CN110752220B - 一种显示基板及其制备方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。用于提高显示基板的平坦化效果。本发明实施例提供一种显示基板，包括：衬底、依次设置于所述衬底上的栅金属层、源漏金属层和平坦层；所述栅金属层包括栅极；所述源漏金属层包括源极和漏极；所述栅极、所述源极和所述漏极用于构成薄膜晶体管；所述显示基板还包括设置于所述源漏金属层远离所述衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处的辅助图案，所述辅助图案与所述平坦层接触；所述辅助图案的材料包括疏油材料。本发明实施例用于提高显示基板的平坦化效果。

Description

一种显示基板及其制备方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
打印OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)技术相比蒸镀OLED技术具有更好的寿命以及更优的器件性能，是大尺寸OLED显示技术的量产发展方向。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种显示基板及其制备方法和显示面板。用于提高显示基板的平坦化效果。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种显示基板，包括：衬底、依次设置于所述衬底上的栅金属层、源漏金属层和平坦层；所述栅金属层包括栅极；所述源漏金属层包括源极和漏极；所述栅极、所述源极和所述漏极用于构成薄膜晶体管；所述显示基板还包括设置于所述源漏金属层远离所述衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处的辅助图案，所述辅助图案与所述平坦层接触；所述辅助图案的材料包括疏油材料。
可选的，所述辅助图案为单层结构，所述辅助图案的材料为有机光刻胶材料或者无机材料；或者，所述辅助图案为多层结构，包括沿远离衬底的方向依次层叠设置的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料为无机材料，所述第二子层的材料为双亲材料，所述第三子层的材料为有机光刻胶材料。
可选的，所述平坦层包括沿远离衬底的方向依次设置的第一平坦子层和第二平坦子层，其中，所述第二平坦子层覆盖所述第一平坦子层和所述辅助图案。
可选的，所述第一平坦子层和所述第二平坦子层的材料均为有机材料；所述平坦层还包括第一间隔层，所述第一间隔层设置于所述第一平坦子层和第二平坦子层之间，且所述第一间隔层的材料为无机材料。
可选的，所述第一间隔层的厚度为500-1000埃。
可选的，所述显示基板具有显示区，所述显示区包括多个亚像素区；所述显示基板还包括设置于所述平坦层远离所述衬底一侧，且位于显示区的多个发光器件，以及像素界定层；所述像素界定层呈网格状，所述发光器件一一对应的设置与一个网格内；所述发光器件包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述平坦层和第二电极之间；所述薄膜晶体管包括一一对应的设置于每个所述亚像素区的驱动晶体管，所述第一电极和所述驱动晶体管的漏极通过设置于所述平坦层中的第一过孔电连接。
可选的，所述平坦层和所述发光器件之间还设置有一绝缘层，所述绝缘层中设置有多个第二过孔，所述第二过孔和所述第一过孔的位置一一对应，且沿所述衬底的厚度方向，相对应设置的第一过孔和第二过孔的正投影之间具有交叠，所述绝缘层的材料为无机材料。
另一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括如上所述的显示基板。
再一方面，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：在衬底上依次形成栅金属层、源漏金属层和平坦层，所述栅金属层包括栅极；所述源漏金属层包括源极和漏极；所述栅极、所述源极和所述漏极用于构成薄膜晶体管；所述制备方法还包括：在所述源漏金属层远离衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处形成辅助图案，使所述辅助图案与所述平坦层接触，所述辅助图案的材料包括疏油材料。
可选的，在所述辅助图案的材料为有机光刻胶材料的情况下，在所述源漏金属层远离衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处形成辅助图案；包括：在所述源漏金属层远离衬底的表面形成光刻胶材料层，直接通过曝光、显影、刻蚀工艺形成所述辅助图案；在所述辅助图案的材料包括无机材料的情况下，在所述源漏金属层远离衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处形成辅助图案；包括：在所述源漏金属层远离衬底的表面形成无机材料层，并依次在所述无机材料层上形成双亲材料层和光刻胶层，通过曝光、显影、刻蚀工艺形成所述辅助图案。
可选的，在所述平坦层包括第一平坦子层和第二平坦子层，且所述第一平坦子层和所述第二平坦子层的材料均为有机材料的情况下；形成所述平坦层，包括：在形成辅助图案的衬底上形成第一平坦子层，并通过非水平接触方式在所述第一平坦子层和所述辅助图案上形成第二平坦子层；或者，在形成辅助图案的衬底上形成第一平坦子层，在所述第一平坦子层和所述辅助图案上形成第一间隔层，在所述第一间隔层上形成所述第二平坦子层，所述第一间隔层的材料为无机材料。
可选的，在所述显示基板还包括多个发光器件，该发光器件包括第一电极和第二电极，且所述薄膜晶体管包括一一对应的设置与每个亚像素区的驱动晶体管的情况下；所述制备方法还包括：通过曝光、刻蚀工艺在所述平坦层中形成用于电连接所述第一电极和驱动晶体管的漏极的第一过孔。
可选的，通过曝光、刻蚀工艺在所述平坦层中形成用于电连接所述第一电极和驱动晶体管的漏极的第一过孔，包括：通过非水平接触方式在所述平坦层上形成光刻胶，直接通过曝光、刻蚀工艺在所述平坦层中形成所述第一过孔；或者，在所述平坦层上形成第二间隔层，通过曝光、刻蚀工艺在所述第二间隔层上形成多个第二过孔，并在形成有第二过孔的所述第二间隔层的掩膜下，在所述平坦层中形成所述第一过孔，所述第二间隔层的材料为无机材料。
可选的，所述第二间隔层的材料为绝缘材料或金属材料。
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法和显示面板。通过在源漏金属层远离衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处设置辅助图案，由于该辅助图案的材料包括疏油材料，因此，在设置有该辅助图案的衬底上制作平坦层时，为了提高平坦化程度，利用平坦化材料为有机材料，在进行平坦化时，由于疏油材料的存在，能够使平坦化材料填充在较低位置，在最高位置处不会进行留存，与直接在衬底上制作平坦层，原先较高部分仍然具有平坦化材料留存，以及原先较低部分的平坦化材料有毛细现象，使得平坦化材料具有形貌跟随，即原先较高部分相对于原先较低部分更高相比，能够使平坦化材料优先填充在较低位置，从而能够提高平坦化效果。尤其适用于大尺寸面板中为了降低压降，将栅金属层和源漏金属层的布线加厚，使得高低起伏增大的情况。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种基于图1中A-A’方向的剖视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种基于图1中A-A’方向的剖视结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种基于图1中A-A’方向的剖视结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种基于图1中A-A’方向的剖视结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种基于图1中A-A’方向的剖视结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种基于图1中A-A’方向的剖视结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程示意图；
图9为本发明实施例提供的一种在衬底上依次形成栅金属层和源漏金属层后的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种基于图9形成辅助图案的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种基于图9在源漏金属层上形成光刻胶的结构示意图；
图12为本发明提供的一种基于图9在源漏金属层上依次形成无机材料层、双亲材料层和光刻胶材料层的结构示意图；
图13为本发明提供的一种基于图12形成辅助图案的结构示意图；
图14为本发明提供的一种基于图10形成第一平坦子层的结构示意图；
图15为本发明提供的一种基于图14形成第二平坦子层的结构示意图；
图16为本发明提供的一种基于图14形成第一间隔层的结构示意图；
图17为本发明提供的一种基于图16形成第二平坦子层的结构示意图；
图18为本发明提供的一种基于图15形成光刻胶的结构示意图；
图19为本发明提供的一种基于图17形成第二间隔层的结构示意图；
图20为本发明提供的一种基于图19形成绝缘层的结构示意图；
图21为本发明提供的一种基于图20形成第一过孔的结构示意图；
图22为本发明提供的一种基于图21去除第二间隔层的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本发明的实施例提供一种显示面板，如图1所示，包括显示基板1。
如图1所示，该显示基板1具有显示区(Active Area，AA)A和位于显示区A周边的周边区S；周边区S用于布线，也可以设置驱动电路(如栅极驱动电路等)。显示区A设置有多个亚像素P，每个亚像素P一一对应的设置于一个亚像素区Q。
这里如图1所示，以多个该亚像素P呈矩阵形式排列为例进行说明。在此情况下，沿水平方向X排列成一排的亚像素P称为同一行亚像素，沿竖直方向Y排列成一排的亚像素P称为同一列亚像素。同一行亚像素P可以与一根栅线连接，同一列亚像素P可以与一根数据线连接。
如图2所示，该显示基板1包括衬底11，依次设置于该衬底11上的栅金属层12、源漏金属层13和平坦层14。如图2和图3所示，该栅金属层12包括栅线、栅极121，该源漏金属层13包括数据线、源极131和漏极132。其中，该栅极121、源极131和漏极132用于构成薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。
这里，需要说明的是，如图2所示，该薄膜晶体管除包括栅极121、源极131和漏极132以外，还包括有源层151。以该薄膜晶体管TFT为顶栅型薄膜晶体管为例，该薄膜晶体管TFT还可以包括遮光层152，此时，如图2所示，遮光层152、有源层151、栅极121、源极131和漏极132沿远离衬底11的方向依次设置。
基于以上结构，本发明的一实施例中，如图2所示，该显示基板1还包括设置于该源漏金属层13远离衬底11的表面，且距离该衬底11最高位置处的辅助图案16，该辅助图案16与平坦层14接触；该辅助图案16的材料包括疏油材料。
基于此，通过在源漏金属层13远离衬底11的表面，且距离该衬底11最高位置处设置辅助图案16，由于该辅助图案16的材料包括疏油材料，因此，在设置有该辅助图案16的衬底11上制作平坦层14时，为了提高平坦化程度，利用平坦化材料为有机材料，在进行平坦化时，由于疏油材料的存在，能够使平坦化材料填充在较低位置，在最高位置处不会进行留存，与直接在衬底11上制作平坦层14，原先较高部分仍然具有平坦化材料留存，以及原先较低部分的平坦化材料有毛细现象，使得平坦化材料具有形貌跟随，即原先较高部分相对于原先较低部分更高相比，能够使平坦化材料优先填充在较低位置，从而能够提高平坦化效果。尤其适用于大尺寸面板中为了降低压降，将栅金属层12和源漏金属层13的布线加厚，使得高低起伏增大的情况。
其中，该辅助图案16的材料可以为有机材料或无机材料，该辅助图案16也可以为单层结构或多层结构，在此均不做具体限定。
为了便于图形化，减少制作工序，第一种可能的情况下，如图2所示，该辅助图案16为单层结构，且该辅助图案16的材料为有机光刻胶材料。
第二种可能的情况下，如图3所示，该辅助图案16为多层结构，沿远离衬底的方向依次包括第一子层161、第二子层162和第三子层163，该第一子层161的材料为无机材料，第二子层162的材料为双亲材料，第三子层163的材料为有机光刻胶材料。
其中，在第二种可能的情况下，通过在第一子层161和第三子层163之间形成第二子层162，还能够提高有机光刻胶材料和无机材料之间的粘附效果。
其中，可选的，该无机材料可以为氧化硅或氮化硅。该双亲材料可以为六甲基二硅氮烷(HMDS)。
还需要说明的是，以上所述的有机光刻胶材料可以包括有机材料，以及光致引发剂，图形化的原理为：在经过曝光后，有机材料在光致引发剂的引发下发生反应，生成疏油材料，未经过曝光的材料显影去除。
其中，该平坦层14可以通过一次工艺制作而成，也可以通过多次工艺制作而成，在此不做具体限定。
本发明的一实施例中，如图2和图3所示，该平坦层14包括沿远离衬底11的方向依次设置的第一平坦子层141和第二平坦子层142，其中，该第二平坦子层142覆盖第一平坦子层141和该辅助图案16。即，该平坦层14通过两次工艺制作而成。
其中，为了满足对平坦化的厚度要求，该第一平坦子层141和第二平坦子层142的材料可以均为有机材料。
基于此，为了避免在第一平坦子层141和辅助图案16上涂敷第二平坦子层142时，由于该第二平坦子层142中的有机溶剂的存在，而对该第一平坦子层141粘连造成拖尾现象，从而造成涂布不均的问题，本发明的一可选实施例中，如图4所示，该平坦层14还包括第一间隔层143，该第一间隔层143设置于第一平坦子层141和第二平坦子层142之间，且该第一间隔层143的材料为无机材料。
即，通过该第一间隔层143对第一平坦子层141和第二平坦子层142进行间隔，能够避免涂布不均，从而能够提高平坦化效果。
其中，可选的，该无机材料可以为绝缘材料，如氧化硅或氮化硅等。
需要说明的是，在实际制作过程中，在该平坦层14还包括第一间隔层143的情况下，可以对第一平坦子层141、第二平坦子层142和第一间隔层143进行一次图形化，无需对第一间隔层143进行单独图形化。
基于此，本发明的一实施例中，如图4所示，该第一间隔层143的厚度为500-1000埃。厚度太厚，在对第一平坦子层141、第二平坦子层142和第一间隔层143一起图形化时，第一间隔层143与第一平坦子层141和第二平坦子层142之间具有一个刻蚀率差异，容易导致第一间隔层143刻蚀后存在一个凸起，厚度太薄，会由于均一性差异而造成有些地方覆盖不到该第一间隔层143。
可选的，如图4所示，该第一间隔层143的厚度为1000埃。
本发明的又一实施例中，如图5所示，该显示基板1还包括设置于平坦层14远离衬底11一侧，且位于显示区A的多个发光器件17，以及像素界定层18，该像素界定层18呈网格结构，该发光器件17一一对应的设置于一个网格内。该薄膜晶体管TFT包括一一对应的设置于每个亚像素区Q的驱动晶体管TFT1，该发光器件17包括第一电极171和第二电极172，该第一电极171设置于该平坦层14和第二电极172之间，该平坦层14和辅助图案16中设置有用于电连接该第一电极171和驱动晶体管TFT1的漏极132的第一过孔O1。
在此，该发光器件17可以为OLED发光器件。这时，该OLED发光器件除包括以上所述的第一电极171和第二电极172以外，还包括设置于第一电极171和第二电极172之间的发光功能层173，在一些实施例中，发光功能层173包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层173除包括发光层外，还包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(holeinjection layer，简称HIL)中的一层或多层。
其中，需要说明的是，在本发明实施例中，在该平坦层14上形成像素界定层18和发光器件17之前，能够提高段差的平坦化程度，因此，能够满足打印对平整度的要求，从而有利于采用打印技术制作该显示基板1，尤其适用于对大尺寸显示面板的制作，另外，与采用蒸镀的方式进行制作相比，还能够避免使用掩模版，从而能够节约成本。
本发明的又一实施例中，如图6所示，该平坦层14和该发光器件17还设置有一绝缘层191，该绝缘层191中设置有多个第二过孔O2，第二过孔O2与第一过孔O1的位置一一对应，且沿衬底11的厚度方向，相对应设置的第一过孔O1和第二过孔O2的正投影之间具有交叠，该绝缘层191的材料为无机材料。
在本发明实施例中，在通过曝光、刻蚀工艺对该平坦层14进行图形化时，需要在该平坦层14上形成光刻胶层，由于光刻胶的材料为有机材料，因此，在形成光刻胶层之前，通过在该平坦层14上形成绝缘层191，由于该绝缘层191的材料为无机材料，因此，能够对平坦层14和光刻胶层进行隔离，从而能够防止在涂敷光刻胶层时，由于光刻胶层中的有机溶剂的存在，光刻胶层和平坦层14之间粘连而造成拖尾，从而造成涂布不均的问题，同时，在形成该绝缘层191之后，通过曝光、刻蚀工艺在绝缘层191中形成多个第二过孔O2，还能够在形成有第二过孔O2的绝缘层191的掩膜作用下在该平坦层14中形成该第一过孔O1。
其中，可选的，该绝缘层191的材料为氧化硅或氮化硅等。
本发明的又一实施例中，如图7所示，该显示基板1还可以包括钝化层192，该钝化层192设置于该辅助图案16靠近衬底11一侧，该钝化层192覆盖整个衬底11，且该钝化层192中还设置有多个第三过孔O3，该第三过孔O3与第一过孔O1的位置一一对应，且沿该衬底11的厚度方向，该第三过孔O3和第一过孔O1的正投影之间具有交叠。
其中，该钝化层192中的第三过孔O3、平坦层14和辅助图案16中的第一过孔O2，以及绝缘层191中的第二过孔O2均可以通过同一次构图工艺形成，也可以通过不同的构图工艺形成。
本发明的实施例提供一种显示基板的制备方法，参见图8，包括：
S11、在衬底11上依次形成栅金属层12、源漏金属层13和平坦层14，该栅金属层12包括栅极121；该源漏金属层13包括源极131和漏极132；该栅极121、源极131和漏极132用于构成薄膜晶体管TFT。
其中，该栅金属层12还包括栅线，该源漏金属层13还包括数据线。基于此，该栅金属层12和源漏金属层13均可以通过构图工艺形成。
其中，该薄膜晶体管TFT除包括栅极121、源极131和漏极132之外，还包括有源层151和遮光层152。基于此，在衬底11上依次形成该栅金属层12、源漏金属层13和平坦层14之前，还可以包括：在衬底11上依次形成遮光层152和有源层151，得到如图9所示的结构。具体制作工艺在此不再赘述。
本发明的一实施例中，该制备方法还包括：S12、在该源漏金属层13远离衬底11的表面，且距离该衬底11最高位置处形成辅助图案16，使辅助图案16与平坦层14接触，该辅助图案16的材料为疏油材料，得到如图10所示的结构。
本发明实施例提供的显示基板的制备方法的有益技术效果和本发明实施例提供的显示基板的有益技术效果相同，在此不再赘述。
其中，根据该辅助图案16的材料不同，可以通过不同的制备工艺获得。
本发明的一实施例中，在该辅助图案16的材料为有机光刻胶材料的情况下，在该源漏金属层13远离衬底11的表面，且距离衬底11最高位置处形成辅助图案16；包括：
在该源漏金属层13远离衬底11的表面形成光刻胶材料层100，得到如图11所示的结构。直接通过曝光、显影、刻蚀工艺，在该源漏金属层13远离衬底11的表面，且距离衬底11最高位置处形成该辅助图案16，得到如图10所示的结构。
在本发明实施例中，通过选用有机光刻胶材料制作该辅助图案16，与采用其他材料制作相比，能够简化制作工序。
本发明的又一实施例中，在该辅助图案16的材料包括无机材料的情况下，在该源漏金属层13远离衬底11的表面，且距离衬底11最高位置处形成辅助图案16；包括：
在该源漏金属层13远离衬底11的表面形成无机材料层200，依次在该无机材料层200上形成双亲材料层300和光刻胶层400，得到如图12所示的结构，通过曝光、显影、刻蚀工艺形成该辅助图案16，如图10和图13所示。
在本发明实施例中，在该辅助图案16的材料包括无机材料的情况下，具有两种可能的情形，第一种情形，如图10所示，该辅助图案16为单层结构的情形，这时，该辅助图案16的材料为无机材料，在对无机材料层200进行图形化时，需要在无机材料层200表面形成光刻胶层400，由于光刻胶层400的材料为有机材料，因此，通过依次在该无机材料层200上形成双亲材料层300和光刻胶层400，再通过曝光、刻蚀工艺形成辅助图案16，能够提高无机材料层200和光刻胶层400之间的粘附作用，从而能够避免光刻胶层400涂布不均的问题。在这种情形下，在刻蚀完成之后，还包括：将光刻胶层400和双亲材料层300去除的步骤。
第二种情形，如图13所示，该辅助图案16为多层结构，包括第一子层161、第二子层162和第三子层163的情形，这时，第一子层161为无机材料层，第二子层162为双亲材料层，第三子层163为光刻胶层，在这种情形下，在刻蚀完成后，无需去除光刻胶层400和双亲材料层300，能够简化制作工序。
本发明的又一实施例中，在该平坦层14包括第一平坦子层141和第二平坦子层142，且该第一平坦子层141和第二平坦子层142的材料均为有机材料的情况下；形成该平坦层14，包括两种可能的实现方式。
第一种可能的实现方式中，在形成辅助图案16的衬底11上形成第一平坦子层141，得到如图14所示的结构，并通过非水平接触方式在该第一平坦子层141和辅助图案16上形成第二平坦子层142，得到如图15所示的结构。
其中，在形成辅助图案16的衬底11上形成第一平坦子层141时，由于该辅助图案16的材料为疏油材料，而第一平坦子层141的材料为有机材料，因此，在制作第一平坦子层141时，能够避免第一平坦子层141在最高位置处留存，从而能够使第一平坦子层141优先填充在较低位置处，从而能够提高平坦化程度。
而在此基础上，通过在第一平坦子层141和辅助图案16上形成第二平坦子层142，能够进一步提高平坦化程度。
非水平接触方式是指在形成第二平坦子层142时，在第一平坦子层141所在平面的水平方向上不产生作用力的接触方式。如狭缝喷涂等方式。与旋涂方式不同，能够避免在第一平坦子层141和辅助图案16上涂敷第二平坦子层142时，由于该第二平坦子层142中的有机溶剂的存在，而对该第一平坦子层141粘连而发生拖尾现象，从而造成涂布不均的问题。
第二种可能的实现方式中，如图14所示，在形成辅助图案16的衬底11上形成第一平坦子层141。在该第一平坦子层141和辅助图案16上形成第一间隔层143，得到如图16所示的结构。在该第一间隔层143上形成第二平坦子层142，得到如图17所示的结构，该第一间隔层143的材料为无机材料。
在这种可能的实现方式中，通过采用第一间隔层143对第一平坦子层141和第二平坦子层142进行间隔，同样能够避免以上涂布不均的问题，从而能够提高平坦化效果。
本发明的又一实施例中，在该显示基板1还包括多个发光器件17，该发光器件17包括第一电极171和第二电极172，且该薄膜晶体管TFT包括一一对应的设置于每个亚像素区Q的驱动晶体管TFT1的情况下；该制备方法还包括：通过曝光、刻蚀工艺在该平坦层14和该辅助图案16中形成用于电连接该第一电极171和驱动晶体管TFT1的漏极132的第一过孔O1，得到如图2和图4所示的结构。
其中，在该平坦层14包括第一平坦子层141、第二平坦子层142和第一间隔层143的情况下，可以通过同一次构图工艺在该平坦层14中形成第一过孔O1，无需对第一间隔层143进行单独刻蚀。
其中，通过曝光、刻蚀工艺在该平坦层14和辅助图案16中形成用于电连接该第一电极181和驱动晶体管TFT1的漏极132的第一过孔O1，可以有两种可能的实现方式。
第一种可能的实现方式中，通过非水平接触的方式在该平坦层14上形成光刻胶100，得到如图18所示的结构，并直接通过曝光、刻蚀工艺在该平坦层14中形成第一过孔O1。
非水平接触方式是指在形成光刻胶100时，在平坦层14所在平面的水平方向上不产生作用力的接触方式。如狭缝喷涂等方式。与旋涂方式不同，能够避免在平坦层14上涂敷光刻胶100时，由于该光刻胶100中的有机溶剂的存在，而对该平坦层14造成粘结而发生拖尾现象，从而造成涂布不均的问题。
第二种可能的实现方式中，在该平坦层14上形成第二间隔层500，得到如图19所示的结构。通过曝光、刻蚀工艺在该第二间隔层500中形成多个第二过孔O2，即得到如图20所示的绝缘层191。并在形成有第二过孔O2的绝缘层191的掩膜下，在该平坦层14和辅助图案16中形成该第一过孔O1，得到如图21所示的结构，该第二间隔层500的材料为无机材料。
在这种可能的实现方式中，通过采用第二间隔层500对该平坦层14和光刻胶100进行间隔，同样能够避免以上涂布不均的问题，从而能够提高平坦化效果。
其中，可选的，该第二间隔层500的材料为绝缘材料或金属材料。
根据该第二间隔层500的材料为绝缘材料还是金属材料，可以有两种可能的情形。第一种情形下，该第二间隔层500的材料为金属材料，在刻蚀完成后，还包括将该绝缘层191去除的步骤，此时，即可得到如图22所示的结构。第二种情形下，该第二间隔层500的材料为绝缘材料，在刻蚀完成后，无需对该绝缘层191进行去除，与第一种情形相比，能够简化制作工序，此时，即可得到如图21所示的结构。
其中，可选的，该绝缘材料为氧化硅或氮化硅。
本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底、依次设置于所述衬底上的栅金属层、源漏金属层和平坦层；所述栅金属层包括栅极；所述源漏金属层包括源极和漏极；所述栅极、所述源极和所述漏极用于构成薄膜晶体管；
所述显示基板还包括设置于所述源漏金属层远离所述衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处的辅助图案；所述辅助图案在所述衬底上的正投影、仅覆盖所述源漏金属层对应最高位置处的部分在所述衬底上的正投影；所述辅助图案与所述平坦层接触；所述辅助图案的材料包括疏油材料。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述辅助图案为单层结构，所述辅助图案的材料为有机光刻胶材料或者无机材料；所述有机光刻胶材料包括有机材料和光致引发剂；经过曝光后，所述有机材料在所述光致引发剂的引发下生成疏油材料；或者，
所述辅助图案为多层结构，包括沿远离衬底的方向依次层叠设置的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料为无机材料，所述第二子层的材料为双亲材料，所述第三子层的材料为有机光刻胶材料；所述有机光刻胶材料包括有机材料和光致引发剂；经过曝光后，所述有机材料在所述光致引发剂的引发下生成疏油材料。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，
所述平坦层包括沿远离所述衬底的方向依次设置的第一平坦子层和第二平坦子层，其中，所述第二平坦子层覆盖所述第一平坦子层和所述辅助图案。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，
所述第一平坦子层和所述第二平坦子层的材料均为有机材料；
所述平坦层还包括第一间隔层，所述第一间隔层设置于所述第一平坦子层和所述第二平坦子层之间，且所述第一间隔层的材料为无机材料。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，
所述第一间隔层的厚度为500-1000埃。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板具有显示区，所述显示区包括多个亚像素区；
所述显示基板还包括设置于所述平坦层远离所述衬底一侧，且位于所述显示区的多个发光器件，以及像素界定层；所述像素界定层呈网格状，所述发光器件一一对应的设置于一个网格内；
所述发光器件包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述平坦层和所述第二电极之间；
所述薄膜晶体管包括一一对应的设置于每个所述亚像素区的驱动晶体管，所述第一电极和所述驱动晶体管的漏极，通过设置于所述平坦层和所述辅助图案中的第一过孔电连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，
所述平坦层和所述发光器件之间还设置有一绝缘层，所述绝缘层中设置有多个第二过孔，所述第二过孔和所述第一过孔的位置一一对应，且沿所述衬底的厚度方向，相对应设置的所述第一过孔和所述第二过孔的正投影之间具有交叠，所述绝缘层的材料为无机材料。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成栅金属层、源漏金属层和平坦层，所述栅金属层包括栅极；所述源漏金属层包括源极和漏极；所述栅极、所述源极和所述漏极用于构成薄膜晶体管；
所述制备方法还包括：在所述源漏金属层远离衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处形成辅助图案，使所述辅助图案与所述平坦层接触；所述辅助图案在所述衬底上的正投影、仅覆盖所述源漏金属层对应最高位置处的部分在所述衬底上的正投影；所述辅助图案的材料包括疏油材料。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，
在所述辅助图案的材料为有机光刻胶材料的情况下，所述有机光刻胶材料包括有机材料和光致引发剂；经过曝光后，所述有机材料在所述光致引发剂的引发下生成疏油材料；在所述源漏金属层远离衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处形成辅助图案；包括：
在所述源漏金属层远离衬底的表面形成光刻胶材料层，直接通过曝光、显影、刻蚀工艺形成所述辅助图案；
或者，
在所述辅助图案的材料包括无机材料的情况下，在所述源漏金属层远离衬底的表面，且距离所述衬底最高位置处形成辅助图案；包括：
在所述源漏金属层远离衬底的表面形成无机材料层，并依次在所述无机材料层上形成双亲材料层和光刻胶层，通过曝光、显影、刻蚀工艺形成所述辅助图案；其中，所述光刻胶层包括有机材料和光致引发剂；经过曝光后，所述有机材料在所述光致引发剂的引发下生成疏油材料。
11.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，
在所述平坦层包括第一平坦子层和第二平坦子层，且所述第一平坦子层和所述第二平坦子层的材料均为有机材料的情况下；形成所述平坦层，包括：
在形成辅助图案的衬底上形成第一平坦子层，并通过非水平接触方式在所述第一平坦子层和所述辅助图案上形成第二平坦子层；或者
在形成辅助图案的衬底上形成第一平坦子层，在所述第一平坦子层和所述辅助图案上形成第一间隔层，在所述第一间隔层上形成所述第二平坦子层，所述第一间隔层的材料为无机材料。
12.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述显示基板还包括多个发光器件，该发光器件包括第一电极和第二电极，且所述薄膜晶体管包括一一对应的设置与每个亚像素区的驱动晶体管的情况下；
所述制备方法还包括：通过曝光、刻蚀工艺在所述平坦层和所述辅助图案中形成用于电连接所述第一电极和驱动晶体管的漏极的第一过孔。
13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于，通过曝光、刻蚀工艺在所述平坦层和所述辅助图案中形成用于电连接所述第一电极和驱动晶体管的漏极的第一过孔，包括：
通过非水平接触方式在所述平坦层上形成光刻胶，直接通过曝光、刻蚀工艺在所述平坦层和所述辅助图案中形成所述第一过孔；或者
在所述平坦层上形成第二间隔层，通过曝光、刻蚀工艺在所述第二间隔层上形成多个第二过孔，并在形成有第二过孔的所述第二间隔层的掩膜下，在所述平坦层和所述辅助图案中形成所述第一过孔，所述第二间隔层的材料为无机材料。
14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二间隔层的材料为绝缘材料或金属材料。
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