JP2002299042A - 衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材 - Google Patents
衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部からの衝撃を緩衝し、長寿命のＥＬデバ
イス等を提供する。 【解決手段】 ＥＬデバイス１００において、発光素子
形成基板１８は、基板１０に第１電極１２が形成され、
第１電極１２の上に発光素子層１６が形成され、更に発
光素子層１６の上に第２電極１４が形成されて成る。封
止部材４０は、第２電極１４側から、発光素子形成基板
１８上方を覆うように被せられ、第２電極１４と封止部
材４０との間隙３０には、柱状、球状又はシート状の衝
撃緩衝部材２０が配置されている。また、この衝撃緩衝
部材２０は、硬質材料から形成されているときは、ＥＬ
デバイスの非発光領域に配置されることが好ましい。
イス等を提供する。 【解決手段】 ＥＬデバイス１００において、発光素子
形成基板１８は、基板１０に第１電極１２が形成され、
第１電極１２の上に発光素子層１６が形成され、更に発
光素子層１６の上に第２電極１４が形成されて成る。封
止部材４０は、第２電極１４側から、発光素子形成基板
１８上方を覆うように被せられ、第２電極１４と封止部
材４０との間隙３０には、柱状、球状又はシート状の衝
撃緩衝部材２０が配置されている。また、この衝撃緩衝
部材２０は、硬質材料から形成されているときは、ＥＬ
デバイスの非発光領域に配置されることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光デバイ
ス、特に電界発光デバイスの封止部分の構造に関する。
ス、特に電界発光デバイスの封止部分の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、電界発光素子（例えばエレク
トロルミネッセンス素子：以下「ＥＬ素子」という）
は、単一の素子をいい、一方電界発光デバイス（例えば
エレクトロルミネッセンスデバイス：以下「ＥＬデバイ
ス」という）は、上記ＥＬ素子を含み、１つの基板上に
１つ以上のＥＬ素子が形成されているデバイスをいう。
また、ＥＬ素子は、発光層に供される物質が無機化合物
または有機化合物によって大別され、前者を無機ＥＬ素
子、後者を有機ＥＬ素子という。
トロルミネッセンス素子：以下「ＥＬ素子」という）
は、単一の素子をいい、一方電界発光デバイス（例えば
エレクトロルミネッセンスデバイス：以下「ＥＬデバイ
ス」という）は、上記ＥＬ素子を含み、１つの基板上に
１つ以上のＥＬ素子が形成されているデバイスをいう。
また、ＥＬ素子は、発光層に供される物質が無機化合物
または有機化合物によって大別され、前者を無機ＥＬ素
子、後者を有機ＥＬ素子という。
【０００３】図６には、従来のＥＬデバイスの構造の一
例が示されている。図６に示すように、ＥＬデバイス２
００にのおいて、例えばガラス基板からなる基板１０の
発光領域には、複数の第１電極１２が形成され、この第
１電極１２の上には、無機化合物または有機化合物から
なる発光素子層１６が形成され、更に発光素子層１６の
上には、単一の第２電極１４が形成されている。そし
て、発光素子形成基板１８は、上記基板１０と、第１電
極１２と、発光素子層１６と、第２電極１４とから構成
されている。
例が示されている。図６に示すように、ＥＬデバイス２
００にのおいて、例えばガラス基板からなる基板１０の
発光領域には、複数の第１電極１２が形成され、この第
１電極１２の上には、無機化合物または有機化合物から
なる発光素子層１６が形成され、更に発光素子層１６の
上には、単一の第２電極１４が形成されている。そし
て、発光素子形成基板１８は、上記基板１０と、第１電
極１２と、発光素子層１６と、第２電極１４とから構成
されている。
【０００４】ここで、第１電極１２は、例えば透明導電
性材料のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる電極（陽
極）であり、第２電極は、金属電極（陰極）である。
性材料のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる電極（陽
極）であり、第２電極は、金属電極（陰極）である。
【０００５】更に、封止容器型の封止部材４２が、第２
電極１４側から発光素子形成基板１８上方を覆うように
被せられ、第２電極１４と封止部材４２とに間隙３０を
有するようにして、封止部材４２の端部が、発光素子形
成基板１８に樹脂等により接着される。ここで、上記間
隙３０には、発光素子の吸湿による劣化を防止するため
に、減圧状態で窒素ガス等の不活性ガスやシリコンオイ
ルなどが封入されている。
電極１４側から発光素子形成基板１８上方を覆うように
被せられ、第２電極１４と封止部材４２とに間隙３０を
有するようにして、封止部材４２の端部が、発光素子形
成基板１８に樹脂等により接着される。ここで、上記間
隙３０には、発光素子の吸湿による劣化を防止するため
に、減圧状態で窒素ガス等の不活性ガスやシリコンオイ
ルなどが封入されている。
【０００６】そして、上記ＥＬデバイス２００の発光素
子層１６には、第１電極１２から正孔が、第２電極１４
から電子が注入される。この注入された正孔と電子が、
発光素子層１６内を移動して衝突、再結合を起こすこと
によって消滅し、また再結合して発生したエネルギーに
より発光性分子が励起状態になり、発光が生じる。
子層１６には、第１電極１２から正孔が、第２電極１４
から電子が注入される。この注入された正孔と電子が、
発光素子層１６内を移動して衝突、再結合を起こすこと
によって消滅し、また再結合して発生したエネルギーに
より発光性分子が励起状態になり、発光が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図６に示す従来のＥＬ
素子及びＥＬデバイス２００は、第２電極１４と封止部
材４２との間に間隙３０を有するため、外部からの機械
的な振動や衝撃を受けた場合、封止部材４２が第２電極
１４に向かって歪み、封止部材４２が第２電極１４に当
たって第２電極１４や、その下層の発光素子層１６に損
傷を与える可能性がある。
素子及びＥＬデバイス２００は、第２電極１４と封止部
材４２との間に間隙３０を有するため、外部からの機械
的な振動や衝撃を受けた場合、封止部材４２が第２電極
１４に向かって歪み、封止部材４２が第２電極１４に当
たって第２電極１４や、その下層の発光素子層１６に損
傷を与える可能性がある。
【０００８】また、最終製品に調整する際に例えば５気
圧で加圧する場合があるが、この場合も、封止部材４２
がへこみ、やはり有機ＥＬ素子に損傷を与える可能性が
あった。有機ＥＬ素子は損傷を受けると、ダークスポッ
ト等を発生したり、劣化が早まったりと、表示品質の低
下や装置寿命が短くなる等といった不具合が生ずる。
圧で加圧する場合があるが、この場合も、封止部材４２
がへこみ、やはり有機ＥＬ素子に損傷を与える可能性が
あった。有機ＥＬ素子は損傷を受けると、ダークスポッ
ト等を発生したり、劣化が早まったりと、表示品質の低
下や装置寿命が短くなる等といった不具合が生ずる。
【０００９】そこで、本発明は上記課題に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、安定した発光特性を維持
し、長寿命化を図ることができる電界発光デバイスを提
供することである。
たものであり、その目的は、安定した発光特性を維持
し、長寿命化を図ることができる電界発光デバイスを提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界
発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材は、以下の特
徴を有する。
に、本発明の衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界
発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材は、以下の特
徴を有する。
【００１１】（１）基板上に形成された第１電極と、前
記第１電極上に発光層を挟んで形成された第２電極と、
を備えた発光素子形成基板と、前記発光素子形成基板の
素子形成面側を覆う封止部材と、前記発光素子形成基板
と封止部材との間隙に配置される衝撃緩衝部材と、を有
する衝撃緩衝機能付電界発光デバイスである。
記第１電極上に発光層を挟んで形成された第２電極と、
を備えた発光素子形成基板と、前記発光素子形成基板の
素子形成面側を覆う封止部材と、前記発光素子形成基板
と封止部材との間隙に配置される衝撃緩衝部材と、を有
する衝撃緩衝機能付電界発光デバイスである。
【００１２】発光素子形成基板と封止部材との間隙に、
衝撃緩衝部材を配置することによって、外部からの振動
や衝撃が封止部材に加わったとしても、上記衝撃緩衝部
材によって振動や衝撃を緩衝することができ、発光素子
形成基板側に損傷を与えることを抑制させることができ
る。これにより、安定性を有し、長寿命のＥＬデバイス
を提供することができる。
衝撃緩衝部材を配置することによって、外部からの振動
や衝撃が封止部材に加わったとしても、上記衝撃緩衝部
材によって振動や衝撃を緩衝することができ、発光素子
形成基板側に損傷を与えることを抑制させることができ
る。これにより、安定性を有し、長寿命のＥＬデバイス
を提供することができる。
【００１３】（２）上記（１）に記載の衝撃緩衝機能付
電界発光デバイスにおいて、前記封止部材の前記発光素
子形成基板との対向面側には、前記衝撃緩衝部材が突設
又は固定されている衝撃緩衝機能付電界発光デバイスで
ある。
電界発光デバイスにおいて、前記封止部材の前記発光素
子形成基板との対向面側には、前記衝撃緩衝部材が突設
又は固定されている衝撃緩衝機能付電界発光デバイスで
ある。
【００１４】上記衝撃緩衝部材が、軟質の場合には、発
光素子形成基板の上方全面に衝撃緩衝部材を形成しても
よいが、硬質の場合には、発光素子形成基板の発光領域
を避け、非発光領域に衝撃緩衝部材が配置されているこ
とが好ましい。硬質の衝撃緩衝部材では、外部から加わ
った力を分散することができるが、完全に衝撃等を緩衝
することができないために、発光領域上には配置されて
いない方が好ましい。そこで、特に硬質の衝撃緩衝部材
は、発光領域を外した領域に配置可能なように、予め封
止部材の素子形成基板との対向面側に固定するか又は対
向面側に突設することが好適である。
光素子形成基板の上方全面に衝撃緩衝部材を形成しても
よいが、硬質の場合には、発光素子形成基板の発光領域
を避け、非発光領域に衝撃緩衝部材が配置されているこ
とが好ましい。硬質の衝撃緩衝部材では、外部から加わ
った力を分散することができるが、完全に衝撃等を緩衝
することができないために、発光領域上には配置されて
いない方が好ましい。そこで、特に硬質の衝撃緩衝部材
は、発光領域を外した領域に配置可能なように、予め封
止部材の素子形成基板との対向面側に固定するか又は対
向面側に突設することが好適である。
【００１５】（３）基板上に形成された第１電極と、前
記第１電極上に発光層を挟んで形成された第２電極と、
を備えた発光素子形成基板の素子形成面側を覆う封止部
材において、前記封止部材の前記発光素子形成基板との
対向面側には、衝撃緩衝部材が突設又は固定されている
電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材である。
記第１電極上に発光層を挟んで形成された第２電極と、
を備えた発光素子形成基板の素子形成面側を覆う封止部
材において、前記封止部材の前記発光素子形成基板との
対向面側には、衝撃緩衝部材が突設又は固定されている
電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材である。
【００１６】例えば、発光素子形成基板上に、衝撃緩衝
部材が裏面に予め固定されている封止部材を被せ固定す
ることによって、外部からの振動や衝撃に強い、安定で
長寿命のＥＬデバイスを提供することができる。或い
は、封止部材にガラス基板等を用い、この封止部材にレ
ジスト材料等によって、素子形成基板側に向かって柱状
に突出させて衝撃緩衝部材を設けてもよい。
部材が裏面に予め固定されている封止部材を被せ固定す
ることによって、外部からの振動や衝撃に強い、安定で
長寿命のＥＬデバイスを提供することができる。或い
は、封止部材にガラス基板等を用い、この封止部材にレ
ジスト材料等によって、素子形成基板側に向かって柱状
に突出させて衝撃緩衝部材を設けてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
説明する。なお、従来のＥＬ素子及びＥＬデバイスと同
一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
説明する。なお、従来のＥＬ素子及びＥＬデバイスと同
一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
【００１８】実施の形態１．図１には、本実施の形態の
ＥＬデバイス１００の構成の一例が示されている。上述
したように、発光素子形成基板１８は、ガラス基板から
なる基板１０上に透明導電性材料のＩＴＯ電極（陽極）
からなる第１電極１２が複数個形成され、更に第１電極
１２上に無機化合物または有機化合物からなる発光素子
層１６が形成され、更に発光素子層１６上に単一の例え
ばアルミニウムからなる金属電極（陰極）の第２電極１
４が形成されて成る。このようなデバイスにおいて、発
光領域は、第１電極１２と第２電極１４とが発光素子層
１６を挟んで対向する領域であり、図１において、第１
電極１２の形成されていない領域は、非発光領域とな
る。
ＥＬデバイス１００の構成の一例が示されている。上述
したように、発光素子形成基板１８は、ガラス基板から
なる基板１０上に透明導電性材料のＩＴＯ電極（陽極）
からなる第１電極１２が複数個形成され、更に第１電極
１２上に無機化合物または有機化合物からなる発光素子
層１６が形成され、更に発光素子層１６上に単一の例え
ばアルミニウムからなる金属電極（陰極）の第２電極１
４が形成されて成る。このようなデバイスにおいて、発
光領域は、第１電極１２と第２電極１４とが発光素子層
１６を挟んで対向する領域であり、図１において、第１
電極１２の形成されていない領域は、非発光領域とな
る。
【００１９】また、図示しないが、第１電極１２から引
き出された引出端子と、第２電極１４から引き出された
引出端子とが、外部電源に接続され、第１電極１２から
第２電極１４に電流を流すことで、発光分子が励起され
発光が生じる。
き出された引出端子と、第２電極１４から引き出された
引出端子とが、外部電源に接続され、第１電極１２から
第２電極１４に電流を流すことで、発光分子が励起され
発光が生じる。
【００２０】更に、本実施の形態におけるＥＬデバイス
１００は、例えばＳＵＳのようなスチールまたはガラス
からなる封止部材４０が、第２電極１４側から上述の発
光素子形成基板１８を覆うように被せられる。その際
に、第２電極１４と封止部材４０との間の間隙３０に
は、１つ以上の柱状の衝撃緩衝部材２０が挿入配置され
る。これにより、外部からの振動または衝撃が封止部材
４０に加わったとしても、上述の衝撃緩衝部材２０が衝
撃等を緩衝し更にスペーサとしての機能も有するため、
封止部材４０が歪んで第２電極１４を損傷させるおそれ
がない。
１００は、例えばＳＵＳのようなスチールまたはガラス
からなる封止部材４０が、第２電極１４側から上述の発
光素子形成基板１８を覆うように被せられる。その際
に、第２電極１４と封止部材４０との間の間隙３０に
は、１つ以上の柱状の衝撃緩衝部材２０が挿入配置され
る。これにより、外部からの振動または衝撃が封止部材
４０に加わったとしても、上述の衝撃緩衝部材２０が衝
撃等を緩衝し更にスペーサとしての機能も有するため、
封止部材４０が歪んで第２電極１４を損傷させるおそれ
がない。
【００２１】また、第２電極１４と封止部材４０との間
隙３０の距離は、通常２０μｍ以下である。従って、第
２電極１４と封止部材４０との間に挿入配置される柱状
の衝撃緩衝部材２０の高さは、２０μｍ以下、好ましく
は２〜１０μｍである。
隙３０の距離は、通常２０μｍ以下である。従って、第
２電極１４と封止部材４０との間に挿入配置される柱状
の衝撃緩衝部材２０の高さは、２０μｍ以下、好ましく
は２〜１０μｍである。
【００２２】本実施の形態の衝撃緩衝部材２０が、軟質
の材料からなる場合は、発光素子形成基板１８上のどこ
に配置してもよいが、硬質の材料からなる場合は、発光
素子形成基板１８の発光領域を避けて他の領域に配置す
ることが好ましい。
の材料からなる場合は、発光素子形成基板１８上のどこ
に配置してもよいが、硬質の材料からなる場合は、発光
素子形成基板１８の発光領域を避けて他の領域に配置す
ることが好ましい。
【００２３】また、衝撃緩衝部材２０の材質は、絶縁性
であることが好ましく、更に衝撃緩衝のよい例えばゴム
状のものが好ましい。また、衝撃緩衝部材２０の材質
は、ＥＬデバイス１００に封入される不活性ガスの流通
性をよくするために、多孔質であることが好適であり、
その材料としては、具体的に、日東本電工株式会社製の
「ＭＩＣＲＯ−ＴＥＸ」（登録商標）やジャパンゴアテ
ックス社の「ｅＰＴＦＥ」（商品名）が好ましい。上述
のいずれも、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
であり、上述のいずれも水、塵の侵入を阻止するが空気
等の気体は通す性質を有する。
であることが好ましく、更に衝撃緩衝のよい例えばゴム
状のものが好ましい。また、衝撃緩衝部材２０の材質
は、ＥＬデバイス１００に封入される不活性ガスの流通
性をよくするために、多孔質であることが好適であり、
その材料としては、具体的に、日東本電工株式会社製の
「ＭＩＣＲＯ−ＴＥＸ」（登録商標）やジャパンゴアテ
ックス社の「ｅＰＴＦＥ」（商品名）が好ましい。上述
のいずれも、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
であり、上述のいずれも水、塵の侵入を阻止するが空気
等の気体は通す性質を有する。
【００２４】また、衝撃緩衝部材２０に、乾燥剤、例え
ば炭酸カルシウム等を包含させて、衝撃緩衝機能に加
え、乾燥機能を付加してもよい。上述したように、ＥＬ
デバイスは水分により劣化するため、衝撃緩衝部材２０
に乾燥機能を付加することによって、別途乾燥剤をＥＬ
デバイス１００内に封入する必要がなくなり、ＥＬデバ
イス製造工程が簡略化されるとともに、更にＥＬデバイ
スの寿命を延ばすことができる。
ば炭酸カルシウム等を包含させて、衝撃緩衝機能に加
え、乾燥機能を付加してもよい。上述したように、ＥＬ
デバイスは水分により劣化するため、衝撃緩衝部材２０
に乾燥機能を付加することによって、別途乾燥剤をＥＬ
デバイス１００内に封入する必要がなくなり、ＥＬデバ
イス製造工程が簡略化されるとともに、更にＥＬデバイ
スの寿命を延ばすことができる。
【００２５】また、衝撃緩衝部材２０は、その両端に両
面テープを止めて、第２電極１４と封止部材４０に位置
合わせして固定してもよい。かかる場合、例えばアライ
メントマーク等で位置合わせして発光領域を外して固定
してもよい。また、後述するように、封止部材４０の裏
面の所定の位置に、例えばエッチング等により孔を開
け、この孔に両面テープ等の接着部材によって衝撃緩衝
部材２０の一端を固着させたり、または直に衝撃緩衝部
材２０を圧着させて、衝撃緩衝部材２０の他端を第２電
極１４に当接させ、または衝撃時に当接するように、間
隙３０に配置させてもよい。更に、衝撃緩衝部材２０
は、例えば封止部材４０がガラス基板などから構成され
る場合に、レジスト層を該ガラス基板状に形成し、図１
のように、ＥＬデバイス１００の発光領域に相当する部
分をエッチング除去して形成しても良い。
面テープを止めて、第２電極１４と封止部材４０に位置
合わせして固定してもよい。かかる場合、例えばアライ
メントマーク等で位置合わせして発光領域を外して固定
してもよい。また、後述するように、封止部材４０の裏
面の所定の位置に、例えばエッチング等により孔を開
け、この孔に両面テープ等の接着部材によって衝撃緩衝
部材２０の一端を固着させたり、または直に衝撃緩衝部
材２０を圧着させて、衝撃緩衝部材２０の他端を第２電
極１４に当接させ、または衝撃時に当接するように、間
隙３０に配置させてもよい。更に、衝撃緩衝部材２０
は、例えば封止部材４０がガラス基板などから構成され
る場合に、レジスト層を該ガラス基板状に形成し、図１
のように、ＥＬデバイス１００の発光領域に相当する部
分をエッチング除去して形成しても良い。
【００２６】また、ＥＬデバイス１００において、フル
カラー化した場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ用のＥＬ素子でそれぞれ
第２電極１４までの高さが異なることがある。かかる場
合には、それぞれの高さに応じて、衝撃緩衝部材２０の
高さを調節して位置合わせし、封止部材４０が歪まない
ように配置することが好ましい。
カラー化した場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ用のＥＬ素子でそれぞれ
第２電極１４までの高さが異なることがある。かかる場
合には、それぞれの高さに応じて、衝撃緩衝部材２０の
高さを調節して位置合わせし、封止部材４０が歪まない
ように配置することが好ましい。
【００２７】図２には、本実施の形態におけるＥＬ素子
の構成の一例が示されている。なお、上述のＥＬデバイ
スと同様の構成要素については、同一の符号を付してそ
の説明を省略する。
の構成の一例が示されている。なお、上述のＥＬデバイ
スと同様の構成要素については、同一の符号を付してそ
の説明を省略する。
【００２８】図２に示すＥＬデバイスは、１デバイスに
単一の発光領域を備える構成を有している。このＥＬデ
バイスにおいても上述のＥＬデバイスと同様に、柱状の
衝撃緩衝部材２０が発光領域を外して形成されている。
これにより、封止容器型の封止部材４２に対して外部か
ら振動または衝撃が加わったとしても、衝撃緩衝部材２
０が衝撃等を緩衝するために、封止部材４２が歪んで第
２電極に当たり素子に損傷を与えることを防止すること
ができる。
単一の発光領域を備える構成を有している。このＥＬデ
バイスにおいても上述のＥＬデバイスと同様に、柱状の
衝撃緩衝部材２０が発光領域を外して形成されている。
これにより、封止容器型の封止部材４２に対して外部か
ら振動または衝撃が加わったとしても、衝撃緩衝部材２
０が衝撃等を緩衝するために、封止部材４２が歪んで第
２電極に当たり素子に損傷を与えることを防止すること
ができる。
【００２９】実施の形態２．図３には、本実施の形態Ｅ
Ｌデバイス１０２の構成の一例が示されている。なお、
実施の形態１に示したＥＬデバイスの構成要素と同一の
構成要素には同一の符号を付しその説明を省略する。
Ｌデバイス１０２の構成の一例が示されている。なお、
実施の形態１に示したＥＬデバイスの構成要素と同一の
構成要素には同一の符号を付しその説明を省略する。
【００３０】実施の形態１では、柱状の衝撃緩衝部材２
０（図１）を用いたが、本実施の形態では、球状の衝撃
緩衝部材２２を用いている。このような形状にすること
によって、封止部材４０や第２電極１４との接触面積を
小さくしつつ、衝撃緩衝性能を維持することができる。
０（図１）を用いたが、本実施の形態では、球状の衝撃
緩衝部材２２を用いている。このような形状にすること
によって、封止部材４０や第２電極１４との接触面積を
小さくしつつ、衝撃緩衝性能を維持することができる。
【００３１】本実施の形態の衝撃緩衝部材２２の径は、
間隙３０の高さが、通常２０μｍ以下であることから、
少なくとも２０μｍ以下、好ましくは２〜１０μｍであ
る。また、衝撃緩衝部材２２が、軟質の材料からなる場
合は、発光素子形成基板１８上のどこに配置してもよい
が、硬質の材料からなる場合は、できれば発光素子形成
基板１８の発光領域を避けて他の領域に配置することが
好ましい。しかし、この球状の衝撃緩衝部材２２は、封
止部材４０を第２電極１４との間に多数散布されてい
て、外力を分散することができるため、発光領域上に位
置していてもそれほど問題とならない。
間隙３０の高さが、通常２０μｍ以下であることから、
少なくとも２０μｍ以下、好ましくは２〜１０μｍであ
る。また、衝撃緩衝部材２２が、軟質の材料からなる場
合は、発光素子形成基板１８上のどこに配置してもよい
が、硬質の材料からなる場合は、できれば発光素子形成
基板１８の発光領域を避けて他の領域に配置することが
好ましい。しかし、この球状の衝撃緩衝部材２２は、封
止部材４０を第２電極１４との間に多数散布されてい
て、外力を分散することができるため、発光領域上に位
置していてもそれほど問題とならない。
【００３２】また、衝撃緩衝部材２２の材質および材料
は、上述の実施の形態１の衝撃緩衝部材２０と同様であ
る。また、衝撃緩衝部材２２に、乾燥剤、例えば炭酸カ
ルシウム等を包含させて、衝撃緩衝機能に加え、乾燥機
能を付加してもよい。
は、上述の実施の形態１の衝撃緩衝部材２０と同様であ
る。また、衝撃緩衝部材２２に、乾燥剤、例えば炭酸カ
ルシウム等を包含させて、衝撃緩衝機能に加え、乾燥機
能を付加してもよい。
【００３３】また、衝撃緩衝部材２２は、その両端に両
面テープを止めて、第２電極１４と封止部材４０に位置
合わせして固定してもよい。
面テープを止めて、第２電極１４と封止部材４０に位置
合わせして固定してもよい。
【００３４】更に、図４（ａ）に示すように、封止部材
４０の裏面４４の所定の位置に、例えばエッチング等に
より孔４６を開け、図４（ｂ）に示すように、孔４６に
両面テープ等の接着部材によって衝撃緩衝部材２２の一
部を固着させたり、または直に衝撃緩衝部材２２を圧着
させて、封止部材４０に衝撃緩衝部材２２を固定し、衝
撃緩衝部材付封止部材を形成し、この衝撃緩衝部材付封
止部材の裏面４４の端部４８に、図４（ｃ）に示すよう
に高さ合わせしたレジスト柱７０を形成して、発光素子
形成基板１８上に被せ、レジスト柱７０の末端を発光素
子形成基板に樹脂等により接着固定させてもよい。な
お、かかる場合、衝撃緩衝部材２２の他端部は、第２電
極１４に当接させてもよく、または衝撃時に当接するよ
うに配置させてもよい。
４０の裏面４４の所定の位置に、例えばエッチング等に
より孔４６を開け、図４（ｂ）に示すように、孔４６に
両面テープ等の接着部材によって衝撃緩衝部材２２の一
部を固着させたり、または直に衝撃緩衝部材２２を圧着
させて、封止部材４０に衝撃緩衝部材２２を固定し、衝
撃緩衝部材付封止部材を形成し、この衝撃緩衝部材付封
止部材の裏面４４の端部４８に、図４（ｃ）に示すよう
に高さ合わせしたレジスト柱７０を形成して、発光素子
形成基板１８上に被せ、レジスト柱７０の末端を発光素
子形成基板に樹脂等により接着固定させてもよい。な
お、かかる場合、衝撃緩衝部材２２の他端部は、第２電
極１４に当接させてもよく、または衝撃時に当接するよ
うに配置させてもよい。
【００３５】また、本実施の形態に係るＥＬデバイス１
０２において、フルカラー化した場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ用の
ＥＬ素子でそれぞれ第２電極１４までの高さが異なる場
合、上述同様、それぞれの高さに応じて、衝撃緩衝部材
２２の粒径を調節して位置合わせし、封止部材４０が歪
まないように挿入配置することが好ましい。
０２において、フルカラー化した場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ用の
ＥＬ素子でそれぞれ第２電極１４までの高さが異なる場
合、上述同様、それぞれの高さに応じて、衝撃緩衝部材
２２の粒径を調節して位置合わせし、封止部材４０が歪
まないように挿入配置することが好ましい。
【００３６】なお、本実施の形態では、ＥＬデバイスを
用いて説明したが、ＥＬ素子においても、球状の衝撃緩
衝部材を間隙３０に挿入配置して、衝撃緩衝等図っても
よい。また、図５に示す衝撃緩衝部材を固定してＥＬデ
バイスを封止する方法は、上述の実施の形態１及び後述
する実施の形態３においても用いることができる。
用いて説明したが、ＥＬ素子においても、球状の衝撃緩
衝部材を間隙３０に挿入配置して、衝撃緩衝等図っても
よい。また、図５に示す衝撃緩衝部材を固定してＥＬデ
バイスを封止する方法は、上述の実施の形態１及び後述
する実施の形態３においても用いることができる。
【００３７】実施の形態３．図５には、本実施の形態の
ＥＬデバイス１０４の構成の一例が示されている。な
お、実施の形態１に示したＥＬデバイスの構成要素と同
一の構成要素には同一の符号を付しその説明を省略す
る。
ＥＬデバイス１０４の構成の一例が示されている。な
お、実施の形態１に示したＥＬデバイスの構成要素と同
一の構成要素には同一の符号を付しその説明を省略す
る。
【００３８】実施の形態１では、柱状の衝撃緩衝部材２
０（図１）を用いたが、本実施の形態では、少なくとも
１枚の衝撃緩衝部材２４を用いている。このような形状
にすることによって、外部からＥＬデバイス１０４のど
こに衝撃が加わったとしても、均一に衝撃を緩衝するこ
とができる。
０（図１）を用いたが、本実施の形態では、少なくとも
１枚の衝撃緩衝部材２４を用いている。このような形状
にすることによって、外部からＥＬデバイス１０４のど
こに衝撃が加わったとしても、均一に衝撃を緩衝するこ
とができる。
【００３９】本実施の形態の衝撃緩衝部材２４の厚み
は、間隙３０の高さが、通常２０μｍ以下であることか
ら、少なくとも２０μｍ以下、好ましくは２〜１０μｍ
である。また、衝撃緩衝部材２４は、発光領域上にも配
置されることから、軟質の材料であることが好ましい。
は、間隙３０の高さが、通常２０μｍ以下であることか
ら、少なくとも２０μｍ以下、好ましくは２〜１０μｍ
である。また、衝撃緩衝部材２４は、発光領域上にも配
置されることから、軟質の材料であることが好ましい。
【００４０】また、衝撃緩衝部材２４の材質および材料
は、軟質であることを除き、上述の実施の形態１の衝撃
緩衝部材２０と同様である。また、衝撃緩衝部材２４
に、乾燥剤、例えば炭酸カルシウム等を包含させて、衝
撃緩衝機能に加え、乾燥機能を付加してもよい。また、
乾燥剤を包含しない場合には、図４に示すように、衝撃
緩衝部材２４上面に、予め乾燥剤６０を載置するための
空き領域を作るように両面テープ５２を貼り、一方空き
領域に乾燥剤６０を載置して、この乾燥剤及び両面テー
プ付き衝撃緩衝部材２４を封止部材４０の裏面に貼着さ
せてもよい。なお、衝撃緩衝部材２４の下面は、第２電
極１４に当接させてもよく、または衝撃時に当接するよ
うに配置させてもよい。
は、軟質であることを除き、上述の実施の形態１の衝撃
緩衝部材２０と同様である。また、衝撃緩衝部材２４
に、乾燥剤、例えば炭酸カルシウム等を包含させて、衝
撃緩衝機能に加え、乾燥機能を付加してもよい。また、
乾燥剤を包含しない場合には、図４に示すように、衝撃
緩衝部材２４上面に、予め乾燥剤６０を載置するための
空き領域を作るように両面テープ５２を貼り、一方空き
領域に乾燥剤６０を載置して、この乾燥剤及び両面テー
プ付き衝撃緩衝部材２４を封止部材４０の裏面に貼着さ
せてもよい。なお、衝撃緩衝部材２４の下面は、第２電
極１４に当接させてもよく、または衝撃時に当接するよ
うに配置させてもよい。
【００４１】また、ＥＬデバイス１０４において、フル
カラー化した場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ用の素子でそれぞれ第２
電極１４までの高さが異なることがある。かかる場合に
は、それぞれの高さに応じて、衝撃緩衝部材２４の厚み
を部分的に変えて、封止部材４０が歪まないように挿入
配置することが好ましい。
カラー化した場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ用の素子でそれぞれ第２
電極１４までの高さが異なることがある。かかる場合に
は、それぞれの高さに応じて、衝撃緩衝部材２４の厚み
を部分的に変えて、封止部材４０が歪まないように挿入
配置することが好ましい。
【００４２】なお、本実施の形態では、ＥＬデバイスを
用いて説明したが、ＥＬ素子においても、少なくとも１
枚の衝撃緩衝部材を間隙に挿入配置して、衝撃緩衝等図
ってもよい。
用いて説明したが、ＥＬ素子においても、少なくとも１
枚の衝撃緩衝部材を間隙に挿入配置して、衝撃緩衝等図
ってもよい。
【００４３】さらに、上述の各実施の形態は、例えば、
アクティブマトリクス型ＥＬデバイスの場合にも適用で
きる。このアクティブマトリクス型ＥＬデバイスは、各
画素に、例えば第１電極にソースが接続され、ドレイン
がＥＬ素子駆動電源に接続され、ゲートがスイッチング
用薄膜トランジスタのソースに接続されたＥＬ素子駆動
用薄膜トランジスタと、ドレインがデータ信号線に、ゲ
ートがゲート信号線に接続されたスイッチング用薄膜ト
ランジスタを備えて構成される。そして、このようなデ
バイスにおいても、上記同様の本発明の効果を得ること
ができる。またさらに、本発明において、電界発光デバ
イスは、蛍光表示管（ＶＦＤ）、ＬＥＤなどに採用して
も同様の効果が得られる。
アクティブマトリクス型ＥＬデバイスの場合にも適用で
きる。このアクティブマトリクス型ＥＬデバイスは、各
画素に、例えば第１電極にソースが接続され、ドレイン
がＥＬ素子駆動電源に接続され、ゲートがスイッチング
用薄膜トランジスタのソースに接続されたＥＬ素子駆動
用薄膜トランジスタと、ドレインがデータ信号線に、ゲ
ートがゲート信号線に接続されたスイッチング用薄膜ト
ランジスタを備えて構成される。そして、このようなデ
バイスにおいても、上記同様の本発明の効果を得ること
ができる。またさらに、本発明において、電界発光デバ
イスは、蛍光表示管（ＶＦＤ）、ＬＥＤなどに採用して
も同様の効果が得られる。
【００４４】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、発光素子
形成基板と封止部材との間隙に衝撃緩衝部材が配置され
ているので、封止部材に外部より振動または衝撃が加わ
ったとしても、衝撃緩衝部材が衝撃等を緩衝するため、
封止部材が歪み発光素子形成基板を損傷させるおそれが
ない。
形成基板と封止部材との間隙に衝撃緩衝部材が配置され
ているので、封止部材に外部より振動または衝撃が加わ
ったとしても、衝撃緩衝部材が衝撃等を緩衝するため、
封止部材が歪み発光素子形成基板を損傷させるおそれが
ない。
【００４５】また、衝撃緩衝部材を封止部材に予め固定
又は封止部材から突出形成しておくことにより、ＥＬデ
バイスまたはＥＬ素子の機能を損なうことなく、均等に
外部からの衝撃等を緩衝することができる。
又は封止部材から突出形成しておくことにより、ＥＬデ
バイスまたはＥＬ素子の機能を損なうことなく、均等に
外部からの衝撃等を緩衝することができる。
【００４６】従って、安定した長寿命のＥＬデバイスま
たはＥＬ素子を得ることができる。
たはＥＬ素子を得ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に示す電界発光デバイ
スの構成の一例を示す断面図である。
スの構成の一例を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１に示す電界発光素子の
構成の一例を示す断面図である。
構成の一例を示す断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態２に示す電界発光デバイ
スの構成の一例を示す断面図である。
スの構成の一例を示す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態２に示す電界発光デバイ
スの製造の一例を説明する図である。
スの製造の一例を説明する図である。
【図５】 本発明の実施の形態３に示す電界発光デバイ
スの構成の一例を示す断面図である。
スの構成の一例を示す断面図である。
【図６】 従来の電界発光デバイスの構成を示す断面図
である。
である。
１０ 基板、１２ 第１電極、１４ 第２電極、１６
発光素子層、１８ 発光素子形成基板、２０ 衝撃緩衝
部材、３０ 間隙、４０ 封止部材、１００電界発光デ
バイス。
発光素子層、１８ 発光素子形成基板、２０ 衝撃緩衝
部材、３０ 間隙、４０ 封止部材、１００電界発光デ
バイス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 BB01 BB04 BB05 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA02
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された第１電極と、前記第
１電極上に発光層を挟んで形成された第２電極と、を備
えた発光素子形成基板と、 前記発光素子形成基板の素子形成面側を覆う封止部材
と、 前記発光素子形成基板と封止部材との間隙に配置される
衝撃緩衝部材と、 を有することを特徴とする衝撃緩衝機能付電界発光デバ
イス。 - 【請求項２】 請求項１に記載の衝撃緩衝機能付電界発
光デバイスにおいて、 前記封止部材の前記発光素子形成基板との対向面側に
は、前記衝撃緩衝部材が突設又は固定されていることを
特徴とする衝撃緩衝機能付電界発光デバイス。 - 【請求項３】 基板上に形成された第１電極と、前記第
１電極上に発光層を挟んで形成された第２電極と、を備
えた発光素子形成基板の素子形成面側を覆う封止部材に
おいて、 前記封止部材の前記発光素子形成基板との対向面側に
は、衝撃緩衝部材が突設又は固定されていることを特徴
とする電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001098904A JP4511072B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材 |
| TW091105696A TW535456B (en) | 2001-03-30 | 2002-03-25 | Electroluminescense light emitting device with a shock reducing function, and a sealing member with a shock reducing fuction for use in the electroluminescense light emitting device |
| EP02252259A EP1246509A3 (en) | 2001-03-30 | 2002-03-27 | Electroluminescence device with shock buffer function and sealing member with shock buffer function for the same |
| CNB021049785A CN100438711C (zh) | 2001-03-30 | 2002-03-29 | 带冲击缓冲功能的电场发光器件及用于其中的密封构件 |
| KR1020020017369A KR100641261B1 (ko) | 2001-03-30 | 2002-03-29 | 충격 완충 기능이 부가된 전계 발광 디바이스 및 전계발광 디바이스용 충격 완충 기능이 부가된 밀봉 부재 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001098904A JP4511072B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299042A true JP2002299042A (ja) | 2002-10-11 |
| JP4511072B2 JP4511072B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=18952509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001098904A Expired - Lifetime JP4511072B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 衝撃緩衝機能付電界発光デバイス及び電界発光デバイス用の衝撃緩衝機能付封止部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1246509A3 (ja) |
| JP (1) | JP4511072B2 (ja) |
| KR (1) | KR100641261B1 (ja) |
| CN (1) | CN100438711C (ja) |
| TW (1) | TW535456B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100826011B1 (ko) * | 2006-10-24 | 2008-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 소자 |
| US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| KR101285533B1 (ko) | 2005-09-13 | 2013-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 내부 열의 방출을 감소시키는 디스플레이 소자 |
| WO2016017064A1 (ja) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100787422B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 구조가 개선된 메탈 캡 및 이를 구비한 유기 전자 발광표시 모듈 |
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