JP2002289357A - 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示パネルInfo
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 74
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 aluminum chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コントラストのよい有機エレクトロルミ
ネッセン表示パネルを提供する。 【解決手段】 第１表示電極、有機化合物からなる発光
層を含む１以上の有機機能層、及び第2表示電極が基板
上に順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子
と、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を絶縁膜を
介して複数個配列してなる有機エレクトロルミネッセン
ス表示パネルであって、絶縁膜は可視光領域におけるＯ
Ｄ値が０．５以上である有機エレクトロルミネッセンス
表示パネル。
ネッセン表示パネルを提供する。 【解決手段】 第１表示電極、有機化合物からなる発光
層を含む１以上の有機機能層、及び第2表示電極が基板
上に順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子
と、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を絶縁膜を
介して複数個配列してなる有機エレクトロルミネッセン
ス表示パネルであって、絶縁膜は可視光領域におけるＯ
Ｄ値が０．５以上である有機エレクトロルミネッセンス
表示パネル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光するエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬとい
う）を呈する有機化合物材料からなる発光層を含む１以
上の薄膜（以下、有機機能層という）を備えた有機ＥＬ
素子を複数個基板上に所定パターンで形成することによ
って作られる有機ＥＬ表示パネルに関する。
て発光するエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬとい
う）を呈する有機化合物材料からなる発光層を含む１以
上の薄膜（以下、有機機能層という）を備えた有機ＥＬ
素子を複数個基板上に所定パターンで形成することによ
って作られる有機ＥＬ表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、透明基板上に、陽極の
透明電極と、有機機能層と、陰極の金属電極とが順次積
層されて構成される。有機機能層は、例えば発光層の単
一層、または有機正孔輸送層及び発光層の２層構造、あ
るいは有機正孔輸送層、発光層及び有機電子輸送層の３
層構造、さらにこれらの適切な層間に電子或いは正孔の
注入層を挿入した積層体である。
透明電極と、有機機能層と、陰極の金属電極とが順次積
層されて構成される。有機機能層は、例えば発光層の単
一層、または有機正孔輸送層及び発光層の２層構造、あ
るいは有機正孔輸送層、発光層及び有機電子輸送層の３
層構造、さらにこれらの適切な層間に電子或いは正孔の
注入層を挿入した積層体である。
【０００３】有機ＥＬ表示パネルは複数の有機ＥＬ素子
が所定パターンでもって基板上に形成されることによ
り、マトリクス表示パネルを得ることができる。例え
ば、このマトリクス表示パネルとしては、特開平８−３
１５９８１号公報に開示されている様にフルカラーディ
スプレイを形成することができる。このフルカラーディ
スプレイは、交差している行と列において配置された複
数の有機ＥＬ素子の発光画素からなる画像表示配列を有
している発光装置である。例えばマトリクス表示タイプ
のものはガラスなどの透明な基板上に、透明電極層を含
む行電極と、有機機能層と、行電極に交差する金属電極
層を含む列電極とが順次積層された複数の有機ＥＬ素子
と、行電極と列電極のショートを防ぐ目的として各々の
有機ＥＬ素子の間に形成されたストライプ状、又は格子
状等の絶縁膜と、で構成される。行電極は、各々が帯状
に形成されるとともに、所定の間隔をおいて互いに平行
となるように配列されており、列電極も同様である。こ
のように、マトリクス表示タイプの表示パネルは、複数
の行と列の電極の交差点に位置する複数の有機ＥＬ素子
の発光画素からなる画像表示配列を有している。また従
来この絶縁膜として、ポリイミド等の比較的透明な材
料、もしくは液晶ディスプレイのブラックマトリクスで
用いられている材料等が用いられている。
が所定パターンでもって基板上に形成されることによ
り、マトリクス表示パネルを得ることができる。例え
ば、このマトリクス表示パネルとしては、特開平８−３
１５９８１号公報に開示されている様にフルカラーディ
スプレイを形成することができる。このフルカラーディ
スプレイは、交差している行と列において配置された複
数の有機ＥＬ素子の発光画素からなる画像表示配列を有
している発光装置である。例えばマトリクス表示タイプ
のものはガラスなどの透明な基板上に、透明電極層を含
む行電極と、有機機能層と、行電極に交差する金属電極
層を含む列電極とが順次積層された複数の有機ＥＬ素子
と、行電極と列電極のショートを防ぐ目的として各々の
有機ＥＬ素子の間に形成されたストライプ状、又は格子
状等の絶縁膜と、で構成される。行電極は、各々が帯状
に形成されるとともに、所定の間隔をおいて互いに平行
となるように配列されており、列電極も同様である。こ
のように、マトリクス表示タイプの表示パネルは、複数
の行と列の電極の交差点に位置する複数の有機ＥＬ素子
の発光画素からなる画像表示配列を有している。また従
来この絶縁膜として、ポリイミド等の比較的透明な材
料、もしくは液晶ディスプレイのブラックマトリクスで
用いられている材料等が用いられている。
【０００４】この有機ＥＬ表示パネルは列電極として、
仕事関数の関係からＡｌなどの金属材料を用いる。しか
しながらＡｌなどの金属電極層は可視光の反射率が高い
為、外部から当該有機ＥＬ表示パネルに入射した外光の
一部が列電極によって反射されて基板面から出射され
る。また外光の一部は基板自体によって反射され、反射
光となる。このため、有機ＥＬ表示パネル自体の反射率
は高く、コントラストのよい表示は得られなかった。
仕事関数の関係からＡｌなどの金属材料を用いる。しか
しながらＡｌなどの金属電極層は可視光の反射率が高い
為、外部から当該有機ＥＬ表示パネルに入射した外光の
一部が列電極によって反射されて基板面から出射され
る。また外光の一部は基板自体によって反射され、反射
光となる。このため、有機ＥＬ表示パネル自体の反射率
は高く、コントラストのよい表示は得られなかった。
【０００５】以上の問題を解決する為に、特開平７−１
４２１７０号公報では行電極の外側に偏光層を設け、コ
ントラストを改善した有機ＥＬ表示パネルが開示されて
いる。しかしながら、偏光層として用いられる偏光フィ
ルタは高価な上、反射率の角度依存性が大きく視野角に
よってコントラストが大きく変化してしまうという問題
があった。
４２１７０号公報では行電極の外側に偏光層を設け、コ
ントラストを改善した有機ＥＬ表示パネルが開示されて
いる。しかしながら、偏光層として用いられる偏光フィ
ルタは高価な上、反射率の角度依存性が大きく視野角に
よってコントラストが大きく変化してしまうという問題
があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は今迄見出され
なかった絶縁膜の反射率とＯＤ値との関係を初めて見出
すとともに、有機ＥＬ表示パネルにとって良好な反射率
を得る為に、最低限必要なＯＤ値を特定することに初め
て成功した。以上のように本発明は上述の問題に鑑みな
されたものでありコントラストのよい有機ＥＬ表示パネ
ルを提供することを目的とする。
なかった絶縁膜の反射率とＯＤ値との関係を初めて見出
すとともに、有機ＥＬ表示パネルにとって良好な反射率
を得る為に、最低限必要なＯＤ値を特定することに初め
て成功した。以上のように本発明は上述の問題に鑑みな
されたものでありコントラストのよい有機ＥＬ表示パネ
ルを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
上記の目的を達成するために、第１表示電極、有機化合
物からなる発光層を含む１以上の有機機能層、及び第2
表示電極が基板上に順に積層された有機ＥＬ素子と、当
該有機ＥＬ素子を絶縁膜を介して複数個配列してなる有
機ＥＬ表示パネルであって、前記絶縁膜は可視光領域に
おけるＯＤ値が０．５以上であることを特徴とする。
上記の目的を達成するために、第１表示電極、有機化合
物からなる発光層を含む１以上の有機機能層、及び第2
表示電極が基板上に順に積層された有機ＥＬ素子と、当
該有機ＥＬ素子を絶縁膜を介して複数個配列してなる有
機ＥＬ表示パネルであって、前記絶縁膜は可視光領域に
おけるＯＤ値が０．５以上であることを特徴とする。
【０００８】請求項２に記載の発明は請求項１記載の有
機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜は３０Ｖの電圧
を印加した時の電流密度が１０−８Ａ／ｍｍ２オーダー
以下であることを特徴とする。
機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜は３０Ｖの電圧
を印加した時の電流密度が１０−８Ａ／ｍｍ２オーダー
以下であることを特徴とする。
【０００９】請求項３に記載の発明は請求項１記載の有
機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜の体積抵抗値が
１．０×１０１２Ω・ｃｍ以上であることを特徴とす
る。
機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜の体積抵抗値が
１．０×１０１２Ω・ｃｍ以上であることを特徴とす
る。
【００１０】請求項４に記載の発明は請求項１乃至３記
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜の最表面
は前記基板の表面に向かう領域において、前記基板に対
し垂直より小なる傾斜角で傾斜する傾斜面を有すること
を特徴とする。
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜の最表面
は前記基板の表面に向かう領域において、前記基板に対
し垂直より小なる傾斜角で傾斜する傾斜面を有すること
を特徴とする。
【００１１】請求項５に記載の発明は請求項１乃至４記
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜は前記有
機ＥＬ素子の間に格子状に設けられていることを特徴と
する。
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記絶縁膜は前記有
機ＥＬ素子の間に格子状に設けられていることを特徴と
する。
【００１２】請求項６に記載の発明は請求項１乃至５記
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、少なくとも前記絶縁
膜の最表面上の一部に隔壁を有することを特徴とする。
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、少なくとも前記絶縁
膜の最表面上の一部に隔壁を有することを特徴とする。
【００１３】請求項７に記載の発明は請求項１乃至６記
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記基板の表面上に
遮光性を有する層が設けられていることを特徴とする。
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記基板の表面上に
遮光性を有する層が設けられていることを特徴とする。
【００１４】請求項８に記載の発明は請求項７記載の有
機ＥＬ表示パネルにおいて、遮光性を有する前記層はＮ
Ｄフィルタであることを特徴とする。
機ＥＬ表示パネルにおいて、遮光性を有する前記層はＮ
Ｄフィルタであることを特徴とする。
【００１５】請求項９に記載の発明は請求項１乃至６記
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記基板は遮光性を
有する基板であることを特徴とする。
載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記基板は遮光性を
有する基板であることを特徴とする。
【００１６】請求項１０に記載の発明は請求項９記載の
有機ＥＬ表示パネルにおいて、遮光性を有する前記基板
はＮＤフィルタであることを特徴とする。
有機ＥＬ表示パネルにおいて、遮光性を有する前記基板
はＮＤフィルタであることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による実施の形態
例を図面を参照しつつ説明する。図１は実施例の有機Ｅ
Ｌ表示パネルを正面から透視した部分拡大正面図であ
る。有機ＥＬ表示パネルは、図１に示すように、ガラス
等からなる透明な基板２上にマトリクス状に配置されか
つ各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる発光画素
１の複数からなる画像表示配列領域１ａを有している。
水平方向に互いに平行な複数のストライプ上の透明電極
からなる第１表示電極ライン３即ち陽極と、垂直方向に
互いに平行な複数のストライプ上の金属電極からなる第
２表示電極ライン４即ち陰極との交差する部分の透明電
極３ａの位置で発光部、すなわち有機ＥＬ素子が形成さ
れている。また各々の有機ＥＬ素子を囲むように黒色絶
縁体層５が格子上に形成されている。
例を図面を参照しつつ説明する。図１は実施例の有機Ｅ
Ｌ表示パネルを正面から透視した部分拡大正面図であ
る。有機ＥＬ表示パネルは、図１に示すように、ガラス
等からなる透明な基板２上にマトリクス状に配置されか
つ各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる発光画素
１の複数からなる画像表示配列領域１ａを有している。
水平方向に互いに平行な複数のストライプ上の透明電極
からなる第１表示電極ライン３即ち陽極と、垂直方向に
互いに平行な複数のストライプ上の金属電極からなる第
２表示電極ライン４即ち陰極との交差する部分の透明電
極３ａの位置で発光部、すなわち有機ＥＬ素子が形成さ
れている。また各々の有機ＥＬ素子を囲むように黒色絶
縁体層５が格子上に形成されている。
【００１８】図２は図１の有機ＥＬ表示パネルの線分Ａ
Ａに沿った部分断面図であり、図３は図１の有機ＥＬ表
示パネルの線分ＣＣに沿った部分断面図である。図２及
び図３に示すように、有機ＥＬ素子７の各々は、基板２
上に順に積層された、第１表示電極ライン３、有機化合
物からなる発光層を含む１以上の有機機能層６、及び第
２表示電極４からなる。
Ａに沿った部分断面図であり、図３は図１の有機ＥＬ表
示パネルの線分ＣＣに沿った部分断面図である。図２及
び図３に示すように、有機ＥＬ素子７の各々は、基板２
上に順に積層された、第１表示電極ライン３、有機化合
物からなる発光層を含む１以上の有機機能層６、及び第
２表示電極４からなる。
【００１９】また、黒色絶縁体層５は各有機ＥＬ素子７
間に設けられ、その最表面は基板の表面Ｄに向かう領域
において垂直より小なる傾斜角θで傾斜する傾斜面を有
している。つまり黒色絶縁膜層５の頂部Ｅは、いわゆる
テ−パ形状となっている。この黒色絶縁膜５の最表面の
傾斜角が垂直以上であると、その上に形成される有機機
能層６、及び／または第２表示電極４が黒色絶縁膜５の
頂部によって切り離され、その部分から有機機能層６が
剥離したり、その部分からの水分の浸入によって非発光
部が生じてしまう。よって黒色絶縁膜５の最表面の傾斜
角は垂直より小、つまり頂部はテ−パ形状でなければな
らない。
間に設けられ、その最表面は基板の表面Ｄに向かう領域
において垂直より小なる傾斜角θで傾斜する傾斜面を有
している。つまり黒色絶縁膜層５の頂部Ｅは、いわゆる
テ−パ形状となっている。この黒色絶縁膜５の最表面の
傾斜角が垂直以上であると、その上に形成される有機機
能層６、及び／または第２表示電極４が黒色絶縁膜５の
頂部によって切り離され、その部分から有機機能層６が
剥離したり、その部分からの水分の浸入によって非発光
部が生じてしまう。よって黒色絶縁膜５の最表面の傾斜
角は垂直より小、つまり頂部はテ−パ形状でなければな
らない。
【００２０】有機ＥＬ素子７の各々は、例えば、透明な
ガラス基板２上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からな
る透光性の第１表示電極として陽極３を蒸着又はスパッ
タにより成膜する。また、第１表示電極の画素を形成す
る部分を除き、第１表示電極上に黒色絶縁膜５をフォト
リソグラフィ等で形成する。その上に、銅フタロシアニ
ンからなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルアミン誘
導体）からなる正孔輸送層、Ａｌｑ３（アルミキレート
錯体）からなる発光層、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）から
なる電子注入層を順次、蒸着して有機機能層６を形成す
る。さらに、この上に第２表示電極として蒸着によっ
て、Ａｌからなる陰極４を陽極３の電極パターンと対向
するように成膜する。最後に防湿対策として、有機ＥＬ
素子７及び黒色絶縁膜５を水分を吸着する吸着材を貼り
つけた封止缶や無機パッシベーション膜（図示せず）等
で覆い、有機ＥＬ表示パネルが完成する。
ガラス基板２上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からな
る透光性の第１表示電極として陽極３を蒸着又はスパッ
タにより成膜する。また、第１表示電極の画素を形成す
る部分を除き、第１表示電極上に黒色絶縁膜５をフォト
リソグラフィ等で形成する。その上に、銅フタロシアニ
ンからなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルアミン誘
導体）からなる正孔輸送層、Ａｌｑ３（アルミキレート
錯体）からなる発光層、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）から
なる電子注入層を順次、蒸着して有機機能層６を形成す
る。さらに、この上に第２表示電極として蒸着によっ
て、Ａｌからなる陰極４を陽極３の電極パターンと対向
するように成膜する。最後に防湿対策として、有機ＥＬ
素子７及び黒色絶縁膜５を水分を吸着する吸着材を貼り
つけた封止缶や無機パッシベーション膜（図示せず）等
で覆い、有機ＥＬ表示パネルが完成する。
【００２１】有機ＥＬ表示パネルは実用上、有機ＥＬ表
示パネルの黒色絶縁膜部の可視光に対する反射率は１０
％オーダー以下が望ましく、それ以上の反射率の黒色絶
縁膜を有機ＥＬ表示パネルに用いた場合、良好なコント
ラストが得られない。そこで有機ＥＬ表示パネルの黒色
絶縁膜部のＯＤ値（透過率の逆数のｌｏｇ値）と反射率
との関係を調べる為、ＩＴＯ付のガラス基板に黒色絶縁
膜とその上にＡｌを順に成膜し、黒色絶縁膜のＯＤ値
と、各ＯＤ値において可視光領域（４００〜７００ｎ
ｍ）に対するガラス基板側からの反射率を測定した。図
４はその関係を示した図である。なお、反射率の測定に
は市販の分光測色計を使用した。
示パネルの黒色絶縁膜部の可視光に対する反射率は１０
％オーダー以下が望ましく、それ以上の反射率の黒色絶
縁膜を有機ＥＬ表示パネルに用いた場合、良好なコント
ラストが得られない。そこで有機ＥＬ表示パネルの黒色
絶縁膜部のＯＤ値（透過率の逆数のｌｏｇ値）と反射率
との関係を調べる為、ＩＴＯ付のガラス基板に黒色絶縁
膜とその上にＡｌを順に成膜し、黒色絶縁膜のＯＤ値
と、各ＯＤ値において可視光領域（４００〜７００ｎ
ｍ）に対するガラス基板側からの反射率を測定した。図
４はその関係を示した図である。なお、反射率の測定に
は市販の分光測色計を使用した。
【００２２】図４から分かるようにＯＤ値１．０以上で
はＯＤ値に関わらず反射率は６〜７％で一定となり、そ
れ以上ＯＤ値を上げても反射率の改善はみられない。ま
た、ＯＤ値を下げていった場合、ＯＤ値０．５以下で急
激に反射率が上昇する。
はＯＤ値に関わらず反射率は６〜７％で一定となり、そ
れ以上ＯＤ値を上げても反射率の改善はみられない。ま
た、ＯＤ値を下げていった場合、ＯＤ値０．５以下で急
激に反射率が上昇する。
【００２３】液晶ディスプレイのブラックマトリクスと
して黒色絶縁膜が用いられる場合、バックライトの透過
光をほぼ完全に遮断する必要があるため、少なくとも黒
色絶縁膜はＯＤ値が２．０以上必要となるが、有機ＥＬ
表示パネルの場合は図４から明らかなように、ＯＤ値が
０．５以上であれば黒色絶縁膜にとって必要最低限の反
射率である１０％オーダー以下に達することが分かる。
して黒色絶縁膜が用いられる場合、バックライトの透過
光をほぼ完全に遮断する必要があるため、少なくとも黒
色絶縁膜はＯＤ値が２．０以上必要となるが、有機ＥＬ
表示パネルの場合は図４から明らかなように、ＯＤ値が
０．５以上であれば黒色絶縁膜にとって必要最低限の反
射率である１０％オーダー以下に達することが分かる。
【００２４】次に実際に有機ＥＬ表示パネルの反射率を
調べる為、ＯＤ値が０．０２である従来の絶縁膜と、
０．６８、及び１．２１の黒色絶縁膜の３種類の絶縁膜
を用い、１画素の発光面積が約１．１５×１０−２ｍｍ
２、開口率６０％の有機ＥＬ表示パネルを作成し、可視
光領域における有機ＥＬ表示パネルの反射率とその平均
値を測定した。その結果を図５に示す。
調べる為、ＯＤ値が０．０２である従来の絶縁膜と、
０．６８、及び１．２１の黒色絶縁膜の３種類の絶縁膜
を用い、１画素の発光面積が約１．１５×１０−２ｍｍ
２、開口率６０％の有機ＥＬ表示パネルを作成し、可視
光領域における有機ＥＬ表示パネルの反射率とその平均
値を測定した。その結果を図５に示す。
【００２５】その結果、ＯＤ値０．０２の従来の絶縁膜
を用いた有機ＥＬ表示パネルの反射率は可視光領域での
平均値で６３．７％となり、ＯＤ値０．６８の黒色絶縁
膜では４５．９％、ＯＤ値１．２１の黒色絶縁膜では４
５．４％となった。以上より有機ＥＬ表示パネルの反射
率についても図４の結果と同様にＯＤ値が約０．７まで
は反射率は低下し、それ以上のＯＤ値では反射率の低下
は殆ど見られないことが分かる。
を用いた有機ＥＬ表示パネルの反射率は可視光領域での
平均値で６３．７％となり、ＯＤ値０．６８の黒色絶縁
膜では４５．９％、ＯＤ値１．２１の黒色絶縁膜では４
５．４％となった。以上より有機ＥＬ表示パネルの反射
率についても図４の結果と同様にＯＤ値が約０．７まで
は反射率は低下し、それ以上のＯＤ値では反射率の低下
は殆ど見られないことが分かる。
【００２６】ところで、一般的に黒色絶縁膜のＯＤ値を
調整する場合は、黒色絶縁膜の材料となる樹脂にカーボ
ンや有機顔料を含有させ、その濃度で調整を行う。カー
ボンや有機顔料の濃度が高くなればなるほどＯＤ値は上
昇する。しかしながら、有機顔料の濃度が高くなればな
るほど樹脂の流動性が悪くなり、黒色絶縁膜形成後その
最表面の傾斜角は垂直以上となってしまう。そうなる
と、前述のように、その上に形成された有機機能層、及
び第２表示電極が黒色絶縁膜の頂部によって切り離さ
れ、その部分が非発光部となってしまう。
調整する場合は、黒色絶縁膜の材料となる樹脂にカーボ
ンや有機顔料を含有させ、その濃度で調整を行う。カー
ボンや有機顔料の濃度が高くなればなるほどＯＤ値は上
昇する。しかしながら、有機顔料の濃度が高くなればな
るほど樹脂の流動性が悪くなり、黒色絶縁膜形成後その
最表面の傾斜角は垂直以上となってしまう。そうなる
と、前述のように、その上に形成された有機機能層、及
び第２表示電極が黒色絶縁膜の頂部によって切り離さ
れ、その部分が非発光部となってしまう。
【００２７】また、カーボンの濃度が高くなればなるほ
ど黒色絶縁膜の絶縁性が悪くなる。液晶ディスプレイの
ブラックマトリクスの場合は、その構造上ブラックマト
リクスに絶縁性は要求されない。有機ＥＬ表示パネルに
おいては、通常の発光工程では陽極と陰極間に順方向電
圧を印加する為、電流は素子に流れ、黒色絶縁膜の絶縁
性については陽極と陰極間でショートしないレベルであ
れば、それほど高い値は要求されない。しかしながら、
特開平４−３０８６８７号公報や特開平６−３０１３５
５号公報に開示されているように、有機ＥＬ表示パネル
はその電気特性の劣化を抑制する為や非選択画素へのリ
ーク電流による誤発光を防止する為に、非発光時に陰極
と陽極間に逆方向電圧を印加する、いわゆる逆バイアス
電圧を印加する工程が必要とされる。逆方向に電圧を印
加した場合、有機ＥＬ素子は半導体特性を持つ為、電流
は素子に流れにくく、黒色絶縁膜の絶縁性が十分でない
と、素子に比べ黒色絶縁膜の方に電流が流れてしまい、
逆バイアス印加の効果が十分に得られなくなってしま
う。
ど黒色絶縁膜の絶縁性が悪くなる。液晶ディスプレイの
ブラックマトリクスの場合は、その構造上ブラックマト
リクスに絶縁性は要求されない。有機ＥＬ表示パネルに
おいては、通常の発光工程では陽極と陰極間に順方向電
圧を印加する為、電流は素子に流れ、黒色絶縁膜の絶縁
性については陽極と陰極間でショートしないレベルであ
れば、それほど高い値は要求されない。しかしながら、
特開平４−３０８６８７号公報や特開平６−３０１３５
５号公報に開示されているように、有機ＥＬ表示パネル
はその電気特性の劣化を抑制する為や非選択画素へのリ
ーク電流による誤発光を防止する為に、非発光時に陰極
と陽極間に逆方向電圧を印加する、いわゆる逆バイアス
電圧を印加する工程が必要とされる。逆方向に電圧を印
加した場合、有機ＥＬ素子は半導体特性を持つ為、電流
は素子に流れにくく、黒色絶縁膜の絶縁性が十分でない
と、素子に比べ黒色絶縁膜の方に電流が流れてしまい、
逆バイアス印加の効果が十分に得られなくなってしま
う。
【００２８】さらに、黒色絶縁膜の材料となる樹脂に感
光性の材料を用いる場合、材料となる樹脂中のカーボン
や有機顔料の濃度が高いと膜の透過率が非常に低くな
り、フォトリソグラフィにより黒色絶縁膜のパターニン
グを行った際に十分な露光ができなくなったり、パター
ニング用のマスクの位置合わせの際にアライメントマー
クや陽極のパターンが見にくくなり、パターニング後に
パターンずれなどの弊害を生じる。また、高濃度のカー
ボンや顔料などの黒色体を材料の樹脂中に分散させるこ
とにより、それらの析出や凝集などによって材料の保存
安定性が低下したり、現像後に陽極となるＩＴＯ上に残
渣が残りやすくなったりする。
光性の材料を用いる場合、材料となる樹脂中のカーボン
や有機顔料の濃度が高いと膜の透過率が非常に低くな
り、フォトリソグラフィにより黒色絶縁膜のパターニン
グを行った際に十分な露光ができなくなったり、パター
ニング用のマスクの位置合わせの際にアライメントマー
クや陽極のパターンが見にくくなり、パターニング後に
パターンずれなどの弊害を生じる。また、高濃度のカー
ボンや顔料などの黒色体を材料の樹脂中に分散させるこ
とにより、それらの析出や凝集などによって材料の保存
安定性が低下したり、現像後に陽極となるＩＴＯ上に残
渣が残りやすくなったりする。
【００２９】以上のようにＯＤ値を上昇させる為に樹脂
に含有するカーボン及び有機顔料の濃度を高くすると、
上記のような弊害が発生する為に、その濃度については
それらを考慮して、調整しなければならない。
に含有するカーボン及び有機顔料の濃度を高くすると、
上記のような弊害が発生する為に、その濃度については
それらを考慮して、調整しなければならない。
【００３０】そこで、黒色絶縁体のＯＤ値と絶縁性、及
びエッジ形状との相関を調べる為、後述する各条件にて
各サンプルを作成した。
びエッジ形状との相関を調べる為、後述する各条件にて
各サンプルを作成した。
【００３１】サンプルＡ ガラス基板上に透明電極を幅２ｍｍのストライプ上にパ
ターニングし、その上にカーボン濃度７％、及び有機顔
料濃度７％を含有した樹脂材からなる黒色絶縁膜を成膜
し、その上に幅２ｍｍのＡｌ膜を透明電極と略垂直に成
膜し、これをサンプルＡとした。
ターニングし、その上にカーボン濃度７％、及び有機顔
料濃度７％を含有した樹脂材からなる黒色絶縁膜を成膜
し、その上に幅２ｍｍのＡｌ膜を透明電極と略垂直に成
膜し、これをサンプルＡとした。
【００３２】サンプルＢ カーボン濃度１２％のみを含有した樹脂材からなる黒色
絶縁膜を用いる以外は、上記サンプルＡと同様な条件で
サンプルＢを作成した。
絶縁膜を用いる以外は、上記サンプルＡと同様な条件で
サンプルＢを作成した。
【００３３】サンプルＣ 有機顔料濃度６０％のみを含有した樹脂材からなる黒色
絶縁膜を用いる以外は、上記サンプルＡと同様な条件で
サンプルＣを作成した。
絶縁膜を用いる以外は、上記サンプルＡと同様な条件で
サンプルＣを作成した。
【００３４】サンプルＤ カーボン濃度１２％、及び有機顔料濃度３８％を含有し
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＤを作成した。
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＤを作成した。
【００３５】サンプルＥ カーボン濃度１６％、及び有機顔料濃度３４％を含有し
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＥを作成した。
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＥを作成した。
【００３６】サンプルＦ カーボン濃度２２％、及び有機顔料濃度２８％を含有し
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＦを作成した。
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＦを作成した。
【００３７】サンプルＧ カーボン濃度３０％のみを含有した樹脂材からなる黒色
絶縁体を用いる以外は、上記サンプルＡと同様な条件で
サンプルＧを作成した。
絶縁体を用いる以外は、上記サンプルＡと同様な条件で
サンプルＧを作成した。
【００３８】サンプルＨ カーボン濃度３０％、及び有機顔料濃度２５％を含有し
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＨを作成した。
た樹脂材からなる黒色絶縁体を用いる以外は、上記サン
プルＡと同様な条件でサンプルＨを作成した。
【００３９】次に作成した各サンプルについて、透明電
極とＡｌ膜間に１Ｖ〜３０Ｖまで１Ｖ／ｓｅｃで電圧を
印加し、印加電圧３０Ｖ時において透明電極とＡｌ膜に
囲まれた黒色絶縁膜２ｍｍ×２ｍｍの面積に流れる電流
密度を測定した。ここで印加電圧を最大３０Ｖに設定し
たのは、マトリクス駆動における有機ＥＬ表示パネルの
最大駆動電圧に相当する為である。また各サンプルにお
ける黒色絶縁膜の頂部の形状の観察も行った。以上をふ
まえ、各サンプルに対し得られた結果を表１に示す。
極とＡｌ膜間に１Ｖ〜３０Ｖまで１Ｖ／ｓｅｃで電圧を
印加し、印加電圧３０Ｖ時において透明電極とＡｌ膜に
囲まれた黒色絶縁膜２ｍｍ×２ｍｍの面積に流れる電流
密度を測定した。ここで印加電圧を最大３０Ｖに設定し
たのは、マトリクス駆動における有機ＥＬ表示パネルの
最大駆動電圧に相当する為である。また各サンプルにお
ける黒色絶縁膜の頂部の形状の観察も行った。以上をふ
まえ、各サンプルに対し得られた結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】有機ＥＬ素子に逆方向に電圧を印加した場
合、印加電圧３０Ｖにおいて有機ＥＬ素子に流れる電流
密度を測定したところ、１０−７Ａ／ｍｍ２オーダーで
あった。よって、黒色絶縁膜に３０Ｖの電圧を印加した
場合、電流密度が１０−７Ａ／ｍｍ２オーダー以上であ
ると、有機ＥＬ表示パネルにおいて逆方向への電圧印加
工程時に有機ＥＬ素子に電流が流れにくくなり、黒色絶
縁膜に電流が流れてしまう。よって黒色絶縁膜は印加電
圧３０Ｖにおいて、少なくとも１０−８Ａ／ｍｍ２オー
ダー以下である事が要求される。
合、印加電圧３０Ｖにおいて有機ＥＬ素子に流れる電流
密度を測定したところ、１０−７Ａ／ｍｍ２オーダーで
あった。よって、黒色絶縁膜に３０Ｖの電圧を印加した
場合、電流密度が１０−７Ａ／ｍｍ２オーダー以上であ
ると、有機ＥＬ表示パネルにおいて逆方向への電圧印加
工程時に有機ＥＬ素子に電流が流れにくくなり、黒色絶
縁膜に電流が流れてしまう。よって黒色絶縁膜は印加電
圧３０Ｖにおいて、少なくとも１０−８Ａ／ｍｍ２オー
ダー以下である事が要求される。
【００４２】以上の結果から分かるように、ＯＤ値を上
げる為にカーボンの含有濃度を上げた黒色絶縁物やカー
ボンのみ含有させた黒色絶縁物は十分な絶縁性が得られ
ない事が分かる。また、ＯＤ値を上げる為に有機顔料の
含有濃度を上げると黒色絶縁膜の頂部形状がテーパー形
状を保てなくなってしまう事も分かる。このように有機
ＥＬ表示パネルに使用する黒色絶縁膜はＯＤ値が高すぎ
ても以上のような弊害が発生する。
げる為にカーボンの含有濃度を上げた黒色絶縁物やカー
ボンのみ含有させた黒色絶縁物は十分な絶縁性が得られ
ない事が分かる。また、ＯＤ値を上げる為に有機顔料の
含有濃度を上げると黒色絶縁膜の頂部形状がテーパー形
状を保てなくなってしまう事も分かる。このように有機
ＥＬ表示パネルに使用する黒色絶縁膜はＯＤ値が高すぎ
ても以上のような弊害が発生する。
【００４３】よって有機ＥＬ表示パネルに使用する黒色
絶縁膜は実用上、ＯＤ値が０．５以上という条件の他
に、高絶縁性を有し、形成後の頂部形状がテ−パ形状で
なければならないことが分かる。
絶縁膜は実用上、ＯＤ値が０．５以上という条件の他
に、高絶縁性を有し、形成後の頂部形状がテ−パ形状で
なければならないことが分かる。
【００４４】なお、表１では結果を一例として上げた
が、カーボン、有機顔料、及び樹脂の種類や特性によっ
て、上記の条件に必要なＯＤ値や、カーボン及び有機顔
料の含有濃度は当然異なってくる。
が、カーボン、有機顔料、及び樹脂の種類や特性によっ
て、上記の条件に必要なＯＤ値や、カーボン及び有機顔
料の含有濃度は当然異なってくる。
【００４５】ここで、黒色絶縁膜の絶縁性を定量的に判
断する為に、表１の結果から有機ＥＬ表示パネルの黒色
絶縁物として用いるのに十分な絶縁性を持つサンプル
Ａ、サンプルＣ、及びサンプルＥと、絶縁性が不足して
いるサンプルＦ、及びサンプルＨの体積抵抗の測定を行
った。その結果を表２に示す。
断する為に、表１の結果から有機ＥＬ表示パネルの黒色
絶縁物として用いるのに十分な絶縁性を持つサンプル
Ａ、サンプルＣ、及びサンプルＥと、絶縁性が不足して
いるサンプルＦ、及びサンプルＨの体積抵抗の測定を行
った。その結果を表２に示す。
【００４６】
【表２】
【００４７】表２から明らかなように絶縁性が不足する
サンプルＦ及びサンプルＨを除外する為、有機ＥＬ表示
パネルに使用する黒色絶縁膜の体積抵抗値は少なくとも
１．００×１０１２Ω・ｃｍ以上の体積抵抗値が必要で
ある。
サンプルＦ及びサンプルＨを除外する為、有機ＥＬ表示
パネルに使用する黒色絶縁膜の体積抵抗値は少なくとも
１．００×１０１２Ω・ｃｍ以上の体積抵抗値が必要で
ある。
【００４８】なお、本発明に適用される有機ＥＬ表示パ
ネルは図２、及び図３で表されるような有機ＥＬ表示パ
ネルの他にも特開平８−３１５９８１公報にあるように
第２表示電極の分離を行うための、該第２表示電極間に
平行に伸長した隔壁を有した有機ＥＬ表示パネルにも適
応が可能である。この場合は第２表示電極間の黒色絶縁
膜の最表面上の一部に第２表示電極の分離を行う隔壁が
形成される。
ネルは図２、及び図３で表されるような有機ＥＬ表示パ
ネルの他にも特開平８−３１５９８１公報にあるように
第２表示電極の分離を行うための、該第２表示電極間に
平行に伸長した隔壁を有した有機ＥＬ表示パネルにも適
応が可能である。この場合は第２表示電極間の黒色絶縁
膜の最表面上の一部に第２表示電極の分離を行う隔壁が
形成される。
【００４９】また、本発明に適用される有機ＥＬ表示パ
ネルは図２、及び図３で表されるような有機ＥＬ表示パ
ネルの他にも第１表示電極間、又は第２表示電極間のど
ちらか一方のみにストライプ状に絶縁膜が形成される有
機ＥＬ表示パネルにも適応が可能である。
ネルは図２、及び図３で表されるような有機ＥＬ表示パ
ネルの他にも第１表示電極間、又は第２表示電極間のど
ちらか一方のみにストライプ状に絶縁膜が形成される有
機ＥＬ表示パネルにも適応が可能である。
【００５０】さらに有機ＥＬ表示パネルのコントラスト
を改善する為に、上記条件の黒色絶縁膜を用いた有機Ｅ
Ｌ表示パネルの、基板の表面上にＮＤフィルタなどの遮
光性を有する層を設けてもよい。
を改善する為に、上記条件の黒色絶縁膜を用いた有機Ｅ
Ｌ表示パネルの、基板の表面上にＮＤフィルタなどの遮
光性を有する層を設けてもよい。
【００５１】ここでＮＤフィルタのコントラスト改善効
果を検証する為、後述する各条件にて実際に有機ＥＬ表
示パネルを作成し、有機ＥＬ表示パネルの可視光領域
（４００〜７００ｎｍ）においての反射率、及び開口部
の透過率の平均値を測定した。
果を検証する為、後述する各条件にて実際に有機ＥＬ表
示パネルを作成し、有機ＥＬ表示パネルの可視光領域
（４００〜７００ｎｍ）においての反射率、及び開口部
の透過率の平均値を測定した。
【００５２】実施例 有機ＥＬ表示パネルの基板の外側表面上全体に透過率４
５％のＮＤフィルタを設けるとともに、各有機ＥＬ素子
間に本発明の黒色絶縁膜を格子状に設けた開口率４０％
の有機ＥＬ表示パネルを作成し、その有機ＥＬ表示パネ
ルの可視光領域（４００〜７００ｎｍ）においての反射
率、及び開口部の透過率の平均値を測定した。
５％のＮＤフィルタを設けるとともに、各有機ＥＬ素子
間に本発明の黒色絶縁膜を格子状に設けた開口率４０％
の有機ＥＬ表示パネルを作成し、その有機ＥＬ表示パネ
ルの可視光領域（４００〜７００ｎｍ）においての反射
率、及び開口部の透過率の平均値を測定した。
【００５３】比較例１ 上記実施例で用いたＮＤフィルタの代わりに、従来用い
られている偏光層に該当する円偏光板を設け、また上記
実施例で用いた黒色絶縁膜の代わりに従来の絶縁膜を設
けた以外は上記実施例と同様に有機ＥＬ表示パネルを作
成し、その有機ＥＬ表示パネルの可視光領域（４００〜
７００ｎｍ）においての反射率、及び開口部の透過率の
平均値を測定した。
られている偏光層に該当する円偏光板を設け、また上記
実施例で用いた黒色絶縁膜の代わりに従来の絶縁膜を設
けた以外は上記実施例と同様に有機ＥＬ表示パネルを作
成し、その有機ＥＬ表示パネルの可視光領域（４００〜
７００ｎｍ）においての反射率、及び開口部の透過率の
平均値を測定した。
【００５４】比較例２ 上記実施例で用いた黒色絶縁膜の代わりに、従来の絶縁
膜を設けた以外は上記実施例と同様に有機ＥＬ表示パネ
ルを作成し、その有機ＥＬ表示パネルの可視光領域（４
００〜７００ｎｍ）においての反射率、及び開口部の透
過率の平均値を測定した。各測定結果を表３に示す。
膜を設けた以外は上記実施例と同様に有機ＥＬ表示パネ
ルを作成し、その有機ＥＬ表示パネルの可視光領域（４
００〜７００ｎｍ）においての反射率、及び開口部の透
過率の平均値を測定した。各測定結果を表３に示す。
【００５５】
【表３】
【００５６】以上の結果から分かるように、本実施例で
ある有機ＥＬ表示パネルの基板の表面上にＮＤフィルタ
を設けるとともに、各有機ＥＬ素子間に黒色絶縁膜を格
子状に設けた有機ＥＬ表示パネルは良好なコントラスト
が得られる条件である反射率１０％オーダー以下である
ことが分かる。
ある有機ＥＬ表示パネルの基板の表面上にＮＤフィルタ
を設けるとともに、各有機ＥＬ素子間に黒色絶縁膜を格
子状に設けた有機ＥＬ表示パネルは良好なコントラスト
が得られる条件である反射率１０％オーダー以下である
ことが分かる。
【００５７】また、本実施例では透過率４５％のＮＤフ
ィルタを用いたが、ＮＤフィルタはその透過率を低くす
ることにより、反射率を更に低くすることが可能である
ため、比較例１と同程度の透過率を有するＮＤフィルタ
と本発明の黒色絶縁膜を用いれば、有機ＥＬ表示パネル
の反射率は比較例１と同程度に抑えることが可能であ
る。
ィルタを用いたが、ＮＤフィルタはその透過率を低くす
ることにより、反射率を更に低くすることが可能である
ため、比較例１と同程度の透過率を有するＮＤフィルタ
と本発明の黒色絶縁膜を用いれば、有機ＥＬ表示パネル
の反射率は比較例１と同程度に抑えることが可能であ
る。
【００５８】さらにＮＤフィルタは透過率を任意の値に
変更可能である為、使用環境に応じて最も適した光学濃
度のＮＤフィルタを選択できるというメリットもある。
変更可能である為、使用環境に応じて最も適した光学濃
度のＮＤフィルタを選択できるというメリットもある。
【００５９】次に従来用いられている偏光層に該当する
円偏光板と本発明に用いられるＮＤフィルタの反射率の
角度依存性を図６〜９に示す。
円偏光板と本発明に用いられるＮＤフィルタの反射率の
角度依存性を図６〜９に示す。
【００６０】図６は図１０のように正方形の円偏光板を
対向する２辺の中心を結んだ中心線を軸として回転さ
せ、各視野角に対する反射率と反射光の波長との関係を
測定した結果であり、図７は図１１のように正方形の円
偏光板を対角線を軸として回転させ、各視野角に対する
反射率と反射光の波長との関係を測定した結果であり、
図８は図１０のように透過率４５％の正方形のＮＤフィ
ルタを対向する２辺の中心を結んだ中心線を軸として回
転させ、各視野角に対する反射率と反射光の波長との関
係を測定した結果である。
対向する２辺の中心を結んだ中心線を軸として回転さ
せ、各視野角に対する反射率と反射光の波長との関係を
測定した結果であり、図７は図１１のように正方形の円
偏光板を対角線を軸として回転させ、各視野角に対する
反射率と反射光の波長との関係を測定した結果であり、
図８は図１０のように透過率４５％の正方形のＮＤフィ
ルタを対向する２辺の中心を結んだ中心線を軸として回
転させ、各視野角に対する反射率と反射光の波長との関
係を測定した結果である。
【００６１】また、図９はこれらの測定結果を基に上記
の各条件に対し、視野角８５°においての反射率を１と
し、視野角２０°の反射率を規格化して、反射率と波長
との関係を表した図である。
の各条件に対し、視野角８５°においての反射率を１と
し、視野角２０°の反射率を規格化して、反射率と波長
との関係を表した図である。
【００６２】図９からも分かるように、例えば波長５０
０〜６００ｎｍの範囲において円偏光板では視野角２０
°での反射率が視野角８５°の約４〜６倍ほどあるのに
対し、ＮＤフィルタにはそのような角度依存性がほとん
ど無いのが分かる。また、反射光の各スペクトルに対し
ても円偏光板はＮＤフィルタに比べ、反射率の変化が大
きいのが分かる。
０〜６００ｎｍの範囲において円偏光板では視野角２０
°での反射率が視野角８５°の約４〜６倍ほどあるのに
対し、ＮＤフィルタにはそのような角度依存性がほとん
ど無いのが分かる。また、反射光の各スペクトルに対し
ても円偏光板はＮＤフィルタに比べ、反射率の変化が大
きいのが分かる。
【００６３】以上のように従来の偏光層に代えてＮＤフ
ィルタなどの遮光性を有する層を基板上に設けた有機Ｅ
Ｌ表示パネルは、自発光である為に液晶ディスプレイ等
に比べて視野角が広いという有機ＥＬ表示パネルの長所
を損なうことなく、良好なコントラストを得ることが可
能となる。
ィルタなどの遮光性を有する層を基板上に設けた有機Ｅ
Ｌ表示パネルは、自発光である為に液晶ディスプレイ等
に比べて視野角が広いという有機ＥＬ表示パネルの長所
を損なうことなく、良好なコントラストを得ることが可
能となる。
【００６４】なお、本実施例ではＮＤフィルタを基板表
面上に設け遮光層としたが、基板自体が遮光性を有する
基板、例えばＮＤフィルタを基板として用いても、当然
同様の効果が得られる。またＮＤフィルタや遮光性を有
する基板表面にＡＲ処理（光の干渉を利用して反射率を
低減させる処理）やＡＧ処理（光の散乱を利用して反射
率を低減させる処理）を施すことによって、さらに有機
ＥＬ表示パネルの反射率を下げる事が可能となり、良好
なコントラストを得ることができる。
面上に設け遮光層としたが、基板自体が遮光性を有する
基板、例えばＮＤフィルタを基板として用いても、当然
同様の効果が得られる。またＮＤフィルタや遮光性を有
する基板表面にＡＲ処理（光の干渉を利用して反射率を
低減させる処理）やＡＧ処理（光の散乱を利用して反射
率を低減させる処理）を施すことによって、さらに有機
ＥＬ表示パネルの反射率を下げる事が可能となり、良好
なコントラストを得ることができる。
【００６５】
【発明の効果】本発明によれば、有機ＥＬ表示パネルに
用いる絶縁膜について適正なＯＤ値を設定することによ
り、反射率の低い良好なコントラストが得られる有機Ｅ
Ｌ表示パネルを提供することができる。また、絶縁膜の
体積抵抗値と形状を規定することにより信頼性の高い有
機ＥＬ表示パネルを提供することができる。さらに基板
の表面上に遮光性を有する層を設けるか、または基板自
体に遮光性を有する基板を用いることにより、さらに良
好なコントラストが得られる有機ＥＬ表示パネルを提供
することができる。
用いる絶縁膜について適正なＯＤ値を設定することによ
り、反射率の低い良好なコントラストが得られる有機Ｅ
Ｌ表示パネルを提供することができる。また、絶縁膜の
体積抵抗値と形状を規定することにより信頼性の高い有
機ＥＬ表示パネルを提供することができる。さらに基板
の表面上に遮光性を有する層を設けるか、または基板自
体に遮光性を有する基板を用いることにより、さらに良
好なコントラストが得られる有機ＥＬ表示パネルを提供
することができる。
【図１】本発明による有機ＥＬ表示パネルの概略拡大部
分正面図。
分正面図。
【図２】図１の線分ＡＡに沿った有機ＥＬ表示パネルの
概略部分断面図。
概略部分断面図。
【図３】図１の線分ＣＣに沿った有機ＥＬ表示パネルの
概略部分断面図。
概略部分断面図。
【図４】絶縁膜のＯＤ値と反射率との関係を示すグラ
フ。
フ。
【図５】異なったＯＤ値を持つ３種の絶縁膜の可視光領
域での反射率の変化を示すグラフ。
域での反射率の変化を示すグラフ。
【図６】円偏光板の可視光領域での反射率の角度依存性
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図７】円偏光板の可視光領域での反射率の角度依存性
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図８】ＮＤフィルタの可視光領域での反射率の角度依
存性を示すグラフ。
存性を示すグラフ。
【図９】ＮＤフィルタ、及び円偏光板の可視光領域での
反射率の角度依存性を示すグラフ。
反射率の角度依存性を示すグラフ。
【図１０】ＮＤフィルタ、及び円偏光板の反射率の角度
依存性の測定方法を示す図。
依存性の測定方法を示す図。
【図１１】円偏光板の反射率の角度依存性の測定方法を
示す図。
示す図。
１ 発光画素 ２ 基板 ３ 第１表示電極ライン ４ 第２表示電極ライン ５ 黒色絶縁膜層 ６ 有機機能層 ７ 有機ＥＬ素子
Claims (10)
- 【請求項１】 第１表示電極、有機化合物からなる発
光層を含む１以上の有機機能層、及び第2表示電極が基
板上に順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素
子と、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を絶縁膜
を介して複数個配列してなる有機エレクトロルミネッセ
ンス表示パネルであって、 前記絶縁膜は可視光領域におけるＯＤ値が０．５以上で
あることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表
示パネル。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は３０Ｖの電圧を印加した
時の電流密度が１０ −８Ａ／ｍｍ２オーダー以下である
ことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス表示パネル。 - 【請求項３】 前記絶縁膜の体積抵抗値が１．０×１
０１２Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１記
載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。 - 【請求項４】 前記絶縁膜の最表面は前記基板の表面
に向かう領域において、前記基板に対し垂直より小なる
傾斜角で傾斜する傾斜面を有することを特徴とする請求
項１乃至３記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パ
ネル。 - 【請求項５】 前記絶縁膜は前記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の間の少なくとも一部が格子状に設けら
れていることを特徴とする請求項１乃至４記載の有機エ
レクトロルミネッセンス表示パネル。 - 【請求項６】 少なくとも前記絶縁膜の最表面上の一
部に隔壁を有することを特徴とする請求項１乃至５記載
の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。 - 【請求項７】 前記基板の表面上に遮光性を有する層
が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６記載
の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。 - 【請求項８】 遮光性を有する前記層はＮＤフィルタ
であることを特徴とする請求項７記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス表示パネル。 - 【請求項９】 前記基板は遮光性を有する基板である
ことを特徴とする請求項１乃至６記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス表示パネル。 - 【請求項１０】 遮光性を有する前記基板はＮＤフィル
タであることを特徴とする請求項９記載の有機エレクト
ロルミネッセンス表示パネル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093044A JP2002289357A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| EP02252041A EP1246245A3 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-21 | Organic electroluminescence display panel |
| US10/105,158 US6756739B2 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-26 | Organic electroluminescence display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093044A JP2002289357A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289357A true JP2002289357A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18947427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001093044A Pending JP2002289357A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6756739B2 (ja) |
| EP (1) | EP1246245A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002289357A (ja) |
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| US11916168B2 (en) | 2018-11-07 | 2024-02-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030038595A1 (en) | 2003-02-27 |
| EP1246245A3 (en) | 2003-10-29 |
| EP1246245A2 (en) | 2002-10-02 |
| US6756739B2 (en) | 2004-06-29 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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