JP4421694B2 - 画素化したポリマー有機発光デバイスの作製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は電界発光デバイスに関し、より詳細にはマトリックスーアドレス指定(matrix-addressed)ディスプレイ用の有機発光ダイオードの作製に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機ポリマーをベースとした電界発光デバイス(OLED)は、英数字ディスプレイ及びx-yアドレス指定可能なディスプレイに代わる安価な代替を提供できる可能性を有する。典型的にはOLEDは、スズインジウム酸化物(ITO)のような、透明導電性材料で被覆された透明基板;1〜5層の有機層;及びカルシウム又はマグネシウムのような、低仕事関数特性をもつ金属の蒸着又はスパッタリングによって作られた陰極からなる。有機層は、電荷が再結合して発光する電界発光有機層(EL)へ両電極からの電荷の注入及び搬送を実現できるように選択される。通常は、陰極とELの間の1又は2の電荷の注入及び搬送層(ETL)の他に、ITOとELの間に1又は2の有機正孔搬送層(HTL)がある。
【0003】
通常OLEDは、有機層(典型的には低分子量の染料)を基板上に真空付着させるか又は液体状態の溶液からスピンキャストすることによって作製される。以下の議論では、真空付着した染料デバイスを"D-OLED"と呼び、ポリマーをベースとしたデバイスを"P-OLED"と呼ぶ。幾つかのデバイスでは、両方を混ぜ合わせた技法が利用される。
【0004】
ディスプレイ上で画素及び(アイコンのような)その他のパターンを明示するためには、ITO層、有機層及び陰極がパターン化されなければならない。ITO層のパターン化は、従来の写真平板技術(フォトリソグラフィー)によって実施される。
【0005】
しかし有機層と陰極のパターン化は、OLEDの商品化開発を抑制する困難さを呈する。特にシャドウマスクを使った材料の蒸気蒸着によって高分解能パターンを得ることは難しい。この問題を回避するため、代表的なD-OLEDは、"自己パターン化(self patterning)"手法を用いる。このアプローチでは、マイクロリソグラフィーを利用してITO上に2層のフォトレジストをパターン化して、陰極を付着する際に染料と陰極膜が別個の行(又は列)へ連続して繋がるのを阻止するトポロジーを形成する。この方法は高分解能パターンをもたらすが、この技法による多色ディスプレイの構成には幾つかの問題が提起される。特に種々の発光染料を付着させることによって種々のカラー画素を構成する設計では、組立が困難である。
【0006】
スピンキャストポリマーによって、種々の画素が別々のポリマーから構成される多色ディスプレイを生産することができる。フォトリソグラフィーによって様々なポリマー層をパターン化するシステムは、これらのポリマーの幾つかについて開発されている。例えば多色ディスプレイを生産するのに使用される有機ポリマーのパターン化については、PCT出願 PCT/GB97/00995に教示される。しかしP-OLEDの陰極の付着は、典型的にシャドウマスクを介して陰極を付着させることによって実施される。このシャドウマスク処理は、D-OLEDに用いられるフォトリソグラフィーに基づく方法より分解能が低い。
【0007】
P-OLEDデバイスに関する第二の問題は、陽極と陰極が薄いポリマー層を介して短絡し易いと云うことである。典型的にはポリマー層は0.1μmである。ポリマーがその上にキャスト(cast)されるITO層もほぼこの厚さである。典型的にはP-OLEDデバイスは、ITOの柱状電極をエッチングし、1つ以上のスピンキャスト操作によってそのITO柱を関連したカラーポリマーで覆い、次いで陰極用の行電極を付着させることによって構成される。層がITO陽極からITO陽極間の空間へ立上り及び立下りする点でのポリマー層の膜質は、しばしば決して完全とはいえない。特にポリマー層におけるピンホール又はその他の欠陥が、時としてこれらの点に存在する。陰極層がポリマー層の上に一行毎に付着される際に、陰極と下層のITO陽極層間で短絡が生ずる。これらの短絡はデバイスの歩留りの低下の原因となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
広義には本願発明の目的は、P-OLEDディスプレイを構成するための改良された方法を提供することにある。
【0009】
本願発明の別の目的は、フォトリソグラフィーに基づく方法で得られる分解能を陰極電極において達成できるようにする、P-OLEDディスプレイを構成するための方法を提供することにある。
【0010】
本願発明のさらに別の目的は、陽極と陰極の電極間の短絡問題を回避する、P-OLEDディスプレイを構成するための方法を提供することにある。
【0011】
本願発明の上記及びその他の目的は、熟練した当業者にとっては、以下の発明の詳細説明及び添付の図面から明らかとなるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、複数のアドレス指定可能な画素を有するディスプレイ及びそのディスプレイを構成するための方法に関する。このディスプレイは、第一導電層をその上に備える基板を包含する。この導電層は、エッジが絶縁材料で分離されている複数の平行な行電極を含む。第一ポリマー層がその平行な行電極の上に配される。絶縁層がそのポリマー層の上に置かれ、その絶縁層はディスプレイ用画素を画定する窓をそこに備える。その絶縁層が、行電極のエッジの上に配されると同時に、画素領域における第一ポリマー層へのアクセスを実現させる。第二導電層は、絶縁層の上に配され、且つ複数の分離した列電極を含む。各列電極は、複数の行電極を横切り、そして絶縁層の窓の上で画素を画定する点に配置される。第二導電層は、絶縁層の上にフォトレジストの層を付着させ、そしてそれを介して延伸する開口を形成するようにそのフォトレジストの層をパターン化することにより構成されることが好ましい。その開口は、絶縁層に最近接した層部分でより広くなる。この層は、導電材料の層を付着するためのシャドウマスクとして機能する。発明の一実施例では、絶縁層と第二導電層の間に第二ポリマー層が配される。絶縁層は、フォトレジストを架橋するように焼付けられるフォトレジストの層から構成されることが好ましい。ポリマー層は、好ましくはポリフルオレン(polyfluorene)とポリフェニレンビニレン(polyphenylenevinylene:PPV)をベースとした、電界発光材料を含むものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
本願発明は、活性な画素領域を画定する窓を備えた絶縁層の使用によりその好ましい結果を得るものである。絶縁層は、陽極のエッジの上にある領域で陽極から陰極を分離する。よってこの層は、陽極電極のエッジ近辺でのポリマー膜の欠陥による短絡を防止する。加えて絶縁層は、活性放射領域を平坦化する傾向があり、したがって陰極を付着する際の段差被覆性(step coverage)問題を軽減する。最後に絶縁層は、陰極を画定するマスク構造の構成用ベースを与える。
【0014】
本願発明によるディスプレイを構成する手法は、図1〜3を参照することによって一層容易に理解することができる。図1は、上述の絶縁層が付着されてパターン化された後のディスプレイ10の一部分の平面図である。図2は、線20-21についてのディスプレイ10の断面図である。図3は、線22-23についてのディスプレイ10の断面図である。ディスプレイ10は、透明基板12の上に構成される。スズインジウム酸化物のような透明陽極材料の層が透明基板12の上に付着され、さらにエッチングされて行の画素全てを接続する陽極電極が形成される。
【0015】
絶縁層14を付着するのに利用される温度と処理ステップに耐えることのできる当該ポリマー層が、1つ以上のスピンキャスト操作によって陽極電極上に付着されて、層16が形成される。留意すべきは層16が、カラーディスプレイである場合、種々のポリマーを有する領域を含むことがある、ということである。すなわち様々な色を発光するポリマー層16の各領域は、フォトリソグラフィー技術を使って別々にパターン化される。典型的には全ての画素について同様である正孔搬送層が陽極上に付着される。さらにEL層がHTLの最上面上でパターン化される。少なくとも2色の画素が存在する場合には、各色に対するEL層が別々に付着されて個々の色の画素が個々のEL材料を有するようにパターン化される。最後にEL層の上にETL層が付着される。画素化ディスプレイに関する個別ポリマー層の付着とパターン化操作は、当分野で周知であり且つ本願発明とは関係ないので、それらの処理段階の詳細についてはここでは議論しない。種々の色の発光領域を有するポリマー層を生産することに関する多くの様々なシステムが文献に記述されている。当該パターン化システムについての読者向けの例としては、上述のPCT出願 PCT/GB97/00995とStrum and Wu,"INTEGRATED ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES USING DOPED POYMERS", Society for Information display Conference Proceedings, September 15-19,1997,Tronto,Canadaがある。これらの文献は、参考として本明細書に引用されている。本議論の目的で、種々のポリマー層は、様々な成分を含んでいる単一の、又は二層の層として扱われる。
【0016】
ポリマー層を付着し終わった後、絶縁層14がデバイス上に付着されて、そこに窓を形成するようにパターン化される。その窓は、陽極電極の上に配されて、各画素の発光領域を画定する。その窓が陽極13のエッジ17の上には配されないことに注意されたい。したがってポリマー層のスピンキャストに起因するポリマー膜の欠陥はどれも絶縁層によって陽極から隔置される。
【0017】
本願発明の好ましい実施例では、絶縁層14は、焼付けによってパターン化された後に架橋されるフォトレジストの層である。例えば層14は、AZ-240(Hoechst Corp.,AZ photoresist products,Sumerville,NJ)のような在来のポジ型フォトレジストから構成される。フォトレジストは、フォトリソグラフィー技術により、フォトマスクを使ったUV露光によってパターン化され、さらにAZ400Kで現像される。窓領域の材料を除去し終わった後、デバイスは140℃で30分間焼付けられる。ポリマー層16が、絶縁層14を付着し、現像しそして硬化するのに要する諸々のプロセス処理に耐えることができるものでなければならないということは、先の議論から熟練した当業者にとっては明らかなことである。
【0018】
層16の構成成分層の何れかがこれらの条件に耐えることができない場合は、絶縁層14を付着し且つ硬化し終わった後に絶縁層14の上にその層が付着される。この場合層16は2つの層に分割される。第一の層は、HTLと、これらの条件に耐え得ない第一層までの絶縁層14の堆積に耐えることができる成分ポリマー層のどれかを含む。その後残りの層が絶縁層14の上に付着される。層16を形成する成分層の順序は、層16がこのように分割されることになるなら、勿論維持されなければならない。
【0019】
絶縁層の下にできるだけ多くの層を付着することにより膜質が改善される。ITO層の厚みは、典型的には0.15μm以下である。よってポリマー層を陽極上にスピニングする時にカバーしなければならない陽極の段差(steps)は、典型的には1μmである絶縁層の段差に較べて比較的緩やかである。段差の余分の高さが、絶縁層の上面の上にスピニングされるポリマー層に欠陥を生じることがある。
【0020】
絶縁層14の焼付けに対する耐性に加えて、層14の下にある層16の部分も層14の付着に固有の化学的処理ステップに対して耐性を持たなければならない。特にHTLの材料は、ITOに対して良好な接着性をもっていなければならない。
【0021】
層14の下に付着される層16の下層もフォトレジストの付着に適合するものでなければならない。特にこれらの層は、フォトレジストと共に用いられる溶剤に対して耐性がなければならず、且つフォトレジストに対して良好な接着性を備えていなければならない。本願発明の好ましい実施例では、フォトレジストはそれの現像中に水をベースとした溶液を使用する。加えてアセトン、イソプロピルアルコール及び飽和アンモニア蒸気に対する耐性が要求される。最後にこれらの層の材料は、可視光及び紫外線(UV)の両露光に対して耐性がなければならない。ここで"耐性(resistant)"とは、そのプロセスを通して、その機械的完全性、剥離、リフティングオフ(lifting off)に対する抵抗性及び電気的諸特性(電荷搬送及び輝度)を層が維持するということを意味する。
【0022】
HTL層は、フォトレジスト溶媒に不溶性である1つ以上のポリマーから構成することができる。キシレン、水、イソプロピルアルコール又はアセトンに溶けないポリマーが好ましい。例えばHTL層は、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)から構成される。ポリフルオレン及びPPV誘導体をベースとしたポリマー混合物から構成されたEL層が好ましい。このポリマーは、キシレンには溶けるが、水、アセトン又はイソプロピルアルコールには溶けない。典型的には2つのポリマーの結合した厚みは150 nmである。
【0023】
上記で注目されたように、必要であるならば、その他のポリマー材料の層が絶縁層14の上に付着される。典型的には絶縁層14は1μm厚である。この厚みは、デバイスを部分的に平坦化するには十分であると同時に、他のポリマー層のスピンキャストに実質上支障をきたすほどの厚みではない。本願発明の目的では、上述のポリフルオレンをベースとしたポリマー類が、フォトレジスト付着プロセスには十分な耐性があり、その上に層14を構成することに耐えられるので、前述のような付加的な層を必要としないものと考えられる。
【0024】
上記で注目したように、従来技術のP-OLEDディスプレイに関わる1つの問題は、陰極電極を付着するのに使用されるシャドウマスクシステムである。本願発明は、デバイスの表面に極めて接近して配置されるシャドウマスクを実際に提供するテーパを付けたフォトレジストマスクを利用することによって、この問題を回避する。それ故、陰極電極に使う材料はこのマスクを介して付着される。結果として得られる陰極電極の分解能は、テーパ付きフォトレジストを付着及び現像するのに使用されるフォトリソグラフィー処理の分解能によって設定される。
【0025】
次に、図4〜5を参照して説明する。図4は、テーパ付きフォトレジスト層30が付着された後のディスプレイ10の一部分の平面図である。図5は、テーパ付きフォトレジスト層と陰極材料が付着された後の、図2に示したものと類似のディスプレイ10の断面図である。陰極材料31は、テーパ付きフォトレジスト層30の上に蒸着によって付着される。テーパ付きフォトレジスト層により、テーパ付きフォトレジストに接触しない陰極32を形成する手法で陰極層31の付着が可能となる。したがって陰極導体を遮ることがある応力にその陰極導体をさらすことなくフォトレジストを除去することができる。
【0026】
テーパ付きフォトレジスト層の構成法は当分野で周知であり、したがってここでは詳細に議論しない。このようなテーパ付き即ち張出した(オーバハングした)層の構成は、Hatzakis,et al.,"Single-Step Optical Lift-Off Process",IBM J.Res.Develop.,34,pp.452-458,1980において詳細に議論されている。本願発明の好ましい実施例では、絶縁層14に用いたものと同じフォトレジスト材料を用いている;但しその材料の付着厚は約7μmである。その層は広帯域UV源に露光されることによってパターン化される。露光されたレジストは、先ず90℃の真空オーブンで焼付けられ、さらにアンモニア(NH3)中で硬化される。次ぎにそのレジストはアンモニアから取り出され、UVに曝されて、その後アルカリ性溶液で現像される。付けられるテーパの度合いは、主として初期露光エネルギーと現像液濃度によって決められる。本願発明の好ましい実施例では75°のテーパを用いる。
【0027】
上記で注目したように、好ましくは絶縁層14の焼付けに耐え得るポリマー層が、絶縁層14の付着以前に付着される。しかし1つ以上のポリマー層が高い焼付け温度に耐えることができない場合には、層16を図6に示すように2つの層に分割することができる。図6は、ポリマー層が160と161で示された2層に分割されているディスプレイ40の一部分の断面図である。図面を簡略化するため、ディスプレイ10に関連して上述された各要素と同じ働きをするそれぞれの要素には、同じ数字呼称を付した。ポリマー層160は、絶縁層14の付着に用いられる焼付け温度に耐え得るポリマー層の積層の部分を含む。絶縁層の完了後、161で示すように残りのポリマー層が付着される。さらにテーパ付きフォトレジスト層30がポリマー層161の上面に付着される。その後テーパ付きフォトレジスト層を介して陰極材料31が付着されて、32で示した陰極電極が作り出される。
【0028】
上述の絶縁用窓は、下になるポリマー層が薄い"ストリップ(strip)"のように付着されるシステムでは、付加的な利点を有する。多色ディスプレイを組立るための1つの方法は、在来のプリント技術を使用してELポリマー層を薄いストリップとして"プリント"するものである。各カラーは、別々のELポリマーのストリップに対応する。この手順は、フォトリソグラフィー法によって、ELポリマー領域を構築するのに要するパターン化と付着の反復処理とは対照的に、1つの処理で種々のカラーポリマーを備える領域を作り出すための手段を提供する。残念ながら、プリント操作で得られるELポリマーのストリップは、極めて薄く、したがって下層から剥がれ落ち易い。本願発明で利用される絶縁用窓は、絶縁材料がエッジを覆い、したがってそのエッジをピン留めするため、前述の剥げ落ちを防ぐための手段を提供する。
【0029】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
【0030】
1.複数のアドレス指定可能な画素を有するディスプレイ(10,40)であって:
第一導電層(13)を備える基板(12)と、該第一導電層が絶縁材料によって分離されるエッジを有する複数の平行な行電極からなることと;
前記平行な行電極の上に載る第一ポリマー層(16,160)と;
前記第一ポリマー層の上に載る絶縁層(14)と、該絶縁層(14)が前記ディスプレイ(10,40)用の画素を画定する窓(15)を有し、前記平行な行電極のエッジの上に載っていることと、前記窓(15)が前記第一ポリマー層(16,160)へのアクセスを与えることと;さらに
複数の分離した列電極を含む第二導電層(32)と、各複数の分離した列電極が複数の前記行電極を横切り、前記絶縁層(14)の窓(15)上の前記画素を画定する点に配置されることと、
を含んでなるディスプレイ。
【0031】
2.さらに、前記絶縁層(14)と前記第二導電層(32)間に配置される第二ポリマー層(161)を含む、1項記載のディスプレイ。
【0032】
3.前記絶縁層(14)がフォトレジストの層を含む、1項記載のディスプレイ。
【0033】
4.前記第一ポリマー層(16,160)が正孔搬送材料を含む、1項記載のディスプレイ。
【0034】
5.前記第一ポリマー層(16,160)が、ポリフルオレンとPPVからなる群から選択される電界発光材料を含む、1項記載のディスプレイ。
【0035】
6.前記第一ポリマー層(16,160)が電荷搬送材料を含む、1項記載のディスプレイ。
【0036】
7.複数のアドレス指定可能な画素からなる画素化ディスプレイ(10,40)を構成するための方法であって:
基板(12)上に付着された導電層を絶縁材料によって分離されたエッジを備える複数の平行な行電極(13)にパターン化するステップと;
前記平行な行電極の上に載る第一ポリマー層(16,160)を付着させるステップと;
前記ポリマー層の上に載る絶縁層(14)を付着させ、該絶縁層(14)が前記ディスプレイ(10,40)用の画素を画定する窓(15)をそこに備え、前記行電極のエッジの上に載り、前記窓(15)が前記第一ポリマー層(16,160)へのアクセスを与えるステップと;さらに
複数の分離した列電極を含む第二導電層(32)を付着させ、各複数の分離した列電極が複数の前記行電極を横切り、前記絶縁層(14)の窓(15)上の前記画素を画定する点に配置されるステップと、
からなる方法。
【0037】
8.さらに前記絶縁層(14)を付着した後、前記絶縁層(14)と前記第二導電層(32)の間に配置される第二ポリマー層(161)を付着するステップを含む、7項記載の方法。
【0038】
9.前記絶縁層(14)がフォトレジストの層を含む、7項記載の方法。
【0039】
10.さらに前記フォトレジストを架橋するのに十分な温度まで前記フォトレジストの層を焼付けるステップを含む、9項記載の方法。
【0040】
11.前記第一ポリマー層(16,160)が正孔搬送材料を含む、7項記載の方法。
【0041】
12.前記第一ポリマー層(16,160)がポリフルオレンを含む電界発光材料からなる、7項記載の方法。
【0042】
13.前記第二導電層(32)を付着するステップが:
前記絶縁層(14)の上にフォトレジストの層(30)を付着させ、且つ前記フォトレジストの層を介して延伸する開口を与えるように前記フォトレジストの層をパターン化し、該開口が前記絶縁層(14)に最近接した層の部分でより広くするステップと;さらに
前記のパターン化したフォトレジスト層を介して導電材料の層(31)を付着するステップと、
を含む、7項記載の方法。
【0043】
14.前記フォトレジストの層が、7μmを上回る厚みを有する、13項記載の方法。
【0044】
本願発明に関する様々な変更修正は、熟練した当業者にとっては、先の説明及び添付の図面から明らかとなるであろう。したがって本願発明は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
【0045】
【発明の効果】
複数のアドレス指定可能な画素を備えるディスプレイ(10,40)とそれを構成するための方法である。ディスプレイ(10,40)は、その上に第一導電層(13)を備える基板(12)を含む。この第一導電層は、絶縁材料によって分離されるエッジを備える複数の平行な行電極を含む。第一ポリマー層(16,160)は、平行な行電極の上に載る1以上の薄膜から構成される。絶縁層(14)は、ポリマー層の上に配され、この絶縁層(14)はディスプレイ(10,40)に関して画素をそこに画定する窓(15)を備える。絶縁層(14)は、行電極のエッジの上に配されると同時に、画素領域における第一ポリマー層(16,160)へのアクセスを実現させる。第二導電層(32)は、絶縁層(14)の上に載り、且つ複数の分離した列電極を含む。各列電極は、複数の行電極を横切り、そして絶縁層(14)の窓(15)の上で画素を画定する点に配置される。第二導電層(32)は、絶縁層(14)の上にフォトレジストの層を付着させ、そしてそれを介して延伸する開口を形成するようにそのフォトレジストの層をパターン化することにより構成されることが好ましい。この開口は、絶縁層(14)に最近接した層部分でより広くなる。この層は、導電材料の層を付着するためのシャドウマスクとして機能する。発明の一実施例では、絶縁層(14)と第二導電層(32)の間に第二ポリマー層(161)が配置される。絶縁層(14)は、フォトレジストを架橋するように焼付けられるフォトレジストの層から構成されることが好ましい。ポリマー層は、好ましくはポリフルオレンをベースとした電界発光材料を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】窓付き絶縁層の付着後の本願発明によるディスプレイの一部分の平面図である。
【図2】図1に示したディスプレイの線20-21による断面図である。
【図3】図1に示したディスプレイの線22-23による断面図である。
【図4】テーパ付きフォトレジスト層を付着した後の図1に示したディスプレイの平面図である。
【図5】図4に示したディスプレイの断面図である。
【図6】ポリマー層が2層に分割される場合の本願発明によるディスプレイの一部分の断面図である。
【符号の説明】
10 ディプレイ
12 基板
13 第一導電層
14 絶縁層
15 窓
16 ポリマー層
Claims (9)
- 複数のアドレス指定可能な画素を有するディスプレイであって、
第一導電層を備える基板であって、該第一導電層が、絶縁材料によって分離されたエッジを有する複数の平行な行電極からなる、基板と、
前記平行な行電極の上に載り且つ前記絶縁材料である第一ポリマー層と、
前記第一ポリマー層の上に載る絶縁層であって、該絶縁層が、前記ディスプレイ用の画素を画定する窓を有し、前記平行な行電極の前記エッジを覆い、前記窓が、前記第一ポリマー層へのアクセスを与える、絶縁層と、
複数の分離された列電極を含む第二導電層であって、該複数の分離された列電極のそれぞれが、前記複数の行電極を横切り、前記絶縁層の前記窓上に前記画素を画定する点で配置される、第二導電層とを含み、
前記第一ポリマー層が1以上の構成成分層からなり、各構成成分層が、正孔搬送材料からなる層、ポリフルオレンとPPVからなる群から選択される電界発光材料からなる層、電子搬送材料からなる層のいずれかである、ディスプレイ。 - 前記絶縁層と前記第二導電層との間に配置される第二ポリマー層をさらに含み、該第二ポリマー層が1以上の構成成分層からなり、各構成成分層が、正孔搬送材料からなる層、ポリフルオレンとPPVからなる群から選択される電界発光材料からなる層のいずれかである、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記絶縁層がフォトレジストの層からなる、請求項1に記載のディスプレイ。
- 複数のアドレス指定可能な画素からなる画素化ディスプレイを構成するための方法であって、
基板上に付着された導電層を、絶縁材料によって分離されたエッジを備えている複数の平行な行電極にパターン化するステップと、
前記平行な行電極の上に載り且つ前記絶縁材料である第一ポリマー層を付着させるステップと、
前記ポリマー層の上に載る絶縁層を付着させるステップであって、該絶縁層が、前記ディスプレイ用の画素を画定する窓を当該絶縁層内に備え、前記行電極の前記エッジを覆い、前記窓が、前記第一ポリマー層へのアクセスを与える、ステップと、
複数の分離された列電極を含む第二導電層を付着させるステップであって、該複数の分離された列電極のそれぞれが、前記複数の行電極を横切り、前記絶縁層の前記窓上に前記画素を画定する点で配置される、ステップとを含み、
前記第一ポリマー層が1以上の構成成分層からなり、各構成成分層が、正孔搬送材料からなる層、ポリフルオレンとPPVからなる群から選択される電界発光材料からなる層、電子搬送材料からなる層のいずれかである、方法。 - 前記絶縁層を付着した後、前記絶縁層と前記第二導電層との間に配置される第二ポリマー層を付着するステップをさらに含み、前記第二ポリマー層が1以上の構成成分層からなり、各構成成分層が、正孔搬送材料からなる層、ポリフルオレンとPPVからなる群から選択される電界発光材料からなる層のいずれかである、請求項4に記載の方法。
- 前記絶縁層がフォトレジストの層からなる、請求項4に記載の方法。
- 前記フォトレジストを架橋するのに十分な温度まで前記フォトレジストの層を焼付けるステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 複数のアドレス指定可能な画素からなる画素化ディスプレイを構成するための方法であって、
基板上に付着された導電層を、絶縁材料によって分離されたエッジを備えている複数の平行な行電極にパターン化するステップと、
前記平行な行電極の上に載り且つ前記絶縁材料である第一ポリマー層を付着させるステップと、
前記ポリマー層の上に載る絶縁層を付着させるステップであって、該絶縁層が、前記ディスプレイ用の画素を画定する窓を当該絶縁層内に備え、前記行電極の前記エッジを覆い、前記窓が、前記第一ポリマー層へのアクセスを与える、ステップと、
複数の分離された列電極を含む第二導電層を付着させるステップであって、該複数の分離された列電極のそれぞれが、前記複数の行電極を横切り、前記絶縁層の前記窓上に前記画素を画定する点で配置される、ステップとを含む方法であって、
前記第二導電層を付着するステップが、
前記絶縁層の上にフォトレジストの層を付着させるステップであって、該フォトレジストの層を通って延伸する開口を与えるように前記フォトレジストの層をパターン化し、該開口が、前記フォトレジストの層の、前記絶縁層に最近接した部分でより広くなっているステップと、
パターン化された前記フォトレジストの層を通して導電材料の層を付着するステップとを含み、
前記第一ポリマー層が1以上の構成成分層からなり、各構成成分層が、正孔搬送材料からなる層、ポリフルオレンとPPVからなる群から選択される電界発光材料からなる層、電子搬送材料からなる層のいずれかである、方法。 - 前記フォトレジストの層が、7μmを上回る厚みを有する、請求項8に記載の方法。
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