JPH1154285A

JPH1154285A - 有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: JPH1154285A
Application number: JP9205126A
Authority: JP
Inventors: Masahide Matsuura; 正英松浦; Chishio Hosokawa; 地潮細川; Noboru Sakaeda; 暢栄田
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1997-07-31
Filing date: 1997-07-31
Publication date: 1999-02-26

Abstract

(57)【要約】【課題】外部より侵入する水分に対しても耐久性（耐
熱湿性）があり、高精細、均一発光であり、クロストー
クがなく、更に封止性能にも優れた有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を提供すること。【解決手段】基板２上の下部電極３と対向電極４との
間に、発光層を含む有機層５を設けた有機エレクトロル
ミネッセンス素子１において、非発光素子部分には層間
絶縁膜が設けてあり、該層間絶縁膜６の少なくとも一部
に吸水剤６を含有することを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネッセンス素子に関し、更に詳しくは、ディスプレイ等
に用いた場合に高精細で均一発光であり、封止性能に優
れた有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機
ＥＬ素子」と略記する）に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディスプレイ用の有機ＥＬ素子の
開発が、盛んに行われている。ディスプレイ用途では、
有機ＥＬ素子のパターンニングの高精細さ、発光面の均
一性、発光面のエッジの精密性等が要求される。又、高
精細パネル封止には、封止板を基板に貼り合わせた有機
ＥＬ素子が知られているが、貼り合わせ部から侵入する
酸素や水分により素子構成材料が酸化され素子が劣化す
るという問題がある。特に、電極エッジ部からのダーク
エリア（無発光領域）の成長による劣化が問題となって
いる。

【０００３】特開平３−２５０５８３号公報には、層間
絶縁膜を備えた素子であって、パターン精度が良好で発
光面の均一性の高い素子が開示されている。しかし、対
向電極の作製には、マスク蒸着法を用いる為、ラインピ
ッチが３００μｍ以下の高精細なディスプレイの作製が
困難であった。特開平５−１０１８８４号公報には、層
間絶縁膜を備えた素子であって、外表面を防湿性フィル
ムで覆った素子が開示されている。しかし、この素子
は、防湿性フィルムの封止力が不十分な為、数千時間の
放置後、水分や酸素によって陰極が侵され、ダークスポ
ット（発光の欠陥）が生じ易い。

【０００４】特開平５−２７５１７２号公報には、壁状
の層間絶縁膜を設け、斜め蒸着により陰極を形成するこ
とによりラインピッチが１００μｍ程度の高精細ディス
プレイが開示されている。しかし、斜め蒸着によって生
じる電極のエッジ（層間絶縁膜より離れている端）の合
金組成がずれる為、電極エッジでの酸化による劣化が激
しい。又、層間絶縁膜から放出される水分や外部より侵
入する水分により、ダークスポットやダークエリアが発
生し易い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、外部より侵
入する水分に対しても耐久性（対熱湿性）があり、高精
細、均一発光であり、クロストークがなく、更に封止性
能にも優れた有機ＥＬ素子の提供を目的とするものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成する為鋭意研究を重ねた結果、層間絶縁膜を備
え、この層間絶縁膜の少なくとも一部に吸水剤を含有す
る素子が、パターン精度が良く、クロストークのない高
精細ディスプレイであり、封止性能も優れ、かつ安価で
小型化、薄肉化が可能であることを見出した。本発明
は、かかる知見に基づいて完成したものである。

【０００７】即ち、本発明の要旨は次の通りである。（１）基板２上の下部電極３と対向電極４との間に、
発光層を含む有機層５を設けた有機エレクトロルミネッ
センス素子１において、非発光素子部分には層間絶縁膜
６が設けてあり、該層間絶縁膜６の少なくとも一部に吸
水剤１０を含有することを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス素子（図１）。

【０００８】（２）吸水剤１０の平均粒径が、０．０
３μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする請求項１
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。（３）吸水剤１０の含有量が、層間絶縁膜中の０．１
ｖｏｌ％以上９９ｖｏｌ％以下であることを特徴とする
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。

【０００９】（４）吸水剤１０として、活性化処理さ
れた吸水剤を用いることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。（５）層間絶縁膜６の断差部分９が、発光素子部分と
非発光素子部分の境界を規定していることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。

【００１０】以下、本発明について詳細に説明する。

【００１１】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の有機ＥＬ素子を構
成する層間絶縁膜について説明する。有機ＥＬ素子で
は、一対の下部電極と対向電極との間に、通電可能な有
機層を介在させる構成が知られている。ここで、下部電
極と対向電極との間に、絶縁膜を介在した箇所は、電流
が流れない為発光することができず、非発光性素子部分
となる。このような絶縁膜は層間絶縁膜と呼ばれ、層間
絶縁膜をパターン加工することにより、発光素子のパタ
ーン加工を行う技術が知られている（特開平３−２５０
５８３号公報）。

【００１２】本発明では、層間絶縁膜の形状は特に限定
されないが、層間絶縁膜が発光素子部分と非発光素子部
分とに分ける境界に位置すれば良い。ここで、層間絶縁
膜の高さをｈ、層間絶縁膜の上部の幅をＷ₁、層間絶縁
膜の下部の幅をＷ₂とすると、図２において、層間絶縁
膜６の形状を、下記式で表し

【００１３】

【数１】

【００１４】たとき、本発明では、好ましくはａ＜（ｈ
／７）であり、特に好ましくはａ＜（ｈ／１０）であ
る。好ましい形状としては、逆テーパー状が挙げられ、
ａ＜０となる場合がある。但し、発光部分と非発光部分
を分離する上で、逆テーパー状であることは必須ではな
い。例えば、テーパー状に加工した層間絶縁膜上に成膜
用マスクを配し、金属上部電極を分離形成し、成膜用マ
スクを除くことにより有機ＥＬ素子を形成する場合もあ
る。

【００１５】従来、この様な切り立った断差ができない
為に、対向電極を斜め蒸着することによって、対向電極
をパターン加工する技術（特開平５−２７５１７２号公
報）が知られており、この技術では、層間絶縁膜に対
し、斜め方向より対向電極を蒸着し形成する。しかし、
この技術では、図３に示す様な対向電極４のエッジが生
じ、このエッジ箇所１１で短絡や発光の不均一性が生じ
易い。又、斜め蒸着では、蒸着時の回り込みによって、
エッジ部分のパターン精度が落ちる為、微細なパターン
の加工性が低下する。更に、層間絶縁膜の材質によって
は、その中に含まれる水分が電極の酸化を促進し、劣化
を加速するという問題もあった。

【００１６】尚、層間絶縁膜を２層形成とし、１層目の
膜の断差部分では垂直に切り立てて、２層目の膜の断差
部分では、テーパー加工すれば発光素子部分を形成する
層間絶縁膜の開口部では、図９の様に切り立った断面と
テーパー断面に囲まれた箇所ができる。この切り立った
箇所では、対抗電極は断線するが、テーパー断面では断
線しない。本発明では、上記２つの層間絶縁膜の内、少
なくともどちらか一方に吸水剤を含有させる。

【００１７】本発明で用いられる層間絶縁膜の材質は、
高精細パターンニングが可能な材質である必要がある。
具体的には、例えば種々の絶縁性ポリマー、絶縁性酸化
物等が好ましく用いられる。特に好ましいポリマーとし
ては、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィ
ン、ポリアクリレート、フッ素系ポリマー、ポリキノリ
ン等であり、特に好ましい酸化物はＳｉＯ₂、フッ素系
添加ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、等である。

【００１８】更に、層間絶縁膜は絶縁性の他、低吸湿性
のものがより好ましく用いられる。特に好ましい層間絶
縁膜６は、吸湿能力が０．１％以下のものである。吸湿
性が高いものは、有機ＥＬ素子を保存した際、有機ＥＬ
素子作製中に混入した水分が滲みだすことにより、有機
ＥＬ素子の電極を酸化させることになり、有機ＥＬ素子
の劣化が生じる。又、発光欠陥（ダークスポット）の原
因となる。低吸湿性のポリマーを用いることは、特に加
工面で優れているので好ましい。特に好ましいものは、
フッ素系又はポリオレフィン系の層間絶縁膜である。

【００１９】層間絶縁膜は、感光性の機能を特に必要と
しないが、この機能を保有していると、フォトレジスト
を用いることなく、フォトリソグラフが可能となり便利
な場合がある。尚、感光性を付与したものは、ポリマ
ー、無機酸化物を問わずに市販されているので適宜使用
することができる。次に、層間絶縁膜の製膜及びパター
ンニング工程について説明する。

【００２０】本発明中の層間絶縁膜作製には、種々の製
膜方法及びパターンニング工程が用いられるが、フォト
リソグラフを用いた代表的な例を以下に示す。（ｉ）層間絶縁膜の製膜絶縁性ポリマーの場合には、ポリマー溶液又はポリマー
前駆体溶液を塗布、スピンコート、ディピング等により
製膜する（図５）。絶縁は酸化物の場合には、蒸着、Ｃ
ＶＤ、プラズマＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ、スパッタリン
グ、ＥＣＲ−スパッタリング等の各種の製膜方法にて行
うことができる。

【００２１】（ii）フォトレジストの感光及び現像各種のフォトレジストを用いることにより、これを感光
し、更に現像することにより、フォトレジストのパター
ンニングを行う（図６）。要求されるパターンの精細度
及び精度により、フォトレジスト及び露光法の選定を行
う。露光法には、各種の方法が知られているが、例えば
コンタクト露光法、縮小露光法等がある。

【００２２】（iii)パターンニング工程各種エッチング方法により、フォトレジストが残存して
いない部分をエッチング除去する（図７）。エッチング
方法としては、溶媒により層間絶縁膜を溶解し除去する
ウェットエッチング法、プラズマ等により層間絶縁膜を
分解除去するドライエッチング法があるが、ほぼ垂直に
層間絶縁膜を下部電極３の面に対し切り立てるには、ド
ライエッチング法が好ましい。

【００２３】ウェットエッチング法を用いる場合には、
基板に対し垂直方向の層間絶縁膜のエッチングの速度が
大きい溶媒を用いることが必要である。各種層間絶縁膜
に応じて、この溶媒が存在する場合は、ウェットエッチ
ング法を用いることが、生産コストの低減や生産性の向
上に繋がるので好ましい。ドライエッチング法を用いる
場合には、エッチングガスの選定が重要である。ポリイ
ミド、フッ素化ポリイミド、ポリオレフィン、ポリアク
リレート、ポリキノリン等のポリマーに対しては、酸素
プラズマを用いてエッチングすることが好ましい。一
方、フッ素系ポリマー、フッ素添加ＳｉＯ₂、ＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃等は、フッ化炭化ガスをプラズマによりラジ
カル化したものをエッチングガスとして用いることが好
ましい。フッ化炭化ガスとしては、ＣＨＦ₃、ＣＦ₄等が
特に好ましい。又、ハロゲン化ホウ素ガスを用いるこ
と、酸素、アルゴン等をフッ化炭化ガスに混合し用いる
ことも好適である。

【００２４】以上の様にして層間絶縁膜の作製工程を終
えることができるが、別の方法も存在する。酸化物を混
合したペーストをスクリーン印刷等により、製膜パター
ン化した後、数百度で焼成して、パターン加工された層
間絶縁膜を作製することができる。本発明においては、
層間絶縁膜は少なくとも一部に吸水剤を含有する。この
吸水剤が、外部より侵入する水分、又は層間絶縁膜に微
量に含有される水分を吸着することにより、電極を含む
素子構成材料の酸化によるダークエリアやダークスポッ
トの発生を抑制でき、有機ＥＬ素子の劣化を抑制でき
る。

【００２５】本発明における吸水剤１０は、水分を吸着
する材料であれば、特に限定されないが、吸水量が多
く、一度吸着した水分を放出しにくい性質を有している
ものが望ましい。吸水剤の形状は特に限定されるもので
はないが、粉状のものの方が吸着面積が大きくなるので
好ましい。吸水剤の平均粒径は、０．０３μｍ以上２μ
ｍ以下であることが吸水性能を高める上で好ましい。特
に好ましくは、平均粒径が０．１μｍ以上２μｍ以下で
ある。含有量は吸水剤の種類や粒径等に依存するので、
特に限定されないが、一般に含有量が低いと無発光領域
の抑制が不十分になり、又高含有量になると層間絶縁膜
の膜質が悪くなり、パターニング精度が低下する。又、
以下に示す様に吸水剤として導体を含有する場合は、層
間絶縁層が絶縁層としての機能を有する範囲の含有量に
限定する。

【００２６】この様な観点から、含有量は、好ましくは
０．１ｖｏｌ％以上９９ｖｏｌ％以下である。更に好ま
しくは、１ｖｏｌ％以上９０ｖｏｌ％以下である。尚、
吸水量を特に多くする為には、活性処理を施した吸水剤
を用いることが好ましい。吸水剤は、充分な吸着力を保
持した状態で使用することが望ましく、その為には、使
用する前に当該吸水剤に吸着されている水分を除去する
ことが好ましい。

【００２７】本発明での「活性化処理」とは、上記の様
に当該吸水剤に吸着している水分を除去する為の処理を
意味する。吸水剤の活性化処理は吸水剤の種類により異
なるが、例えば、吸水剤を加熱する、吸水剤を真空引き
する、吸水剤を不活性ガス気流中に放置する、吸水剤表
面を切削除去する方法等があり、これらの内２つ以上組
み合わせた方法により行うことが吸水剤に吸着あるいは
付着している水分の除去には効果的である。

【００２８】吸水剤の活性化処理は、例えば真空中や不
活性ガス雰囲気中等で行う場合の様に、当該吸水剤を外
気から隔離して行うことが望ましい。又、活性化処理後
も吸水性能を低下させない為にも、層間絶縁膜内に含有
する迄、例えば真空中や不活性ガス雰囲気中等に保存し
ておくことが好ましい。そして、上記層間絶縁膜材料と
吸水剤を混合する場合、真空中や不活性ガス雰囲気中等
で行う場合の様に、大気から隔離して行うことが望まし
い。

【００２９】本発明にて使用する吸水剤を具体的に挙げ
ると、シリカゲル、ゼオライト、活性アルミナ、チタニ
ア、ケイソウ土、活性炭、半水石膏、五酸化リン、過塩
素酸マグネシウム、水酸化カリウム、硫酸カルシウム、
臭化カルシウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、臭化亜
鉛、及び無水硫酸銅等の無機化合物やリチウム、ベリリ
ウム、カリウム、ナトリウム、マグネシウム、ルビジウ
ム、ストロンチウム、カルシウム等の金属及びこれらを
含有する金属合金、更には、アクリル系吸水系ポリマー
もしくはメタクリル系ポリマー等が挙げられる。これら
は、１種類のみを用いても良く、あるいは２種類以上を
併用しても良い。

【００３０】次に、有機ＥＬ素子について説明する。本
発明における有機ＥＬ素子の構成は特に限定されること
はなく、例えば次の様な構成が挙げられる。陽極／発光層／陰極陽極／正孔輸送層／発光層／陰極陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／陰極図１に示す有機層５とは、上記の正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、電子輸送層を意味する。但し、発光層以外
は、必ずしも有機物から形成される必要はなく、必要に
応じて無機半導体材料、その他を使用しても良い。本発
明において、各層に使用する材料は特に限定されるもの
ではない。

【００３１】次に、対向電極及びその作製工程について
説明する。対向電極４を陰極とするときは、アルカリ金
属含有合金、アルカリ土類金属含有合金が好ましい。特
に好ましい合金としては、Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｐ
ｂ：Ｌｉ、Ｚｎ：Ｌｉ、Ｂｉ：Ｌｉ、Ｉｎ：Ｌｉ、Ａ
ｌ：Ｃａ等である。これらは比較的耐食性があり、低仕
事関数であることが知られている。

【００３２】これらを製膜するときは、蒸着法、スパッ
タリング法が好ましく用いられ、特に好ましい方法は蒸
着法である。本発明では、蒸着方向は、特に限定される
ものではないが、基板面に対して直下より蒸着すること
が好ましい。対向電極４を陽極とするときは、透明性酸
化物を用いることが好ましい。特に好ましいものとして
は、ＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ₂：Ｓｂ、ＩｎＺｎ
Ｏ（インジウム亜鉛酸化物）が挙げられる。

【００３３】次に、本発明では、層間絶縁膜６の断面形
状には、例えば、ほぼ基板面に対し図８に示した３態様
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）が存在する。ここで、本発明に
おいては、｜ａ｜＜（ｈ／７）の範囲が好ましい。しか
し、本発明における層間絶縁膜の形状は、特に限定され
るものではない。又、本発明では、層間絶縁膜６の断差
が存在するが、対向電極４が断線しない箇所を作ること
も可能である。例えば、断差部分９に、ａ＞（ｈ／５）
のテーパー加工を行うならば、対向電極４は通常断線し
ない。

【００３４】従って、層間絶縁膜を２層形成し、１層目
の膜の断差部分では垂直に切り立てて、２層目の膜の断
差では、テーパー加工すれば発光素子部分を形成する層
間絶縁膜の開口部では、図９の様に切り立った断面とテ
ーパー断面に囲まれた箇所ができる。この切り立った箇
所では、対向電極は断線するが、テーパー断面では断線
しない。

【００３５】更に、本発明では、層間絶縁膜上の対向電
極４を形成しないように、蒸着マスクをかけることもで
きる（特開平３−２５０５８３号公報）。従って、層間
絶縁膜上に、対向電極４が存在しない部分を作ることも
可能である。上記の様な本発明は、例えば以下の様な態
様に対しても好適に用いることができる。

【００３６】（ｉ）本発明では、下部電極３を平行なス
トライプ型電極として多数形成し、更に本発明の層間絶
縁膜を該ストライプと垂直なストライプとして多数形成
することが可能である。この際、本発明を用いれば、Ｘ
−Ｙ型のマトリックスを形成することができる。図１０
は、この様なＸ−Ｙ型マトリックスを上部より観察した
ときの図であり、又、図１１は、このＸ−Ｙ型マトリッ
クスの断面図である。

【００３７】（ii）ＴＦＴ駆動やアクティブマトリック
ス駆動では、上記（ｉ）記載のＸ−Ｙ型マトリックスを
形成する必要がないが、この様な場合でも、本発明の素
子の構成を用いることができる。例えば、トランジスタ
ーを用いるアクティブマトリックス駆動では、画素毎に
図１２の回路が組み込まれている。この際、図１３の回
路配置の構成において、端部２５と画素電極に対応する
部分のみに本発明の層間絶縁膜の開口部を設けるなら
ば、対向電極Ｔｒ₁、Ｔｒ₂、ＳＣＡＮ（２０）、ＤＡＴ
Ａ（２１）、ＣＯＭＭＯＮ（２２）上の対向電極と画素
電極上の対向電極は、層間絶縁膜の断差により絶縁され
ることになる。

【００３８】従って、画素電極上の対向電極４のみに通
電することにより、Ｔｒ₁、Ｔｒ₂、ＳＣＡＮ、ＤＡＴ
Ａ、ＣＯＭＭＯＮは、画素電極上の対向電極４と導通す
ることが回避できる。従来は、層間絶縁膜の欠陥等によ
り対向電極と、Ｔｒ₁、Ｔｒ₂、ＳＣＡＮ、ＤＡＴＡ、Ｃ
ＯＭＭＯＮとの導通が生じ、画素欠陥が生じることが多
かったが、これらのことが回避できる。

【００３９】尚、ＳＣＡＮ、ＤＡＴＡ、ＣＯＭＭＯＮと
対向電極４が交差する部分、又、ＣＯＭＭＯＮとＳＣＡ
Ｎ、ＳＣＡＮとＤＡＴＡが交差する部分には、お互いが
絶縁する為に、予め別の層間絶縁膜が設けてあり、これ
らは層間絶縁膜上部の電極線が断線しないように、本発
明の層間絶縁膜とは異なり、垂直な断差は保有していな
い。従って、本発明では断差が垂直でない層間絶縁膜を
部分的に用いても良い。

【００４０】

【実施例】次に、本発明を実施例により更に詳しく説明
するが、本発明は、これらの例によって何ら限定される
ものではない。〔実施例１〕層間絶縁膜の作製３００μｍピッチでストライプ加工されたＩＴＯを保有
（ＩＴＯは下部電極）するガラス基板２（０．５ｍｍ
厚）上に活性化処理（２５０℃、１０^-6ｔｏｒｒの雰囲
気下で２時間処理）したアルミナ（平均粒径０．５μ
ｍ）を５０ｖｏｌ％含有した日本ゼオン社製ＺＣＯＡＴ
−１４１０（感光性ポリオレフィン系のネガタイプレジ
スト）をスピンコートにて製膜した。この時の回転数は
１５００ｒｐｍであり３５秒間回転させた。膜厚は５．
３μｍで製膜できていた。

【００４１】次にホットオーブンにて７０℃、３０分の
条件でベークした。次にフォトマスクを用い露光した。
この時の条件は、４３６ｎｍの紫外線露光で１２０ｍＪ
／ｃｍ²の照射量であった。露光パターンは幅２０μｍ
の層間絶縁膜であるＺＣＯＡＴ１４１０が１００μｍお
きに上記ＩＴＯパターンに垂直に、線状ラインとして残
る様にした。

【００４２】更に現像後、２５０℃２時間の条件で乾燥
窒素雰囲気下のクリーンオーブン中でキュアーを行い、
層間絶縁膜を作製した。〔実施例２〕有機ＥＬ素子作製及び封止性能・精細度
の評価実施例１で作製した試料をイソプロピルアルコールにて
３分間、超音波にて洗浄して更にＵＶとオゾンを併用し
た洗浄装置にて３０分間、洗浄を行った。次に市販（日
本真空技術社製）の真空蒸留装置に試料を入れて、基板
ホルダーに固定した。モリブテン製の抵抗加熱ボートに
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチル
フェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジ
アミン（以下、ＴＰＤと略記する）を２００ｍｇ入れ、
又前記モリブテン製の抵抗加熱ボートとは異なるモリブ
テン製の抵抗加熱ボートにトリス（８−ヒドロキシキノ
リノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑと略記する）を
２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０^-6ｔｏｒｒ迄排気し
た。その後ＴＰＤ入りのボートを加熱し、膜厚８０ｎｍ
の正孔輸送層を成膜した。これを真空槽から取り出すこ
となく、正孔輸送層の上にＡｌｑからなる膜厚７５ｎｍ
の発光層を成膜した。次に真空槽を開けることなく、予
め真空槽内に設けてある抵抗加熱ボートにＭｇとタング
ステンバスケットに銀が入ったものを加熱し、ＭｇとＡ
ｇの蒸着レートをそれぞれ１．４ｎｍ／ｓ、０．１ｎｍ
／ｓとして膜厚２００ｎｍのＭｇ：Ａｇ対向電極を製膜
した。これにより封止前の有機ＥＬ素子ができた。

【００４３】次に、有機ＥＬ素子上に不活性気体中（乾
燥窒素ガス中）にて封止板を接着した。封止板として厚
さ１００μｍのガラス板を用い、封止板の周囲を紫外線
硬化性接着剤を塗布し、封止板と有機ＥＬ素子を貼り合
わせ紫外線照射を行い封着した。これにより、本発明の
封止した有機ＥＬ素子が完成した。次にストリップライ
ンのうち、ＩＴＯの１本とＭｇ：Ａｇの１本を選び、Ｉ
ＴＯを＋（正）極、Ｍｇ：Ａｇを−（負）極として電圧
７Ｖを印加し、パターンの精度を光学顕微鏡下で調べた
ところ、パターン精度が±１μｍと極めて良好であり、
ＩＴＯとＭｇ：Ａｇのストライプの交差部分だけ発光し
た。

【００４４】又、全てのＭｇ：Ａｇストリップラインの
電圧印加を順次行い調べた結果、互いに短絡し繋がった
箇所はなく、本発明の有機ＥＬ素子の対向電極のパター
ンニングは良好であることが判明した。本発明の有機Ｅ
Ｌ素子を大気中６０℃、９０％ＲＨで１０００時間保存
しても、大きさ５０μｍφ以上の発光欠陥がなく、封上
性能も良好であることが確認された。

【００４５】又、同時にストリップラインのエッジの無
発光化状態を調べたところ、無発光幅は３μｍ以下であ
り、エッジも良好に規定されていることが判明した。更
に封止板を指で押さえ、有機ＥＬ素子の短絡の有無を確
認したところ、層間絶縁膜が柱となっている為、一切短
絡しなかった。〔比較例１〕実施例１と同様の工程により基板を作成し
た。但し、ガラス基板上にスピンコート製膜した感光性
ポリオレフィン系のネガタイプレジスト（日本ゼオン社
製ＺＣＯＡＴ−１４１０）には、実施例１に記載のアル
ミナを配合しなかった。更に、このガラス基板を用い
て、実施例２と同様にして有機ＥＬ素子を作成した。

【００４６】本発明の有機ＥＬ素子を大気中６０℃、９
０％ＲＨで１０００時間保存したところ、発光面の著し
い減少が認められた。具体的には、大きさ５０μｍφ以
上の発光欠陥が発生し、発光面内の発光の不均一さが目
立った。又、同時にストリップラインのエッジの無発光
化状態を調べたところ、無発光幅は１０μｍであり、画
素サイズが実施例２と比べて著しく低下していることが
判明した。

【００４７】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子は、層間絶縁膜の
少なくとも一部に含有される吸水剤が、外部より侵入す
る水分を吸着するので、耐久性（耐熱湿性）に優れる。
従って、苛酷な運転条件下においても高精細、均一発光
であり、クロストークがなく、かつ封止性能に優れた有
機ＥＬ素子である。

【００４８】この様な本発明の有機ＥＬ素子は、例えば
ＯＡ機器用、時計用等の高精細、均一発光のディスプレ
イ等に好適に用いられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の断面図である。

【図２】基板上の層間絶縁膜の断面図である。

【図３】対向電極の斜め蒸着時の断面図である。

【図４】本発明での対向電極蒸着後の断面図である。

【図５】層間絶縁膜の製膜時の断面図である。

【図６】フォトレジストのパターンニング後の断面図
である。

【図７】パターンニング工程でのエッチング除去の際
の断面図である。

【図８】層間絶縁膜の断面形状の図である。

【図９】層間絶縁膜を２層形成する際の立体図であ
る。

【図１０】Ｘ−Ｙ型マトリックスを上部より観察した
ときの図である。

【図１１】Ｘ−Ｙ型マトリックスの断面図である。

【図１２】アクティブマトリックス駆動の場合の回路
図である。

【図１３】アクティブマトリックス駆動の一例を示す
平面図である。

【符号の説明】

１・・・有機ＥＬ素子２・・・基板３・・・下部電極４・・・対向電極５・・・有機層６・・・層間絶縁膜７・・・封止板８・・・接着層９・・・断差部分１０・・・吸水剤１１・・・対向電極エッジ１２・・・パターン加工されたフォトレジスト１３・・・エッチング部分１４・・・開口部１５・・・一層目層間絶縁膜１６・・・二層目層間絶縁膜２０・・・ＳＣＡＮ電極線２１・・・ＤＡＴＡ電極線２２・・・ＣＯＭＭＯＮ電極線２３・・・コンデンサ２４・・・画素電極２５・・・層間絶縁膜の開口部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板２上の下部電極３と対向電極４との
間に、発光層を含む有機層５を設けた有機エレクトロル
ミネッセンス素子１において、非発光素子部分には層間
絶縁膜６が設けてあり、該層間絶縁膜６の少なくとも一
部に吸水剤１０を含有することを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子。
【請求項２】吸水剤１０の平均粒径が、０．０３μｍ
以上２μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】吸水剤１０の含有量が、層間絶縁膜中の
０．１ｖｏｌ％以上９９ｖｏｌ％以下であることを特徴
とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
【請求項４】吸水剤１０として、活性化処理された吸
水剤を用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】層間絶縁膜６の断差部分９が、発光素子
部分と非発光素子部分の境界を規定していることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。