CN110176479B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110176479B
CN110176479B CN201910460034.1A CN201910460034A CN110176479B CN 110176479 B CN110176479 B CN 110176479B CN 201910460034 A CN201910460034 A CN 201910460034A CN 110176479 B CN110176479 B CN 110176479B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
color film
black
bridge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910460034.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110176479A (zh
Inventor
李远航
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910460034.1A priority Critical patent/CN110176479B/zh
Publication of CN110176479A publication Critical patent/CN110176479A/zh
Priority to PCT/CN2019/107050 priority patent/WO2020237930A1/zh
Priority to US16/613,418 priority patent/US11056543B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110176479B publication Critical patent/CN110176479B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/0041—Digital printing on surfaces other than ordinary paper
    • B41M5/0047—Digital printing on surfaces other than ordinary paper by ink-jet printing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括封装结构，封装结构包括第一无机层、彩膜层和第二无机层。彩膜层设置在第一无机层和第二无机层之间，彩膜层包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻；红色光阻对应设置在红色发光像素的出光侧，绿色光阻对应设置在绿色发光像素的出光侧，蓝色光阻对应设置在所述蓝色发光像素的出光侧。本申请将彩膜层集成在常规的封装层中形成本申请的封装结构，一方面薄化了显示面板，另一方面彩膜层采用喷墨打印的方式形成，减少了四道光罩制程。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
在现有的有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode,OLED)显示面板中，考虑到显示面板的弯折性，在技术上采用彩膜替代偏光片形成在显示面板上。
另外，现有技术中已出现集成触控功能的面板，称为DOT(Direct On Cell Touch)结构，直接在OLED面板的封装层上制作触控结构。该种结构轻薄且透过率高。
而现有的集成了上述两种结构的显示面板，是利用低温工艺在封装层上形成触控结构，随后简单的在触控结构上制作彩膜层，以制备出集成型的显示面板。但是，该种结构在工艺制程较为复杂，且效率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有的集成型的显示面板的制程工艺较为复杂，效率较低的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括有机发光结构层，所述有机发光结构层包括红色发光像素、绿色发光像素和蓝色发光像素，所述显示面板包括封装结构，所述封装结构形成在所述有机发光结构层上；
所述封装结构包括：
第一无机层，形成在所述有机发光结构层上；
彩膜层，形成在所述第一无机层上，所述彩膜层包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻；
第一平坦层，形成在所述彩膜层上；以及
第二无机层，形成在所述第一平坦层上；
其中，所述红色光阻对应设置在所述红色发光像素的出光侧，所述绿色光阻对应设置在所述绿色发光像素的出光侧，所述蓝色光阻对应设置在所述蓝色发光像素的出光侧。
在本申请的显示面板中，所述红色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述红色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述绿色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述绿色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述蓝色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述蓝色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积。
在本申请的显示面板中，所述显示面板包括触控结构，所述触控结构形成在所述封装结构上；
所述触控结构包括：
图案化的触控金属层，设置在所述第二无机层上；
图案化的第一黑色光阻层，设置在所述触控金属层上；
第二平坦层，形成在所述第二无机层上，并覆盖所述触控金属层和所述第一黑色光阻层；
图案化的过桥层，设置在所述第二平坦层上；
图案化的第二黑色光阻层，设置在所述过桥层上；以及
保护层，形成在所述第二平坦层上，并覆盖所述过桥层和第二黑色光阻层；
其中，所述第一黑色光阻层和所述第二黑色光阻层形成黑色遮光网络，所述黑色遮光网络对应位于所述彩膜层的光阻之间。
在本申请的显示面板中，所述触控金属层包括多个第一电极，相邻的所述第一电极之间间隔设置；所述触控结构包括第一通孔；
所述第一通孔贯穿所述第二平坦层、第一黑色光阻层和所述第一电极；
所述过桥层形成在所述第二平坦层上并填充所述第一通孔，使相邻的所述第一电极通过所述过桥层电连接。
本申请还涉及一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括有机发光结构层，所述有机发光结构层包括红色发光像素、绿色发光像素和蓝色发光像素，其中，所述制备方法包括形成封装结构的步骤，所述形成封装结构的步骤包括：
在所述有机发光结构层上形成第一无机层；
在所述第一无机层上形成彩膜层，所述彩膜层包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻，所述红色光阻对应设置在所述红色发光像素的出光侧，所述绿色光阻对应设置在所述绿色发光像素的出光侧，所述蓝色光阻对应设置在所述蓝色发光像素的出光侧；
在所述第一无机层上形成第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述彩膜层；
在所述第一平坦层上形成第二无机层。
在本申请的显示面板的制备方法中，所述红色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述红色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述绿色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述绿色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述蓝色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述蓝色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积。
在本申请的显示面板的制备方法中，采用喷墨打印工艺在所述第一无机层上形成所述彩膜层。
在本申请的显示面板的制备方法中，所述制备方法包括形成触控结构的步骤，所述形成触控结构的步骤包括：
在所述第二无机层上形成触控金属层；
在所述触控金属层上形成第一黑色光阻层；
图案化所述第一黑色光阻层和所述触控金属层；
在所述第二无机层上形成第二平坦层，所述第二平坦层覆盖图案化的所述触控金属层和所述第一黑色光阻层；
在所述第二平坦层上形成过桥层；
在所述过桥层上形成第二黑色光阻层；
图案化所述第二黑色光阻层和所述过桥层，使所述第一黑色光阻层和所述第二黑色光阻层形成黑色遮光网络，所述黑色遮光网络对应位于所述彩膜层的光阻之间；
在所述第二平坦层上形成保护层，所述保护层覆盖图案化的所述过桥层和第二黑色光阻层。
在本申请的显示面板的制备方法中，所述图案化所述第一黑色光阻层和所述触控金属层，包括以下步骤：
采用第一光罩对所述第一黑色光阻层进行曝光、显影处理，形成图案化的第一黑色光阻层；
对所述触控金属层进行刻蚀处理，形成图案化的触控金属层。
在本申请的显示面板的制备方法中，所述图案化的触控金属层包括多个第一电极，相邻的所述第一电极之间间隔设置；形成所述第二平坦层之后，还包括步骤：
采用第二光罩在所述第二平坦层对应于所述第一电极的区域进行刻蚀处理形成第一孔部；
采用干法刻蚀在所述第一黑色光阻层和所述第一电极对应于所述第一孔部的区域进行刻蚀处理形成第二孔部，所述第一孔部和所述第二孔部连通形成第一通孔；
在所述第二平坦层上形成过桥层，所述过桥层填充所述第一通孔，使相邻的所述第一电极通过所述过桥层电连接。
在本申请的显示面板的制备方法中，所述图案化所述第二黑色光阻层和所述过桥层，包括以下步骤：
采用第三光罩对所述第二黑色光阻层进行曝光、显影处理，形成图案化的第二黑色光阻层；
对所述过桥层进行刻蚀处理，形成图案化的过桥层。
在本申请的显示面板的制备方法中，采用第四光罩在所述第二平坦层上形成所述保护层。
相较于现有技术的显示面板，本申请的显示面板及其制备方法通过将彩膜层集成在常规的封装层中形成本申请的封装结构，一方面薄化了显示面板，另一方面彩膜层采用喷墨打印的方式形成，减少了四道光罩制程；
另外，本申请的触控结构中，将第一黑色光阻层和第二黑色光阻层组合形成黑色遮光网络，以遮挡金属线及阴极金属的反光；黑色遮光网络对应设置在彩膜层的光阻之间，起到黑色矩阵的作用，减少了一道光罩制程；而且第一黑色光阻和第二黑色光阻分别对应的设置在触控金属层和过桥层上，起到绝缘第触控金属层和过桥层的作用，替代了绝缘层，从而减少了剥离第一黑色光阻层和第二黑色光阻层的制程。因此，本申请解决了现有的集成型的显示面板的制程工艺较为复杂，效率较低的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请的实施例的显示面板的结构示意图；
图2为本申请的实施例的显示面板的另一结构示意图；
图3为本申请的实施例的显示面板的制备方法的流程图；
图4为本申请的实施例的显示面板的制备方法的封装结构的步骤的流程图；
图5为本申请的实施例的显示面板的制备方法的触控结构的步骤的流程图。
具体实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
首先阐述一下现有技术，在现有技术中，OLED面板将彩膜层替代偏光片集成在封装层上和将触控结构集成在彩膜层上。其中，彩膜层集成在封装层上，需要进行红、绿、蓝三色光阻和黑矩阵以及第一保护层五道光罩工艺。触控结构集成在彩膜层上，需要进行第一金属层、绝缘层、第二金属层和第二保护层四道光罩工艺。故在现有技术中，形成集成化的OLED面板需要九道光罩工艺。
在本申请的显示面板中，请参照图1和图2，图1为本申请的实施例的显示面板的结构示意图；图2为本申请的实施例的显示面板的另一结构示意图。
具体的，显示面板100包括基板11、薄膜晶体管阵列层12、有机发光结构层13、封装结构14和触控结构15。基板11可以为柔性基板，也可以为硬性基板，在实施例中，基板11为柔性基板。薄膜晶体管阵列层12包括有驱动电路(图中未示出)，用于驱动有机发光结构层13发光。有机发光结构层13包括阳极(图中未示出)、像素定义层(图中未示出)、红色发光像素131、绿色发光像素132、蓝色发光像素133和阴极(图中未示出)。其中薄膜晶体管阵列层12和有机发光结构层13为现有技术，不再赘述。
本实施例的封装结构14形成在有机发光结构层13上。封装结构14包括第一无机层141、彩膜层142、第一平坦层143和第二无机层144。
第一无机层141形成在有机发光结构层13上。彩膜层142形成在第一无机层141上。彩膜层142包括红色光阻1421、绿色光阻1422和蓝色光阻1423。第一平坦层143形成在彩膜层142上。第二无机层144形成在第一平坦层143上。
其中，红色光阻1421对应设置在红色发光像素131的出光侧。绿色光阻1422对应设置在绿色发光像素132的出光侧。蓝色光阻1423对应设置在蓝色发光像素133的出光侧。且彩膜层14采用喷墨打印工艺制成。
另外，彩膜层142为有机材料制成，第一平坦层143也为有机材料制成，因此第一平坦层143起到平坦和保护彩膜层142的作用，便于后续形成第二无机层144。而且彩膜层142和第一平坦层143替代常规封装层中的有机层。因此封装结构14不但具有封装显示面板的效果，而且具有偏光片的作用。
在本实施例的显示面板100中，红色发光像素131于彩膜层142所在平面的正投影面积小红色光阻1421于彩膜层142所在平面的正投影面积。绿色发光像素132于彩膜层142所在平面的正投影面积小于或等于绿色光阻1422于彩膜层142所在平面的正投影面积。蓝色发光像素133于彩膜层142所在平面的正投影面积小于或等于蓝色光阻1423于彩膜层142所在平面的正投影面积。
本实施例通过将各颜色发光像素和各颜色光阻进行对应设置，保证了各颜色发光像素的开口率足够大，比如，红色光阻1421对应设置在红色发光像素131的出光侧，保证了红色发光像素131的开口率。而各颜色光阻的面积大于或等于对应的各颜色发光像素的面积，确保了显示面板100的滤光的作用。
本实施例的显示面板100将彩膜层142集成在常规的封装层中形成本申请的封装结构14，一方面薄化了显示面板100；另一方面彩膜层142采用喷墨打印的方式形成，相较于现有技术减少了四道光罩制程。减少的四道光罩制程分别是现有技术的彩膜层的红、绿、蓝和保护层的四道光罩制程，而本实施例的彩膜层142的黑色矩阵集成于触控结构15中。
本实施例中，触控结构15形成在封装结构14上。触控结构15包括图案化的触控金属层151、图案化的第一黑色光阻层152、第二平坦层153、图案化的过桥层154、图案化的第二黑色光阻层155和保护层156。
具体的，图案化的触控金属层151设置在第二无机层144上。图案化的第一黑色光阻层152设置在触控金属层151上。第二平坦层153形成在第二无机层144上，并覆盖触控金属层151和第一黑色光阻层152。图案化的过桥层154设置在第二平坦层153上。图案化的第二黑色光阻层155设置在过桥层154上。保护层156形成在第二平坦层153上，并覆盖过桥层154和第二黑色光阻层155。
其中，第一黑色光阻层152和第二黑色光阻层155形成黑色遮光网络157。黑色遮光网络157对应位于彩膜层142的光阻(包括红色光阻1421、绿色光阻1422和蓝色光阻1423)之间。
第一黑色光阻层152和第二黑色光阻层155可以为低温负性光阻或黑色正性光阻。黑色遮光网络157不但能有效的遮挡金属线及下层的阴极金属的反光，而且起到彩膜层142中的黑色矩阵的作用。
另外，在形成触控结构15的工艺中，首先在第二无机层144上形成第一金属层，接着在第一金属层上涂布一层第一黑色光阻胶，随后对所述第一光阻胶进行预烘干、曝光和显影处理，形成图案化的第一黑色光阻层152，最后对第一金属层进行干法刻蚀形成图案化的触控金属层151。相较于现有技术，本工艺在形成触控金属层151后，不用对第一黑色光阻层152进行剥离，而是利用第一黑色光阻层152的图案作为触控金属层151和过桥层154的绝缘层，且遮挡了触控金属层151。同样的，在形成过桥层154的工艺中，也是不对第二黑色光阻层155进行剥离，且遮挡了过桥层154。
综上所述，在第一黑色光阻层152和第二黑色光阻层155的存在，减少了在制备触控金属层151和过桥层154的剥离制程，且第一黑色光阻层152和第二黑色光阻层155分别对应遮挡触控金属层151和过桥层154，可减少外界环境光的反射及金属线对光的反射，优化了光学效果。最后，第一黑色光阻层152和第二黑色光阻层155形成黑色遮光网络157替代了彩膜层142中的黑色矩阵，简化了封装结构14的制备。
进一步的，图案化的触控金属层151包括多个第一电极1511和多个第二电极1512。相邻的第一电极1511之间间隔设置。相邻的第二电极1512之间间隔设置。触控结构15包括第一通孔158和第二通孔(图中未示出)。
第一通孔158贯穿第二平坦层153、第一黑色光阻层152和第一电极1511。过桥层154形成在第二平坦层153上并填充第一通孔1513，使相邻的第一电极1511通过过桥层154电连接。
第二通孔贯穿第二平坦层153、第一黑色光阻层152和第二电极1512。过桥层154形成在第二平坦层153上并填充第二通孔，使相邻的第二电极1512通过过桥层154电连接。
其中，过桥层154的上表面设置有有机材料制成的第二黑色光阻层155，过桥层154的下表面设置有有机材料制成的第二平坦层153，使得过桥层154设置在两层有机层之间，当本实施例处于弯折状态时，过桥层154受到的应力会被第二黑色光阻层155和第二平坦层153所释放，从而避免了过桥层154受损。另外，由于第一通孔158贯穿触控金属层151的第一电极1511，使得过桥层154和第一电极1511形成卯榫结构，提高了稳定性。
本实施例的显示面板的制备方法请参照下述实施例的显示面板的制备方法的具体内容。
请参照图3，图3为本申请的实施例的显示面板的制备方法的流程图。需要说明的是，本申请的实施例的显示面板的制备方法中，所述制备方法包括形成封装结构14和触控结构15的步骤，而在形成两种结构之前，本制备方法已经完成了前面所有制程。比如基板11、薄膜晶体管阵列层12和有机发光结构层13。其中，有机发光结构层13包括红色发光像素131、绿色发光像素132、蓝色发光像素133。
本实施例的显示面板的制备方法包括形成封装结构14和触控结构15的步骤。具体的所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1：在所述有机发光结构层上形成第一无机层；
步骤S2：在所述第一无机层上形成彩膜层；
步骤S3：在所述第一无机层上形成第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述彩膜层；
步骤S4：在所述第一平坦层上形成第二无机层；
步骤S5：在所述第二无机层上形成触控金属层；
步骤S6：在所述触控金属层上形成第一黑色光阻层；
步骤S7：图案化所述第一黑色光阻层和所述触控金属层；
步骤S8：在所述第二无机层上形成第二平坦层，所述第二平坦层覆盖图案化的所述触控金属层和所述第一黑色光阻层；
步骤S9：在所述第二平坦层上形成过桥层；
步骤S10：在所述过桥层上形成第二黑色光阻层；
步骤S11：图案化所述第二黑色光阻层和所述过桥层，使所述第一黑色光阻层和所述第二黑色光阻层形成黑色遮光网络，所述黑色遮光网络对应位于所述彩膜层的光阻之间；
步骤S12：在所述第二平坦层上形成保护层，所述保护层覆盖图案化的所述过桥层和第二黑色光阻层。
其中，步骤S1至步骤S4为制备封装结构14的步骤，步骤S5至步骤S12为制备触控结构15的步骤。下面具体阐述制备两种结构的内容。
请参照图4，图4为本申请的实施例的显示面板的制备方法的封装结构的步骤的流程图。在制备封装结构14的步骤中：
步骤S1：在所述有机发光结构层13形成第一无机层141。其中，第一无机层141的材料可以是SiNx或SiOx，其厚度介于1～2微米之间。随后转入步骤S2。
步骤S2：在所述第一无机层141上形成彩膜层142。
具体的，采用喷墨打印工艺制作对应有机发光结构13的发光像素的红色光阻141、绿色光阻142和蓝色光阻143。红色光阻141对应设置在红色发光像素1311的出光侧。绿色光阻142对应设置在绿色发光像素1312的出光侧。蓝色光阻143对应设置在蓝色发光像素1313的出光侧。
同时，红色发光像素131于彩膜层142所在平面的正投影面积小红色光阻1421于彩膜层142所在平面的正投影面积。绿色发光像素132于彩膜层142所在平面的正投影面积小于或等于绿色光阻1422于彩膜层142所在平面的正投影面积。蓝色发光像素133于彩膜层142所在平面的正投影面积小于或等于蓝色光阻1423于彩膜层142所在平面的正投影面积。
本实施例通过将各颜色发光像素和各颜色光阻进行对应设置，保证了各颜色发光像素的开口率足够大，比如，红色光阻1421对应设置在红色发光像素131的出光侧，保证了红色发光像素131的开口率。而各颜色光阻的面积大于对应的各颜色发光像素的面积，确保了显示面板的滤光的作用。
步骤S2将彩膜层142集成在常规的封装层中形成本申请的封装结构14，一方面有利于薄化了显示面板；另一方面彩膜层142采用喷墨打印的方式形成，相较于现有技术减少了四道光罩制程。减少的四道光罩制程分别是现有技术的彩膜层的红、绿、蓝和保护层的四道光罩制程，而本实施例的彩膜层142的黑色矩阵则形成在触控结构15的制程中。随后转入步骤S3。
步骤S3：在第一无机层141上形成第一平坦层143。具体的，第一平坦层143覆盖第一无机层141和彩膜层142。步骤S3中，采用喷墨打印工艺制作第一平坦层143。其中，第一平坦层143由有机材料制成。因此彩膜层142和第一平坦层143便构成了一复合式的有机层替代了常规封装层中的有机层，使封装结构14不但具有封装的效果，而且具有偏光片的作用，还薄化了显示面板。随后转入步骤S4。
步骤S4：在第一平坦层143上形成第二无机层144。第二无机层144的材料可以是SiNx或SiOx。这样便完成了封装结构14的制备过程，随后转入触控结构的制备过程。
请参照图5，图5为本申请的实施例的显示面板的制备方法的触控结构的步骤的流程图。触控结构15的制备步骤如下：
步骤S5：在第二无机层144上形成触控金属层151。触控金属层151的材料可以为低阻抗抗氧化性强的金属，如TiAlTi或者Mo，也可以为高透过率导电材质如氧化铟锡(ITO)或石墨烯。随后转入步骤S6。
步骤S6：在触控金属层151上形成第一黑色光阻层152。其中第一黑色光阻层152的材料为低温负性光阻或黑色正性光阻。第一黑色光阻层152采用光刻工艺的涂布方式形成在触控金属层151上。随后转入步骤S7。
步骤S7：图案化所述第一黑色光阻层152和所述触控金属层151。步骤S7包括以下步骤：
采用第一光罩对所述第一黑色光阻层152进行曝光、显影处理，形成图案化的第一黑色光阻层152；
对触控金属层151进行刻蚀处理，形成图案化的触控金属层151。
具体的，相较于现有技术，本步骤在形成图案化的触控金属层151后，不用对第一黑色光阻层152进行剥离，而是利用第一黑色光阻层152的图案作为图案化的触控金属层151和过桥层154的绝缘层，且遮挡触控金属层151，可减少外界环境光的反射及金属线对光的反射，优化了光学效果。随后转入步骤S8。
步骤S8：在第二无机层上形成第二平坦层153。第二平坦层153覆盖图案化的触控金属层151和第一黑色光阻层152。第二平坦层153起到平坦第一黑色光阻层152的表面的作用，第二平坦层153为有机材料制成。
其中，所述图案化的触控金属层151包括多个第一电极1511和多个第二电极1512。相邻的第一电极1511之间间隔设置。相邻的第二电极1512之间间隔设置。
在本实施例中，形成所述第二平坦层153之后，还包括步骤：
采用第二光罩在所述第二平坦层153对应于所述第一电极1511的区域进行刻蚀处理形成第一孔部；
采用干法刻蚀在所述第一黑色光阻层152和所述第一电极1511对应于所述第一孔部的区域进行刻蚀处理形成第二孔部，所述第一孔部和所述第二孔部连通形成第一通孔158。
随后转入步骤S9。
步骤S9：在第二平坦层153上形成过桥层154。过桥层154填充所述第一通孔158，使相邻的所述第一电极1511通过图案化的过桥层154电连接。由于第一通孔158贯穿触控金属层151的第一电极1511，使得过桥层154和第一电极1511形成卯榫结构，提高了稳定性。
过桥层154的材料可以为低阻抗抗氧化性强的金属，如TiAlTi或者Mo，也可以为高透过率导电材质如氧化铟锡(ITO)或石墨烯。随后转入步骤S10。
步骤S10：在过桥层154上形成第二黑色光阻层155。其中第二黑色光阻层155的材料为低温负性光阻或黑色正性光阻。第二黑色光阻层155采用光刻工艺的涂布方式形成在过桥层154上。随后转入步骤S11。
步骤S11：图案化第二黑色光阻层155和过桥层154。具体的步骤S11包括：
采用第三光罩对所述第二黑色光阻层155进行曝光、显影处理，形成图案化的第二黑色光阻层155；
对所述过桥层154进行刻蚀处理，形成图案化的过桥层154。
具体的，相较于现有技术，本步骤在形成图案化的过桥层154后，不用对第二黑色光阻层155进行剥离，而是利用第二黑色光阻层155的图案遮挡了过桥层154。可减少外界环境光的反射及金属线对光的反射，优化了光学效果。最后，第一黑色光阻层152和第二黑色光阻层155形成黑色遮光网络157。黑色遮光网络157对应位于彩膜层142的光阻之间。黑色遮光网络157替代了彩膜层142中的黑色矩阵，简化了封装结构14的制备。
另外，过桥层154的上表面设置有有机材料制成的第二黑色光阻层155，过桥层154的下表面设置有有机材料制成的第二平坦层153，使得过桥层154设置在两层有机层之间，当本实施例处于弯折状态时，过桥层154受到的应力会被第二黑色光阻层155和第二平坦层153所释放，从而避免了过桥层154受损。
随后转入步骤S12。
步骤S12：在第二平坦层153上形成保护层156。保护层156覆盖图案化的过桥层154和第二黑色光阻层155。其中，采用第四光罩在第二平坦层153上形成保护层156。
这样在本申请的实施例的显示面板的制备方法中，仅采用了四道光罩制程便完成本实施例的封装结构和触控结构的制备，简化的工艺流程，节省了成本。
进一步的，相较于现有技术的显示面板，本申请的显示面板及其制备方法通过将彩膜层集成在常规的封装层中形成本申请的封装结构，一方面薄化了显示面板，另一方面彩膜层采用喷墨打印的方式形成，减少了四道光罩制程；
另外，本申请的触控结构中，将第一黑色光阻层和第二黑色光阻层组合形成黑色遮光网络，以遮挡金属线及阴极金属的反光；黑色遮光网络对应设置在彩膜层的光阻之间，起到黑色矩阵的作用，减少了一道光罩制程；而且第一黑色光阻和第二黑色光阻分别对应的设置在触控金属层和过桥层上，起到绝缘第触控金属层和过桥层的作用，替代了绝缘层，从而减少了剥离第一黑色光阻层和第二黑色光阻层的制程。因此，本申请解决了现有的集成型的显示面板的制程工艺较为复杂，效率较低的技术问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种显示面板，包括有机发光结构层，所述有机发光结构层包括红色发光像素、绿色发光像素和蓝色发光像素，其特征在于，所述显示面板包括封装结构，所述封装结构形成在所述有机发光结构层上；
所述封装结构包括：
第一无机层，形成在所述有机发光结构层上；
彩膜层，形成在所述第一无机层上，所述彩膜层包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻；
第一平坦层，形成在所述彩膜层上；以及
第二无机层，形成在所述第一平坦层上；
其中，所述红色光阻对应设置在所述红色发光像素的出光侧，所述绿色光阻对应设置在所述绿色发光像素的出光侧，所述蓝色光阻对应设置在所述蓝色发光像素的出光侧；
所述显示面板包括触控结构，所述触控结构形成在所述封装结构上；
所述触控结构包括：
图案化的触控金属层，设置在所述第二无机层上；
图案化的第一黑色光阻层，设置在所述触控金属层上；
第二平坦层，形成在所述第二无机层上，并覆盖所述触控金属层和所述第一黑色光阻层；
图案化的过桥层，设置在所述第二平坦层上；
图案化的第二黑色光阻层，设置在所述过桥层上；以及
保护层，形成在所述第二平坦层上并覆盖所述过桥层和第二黑色光阻层；
其中，所述第一黑色光阻层和所述第二黑色光阻层形成黑色遮光网络，所述黑色遮光网络对应位于所述彩膜层的光阻之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述红色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述红色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述绿色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述绿色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述蓝色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述蓝色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控金属层包括多个第一电极，相邻的所述第一电极之间间隔设置；所述触控结构包括第一通孔；
所述第一通孔贯穿所述第二平坦层、第一黑色光阻层和所述第一电极；
所述过桥层形成在所述第二平坦层上并填充所述第一通孔，使相邻的所述第一电极通过所述过桥层电连接。
4.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括有机发光结构层，所述有机发光结构层包括红色发光像素、绿色发光像素和蓝色发光像素，其特征在于，所述制备方法包括形成封装结构的步骤，所述形成封装结构的步骤包括：
在所述有机发光结构层上形成第一无机层；
在所述第一无机层上形成彩膜层，所述彩膜层包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻，所述红色光阻对应设置在所述红色发光像素的出光侧，所述绿色光阻对应设置在所述绿色发光像素的出光侧，所述蓝色光阻对应设置在所述蓝色发光像素的出光侧；
在所述第一无机层上形成第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述彩膜层；
在所述第一平坦层上形成第二无机层；
所述制备方法还包括形成触控结构的步骤，所述形成触控结构的步骤包括：
在所述第二无机层上形成触控金属层；
在所述触控金属层上形成第一黑色光阻层；
图案化所述第一黑色光阻层和所述触控金属层；
在所述第二无机层上形成第二平坦层，所述第二平坦层覆盖图案化的所述触控金属层和所述第一黑色光阻层；
在所述第二平坦层上形成过桥层；
在所述过桥层上形成第二黑色光阻层；
图案化所述第二黑色光阻层和所述过桥层，使所述第一黑色光阻层和所述第二黑色光阻层形成黑色遮光网络，所述黑色遮光网络对应位于所述彩膜层的光阻之间；
在所述第二平坦层上形成保护层，所述保护层覆盖图案化的所述过桥层和第二黑色光阻层。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述红色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述红色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述绿色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述绿色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积；所述蓝色发光像素于所述彩膜层所在平面的正投影面积小于或等于所述蓝色光阻于所述彩膜层所在平面的正投影面积。
6.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述图案化所述触控金属层和所述第一黑色光阻层，包括以下步骤：
采用第一光罩对所述第一黑色光阻层进行曝光、显影处理，形成图案化的第一黑色光阻层；
对所述触控金属层进行刻蚀处理，形成图案化的触控金属层。
7.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述图案化的触控金属层包括多个第一电极，相邻的所述第一电极之间间隔设置；形成所述第二平坦层之后，还包括步骤：
采用第二光罩在所述第二平坦层对应于所述第一电极的区域进行刻蚀处理形成第一孔部；
采用干法刻蚀在所述第一黑色光阻层和所述第一电极对应于所述第一孔部的区域进行刻蚀处理形成第二孔部，所述第一孔部和所述第二孔部连通形成第一通孔；
在所述第二平坦层上形成过桥层，所述过桥层填充所述第一通孔，使相邻的所述第一电极通过所述过桥层电连接。
8.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述图案化所述第二黑色光阻层和所述过桥层，包括以下步骤：
采用第三光罩对所述第二黑色光阻层进行曝光、显影处理，形成图案化的第二黑色光阻层；
对所述过桥层进行刻蚀处理，形成图案化的过桥层。
CN201910460034.1A 2019-05-30 2019-05-30 显示面板及其制备方法 Active CN110176479B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910460034.1A CN110176479B (zh) 2019-05-30 2019-05-30 显示面板及其制备方法
PCT/CN2019/107050 WO2020237930A1 (zh) 2019-05-30 2019-09-20 显示面板及其制备方法
US16/613,418 US11056543B2 (en) 2019-05-30 2019-09-20 Display panel and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910460034.1A CN110176479B (zh) 2019-05-30 2019-05-30 显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110176479A CN110176479A (zh) 2019-08-27
CN110176479B true CN110176479B (zh) 2020-09-01

Family

ID=67695963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910460034.1A Active CN110176479B (zh) 2019-05-30 2019-05-30 显示面板及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11056543B2 (zh)
CN (1) CN110176479B (zh)
WO (1) WO2020237930A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110176479B (zh) * 2019-05-30 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110581157A (zh) * 2019-09-04 2019-12-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110649173B (zh) * 2019-09-30 2022-05-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管、oled显示面板和显示设备
CN110752220B (zh) * 2019-10-30 2022-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN110989859B (zh) * 2019-11-19 2023-08-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控面板及其制造方法
CN110989861B (zh) * 2019-11-27 2024-03-05 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制造方法
CN111161632B (zh) * 2020-01-22 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、其制造方法、显示面板及显示装置
CN111522468B (zh) * 2020-04-28 2021-11-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示装置
EP4163980A1 (en) 2020-06-09 2023-04-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Oled display panel
CN111725271B (zh) * 2020-06-09 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN112885885A (zh) * 2021-02-01 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN113299542B (zh) * 2021-05-20 2023-03-10 安徽熙泰智能科技有限公司 一种高分辨率硅基彩色oled微显示器件的制备方法
CN113571554A (zh) * 2021-07-06 2021-10-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114023793A (zh) * 2021-10-27 2022-02-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板制作方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI531276B (zh) * 2010-10-21 2016-04-21 行政院原子能委員會核能研究所 有機電激發光元件之封裝方法及其結構
TWI514642B (zh) * 2013-09-18 2015-12-21 Innolux Corp 顯示面板之封裝方法及封裝結構
CN103887446A (zh) * 2014-03-10 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构及其封装方法、发光器件
CN104678639A (zh) * 2014-12-30 2015-06-03 深圳市华星光电技术有限公司 一种彩色滤光片基板的制作方法
CN104485429B (zh) * 2014-12-31 2017-08-08 北京维信诺科技有限公司 一种具有光学谐振层的oled器件及其制备方法、显示器
CN104576707B (zh) * 2015-01-28 2018-04-06 京东方科技集团股份有限公司 Oled面板及其制备方法和显示装置
CN105470409A (zh) * 2016-01-04 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled封装结构及其制作方法、显示器件
US20170352833A1 (en) * 2016-06-07 2017-12-07 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package structure of flexible oled device and display device
CN106098742A (zh) * 2016-08-18 2016-11-09 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置及制造方法
CN106206992A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜封装结构及有机发光二极管器件
KR101992916B1 (ko) 2016-09-30 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106711354A (zh) * 2016-12-02 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 有机半导体器件的封装方法
CN106784398B (zh) * 2016-12-15 2019-12-03 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
US10547029B2 (en) * 2016-12-15 2020-01-28 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED package structure
KR20180070218A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102161709B1 (ko) * 2017-05-08 2020-10-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106972113B (zh) * 2017-05-25 2018-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置
CN107104130A (zh) * 2017-05-26 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置
US20190165328A1 (en) * 2017-11-30 2019-05-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
CN108365135A (zh) * 2018-02-11 2018-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN108400150B (zh) * 2018-03-13 2021-03-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板与显示装置
CN108470761B (zh) * 2018-05-10 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板以及显示装置
CN110176479B (zh) * 2019-05-30 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110176479A (zh) 2019-08-27
WO2020237930A1 (zh) 2020-12-03
US20210126061A1 (en) 2021-04-29
US11056543B2 (en) 2021-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110176479B (zh) 显示面板及其制备方法
CN107919380B (zh) 一种柔性触控显示屏的制作方法
US7439090B2 (en) Method for manufacturing a lower substrate of a liquid crystal display device
US9874777B2 (en) Color filter substrate, touch display device and method for manufacturing the color filter substrate
CN110034166B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN110890406B (zh) 一种有机发光显示背板、其制作方法及显示装置
CN111312072B (zh) 一种显示屏、显示屏的制作方法及电子装置
KR102453921B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN216648312U (zh) 一种显示面板、显示装置
JP2013196919A (ja) 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法およびカラーフィルタ基板
US11374060B2 (en) Display panel and method for fabricating same
CN113113454A (zh) 显示面板及显示装置
JP2016062885A (ja) 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
CN110148631B (zh) 显示面板及其制作方法以及显示装置
WO2018036343A1 (zh) 触控显示模组、其制作方法及显示装置
CN111785760B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US20220283688A1 (en) Touch substrate and manufacturing method thereof
US20110249225A1 (en) Active Array Substrate, Liquid Crystal Display Panel, and Manufacturing Method Thereof
WO2021109357A1 (zh) 显示面板及制作方法、显示装置
KR20080110347A (ko) 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
CN112968139A (zh) 显示基板、显示装置及其制备方法
JP4954868B2 (ja) 導電層を備えた基板の製造方法
CN109285962B (zh) 显示基板及制造方法、显示装置
KR20210045658A (ko) 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20220293704A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant