JPH11329744A - 画素化したポリマ―有機発光デバイスの作製方法 - Google Patents

画素化したポリマ―有機発光デバイスの作製方法

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JPH11329744A
JPH11329744A JP11105347A JP10534799A JPH11329744A JP H11329744 A JPH11329744 A JP H11329744A JP 11105347 A JP11105347 A JP 11105347A JP 10534799 A JP10534799 A JP 10534799A JP H11329744 A JPH11329744 A JP H11329744A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ポリマーをベースとした電界発光デバイ
ス(P-OLED)ディスプレイ及びそのディスプレイを構成す
るための改良された方法を提供する。 【解決手段】 第一導電層(13)を備える基板(12)と、該
第一導電層が絶縁材料によって分離されるエッジを有す
る複数の平行な行電極からなることと；前記平行な行電
極の上に載る第一ポリマー層(16,160)と；前記第一ポリ
マー層の上に載る絶縁層(14)と、該絶縁層(14)が前記デ
ィスプレイ(10,40)用の画素を画定する窓(15)を有し、
前記平行な行電極のエッジの上に載っていることと、前
記窓(15)が前記第一ポリマー層(16,160)へのアクセスを
与えることと；さらに複数の分離した列電極を含む第二
導電層(32)と、各複数の分離した列電極が複数の前記行
電極を横切り、前記絶縁層(14)の窓(15)上の前記画素を
画定する点に配置されることと、を含んでなることを特
徴とするディスプレイである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は電界発光デバイス
に関し、より詳細にはマトリックスーアドレス指定(mat
rix-addressed)ディスプレイ用の有機発光ダイオードの
作製に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ポリマーをベースとした電界発光デ
バイス(OLED)は、英数字ディスプレイ及びx-yアドレス
指定可能なディスプレイに代わる安価な代替を提供でき
る可能性を有する。典型的にはOLEDは、スズインジウム
酸化物(ITO)のような、透明導電性材料で被覆された透
明基板；１〜５層の有機層；及びカルシウム又はマグネ
シウムのような、低仕事関数特性をもつ金属の蒸着又は
スパッタリングによって作られた陰極からなる。有機層
は、電荷が再結合して発光する電界発光有機層(EL)へ両
電極からの電荷の注入及び搬送を実現できるように選択
される。通常は、陰極とELの間の１又は２の電荷の注入
及び搬送層(ETL)の他に、ITOとELの間に１又は２の有機
正孔搬送層(HTL)がある。
【０００３】通常OLEDは、有機層（典型的には低分子量
の染料）を基板上に真空付着させるか又は液体状態の溶
液からスピンキャストすることによって作製される。以
下の議論では、真空付着した染料デバイスを"D-OLED"と
呼び、ポリマーをベースとしたデバイスを"P-OLED"と呼
ぶ。幾つかのデバイスでは、両方を混ぜ合わせた技法が
利用される。
【０００４】ディスプレイ上で画素及び（アイコンのよ
うな）その他のパターンを明示するためには、ITO層、
有機層及び陰極がパターン化されなければならない。IT
O層のパターン化は、従来の写真平板技術（フォトリソ
グラフィー）によって実施される。
【０００５】しかし有機層と陰極のパターン化は、OLED
の商品化開発を抑制する困難さを呈する。特にシャドウ
マスクを使った材料の蒸気蒸着によって高分解能パター
ンを得ることは難しい。この問題を回避するため、代表
的なD-OLEDは、"自己パターン化(self patterning)"手
法を用いる。このアプローチでは、マイクロリソグラフ
ィーを利用してITO上に２層のフォトレジストをパター
ン化して、陰極を付着する際に染料と陰極膜が別個の行
（又は列）へ連続して繋がるのを阻止するトポロジーを
形成する。この方法は高分解能パターンをもたらすが、
この技法による多色ディスプレイの構成には幾つかの問
題が提起される。特に種々の発光染料を付着させること
によって種々のカラー画素を構成する設計では、組立が
困難である。
【０００６】スピンキャストポリマーによって、種々の
画素が別々のポリマーから構成される多色ディスプレイ
を生産することができる。フォトリソグラフィーによっ
て様々なポリマー層をパターン化するシステムは、これ
らのポリマーの幾つかについて開発されている。例えば
多色ディスプレイを生産するのに使用される有機ポリマ
ーのパターン化については、PCT出願 PCT/GB97/00995に
教示される。しかしP-OLEDの陰極の付着は、典型的にシ
ャドウマスクを介して陰極を付着させることによって実
施される。このシャドウマスク処理は、D-OLEDに用いら
れるフォトリソグラフィーに基づく方法より分解能が低
い。
【０００７】P-OLEDデバイスに関する第二の問題は、陽
極と陰極が薄いポリマー層を介して短絡し易いと云うこ
とである。典型的にはポリマー層は0.1μmである。ポリ
マーがその上にキャスト（cast）されるITO層もほぼこ
の厚さである。典型的にはP-OLEDデバイスは、ITOの柱
状電極をエッチングし、１つ以上のスピンキャスト操作
によってそのITO柱を関連したカラーポリマーで覆い、
次いで陰極用の行電極を付着させることによって構成さ
れる。層がITO陽極からITO陽極間の空間へ立上り及び立
下りする点でのポリマー層の膜質は、しばしば決して完
全とはいえない。特にポリマー層におけるピンホール又
はその他の欠陥が、時としてこれらの点に存在する。陰
極層がポリマー層の上に一行毎に付着される際に、陰極
と下層のITO陽極層間で短絡が生ずる。これらの短絡は
デバイスの歩留りの低下の原因となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】広義には本願発明の目
的は、P-OLEDディスプレイを構成するための改良された
方法を提供することにある。
【０００９】本願発明の別の目的は、フォトリソグラフ
ィーに基づく方法で得られる分解能を陰極電極において
達成できるようにする、P-OLEDディスプレイを構成する
ための方法を提供することにある。
【００１０】本願発明のさらに別の目的は、陽極と陰極
の電極間の短絡問題を回避する、P-OLEDディスプレイを
構成するための方法を提供することにある。
【００１１】本願発明の上記及びその他の目的は、熟練
した当業者にとっては、以下の発明の詳細説明及び添付
の図面から明らかとなるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願発明は、複数のアド
レス指定可能な画素を有するディスプレイ及びそのディ
スプレイを構成するための方法に関する。このディスプ
レイは、第一導電層をその上に備える基板を包含する。
この導電層は、エッジが絶縁材料で分離されている複数
の平行な行電極を含む。第一ポリマー層がその平行な行
電極の上に配される。絶縁層がそのポリマー層の上に置
かれ、その絶縁層はディスプレイ用画素を画定する窓を
そこに備える。その絶縁層が、行電極のエッジの上に配
されると同時に、画素領域における第一ポリマー層への
アクセスを実現させる。第二導電層は、絶縁層の上に配
され、且つ複数の分離した列電極を含む。各列電極は、
複数の行電極を横切り、そして絶縁層の窓の上で画素を
画定する点に配置される。第二導電層は、絶縁層の上に
フォトレジストの層を付着させ、そしてそれを介して延
伸する開口を形成するようにそのフォトレジストの層を
パターン化することにより構成されることが好ましい。
その開口は、絶縁層に最近接した層部分でより広くな
る。この層は、導電材料の層を付着するためのシャドウ
マスクとして機能する。発明の一実施例では、絶縁層と
第二導電層の間に第二ポリマー層が配される。絶縁層
は、フォトレジストを架橋するように焼付けられるフォ
トレジストの層から構成されることが好ましい。ポリマ
ー層は、好ましくはポリフルオレン(polyfluorene)とポ
リフェニレンビニレン(polyphenylenevinylene：PPV)を
ベースとした、電界発光材料を含むものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本願発明は、活性な画素領域を画
定する窓を備えた絶縁層の使用によりその好ましい結果
を得るものである。絶縁層は、陽極のエッジの上にある
領域で陽極から陰極を分離する。よってこの層は、陽極
電極のエッジ近辺でのポリマー膜の欠陥による短絡を防
止する。加えて絶縁層は、活性放射領域を平坦化する傾
向があり、したがって陰極を付着する際の段差被覆性(s
tep coverage)問題を軽減する。最後に絶縁層は、陰極
を画定するマスク構造の構成用ベースを与える。
【００１４】本願発明によるディスプレイを構成する手
法は、図１〜３を参照することによって一層容易に理解
することができる。図１は、上述の絶縁層が付着されて
パターン化された後のディスプレイ10の一部分の平面図
である。図２は、線20-21についてのディスプレイ10の
断面図である。図３は、線22-23についてのディスプレ
イ10の断面図である。ディスプレイ10は、透明基板12の
上に構成される。スズインジウム酸化物のような透明陽
極材料の層が透明基板12の上に付着され、さらにエッチ
ングされて行の画素全てを接続する陽極電極が形成され
る。
【００１５】絶縁層14を付着するのに利用される温度と
処理ステップに耐えることのできる当該ポリマー層が、
１つ以上のスピンキャスト操作によって陽極電極上に付
着されて、層16が形成される。留意すべきは層16が、カ
ラーディスプレイである場合、種々のポリマーを有する
領域を含むことがある、ということである。すなわち様
々な色を発光するポリマー層16の各領域は、フォトリソ
グラフィー技術を使って別々にパターン化される。典型
的には全ての画素について同様である正孔搬送層が陽極
上に付着される。さらにEL層がHTLの最上面上でパター
ン化される。少なくとも２色の画素が存在する場合に
は、各色に対するEL層が別々に付着されて個々の色の画
素が個々のEL材料を有するようにパターン化される。最
後にEL層の上にETL層が付着される。画素化ディスプレ
イに関する個別ポリマー層の付着とパターン化操作は、
当分野で周知であり且つ本願発明とは関係ないので、そ
れらの処理段階の詳細についてはここでは議論しない。
種々の色の発光領域を有するポリマー層を生産すること
に関する多くの様々なシステムが文献に記述されてい
る。当該パターン化システムについての読者向けの例と
しては、上述のPCT出願PCT/GB97/00995とStrum and W
u,"INTEGRATED ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE STRUCTU
RES USING DOPED POYMERS", Society for Information
display Conference Proceedings, September 15-19,19
97,Tronto,Canadaがある。これらの文献は、参考として
本明細書に引用されている。本議論の目的で、種々のポ
リマー層は、様々な成分を含んでいる単一の、又は二層
の層として扱われる。
【００１６】ポリマー層を付着し終わった後、絶縁層14
がデバイス上に付着されて、そこに窓を形成するように
パターン化される。その窓は、陽極電極の上に配され
て、各画素の発光領域を画定する。その窓が陽極13のエ
ッジ17の上には配されないことに注意されたい。したが
ってポリマー層のスピンキャストに起因するポリマー膜
の欠陥はどれも絶縁層によって陽極から隔置される。
【００１７】本願発明の好ましい実施例では、絶縁層14
は、焼付けによってパターン化された後に架橋されるフ
ォトレジストの層である。例えば層14は、AZ-240(Hoech
st Corp.,AZ photoresist products,Sumerville,NJ)の
ような在来のポジ型フォトレジストから構成される。フ
ォトレジストは、フォトリソグラフィー技術により、フ
ォトマスクを使ったUV露光によってパターン化され、さ
らにAZ400Kで現像される。窓領域の材料を除去し終わっ
た後、デバイスは140℃で30分間焼付けられる。ポリマ
ー層16が、絶縁層14を付着し、現像しそして硬化するの
に要する諸々のプロセス処理に耐えることができるもの
でなければならないということは、先の議論から熟練し
た当業者にとっては明らかなことである。
【００１８】層16の構成成分層の何れかがこれらの条件
に耐えることができない場合は、絶縁層14を付着し且つ
硬化し終わった後に絶縁層14の上にその層が付着され
る。この場合層16は２つの層に分割される。第一の層
は、HTLと、これらの条件に耐え得ない第一層までの絶
縁層14の堆積に耐えることができる成分ポリマー層のど
れかを含む。その後残りの層が絶縁層14の上に付着され
る。層16を形成する成分層の順序は、層16がこのように
分割されることになるなら、勿論維持されなければなら
ない。
【００１９】絶縁層の下にできるだけ多くの層を付着す
ることにより膜質が改善される。ITO層の厚みは、典型
的には0.15μm以下である。よってポリマー層を陽極上
にスピニングする時にカバーしなければならない陽極の
段差(steps)は、典型的には1μmである絶縁層の段差に
較べて比較的緩やかである。段差の余分の高さが、絶縁
層の上面の上にスピニングされるポリマー層に欠陥を生
じることがある。
【００２０】絶縁層14の焼付けに対する耐性に加えて、
層14の下にある層16の部分も層14の付着に固有の化学的
処理ステップに対して耐性を持たなければならない。特
にHTLの材料は、ITOに対して良好な接着性をもっていな
ければならない。
【００２１】層14の下に付着される層16の下層もフォト
レジストの付着に適合するものでなければならない。特
にこれらの層は、フォトレジストと共に用いられる溶剤
に対して耐性がなければならず、且つフォトレジストに
対して良好な接着性を備えていなければならない。本願
発明の好ましい実施例では、フォトレジストはそれの現
像中に水をベースとした溶液を使用する。加えてアセト
ン、イソプロピルアルコール及び飽和アンモニア蒸気に
対する耐性が要求される。最後にこれらの層の材料は、
可視光及び紫外線(UV)の両露光に対して耐性がなければ
ならない。ここで"耐性(resistant)"とは、そのプロセ
スを通して、その機械的完全性、剥離、リフティングオ
フ(lifting off)に対する抵抗性及び電気的諸特性（電
荷搬送及び輝度）を層が維持するということを意味す
る。
【００２２】HTL層は、フォトレジスト溶媒に不溶性で
ある１つ以上のポリマーから構成することができる。キ
シレン、水、イソプロピルアルコール又はアセトンに溶
けないポリマーが好ましい。例えばHTL層は、ポリ（3,4
-エチレンジオキシチオフェン）(PEDOT)から構成され
る。ポリフルオレン及びPPV誘導体をベースとしたポリ
マー混合物から構成されたEL層が好ましい。このポリマ
ーは、キシレンには溶けるが、水、アセトン又はイソプ
ロピルアルコールには溶けない。典型的には２つのポリ
マーの結合した厚みは150 nmである。
【００２３】上記で注目されたように、必要であるなら
ば、その他のポリマー材料の層が絶縁層14の上に付着さ
れる。典型的には絶縁層14は１μm厚である。この厚み
は、デバイスを部分的に平坦化するには十分であると同
時に、他のポリマー層のスピンキャストに実質上支障を
きたすほどの厚みではない。本願発明の目的では、上述
のポリフルオレンをベースとしたポリマー類が、フォト
レジスト付着プロセスには十分な耐性があり、その上に
層14を構成することに耐えられるので、前述のような付
加的な層を必要としないものと考えられる。
【００２４】上記で注目したように、従来技術のP-OLED
ディスプレイに関わる１つの問題は、陰極電極を付着す
るのに使用されるシャドウマスクシステムである。本願
発明は、デバイスの表面に極めて接近して配置されるシ
ャドウマスクを実際に提供するテーパを付けたフォトレ
ジストマスクを利用することによって、この問題を回避
する。それ故、陰極電極に使う材料はこのマスクを介し
て付着される。結果として得られる陰極電極の分解能
は、テーパ付きフォトレジストを付着及び現像するのに
使用されるフォトリソグラフィー処理の分解能によって
設定される。
【００２５】次に、図４〜５を参照して説明する。図４
は、テーパ付きフォトレジスト層30が付着された後のデ
ィスプレイ10の一部分の平面図である。図５は、テーパ
付きフォトレジスト層と陰極材料が付着された後の、図
２に示したものと類似のディスプレイ10の断面図であ
る。陰極材料31は、テーパ付きフォトレジスト層30の上
に蒸着によって付着される。テーパ付きフォトレジスト
層により、テーパ付きフォトレジストに接触しない陰極
32を形成する手法で陰極層31の付着が可能となる。した
がって陰極導体を遮ることがある応力にその陰極導体を
さらすことなくフォトレジストを除去することができ
る。
【００２６】テーパ付きフォトレジスト層の構成法は当
分野で周知であり、したがってここでは詳細に議論しな
い。このようなテーパ付き即ち張出した（オーバハング
した）層の構成は、Hatzakis,et al.,"Single-Step Opt
ical Lift-Off Process",IBMJ.Res.Develop.,34,pp.452
-458,1980において詳細に議論されている。本願発明の
好ましい実施例では、絶縁層14に用いたものと同じフォ
トレジスト材料を用いている；但しその材料の付着厚は
約７μmである。その層は広帯域UV源に露光されること
によってパターン化される。露光されたレジストは、先
ず90℃の真空オーブンで焼付けられ、さらにアンモニア
(NH3)中で硬化される。次ぎにそのレジストはアンモニ
アから取り出され、UVに曝されて、その後アルカリ性溶
液で現像される。付けられるテーパの度合いは、主とし
て初期露光エネルギーと現像液濃度によって決められ
る。本願発明の好ましい実施例では75°のテーパを用い
る。
【００２７】上記で注目したように、好ましくは絶縁層
14の焼付けに耐え得るポリマー層が、絶縁層14の付着以
前に付着される。しかし１つ以上のポリマー層が高い焼
付け温度に耐えることができない場合には、層16を図６
に示すように２つの層に分割することができる。図６
は、ポリマー層が160と161で示された２層に分割されて
いるディスプレイ40の一部分の断面図である。図面を簡
略化するため、ディスプレイ10に関連して上述された各
要素と同じ働きをするそれぞれの要素には、同じ数字呼
称を付した。ポリマー層160は、絶縁層14の付着に用い
られる焼付け温度に耐え得るポリマー層の積層の部分を
含む。絶縁層の完了後、161で示すように残りのポリマ
ー層が付着される。さらにテーパ付きフォトレジスト層
30がポリマー層161の上面に付着される。その後テーパ
付きフォトレジスト層を介して陰極材料31が付着され
て、32で示した陰極電極が作り出される。
【００２８】上述の絶縁用窓は、下になるポリマー層が
薄い"ストリップ(strip)"のように付着されるシステム
では、付加的な利点を有する。多色ディスプレイを組立
るための１つの方法は、在来のプリント技術を使用して
ELポリマー層を薄いストリップとして"プリント"するも
のである。各カラーは、別々のELポリマーのストリップ
に対応する。この手順は、フォトリソグラフィー法によ
って、ELポリマー領域を構築するのに要するパターン化
と付着の反復処理とは対照的に、１つの処理で種々のカ
ラーポリマーを備える領域を作り出すための手段を提供
する。残念ながら、プリント操作で得られるELポリマー
のストリップは、極めて薄く、したがって下層から剥が
れ落ち易い。本願発明で利用される絶縁用窓は、絶縁材
料がエッジを覆い、したがってそのエッジをピン留めす
るため、前述の剥げ落ちを防ぐための手段を提供する。
【００２９】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
【００３０】１．複数のアドレス指定可能な画素を有す
るディスプレイ(10,40)であって：第一導電層(13)を備
える基板(12)と、該第一導電層が絶縁材料によって分離
されるエッジを有する複数の平行な行電極からなること
と；前記平行な行電極の上に載る第一ポリマー層(16,16
0)と；前記第一ポリマー層の上に載る絶縁層(14)と、該
絶縁層(14)が前記ディスプレイ(10,40)用の画素を画定
する窓(15)を有し、前記平行な行電極のエッジの上に載
っていることと、前記窓(15)が前記第一ポリマー層(16,
160)へのアクセスを与えることと；さらに複数の分離し
た列電極を含む第二導電層(32)と、各複数の分離した列
電極が複数の前記行電極を横切り、前記絶縁層(14)の窓
(15)上の前記画素を画定する点に配置されることと、を
含んでなるディスプレイ。
【００３１】２．さらに、前記絶縁層(14)と前記第二導
電層(32)間に配置される第二ポリマー層(161)を含む、
１項記載のディスプレイ。
【００３２】３．前記絶縁層(14)がフォトレジストの層
を含む、１項記載のディスプレイ。
【００３３】４．前記第一ポリマー層(16,160)が正孔搬
送材料を含む、１項記載のディスプレイ。
【００３４】５．前記第一ポリマー層(16,160)が、ポリ
フルオレンとPPVからなる群から選択される電界発光材
料を含む、１項記載のディスプレイ。
【００３５】６．前記第一ポリマー層(16,160)が電荷搬
送材料を含む、１項記載のディスプレイ。
【００３６】７．複数のアドレス指定可能な画素からな
る画素化ディスプレイ(10,40)を構成するための方法で
あって：基板(12)上に付着された導電層を絶縁材料によ
って分離されたエッジを備える複数の平行な行電極(13)
にパターン化するステップと；前記平行な行電極の上に
載る第一ポリマー層(16,160)を付着させるステップと；
前記ポリマー層の上に載る絶縁層(14)を付着させ、該絶
縁層(14)が前記ディスプレイ(10,40)用の画素を画定す
る窓(15)をそこに備え、前記行電極のエッジの上に載
り、前記窓(15)が前記第一ポリマー層(16,160)へのアク
セスを与えるステップと；さらに複数の分離した列電極
を含む第二導電層(32)を付着させ、各複数の分離した列
電極が複数の前記行電極を横切り、前記絶縁層(14)の窓
(15)上の前記画素を画定する点に配置されるステップ
と、からなる方法。
【００３７】８．さらに前記絶縁層(14)を付着した後、
前記絶縁層(14)と前記第二導電層(32)の間に配置される
第二ポリマー層(161)を付着するステップを含む、７項
記載の方法。
【００３８】９．前記絶縁層(14)がフォトレジストの層
を含む、７項記載の方法。
【００３９】１０．さらに前記フォトレジストを架橋す
るのに十分な温度まで前記フォトレジストの層を焼付け
るステップを含む、９項記載の方法。
【００４０】１１．前記第一ポリマー層(16,160)が正孔
搬送材料を含む、７項記載の方法。
【００４１】１２．前記第一ポリマー層(16,160)がポリ
フルオレンを含む電界発光材料からなる、７項記載の方
法。
【００４２】１３．前記第二導電層(32)を付着するステ
ップが：前記絶縁層(14)の上にフォトレジストの層(30)
を付着させ、且つ前記フォトレジストの層を介して延伸
する開口を与えるように前記フォトレジストの層をパタ
ーン化し、該開口が前記絶縁層(14)に最近接した層の部
分でより広くするステップと；さらに前記のパターン化
したフォトレジスト層を介して導電材料の層(31)を付着
するステップと、を含む、７項記載の方法。
【００４３】１４．前記フォトレジストの層が、７μm
を上回る厚みを有する、１３項記載の方法。
【００４４】本願発明に関する様々な変更修正は、熟練
した当業者にとっては、先の説明及び添付の図面から明
らかとなるであろう。したがって本願発明は、添付の特
許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
【００４５】
【発明の効果】複数のアドレス指定可能な画素を備える
ディスプレイ(10,40)とそれを構成するための方法であ
る。ディスプレイ(10,40)は、その上に第一導電層(13)
を備える基板(12)を含む。この第一導電層は、絶縁材料
によって分離されるエッジを備える複数の平行な行電極
を含む。第一ポリマー層(16,160)は、平行な行電極の上
に載る１以上の薄膜から構成される。絶縁層(14)は、ポ
リマー層の上に配され、この絶縁層(14)はディスプレイ
(10,40)に関して画素をそこに画定する窓(15)を備え
る。絶縁層(14)は、行電極のエッジの上に配されると同
時に、画素領域における第一ポリマー層(16,160)へのア
クセスを実現させる。第二導電層(32)は、絶縁層(14)の
上に載り、且つ複数の分離した列電極を含む。各列電極
は、複数の行電極を横切り、そして絶縁層(14)の窓(15)
の上で画素を画定する点に配置される。第二導電層(32)
は、絶縁層(14)の上にフォトレジストの層を付着させ、
そしてそれを介して延伸する開口を形成するようにその
フォトレジストの層をパターン化することにより構成さ
れることが好ましい。この開口は、絶縁層(14)に最近接
した層部分でより広くなる。この層は、導電材料の層を
付着するためのシャドウマスクとして機能する。発明の
一実施例では、絶縁層(14)と第二導電層(32)の間に第二
ポリマー層(161)が配置される。絶縁層(14)は、フォト
レジストを架橋するように焼付けられるフォトレジスト
の層から構成されることが好ましい。ポリマー層は、好
ましくはポリフルオレンをベースとした電界発光材料を
含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】窓付き絶縁層の付着後の本願発明によるディス
プレイの一部分の平面図である。
【図２】図１に示したディスプレイの線20-21による断
面図である。
【図３】図１に示したディスプレイの線22-23による断
面図である。
【図４】テーパ付きフォトレジスト層を付着した後の図
１に示したディスプレイの平面図である。
【図５】図４に示したディスプレイの断面図である。
【図６】ポリマー層が２層に分割される場合の本願発明
によるディスプレイの一部分の断面図である。
【符号の説明】
10 ディプレイ 12 基板 13 第一導電層 14 絶縁層 15 窓 16 ポリマー層
フロントページの続き (72)発明者 フェレイダウン・イー・ポウアーミルザイ エ アメリカ合衆国カリフォルニア州94383, サン・ラモン，キャニオン・レイクス・ド ライブ2499 (72)発明者 エルマー・ビー・アリンソン アメリカ合衆国カリフォルニア州94089, サニー・ベイル，レイク・ミュアー・ドラ イブ758 (72)発明者 ジェイムス・アール・シーツ アメリカ合衆国カリフォルニア州94301, パロアルト，ウェブスター244

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のアドレス指定可能な画素を有するデ
    ィスプレイ(10,40)であって：第一導電層(13)を備える
    基板(12)と、該第一導電層が絶縁材料によって分離され
    るエッジを有する複数の平行な行電極からなることと；
    前記平行な行電極の上に載る第一ポリマー層(16,160)
    と；前記第一ポリマー層の上に載る絶縁層(14)と、該絶
    縁層(14)が前記ディスプレイ(10,40)用の画素を画定す
    る窓(15)を有し、前記平行な行電極のエッジの上に載っ
    ていることと、前記窓(15)が前記第一ポリマー層(16,16
    0)へのアクセスを与えることと；さらに複数の分離した
    列電極を含む第二導電層(32)と、各複数の分離した列電
    極が複数の前記行電極を横切り、前記絶縁層(14)の窓(1
    5)上の前記画素を画定する点に配置されることと、を含
    んでなるディスプレイ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009087876A1 (ja) * 2008-01-08 2009-07-16 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2014056831A (ja) * 2008-09-30 2014-03-27 Mitsubishi Chemicals Corp 有機薄膜パターニング用基板、有機電界発光素子、並びに有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121178A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP3692844B2 (ja) * 1998-07-24 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子、及び電子機器
US6221563B1 (en) * 1999-08-12 2001-04-24 Eastman Kodak Company Method of making an organic electroluminescent device
US6452330B1 (en) * 1999-09-23 2002-09-17 Rockwell Collins, Inc. Interconnect bump for flat panel displays
US7376191B2 (en) * 2000-10-27 2008-05-20 Lightwaves Systems, Inc. High bandwidth data transport system
EP1240808B1 (en) * 1999-12-17 2003-05-21 Osram Opto Semiconductors GmbH Encapsulation for organic led device
US7394153B2 (en) * 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
US6699728B2 (en) * 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
DE60010531T2 (de) 2000-09-06 2005-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strukturierung von elektroden in oled-bauelementen
US6518709B2 (en) * 2000-10-16 2003-02-11 Nec Corporation Color organic EL display and method for driving the same
US8270452B2 (en) * 2002-04-30 2012-09-18 Lightwaves Systems, Inc. Method and apparatus for multi-band UWB communications
US6680570B2 (en) * 2001-03-21 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Polymer organic light emitting device with improved color control
DE10133684A1 (de) 2001-07-11 2003-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches, farbiges, elektrolumineszierendes Display und dessen Herstellung
DE10133686C2 (de) 2001-07-11 2003-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches, elektrolumineszierendes Display und dessen Herstellung
DE10133685B4 (de) * 2001-07-11 2006-05-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches, elektrolumineszierendes Display und dessen Herstellung
US6656611B2 (en) 2001-07-20 2003-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure-defining material for OLEDs
KR100478521B1 (ko) * 2001-10-29 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 고분자 발광 혼합 조성물 및 그를이용한 유기 전계 발광 소자
US7221093B2 (en) * 2002-06-10 2007-05-22 Institute Of Materials Research And Engineering Patterning of electrodes in OLED devices
US6855636B2 (en) 2002-10-31 2005-02-15 3M Innovative Properties Company Electrode fabrication methods for organic electroluminscent devices
US7961705B2 (en) * 2003-04-30 2011-06-14 Lightwaves Systems, Inc. High bandwidth data transport system
US20050136285A1 (en) * 2003-12-23 2005-06-23 General Electric Company Multi-layered device and method for making the same
US7629061B2 (en) * 2004-01-16 2009-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Heterostructure devices using cross-linkable polymers
US8025831B2 (en) * 2004-05-24 2011-09-27 Agency For Science, Technology And Research Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures
JP2007013626A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 色処理方法および装置
US7944978B2 (en) * 2007-10-29 2011-05-17 Lightwaves Systems, Inc. High bandwidth data transport system
KR20110082030A (ko) * 2008-10-02 2011-07-15 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 커버된 션트 라인을 갖는 ｏｌｅｄ 장치
US8574934B2 (en) 2011-09-19 2013-11-05 The Regents Of The University Of Michigan OVJP patterning of electronic devices
EP3896740A4 (en) * 2018-12-29 2022-03-02 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. OLED PIXEL STRUCTURE, OLED SCREEN AND ELECTRONIC DEVICE
CN111326082B (zh) * 2020-04-14 2021-08-03 Tcl华星光电技术有限公司 背板单元及其制造方法、显示装置
US11526079B2 (en) 2020-04-14 2022-12-13 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backplane unit and its manufacturing method and display device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1983004123A1 (en) * 1982-05-19 1983-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent display unit
US5189549A (en) * 1990-02-26 1993-02-23 Molecular Displays, Inc. Electrochromic, electroluminescent and electrochemiluminescent displays
JPH088148B2 (ja) * 1990-12-18 1996-01-29 富士ゼロックス株式会社 Ｅｌ発光素子
DE4325885A1 (de) * 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3813217B2 (ja) * 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5663573A (en) * 1995-03-17 1997-09-02 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US5719467A (en) * 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
US5780174A (en) * 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
JP3302262B2 (ja) * 1996-06-10 2002-07-15 ティーディーケイ株式会社 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US6037712A (en) * 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
US5965281A (en) * 1997-02-04 1999-10-12 Uniax Corporation Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes
US5965280A (en) * 1997-03-03 1999-10-12 Hewlett-Packard Company Patterned polymer electroluminescent devices based on microlithographic processes

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009087876A1 (ja) * 2008-01-08 2009-07-16 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2009164428A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法
JP2014056831A (ja) * 2008-09-30 2014-03-27 Mitsubishi Chemicals Corp 有機薄膜パターニング用基板、有機電界発光素子、並びに有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明

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