JP3900611B2

JP3900611B2 - 電界発光素子及びその製造方法

Info

Publication number: JP3900611B2
Application number: JP23551297A
Authority: JP
Inventors: 裕康定別当
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1997-08-18
Filing date: 1997-08-18
Publication date: 2007-04-04
Anticipated expiration: 2017-08-18
Also published as: JPH1167461A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電界発光素子の製造方法に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電界発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス材料層を用いた有機ＥＬ素子が注目されている。この有機ＥＬ素子は、最近、寿命の向上が報告されており、益々、表示デバイスとして有望であると考えらえている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子の構成は、図１２に示すように、ガラスやプラスチックでなる透明基板１の上に、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）でなるアノード電極２が所定方向に沿って複数が平行に形成されている。この透明基板１及びアノード電極２の上には、単数または複数の有機材料層でなる有機ＥＬ層３が表示領域に亙って形成されている。そして、有機ＥＬ層３の上には、アノード電極２と交差する方向に沿って、例えばＭｇＩｎ、ＭｇＡｇなどの低仕事関数の材料でなる、複数のカソード電極４が互いに平行に形成されている。このような構成において、図１３に示すように、アノード電極２とカソード電極４とが交差する部分の有機ＥＬ層３に、正孔と電子が注入されることにより発光し、マトリクス駆動が行われるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ層３上のカソード電極４をパターニングする場合に、カソード電極４の構成材料が低仕事関数で酸化され易いＭｇＩｎやＭｇＡｇなどであるため、ドライエッチングを行うのに適切なエッチングガスがないという問題点がある。また、有機ＥＬ層３がフォトリソグラフィー工程で用いる、露光用の光（ｉ線、ｇ線、紫外光等）や、現像液などの溶剤や、水分などに弱いため、有機ＥＬ層３が劣化されるという問題点があった。このため、カソード電極４のパターニングには、ドライエッチング技術を用いることができなかった。
【０００５】
従って、図１４に示すようなハードマスク５を用いての電極形成が行われていた。このハードマスク５は、電極ラインが形成されるスリット部５Ａと、電極間スペースとなる非開口部５Ｂとが形成されている。このようなハードマスク５では、微細化や大型化が困難である。微細化では、０．１ｍｍ弱のラインアンドスペースが限界である。また、通常のハードマスクは、電極形成膜の上に密着させるため、微細パターンの大型マスクの形成は極めて困難であり、たとえ出来たとしてもマスクの自重による変形の可能性があり、またアライメントが難しく、装置振動などによってパターン転写の信頼性が大幅に低下するという問題がある。
【０００６】
この発明が解決しようとする課題は、有機ＥＬ層を劣化させることなく、ドライエッチングにより微細パターンの電極を形成できる、電界発光素子及びその製造方法を得るにはどのような手段を講じればよいかという点にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、一対の電極に挟まれた電界発光素子において、前記一対の電極の一方は、有機ＥＬ層に接する電子注入性の第１金属層と、この第１金属層上に形成され、前記第１金属層の材料と異なり、前記第１金属層の酸化を保護する粒状の第２金属層と、前記第２金属層の上に形成され、前記第２金属層と成膜条件の異なる緻密な結晶構造を持つ同一金属を含んでなるブロッキング層と、を有することを特徴としている。
請求項１記載の発明では、互いに異なる結晶構造からなる第２金属層及びブロッキング層が、その下の第１金属層を保護することができるので、酸素やパターニング等に用いられる溶液が第１金属層に到達することによる浸食を防止することができる。このため、第１金属層を酸化されやすい低仕事関数の金属材料を用いることができる。
請求項２記載の発明は、電界発光素子の製造方法であって、有機ＥＬ層上に電子注入性の第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層の上に、前記第１金属層の材料と異なり、前記第１金属層の酸化を保護する粒状の第２金属層を積層する工程と、前記第２金属層の上に、前記第２金属層と成膜条件の異なる緻密な結晶構造を持つ同一金属を含んでなるブロッキング層を積層する工程と、前記ブロッキング層の上にレジストを電極パターンに形成する工程と、前記ブロッキング層及び前記第２金属層をドライエッチングして前記第１金属層を露出させる工程と、を備えることを特徴としている。
【０００８】
請求項２記載の発明では、ブロッキング層を第２金属層の上に積層することにより、レジストパターンの形成に伴う物理的および化学的な影響を抑制することができる。すなわち、ブロッキング層が第２金属層の結晶構造と異なるので、フォトリソグラフィー工程における現像液や水分やレジストが硬化するまでレジスト内に含まれる溶剤が第２金属層を介して第１金属層を浸食することを防止することができる。また、ブロッキング層を第２金属層と同一金属で形成することができるため、成膜源としての材料を変える必要がなく製造工程を容易にすることができる。
【０００９】
請求項３記載の発明は、前記レジストが、フォトレジストであり、露出・現像によりパターン形成されることを特徴としている。請求項３記載の発明では、フォトリソグラフィー技術を用いた場合に現像液や水分が第１金属層や有機ＥＬ層へ浸入するのを防止して、電極として形成すべき部分の第１金属層の高抵抗化を防止すると共に、有機ＥＬ層の劣化を抑制する作用がある。
【００１０】
請求項４記載の発明は、前記第１金属層が、Ｍｇ、ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなど低仕事関数の材料であることを特徴としている。
【００１１】
請求項５記載の発明は、前記第２金属層が、Ａｌであることを特徴としている。
【００１２】
請求項５記載の発明では、緻密な結晶構造を持つバリア性の高いブロッキング層がＡｌでなる第２金属層の結晶界面を覆うため、現像液や水分が第２金属層、延いては第１金属層や有機ＥＬ層へ浸入するのを防止することができる。
【００１４】
請求項６記載の発明では、前記第１金属層を露出させる工程の後に、前記レジストを酸素系雰囲気でアッシングする工程と、を備えることを特徴としている。この製造方法によれば、露出した部分の第１金属層は、酸素系雰囲気でのアッシングにより酸化されて容易に高抵抗化するため、実質的に電極部分のパターニングが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係る電界発光素子及びその製造方法の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。
（実施形態１）
図１（ａ）に示すように、ガラスまたは合成樹脂でなる透明基板１１の上に、ＩＴＯでなるアノード電極１２を形成する。なお、このアノード電極１２は、ＩＴＯ膜を蒸着した後、リソグラフィー技術及びエッチング技術（ウェットエッチングまたはドライエッチング）を用いて行方向に延在する複数のストライプ形状に形成する。その後、透明基板１１及びアノード電極１２の上に、例えばα−ＮＰＤ；Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンとＢｅｂｑ２；ビス（10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリン）化ベリリウムを蒸着により順次積層して２層構造の有機ＥＬ層１３を形成する。この有機ＥＬ層１３は、電界発光素子の表示領域全体に亙って形成する。その後、有機ＥＬ層１３上に、ＭｇＩｎでなる第１金属層１４を３３Å〜２００Å程度の層厚で低温条件で蒸着して成膜する。第１金属層１４としては、この他に、Ｍｇ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどのカソードとして適した電子注入性のよい低仕事関数の材料を用いることができる。第１金属層１４は、有機ＥＬ層１３への電子注入を目的としてなされたものであり、発光領域全面に成膜されれば薄くてもよい。次に、第１金属層１４の上に、Ａｌでなる第２金属層１５を２９００Å〜４３００Å程度の層厚で蒸着する。第２金属層１５は、図３に示すように多結晶的な粒状の複数の塊となって成膜され、低抵抗の配線の役割をとともに、第１金属層１４の酸化を保護する第１保護膜として機能する。さらに、第２金属層１５の上に、クロム（Ｃｒ）でなるブロッキング層１６を蒸着により比較的薄く（２５０Å程度）成膜する。ブロッキング層１６は、第２金属層１５の材料の結晶構造と異なる結晶構造で形成され、第２金属層１５の結晶粒子の間の隙間を覆うように埋設され、第１金属層１４の酸化を保護する第２保護膜として機能する。なお、ブロッキング層１６としては、Ｃｒの他に、Ｎｉ、Ｔｉ、ＷなどのＡｌよりバリア性の高い金属を用いることができる。
【００１６】
次に、第２金属層１６の上に、フォトレジスト１７を塗布した後、露光・現像を行い、図１（ｂ）に示すように溝１７Ａを形成する。この溝１７Ａは、形成しようとするカソード電極の電極間スペースのパターンとなるように予め露光用フォトマスク（図示省略する）により設定されている。また、第２金属層１６の上に残ったフォトレジスト１７のパターンは、列方向に延在する複数のストライプ形状のカソード電極のラインパターンになるように設定されている。なお、このフォトレジスト１７のパターニングにおいては、現像工程、水洗工程の他に、プリベーキング工程やポストベーキング工程があるが、これらのベーキング工程は、有機ＥＬ層１３の劣化を防ぐために、有機ＥＬ層１３の材料のガラス転移温度を越えない８０℃程度の低温で比較的時間をかけて行う。因に、上記した有機ＥＬ層１３は、１００℃、２４時間で殆ど劣化が発生しないことが確認されている。
【００１７】
その後、図２（ａ）に示すように、フォトレジスト１７をエッチングマスクとして、異方性のドライエッチング（例えばＲＩＥ）を行って、ブロッキング層１６と第２金属層１５を連続的にドライエッチングする。なお、ブロッキング層１６と第２金属層１５のエッチングガスは例えば塩素系のガス（ＣＣｌ₄-Ｏ₂）などを用いることにより、連続的に行うことが可能であるが、ブロッキング層１６と第２金属層１５のエッチングガスをそれぞれに応じて異なるガス系を用いてもよい。第２金属層１５をエッチングするガスとしては、ＢＣｌ₃＋Ｃｌ₂等がある。
【００１８】
上記したドライエッチングにより、露出した部分の第１金属層１４は、その後自然酸化を受けるが、次に行うレジスト剥離工程でＯ₂アッシングにより強制酸化されて、図２（ｂ）に示すように絶縁部分１４Ａとなる。このようにして、有機ＥＬ層１３の上に形成された第１金属層１４は、エッチングされる訳ではないが絶縁部分１４Ａが形成されることによってパターン形成が行われる。即ち、この絶縁部分１４Ａは、カソード電極１８どうしの間のスペース部となり、隣接するカソード電極１８どうしを電気的に隔離することができる。このようにして、アノード電極１２とカソード電極１８とが、有機ＥＬ層１３を介して交差する電界発光素子１０の製造が完了する。因みに、第１金属層１４の層厚が３０Å程度で第２金属層１５の層厚を２９００Åのものと、第１金属層１４の層厚が２００Å程度で第２金属層１５の層厚を４３００Åのものを試作して、電界発光素子１０の発光輝度を測定した結果、両者とも１.２万ｃｄ／ｃｍ ²以上を得ることができた。また、膜厚が５５ÅのＭｇＩｎ膜が自然酸化された場合の抵抗は、約１×１０¹³ Ω／□以上となり、十分に電気絶縁領域として用いることができることが判った。
【００１９】
上記した製造方法において、Ａｌでなる第２金属層１５の上にＣｒでなるブロッキング層１６を積層した理由を以下に説明する。即ち、図３に示すように、第１金属層１４の上に蒸着により形成したＡｌは、半導体集積回路のＡｌ配線形成で見られる所謂バンブー構造となり、Ａｌの粒界に隙間が存在している。このため、ブロッキング層１６を積層することにより、ＣｒをＡｌの粒界に成長させて隙間を詰めることができ、フォトリソグラフィー工程において現像液や水分がＭｇＩｎでなる第１金属層１４や有機ＥＬ層１３へ浸入するのを防止して、ＭｇＩｎが酸化されて高抵抗化したり、有機ＥＬ層１３が劣化を起こして電界発光素子１０にダークスポットが発生するなどの不都合を防止している。
【００２０】
本実施形態では、ブロッキング層１６として、Ａｌと結晶構造の異なるＣｒを用いたが、図４に示すように、第２金属層１５と同種の金属（Ａｌ）でなり結晶構造の異なるブロッキング層１６Ａを積層するようにしてもよい。なお、同種の金属で結晶構造が異なる膜を形成するには、成膜方法、成膜条件を変えることにより可能となる。また、同種金属を第２金属層１５上へ成膜する他の方法としては、蒸着の他に、イオンプレーティング、スパッタリングによりＡｌやＡｌ合金でなる緻密な金属層を形成することができる。なお、イオンプレーティングにより成膜する場合には、基板のバイアス電圧を制御して通常の熱蒸着と同様にダメージの低い条件で第２金属層１５を形成し、その後第２金属層１５同種の材料からなる成膜粒子の運動エネルギーを高めてこの成膜粒子を基板側へ導くことにより、緻密な同種の金属層を蒸着源を変えずに連続して成膜することができる。しかしながら、本実施形態では、第２金属層１５とブロッキング層１６とが同種金属どうしとするより、第２金属層１５をＡｌで形成し、現像液や水分に対するブロッキング作用（バリア性）が高い異種金属であるＣｒをブロッキング層１６とするのが好ましい。また第２金属層１５は、第１金属層１４の材料の少なくとも１種及び第１金属層１４には含まれない材料の少なくとも１種からなる合金により第１金属層１４とは異なる緻密な結晶構造としてもよい。
【００２１】
なお、図５（ａ）に示すように、ガラス基板１９上に、ＩＴＯ膜２０とＡｌ膜２１を順次積層したものであり、この構造においては現像液がＡｌ膜２１を通過してＩＴＯ膜２０へ到達して、Ａｌ膜２１とＩＴＯ膜２０との間で電池反応発生するが、図５（ｂ）に示すように、Ａｌ膜２１の上にＣｒ膜２２を積層しておくと、現像液はＣｒ膜２２でブロッキングされてＩＴＯ膜２０へ到達せず電池反応を起こさないことが確認された。このときのＣｒ膜２２の膜厚は、２５ｎｍ程度で十分にバリア性を有していることが判った。
【００２２】
本実施形態では、カソード電極にブロッキング層１６を設けることにより、カソード電極をドライエッチングで形成するためのレジストパターンを現像を含むフォトリソグラフィー技術により形成することが可能となる。このように、フォトリソグラフィー工程を施すことを可能にしたことにより、μｍオーダの電極パターンの形成が可能になると共に、大型基板への微細電極の形成が可能になる。このため、高精細且つ大画面の有機ＥＬ素子を実現することができる。
【００２３】
以上、実施形態１について説明したが、本発明はこれ以外にも、例えば、図６に示すように、第１金属層１４の上に積層された、ＩＴＯでなる透明金属層２３との２層構造のカソード電極を形成しようとする場合にも本発明を適用することができる。即ち、透明金属層２３の上にＡｌでなる比較的膜厚の厚い第２金属層１５を積層し、さらに第２金属層１５の上に、Ｃｒでなるブロッキング層１６を成膜して、フォトリソグラフィー工程及びドライエッチング工程を行うことで、ブロッキング層１６でフォトリソグラフィーに伴う現像液や水分の浸入を阻止すると共に、第２金属層１５で露光に伴う紫外光などが有機ＥＬ層１３へ入射して有機ＥＬ層１３を劣化させるのを防止することができる。なお、この場合には、透明金属層２３までをドライエッチングした後、Ｏ₂アッシングを行って第１金属層１４に不要部分を酸化するとともにレジスト剥離を行った後、第１金属層１４と透明金属層２３とに対して選択比が取れるエッチング方法により、透明金属層２３上の第２金属層１５及びブロッキング層１６の除去を行って、電極の透明性を確保する工程が必要となる。
【００２４】
また、図７に示すように、有機ＥＬ層１３上にＩＴＯ膜２４を形成した場合、このＩＴＯ膜２４を加工した電極が透明アノード電極となるため、緻密でないＩＴＯ膜２４の上にＡｌでなる第２金属層１５、ブロッキング層１６を積層し、このブロッキング層１６上でフォトリソグラフィー工程を行い、ドライエッチングによりブロッキング層１６、第２金属層１５およびＩＴＯ膜２４をパターン形成することもできる。この場合も、ブロッキング層１６および第２金属層１５は、ＩＴＯに対して選択比をもつドライエッチングにより除去する。
【００２５】
（実施形態２）
図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る電界発光素子の実施形態２を示す工程説明図である。本実施形態は、フォトリソグラフィー工程を行わずに、カソード電極を形成する金属層の上に、スクリーン印刷によりエッチングマスクを印刷するようにしたものである。
【００２６】
本実施形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、スクリーン２５の上にエッチングマスクとなるレジストインク２６を載せ、スキージ２７でエッチングマスク２８を後記するカソード電極層の上に刷り込む。このエッチングマスク２８は、ＵＶ硬化性樹脂でなり、印刷した後に紫外光を照射することにより硬化させる。なお、カソード電極層は、有機ＥＬ層１３の上に順次積層されたＭｇＩｎでなる第１金属層１４とＡｌでなる第２金属層１５とでなる。次に、図８（Ｃ）に示すように、第２金属層１５上にＣｒでなるブロッキング層１６を設け、このブロッキング層１６上に印刷されたエッチングマスク２８を用いてドライエッチングを行い、第２金属層１５、ブロッキング層１６をパターニングして第１金属層１４を露出させる。その後、レジストインクでなるエッチングマスク２８を剥離するためにＯ₂アッシングを行う。この結果、図８（ｄ）に示すように、露出した第１金属層１４は酸化されて絶縁部分１４Ａとなる。このようにして、第２金属層１５は実際にエッチングされ、且つ第１金属層１４は導電部分と絶縁部分１４Ａとが形成されて実質的にパターニングされる。
【００２７】
本実施形態では、エッチングマスク２８の厚みが２μｍ程度の薄膜でよいため、スクリーン印刷に代えてオフセット印刷を行ってもよく、これによりさらに微細なパターンの形成が可能となる。また、本実施形態では、エッチングマスク２８の固定化を紫外光の照射で行うため、有機ＥＬ層１３を熱に晒すこともなく、有機ＥＬ層１３の劣化を抑制することができる。
【００２８】
（実施形態３）
本実施形態では、まず、図９（ａ）に示すようにカソード電極層の上にドライフィルム２９を貼る。このドライフィルム２９は、ベースフィルム３０にフィルムレジスト３１が積層された構造であり、フィルムレジスト３１側をカソード電極層に貼り合わせる。そして、同図（ａ）に示すように、所定の電極パターンに形成されたフォトマスク３２を配置して露光を行う。この結果、図９（ｂ）に示すように、フィルムレジスト３１の露光部分３１Ａがベースフィルム３０と一緒に剥がれ、カソード電極層上に未露光部分がエッチングマスク３１Ｂとして残る。なお、カソード電極層は、上記実施形態２と同様に、有機ＥＬ層１３の上に順次積層されたＭｇＩｎでなる第１金属層１４とＡｌでなる第２金属層１５とでなる。次に、図９（Ｃ）に示すように、第２金属層１５上にＣｒでなるブロッキング層１６を設け、このブロッキング層１６上に形成されたエッチングマスク３１Ｂを用いてドライエッチングを行い、第２金属層１５、ブロッキング層１６をパターニングして第１金属層１４を露出させる。その後、未露光レジストでなるエッチングマスク２８を剥離するためにＯ₂アッシングを行う。この結果、図９（ｄ）に示すように、露出した第１金属層１４は酸化されて絶縁部分１４Ａとなる。このようにして、第２金属層１５は実際にエッチングされ、且つ第１金属層１４は導電部分と絶縁部分１４Ａとが形成されて実質的にパターニングされる。
【００２９】
本実施形態における他の作用・効果は、上記実施形態２と略同様である。
【００３０】
（実施形態４）
図１０（ａ）〜図１１（ｃ）は、本発明に係る電界発光素子の製造方法の実施形態４を示している。本実施形態では、図１０（ａ）に示すように、パターニングすべきカソード電極層１８の上に、例えばスピンコーティングによりレジスト３３を薄く塗布する。このレジスト３３としては、感光剤や架橋剤などを含まないものを用いる。その後、図１０（ｂ）に示すように、レーザ光Ｌをスキャン照射してレジスト３３を部分的に昇華されて電極パターンのレジスト３３が残るようにパターニングして、図１０（ｃ）に示すようなレジスト３３のパターンを形成する。
【００３１】
その後、図１１（ａ）に示すように、レジスト３３をエッチングマスクとして、異方性のドライエッチング（例えばＲＩＥ）を行って、ブロッキング層１６と第２金属層１５を連続的にエッチングする。なお、ブロッキング層１６と第２金属層１５のエッチングガスは例えば塩素系のガス（ＣＣｌ₄−Ｏ₂）などを用いることにより、連続的に行うことが可能であるが、ブロッキング層１６と第２金属層１５のエッチングガスをそれぞれに応じて異なるガス系を用いてもよい。
【００３２】
上記したドライエッチングにより、露出した部分の第１金属層１４は、その後自然酸化を受けるが、次に行うレジスト剥離工程でＯ₂アッシングにより完全に酸化されて、図１１（ｃ）に示すように絶縁部分１４Ａとなる。このようにして、有機ＥＬ層１３の上に形成された第１金属層１４は、エッチングされる訳ではないが絶縁部分１４Ａが形成されることによって実質的なパターン形成が行われる。即ち、この絶縁部分１４Ａは、カソード電極１８どうしの間のスペース部となり、隣接するカソード電極１８を電気的に隔離することができる。このようにして、アノード電極１２とカソード電極１８とが、有機ＥＬ層１３を介して交差する電界発光素子１０の製造が完了する。本実施形態においても、レジスト３３のパターニングに際して、現像や水洗を行わないため、有機ＥＬ層１３の劣化を招く恐れはない。
【００３３】
以上、実施形態１〜４について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、構成の要旨に付随する各種の設計変更が可能である。例えば、上記した各実施形態では述べなかったが、エッチングマスクやフォトレジストのパターニングに際して、有機ＥＬ層１３を第１金属層１４、第２金属層１５及びブロッキング層１６などで覆うようにして、現像液や水分などの影響を少なくする構成としても勿論よい。
また第２金属層１５は、第１金属層１４の材料の少なくとも１種及び第１金属層１４には含まれない材料の少なくとも１種からなる合金により第１金属層１４とは異なる緻密な結晶構造としてもよい。
【００３４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、ブロッキング層が第２金属層の結晶構造と異なるので、フォトリソグラフィー工程における現像液や水分やレジストが硬化するまでレジスト内に含まれる溶剤が第２金属層を介して第１金属層を浸食することを防止することができるので、有機ＥＬ層を劣化させることなく、ドライエッチングにより電極を形成でき、電極の微細化や基板の大型化を可能にする、電界発光素子及びその製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）および（ｂ）は本発明に係る電界発光素子の製造方法の実施形態１を示す工程断面図。
【図２】（ａ）および（ｂ）は実施形態１を示す工程断面図。
【図３】実施形態１における第２金属層１５とブロッキング層１６とを示す拡大断面説明図。
【図４】実施形態１における変形例の第２金属層１５とブロッキング層１６とを示す拡大断面説明図。
【図５】（ａ）はＩＴＯ膜とＡｌ膜を積層した状態を示す説明図、（ｂ）はＩＴＯ膜上のＡｌ膜の上にＣｒ膜を積層した状態を示す説明図。
【図６】実施形態１の変形例を示す断面説明図。
【図７】実施形態１の変形例を示す断面説明図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る電界発光素子の製造方法の実施形態２を示す工程説明図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る電界発光素子の製造方法の実施形態３を示す工程説明図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る電界発光素子の製造方法の実施形態４を示す工程説明図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態４を示す工程説明図。
【図１２】従来の電界発光素子の断面説明図。
【図１３】従来の電界発光素子の平面説明図。
【図１４】従来の電界発光素子の製造に用いられたハードマスクの平面図。
【符号の説明】
１０電界発光素子
１２アノード電極
１３有機ＥＬ層
１４第１金属層
１４Ａ絶縁部分
１５第２金属層
１６ブロッキング層
１７フォトレジスト
１８カソード電極
２３透明金属層
２４ＩＴＯ膜

Claims

一対の電極に挟まれた電界発光素子において、前記一対の電極の一方は、有機ＥＬ層に接する電子注入性の第１金属層と、この第１金属層上に形成され、前記第１金属層の材料と異なり、前記第１金属層の酸化を保護する粒状の第２金属層と、前記第２金属層の上に形成され、前記第２金属層と成膜条件の異なる緻密な結晶構造を持つ同一金属を含んでなるブロッキング層と、を有することを特徴とする電界発光素子。
有機ＥＬ層上に電子注入性の第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の上に、前記第１金属層の材料と異なり、前記第１金属層の酸化を保護する粒状の第２金属層を積層する工程と、
前記第２金属層の上に、前記第２金属層と成膜条件の異なる緻密な結晶構造を持つ同一金属を含んでなるブロッキング層を積層する工程と、
前記ブロッキング層の上にレジストを電極パターンに形成する工程と、前記ブロッキング層及び前記第２金属層をドライエッチングして前記第１金属層を露出させる工程と、
を備えることを特徴とする電界発光素子の製造方法。
前記レジストは、フォトレジストであり、露出・現像によりパターン形成されることを特徴とする請求項２記載の電界発光素子の製造方法。
前記第１金属層は、Ｍｇ、ＭｇＩｎ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなど低仕事関数の材料であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の電界発光素子の製造方法。
前記第２金属層は、Ａｌであることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の電界発光素子の製造方法。
前記第１金属層を露出させる工程の後に、前記レジストを酸素系雰囲気でアッシングする工程と、を備えることを特徴とする請求項２〜請求項５のいずれかに記載の電界発光素子の製造方法。