JPH10335068A - 発光型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 従来のように短手方向の断面がＬ字状を呈す
るストライプ状対向電極を斜方蒸着法によって形成した
のでは、表示装置の高精細化に伴って当該ストライプ状
対向電極の抵抗値が比較的大きく増大する。 【解決手段】 基材１と、基材上のストライプ状下部電
極２と、その各々と交差する分離用リブ６と、ストライ
プ状下部電極上の発光部用材料層９ａ，９ｂと、これを
介してストライプ状下部電極と交差するストライプ状対
向電極１１とを備え、隣り合うストライプ状対向電極同
士を分離用リブによって分離し、個々のストライプ状対
向電極を、隣り合う分離用リブの間の主電極ライン部１
０ａと、これよりも面抵抗値が小さい分離用リブ表面上
の補助電極ライン部８ａ，８ｂとによって構成し、スト
ライプ状対向電極とストライプ状下部電極との平面視上
の交差部を画素として機能させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発光型表示装置に係
り、特に、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置
のように薄膜状の発光素子を画素として利用している発
光型表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】表示装置としては、従来よりＣＲＴ（陰
極線管）ディスプレイが主流を占めているが、より低電
圧で駆動させることができ、かつ消費電力が小さいフラ
ットパネルディスプレイの研究・開発も活発に進められ
ている。フラットパネルディスプレイは、液晶表示装置
に代表される受光型と、ＥＬ表示装置に代表される発光
型とに大別することができるが、発光型のフラットパネ
ルディスプレイは受光型のフラットパネルディスプレイ
よりも視野角依存性が低いという利点を有している。こ
のため、発光型のフラットパネルディスプレイ、特に、
低電圧駆動が可能な有機ＥＬ表示装置の研究・開発が現
在活発に進められている。

【０００３】有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬ素子を画素と
して利用した表示装置であり、有機ＥＬ素子は、陽極，
有機発光部，陰極がこの順番またはこれとは逆の順番で
基材上に順次積層された構成を基本的な層構成とする発
光素子である。当該有機ＥＬ素子では、陽極と陰極との
間に電圧を印加することによって、有機発光部に使用さ
れている有機発光材料の種類に応じた所定色の発光を得
る。そして、有機ＥＬ素子を発光させるのに要する印加
電圧は無機ＥＬ素子を発光させるのに要する印加電圧に
比べて大幅に低い。

【０００４】有機ＥＬ表示装置を得る場合には、まず基
材上に所定個の画素すなわち有機ＥＬ素子を形成する必
要があるが、例えばＸ−Ｙマトリックス型の有機ＥＬ表
示装置においては、個々の有機ＥＬ素子毎に対向電極
（発光部の形成後に当該発光部上に形成される電極を意
味する。以下同じ。）を形成するということをせずに、
特開平８−２２７２７６号公報の第１４図に示されてい
るように所定個の有機ＥＬ素子に共通する帯状（ストラ
イプ状）の対向電極（以下、この対向電極を「ストライ
プ状対向電極」という。）を必要本数形成する。

【０００５】また、特開平５−２７５１７２号公報に
は、光透過性基板上に互いに平行な複数本のストライプ
状下部電極（光透過性第一電極要素）を形成し、これら
のストライプ状下部電極と平面視上直交するようにして
複数の壁を所定ピッチで形成し、前記のストライプ状下
部電極を覆うようにして有機ＥＬ媒体層を形成した後、
前記の壁をマスクのように利用した斜方蒸着法によって
前記の壁の表面から前記の有機ＥＬ媒体層上に亘って複
数本のストライプ状対向電極（第二電極要素）を形成し
た有機ＥＬ表示装置が記載されている。この有機ＥＬ表
示装置における各ストライプ状対向電極の断面（短手方
向の垂直断面）は、対向電極材料が前記の壁の表面から
有機ＥＬ媒体層表面に亘って蒸着されていることから、
Ｌ字状を呈する。

【０００６】ところで、有機ＥＬ表示装置の開発の進展
に伴い、現在ではより表示品質の高い高精細な有機ＥＬ
表示装置の開発が望まれるようになってきており、これ
に伴って、例えばＸ−Ｙマトリックス型の有機ＥＬ表示
装置においてはストライプ状対向電極同士のピッチを概
ね１００μｍ以下にすることが望まれている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】高精細な発光型フラッ
トパネルディスプレイを得るためには画素（発光素子）
の密度を上げる必要があり、これに伴って下部電極およ
び対向電極を細線化することが必要になるが、この細線
化に伴って下部電極および対向電極それぞれの抵抗値が
増加する。そして、下部電極および対向電極それぞれの
抵抗値が増加すると、(1) 駆動時の電圧降下が大きくな
って画素（発光素子）同士の間での輝度ムラが大きくな
り、また、(2) 応答時間が長くなって速い動きを表示す
ることが困難になる。さらには、消費電力が増大する。

【０００８】また、単純マトリックス駆動タイプのフラ
ットパネルディスプレイを駆動させる場合、そのデュー
ティーは走査電極（下部電極または対向電極のいずれか
一方が走査電極として利用される。）の本数の逆数とな
る。このため、走査電極の本数を増加させるに従って、
換言すれば当該フラットパネルディスプレイを高精細化
するに従って、所望の輝度を得るうえで個々の画素（発
光素子）に流すことが必要となるパルス電流値が大きく
なる。そして、画素（発光素子）に流すパルス電流値が
大きくなるに従って消費電力が増大する。

【０００９】前述した特開平５−２７５１７２号公報に
開示されている有機ＥＬ表示装置のように、短手方向の
断面がＬ字状を呈するストライプ状対向電極（第二電極
要素）を形成するようにすれば、表示装置の高精細化を
図りつつ個々のストライプ状対向電極の短手方向の断面
積を容易に大きくすることができるので、その抵抗値を
低下させることが可能である。

【００１０】しかしながら、同公報に開示されている斜
方蒸着法によって形成された断面Ｌ字状のストライプ状
対向電極では、壁の表面上にまで対向電極材料を蒸着さ
せたことによる抵抗値（ストライプ状対向電極の抵抗
値）の低下、換言すれば、短手方向の断面積を大きくし
たことによる抵抗値（ストライプ状対向電極の抵抗値）
の低下が比較的小さいため、表示装置の高精細化に伴っ
てストライプ状対向電極の抵抗値が比較的大きく増大す
る。

【００１１】本発明の目的は、高精細化した場合でもス
トライプ状対向電極の抵抗値が小さいものを得ることが
容易な発光型表示装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の発光型表示装置は、基材と、該基材上に形成され
ている複数本のストライプ状下部電極と、該ストライプ
状下部電極の各々と平面視上交差するようにして前記の
基材上に形成されている複数個の分離用リブと、前記ス
トライプ状下部電極それぞれの上に形成されている発光
部用材料層と、該発光部用材料層を介して前記ストライ
プ状下部電極の各々と交差するように形成されている複
数本のストライプ状対向電極とを備え、隣り合うストラ
イプ状対向電極同士は前記分離用リブのいずれかによっ
て互いに分離されており、個々のストライプ状対向電極
は、隣り合う分離用リブの間に形成されている主電極ラ
イン部と、該主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくな
るようにして前記分離用リブの表面上に形成されている
補助電極ライン部とからなり、前記ストライプ状対向電
極と前記ストライプ状下部電極との平面視上の交差部が
画素として機能することを特徴とするものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の発光型表示装置は、上述し
たように、基材と、この基材上に形成されている複数本
のストライプ状下部電極と、これらのストライプ状下部
電極の各々と平面視上交差するようにして前記の基材上
に形成されている複数個の分離用リブと、前記のストラ
イプ状下部電極それぞれの上に形成されている発光部用
材料層と、当該発光部用材料層を介して前記のストライ
プ状下部電極の各々と交差するように形成されている複
数本のストライプ状対向電極とを備えている。

【００１４】ここで、上記の基材としては、目的とする
発光型表示装置において当該基材側を光取り出し面とす
る場合には、画素を構成している発光部からの発光に対
して高い透過性（概ね８０％以上）を与えるもの（以
下、このものを「透光性基材」という。）を用いること
が好ましい。また、基材側を光取り出し面としない場合
には、透光性基材を用いてもよいし、非透光性基材を用
いてもよい。

【００１５】透光性基材の具体例としては、アルカリガ
ラス，無アルカリガス等の透明ガラスからなるものや、
ポリイミド，ポリサルフォン等の透明樹脂からなるも
の、透光性アルミナ等の透明セラミックスからなるも
の、あるいは石英からなるもの等が挙げられる。一方、
非透光性基材を用いる場合、当該非透光性基材は有機材
料からなっていてもよいし、無機材料からなっていても
よい。

【００１６】基材はフィルム状物，シート状物および板
状物のいずれであってもよく、また、単層構造および複
数層構造のいずれの構造を有していてもよい。更には、
所望のストライプ状下部電極を形成することができさえ
すれば、電気絶縁性物質，半導体物質および導電性物質
のいずれからなっていてもよい。どのような基材を用い
るかは、目的とする発光型表示装置の用途や生産性等を
勘案して適宜選択可能である。

【００１７】上記の基材には複数本のストライプ状下部
電極が形成されている。個々のストライプ状下部電極の
平面視上の形状は、目的とする発光型表示装置における
画素（発光素子）の配置仕様に応じて適宜選択可能であ
る。例えば画素の配置パターンがモザイク型，ストライ
プ型または４画素配置型である場合には、直線状とする
ことができる。また、個々のストライプ状下部電極の大
きさおよびストライプ状下部電極同士のピッチは、目的
とする発光型表示装置における精細化の度合い等に応じ
て適宜選択される。例えば、高精細なＸ−Ｙマトリック
ス型の発光型表示装置（画素数が概ね４００個／ｃｍ²
以上のものを意味する。以下同じ。）を得ようとする場
合には、個々のストライプ状下部電極の平面視上の形状
を短手方向の幅が概ね５〜４９９μｍの直線状とし、こ
れらのストライプ状下部電極同士のピッチを概ね６〜５
００μｍとすることが好ましい。

【００１８】ストライプ状下部電極の材質は、目的とす
る発光型表示装置において上記の基材側を光取り出し面
とするか否かに応じて、適宜選択される。すなわち、目
的とする発光型表示装置において前述した基材側を光取
り出し面とする場合には、画素を構成している発光部で
生じた光がストライプ状下部電極を透過するようにその
材質を選択する。一方、目的とする発光型表示装置にお
いて前述した基材側を光取り出し面とせずに後述するス
トライプ状対向電極側を光取り出し面とする場合には、
ストライプ状下部電極は前記の発光部で生じた光に対し
て透光性を有していても有していなくてもよいので、当
該ストライプ状下部電極を陽極として利用するか陰極と
して利用するかに応じて、その材質を選択する。

【００１９】ストライプ状下部電極を陽極として利用す
る場合には、仕事関数が大きい（例えば４ｅＶ以上）金
属，合金，電気伝導性化合物またはこれらの混合物等を
当該ストライプ状下部電極の材料として用いることが好
ましく、その具体例としてはＡｕ等の金属や、ＣｕＩ，
ＩＴＯ，錫酸化物，亜鉛酸化物，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化
物等の導電性透明材料が挙げられる。一方、ストライプ
状下部電極を陰極として利用する場合には、仕事関数の
小さい（例えば４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化
合物，またはこれらの混合物等を当該ストライプ状下部
電極の材料として用いることが好ましく、その具体例と
してはナトリウム，ナトリウム−カリウム合金，マグネ
シウム，リチウム，マグネシウムと銀との合金または混
合金属，マグネシウム−銅混合物，アルミニウム，Ａｌ
／Ａｌ₂Ｏ₃ ，Ａｌ−Ｌｉ合金，インジウムやイッテル
ビウム等の希土類金属などが挙げられる。

【００２０】本発明の発光型表示装置においては、上述
したストライプ状下部電極の各々と交差するようにし
て、前述した基材上に複数個の分離用リブが設けられて
いる。これらの分離用リブは、後述する補助電極ライン
を形成するための下地であると共に、後述する互いに分
離したストライプ状対向電極を形成するための隔壁とし
ても利用されるものである。したがって、個々の分離用
リブにおける短手方向の垂直断面形状および当該垂直断
面の大きさは、所望の断面積（短手方向の断面積）を有
する補助電極ラインを形成することができるように、ま
た、互いに分離したストライプ状対向電極を形成するこ
とができるように、目的とする発光表示装置の用途，画
素の層構成（厚さ）等に応じて適宜選択される。個々の
分離用リブは一つの部材からなっていてもよいし、２以
上の部材からなっていてもよい。いずれの場合でも、当
該分離用リブの高さは概ね１〜３０μｍの範囲内で適宜
選択可能である。

【００２１】目的とする発光表示装置が有機ＥＬ表示装
置であるときには、前述したストライプ状下部電極と後
述する補助電極ライン部との短絡を防止しつつできるだ
け短手方向の断面積の大きい補助電極ライン部を形成す
るうえから、厚さ０．０１〜２μｍの台座部と当該台座
部上に形成された厚さ１〜２０μｍの頭部とによって高
さが概ね１〜２２μｍの分離用リブを形成し、かつ、こ
のときの頭部の幅を台座部の幅より小さくすると共に頭
部の厚さを台座部の厚さより厚くすることが好ましい。
前記の台座部の短手方向の垂直断面形状は、台座部上に
例えば有機発光層用材料層等の有機物層を形成するよう
にした場合でも当該台座部のエッジによって前記の有機
物層にピンホール等が発生するのを抑制するうえから、
テーパー状とすることが好ましい。また、前記の頭部の
短手方向の垂直断面形状は、互いに分離されたストライ
プ状対向電極を高い歩留まりの下に形成するうえから、
逆テーパ状とすることが好ましい。

【００２２】個々の分離用リブの短手方向の幅（分離用
リブが２以上の部材からなっている場合には、当該分離
用リブを構成している部材のうちで最も幅が広い部材の
幅を意味する。以下同じ。）、ならびに、隣り合う分離
用リブ同士の間のギャップ（平面視上のギャップを意味
する。以下同じ。）およびピッチは、分離用リブの短手
方向の垂直断面形状，目的とする発光型表示装置におけ
る精細化の度合い等に応じて適宜選択される。例えば、
高精細なＸ−Ｙマトリックス型の発光型表示装置を得よ
うとする場合には、個々の分離用リブの短手方向の幅を
概ね１〜１００μｍとし、隣り合う分離用リブ同士の間
のギャップを概ね１０〜５００μｍとし、隣り合う分離
用リブ同士のピッチを概ね１１〜６００μｍとすること
が好ましい。また、個々の分離用リブの長さは、後述す
るストライプ状対向電極の長さと同等もしくはそれ以上
とすることが好ましい。

【００２３】上述した分離用リブは、当該分離用リブに
よって前述したストライプ状下部電極同士が短絡しない
ように電気絶縁性材料によって形成される。この電気絶
縁性材料は、微細なパターニングを施すことが可能であ
れば有機材料および無機材料のいずれであってもよい
が、有機ＥＬ表示装置を得ようとする場合には、吸水率
（ＡＳＴＭ規格のＤ５７０に準拠した方法によって測定
した吸水率を意味する。以下同じ。）が０．５％以下で
あるものが好ましい。有機ＥＬ表示装置を得ようとする
場合に吸水率が０．５％を超える電気絶縁性材料によっ
て分離用リブを形成することは、次の理由から好ましく
ない。

【００２４】すなわち、吸水率が０．５％を超える電気
絶縁性材料によって分離用リブを形成した場合には、有
機ＥＬ表示装置の製造過程で当該分離用リブに水分が吸
収され易く、この水分が有機ＥＬ表示装置の製造後に経
時的に放出されて、画素である有機ＥＬ素子の対向電極
を酸化腐食させる危険性が高くなる。有機ＥＬ素子の対
向電極が酸化腐食すると当該有機ＥＬ素子の発光特性が
低下し、場合によっては全く発光しなくなってしまう。
したがって、有機ＥＬ表示装置を得ようとする場合に吸
水率が０．５％を超える電気絶縁性材料によって分離用
リブを形成することは好ましくない。

【００２５】分離用リブ用の好ましい有機材料として
は、例えばポリキノリン，ラダー型ポリシロキサンおよ
び環状構造を有するポリオレフィンが挙げられる。ま
た、(1)ポリクロロトリフルオロエチレン，ポリジクロ
ロジフルオロエチレン，クロロトリフルオロエチレンと
ジクロロジフルオロエチレンとの共重合体等のフッ素化
ポリオレフィン、(2) テトラフルオロエチレンと下式

【化１】 によって示される化合物との共重合体等のフッ素化環状
ポリオレフィン、(3) テトラフルオロエチレンとパーフ
ルオロアリルビニルエーテルとの共重合体，クロロトリ
フルオロエチレンとパーフルオロアリルビニルエーテル
との共重合体，テトラフルオロエチレンとパーフルオロ
アルキルビニルエーテルとの共重合体，クロロトリフル
オロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルと
の共重合体等のフッ素化ポリエーテル、および(4) フッ
素化ポリシロキサン、などのフッ素系樹脂も前記の有機
材料として好適である。なお、上述した有機材料に黒色
顔料や、青色顔料と赤色顔料と緑色顔料との混合物等を
分散させたものによって分離用リブを形成すれば、当該
分離用リブを表示装置用の遮光膜（いわゆる「ブラック
マトリクス」）として利用することが可能になるので、
更に好ましい。

【００２６】一方、分離用リブ用の好ましい無機材料と
しては、例えばＡｌ₂Ｏ₃ ，ＳｉＯ_x（１≦ｘ≦２），Ｓ
ｉＮ_x （０＜ｘ≦（４／３）），ＳｉＯＮ，ＳｉＡｌＯ
Ｎ，ＳｉＯＦ，α−Ｃおよびα−Ｃ：Ｆ（フッ素添加非
晶質カーボン）等が挙げられる。

【００２７】本発明の発光型表示装置においては、前述
したストライプ状下部電極それぞれの上に発光部用材料
層が形成されている。この発光部用材料層の材質および
層構成は、目的とする発光型表示装置の種類（例えば有
機ＥＬ表示装置や無機ＥＬ表示装置）に応じて適宜選択
される。

【００２８】目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示
装置である場合、当該有機ＥＬ表示装置における画素で
ある有機ＥＬ素子の層構成としては下記（１）〜
（４）、すなわち、 （１）陽極／有機発光層／陰極 （２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極 （３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極 （４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰
極 のものがあるが、上記（１）のタイプの有機ＥＬ素子を
形成しようとする場合には有機発光層用の材料層が本発
明でいう発光部用材料層に相当し、上記（２）のタイプ
の有機ＥＬ素子を形成しようとする場合には正孔注入層
用の材料層と有機発光層用の材料層との積層物が本発明
でいう発光部用材料層に相当し、上記（３）のタイプの
有機ＥＬ素子を形成しようとする場合には有機発光層用
の材料層と電子注入層用の材料層との積層物が本発明で
いう発光部用材料層に相当し、上記（４）のタイプの有
機ＥＬ素子を形成しようとする場合には正孔注入層用の
材料層と有機発光層用の材料層と電子注入層用の材料層
との積層物が本発明でいう有機発光部用材料層に相当す
る。

【００２９】有機ＥＬ素子における有機発光層は、通常
１種または複数種の有機発光材料によって形成される
が、有機発光材料と電子注入材料および／または正孔注
入材料との混合物や、当該混合物もしくは有機発光材料
を分散させた高分子材料等によって形成されていてもよ
い。また、正孔注入層と共に正孔輸送層が併用される有
機ＥＬ素子もあるが、本明細書でいう「正孔注入層」と
は、特に断らない限り、正孔注入層の単独層、正孔輸送
層の単独層、および正孔注入層と正孔輸送層との積層物
の総称である。

【００３０】目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示
装置である場合、本発明でいう発光部用材料層の層構成
は、前述したストライプ状下部電極と後述するストライ
プ状対向電極との間に電圧を印加することによって所望
の発光（ＥＬ光）が得られるものであれば特に限定され
るものではなく、適宜選択可能である。そして、発光部
用材料層を構成している層の材料も特に限定されるもの
ではなく、所望色の光（ＥＬ光）を出射する有機ＥＬ素
子が得られさえすれば種々の材料を使用することができ
る。同様のことが、無機ＥＬ表示装置を得る場合にもい
える。

【００３１】上述した発光部用材料層は、前述したスト
ライプ状下部電極および後述するストライプ状対向電極
と共に画素を構成するものであるので、少なくとも画素
を形成しようとする箇所におけるストライプ状下部電極
上に形成されている。勿論、当該箇所におけるストライ
プ状下部電極上の他にその周辺部に形成されていてもよ
い。なお、正孔注入層または電子注入層が下部電極上に
形成されている有機ＥＬ素子からなる画素を備えた発光
型表示装置（有機ＥＬ表示装置）を得ようとする場合に
は、正孔注入層または電子注入層を分離用リブとストラ
イプ状下部電極との交差部におけるストライプ状下部電
極上にまで亘って形成することもできる。

【００３２】上述した発光部用材料層上には、当該発光
部用材料層を介して前述したストライプ状下部電極と交
差するようにして複数本のストライプ状対向電極が形成
されている。そして、個々のストライプ状対向電極は、
隣り合う分離用リブの間に形成されている主電極ライン
部と、当該主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなる
ようにして前記の分離用リブの表面上に形成されている
補助電極ライン部とからなっている。

【００３３】１本のストライプ状対向電極を構成してい
る主電極ライン部は、このストライプ状対向電極と前述
したストライプ状下部電極との平面視上の交差部の全て
に共通するようにして形成された１個の電極である。こ
の主電極ライン部の平面視上の形状は例えば直線状とす
ることができる。主電極ライン部の材質は、当該主電極
ライン部を陽極として利用するか陰極として利用するか
に応じて適宜選択されるが、いずれの場合でも、ストラ
イプ状対向電極側を光取り出し面とする発光型表示装置
を得ようとする場合には、前述した発光部から出射され
る光が当該主電極ライン部を透過するようにその材質を
選択する。

【００３４】主電極ライン部を陽極として利用する場合
には、仕事関数が大きい（例えば４ｅＶ以上）金属，合
金，電気伝導性化合物またはこれらの混合物等を当該主
電極ライン部の材料として用いることが好ましく、その
具体例としてはＡｕ等の金属や、ＣｕＩ，ＩＴＯ，錫酸
化物，亜鉛酸化物，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物等の導電性
透明材料が挙げられる。一方、主電極ライン部を陰極と
して利用する場合には、仕事関数の小さい（例えば４ｅ
Ｖ以下）金属，合金，電気伝導性化合物，またはこれら
の混合物等を当該主電極ライン部の材料として用いるこ
とが好ましく、その具体例としてはナトリウム，ナトリ
ウム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネ
シウムと銀との合金または混合金属，マグネシウム−銅
混合物，アルミニウム，Ａｌ／Ａｌ₂Ｏ₃ ，Ａｌ−Ｌｉ
合金，インジウムやイッテルビウム等の希土類金属など
が挙げられる。

【００３５】上述した主電極ライン部と共にストライプ
状対向電極を構成している補助電極ライン部は、ストラ
イプ状対向電極の短手方向の断面積を増大させて当該ス
トライプ状対向電極の抵抗値を低下させると共に、高精
細化した場合でもストライプ状対向電極の抵抗値が小さ
い発光型表示装置を得るためのものであるので、前述し
たように、主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなる
ようにして分離用リブの表面上に形成されている。当然
のことながら、この補助電極ライン部は前述した主電極
ライン部と電気的に接続し得るようにして形成されてい
る。当該補助電極ライン部と主電極ライン部とはストラ
イプ状対向電極の長手方向の全長に亘って面接触してい
ることが好ましい。

【００３６】補助電極ライン部の面抵抗値は１０Ω／□
以下であることが好ましい。また、補助電極ライン部の
面抵抗値や抵抗値は、その材質および膜厚を適宜選択す
ることによって主電極ライン部の値より小さくすること
が好ましい。このとき、当該補助電極ライン部の膜厚を
主電極ライン部の膜厚より厚くすることが特に好まし
い。

【００３７】補助電極ライン部の材料としては、主電極
ライン部の材料にもよるが、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｄ等の単体金属や、これら
の金属同士もしくはこれらの金属と他の金属との２元以
上の合金（例えばＭｏ−Ｗ，Ｔａ−Ｗ，Ｔａ−Ｍｏ，Ａ
ｌ−Ｔａ，Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎｄ，Ａｌ−Ｚｒ等）、
ケイ素化合物であるＴｉＳｉ₂ ，ＺｒＳｉ₂ ，ＨｆＳｉ
₂ ，ＶＳｉ₂ ，ＴａＳｉ₂ ，ＣｒＳｉ₂ ，ＷＳｉ₂ ，Ｃ
ｏＳｉ₂ ，ＮｉＳｉ₂ 等、あるいは、これらの単体金
属，合金もしくはケイ素化合物の混合物を用いることが
できる。

【００３８】補助電極ライン部の抵抗値が酸化によって
経時的に増大するのを抑制するうえからは、仕事関数が
４．０ｅＶ以上の導電性材料（単体）によって補助電極
ライン部を形成するか、または、仕事関数が４．０ｅＶ
以上の導電性材料を含有している多成分の導電性材料に
よって補助電極ライン部を形成することが好ましい。ま
た、補助電極ライン部は単層構造のものでなければなら
ないというものではなく、必要に応じて複数層構造にし
てもよい。したがって、補助電極ライン部を複数層構造
とし、かつ、当該補助電極ライン部における最上層とし
て耐酸化性や耐腐食性の高い層を形成することにより、
酸化や腐食によって補助電極ライン部の抵抗値が経時的
に増大するのを抑制することが容易になる。複数層構造
の補助電極ライン部の具体例としては、Ａｌ層上にＴａ
層を設けたもの，Ａｌ層上にＭｏ層を設けたもの，Ｃｒ
層上にＡｕ層を設けたもの等が挙げられる。

【００３９】分離用リブの側面に補助電極ライン部を設
ける場合には、当該補助電極ライン部の膜厚を概ね０．
５〜１０μｍとすることが好ましい。補助電極ライン部
の膜厚が０．５μｍ未満では所望の電気的特性を有する
補助電極ライン部を形成することが困難になったり、補
助電極ライン部に断線が発生しやすくなったりする。一
方、補助電極ライン部の膜厚が１０μｍを超えると分離
用リブの幅方向の厚みに対する補助電極ライン部の膜厚
の割合が高くなることから、特に高精細の発光型表示装
置を得ようとした場合には、発光型表示装置の作製過程
で、あるいは外部から衝撃を受けたときに、分離用リブ
の形状が崩れて補助電極ライン部に断線が生じたり補助
電極ライン部とこれに近接する電極との間で短絡が生じ
たりする危険性が高くなる。

【００４０】高精細な発光型表示装置を得るにあたって
分離用リブの側面に補助電極ライン部を設ける場合に
は、補助電極ライン部の膜厚を０．５〜１０μｍにする
ことがより好ましく、０．５〜２μｍとすることが特に
好ましい。特に有機ＥＬ表示装置を得る場合には、厚肉
の主電極ライン部を形成しようとすると有機材料（有機
ＥＬ素子の発光部に使用されている有機発光材料，正孔
注入層用の有機材料または電子注入層用の有機材料を意
味する。）が熱的な劣化を起こしやすくなるので、低抵
抗のストライプ状対向電極を得るうえからは補助電極ラ
イン部の膜厚を厚くしてその抵抗を下げることが好まし
い。

【００４１】上述した補助電極ライン部は、主電極ライ
ン部よりも面抵抗値が小さくなるようにして、かつ、主
電極ライン部と電気的に接続し得るようにして分離用リ
ブの表面上に形成されていればよく、その形成位置は適
宜選択可能である。例えば分離用リブが一部材からなっ
ている場合には、当該分離用リブの側面のうちでその長
手方向に沿って延びている側面や、当該側面から上面に
かけて、補助電極ライン部を形成することができる。ま
た、分離用リブが前述した台座部と頭部とからなってい
る場合には、例えば、図７（ａ）に示す発光型表示装置
４０ａにおけるように補助電極ライン部４１を前記の台
座部４２の上部に形成するようにしてもよいし、図７
（ｂ）に示す発光型表示装置４０ｂや図７（ｃ）に示す
発光型表示装置４０ｃにおけるように補助電極ライン部
４１を前記の頭部４３の側面から当該頭部４３の上面
（分離用リブ４４の上面）にかけて形成するようにして
もよいし、図７（ｄ）に示す発光型表示装置４０ｄにお
けるように補助電極ライン部４１を前記の頭部４３の側
面にのみ形成するようにしてもよい。

【００４２】なお、図７（ａ）〜（ｄ）中の符号４５は
基材を、符号４６はストライプ状下部電極を、符号４７
は発光部用材料層を、符号４８は主電極ライン部をそれ
ぞれ示している。発光型表示装置４０ａ，４０ｂおよび
４０ｄにおいては、隣り合う２つの分離用リブ４４の間
に形成されている１つの主電極ライン部４８と当該主電
極ライン部４８に隣接する２つの補助電極ライン部４１
とによって１本のストライプ状対向電極４９が形成され
ており、発光型表示装置４０ｃにおいては隣り合う２つ
の分離用リブ４４の間に形成されている１つの主電極ラ
イン部４８と当該主電極ライン部４８に隣接する１つの
補助電極ライン部４１とによって１本のストライプ状対
向電極４９が形成されている。

【００４３】本発明の有機ＥＬ表示装置は、以上説明し
た基材，ストライプ状下部電極，分離用リブ，発光部用
材料層およびストライプ状対向電極を必須の構成部材と
して備えたものであり、当該発光型表示装置では、スト
ライプ状下部電極とストライプ状対向電極との平面視上
の交差部それぞれにおいて、基材側から順にストライプ
状下部電極，発光部用材料層，ストライプ状対向電極が
積層されている。したがって、これらの交差部はそれぞ
れ発光素子として機能し、当該発光素子は、ストライプ
状下部電極およびストライプ状対向電極を所定の駆動回
路に接続することによって個別に駆動させることができ
るものであるので、画素として機能させることができ
る。

【００４４】そして、本発明の発光型表示装置において
は前述した主電極ライン部と補助電極ライン部とによっ
てストライプ状対向電極を形成しているので、表示装置
の高精細化のためにストライプ状対向電極を細線化した
場合でも、補助電極ライン部の材質，幅，厚さ等を適宜
選択することによって当該ストライプ状対向電極の抵抗
値が小さい発光型表示装置（特に、有機ＥＬ表示装置や
無機ＥＬ表示装置のように薄膜状の発光素子を画素とし
ている発光型表示装置）を容易に得ることができる。

【００４５】上記の利点を有する本発明の発光型表示装
置は、前述した必須の構成部材の他に、必要に応じて封
止層を有していてもよい。ここで、本発明でいう封止層
とは、発光型表示装置を構成している発光素子に酸素等
のガスや水分が侵入するのを防止するために設けられる
層を意味する。例えば、有機ＥＬ素子に水分や酸素が侵
入すると、その発光特性や素子寿命が低下する。

【００４６】封止層の材料は、封止しようとする発光素
子の種類に応じて適宜選択可能である。有機ＥＬ素子用
の封止層の材料の具体例としては、例えば、テトラフル
オロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモ
ノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合
主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
イミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポ
リクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオ
ロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジ
フルオロエチレンとの共重合体、吸水率１％以上の吸水
性物質および吸水率０．１％以下の防湿性物質、Ｉｎ，
Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の
金属、ＭｇＯ，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂Ｏ₃ ，Ｇｅ
Ｏ，ＮｉＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃ ，Ｙ₂Ｏ₃ ，Ｔ
ｉＯ₂ 等の金属酸化物、ＭｇＦ₂ ，ＬｉＦ，ＡｌＦ₃ ，
ＣａＦ₂ 等の金属フッ化物、パーフルオロアルカン，パ
ーフルオロアミン，パーフルオロポリエーテル等の液状
フッ素化炭化水素および当該液状フッ素化炭化水素に水
分や酸素を吸着する吸着剤を分散させたもの等が挙げら
れる。

【００４７】以上説明した本発明の有機ＥＬ表示装置
は、例えば次のようにして作製することができる。ま
ず、所望の基材の片面に必要本数のストライプ状下部電
極を形成する。基材の材料および形態ならびにストライ
プ状下部電極の材料，形状，大きさ，ピッチ等について
は既に述べてあるので、ここではその説明を省略する。

【００４８】電気絶縁性材料からなる基材を用いた場合
のストライプ状下部電極の形成は、例えば、当該ストラ
イプ状下部電極の材料となる導電膜を真空蒸着法，スパ
ッタリング法およびイオンプレーティング法等の各種Ｐ
ＶＤ法や、各種ＣＶＤ法、あるいは塗布熱分解法等の方
法によって形成した後、この導電膜をフォトリソグラフ
ィー法，電子線リソグラフィー法，Ｘ線リソグラフィー
法等の各種リソグラフィー法によって所望形状にパター
ニングすることによって行うことができる。また、所定
形状のマスクを用いたＰＶＤ法，ＣＶＤ法，スクリーン
印刷法等の方法によって直接形成することも可能であ
る。

【００４９】一方、導電性材料からなる基材を用いた場
合（電気絶縁性材料からなる層と導電性材料からなる層
とを有している複数層構造の基材を用い、かつ、当該基
材における導電性材料からなる層にストライプ状下部電
極を形成する場合を含む。）のストライプ状下部電極の
形成は、例えば陽極酸化法，イオン注入法等の方法によ
って当該導電性材料からなる基材または前記導電性材料
からなる層の所望箇所にその厚さ方向の全長に亘って電
気絶縁部を形成することにより行うことができる。

【００５０】あるいは、ポリシリコン等の半導体の所望
箇所にホウ素，リン等をイオン注入することによって当
該箇所を低抵抗化し、ここをストライプ状下部電極とし
て利用することもできる。どのような方法によってスト
ライプ状下部電極を形成するかは、基材の材質，目的と
する発光型表示装置の用途，生産性等を勘案して適宜選
択可能である。

【００５１】ただし、ストライプ状下部電極の材料とな
る導電膜としてアルカリ金属またはアルカリ土類金属を
成分として含有している導電膜（複数層構造を呈し、そ
のうちの少なくとも１層がアルカリ金属またはアルカリ
土類金属を成分として含有している導電膜を含む。）を
使用し、この導電膜をリソグラフィー法によってパター
ニングしてストライプ状下部電極を形成しようとする場
合には、前記の導電膜と実質的に反応しない溶剤を用い
て除去することができる材料によってリソグラフィー用
のレジスト膜を形成することが好ましい。

【００５２】当該材料を用いてレジスト膜を形成するこ
とにより、その現像液，エッチング液（ただし、ウエッ
トエッチングによってパターニングする場合に限る。）
および剥離液としても上記の導電膜に対して実質的に不
活性な溶剤を使用することが可能になる。その結果とし
て、上記の導電膜の電極としての機能の低下を抑制しつ
つ所望のストライプ状下部電極を形成することが可能に
なる。

【００５３】上記「前記の導電膜と実質的に反応しない
溶剤を用いて除去することができる材料」の具体例とし
ては、分離用リブ用の好ましい有機材料として先に例示
した各種のフッ素系樹脂や、シリコーン樹脂などが挙げ
られる。また、上記「前記の導電膜と実質的に反応しな
い溶剤」の具体例としては、例えば下記のフッ素化炭化
水素が挙げられる。すなわち、直鎖状パーフルオロアル
カン（動粘度が０．１〜１ｃＳｔ程度のもの）等のフッ
素化低級パラフィン（炭素数が５０以下のもの）、パー
フルオロアミン等のフッ素化低級アミン（炭素数が２０
以下のもの）、およびパーフルオロポリエーテル（分子
量が１０００〜１００００程度のもの）等のフッ素化ポ
リエーテルなどが挙げられる。また、フッ素化シリコー
ンオイルも上記の溶剤として用いることができる。

【００５４】上述のようにしてストライプ状下部電極を
作製した後、当該ストライプ状下部電極が形成されてい
る側の基材の外表面（ストライプ状下部電極の表面を含
む。）に、前記のストライプ状下部電極の各々と交差す
るようにして複数個の分離用リブを形成する。ただし、
正孔注入層または電子注入層が下部電極上に形成されて
いる有機ＥＬ素子を備えた発光型表示装置（有機ＥＬ表
示装置）を得ようとする場合には、分離用リブの形成に
先立って、有機ＥＬ素子において正孔注入層となる正孔
注入層用材料層または有機ＥＬ素子において電子注入層
となる電子注入用材料層を必要に応じて形成してもよ
い。これらの正孔注入層用材料層または電子注入層用材
料層は、例えば前記のストライプ状下部電極を覆うよう
にして当該ストライプ状下部電極が形成されている側の
基板の外表面に形成される。

【００５５】分離用リブの形状およびその材質等につい
ては、本発明の発光型表示装置についての説明の中で既
に述べてあるので、ここではその説明を省略する。分離
用リブは、その材料となる所望膜厚の電気絶縁膜をスピ
ンコート法，塗布法，ディッピング法，ＰＶＤ法（物理
的気相蒸着法），ＣＶＤ（化学的気相蒸着法）法等、当
該電気絶縁膜の材質に応じた方法によって形成した後、
フォトリソグラフィー法，電子線リソグラフィー法，Ｘ
線リソグラフィー法等のリソグラフィー法やレーザービ
ーム加工、電子ビーム描画等の方法によって前記の電気
絶縁膜を所望形状にパターニングすることにより得るこ
とができる。このとき、ストライプ状下部電極の上（ス
トライプ状下部電極の上に正孔注入層用材料層または電
子注入層用材料層が既に形成されている場合には、当該
正孔注入層用材料層上または電子注入層用材料層上）に
残渣が残らないようにすることが好ましい。

【００５６】上述のようにして分離用リブを形成した
後、当該分離用リブが形成されている側の基材の外表面
に、発光素子において発光部となる光部用材料層を形成
する。発光部用材料層の層構成およびその材料について
は本発明の発光表示装置についての説明の中で既に述べ
てあるので、ここではその説明を省略する。

【００５７】発光部用材料層は、前述したストライプ状
下部電極および後述するストライプ状対向電極と共に発
光素子を構成するものであるので、少なくとも発光素子
を形成しようとする箇所におけるストライプ状下部電極
上（上記の正孔注入層用材料層または電子注入層用材料
層が既に形成されている場合には、当該箇所における正
孔注入層用材料層上または電子注入層用材料層上。以下
同様。）に形成する必要があるが、当該箇所におけるス
トライプ状下部電極上の他にその周辺の基材表面上（上
記の正孔注入層用材料層または電子注入層用材料層が既
に形成されている場合には、当該周辺の正孔注入層用材
料層上または電子注入層用材料層上。以下同様。）に形
成されていてもよい。発光素子を形成しようとする箇所
おけるストライプ状下部電極上の他にその周辺の基材表
面上にも発光部用材料層を形成するようにすれば、その
形成が簡便になる。

【００５８】発光部用材料層の形成方法は、その材質や
層構成に応じて適宜選択可能ある。目的とする発光型表
示装置が有機ＥＬ表示装置である場合には発光素子とし
て有機ＥＬ素子を形成するわけであるが、この場合、発
光部用材料層を形成するにあたっては、個々の有機ＥＬ
素子の発光特性が高い有機ＥＬ表示装置を得るうえか
ら、少なくとも有機発光層用の材料層については真空蒸
着法によって形成することが好ましい。有機ＥＬ素子用
の発光部用材料層を構成する他の層については、その材
料に応じて種々の方法を適用して形成することができる
が、真空蒸着法によって他の層も形成するようにすれ
ば、真空蒸着法のみによって発光部用材料層を形成する
ことができるので、実用上好都合である。

【００５９】上述した発光部用材料層の形成に引き続
き、当該発光部用材料層上に主電極ライン部用材料層を
形成する。このとき、発光部用材料層が形成されている
側の基材の外表面に形成された主電極ライン用材料層の
うちで隣り合う２つの分離用リブの間に形成されたもの
が主電極ライン部として機能することになる。主電極ラ
イン部の材質，膜厚等については本発明の発光型表示装
置についての説明の中で既に述べてあるので、ここでは
その説明を省略する。

【００６０】主電極ライン部用材料層を形成するにあた
っては、所望長の主電極ライン部が所望箇所に形成され
るように配慮する。主電極ライン部の形成は、その材質
に応じて、真空蒸着法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法等の方
法により行うことができる。目的とする発光型表示装置
が有機ＥＬ表示装置である場合には、発光特性の高い有
機ＥＬ素子を形成するうえから、主電極ライン部用材料
層の製膜はできるだけ低い基板温度の下にできるだけ迅
速に行うことが好ましい。

【００６１】上述のようにして主電極ライン部まで形成
することにより、当該主電極ライン部と前述したストラ
イプ状下部電極との平面視上の交差部それぞれに発光素
子が形成されるが、本発明の発光型表示装置を得るため
には、さらに補助電極ライン部を形成する。なお、分離
用リブの上面にも発光部用材料層や主電極ライン部用材
料を形成した場合には、補助電極ライン部の形成に先立
って、ドクターブレード法等の方法によってこれらの層
を予め除去しておいてもよい。

【００６２】補助電極ライン部の形成は、例えば次のよ
うにして行うことができる。まず、主電極ライン部が形
成されている側の基材の外表面全体にリフトオフ用の層
を形成し、この層をリソグラフィー法等の方法によって
所望形状、すなわち、補助電極ライン部を形成しようと
する箇所に開口部を有する形状にパターニングして、所
定形状の剥離膜を得る。次に、剥離膜上および前記の開
口部から裸出している部材の表面上にＰＶＤ法等によっ
て補助電極ライン部用材料層を形成する。この後、前記
の剥離層を当該剥離層上に形成されている不要の補助電
極ライン部用材料層ごと除去することにより、所望の補
助電極ライン部を得る。

【００６３】目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示
装置である場合には、有機ＥＬ素子の発光特性の低下を
抑制するうえから、当該有機ＥＬ素子に対して不活性な
溶剤、すなわち、有機ＥＬ素子の発光部に使用されてい
る有機材料（有機発光材料，正孔注入層用の有機材料お
よび電子注入層用の有機材料の総称である。以下同
じ。）または有機ＥＬ素子を構成している主電極ライン
部と実質的に反応しない溶剤を用いて除去することがで
きる材料によって形成することが好ましい。

【００６４】当該材料を用いて剥離層を形成することに
より、その現像液，エッチング液（ただし、ウエットエ
ッチングによってパターニングする場合に限る。）およ
び剥離液としても、上記の有機材料または主電極ライン
部に対して実質的に不活性な溶剤を使用することが可能
になる。その結果として、発光特性の高い有機ＥＬ素子
を形成することが可能になる。

【００６５】上記の「有機ＥＬ素子に対して不活性な溶
剤」としては、上記の有機材料の溶解度が０．００１％
以下のものが特に好ましく、その具体例としては、スト
ライプ状下部電極の形成についての説明の中で「前記の
導電膜と実質的に反応しない溶剤」として例示した溶剤
が挙げられる。また、上記の「有機ＥＬ素子に対して不
活性な溶剤を用いて除去することができる材料」の具体
例としては、分離用リブ用の好ましい有機材料として先
に例示した各種のフッ素系樹脂や、シリコーン樹脂など
が挙げられる。

【００６６】なお、剥離層を得るにあたって所定形状の
レジストパターンを用いた場合には、このレジストパタ
ーンを剥離した後に補助電極ライン部用材料層を成形し
てもよいし、このレジストパターンを剥離せずに残した
まま補助電極ライン部用材料層を成形してもよい。レジ
ストパターンを剥離せずに残したまま補助電極ライン部
用材料層を成形したとしても、剥離層を溶解除去すれば
当該剥離層上に形成されているレジストパターンおよび
不要の補助電極ライン部用材料層もまた除去されるの
で、目的とする補助電極ライン部を得ることができる。
また、剥離層の除去は当該剥離層が完全に除去されるま
で行わなければならないというものではなく、剥離層上
に形成されている層が除去されるまで行えば実用上は十
分である。剥離層の表層部が溶解されれば、当該剥離層
上に形成されている層は自ずと除去される。その結果と
して、補助電極ライン部を形成しようとする箇所以外の
箇所に形成されている不要の補助電極ライン部用材料層
が除去されるので、所望の補助電極ライン部が得られ
る。

【００６７】上述のようにして補助電極ライン部まで形
成することにより、前述した基材，ストライプ状下部電
極，分離用リブ，発光部用材料層およびストライプ状対
向電極を備えている本発明の発光型表示装置が得られ
る。ただし、本発明の発光型表示装置を製造方法するた
めの方法は上述の方法に限定されるものではない。例え
ば、補助電極ライン部が分離用リブの側面に形成されて
いるタイプの発光型表示装置は、分離用リブを形成した
後に当該分離用リブの側面に斜方蒸着法によって所望の
補助電極ライン部を形成し、その後に発光部用材料層お
よび主電極ライン部用材料層（主電極ライン部）を形成
するようにしても得ることができる。

【００６８】なお、前述したように、発光型表示装置を
構成している発光素子に水分や酸素が侵入するとその発
光特性や素子寿命が低下することがある。したがって、
発光素子を形成した後、必要に応じて、当該発光素子に
水分や酸素が侵入するのを防止するための封止層を形成
してもよい。封止層の材料については本発明の発光型表
示装置についての説明の中で既に述べてあるので、ここ
ではその説明を省略する。封止層を形成するにあたって
は、当該封止層の材料に応じてＰＶＤ法，ＣＶＤ法，ス
ピンコート法，キャスト法等の方法をを適宜適用するこ
とができるが、封止層形成時に発光素子の発光特性が低
下しないように留意する。

【００６９】封止層の材料として液状フッ素化炭化水素
や当該液状フッ素化炭化水素に水分や酸素を吸着する吸
着剤を分散させたもの等の液状物を用いる場合には、基
材上に形成されている発光素子（既に別の封止層があっ
てもよい。）の外側に、前記の基材と共同してこの発光
素子との間に空隙を形成しつつ当該発光素子を覆うハウ
ジング材を設け、前記の基材と前記のハウジング材とに
よって形成された空間に前記の液状物を充填することに
よって封止層を形成することが好ましい。前記のハウジ
ング材としては、吸水率の小さいガラスまたはポリマー
（例えば三フッ化塩化エチレン）からなるものが好適に
用いられる。ハウジング材を使用する場合には、上述し
た封止層を設けずに当該ハウジング材のみを設けてもよ
いし、ハウジング材を設けた後に、当該ハウジング材と
前記の基材とによって形成された空間に酸素や水を吸着
する吸着材の層を設けるか当該吸着材からなる粒子を分
散させてもよい。

【００７０】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ まず、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基材
であるガラス板１の片面に長さ８０ｍｍ，幅９０μｍ
（基部での幅を示す。），厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜か
らなるストライプ状下部電極２が１１０μｍピッチで所
定本数形成されている膜厚約１．１ｍｍのガラス基板３
（以下、このガラス基板を「下部電極付き基板３」とい
う。）を用意した。ストライプ状下部電極２それぞれの
短手方向の断面は、テーパ状を呈する。

【００７１】次に、下部電極付き基板３において前記の
ストライプ状下部電極２が形成されている側の外表面全
体に、回転数１２００ｒｐｍ，回転時間１０秒の条件の
スピンコート法によって市販の黒色レジストからなるレ
ジスト膜を形成し、このレジスト膜を８０℃で１５分間
プリベークした。そして、所定形状のネガ型マスクを用
いつつ前記プリベーク後のレジスト膜を露光し（露光光
の波長；３６５ｎｍ，照射量；７５０ｍＪ／ｃｍ² ）、
次いで現像を行って、前記プリベーク後のレジスト膜を
パターニングした。当該パターニング後のレジスト膜に
リンス処理を施してから２００℃で３０分間ポストベー
クし、これによって、図２（ａ）に示すように、分離用
リブ用の台座部４を所定個得た。台座部４のそれぞれは
長さ８０ｍｍ，幅３０μｍのストライプ状を呈し、その
膜厚は１．５μｍである。これらの台座部４はストライ
プ状下部電極２の各々と直交するようにして３３０μｍ
ピッチで形成されている。

【００７２】次いで、下部電極付き基板３において上記
の台座部４が形成されている側の外表面全体に、回転数
９００ｒｐｍ，回転時間３０秒の条件のスピンコート法
によって感光性ポリオレフィン系のネガ型レジスト（日
本ゼオン社製のＺＣＯＡＴ−１４１０）膜を形成し、こ
のレジスト膜を７０℃で３０分間プリベークした。そし
て、所定形状のフォトマスクを用いつつ前記プリベーク
後のレジスト膜を露光し（露光光の波長；４３６ｎｍ，
照射量；１２０ｍＪ／ｃｍ² ）、次いで現像を行って、
前記プリベーク後のレジスト膜をパターニングした。当
該パターニング後のレジスト膜を２５０℃で２時間キュ
アーし、これによって、図２（ｂ）に示すように、分離
用リブ用の頭部５を所定個得た。頭部５のそれぞれは長
さ８０ｍｍ，幅２０μｍのストライプ状を呈し、その高
さは１０μｍである。これらの頭部５はその長手方向が
台座部４の長手方向と一致するようにして当該台座部４
それぞれの上に１つづつ形成されている。

【００７３】台座部４それぞれの上に上記の頭部５を形
成することにより、台座部４と当該台座部４上に形成さ
れている頭部５とからなる分離用リブ６（図２（ｂ）参
照）が所定個得られた。これらの分離用リブ６の幅は３
０μｍであり、隣り合う分離用リブ６同士の間のギャッ
プは３００μｍ、隣り合う分離用リブ同士のピッチは３
３０μｍである。

【００７４】次に、上記の分離用リブ６まで形成した後
の下部電極付き基板３を真空蒸着装置の真空槽内に装置
し、図３（ａ）に示すように、分離用リブ６それぞれの
上面（頭部５それぞれの上面。ただし、図３（ａ）に示
した状態下での上面を意味する。）に当接するようにし
てマスク７を配置した。このマスク７には、図３（ａ）
に示すように、平面視したときに矩形を呈する開口部７
ａが所定ピッチでストライプ状に形成されている。ま
た、マスク７を分離用リブ６それぞれの上面に当接させ
るにあたっては、蒸着材料を図３（ａ）に示す矢印Ａの
方向から分離用リブ６それぞれの一方の側面（各分離用
リブ６において、その長手方向に沿って延びている計２
つの側面のうちの一方。）に蒸着させることができるよ
うに、換言すれば、分離用リブ６それぞれにおける頭部
５の一方の側面（各頭部５において、その長手方向に沿
って延びている計２つの側面のうちの一方。）にのみ蒸
着材料を蒸着させることができるように、当該マスク７
を配置した。

【００７５】この後、図３（ａ）に示した矢印Ａ方向か
らアルミニウム（Ａｌ）を蒸着させて、分離用リブ６そ
れぞれにおける頭部５の一方の側面にのみ、膜厚１μｍ
のＡｌ膜８ａ（図３（ｂ）参照）を製膜した。また、マ
スク７を所定方向にずらして配置し直し、かつ、蒸着材
料が所定方向から蒸着するように変更した以外は同様に
して斜方蒸着を行って、分離用リブ６それぞれにおける
頭部５の他方の側面（各頭部５において、その長手方向
に沿って延びている計２つの側面のうちの他方。）にも
膜厚１μｍのＡｌ膜８ｂ（図３（ｂ）参照）を製膜し
た。

【００７６】分離用リブ６それぞれにおける頭部５の側
面に製膜された各Ａｌ膜８ａ，８ｂは、互いに対向する
もの同士が１組となって、１本のストライプ状対向電極
を構成する補助電極ライン部として使用されるので、以
下、Ａｌ膜８ａを「補助電極ライン部８ａ」といい、Ａ
ｌ膜８ｂを「補助電極ライン部８ｂ」という。

【００７７】補助電極ライン部８ａ，８ｂまで形成した
後の下部電極付き基板３をイソプロピルアルコール中で
３分間超音波洗浄し、さらにＵＶとオゾンとを併用した
洗浄装置を用いて３０分間洗浄した後、当該洗浄後の下
部電極付き基板３を市販の真空蒸着装置（日本真空技術
社製）に入れ、基板ホルダーに固定した。そして、以下
の要領で正孔輸送層用材料層，有機発光層用材料層およ
び主電極ライン部用材料層を順次製膜して、目的とする
有機ＥＬ表示装置を得た。

【００７８】まず、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
ビス−（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニ
ル］−４，４’−ジアミン（以下、このものを「ＴＰ
Ｄ」と略記する。）を蒸着材料として用いて、下部電極
付き基板３においてストライプ状下部電極２が形成され
ている側の外表面に膜厚８０ｎｍの正孔輸送層用材料層
（ＴＰＤ層）を形成した。次に、有機発光材料の１つで
あるトリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウ
ム（以下、このものを「Ａｌｑ」と略記する。）を蒸着
材料として用いて、前記のＴＰＤ層上に膜厚７５ｎｍの
有機発光層用材料層（Ａｌｑ層）を形成した。後述する
ように、隣り合う２つの分離用リブ６の間に製膜された
ＴＰＤ層と当該ＴＰＤ層上に形成されたＡｌｑ層とは、
画素としての有機ＥＬ素子を得るための発光部用材料層
として使用される。

【００７９】次いで、ＭｇとＡｇとを蒸着材料として用
い、かつ、Ｍｇの蒸着レートを１．４ｎｍ／ｓ、Ａｇの
蒸着レートを０．１ｎｍ／ｓとしてこれらを前記の有機
発光層用材料層（Ａｌｑ層）上に蒸着させて、膜厚２０
０ｎｍの主電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）を形
成した。後述するように、隣り合う２つの分離用リブ６
の間に製膜された主電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ
層）は、前述した補助電極ライン部８ａ，８ｂと共に１
本のストライプ状対向電極を構成する。なお、前述した
正孔輸送層用材料層（ＴＰＤ層）の製膜から上述した主
電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）の製膜が終了す
るまでの間、真空蒸着装置の真空槽は１度も開放せず、
各層の製膜は連続して行った。

【００８０】図４に示すように、上述のようにして得ら
れた有機ＥＬ表示装置１５は、ガラス板からなる基材１
と、当該基材１の片面に形成された計６００本のストラ
イプ状下部電極２と、これらのストライプ状下部電極２
と直交するようにして形成された計２００本の分離用リ
ブ６と、これらの分離用リブ６それぞれにおける頭部５
の側面に形成された補助電極ライン部８ａ，８ｂと、隣
り合う２つの分離用リブ６（頭部５）の間にそれぞれ形
成された発光部用材料層９ａと、これらの発光部用材料
層９ａそれぞれの上に形成された主電極ライン部用材料
層１０ａとを有している。また、各分離用リブ６の上面
には発光部用材料層９ｂが形成されており、当該発光部
用材料層９ｂ上には主電極ライン部用材料層１０ｂが形
成されている。

【００８１】個々のストライプ状下部電極２は、長さ８
０ｍｍ，幅９０μｍ，厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜からな
り、これらのストライプ状下部電極２は１１０μｍピッ
チで形成されている。また、個々の分離用リブ６は台座
部４と当該台座部４上に形成された頭部５とからなって
おり、これらの分離用リブ６は、平面視したときに前記
のストライプ状下部電極２の各々と直交するようにして
形成されている。前記の頭部５においてその長手方向に
沿って延びている計２つの側面のうちの一方には膜厚１
μｍのＡｌ膜からなる補助電極ライン部８ａが形成され
ており、前記２つの側面のうちの他方には膜厚１μｍの
Ａｌ膜からなる補助電極ライン部８ｂが形成されてい
る。

【００８２】隣り合う２つの分離用リブ６（頭部５）の
間に形成されている発光部用材料層９ａ、および各分離
用リブ６の上面に形成されている発光部用材料層９ｂ
は、それぞれＴＰＤ層と当該ＴＰＤ層上に形成されたＡ
ｌｑ層とからなっており、これらの発光部用材料層９
ａ，９ｂ上に形成されている主電極ライン部用材料層１
０ａ，１０ｂは膜厚２００ｎｍのＭｇ−Ａｇ層からなっ
ている。そして、個々の主電極ライン部用材料層１０ａ
は、当該主電極ライン部用材料層１０ａにおける長手方
向の側面に接している補助電極ライン部８ａ，８ｂと共
に１本のストライプ状対向電極１１を形成している。す
なわち、発光部用材料層９ａそれぞれの上に形成されて
いる主電極ライン部用材料層１０ａが主電極ライン部に
相当する（以下、主電極ライン部用材料層１０ａを「主
電極ライン部１０ａ」という。）。

【００８３】個々の主電極ライン部１０ａは長さ７０ｍ
ｍ，幅３００μｍのストライプ状を呈し、これらの主電
極ライン部１０ａは、発光部用材料層９ａを介してスト
ライプ状下部電極２の各々と平面視上直交するようにし
て形成されている。主電極ライン部１０ａそれぞれの抵
抗値は２．８×１０³ Ω（面抵抗は２Ω／□）、補助電
極ライン部８ａ，８ｂそれぞれの抵抗値は２６５Ω（面
抵抗は０．６Ω／□）であり、１本のストライプ状対向
電極１１の抵抗値は２４０Ωである。

【００８４】上記の有機ＥＬ表示装置１５においては、
ストライプ状下部電極２，発光部用材料層９ａおよび主
電極ライン部１０ａの平面視上の交差部それぞれに有機
ＥＬ素子１２が形成されており、各有機ＥＬ素子１２は
画素として機能する。

【００８５】実施例２ まず、基材である厚さ約０．５ｍｍのガラス板の片面に
長さ８０ｍｍ，幅３００μｍ（基部での幅を示す。），
厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜からなるストライプ状下部電
極が３３０μｍピッチで所定本数形成されているガラス
基板（以下、このガラス基板を「下部電極付き基板」と
いう。）を用意した。ストライプ状下部電極それぞれの
短手方向の断面は、テーパ状を呈する。

【００８６】次に、下部電極付き基板において前記のス
トライプ状下部電極が形成されている側の外表面全体
に、回転数１５００ｒｐｍ，回転時間３５秒の条件のス
ピンコート法によって感光性ポリオレフィン系のネガ型
レジスト（日本ゼオン社製のＺＣＯＡＴ−１４１０）膜
を形成し、このレジスト膜を７０℃で３０分間プリベー
クした。そして、所定形状のフォトマスクを用いつつ前
記プリベーク後のレジスト膜を露光し（露光光の波長；
４３６ｎｍ，照射量；１２０ｍＪ／ｃｍ² ）、次いで現
像を行って、前記プリベーク後のレジスト膜をパターニ
ングした。当該パターニング後のレジスト膜を２５０℃
で２時間キュアーし、これによって分離用リブを所定個
得た。

【００８７】図５（ａ）に示すように、各分離用リブ２
４は長さ７０ｍｍ，幅２０μｍのストライプ状を呈し、
その高さは５．３μｍである。これらの分離用リブ２４
は上記のストライプ状下部電極２２の各々と直交するよ
うにして１１０μｍピッチで形成されている。なお、図
５（ａ）中の符号２１は上記のガラス板を示しており、
符号２３は上記の下部電極付き基板を示している。

【００８８】次に、上記の分離用リブ２４まで形成した
後の下部電極付き基板２３をイソプロピルアルコール中
で３分間超音波洗浄し、さらにＵＶとオゾンとを併用し
た洗浄装置を用いて３０分間洗浄した後、当該洗浄後の
下部電極付き基板２３を市販の真空蒸着装置（日本真空
技術社製）に入れ、基板ホルダーに固定した。そして、
実施例１におけるのと全く同じ要領で正孔輸送層用材料
層（ＴＰＤ層）と有機発光層用材料層（Ａｌｑ層）とか
らなる発光部用材料層ならびに主電極ライン部用材料層
（Ｍｇ−Ａｇ層）を順次形成した。この後、これらの層
のうちで分離用リブ２４の上面に形成されたものをドク
ターブレード法によって除去し、これによって、隣り合
う２つの分離用リブ２４の間に形成された正孔輸送層用
材料層（ＴＰＤ層）と有機発光層用材料層（Ａｌｑ層）
とからなる２層構造の発光部用材料層、ならびに、隣り
合う２つの分離用リブ２４の間に形成された主電極ライ
ン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）からなる主電極ライン部
を得た。

【００８９】次いで、図５（ｂ）に示すように、下部電
極付き基板２３において上記の発光部用材料層２５およ
び主電極ライン部２６が形成されている側の外表面全体
に膜厚３μｍのフッ素系樹脂層２７を形成し、当該フッ
素系樹脂層２７上にポジ型フォトレジスト膜２８を形成
した。前記のフッ素系樹脂層２７を形成するにあたって
はスピンコート法を利用し、コーティング液としては旭
ガラス社製のサイトップＣＴＬ−８００Ａを用いた。ス
ピンコーティングは乾燥窒素雰囲気中で行い、スピンコ
ーティングの初期の段階では下部電極ライン付き基板２
３の回転数を５００ｒｐｍとし、この回転数で１０秒間
回転させた後、回転数を１２００ｒｐｍに上げて更に３
０秒間回転させた。また、スピンコート後に８０℃で１
時間熱処理を施した。一方、上記のポジ型フォトレジス
ト膜２８を形成するにあたってもスピンコート法を利用
し、このときのスピンコーティングは、回転数３０００
ｒｐｍ、回転時間２０秒の条件の下に行った。

【００９０】次に、フォトリソグラフィ法によって上記
のポジ型フォトレジスト膜２８をパターニングして、図
５（ｃ）に示すように、当該ポジ型フォトレジスト膜２
８の所定箇所に平面視上の幅が３０μｍで、長さが７０
ｍｍの開口部２８ａを１１０μｍピッチ（ただし、平面
視上のピッチを意味する。）で形成した（開口部２８ａ
を形成した後のポジ型フォトレジスト膜を、以下、「レ
ジストパターン２８ｂ」という。）。個々の開口部２８
ａは、その長手方向が分離用リブ２４の長手方向と一致
するようにして、また、平面視したときに、１つの分離
用リブ２４と部分的に重なると共に当該分離用リブ２４
に隣接する主電極ライン部２６の１つとも部分的に重な
るようにして、ストライプ状に形成されている。

【００９１】上記のレジストパターン２８ｂを形成した
後、当該レジストパターン２８ｂをマスクとして利用し
つつ、ＣＨＦ₃ ガスとＣＦ₄ ガスとＡｒガスとをエッチ
ングガスとするドライエッチングを行って、図５（ｄ）
に示すように、フッ素系樹脂層２７に開口部２７ａを形
成した（開口部２７ａを形成した後のフッ素系樹脂層
を、以下、「剥離膜２７ｂ」という。）。当該開口部２
７ａは、レジストパターン２８ｂに形成されている前記
の開口部２８ａと平面視上重なる部分が除去されてでき
たものである。なお、ドライエッチング時におけるＣＨ
Ｆ₃ ガスおよびＣＦ₄ ガスの流量はそれぞれ２４ＳＣＣ
Ｍ、Ａｒガスの流量は９８ＳＣＣＭ、真空度は０．５To
rr、エッチング出力（プラズマ出力）は３００Ｗとし
た。

【００９２】この後、上記の剥離膜２７ｂまで形成した
後の下部電極付き基板２３をスパッタリング装置に移
し、剥離膜２７ｂをマスクとして利用しつつ補助電極ラ
イン部用のＡｌ膜の製膜を行い、当該Ａｌ膜の製膜後に
上記の剥離膜２７ｂをフッ素系溶剤（３Ｍ社製のフロリ
ナート）によってリフトオフして、目的とする有機ＥＬ
表示装置を得た。

【００９３】図６に示すように、上述のようにして得ら
れた有機ＥＬ表示装置３５は、ガラス板からなる基材２
１と、当該基材２１の片面に形成された計２００本のス
トライプ状下部電極２２と、これらのストライプ状下部
電極２２と直交するようにして形成された計６００本の
分離用リブ２４と、隣り合う２つの分離用リブ２４の間
にそれぞれ形成された発光部用材料層２５と、これらの
発光部用材料層２５それぞれの上に形成された主電極ラ
イン部２６と、分離用リブ２４の上面から当該分離用リ
ブ２４に隣接する１つの主電極ライン部２６の上面にか
けて形成された補助電極ライン部２９とを有している。

【００９４】個々のストライプ状下部電極２２は、長さ
８０ｍｍ，幅３００μｍ，厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜か
らなり、これらのストライプ状下部電極２２は３３０μ
ｍピッチで形成されている。また、個々の分離用リブ２
４は、長さ７０ｍｍ，幅３０μｍ，厚さ５．３μｍのフ
ォトレジスト膜からなり、これらの分離用リブ２４は１
１０μｍピッチで形成されている。隣り合う２つの分離
用リブ２４の間それぞれに形成されている発光部用材料
層２５は膜厚８０ｎｍのＴＰＤ層と当該ＴＰＤ層上に形
成された膜厚７５ｎｍのＡｌｑ層とからなっており、各
発光部用材料層２５上にそれぞれ形成されている主電極
ライン部２６は膜厚２００ｎｍのＭｇ−Ａｇ層からなっ
ている。個々の発光部用材料層２５および個々の主電極
ライン部２６は、長さ７０ｍｍ，幅８０μｍのストライ
プ状を呈し、これらの発光部用材料層２５および主電極
ライン部２６いずれも１１０μｍピッチで形成されてい
る。そして、各補助電極ライン部２９は、その長手方向
が分離用リブ２４の長手方向と一致するようにして形成
された長さ７０ｍｍのＡｌ膜からなっており、分離用リ
ブ２４の上面および側面における補助電極ライン部２９
の膜厚（Ａｌ膜の膜厚）はそれぞれ０．８μｍである。

【００９５】個々の主電極ライン部２６は、当該主電極
ライン部２６の上面から分離用リブ２４の上面にかけて
形成されている補助電極ライン部２９と共に１本のスト
ライプ状対向電極３０を形成しており、主電極ライン部
２６それぞれの抵抗値は２．８×１０³ Ω（面抵抗は２
Ω／□）、補助電極ライン部２９それぞれの抵抗値は１
３６Ω（面抵抗は０．５Ω／□）、１本のストライプ状
対向電極３０の抵抗値は１３０Ωである。

【００９６】上記の有機ＥＬ表示装置３５においては、
ストライプ状下部電極２２，発光部用材料層２５および
主電極ライン部２６の平面視上の交差部にそれぞれ有機
ＥＬ素子３１が形成されており、各有機ＥＬ素子３１は
画素として機能する。

【００９７】実施例３ 主電極ライン部を、膜厚５０ｎｍのＭｇ−Ａｇ層と当該
Ｍｇ−Ａｇ層上に形成された膜厚１５０ｎｍのＩｎ−Ｚ
ｎ−Ｏ系酸化物膜（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）
＝０．７）とからなる２層構造の導電膜によって形成し
た以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示装置を得
た。この有機ＥＬ表示装置を構成している上記の主電極
ライン部それぞれの抵抗値は１５×１０³ Ω（面抵抗は
１４Ω／□）、補助電極ライン部それぞれの抵抗値は２
５４Ω（面抵抗は０．５Ω／□）であり、１本のストラ
イプ状対向電極の抵抗値は２５０Ωである。

【００９８】比較例１ 補助電極ライン部を形成しなかった以外は実施例１と同
様にして、有機ＥＬ表示装置を得た。この有機ＥＬ表示
装置を構成しているストライプ状対向電極それぞれの抵
抗値は、２．８×１０³ Ωと極めて高かった。

【００９９】比較例２ 補助電極ライン部を形成しなかった以外は実施例３と同
様にして、有機ＥＬ表示装置を得た。この有機ＥＬ表示
装置を構成しているストライプ状対向電極それぞれの抵
抗値は、１５×１０³ Ωと極めて高かった。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光型表
示装置におては主電極ライン部と補助電極ライン部とに
よってストライプ状対向電極が形成されており、かつ、
補助電極ライン部は主電極ライン部よりも面抵抗値が小
さくなるようにして形成されているので、本発明によれ
ば対向電極の抵抗値が小さい高精細の発光型表示装置を
容易に提供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は実施例１で作製した下部電極付き
基板を当該下部電極付き基板に形成されているストライ
プ状下部電極の長手方向を望むようにしてみたときの概
略を示す部分断面図であり、図１（ｂ）は前記の下部電
極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されているス
トライプ状下部電極の短手方向を望むようにしてみたと
きの概略を示す部分断面図である。

【図２】図２（ａ）は実施例１で分離用リブ用の台座部
まで形成した後の下部電極付き基板を当該下部電極付き
基板に形成されている台座部の長手方向を望むようにし
てみたときの概略を示す部分断面図であり、図２（ｂ）
は実施例１で分離用リブまで形成した後の下部電極付き
基板を当下部電極付き基板に形成されている分離用リブ
の長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分
断面図である。

【図３】図３（ａ）は実施例１で補助電極ライン部を形
成する際の下部電極付き基板（分離用リブまで形成した
後のもの）とマスクとの位置関係を概略的に示す部分断
面図であり、図３（ｂ）は実施例１で補助電極ライン部
まで形成した後の下部電極付き基板を当下部電極付き基
板に形成されている分離用リブの長手方向を望むように
してみたときの概略を示す部分断面図である。

【図４】実施例１で作製した有機ＥＬ表示装置の概略を
一部切欠いた状態で示す断面斜視図である。

【図５】図５（ａ）は実施例２で分離用リブまで形成し
た後の下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成
されている分離用リブの長手方向を望むようにしてみた
ときの概略を示す部分断面図であり、図５（ｂ）は実施
例２で補助電極ライン部を形成するに先立ってレジスト
膜まで形成した後の下部電極付き基板を当該下部電極付
き基板に形成されている分離用リブの長手方向を望むよ
うにしてみたときの概略を示す部分断面図であり、図５
（ｃ）は実施例２で補助電極ライン部を形成するに先立
ってレジストパターンまで形成した後の下部電極付き基
板を当該下部電極付き基板に形成されている分離用リブ
の長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分
断面図であり、図５（ｄ）は実施例２で補助電極ライン
部を形成するに先立って剥離層まで形成した後の下部電
極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されている分
離用リブの長手方向を望むようにしてみたときの概略を
示す部分断面図である。

【図６】実施例２で作製した有機ＥＬ表示装置の概略を
示す部分断面図である。

【図７】本発明の発光型表示装置における補助電極ライ
ン部の形成例を概略的に示す部分断面図である。

【符号の説明】

１，２１，４５…基材、 ２，２２，４６…ストライプ
状下部電極、 ３，２３…下部電極付き基板、 ４，４
２…分離用リブの台座部、 ５，４３…分離用リブの頭
部、 ６，２４，４４…分離用リブ、 ８ａ，８ｂ，４
１…補助電極ライン部、 ９ａ，９ｂ，２５，４７…発
光部用材料層、 １０ａ，２６，４８…主電極ライン
部、 １１，３０，４９…ストライプ状対向電極、 １
２，３１…有機ＥＬ素子、 １５，３５…有機ＥＬ表示
装置、 ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ…発光型表示
装置。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材と、該基材上に形成されている複数
   本のストライプ状下部電極と、該ストライプ状下部電極
   の各々と交差するようにして前記の基材上に形成されて
   いる複数個の分離用リブと、前記ストライプ状下部電極
   それぞれの上に形成されている発光部用材料層と、該発
   光部用材料層を介して前記ストライプ状下部電極の各々
   と交差するように形成されている複数本のストライプ状
   対向電極とを備え、 隣り合うストライプ状対向電極同士は前記分離用リブの
   いずれかによって互いに分離されており、 個々のストライプ状対向電極は、隣り合う分離用リブの
   間に形成されている主電極ライン部と、該主電極ライン
   部よりも面抵抗値が小さくなるようにして前記分離用リ
   ブの表面上に形成されている補助電極ライン部とからな
   り、 前記ストライプ状対向電極と前記ストライプ状下部電極
   との平面視上の交差部が画素として機能する、ことを特
   徴とする発光型表示装置。
2. 【請求項２】 補助電極ライン部の膜厚が主電極ライン
   部の膜厚より厚い、請求項１に記載の発光表示装置。
3. 【請求項３】 分離用リブが台座部と該台座部よりも厚
   肉の頭部とからなる、請求項１または請求項２に記載の
   発光型表示装置。
4. 【請求項４】 補助電極ライン部の抵抗値が主電極ライ
   ン部の抵抗値未満である、請求項１〜請求項３のいずれ
   か１項に記載の発光型表示装置。
5. 【請求項５】 補助電極ライン部が、仕事関数が４．０
   ｅＶ以上の金属を含有している、請求項１〜請求項４の
   いずれか１項に記載の発光型表示装置。