JPH1167461A

JPH1167461A - 電界発光素子及びその製造方法

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Publication number: JPH1167461A
Application number: JP9235512A
Authority: JP
Inventors: Hiroyasu Sadabetto; 裕康定別当
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1997-08-18
Filing date: 1997-08-18
Publication date: 1999-03-09
Anticipated expiration: 2017-08-18
Also published as: JP3900611B2

Abstract

(57)【要約】【課題】有機ＥＬ層を劣化させることなく、ドライエ
ッチングにより電極を形成でき、電極の微細化や基板の
大型化を可能にする、電界発光素子及びその製造方法を
を提供する。【解決手段】有機ＥＬ層１３上に、順次、ＭｇＩｎで
なる第１金属層１４、Ａｌでなる第２金属層１５、Ｃｒ
でなるブロッキング層１６を積層することにより、ブロ
ッキング層上にフォトリソグラフィー技術を用いてフォ
トレジスト１７をパターン形成する際に、現像液や水分
が第２金属層１５を通過して第１金属層１４や有機ＥＬ
層１３へ浸入するのを防止することができる。このた
め、ドライエッチングのマスクとしてのフォトレジスト
１７のパターニングが可能となり、有機ＥＬ層１３を劣
化させることなく、ブロッキング層１６と第２金属層１
４をドライエッチングできる。また、露出した第１金属
層１４は、酸化されて絶縁部分１４Ａとなるため、実質
的にカソード電極の微細なパターン形成が可能となり、
有機ＥＬ層１３の劣化のない電界発光素子の製造方法を
実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電界発光素子の
製造方法に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）素子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電界発光素子として、有機エレク
トロルミネッセンス材料層を用いた有機ＥＬ素子が注目
されている。この有機ＥＬ素子は、最近、寿命の向上が
報告されており、益々、表示デバイスとして有望である
と考えらえている。

【０００３】この有機ＥＬ素子の構成は、図１２に示す
ように、ガラスやプラスチックでなる透明基板１の上
に、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）でなるアノード
電極２が所定方向に沿って複数が平行に形成されてい
る。この透明基板１及びアノード電極２の上には、単数
または複数の有機材料層でなる有機ＥＬ層３が表示領域
に亙って形成されている。そして、有機ＥＬ層３の上に
は、アノード電極２と交差する方向に沿って、例えばＭ
ｇＩｎ、ＭｇＡｇなどの低仕事関数の材料でなる、複数
のカソード電極４が互いに平行に形成されている。この
ような構成において、図１３に示すように、アノード電
極２とカソード電極４とが交差する部分の有機ＥＬ層３
に、正孔と電子が注入されることにより発光し、マトリ
クス駆動が行われるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ層３上のカソード電極
４をパターニングする場合に、カソード電極４の構成材
料が低仕事関数で酸化され易いＭｇＩｎやＭｇＡｇなど
であるため、ドライエッチングを行うのに適切なエッチ
ングガスがないという問題点がある。また、有機ＥＬ層
３がフォトリソグラフィー工程で用いる、露光用の光
（ｉ線、ｇ線、紫外光等）や、現像液などの溶剤や、水
分などに弱いため、有機ＥＬ層３が劣化されるという問
題点があった。このため、カソード電極４のパターニン
グには、ドライエッチング技術を用いることができなか
った。

【０００５】従って、図１４に示すようなハードマスク
５を用いての電極形成が行われていた。このハードマス
ク５は、電極ラインが形成されるスリット部５Ａと、電
極間スペースとなる非開口部５Ｂとが形成されている。
このようなハードマスク５では、微細化や大型化が困難
である。微細化では、０．１ｍｍ弱のラインアンドスペ
ースが限界である。また、通常のハードマスクは、電極
形成膜の上に密着させるため、微細パターンの大型マス
クの形成は極めて困難であり、たとえ出来たとしてもマ
スクの自重による変形の可能性があり、またアライメン
トが難しく、装置振動などによってパターン転写の信頼
性が大幅に低下するという問題がある。

【０００６】この発明が解決しようとする課題は、有機
ＥＬ層を劣化させることなく、ドライエッチングにより
微細パターンの電極を形成できる、電界発光素子及びそ
の製造方法を得るにはどのような手段を講じればよいか
という点にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一対の電極に挟まれた電界発光素子において、前記一対
の電極の一方は、第１金属層と、この第１金属層上に形
成された第２金属層と、第２金属層の結晶構造と異なる
結晶構造を有するブロッキング層と、を有することを特
徴としている。請求項１記載の発明では、互いに異なる
結晶構造からなる第２金属層及びブロッキング層が、そ
の下の第１金属層を保護することができるので、酸素や
パターニング等に用いられる溶液が第１金属層に到達す
ることによる浸食を防止することができる。このため、
第１金属層を酸化されやすい低仕事関数の金属材料を用
いることができる。請求項２記載の発明は、電界発光素
子の製造方法であって、有機ＥＬ層上に第１金属層を形
成する工程と、前記第１金属層の上に第２金属層を積層
する工程と、前記第２金属層の上に第２金属層の結晶構
造と異なる結晶構造を有するを積層する工程と、前記ブ
ロッキング層の上にレジストを電極パターンに形成する
工程と、前記ブロッキング層及び前記第２金属層をドラ
イエッチングして前記第１金属層を露出させる工程と、
を備えることを特徴としている。

【０００８】請求項２記載の発明では、ブロッキング層
を第２金属層の上に積層することにより、レジストパタ
ーンの形成に伴う物理的および化学的な影響を抑制する
ことができる。すなわち、ブロッキング層が第２金属層
の結晶構造と異なるので、フォトリソグラフィー工程に
おける現像液や水分やレジストが硬化するまでレジスト
内に含まれる溶剤が第２金属層を介して第１金属層を浸
食することを防止することができる。

【０００９】請求項３記載の発明は、前記レジストが、
フォトレジストであり、露出・現像によりパターン形成
されることを特徴としている。請求項３記載の発明で
は、フォトリソグラフィー技術を用いた場合に現像液や
水分が第１金属層や有機ＥＬ層へ浸入するのを防止し
て、電極として形成すべき部分の第１金属層の高抵抗化
を防止すると共に、有機ＥＬ層の劣化を抑制する作用が
ある。

【００１０】請求項４記載の発明は、前記第１金属層
が、Ｍｇ、ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなど低仕事関
数の材料であることを特徴としている。

【００１１】請求項５記載の発明は、前記第２金属層
が、Ａｌであることを特徴としている。請求項６記載の
発明は、前記ブロッキング層が、前記第２金属層より緻
密な結晶構造を有する金属でなることを特徴としてい
る。請求項７記載の発明は、前記ブロッキング層が、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗなどの、第２金属層よりバリア性の
高いでなることを特徴としている。

【００１２】請求項５〜請求項７記載の発明では、緻密
な結晶構造を持つバリア性の高いブロッキング層がＡｌ
でなる第２金属層の結晶界面を覆うため、現像液や水分
が第２金属層、延いては第１金属層や有機ＥＬ層へ浸入
するのを防止することができる。

【００１３】請求項７記載の発明は、前記ブロッキング
層が、前記第２金属層と成膜条件の異なる緻密な結晶構
造を持つ同一金属でなることを特徴としている。

【００１４】請求項８記載の発明では、ブロッキング層
を第２金属層と同一金属で形成することができるため、
成膜源としての材料を変える必要がなく製造工程を容易
にすることができる。請求項９記載の発明では、前記第
１金属層を露出させる工程の後に、前記レジストを酸素
系雰囲気でアッシングする工程と、を備えることを特徴
としている。この製造方法によれば、露出した部分の第
１金属層は、酸素系雰囲気でのアッシングにより酸化さ
れて容易に高抵抗化するため、実質的に電極部分のパタ
ーニングが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光素
子及びその製造方法の詳細を図面に示す各実施形態に基
づいて説明する。（実施形態１）図１（ａ）に示すように、ガラスまたは
合成樹脂でなる透明基板１１の上に、ＩＴＯでなるアノ
ード電極１２を形成する。なお、このアノード電極１２
は、ＩＴＯ膜を蒸着した後、リソグラフィー技術及びエ
ッチング技術（ウェットエッチングまたはドライエッチ
ング）を用いて行方向に延在する複数のストライプ形状
に形成する。その後、透明基板１１及びアノード電極１
２の上に、例えばα−ＮＰＤ；Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフ
チル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミンとＢｅｂｑ２；ビス（10-ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリン）化ベリリウムを蒸着により順
次積層して２層構造の有機ＥＬ層１３を形成する。この
有機ＥＬ層１３は、電界発光素子の表示領域全体に亙っ
て形成する。その後、有機ＥＬ層１３上に、ＭｇＩｎで
なる第１金属層１４を３３Å〜２００Å程度の層厚で低
温条件で蒸着して成膜する。第１金属層１４としては、
この他に、Ｍｇ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどのカソードと
して適した電子注入性のよい低仕事関数の材料を用いる
ことができる。第１金属層１４は、有機ＥＬ層１３への
電子注入を目的としてなされたものであり、発光領域全
面に成膜されれば薄くてもよい。次に、第１金属層１４
の上に、Ａｌでなる第２金属層１５を２９００Å〜４３
００Å程度の層厚で蒸着する。第２金属層１５は、図３
に示すように多結晶的な粒状の複数の塊となって成膜さ
れ、低抵抗の配線の役割をとともに、第１金属層１４の
酸化を保護する第１保護膜として機能する。さらに、第
２金属層１５の上に、クロム（Ｃｒ）でなるブロッキン
グ層１６を蒸着により比較的薄く（２５０Å程度）成膜
する。ブロッキング層１６は、第２金属層１５の材料の
結晶構造と異なる結晶構造で形成され、第２金属層１５
の結晶粒子の間の隙間を覆うように埋設され、第１金属
層１４の酸化を保護する第２保護膜として機能する。な
お、ブロッキング層１６としては、Ｃｒの他に、Ｎｉ、
Ｔｉ、ＷなどのＡｌよりバリア性の高い金属を用いるこ
とができる。

【００１６】次に、第２金属層１６の上に、フォトレジ
スト１７を塗布した後、露光・現像を行い、図１（ｂ）
に示すように溝１７Ａを形成する。この溝１７Ａは、形
成しようとするカソード電極の電極間スペースのパター
ンとなるように予め露光用フォトマスク（図示省略す
る）により設定されている。また、第２金属層１６の上
に残ったフォトレジスト１７のパターンは、列方向に延
在する複数のストライプ形状のカソード電極のラインパ
ターンになるように設定されている。なお、このフォト
レジスト１７のパターニングにおいては、現像工程、水
洗工程の他に、プリベーキング工程やポストベーキング
工程があるが、これらのベーキング工程は、有機ＥＬ層
１３の劣化を防ぐために、有機ＥＬ層１３の材料のガラ
ス転移温度を越えない８０℃程度の低温で比較的時間を
かけて行う。因に、上記した有機ＥＬ層１３は、１００
℃、２４時間で殆ど劣化が発生しないことが確認されて
いる。

【００１７】その後、図２（ａ）に示すように、フォト
レジスト１７をエッチングマスクとして、異方性のドラ
イエッチング（例えばＲＩＥ）を行って、ブロッキング
層１６と第２金属層１５を連続的にドライエッチングす
る。なお、ブロッキング層１６と第２金属層１５のエッ
チングガスは例えば塩素系のガス（ＣＣｌ₄-Ｏ₂）など
を用いることにより、連続的に行うことが可能である
が、ブロッキング層１６と第２金属層１５のエッチング
ガスをそれぞれに応じて異なるガス系を用いてもよい。
第２金属層１５をエッチングするガスとしては、ＢＣｌ
₃＋Ｃｌ₂等がある。

【００１８】上記したドライエッチングにより、露出し
た部分の第１金属層１４は、その後自然酸化を受ける
が、次に行うレジスト剥離工程でＯ₂アッシングにより
強制酸化されて、図２（ｂ）に示すように絶縁部分１４
Ａとなる。このようにして、有機ＥＬ層１５の上に形成
された第１金属層１４は、エッチングされる訳ではない
が絶縁部分１４Ａが形成されることによってパターン形
成が行われる。即ち、この絶縁部分１４Ａは、カソード
電極１８どうしの間のスペース部となり、隣接するカソ
ード電極１８どうしを電気的に隔離することができる。
このようにして、アノード電極１２とカソード電極１８
とが、有機ＥＬ層１３を介して交差する電界発光素子１
０の製造が完了する。因みに、第１金属層１４の層厚が
３０Å程度で第２金属層１５の層厚を２９００Åのもの
と、第１金属層１４の層厚が２００Å程度で第２金属層
１５の層厚を４３００Åのものを試作して、電界発光素
子１０の発光輝度を測定した結果、両者とも１.２万ｃ
ｄ／ｃｍ²Ω以上を得ることができた。また、膜厚が５
５ÅのＭｇＩｎ膜が自然酸化された場合の抵抗は、約１
×１０¹³／□以上となり、十分に電気絶縁領域として用
いることができることが判った。

【００１９】上記した製造方法において、Ａｌでなる第
２金属層１５の上にＣｒでなるブロッキング層１６を積
層した理由を以下に説明する。即ち、図３に示すよう
に、第１金属層１４の上に蒸着により形成したＡｌは、
半導体集積回路のＡｌ配線形成で見られる所謂バンブー
構造となり、Ａｌの粒界に隙間が存在している。このた
め、ブロッキング層１６を積層することにより、Ｃｒを
Ａｌの粒界に成長させて隙間を詰めることができ、フォ
トリソグラフィー工程において現像液や水分がＭｇＩｎ
でなる第１金属層１４や有機ＥＬ層１３へ浸入するのを
防止して、ＭｇＩｎが酸化されて高抵抗化したり、有機
ＥＬ層１３が劣化を起こして電界発光素子１０にダーク
スポットが発生するなどの不都合を防止している。

【００２０】本実施形態では、ブロッキング層１６とし
て、Ａｌと結晶構造の異なるＣｒを用いたが、図４に示
すように、第２金属層１５と同種の金属（Ａｌ）でなり
結晶構造の異なるブロッキング層１６Ａを積層するよう
にしてもよい。なお、同種の金属で結晶構造が異なる膜
を形成するには、成膜方法、成膜条件を変えることによ
り可能となる。また、同種金属を第２金属層１５上へ成
膜する他の方法としては、蒸着の他に、イオンプレーテ
ィング、スパッタリングによりＡｌやＡｌ合金でなる緻
密な金属層を形成することができる。なお、イオンプレ
ーティングにより成膜する場合には、基板のバイアス電
圧を制御して通常の熱蒸着と同様にダメージの低い条件
で第２金属層１５を形成し、その後第２金属層１５同種
の材料からなる成膜粒子の運動エネルギーを高めてこの
成膜粒子を基板側へ導くことにより、緻密な同種の金属
層を蒸着源を変えずに連続して成膜することができる。
しかしながら、本実施形態では、第２金属層１５とブロ
ッキング層１６とが同種金属どうしとするより、第２金
属層１５をＡｌで形成し、現像液や水分に対するブロッ
キング作用（バリア性）が高い異種金属であるＣｒをブ
ロッキング層１６とするのが好ましい。また第２金属層
１５は、第１金属層１４の材料の少なくとも１種及び第
１金属層１４には含まれない材料の少なくとも１種から
なる合金により第１金属層１４とは異なる緻密な結晶構
造としてもよい。

【００２１】なお、図５（ａ）に示すように、ガラス基
板１９上に、ＩＴＯ膜２０とＡｌ膜２１を順次積層した
ものであり、この構造においては現像液がＡｌ膜２１を
通過してＩＴＯ膜２０へ到達して、Ａｌ膜２１とＩＴＯ
膜２０との間で電池反応発生するが、図５（ｂ）に示す
ように、Ａｌ膜２１の上にＣｒ膜２２を積層しておく
と、現像液はＣｒ膜２２でブロッキングされてＩＴＯ膜
２０へ到達せず電池反応を起こさないことが確認され
た。このときのＣｒ膜２２の膜厚は、２５ｎｍ程度で十
分にバリア性を有していることが判った。

【００２２】本実施形態では、カソード電極にブロッキ
ング層１６を設けることにより、カソード電極をドライ
エッチングで形成するためのレジストパターンを現像を
含むフォトリソグラフィー技術により形成することが可
能となる。このように、フォトリソグラフィー工程を施
すことを可能にしたことにより、μｍオーダの電極パタ
ーンの形成が可能になると共に、大型基板への微細電極
の形成が可能になる。このため、高精細且つ大画面の有
機ＥＬ素子を実現することができる。

【００２３】以上、実施形態１について説明したが、本
発明はこれ以外にも、例えば、図６に示すように、第１
金属層１４の上に積層された、ＩＴＯでなる透明金属層
２３との２層構造のカソード電極を形成しようとする場
合にも本発明を適用することができる。即ち、透明金属
層２３の上にＡｌでなる比較的膜厚の厚い第２金属層１
５を積層し、さらに第２金属層１５の上に、Ｃｒでなる
ブロッキング層１６を成膜して、フォトリソグラフィー
工程及びドライエッチング工程を行うことで、ブロッキ
ング層１６でフォトリソグラフィーに伴う現像液や水分
の浸入を阻止すると共に、第２金属層１５で露光に伴う
紫外光などが有機ＥＬ層１３へ入射して有機ＥＬ層１３
を劣化させるのを防止することができる。なお、この場
合には、透明金属層２３までをドライエッチングした
後、Ｏ₂アッシングを行って第１金属層１４に不要部分
を酸化するとともにレジスト剥離を行った後、第１金属
層１４と透明金属層２３とに対して選択比が取れるエッ
チング方法により、透明金属層２３上の第２金属層１５
及びブロッキング層１６の除去を行って、電極の透明性
を確保する工程が必要となる。

【００２４】また、図７に示すように、有機ＥＬ層１３
上にＩＴＯ膜２４を形成した場合、このＩＴＯ膜２４を
加工した電極が透明アノード電極となるため、緻密でな
いＩＴＯ膜２４の上にＡｌでなる第２金属層１５、ブロ
ッキング層１６を積層し、このブロッキング層１６上で
フォトリソグラフィー工程を行い、ドライエッチングに
よりブロッキング層１６、第２金属層１５およびＩＴＯ
膜２４をパターン形成することもできる。この場合も、
ブロッキング層１６および第２金属層１５は、ＩＴＯに
対して選択比をもつドライエッチングにより除去する。

【００２５】（実施形態２）図８（ａ）〜（ｄ）は、本
発明に係る電界発光素子の実施形態２を示す工程説明図
である。本実施形態は、フォトリソグラフィー工程を行
わずに、カソード電極を形成する金属層の上に、スクリ
ーン印刷によりエッチングマスクを印刷するようにした
ものである。

【００２６】本実施形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示
すように、スクリーン２５の上にエッチングマスクとな
るレジストインク２６を載せ、スキージ２７でエッチン
グマスク２８を後記するカソード電極層の上に刷り込
む。このエッチングマスク２８は、ＵＶ硬化性樹脂でな
り、印刷した後に紫外光を照射することにより硬化させ
る。なお、カソード電極層は、有機ＥＬ層１３の上に順
次積層されたＭｇＩｎでなる第１金属層１４とＡｌでな
る第２金属層１５とでなる。次に、図８（Ｃ）に示すよ
うに、第２金属層１５上にＣｒでなるブロッキング層１
６を設け、このブロッキング層１６上に印刷されたエッ
チングマスク２８を用いてドライエッチングを行い、第
２金属層１５、ブロッキング層１６をパターニングして
第１金属層１４を露出させる。その後、レジストインク
でなるエッチングマスク２８を剥離するためにＯ₂アッ
シングを行う。この結果、図８（ｄ）に示すように、露
出した第１金属層１４は酸化されて絶縁部分１４Ａとな
る。このようにして、第２金属層１５は実際にエッチン
グされ、且つ第１金属層１４は導電部分と絶縁部分１４
Ａとが形成されて実質的にパターニングされる。

【００２７】本実施形態では、エッチングマスク２８の
厚みが２μｍ程度の薄膜でよいため、スクリーン印刷に
代えてオフセット印刷を行ってもよく、これによりさら
に微細なパターンの形成が可能となる。また、本実施形
態では、エッチングマスク２８の固定化を紫外光の照射
で行うため、有機ＥＬ層１３を熱に晒すこともなく、有
機ＥＬ層１３の劣化を抑制することができる。

【００２８】（実施形態３）本実施形態では、まず、図
９（ａ）に示すようにカソード電極層の上にドライフィ
ルム２９を貼る。このドライフィルム２９は、ベースフ
ィルム３０にフィルムレジスト３１が積層された構造で
あり、フィルムレジスト３１側をカソード電極層に貼り
合わせる。そして、同図（ａ）に示すように、所定の電
極パターンに形成されたフォトマスク３２を配置して露
光を行う。この結果、図９（ｂ）に示すように、フィル
ムレジスト３１の露光部分３１Ａがベースフィルム３０
と一緒に剥がれ、カソード電極層上に未露光部分がエッ
チングマスク３１Ｂとして残る。なお、カソード電極層
は、上記実施形態２と同様に、有機ＥＬ層１３の上に順
次積層されたＭｇＩｎでなる第１金属層１４とＡｌでな
る第２金属層１５とでなる。次に、図９（Ｃ）に示すよ
うに、第２金属層１５上にＣｒでなるブロッキング層１
６を設け、このブロッキング層１６上に形成されたエッ
チングマスク３１Ｂを用いてドライエッチングを行い、
第２金属層１５、ブロッキング層１６をパターニングし
て第１金属層１４を露出させる。その後、未露光レジス
トでなるエッチングマスク２８を剥離するためにＯ₂ア
ッシングを行う。この結果、図９（ｄ）に示すように、
露出した第１金属層１４は酸化されて絶縁部分１４Ａと
なる。このようにして、第２金属層１５は実際にエッチ
ングされ、且つ第１金属層１４は導電部分と絶縁部分１
４Ａとが形成されて実質的にパターニングされる。

【００２９】本実施形態における他の作用・効果は、上
記実施形態２と略同様である。

【００３０】（実施形態４）図１０（ａ）〜図１１
（ｃ）は、本発明に係る電界発光素子の製造方法の実施
形態４を示している。本実施形態では、図１０（ａ）に
示すように、パターニングすべきカソード電極層１８の
上に、例えばスピンコーティングによりレジスト３３を
薄く塗布する。このレジスト３３としては、感光剤や架
橋剤などを含まないものを用いる。その後、図１０
（ｂ）に示すように、レーザ光Ｌをスキャン照射してレ
ジスト３３を部分的に昇華されて電極パターンのレジス
ト３３が残るようにパターニングして、図１０（ｃ）に
示すようなレジスト３３のパターンを形成する。

【００３１】その後、図１１（ａ）に示すように、レジ
スト３３をエッチングマスクとして、異方性のドライエ
ッチング（例えばＲＩＥ）を行って、ブロッキング層１
６と第２金属層１５を連続的にエッチングする。なお、
ブロッキング層１６と第２金属層１５のエッチングガス
は例えば塩素系のガス（ＣＣｌ₄−Ｏ₂）などを用いるこ
とにより、連続的に行うことが可能であるが、ブロッキ
ング層１６と第２金属層１５のエッチングガスをそれぞ
れに応じて異なるガス系を用いてもよい。

【００３２】上記したドライエッチングにより、露出し
た部分の第１金属層１４は、その後自然酸化を受ける
が、次に行うレジスト剥離工程でＯ₂アッシングにより
完全に酸化されて、図１１（ｃ）に示すように絶縁部分
１４Ａとなる。このようにして、有機ＥＬ層１５の上に
形成された第１金属層１４は、エッチングされる訳では
ないが絶縁部分１４Ａが形成されることによって実質的
なパターン形成が行われる。即ち、この絶縁部分１４Ａ
は、カソード電極１８どうしの間のスペース部となり、
隣接するカソード電極１８を電気的に隔離することがで
きる。このようにして、アノード電極１２とカソード電
極１８とが、有機ＥＬ層１３を介して交差する電界発光
素子１０の製造が完了する。本実施形態においても、レ
ジスト３３のパターニングに際して、現像や水洗を行わ
ないため、有機ＥＬ層１３の劣化を招く恐れはない。

【００３３】以上、実施形態１〜４について説明した
が、本発明はこれらに限定されるものではなく、構成の
要旨に付随する各種の設計変更が可能である。例えば、
上記した各実施形態では述べなかったが、エッチングマ
スクやフォトレジストのパターニングに際して、有機Ｅ
Ｌ層１３を第１金属層１４、第２金属層１５及びブロッ
キング層１６などで覆うようにして、現像液や水分など
の影響を少なくする構成としても勿論よい。また第２金
属層１５は、第１金属層１４の材料の少なくとも１種及
び第１金属層１４には含まれない材料の少なくとも１種
からなる合金により第１金属層１４とは異なる緻密な結
晶構造としてもよい。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、ブロッキング層が第２金属層の結晶構造と
異なるので、フォトリソグラフィー工程における現像液
や水分やレジストが硬化するまでレジスト内に含まれる
溶剤が第２金属層を介して第１金属層を浸食することを
防止することができるので、有機ＥＬ層を劣化させるこ
となく、ドライエッチングにより電極を形成でき、電極
の微細化や基板の大型化を可能にする、電界発光素子及
びその製造方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は本発明に係る電界発光素
子の製造方法の実施形態１を示す工程断面図。

【図２】（ａ）および（ｂ）は実施形態１を示す工程断
面図。

【図３】実施形態１における第２金属層１５とブロッキ
ング層１６とを示す拡大断面説明図。

【図４】実施形態１における変形例の第２金属層１５と
ブロッキング層１６とを示す拡大断面説明図。

【図５】（ａ）はＩＴＯ膜とＡｌ膜を積層した状態を示
す説明図、（ｂ）はＩＴＯ膜上のＡｌ膜の上にＣｒ膜を
積層した状態を示す説明図。

【図６】実施形態１の変形例を示す断面説明図。

【図７】実施形態１の変形例を示す断面説明図。

【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る電界発光素子
の製造方法の実施形態２を示す工程説明図。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る電界発光素子
の製造方法の実施形態３を示す工程説明図。

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る電界発光素
子の製造方法の実施形態４を示す工程説明図。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態４を示す工程説
明図。

【図１２】従来の電界発光素子の断面説明図。

【図１３】従来の電界発光素子の平面説明図。

【図１４】従来の電界発光素子の製造に用いられたハー
ドマスクの平面図。

【符号の説明】

１０電界発光素子１２アノード電極１３有機ＥＬ層１４第１金属層１４Ａ絶縁部分１５第２金属層１６ブロッキング層１７フォトレジスト１８カソード電極２３透明金属層２４ＩＴＯ膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極に挟まれた電界発光素子にお
いて、前記一対の電極の一方は、第１金属層と、この第
１金属層上に形成された第２金属層と、第２金属層の結
晶構造と異なる結晶構造を有するブロッキング層と、を
有することを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】有機ＥＬ層上に第１金属層を形成する工
程と、前記第１金属層の上に第２金属層を積層する工程と、前記第２金属層の上に第２金属層の結晶構造と異なる結
晶構造を有するブロッキング層を積層する工程と、前記ブロッキング層の上にレジストを電極パターンに形
成する工程と、前記ブロッキング層及び前記第２金属層をドライエッチ
ングして前記第１金属層を露出させる工程と、を備えることを特徴とする電界発光素子の製造方法。
【請求項３】前記レジストは、フォトレジストであ
り、露出・現像によりパターン形成されることを特徴と
する請求項２記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項４】前記第１金属層は、Ｍｇ、ＭｇＩｎ、Ｍ
ｇＡｇ、ＡｌＬｉなど低仕事関数の材料であることを特
徴とする請求項２又は請求項３に記載の電界発光素子の
製造方法。
【請求項５】前記第２金属層は、Ａｌであることを特
徴とする請求項２〜請求項４に記載の電界発光素子の製
造方法。
【請求項６】前記ブロッキング層は、前記第２金属層
より緻密な結晶構造を有する金属でなることを特徴とす
る請求項２〜請求項５のいずれかに記載の電界発光素子
の製造方法。
【請求項７】前記ブロッキング層は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔ
ｉ、Ｗなどの、第２金属層よりバリア性の高い金属でな
ることを特徴とする請求項２〜請求項６のいずれかに記
載の電界発光素子の製造方法。
【請求項８】前記ブロッキング層は、前記第２金属層
と成膜条件の異なる緻密な結晶構造を持つ同一金属を含
んでなることを特徴とする請求項２〜請求項７のいずれ
かに記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項９】前記第１金属層を露出させる工程の後
に、前記レジストを酸素系雰囲気でアッシングする工程
と、を備えることを特徴とする請求項２〜請求項８のいずれ
かに記載の電界発光素子の製造方法。