
キャリア濃度が、第２の上クラッド層２０のそれよりも
高いため、該拡散領域３０は低抵抗となり、また、ジュ
ール熱による発熱が小さいため、高温動作電流はさらに
小さくなるものである。

【００２１】このように本実施例２においては、リッジ
部に低抵抗の拡散領域３０を設けることにより、上記実
施例１の効果に加え、高温動作電流をさらに小さくする
ことができる効果が得られる。

【００２２】実施例３．図３は、本発明の第３の実施例
による半導体レーザ装置を示す。図３において、図４と
同一符号は同一または相当部分を示し、４０は上クラッ
ド層４をストライプ状のリッジ形状にエッチング加工し
た後に、そのエッチングして除去した，後ちその上に電
流ブロック層を形成する，上記上クラッド層４の露出し
た表面領域部分のみに選択的に、ｎ型のドーパントを気
相拡散もしくはイオン注入することによって形成された
濃度変化領域である。この領域は、上記拡散又はイオン
注入の量によって、低濃度のｐ型，真性，ｎ型のいずれ
にすることも可能であり、そのいずれの場合も得られる
効果は同じである。

【００２３】本実施例３の半導体レーザ装置の製造にお
いては、まず、ｐ型ＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ第１上クラッド
層４を、後で濃度変化領域４０に変化する領域を含むそ
の厚みｔA が、光のしみ出し分布１２程度の厚み、即
ち，０．３〜０．４μｍ程度に、しかも該第１上クラッ
ド層４のキャリア濃度を、キャリアのオーバーフローを
生じない程度に高いキャリア濃度、即ち１×１０¹⁸〜１
×１０²⁰cm^-3に形成する。そして、リッジ部をエッチン
グ加工により形成する。その後、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層５をエピタキシャル形成する直前に、エッチング
加工され、露出した上クラッド層４の主面側から、例え
ばＳｅ，Ｔｅ，Ｓｉなどのｎ型のドーパントを、ｐ型の
導電型を持つ上記ＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ上クラッド層４
に、所定の深さに拡散もしくは注入させて上記ｐ型不純
物を補償させることにより、等価的にキャリア濃度の低
い、例えば１×１０¹⁵〜１×１０¹⁷cm^-3以下のｐ型であ
るか、又は真性であるか，又はｎ型に反転させた、濃度
変化領域４０を形成する。そして、これにより、該濃度
変化領域４０下に高不純物濃度状態で残る上クラッド層
４は、上記実施例１と同様、活性層側への少数キャリア
のオーバーフローを防止することのできる，高いキャリ
ア濃度、即ち１×１０¹⁸〜１×１０²⁰cm^-3を持ち、かつ
横方向のリーク電流が小さい，薄い厚さ、即ち０．０１
〜０．１０μｍ程度の厚みを持つようにする。

【００２４】本実施例３のレーザ装置においては、アノ
ード電極７とカソード電極８との間に順方向バイアスを
印加することにより、従来のものと全く同様に、レーザ
動作を行なうことができる。また、濃度変化領域４０を
含む上クラッド層４の全体の厚みｔA は、光のしみ出し
分布１２程度に厚く、０．３〜０．４μｍ程度であるの
で、上クラッド層４の光の吸収損失は小さく、濃度変化
領域４０に流れるリーク電流は小さいものとなる。ま
た、上記濃度変化領域４０下に残るＡｌｚＧａ１−ｚＡ
ｓ上クラッド層４の元々のキャリア濃度は１×１０^１８
〜１×１０²⁰cm^-3と高いため、高温時のキャリアオーバ
ーフローは小さく、かつ、その層厚ｔA は薄いためリー
ク電流も小さく、低い高温動作電流を実現することがで
きるものである。

【００２５】従って、本実施例３によれば、上記本実施
例１と同様に、第１の上クラッド層４の元々の層のキャ
リア濃度が高いことによってレーザ発振時の少数キャリ
アのオーバーフローを抑えることができ、かつ該層４の
層厚が薄いことによって横方向のリーク電流も少なく、
かつ上クラッド層のトータルの層厚（ｔA ＋ｔB ）が厚
いことによって、電流ブロック層での吸収損失も少な
く、このため高光出力時の余分な動作電流の上昇もな
く、低い高温動作電流を実現できる半導体レーザ装置を
得ることができる効果がある。

【００２６】

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
レーザ装置によれば、電流ブロック層直下の活性層上
に、順次薄く高いキャリア濃度を有する第１の上クラッ
ド層と、低いキャリア濃度を有する第２の上クラッド層
との少くとも２層の上クラッド層を形成するようにした
ので、高温時のキャリアのオーバーフローが少なくて高
温動作電流が小さく、光のしみ出しによる吸収損失が少
なくて低消費電力であり、さらにリーク電流も少なく、
高い信頼性を持つ半導体レーザ装置を得られる効果があ
る。

【００２７】またこの発明にかかる半導体レーザ装置に
よれば、上記２層からなる上クラッド層の上に、さら
に、高いキャリア濃度を持つ第３の上クラッド層を備
え、かつ、上記第３の上クラッド層からドーパントを、
リッジ部分の上記第２の上クラッド層にのみ拡散させ
て、電流が注入されるリッジ部分のみに第２の上クラッ
ド層のキャリア濃度を高めた拡散領域を有するものとし
たので、さらに高温動作電流を小さくした半導体レーザ
装置が得られる効果がある。

【００２８】またこの発明にかかる半導体レーザ装置に
よれば、電流ブロック層直下の上クラッド層を、上記電
流ブロック層をエピタキシャル成長する直前の上クラッ
ド層の主面に、第１の導電型を形成し得る不純物の拡
散、もしくはイオン注入を行うことによってその一部の
キャリア濃度を変化させて、第２の導電型の状態でキャ
リア濃度を低下させた領域、又は真性状態とした領域、
又は第１の導電型に導電型を反転してなる導電型反転領
域としたので、上クラッド層の全体の厚みは光のしみ出
し分布の程度であって光の吸収損失は小さいとともに、
濃度変化領域に流れるリーク電流は小さいものであり、
また、元々の上クラッド層として残る層のキャリア濃度
は高く、その層厚も薄くしたので、高温時のキャリアオ
ーバーフローは小さく、低い高温動作電流を実現するこ
とができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
を示す断面図。

【図２】本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
を示す断面図。

【図３】本発明の第３の実施例による半導体レーザ装置
を示す断面図。

【図４】従来の半導体レーザ装置を示す断面図。

【符号の説明】 １ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌｘＧａ1-ｘＡｓ下クラッド層 ３ ｐ型ＡｌｙＧａ1-ｙＡｓ活性層 ４ ｐ型ＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ上クラッド層 ５ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ６ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ７ アノード電極 ８ カソード電極 １０ 注入電流を表わす矢印 １１ リーク電流 １２ しみ出した光の分布 １３ 光吸収の領域 ２０ 第２の上クラッド層 ２１ 第３の上クラッド層 ２２ リーク電流 ３０ 拡散領域 ４０ 濃度変化領域

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の導電型を有するＧａＡｓ基板と、 該ＧａＡｓ基板上に順次エピタキシャル成長された，第
   １の導電型のＡｌｘＧａ1-ｘＡｓ下クラッド層，Ａｌｙ
   Ｇａ1-ｙＡｓ活性層，及び第２の導電型のＡｌｚＧａ1-
   ｚＡｓ上クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造と、 該ダブルヘテロ接合構造に集中的に電流を注入できるよ
   う、ストライプ状のリッジ部以外の上記上クラッド層上
   に形成された，第１の導電型のＧａＡｓ電流ブロック層
   とを備えた半導体レーザ装置において、 上記上クラッド層は、 上記活性層上に該活性層に接して配置され、該活性層か
   らの少数キャリアのオーバーフローを防止する，高いキ
   ャリア濃度、及び横方向のリーク電流の小さい，薄い厚
   さを持つ第１の上クラッド層と、 該第１のクラッド層上に形成された、低いキャリア濃度
   を有する第２の上クラッド層との，２つのキャリア濃度
   の異なる層からなるものであることを特徴とする半導体
   レーザ装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ装置におい
   て、 上記第１のクラッド層のキャリア濃度が、１×１０¹⁸〜
   １×１０²⁰cm^-3であり、その膜厚が０．０１〜０．１０
   μｍであり、 上記第２の上クラッド層のキャリア濃度が、１×１０¹⁵
   〜１×１０¹⁷cm^-3であることを特徴とする半導体レーザ
   装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザ装置におい
   て、 上記２層からなる上クラッド層の上のリッジ部分に形成
   され、高いキャリア濃度を持つ第３の上クラッド層をさ
   らに備え、かつ、 上記第３の上クラッド層からドーパントを上記リッジ部
   分の上記第２の上クラッド層にのみ拡散させて、電流が
   注入されるリッジ部分のみの第２の上クラッド層のキャ
   リア濃度を高めてなる拡散領域を有することを特徴とす
   る半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体レーザ装置におい
   て、 上記第１の上クラッド層のキャリア濃度が、１×１０¹⁸
   〜１×１０²⁰cm^-3であり、その層厚が０．０１〜０．１
   ０であり、 上記第２の上クラッド層のキャリア濃度が、１×１０¹⁵
   〜１×１０¹⁷cm^-3であり、 上記第３の上クラッド層のキャリア濃度が、１×１０¹⁸
   〜１×１０²⁰cm^-3であり、 上記ドーパントのリッジ部分の第２の上クラッド層への
   拡散を、上記リッジ部分上に、上記第３のクラッド層中
   に含まれるドーパントを、高温にて所定の時間放置する
   ことにより行ったことを特徴とする半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 第１の導電型を有するＧａＡｓ基板と、 該基板上に順次エピ成長された第１の導電型のＡｌｘＧ
   ａ1-ｘＡｓ下クラッド層，ＡｌｙＧａ1-ｙＡｓ活性層，
   及び第２の導電型のＡｌｚＧａ1-ｚＡｓ上クラッド層か
   らなるダブルヘテロ接合構造と、 該ダブルヘテロ接合構造に電流を集中的に注入できるよ
   う、ストライプ状のリッジ部以外の前記上クラッド層上
   に形成された第１の導電型のＧａＡｓ電流ブロック層と
   を備えた半導体レーザ装置において、 上記電流ブロック層直下の上クラッド層は、上記電流ブ
   ロック層をエピタキシャル成長する直前の上クラッド層
   の主面に、第１の導電型を形成し得る不純物の拡散、も
   しくはイオン注入を行うことによってその一部のキャリ
   ア濃度を変化させて、これを第２の導電型の状態でキャ
   リア濃度を低下させた領域、真性状態とした領域、又は
   第１の導電型に導電型を反転してなる導電型反転領域の
   いずれかの濃度変化領域とし、 該濃度変化領域下に残る上記上クラッド層を、活性層側
   への少数キャリアのオーバーフローを防止する，高いキ
   ャリア濃度、及び横方向のリーク電流が小さい，薄い厚
   さを持つ層となるようにしたことを特徴とする半導体レ
   ーザ装置。