JP2003332073A

JP2003332073A - 発光装置およびその作製方法

Info

Publication number: JP2003332073A
Application number: JP2003059468A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Masakazu Murakami; 雅一村上; Tetsushi Seo; 哲史瀬尾
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2002-03-07
Filing date: 2003-03-06
Publication date: 2003-11-21
Anticipated expiration: 2023-03-06
Also published as: JP4651916B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高分子系の有機化合物を選択的に成膜する方
法として知られているインクジェット法は、一度に３種
類（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を発光する有機化合物を塗り分けるこ
とができるが、成膜精度がわるく、制御することが困難
であるため、均一性が得られず、バラツキやすい。【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタと接続される
下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる
膜を形成した後、プラズマによるエッチングによって高
分子系材料からなる膜をエッチングし、高分子系材料層
の選択的な形成を可能にするものである。また、有機化
合物層として白色発光、或いは、単色発光する材料と
し、色変換層または着色層と組み合わせることでフルカ
ラー化を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に有
機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を
設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得ら
れる発光素子を用いた発光装置及びその作製方法に関す
る。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示
デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含
む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPC
（Flexible printed circuit）もしくはTAB（Tape Auto
mated Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrier Pac
kage）が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの
先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発
光素子にCOG（Chip On Glass）方式によりIC（集積回
路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含む
ものとする。

【０００２】

【従来の技術】薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動
などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発
光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応
用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に
配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、
視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えら
れている。

【０００３】発光素子の発光機構は、一対の電極間に有
機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極か
ら注入された電子および陽極から注入された正孔が有機
化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成
し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを
放出して発光するといわれている。励起状態には一重項
励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を
経ても可能であると考えられている。

【０００４】このような発光素子をマトリクス状に配置
して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動
（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（ア
クティブマトリクス型）といった駆動方法を用いること
が可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画
素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアク
ティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利で
あると考えられている。

【０００５】また、発光素子の中心とも言える有機化合
物層（厳密には発光層）となる有機化合物は、低分子系
材料と高分子系（ポリマー系）材料とがそれぞれ研究さ
れているが、低分子系材料よりも取り扱いが容易で耐熱
性の高い高分子系材料が注目されている。

【０００６】なお、これらの有機化合物の成膜方法に
は、蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法
といった方法が知られているが、高分子系材料を用いて
フルカラー化を実現させるための方法としては、スピン
コーティング法やインクジェット法が特に良く知られて
いる。

【０００７】しかし、スピンコーティング法を用いる場
合には、成膜表面全体に有機化合物が形成されてしまう
ため、成膜したい箇所にのみに有機化合物を形成し、成
膜不要な箇所には成膜しないといった選択的な成膜が難
しい。

【０００８】さらに、アクティブマトリクス型の発光装
置においては、基板上に形成された駆動回路に外部電源
から電気的な信号を入力するための配線や、画素部に形
成された陰極、陽極、および有機化合物で形成された有
機化合物層からなる発光素子と外部電源とを電気的に接
続するための配線が形成されているため、これらの配線
の外部電源との接続部分に有機化合物が形成されている
と外部電源とオーミック接触が得られないという問題が
生じる。

【０００９】一方、高分子系の有機化合物を選択的に成
膜する方法として知られているインクジェット法は、一
度に３種類（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を発光する有機化合物を塗り
分けることができるが、成膜精度がわるく、制御するこ
とが困難であるため、均一性が得られず、バラツキやす
い。インクジェット法のバラツキ原因としては、ノズル
ピッチバラツキ、インク飛行曲がりバラツキ、ステージ
合わせ精度、インクと吐出とステージ移動のタイミング
バラツキなどが挙げられる。例えば、有機化合物を溶媒
に溶解させて作製したインクの内部粘性抵抗などにより
インクジェット用のノズルを目詰まりさせたり、ノズル
から噴射されたインクが所望の位置に着弾しなかった
り、といった実施上の条件における問題点や、高精度ス
テージや自動アライメント機構及びインクヘッド等を有
する専用の装置が必要となりコストがかかるという実用
化における問題点を有している。また、着弾後にインク
が広がるため、隣あう画素との間隔として、ある程度の
マージンも必要となり、高精細化を困難なものとしてい
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
高分子系の有機化合物を用いたアクティブマトリクス型
の発光装置において、インクジェット法を用いる場合に
比べて簡単な高分子系材料層の選択的な成膜方法を提供
することを目的とする。また、高分子系材料層の選択的
な形成を可能にすることで、外部電源と接続される配線
の接続部分に有機化合物層が形成されないような構造を
簡単に形成することを目的とする。

【００１１】また、発光装置において、発光していない
画素では入射した外光（発光装置の外部の光）が陰極の
裏面（発光層に接する側の面）で反射され、陰極の裏面
が鏡のように作用して外部の景色が観測面（観測者側に
向かう面）に映るといった問題があった。また、この問
題を回避するために、発光装置の観測面に円偏光フィル
ムを貼り付け、観測面に外部の景色が映らないようにす
る工夫がなされているが、円偏光フィルムが非常に高価
であるため、製造コストの増加を招くという問題があっ
た。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジ
スタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分
子系材料からなる膜を形成した後、プラズマによるエッ
チングによって高分子系材料からなる膜をエッチング
し、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするもので
ある。

【００１３】本明細書で開示する作製方法に関する発明
の構成１は、陽極と、該陽極に接する有機化合物層と、
該有機化合物層に接する陰極とを有する発光素子を有す
る発光装置の作製方法であって、前記第１の電極上に塗
布法で高分子材料からなる有機化合物膜を形成する第１
の工程と、真空中で加熱する第２の工程と、プラズマに
よるエッチングで前記有機化合物膜を選択的にエッチン
グする第３の工程と、該有機化合物膜上に第２の電極を
選択的に形成する第４の工程とを有することを特徴とす
る発光装置の作製方法である。

【００１４】また、スピンコートで有機化合物膜を形成
した後、第２の電極を選択的に形成してからプラズマに
よるエッチングを行ってもよい。

【００１５】本明細書で開示する作製方法に関する発明
の構成２は、陽極と、該陽極に接する有機化合物層と、
該有機化合物層に接する陰極とを有する発光素子を有す
る発光装置の作製方法であって、前記第１の電極上に塗
布法で高分子材料からなる有機化合物膜を形成する第１
の工程と、真空中で加熱する第２の工程と、該有機化合
物膜上に第２の電極を選択的に形成する第３の工程と、
プラズマによるエッチングで前記有機化合物膜を選択的
にエッチングする第４の工程とを有することを特徴とす
る発光装置の作製方法である。

【００１６】さらに、上部電極を低抵抗化するために補
助電極となる第３の電極を形成してもよく、本明細書で
開示する作製方法に関する発明の構成３は、陽極と、該
陽極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する
陰極とを有する発光素子を有する発光装置の作製方法で
あって、第１の基板上に薄膜トランジスタを形成する工
程と、前記薄膜トランジスタと接続する第１の電極を形
成する工程と、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物を形
成する工程と、前記絶縁物上に金属材料からなる第３の
電極を形成する工程と、前記第１の電極上に塗布法で高
分子材料からなる有機化合物膜を形成する工程と、真空
中で加熱する工程と、プラズマによるエッチングで前記
有機化合物膜をメタルマスクにより選択的にエッチング
して、第３の電極を露呈させる工程と、該有機化合物膜
上に透光性を有する材料からなる第２の電極を選択的に
形成する工程と、保護膜を形成する工程と、前記第１の
基板と第２の基板を貼り合わせる工程とを有することを
特徴とする発光装置の作製方法である。

【００１７】また、上記構成３において、前記保護膜
は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜、窒化珪素を主成分
とする絶縁膜、炭素を主成分とする膜、またはこれらの
積層膜であることを特徴としている。また、上記構成３
において、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔は
２μｍ〜３０μｍであることを特徴としている。

【００１８】また、上記各構成において、前記第１の電
極はＴＦＴに電気的に接続している前記発光素子の陽
極、或いは陰極であることを特徴としている。

【００１９】また、上記各構成において、前記プラズマ
は、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、またはＯから選ばれた一種または複
数種のガスを励起して発生させることを特徴としてい
る。

【００２０】また、上記各構成において、前記有機化合
物層は白色発光する材料であり、前記第２の基板に設け
られたカラーフィルタと組み合わせる、或いは、前記有
機化合物層は単色発光する材料であり、前記第２の基板
に設けられた色変換層または着色層と組み合わせること
を特徴としている。

【００２１】また、本発明は、塗布法により高分子から
なる有機化合物膜を形成する際、カバレッジ不良などを
無くすため、各画素間に設けられる絶縁物（バンク、隔
壁、障壁、土手などと呼ばれる）の形状に工夫を加え
る。

【００２２】本明細書で開示する本発明の構成４は、絶
縁表面を有する第１の基板と透光性を有する第２の基板
との間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機
化合物層と、該有機化合物層上に接する第２の電極とを
有する発光素子を複数有する画素部と、駆動回路と、端
子部とを有する発光装置であって、前記第１の電極の端
部は、絶縁物で覆われており、該絶縁物の側面は、第１
の曲率半径を有する曲面と、第２の曲率半径を有する曲
面とを有し、前記絶縁物及び前記第１の電極上に高分子
材料を有する有機化合物層が設けられていることを特徴
とする発光装置である。

【００２３】さらに、本発明の構成５として、上部電極
を低抵抗化するために補助電極となる第３の電極を形成
した場合には、絶縁表面を有する第１の基板と透光性を
有する第２の基板との間に、第１の電極と、該第１の電
極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接す
る第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部
と、駆動回路と、端子部とを有する発光装置であって、
前記第１の電極の端部は、絶縁物で覆われており、該絶
縁物の側面は、第１の曲率半径を有する曲面と、第２の
曲率半径を有する曲面と、前記絶縁物上に第３の電極と
を有し、前記絶縁物及び前記第１の電極上に高分子材料
を有する有機化合物層が設けられていることを特徴とす
る発光装置となる。

【００２４】また、上記構成４、５において、前記有機
化合物層は高分子材料からなる層と低分子材料からなる
層の積層であってもよい。

【００２５】また、上記構成４、５において、前記有機
化合物層は白色発光する材料であり、前記第２の基板に
設けられたカラーフィルタと組み合わせる、或いは、前
記有機化合物層は単色発光する材料であり、前記第２の
基板に設けられた色変換層または着色層と組み合わせる
ことを特徴としている。

【００２６】また、上記構成４、５において、前記絶縁
物の上端部に第１の曲率半径を有する曲面を有し、前記
絶縁物の下端部に第２の曲率半径を有する曲面を有して
おり、前記第１の曲率半径および前記第２の曲率半径
は、０．２μｍ〜３μｍであることを特徴としている。
また、前記絶縁物のテーパー角度は、３５°〜５５°と
すればよい。

【００２７】また、上記構成４、５において、前記第２
の基板は凹部を有し、該凹部に乾燥剤が設けられてお
り、該凹部は前記第１の基板上に設けられた駆動回路と
一部または全体と重なることを特徴としている。

【００２８】また、上記構成４、５において、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隔は２μｍ〜３０μｍで
あることを特徴としている。

【００２９】なお、ＥＬ素子は、電場を加えることで発
生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得ら
れる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽
極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセ
ンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（リン光）とがあるが、本発明の製造装置および成膜方
法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた
場合にも適用可能である。

【００３０】ＥＬ層を有する発光素子（ＥＬ素子）は一
対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、Ｅ
Ｌ層は通常、積層構造となっている。代表的には、「正
孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げ
られる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究
開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用し
ている。

【００３１】また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピング
しても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料
を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用い
て形成しても良い。また、ＥＬ層に無機材料（シリコン
など）を含ませてもよい。なお、本明細書において、陰
極と陽極との間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層
という。したがって、上記正孔注入層、正孔輸送層、発
光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含ま
れる。

【００３２】また、アクティブマトリクス型発光装置
は、光の放射方向で２通りの構造が考えられる。一つ
は、ＥＬ素子から発した光が対向基板を透過して放射さ
れて観測者の目に入る構造である。この場合、観測者は
対向基板側から画像を認識することができる。もう一つ
は、ＥＬ素子から発した光が素子基板を透過して放射さ
れて観測者の目に入る構造である。この場合、観測者は
素子基板側から画像を認識することができる。本発明
は、これら２通りの構造の両方に適用することができ
る。

【００３３】また、本発明の発光装置において、画面表
示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方
法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよ
い。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動
方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発
光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号
であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適
宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよ
い。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、以下
に説明する。

【００３５】（実施の形態１）アクティブマトリクス型
発光装置の断面図を図１（Ａ）に示す。ここでは、白色
発光する高分子材料からなる積層構造の発光素子１３を
一例として説明する。

【００３６】図１（Ａ）中、絶縁表面を有する基板上
に、複数のＴＦＴ１〜３を設けている。なお、ＴＦＴ１
とＴＦＴ２は駆動回路部の一部を構成する素子である。
また、画素部に設けられたＴＦＴ３は、白色を発光する
ＥＬ層１１ａ、１１ｂに流れる電流を制御する素子であ
り、４はソース電極またはドレイン電極である。ここで
は、ＴＦＴ３は、複数のチャネルを有するＴＦＴとなっ
ている。また、ＴＦＴ３のチャネル長Ｌは、１００μｍ
以上となるようにすることが好ましい。チャネル長Ｌを
長くした場合、酸化膜容量Ｃ_OXが大きくなるため、その
容量の一部を有機発光素子の保持容量として利用するこ
とができる。従来、１画素毎に保持容量を形成するため
に保持容量を形成するスペースが必要となり、容量線や
容量電極などを設けていたが、本発明の画素構成とする
ことで容量線や容量電極を省略することができる。ま
た、酸化膜容量Ｃ_OXで保持容量を形成する場合、保持容
量は、ゲート絶縁膜を誘電体としてゲート電極と、ゲー
ト絶縁膜を介してゲート電極と重なる半導体（チャネル
形成領域）とで形成される。従って、ＴＦＴのチャネル
長を長くしても、図８に示すように画素電極５０８に接
続される駆動用ＴＦＴ５０７の半導体層をゲート電極の
上層に配置される電流供給線５０４やソース信号線５０
１の下方に配置すれば、開口率を下げることなく画素設
計することができる。即ち、図８に示す画素構成とする
ことで、容量電極や容量配線を形成するスペースを省略
しても十分な保持容量を備えることができ、さらに開口
率を上げることができる。さらに、チャネル長Ｌを長く
した場合、レーザー光の照射条件などのＴＦＴ製造プロ
セスのバラツキが生じても、各ＴＦＴ間の電気特性のバ
ラツキを低減することができる。また、５は有機絶縁材
料からなる層間絶縁膜、６は無機絶縁膜材料からなる層
間絶縁膜である。

【００３７】また、７は、第１の電極、即ち、有機発光
素子の陽極（或いは陰極）であり、１２は、第２の電
極、即ち、有機発光素子の陰極（或いは陽極）である。
ここでは、２０として膜厚２０ｎｍ以下、好ましくは１
０ｎｍ以下の薄い金属層（代表的にはＡｇ、Ａｌ、また
はＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉなどの合金）と透明導
電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化イ
ンジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ₂Ｏ₃―ＺｎＯ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）等）との積層膜からなる陰極とし、各発光素
子からの光を通過させている。なお、陰極として機能す
るのは薄い金属膜であり、透明導電膜は陰極の電気抵抗
を下げるための配線として機能する。

【００３８】また、第１の電極７の両端部およびそれら
の間は有機絶縁物８（障壁またはバンクとも呼ばれる）
で覆われている。さらに、有機絶縁物８は無機絶縁膜で
覆ってもよい。

【００３９】本発明において、この有機絶縁物８の断面
形状が重要となる。図１（Ｂ）に有機絶縁物８周辺の拡
大図を示す。有機絶縁物８上に塗布法により有機化合物
膜を形成する場合や、蒸着法で陰極となる金属膜を形成
する場合において、有機絶縁物の下端部または上端部に
おいて曲面を有していない場合、図１７に示すように有
機絶縁物の上端部において凸部が形成されてしまう成膜
不良が発生する。そこで、本発明は、図１６に示すよう
に有機絶縁物８の上端部に第１の曲率半径を有する曲面
を有し、さらに有機絶縁物８の下端部に第２の曲率半径
を有する曲面を有する形状とすることを特徴としてい
る。なお、第１の曲率半径および第２の曲率半径は、と
もに０．２μｍ〜３μｍとすることが好ましい。本発明
により、有機化合物膜や金属膜のカバレッジを良好とす
ることができる。また、有機絶縁物８の側面におけるテ
ーパー角度は、４５°±１０°とすればよい。

【００４０】また、本発明は、この有機絶縁物８上に第
３の電極９（補助電極）を設ける。図１に示す構造、即
ち、基板上のＴＦＴと電気的に接続されたＴＦＴ側の電
極を陰極として形成し、陰極上に有機化合物層を形成
し、有機化合物層上に透明電極である陽極を形成すると
いう構造（以下、上面出射構造とよぶ）の発光素子を有
するアクティブマトリクス型の発光装置において、透明
電極の電気抵抗が高くなるという問題が生じる。特に、
透明電極の膜厚を薄くした場合、さらに電気抵抗が高く
なってしまう。陽極または陰極となる透明電極の電気抵
抗が高くなると電圧降下により面内電位分布が不均一に
なり、発光素子の輝度にバラツキを生じるといった不具
合が生じる。そこで、本発明は、発光素子における透明
電極の電気抵抗を低下させるため、第３の電極９（補助
電極）を設けている。また、第３の電極９においても、
有機化合物膜や金属膜のカバレッジを良好とするために
第３の電極側面のテーパー角度を、４５°±１０°とす
ることが好ましい。

【００４１】また、前記第３の電極９は、前記第２の電
極１２を構成する材料よりも電気抵抗が小さい材料から
なっており、導電型を付与する不純物元素がドープされ
たｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉ_X、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、またはＭｏから選ばれた元素、また
は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料
を主成分とする膜またはそれらの積層膜からなることを
特徴としている。例えば、前記第３の電極は、窒化物層
またはフッ化物層を最上層とする積層（具体的にはＴｉ
ＮとＡｌとＴｉＮとの積層）からなる電極とすることが
好ましい。

【００４２】さらに、第３の電極９の形成と同時に引き
出し配線を形成し、下層に存在する他の配線１０と接続
を行ってもよい。こうして、下層の電極とコンタクトさ
せた補助電極９上に接して透明導電膜１２を形成すれば
陰極の引き出しが容易に可能となる。

【００４３】また、塗布法で形成する有機化合物層１１
ａ、１１ｂはともにプラズマを用いたエッチングでパタ
ーニングされるため、互いの端面が一致する。

【００４４】また、図１（Ａ）において、発光装置の信
頼性を高めるために保護膜１４を形成している。この保
護膜１４はスパッタ法（ＤＣ方式やＲＦ方式）により得
られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶縁
膜、または炭素を主成分とする薄膜である。シリコンタ
ーゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で形成す
れば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンター
ゲットを用いてもよい。また、保護膜１４は、リモート
プラズマを用いた成膜装置を用いて形成してもよい。ま
た、図１（Ａ）においては、保護膜に発光を通過させる
ため、保護膜の膜厚は、可能な限り薄くすることが好ま
しい。

【００４５】本発明において、前記炭素を主成分とする
薄膜は膜厚３〜５０ｎｍのＤＬＣ膜（Diamond like Car
bon）であることを特徴としている。ＤＬＣ膜は短距離
秩序的には炭素間の結合として、ＳＰ³結合をもってい
るが、マクロ的にはアモルファス状の構造となってい
る。ＤＬＣ膜の組成は炭素が７０〜９５原子％、水素が
５〜３０原子％であり、非常に硬く絶縁性に優れてい
る。このようなＤＬＣ膜は、また、水蒸気や酸素などの
ガス透過率が低いという特徴がある。また、微少硬度計
による測定で、１５〜２５ＧＰａの硬度を有することが
知られている。

【００４６】ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ法（代表的に
は、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法など）、スパッ
タ法などで形成することができる。いずれの成膜方法を
用いても、密着性良くＤＬＣ膜を形成することができ
る。ＤＬＣ膜は基板をカソードに設置して成膜する。ま
たは、負のバイアスを印加して、イオン衝撃をある程度
利用して緻密で硬質な膜を形成できる。

【００４７】成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭
化水素系のガス（例えばＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₆Ｈ₆など）
とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイ
アスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜
する。こうすることにより、緻密で平滑なＤＬＣ膜を得
ることができる。なお、このＤＬＣ膜は、可視光に対し
て透明もしくは半透明な絶縁膜である。本明細書におい
て、可視光に対して透明とは可視光の透過率が８０〜１
００％であることを指し、可視光に対して半透明とは可
視光の透過率が５０〜８０％であることを指す。

【００４８】また、スパッタ法により透明導電膜からな
る膜に接して窒化珪素膜を形成する場合、透明導電膜に
含まれる不純物（Iｎ、Ｓｎ、Ｚｎ等）が窒化珪素膜に
混入する恐れがあるが、バッファ層となる酸化珪素膜を
間に形成することによって窒化珪素膜への不純物混入を
防止することもできる。上記構成によりバッファ層を形
成することで、透明導電膜からの不純物（Ｉｎ、Ｓｎな
ど）の混入を防止し、不純物のない優れた保護膜を形成
することができる。

【００４９】また、図１（Ａ）において、発光素子１３
を封止するための基板１８と、スペーサ１９ｂを含むシ
ール材１９ａとによって密閉している。また、発光素子
１３は白色発光であるので、基板１８には各画素に対応
するカラーフィルタが設けられている。１５は、赤色の
着色層、緑色の着色層、または青色の着色層のいずれか
であり、１６はカラーフィルタの黒色部分、即ち発光領
域以外の領域を遮光して、外光から素子を保護する遮光
部（ＢＭ）である。また、遮光部は、発光素子からの極
端な斜め方向の発光を遮光する。なお、遮光部１６は、
金属膜（クロム等）または黒色顔料を含有した有機膜で
構成されている。さらに、これら着色層１５や遮光部１
６を覆うオーバーコート膜１７が設けられている。ここ
では予めカラーフィルタを設けた基板１８をシール材１
９ａで貼り付け、カラーフィルタを基板１８と発光素子
との間に配置した例を示したが、基板１８をシール材１
９ａで貼り付けた後、外側にカラーフィルタを貼り付け
てもよい。

【００５０】また、本発明においては、カラーフィルタ
を設けることによって円偏光板を不必要としコストを低
減するとともに、塗りわけが必要でなくなるため、スル
ープットの向上および高精細化も実現可能としている。

【００５１】また、図１（Ａ）において、外部回路と接
続するためにＦＰＣを貼り付ける端子部が設けられてい
る。また、端子部において、端子の電極を陰極１０と同
じ材料で形成している。

【００５２】また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例
として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用
することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタ
ガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能
である。

【００５３】（実施の形態２）ここでは、図１（Ｂ）に
示す発光素子の形成手順を簡略に図２を用いて以下に説
明する。なお、簡略化のため、図２において、図１と同
一である箇所は同一のものを用いる。

【００５４】まず、基板上にＴＦＴ（ここでは図示しな
い）、第１の電極７、接続配線１０、絶縁物８、第３の
電極９を形成した後、スピンコートを用いた塗布法によ
り有機化合物層１１ａを成膜した後、真空加熱で焼成
し、続いて有機化合物層１１ｂを真空加熱で焼成し、積
層する。（図２（Ａ））

【００５５】次いで、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、またはＯから選ば
れた一種または複数種のガスを励起して発生させたプラ
ズマを用いて選択的にエッチングを行う。このエッチン
グはメタルマスクを用いて所望の領域を除去する。（図
２（Ｂ））図２（Ｂ）において、メタルマスクと有機化
合物層との間隔が開いている例を示したが、接した状態
で行ってもよい。本発明により高分子系材料層の選択的
な形成を可能にすることで、外部電源と接続される配線
の接続部分に有機化合物層が形成されないような構造を
簡単に形成する。また、第３の電極９の所望の部分を露
呈させて、後に形成される透明導電膜と電気的に接続す
るようにする。

【００５６】次いで、膜厚１０ｎｍ以下の薄い金属層
（代表的にはＡｇ、Ａｌ、またはＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、
ＡｌＬｉなどの合金）と透明導電膜（ＩＴＯ（酸化イン
ジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金
（Ｉｎ₂Ｏ₃―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積
層膜からなる陰極（第２の電極１２）を形成する。（図
２（Ｃ））なお、実際に陰極として機能するのは薄い金
属層であるが、本明細書では、便宜上、薄い金属層上に
積層する透明導電膜をも陰極と呼ぶ。

【００５７】また、本実施の形態では有機化合物層を形
成した後、プラズマエッチングを行う例を示したが、有
機化合物層上に薄い金属層と透明導電膜との積層膜から
なる陰極を形成した後にプラズマエッチングを行い所望
の領域を除去した後、再度、透明導電膜を形成してもよ
い。

【００５８】また、有機化合物層上に薄い金属層からな
る陰極を形成した後にプラズマエッチングを行い所望の
領域を除去した後、透明導電膜を積層形成してもよい。

【００５９】また、本実施の形態は、実施の形態１と組
み合わせることができる。

【００６０】（実施の形態３）ここでは、ＥＬモジュー
ルの全体および乾燥剤の配置に関して図３で説明する。
図３（A）は、ＥＬモジュールの上面図である。なお、
図３（Ａ）は図１と対応しており、図３（Ａ）中、点線
Ａ−Ａ’で切断した断面図が図１（Ａ）に相当し、同じ
箇所には同じ符号を用いる。

【００６１】無数のＴＦＴが設けられた基板（ＴＦＴ基
板とも呼ぶ）には、表示が行われる画素部４０と、画素
部の各画素を駆動させる駆動回路４１ａ、４１ｂと、Ｅ
Ｌ層上に設けられる電極と引き出し配線とを接続する接
続部と、外部回路と接続するためにＦＰＣを貼り付ける
端子部４２と、乾燥剤４４とが設けられている。また、
図３（Ａ）および図３（Ｂ）では一部と重なるように配
置されているが、図３（Ｃ）に示すように乾燥剤４４ｃ
によって駆動回路４１ｃの全部が隠れるように配置して
もよい。また、ＥＬ素子を封止するための基板と、シー
ル材１９とによって密閉する。また、図３（Ｂ）は、図
３（Ａ）中における鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した場合の断面
図である。

【００６２】画素部４０には規則的に画素が無数に配置
されており、ここでは図示しないが、Ｘ方向にＲ、Ｇ、
Ｂの順で配置されている。

【００６３】また、図３（Ｂ）に示すように、約２〜３
０μｍの間隔が保たれるようにシール材１９によって封
止基板１８が貼りつけられており、全ての発光素子は密
閉されている。封止基板１８にはサンドブラスト法など
によって凹部が形成されており、その凹部に乾燥剤が配
置されている。なお、シール材１９は、駆動回路の一部
と重なるようにして狭額縁化させることが好ましい。シ
ール材３３によって封止基板１８を貼りつける直前には
真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。ま
た、封止基板１８を貼りつける際には、不活性気体（希
ガスまたは窒素）を含む雰囲気下で行うことが好まし
い。

【００６４】また、本実施の形態は、実施の形態１また
は実施の形態２と自由に組み合わせることができる。

【００６５】（実施の形態４）以下に、白色発光素子と
カラーフィルターを組み合わせた方法(以下、カラーフ
ィルター法とよぶ)について図５（Ａ）により説明す
る。

【００６６】カラーフィルター法は、白色発光を示す有
機化合物膜を有する発光素子を形成し、得られた白色発
光をカラーフィルターに通すことで赤、緑、青の発光を
得るという方式である。

【００６７】白色発光を得るためには、様々な方法があ
るが、ここでは塗布により形成可能な高分子材料からな
る発光層を用いる場合について説明する。この場合、発
光層となる高分子材料への色素ドーピングは溶液調整で
行うことができ、複数の色素をドーピングする共蒸着を
行う蒸着法に比べて極めて容易に得ることができる。

【００６８】具体的には、仕事関数の大きい金属（Ｐ
ｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ）からなる陽極
上に、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキ
シチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液
（PEDOT／PSS）を全面に塗布、焼成した後、発光層とし
て作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェ
ニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメ
チレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチ
リル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、ク
マリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（Ｐ
ＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成した後、仕事関数の小さ
い金属（Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｓ）を含む薄膜と、その上に積
層した透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合
金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ₂Ｏ₃―Ｚｎ
Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層からなる陰極を
形成する。なお、PEDOT／PSSは溶媒に水を用いており、
有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗
布する場合にも、再溶解する心配はない。また、PEDOT
／PSSとＰＶＫは溶媒の種類が異なるため、成膜室は同
一のものを使用しないことが好ましい。

【００６９】また、上記例では図４（Ｂ）に示すように
有機化合物層を積層とした例を示したが図４（Ａ）に示
すように有機化合物層を単層とすることもできる。例え
ば、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）
に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体
（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰ
ＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰ
Ｂ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分
散することで白色発光が得られる。

【００７０】なお、有機化合物膜は、陽極と陰極の間に
形成されており、陽極から注入された正孔と陰極から注
入された電子が有機化合物膜において再結合することに
より、有機化合物膜において、白色発光が得られる。

【００７１】また、赤色発光する有機化合物膜や緑色発
光する有機化合物膜や青色発光する有機化合物膜を適宜
選択し、重ねて混色させることによって全体として白色
発光を得ることも可能である。

【００７２】以上により形成される有機化合物膜は、全
体として白色発光を得ることができる。

【００７３】上記有機化合物膜が白色発光する方向に赤
色発光以外を吸収する着色層（Ｒ）、緑色発光以外を吸
収する着色層（Ｇ）、青色発光以外を吸収する着色層
（Ｂ）をそれぞれ設けたカラーフィルタを形成すること
により、発光素子からの白色発光をそれぞれ分離して、
赤色発光、緑色発光、青色発光として得ることができ
る。また、アクティブマトリクス型の場合には、基板と
カラーフィルターの間にＴＦＴが形成される構造とな
る。

【００７４】また、着色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）には、最も単
純なストライプパターンをはじめとして、斜めモザイク
配列、三角モザイク配列、ＲＧＢＧ四画素配列、もしく
はＲＧＢＷ四画素配列などを用いることができる。

【００７５】白色光源（Ｄ６５）を用いて各着色層の透
過率と波長との関係の一例を図１４に示した。カラーフ
ィルターを構成する着色層は、顔料を分散した有機感光
材料からなるカラーレジストを用いて形成される。ま
た、白色発光とカラーフィルタを組み合わせた場合の色
再現範囲を色度座標として図１５に示す。なお、白色発
光の色度座標は（x,y）＝（０．３４、０．３５）であ
る。図１４よりフルカラーとしての色再現性は十分確保
されていることが分かる。

【００７６】なお、この場合には、得られる発光色が異
なっていても、すべて白色発光を示す有機化合物膜で形
成されていることから、発光色ごとに有機化合物膜を塗
り分けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円
偏光板も特に必要ないものとすることができる。

【００７７】次に青色発光性の有機化合物膜を有する青
色発光素子と蛍光性の色変換層を組み合わせることによ
り実現されるＣＣＭ法（color changing mediums）につ
いて図５（Ｂ）により説明する。

【００７８】ＣＣＭ法は、青色発光素子から出射された
青色発光で蛍光性の色変換層を励起し、それぞれの色変
換層で色変換を行う。具体的には色変換層で青色から赤
色への変換（Ｂ→Ｒ）、色変換層で青色から緑色への変
換（Ｂ→Ｇ）、色変換層で青色から青色への変換（Ｂ→
Ｂ）（なお、青色から青色への変換は行わなくても良
い。）を行い、赤色、緑色及び青色の発光を得るという
ものである。ＣＣＭ法の場合にも、アクティブマトリク
ス型の場合には、基板と色変換層の間にＴＦＴが形成さ
れる構造となる。

【００７９】なお、この場合にも有機化合物膜を塗り分
けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円偏光
板も特に必要ないものとすることができる。

【００８０】また、ＣＣＭ法を用いる場合には、色変換
層が蛍光性であるため外光により励起され、コントラス
トを低下させる問題があるので、図５（Ｃ）に示したよ
うにカラーフィルターを装着するなどしてコントラスト
を上げるようにすると良い。

【００８１】また、本実施の形態は、実施の形態１乃至
３のいずれとも組み合わせることが可能である。

【００８２】（実施の形態５）本実施の形態は、実施の
形態４とは異なる例、具体的には、図４（Ｃ）に示すよ
うに、有機化合物層として高分子材料からなる層と、低
分子材料からなる層とを積層する場合について説明す
る。なお、有機化合物層として無機材料（シリコンな
ど）を含んでいてもよい。

【００８３】白色発光とする場合には、正孔注入層とな
る高分子材料を塗布法で形成した後、蒸着法で共蒸着を
行い、発光性領域における発光と発光色が異なる色素を
正孔輸送層中にドーピングして、発光性領域からの発光
色と混色させればよい。適宜、発光層や正孔輸送層の材
料を調節することによって全体として白色発光を得るこ
とができる。この場合、高分子材料からなる有機化合物
を含む層と低分子材料からなる有機化合物を含む層との
端面が一致する。

【００８４】また、本発明は、白色発光に限らず、有機
化合物を含む層として高分子材料を少なくとも一層用い
る有色発光素子にも適用できる。本発明は、高分子材料
を少なくとも一層を含む層をプラズマによって選択的に
エッチングする。例えば、正孔注入層となる高分子材料
を塗布法で形成した後、低分子材料からなるの発光層
（赤色、緑色、または青色）を蒸着マスクを用いた蒸着
法で選択的に形成し、高分子材料からなる有機化合物を
含む層と低分子材料からなる有機化合物を含む層とを同
時にプラズマによってマスクを用い選択的にエッチング
する。この場合、高分子材料からなる有機化合物を含む
層と低分子材料からなる有機化合物を含む層とが積層さ
れていない部分（端子部など）があり、画素部において
のみ、高分子材料からなる有機化合物を含む層と低分子
材料からなる有機化合物を含む層との端面が一致する。

【００８５】図６に発光素子の積層構造の一例を示す。

【００８６】図６（Ａ）に示した積層構造は、陽極７０
１上に、高分子系材料からなる第１の有機化合物層７０
２ａと低分子系材料からなる第２の有機化合物層７０２
ｂとの積層である有機化合物層７０２と、陰極バッファ
ー層７０３と、陰極７０４とが形成されたものである。
陰極と陽極で挟まれるこれらの層の材料および膜厚を適
宜設定することで、赤色、緑色、青色の発光素子を得る
ことができる。

【００８７】赤色の発光素子を得る場合、図６（Ｂ）に
示したようにＩＴＯからなる陽極上に高分子系材料であ
るPEDOT／PSSをスピンコートで塗布し、真空ベークで焼
成して膜厚３０ｎｍとする。次いで、４，４'−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビ
フェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）を蒸着法で膜厚６
０ｎｍ形成する。次いで、ドーパントとしてＤＣＭを含
むトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａ
ｌｑ₃と示す）を蒸着法で膜厚４０ｎｍ形成する。次い
で、Ａｌｑ₃を膜厚４０ｎｍ形成する。次いで、ＣａＦ₂
を蒸着法で膜厚１ｎｍ形成した後、最後にＡｌをスパッ
タ法または蒸着法により膜厚２００ｎｍ形成することに
よって赤色の発光素子を完成させる。

【００８８】また、緑色の発光素子を得る場合、図６
（Ｃ）に示したようにＩＴＯからなる陽極上に高分子系
材料であるPEDOT／PSSをスピンコートで塗布し、真空ベ
ークで焼成して膜厚３０ｎｍとする。次いで、４，４'
−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミ
ノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）を蒸着法
で膜厚６０ｎｍ形成する。次いで、ドーパントとしてＤ
ＭＱＤを含むトリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（以下、Ａｌｑ₃と示す）を蒸着法で膜厚４０ｎｍ形成
する。次いで、Ａｌｑ₃を膜厚４０ｎｍ形成する。次い
で、ＣａＦ₂を蒸着法で膜厚１ｎｍ形成した後、最後に
Ａｌをスパッタ法または蒸着法により膜厚２００ｎｍ形
成することによって緑色の発光素子を完成させる。

【００８９】また、青色の発光素子を得る場合、図６
（Ｄ）に示したようにＩＴＯからなる陽極上に高分子系
材料であるPEDOT／PSSをスピンコートで塗布し、真空ベ
ークで焼成して膜厚３０ｎｍとする。次いで、４，４'
−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミ
ノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）を蒸着法
で膜厚６０ｎｍ形成する。次いで、ドーパントとしてバ
ソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）を蒸着法で膜厚
１０ｎｍ形成する。次いで、Ａｌｑ₃を膜厚４０ｎｍ形
成する。次いで、ＣａＦ₂を蒸着法で膜厚１ｎｍ形成し
た後、最後にＡｌをスパッタ法または蒸着法により膜厚
２００ｎｍ形成することによって青色の発光素子を完成
させる。

【００９０】ここでは、陰極としてＡｌをスパッタ法ま
たは蒸着法により膜厚２００ｎｍ形成する例を示した
が、陰極として金属薄膜（１０ｎｍ以下のＡｇ、Ａｌ）
と透明導電膜の積層を用いれば、陰極を通過させて発光
を取出すこともできる。

【００９１】また、本実施の形態は、実施の形態１乃至
４のいずれとも組み合わせることが可能である。

【００９２】以上の構成でなる本発明について、以下に
示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととす
る。

【００９３】（実施例）［実施例１］本実施例では上部電極までの作製を全自動
化したマルチチャンバー方式の製造装置の例を図７に示
す。

【００９４】図７において、１００ａ〜１００ｗはゲー
ト、１０１は仕込室、１１９は取出室、１０２、１０４
ａ、１０８、１１４、１１８は搬送室、１０５、１０
７、１１１は受渡室、１０６Ｒ、１０６Ｂ、１０６Ｇ、
１０６Ｈ、１０６Ｅ、１０９、１１０、１１２、１１３
は成膜室、１０３は前処理室、１１７は封止基板ロード
室、１１５はディスペンサ室、１１６は封止室、１２０
ａ、１２０ｂはカセット室、１２１はトレイ装着ステー
ジ、１２２はプラズマによるエッチング室である。

【００９５】まず、予め複数のＴＦＴ、陽極、陽極の端
部を覆う絶縁物が設けられた基板上に、正孔注入層とし
て作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ
（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）を全面に
形成し、真空中での加熱処理を行って水分を気化させ
る。

【００９６】以下、予めＴＦＴ、陽極、陽極の端部を覆
う絶縁物、及び正孔注入層（ＰＥＤＯＴ）が設けられた
基板を図７に示す製造装置に搬入し、図４（Ｂ）に示す
積層構造を形成する手順を示す。

【００９７】まず、カセット室１２０ａまたはカセット
室１２０ｂに上記基板をセットする。基板が大型基板
（例えば300mm×360ｍｍ）である場合には、カセット室
１２０ｂにセットし、通常基板（例えば、127ｍｍ×127
ｍｍ）である場合には、トレイ装着ステージ１２１に搬
送し、トレイ（例えば300mm×360ｍｍ）に数枚の基板を
搭載する。

【００９８】次いで、基板搬送機構が設けられた搬送室
１１８から仕込室１０１に搬送する。

【００９９】仕込室１０１は、真空排気処理室と連結さ
れており、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気
圧にしておくことが好ましい。次いで仕込室１０１に連
結された搬送室１０２に搬送する。予め、搬送室内には
極力水分や酸素が存在しないよう、真空排気して真空を
維持しておく。

【０１００】また、搬送室１０２には、搬送室内を真空
にする真空排気処理室と連結されている。真空排気処理
室としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオ
ポンプ、またはドライポンプが備えられている。これに
より搬送室の到達真空度を１０^-5〜１０^-6Ｐａにするこ
とが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不
純物の逆拡散を制御することができる。装置内部に不純
物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、
窒素や希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入
されるこれらのガスは、装置内に導入される前にガス精
製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガス
が高純度化された後に成膜装置に導入されるようにガス
精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に
含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去すること
ができるため、装置内部にこれらの不純物が導入される
のを防ぐことができる。

【０１０１】次いで、全面に設けられた正孔注入層（Ｐ
ＥＤＯＴ）上に、発光層となる高分子からなる有機化合
物層を全面に形成する。成膜室１１２は、高分子からな
る有機化合物層を形成するための成膜室である。本実施
例では、発光層として作用する色素（１，１，４，４−
テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−
ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルア
ミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイル
レッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバ
ゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に形成する例を示す。成膜
室１１２においてスピンコート法で有機化合物層を形成
する場合には、大気圧下で基板の被成膜面を上向きにし
てセットする。本実施例では、受渡室１０５には、基板
反転機構が備わっており、基板を適宜反転させる。水や
有機溶剤を溶媒として用いた成膜を行った後は、前処理
室１０３に搬送し、そこで真空中での加熱処理を行って
水分を気化させることが好ましい。

【０１０２】本実施例では、高分子材料からなる有機化
合物層を積層した例を示したが、図４（Ｃ）や図６に示
す低分子材料からなる層との積層構造とする場合には、
適宜、蒸着法により成膜室１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６
Ｂで成膜を行って、発光素子全体として、白色、或いは
赤色、緑色、青色の発光を示す有機化合物層を適宜形成
すればよい。また、必要があれば、適宜、成膜室１０６
Ｅで電子輸送層または電子注入層、１０６Ｈで正孔注入
層または正孔輸送層を形成すればよい。蒸着法を用いる
場合、例えば、真空度が５×１０^-3Ｔｏｒｒ（０．６６
５Ｐａ）以下、好ましくは１０^-4〜１０^-6Ｐａまで真空
排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗
加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャ
ッター（図示しない）が開くことにより基板の方向へ飛
散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタ
ルマスク（図示しない）に設けられた開口部（図示しな
い）を通って基板に蒸着される。なお、蒸着の際、基板
を加熱する手段により基板の温度（Ｔ₁）は、５０〜２
００℃、好ましくは６５〜１５０℃とする。また、蒸着
法を用いる場合、成膜室には蒸着材料が予め材料メーカ
ーで収納されているルツボをセットすることが好まし
い。セットする際には大気に触れることなく行うことが
好ましく、材料メーカーから搬送する際、ルツボは第２
の容器に密閉した状態のまま成膜室に導入することが好
ましい。望ましくは、成膜室１０６Ｒに連結して真空排
気手段を有するチャンバーを備え、そこで真空、若しく
は不活性ガス雰囲気で第２の容器からルツボを取り出し
て、成膜室にルツボを設置する。こうすることによっ
て、ルツボおよび該ルツボに収納されたＥＬ材料を汚染
から防ぐことができる。

【０１０３】次いで、大気にふれさせることなく、搬送
室１０２から受渡室１０５へ、受渡室１０５から搬送室
１０４ａへ、さらに搬送室１０４ａから受渡室１０７に
基板を搬送した後、さらに、大気にふれさせることな
く、受渡室１０７から搬送室１０８に基板を搬送する。

【０１０４】次いで、搬送室１０８内に設置されている
搬送機構によって、プラズマ処理室１２２に搬送し、メ
タルマスクを用いて高分子材料からなる有機化合物膜の
積層を選択的に除去する。プラズマ処理室１２２はプラ
ズマ発生手段を有しており、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、またはＯか
ら選ばれた一種または複数種のガスを励起してプラズマ
を発生させることによって、ドライエッチングを行う。
酸素プラズマ処理でエッチングするのであれば、前処理
室１０３でも行うことが可能である。

【０１０５】次いで、搬送室１０８内に設置されている
搬送機構によって、成膜室１１０に搬送し、非常に薄い
金属膜（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＮなどの
合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素と
アルミニウムとを共蒸着法により形成した膜）からなる
陰極（下層）を抵抗加熱を用いた蒸着法で形成する。薄
い金属層からなる陰極（下層）を形成した後、成膜室１
０９に搬送してスパッタ法により透明導電膜（ＩＴＯ
（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化
亜鉛合金（Ｉｎ₂Ｏ₃―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
等）からなる陰極（上層）を形成し、薄い金属層と透明
導電膜との積層からなる陰極を適宜形成する。

【０１０６】以上の工程で図４（Ｂ）に示す積層構造の
発光素子が形成される。

【０１０７】次いで、大気に触れることなく、搬送室１
０８から成膜室１１３に搬送して窒化珪素膜、または窒
化酸化珪素膜からなる保護膜を形成する。ここでは、成
膜室１１３内に、珪素からなるターゲット、または酸化
珪素からなるターゲット、または窒化珪素からなるター
ゲットを備えたスパッタ装置とする。例えば、珪素から
なるターゲットを用い、成膜室雰囲気を窒素雰囲気また
は窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることによって窒化
珪素膜を形成することができる。

【０１０８】次いで、発光素子が形成された基板を大気
に触れることなく、搬送室１０８から受渡室１１１に搬
送し、さらに受渡室１１１から搬送室１１４に搬送す
る。

【０１０９】次いで、発光素子が形成された基板を搬送
室１１４から封止室１１６に搬送する。なお、封止室１
１６には、シール材が設けられた封止基板を用意してお
くことが好ましい。

【０１１０】封止基板は、封止基板ロード室１１７ａに
外部からセットされる。なお、水分などの不純物を除去
するために予め真空中でアニール、例えば、封止基板ロ
ード室１１７内でアニールを行うことが好ましい。そし
て、封止基板にシール材を形成する場合には、搬送室１
０８を大気圧とした後、封止基板を封止基板ロード室か
らディスペンサ室１１５に搬送して、発光素子が設けら
れた基板と貼り合わせるためのシール材を形成し、シー
ル材を形成した封止基板を封止室１１６に搬送する。

【０１１１】次いで、発光素子が設けられた基板を脱気
するため、真空または不活性雰囲気中でアニールを行っ
た後、シール材が設けられた封止基板と、発光素子が形
成された基板とを貼り合わせる。ここでは、密閉された
空間には水素または不活性気体を充填させ、発光領域と
重ならない箇所に乾燥剤を配置する。また、一対の基板
とシール材に囲まれた間隙を透明な接着材で充填しても
よい。なお、ここでは、封止基板にシール材を形成した
例を示したが、特に限定されず、発光素子が形成された
基板にシール材を形成してもよい。

【０１１２】次いで、貼り合わせた一対の基板を封止室
１１６に設けられた紫外線照射機構によってＵＶ光を照
射してシール材を硬化させる。なお、ここではシール材
として紫外線硬化樹脂を用いたが、接着材であれば、特
に限定されない。

【０１１３】次いで、貼り合わせた一対の基板を封止室
１１６から搬送室１１４、そして搬送室１１４から取出
室１１９に搬送して取り出す。

【０１１４】以上のように、図８に示した製造装置を用
いることで完全に発光素子を密閉空間に封入するまで外
気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製す
ることが可能となる。なお、搬送室１１４においては、
真空と、大気圧での窒素雰囲気とを繰り返すが、搬送室
１０２、１０４ａ、１０８は常時、真空が保たれること
が望ましい。

【０１１５】なお、インライン方式の成膜装置とするこ
とも可能である。

【０１１６】また、図７に示す製造装置に搬入し、陽極
として透明導電膜を用い、上記積層構造による発光方向
とは逆方向である発光素子（図６）を形成する手順を以
下に示す。

【０１１７】まず、カセット室１２０ａまたはカセット
室１２０ｂにＴＦＴ及び陽極が設けられた基板をセット
する。

【０１１８】次いで、基板搬送機構が設けられた搬送室
１１８から仕込室１０１に搬送する。次いで仕込室１０
１に連結された搬送室１０２に搬送する。

【０１１９】また、基板に含まれる水分やその他のガス
を除去するために、脱気のためのアニールを真空中で行
うことが好ましく、搬送室１０２に連結された前処理室
１０３に搬送し、そこでアニールを行えばよい。さら
に、陽極の表面をクリーニングする必要があれば、搬送
室１０２に連結された前処理室１０３に搬送し、そこで
プラズマ処理やＵＶ照射処理によってクリーニングを行
えばよい。

【０１２０】次いで、陽極上に高分子からなる有機化合
物層を全面に形成する。成膜室１１２は、高分子からな
る有機化合物層を形成するための成膜室である。例え
ば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシ
チオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PE
DOT／PSS）を全面に形成する。成膜室１１２においてス
ピンコート法で有機化合物層を形成する場合には、大気
圧下で基板の被成膜面を上向きにしてセットする。受渡
室１０５には、基板反転機構が備わっており、基板を適
宜反転させる。また、水溶液を用いた成膜を行った後
は、前処理室１０３に搬送し、そこで真空中での加熱処
理を行って水分を気化させることが好ましい。

【０１２１】次いで、大気にふれさせることなく、搬送
室１０２から受渡室１０５に基板１０４ｃを搬送した
後、搬送室１０４に基板１０４ｃを搬送し、搬送機構１
０４ｂによって、成膜室１０６Ｒに搬送し、陽極上に設
けられた高分子材料からなる正孔注入層上に赤色発光す
るＥＬ層を適宜形成する。ここでは抵抗加熱を用いた蒸
着によって形成する。

【０１２２】ここでは、フルカラーとするために、成膜
室１０６Ｒで成膜した後、順次、各成膜室１０６Ｇ、１
０６Ｂで成膜を行って、赤色、緑色、青色の発光を示す
有機化合物層を適宜形成する。代表的には図６に示す積
層構造となるように順次形成すればよい。

【０１２３】こうして、陽極上に正孔注入層、および所
望のＥＬ層を得たら、次いで、大気にふれさせることな
く、搬送室１０４ａから受渡室１０７に基板を搬送した
後、さらに、大気にふれさせることなく、受渡室１０７
から搬送室１０８に基板を搬送する。

【０１２４】次いで、搬送室１０８内に設置されている
搬送機構によって、成膜室１１０に搬送し、抵抗加熱に
よる蒸着法で金属層からなる陰極（膜厚１００ｎｍ以
上）を適宜形成する。ここでは、成膜室１１０は、Ｌｉ
とＡｌを蒸着源に備えて抵抗加熱により蒸着する蒸着装
置とする。

【０１２５】以上の工程で図６に示す積層構造の発光素
子が形成される。

【０１２６】また、以降の工程は上記した図４（Ｂ）に
示す積層構造を有する発光装置の作製手順と同一である
のでここでは説明を省略する。

【０１２７】このように、図７に示す製造装置を用いれ
ば、図４（Ｂ）、図６に示す積層構造とを作り分けるこ
とができる。

【０１２８】また、本実施例は、実施の形態１乃至５の
いずれとも自由に組み合わせることができる。

【０１２９】［実施例２］本実施例では、ＥＬ素子から
発した光が素子基板を透過して放射されて観測者の目に
入る構造を作製する例を以下に示す。なお、この場合、
観測者は素子基板側から画像を認識することができる。

【０１３０】まず、一つの画素に３つのＴＦＴを配置し
た画素構造を説明する。なお、画素の詳細な上面図の一
例を図９に示す。

【０１３１】図９に示す構成において、ＳＥＳ駆動をす
る場合の消去用トランジスタ６０６を有し、ゲート電極
と消去用の信号を入力する第２のゲート信号線６０３が
接続され、ソース電極と電流供給線６０４が接続され、
ドレイン電極とスイッチング用ＴＦＴ６０５のドレイン
電極・駆動用ＴＦＴ６０７のゲート電極が接続されてい
る。

【０１３２】３トランジスタ型の場合、スイッチング用
ＴＦＴ６０５と消去用ＴＦＴ６０６の２つのＴＦＴを、
第１のゲート信号線６０２と第２のゲート信号線６０３
の間に、横に並べ直線状に配置する。スイッチング用Ｔ
ＦＴ６０５のドレイン領域と消去用ＴＦＴ６０６のドレ
イン領域を重ねても良い。この時、スイッチング用ＴＦ
Ｔ６０５のソース領域のある一点とドレイン領域のある
一点と消去用ＴＦＴ６０６のソース領域のある一点とド
レイン領域のある一点が１つの直線上に並ぶように配置
する。

【０１３３】上記のように配置することで開口率を上
げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。

【０１３４】図９(Ａ)中、α‐α’間の断面を示したも
のが図９(Ｂ)である。駆動用ＴＦＴ６０７のように半導
体層を縦方向に蛇行させても良い。半導体層をこのよう
な形状とすることで、開口率を落とさず、駆動用ＴＦＴ
６０７のチャネル長をより長くすることが出来る。

【０１３５】また、図１１にアクティブマトリクス型発
光装置の外観図について説明する。なお、図１１（Ａ）
は、発光装置を示す上面図、図１１（Ｂ）は図１１
（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示さ
れた９０１はソース信号線駆動回路、９０２は画素部、
９０３はゲート信号線駆動回路である。また、９０４は
封止基板、９０５はシール剤であり、シール剤９０５で
囲まれた内側は、空間９０７になっている。

【０１３６】なお、９０８はソース信号線駆動回路９０
１及びゲート信号線駆動回路９０３に入力される信号を
伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ
（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ
信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣ
しか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線
基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書
における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それ
にＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含む
ものとする。

【０１３７】次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用
いて説明する。基板９１０上には駆動回路及び画素部が
形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信
号線駆動回路９０１と画素部９０２が示されている。

【０１３８】なお、ソース信号線駆動回路９０１はｎチ
ャネル型ＴＦＴ９０６とｐチャネル型ＴＦＴ９１５とを
組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回
路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ
回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本
実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ
ー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上で
はなく外部に形成することもできる。

【０１３９】また、画素部９０２は電流制御用ＴＦＴ９
１１とそのドレインに電気的に接続された第１の電極
（陽極）９１２を含む複数の画素により形成される。

【０１４０】また、第１の電極（陽極）９１２の両端に
は絶縁層９１３が形成され、第１の電極（陽極）９１２
上には有機化合物層９１４が形成される。さらに、有機
化合物層９１４上には第２の電極（陰極）９１６が形成
される。これにより、第１の電極（陽極）９１２、有機
化合物層９１４、及び第２の電極（陰極）９１６からな
る発光素子９１８が形成される。さらに、第２の電極上
９１６上に補助配線９１７が設けられている。また、９
１９はスイッチング用ＴＦＴである。ここでは発光素子
９１８は白色発光とする例であるので、着色層９２０ａ
とＢＭ９２０ｂからなるカラーフィルター（簡略化のた
め、ここではオーバーコート層は図示しない）を基板９
１０に貼り付けている。

【０１４１】第２の電極（陰極）９１６は全画素に共通
の配線としても機能し、接続配線９０８を経由してＦＰ
Ｃ９０９に電気的に接続されている。

【０１４２】また、基板９１０上に形成された発光素子
９１８を封止するためにシール剤９０５により封止基板
９０４を貼り合わせる。なお、封止基板９０４と発光素
子９１８との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペ
ーサを設けても良い。そして、シール剤９０５の内側の
空間９０７には窒素等の不活性気体が充填されている。
なお、シール剤９０５としてはエポキシ系樹脂を用いる
のが好ましい。また、シール剤９０５はできるだけ水分
や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さら
に、空間９０７の内部に酸素や水を吸収する効果をもつ
物質を含有させても良い。

【０１４３】また、本実施例では封止基板９０４を構成
する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fi
berglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニル
フロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル
等からなるプラスチック基板を用いることができる。ま
た、シール剤９０５を用いて封止基板９０４を接着した
後、さらに側面（露呈面）を覆うようにシール剤で封止
することも可能である。

【０１４４】以上のようにして発光素子を空間９０７に
封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断す
ることができ、外部から水分や酸素といった有機化合物
層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができ
る。

【０１４５】また、上記構造の作製工程の一例を図１０
に示す。

【０１４６】図１０（Ａ）は、塗布法による有機化合物
膜（ＰＥＤＯＴを含む積層）の形成後、蒸着マスクによ
って第２の電極（Ｌｉ−Ａｌからなる陰極）を選択的に
形成した段階での断面図である。なお、簡略化のため、
透明導電膜からなる陽極やＴＦＴの作製方法はここでは
省略する。

【０１４７】次いで、図１０（Ｂ）は、第２の電極をマ
スクとして自己整合的に有機化合物膜（ＰＥＤＯＴを含
む積層）をプラズマでエッチングした段階での断面図で
ある。

【０１４８】次いで、図１０（Ｃ）は、接続配線と接続
させるための第３の電極を選択的に形成した段階での断
面図である。なお、第２の電極と第３の電極は同じ材料
でもよいし、第３の電極の方を電気抵抗率が低い材料を
用いてもよい。

【０１４９】また、本実施例は、実施の形態１乃至５、
実施例１のいずれとも自由に組み合わせることができ
る。

【０１５０】［実施例３］本発明を実施することによっ
て有機発光素子を有するモジュール（アクティブマトリ
クス型ＥＬモジュール）を組み込んだ全ての電子機器が
完成される。

【０１５１】その様な電子機器としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴ
ーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジ
ェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子
書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１２、図
１３に示す。

【０１５２】図１２（Ａ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２０
０３、キーボード２００４等を含む。

【０１５３】図１２（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６等を含む。

【０１５４】図１２（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モ
ービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部
２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表
示部２２０５等を含む。

【０１５５】図１２（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイで
あり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０
３等を含む。

【０１５６】図１２（Ｅ）はプログラムを記録した記録
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０
３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含
む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄ
ｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ）、ＣＤ
等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネッ
トを行うことができる。

【０１５７】図１２（Ｆ）はデジタルカメラであり、本
体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作ス
イッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。

【０１５８】図１３（Ａ）は携帯電話であり、本体２９
０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示
部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０
６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７
等を含む。

【０１５９】図１３（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であ
り、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒
体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６
等を含む。

【０１６０】図１３（Ｃ）はディスプレイであり、本体
３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。

【０１６１】ちなみに図１３（Ｃ）に示すディスプレイ
は中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画
面サイズのものである。また、このようなサイズの表示
部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用
い、多面取りを行って量産することが好ましい。

【０１６２】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用すること
が可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態
１乃至５、実施例１、または実施例２のどのような組み
合わせからなる構成を用いても実現することができる。

【０１６３】

【発明の効果】本発明により、高分子系材料層の選択的
な形成を可能にすることで、外部電源と接続される配線
の接続部分（接続端子）に有機化合物層が形成されない
ような構造を簡単に形成することができる。

【０１６４】また、本発明により、カラーフィルタを設
けることによって円偏光板を不必要としコストを低減す
るとともに、塗りわけが必要でなくなるため、スループ
ットの向上および高精細化も実現可能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】断面図を示す図。（実施の形態１）

【図２】エッチング工程を示す図。（実施の形態
２）

【図３】乾燥剤の配置を示す上面図。（実施の形態
３）

【図４】素子構造を示す図である。（実施の形態
４）

【図５】白色発光を用いてフルカラー化する場合の
模式図である。（実施の形態４）

【図６】高分子材料と低分子材料の積層でフルカラ
ー化する場合の模式図である。（実施の形態５）

【図７】製造装置を示す図である。（実施例１）

【図８】画素上面図を示す図である。（実施の形態
１）

【図９】画素上面図を示す図である。（実施例１）

【図１０】工程図を示す図である。（実施例２）

【図１１】アクティブ型表示装置の断面図および上面
図。(実施例２)

【図１２】電子機器の一例を示す図。

【図１３】電子機器の一例を示す図。

【図１４】着色層の透過率を示す図。（実施の形態
４）

【図１５】色度座標を示す図。（実施の形態４）

【図１６】断面を示す写真図。（実施の形態１）

【図１７】断面を示す写真図。（比較例）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 ＺＦターム(参考） 3K007 AB17 AB18 BA06 BB05 BB06 DB03 FA01 FA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁表面を有する第１の基板と透光性を有
する第２の基板との間に、第１の電極と、該第１の電極
上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する
第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、
駆動回路と、端子部とを有する発光装置であって、前記
第１の電極の端部は、絶縁物で覆われており、該絶縁物
の側面は、第１の曲率半径を有する曲面と、第２の曲率
半径を有する曲面とを有し、前記絶縁物及び前記第１の
電極上に高分子材料を有する有機化合物層が設けられて
いることを特徴とする発光装置。
【請求項２】絶縁表面を有する第１の基板と透光性を有
する第２の基板との間に、第１の電極と、該第１の電極
上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する
第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、
駆動回路と、端子部とを有する発光装置であって、前記
第１の電極の端部は、絶縁物で覆われており、該絶縁物
の側面は、第１の曲率半径を有する曲面と、第２の曲率
半径を有する曲面と、前記絶縁物上に第３の電極とを有
し、前記絶縁物及び前記第１の電極上に高分子材料を有
する有機化合物層が設けられていることを特徴とする発
光装置。
【請求項３】請求項１または請求項２において、前記有
機化合物層は高分子材料からなる層と低分子材料からな
る層の積層であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一において、前
記有機化合物層は白色発光する材料であり、前記第２の
基板に設けられたカラーフィルタと組み合わせることを
特徴とする発光装置。
【請求項５】請求項１乃至３のいずれか一において、前
記有機化合物層は単色発光する材料であり、前記第２の
基板に設けられた色変換層または着色層と組み合わせた
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一において、前
記絶縁物の上端部に第１の曲率半径を有する曲面を有
し、前記絶縁物の下端部に第２の曲率半径を有する曲面
を有しており、前記第１の曲率半径および前記第２の曲
率半径は、０．２μｍ〜３μｍであることを特徴とする
発光装置。
【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一において、前
記第２の基板は凹部を有し、該凹部に乾燥剤が設けられ
たことを特徴とする発光装置。
【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一において、前
記第２の基板は乾燥剤が設けられた凹部を有し、該凹部
は前記第１の基板上に設けられた駆動回路と重なること
を特徴とする発光装置。
【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一において、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隔は２μｍ〜３０
μｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一において、
前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴー
グル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナル
コンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とす
る発光装置。
【請求項１１】陽極と、該陽極に接する有機化合物層
と、該有機化合物層に接する陰極とを有する発光素子を
有する発光装置の作製方法であって、前記第１の電極上
に塗布法で高分子材料からなる有機化合物膜を形成する
第１の工程と、真空中で加熱する第２の工程と、プラズマによるエッチ
ングで前記有機化合物膜を選択的にエッチングする第３
の工程と、該有機化合物膜上に第２の電極を選択的に形
成する第４の工程とを有することを特徴とする発光装置
の作製方法。
【請求項１２】陽極と、該陽極に接する有機化合物層
と、該有機化合物層に接する陰極とを有する発光素子を
有する発光装置の作製方法であって、前記第１の電極上
に塗布法で高分子材料からなる有機化合物膜を形成する
第１の工程と、真空中で加熱する第２の工程と、該有機化合物膜上に第
２の電極を選択的に形成する第３の工程と、プラズマに
よるエッチングで前記有機化合物膜を選択的にエッチン
グする第４の工程とを有することを特徴とする発光装置
の作製方法。
【請求項１３】陽極と、該陽極に接する有機化合物層
と、該有機化合物層に接する陰極とを有する発光素子を
有する発光装置の作製方法であって、第１の基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタと接続する第１の電極を形成する
工程と、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物を形成する工程と、前記絶縁物上に金属材料からなる第３の電極を形成する
工程と、前記第１の電極上に塗布法で高分子材料からなる有機化
合物膜を形成する工程と、真空中で加熱する工程と、プラズマによるエッチングで前記有機化合物膜をメタル
マスクにより選択的にエッチングして、第３の電極を露
呈させる工程と、該有機化合物膜上に透光性を有する材料からなる第２の
電極を選択的に形成する工程と、保護膜を形成する工程と、前記第１の基板と第２の基板を貼り合わせる工程とを有
することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】請求項１３において、前記保護膜は、酸
化珪素を主成分とする絶縁膜、窒化珪素を主成分とする
絶縁膜、炭素を主成分とする膜、またはこれらの積層膜
であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】請求項１１乃至１３のいずれか一におい
て、前記第１の電極はＴＦＴに電気的に接続している前
記発光素子の陽極、或いは陰極であることを特徴とする
発光装置の作製方法。
【請求項１６】請求項１１乃至１５のいずれか一におい
て、前記プラズマは、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、またはＯから選ば
れた一種または複数種のガスを励起して発生させること
を特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】請求項１１乃至１６のいずれか一におい
て、前記有機化合物層は白色発光する材料であり、前記
第２の基板に設けられたカラーフィルタと組み合わせる
ことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】請求項１１乃至１６のいずれか一におい
て、前記有機化合物層は単色発光する材料であり、前記
第２の基板に設けられた色変換層または着色層と組み合
わせることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】請求項１３乃至１６のいずれか一におい
て、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔は２μｍ
〜３０μｍであることを特徴とする発光装置の作製方
法。