JP2003517182A - 有機ｌｅｄデバイスのカプセル封じ - Google Patents

有機ｌｅｄデバイスのカプセル封じ

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JP2003517182A
JP2003517182A JP2001545343A JP2001545343A JP2003517182A JP 2003517182 A JP2003517182 A JP 2003517182A JP 2001545343 A JP2001545343 A JP 2001545343A JP 2001545343 A JP2001545343 A JP 2001545343A JP 2003517182 A JP2003517182 A JP 2003517182A
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カール ミヒャエル ギュンター エヴァルト
ハーゲン クラウスマン
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Osram Opto Semiconductors GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
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    • H10K2102/311—Flexible OLED

Abstract

(57)【要約】 デバイスのカプセル封じを提供する。基板上に取り付けられたキャップが活性構成要素に接触するのを防止するためにスペーサ粒子をデバイス領域にランダムに配置する。それにより活性構成要素が損傷から保護される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】発明の分野 本発明は、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。より詳細には、本発明
は、ＯＬＥＤデバイスのパッケージングに関する。
【０００２】発明の背景 図１は、ＯＬＥＤデバイス１００を示す。ＯＬＥＤデバイスは、第１及び第２
電極１０５及び１１５の間に１つ以上の有機機能層１１０を有する。電極は、例
えばピクセル化ＯＬＥＤデバイスを構成するための複数のＯＬＥＤセルを形成す
るためにパターン化することができる。ＯＬＥＤセルへの電気的接続を可能にす
るために、第１及び第２電極に結合されるボンドパッド１５０が設けられている
。
【０００３】 湿分及び／又は空気のような環境からＯＬＥＤセルを保護するために、キャッ
プ１６０がデバイスをカプセル封じする。ＯＬＥＤセルの活性及び電極材料は敏
感でありかつ例えばキャップとの機械的接触に基づき容易に損傷され得る。ＯＬ
ＥＤセルへの損傷を防止するために、キャビティキャップ又はパッケージが使用
される。キャビティパッケージは、キャップとＯＬＥＤセルの間にキャビティ１
４５を提供する。該キャビティはまたデバイスの限定された漏れ率に対処するた
めに乾燥を配置することを可能にする。
【０００４】 典型的には、ＯＬＥＤデバイスの横方向寸法は、一般にアプリケーションに依
存して数センチメートル又はそれ以上の範囲内にある。典型的には、ディスプレ
イ又は照明デバイスに関しては、横方向寸法はより大きくなる。大きな横方向寸
法に適応するために、キャビティの保全性を維持するための必要な機械的安定性
を提供するために厚いキャップが使用される。
【０００５】 しかしながら、薄いかつフレキシブルなデバイスのための要求は、キャップ及
び基板のような薄い構成要素の使用を必要とする。キャップの厚さの減少はその
機械的安定性を低下させ、一層曲がりやすくし、該曲がりはキャビティをつぶし
、ひいてはＯＬＥＤセルを損傷することがある。
【０００６】 前記言及から明らかなように、改良されたパッケージングを有するＯＬＥＤデ
バイス、特に薄い又はフレキシブルな基板上に形成されたものを提供することが
望まれる。
【０００７】発明の概要 本発明は、ＯＬＥＤデバイスのようなデバイスのためのカプセル封じに関する
。基板のデバイス領域内に、１つ以上のＯＬＥＤセルを設ける。デバイスをカプ
セル封じするために基板上にキャップを取り付ける。該キャップはデバイス領域
内にキャビティを形成し、それによりキャップはＯＬＥＤセルから分離される。
【０００８】 本発明によれば、キャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防止するために、デ
バイス領域内にスペーサ粒子を供給する。１実施態様によれば、スペーサ粒子を
ランダムに基板上にスプレー技術により堆積させる。１実施態様によれば、スペ
ーサ粒子をドライスプレー技術により堆積させる。選択的に、スペーサ粒子を基
板上に堆積させるために、ウエットスプレー技術を使用する。非デバイス領域内
のスペーサ粒子は除去する、それによりスペーサ粒子はデバイス領域内にランダ
ムに分配されて残る。デバイスをカプセル封じするために、基板にキャップを取
り付ける。デバイス領域内のスペーサ粒子は、キャップがＯＬＥＤセルに接触す
るのを防止する。
【０００９】本発明の有利な実施態様 本発明は、一般的にはＯＬＥＤデバイスに関する。特に、本発明は、ＯＬＥＤ
デバイス、特にフレキシブルな又は薄い基板上に形成されたものをカプセル封じ
するためのコスト的に有効なパッケージを提供する。本発明の１実施例によれば
、ＯＬＥＤセルとキャップに間にスペーサ粒子を供給する。該スペーサ粒子はキ
ャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防止する。
【００１０】 図２〜６は、本発明の１実施態様に基づくＯＬＥＤデバイスを製造する方法を
示す。図２によれば、単数又は複数のＯＬＥＤセルが形成された基板２０１を準
備する。基板は、ガラス又はポリマーのような種々のタイプの材料からなってい
てもよい。適切にＯＬＥＤセルを支持することができる別の材料も使用できる。
【００１１】 １実施態様においては、基板は、フレキシブルなデバイスを形成するためのプ
ラスチックフィルムのようなフレキシブルな材料からなる。基板として役立てる
ためには、種々の市販のプラスチックフィルムを使用することができる。このよ
うなフィルムは、例えば透明なポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポ
リ（ブチレンテレフタレート）（ＰＢＴ）、ポリ（エチレンナフタレート）（Ｐ
ＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスルホン（ＰＳ
Ｏ）、及びポリ（ｐ−フェニレンエーテルスルホン）（ＰＥＳ）を包含する。そ
の他の材料、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ（ビ
ニルクロリド）（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）及びポリ（メチルメチルアク
リレート）（ＰＭＭＡ）を基板を形成するために使用することもできる。薄いガ
ラス又はその他のフレキシブルな材料からなるフレキシブルな基板も有用である
。
【００１２】 １実施態様においては、基板は厚さ約２０〜３００μｍである。若干の場合、
薄い基板は機械的に不安定なこともあり、加工問題を生じる。製造工程中に基板
を安定化するために、一時的支持層（図示せず）を使用することができる。一時
的支持層は、例えば基板の背面側に設けることができる。１実施態様においては
、一時的支持層は、基板に取り付けるために接着剤が被覆されたポリマーシート
からなる。処理後に、一時的層は除去する。それというのも、デバイスを機械的
に安定化するためにデバイスパッケージを使用することができるからである。
【００１３】 基板に導電性層２０５を堆積させる。基板は、導電性層を堆積させる前に基板
表面上の導電性層の下に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）のようなバリヤ層を備えて
いてもよい。バリヤ層は、特にソーダ石灰ガラスからなる基板のために有用であ
る。バリヤ層は例えば約２０ｎｍの厚さである。１実施態様においては、導電性
層は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような透明な導電性材料からなる。酸化亜
鉛及び酸化インジウム亜鉛を含む、別のタイプの透明な導電性も有用である。デ
バイス層を形成するためには、種々の技術、例えば化学的気相成長法（ＣＶＤ）
、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、及びプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）を使用する
ことができる。導電性層は、電気的要求を満足すると同時に、光吸収及び引き続
いての膜形成への不利な影響力を軽減するために薄いべきである。導電性層は典
型的には約０．０２〜１μｍの厚さである。
【００１４】 図３によれば、導電性層２０５を、所望に基づき層の部分を選択的に除去し、
基板の部分３５６を露出させるために、パターン化する。パターン化した導電性
層は、ＯＬＥＤセルのための第１電極として役立つ。１実施態様においては、例
えばピクセル化ＯＬＥＤデバイスのアノードとして役立つストリップを形成する
ために、導電性層をパターン化する。該パターン化法は、ボンドパッドの接続部
を形成することもできる。導電性層をパターン化するためには、通常の技術、例
えばホトリソグラフィー及びエッチングを使用することができる。スタンプを使
用するパターン化技術も有用である。このような技術は、発明の名称“Mechanic
al Patterning of a Device Layer”（代理人事件整理番号９９Ｅ８０６２）に
よる同時継続国際特許出願明細書（これは全ての目的に関して引用により本願発
明に組み込まれる）に記載されている。
【００１５】 露出した基板及び導電性層を覆うために、基板上に１つ以上の有機機能層３１
０を形成する。該有機機能層は、例えば共役ポリマー又は低分子量材料、例えば
Ａｌｑ３からなる。その他のタイプの機能性有機層も有用である。有機機能層は
、通常の技術、例えばスピンコーティングのような湿式法又は真空昇華法（Ａｌ
ｑ３有機層のため）により形成することができる。有機層の厚さは、典型的には
約２〜２００ｎｍである。
【００１６】 図４によれば、ボンドパッド接続のために領域４７０における下部層を露出さ
せるために、有機層の部分を選択的に除去することができる。有機層の選択的除
去は、例えばポリシング法を使用して達成することができる。その他の、エッチ
ング、スクラッチイング又はレーザアブレーションのような技術も有用である。
【００１７】 本発明の１実施態様によれば、基板にスペーサ粒子４８０を堆積させる。１実
施態様においては、スペーサ粒子は球形を有する。その他の幾何学的形状、例え
ば立方体、プリズム、ピラミッド状、又はその他の規則的又は不規則的形状を有
するスペーサ粒子も有用である。スペーサ粒子の平均直径は、例えば約２〜５０
ミクロンである、キャビティの所望の高さを維持するために十分である。スペー
サ粒子の寸法及び形状分布は、キャップとＯＬＥＤセルの間の適当な分離を保証
するために十分に狭いべきである。
【００１８】 １実施態様においては、スペーサ粒子は基板上にランダムに分配する。有利に
は、スペーサ粒子は、ＯＬＥＤセルが形成されるセル領域内にランダムに分配す
る。スペーサ粒子は、デバイスの活性及び不活性部分（例えば発光及び非発光領
域）を占有する。スペーサ粒子の分配又は密度は、設計（フレキシブルなデバイ
ス）によるか又は事故（デバイスの取り扱い）による、機械的応力の存在下にキ
ャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防止するために十分であるべきである。分
配は、１キャップの厚さ、基板の厚さ及び必要とされるデバイスフレキシビリテ
ィの量のような設計上の要求に適合させるために変化させることができる。
【００１９】 有利な実施態様においては、スペーサ分配は、ＯＬＥＤセルの発光均一性に視
覚的影響を及ぼさずにキャビティの高さを維持するために十分である。典型的に
は、約１０〜５００μｍのスペーサ粒子間の平均間隔を有するスペーサ分配が、
キャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防止する際に十分である。１実施態様に
おいては、スペーサ粒子の分配密度は、約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２である。
スペーサ粒子の小さい寸法に加えて前記のようの分配は、それらの発光均一性へ
の影響がヒトの肉眼で実際に視覚されないことを保証する。
【００２０】 電極間の短絡が起きるのを回避するために、スペーサ粒子は有利には非導電性
材料からなる。１実施態様においては、スペーサ粒子はガラスから製造されてい
る。その他のタイプの非導電性材料、例えばシリカ、ポリマー又はセラミックか
ら製造されたスペーサ粒子も有用である。
【００２１】 実施態様においては、スペーサ粒子は、スプレーイング技術で堆積させる。有
利な実施態様においては、スペーサ粒子を堆積させるためにドライスプレー技術
を使用する。ドライスプレー技術は、例えばBirenda Bahadur (Ed), Liquid Cry
stals: Applications and Uses, Vol. 1 (ISBN 9810201109)（これは全ての目的
のために引用により組み込まれる）に記載されている。
【００２２】 ドライスプレー技術は、典型的には、スペーサ粒子を第１の極性（プラス又は
マイナス）で、かつ基板を第２の極性（マイナス又はプラス）で静電気帯電させ
ることよりなる。該スペーサ粒子を、乾燥空気噴霧器によって供給される乾燥空
気で基板に対して吹き付ける。ニッシン・エンジニアリング社（Nisshin Engine
ering Co.）からのＤＩＳＰＡ−μＲのような乾燥空気噴霧器を使用することが
できる。静電引力がスペーサ粒子を基板に付着させ、一方粒子間の静電反発力が
基板上での粒子凝集を防止する。例えば２ｋｇ／ｃｍ２の圧力で−５８℃以下の
露点及び１０秒のスプレー時間で５０ｌ／分の流量を有する乾燥空気を発生する
乾燥空気噴霧器を使用して、１６０〜１８０Ｎｏ／ｍｍ２の粒子密度を達成する
ことができる。スプレーイングパラメータを変化させることにより、他の粒子密
度を達成することができる。
【００２３】 基板にスペーサ粒子を堆積させるためにウエットスプレー技術を使用すること
も有用である。ウエットスプレー技術は、例えばBirenda Bahadur (Ed), Liquid
Crystals: Applications and Uses, Vol. 1 (ISBN 9810201109)（これは既に全
ての目的のために引用により組み込まれる）に記載されている。典型的には、ス
ペーサ粒子をアルコール性又は水性液体、例えばエタノール、イソプロパノール
、又はアルコールと水からなる混合物中に懸濁させる。スペーサ濃度は例えば約
０．１〜０．５質量％である。粒子を分散させて凝集を防止するために超音波を
使用することができる。例えば、スペーサ粒子に粒子堆積前に超音波を数分間照
射することができる。準備した懸濁液を、空気でノズルを通して基板上にスプレ
ーし、その上にスペーサ粒子を堆積させる。
【００２４】 図５によれば、基板上に第２の導電性層を堆積させ、該層はスペーサ粒子及び
その上に形成された別の層を被覆する。該導電性層は、例えばＣａ、Ｍｇ、Ｂａ
、Ａｇ又はこれらの混合物もしくは合金のような金属材料からなる。その他の導
電性材料、特に低い仕事関数を有するものを、第２の導電性層を形成するために
使用することもできる。１実施態様においては、第２の導電性層をパターン化し
て、ピクセル化ＯＬＥＤデバイスのカソードとして役立つ電極ストリップを形成
する。また、パターン化工程中にボンドパッドのための接続部を形成することが
できる。その代わりに、カソードストリップ及びボンドパッド接続部を形成する
ために、導電性層を選択的に堆積させることができる。導電性層の選択的堆積は
、例えばマスク層を用いて達成することができる。カソードストリップは、典型
的にはアノードストリップに直交している。アノードストリップに対して斜方向
にあるカソードストリップを形成することも可能である。トップとボトム電極ス
トリップの交差が有機ＬＥＤピクセルを形成する。
【００２５】 図６よれば、デバイスをカプセル封じするためにキャップ６６０を取り付ける
。該キャップ層は、例えば金属又はガラスからなる。その他のタイプの例えばセ
ラミック又は金属化フィルムのような、活性構成要素を環境から保護するキャッ
プも使用可能である。キャップ層を取り付けるためには、種々の技術を使用する
ことができる。１実施態様においては、キャップ層を取り付けるために接着剤を
使用する。自硬性接着剤、ＵＶ又は熱硬化性接着剤、又はホットメルト接着剤の
ような接着剤が有用である。その他の、低温はんだ材料を使用する技術、超音波
ボンディング、又はインダクタンスもしくはレーザ溶接を使用する溶接技術も有
用である。
【００２６】 キャップは、それとＯＬＥＤセルの間の分離を行うキャビティ６４５を形成す
る。取り付け工程中に、スペーサ粒子をＯＬＥＤセルの層内に押し込んでもよい
。スペーサ粒子は、ＯＬＥＤセルの領域上のキャップの支持を行い、キャップに
圧力が加えられた際にキャップがデバイスの活性構成要素に接触するのを防止す
る。ＯＬＥＤセルへの電気的アクセスを行うためにボンドパッド６５０を形成す
る。
【００２７】 記載したように、本方法は、有機層の形成後にスペーサ粒子を堆積させる。ス
ペーサ粒子は、選択的にプロセス流れにおける別の時点で堆積させることができ
る。例えば、スペーサ粒子は、第１の導電性層の形成前、有機層の形成前、又は
第２の導電性層の形成後に堆積させることができる。要するに、スペーサ粒子は
、キャップを取り付ける前の工程の任意の時点で堆積させることができる。
【００２８】 スペーサ粒子は、キャビティパッケージを使用する別のタイプのデバイスを支
持する際に使用することもできる。このようなデバイスは、例えば電気的デバイ
ス、機械的デバイス、電気機械的デバイス又はマイクロ電気機械的システム（Ｍ
ＥＭＳ）を包含する。
【００２９】 本発明は特に種々の実施態様に関して示しかつ記載してきたが、当業者には、
本発明の精神及び範囲から逸脱することなく本発明を修正及び変更を行うことが
できることは自明のことである。従って、本発明の範囲は、前記の記載に関して
ではなく、それらの等価物の全範囲に加えて添付の特許請求の範囲に関して決定
されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ＯＬＥＤデバイスを示す図である。
【図２】 本発明の１実施態様に基づくＯＬＥＤデバイスを製造するための方法を示す図
である。
【図３】 本発明の１実施態様に基づくＯＬＥＤデバイスを製造するための方法を示す図
である。
【図４】 本発明の１実施態様に基づくＯＬＥＤデバイスを製造するための方法を示す図
である。
【図５】 本発明の１実施態様に基づくＯＬＥＤデバイスを製造するための方法を示す図
である。
【図６】 本発明の１実施態様に基づくＯＬＥＤデバイスを製造するための方法を示す図
である。
【符号の説明】
１００ ＯＬＥＤデバイス、１１０ 有機機能層、１０５ 第１電極、 １１
５ 第２電極、 １４５ キャビティ、 １５０ ボンドパッド、 １６０ キ
ャップ、 ２０１ 基板、 ２０５ 導電性層、 ３１０ 有機機能層、 ３５
６ 基板の露出部分、 ４８０ スペーサ粒子、 ６４５ キャビティ、 ６５
０ ボンドパッド、 ６６０ キャップ
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１４年１月１１日（２００２．１．１１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｕ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ， ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，Ｌ Ｋ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ， ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，Ｔ Ｍ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 クラウスマン ハーゲン ドイツ連邦共和国 ミュンヘン ゲルラッ ハヴェーク 27 Ｆターム(参考） 3K007 AB08 AB12 AB13 BA07 BB01 CA06 DB03 FA02

Claims (79)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 デバイ領域を有する基板； デバイスをカプセル封じするためのキャップ、該キャップはデバイス領域上にキ
    ャビティを形成する；及び キャップを支持するためのデバイス領域内のスペーサ粒子 からなるデバイス。
  2. 【請求項２】 デバイス領域が１つ以上のセルからなる請求項１記載のデバ
    イス。
  3. 【請求項３】 スペーサ粒子が非導電性材料からなる請求項２記載のデバイ
    ス。
  4. 【請求項４】 スペーサ粒子が非導電性材料からなる請求項１記載のデバイ
    ス。
  5. 【請求項５】 ２スペーサ粒子がデバイス領域内にランダムに分配され、活
    性及び不活性領域を占有する請求項１，２，３又は４記載のデバイス。
  6. 【請求項６】 スペーサ粒子が球形を有する請求項５記載のデバイス。
  7. 【請求項７】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを維
    持するための平均直径を有する請求項６記載のデバイス。
  8. 【請求項８】 スペーサ粒子がキャビティを維持するための密度を有する請
    求項７記載のデバイス。
  9. 【請求項９】 スペーサ粒子の密度が約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２である
    請求項記載のデバイス。
  10. 【請求項１０】 スペーサ粒子が非球形を有する請求項５記載のデバイス。
  11. 【請求項１１】 スペーサ粒子が異なる形状を有する請求項１０記載のデバ
    イス。
  12. 【請求項１２】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを
    維持するための平均直径を有する請求項１１記載のデバイス。
  13. 【請求項１３】 スペーサ粒子がキャビティを維持するための密度を有する
    請求項１２記載のデバイス。
  14. 【請求項１４】 スペーサ粒子の密度が約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２であ
    る請求項１３記載のデバイス。
  15. 【請求項１５】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを
    維持するための平均直径を有する請求項１０記載のデバイス。
  16. 【請求項１６】 スペーサ粒子がキャビティを維持するための密度を有する
    請求項１５記載のデバイス。
  17. 【請求項１７】 スペーサ粒子の密度が約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２であ
    る請求項１６記載のデバイス。
  18. 【請求項１８】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを
    維持するための平均直径を有する請求項５記載のデバイス。
  19. 【請求項１９】 スペーサ粒子がキャビティを維持するための密度を有する
    請求項１８記載のデバイス。
  20. 【請求項２０】 スペーサ粒子の密度が約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２であ
    る請求項１９記載のデバイス。
  21. 【請求項２１】 スペーサ粒子がキャビティを維持するための密度を有する
    請求項５記載のデバイス。
  22. 【請求項２２】 スペーサ粒子の密度が約１０〜１０００Ｎｏ／ｍｍ２であ
    る請求項２１記載のデバイス。
  23. 【請求項２３】 デバイスを製造する方法において、 デバイス領域を有する基板を準備し； 基板上にスペーサ粒子を堆積させかつ デバイスをカプセル封じするために基板上にキャップを取り付け、その際該キャ
    ップはスペーサ粒子によって支持されたデバイス領域内にキャビティを形成する
    ことよりなる、デバイスの製造方法。
  24. 【請求項２４】 デバイスがＯＬＥＤデバイスからなる請求項２３記載の方
    法。
  25. 【請求項２５】 導電性層上に第１の電極及び少なくとも１つの有機機能層
    を形成するためにパターン化された導電性層を有する基板を準備する請求項２４
    記載の方法。
  26. 【請求項２６】 導電性層が透明な導電性材料からなる請求項２５記載の方
    法。
  27. 【請求項２７】 スペーサ粒子が非導電性材料からなる請求項２６記載の方
    法。
  28. 【請求項２８】 スペーサ粒子が非導電性材料からなる請求項２５記載の方
    法。
  29. 【請求項２９】 デバイス領域内に少なくとも１つのＯＬＥＤセルを有する
    基板を準備する請求項２４記載の方法。
  30. 【請求項３０】 スペーサ粒子が非導電性材料からなる請求項２９記載の方
    法。
  31. 【請求項３１】 スペーサ粒子が非導電性材料からなる請求項２３記載の方
    法。
  32. 【請求項３２】 スペーサ粒子が非導電性材料からなる請求項２４記載の方
    法。
  33. 【請求項３３】 スペーサ層をドライスプレーイングにより堆積させるスペ
    ーサ層を堆積させる請求項２７記載の方法。
  34. 【請求項３４】 ドライスプレーイングが、 基板を第１の極性でかつスペーサ粒子を第２の極性で静電気帯電させ；かつ 乾燥空気を用いて基板に対してスペーサ粒子を吹き付ける ことよりなる請求項３３記載の方法。
  35. 【請求項３５】 乾燥空気が５８℃以下の露点を有する請求項３４記載の方
    法。
  36. 【請求項３６】 スペーサ粒子の堆積がドライスプレーイングからなる請求
    項２８記載の方法。
  37. 【請求項３７】 ドライスプレーイングが、 基板を第１の極性でかつスペーサ粒子を第２の極性で静電気帯電させ；かつ 乾燥空気を用いて基板に対してスペーサ粒子を吹き付ける ことよりなる請求項３６記載の方法。
  38. 【請求項３８】 乾燥空気が５８℃以下の露点を有する請求項３７記載の方
    法。
  39. 【請求項３９】 スペーサ粒子の堆積がドライスプレーイングからなる請求
    項３０記載の方法。
  40. 【請求項４０】 ドライスプレーイングが、 基板を第１の極性でかつスペーサ粒子を第２の極性で静電気帯電させ；かつ 乾燥空気を用いて基板に対してスペーサ粒子を吹き付ける ことよりなる請求項３９記載の方法。
  41. 【請求項４１】 乾燥空気が５８℃以下の露点を有する請求項４０記載の方
    法。
  42. 【請求項４２】 スペーサ粒子の堆積がドライスプレーイングからなる請求
    項２３記載の方法。
  43. 【請求項４３】 ドライスプレーイングが、 基板を第１の極性でかつスペーサ粒子を第２の極性で静電気帯電させ；かつ 乾燥空気を用いて基板に対してスペーサ粒子を吹き付ける ことよりなる請求項４２記載の方法。
  44. 【請求項４４】 乾燥空気が５８℃以下の露点を有する請求項４３記載の方
    法。
  45. 【請求項４５】 スペーサ粒子の堆積がドライスプレーイングからなる請求
    項２３記載の方法。
  46. 【請求項４６】 ドライスプレーイングが、 基板を第１の極性でかつスペーサ粒子を第２の極性で静電気帯電させ；かつ 乾燥空気を用いて基板に対してスペーサ粒子を吹き付ける ことよりなる請求項４５記載の方法。
  47. 【請求項４７】 乾燥空気が５８℃以下の露点を有する請求項４６記載の方
    法。
  48. 【請求項４８】 スペーサ粒子の堆積がドライスプレーイングからなる請求
    項３２記載の方法。
  49. 【請求項４９】 ドライスプレーイングが、 基板を第１の極性でかつスペーサ粒子を第２の極性で静電気帯電させ；かつ 乾燥空気を用いて基板に対してスペーサ粒子を吹き付ける ことよりなる請求項４８記載の方法。
  50. 【請求項５０】 乾燥空気が５８℃以下の露点を有する請求項４９記載の方
    法。
  51. 【請求項５１】 スペーサ粒子の堆積がウエットスプレーイングからなる請
    求項２３記載の方法。
  52. 【請求項５２】 ウエットスプレーイングが、 スペーサ粒子を溶液中に懸濁させ；かつ スペーサ粒子を有する溶液を基板にスプレーする ことよりなる請求項５１記載の方法。
  53. 【請求項５３】 溶液が約０．１〜０．５質量％のスペーサ粒子の濃度を有
    する請求項５２記載の方法。
  54. 【請求項５４】 スペーサ粒子の堆積がウエットスプレーイングからなる請
    求項２７記載の方法。
  55. 【請求項５５】 ウエットスプレーイングが、 スペーサ粒子を溶液中に懸濁させ；かつ スペーサ粒子を有する溶液を基板にスプレーする ことよりなる請求項５４記載の方法。
  56. 【請求項５６】 溶液が約０．１〜０．５質量％のスペーサ粒子の濃度を有
    する請求項５５記載の方法。
  57. 【請求項５７】 スペーサ粒子の堆積がウエットスプレーイングからなる請
    求項２８記載の方法。
  58. 【請求項５８】 ウエットスプレーイングが、 スペーサ粒子を溶液中に懸濁させ；かつ スペーサ粒子を有する溶液を基板にスプレーする ことよりなる請求項５７記載の方法。
  59. 【請求項５９】 溶液が約０．１〜０．５質量％のスペーサ粒子の濃度を有
    する請求項５８記載の方法。
  60. 【請求項６０】 スペーサ粒子の堆積がウエットスプレーイングからなる請
    求項３０記載の方法。
  61. 【請求項６１】 ウエットスプレーイングが、 スペーサ粒子を溶液中に懸濁させ；かつ スペーサ粒子を有する溶液を基板にスプレーする ことよりなる請求項６０記載の方法。
  62. 【請求項６２】 溶液が約０．１〜０．５質量％のスペーサ粒子の濃度を有
    する請求項６１記載の方法。
  63. 【請求項６３】 スペーサ粒子の堆積がウエットスプレーイングからなる請
    求項３２記載の方法。
  64. 【請求項６４】 ウエットスプレーイングが、 スペーサ粒子を溶液中に懸濁させ；かつ スペーサ粒子を有する溶液を基板にスプレーする ことよりなる請求項６３記載の方法。
  65. 【請求項６５】 溶液が約０．１〜０．５質量％のスペーサ粒子の濃度を有
    する請求項６４記載の方法。
  66. 【請求項６６】 スペーサ粒子を基板上にランダムに堆積させる、請求項２
    ３，２４，２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１，３２，３３，３４，３
    ５，３６，３７，３８，３９，４０，４１，４２，４３，４４，４５，４６，４
    ７，４８，４９，５０，５１，５２，５３，５４，５５，５６，５７，５８，５
    ９，６０，６１，６２，６３，６４又は６５記載の方法。
  67. 【請求項６７】 さらに、キャップの取り付けのために基板の非デバイス領
    域からスペーサ粒子を除去することよりなる請求項６６記載の方法。
  68. 【請求項６８】 スペーサ粒子が球形を有する請求項６７記載の方法。
  69. 【請求項６９】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを
    維持するための平均直径を有する請求項６８記載の方法。
  70. 【請求項７０】 スペーサ粒子をキャビティを維持するための密度で基板上
    に堆積させる請求項６９記載の方法。
  71. 【請求項７１】 スペーサ粒子が非球形を有する請求項７０記載の方法。
  72. 【請求項７２】 スペーサ粒子が異なった形状を有する請求項７１記載の方
    法。
  73. 【請求項７３】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを
    維持するための平均直径を有する請求項７２記載の方法。
  74. 【請求項７４】 スペーサ粒子をキャビティを維持するための密度で基板上
    に堆積させる請求項７３記載の方法。
  75. 【請求項７５】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを
    維持するための平均直径を有する請求項７１記載の方法。
  76. 【請求項７６】 スペーサ粒子をキャビティを維持するための密度で基板上
    に堆積させる請求項７５記載の方法。
  77. 【請求項７７】 スペーサ粒子がキャップと基板の間のキャビティの高さを
    維持するための平均直径を有する請求項６７記載の方法。
  78. 【請求項７８】 スペーサ粒子をキャビティを維持するための密度で基板上
    に堆積させる請求項７７記載の方法。
  79. 【請求項７９】 スペーサ粒子をキャビティを維持するための密度で基板上
    に堆積させる請求項６７記載の方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332073A (ja) * 2002-03-07 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004006278A (ja) * 2002-03-26 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2005505114A (ja) * 1999-12-17 2005-02-17 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 電子装置のカプセル化のための方法
JP2006146169A (ja) * 2004-09-27 2006-06-08 Idc Llc ディスプレイデバイス内の間隙にスペーサーを用いることによってディスプレイアレイのミクロ組織を保護するためのシステムおよび方法
JPWO2004110105A1 (ja) * 2003-06-06 2006-07-20 パイオニア株式会社 有機半導体素子及びその製造方法
US7629018B2 (en) 2002-03-26 2009-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US8968822B2 (en) 2002-03-07 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of fabricating the same

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7394153B2 (en) * 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
EP1242849B1 (en) 1999-12-17 2007-02-21 Osram Opto Semiconductors GmbH Improved encapsulation for organic led device
DE69908194T2 (de) 1999-12-17 2004-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kapselung für organische leds
WO2001044866A1 (en) 1999-12-17 2001-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Improved organic led device
US6692610B2 (en) * 2001-07-26 2004-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oled packaging
GB2378564A (en) * 2001-08-07 2003-02-12 Cambridge Display Tech Ltd Flexible light emitting device with incompressible spacers
US6936856B2 (en) * 2002-01-15 2005-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Multi substrate organic light emitting devices
US7148624B2 (en) 2002-05-07 2006-12-12 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Uniform deposition of organic layer
US7423375B2 (en) 2002-05-07 2008-09-09 Osram Gmbh Encapsulation for electroluminescent devices
US7221093B2 (en) * 2002-06-10 2007-05-22 Institute Of Materials Research And Engineering Patterning of electrodes in OLED devices
US6818326B2 (en) * 2002-08-28 2004-11-16 Durel Corporation EL lamp with flexible areas
TWI247328B (en) * 2002-12-19 2006-01-11 Ind Tech Res Inst Method for grabbing spacers using inductive procedures
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US7026660B2 (en) 2003-04-25 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Interconnection for organic devices
US6995035B2 (en) * 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
KR100551121B1 (ko) 2003-10-21 2006-02-13 엘지전자 주식회사 일렉트로 루미네센스 표시장치
US20060283546A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Method for encapsulating electronic devices and a sealing assembly for the electronic devices
DE102004004311A1 (de) * 2004-01-28 2005-08-18 Fer Fahrzeugelektrik Gmbh Herstellungsverfahren für eine El-Lampe
TWI261483B (en) * 2004-10-15 2006-09-01 Ind Tech Res Inst Structure of anode applicable on inverted-type organic light emitting device
US20060105493A1 (en) 2004-11-15 2006-05-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of organic devices
US7459850B2 (en) * 2005-06-22 2008-12-02 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
US7531955B2 (en) * 2005-07-12 2009-05-12 Eastman Kodak Company OLED device with improved efficiency and robustness
TWI331479B (en) * 2005-12-02 2010-10-01 Au Optronics Corp Dual emission display
US8173995B2 (en) 2005-12-23 2012-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device
TWI331885B (en) * 2006-01-12 2010-10-11 Ind Tech Res Inst Fabricating method of organic electronic device
US7667383B2 (en) 2006-02-15 2010-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source comprising a common substrate, a first led device and a second led device
DE102006033713A1 (de) 2006-05-30 2007-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement, Vorrichtung mit einem organischen lichtemittierenden Bauelement und Beleuchtungseinrichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
US7461564B2 (en) * 2006-10-04 2008-12-09 Corning Incorporated Method and apparatus for proof testing a sheet of brittle material
DE102006061943B4 (de) * 2006-12-29 2023-03-30 Pictiva Displays International Limited Lichtemittierende Vorrichtung
KR100796618B1 (ko) * 2007-01-04 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US8830695B2 (en) * 2007-01-25 2014-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulated electronic device
US8247827B2 (en) * 2008-09-30 2012-08-21 Bridgelux, Inc. LED phosphor deposition
KR100965255B1 (ko) * 2008-11-11 2010-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치
KR20100054002A (ko) * 2008-11-13 2010-05-24 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8952552B2 (en) * 2009-11-19 2015-02-10 Qualcomm Incorporated Semiconductor package assembly systems and methods using DAM and trench structures
JP5625340B2 (ja) * 2009-12-07 2014-11-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置とその製造方法
US8963144B2 (en) * 2011-03-29 2015-02-24 Nec Lighting, Ltd. Organic EL light emitting device, manufacturing method therefor, and organic EL illumination device
DE102011112476A1 (de) * 2011-09-05 2013-03-07 Epcos Ag Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Bauelements
US8698258B2 (en) * 2011-09-30 2014-04-15 General Electric Company 3D integrated electronic device structure including increased thermal dissipation capabilities
US9025339B2 (en) * 2011-12-29 2015-05-05 Stmicroelectronics Pte Ltd. Adhesive dam
DE102012203637B4 (de) * 2012-03-08 2020-06-04 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements
WO2013146583A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 Ｎｅｃライティング株式会社 有機エレクトロルミネッセンス照明パネル、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
KR102283856B1 (ko) * 2013-11-22 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법
CN103794637B (zh) * 2014-02-24 2016-08-24 上海和辉光电有限公司 一种有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法
KR102393369B1 (ko) 2014-10-14 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105655498B (zh) * 2014-11-28 2017-11-17 上海和辉光电有限公司 一种oled显示装置及封装方法
KR102466959B1 (ko) 2015-12-31 2022-11-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10756298B2 (en) * 2017-11-03 2020-08-25 OLEDWorks LLC Solder hermetic sealing for OLEDs
US10535840B2 (en) 2018-01-26 2020-01-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays
US10600937B1 (en) * 2018-09-17 2020-03-24 Lumileds Holding B.V. Precise bondline control between LED components

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904783A (en) * 1970-11-11 1975-09-09 Nippon Telegraph & Telephone Method for forming a printed circuit
JPS5228293A (en) 1975-08-27 1977-03-03 Sharp Corp Electric colour display unit
JPS58160927A (ja) 1982-03-19 1983-09-24 Seikosha Co Ltd 表示パネルおよびその製造方法
JPS60122919A (ja) * 1983-12-07 1985-07-01 Canon Inc 液晶素子
JPS60200228A (ja) * 1984-03-24 1985-10-09 Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd 液晶表示装置用スペ−サ−
JPS6167829A (ja) * 1984-09-11 1986-04-08 Canon Inc カイラルスメクティック液晶素子
JPS61234161A (ja) 1985-04-10 1986-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 密着型イメ−ジセンサ
JPS6260057A (ja) 1985-09-10 1987-03-16 Canon Inc 文字処理装置
JPS62188092A (ja) 1986-02-13 1987-08-17 Matsushita Electronics Corp 半導体記憶装置
US4811081A (en) 1987-03-23 1989-03-07 Motorola, Inc. Semiconductor die bonding with conductive adhesive
DE3716856C2 (de) 1987-05-20 1995-06-01 Licentia Gmbh Flüssigkristall-Anzeigezelle mit Abstandsteilchen
US4842946A (en) * 1987-09-28 1989-06-27 General Electric Company Method for treating a polyimide surface to improve the adhesion of metal deposited thereon, and articles produced thereby
JPH0750275B2 (ja) 1988-01-21 1995-05-31 シャープ株式会社 液晶表示パネルのスペーサー散布装置
DE68922417T2 (de) * 1988-02-02 1995-10-12 Seiko Epson Corp Elektro-optische Vorrichtung.
JPH0239026A (ja) 1988-07-28 1990-02-08 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法
FR2645680B1 (fr) 1989-04-07 1994-04-29 Thomson Microelectronics Sa Sg Encapsulation de modules electroniques et procede de fabrication
JP2786700B2 (ja) 1989-11-29 1998-08-13 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
US5188280A (en) 1989-04-28 1993-02-23 Hitachi Ltd. Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals
JPH0490512A (ja) 1990-08-02 1992-03-24 Tokuyama Soda Co Ltd 液晶表示パネルおよびその製造法
JPH04136916A (ja) 1990-09-28 1992-05-11 Seikosha Co Ltd 液晶パネルおよび液晶パネルの製造方法
WO1992006402A1 (en) * 1990-09-29 1992-04-16 Sekisui Fine Chemical Co., Ltd. A fine sphere, a spherical spacer for a liquid crystal display element and a liquid crystal display element using the same
KR930003683B1 (ko) * 1990-11-29 1993-05-08 주식회사 금성사 액정표시소자 및 그 제조방법
US5261157A (en) * 1991-01-22 1993-11-16 Olin Corporation Assembly of electronic packages by vacuum lamination
US5874186A (en) 1991-03-26 1999-02-23 Gnb Technologies, Inc. Lead-acid cells and batteries
JP3158667B2 (ja) * 1991-08-01 2001-04-23 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子の再生方法
US5313055A (en) * 1991-09-30 1994-05-17 Fuji Xerox Co., Ltd. Two-dimensional image read/display device
JP2596279B2 (ja) 1992-01-30 1997-04-02 双葉電子工業株式会社 外囲器の支柱形成方法
JP3173745B2 (ja) * 1992-07-24 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US5324888A (en) * 1992-10-13 1994-06-28 Olin Corporation Metal electronic package with reduced seal width
US5550408A (en) 1992-11-18 1996-08-27 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor device
US5552913A (en) * 1993-06-03 1996-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for producing the same
US5503932A (en) 1993-11-17 1996-04-02 Nippon Shokubai Co., Ltd. Organic-inorganic composite particles and production process therefor
JP2795207B2 (ja) 1994-03-31 1998-09-10 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法
JP3703487B2 (ja) 1994-04-11 2005-10-05 宇部日東化成株式会社 架橋樹脂被覆シリカ微粒子およびその製造方法
US5964030A (en) 1994-06-10 1999-10-12 Vlsi Technology, Inc. Mold flow regulating dam ring
US5467253A (en) * 1994-06-30 1995-11-14 Motorola, Inc. Semiconductor chip package and method of forming
US5949184A (en) 1994-11-11 1999-09-07 Sony Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same
US5804917A (en) * 1995-01-31 1998-09-08 Futaba Denshi Kogyo K.K. Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
DE69623443T2 (de) * 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
US5577319A (en) 1995-03-31 1996-11-26 Motorola, Inc. Method of encapsulating a crystal oscillator
JPH0954324A (ja) 1995-08-16 1997-02-25 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
JP3549294B2 (ja) 1995-08-23 2004-08-04 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその実装構造
JPH0997679A (ja) 1995-09-28 1997-04-08 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
WO1997023561A1 (fr) * 1995-12-26 1997-07-03 Asahi Glass Company Ltd. Composition a base de resine pour materiaux de construction et panneaux a double vitrage
US5844315A (en) 1996-03-26 1998-12-01 Motorola Corporation Low-profile microelectronic package
US5724230A (en) 1996-06-21 1998-03-03 International Business Machines Corporation Flexible laminate module including spacers embedded in an adhesive
US5693956A (en) * 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
EP0827008A3 (en) 1996-08-31 1998-11-18 Samsung Display Devices Co., Ltd. A flat panel display device and a manufacturing method therefor
US5714838A (en) 1996-09-20 1998-02-03 International Business Machines Corporation Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures
US5821692A (en) 1996-11-26 1998-10-13 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package
JPH10162952A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネル及びその製造方法
NL1004651C2 (nl) 1996-11-29 1998-06-03 Nedcard Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager.
US6054337A (en) 1996-12-13 2000-04-25 Tessera, Inc. Method of making a compliant multichip package
KR100513439B1 (ko) 1996-12-23 2005-09-08 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 광 반사 구조체를 보유한 발광 장치
CN1245581A (zh) 1996-12-23 2000-02-23 普林斯顿大学理事会 含有保护层的有机发光器件
US5900675A (en) 1997-04-21 1999-05-04 International Business Machines Corporation Organic controlled collapse chip connector (C4) ball grid array (BGA) chip carrier with dual thermal expansion rates
US5920080A (en) 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
JPH1140347A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6309502B1 (en) 1997-08-19 2001-10-30 3M Innovative Properties Company Conductive epoxy resin compositions, anisotropically conductive adhesive films and electrical connecting methods
US5965907A (en) 1997-09-29 1999-10-12 Motorola, Inc. Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications
JPH11121167A (ja) 1997-10-16 1999-04-30 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6054395A (en) * 1997-10-24 2000-04-25 Micron Technology, Inc. Method of patterning a semiconductor device
JP3441047B2 (ja) * 1997-10-24 2003-08-25 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
EP1028349A1 (en) * 1997-10-27 2000-08-16 Sekisui Chemical Co., Ltd. Apparatus for spraying microparticles and spraying method using the apparatus, and method for manufacturing liquid crystal display
US6260264B1 (en) 1997-12-08 2001-07-17 3M Innovative Properties Company Methods for making z-axis electrical connections
JPH11176571A (ja) 1997-12-12 1999-07-02 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
US6022583A (en) 1997-12-16 2000-02-08 Nordson Corporation Method of encapsulating a wire bonded die
JP2845239B1 (ja) * 1997-12-17 1999-01-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスおよびその製造方法
JPH11264991A (ja) 1998-01-13 1999-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
US6111356A (en) 1998-04-13 2000-08-29 Agilent Technologies, Inc. Method for fabricating pixelated polymer organic light emitting devices
US5939783A (en) 1998-05-05 1999-08-17 International Business Machines Corporation Electronic package
US6081071A (en) * 1998-05-18 2000-06-27 Motorola, Inc. Electroluminescent apparatus and methods of manufacturing and encapsulating
JP2000003783A (ja) * 1998-06-12 2000-01-07 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JP4037546B2 (ja) 1998-10-26 2008-01-23 シャープ株式会社 透光性基板の接着方法
US6280559B1 (en) 1998-06-24 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing color electroluminescent display apparatus and method of bonding light-transmitting substrates
US6172879B1 (en) 1998-06-30 2001-01-09 Sun Microsystems, Inc. BGA pin isolation and signal routing process
JP2000030857A (ja) 1998-07-08 2000-01-28 Futaba Corp 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP4114895B2 (ja) 1998-07-08 2008-07-09 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置
US6111357A (en) * 1998-07-09 2000-08-29 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent display panel having a cover with radiation-cured perimeter seal
JP2000040586A (ja) 1998-07-21 2000-02-08 Tdk Corp 有機ｅｌ素子モジュール
US6621173B1 (en) 1998-07-23 2003-09-16 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Semiconductor device having an adhesive and a sealant
US6100175A (en) 1998-08-28 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for aligning and attaching balls to a substrate
SG75873A1 (en) 1998-09-01 2000-10-24 Texas Instr Singapore Pte Ltd Stacked flip-chip integrated circuit assemblage
WO2000016361A1 (en) 1998-09-11 2000-03-23 Fed Corporation Top emitting oled with refractory metal compounds as bottom cathode
EP0986112A3 (en) 1998-09-11 2004-02-04 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) An efficient method for fabricating organic light emitting diodes
US6166489A (en) 1998-09-15 2000-12-26 The Trustees Of Princeton University Light emitting device using dual light emitting stacks to achieve full-color emission
US6219126B1 (en) 1998-11-20 2001-04-17 International Business Machines Corporation Panel assembly for liquid crystal displays having a barrier fillet and an adhesive fillet in the periphery
JP2000208252A (ja) 1999-01-14 2000-07-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP4246830B2 (ja) 1999-01-14 2009-04-02 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
US6355125B1 (en) * 1999-03-26 2002-03-12 Agfa-Gevaert Method for making an electric or electronic module comprising a glass laminate
US6177729B1 (en) 1999-04-03 2001-01-23 International Business Machines Corporation Rolling ball connector
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
US6469439B2 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
US6232667B1 (en) 1999-06-29 2001-05-15 International Business Machines Corporation Technique for underfilling stacked chips on a cavity MLC module
JP2001024150A (ja) 1999-07-06 2001-01-26 Sony Corp 半導体装置
AU4951399A (en) 1999-07-09 2001-01-30 Institute Of Materials Research And Engineering Mechanical patterning of a device layer
ATE376707T1 (de) 1999-07-09 2007-11-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verkapselung einer vorrichtung
US6833668B1 (en) * 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
WO2001039174A1 (en) 1999-11-25 2001-05-31 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd. Low memory digital audio effects using down-sampling up-sampling technique
WO2001044866A1 (en) 1999-12-17 2001-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Improved organic led device
TWI222839B (en) 1999-12-17 2004-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for encapsulation of electronic devices
EP1242849B1 (en) 1999-12-17 2007-02-21 Osram Opto Semiconductors GmbH Improved encapsulation for organic led device
US7394153B2 (en) 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
DE69908194T2 (de) 1999-12-17 2004-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kapselung für organische leds
US6650392B2 (en) 2000-03-15 2003-11-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Cell structure of liquid crystal device
EP1320862B1 (en) 2000-09-06 2006-03-29 Osram Opto Semiconductors GmbH Encapsulation for oled devices
US6614057B2 (en) 2001-02-07 2003-09-02 Universal Display Corporation Sealed organic optoelectronic structures
JP2002277884A (ja) 2001-03-14 2002-09-25 Koninkl Philips Electronics Nv 液晶表示装置
US6580090B2 (en) 2001-06-22 2003-06-17 International Business Machines Corporation Organic light-emitting devices
US6569706B2 (en) 2001-09-19 2003-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Fabrication of organic light emitting diode using selective printing of conducting polymer layers
US6791660B1 (en) 2002-02-12 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electrooptical device and apparatus for manufacturing the same, electrooptical device and electronic appliances
JP2004303733A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh 構成素子、とりわけ有機発光ダイオードを備える表示装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005505114A (ja) * 1999-12-17 2005-02-17 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 電子装置のカプセル化のための方法
JP2010027624A (ja) * 1999-12-17 2010-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電子装置のカプセル化のための方法
JP4651916B2 (ja) * 2002-03-07 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US11005062B2 (en) 2002-03-07 2021-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of fabricating the same
US10170724B2 (en) 2002-03-07 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of fabricating the same
US8968822B2 (en) 2002-03-07 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of fabricating the same
JP2003332073A (ja) * 2002-03-07 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004006278A (ja) * 2002-03-26 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7629018B2 (en) 2002-03-26 2009-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4545385B2 (ja) * 2002-03-26 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4566910B2 (ja) * 2003-06-06 2010-10-20 パイオニア株式会社 有機半導体素子及びその製造方法
JPWO2004110105A1 (ja) * 2003-06-06 2006-07-20 パイオニア株式会社 有機半導体素子及びその製造方法
JP4674808B2 (ja) * 2004-09-27 2011-04-20 クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド ディスプレイデバイス及びディスプレイデバイスを製造する方法
JP2010102334A (ja) * 2004-09-27 2010-05-06 Idc Llc ディスプレイデバイス内の間隙にスペーサーを用いることによってディスプレイアレイのミクロ組織を保護するためのシステムおよび方法
JP2006146169A (ja) * 2004-09-27 2006-06-08 Idc Llc ディスプレイデバイス内の間隙にスペーサーを用いることによってディスプレイアレイのミクロ組織を保護するためのシステムおよび方法

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