JP2007134327A - 表示装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光効率が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による表示装置は、絶縁基板上に形成されている薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている画素電極と；前記画素電極上に形成されている有機層と；前記有機層を囲んでいる隔壁と；前記隔壁上に形成されている反射膜と；前記有機層上に形成されている共通電極とを含むことを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は表示装置に関する。

平板ディスプレイ装置（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）のうち、低電圧駆動、軽量薄型、広視野角、そして高速応答などの長所によって、最近ではＯＬＥＤ（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）が脚光を浴びている。ＯＬＥＤは駆動方式によって受動型（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）と能動型（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）とに分かれる。

能動型ＯＬＥＤは薄膜トランジスタが各画素領域ごとに接続されて、各画素領域別に有機発光層の発光を制御する。各画素領域には画素電極が位置しており、各画素電極は独立した駆動のために隣接した画素電極と電気的に分離されている。また、画素領域間には画素電極よりさらに高い隔壁が形成されており、この隔壁は画素電極間の短絡を防止し画素領域間を分離する役割を果たす。隔壁の間の画素電極上には正孔注入層と有機発光層が順次に形成されている。有機発光層の上部には共通電極が形成されている。

しかし、ＯＬＥＤはそれ自体の外部量子効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が２０％以下と低く、側面発光によって消滅する光が多くて光効率が低いという問題がある。

本発明の目的は光効率の高い表示装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は光効率の高い表示装置の製造方法を提供することにある。

本発明１は、絶縁基板上に形成されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている画素電極と、前記画素電極上に形成されている有機層と、前記有機層を囲んでいる隔壁と、前記隔壁上に形成されている反射膜と、前記有機層上に形成されている共通電極と、を含む表示装置を提供する。
有機層から発光した光のうちの一部分は隔壁方向に進行する。ここで、反射膜は、有機層を囲むように形成された隔壁上に形成されており、隔壁方向に進行した光は反射膜によって反射されて上部の共通電極へ向かうようになる。これによって、発光効率が向上する。

発明２は、発明１において、前記反射膜は、モリブデン、クロム、銀およびアルミニウムからなる群より選択されるいずれか一つからなるのが好ましい。これらの金属は反射率が高く好ましい。
発明３は、発明１において、前記反射膜の厚さは５０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましい。反射膜の厚さが５０ｎｍ以下であれば反射効率が減少し、反射膜の厚さが５００ｎｍ以上であればそれ以上の反射効率の増加は無く形成時間のみが増加する。よって、５０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さで反射膜を形成することで、反射効率を高め、製造時間を最適化することができる。

発明４は、発明１において、前記反射膜の反射率は７０％より大きいのが好ましい。反射率を高めることで、発光効率を向上させることができる。
発明５は、発明１において、前記隔壁の側面と前記絶縁基板とは約４０〜５０度の傾斜をなすのが好ましい。このような角度であると、隔壁の側面上の反射膜に入射された光は、絶縁基板の垂直方向に進行するため、発光効率をさらに向上することができる。

発明６は、発明１において、前記隔壁は少なくとも一部が感光性有機物からなるのが好ましい。隔壁が感光性有機物で形成されることで、スリット等が形成されたマスクを用いた現像・露光などにより隔壁に傾斜を形成することができる。また、射出成形により、傾斜を有する隔壁を形成することもできる。
発明７は、発明１において、前記反射膜と前記画素電極は離隔されているのが好ましい。これにより、共通電極の電流が反射膜を通じて画素電極に伝達される問題を確実に防止することができる。

発明８は、発明１において、前記反射膜と前記有機層は離隔されているのが好ましい。
発明９は、発明１において、前記隔壁と前記画素電極は離隔されているのが好ましい。隔壁と画素電極とが隔離されているため、隔壁上に反射膜を形成しても、反射膜と画素電極とを隔離することができる。これにより、共通電極の電流が反射膜を通じて画素電極に伝達される問題を確実に防止することができる。

発明１０は、発明１において、前記隔壁と前記有機層は離隔されており、前記有機層は低分子物質であり、蒸発法によって形成されるのが好ましい。
発明１１は、発明１において、前記隔壁と前記有機層は互いに接し、前記有機層は高分子物質であり、インクジェット法によって形成されるのが好ましい。
発明１２は、発明１において、前記隔壁は前記画素電極の一部を覆っており、前記反射膜は前記画素電極と離隔されているのが好ましい。共通電極の電流が反射膜を通じて画素電極に伝達される問題を確実に防止することができる。

発明１３は、発明１において、前記共通電極の光透過率は５０％以上であるのが好ましい。
本発明１４は、絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される画素電極を形成する段階と、前記画素電極を囲む隔壁を形成する段階と、前記隔壁上に反射膜を形成する段階と、前記画素電極上に有機層を形成する段階と、前記有機層上に共通電極を形成する段階と、を含む表示装置の製造方法を提供する。

発明１５は、発明１４において、前記隔壁は側面が前記絶縁基板と約４０〜５０度の傾斜をなすように形成されるのが好ましい。
発明１６は、発明１４において、前記隔壁は前記画素電極と離隔されるように形成されるのが好ましい。
発明１７は、発明１４において、前記隔壁を形成する段階は、ポジティブ感光物質を塗布する段階と；前記ポジティブ感光物質を露光、現像する段階とを含むのが好ましい。

発明１８は、発明１４において、前記隔壁を形成する段階は、感光物質を塗布する段階と；前記感光物質を前記隔壁の側面に対応する部分にスリットパターンが形成されたマスクを利用して露光する段階と；前記露光された感光物質を現像する段階とを含むのが好ましい。
発明１９は、発明１４において、前記隔壁を形成する段階は、感光物質を塗布する段階と；前記感光物質に前記隔壁に対応する陰刻パターンが形成されたインプリントマスクを加圧する段階とを含むのが好ましい。

発明２０は、発明１４において、前記有機層を形成する段階は、前記隔壁によって囲まれた領域より 広い開口を有するシャドーマスクを前記開口が前記画素電極に対応するように配置する段階と；前記開口を通して有機物蒸気を供給する段階とを含むのが好ましい。

本発明によれば、光効率の高い表示装置が提供される。また、本発明によれば、光効率の高い表示装置の製造方法が提供される。

以下、添付図面を参照して本発明をより詳しく説明する。いろいろな実施形態において同一な構成要素に対しては同一な参照番号を付与し、同一な構成要素については第１実施形態で代表的に説明し他の実施形態では省略されることができる。
＜発明の概要＞
本発明の表示装置は、絶縁基板上に形成されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている画素電極と、前記画素電極上に形成されている有機層と、前記有機層を囲んでいる隔壁と、前記隔壁上に形成されている反射膜と、前記有機層上に形成されている共通電極と、を含む。このとき、有機層から発光した光のうちの一部分は隔壁方向に進行する。ここで、反射膜は、有機層を囲むように形成された隔壁上に形成されており、隔壁方向に進行した光は反射膜によって反射されて上部の共通電極へ向かうようになる。これによって、発光効率が向上する。

＜第１実施形態＞
図１は本発明の第１実施形態による表示装置の等価回路図である。図１を参照すれば、本実施形態による表示装置１は複数の信号線を含む。信号線は走査信号を伝達するゲート線、データ信号を伝達するデータ線、そして駆動電圧を伝達する駆動電圧線を含む。データ線と駆動電圧線は互いに隣接して並行に配置されており、ゲート線はデータ線および駆動電圧線と垂直に交差して延在している。

各画素は有機発光素子ＬＤ、スイッチングトランジスタＴｓｗ、駆動トランジスタＴｄｒ、キャパシタＣを含む。
駆動トランジスタＴｄｒは制御端子、入力端子および出力端子を有し、制御端子はスイッチングトランジスタＴｓｗに接続されており、入力端子は駆動電圧線に接続されており、出力端子は有機発光素子ＬＤに接続されている。

有機発光素子ＬＤは駆動トランジスタＴｄｒの出力端子に接続されるアノード（ａｎｏｄｅ）と共通電圧Ｖｃｏｍに接続されているカソード（ｃａｔｈｏｄ）を有する。有機発光素子ＬＤは駆動トランジスタＴｄｒの出力電流によって強さを異にして発光することにより映像を表示する。駆動トランジスタＴｄｒの電流は制御端子と出力端子の間にかかる電圧によってその大きさが変わる。

また、スイッチングトランジスタＴｓｗは制御端子、入力端子および出力端子を有し、制御端子はゲート線に接続されており、入力端子はデータ線に接続されており、出力端子は駆動トランジスタＴｄｒの制御端子に接続されている。スイッチングトランジスタＴｓｗはゲート線に印加される走査信号によってデータ線に印加されるデータ信号を駆動トランジスタＴｄｒに伝達する。

キャパシタＣは、駆動トランジスタＴｄｒの制御端子と入力端子との間に接続されている。キャパシタＣは駆動トランジスタＴｄｒの制御端子に入力されるデータ信号を充電し維持する。
第１実施形態による表示装置１を図２を参照して詳しく説明すると次の通りである。図２では駆動トランジスタＴｄｒのみを示した。

説明において‘上に’は二つの層（膜）の間に他の層（膜）が介されたり介されないことを意味し、‘真上に’は二つの層（膜）が互いに接触していることを示す。
ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで作られた絶縁基板１１０上にゲート電極１２１が形成されている。
絶縁基板１１０とゲート電極１２１の上にはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１３１が形成されている。

ゲート電極１２１が位置したゲート絶縁膜１３１上には非晶質シリコンからなる半導体層１３２とｎ型不純物が高濃度ドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコンからなる抵抗性接触層１３３が順次に形成されている。ここで、抵抗性接触層１３３はゲート電極１２１を中心に両側に分離されている。
抵抗性接触層１３３およびゲート絶縁膜１３１の上にはソース電極１４１とドレイン電極１４２が形成されている。ソース電極１４１とドレイン電極１４２はゲート電極１２１を中心に分離されている。

ソース電極１４１とドレイン電極１４２およびこれらが覆っていない半導体層１３２の上部には保護膜１５１が形成されている。保護膜１５１はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）からなることができる。
保護膜１５１上には有機膜１５２が形成されている。有機膜１５２はＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）系、オレフィン系、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）系、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系、テフロン（登録商標）系、弗素樹脂 のうちのいずれか一つであり得る。

保護膜１５１と有機膜１５２はドレイン電極１４２上部で一部除去されて接触孔１５３を形成する。
有機膜１５２の上部には画素電極１６１が形成されている。画素電極１６１は陰極（ａｎｏｄｅ）とも呼ばれ、有機層１８０に正孔を供給する。画素電極１６１はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な電導物質からなっており、接触孔１５３を通じてドレイン電極１４２と接続されている。一方、絶縁基板１１０方向に画面を形成しないトップエミッション（topemission）方式では画素電極１６１は反射率の良い金属からなることができる。

画素電極１６１と有機膜１５２上には画素電極１６１を囲んでいる隔壁１７１が形成されている。隔壁１７１は比較的に平らな上面１７１ａと傾斜をなしている側面１７１ｂとからなり、画素電極１６１と離隔されていて互いに接触しない。
隔壁１７１はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶媒性を有する感光物質やＳｉＯ２、ＴｉＯ２のような無機材料からなることができ、有機層と無機層の２層構造も可能である。隔壁１７１の側面と絶縁基板１１０とがなす角度θ１は約４０度〜５０度であることができ、約４５度が好ましい。隔壁１７１の厚さｄ１は３μｍ〜５μｍである。このような角度であると、隔壁の側面上の反射膜に入射された光は、絶縁基板の垂直方向に進行するため、発光効率をさらに向上することができる。

隔壁１７１上には反射膜１７２が形成されている。反射膜１７２は隔壁１７１上にのみ形成されており、画素電極１６１と離隔されている。反射膜１７２はモリブデン、クロム、銀またはアルミニウムからなることができ、反射率は７０％以上であるのが好ましく、具体的には７０％〜９５％であることができる。反射率を高めることで、発光効率を向上させることができる。

反射膜１７２の厚さは５０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、反射膜１７２の厚さが５０ｎｍ以下であれば反射効率が減少し、反射膜１７２の厚さが５００ｎｍ以上であればそれ以上の反射効率の増加は無く形成時間のみが増加する。よって、５０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さで反射膜を形成することで、反射効率を高め、製造時間を最適化することができる。

画素電極１６１上には有機層１８０が形成されている。反射膜１７２と有機層１８０とは離隔されている。有機層１８０は低分子物質からなっており、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１８１と発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１８２からなっている。発光層１８２は互いに異なる色の光を発光する複数のサブ層１８２ａ、１８２ｂ、１８２ｃを含む。図示していないが、有機層１８０は正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などをさらに含むことができる。有機層１８０の厚さｄ２は１０００Å〜３０００Åである。有機層１８０は画素電極１６１と共通電極１９０が接触されることを防止する。

画素電極１６１から伝達された正孔と共通電極１９０から伝達された電子は発光層１８２で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）になった後、励起子の非活性化過程で光を発生させる。
隔壁１７１および発光層１８２の上部には共通電極１９０が位置する。共通電極１９０は陽極（ｃａｔｈｏｄｅ）とも呼ばれ、発光層１８２に電子を供給する。共通電極１９０はマグネシウムと銀の合金またはカルシウムと銀の合金からなることができ、厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであり得る。共通電極１９０の厚さが５０ｎｍ以下であれば抵抗が過度に大きくなって共通電圧印加が円滑でなく、共通電極１９０の厚さが２００ｎｍ以上であれば共通電極１９０が不透明になる恐れがある。共通電極１９０の光透過率は５０％以上であるのが好ましい。

以上の第１実施形態で発光層１８２から発光した光は共通電極１９０を経て外部に射出する。発光層１８２から発光した光のうちの一部分は隔壁１７１方向に進行し、この光は反射膜１７２によって反射されて上部へ向かうようになる。これによって、発光効率が向上する。特に、隔壁１７１の側面１７１ｂと絶縁基板１１０とがなす角度（θ１）が４０度〜５０度であり、反射膜１７２によって反射した光は絶縁基板１１０の垂直方向に進行して、発光効率はさらに向上する。

図示していないが、表示装置１は共通電極１９０上部に追加の保護膜、吸湿膜などがさらに形成されることができ、ガラスなどからなる封止部材（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｍｅｍｂｅｒ）をさらに含むことができる。
以下、図３ａ乃至図３ｆを参照して第１実施形態による表示装置の製造方法を説明する。

まず、図３ａのように、絶縁基板１１０上に薄膜トランジスタＴｄｒを形成する。薄膜トランジスタＴｄｒはチャンネル部が非晶質シリコンからなっており公知の方法で製造されることができる。
その次、図３ｂのように、薄膜トランジスタＴｄｒ上に保護膜１５１、有機膜１５２および画素電極１６１を形成する。保護膜１５１がシリコン窒化物である場合、化学気相蒸着法を使用することができる。有機膜１５２はスリットコーティング、スピンコーティングによって形成され、露光および現像によって接触孔１５３が形成される。画素電極１６１はＩＴＯ、ＩＺＯのような透明電導層をスパッタリング方法で形成した後、写真エッチングによって形成される。一方、トップエミッション方式の画素電極１６１は、透明である必要がないので、画素電極１６１は光を反射する金属からなっても関係ない。

その後、図３ｃのように、感光物質層１７５を形成し、マスク２００を用いて露光する。感光物質層１７５は露光された部分が分解されるポジティブ型であって、スリットコーティング法またはスピンコーティング法によって形成されることができる。
マスク２００は、クォーツなどからなるベース基板２１０と、ベース基板２１０上に形成されている光遮断層２２０とからなる。光遮断層２２０は紫外線を透過させない部分であって、クロム酸化物からなることができる。

光遮断層２２０は、隔壁１７１の上面１７１ａが形成される位置Ａに設けられている中心パターン２２１と、中心パターン１２１を中心に両側に位置したスリットパターン２２２とからなる。スリットパターン２２２は中心パターン２２１から遠くなるほど間隔が広くなる。スリットパターン２２２は隔壁１７１の側面１７１ｂが形成される位置Ｂに対応する。

露光の際、中心パターン２２１下部の感光物質層１７５は紫外線を受けないため分解されない。一方、スリットパターン２２２下部の感光物質層１７５は中心パターン２２１から遠くなるほど多くの紫外線を受けて、分解される量が多くなる。
露光後の現像過程で、スリットパターン２２２に対応する位置Ｂの感光物質層１７５は外側に行くほど分解される量が多くなって、図２のような側面１７１ｂを形成する。現像後、２００℃〜３００℃で硬化すると、隔壁１７１が完成される。

一方、ポジティブ型感光物質層１７５を使用すれば、スリットパターンのないマスクを使用しても光の回折によって絶縁基板１１０と鋭角をなす側面を形成することができる。
図３ｄは完成された隔壁１７１上に反射膜１７２を形成したものを示す。反射膜１７２は金属層を全面に蒸着した後、写真エッチング工程によって形成することができる。蒸着方法はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、電子ビーム蒸発（Ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸発（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）等がある。第１実施形態で反射膜１７２は隔壁１７１上にのみ位置している。

その後、図３ｅのように、シャドーマスク３００を用いて画素電極１６１上に有機物蒸気を供給する。
シャドーマスク３００は、有機物蒸気を通過させない遮断部３１０と、画素電極１６１に対応するパターンを有する開口３２０とからなっている。開口３２０の幅ｄ３は隔壁１７１間の距離ｄ４より大きく形成されている。シャドーマスク３００は開口３２０が画素電極１６１と対応するように配置される。このような配置で開口３２０を通じて有機物蒸気を供給すると、有機物蒸気は開口３２０に対応する画素電極１６１と接触するようになり、固相に相変化されて有機層１８０を形成する。このような方法で 有機層１８０は画素電極１６１を覆う。ここで、有機層１８０は低分子物質であり、前述のような蒸発法によって形成される。

一方、実際の適用時、有機層１８０の形成は画素電極１６１が下部へ向かうように配置された状態で行われる。有機物蒸気は下部から上部に供給され、シャドーマスク３００の開口３２０を通じて画素電極１６１に供給されることができる。
図３ｆは有機層１８０の形成が完了した状態を示す。有機層１８０のうちの正孔注入層１８１のような、各画素領域に共通の共通層は図３ｅで示したシャドーマスク３００を使用して形成する。一方、発光層１８２のように複数のサブ層１８２ａ、１８２ｂ、１８２ｃからなる場合には、つまり画素領域ごとにサブ層のパターンが異なる場合には、開口３２０の形成パターンが異なる別途のシャドーマスクを使用して形成する。

その後、有機層１８０と反射膜１７２上に共通電極１９０を形成すると、図２のような表示装置１が完成される。
＜第２実施形態＞
図４は本発明の第２実施形態による表示装置１の断面図である。以下、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。

第２実施形態で、有機層１８０は高分子物質からなっており、これに限定されないが、インクジェット方式で形成される。形成方法の特徴によって有機層１８０は反射膜１７２と一部接触している。
正孔注入層１８１はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン：ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）のような正孔注入物質からなっており、これら正孔注入物質を水に混合させて水相サスペンション状態でインクジェット方式によって形成されることができる。

発光層１８２はポリフルオレン誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、ロダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどをドーピングして使用することができる。発光層１８２は互いに異なる色の光を発光する複数のサブ層１８２ａ、１８２ｂ、１８２ｃからなっている。

図５ａ乃至図５ｃを参照して本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明する。
図５ａは感光物質層１７５が形成された状態でインプリントマスク４００を利用して隔壁１７１を形成する方法を示したものである。感光物質層１７５の形成までの段階は図３ａおよび図３ｂと同一なので説明は省略する。

インプリントマスク４００には隔壁１７１に対応する形状の陰刻パターン４１０が形成されている。インプリントマスク４００を感光物質層１７５に加圧し除去してベーキングすると隔壁１７１が形成される。この方法は露光、現像などの過程がないため隔壁１７１形成が簡単であるようになるという長所がある。
その次、図５ｂのように、隔壁１７１の間に正孔注入物質を含む高分子溶液である正孔注入溶液１８５を画素電極１６１上にインクジェット法を用いてドロッピングした後に乾燥して形成する。これにより、図５ｃのように、正孔注入層１８１が形成される。正孔注入溶液１８５はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物とこれら混合物が溶解されている極性溶媒を含むことができる。極性溶媒としては、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ｎ−ブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテートなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。

その後、図５ｃのように、正孔注入層１８１上に発光物質を含む高分子溶液である発光溶液１８６をインクジェット法を用いてドロッピングした後に乾燥して形成する。
有機層１８１、１８２が以上のようにインクジェット法で形成されるため、有機層１８１、１８２は隔壁１７１の間で均一に形成され、反射膜１７２と一部接するようになる。
発光溶液１８６が乾燥されて発光層１８２が形成された後、共通電極１９０を形成すると図３のような表示装置１が完成される。

また、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、発光層１８２から発光した光は共通電極１９０を経て外部に射出する。発光層１８２から発光した光のうちの一部分は隔壁１７１方向に進行し、この光は反射膜１７２によって反射されて上部へ向かうようになる。これによって、発光効率が向上する。特に、隔壁１７１の側面１７１ｂと絶縁基板１１０とがなす角度（θ１）が４０度〜５０度であると、側面１７１ｂに形成された反射膜１７２によって光が反射され、絶縁基板１１０に対して垂直方向に進行する。よって、共通電極１９０を経て外部に出射される光が増加し、発光効率がさらに向上する。

＜第３実施形態＞
図６は本発明の第３実施形態による表示装置１の断面図である。第３実施形態で有機層１８０は第２実施形態と同様に高分子物質からなっており、インクジェット方式によって形成される。以下、第２実施形態と異なる点を中心に説明する。
反射膜１７２は有機層１８０と接する隔壁１７１の下段部には形成されておらず、画素電極１６１とも接しない。これによって、共通電極１９０の電流が反射膜１７２を通じて画素電極１６１に伝達される問題を確実に防止することができる。

隔壁１７１は接触孔１５３を覆うように形成されている。これによって、隔壁１７１によって露出された画素電極１６１は均一な厚さと物性を有するようになって表示品質が向上し、薄膜トランジスタＴｄｒと共通電極１９０間の短絡がさらに防止される。
また、第３実施形態では、第１及び第２実施形態と同様に発光効率を向上することができる。

たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から外れずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められる。

本発明の第１実施形態による表示装置の等価回路図である。 本発明の第１実施形態による表示装置の断面図である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（１）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（２）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（３）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（４）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（５）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（６）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の断面図である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（１）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（２）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示す断面図（３）である。 本発明の第３実施形態による表示装置の断面図である。

符号の説明

１１０ 絶縁基板
１６１ 画素電極
１７１ 隔壁
１７２ 反射膜
１８０ 有機層
１９０ 共通電極

Claims (20)

1. 絶縁基板上に形成されている薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている画素電極と、
   前記画素電極上に形成されている有機層と、
   前記有機層を囲んでいる隔壁と、
   前記隔壁上に形成されている反射膜と、
   前記有機層上に形成されている共通電極と、を含むことを特徴とする表示装置。
2. 前記反射膜は、モリブデン、クロム、銀およびアルミニウムからなる群より選択されるいずれか一つからなることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記反射膜の厚さは５０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記反射膜の反射率は７０％より大きいことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記隔壁の側面と前記絶縁基板とは約４０〜５０度の傾斜をなすことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記隔壁は少なくとも一部が感光性有機物からなることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記反射膜と前記画素電極は離隔されていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記反射膜と前記有機層は離隔されていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記隔壁と前記画素電極は離隔されていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記隔壁と前記有機層は離隔されており、
    前記有機層は低分子物質であり、蒸発法によって形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
11. 前記隔壁と前記有機層は互いに接し、
    前記有機層は高分子物質であり、インクジェット法によって形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
12. 前記隔壁は前記画素電極の一部を覆っており、
    前記反射膜は前記画素電極と離隔されていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
13. 前記共通電極の光透過率は５０％以上であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
14. 絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
    前記薄膜トランジスタと電気的に接続される画素電極を形成する段階と、
    前記画素電極を囲む隔壁を形成する段階と、
    前記隔壁上に反射膜を形成する段階と、
    前記画素電極上に有機層を形成する段階と、
    前記有機層上に共通電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
15. 前記隔壁は側面が前記絶縁基板と約４０〜５０度の傾斜をなすように形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記隔壁は前記画素電極と離隔されるように形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記隔壁を形成する段階は、
    ポジティブ感光物質を塗布する段階と、
    前記ポジティブ感光物質を露光、現像する段階と、を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記隔壁を形成する段階は、
    感光物質を塗布する段階と、
    前記感光物質を前記隔壁の側面に対応する部分にスリットパターンが形成されたマスクを利用して露光する段階と、
    前記露光された感光物質を現像する段階とを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
19. 前記隔壁を形成する段階は、
    感光物質を塗布する段階と、
    前記感光物質に前記隔壁に対応する陰刻パターンが形成されたインプリントマスクを加圧する段階と、を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
20. 前記有機層を形成する段階は、
    前記隔壁によって囲まれた領域より広い開口を有するシャドーマスクを前記開口が前記画素電極に対応するように配置する段階と、
    前記開口を通して有機物蒸気を供給する段階と、を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
    

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