JP2009075194A - 表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光機能層の膜厚の偏りやバラツキの発生を抑制して、良好な発光特性や長寿命化が可能な発光素子を有する表示画素が二次元配列された表示パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示画素ＰＩＸは、画素形成領域Ｒpxの左方と右方の縁辺領域に略同等のサイズを有するトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２を配置し、かつ、これらのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を形成する電極層や半導体層等を、各々同一の製造プロセスで形成することにより各層の膜厚を同一にして、絶縁性基板１１の表面に生じる段差を略同等になるようにしたデバイス構造を有している。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示パネル及びその製造方法に関し、特に、有機化合物含有液を塗布することにより形成される発光機能層によって発光部が形成される発光素子を有する複数の表示画素が二次元配列された表示パネル及びその製造方法に関する。

近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、現在広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、液晶表示装置のようにバックライトや導光板などを必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという優位な特徴を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。

ここで、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示パネルに適用される表示画素としては、例えば表示データの書き込み保持動作や有機ＥＬ素子の発光動作を制御するための複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する画素回路を備えたものが知られており、そのパネル構造としては、例えば特許文献１等に記載されているように、基板上に設けられた画素回路（複数の薄膜トランジスタ）を被覆するように平坦化膜を形成し、その上に有機ＥＬ素子を積層形成したものが知られている。

また、有機ＥＬ素子は、周知のように、概略、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機ＥＬ層となる担体輸送層を形成する有機材料（正孔輸送材料や電子輸送材料）に応じて、低分子系と高分子系の有機ＥＬ素子に大別することができる。

特に、高分子系の有機材料を用いた有機ＥＬ素子の場合には、インクジェット法（液滴吐出法）やノズルプリンティング法（液流吐出法）等の湿式成膜法を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液（有機溶液）を塗布することができ、蒸着法を適用する低分子系の有機材料を用いる場合に比較して、材料ロスが少なく効率的な製造プロセスで精度良く有機ＥＬ層（正孔輸送層や電子輸送層、発光層等）の薄膜を形成することができるという利点を有している。

ここで、高分子系の有機ＥＬ表示パネルにおいては、一般に各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、塗布された有機溶液が隣接する異なる色の画素形成領域に混入しないようにするために、例えば特許文献２等に記載されているように、絶縁性基板上に連続的に突出する隔壁（バンク）を設けたパネル構造が知られている。

特開２００５−２２２７５９号公報 （第８頁〜第９頁、図３） 特開２００３−２５７６５６号公報 （第５頁〜第６頁、図５）

しかしながら、上述したような有機ＥＬ表示パネルにおいては、次のような問題を有していた。
上述した特許文献１等に記載されたような平坦化膜を備えたパネル構造においては、基板上に形成された画素回路のトランジスタや配線層等による段差を平坦化膜により完全になくすことは不可能であるため、基板表面の段差の影響を受けて平坦化膜表面（上面）に傾斜（勾配）やうねりが生じ、これにより、平坦化膜上に塗布形成される有機ＥＬ層（発光機能層）の膜厚に偏りやバラツキが生じて、発光特性や発光寿命の劣化を招くという問題を有していた。

一方、特許文献２等に記載されたような隔壁（バンク）を備えたパネル構造においては、基板上に形成された画素回路のトランジスタや配線層等の配置に起因して、隔壁の高さに偏りが生じることにより、塗布された有機溶液が隔壁を乗り越えて隣接する画素形成領域へ混入して混色が生じたり、隔壁側面への有機溶液の迫り上がり量の差に起因して有機ＥＬ層（発光機能層）の膜厚に偏りやバラツキが生じたりして、発光特性や発光寿命の劣化を招くという問題を有していた。
なお、上述した平坦化膜や隔壁における問題点については、後述する発明の詳細な説明において詳しく比較検証する。

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、発光機能層の膜厚の偏りやバラツキの発生を抑制して、良好な発光特性や長寿命化が可能な発光素子を有する表示画素が二次元配列された表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。

請求項１記載の発明は、基板上に発光素子を有する複数の表示画素が行方向及び列方向にマトリクス状に配列された表示パネルにおいて、前記基板上にマトリクス状に配列され、前記複数の表示画素をなす複数の画素形成領域と、前記各画素形成領域内に設けられる前記発光素子の発光部と、前記各画素形成領域内に設けられ、前記発光素子を駆動するための複数の回路素子を含む複数の機能素子と、行及び列の少なくとも何れか一方に沿って、少なくとも一部が前記各画素形成領域に跨って前記基板上に形成される複数の突起部と、を備え、前記発光部は、前記各画素形成領域における、前記複数の突起部における一対の前記突起部によって画定される凹部に設けられる発光部形成領域に形成され、前記複数の機能素子の少なくとも一部は、前記画素形成領域における前記突起部に対応する領域に形成され、前記画素形成領域の前記各突起部に対応する領域における、前記発光部形成領域に隣接する領域の少なくとも３０％の領域からなる特定の領域において、前記機能素子によって前記基板上に形成される凹凸が、前記発光部形成領域の中心点を通る行方向の第１の基準線および列方向の第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準として線対称に形成されていることを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示パネルにおいて、前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記第１の基準線および前記第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした、線対称の平面パターンを有することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の表示パネルにおいて、前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記複数の回路素子の少なくとも一部を含むことを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の表示パネルにおいて、前記特定の領域に形成される前記回路素子は、薄膜トランジスタ構造を有する電界効果型トランジスタを含むことを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１又は２記載の表示パネルにおいて、前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記発光素子の駆動に関与しない擬似回路素子を含むことを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示パネルにおいて、前記表示画素は、前記複数の機能素子を含んで前記基板上を被覆する平坦化膜を有し、前記複数の突起部は、前記平坦化膜上に設けられた絶縁膜からなることを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の表示パネルにおいて、前記複数の突起部は、前記各表示画素の前記発光部形成領域を画定するように設けられ、前記複数の機能素子の少なくとも一部を覆うように前記基板上に形成される複数の隔壁からなることを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の表示パネルにおいて、前記発光素子は、有機エレクトルミネッセント素子であることを特徴とする。

請求項９記載の発明は、基板上に発光素子を有する複数の表示画素が行方向及び列方向にマトリクス状に配列された表示パネルの製造方法において、前記各表示画素は、前記基板上にマトリクス状に配列されて前記複数の表示画素をなす複数の画素形成領域と、該各画素形成領域内に設けられて前記発光素子を駆動するための複数の回路素子を含む複数の機能素子と、を有し、前記各画素形成領域内の前記基板上に前記複数の機能素子を形成する工程と、前記複数の機能素子を含んで前記基板上を被覆する平坦化膜を形成する工程と、行及び列の少なくとも何れか一方に沿って、少なくとも一部が前記各画素形成領域に跨って前記平坦化膜上に形成される複数の突起部を形成する工程と、前記各画素形成領域における前記複数の突起部における一対の前記突起部によって画定される凹部に設けられる発光部形成領域に、前記発光素子の発光部を形成する工程と、を含み、前記複数の機能素子を形成する工程は、該各機能素子を、前記画素形成領域の前記各突起部に対応する領域における、前記発光部形成領域に隣接する領域の少なくとも３０％の領域からなる特定の領域において、前記機能素子によって前記基板上に形成される凹凸が、前記発光部形成領域の中心点を通る行方向の第１の基準線および列方向の第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした線対称となるように形成する工程を含むことを特徴とする。

請求項１０記載の発明は、基板上に複数の表示画素が行方向及び列方向にマトリクス状に配列された表示パネルの製造方法において、前記各表示画素は、前記基板上にマトリクス状に配列されて前記複数の表示画素をなす複数の画素形成領域と、該各画素形成領域内に設けられて前記発光素子を駆動するための複数の回路素子を含む複数の機能素子と、を有し、前記各画素形成領域内の前記基板上に前記複数の機能素子を形成する工程と、前記各表示画素の前記発光素子の発光部をなす発光部形成領域を画定し、前記複数の機能素子の少なくとも一部を覆う複数の隔壁を前記基板上に形成する工程と、前記複数の隔壁における一対の前記隔壁によって画定される凹部からなる前記発光部形成領域に、前記発光部を形成する工程と、を含み、前記複数の機能素子を形成する工程は、該各機能素子を、前記画素形成領域の前記各隔壁に対応する領域における、前記発光部形成領域に隣接する領域の少なくとも３０％の領域からなる特定の領域において、前記機能素子によって前記基板上に形成される凹凸が、前記発光部形成領域の中心点を通る行方向の第１の基準線および列方向の第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした線対称となるように形成する工程を含むことを特徴とする。

請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０記載の表示パネルの製造方法において、前記複数の機能素子を形成する工程は、前記特定の領域に形成される前記機能素子を、前記第１の基準線および前記第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした、線対称の平面パターンに形成することを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項９乃至１１のいずれかに記載の表示パネルの製造方法において、前記複数の機能素子を形成する工程において前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記発光素子の駆動に関与しない擬似回路素子を含むことを特徴とする。
請求項１３記載の発明は、請求項９乃至１２のいずれかに記載の表示パネルの製造方法において、前記発光部を形成する工程は、前記凹部に有機化合物含有液を塗布し、該塗布された前記有機化合物含有液を乾燥させてなる発光機能層を形成して、前記発光部を形成する工程を含むことを特徴とする。

本発明に係る表示パネル及びその製造方法によれば、発光機能層の膜厚の偏りやバラツキの発生を抑制して、良好な発光特性や発光素子の長寿命化を実現することができる。

以下、本発明に係る表示パネル及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、上述した高分子系の有機材料からなる有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。

＜第１の実施形態＞
（表示パネル）
まず、第１の実施形態に係る表示パネル（有機ＥＬパネル）の概略構造と、表示画素の回路構成について説明する。ここでは、基板上に形成された画素駆動回路（上述した画素回路に相当する）の薄膜トランジスタや配線層を被覆するように平坦化膜が形成され、該平坦化膜上に有機ＥＬ素子が形成されたパネル構造について説明する。

図１は、第１の実施形態に係る表示パネルの一例を示す概略平面図であり、図２は、本実施形態に係る表示パネルに二次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。ここで、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）を視野側から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係を主に示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（発光素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等や、平坦化膜の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層の配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。

第１の実施形態に係る表示パネル１０は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面手前側）に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色からなる色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが図面左右方向に繰り返し複数（３の倍数）配列されるとともに、図面上下方向に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。

各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂが形成される各画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１５が形成されているとともに、列方向（すなわち図面上下方向）にデータラインＬｄが配設され、また、当該データラインＬｄに直交して行方向（すなわち図面左右方向）に選択ラインＬｓ及び供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが配設されている。また、絶縁性基板１１上に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸ（各画素電極１５）に対して共通に単一の平面電極（べた電極）からなる対向電極（例えばカソード電極）１７が形成されている。

表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの具体的な回路構成としては、例えば図２に示すように、絶縁性基板１１上に例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる１乃至複数のトランジスタ（回路素子）等の複数の機能素子を有する画素駆動回路（駆動回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより制御される発光駆動電流が、上記画素電極１５に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＬＥＤと、を備えている。

画素駆動回路ＤＣは、例えば図２に示すように、ゲート端子が選択ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネル１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタ（発光駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、トランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。

ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれも薄膜トランジスタ構造を有するｎチャネル型の電界効果型トランジスタが適用されている。なお、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１５）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極となる対向電極１７）が例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続されている。ここで、上述したように、カソード電極となる対向電極１７は、絶縁性基板１１上に配列された全ての表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極）に共通の単一の平面電極からなり、所定の低電圧（基準電圧Ｖss；例えば接地電位Ｖgnd）が共通に印加されている。

なお、図２に示した表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）において、選択ラインＬｓは、例えば図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択信号Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じた階調信号Ｖpixが印加される。

供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極（アノード電極）１５に表示データに応じた発光駆動電流が流れるように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極１７（カソード電極）に印加される基準電圧Ｖssより電位の高い、所定の高電圧（供給電圧Ｖdd）が印加される。

すなわち、各表示画素ＰＩＸにおいて、直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssを印加して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できる状態にし、さらに、階調信号Ｖpixに応じて流れる発光駆動電流の電流値をトランジスタＴｒ１２により制御している。

なお、図２においては、表示画素ＰＩＸに設けられる画素駆動回路ＤＣとして、薄膜トランジスタを２個使用した回路構成を示したが、３個以上の複数のトランジスタを備える回路構成を有するものであってもよい。また、画素駆動回路ＤＣとして、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸ（具体的には、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２のゲート端子；接点Ｎ１１）に書き込む階調信号Ｖpixの電圧値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式の回路構成を示したが、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸに書き込む電流値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。

（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、有機ＥＬ層において発光した光を、絶縁性基板を介することなく視野側（絶縁性基板の一面側）に出射するトップエミッション型の発光構造を有する表示画素について示す。

図３は、本実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す平面レイアウト図及び要部断面図である。ここでは、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び各配線層等が形成された層を中心に示す。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの特定の一の色画素）におけるＡ１−Ａ１線に沿った断面を示す概略断面図である。

図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域；図３（ａ）、（ｂ）中、Ｒpxと表記）において、例えば図３（ａ）に示すような平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交し、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。

ここで、例えば図３（ａ）、（ｂ）に示すように、データラインＬｄは、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同じ工程で形成され、その上に成膜されたゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ11を介して、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに接続されている。

選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａは、データラインＬｄよりも上層側に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同じ工程でゲート絶縁膜１２上に形成される。選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇの一端側に位置するゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ12を介してゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続されている。また、供給電圧ラインＬａは、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１２ｄと一体的に形成されている。

画素駆動回路ＤＣは、例えば図３（ａ）に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が画素形成領域Ｒpxの左方の縁辺領域に、列方向に配設されたデータラインＬｄに沿って図面上下方向に延在するように配置され、トランジスタＴｒ１２が画素形成領域Ｒpxの右方の縁辺領域に、図面上下方向に延在するように配置されている。

ここで、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、周知の電界効果型トランジスタ構造を有し、各々、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと、を有している。

なお、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓとドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のチャネル保護層（ブロック層）ＢＬが形成され、また、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓとドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが接触する半導体層ＳＭＣ上には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄとのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。

そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ12を介して選択ラインＬｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ11を介してデータラインＬｄに接続されている。

トランジスタＴｒ１２は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ13を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４に設けられたコンタクトホールＣＨ14を介して、平坦化膜１４上に形成される有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５に接続されている。

キャパシタＣｓは、ゲート絶縁膜１２を介して相互に対向する一対の導電層からなり、図３（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜１２の下層側（絶縁性基板１１側）に設けられる一方側の電極ＥcaがトランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇと一体的に形成され、ゲート絶縁膜１２の上層側（平坦化膜１４側）に設けられる他方側の電極ＥcbがトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成されている。

また、平坦化膜１４は、絶縁性基板１１上に形成された上記画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各配線層による段差を極力緩和して、当該平坦化膜１４の表面の平坦性への影響が小さくなるように、平坦化膜材料やその厚み等が適宜設定されている。ここで、本実施形態に適用可能な平坦化膜材料としては、熱硬化性を有する有機材料を良好に適用することができ、例えば、絶縁性基板１１上への成膜後に直接パターニングが可能な感光性の有機材料としてＪＳＲ株式会社製のＰＣ４０３や、段差緩和性能が高いが、絶縁性基板１１上への成膜後にドライエッチングで加工する必要がある非感光性の有機材料としてナガセケムテックス株式会社製のＳＲＫ−７６２等を良好に適用することができる。

そして、各画素形成領域Ｒpxの平坦化膜１４上には、図３（ｂ）に示すように、例えばアノード電極となる画素電極１５と、例えば正孔輸送層（担体輸送層）１６ａ及び電子輸送性発光層（担体輸送層）１６ｂを有する有機ＥＬ層（発光機能層；発光部）１６と、例えばカソード電極となる対向電極１７とを順次積層した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが設けられている。

ここで、表示パネル１０（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）がトップエミッション型の発光構造を有している場合には、画素電極１５は少なくとも光反射特性を有する層を含むとともに、対向電極１７が光透過特性を有する層により形成されている。具体的には、画素電極１５は、アルミニウム（Ａｌ）等の反射金属層１５ａ上に錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium
Zinc Oxide；ＩＺＯ）等からなる透明な酸化金属層１５ｂを被覆するように積層形成した電極構造を有し、対向電極１７は、透明な酸化金属層を有している。

また、上述したように、画素電極１５は、下層の平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ14を介して上述した画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続され、対向電極１７は、少なくとも各画素形成領域Ｒpxの画素電極１５に対して有機ＥＬ層１６を介して共通に対向するように、単一の平面電極（べた電極）により形成されている。

すなわち、表示画素ＰＩＸは、図３に示すように、絶縁性基板１１上に画素駆動回路ＤＣ（図２参照）の複数のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や、選択ラインＬｓ及びデータラインＬｄ、供給電圧ラインＬａを含む各種配線層が設けられ、当該トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び各配線層を被覆するように順次形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４を介して、その上層に、画素駆動回路ＤＣに接続されて所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１５、正孔輸送層１６ａと電子輸送性発光層１６ｂを有する有機ＥＬ層１６、及び、基準電圧Ｖssが印加される対向電極（例えばカソード電極）１７を備えた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成されている。

また、相互に隣接する異なる色の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５）間の領域（すなわち、表示画素ＰＩＸ間の境界領域）には、図３（ｂ）に示すように、層間絶縁膜（突起部）１８が形成されている。すなわち、層間絶縁膜１８は、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１５相互を隔離、絶縁するとともに、各画素電極１５を露出するように形成されていることにより、層間絶縁膜１８により囲まれた領域が、有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する際の有機溶液を塗布する領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）として規定される。ここで、層間絶縁膜１８は、画素形成領域Ｒpxの左右の縁辺領域に形成されたトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２を被覆する平坦化膜１４上に、少なくとも当該トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２等の回路素子の一部が平面的に重なるように、厚さ方向に連続的に突出するように形成されている。さらに、図示を省略したが、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成された絶縁性基板１１上には、透明な封止樹脂層を介して、絶縁性基板１１に対向するように透明な封止基板が接合されている。

そして、本実施形態に係る表示パネル１０に適用される表示画素ＰＩＸにおいては、例えば図３（ａ）に示すように、画素形成領域Ｒpxの左方と右方の縁辺領域に略同等のサイズを有するトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２を配置し、かつ、図３（ｂ）に示すように、これらのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を形成する電極層や半導体層等を、各々同一の製造プロセスで形成することにより各層の膜厚を略同一にして、絶縁性基板１１の表面に生じる段差を略同等になるようにしたデバイス構造を有している。

すなわち、画素形成領域Ｒpxの左方と右方の縁辺領域に配置、形成されるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、各チャネル幅Ｗ（図３（ａ）の上下方向のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の長さに相当する）が略同一になるように設定されている。ここで、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のトランジスタサイズ、すなわち、チャネル幅Ｗ及びチャネル長Ｌは、当該トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を有して構成される画素駆動回路ＤＣにより駆動制御される有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを、表示データに応じた適切な輝度階調で発光させることができる駆動能力（又は駆動特性）を有するように任意の数値に設定される。

より具体的には、図３（ａ）の平面レイアウトにおいて画素形成領域Ｒpx（又は表示画素ＰＩＸ）の中心点Ｐｃを通り、上下方向に延伸する中心線（第２の基準線）ＣＬ11を基準にして、また、図３（ｂ）の断面図において上記中心点Ｐｃを通り、上下方向に延伸する中心線ＣＬ13（実質的に上記中心線ＣＬ11と同等）を基準にして、各図面の左右領域の略対称（略線対称）となる位置に略同一の平面パターンを有する上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び各配線層が配置、形成されている。この対称構造に形成される領域は、画素形成領域Ｒpxにおける層間絶縁膜１８が形成される領域に対応する領域の、有機ＥＬ層１６が形成される領域に隣接する領域の全体に亘って設けられて、完全に左右対称な平面パターンとすることが好ましいが、実際には完全に左右対称な平面パターンにすることは困難である。しかしながら、画素形成領域Ｒpxにおける層間絶縁膜１８が形成される領域に対応する領域の、有機ＥＬ層１６が形成される領域に隣接する領域の少なくとも３０％の領域（例えば図３（ａ）のＳ11、Ｓ12に示す領域）が、この対称構造となっていれば、平坦化膜１４表面の傾斜やうねりを概ね抑えることができる。

また、このような構成に加えて、対称構造とされる領域Ｓ11、Ｓ12を、図３（ａ）の平面レイアウトにおいて上記中心点Ｐｃを通り、左右方向に延伸する中心線（第１の基準線）ＣＬ12を基準にして、図面の上下領域の略対称（略線対称）となる位置に設けるようにすると、平坦化膜１４表面の平坦性を更に向上させることができて、より好ましい。

ここで、本発明の概念について、上述した実施形態の各構成と対応させながら説明する。
図４は、本発明に係る表示パネルの概念を説明するための概念図である。ここでは、本発明に係る概念に対応する各領域を明確にするために便宜的にハッチングを施して示した。同一のハッチングを施した箇所は同一の概念に係る領域を示している。

すなわち、上述した実施形態に示した表示パネルは、図１に示したような絶縁性基板１１上に有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＬＥＤを有する複数の表示画素ＰＩＸが行方向及び列方向にマトリクス状に配列された表示パネル１０において、図４の概念図に示すように、絶縁性基板１１上にマトリクス状に配列され、複数の表示画素ＰＩＸをなす複数の画素形成領域Ｒpxと、該各画素形成領域Ｒpx内に設けられる有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＬＥＤの有機ＥＬ層（発光部）１６と、各画素形成領域Ｒpx内に設けられ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するための複数のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２やキャパシタＣｓ等の回路素子を含む画素駆動回路ＤＣを構成する複数の機能素子と、行及び列の少なくとも何れか一方に沿って、少なくとも一部が各画素形成領域Ｒpxに跨って絶縁性基板１１上に形成される複数の層間絶縁膜（突起部）１８と、を備え、上記有機ＥＬ層１６は、各画素形成領域Ｒpxにおける、上記複数の層間絶縁膜１８における一対の層間絶縁膜１８によって画定される凹部ＨＬに設けられるＥＬ素子形成領域（発光部形成領域）Ｒelに形成され、上記複数の機能素子の少なくとも一部は、画素形成領域Ｒpxにおける層間絶縁膜１８に対応する領域Ｒpjに形成され、画素形成領域Ｒpxの各層間絶縁膜１８に対応する領域Ｒpjにおける、上記ＥＬ素子形成領域Ｒelに隣接する領域Ｒpj-eの少なくとも３０％の領域からなる上記Ｓ11、Ｓ12で示した特定の領域Ｒpj-xにおいて、上記機能素子によって絶縁性基板１１上に形成される凹凸が、ＥＬ素子形成領域Ｒelの中心点Ｐｃを通る列方向の中心線（第２の基準線）ＣＬ11を基準として線対称に形成されていることを特徴とするものである。

なお、この特定の領域Ｒpj-x（Ｓ11、Ｓ12）は、図３（ａ）及び図４では、ＥＬ素子形成領域Ｒelの中心点Ｐｃを通る行方向の中心線ＣＬ12を基準とした線対称の位置に形成されているものとしたが、これに限るものではなく、特定の領域Ｒpj-xは中心線ＣＬ11を基準とした線対称の位置に形成されていれば、領域Ｒpj-eにおける列方向の位置は任意であってもよい。しかしながら、特定の領域Ｒpj-xが行方向の中心線ＣＬ12を基準とした線対称の位置、すなわち領域Ｒpj-eの列方向中央の位置に形成されていると、上記機能素子によって形成される凹凸の左右方向の対称性に加えて上下方向の対称性も向上させることができて、より好ましい。

これにより、絶縁性基板１１上に平坦化膜１４を形成する前の絶縁性基板１１表面の段差は、上記中心線ＣＬ11、ＣＬ13を基準にして左右方向で略同等となり、また、上記中心線ＣＬ12を基準にして上下方向で略同等となるので、絶縁性基板１１上に例えば有機材料を含有する溶液（有機溶液）を塗布、乾燥させて平坦化膜１４を形成する場合であっても、上記中心線ＣＬ11、ＣＬ12を基準にした画素形成領域Ｒpxの左右、上下方向で平坦化膜１４表面の傾斜（勾配）やうねりを抑制して、平坦化膜１４の表面高さを略均一にすることができ、平坦化膜１４表面の平坦性を向上させることができる。

このような表示パネル１０においては、例えば、表示パネル１０の下層側（平坦化膜１４の絶縁性基板１１側）に設けられたトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等の回路素子、選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、供給電圧ラインＬａ等の各種配線層を有する画素駆動回路ＤＣにおいて、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れ、当該トランジスタＴｒ１２（ソースＴｒ１２ｓ）からコンタクトホールＣＨ14を介して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが表示データに応じた所定の輝度階調で発光動作する。

このとき、本実施形態に示した表示パネル１０においては、画素電極１５が光反射特性を有し、対向電極１７が光透過特性を有することにより（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッション型のデバイス構造を有していることにより）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過特性を有する対向電極１７を介して直接、あるいは、光反射特性を有する画素電極１５で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）の一面側（図３（ｂ）の図面上方）に出射される。

（表示パネルの製造方法）
次に、上述した表示パネルの製造方法について説明する。
図５、図６は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図３（ｂ）に示したＡ１−Ａ１断面のパネル構造の製造工程について説明する。

上述した表示パネルの製造方法は、まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の形成領域（画素形成領域）Ｒpxごとに、上述した画素駆動回路（図２参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や、選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、供給電圧ラインＬａ等の各種配線層を形成する（図３（ａ）参照）。具体的には、絶縁性基板１１上に、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、ゲート電極Ｔｒ１２ｇと一体的に形成されるキャパシタの一方側の電極Ｅca、及び、データラインＬｄを同一のゲートメタル層をパターニングすることによって同時に形成する。

次いで、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２を被覆形成した後、当該ゲート絶縁膜１２をエッチングして、上記データラインＬｄ、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ及びキャパシタの一方側の電極Ｅca（又はゲート電極Ｔｒ１２ｇ）の上面が露出するコンタクトホールＣＨ11、ＣＨ12及びＣＨ13を形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等を有する半導体層ＳＭＣ、及び、酸化シリコン又は窒化シリコン等のチャネル保護層（ブロック層）ＢＬを形成した後、当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを介して、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、及び、ソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成されるキャパシタの他方側の電極Ｅcbを同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって同時に形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって選択ラインＬｓ、及び、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄと一体的に形成される供給電圧ラインＬａも同時に形成する。

ここで、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、コンタクトホールＣＨ11上に延在する平面パターンを有して形成され、当該コンタクトホールＣＨ11を介してデータラインＬｄに接続され、また、選択ラインＬｓは、コンタクトホールＣＨ12上に延在する平面パターンを有して形成され、当該コンタクトホールＣＨ12を介してゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続され、また、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、コンタクトホールＣＨ13上に延在する平面パターンを有して形成され、当該コンタクトホールＣＨ13を介してキャパシタの一方側の電極Ｅca（又はゲート電極Ｔｒ１２ｇ）に接続される。

このようにして形成されたトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、図３（ａ）、（ｂ）に示したように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇとＴｒ１２ｇ、ソース電極Ｔｒ１１ｓとＴｒ１２ｓ、及び、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄとＴｒ１２ｄの各電極層、並びに、データラインＬｄ、選択ラインＬｓ、供給電圧ラインＬａの各配線層が、画素形成領域Ｒpxの中心点Ｐｃを通る各中心線ＣＬ11〜ＣＬ13に対して、略線対称となる位置に、略同等の平面寸法（長さや幅）を有して配置、形成されるとともに、上記各電極層や配線層の断面寸法（膜厚）が略同一になるように形成される。すなわち、特定の中心線に対して画素形成領域Ｒpxの左方と右方（又は／及び上方と下方）の縁辺領域に略同等のサイズを有するトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２、各種配線層を配置し、かつ、これらのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を形成する電極層や半導体層、各配線層等を、相互に共通する（同一の）製造プロセスで形成することにより各層の膜厚を略同一になるようにしたデバイス構造を有している。

なお、上述したトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、データラインＬｄ、選択ラインＬｓ、供給電圧ラインＬａは、配線抵抗を低減し、かつ、マイグレーションを低減する目的で、例えばアルミニウム合金層と遷移金属層を有する積層配線構造を有しているものであってもよい。

次いで、図５（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、データライン、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）等を有する保護絶縁膜（パッシベーション膜）１３、及び、有機材料等を有する平坦化膜１４を順次形成した後、当該平坦化膜１４及び保護絶縁膜１３をエッチングして、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓの上面が露出するコンタクトホールＣＨ14を形成する。

ここで、上述したように、絶縁性基板１１上に形成される画素駆動回路ＤＣの各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各種配線層は、特定の中心線に対して略線対称となる位置に配置、形成され、かつ、これらを形成する電極層や半導体層、各配線層等を、相互に共通する製造プロセスで形成することにより各層の膜厚を略同一になるようにしたデバイス構造を有していることにより、絶縁性基板１１表面の段差は、上記中心線を基準にして左右、上下方向で略同等となるので、平坦化膜１４表面の傾斜（勾配）やうねりを抑制して、平坦化膜１４の表面高さを略均一にすることができ、平坦化膜１４表面の平坦性を向上させて、絶縁性基板１１に対して略平行な面を形成することができる。

次いで、例えば無電解メッキ法等によって上記コンタクトホールＣＨ14に金属材料を有するコンタクトメタルを埋め込んだ後、図５（ｃ）に示すように、各画素形成領域Ｒpx（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂの形成領域）ごとに、上記コンタクトメタルを介して電気的に接続された画素電極１５を平坦化膜１４上に形成する。

ここで、画素電極１５は、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の合金等の光反射特性を有する反射金属膜を薄膜形成し、所定の形状にパターニングすることにより上記コンタクトメタルに電気的に接続された反射金属層１５ａを形成する。その後、当該反射金属層１５ａを含む平坦化膜１４上にＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極材料を有する（光透過特性を有する）酸化金属膜を薄膜形成し、上記反射金属層１５ａの上面や端面が露出しないようにパターニングすることにより導電性の酸化金属層１５ｂを形成する。

このように、上層側に形成される酸化金属膜をパターニングする際に、下層側の反射金属層１５ａが露出しないようにすることにより、酸化金属膜と反射金属層１５ａとの間で電池反応を引き起こさないようにすることができるとともに、下層側の反射金属層１５ａがオーバーエッチングされたり、エッチングダメージを受けたりすることを防止することができる。

次いで、反射金属層１５ａ及び酸化金属層１５ｂを有する上記画素電極１５を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機の絶縁性材料を有する絶縁層を形成した後パターニングすることにより、図３（ａ）、（ｂ）、図６（ａ）に示すように、各画素形成領域Ｒpxにおいて画素電極１５の上面が露出する開口部を有する層間絶縁膜１８を形成する。この層間絶縁膜１８により、各表示画素ＰＩＸ間の領域（すなわち、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域）が電気的に絶縁される。

次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより、上記層間絶縁膜１８から露出する画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）表面を親液化処理して、後述する高分子系の有機化合物含有液（有機溶液）が画素電極１５表面に馴染んで均一に広がりやすくする。さらに、層間絶縁膜１８に対して撥液化処理を施して、後述する高分子系の有機化合物含有液（有機溶液）が層間絶縁膜１８に着滴した場合に充分にはじくようにしてもよい。

次いで、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxに対して（層間絶縁膜１８から露出する画素電極１５上に）、互いに分離した複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法や、連続した溶液を吐出するノズルプリンティング法等を適用して、正孔輸送材料の溶液又は分散液（有機溶液）を連続的に塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層１６ａを形成する。続いて、インクジェット法又はノズルプリンティング法等を適用して、上記正孔輸送層１６ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液（有機溶液）を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層１６ｂを形成する。これにより、図６（ｂ）に示すように、画素電極１５上に正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する有機ＥＬ層（発光機能層）１６が積層形成される。

具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）上に塗布した後、絶縁性基板１１を載置しているステージを１００℃以上の温度条件で加熱乾燥処理を行って溶媒を除去することにより、当該画素電極１５上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１６ａを形成する。

ここで、画素電極１５（酸化金属層１５ｂ）の表面は、上述した酸素プラズマ処理により上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して親液性を有しているので、塗布された有機化合物含有液は画素電極１５上に充分馴染んで広がる。一方、層間絶縁膜１８の表面は、画素電極１５表面に比較して上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に対して撥液性を有しているので、塗布された有機化合物含有液がはじかれて定着しない。

また、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒或いは水に溶解した溶液を、上記正孔輸送層１６ａ上に塗布した後、窒素雰囲気中でステージ及び／又はステージ上の雰囲気を加熱乾燥処理して溶媒を除去することにより、正孔輸送層１６ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１６ｂを形成する。
この場合においても、上述した正孔輸送層１６ａと同様に、画素電極１５上の正孔輸送層１６ａの表面は、上記有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、層間絶縁膜１８の開口部内（正孔輸送層１６ａ上）に充分馴染んで広がる。

この有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）の形成工程においては、上述したように、平坦化膜１４の表面高さを略均一にして平坦性を向上させることができるので、該平坦化膜１４上に形成された画素電極１５上に有機溶液を塗布して有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する場合であっても、有機溶液の広がり具合を略均一化することができ、略均一な膜厚を有する発光機能層を形成することができる。

その後、図３（ｂ）に示したように、少なくとも上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）が形成された各画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１上に光透過性を有し、各画素形成領域Ｒpxの有機ＥＬ層１６を介して各表示画素ＰＩＸの画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１７を形成する。ここで、対向電極１７は、例えば蒸着法やスパッタリング法等により電子注入層となるバリウム、マグネシウム、リチウム等の金属材料やその合金を有する薄膜を形成した後、その上層にスパッタ法等によりＩＴＯ等の透明電極層又はアルミニウム等の薄膜を積層形成した、厚さ方向に透明な膜構造を適用することができる。また、対向電極１７は、図１、図３（ｂ）に示したように、上記画素電極１５に対向する領域のみならず、各画素電極１５間の領域（境界領域）に形成された層間絶縁膜１８上にまで延在する単一の導電層（べた電極）として形成される。

次いで、上記対向電極１７を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に、図示を省略したシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を有する封止層を、ＣＶＤ法等を用いて形成し、さらに、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、ザグリ加工された封止蓋や平板状の封止基板を接合することにより、本実施形態に係るパネル構造を有する表示パネル１０が完成する。

（比較検証）
次に、上述した実施形態に係る表示画素及び表示パネルに特有の作用効果について、比較例を示して具体的に説明する。ここでは、説明を簡明にするために、図３（ａ）に示した平面レイアウトにおいて、各配線層の配置は変更せず、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネル幅Ｗのみを異なるように変更した場合との比較検証を行う。

図７は、本実施形態の比較対象に係る表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図であり、図７（ａ）は平面レイアウト図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す表示画素におけるＢ１−Ｂ１線に沿った断面を示す要部断面図である。ここで、図３に示した表示画素のデバイス構造と同等の構成についてはその説明を簡略化又は省略する。

比較対象に係る表示画素のデバイス構造は、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、画素形成領域Ｒpxの左方及び右方の縁辺領域に配置、形成されるトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のトランジスタサイズ（具体的には、チャネル幅Ｗ）が図３（ａ）に示した場合のように略同等ではなく、トランジスタＴｒ１２に対してトランジスタＴｒ１１のチャネル幅Ｗが極端に短くなるように設定されている。

すなわち、トランジスタＴｒ１１とＴｒ１２は、画素形成領域Ｒpxの中心点Ｐｃを通り、図面上下方向に延伸する中心線ＣＬ11ｘ及びＣＬ13ｘ、並びに、上記中心点Ｐｃを通り、図面左右方向に延伸する中心線ＣＬ12ｘを基準にして、各々、線対称となる位置に配置、形成されていない。換言すれば、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の電極層や半導体層等が非対称となる位置に配置、形成されている。このようなデバイス構造においては、図７（ａ）に示すように、上記図３に示した領域Ｓ11、Ｓ12に対応する左右の縁辺領域の特定の領域Ｓ11x、Ｓ12xに形成されている積層構造が、図７（ｂ）に示すように、中心線ＣＬ13ｘ（実質的に中心線ＣＬ11ｘ）に対して略対称（略線対称）となるようには形成されていない。

このようなデバイス構造を有する表示画素ＰＩＸについて、発明者が種々検討した結果、画素駆動回路ＤＣが形成された絶縁性基板１１表面の細かい（小さな）段差は平坦化膜１４により緩和されて、当該平坦化膜１４表面の段差にほとんど影響を与えることはないものの、積層構造を有し、絶縁性基板１１からの突出が比較的大きいトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が形成された領域と、これらが形成されていない領域とでは、平坦化膜１４表面の段差に大きく影響を与えることになる。そのため、図７（ｂ）に示すように、チャネル幅Ｗが長いトランジスタＴｒ１２が形成された画素形成領域Ｒpxの右方領域と、チャネル幅Ｗが短いトランジスタＴｒ１１が形成された（換言すると、トランジスタＴｒ１１が形成されていない）画素形成領域Ｒpxの左方領域との間で、平坦化膜１４表面になだらかな傾斜（勾配）やうねりが生じていることがシミュレーション実験により判明した。

すなわち、基板上に画素駆動回路ＤＣ（トランジスタや各配線層等）を形成し、その上層に発光層を形成するデバイス構造においては、トランジスタ等の形成により生じた基板表面の段差を緩和させるために平坦化膜（層）を介在させることが必要不可欠であり、このような基板表面の表面段差を緩和させる平坦化膜材料として、一般に熱硬化性を有する有機材料が適用されている。ここで、平坦化膜材料としては、上述したように、基板上に成膜後に直接パターニングが可能な感光性の有機材料や、比較的段差緩和性能が高い非感光性の有機材料が現在市販されているが、発明者が各種検証した結果、上述したように、基板表面の比較的大きな段差の場合、いずれの平坦化膜材料も当該段差を完全に緩和させることは不可能であり、平坦化膜１４表面の平坦性が、基板表面の形状（段差）の影響を大きく受けることが判明した。

そのため、上述した比較対象に係る表示画素の場合のように、トランジスタ等が非対称（不均一）に配置、形成された絶縁性基板１１上に平坦化膜１４を形成した場合には、画素形成領域Ｒpx内に著しく突出した構造が存在することになり、その突出した構造に対応する領域を中心になだらかな傾斜やうねりが生じる。

これにより、後工程で各画素形成領域Ｒpxの平坦化膜１４上に画素電極１５を形成し、その上に有機溶液を塗布、乾燥させて有機ＥＬ層１６を形成する際に、有機ＥＬ層１６の膜厚が平坦化膜１４の傾斜やうねりの度合いに応じて不均一になり、表示データに応じた適切な輝度で発光する面積が減少して発光特性が劣化し表示画質が低下したり、有機ＥＬ層１６の膜厚の薄い領域に電流が集中して発光素子（発光寿命）の劣化が著しくなり表示パネルの信頼性が低下したりするという可能性があった。

そこで、本実施形態に係る表示画素ＰＩＸにおいては、例えば図３（ａ）、（ｂ）に示したように、画素形成領域の中心点を通る中心線ＣＬ11、ＣＬ12、ＣＬ13に対して、略線対称となるように、左右の領域（上記特定の領域Ｓ11、Ｓ12）、さらには上下の領域で略同等の平面サイズ及び膜厚を有するトランジスタや各配線層を配置、形成することにより、絶縁性基板１１の表面に生じる段差を略同等になるようにして、その上に形成される平坦化膜１４表面の傾斜やうねりを緩和したデバイス構造を有している。

これにより、各画素形成領域Ｒpx内の絶縁性基板１１表面の段差は、上記中心線ＣＬ11、ＣＬ13を基準にして左右方向で略同等となり、上記中心線ＣＬ12を基準にして上下方向で略同等となるので、平坦化膜１４表面の傾斜（勾配）やうねりを抑制して絶縁性基板１１面と略平行な面を形成することができ、該平坦化膜１４上に有機溶液を塗布して有機ＥＬ層１６を形成する場合であっても、膜厚を略均一化することができる。したがって、発光面積を拡大して発光特性を向上させることができるとともに、発光寿命の劣化を抑制することができる。

なお、上述した実施形態においては、画素電極１５として光反射特性を有する金属層（反射金属層１５ａ）を含み、有機ＥＬ層１６において発光した光を、絶縁性基板１１を介することなく視野側（絶縁性基板１１の一面側）に出射するトップエミッション型の発光構造を有する表示画素ＰＩＸについて説明したが、画素電極１５を、光透過特性を有する導電性材料のみで形成し、対向電極１７を、光反射特性を有する金属層を含む電極構造として、有機ＥＬ層１６において発光した光を、絶縁性基板１１を介して絶縁性基板１１の他面側に出射するボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。なお、この場合には、図３に示したデバイス構造において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ（又は画素電極１５）の直下に形成されているトランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓを、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓと同程度に図面左右方向の幅を狭くするか、光透過特性を有する導電性材料を用いて形成すればよい。

また、上述した実施形態においては、図３（ｂ）に示した断面図では、相互に隣接する異なる色の表示画素ＰＩＸ（色画素）の画素電極１５間の領域（すなわち、表示画素ＰＩＸ間の境界領域）に層間絶縁膜１８を形成したデバイス構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、平坦化膜１４表面から連続的に突出し、上記層間絶縁膜１８よりも膜厚が厚く（表面高さが高く）形成され、かつ、各画素形成領域Ｒpxを取り囲んで画定するバンク（隔壁）が設けられているものであってもよい。これによれば、各発光色に対応した発光材料を含む有機溶液を各画素形成領域に塗布する際に、隣接する異なる色の画素形成領域に有機溶液がはみ出さないように塗布することができるので、表示画素（色画素）間の発光色の混色を防止して良好な表示品質を実現することができる。

＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示パネルの第２の実施形態について説明する。
上述した第１の実施形態においては、画素駆動回路ＤＣに設けられる複数（２個）のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を中心線ＣＬ11、ＣＬ12、ＣＬ13に対して、左右及び上下の領域で略線対称になる位置に配置、形成するために、トランジスタサイズ（チャネル幅Ｗ及びチャネル長Ｌ）を適宜設定する場合について説明したが、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のトランジスタサイズは、上述したように、少なくとも、当該トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を有する画素駆動回路ＤＣにより駆動制御される有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを、表示データに応じた適切な輝度階調で発光させることができる駆動能力（又は駆動特性）を有するように設定する必要がある。

そのため、第１の実施形態（図３参照）に示したように、複数のトランジスタサイズを略同等に設定した場合、所望の駆動能力（又は駆動特性）や画素駆動回路の動作特性が得られない場合も発生する。そこで、第２の実施形態においては、任意のトランジスタサイズ（つまり異なるトランジスタサイズ）に設定したトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２に加え、上記各中心線に対して略線対称になるように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光駆動に関与しない擬似的な薄膜トランジスタ構造を有する素子部（以下、便宜的に「ダミートランジスタ」と記す）を配置、形成したデバイス構造（パネル構造）を有している。

図８は、第２の実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図であり、図８（ａ）は平面レイアウト図、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す表示画素におけるＡ２−Ａ２線に沿った断面を示す要部断面図である。ここで、上述した第１の実施形態（図３参照）と同等のデバイス構造についてはその説明を簡略化又は省略する。

第２の実施形態に係る表示パネル１０は、図８（ａ）に示すような平面レイアウトの画素形成領域Ｒpxの左方の縁辺領域に、列方向（図面上下方向）に配設されたデータラインＬｄに沿って、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１と、当該トランジスタＴｒ１１と略同等の積層構造を有する擬似的なトランジスタ（ダミートランジスタ；擬似素子）Ｄ−Ｔｒと、が同一線上に配置、形成されている。また、トランジスタＴｒ１２は、上述した第１の実施形態（図３参照）と同様に、画素形成領域Ｒpxの右方の縁辺領域に、図面上下方向に延在するように配置されて、上記トランジスタＴｒ１１及びダミートランジスタＤ−Ｔｒと、トランジスタＴｒ１２とは、画素形成領域Ｒpxの中心点Ｐｃを通り、図面上下方向に延伸する中心線ＣＬ21を基準にして、略線対称となる位置に配置、形成されている。

ここで、ダミートランジスタＤ−Ｔｒは、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２と同一の製造プロセスにより同時に形成される。また、ダミートランジスタＤ−Ｔｒは、ソース電極とドレイン電極が単一の電極層からなるソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒdsにより形成されている。具体的には、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタルをパターニングすることにより絶縁性基板１１上にダミートランジスタＤ−Ｔｒのゲート電極Ｄ−Ｔｒｇが、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成され、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタルをパターニングすることにより、ゲート絶縁膜１２上にダミートランジスタＤ−Ｔｒのソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒdsが形成される。

このとき、ソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒdsは、ゲート絶縁膜１２に設けられた開口部ＣＨ25を介して、ゲート電極Ｄ−Ｔｒｇに電気的に接続されるように形成される。これにより、ダミートランジスタＤ−Ｔｒのゲート電極Ｄ−Ｔｒｇとソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒdsとの間に静電容量や浮遊容量が生じないようにすることができる。

そして、このようなデバイス構造を有する表示パネルによれば、上述した第１の実施形態（図３参照）に示した場合と同様に、図８（ａ）、（ｂ）の中心点Ｐｃを通り、上下及び左右方向に延伸する中心線ＣＬ21、ＣＬ22、ＣＬ23を基準にして、各図面の左右領域及び上下領域が略線対称となる位置に上記トランジスタＴｒ１１及びダミートランジスタＤ−Ｔｒと、トランジスタＴｒ１２が配置されることになるので、画素形成領域Ｒpxに設けられるトランジスタＴｒ１１とＴｒ１２のトランジスタサイズを略同等にする必要がなく、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の駆動能力や画素駆動回路ＤＣの動作特性に応じて、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２を任意のサイズ（すなわち異なるトランジスタサイズ）に設定することができる。

ここで、本実施形態において、トランジスタＴｒ１１側に設けられるダミートランジスタＤ−ＴｒとトランジスタＴｒ１２とが、図８（ａ）の中心点Ｐｃを通り、上下方向に延伸する中心線（第２の基準線）ＣＬ21を基準にして、図面の左右領域で対称構造に形成される領域は、上述した第１の実施形態と同様に、画素形成領域Ｒpxにおける層間絶縁膜１８が形成される領域に対応する領域（図４の領域Ｒpj）の、有機ＥＬ層１６が形成される領域（図４のＥＬ素子形成領域Ｒel）に隣接する領域（図４の領域Ｒpj-e）の全体に亘って設けられて、完全に左右対称な平面パターンとすることが好ましいが、実際には完全に左右対称な平面パターンにすることは困難である。しかしながら、画素形成領域Ｒpxにおける層間絶縁膜１８が形成される領域に対応する領域（領域Ｒpj）の、有機ＥＬ層１６が形成される領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）に隣接する領域（領域Ｒpj-e）の少なくとも３０％の領域（図４の領域Ｒpj-x；例えば図８（ａ）のＳ21、Ｓ22に示す領域）が、この対称構造となっていれば、平坦化膜１４表面の傾斜やうねりを概ね抑えることができる。

また、このような構成に加えて、対称構造とされる領域Ｓ21、Ｓ22を、図８（ａ）の中心点Ｐｃを通り、左右方向に延伸する中心線（第１の基準線）ＣＬ22を基準にして、図面の上下領域で略対称（略線対称）となる位置に設けることにより、平坦化膜１４表面の平坦性を更に向上させることができて、より好ましい。

したがって、所望のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の駆動能力や画素駆動回路ＤＣの動作特性を実現しつつ、上述した第１の実施形態と同様に、図８（ｂ）に示すように、画素駆動回路ＤＣ（トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及びダミートランジスタＤ−Ｔｒ等）が形成された絶縁性基板１１表面の段差を左右方向で略同等にすることができるので、平坦化膜１４表面の傾斜（勾配）やうねりを抑制して絶縁性基板１１面と略平行な面を形成することができ、後工程において膜厚が略均一化された有機ＥＬ層１６を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成することができる。

なお、図８（ａ）、（ｂ）に示した表示画素ＰＩＸのデバイス構造においては、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇとダミートランジスタＤ−Ｔｒのゲート電極Ｄ−Ｔｒｇとを一体的に形成したデバイス構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇとダミートランジスタＤ−Ｔｒのゲート電極Ｄ−Ｔｒｇとを電気的に離間させて、トランジスタＴｒ１１及びダミートランジスタＤ−Ｔｒを電気的に完全に独立した個別のトランジスタとして配置、形成するものであってもよい。

＜第３の実施形態＞
次に、本発明に係る表示パネル及びその製造方法の第３の実施形態について説明する。
上述した第１及び第２の実施形態においては、画素駆動回路ＤＣ（トランジスタや各配線層）が形成された絶縁性基板１１上に、有機材料からなる平坦化膜１４を形成し、その上に反射金属層１５ａを含む画素電極１５、有機ＥＬ層１６、透明な酸化金属層からなる対向電極１７を順次積層したトップエミッション型の発光構造を有する表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）のデバイス構造を示したが、第３の実施形態においては、画素駆動回路ＤＣが形成された絶縁性基板１１上に、平坦化膜を有さず、絶縁性基板１１表面から連続的に突出し、格子状（ボックス状）又は柵状（ストライプ状）に形成されたバンク（隔壁）により画定された領域（ＥＬ素子形成領域）に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成され、有機ＥＬ層１６において発光された光を、絶縁性基板１１を介して絶縁性基板１１の他面側に出射するボトムエミッション型の発光構造を有している。

図９は、第３の実施形態に係る表示パネルの一例を示す概略平面図である。図１０は、本実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す平面レイアウト図及び要部断面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す表示画素ＰＩＸにおけるＡ３−Ａ３線に沿った断面を示す要部断面図である。ここで、図９に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）の一面側（表示画素の形成側）から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係、及び、各表示画素の形成領域を画定するバンクとの配置関係を主に示し、各表示画素に設けられる画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図９においては、画素電極及び各配線層、バンクの配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。なお、上述した第１及び第２の実施形態と同等のデバイス構造についてはその説明を簡略化又は省略する。

第３の実施形態に係る表示パネルは、図９に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面手前側）に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが繰り返し配列されるとともに、絶縁性基板１１の一面側に突出し、格子状（ボックス状）の平面パターンを有して連続的に配設されたバンク（突起部、隔壁）１９により、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelが画定される。ＥＬ素子形成領域Ｒelには、上述した実施形態と同様に、画素電極１５（例えばアノード電極）が形成されているとともに、各表示画素ＰＩＸ（画素電極１５）に対して共通の対向電極１７が形成されている。また、各画素形成領域Ｒpxの列方向にはデータラインＬｄが配設され、行方向には選択ライン及び供給電圧ラインＬａが配設されている。

また、表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、例えば図２に示したような２個のトランジスタを有する画素駆動回路ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより制御される発光駆動電流により発光動作する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、を有している。ここで、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２と各配線層（データラインＬｄ、選択ラインＬｓ、供給電圧ラインＬａ）との接続関係は上述した第１の実施形態と同等であるのでその説明を省略する。

本実施形態に係る表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）のデバイス構造は、具体的には、図１０（ｂ）に示すように絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域Ｒpxにおいて、例えば図１０（ａ）に示すような平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交するように、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。また、上記平面レイアウトにおいて上下左右方向に配置される隣接する表示画素ＰＩＸとの間の領域（境界領域）には、絶縁性基板１１表面から突出するようにバンク（突起部）１９が連続的に配設されている。

ここで、データラインＬｄ、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが形成される各層の上下関係は、上述した第１の実施形態と同様に、データラインＬｄが選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側に設けられている。ここで、各表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ）に設けられるトランジスタＴｒ１１は、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ22を介して選択ラインＬｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ21を介してデータラインＬｄに接続され、また、トランジスタＴｒ１２は、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣＨ23を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１５に直接接続されている。

特に、本実施形態に係る表示パネル１０に適用される表示画素ＰＩＸにおいては、図８（ａ）に示すように、画素形成領域Ｒpxの左方から上方の縁辺領域に、チャネル（チャネル幅Ｗ方向）が延在するトランジスタＴｒ１１と、画素形成領域Ｒpxの右方から下方の縁辺領域に、チャネル（チャネル幅Ｗ方向）が延在するトランジスタＴｒ１２を配置し、かつ、これらのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を形成する電極層（各配線層を含む）や半導体層を各々同一の製造プロセスで形成する。

バンク１９は、表示パネル１０に２次元配列される各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）相互の境界領域に配設されるとともに、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、隣接する各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１５の四方の周縁部を覆うように形成されていることにより、バンク１９により囲まれた領域が、有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）を形成する際の有機溶液を塗布する領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）として規定される。

ここで、バンク１９は、画素形成領域Ｒpxの四方の縁辺領域に形成されたトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２等の回路素子を被覆し、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１５相互の層間絶縁膜としての機能を果たす保護絶縁膜１３上に、絶縁性基板１１表面から厚さ方向に連続的に突出するように、例えば感光性のポリイミド系の有機材料を有する樹脂層を積層することにより形成されている。なお、バンク１９は、少なくとも上記有機溶液に対して撥液性を有するように表面処理が施されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、図１０（ｂ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート絶縁膜１２上に設けられるとともに、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに直接接続されて、所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１５と、絶縁性基板１１上に格子状に配設されたバンク１９により画定されたＥＬ素子形成領域Ｒel（バンク１９の開口部から露出する画素電極１５の露出領域）に形成された、例えば正孔輸送層１６ａと電子輸送性発光層１６ｂからなる有機ＥＬ層（発光機能層）１６と、各表示画素ＰＩＸ（画素電極１５）に共通に設けられた単一の電極層（べた電極）からなる対向電極１７と、が順次積層されている。

ここで、本実施形態に係る表示パネル１０においては、ボトムエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極１５がＩＴＯ等の透明な電極材料により形成されて光透過特性を有するとともに、対向電極１７が光反射特性を有している。なお、対向電極１７は、各ＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定するバンク１９上にも延在するように設けられている。
なお、図示を省略したが、上記画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、バンク１９が形成された絶縁性基板１１上には、透明な封止樹脂層を介して、絶縁性基板１１に対向するように透明な封止基板が接合されている。

このような表示パネル１０においては、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れ、当該トランジスタＴｒ１２（ソースＴｒ１２ｓ）から画素電極１５に直接供給されることにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが表示データに応じた所定の輝度階調で発光動作する。

このとき、本実施形態に示した表示パネル１０においては、画素電極１５が光透過特性を有し、対向電極１７が光反射特性を有することにより（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがボトムエミッション型のデバイス構造を有していることにより）、各表示画素ＰＩＸの有機ＥＬ層１６において発光した光は、光透過特性を有する画素電極１５を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極１７で反射して、絶縁性基板１１（表示パネル）の他面側（図１０（ｂ）の図面下方）に出射される。

上述したように、本実施形態に係る表示パネル１０に適用される表示画素ＰＩＸにおいては、図１０（ａ）に示すように、各画素形成領域Ｒpxの中心点Ｐｃを通る中心線ＣＬ31、ＣＬ32に対して、略線対称となるように、左右、及び、上下の領域で略同等の位置に略同一の平面パターンを有するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の電極層や配線層が配置、形成されるとともに、図１０（ｂ）に示すように、中心線ＣＬ33に対して、略線対称となるように、左右の領域で略同等の膜厚を有するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各配線層が形成され、絶縁性基板１１の表面に生じる段差を略同等になるようにしたデバイス構造が実現される。

ここで、本実施形態において、画素形成領域Ｒpxの四方の縁辺領域に延在して設けられたトランジスタＴｒ１１とトランジスタＴｒ１２とが、図１０（ａ）の中心点Ｐｃを通り、上下方向に延伸する中心線（第２の基準線）ＣＬ31を基準にして、図面の左右領域で対称構造に形成される領域、又は、中心点Ｐｃを通り、左右方向に延伸する中心線（第１の基準線）ＣＬ32を基準にして、図面の上下領域で対称構造に形成される領域は、画素形成領域Ｒpxにおけるバンク（図４の突起部に相当する）１９が形成される四方の縁辺領域に対応する領域（左右の縁辺領域では図４の領域Ｒpj）の、有機ＥＬ層１６が形成される領域（図４のＥＬ素子形成領域Ｒel）に隣接する領域（左右の縁辺領域では図４の領域Ｒpj-e）の全体に亘って設けられて、完全に上下左右対称な平面パターンとすることが好ましいが、実際には完全に上下左右対称な平面パターンにすることは困難である。しかしながら、画素形成領域Ｒpxにおけるバンク１９が形成される領域に対応する領域（領域Ｒpj）の、有機ＥＬ層１６が形成される領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）に隣接する領域（領域Ｒpj-e）の、左右又は上下の縁辺領域の少なくとも３０％の領域（左右の縁辺領域では図４の領域Ｒpj-x；例えば図１０（ａ）のＳ31、Ｓ32に示す領域、又は、Ｓ33、Ｓ34に示す領域）が、この対称構造となっていれば、平坦化膜１４表面の傾斜やうねりを概ね抑えることができる。

特に、対称構造とされる領域Ｓ31、Ｓ32及びＳ33、Ｓ34を、図１０（ａ）に示すように、各々中心線（第２、第１の基準線）ＣＬ31、ＣＬ32を基準にして、左右領域及び上下領域の双方で略対称（略線対称）となる位置に設けることにより、平坦化膜１４表面の平坦性を更に向上させることができて、より好ましい。

したがって、絶縁性基板１１上にバンク１９を形成する前の絶縁性基板１１表面の段差は、上記中心線ＣＬ31、ＣＬ33を基準にして左右方向で略同等となり、また、上記中心線ＣＬ32を基準にして上下方向で略同等となるので、絶縁性基板１１上に所定の膜厚（高さ）のバンク１９を形成した場合であっても、上記中心線ＣＬ31、ＣＬ32を基準にした左右、上下方向でバンク１９の表面高さを略均一にすることができ、有機ＥＬ層１６の形成のために塗布された有機溶液の隣接する表示画素ＰＩＸ（ＥＬ素子形成領域Ｒel）への乗り越えや、バンク側面への有機溶液の迫り上がり量に起因する有機ＥＬ層１６の膜厚の偏りを抑制することができる。

（表示パネルの製造方法）
次に、上述した表示パネルの製造方法について説明する。
図１１、図１２は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図１０（ｂ）に示したＡ３−Ａ３断面のパネル構造の製造工程について説明する。なお、上述した製造方法と同等の製造工程についてはその説明を簡略化する。

上述した表示パネルの製造方法は、まず、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の画素形成領域Ｒpxごとに、上述した画素駆動回路（図２参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や、選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、供給電圧ラインＬａ等の各種配線層を形成するとともに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極となる画素電極１５を形成する。

具体的には、図１１（ａ）に示すように、透明な絶縁性基板１１上に成膜した同一のゲートメタル層をパターニングすることによって、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、及び、データラインＬｄを同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２、半導体層ＳＭＣとなるアモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体膜、及び、チャネル保護層ＢＬとなる窒化シリコン等の絶縁膜を積層形成する。

次いで、上記絶縁膜、半導体膜を適宜パターニングしてゲート絶縁膜１２上の各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ及びＴｒ１２ｇに対応する領域に、チャネル保護層ＢＬ、半導体層ＳＭＣを順次形成し、その後、当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを形成する。

次いで、図１１（ｂ）に示すように、上記ゲート絶縁膜１２上であって、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxの略中央領域（図１０（ａ）に示した平面レイアウトにおいてトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各種配線層が配置、形成された縁辺部を除く領域）に矩形状の平面パターンを有し、ＩＴＯ等の透明な電極材料からなる（光透過特性を有する）画素電極１５を形成する。この後、図１０（ａ）に示したように、ゲート絶縁膜１２をエッチングして、上記データラインＬｄ、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ及びＴｒ１２ｇの上面が露出するコンタクトホールＣＨ31、ＣＨ32及びＣＨ33を形成する。

次いで、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の各半導体層ＳＭＣの両端部に上記不純物層ＯＨＭを介して、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって同時に形成する。このとき、同一のソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって選択ラインＬｓ、及び、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄと一体的に形成される供給電圧ラインＬａも同時に形成する。

ここで、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、コンタクトホールＣＨ31上に延在する平面パターンを有して形成され、当該コンタクトホールＣＨ31を介してデータラインＬｄに接続され、また、選択ラインＬｓは、コンタクトホールＣＨ32上に延在する平面パターンを有して形成され、当該コンタクトホールＣＨ32を介してゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続され、また、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、コンタクトホールＣＨ33上に延在する平面パターンを有して形成され、当該コンタクトホールＣＨ33を介してゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続される。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓは、上記画素電極１５の縁辺領域上にまで延在する平面パターンを有して形成され、画素電極１５と直接接続される。

このようにして形成されたトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、図１０（ａ）、（ｂ）に示したように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇとＴｒ１２ｇ、ソース電極Ｔｒ１１ｓとＴｒ１２ｓ、及び、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄとＴｒ１２ｄの各電極層、並びに、データラインＬｄ、選択ラインＬｓ、供給電圧ラインＬａの各配線層が、画素形成領域Ｒpxの中心点Ｐｃを通る各中心線ＣＬ31〜ＣＬ33に対して、略線対称となる位置に、略同等の平面寸法（長さや幅）を有して配置、形成されるとともに、上記各電極層や配線層の断面寸法（膜厚）が略同一になるように形成される。すなわち、特定の中心線に対して画素形成領域Ｒpxの左方と右方、及び、上方と下方の縁辺領域に略同等のサイズを有するトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２、各種配線層を配置し、かつ、これらのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を形成する電極層や半導体層、各配線層等を、相互に共通する（同一の）製造プロセスで形成することにより各層の膜厚を略同一になるようにしたデバイス構造を有している。

次いで、図１１（ｃ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、画素電極１５、データライン、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、選択ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａを被覆するとともに、各表示画素ＰＩＸの画素電極１５の上面が露出する開口部を有する保護絶縁膜１３を形成する。

次いで、図１２（ａ）に示すように、上記保護絶縁膜１３を被覆し、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域に、例えばポリイミド系やアクリル系等の感光性の樹脂材料からなるバンク１９を形成する。具体的には、上記保護絶縁膜１３を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、例えば１〜５μｍの膜厚を有して形成された感光性樹脂層に対して、露光、現像処理を施すことにより、行方向（図９の左右方向）及び列方向（図９の上下方向）に隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域（画素電極１５の四方の周縁部を取り囲む領域）に格子状の平面パターン（図９参照）を有するバンク１９を形成する。ここで、樹脂材料としては、例えば東レ株式会社製のポリイミドコーティング材「フォトニースＰＷ−１０３０」等を良好に適用することができる。これにより、各画素形成領域Ｒpxのバンク１９に囲まれた領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）に画素電極１５の上面が露出する。

ここで、上述したように、絶縁性基板１１上に形成される画素駆動回路ＤＣの各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各種配線層は、特定の中心線に対して略線対称となる位置に配置、形成され、かつ、これらを形成する電極層や半導体層、各配線層等を、相互に共通する製造プロセスで形成することにより各層の膜厚を略同一になるようにしたデバイス構造を有していることにより、絶縁性基板１１表面の段差は、上記中心線を基準にして左右、上下方向で略同等となるので、バンク１９の表面高さを略均一にすることができる。

次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより、上記バンク１９から露出する画素電極１５の表面を、後述する高分子系の有機化合物含有液（有機溶液）に対して親液化処理し、さらに、絶縁性基板１１を例えばフッ素系（フッ素化合物）の撥液処理溶液に浸漬して、バンク１９の表面に撥液性の薄膜（被膜）を形成し、有機化合物含有液（有機溶液）に対して撥液化処理する。これにより、画素電極１５表面においては、有機化合物含有液（有機溶液）が馴染んで均一に広がりやすくなり、バンク１９表面においては、有機化合物含有液（有機溶液）が着滴した場合であっても充分にはじかれる。

次いで、上述した第１の実施形態に示した製造方法と同様に、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelに対して（バンク１９から露出する画素電極１５上に）、インクジェット法やノズルプリンティング法等を適用して、正孔輸送材料の溶液又は分散液を連続的に塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層１６ａを形成し、続いて、上記正孔輸送層１６ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層１６ｂを形成することにより、図１２（ｂ）に示すように、画素電極１５上に正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する有機ＥＬ層（発光機能層）１６が積層形成される。

この有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）の形成工程においては、上述したように、画素電極１５の四方の周縁部を覆うように形成されたバンク１９の表面高さが略均一に形成されているので、塗布された有機溶液の隣接するＥＬ素子形成領域Ｒelへの乗り越えや、バンク１９側面への有機溶液の迫り上がり量の違い起因する有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａや電子輸送性発光層１６ｂ）の膜厚の偏りを抑制することができる。

次いで、図１０（ｂ）に示したように、少なくとも上記有機ＥＬ層１６（正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂ）が形成された各画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１上に光反射特性を有し、各ＥＬ素子形成領域Ｒelの有機ＥＬ層１６を介して各画素電極１５に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１７を形成する。ここで、対向電極１７は、図９、図１０（ｂ）に示したように、各表示画素ＰＩＸの上記画素電極１５に対向する領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）のみならず、各画素電極１５間の領域（境界領域）に形成されたバンク１９上にまで延在するように形成される。
次いで、上記対向電極１７を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域に図示を省略した封止層を形成し、さらに、封止蓋や封止基板を接合することにより、本実施形態に係るパネル構造を有する表示パネル１０が完成する。

（比較検証）
次に、上述した実施形態に係る表示画素及び表示パネルに特有の作用効果について、比較例を示して具体的に説明する。ここでは、上述した第１の実施形態と同様に、図８（ａ）に示した平面レイアウトにおいて、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネル幅Ｗのみを異なるように変更した場合との比較検証を行う。

図１３は、本実施形態の比較対象に係る表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図であり、図１３（ａ）は平面レイアウト図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示す表示画素におけるＢ２−Ｂ２線に沿った断面を示す要部断面図である。ここで、図１０に示した表示画素のデバイス構造と同等の構成についてはその説明を簡略化又は省略する。

比較対象に係る表示画素のデバイス構造は、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、画素形成領域Ｒpxに配置、形成されるトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のトランジスタサイズ（具体的には、チャネル長Ｌ）が図１０（ａ）に示した場合のように、画素形成領域Ｒpxの上下、左右の縁辺部に沿って延在し、略同等の平面形状を有しているのではなく、トランジスタＴｒ１１が画素形成領域Ｒpxの左方の縁辺領域に配置され、トランジスタＴｒ１２が画素形成領域Ｒpxの下方の縁辺領域に配置されるとともに、トランジスタＴｒ１２に対してトランジスタＴｒ１１のチャネル幅Ｗが極端に短くなるように設定されている。

すなわち、トランジスタＴｒ１１とＴｒ１２は、画素形成領域Ｒpxの中心点Ｐｃを通り、図面上下方向に延伸する中心線ＣＬ31ｘ及びＣＬ33ｘ、並びに、上記中心点Ｐｃを通り、図面左右方向に延伸する中心線ＣＬ32ｘを基準にして、各々、線対称となる位置に配置、形成されていない。このようなデバイス構造においては、図１３（ａ）に示すように、上記図３に示した領域Ｓ11、Ｓ12に対応する左右の縁辺領域の特定の領域Ｓ31x、Ｓ32x、及び、上下の縁辺領域の特定の領域Ｓ33x、Ｓ34xに形成されている積層構造が、図１３（ｂ）に示すように、中心線ＣＬ33ｘ（実質的に中心線ＣＬ31ｘ）及び中心線ＣＬ32xに対して略対称（略線対称）となるようには形成されていない。

このようなデバイス構造を有する表示画素ＰＩＸについて、発明者が種々検討した結果、画素駆動回路ＤＣが形成された絶縁性基板１１表面の細かい（小さな）段差は、各画素形成領域Ｒpxにおいて画素電極１５が露出するように形成されたバンク１９により緩和されるものの、積層構造を有し、絶縁性基板１１からの突出が比較的大きいトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が形成された領域と、これらが形成されていない領域とでは、バンク１９表面の高さや段差に大きく影響を与えることになる。例えば図１３（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ１１が配置、形成された画素形成領域Ｒpxの左方領域と、トランジスタが形成されていない画素形成領域Ｒpxの右方領域とでは、バンク１９表面の高さＨ１、Ｈ２に明確な差（Ｈ１＞Ｈ２）が生じていることがシミュレーション実験により判明した。

すなわち、カラー表示に対応したパネル構造を有する表示パネルにおいては、各表示画素（色画素）の発光色を設定する発光層を形成する際に塗布される有機溶液が隣接する異なる色の表示画素の形成領域に混入しないようにすることが必要不可欠であり、そのために各表示画素（ＥＬ素子形成領域）間の境界領域に有機材料からなるバンクを設けたデバイス構造が適用されている。

ここで、上述した比較対象に係る表示画素の場合のように、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等が非対称（不均一）に配置、形成された絶縁性基板１１上にバンク１９を形成した場合には、画素形成領域Ｒpx内のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が配置された領域に著しく突出した構造が存在することになり、その領域上のバンク１９の表面高さが、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が配置されていない他の領域よりも高くなる。

そのため、後工程で各ＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１５上に、有機ＥＬ層１６を形成するための有機溶液を塗布した際に、当該有機溶液の塗布状態がバンク１９の表面高さの偏りに起因して不均一になったり、隣接する表示画素ＰＩＸ（ＥＬ素子形成領域Ｒel）への有機溶液の乗り越えが生じたりすることが、発明者による各種検証の結果、判明した。

具体的には、バンク１９の表面高さに偏りがあると、塗布された有機溶液のバンク壁面への迫り上がりや集散の度合いに差が生じ、バンク表面の親疎水性や有機溶液の種類等にもよるが、一例として表面高さが高い方に有機溶液がより多く凝集し、低い方への有機溶液の凝集が抑制（分散）されるため、有機溶液の乾燥後に画素電極１５上に成膜される有機ＥＬ層１６の膜厚に差が生じて、発光特性が劣化し表示画質が低下したり、発光素子（発光寿命）の劣化が著しくなり表示パネルの信頼性が低下したり、バンク１９の表面高さが低い側の隣接画素への有機溶液の乗り越えが生じやすくなるため、発光色の混色が生じたりするという可能性があった。

そこで、本実施形態に係る表示画素ＰＩＸにおいては、例えば図１０（ａ）、（ｂ）に示したように、画素形成領域の中心点を通る中心線ＣＬ31、ＣＬ32、ＣＬ33に対して、略線対称となるように、左右の領域（上記特定の領域Ｓ31、Ｓ32）、さらには上下の領域（上記特定の領域Ｓ33、Ｓ34）で略同等の平面サイズ及び膜厚を有するトランジスタや配線層を配置、形成することにより、絶縁性基板１１の表面に生じる段差を略同等になるようにして、画素形成領域Ｒpxの四方の縁辺領域に形成されるバンク１９の表面高さを略均一にしたデバイス構造を有している。

これにより、画素形成領域Ｒpxの四方の縁辺領域、すなわち、画素電極１５を取り囲む領域に形成されるバンク１９の表面高さを略均一にすることができるので、塗布された有機溶液のバンク壁面への迫り上がりや集散の度合いを略同等にして、画素電極１５上に略均一な膜厚の有機ＥＬ層１６を形成することができ、発光特性を向上させることができるとともに、発光寿命の劣化を抑制することができる。また、バンク１９の表面高さを略均一にすることができるので、隣接画素への有機溶液の乗り越えを抑制して発光色の混色を防止することができ、製造歩留まりを向上させることができる。

なお、本実施形態においては、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelを画定するためのバンク１９として、各表示画素ＰＩＸの画素電極１５の四方の周縁部を覆うように樹脂層を格子状（ボックス状）に形成したものを示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図９に示した表示パネル１０において、列方向（図面上下方向）に配列された同一色の複数の表示画素（色画素）のＥＬ素子形成領域（又は画素電極）を含むように柵状（ストライプ状）のバンクを形成するものであってもよい。

＜第４の実施形態＞
次に、本発明に係る表示パネルの第４の実施形態について説明する。
上述した第３の実施形態においては、画素駆動回路ＤＣに設けられる２個のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２を、各々画素形成領域Ｒpxの左方及び上方の縁辺領域、右方及び下方の縁辺領域に延在するようにチャネル幅Ｗを設定し、中心線ＣＬ31、ＣＬ32、ＣＬ33に対して、左右及び上下の領域で略線対称になる位置にトランジスタが配置、形成されるようにした場合について説明したが、第４の実施形態においては、上述した第２の実施形態と同様に、形成されるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の駆動能力（又は駆動特性）や画素駆動回路ＤＣの動作特性の面で、所望のトランジスタサイズを設定できない場合であっても、上記各中心線に対して略線対称になるように、擬似的な薄膜トランジスタ構造を有する素子部（ダミートランジスタ）を配置、形成したデバイス構造（パネル構造）を有している。

図１４は、第４の実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図であり、図１４（ａ）は平面レイアウト図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）に示す表示画素におけるＡ４−Ａ４線に沿った断面を示す要部断面図である。ここで、上述した第３の実施形態（図１０参照）と同等のデバイス構造についてはその説明を簡略化又は省略する。

第４の実施形態に係る表示パネル１０は、図１４（ａ）に示すような平面レイアウトの画素形成領域Ｒpxの左方の縁辺領域に、列方向（図面上下方向）に配設されたデータラインＬｄに沿って、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１と、当該トランジスタＴｒ１１と略同等の積層構造を有するダミートランジスタＤ−Ｔｒ１と、が同一線上に配置、形成され、一方、画素形成領域Ｒpxの上方の縁辺領域に、行方向（図面左右方向）に配設された選択ラインＬｓに沿って、上記トランジスタＴｒ１１と略同等の積層構造を有するダミートランジスタＤ−Ｔｒ２が配置、形成されている。

また、表示パネル１０は、画素形成領域Ｒpxの下方の縁辺領域に、行方向（図面左右方向）に配設された供給電圧ラインＬａに沿って、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２と、画素形成領域Ｒpxの右方の縁辺領域に、図面上下方向に延在するように、上記トランジスタＴｒ１２と略同等の積層構造を有するダミートランジスタＤ−Ｔｒ３と、が配置、形成されている。

トランジスタＴｒ１１及びダミートランジスタＤ−Ｔｒ１と、ダミートランジスタＤ−Ｔｒ３とは、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、画素形成領域Ｒpxの中心点Ｐｃを通り、図面上下方向に延伸する中心線ＣＬ41、ＣＬ43を基準にして、図面の左右領域が略線対称となる位置に配置、形成され、上記中心点Ｐｃを通り、左右方向に延伸する中心線ＣＬ12を基準にして、図面の上下領域が略対称（略線対称）となる位置に上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び各配線層が配置、形成されて、また、ダミートランジスタＤ−Ｔｒ２と、トランジスタＴｒ１２とは、図１４（ａ）に示すように、上記中心点Ｐｃを通り、図面左右方向に延伸する中心線ＣＬ42を基準にして、図面の上下領域が略線対称となる位置に配置、形成されている。

ここで、各ダミートランジスタＤ−Ｔｒ１〜Ｄ−Ｔｒ３は、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２と同一の製造プロセスにより同時に形成される。また、各ダミートランジスタＤ−Ｔｒ１〜Ｄ−Ｔｒ３は、ソース電極とドレイン電極が単一の電極層からなるソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒ１ds〜Ｄ−Ｔｒ３dsにより形成されている。具体的には、ダミートランジスタＤ−Ｔｒ１〜Ｄ−Ｔｒ３のゲート電極Ｄ−Ｔｒ１ｇ〜Ｄ−Ｔｒ３ｇは、絶縁性基板１１上に形成されるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同層に形成され、ダミートランジスタＤ−Ｔｒ１〜Ｄ−Ｔｒ３のソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒ１ds〜Ｄ−Ｔｒ３dsは、ゲート絶縁膜１２上に形成されるトランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同層に形成される。

このとき、ソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒ１ds〜Ｄ−Ｔｒ３dsは、上述した第２の実施形態と同様に、ゲート絶縁膜１２に設けられた各開口部ＣＨ44〜ＣＨ46を介して、ゲート電極Ｄ−Ｔｒ１ｇ〜Ｄ−Ｔｒ３ｇに電気的に接続されるように形成される。これにより、各ダミートランジスタＤ−Ｔｒ１〜Ｄ−Ｔｒ３のゲート電極Ｄ−Ｔｒ１ｇ〜Ｄ−Ｔｒ３ｇとソース−ドレイン一体電極Ｄ−Ｔｒ１ds〜Ｄ−Ｔｒ３dsとの間に静電容量や浮遊容量が生じないようにすることができる。

そして、このようなデバイス構造を有する表示パネルによれば、上述した第３の実施形態（図１０参照）に示した場合と同様に、図１４（ａ）、（ｂ）の中心点Ｐｃを通り、上下及び左右方向に延伸する中心線ＣＬ41、ＣＬ42、ＣＬ43を基準にして、各図面の左右領域及び上下領域が略線対称となる位置に上記トランジスタＴｒ１１及びダミートランジスタＤ−Ｔｒ1とダミートランジスタＤ−Ｔｒ３とが配置され、トランジスタＴｒ１２とダミートランジスタＤ−Ｔｒ２とが配置されることになるので、画素形成領域Ｒpxに設けられるトランジスタＴｒ１１とＴｒ１２のトランジスタサイズを略同等に設定することなく、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の駆動能力や画素駆動回路ＤＣの動作特性に応じて任意のサイズ（すなわち異なるトランジスタサイズ）に設定することができる。

ここで、本実施形態において、トランジスタＴｒ１１側に設けられるダミートランジスタＤ−Ｔｒ１とダミートランジスタＤ−Ｔｒ３とが、図１４（ａ）の中心点Ｐｃを通り、上下方向に延伸する中心線（第２の基準線）ＣＬ41を基準にして、図面の左右領域で対称構造に形成される領域、及び、トランジスタＴｒ１２とダミートランジスタＤ−Ｔｒ３２が、中心点Ｐｃを通り、左右方向に延伸する中心線（第１の基準線）ＣＬ42を基準にして、図面の上下領域で対称構造に形成される領域は、上述した第３の実施形態と同様に、画素形成領域Ｒpxにおけるバンク（図４の突起部に相当する）１９が形成される四方の縁辺領域に対応する領域（左右の縁辺領域では図４の領域Ｒpj）の、有機ＥＬ層１６が形成される領域（図４のＥＬ素子形成領域Ｒel）に隣接する領域（左右の縁辺領域では図４の領域Ｒpj-e）の全体に亘って設けられて、完全に上下左右対称な平面パターンとすることが好ましいが、実際には完全に上下左右対称な平面パターンにすることは困難である。しかしながら、画素形成領域Ｒpxにおけるバンク１９が形成される領域に対応する領域（領域Ｒpj）の、有機ＥＬ層１６が形成される領域（ＥＬ素子形成領域Ｒel）に隣接する領域（領域Ｒpj-e）の、左右又は上下の縁辺領域の少なくとも３０％の領域（左右の縁辺領域では図４の領域Ｒpj-x；例えば図１４（ａ）のＳ41、Ｓ42に示す領域、又は、Ｓ43、Ｓ44に示す領域）が、この対称構造となっていれば、平坦化膜１４表面の傾斜やうねりを概ね抑えることができる。

特に、対称構造とされる領域Ｓ41、Ｓ42及びＳ43、Ｓ44を、図１４（ａ）に示すように、各々中心線（第２、第１の基準線）ＣＬ41、ＣＬ42を基準にして、左右領域及び上下領域の双方で略対称（略線対称）となる位置に設けることにより、平坦化膜１４表面の平坦性を更に向上させることができて、より好ましい。

したがって、所望のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の駆動能力や画素駆動回路ＤＣの動作特性を実現しつつ、上述した第３の実施形態と同様に、図１４（ｂ）に示すように、画素駆動回路ＤＣ（トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及びダミートランジスタＤ−Ｔｒ１〜Ｄ−Ｔｒ３等）が形成された絶縁性基板１１表面の段差を左右方向（上下方向も同じ）で略同等にすることができるので、バンク１９の表面高さを略均一にすることができ、後工程において膜厚が略均一化された有機ＥＬ層１６を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成することができるとともに、隣接する画素への異なる色の有機溶液の混入を抑制して発光色の混色を防止することができる。

なお、図１４（ａ）、（ｂ）に示した表示画素ＰＩＸのデバイス構造においては、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇとダミートランジスタＤ−Ｔｒ１のゲート電極Ｄ−Ｔｒ１ｇとを一体的に形成したデバイス構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇとダミートランジスタＤ−Ｔｒ１のゲート電極Ｄ−Ｔｒ１ｇとを電気的に離間させて個別のトランジスタとして配置、形成するものであってもよい。また、画素形成領域Ｒpxの上方及び右方の縁辺領域に配置されるダミートランジスタＤ−Ｔｒ２、Ｄ−Ｔｒ３を個別のトランジスタとして形成したデバイス構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ダミートランジスタＤ−Ｔｒ２、Ｄ−Ｔｒ３を一体的に形成して、単一のダミートランジスタとして配置、形成するものであってもよい。

なお、上述した各実施形態においては、有機ＥＬ層１６が正孔輸送層１６ａ及び電子輸送性発光層１６ｂを有する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
また、上記実施形態では、画素電極１５をアノードとしたが、これに限らずカソードとしてもよい。このとき、有機ＥＬ層１６は、画素電極１５に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。

第１の実施形態に係る表示パネルの一例を示す概略平面図である。 第１の実施形態に係る表示パネルに二次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。 第１の実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す平面レイアウト図及び要部断面図である。 本発明に係る表示パネルの概念を説明するための概念図である。 第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。 第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。 第１の実施形態の比較対象に係る表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図である。 第２の実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図である。 第３の実施形態に係る表示パネルの一例を示す概略平面図である。 第３の実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す平面レイアウト図及び要部断面図である。 第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。 第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。 第３の実施形態の比較対象に係る表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図である。 第４の実施形態に係る表示パネルに適用可能な表示画素のデバイス構造の一例を示す概略図である。

符号の説明

１０ 表示パネル
１１ 絶縁性基板
１２ ゲート絶縁膜
１３ 保護絶縁膜
１４ 平坦化膜
１５ 画素電極
１５ａ 反射金属層
１５ｂ 酸化金属層
１６ 有機ＥＬ層
１６ａ 正孔輸送層
１６ｂ 電子輸送性発光層
１７ 対向電極
１８ 層間絶縁膜
１９ バンク
ＰＩＸ 表示画素
Ｒpx 画素形成領域
Ｒel ＥＬ素子形成領域
Ｔｒ１１、Ｔｒ１２ トランジスタ
Ｄ−Ｔｒ ダミートランジスタ

Claims (13)

1. 基板上に発光素子を有する複数の表示画素が行方向及び列方向にマトリクス状に配列された表示パネルにおいて、
   前記基板上にマトリクス状に配列され、前記複数の表示画素をなす複数の画素形成領域と、
   前記各画素形成領域内に設けられる前記発光素子の発光部と、
   前記各画素形成領域内に設けられ、前記発光素子を駆動するための複数の回路素子を含む複数の機能素子と、
   行及び列の少なくとも何れか一方に沿って、少なくとも一部が前記各画素形成領域に跨って前記基板上に形成される複数の突起部と、
   を備え、
   前記発光部は、前記各画素形成領域における、前記複数の突起部における一対の前記突起部によって画定される凹部に設けられる発光部形成領域に形成され、
   前記複数の機能素子の少なくとも一部は、前記画素形成領域における前記突起部に対応する領域に形成され、
   前記画素形成領域の前記各突起部に対応する領域における、前記発光部形成領域に隣接する領域の少なくとも３０％の領域からなる特定の領域において、前記機能素子によって前記基板上に形成される凹凸が、前記発光部形成領域の中心点を通る行方向の第１の基準線および列方向の第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準として線対称に形成されていることを特徴とする表示パネル。
2. 前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記第１の基準線および前記第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした、線対称の平面パターンを有することを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
3. 前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記複数の回路素子の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の表示パネル。
4. 前記特定の領域に形成される前記回路素子は、薄膜トランジスタ構造を有する電界効果型トランジスタを含むことを特徴とする請求項３記載の表示パネル。
5. 前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記発光素子の駆動に関与しない擬似回路素子を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の表示パネル。
6. 前記表示画素は、前記複数の機能素子を含んで前記基板上を被覆する平坦化膜を有し、
   前記複数の突起部は、前記平坦化膜上に設けられた絶縁膜からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示パネル。
7. 前記複数の突起部は、前記各表示画素の前記発光部形成領域を画定するように設けられ、前記複数の機能素子の少なくとも一部を覆うように前記基板上に形成される複数の隔壁からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示パネル。
8. 前記発光素子は、有機エレクトルミネッセント素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の表示パネル。
9. 基板上に発光素子を有する複数の表示画素が行方向及び列方向にマトリクス状に配列された表示パネルの製造方法において、
   前記各表示画素は、前記基板上にマトリクス状に配列されて前記複数の表示画素をなす複数の画素形成領域と、該各画素形成領域内に設けられて前記発光素子を駆動するための複数の回路素子を含む複数の機能素子と、を有し、
   前記各画素形成領域内の前記基板上に前記複数の機能素子を形成する工程と、
   前記複数の機能素子を含んで前記基板上を被覆する平坦化膜を形成する工程と、
   行及び列の少なくとも何れか一方に沿って、少なくとも一部が前記各画素形成領域に跨って前記平坦化膜上に形成される複数の突起部を形成する工程と、
   前記各画素形成領域における前記複数の突起部における一対の前記突起部によって画定される凹部に設けられる発光部形成領域に、前記発光素子の発光部を形成する工程と、
   を含み、
   前記複数の機能素子を形成する工程は、該各機能素子を、前記画素形成領域の前記各突起部に対応する領域における、前記発光部形成領域に隣接する領域の少なくとも３０％の領域からなる特定の領域において、前記機能素子によって前記基板上に形成される凹凸が、前記発光部形成領域の中心点を通る行方向の第１の基準線および列方向の第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした線対称となるように形成する工程を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
10. 基板上に複数の表示画素が行方向及び列方向にマトリクス状に配列された表示パネルの製造方法において、
    前記各表示画素は、前記基板上にマトリクス状に配列されて前記複数の表示画素をなす複数の画素形成領域と、該各画素形成領域内に設けられて前記発光素子を駆動するための複数の回路素子を含む複数の機能素子と、を有し、
    前記各画素形成領域内の前記基板上に前記複数の機能素子を形成する工程と、
    前記各表示画素の前記発光素子の発光部をなす発光部形成領域を画定し、前記複数の機能素子の少なくとも一部を覆う複数の隔壁を前記基板上に形成する工程と、
    前記複数の隔壁における一対の前記隔壁によって画定される凹部からなる前記発光部形成領域に、前記発光部を形成する工程と、
    を含み、
    前記複数の機能素子を形成する工程は、該各機能素子を、前記画素形成領域の前記各隔壁に対応する領域における、前記発光部形成領域に隣接する領域の少なくとも３０％の領域からなる特定の領域において、前記機能素子によって前記基板上に形成される凹凸が、前記発光部形成領域の中心点を通る行方向の第１の基準線および列方向の第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした線対称となるように形成する工程を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
11. 前記複数の機能素子を形成する工程は、前記特定の領域に形成される前記機能素子を、前記第１の基準線および前記第２の基準線の少なくとも何れか一方を基準とした、線対称の平面パターンに形成することを特徴とする請求項９又は１０記載の表示パネルの製造方法。
12. 前記複数の機能素子を形成する工程において前記特定の領域に形成される前記機能素子は、前記発光素子の駆動に関与しない擬似回路素子を含むことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の表示パネルの製造方法。
13. 前記発光部を形成する工程は、前記凹部に有機化合物含有液を塗布し、該塗布された前記有機化合物含有液を乾燥させてなる発光機能層を形成して、前記発光部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の表示パネルの製造方法。

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