JP2005044622A - 有機発光素子の製造方法および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子特性を劣化させずに簡便に水溶性有機材料をパターニングすることができる有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極１３，絶縁層１４および補助電極１５が形成された基板１１に、フォトレジスト塗布層を形成し、このフォトレジスト塗布層を露光および現像することにより、フォトレジスト層４２を選択的に形成する。続いて、基板１１の全面に、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含む正孔輸送層原料溶液を塗布して、正孔輸送層１６Ａを形成し、予備乾燥させる。そののち、フォトレジスト層４２を除去することにより第１電極１３の上に正孔輸送層１６Ａを選択的に形成し、乾燥させる。正孔輸送層１６Ａの上に、例えば凸版反転オフセット法により発光層を形成し、続いて、第２電極を形成する。
【選択図】図６

Description

本発明は、本発明は、有機発光素子の製造方法および表示装置の製造方法に係り、特に、高分子材料を用いた有機発光素子に好適な有機発光素子の製造方法および表示装置の製造方法に関する。

近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機電界発光ディスプレイが注目されている。有機電界発光ディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。

有機発光素子には、低分子材料を用いたものと、高分子材料を用いたものとがある。高分子材料を用いた有機発光素子は、例えば、第１電極と第２電極との間に有機層を備え、有機層は、正孔輸送層および発光層が第１電極の側からこの順に積層された構造を有している。

有機層のパターニング方法としては、従来では蒸着法が用いられている。しかしながら、蒸着法では、位置精度に問題があるほか、アライメント機構を備えた真空設備が必要であり、製造工程が複雑である。特に、大型基板の場合には所望の位置精度を得ることが非常に困難である。

また、ウェット方式としては、特許文献１に記載されたインクジェットプリンティング方式が一般的に知られている。インクジェットプリンティング方式は、正孔輸送層および発光層のいずれにも用いられている。

他のパターニング方法としては、例えば、特許文献２にはフォトリソグラフィ法、特許文献３にはリフトオフ法、特許文献４には凸版反転オフセット法が開示されている。これらは、いずれも発光層に関するものである。
特開平１０−１５３９６７号公報 特開２００２−１７０６７３号公報 特開２０００−３６７１２２号公報 特開２００３−１７２４８号公報 国際公開第０１／３９５５４号パンフレット

しかしながら、インクジェットプリンティング方式は、基本的に、微小な液滴の集合体をもって薄膜を形成するものであるため、平坦性が不十分であり、均一な膜厚を得ることが困難であるという問題があった。特に、特許文献５に記載されているように有機発光素子に共振器構造を導入することにより色純度および発光効率を高めようとする場合には、膜厚の精確な制御が不可欠であり、膜厚のばらつきが大きいと色むらが発生してしまうおそれがあった。

フォトリソグラフィ法により有機層をパターニングすることも考えられる。しかしながら、特許文献２に記載されているようなフォトリソグラフィ法では、有機層の上に直接フォトレジストを成膜する工程が入るために、有機層からフォトレジストのみを剥離することが困難である上、フォトレジストが有機層の上に残留した場合、素子特性が劣化してしまうおそれがあった。また、フォトレジストを現像する際に、フォトレジストの下面、もしくは、有機層の下面に現像液が浸入しやすく、良好なパターニングが極めて困難であった。

特許文献３記載のリフトオフ法では、パターニング材料がマスクを介して蒸着により成膜されるため、位置精度の問題が残る。

また、特許文献４の凸版反転オフセット法は、発光層の塗り分けにはきわめて有効であるものの、正孔輸送層に一般に用いられている塗布液、すなわちポリ（３，４）−エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホネートとの混合液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が水溶性であるため、適用が困難であった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、素子特性を劣化させずに簡便に水溶性有機材料をパターニングすることができる有機発光素子の製造方法および表示装置の製造方法を提供することにある。

本発明による有機発光素子の製造方法は、第１電極と第２電極との間に正孔輸送層および発光層を含む有機層を備えた有機発光素子を製造するものであって、第１電極が形成された基板にフォトレジスト層を選択的に形成する工程と、基板の全面に正孔輸送層を形成する工程と、フォトレジスト層を除去することにより第１電極の上に正孔輸送層を選択的に形成する工程と、正孔輸送層の上に、発光層を含む有機層および第２電極を形成する工程とを含むものである。

本発明による表示装置の製造方法は、本発明の有機発光素子の製造方法を用いて、第１電極と第２電極との間に正孔輸送層および発光層を含む有機層を備えた有機発光素子を有する表示装置を製造するものである。

本発明による有機発光素子の製造方法および表示素子の製造方法では、第１電極が形成された基板にフォトレジスト層が選択的に形成され、基板の全面に正孔輸送層が形成される。続いて、フォトレジスト層が除去されることにより第１電極の上に正孔輸送層が選択的に形成される。そののち、正孔輸送層の上に、発光層を含む有機層および第２電極が形成される。

本発明の有機発光素子の製造方法、または本発明の表示装置の製造方法によれば、正孔輸送層の上にフォトレジスト層を形成せずに正孔輸送層をパターニングすることができるので、正孔輸送層の表面にフォトレジストが残留することがない。よって、残留フォトレジストによる素子特性の劣化を防止しつつ正孔輸送層をパターニングすることができる。また、水溶性有機材料よりなる正孔輸送層を簡単な工程で位置精度よく形成することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機電界発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、基板１１と封止用基板２１とが対向配置され、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂よりなる接着層３０により全面が貼り合わされている。基板１１は、ガラスなどの絶縁材料により構成され、赤色の光を発生する有機発光素子１２Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１２Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１２Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、それぞれ一つのサブピクセルに対応し、隣接する三つの有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂにより一つの画素が形成されている。

この有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、基板１１の側から、陽極としての第１電極１３、絶縁層１４、補助電極１５、有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層された構造とされている。本実施の形態では、第１電極１３は個々の有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに対応する個別電極として基板１１にマトリクス状に配置されており、第２電極１７は、すべての有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの共通電極として形成されている。第２電極１７の上には、必要に応じて保護膜１８が設けられている。

第１電極１３は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１３を構成する材料としては、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）あるいはタングステン（Ｗ）などの仕事関数の高い金属元素の単体または合金が挙げられ、第１電極１３の積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とされることが好ましい。

絶縁層１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保するとともに有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの発光部分の形状を正確に所望の形状にするためのものである。絶縁層１４は親水性の材料により構成され、あるいは、絶縁層１４は疎水性の材料により構成されると共にその表面の疎水性が抑制されていることが好ましい。後述する正孔輸送層１６Ａは水溶性の塗布液、すなわちポリ（３，４）−エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホネートとの混合液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）により構成されているので、絶縁層１４の表面と正孔輸送層１６Ａとがなじみやすくなり、正孔輸送層１６Ａの膜厚分布を小さくすることができるからである。親水性の材料としては、例えば、水酸基，カルボキシル基，アミノ基，ケトン基あるいはスルホ基を含むポリイミド系材料が好ましく、例えば東レ社のフォトニースシリーズ（登録商標）あるいは日本ゼオン社のＺＰＮ２０００シリーズ（商品名）が挙げられる。また、疎水性の材料としては、例えば、ポリイミド系材料が挙げられる。「表面の疎水性が抑制されている」とは、疎水性の材料よりなる絶縁層１４の表面が親水化され、あるいは活性化されていることをいう。絶縁層１４の表面の疎水性を抑制する方法としては、例えば酸素プラズマ照射が挙げられる。絶縁層１４の厚みは例えば６００ｎｍ程度とされ、発光領域（すなわち第１電極１３の各々）に対応して開口部１４Ａが設けられている。

補助電極１５は、図示しない電源と個々の有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂとの間の配線抵抗を均一化し、電圧降下の差による発光むら（特に，画面内の中央部と周縁部との間の発光むら）の発生を抑制するためのものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）のような低抵抗の導電性材料を単層あるいは積層構造としたものにより構成されている。補助電極１５は、絶縁膜１４の上に、第１電極１３の行間および列間の領域に設けられ、第２電極１７に電気的に接続されている。補助電極１５の端部は、基板１１の周辺部において、有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが設けられた領域を取り囲むように形成された図示しない母線となる幹状補助電極に接続されている。

有機層１６は、正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂが第１電極１３の側からこの順に積層された構造を有し、発光層１６Ｂで発生した光は第２電極１７の側から取り出されるようになっている。正孔輸送層１６Ａは発光層１６Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。発光層１６Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、電子輸送層を兼ねている。正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂの合計厚みは、例えば１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。

正孔輸送層１６Ａは、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳにより構成されている。

有機発光素子１２Ｒの発光層１６Ｂは、例えば化１に示したポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレンビニレン（ＭＥＨ−ＰＰＶ）などの高分子有機発光材料により構成されている。なお、高分子材料とは、分子量１００００以上のものである。

有機発光素子１２Ｇの発光層１６Ｂは、例えば化２に示したポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などの高分子有機発光材料により構成されている。

青色発光素子１２Ｂの発光層１６Ｂは、例えば化３に示したポリビニルカルバゾールなどの高分子有機発光材料により構成されている。

第２電極１７は、電子注入層と、発光層１６Ｂで発生した光に対して半透過性を有する半透過性電極とが有機層１６の側からこの順に積層された構造を有している。電子注入層は、発光層１６Ｂへの電子注入効率を高めるものであり、例えば、厚みが約１ｎｍであり、フッ化リチウム（ＬｉＦ）により構成されている。半透過性電極は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの仕事関数の小さい金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（以下、「ＭｇＡｇ合金」という）が好ましい。本実施の形態では、半透過性電極は、カルシウム層とＭｇＡｇ合金層とが有機層１６の側からこの順に積層された構造を有している。カルシウム層の厚みは、例えば３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、カルシウム層とＭｇＡｇ合金層との合計厚みは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

保護膜１８は、例えば、膜厚が５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。

封止用基板２１は、基板１１の第２電極１７の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを封止している。封止用基板２１は、有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２１には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての光吸収膜（いずれも図示せず）が設けられており、有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっていてもよい。

この有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを備えた表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

図２ないし図７は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図２および図３に示したように、第１電極１３，絶縁層１４および補助電極１５が形成された基板１１を用意し、この基板１１の表面を、紫外線（ＵＶ）オゾン洗浄する。

次に、図４（Ａ）に示したように、例えばスピンコート法により、基板１１に、厚みが例えば１，５μｍのフォトレジスト塗布層４１を形成する。フォトレジスト塗布層４１の材料としては、例えば一般的なポジ型フォトレジスト（東京応化製ＴＦＲ−９７０ＰＭ（商品名））を用いることができる。スピンコーティング条件としては、例えば１３００ｒｐｍで２０秒間保持する。

続いて、図４（Ｂ）に示したように、フォトレジスト塗布層４１に対して例えば１００℃で３０秒間プリベークを行い、そののち、アライメント露光機（図示せず）に露光マスク（図示せず）と共にセットして紫外線露光を行う。これにより、フォトレジスト塗布層４１には、発光領域すなわち第１電極１３の各々に対応して露光部４１Ａが形成されると共に、正孔輸送層１６Ａを除去したい部分、すなわち補助電極１５の上に未露光部４１Ｂが形成される。露光条件は、例えば露光量を５０ｍＪ／ｃｍ² とする。

フォトレジスト塗布層４１の露光を行ったのち、図５に示したように、レジスト現像液（ＮＭＤ−３（商品名））を用いて例えば３０秒間現像し、露光部４１Ａを除去する。これにより、正孔輸送層１６Ａを除去したい部分、すなわち補助電極１５の上に、フォトレジスト層４２を選択的に形成する。そののち、純水で洗浄し、乾燥させ、基板１１の表面を紫外線オゾン洗浄する。

フォトレジスト層４２を形成したのち、図６（Ａ）に示したように、上述した正孔輸送層１６Ａの材料と溶媒としての水とを含む正孔輸送層原料溶液（塗布液）を作製し、例えばスピンコート法により、基板１１の全面に正孔輸送層原料溶液を塗布して、例えば厚みが３０ｎｍの正孔輸送層１６Ａを形成する。スピンコーティング条件は、例えば３２００ｒｐｍで６０秒間保持する。

続いて、正孔輸送層１６Ａを予備乾燥させる。この予備乾燥工程では、正孔輸送層１６Ａが基板１１に保持される最低限の熱量を与えることが好ましい。熱量が過剰である場合、フォトレジスト層４２の熱架橋が促進されてしまい、フォトレジスト剥離液による剥離が困難になるからである。予備乾燥の条件は、例えば、１２０℃の減圧オーブン中で１０分間とすることができる。

そののち、図６（Ｂ）に示したように、基板１１をフォトレジスト剥離液の浴中に浸漬し、超音波を加えながらフォトレジスト層４２を例えば１分間で剥離する。これにより、第１電極１３の上に正孔輸送層１６Ａを選択的に形成する。

フォトレジスト剥離液としては、正孔輸送層１６Ａを溶解せずにフォトレジスト層４２のみを溶解するものを用いる必要がある。フォトレジスト層４２を溶解するためには、極性のある有機溶媒を用いることが好ましい。また、沸点が１７０℃以下のフォトレジスト剥離液を用いることが好ましい。フォトレジスト剥離液が高沸点の場合、基板１１を加熱してフォトレジスト剥離液を完全に除去することが困難になるからである。具体的には、例えば、アセトン，メチルエチルケトン（沸点８０℃），シクロヘキサノンあるいはジエチルケトン（沸点１０１℃）などのケトン系のフォトレジスト剥離液、または、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；沸点１４６℃）などのセロソルブ系のフォトレジスト剥離液を用いることができる。特に、ジエチルケトンおよびＰＧＭＥＡは、良好なデバイス特性を得られるので、好ましい。これらのフォトレジスト剥離液は、２種類以上混合して用いることも可能である。

第１電極１３の上に正孔輸送層１６Ａを選択的に形成したのち、基板１１を例えば１５０℃の減圧オーブン中で１時間、乾燥させる。これにより、正孔輸送層１６Ａに含まれる溶媒すなわち水と、フォトレジスト剥離液とが除去される。乾燥の温度は、正孔輸送層１６Ａが劣化しない程度、例えば１８０℃以下であることが好ましい。

正孔輸送層１６Ａを形成したのち、図７（Ａ）に示したように、例えば特許文献４記載の凸版反転オフセット法により、発光層１６Ｂを形成する。これにより、正孔輸送層１６Ａと発光層１６Ｂとを含む有機層１６が形成される。

有機層１６を形成したのち、図７（Ｂ）に示したように、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子注入層と、カルシウム層およびＭｇＡｇ合金層よりなる半透過性電極とを形成する。これにより、第２電極１７を形成すると共に補助電極１５と第２電極１７とを電気的に接続する。そののち、第２電極１７の上に、必要に応じて例えば蒸着法により保護膜１８を形成する。

保護膜１８を形成したのち、基板１１と封止用基板２１とを接着層３０を介して貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置が完成する。

上述した製造方法では、正孔輸送層１６Ａを予備乾燥させたのち、フォトレジスト層４２を剥離し、正孔輸送層１６Ａを乾燥させるようにしたが、予備乾燥工程は省略してもよい。

この表示装置では、第１電極１３と第２電極１７との間に所定の電圧が印加されると、発光層１６Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、発光が起こる。この光は、第２電極１７および封止用基板２１を透過して取り出される。このとき、正孔輸送層１６Ａは、第１電極１３の上に選択的に形成されているので、クロストークが低減され、表示品質が向上する。また、補助電極１５と第２電極１７とが電気的に接続され、電圧降下の差による発光むら（特に，画面内の中央部と周縁部との間の発光むら）の発生が抑制される。更に、正孔輸送層１６Ａの上にフォトレジストが残留しないので、素子特性の劣化が防止される。

このように、本実施の形態では、フォトレジスト層４２を選択的に形成したのち、基板１１の全面に正孔輸送層１６Ａを形成し、フォトレジスト層４２を除去することにより第１電極１３の上に正孔輸送層１６Ａを選択的に形成するようにしたので、正孔輸送層１６Ａの上にフォトレジスト層を形成することなくパターニングを行うことができる。よって、正孔輸送層１６Ａの表面にフォトレジストが残留せず、素子特性の劣化を防止することができると共に、クロストークの低減により表示品質を向上させることができる。また、水溶性有機材料よりなる正孔輸送層を簡単な工程で位置精度よく形成することができる。更に、インクジェットプリンティング方式を用いずに正孔輸送層１６Ａをパターニングすることができるので、正孔輸送層１６Ａの成膜方法の限定がなくなり、上述したスピンコート法のほか、ディップコート法あるいはビードコート法なども利用可能となる。加えて、インクジェットプリンティング方式よりも正孔輸送層１６Ａの厚みの均一性が向上するので、厚みの精確な制御が可能となり、特許文献５記載の共振器構造を導入することにより色純度および発光効率を高めることができる。更にまた、フォトレジスト層４２の材料として一般的なフォトレジスト材料を用いることができ、取扱いが簡単である。加えてまた、補助電極１５と第２電極１７との電気的接続が容易になるので、画面の中央部と周縁部との発光むらを改善することができ、特に大型表示装置の製造に好適である。

また、本実施の形態では、基板１１の全面に正孔輸送層１６Ａを形成したのち、正孔輸送層１６Ａを予備乾燥させるようにしたので、正孔輸送層１６Ａの基板１１に対する接着力が増し、基板１１の上の正孔輸送層１６Ａを剥離することなく、容易にフォトレジスト層４２およびその上の正孔輸送層１６Ａを剥離することができる。よって、製造アロワンスの拡大が可能となる。

以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、上記実施の形態においては、有機層１６が正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂの２層構造を有する場合について説明したが、正孔輸送層，発光層および電子輸送層の３層構造など、他の構造を有していてもよい。

更に、上記実施の形態では、補助電極１５を絶縁膜１４の上に、第１電極１３の行間および列間の領域に設けた場合について説明したが、補助電極１５の上にフォトレジスト層４２を形成する限り、補助電極１５はどこに形成されていてもよく、必ずしも絶縁膜１４の上に設ける必要はない。例えば図８に示したように、補助電極１５は基板１１に設けられ、この補助電極１５に対応して絶縁膜１４に開口部１４Ｂが設けられていてもよい。

加えて、上記実施の形態では、補助電極１５を第１電極１３の行間および列間の領域に設けた場合について説明したが、補助電極１５は、第１電極１３の行間または列間のいずれか一方のみに設けられていてもよい。

更にまた、補助電極１５は必ずしも必須ではなく、省略してもよい。この場合には、絶縁層１４の上にフォトレジスト層４２を形成するようにすればよい。ただし、大型表示装置の場合には、補助電極１５により配線抵抗を均一化し、画面内の中央部と周縁部との発光むらを防止することができるので好ましい。

加えてまた、上記実施の形態では、第１電極１３が個々の有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに対応する個別電極として基板１１にマトリクス状に配置されており、第２電極１７が、すべての有機発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの共通電極として形成されている場合について説明したが、第１電極１３と第２電極１７とを互いに直交する複数のストライプ状に形成した場合にも本発明を適用することができる。

更にまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１３を陽極、第２電極１７を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１３を陰極、第２電極１７を陽極としてもよい。

加えてまた、例えば、上記実施の形態においては、基板１１の上に、第１電極１３，絶縁層１４，補助電極１５，有機層１６および第２電極１７を基板１１の側から順に積層し、封止用基板２１の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板１１の上に、第２電極１７，補助電極１５，絶縁層１４，有機層１６および第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。更に、第１電極１３を陰極、第２電極１７を陽極とすると共に、基板１１の上に、第２電極１７，補助電極１５，絶縁層１４，有機層１６および第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。ただし、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などの構造部が形成される基板１１の側から光を取り出すのではなく、基板１１の側から順に第１電極１３，絶縁層１４，補助電極１５，有機層１６および第２電極１７を積層し、第２電極１７の側から光を取り出すようにした方が、開口率を高くすることができ、高い輝度および高い解像度を得ることができるので好ましい。

更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１２の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１３と有機層１６との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ），ＩＴＯなどからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。例えば第１電極１３を、誘電体多層膜またはアルミニウムなどの反射膜の上部に透明導電膜を積層した２層構造とすることもできる。

加えてまた、上記実施の形態では、第２電極１７が電子注入層と半透過性電極とが第１電極１３の側から順に積層された構造を有する場合について説明したが、第２電極１７は、電子注入層と半透過性電極とＩＴＯなどよりなる透明電極とが第１電極１３の側から順に積層された構成を有していてもよい。

更にまた、上記実施の形態では、フルカラー表示装置の場合について説明したが、本発明は、単色の表示装置の場合にも適用可能である。

加えてまた、上記実施の形態では、本発明を正孔輸送層１６Ａに適用した場合について説明したが、本発明は水溶性の材料により構成された層に適用可能であり、正孔輸送層１６Ａに限られない。

本発明の一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す平面図である。 図２に示した基板の一部を拡大して表す断面図である。 図３に続く工程を表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図３に示した基板の他の構成を表す断面図である。

符号の説明

１１…基板、１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…有機発光素子、１３…第１電極、１４…絶縁層、１５…補助電極、１６…有機層、１６Ａ…正孔輸送層、１６Ｂ…発光層、１７…第２電極、２１…封止用基板、３０…接着層、４１…フォトレジスト塗布層、４２…フォトレジスト層

Claims (6)

1. 第１電極と第２電極との間に正孔輸送層および発光層を含む有機層を備えた有機発光素子の製造方法であって、
   第１電極が形成された基板にフォトレジスト層を選択的に形成する工程と、
   前記基板の全面に正孔輸送層を形成する工程と、
   前記フォトレジスト層を除去することにより前記第１電極の上に前記正孔輸送層を選択的に形成する工程と、
   前記正孔輸送層の上に、発光層を含む有機層および第２電極を形成する工程と
   を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
2. 前記第１電極の上に前記正孔輸送層を選択的に形成する工程と、前記発光層を含む有機層および第２電極を形成する工程との間に、前記正孔輸送層を乾燥させる工程を含む
   ことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子の製造方法。
3. 前記基板の全面に正孔輸送層を形成する工程と、前記第１電極の上に前記正孔輸送層を選択的に形成する工程との間に、前記正孔輸送層を予備乾燥させる工程を含む
   ことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子の製造方法。
4. 前記第１電極の上に前記正孔輸送層を選択的に形成する工程において、前記フォトレジスト層を除去するためのフォトレジスト剥離液として、アセトン，メチルエチルケトン，シクロヘキサノンおよびジエチルケトンからなる群から選ばれた少なくとも１種、または、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を用いる
   ことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子の製造方法。
5. 前記有機発光素子は、前記発光層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す
   ことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子の製造方法。
6. 第１電極と第２電極との間に正孔輸送層および発光層を含む有機層を備えた有機発光素子を有する表示装置の製造方法であって、
   第１電極が形成された基板にフォトレジスト層を選択的に形成する工程と、
   前記基板の全面に正孔輸送層を形成する工程と、
   前記フォトレジスト層を除去することにより前記第１電極の上に前記正孔輸送層を選択的に形成する工程と、
   前記正孔輸送層の上に、発光層を含む有機層および第２電極を形成する工程と
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
   

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