CN108365135A - Oled封装方法与oled封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法首先在无机阻挡层的边缘位置上制作圈形有机层，之后在无机阻挡层上表面被圈形有机层围出的区域上制作面状有机层，该面状有机层与圈形有机层结合在一起，形成包覆无机阻挡层的有机缓冲层，与现有技术中采用喷墨打印方法一次成型的有机缓冲层相比，本发明制作的有机缓冲层的上表面平坦，所述有机缓冲层对应于无机阻挡层的边缘位置的区域不具有向上的凸起，因此不会影响制作于该有机缓冲层上方的无机阻挡层的膜厚以及形态，能够提升无机阻挡层的阻隔水氧效果。本发明的OLED封装结构中的有机缓冲层的上表面平坦，具有较好的封装效果。

Description

OLED封装方法与OLED封装结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
背景技术
有机发光器件(OLED，Organic Light Emitting Diode)以其良好的自发光特性、高对比度、快速响应以及柔性显示等优势，在显示领域、照明领域、智能穿戴等领域有广泛的应用。
OLED的基本显示原理为：在电场的驱动下，通过载流子的注入和复合使得有机材料发光。OLED可以通过RGB像素独立发光、白光OLED结合彩色滤光膜或者蓝光OLED结合光色转换来实现全彩显示。OLED显示技术可以使屏幕更轻薄，其自发光的特性在野外的傍晚也可以实现较高的对比度，并且能够在不同材质的基板上制造，可以做成柔性显示器。
研究表明，空气中的水汽和氧气等成分对OLED的寿命影响很大，其原因主要有以下几方面：OLED器件工作时要从阴极注入电子，这要求阴极金属材料的功函数越低越好，但是功函数较低的阴极金属材料如铝、镁、钙等一般都比较活泼，容易与渗透进来的水汽发生反应，另外，水汽还会与空穴传输层(ETL)发生化学反应，这些反应都会引起OLED器件失效。因此对OLED进行有效封装，使其各功能层与大气中的水汽、氧气等分隔开，就可以大大延长OLED器件寿命。另外，由于目前柔性OLED的需求，柔性封装技术如薄膜封装技术(TFE)逐渐受到追捧。
图1为现有的OLED封装方法的示意图，如图1所示，所述OLED封装方法包括：首先在衬底基板100上形成OLED器件200，所述OLED器件200包括TFT层210及设于TFT层210上的OLED发光层220，然后在OLED器件200上制作覆盖OLED器件200的无机阻挡层310以提升OLED器件200的防水氧效果，之后在无机阻挡层310上制作覆盖无机阻挡层310及OLED器件200侧面的有机缓冲层320以释放无机阻挡层310的应力，所述有机缓冲层320通常采用喷墨打印(IJP)方法制备，利用喷墨打印设备通过若干打印头将墨水(INK)均匀的打印到无机阻挡层310上，在墨水的流平过程中，由于墨水与无机阻挡层310的相容性较差，中间的墨水基于液体的流动性会向无机阻挡层310的边缘扩散，在无机阻挡层310的边缘位置产生向上的堆积，所述墨水固化后，得到的有机缓冲层320对应于无机阻挡层310的边缘位置形成向上的凸起500，由于这样的有机缓冲层320的上表面不平坦，因此后续在该有机缓冲层320上制作下一层无机阻挡层时会影响下一层无机阻挡层的膜厚以及形态，从而降低无机阻挡层的阻隔水氧效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED封装方法，制作的有机缓冲层对应于无机阻挡层的边缘位置的区域不具有向上的凸起，因此不会影响制作于该有机缓冲层上方的无机阻挡层的膜厚以及形态，能够提升无机阻挡层的阻隔水氧效果。
本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构，其中的有机缓冲层的上表面平坦，具有较好的封装效果。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成OLED器件；
步骤2、在所述衬底基板与OLED器件上形成第一薄膜封装单元；所述第一薄膜封装单元包括覆盖所述OLED器件上表面的第一无机阻挡层及包覆所述第一无机阻挡层与OLED器件的第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层包括覆盖所述第一无机阻挡层上表面的边缘位置及所述OLED器件侧面的第一圈形有机层、覆盖所述第一无机阻挡层上表面被所述第一圈形有机层围出的区域的第一面状有机层，所述第一面状有机层与第一圈形有机层结合为一体；所述第一有机缓冲层的上表面平坦。
所述OLED器件的数量为一个或多个；所述OLED器件包括TFT层及设于TFT层上的OLED发光层。
所述第一无机阻挡层的材料包括氮化硅、碳氮化硅、氧化硅中的一种或多种；所述第一圈形有机层与第一面状有机层的材料均为有机材料。
所述步骤2具体包括如下步骤：
步骤21、在OLED器件上形成覆盖OLED器件上表面的第一无机阻挡层；
步骤22、在所述第一无机阻挡层的边缘位置打印有机材料，对有机材料进行固化后形成第一圈形有机层，所述第一圈形有机层覆盖所述第一无机阻挡层上表面的边缘位置及所述OLED器件的侧面，并且在所述第一无机阻挡层上表面的边缘位置围成堤坝结构；
步骤23、在所述第一无机阻挡层上表面被第一圈形有机层围出的区域上打印有机材料，所述有机材料流平后，对有机材料进行固化形成第一面状有机层，所述第一面状有机层与第一圈形有机层结合为一体，形成第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层的上表面平坦。
所述步骤21中，所述第一无机阻挡层的形成方法包括化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、溅射中的至少一种；
所述步骤22中，采用喷墨打印设备在所述第一无机阻挡层的边缘位置打印有机材料，对有机材料进行固化的方法为紫外固化；
所述步骤23中，采用喷墨打印设备在所述第一无机阻挡层上表面被第一圈形有机层围出的区域上打印有机材料，对有机材料进行固化的方法为紫外固化。
所述OLED封装方法还包括：步骤3、在所述第一薄膜封装单元上形成一个或多个层叠设置的第二薄膜封装单元，所述第二薄膜封装单元包括第二无机阻挡层与包覆所述第二无机阻挡层的第二有机缓冲层，所述第二有机缓冲层包括覆盖所述第二无机阻挡层上表面的边缘位置的第二圈形有机层、覆盖所述第二无机阻挡层上表面被所述第二圈形有机层围出的区域的第二面状有机层，所述第二面状有机层与第二圈形有机层结合为一体；所述第二有机缓冲层的上表面平坦；
所述第二无机阻挡层的制程方式与所述第一无机阻挡层相同；所述第二圈形有机层的制程方式与所述第一圈形有机层相同；所述第二面状有机层的制程方式与所述第一面状有机层相同。
本发明还提供一种OLED封装结构，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的OLED器件、设于所述衬底基板与OLED器件上的第一薄膜封装单元；
所述第一薄膜封装单元包括覆盖所述OLED器件上表面的第一无机阻挡层及包覆所述第一无机阻挡层与OLED器件的第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层包括覆盖所述第一无机阻挡层上表面的边缘位置及所述OLED器件侧面的第一圈形有机层、覆盖所述第一无机阻挡层上表面被所述第一圈形有机层围出的区域的第一面状有机层，所述第一面状有机层与第一圈形有机层结合为一体；所述第一有机缓冲层的上表面平坦。
所述OLED器件的数量为一个或多个；所述OLED器件包括TFT层及设于TFT层上的OLED发光层。
所述第一无机阻挡层的材料包括氮化硅、碳氮化硅、氧化硅中的一种或多种；所述第一圈形有机层与第一面状有机层的材料均为有机材料。
所述OLED封装结构还包括：设于所述第一薄膜封装单元上的一个或多个层叠设置的第二薄膜封装单元，所述第二薄膜封装单元包括第二无机阻挡层与包覆所述第二无机阻挡层的第二有机缓冲层，所述第二有机缓冲层包括覆盖所述第二无机阻挡层上表面的边缘位置的第二圈形有机层、覆盖所述第二无机阻挡层上表面被所述第二圈形有机层围出的区域的第二面状有机层，所述第二面状有机层与第二圈形有机层结合为一体；所述第二有机缓冲层的上表面平坦。
本发明的有益效果：本发明的OLED封装方法首先在无机阻挡层的边缘位置上制作圈形有机层，之后在无机阻挡层上表面被圈形有机层围出的区域上制作面状有机层，该面状有机层与圈形有机层结合在一起，形成包覆无机阻挡层的有机缓冲层，与现有技术中采用喷墨打印方法一次成型的有机缓冲层相比，本发明制作的有机缓冲层的上表面平坦，所述有机缓冲层对应于无机阻挡层的边缘位置的区域不具有向上的凸起，因此不会影响制作于该有机缓冲层上方的无机阻挡层的膜厚以及形态，能够提升无机阻挡层的阻隔水氧效果。本发明的OLED封装结构中的有机缓冲层的上表面平坦，具有较好的封装效果。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的OLED封装方法的示意图；
图2为本发明的OLED封装方法的流程图；
图3A为本发明的OLED封装方法的步骤1的俯视示意图；
图3B为图3A沿C-C线的剖视示意图；
图4A为本发明的OLED封装方法的步骤21的俯视示意图；
图4B为图4A沿C-C线的剖视示意图；
图5A为本发明的OLED封装方法的步骤22的俯视示意图；
图5B为图5A沿C-C线的剖视示意图；
图6A为本发明的OLED封装方法的步骤23的俯视示意图及本发明的OLED封装结构的第一实施例的俯视示意图；
图6B为图6A沿C-C线的剖视示意图及本发明的OLED封装结构的第一实施例的剖视示意图；
图7A为本发明的OLED封装方法的步骤3的俯视示意图及本发明的OLED封装结构的第二实施例的俯视示意图；
图7B为图7A沿C-C线的剖视示意图及本发明的OLED封装结构的第二实施例的剖视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3A与图3B所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成OLED器件20。
具体的，所述OLED器件20的数量为一个或多个。
具体的，所述OLED器件20包括TFT层21及设于TFT层21上的OLED发光层22。
步骤2、如图4A至图6B所示，在所述衬底基板10与OLED器件20上形成第一薄膜封装单元30；所述第一薄膜封装单元30包括覆盖所述OLED器件20上表面的第一无机阻挡层31及包覆所述第一无机阻挡层31与OLED器件20的第一有机缓冲层32，所述第一有机缓冲层32包括覆盖所述第一无机阻挡层31上表面的边缘位置及所述OLED器件20侧面的第一圈形有机层321、覆盖所述第一无机阻挡层31上表面被所述第一圈形有机层321围出的区域的第一面状有机层322，所述第一面状有机层322与第一圈形有机层321结合为一体；所述第一有机缓冲层32的上表面平坦。
具体的，所述第一无机阻挡层31的材料包括氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化硅(SiOx)中的一种或多种。
具体的，所述第一圈形有机层321与第一面状有机层322的材料均为有机材料。
与现有技术相比，所述第一有机缓冲层32对应于所述第一无机阻挡层31的边缘位置的区域不具有向上的凸起。
所述步骤2具体包括如下步骤：
步骤21、如图4A与图4B所示，在OLED器件20上形成覆盖所述OLED器件20的上表面的第一无机阻挡层31。
具体的，所述第一无机阻挡层31的形成方法包括化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)、脉冲激光沉积(PulsedLaser Deposition，PLD)、溅射(Sputter)等方式中的至少一种。
步骤22、如图5A与图5B所示，在所述第一无机阻挡层31的边缘位置打印有机材料，对有机材料进行固化后形成第一圈形有机层321，所述第一圈形有机层321覆盖所述第一无机阻挡层31上表面的边缘位置及所述OLED器件20的侧面，并且在所述第一无机阻挡层31上表面的边缘位置围成堤坝结构。
具体的，所述步骤22中，采用喷墨打印设备(Ink jet printer)在所述第一无机阻挡层31的边缘位置打印有机材料，对有机材料进行固化的方法为紫外固化。
具体的，所述步骤22中，采用微型UV固化装置迅速将有机材料固化形成第一圈形有机层321。
步骤23、如图6A与图6B所示，在所述第一无机阻挡层31上表面被第一圈形有机层321围出的区域上打印有机材料，所述有机材料流平后，对有机材料进行固化形成第一面状有机层322，所述第一面状有机层322与第一圈形有机层321结合为一体，形成第一有机缓冲层32，所述第一有机缓冲层32的上表面平坦。
具体的，所述步骤23中，采用喷墨打印设备(Ink jet printer)在所述第一无机阻挡层31上表面被第一圈形有机层321围出的区域上打印有机材料，对有机材料进行固化的方法为紫外固化。
可选的，所述OLED封装方法还包括：步骤3、如图7A与图7B所示，在所述第一薄膜封装单元30上形成一个或多个层叠设置的第二薄膜封装单元40，所述第二薄膜封装单元40包括第二无机阻挡层41与包覆所述第二无机阻挡层41的第二有机缓冲层42，所述第二有机缓冲层42包括覆盖所述第二无机阻挡层41上表面的边缘位置的第二圈形有机层421、覆盖所述第二无机阻挡层41上表面被所述第二圈形有机层421围出的区域的第二面状有机层422，所述第二面状有机层422与第二圈形有机层421结合为一体；所述第二有机缓冲层42的上表面平坦；所述第二无机阻挡层41的制程方式与所述第一无机阻挡层31相同；所述第二圈形有机层421的制程方式与所述第一圈形有机层321相同；所述第二面状有机层422的制程方式与所述第一面状有机层322相同。
具体的，所述第二无机阻挡层41的材料包括氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化硅(SiOx)中的一种或多种。
具体的，所述第二圈形有机层421与第二面状有机层422的材料均为有机材料。
具体的，所述第一无机阻挡层31与第二无机阻挡层41能够使OLED器件20隔绝水氧，提升OLED器件20的防水氧效果。
具体的，所述第一有机缓冲层32与第二有机缓冲层42能够释放所述第一无机阻挡层31与第二无机阻挡层41的应力，提升薄膜封装结构层的柔韧性，并且能覆盖所述第一无机阻挡层31与第二无机阻挡层41上的颗粒物，提升薄膜封装结构层的平坦性。
上述OLED封装方法首先在无机阻挡层的边缘位置上制作圈形有机层，之后在无机阻挡层上表面被圈形有机层围出的区域上制作面状有机层，该面状有机层与圈形有机层结合在一起，形成包覆无机阻挡层的有机缓冲层，与现有技术中采用喷墨打印方法一次成型的有机缓冲层相比，本发明制作的有机缓冲层的上表面平坦，所述有机缓冲层对应于无机阻挡层的边缘位置的区域不具有向上的凸起，因此不会影响制作于该有机缓冲层上方的无机阻挡层的膜厚以及形态，能够提升无机阻挡层的阻隔水氧效果。
请参阅图6A与图6B，基于上述OLED封装方法，本发明提供一种OLED封装结构的第一实施例，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的OLED器件20、包覆所述OLED器件20的第一薄膜封装单元30；
所述第一薄膜封装单元30包括覆盖所述OLED器件20上表面的第一无机阻挡层31及包覆所述第一无机阻挡层31与OLED器件20的第一有机缓冲层32，所述第一有机缓冲层32包括覆盖所述第一无机阻挡层31上表面的边缘位置及所述OLED器件20侧面的第一圈形有机层321、覆盖所述第一无机阻挡层31上表面被所述第一圈形有机层321围出的区域的第一面状有机层322，所述第一面状有机层322与第一圈形有机层321结合为一体；所述第一有机缓冲层32的上表面平坦。
具体的，所述OLED器件20的数量为一个或多个。
具体的，所述OLED器件20包括TFT层21及设于TFT层21上的OLED发光层22。
具体的，所述第一无机阻挡层31的材料包括氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化硅(SiOx)中的一种或多种。
具体的，所述第一圈形有机层321与第一面状有机层322的材料均为有机材料。
请参阅图7A与图7B，本发明提供一种OLED封装结构的第二实施例，与第一实施例的OLED封装结构相比，该第二实施例的OLED封装结构还包括：设于所述第一薄膜封装单元30上的一个或多个层叠设置的第二薄膜封装单元40，所述第二薄膜封装单元40包括第二无机阻挡层41与包覆所述第二无机阻挡层41的第二有机缓冲层42，所述第二有机缓冲层42包括覆盖所述第二无机阻挡层41上表面的边缘位置的第二圈形有机层421、覆盖所述第二无机阻挡层41上表面被所述第二圈形有机层421围出的区域的第二面状有机层422，所述第二面状有机层422与第二圈形有机层421结合为一体；所述第二有机缓冲层42的上表面平坦。
具体的，所述第二无机阻挡层41的材料包括氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化硅(SiOx)中的一种或多种。
具体的，所述第二圈形有机层421与第二面状有机层422的材料均为有机材料。
上述OLED封装结构中的有机缓冲层的上表面平坦，具有较好的封装效果。
综上所述，本发明的OLED封装方法首先在无机阻挡层的边缘位置上制作圈形有机层，之后在无机阻挡层上表面被圈形有机层围出的区域上制作面状有机层，该面状有机层与圈形有机层结合在一起，形成包覆无机阻挡层的有机缓冲层，与现有技术中采用喷墨打印方法一次成型的有机缓冲层相比，本发明制作的有机缓冲层的上表面平坦，所述有机缓冲层对应于无机阻挡层的边缘位置的区域不具有向上的凸起，因此不会影响制作于该有机缓冲层上方的无机阻挡层的膜厚以及形态，能够提升无机阻挡层的阻隔水氧效果。本发明的OLED封装结构中的有机缓冲层的上表面平坦，具有较好的封装效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成OLED器件(20)；
步骤2、在所述衬底基板(10)与OLED器件(20)上形成第一薄膜封装单元(30)；所述第一薄膜封装单元(30)包括覆盖所述OLED器件(20)上表面的第一无机阻挡层(31)及包覆所述第一无机阻挡层(31)与OLED器件(20)的第一有机缓冲层(32)，所述第一有机缓冲层(32)包括覆盖所述第一无机阻挡层(31)上表面的边缘位置及所述OLED器件(20)侧面的第一圈形有机层(321)、覆盖所述第一无机阻挡层(31)上表面被所述第一圈形有机层(321)围出的区域的第一面状有机层(322)，所述第一面状有机层(322)与第一圈形有机层(321)结合为一体；所述第一有机缓冲层(32)的上表面平坦。
2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述OLED器件(20)的数量为一个或多个；所述OLED器件(20)包括TFT层(21)及设于TFT层(21)上的OLED发光层(22)。
3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述第一无机阻挡层(31)的材料包括氮化硅、碳氮化硅、氧化硅中的一种或多种；所述第一圈形有机层(321)与第一面状有机层(322)的材料均为有机材料。
4.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤2具体包括如下步骤：
步骤21、在OLED器件(20)上形成覆盖OLED器件(20)上表面的第一无机阻挡层(31)；
步骤22、在所述第一无机阻挡层(31)的边缘位置打印有机材料，对有机材料进行固化后形成第一圈形有机层(321)，所述第一圈形有机层(321)覆盖所述第一无机阻挡层(31)上表面的边缘位置及所述OLED器件(20)的侧面，并且在所述第一无机阻挡层(31)上表面的边缘位置围成堤坝结构；
步骤23、在所述第一无机阻挡层(31)上表面被第一圈形有机层(321)围出的区域上打印有机材料，所述有机材料流平后，对有机材料进行固化形成第一面状有机层(322)，所述第一面状有机层(322)与第一圈形有机层(321)结合为一体，形成第一有机缓冲层(32)，所述第一有机缓冲层(32)的上表面平坦。
5.如权利要求4所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤21中，所述第一无机阻挡层(31)的形成方法包括化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、溅射中的至少一种；
所述步骤22中，采用喷墨打印设备在所述第一无机阻挡层(31)的边缘位置打印有机材料，对有机材料进行固化的方法为紫外固化；
所述步骤23中，采用喷墨打印设备在所述第一无机阻挡层(31)上表面被第一圈形有机层(321)围出的区域上打印有机材料，对有机材料进行固化的方法为紫外固化。
6.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：步骤3、在所述第一薄膜封装单元(30)上形成一个或多个层叠设置的第二薄膜封装单元(40)，所述第二薄膜封装单元(40)包括第二无机阻挡层(41)与包覆所述第二无机阻挡层(41)的第二有机缓冲层(42)，所述第二有机缓冲层(42)包括覆盖所述第二无机阻挡层(41)上表面的边缘位置的第二圈形有机层(421)、覆盖所述第二无机阻挡层(41)上表面被所述第二圈形有机层(421)围出的区域的第二面状有机层(422)，所述第二面状有机层(422)与第二圈形有机层(421)结合为一体；所述第二有机缓冲层(42)的上表面平坦；
所述第二无机阻挡层(41)的制程方式与所述第一无机阻挡层(31)相同；所述第二圈形有机层(421)的制程方式与所述第一圈形有机层(321)相同；所述第二面状有机层(422)的制程方式与所述第一面状有机层(322)相同。
7.一种OLED封装结构，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的OLED器件(20)、设于所述衬底基板(10)与OLED器件(20)上的第一薄膜封装单元(30)；
所述第一薄膜封装单元(30)包括覆盖所述OLED器件(20)上表面的第一无机阻挡层(31)及包覆所述第一无机阻挡层(31)与OLED器件(20)的第一有机缓冲层(32)，所述第一有机缓冲层(32)包括覆盖所述第一无机阻挡层(31)上表面的边缘位置及所述OLED器件(20)侧面的第一圈形有机层(321)、覆盖所述第一无机阻挡层(31)上表面被所述第一圈形有机层(321)围出的区域的第一面状有机层(322)，所述第一面状有机层(322)与第一圈形有机层(321)结合为一体；所述第一有机缓冲层(32)的上表面平坦。
8.如权利要求7所述的OLED封装结构，其特征在于，所述OLED器件(20)的数量为一个或多个；所述OLED器件(20)包括TFT层(21)及设于TFT层(21)上的OLED发光层(22)。
9.如权利要求7所述的OLED封装结构，其特征在于，所述第一无机阻挡层(31)的材料包括氮化硅、碳氮化硅、氧化硅中的一种或多种；所述第一圈形有机层(321)与第一面状有机层(322)的材料均为有机材料。
10.如权利要求7所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于所述第一薄膜封装单元(30)上的一个或多个层叠设置的第二薄膜封装单元(40)，所述第二薄膜封装单元(40)包括第二无机阻挡层(41)与包覆所述第二无机阻挡层(41)的第二有机缓冲层(42)，所述第二有机缓冲层(42)包括覆盖所述第二无机阻挡层(41)上表面的边缘位置的第二圈形有机层(421)、覆盖所述第二无机阻挡层(41)上表面被所述第二圈形有机层(421)围出的区域的第二面状有机层(422)，所述第二面状有机层(422)与第二圈形有机层(421)结合为一体；所述第二有机缓冲层(42)的上表面平坦。
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