JP2000294380A

JP2000294380A - 有機ｅｌ素子とその製造方法

Info

Publication number: JP2000294380A
Application number: JP11101129A
Authority: JP
Inventors: Yusho Izumisawa; 勇昇泉澤; Toshihiro Koike; 俊弘小池; Kenji Furukawa; 顕治古川
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1999-04-08
Filing date: 1999-04-08
Publication date: 2000-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】非発光領域に出て行く光に起因する発光のに
じみ、混合色を無くした有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】透明基板１の上に帯状の陽極２を間隔を
おいて平行に複数個形成する。陽極と陽極との間を吸光
性絶縁膜３で埋める。吸光性絶縁膜は、光の吸収率が
０．７〜１未満の絶縁性物質を熱硬化性樹脂に分散させ
たものからなる。陽極と吸光性絶縁膜の表面に正孔注入
輸送層４、発光層５、電子注入輸送層６を形成する。そ
の上に陽極と直角方向に陰極７を複数個平行に形成す
る。発光層から透明基板の非発光領域（陽極と陽極との
間）に向かう光は、吸光性絶縁膜に吸収されて非発光領
域に出て行かず、発光のにじみと光の混合は防止され
る。上記絶縁性物質には例えばＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、熱硬化
性樹脂には例えばエポキシ樹脂が選ばれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す）とその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、ガラスのような透明基
板の上に陽極、有機発光層、陰極を順に積層した構造を
有しており、文字や図形の表示を行う有機ＥＬ素子は、
陽極と陰極とを交差させてドット・マトリクスを形成す
る構造になっている。単色発光有機ＥＬ素子の有機発光
層には、有機化合物の単層構造、正孔注入輸送層と電子
注入輸送層とからなる二層構造、正孔注入輸送層と発光
層と電子注入輸送層とからなる三層構造、正孔注入輸送
層及び電子注入輸送層をそれぞれ複数層で構成した多層
構造等の種類があり、多色発光有機ＥＬ素子の有機発光
層は、正孔注入輸送層と電子注入輸送層との間に赤緑青
の三色の有機発光層を備えている。これらの構造におい
て、陽極と陰極との間に通電すると、通電している陽極
と陰極との交差点以外の領域、すなわち非発光領域に光
が漏れ、発光の「にじみ」という現象が起こる。その結
果、文字や図形の輪郭ににじみを生じ、文字や図形が不
鮮明になる。

【０００３】図７は従来の有機ＥＬ素子の第１の例を示
す斜視図である。ガラスあるいは石英等の透明基板５１
の上に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる透明導
体で複数の帯状の陽極５２を各々が平行となるように形
成する。陽極５２及び露出しているガラス基板５１の上
に正孔輸送層５４を形成し、その上に赤緑青の三色の有
機発光層５５Ｒ、５５Ｇ、５５Ｂを蒸着法、インクジェ
ット法、転写法等の既知の方法によって形成する。上記
赤緑青の三色の有機発光層５５の上に電子注入輸送層５
６を形成し、さらに電子注入輸送層５６の上に陽極５２
とは直交する方向に陰極５７を形成する。

【０００４】正孔注入輸送層５４には、例えば、Ｎ，
Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３−メチルフェニ
ル）１，１’−ビフェニル―４，４’−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ジ（１−ナフ
チル）１，１’−ビフェニル―４，４’−ジアミン（α
―ＮＰＤ）等が使用される。赤色有機発光層５５Ｒに
は、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（III）（Ａｌｑ₃）に５，１０，１５，２０―テトラフ
ェニル―２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン（ＴＰＰ）を３０
ｗｔ％加えたもの等が使用される。緑色有機発光層５５
Ｇには、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニ
ウム（III）（Ａｌｑ₃）に３−（２’−ベンゾチアゾリ
ル）−７−ジメチルアミノクマリン（Ｃ５４０）を１．
５ｗｔ％加えたもの等が使用される。青色有機発光層５
５Ｂには、例えば、４−ビフェニルオキシ―ビス（キノ
リノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）にペリレン（Ｐ
ｅ）を２ｗｔ％加えたもの等が使用される。電子注入輸
送層５６には、例えば、１，１−ジメチル−３，４−ジ
フェニル−２，５−ビス｛６−（２−ピリジル）ピリジ
ン−２−イル｝シラシクロペンタジエン（ＰｙＰｙＳＬ
ＰｙＰｙ）等が使用される。陰極５７には、例えば、Ｍ
ｇ−Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ等が使用される。

【０００５】図８は図７の有機ＥＬ素子における発光の
にじみを説明するための部分断面図である。赤色有機発
光層５５Ｒの一点Ｐ_R、緑色有機発光層５５Ｇの一点Ｐ_G
からそれぞれ発光があったとする。点Ｐ_R、Ｐ_Gからの光
はそれぞれ球面に広がる。陽極５２、透明基板５１に垂
直に入射した光Ｒ₁、Ｇ₁は屈折することなく陽極正面か
ら出て行く。陽極５２に斜めに入射した光Ｒ₂、Ｇ₂は屈
折しながら陽極正面から出て行く。また、光Ｒ₃のよう
に、陽極５２に入射しても屈折率の関係で陽極正面に出
て行かず、本来の発光領域（陽極５２と陰極５７とが交
差する領域）以外の非発光領域に出て行く光や、光Ｇ₃
のように、陽極５２に入射せずに非発光領域に出て行く
光もある。さらに、光Ｒ₄のように、陰極５７で反射し
て非発光領域に出て行く光もある。光Ｒ₃、Ｒ₄、Ｇ
₃は、非発光領域に出る光であるから、発光のにじみと
なる。同様の発光は、緑色有機発光層５５Ｒ、青色有機
発光層５５Ｂにおいても起こる。そして、点Ｐ_RとＰ_Gと
が同時に発光したときには光Ｒ ₃、Ｒ₄と光Ｇ₃とが入り
混じり、赤色と緑色との混合色となる。同様なことは、
緑色と青色との間、青色と赤色との間でも起こる。有機
ＥＬ素子においては、表１に示すように、透明基板５
１、陽極５２、正孔注入輸送層５４、有機発光層５５の
各物質の屈折率が大きく異なるので、光が様々な屈折を
し、そのため光のにじみ、混色は複雑になる。

【０００６】

【表１】

【０００７】一般に、媒体１の屈折率をｎ₁、媒体２の
屈折率をｎ₂、媒体１から媒体２への入射角をθ₁、媒体
２における屈折角をθ₂とするとき、光の屈折は次式
（１）で表される。

【０００８】

【数１】ｓｉｎθ₁／ｓｉｎθ₂＝ｎ₂／ｎ₁ …（１）

【０００９】例えば、光Ｒ₃の場合、点Ｐ_Rから出た光Ｒ
₃は、正孔注入輸送層５４から陽極５２に入射すると
き、正孔注入輸送層５４の屈折率ｎ₁（＝１．７６）＜
陽極５２の屈折率ｎ₂（＝１．８〜２．１）であるか
ら、式（１）によりθ₁＞θ₂となる。次に、陽極５２か
ら正孔注入輸送層５４に入射するときはその逆になっ
て、θ₃＜θ₄となる。次に、正孔注入輸送層５４から透
明基板５１に入射するとき、正孔注入輸送層５４の屈折
率ｎ₁（＝１．７６）＞透明基板５１の屈折率ｎ₃（＝
１．４６）であるから、式（１）によりθ₅＞θ₆とな
る。次に、透明基板５１から大気中に射出するとき、透
明基板５１の屈折率ｎ₃（＝１．４６）＞空気の屈折率
ｎ₄（≒１．０）であるから、式（１）によりθ₇＜θ₈
となる。このように、光は複雑な屈折を行うので、光の
にじみ、混色が発生するのである。このような光のにじ
み、混色を低減するために、従来いくつかの提案が行わ
れている。

【００１０】図９は従来の有機ＥＬ素子の第２の例を示
す一部切り欠き斜視図及びこの有機ＥＬ素子における光
路を説明するための断面図である。この有機ＥＬ素子
は、特開平３−２３３８９１号公報に開示されたもので
ある。

【００１１】図９（ａ）に示すように、ガラス基板５１
の上にＩＴＯで複数の帯状の陽極５２を各々が平行とな
るように形成する。陽極５２及び露出しているガラス基
板５１の上に正孔輸送層５４を形成し、その上に複数の
島状の有機発光層５５を陽極５２に沿って形成する。こ
のようにして、マトリクス状に配置された独立した複数
の発光領域を有する有機発光層５５が形成される。さら
に、陽極５２とは直交する方向に陰極５７を形成する。
この場合、有機発光層５５のそれぞれを陽極５２と陰極
５７との交点に位置させる。そして、陰極５７を含む表
面に絶縁体層５８を形成する。このように、陽極５２と
陰極５７との交点にのみ島状の有機発光層５５を形成す
ると、発光してほしい領域のみ発光し、他の領域は発光
しないから、クロストークや発光のにじみが減少する効
果があるという。

【００１２】図９（ｂ）に示すように、有機発光層５５
の一点Ｐ₁から発光があったとする。点Ｐ₁からの光は球
面に広がる。陽極５２、透明基板５１に垂直に入射した
光Ｒ₁は屈折することなく陽極正面から出て行く。陽極
５２に斜めに入射した光Ｒ₂は屈折しながら陽極正面か
ら出て行く。また、光Ｒ₃のように、陽極５２に入射し
ても屈折率の関係で陽極正面に出て行かず、本来の発光
領域（陽極５２と陰極５７とが交差する領域）以外の非
発光領域に出て行く光や、光Ｒ₄のように、陰極５７で
反射して非発光領域に出て行く光もある。さらに、光Ｒ
₅のように、陽極５２に入射せずに非発光領域に出て行
く光もある。光Ｒ₃、Ｒ₄は、非発光領域に出る光である
から、発光のにじみとなる。隣の有機発光層５５から別
の色の発光が同時にあったとすると、図８で説明したの
と同じように、混合色になるという問題が起こる。

【００１３】図１０は従来の有機ＥＬ素子の第３の例を
示す一部切り欠き斜視図及びこの有機ＥＬ素子における
光路を説明するための断面図である。この有機ＥＬ素子
は、特開平４−５１４９４号公報に開示されたものであ
る。

【００１４】図１０（ａ）に示すように、ガラス基板５
１の上にＩＴＯからなる透明導体で複数の帯状の陽極５
２を各々が平行となるように形成する。次に、陽極５２
とガラス基板５１の露出面を覆う絶縁膜５３を形成し、
後で作られる陰極と交差する位置において陽極５２の上
に開口Ｗを形成する。開口Ｗは、その一辺が陽極５２及
び陰極の幅より小さい四角形にする。次に、正孔輸送層
５４を形成し、その上に有機発光層５５を形成する。正
孔輸送層５４及び有機発光層５５は、開口Ｗの所で落ち
込む。次に、有機発光層５５の上に、陽極５２とは直交
する方向に、かつ開口Ｗが陽極５２との交点となるよう
に陰極５７を形成する。陰極５７は、開口Ｗの一辺より
大きい幅に作られているから開口Ｗを覆っており、開口
Ｗの所で落ち込んでいる。

【００１５】この構造にすると、陽極５２と陰極５７と
が交差する位置にのみ開口Ｗが設けられているから、陽
極５２からの電流は開口Ｗのみを通って流れ、開口Ｗ内
の有機発光層５５のみが発光するので、発光のにじみや
クロストークは起こらないという。

【００１６】しかしながら、図１０（ｂ）に示すよう
に、点Ｐからの発光Ｒ₁のように、非発光領域に出て行
く光を防ぐことはできない。このため、発光のにじみは
解消されない。また、多色有機ＥＬ素子の場合、図８で
説明したのと同じように、混合色となるという問題が起
こる。

【００１７】図１１は従来の有機ＥＬ素子の第４の例を
示す一部切り欠き斜視図及びこの有機ＥＬ素子における
光路を説明するための断面図である。この有機ＥＬ素子
は、特開平７−２２１７７号公報に開示されたものであ
る。

【００１８】ガラス等の透明基板５１の上にＩＴＯから
なる透明導体で複数の帯状の陽極５２を各々が平行とな
るように形成する。次に、絶縁性感光レジストを塗布し
露光現像するホトリソグラフィ法によって、陽極５２上
に孔部５３ａを有する絶縁性の非発光層５３を形成す
る。電解重合法により孔部５３ａ内に有機発光層５５を
形成する。有機発光層５５は、図１１（ａ）に示すよう
に一層にすることもできるし、図１１（ｂ）に示すよう
に正孔輸送層５４、発光層５５、電子輸送層５６からな
るダブルヘテロ構造にすることもできる。絶縁性の非発
光層５３は、陽極５２と発光層５５の合計厚さ、又は陽
極５２、正孔輸送層５４、発光層５５、電子輸送層５６
の合計厚さと同じ厚さに形成する。次に、非発光層５３
と電子輸送層５６の上に、陽極５２とは直交する方向に
陰極５７を形成する。

【００１９】この構造にすると、発光層が非発光層５３
に囲まれ、発光層が陽極５２の上にのみ存在するから、
発光のにじみやクロストークが無い優れた有機ＥＬ素子
が得られるという。

【００２０】しかしながら、図１１（ｂ）に示すよう
に、点Ｐからの発光Ｒ₁のように、非発光領域５３に出
て行く光を無くすことはできない。このため、発光のに
じみは完全には解消されない。また、多色有機ＥＬ素子
の場合、図８で説明したのと同じように、混合色となる
という問題が起こる。

【００２１】図１２は従来の有機ＥＬ素子の第５の例を
示す一部切り欠き斜視図及びこの有機ＥＬ素子における
光路を説明するための断面図である。この有機ＥＬ素子
は、特開平１０−２１４０４３号公報に開示されたもの
である。

【００２２】ガラス等の透明基板５１の上にＩＴＯから
なる透明導体で複数の帯状の陽極５２を各々が平行とな
るように形成する。陽極５２と陽極５２との間にブラッ
クマトリックス５８を設ける。ブラックマトリックス５
８の材質としては、吸光性を有した微粒子（カーボンブ
ラックなど）を含有した塗布絶縁膜（シリコーン系樹脂
膜、ポリイミド系樹脂膜、ＳＯＧ（Spin On G1ass）膜
等）や、吸光性を有した高分子フィルムなどを使用する
ことができ、その形成時に陽極５２に対して悪影響を及
ぼさないものであればどのような材質であってもよいと
される。陽極５２とブラックマトリックス５８の上に第
１正孔輸送層５４ａ、第２正孔輸送層５４ｂ、発光層５
５、電子輸送層５６を形成する。電子輸送層５６の上
に、陽極５２とは直交する方向に陰極５７を形成する。

【００２３】上記のように構成すると、矢印６０で示す
ように、陽極５２と陽極５２との間の非発光領域５３に
出て行く光はブラックマトリックス５８により遮光され
るので、発光のにじみが解消され、また各陽極５２の間
に絶縁性を有したブラックマトリックス５８が形成され
ているため、各陽極５２間の絶縁特性が改善され、リー
ク電流が流れにくくなる。したがって、有機ＥＬ素子の
リーク電流特性による光学的クロストークは発生しにく
くなるという。そして、この発明では、ブラックマトリ
ックス５８に使用する吸光性の微粒子として、カーボン
ブラックを例示している。

【００２４】しかしながら、カーボンブラックは、低い
とはいえ導電性を有するので、シリコーン系樹脂膜、ポ
リイミド系樹脂膜等のバインダーに添加する添加率を大
きくすると導電性を帯びてくる。それ故、添加率を余り
上げることはできず、限界がある。しかし、特開平１０
−２１４０４３号の明細書には塗布絶縁膜を保持し得る
ためのカーボンブラック添加率の限界値は示されていな
い。また、この明細書には、「吸光性を有した高分子フ
ィルム」という記載があるが、具体的な材質の記載はな
く、当業者がこの発明を実施し得るだけの具体的説明は
なされていない。この発明のブラックマトリックスは、
カラー陰極線管からの類推で考えられたものと思われる
が、カラー陰極線管と有機ＥＬ素子とでは、構造も材質
も異なるので、カラー陰極線管の手法をそのまま有機Ｅ
Ｌ素子に持ち込むことは難しい。特に、有機ＥＬ素子で
は、陽極５２と陽極５２との間の絶縁は発光のにじみや
クロストークに直接関係するので、絶縁性の保持は重要
課題である。上記第５の例は、アイディアとしてはよい
が、実際に実施しようとすると難しいものと思われる。
そのためかどうかは不明であるが、本件の発明者は、同
じ明細書内で下記の別の提案を行っている。

【００２５】図１３は従来の有機ＥＬ素子の第６の例を
示す一部切り欠き斜視図及びこの有機ＥＬ素子における
光路を説明するための断面図である。この有機ＥＬ素子
は、第５の例と同じく、特開平１０−２１４０４３号公
報に開示されたものである。

【００２６】透明基板５１の上にＩＴＯからなる透明導
体で複数の帯状の陽極５２を各々が平行となるように形
成する。陽極５２と陽極５２との間の露出した透明基板
５１上と各陽極５２の側壁部とに、陽極５２の膜厚より
も薄い膜厚の絶縁膜５３を形成する。絶縁膜５３の材質
としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を
用いて形成されたシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜
や、塗布絶縁膜（シリコーン系樹脂膜、ポリイミド系樹
脂膜、ＳＯＧ（Spin On G1ass）膜等）などを使用す
る。絶縁膜５３上に吸光性を有した金属膜（クロム膜、
チタン膜等）５９をＰＶＤ（Physica1 Vapor Depositio
n）法などで被着する。これによりブラックマトリック
スが形成される。づまり、ブラックマトリックスは、絶
縁膜５３を介して各陽極５２の間に埋め込まれた状態に
形成されている。陽極５２、絶縁膜５３、金属膜５９の
上に第１正孔輸送層５４ａ、第２正孔輸送層５４ｂ、発
光層５５、電子輸送層５６を形成する。電子輸送層５６
の上に、陽極５２とは直交する方向に陰極５７を形成す
る。

【００２７】上記のような構成にすると、絶縁膜５３が
有るため、陽極５２と陽極５２との間の絶縁を保持しな
がら、導電体であるけれども吸光性が良い金属膜５９を
用いることができ、発光のにじみやクロストークが無い
優れた有機ＥＬ素子が得られるという。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の構造の有機ＥＬ素子では、非発光領域に出て行く
光を無くすことが難しく、発光のにじみ、混合色の発生
を無くすことが難しいという問題があった。これに対
し、発光のにじみやクロストークを無くすために従来多
くの提案がなされてきた。これらの中で、図１３に示し
た第６の例が一番有望であると考えられるが、絶縁層５
３と金属層５９の２層構造にするため、工数が２倍にな
るとともに、ＣＶＤ、ＰＶＤを使用するので、設備費も
高くつき、コストが高くなるという問題があった。

【００２９】本発明は、前述した事情に鑑みてなされた
もので、その目的は、非発光領域に出て行く光に起因す
る発光のにじみ、混合色を無くすことを、低コストで容
易に実現することができる有機ＥＬ素子とその製造方法
を提供することにある。

【００３０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、下記（１）〜（２）に示す有機ＥＬ素子を
提供する。（１）透明基板の上に帯状の透明導体製の陽極を間隔を
おいて平行に複数個設け、この陽極を含む前記透明基板
上に発光層を含む有機多層膜を設けるとともに、この有
機多層膜の表面に帯状の陰極を前記陽極とは直角方向に
間隔をおいて平行に複数個設けた有機ＥＬ素子におい
て、光の吸収率が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱
硬化性樹脂バインダーとからなる混合物を、前記陽極と
陽極との間を埋めるように設けたことを特徴とする有機
ＥＬ素子。

【００３１】（２）透明基板の上に帯状の透明導体製の
陽極を間隔をおいて平行に複数個設け、この陽極を含む
前記透明基板上に発光層を含む有機多層膜を設けるとと
もに、この有機多層膜の表面に帯状の陰極を前記陽極と
は直角方向に間隔をおいて平行に複数個設けた有機ＥＬ
素子において、前記有機多層膜を前記陽極上に帯状に設
け、光の吸収率が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱
硬化性樹脂バインダーとからなる混合物を前記陽極と陽
極との間を埋めるように設け、かつ、前記有機多層膜を
前記混合物を介して前記陽極毎に仕切ったことを特徴と
する有機ＥＬ素子。

【００３２】また、本発明は、前記（１）〜（２）の有
機ＥＬ素子を製造するために、下記（３）〜（５）に示
す有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。（３）透明基板の表面に透明導体の膜を形成する工程
と、前記透明導体の膜上の所定領域にホトレジスト膜を
形成し、ホトレジスト膜に覆われていない透明導体の膜
を除去することにより、前記透明基板の上に帯状の透明
導体製の陽極を間隔をおいて平行に複数個設ける工程
と、前記陽極と陽極との間を埋めるように、光の吸収率
が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化性樹脂バイ
ンダーとを混合した混合液を陽極及びホトレジスト膜を
含む前記透明基板表面に被着し、この混合液を加熱して
硬化させることにより吸光性絶縁膜を形成する工程と、
前記陽極上のホトレジスト膜をその上の吸光性絶縁膜と
共に除去する工程と、前記陽極及び吸光性絶縁膜の表面
に発光層を含む有機多層膜を形成する工程と、前記有機
多層膜の表面に帯状の陰極を前記陽極とは直角方向に間
隔をおいて平行に複数個設ける工程とを備えたことを特
徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。

【００３３】（４）透明基板の表面に透明導体の膜を形
成する工程と、前記透明導体を選択除去することによ
り、前記透明基板の上に帯状の透明導体製の陽極を間隔
をおいて平行に複数個設ける工程と、光の吸収率が０．
７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化性樹脂バインダー
とを混合した混合液を前記陽極を含む前記透明基板表面
に被着し、この混合液を加熱して硬化させることにより
吸光性絶縁膜を形成する工程と、化学的機械的研磨法に
より前記陽極表面が露出するまで前記吸光性絶縁膜を研
磨除去して陽極と吸光性絶縁膜の表面をほぼ同一平面と
する工程と、前記陽極及び吸光性絶縁膜の表面に発光層
を含む有機多層膜を形成する工程と、前記有機多層膜の
表面に帯状の陰極を前記陽極とは直角方向に間隔をおい
て平行に複数個設ける工程とを備えたことを特徴とする
有機ＥＬ素子の製造方法。

【００３４】（５）透明基板の表面に透明導体の膜を形
成する工程と、前記透明導体の膜上の所定領域に、後で
形成する有機多層膜とほぼ同じ厚さにホトレジスト膜を
形成し、前ホトレジスト膜に覆われていない透明導体の
膜を除去することにより、前記透明基板の上に帯状の透
明導体製の陽極を間隔をおいて平行に複数個設ける工程
と、光の吸収率が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱
硬化性樹脂バインダーとを混合した混合液を前記陽極及
びホトレジスト膜を含む前記透明基板表面に被着し、こ
の混合液を加熱して硬化させることにより吸光性絶縁膜
を形成する工程と、前記陽極上のホトレジスト膜をその
上の吸光性絶縁膜と共に除去する工程と、前記吸光性絶
縁膜で仕切られた陽極の表面に発光層を含む有機多層膜
を形成する工程と、前記有機多層膜及び吸光性絶縁膜の
表面に帯状の陰極を前記陽極とは直角方向に間隔をおい
て平行に複数個設ける工程とを備えたことを特徴とする
有機ＥＬ素子の製造方法。

【００３５】この場合、本発明では、前記絶縁性物質と
して、ＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ₅Ｏ
₁₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、Ｎｂ
Ｏ、ＮｂＯ₂及びＭＯ・Ｆｅ₂Ｏ₃フェライト（但し、Ｍ
はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣｄ
の少なくとも１種である）からなる群から選ばれた少な
くとも１種を用いることが適当である。

【００３６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の有機ＥＬ素
子の第１の実施例の斜視図である。ガラス等の透明基板
１の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の透明導体で帯
状の陽極２を間隔をおいて平行に複数個形成する。光の
吸収率が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化性樹
脂バインダーとからなる混合物を陽極と陽極との間を埋
めるように設け、吸光性絶縁膜３を形成する。吸光性絶
縁膜３は、陽極２と陽極２との間の非発光領域に出て行
く光を吸収して光のにじみを無くすためのものであるか
ら、光の吸収率が高いことが必要である。光の吸収率が
１．０が理想であるが、そのような物質は存在しない。
肉眼で光のにじみを感じない程度にするためには、光の
吸収率が０．７以上であることが必要である。

【００３７】カーボンブラックやグラファイトは光の吸
収率が高い物質として知られているが、前述のようにカ
ーボンブラックやグラファイトは導電性を有するので、
吸光性絶縁膜３の絶縁性物質には適さない。吸光性絶縁
膜３に適する物質は、光の吸収率が高い物質であればよ
く、黒色でなければならないというものではない。光の
吸収率が高く、かつ絶縁体である物質は、金属酸化物の
中にいくつか存在する。本発明ではそのような物質を使
用する。このような物質を熱硬化性樹脂バインダーに添
加した混合物を陽極と陽極との間に塗布し、加熱して硬
化させて吸光性絶縁膜３を形成する。なお、吸光性絶縁
膜３は、陽極２と透明基板１との段差を小さくするた
め、陽極２とほぼ同じ厚さに設けるのが好ましい。

【００３８】陽極２と吸光性絶縁膜３の表面に正孔注入
輸送層４を形成する。陽極２と吸光性絶縁膜３の表面は
ほぼ同一平面に形成されており、段差が無いから、正孔
注入輸送層４はほぼ平坦となり、従来のような波打つこ
とはない。正孔注入輸送層４の材料としては、例えば、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフ
ェニル）１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン
（ＴＰＤ）を使用する。

【００３９】正孔注入輸送層４上に発光層５を形成す
る。発光層５は赤緑青の三色からなり、例えば、赤色発
光層５Ｒにはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（III）（Ａｌｑ₃）に５，１０，１５，２０−テトラフ
ェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン（ＴＰＰ）を３０
ｗｔ％加えたもの、緑色発光層５５Ｇにはトリス（８−
キノリノラト）アルミニウム（III）（Ａｌｑ₃）に３−
（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジメチルアミノクマ
リン（Ｃ５４０）を１．５ｗｔ％加えたもの、青色発光
層５５Ｂには４−ビフェニルオキシ−ビス（キノリノラ
ト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）にペリレン（Ｐｅ）を２
ｗｔ％加えたものが使用される。

【００４０】発光層５の上に電子注入輸送層６を、例え
ば３５ｎｍの厚さに形成する。電子注入輸送層６の材料
としては、例えば、１，１−ジメチル−３，４−ジフェ
ニル−２，５−ビス｛６−（２−ピリジル）ピリジン−
２−イル｝シラシクロペンタジエン（ＰｙＰｙＳＬＰｙ
Ｐｙ）を使用する。

【００４１】電子注入輸送層６の表面に陽極２とは直角
方向に帯状の陰極７を間隔をおいて平行に複数個設け
る。陰極７は、例えばＭｇ−Ａｇ合金で形成される。陰
極７の材料として、Ｍｇ−Ａｇ以外に、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｉｎ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ｉｎ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａ
ｌ₂Ｏ₃／Ａｌ等を使用することができる。ここで、Ｌｉ
Ｆ／Ａｌ、Ａｌ₂Ｏ₃／Ａｌとは、ＬｉＦ又はＡｌ₂Ｏ₃を
例えば０．５〜５ｎｍの厚さに堆積し、その上にＡｌを
例えば１０〜２００ｎｍの厚さに堆積した構造を意味す
る。

【００４２】吸光性絶縁膜３は、非発光領域（陽極と陽
極との間）に出て行こうとする光を吸収して、発光のに
じみ、混合色の発生を無くすためのものであるから、吸
光性絶縁膜３に使用する絶縁性物質は、光の吸収率が大
きいことが必要である。光の吸収率（absorptivity）Ａ
は、光が物質中を通過するときの単位長さ当たりのエネ
ルギーの損失の割合、換言すれば複素屈折率の虚部に対
応する。複素屈折率の虚部ｎ_iと光の吸収率Ａとは、次
式（２）で示される関係にある。

【００４３】

【数２】１−Ａ＝｛ｅｘｐ［（−２π／λ₀）ｎ_i｝² ＝ｅｘｐ［（−４π／λ₀）ｎ_i］ …（２）

【００４４】ここで、λ₀は単位長さで測った真空中の
波長である。物質に光が入射したときの吸収率をＡ、反
射率をＲ、透過率をＴとするとき、次式（３）が成立す
る。

【００４５】

【数３】Ａ＋Ｒ＋Ｔ＝１ …（３）

【００４６】吸収率Ａと放射率εとが一致することは理
論的に導かれている。放射率εは、一般の物体表面から
の放射とこれと同じ温度の黒体放射の強さの比で定義さ
れる。吸収率Ａと放射率εは、光の波長によって変わる
のであるが、有機ＥＬ素子では可視光の範囲を扱うの
で、ここでは可視光範囲での吸収率Ａが問題となる。吸
収率Ａは、大きければ大きい程黒色に近づき、小さけれ
ば小さい程無色透明に近づく。黒色の代表的物質は、カ
ーボンブラック、グラファイトであり、６００ｎｍ波長
でのグラファイトの放射率ε（＝吸収率Ａ）は０．９６
であるが、前述のようにカーボンブラック、グラファイ
トは導電性を有するので、吸光性絶縁膜３には適しな
い。肉眼で光のにじみを感じない程度にするにはある程
度光を吸収してくれればよいのであって、必ずしも黒色
でなければならないというものではない。

【００４７】肉眼で光のにじみを感じない程度にするに
は、吸収率Ａが０．７以上であればよい。それは、物質
中を通過する光の強度は、下記式（４）に示すランベル
ト（Lambert）−ブーゲ（Bouger）の法則に従って指数
関数で急激に減衰するからである。また、その物質は絶
縁体又は絶縁体に近い高電気抵抗物質であることが必要
である。そのような物質として、ＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃｒ
₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ ₅Ｏ₁₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、Ｍ
ｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＮｂＯ、ＮｂＯ₂、ＭＯ・Ｆｅ₂Ｏ₃
フェライト（但し、ＭはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍ
ｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄの群から選ばれた少なくとも１種
である）が選ばれる。これらの物質は、１種類のみを単
独で使用してもよく、複数種類を混合して使用してもよ
い。これらの吸光性絶縁体の微細末を熱硬化性樹脂バイ
ンダーで結合して透明基板１上に吸光性絶縁膜３を形成
する。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン樹脂
等が選ばれる。

【００４８】

【数４】Ｉ＝Ｉ₀ｅ^-α^x …（４）

【００４９】ここで、Ｉは光が物質中を距離ｘだけ進行
したときの光の強度、Ｉ₀は入射光の強度、αは光の吸
収係数（absorption coefficient）、ｘは光の進行距離
である。なお、吸収率Ａは光が物質中を通過するときの
単位長さ当たりのエネルギーの損失の割合で定義される
のに対して、吸収係数αは透過光強度が入射光強度の１
／ｅ（ｅは自然対数の底）になるのに要する吸収層の厚
さの逆数で定義され、吸収率Ａと吸収係数αとは定義が
異なっているが、共に物質の吸収の度合を示す尺度であ
ることに変わりはない。

【００５０】吸光性絶縁膜３の形成は、陽極２による段
差を小さくして段差による悪影響を解消するという効果
もあるから、陽極２と吸光性絶縁膜３の表面は同一平面
となるのが望ましいが、完全な同一平面にするのは難し
いので、可能な限り同一平面に近くなるように吸光性絶
縁膜３の厚さを調整する。このように陽極２と吸光性絶
縁膜３の表面がほぼ同一平面となるように形成すると、
正孔注入輸送層４、発光層５、電子注入輸送層６、陰極
７は、いずれもほぼ一様の厚さで、ほぼ平坦面に形成さ
れるため、陽極２と陰極７との間に形成される電界は一
様電界となり、電界集中が起こらず、電流のリーク、絶
縁破壊が生じないという利点が得られる。しかしなが
ら、陽極２と吸光性絶縁膜３の表面は必ずしも同一平面
に近くなければならないというものではない。例えば、
吸光性絶縁膜３の厚さを陽極２の厚さの半分あるいは
１．５倍にすると、段差は半分になるので、段差が小さ
くなった分だけの効果を生ずるのである。

【００５１】図２は図１の第１の実施例における光路を
説明するための部分断面図である。赤色発光層５Ｒの一
点Ｐ_R、緑色発光層５Ｇの一点Ｐ_Gからそれぞれ発光があ
ったとする。点Ｐ_R、Ｐ_Gからの光はそれぞれ球面に広が
る。陽極２、透明基板１に垂直に入射した光Ｒ₁、Ｇ₁は
屈折することなく陽極正面から出て行く。陽極２に斜め
に入射した光Ｒ₂、Ｇ₂は屈折しながら陽極正面から出て
行く。吸光性絶縁膜３に入射した光Ｒ₃、Ｇ₃は吸光性絶
縁膜３に吸収されて非発光領域に出て行かず、発光のに
じみと光の混合は完全に防止される。

【００５２】図３は図１に示した有機ＥＬ素子の製造方
法の第１の実施例を説明するための工程順に示した断面
図である。まず、図３（ａ）に示すように、ガラスのよ
うな透明基板１の上にＩＴＯの透明導体膜を蒸着法で形
成した後、この上にホトレジスト膜を塗布し、選択露光
し現像してホトレジストのマスク１１を形成する。マス
ク１１を保護材にしてＩＴＯの透明導体膜をエッチング
して陽極２を形成する。陽極２は帯状で、間隔をおいて
平行に複数個形成される。

【００５３】次に、図３（ｂ）に示すように、ホトレジ
ストのマスク１１を残したまま、吸光性絶縁膜３を陽極
２とほぼ同じ厚さに形成する。吸光性絶縁膜３の形成
は、次のように行う。まず、吸収率Ａが０．７〜１．０
未満の絶縁性物質として、ＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₅、
Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ₅Ｏ₁₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、Ｍｎ
₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＮｂＯ、ＮｂＯ₂、ＭＯ・Ｆｅ₂Ｏ₃フ
ェライト（但し、ＭはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、
Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄから選ばれた少なくとも１種）の中か
ら少なくとも１種を選び、その微粉末を用意する。これ
らの吸光性絶縁性物質は、１種類のみを選んでもよい
が、複数種類を選んで混合してもよい。次に、バインダ
ーとして、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール
樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、フラン樹脂等の熱硬化性樹脂の中
から１種類を選ぶ。例えば、ＣｕＯとエポキシ樹脂とを
選ぶ。エポキシ樹脂１リットル当たりＣｕＯの粉末を１
０〜２００ｇの割合で混合して粘稠なスラリーを作る。
このスラリーをスピンコート法で透明基板１の露出面及
びホトレジストのマスク１１の上に塗布し、スラリー層
を形成する。次に、約１２０℃で加熱してエポキシ樹脂
を硬化させ、吸光性絶縁体層１３を形成する。

【００５４】次に、図３（ｃ）に示すように、ホトレジ
ストのマスク１１を除去する。マスク１１の上の吸光性
絶縁絶縁体層１３はマスク１１と共に除去され、陽極２
と吸光性絶縁膜３とが交互に並んだほぼ平坦な面が得ら
れる。

【００５５】次に、図３（ｄ）に示すように、陽極２と
吸光性絶縁膜３の表面に正孔注入輸送層４、発光層５、
電子注入輸送層６を蒸着法により順次堆積する。正孔注
入輸送層４、発光層５、電子注入輸送層６の材質は図１
で説明したものと同じである。

【００５６】次に、図３（ｅ）に示すように、陰極形成
予定領域に開口部１２ｗを有する金属マスク１２を電子
注入輸送層６の表面に設ける。開口部１２ｗを通して、
例えばＭｇとＡｇを共蒸着して陰極７を形成する。理解
し易いように、図３（ｅ）では、金属マスク１２を電子
注入輸送層６の表面から離して描いているが、実際は金
属マスク１２を電子注入輸送層６の表面に密着させてい
る。また、図３（ｅ）〜図３（ｆ）は、図３（ａ）〜図
３（ｄ）とは直角方向の断面を示し、マスク１２の開口
部１２ｗ、複数の陰極７の断面が表示されるようにして
ある。電子注入輸送層６の表面はほぼ平面になっている
から、金属マスク１２と電子注入輸送層６との間には隙
間が殆どなく、したがって陰極形成時の蒸着粒子の廻り
込みが殆どないので、陰極が滲んだように広がることな
く形成される。

【００５７】次に、図３（ｆ）に示すように、マスク１
２を除去すると、所望の有機ＥＬ素子が得られる。

【００５８】図４は図１に示した有機ＥＬ素子の製造方
法の第２の実施例を説明するための工程順に示した断面
図である。まず、図４（ａ）に示すように、ガラスのよ
うな透明基板１の上にＩＴＯの透明導体膜を蒸着法で形
成した後、この上にホトレジストのマスクを形成し、こ
れを用いて透明導体膜をエッチングして陽極２を形成す
る。陽極２は帯状で、間隔をおいて平行に複数個形成さ
れる。そして、ホトレジストのマスクを除去する。

【００５９】次に、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すよう
に、吸光性絶縁膜３を陽極２と同じ厚さに被着する。吸
光性絶縁膜３の形成は、次のように行う。例えば、図４
（ｂ）に示すように、シリコーン樹脂にＶ₂Ｏ₅粉末を混
合したスラリーを作り、これをスピンコート法により陽
極２を含む透明基板１表面に塗布し、加熱して硬化さ
せ、吸光性絶縁体層１３を形成する。そして、図４
（ｃ）に示すように、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）
により陽極２の上の吸光性絶縁体層１３を除去して陽極
２と陽極２との間に吸光性絶縁膜３を形成する。これに
より、陽極２と吸光性絶縁膜３の表面はほぼ同一平面と
なる。

【００６０】次に、図４（ｄ）に示すように、陽極２と
吸光性絶縁膜３の表面に正孔注入輸送層４、発光層５，
電子注入輸送層６を堆積する。正孔注入輸送層４、発光
層５、電子注入輸送層６の材質は、図１で説明したもの
と同じである。

【００６１】次に、図４（ｅ）に示すように、電子注入
輸送層６の表面の陰極形成予定領域に開口部１２ｗを有
する金属マスク１２を設ける。開口部１２ｗを通して、
例えばＭｇとＡｇを共蒸着してＭｇ−Ａｇ陰極７を形成
する。理解し易いように、図４（ｅ）では金属マスク１
２を電子注入輸送層６の表面から離して描いているが、
実際は金属マスク１２を電子注入輸送層６の表面に密着
させている。また、図４（ｅ）〜図４（ｆ）は、図４
（ａ）〜図４（ｄ）とは直角方向の断面を示し、マスク
１２の開口部１２ｗ、複数の陰極７の断面が表示される
ようにしてある。陰極形成時の蒸着粒子の廻り込みが殆
どなく、陰極が滲んだように広がることなく形成され
る。

【００６２】次に、図４（ｆ）に示すように、マスク１
２を除去すると、所望の有機ＥＬ素子が得られる。

【００６３】図５（ａ）は本発明の有機ＥＬ素子の第２
の実施例の斜視図である。図５（ａ）に示すように、第
１の実施例と同様に、透明基板１の上にＩＴＯで陽極２
を形成する。陽極と陽極との間を含む露出している透明
基板１の表面に、陽極２とその上に形成される有機物層
の合計の厚さとほぼ同じ厚さに吸光性絶縁膜３を形成し
て陽極と陽極との間を埋める。吸光性絶縁膜３は、一つ
の発光領域からの光が隣の発光領域に入らないようにす
るためのものであるから、有機物層の上面とほぼ同じ高
さになるように形成する。

【００６４】第１の実施例と同様に、陽極２の上に正孔
注入輸送層４、発光層５、電子注入輸送層６を順次形成
する。発光層５は、赤緑青の三色からなる。電子注入輸
送層６の表面に陰極７を設ける。

【００６５】第２の実施例の有機ＥＬ素子は、陽極２毎
に、陽極２から電子注入輸送層６の上面まで吸光性絶縁
膜３で仕切っているから、一つの発光領域からの光が隣
の発光領域に入ることがなく、発光のにじみ、光の混合
の問題を完全に解決できる。

【００６６】図５（ｂ）に示すように、赤色発光層５Ｒ
の一点Ｐ_Rから発光があったとする。陽極２、透明基板
１に垂直に入射した光Ｒ₁は屈折することなく陽極正面
から出て行く。陽極２に斜めに入射した光Ｒ₂は屈折し
ながら陽極正面から出て行く。吸光性絶縁膜３に入射し
た光Ｒ₃は吸光性絶縁膜３に吸収されて非発光領域に出
て行かず、発光のにじみと光の混合は完全に防止され
る。

【００６７】図６は図５に示した第２の実施例の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法を説明するための工程順に示した断面
図である。まず、図６（ａ）に示すように、ガラスのよ
うな透明基板１の上にＩＴＯの透明導体膜を蒸着法で形
成した後、この上にホトレジストのマスク１１を、陽極
２の上に形成される有機物層４、５、６の合計の厚さと
ほぼ同じ厚さに形成する。マスク１１を用いて透明導体
膜をエッチングして陽極２を形成する。ホトレジストの
マスク１１は除去せず、次の工程まで残しておく。

【００６８】次に、図６（ｂ）に示すように、マスク１
１とマスク１１の間を埋めるように、そしてマスク１１
の上面と吸光性絶縁体層１３の上面とがほぼ同じ高さに
なるように、吸光性絶縁体層１３を形成する。吸光性絶
縁体層１３の形成は、次のように行う。例えば、メラミ
ン樹脂にＮｂＯ₂粉末を混合したスラリーを作り、これ
をスピンコート法により塗布し、加熱して硬化させる。
スピンコート法を用いると、マスク１１の上には極めて
薄い吸光性絶縁体層１３しか形成されないので、後の作
業が楽になるという利点がある。

【００６９】次に、図６（ｃ）に示すように、ホトレジ
ストのマスク１１をその上の吸光性絶縁体層１３と共に
除去する。これにより吸光性絶縁膜３が形成される。

【００７０】次に、図６（ｄ）に示すように、陽極２の
上に正孔注入輸送層４、発光層５、電子注入輸送層６を
順次形成する。発光層５を赤緑青の三色とするときは、
図示するように、吸光性絶縁膜３で仕切られた領域毎に
別々に形成する。

【００７１】次に、図６（ｅ）に示すように、電子注入
輸送層６及び吸光性絶縁膜３の上に、陰極７を陽極２と
は直角方向に形成する。理解し易いように、図６（ｅ）
は、図６（ａ）〜図６（ｄ）とは直角方向の断面を示
し、陰極７の断面が表示されるようにしてある。

【００７２】本例の製造方法によれば、一つの発光領域
からの光が隣の発光領域に入るのを完全に防止し、発光
のにじみ、光の混合を防止した有機ＥＬ素子を容易に製
造することができる。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
陽極と陽極との間に吸光性絶縁膜を設けたので、非発光
領域への光の射出を防止して発光のにじみ、光の混合を
防止することができる。

【００７４】この場合、吸光性絶縁膜を有機多層膜と同
じ高さになるように設け、有機多層膜を陽極毎に仕切る
ようにすることにより、一つの発光領域からの光が隣の
発光領域に入るのを完全に防止し、発光のにじみ、光の
混合を防止することができる。また、吸光性絶縁膜を陽
極とほぼ同じ厚さにして陽極による段差を小さくするこ
とにより、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層は
いずれもほぼ平坦な一様な厚さの層となり、段差による
陰極厚さの薄化が起こらず、抵抗値の増大や陰極の断線
を防止することができる。

【００７５】また、本発明によれば、陽極と陽極との間
に吸光性絶縁膜を設けて非発光領域への光の射出を防止
することにより発光のにじみ、光の混合を防止した有機
ＥＬ素子の製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の第１の実施例を示
す斜視図である。

【図２】図１の有機ＥＬ素子における光路を説明するた
めの部分断面図である。

【図３】図１の有機ＥＬ素子の製造方法の第１の実施例
を説明するための工程順に示した断面図である。

【図４】図１の有機ＥＬ素子の製造方法の第２の実施例
を説明するための工程順に示した断面図である。

【図５】（ａ）は本発明に係る有機ＥＬ素子の第２の実
施例を示す斜視図、（ｂ）は同有機ＥＬ素子における光
路を説明するための部分断面図である。

【図６】図５の有機ＥＬ素子の製造方法を説明するため
の工程順に示した断面図である。

【図７】従来の有機ＥＬ素子の第１の例を示す斜視図で
ある。

【図８】図７の有機ＥＬ素子における光路を説明するた
めの部分断面図である。

【図９】（ａ）は従来の有機ＥＬ素子の第２の例を示す
斜視図、（ｂ）は同有機ＥＬ素子における光路を説明す
るための部分断面図である。

【図１０】（ａ）は従来の有機ＥＬ素子の第３の例を示
す斜視図、（ｂ）は同有機ＥＬ素子における光路を説明
するための部分断面図である。

【図１１】（ａ）は従来の有機ＥＬ素子の第４の例を示
す斜視図、（ｂ）は同有機ＥＬ素子における光路を説明
するための部分断面図である。

【図１２】従来の有機ＥＬ素子の第５の例の部分断面図
である。

【図１３】従来の有機ＥＬ素子の第６の例の部分断面図
である。

【符号の説明】

１透明基板２陽極３吸光性絶縁膜４正孔注入輸送層５発光層６電子注入輸送層７陰極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板の上に帯状の透明導体製の陽極
を間隔をおいて平行に複数個設け、この陽極を含む前記
透明基板上に発光層を含む有機多層膜を設けるととも
に、この有機多層膜の表面に帯状の陰極を前記陽極とは
直角方向に間隔をおいて平行に複数個設けた有機ＥＬ素
子において、光の吸収率が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化
性樹脂バインダーとからなる混合物を、前記陽極と陽極
との間を埋めるように設けたことを特徴とする有機ＥＬ
素子。
【請求項２】前記絶縁性物質が、ＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃ
ｒ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ₅Ｏ₁₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、
Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＮｂＯ、ＮｂＯ₂及びＭＯ・Ｆｅ₂
Ｏ₃フェライト（但し、ＭはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、
Ｍｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣｄの少なくとも１種である）か
らなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴
とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】透明基板の表面に透明導体の膜を形成す
る工程と、前記透明導体の膜上の所定領域にホトレジスト膜を形成
し、ホトレジスト膜に覆われていない透明導体の膜を除
去することにより、前記透明基板の上に帯状の透明導体
製の陽極を間隔をおいて平行に複数個設ける工程と、前記陽極と陽極との間を埋めるように、光の吸収率が
０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化性樹脂バイン
ダーとを混合した混合液を陽極及びホトレジスト膜を含
む前記透明基板表面に被着し、この混合液を加熱して硬
化させることにより吸光性絶縁膜を形成する工程と、前記陽極上のホトレジスト膜をその上の吸光性絶縁膜と
共に除去する工程と、前記陽極及び吸光性絶縁膜の表面に発光層を含む有機多
層膜を形成する工程と、前記有機多層膜の表面に帯状の陰極を前記陽極とは直角
方向に間隔をおいて平行に複数個設ける工程とを備えた
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】透明基板の表面に透明導体の膜を形成す
る工程と、前記透明導体を選択除去することにより、前記透明基板
の上に帯状の透明導体製の陽極を間隔をおいて平行に複
数個設ける工程と、光の吸収率が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化
性樹脂バインダーとを混合した混合液を前記陽極を含む
前記透明基板表面に被着し、この混合液を加熱して硬化
させることにより吸光性絶縁膜を形成する工程と、化学的機械的研磨法により前記陽極表面が露出するまで
前記吸光性絶縁膜を研磨除去して陽極と吸光性絶縁膜の
表面をほぼ同一平面とする工程と、前記陽極及び吸光性絶縁膜の表面に発光層を含む有機多
層膜を形成する工程と、前記有機多層膜の表面に帯状の陰極を前記陽極とは直角
方向に間隔をおいて平行に複数個設ける工程とを備えた
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】前記絶縁性物質が、ＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃ
ｒ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ₅Ｏ₁₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、
Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＮｂＯ、ＮｂＯ₂及びＭＯ・Ｆｅ₂
Ｏ₃フェライト（但し、ＭはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、
Ｍｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣｄの少なくとも１種である）か
らなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴
とする請求項３又は４に記載の有機ＥＬ素子の製造方
法。
【請求項６】透明基板の上に帯状の透明導体製の陽極
を間隔をおいて平行に複数個設け、この陽極を含む前記
透明基板上に発光層を含む有機多層膜を設けるととも
に、この有機多層膜の表面に帯状の陰極を前記陽極とは
直角方向に間隔をおいて平行に複数個設けた有機ＥＬ素
子において、前記有機多層膜を前記陽極上に帯状に設け、光の吸収率
が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化性樹脂バイ
ンダーとからなる混合物を前記陽極と陽極との間を埋め
るように設け、かつ、前記有機多層膜を前記混合物を介
して前記陽極毎に仕切ったことを特徴とする有機ＥＬ素
子。
【請求項７】前記絶縁性物質が、ＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃ
ｒ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ₅Ｏ₁₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、
Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＮｂＯ、ＮｂＯ₂及びＭＯ・Ｆｅ₂
Ｏ₃フェライト（但し、ＭはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、
Ｍｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣｄの少なくとも１種である）か
らなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴
とする請求項６に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】透明基板の表面に透明導体の膜を形成す
る工程と、前記透明導体の膜上の所定領域に、後で形成する有機多
層膜とほぼ同じ厚さにホトレジスト膜を形成し、前ホト
レジスト膜に覆われていない透明導体の膜を除去するこ
とにより、前記透明基板の上に帯状の透明導体製の陽極
を間隔をおいて平行に複数個設ける工程と、光の吸収率が０．７〜１．０未満の絶縁性物質と熱硬化
性樹脂バインダーとを混合した混合液を前記陽極及びホ
トレジスト膜を含む前記透明基板表面に被着し、この混
合液を加熱して硬化させることにより吸光性絶縁膜を形
成する工程と、前記陽極上のホトレジスト膜をその上の吸光性絶縁膜と
共に除去する工程と、前記吸光性絶縁膜で仕切られた陽極の表面に発光層を含
む有機多層膜を形成する工程と、前記有機多層膜及び吸光性絶縁膜の表面に帯状の陰極を
前記陽極とは直角方向に間隔をおいて平行に複数個設け
る工程とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造
方法。
【請求項９】前記絶縁性物質が、ＣｕＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｃ
ｒ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｃｒ₅Ｏ₁₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、
Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＮｂＯ、ＮｂＯ₂及びＭＯ・Ｆｅ₂
Ｏ₃フェライト（但し、ＭはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、
Ｍｎ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＣｄの少なくとも１種である）か
らなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴
とする請求項８に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。