JP3836944B2

JP3836944B2 - 発光型表示装置

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Publication number: JP3836944B2
Application number: JP14148997A
Authority: JP
Inventors: 正英松浦; 地潮細川; 暢栄田
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1997-05-30
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 2006-10-25
Anticipated expiration: 2017-05-30
Also published as: JPH10335068A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光型表示装置に係り、特に、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置のように薄膜状の発光素子を画素として利用している発光型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表示装置としては、従来よりＣＲＴ（陰極線管）ディスプレイが主流を占めているが、より低電圧で駆動させることができ、かつ消費電力が小さいフラットパネルディスプレイの研究・開発も活発に進められている。
フラットパネルディスプレイは、液晶表示装置に代表される受光型と、ＥＬ表示装置に代表される発光型とに大別することができるが、発光型のフラットパネルディスプレイは受光型のフラットパネルディスプレイよりも視野角依存性が低いという利点を有している。このため、発光型のフラットパネルディスプレイ、特に、低電圧駆動が可能な有機ＥＬ表示装置の研究・開発が現在活発に進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬ素子を画素として利用した表示装置であり、有機ＥＬ素子は、陽極，有機発光部，陰極がこの順番またはこれとは逆の順番で基材上に順次積層された構成を基本的な層構成とする発光素子である。当該有機ＥＬ素子では、陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、有機発光部に使用されている有機発光材料の種類に応じた所定色の発光を得る。そして、有機ＥＬ素子を発光させるのに要する印加電圧は無機ＥＬ素子を発光させるのに要する印加電圧に比べて大幅に低い。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置を得る場合には、まず基材上に所定個の画素すなわち有機ＥＬ素子を形成する必要があるが、例えばＸ−Ｙマトリックス型の有機ＥＬ表示装置においては、個々の有機ＥＬ素子毎に対向電極（発光部の形成後に当該発光部上に形成される電極を意味する。以下同じ。）を形成するということをせずに、特開平８−２２７２７６号公報の第１４図に示されているように所定個の有機ＥＬ素子に共通する帯状（ストライプ状）の対向電極（以下、この対向電極を「ストライプ状対向電極」という。）を必要本数形成する。
【０００５】
また、特開平５−２７５１７２号公報には、光透過性基板上に互いに平行な複数本のストライプ状下部電極（光透過性第一電極要素）を形成し、これらのストライプ状下部電極と平面視上直交するようにして複数の壁を所定ピッチで形成し、前記のストライプ状下部電極を覆うようにして有機ＥＬ媒体層を形成した後、前記の壁をマスクのように利用した斜方蒸着法によって前記の壁の表面から前記の有機ＥＬ媒体層上に亘って複数本のストライプ状対向電極（第二電極要素）を形成した有機ＥＬ表示装置が記載されている。この有機ＥＬ表示装置における各ストライプ状対向電極の断面（短手方向の垂直断面）は、対向電極材料が前記の壁の表面から有機ＥＬ媒体層表面に亘って蒸着されていることから、Ｌ字状を呈する。
【０００６】
ところで、有機ＥＬ表示装置の開発の進展に伴い、現在ではより表示品質の高い高精細な有機ＥＬ表示装置の開発が望まれるようになってきており、これに伴って、例えばＸ−Ｙマトリックス型の有機ＥＬ表示装置においてはストライプ状対向電極同士のピッチを概ね１００μｍ以下にすることが望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
高精細な発光型フラットパネルディスプレイを得るためには画素（発光素子）の密度を上げる必要があり、これに伴って下部電極および対向電極を細線化することが必要になるが、この細線化に伴って下部電極および対向電極それぞれの抵抗値が増加する。そして、下部電極および対向電極それぞれの抵抗値が増加すると、(1) 駆動時の電圧降下が大きくなって画素（発光素子）同士の間での輝度ムラが大きくなり、また、(2) 応答時間が長くなって速い動きを表示することが困難になる。さらには、消費電力が増大する。
【０００８】
また、単純マトリックス駆動タイプのフラットパネルディスプレイを駆動させる場合、そのデューティーは走査電極（下部電極または対向電極のいずれか一方が走査電極として利用される。）の本数の逆数となる。このため、走査電極の本数を増加させるに従って、換言すれば当該フラットパネルディスプレイを高精細化するに従って、所望の輝度を得るうえで個々の画素（発光素子）に流すことが必要となるパルス電流値が大きくなる。そして、画素（発光素子）に流すパルス電流値が大きくなるに従って消費電力が増大する。
【０００９】
前述した特開平５−２７５１７２号公報に開示されている有機ＥＬ表示装置のように、短手方向の断面がＬ字状を呈するストライプ状対向電極（第二電極要素）を形成するようにすれば、表示装置の高精細化を図りつつ個々のストライプ状対向電極の短手方向の断面積を容易に大きくすることができるので、その抵抗値を低下させることが可能である。
【００１０】
しかしながら、同公報に開示されている斜方蒸着法によって形成された断面Ｌ字状のストライプ状対向電極では、壁の表面上にまで対向電極材料を蒸着させたことによる抵抗値（ストライプ状対向電極の抵抗値）の低下、換言すれば、短手方向の断面積を大きくしたことによる抵抗値（ストライプ状対向電極の抵抗値）の低下が比較的小さいため、表示装置の高精細化に伴ってストライプ状対向電極の抵抗値が比較的大きく増大する。
【００１１】
本発明の目的は、高精細化した場合でもストライプ状対向電極の抵抗値が小さいものを得ることが容易な発光型表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成する本発明の発光型表示装置は、基材と、該基材上に形成されている複数本のストライプ状下部電極と、該ストライプ状下部電極の各々と平面視上交差するようにして前記の基材上に形成されている複数個の分離用リブと、前記ストライプ状下部電極それぞれの上に形成されている発光部用材料層と、該発光部用材料層を介して前記ストライプ状下部電極の各々と交差するように形成されている複数本のストライプ状対向電極とを備え、隣り合うストライプ状対向電極同士は前記分離用リブのいずれかによって互いに分離されており、個々のストライプ状対向電極は、隣り合う分離用リブの間に形成されている主電極ライン部と、該主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなるようにして前記分離用リブの表面上に形成されている補助電極ライン部とからなり、前記ストライプ状対向電極と前記ストライプ状下部電極との平面視上の交差部が画素として機能することを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の発光型表示装置は、上述したように、基材と、この基材上に形成されている複数本のストライプ状下部電極と、これらのストライプ状下部電極の各々と平面視上交差するようにして前記の基材上に形成されている複数個の分離用リブと、前記のストライプ状下部電極それぞれの上に形成されている発光部用材料層と、当該発光部用材料層を介して前記のストライプ状下部電極の各々と交差するように形成されている複数本のストライプ状対向電極とを備えている。
【００１４】
ここで、上記の基材としては、目的とする発光型表示装置において当該基材側を光取り出し面とする場合には、画素を構成している発光部からの発光に対して高い透過性（概ね８０％以上）を与えるもの（以下、このものを「透光性基材」という。）を用いることが好ましい。また、基材側を光取り出し面としない場合には、透光性基材を用いてもよいし、非透光性基材を用いてもよい。
【００１５】
透光性基材の具体例としては、アルカリガラス，無アルカリガス等の透明ガラスからなるものや、ポリイミド，ポリサルフォン等の透明樹脂からなるもの、透光性アルミナ等の透明セラミックスからなるもの、あるいは石英からなるもの等が挙げられる。一方、非透光性基材を用いる場合、当該非透光性基材は有機材料からなっていてもよいし、無機材料からなっていてもよい。
【００１６】
基材はフィルム状物，シート状物および板状物のいずれであってもよく、また、単層構造および複数層構造のいずれの構造を有していてもよい。更には、所望のストライプ状下部電極を形成することができさえすれば、電気絶縁性物質，半導体物質および導電性物質のいずれからなっていてもよい。どのような基材を用いるかは、目的とする発光型表示装置の用途や生産性等を勘案して適宜選択可能である。
【００１７】
上記の基材には複数本のストライプ状下部電極が形成されている。個々のストライプ状下部電極の平面視上の形状は、目的とする発光型表示装置における画素（発光素子）の配置仕様に応じて適宜選択可能である。例えば画素の配置パターンがモザイク型，ストライプ型または４画素配置型である場合には、直線状とすることができる。また、個々のストライプ状下部電極の大きさおよびストライプ状下部電極同士のピッチは、目的とする発光型表示装置における精細化の度合い等に応じて適宜選択される。例えば、高精細なＸ−Ｙマトリックス型の発光型表示装置（画素数が概ね４００個／ｃｍ² 以上のものを意味する。以下同じ。）を得ようとする場合には、個々のストライプ状下部電極の平面視上の形状を短手方向の幅が概ね５〜４９９μｍの直線状とし、これらのストライプ状下部電極同士のピッチを概ね６〜５００μｍとすることが好ましい。
【００１８】
ストライプ状下部電極の材質は、目的とする発光型表示装置において上記の基材側を光取り出し面とするか否かに応じて、適宜選択される。すなわち、目的とする発光型表示装置において前述した基材側を光取り出し面とする場合には、画素を構成している発光部で生じた光がストライプ状下部電極を透過するようにその材質を選択する。一方、目的とする発光型表示装置において前述した基材側を光取り出し面とせずに後述するストライプ状対向電極側を光取り出し面とする場合には、ストライプ状下部電極は前記の発光部で生じた光に対して透光性を有していても有していなくてもよいので、当該ストライプ状下部電極を陽極として利用するか陰極として利用するかに応じて、その材質を選択する。
【００１９】
ストライプ状下部電極を陽極として利用する場合には、仕事関数が大きい（例えば４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化合物またはこれらの混合物等を当該ストライプ状下部電極の材料として用いることが好ましく、その具体例としてはＡｕ等の金属や、ＣｕＩ，ＩＴＯ，錫酸化物，亜鉛酸化物，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物等の導電性透明材料が挙げられる。一方、ストライプ状下部電極を陰極として利用する場合には、仕事関数の小さい（例えば４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物，またはこれらの混合物等を当該ストライプ状下部電極の材料として用いることが好ましく、その具体例としてはナトリウム，ナトリウム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシウムと銀との合金または混合金属，マグネシウム−銅混合物，アルミニウム，Ａｌ／Ａｌ₂Ｏ₃ ，Ａｌ−Ｌｉ合金，インジウムやイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。
【００２０】
本発明の発光型表示装置においては、上述したストライプ状下部電極の各々と交差するようにして、前述した基材上に複数個の分離用リブが設けられている。
これらの分離用リブは、後述する補助電極ラインを形成するための下地であると共に、後述する互いに分離したストライプ状対向電極を形成するための隔壁としても利用されるものである。したがって、個々の分離用リブにおける短手方向の垂直断面形状および当該垂直断面の大きさは、所望の断面積（短手方向の断面積）を有する補助電極ラインを形成することができるように、また、互いに分離したストライプ状対向電極を形成することができるように、目的とする発光表示装置の用途，画素の層構成（厚さ）等に応じて適宜選択される。個々の分離用リブは一つの部材からなっていてもよいし、２以上の部材からなっていてもよい。いずれの場合でも、当該分離用リブの高さは概ね１〜３０μｍの範囲内で適宜選択可能である。
【００２１】
目的とする発光表示装置が有機ＥＬ表示装置であるときには、前述したストライプ状下部電極と後述する補助電極ライン部との短絡を防止しつつできるだけ短手方向の断面積の大きい補助電極ライン部を形成するうえから、厚さ０．０１〜２μｍの台座部と当該台座部上に形成された厚さ１〜２０μｍの頭部とによって高さが概ね１〜２２μｍの分離用リブを形成し、かつ、このときの頭部の幅を台座部の幅より小さくすると共に頭部の厚さを台座部の厚さより厚くすることが好ましい。前記の台座部の短手方向の垂直断面形状は、台座部上に例えば有機発光層用材料層等の有機物層を形成するようにした場合でも当該台座部のエッジによって前記の有機物層にピンホール等が発生するのを抑制するうえから、テーパー状とすることが好ましい。また、前記の頭部の短手方向の垂直断面形状は、互いに分離されたストライプ状対向電極を高い歩留まりの下に形成するうえから、逆テーパ状とすることが好ましい。
【００２２】
個々の分離用リブの短手方向の幅（分離用リブが２以上の部材からなっている場合には、当該分離用リブを構成している部材のうちで最も幅が広い部材の幅を意味する。以下同じ。）、ならびに、隣り合う分離用リブ同士の間のギャップ（平面視上のギャップを意味する。以下同じ。）およびピッチは、分離用リブの短手方向の垂直断面形状，目的とする発光型表示装置における精細化の度合い等に応じて適宜選択される。例えば、高精細なＸ−Ｙマトリックス型の発光型表示装置を得ようとする場合には、個々の分離用リブの短手方向の幅を概ね１〜１００μｍとし、隣り合う分離用リブ同士の間のギャップを概ね１０〜５００μｍとし、隣り合う分離用リブ同士のピッチを概ね１１〜６００μｍとすることが好ましい。また、個々の分離用リブの長さは、後述するストライプ状対向電極の長さと同等もしくはそれ以上とすることが好ましい。
【００２３】
上述した分離用リブは、当該分離用リブによって前述したストライプ状下部電極同士が短絡しないように電気絶縁性材料によって形成される。この電気絶縁性材料は、微細なパターニングを施すことが可能であれば有機材料および無機材料のいずれであってもよいが、有機ＥＬ表示装置を得ようとする場合には、吸水率（ＡＳＴＭ規格のＤ５７０に準拠した方法によって測定した吸水率を意味する。以下同じ。）が０．５％以下であるものが好ましい。有機ＥＬ表示装置を得ようとする場合に吸水率が０．５％を超える電気絶縁性材料によって分離用リブを形成することは、次の理由から好ましくない。
【００２４】
すなわち、吸水率が０．５％を超える電気絶縁性材料によって分離用リブを形成した場合には、有機ＥＬ表示装置の製造過程で当該分離用リブに水分が吸収され易く、この水分が有機ＥＬ表示装置の製造後に経時的に放出されて、画素である有機ＥＬ素子の対向電極を酸化腐食させる危険性が高くなる。有機ＥＬ素子の対向電極が酸化腐食すると当該有機ＥＬ素子の発光特性が低下し、場合によっては全く発光しなくなってしまう。したがって、有機ＥＬ表示装置を得ようとする場合に吸水率が０．５％を超える電気絶縁性材料によって分離用リブを形成することは好ましくない。
【００２５】
分離用リブ用の好ましい有機材料としては、例えばポリキノリン，ラダー型ポリシロキサンおよび環状構造を有するポリオレフィンが挙げられる。また、(1) ポリクロロトリフルオロエチレン，ポリジクロロジフルオロエチレン，クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体等のフッ素化ポリオレフィン、(2) テトラフルオロエチレンと下式
【化１】

によって示される化合物との共重合体等のフッ素化環状ポリオレフィン、(3) テトラフルオロエチレンとパーフルオロアリルビニルエーテルとの共重合体，クロロトリフルオロエチレンとパーフルオロアリルビニルエーテルとの共重合体，テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとの共重合体，クロロトリフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとの共重合体等のフッ素化ポリエーテル、および(4) フッ素化ポリシロキサン、などのフッ素系樹脂も前記の有機材料として好適である。なお、上述した有機材料に黒色顔料や、青色顔料と赤色顔料と緑色顔料との混合物等を分散させたものによって分離用リブを形成すれば、当該分離用リブを表示装置用の遮光膜（いわゆる「ブラックマトリクス」）として利用することが可能になるので、更に好ましい。
【００２６】
一方、分離用リブ用の好ましい無機材料としては、例えばＡｌ₂Ｏ₃ ，ＳｉＯ_x（１≦ｘ≦２），ＳｉＮ_x （０＜ｘ≦（４／３）），ＳｉＯＮ，ＳｉＡｌＯＮ，ＳｉＯＦ，α−Ｃおよびα−Ｃ：Ｆ（フッ素添加非晶質カーボン）等が挙げられる。
【００２７】
本発明の発光型表示装置においては、前述したストライプ状下部電極それぞれの上に発光部用材料層が形成されている。この発光部用材料層の材質および層構成は、目的とする発光型表示装置の種類（例えば有機ＥＬ表示装置や無機ＥＬ表示装置）に応じて適宜選択される。
【００２８】
目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合、当該有機ＥＬ表示装置における画素である有機ＥＬ素子の層構成としては下記（１）〜（４）、すなわち、
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
のものがあるが、上記（１）のタイプの有機ＥＬ素子を形成しようとする場合には有機発光層用の材料層が本発明でいう発光部用材料層に相当し、上記（２）のタイプの有機ＥＬ素子を形成しようとする場合には正孔注入層用の材料層と有機発光層用の材料層との積層物が本発明でいう発光部用材料層に相当し、上記（３）のタイプの有機ＥＬ素子を形成しようとする場合には有機発光層用の材料層と電子注入層用の材料層との積層物が本発明でいう発光部用材料層に相当し、上記（４）のタイプの有機ＥＬ素子を形成しようとする場合には正孔注入層用の材料層と有機発光層用の材料層と電子注入層用の材料層との積層物が本発明でいう有機発光部用材料層に相当する。
【００２９】
有機ＥＬ素子における有機発光層は、通常１種または複数種の有機発光材料によって形成されるが、有機発光材料と電子注入材料および／または正孔注入材料との混合物や、当該混合物もしくは有機発光材料を分散させた高分子材料等によって形成されていてもよい。また、正孔注入層と共に正孔輸送層が併用される有機ＥＬ素子もあるが、本明細書でいう「正孔注入層」とは、特に断らない限り、正孔注入層の単独層、正孔輸送層の単独層、および正孔注入層と正孔輸送層との積層物の総称である。
【００３０】
目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合、本発明でいう発光部用材料層の層構成は、前述したストライプ状下部電極と後述するストライプ状対向電極との間に電圧を印加することによって所望の発光（ＥＬ光）が得られるものであれば特に限定されるものではなく、適宜選択可能である。そして、発光部用材料層を構成している層の材料も特に限定されるものではなく、所望色の光（ＥＬ光）を出射する有機ＥＬ素子が得られさえすれば種々の材料を使用することができる。同様のことが、無機ＥＬ表示装置を得る場合にもいえる。
【００３１】
上述した発光部用材料層は、前述したストライプ状下部電極および後述するストライプ状対向電極と共に画素を構成するものであるので、少なくとも画素を形成しようとする箇所におけるストライプ状下部電極上に形成されている。勿論、当該箇所におけるストライプ状下部電極上の他にその周辺部に形成されていてもよい。
なお、正孔注入層または電子注入層が下部電極上に形成されている有機ＥＬ素子からなる画素を備えた発光型表示装置（有機ＥＬ表示装置）を得ようとする場合には、正孔注入層または電子注入層を分離用リブとストライプ状下部電極との交差部におけるストライプ状下部電極上にまで亘って形成することもできる。
【００３２】
上述した発光部用材料層上には、当該発光部用材料層を介して前述したストライプ状下部電極と交差するようにして複数本のストライプ状対向電極が形成されている。そして、個々のストライプ状対向電極は、隣り合う分離用リブの間に形成されている主電極ライン部と、当該主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなるようにして前記の分離用リブの表面上に形成されている補助電極ライン部とからなっている。
【００３３】
１本のストライプ状対向電極を構成している主電極ライン部は、このストライプ状対向電極と前述したストライプ状下部電極との平面視上の交差部の全てに共通するようにして形成された１個の電極である。この主電極ライン部の平面視上の形状は例えば直線状とすることができる。
主電極ライン部の材質は、当該主電極ライン部を陽極として利用するか陰極として利用するかに応じて適宜選択されるが、いずれの場合でも、ストライプ状対向電極側を光取り出し面とする発光型表示装置を得ようとする場合には、前述した発光部から出射される光が当該主電極ライン部を透過するようにその材質を選択する。
【００３４】
主電極ライン部を陽極として利用する場合には、仕事関数が大きい（例えば４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化合物またはこれらの混合物等を当該主電極ライン部の材料として用いることが好ましく、その具体例としてはＡｕ等の金属や、ＣｕＩ，ＩＴＯ，錫酸化物，亜鉛酸化物，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物等の導電性透明材料が挙げられる。一方、主電極ライン部を陰極として利用する場合には、仕事関数の小さい（例えば４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物，またはこれらの混合物等を当該主電極ライン部の材料として用いることが好ましく、その具体例としてはナトリウム，ナトリウム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシウムと銀との合金または混合金属，マグネシウム−銅混合物，アルミニウム，Ａｌ／Ａｌ₂Ｏ₃ ，Ａｌ−Ｌｉ合金，インジウムやイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。
【００３５】
上述した主電極ライン部と共にストライプ状対向電極を構成している補助電極ライン部は、ストライプ状対向電極の短手方向の断面積を増大させて当該ストライプ状対向電極の抵抗値を低下させると共に、高精細化した場合でもストライプ状対向電極の抵抗値が小さい発光型表示装置を得るためのものであるので、前述したように、主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなるようにして分離用リブの表面上に形成されている。当然のことながら、この補助電極ライン部は前述した主電極ライン部と電気的に接続し得るようにして形成されている。当該補助電極ライン部と主電極ライン部とはストライプ状対向電極の長手方向の全長に亘って面接触していることが好ましい。
【００３６】
補助電極ライン部の面抵抗値は１０Ω／□以下であることが好ましい。また、補助電極ライン部の面抵抗値や抵抗値は、その材質および膜厚を適宜選択することによって主電極ライン部の値より小さくすることが好ましい。このとき、当該補助電極ライン部の膜厚を主電極ライン部の膜厚より厚くすることが特に好ましい。
【００３７】
補助電極ライン部の材料としては、主電極ライン部の材料にもよるが、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔａ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｄ等の単体金属や、これらの金属同士もしくはこれらの金属と他の金属との２元以上の合金（例えばＭｏ−Ｗ，Ｔａ−Ｗ，Ｔａ−Ｍｏ，Ａｌ−Ｔａ，Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎｄ，Ａｌ−Ｚｒ等）、ケイ素化合物であるＴｉＳｉ₂ ，ＺｒＳｉ₂ ，ＨｆＳｉ₂ ，ＶＳｉ₂ ，ＴａＳｉ₂ ，ＣｒＳｉ₂ ，ＷＳｉ₂ ，ＣｏＳｉ₂ ，ＮｉＳｉ₂ 等、あるいは、これらの単体金属，合金もしくはケイ素化合物の混合物を用いることができる。
【００３８】
補助電極ライン部の抵抗値が酸化によって経時的に増大するのを抑制するうえからは、仕事関数が４．０ｅＶ以上の導電性材料（単体）によって補助電極ライン部を形成するか、または、仕事関数が４．０ｅＶ以上の導電性材料を含有している多成分の導電性材料によって補助電極ライン部を形成することが好ましい。また、補助電極ライン部は単層構造のものでなければならないというものではなく、必要に応じて複数層構造にしてもよい。したがって、補助電極ライン部を複数層構造とし、かつ、当該補助電極ライン部における最上層として耐酸化性や耐腐食性の高い層を形成することにより、酸化や腐食によって補助電極ライン部の抵抗値が経時的に増大するのを抑制することが容易になる。複数層構造の補助電極ライン部の具体例としては、Ａｌ層上にＴａ層を設けたもの，Ａｌ層上にＭｏ層を設けたもの，Ｃｒ層上にＡｕ層を設けたもの等が挙げられる。
【００３９】
分離用リブの側面に補助電極ライン部を設ける場合には、当該補助電極ライン部の膜厚を概ね０．５〜１０μｍとすることが好ましい。補助電極ライン部の膜厚が０．５μｍ未満では所望の電気的特性を有する補助電極ライン部を形成することが困難になったり、補助電極ライン部に断線が発生しやすくなったりする。一方、補助電極ライン部の膜厚が１０μｍを超えると分離用リブの幅方向の厚みに対する補助電極ライン部の膜厚の割合が高くなることから、特に高精細の発光型表示装置を得ようとした場合には、発光型表示装置の作製過程で、あるいは外部から衝撃を受けたときに、分離用リブの形状が崩れて補助電極ライン部に断線が生じたり補助電極ライン部とこれに近接する電極との間で短絡が生じたりする危険性が高くなる。
【００４０】
高精細な発光型表示装置を得るにあたって分離用リブの側面に補助電極ライン部を設ける場合には、補助電極ライン部の膜厚を０．５〜１０μｍにすることがより好ましく、０．５〜２μｍとすることが特に好ましい。特に有機ＥＬ表示装置を得る場合には、厚肉の主電極ライン部を形成しようとすると有機材料（有機ＥＬ素子の発光部に使用されている有機発光材料，正孔注入層用の有機材料または電子注入層用の有機材料を意味する。）が熱的な劣化を起こしやすくなるので、低抵抗のストライプ状対向電極を得るうえからは補助電極ライン部の膜厚を厚くしてその抵抗を下げることが好ましい。
【００４１】
上述した補助電極ライン部は、主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなるようにして、かつ、主電極ライン部と電気的に接続し得るようにして分離用リブの表面上に形成されていればよく、その形成位置は適宜選択可能である。例えば分離用リブが一部材からなっている場合には、当該分離用リブの側面のうちでその長手方向に沿って延びている側面や、当該側面から上面にかけて、補助電極ライン部を形成することができる。また、分離用リブが前述した台座部と頭部とからなっている場合には、例えば、図７（ａ）に示す発光型表示装置４０ａにおけるように補助電極ライン部４１を前記の台座部４２の上部に形成するようにしてもよいし、図７（ｂ）に示す発光型表示装置４０ｂや図７（ｃ）に示す発光型表示装置４０ｃにおけるように補助電極ライン部４１を前記の頭部４３の側面から当該頭部４３の上面（分離用リブ４４の上面）にかけて形成するようにしてもよいし、図７（ｄ）に示す発光型表示装置４０ｄにおけるように補助電極ライン部４１を前記の頭部４３の側面にのみ形成するようにしてもよい。
【００４２】
なお、図７（ａ）〜（ｄ）中の符号４５は基材を、符号４６はストライプ状下部電極を、符号４７は発光部用材料層を、符号４８は主電極ライン部をそれぞれ示している。発光型表示装置４０ａ，４０ｂおよび４０ｄにおいては、隣り合う２つの分離用リブ４４の間に形成されている１つの主電極ライン部４８と当該主電極ライン部４８に隣接する２つの補助電極ライン部４１とによって１本のストライプ状対向電極４９が形成されており、発光型表示装置４０ｃにおいては隣り合う２つの分離用リブ４４の間に形成されている１つの主電極ライン部４８と当該主電極ライン部４８に隣接する１つの補助電極ライン部４１とによって１本のストライプ状対向電極４９が形成されている。
【００４３】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、以上説明した基材，ストライプ状下部電極，分離用リブ，発光部用材料層およびストライプ状対向電極を必須の構成部材として備えたものであり、当該発光型表示装置では、ストライプ状下部電極とストライプ状対向電極との平面視上の交差部それぞれにおいて、基材側から順にストライプ状下部電極，発光部用材料層，ストライプ状対向電極が積層されている。したがって、これらの交差部はそれぞれ発光素子として機能し、当該発光素子は、ストライプ状下部電極およびストライプ状対向電極を所定の駆動回路に接続することによって個別に駆動させることができるものであるので、画素として機能させることができる。
【００４４】
そして、本発明の発光型表示装置においては前述した主電極ライン部と補助電極ライン部とによってストライプ状対向電極を形成しているので、表示装置の高精細化のためにストライプ状対向電極を細線化した場合でも、補助電極ライン部の材質，幅，厚さ等を適宜選択することによって当該ストライプ状対向電極の抵抗値が小さい発光型表示装置（特に、有機ＥＬ表示装置や無機ＥＬ表示装置のように薄膜状の発光素子を画素としている発光型表示装置）を容易に得ることができる。
【００４５】
上記の利点を有する本発明の発光型表示装置は、前述した必須の構成部材の他に、必要に応じて封止層を有していてもよい。ここで、本発明でいう封止層とは、発光型表示装置を構成している発光素子に酸素等のガスや水分が侵入するのを防止するために設けられる層を意味する。例えば、有機ＥＬ素子に水分や酸素が侵入すると、その発光特性や素子寿命が低下する。
【００４６】
封止層の材料は、封止しようとする発光素子の種類に応じて適宜選択可能である。有機ＥＬ素子用の封止層の材料の具体例としては、例えば、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質および吸水率０．１％以下の防湿性物質、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂Ｏ₃ ，ＧｅＯ，ＮｉＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃ ，Ｙ₂Ｏ₃ ，ＴｉＯ₂ 等の金属酸化物、ＭｇＦ₂ ，ＬｉＦ，ＡｌＦ₃ ，ＣａＦ₂ 等の金属フッ化物、パーフルオロアルカン，パーフルオロアミン，パーフルオロポリエーテル等の液状フッ素化炭化水素および当該液状フッ素化炭化水素に水分や酸素を吸着する吸着剤を分散させたもの等が挙げられる。
【００４７】
以上説明した本発明の有機ＥＬ表示装置は、例えば次のようにして作製することができる。
まず、所望の基材の片面に必要本数のストライプ状下部電極を形成する。基材の材料および形態ならびにストライプ状下部電極の材料，形状，大きさ，ピッチ等については既に述べてあるので、ここではその説明を省略する。
【００４８】
電気絶縁性材料からなる基材を用いた場合のストライプ状下部電極の形成は、例えば、当該ストライプ状下部電極の材料となる導電膜を真空蒸着法，スパッタリング法およびイオンプレーティング法等の各種ＰＶＤ法や、各種ＣＶＤ法、あるいは塗布熱分解法等の方法によって形成した後、この導電膜をフォトリソグラフィー法，電子線リソグラフィー法，Ｘ線リソグラフィー法等の各種リソグラフィー法によって所望形状にパターニングすることによって行うことができる。また、所定形状のマスクを用いたＰＶＤ法，ＣＶＤ法，スクリーン印刷法等の方法によって直接形成することも可能である。
【００４９】
一方、導電性材料からなる基材を用いた場合（電気絶縁性材料からなる層と導電性材料からなる層とを有している複数層構造の基材を用い、かつ、当該基材における導電性材料からなる層にストライプ状下部電極を形成する場合を含む。）のストライプ状下部電極の形成は、例えば陽極酸化法，イオン注入法等の方法によって当該導電性材料からなる基材または前記導電性材料からなる層の所望箇所にその厚さ方向の全長に亘って電気絶縁部を形成することにより行うことができる。
【００５０】
あるいは、ポリシリコン等の半導体の所望箇所にホウ素，リン等をイオン注入することによって当該箇所を低抵抗化し、ここをストライプ状下部電極として利用することもできる。
どのような方法によってストライプ状下部電極を形成するかは、基材の材質，目的とする発光型表示装置の用途，生産性等を勘案して適宜選択可能である。
【００５１】
ただし、ストライプ状下部電極の材料となる導電膜としてアルカリ金属またはアルカリ土類金属を成分として含有している導電膜（複数層構造を呈し、そのうちの少なくとも１層がアルカリ金属またはアルカリ土類金属を成分として含有している導電膜を含む。）を使用し、この導電膜をリソグラフィー法によってパターニングしてストライプ状下部電極を形成しようとする場合には、前記の導電膜と実質的に反応しない溶剤を用いて除去することができる材料によってリソグラフィー用のレジスト膜を形成することが好ましい。
【００５２】
当該材料を用いてレジスト膜を形成することにより、その現像液，エッチング液（ただし、ウエットエッチングによってパターニングする場合に限る。）および剥離液としても上記の導電膜に対して実質的に不活性な溶剤を使用することが可能になる。その結果として、上記の導電膜の電極としての機能の低下を抑制しつつ所望のストライプ状下部電極を形成することが可能になる。
【００５３】
上記「前記の導電膜と実質的に反応しない溶剤を用いて除去することができる材料」の具体例としては、分離用リブ用の好ましい有機材料として先に例示した各種のフッ素系樹脂や、シリコーン樹脂などが挙げられる。
また、上記「前記の導電膜と実質的に反応しない溶剤」の具体例としては、例えば下記のフッ素化炭化水素が挙げられる。すなわち、直鎖状パーフルオロアルカン（動粘度が０．１〜１ｃＳｔ程度のもの）等のフッ素化低級パラフィン（炭素数が５０以下のもの）、パーフルオロアミン等のフッ素化低級アミン（炭素数が２０以下のもの）、およびパーフルオロポリエーテル（分子量が１０００〜１００００程度のもの）等のフッ素化ポリエーテルなどが挙げられる。また、フッ素化シリコーンオイルも上記の溶剤として用いることができる。
【００５４】
上述のようにしてストライプ状下部電極を作製した後、当該ストライプ状下部電極が形成されている側の基材の外表面（ストライプ状下部電極の表面を含む。）に、前記のストライプ状下部電極の各々と交差するようにして複数個の分離用リブを形成する。
ただし、正孔注入層または電子注入層が下部電極上に形成されている有機ＥＬ素子を備えた発光型表示装置（有機ＥＬ表示装置）を得ようとする場合には、分離用リブの形成に先立って、有機ＥＬ素子において正孔注入層となる正孔注入層用材料層または有機ＥＬ素子において電子注入層となる電子注入用材料層を必要に応じて形成してもよい。これらの正孔注入層用材料層または電子注入層用材料層は、例えば前記のストライプ状下部電極を覆うようにして当該ストライプ状下部電極が形成されている側の基板の外表面に形成される。
【００５５】
分離用リブの形状およびその材質等については、本発明の発光型表示装置についての説明の中で既に述べてあるので、ここではその説明を省略する。
分離用リブは、その材料となる所望膜厚の電気絶縁膜をスピンコート法，塗布法，ディッピング法，ＰＶＤ法（物理的気相蒸着法），ＣＶＤ（化学的気相蒸着法）法等、当該電気絶縁膜の材質に応じた方法によって形成した後、フォトリソグラフィー法，電子線リソグラフィー法，Ｘ線リソグラフィー法等のリソグラフィー法やレーザービーム加工、電子ビーム描画等の方法によって前記の電気絶縁膜を所望形状にパターニングすることにより得ることができる。このとき、ストライプ状下部電極の上（ストライプ状下部電極の上に正孔注入層用材料層または電子注入層用材料層が既に形成されている場合には、当該正孔注入層用材料層上または電子注入層用材料層上）に残渣が残らないようにすることが好ましい。
【００５６】
上述のようにして分離用リブを形成した後、当該分離用リブが形成されている側の基材の外表面に、発光素子において発光部となる光部用材料層を形成する。発光部用材料層の層構成およびその材料については本発明の発光表示装置についての説明の中で既に述べてあるので、ここではその説明を省略する。
【００５７】
発光部用材料層は、前述したストライプ状下部電極および後述するストライプ状対向電極と共に発光素子を構成するものであるので、少なくとも発光素子を形成しようとする箇所におけるストライプ状下部電極上（上記の正孔注入層用材料層または電子注入層用材料層が既に形成されている場合には、当該箇所における正孔注入層用材料層上または電子注入層用材料層上。以下同様。）に形成する必要があるが、当該箇所におけるストライプ状下部電極上の他にその周辺の基材表面上（上記の正孔注入層用材料層または電子注入層用材料層が既に形成されている場合には、当該周辺の正孔注入層用材料層上または電子注入層用材料層上。以下同様。）に形成されていてもよい。発光素子を形成しようとする箇所おけるストライプ状下部電極上の他にその周辺の基材表面上にも発光部用材料層を形成するようにすれば、その形成が簡便になる。
【００５８】
発光部用材料層の形成方法は、その材質や層構成に応じて適宜選択可能ある。目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合には発光素子として有機ＥＬ素子を形成するわけであるが、この場合、発光部用材料層を形成するにあたっては、個々の有機ＥＬ素子の発光特性が高い有機ＥＬ表示装置を得るうえから、少なくとも有機発光層用の材料層については真空蒸着法によって形成することが好ましい。有機ＥＬ素子用の発光部用材料層を構成する他の層については、その材料に応じて種々の方法を適用して形成することができるが、真空蒸着法によって他の層も形成するようにすれば、真空蒸着法のみによって発光部用材料層を形成することができるので、実用上好都合である。
【００５９】
上述した発光部用材料層の形成に引き続き、当該発光部用材料層上に主電極ライン部用材料層を形成する。このとき、発光部用材料層が形成されている側の基材の外表面に形成された主電極ライン用材料層のうちで隣り合う２つの分離用リブの間に形成されたものが主電極ライン部として機能することになる。主電極ライン部の材質，膜厚等については本発明の発光型表示装置についての説明の中で既に述べてあるので、ここではその説明を省略する。
【００６０】
主電極ライン部用材料層を形成するにあたっては、所望長の主電極ライン部が所望箇所に形成されるように配慮する。主電極ライン部の形成は、その材質に応じて、真空蒸着法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法等の方法により行うことができる。目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合には、発光特性の高い有機ＥＬ素子を形成するうえから、主電極ライン部用材料層の製膜はできるだけ低い基板温度の下にできるだけ迅速に行うことが好ましい。
【００６１】
上述のようにして主電極ライン部まで形成することにより、当該主電極ライン部と前述したストライプ状下部電極との平面視上の交差部それぞれに発光素子が形成されるが、本発明の発光型表示装置を得るためには、さらに補助電極ライン部を形成する。なお、分離用リブの上面にも発光部用材料層や主電極ライン部用材料を形成した場合には、補助電極ライン部の形成に先立って、ドクターブレード法等の方法によってこれらの層を予め除去しておいてもよい。
【００６２】
補助電極ライン部の形成は、例えば次のようにして行うことができる。
まず、主電極ライン部が形成されている側の基材の外表面全体にリフトオフ用の層を形成し、この層をリソグラフィー法等の方法によって所望形状、すなわち、補助電極ライン部を形成しようとする箇所に開口部を有する形状にパターニングして、所定形状の剥離膜を得る。次に、剥離膜上および前記の開口部から裸出している部材の表面上にＰＶＤ法等によって補助電極ライン部用材料層を形成する。この後、前記の剥離層を当該剥離層上に形成されている不要の補助電極ライン部用材料層ごと除去することにより、所望の補助電極ライン部を得る。
【００６３】
目的とする発光型表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合には、有機ＥＬ素子の発光特性の低下を抑制するうえから、当該有機ＥＬ素子に対して不活性な溶剤、すなわち、有機ＥＬ素子の発光部に使用されている有機材料（有機発光材料，正孔注入層用の有機材料および電子注入層用の有機材料の総称である。以下同じ。）または有機ＥＬ素子を構成している主電極ライン部と実質的に反応しない溶剤を用いて除去することができる材料によって形成することが好ましい。
【００６４】
当該材料を用いて剥離層を形成することにより、その現像液，エッチング液（ただし、ウエットエッチングによってパターニングする場合に限る。）および剥離液としても、上記の有機材料または主電極ライン部に対して実質的に不活性な溶剤を使用することが可能になる。その結果として、発光特性の高い有機ＥＬ素子を形成することが可能になる。
【００６５】
上記の「有機ＥＬ素子に対して不活性な溶剤」としては、上記の有機材料の溶解度が０．００１％以下のものが特に好ましく、その具体例としては、ストライプ状下部電極の形成についての説明の中で「前記の導電膜と実質的に反応しない溶剤」として例示した溶剤が挙げられる。また、上記の「有機ＥＬ素子に対して不活性な溶剤を用いて除去することができる材料」の具体例としては、分離用リブ用の好ましい有機材料として先に例示した各種のフッ素系樹脂や、シリコーン樹脂などが挙げられる。
【００６６】
なお、剥離層を得るにあたって所定形状のレジストパターンを用いた場合には、このレジストパターンを剥離した後に補助電極ライン部用材料層を成形してもよいし、このレジストパターンを剥離せずに残したまま補助電極ライン部用材料層を成形してもよい。レジストパターンを剥離せずに残したまま補助電極ライン部用材料層を成形したとしても、剥離層を溶解除去すれば当該剥離層上に形成されているレジストパターンおよび不要の補助電極ライン部用材料層もまた除去されるので、目的とする補助電極ライン部を得ることができる。また、剥離層の除去は当該剥離層が完全に除去されるまで行わなければならないというものではなく、剥離層上に形成されている層が除去されるまで行えば実用上は十分である。剥離層の表層部が溶解されれば、当該剥離層上に形成されている層は自ずと除去される。その結果として、補助電極ライン部を形成しようとする箇所以外の箇所に形成されている不要の補助電極ライン部用材料層が除去されるので、所望の補助電極ライン部が得られる。
【００６７】
上述のようにして補助電極ライン部まで形成することにより、前述した基材，ストライプ状下部電極，分離用リブ，発光部用材料層およびストライプ状対向電極を備えている本発明の発光型表示装置が得られる。
ただし、本発明の発光型表示装置を製造方法するための方法は上述の方法に限定されるものではない。例えば、補助電極ライン部が分離用リブの側面に形成されているタイプの発光型表示装置は、分離用リブを形成した後に当該分離用リブの側面に斜方蒸着法によって所望の補助電極ライン部を形成し、その後に発光部用材料層および主電極ライン部用材料層（主電極ライン部）を形成するようにしても得ることができる。
【００６８】
なお、前述したように、発光型表示装置を構成している発光素子に水分や酸素が侵入するとその発光特性や素子寿命が低下することがある。したがって、発光素子を形成した後、必要に応じて、当該発光素子に水分や酸素が侵入するのを防止するための封止層を形成してもよい。封止層の材料については本発明の発光型表示装置についての説明の中で既に述べてあるので、ここではその説明を省略する。
封止層を形成するにあたっては、当該封止層の材料に応じてＰＶＤ法，ＣＶＤ法，スピンコート法，キャスト法等の方法をを適宜適用することができるが、封止層形成時に発光素子の発光特性が低下しないように留意する。
【００６９】
封止層の材料として液状フッ素化炭化水素や当該液状フッ素化炭化水素に水分や酸素を吸着する吸着剤を分散させたもの等の液状物を用いる場合には、基材上に形成されている発光素子（既に別の封止層があってもよい。）の外側に、前記の基材と共同してこの発光素子との間に空隙を形成しつつ当該発光素子を覆うハウジング材を設け、前記の基材と前記のハウジング材とによって形成された空間に前記の液状物を充填することによって封止層を形成することが好ましい。前記のハウジング材としては、吸水率の小さいガラスまたはポリマー（例えば三フッ化塩化エチレン）からなるものが好適に用いられる。ハウジング材を使用する場合には、上述した封止層を設けずに当該ハウジング材のみを設けてもよいし、ハウジング材を設けた後に、当該ハウジング材と前記の基材とによって形成された空間に酸素や水を吸着する吸着材の層を設けるか当該吸着材からなる粒子を分散させてもよい。
【００７０】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
まず、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基材であるガラス板１の片面に長さ８０ｍｍ，幅９０μｍ（基部での幅を示す。），厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜からなるストライプ状下部電極２が１１０μｍピッチで所定本数形成されている膜厚約１．１ｍｍのガラス基板３（以下、このガラス基板を「下部電極付き基板３」という。）を用意した。ストライプ状下部電極２それぞれの短手方向の断面は、テーパ状を呈する。
【００７１】
次に、下部電極付き基板３において前記のストライプ状下部電極２が形成されている側の外表面全体に、回転数１２００ｒｐｍ，回転時間１０秒の条件のスピンコート法によって市販の黒色レジストからなるレジスト膜を形成し、このレジスト膜を８０℃で１５分間プリベークした。そして、所定形状のネガ型マスクを用いつつ前記プリベーク後のレジスト膜を露光し（露光光の波長；３６５ｎｍ，照射量；７５０ｍＪ／ｃｍ² ）、次いで現像を行って、前記プリベーク後のレジスト膜をパターニングした。当該パターニング後のレジスト膜にリンス処理を施してから２００℃で３０分間ポストベークし、これによって、図２（ａ）に示すように、分離用リブ用の台座部４を所定個得た。台座部４のそれぞれは長さ８０ｍｍ，幅３０μｍのストライプ状を呈し、その膜厚は１．５μｍである。これらの台座部４はストライプ状下部電極２の各々と直交するようにして３３０μｍピッチで形成されている。
【００７２】
次いで、下部電極付き基板３において上記の台座部４が形成されている側の外表面全体に、回転数９００ｒｐｍ，回転時間３０秒の条件のスピンコート法によって感光性ポリオレフィン系のネガ型レジスト（日本ゼオン社製のＺＣＯＡＴ−１４１０）膜を形成し、このレジスト膜を７０℃で３０分間プリベークした。そして、所定形状のフォトマスクを用いつつ前記プリベーク後のレジスト膜を露光し（露光光の波長；４３６ｎｍ，照射量；１２０ｍＪ／ｃｍ² ）、次いで現像を行って、前記プリベーク後のレジスト膜をパターニングした。当該パターニング後のレジスト膜を２５０℃で２時間キュアーし、これによって、図２（ｂ）に示すように、分離用リブ用の頭部５を所定個得た。頭部５のそれぞれは長さ８０ｍｍ，幅２０μｍのストライプ状を呈し、その高さは１０μｍである。これらの頭部５はその長手方向が台座部４の長手方向と一致するようにして当該台座部４それぞれの上に１つづつ形成されている。
【００７３】
台座部４それぞれの上に上記の頭部５を形成することにより、台座部４と当該台座部４上に形成されている頭部５とからなる分離用リブ６（図２（ｂ）参照）が所定個得られた。これらの分離用リブ６の幅は３０μｍであり、隣り合う分離用リブ６同士の間のギャップは３００μｍ、隣り合う分離用リブ同士のピッチは３３０μｍである。
【００７４】
次に、上記の分離用リブ６まで形成した後の下部電極付き基板３を真空蒸着装置の真空槽内に装置し、図３（ａ）に示すように、分離用リブ６それぞれの上面（頭部５それぞれの上面。ただし、図３（ａ）に示した状態下での上面を意味する。）に当接するようにしてマスク７を配置した。このマスク７には、図３（ａ）に示すように、平面視したときに矩形を呈する開口部７ａが所定ピッチでストライプ状に形成されている。また、マスク７を分離用リブ６それぞれの上面に当接させるにあたっては、蒸着材料を図３（ａ）に示す矢印Ａの方向から分離用リブ６それぞれの一方の側面（各分離用リブ６において、その長手方向に沿って延びている計２つの側面のうちの一方。）に蒸着させることができるように、換言すれば、分離用リブ６それぞれにおける頭部５の一方の側面（各頭部５において、その長手方向に沿って延びている計２つの側面のうちの一方。）にのみ蒸着材料を蒸着させることができるように、当該マスク７を配置した。
【００７５】
この後、図３（ａ）に示した矢印Ａ方向からアルミニウム（Ａｌ）を蒸着させて、分離用リブ６それぞれにおける頭部５の一方の側面にのみ、膜厚１μｍのＡｌ膜８ａ（図３（ｂ）参照）を製膜した。また、マスク７を所定方向にずらして配置し直し、かつ、蒸着材料が所定方向から蒸着するように変更した以外は同様にして斜方蒸着を行って、分離用リブ６それぞれにおける頭部５の他方の側面（各頭部５において、その長手方向に沿って延びている計２つの側面のうちの他方。）にも膜厚１μｍのＡｌ膜８ｂ（図３（ｂ）参照）を製膜した。
【００７６】
分離用リブ６それぞれにおける頭部５の側面に製膜された各Ａｌ膜８ａ，８ｂは、互いに対向するもの同士が１組となって、１本のストライプ状対向電極を構成する補助電極ライン部として使用されるので、以下、Ａｌ膜８ａを「補助電極ライン部８ａ」といい、Ａｌ膜８ｂを「補助電極ライン部８ｂ」という。
【００７７】
補助電極ライン部８ａ，８ｂまで形成した後の下部電極付き基板３をイソプロピルアルコール中で３分間超音波洗浄し、さらにＵＶとオゾンとを併用した洗浄装置を用いて３０分間洗浄した後、当該洗浄後の下部電極付き基板３を市販の真空蒸着装置（日本真空技術社製）に入れ、基板ホルダーに固定した。そして、以下の要領で正孔輸送層用材料層，有機発光層用材料層および主電極ライン部用材料層を順次製膜して、目的とする有機ＥＬ表示装置を得た。
【００７８】
まず、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（以下、このものを「ＴＰＤ」と略記する。）を蒸着材料として用いて、下部電極付き基板３においてストライプ状下部電極２が形成されている側の外表面に膜厚８０ｎｍの正孔輸送層用材料層（ＴＰＤ層）を形成した。次に、有機発光材料の１つであるトリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム（以下、このものを「Ａｌｑ」と略記する。）を蒸着材料として用いて、前記のＴＰＤ層上に膜厚７５ｎｍの有機発光層用材料層（Ａｌｑ層）を形成した。後述するように、隣り合う２つの分離用リブ６の間に製膜されたＴＰＤ層と当該ＴＰＤ層上に形成されたＡｌｑ層とは、画素としての有機ＥＬ素子を得るための発光部用材料層として使用される。
【００７９】
次いで、ＭｇとＡｇとを蒸着材料として用い、かつ、Ｍｇの蒸着レートを１．４ｎｍ／ｓ、Ａｇの蒸着レートを０．１ｎｍ／ｓとしてこれらを前記の有機発光層用材料層（Ａｌｑ層）上に蒸着させて、膜厚２００ｎｍの主電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）を形成した。後述するように、隣り合う２つの分離用リブ６の間に製膜された主電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）は、前述した補助電極ライン部８ａ，８ｂと共に１本のストライプ状対向電極を構成する。なお、前述した正孔輸送層用材料層（ＴＰＤ層）の製膜から上述した主電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）の製膜が終了するまでの間、真空蒸着装置の真空槽は１度も開放せず、各層の製膜は連続して行った。
【００８０】
図４に示すように、上述のようにして得られた有機ＥＬ表示装置１５は、ガラス板からなる基材１と、当該基材１の片面に形成された計６００本のストライプ状下部電極２と、これらのストライプ状下部電極２と直交するようにして形成された計２００本の分離用リブ６と、これらの分離用リブ６それぞれにおける頭部５の側面に形成された補助電極ライン部８ａ，８ｂと、隣り合う２つの分離用リブ６（頭部５）の間にそれぞれ形成された発光部用材料層９ａと、これらの発光部用材料層９ａそれぞれの上に形成された主電極ライン部用材料層１０ａとを有している。また、各分離用リブ６の上面には発光部用材料層９ｂが形成されており、当該発光部用材料層９ｂ上には主電極ライン部用材料層１０ｂが形成されている。
【００８１】
個々のストライプ状下部電極２は、長さ８０ｍｍ，幅９０μｍ，厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜からなり、これらのストライプ状下部電極２は１１０μｍピッチで形成されている。また、個々の分離用リブ６は台座部４と当該台座部４上に形成された頭部５とからなっており、これらの分離用リブ６は、平面視したときに前記のストライプ状下部電極２の各々と直交するようにして形成されている。前記の頭部５においてその長手方向に沿って延びている計２つの側面のうちの一方には膜厚１μｍのＡｌ膜からなる補助電極ライン部８ａが形成されており、前記２つの側面のうちの他方には膜厚１μｍのＡｌ膜からなる補助電極ライン部８ｂが形成されている。
【００８２】
隣り合う２つの分離用リブ６（頭部５）の間に形成されている発光部用材料層９ａ、および各分離用リブ６の上面に形成されている発光部用材料層９ｂは、それぞれＴＰＤ層と当該ＴＰＤ層上に形成されたＡｌｑ層とからなっており、これらの発光部用材料層９ａ，９ｂ上に形成されている主電極ライン部用材料層１０ａ，１０ｂは膜厚２００ｎｍのＭｇ−Ａｇ層からなっている。そして、個々の主電極ライン部用材料層１０ａは、当該主電極ライン部用材料層１０ａにおける長手方向の側面に接している補助電極ライン部８ａ，８ｂと共に１本のストライプ状対向電極１１を形成している。すなわち、発光部用材料層９ａそれぞれの上に形成されている主電極ライン部用材料層１０ａが主電極ライン部に相当する（以下、主電極ライン部用材料層１０ａを「主電極ライン部１０ａ」という。）。
【００８３】
個々の主電極ライン部１０ａは長さ７０ｍｍ，幅３００μｍのストライプ状を呈し、これらの主電極ライン部１０ａは、発光部用材料層９ａを介してストライプ状下部電極２の各々と平面視上直交するようにして形成されている。主電極ライン部１０ａそれぞれの抵抗値は２．８×１０³ Ω（面抵抗は２Ω／□）、補助電極ライン部８ａ，８ｂそれぞれの抵抗値は２６５Ω（面抵抗は０．６Ω／□）であり、１本のストライプ状対向電極１１の抵抗値は２４０Ωである。
【００８４】
上記の有機ＥＬ表示装置１５においては、ストライプ状下部電極２，発光部用材料層９ａおよび主電極ライン部１０ａの平面視上の交差部それぞれに有機ＥＬ素子１２が形成されており、各有機ＥＬ素子１２は画素として機能する。
【００８５】
実施例２
まず、基材である厚さ約０．５ｍｍのガラス板の片面に長さ８０ｍｍ，幅３００μｍ（基部での幅を示す。），厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜からなるストライプ状下部電極が３３０μｍピッチで所定本数形成されているガラス基板（以下、このガラス基板を「下部電極付き基板」という。）を用意した。ストライプ状下部電極それぞれの短手方向の断面は、テーパ状を呈する。
【００８６】
次に、下部電極付き基板において前記のストライプ状下部電極が形成されている側の外表面全体に、回転数１５００ｒｐｍ，回転時間３５秒の条件のスピンコート法によって感光性ポリオレフィン系のネガ型レジスト（日本ゼオン社製のＺＣＯＡＴ−１４１０）膜を形成し、このレジスト膜を７０℃で３０分間プリベークした。そして、所定形状のフォトマスクを用いつつ前記プリベーク後のレジスト膜を露光し（露光光の波長；４３６ｎｍ，照射量；１２０ｍＪ／ｃｍ² ）、次いで現像を行って、前記プリベーク後のレジスト膜をパターニングした。当該パターニング後のレジスト膜を２５０℃で２時間キュアーし、これによって分離用リブを所定個得た。
【００８７】
図５（ａ）に示すように、各分離用リブ２４は長さ７０ｍｍ，幅２０μｍのストライプ状を呈し、その高さは５．３μｍである。これらの分離用リブ２４は上記のストライプ状下部電極２２の各々と直交するようにして１１０μｍピッチで形成されている。なお、図５（ａ）中の符号２１は上記のガラス板を示しており、符号２３は上記の下部電極付き基板を示している。
【００８８】
次に、上記の分離用リブ２４まで形成した後の下部電極付き基板２３をイソプロピルアルコール中で３分間超音波洗浄し、さらにＵＶとオゾンとを併用した洗浄装置を用いて３０分間洗浄した後、当該洗浄後の下部電極付き基板２３を市販の真空蒸着装置（日本真空技術社製）に入れ、基板ホルダーに固定した。そして、実施例１におけるのと全く同じ要領で正孔輸送層用材料層（ＴＰＤ層）と有機発光層用材料層（Ａｌｑ層）とからなる発光部用材料層ならびに主電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）を順次形成した。この後、これらの層のうちで分離用リブ２４の上面に形成されたものをドクターブレード法によって除去し、これによって、隣り合う２つの分離用リブ２４の間に形成された正孔輸送層用材料層（ＴＰＤ層）と有機発光層用材料層（Ａｌｑ層）とからなる２層構造の発光部用材料層、ならびに、隣り合う２つの分離用リブ２４の間に形成された主電極ライン部用材料層（Ｍｇ−Ａｇ層）からなる主電極ライン部を得た。
【００８９】
次いで、図５（ｂ）に示すように、下部電極付き基板２３において上記の発光部用材料層２５および主電極ライン部２６が形成されている側の外表面全体に膜厚３μｍのフッ素系樹脂層２７を形成し、当該フッ素系樹脂層２７上にポジ型フォトレジスト膜２８を形成した。
前記のフッ素系樹脂層２７を形成するにあたってはスピンコート法を利用し、コーティング液としては旭ガラス社製のサイトップＣＴＬ−８００Ａを用いた。スピンコーティングは乾燥窒素雰囲気中で行い、スピンコーティングの初期の段階では下部電極ライン付き基板２３の回転数を５００ｒｐｍとし、この回転数で１０秒間回転させた後、回転数を１２００ｒｐｍに上げて更に３０秒間回転させた。また、スピンコート後に８０℃で１時間熱処理を施した。
一方、上記のポジ型フォトレジスト膜２８を形成するにあたってもスピンコート法を利用し、このときのスピンコーティングは、回転数３０００ｒｐｍ、回転時間２０秒の条件の下に行った。
【００９０】
次に、フォトリソグラフィ法によって上記のポジ型フォトレジスト膜２８をパターニングして、図５（ｃ）に示すように、当該ポジ型フォトレジスト膜２８の所定箇所に平面視上の幅が３０μｍで、長さが７０ｍｍの開口部２８ａを１１０μｍピッチ（ただし、平面視上のピッチを意味する。）で形成した（開口部２８ａを形成した後のポジ型フォトレジスト膜を、以下、「レジストパターン２８ｂ」という。）。個々の開口部２８ａは、その長手方向が分離用リブ２４の長手方向と一致するようにして、また、平面視したときに、１つの分離用リブ２４と部分的に重なると共に当該分離用リブ２４に隣接する主電極ライン部２６の１つとも部分的に重なるようにして、ストライプ状に形成されている。
【００９１】
上記のレジストパターン２８ｂを形成した後、当該レジストパターン２８ｂをマスクとして利用しつつ、ＣＨＦ₃ ガスとＣＦ₄ ガスとＡｒガスとをエッチングガスとするドライエッチングを行って、図５（ｄ）に示すように、フッ素系樹脂層２７に開口部２７ａを形成した（開口部２７ａを形成した後のフッ素系樹脂層を、以下、「剥離膜２７ｂ」という。）。当該開口部２７ａは、レジストパターン２８ｂに形成されている前記の開口部２８ａと平面視上重なる部分が除去されてできたものである。なお、ドライエッチング時におけるＣＨＦ₃ ガスおよびＣＦ₄ ガスの流量はそれぞれ２４ＳＣＣＭ、Ａｒガスの流量は９８ＳＣＣＭ、真空度は０．５Torr、エッチング出力（プラズマ出力）は３００Ｗとした。
【００９２】
この後、上記の剥離膜２７ｂまで形成した後の下部電極付き基板２３をスパッタリング装置に移し、剥離膜２７ｂをマスクとして利用しつつ補助電極ライン部用のＡｌ膜の製膜を行い、当該Ａｌ膜の製膜後に上記の剥離膜２７ｂをフッ素系溶剤（３Ｍ社製のフロリナート）によってリフトオフして、目的とする有機ＥＬ表示装置を得た。
【００９３】
図６に示すように、上述のようにして得られた有機ＥＬ表示装置３５は、ガラス板からなる基材２１と、当該基材２１の片面に形成された計２００本のストライプ状下部電極２２と、これらのストライプ状下部電極２２と直交するようにして形成された計６００本の分離用リブ２４と、隣り合う２つの分離用リブ２４の間にそれぞれ形成された発光部用材料層２５と、これらの発光部用材料層２５それぞれの上に形成された主電極ライン部２６と、分離用リブ２４の上面から当該分離用リブ２４に隣接する１つの主電極ライン部２６の上面にかけて形成された補助電極ライン部２９とを有している。
【００９４】
個々のストライプ状下部電極２２は、長さ８０ｍｍ，幅３００μｍ，厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜からなり、これらのストライプ状下部電極２２は３３０μｍピッチで形成されている。また、個々の分離用リブ２４は、長さ７０ｍｍ，幅３０μｍ，厚さ５．３μｍのフォトレジスト膜からなり、これらの分離用リブ２４は１１０μｍピッチで形成されている。隣り合う２つの分離用リブ２４の間それぞれに形成されている発光部用材料層２５は膜厚８０ｎｍのＴＰＤ層と当該ＴＰＤ層上に形成された膜厚７５ｎｍのＡｌｑ層とからなっており、各発光部用材料層２５上にそれぞれ形成されている主電極ライン部２６は膜厚２００ｎｍのＭｇ−Ａｇ層からなっている。個々の発光部用材料層２５および個々の主電極ライン部２６は、長さ７０ｍｍ，幅８０μｍのストライプ状を呈し、これらの発光部用材料層２５および主電極ライン部２６いずれも１１０μｍピッチで形成されている。そして、各補助電極ライン部２９は、その長手方向が分離用リブ２４の長手方向と一致するようにして形成された長さ７０ｍｍのＡｌ膜からなっており、分離用リブ２４の上面および側面における補助電極ライン部２９の膜厚（Ａｌ膜の膜厚）はそれぞれ０．８μｍである。
【００９５】
個々の主電極ライン部２６は、当該主電極ライン部２６の上面から分離用リブ２４の上面にかけて形成されている補助電極ライン部２９と共に１本のストライプ状対向電極３０を形成しており、主電極ライン部２６それぞれの抵抗値は２．８×１０³ Ω（面抵抗は２Ω／□）、補助電極ライン部２９それぞれの抵抗値は１３６Ω（面抵抗は０．５Ω／□）、１本のストライプ状対向電極３０の抵抗値は１３０Ωである。
【００９６】
上記の有機ＥＬ表示装置３５においては、ストライプ状下部電極２２，発光部用材料層２５および主電極ライン部２６の平面視上の交差部にそれぞれ有機ＥＬ素子３１が形成されており、各有機ＥＬ素子３１は画素として機能する。
【００９７】
実施例３
主電極ライン部を、膜厚５０ｎｍのＭｇ−Ａｇ層と当該Ｍｇ−Ａｇ層上に形成された膜厚１５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．７）とからなる２層構造の導電膜によって形成した以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示装置を得た。
この有機ＥＬ表示装置を構成している上記の主電極ライン部それぞれの抵抗値は１５×１０³ Ω（面抵抗は１４Ω／□）、補助電極ライン部それぞれの抵抗値は２５４Ω（面抵抗は０．５Ω／□）であり、１本のストライプ状対向電極の抵抗値は２５０Ωである。
【００９８】
比較例１
補助電極ライン部を形成しなかった以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ表示装置を得た。
この有機ＥＬ表示装置を構成しているストライプ状対向電極それぞれの抵抗値は、２．８×１０³ Ωと極めて高かった。
【００９９】
比較例２
補助電極ライン部を形成しなかった以外は実施例３と同様にして、有機ＥＬ表示装置を得た。
この有機ＥＬ表示装置を構成しているストライプ状対向電極それぞれの抵抗値は、１５×１０³ Ωと極めて高かった。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の発光型表示装置におては主電極ライン部と補助電極ライン部とによってストライプ状対向電極が形成されており、かつ、補助電極ライン部は主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなるようにして形成されているので、本発明によれば対向電極の抵抗値が小さい高精細の発光型表示装置を容易に提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は実施例１で作製した下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されているストライプ状下部電極の長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図であり、図１（ｂ）は前記の下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されているストライプ状下部電極の短手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図である。
【図２】図２（ａ）は実施例１で分離用リブ用の台座部まで形成した後の下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されている台座部の長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図であり、図２（ｂ）は実施例１で分離用リブまで形成した後の下部電極付き基板を当下部電極付き基板に形成されている分離用リブの長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図である。
【図３】図３（ａ）は実施例１で補助電極ライン部を形成する際の下部電極付き基板（分離用リブまで形成した後のもの）とマスクとの位置関係を概略的に示す部分断面図であり、図３（ｂ）は実施例１で補助電極ライン部まで形成した後の下部電極付き基板を当下部電極付き基板に形成されている分離用リブの長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図である。
【図４】実施例１で作製した有機ＥＬ表示装置の概略を一部切欠いた状態で示す断面斜視図である。
【図５】図５（ａ）は実施例２で分離用リブまで形成した後の下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されている分離用リブの長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図であり、図５（ｂ）は実施例２で補助電極ライン部を形成するに先立ってレジスト膜まで形成した後の下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されている分離用リブの長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図であり、図５（ｃ）は実施例２で補助電極ライン部を形成するに先立ってレジストパターンまで形成した後の下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されている分離用リブの長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図であり、図５（ｄ）は実施例２で補助電極ライン部を形成するに先立って剥離層まで形成した後の下部電極付き基板を当該下部電極付き基板に形成されている分離用リブの長手方向を望むようにしてみたときの概略を示す部分断面図である。
【図６】実施例２で作製した有機ＥＬ表示装置の概略を示す部分断面図である。
【図７】本発明の発光型表示装置における補助電極ライン部の形成例を概略的に示す部分断面図である。
【符号の説明】
１，２１，４５…基材、２，２２，４６…ストライプ状下部電極、３，２３…下部電極付き基板、４，４２…分離用リブの台座部、５，４３…分離用リブの頭部、６，２４，４４…分離用リブ、８ａ，８ｂ，４１…補助電極ライン部、９ａ，９ｂ，２５，４７…発光部用材料層、１０ａ，２６，４８…主電極ライン部、１１，３０，４９…ストライプ状対向電極、１２，３１…有機ＥＬ素子、１５，３５…有機ＥＬ表示装置、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ…発光型表示装置。

Claims

基材と、該基材上に形成されている複数本のストライプ状下部電極と、該ストライプ状下部電極の各々と交差するようにして前記の基材上に形成されている複数個の分離用リブと、前記ストライプ状下部電極それぞれの上に形成されている発光部用材料層と、該発光部用材料層を介して前記ストライプ状下部電極の各々と交差するように形成されている複数本のストライプ状対向電極とを備え、
隣り合うストライプ状対向電極同士は前記分離用リブのいずれかによって互いに分離されており、
個々のストライプ状対向電極は、隣り合う分離用リブの間に形成されている主電極ライン部と、該主電極ライン部よりも面抵抗値が小さくなるようにして前記分離用リブの表面上に形成されている補助電極ライン部とからなり、
前記ストライプ状対向電極と前記ストライプ状下部電極との平面視上の交差部が画素として機能する、
ことを特徴とする発光型表示装置。
補助電極ライン部の膜厚が主電極ライン部の膜厚より厚い、請求項１に記載の発光表示装置。
分離用リブが台座部と該台座部よりも厚肉の頭部とからなる、請求項１または請求項２に記載の発光型表示装置。
補助電極ライン部の抵抗値が主電極ライン部の抵抗値未満である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光型表示装置。
補助電極ライン部が、仕事関数が４．０ｅＶ以上の金属を含有している、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発光型表示装置。